TW202601940A - 包含基材、整合裝置、及散熱器的封裝 - Google Patents

Abstract

一種封裝，其包含：一第一基材；一第一整合裝置，其耦接至該第一基材；一第二基材；一第二整合裝置，其耦接至該第二基材；及一散熱器，其耦接至該第二基材，其中該散熱器與該第一整合裝置的至少部分垂直重疊，且其中該散熱器位於該第二整合裝置側向。

Description

包含基材、整合裝置、及散熱器的封裝

相關申請案之交互參照本申請案主張於2024年3月15日在美國專利商標局提出申請之美國非臨時專利申請案第18/607,034號之優先權及權益，其全部內容如同下文全文完全闡述一樣且出於所有適用目的以引用方式併入本文。

各種特徵係關於具有基材、整合裝置、及散熱器的封裝。

封裝可包括基材及整合裝置。此等組件係耦接在一起，以提供可執行各種電功能的封裝。持續需要提供性能更佳的封裝。此外，亦持續需要減少封裝的整體大小。

各種特徵係關於具有基材、整合裝置、及散熱器的封裝。

一個實例提供一種封裝，其包含：一第一基材；一第一整合裝置，其耦接至該第一基材；一第二基材；一第二整合裝置，其耦接至該第二基材；及一散熱器，其耦接至該第二基材，其中該散熱器與該第一整合裝置的至少部分垂直重疊，且其中該散熱器位於該第二整合裝置側向。

另一實例提供一種用於製造一封裝的方法。該方法提供一第一基材。該方法將一第一整合裝置耦接至該第一基材。該方法提供一第二基材。該方法將一散熱器耦接至該第二基材，其中該散熱器與該第一整合裝置的至少部分垂直重疊，且其中該散熱器位於該第二整合裝置側向。

在以下描述中，給出具體細節以提供對本揭露的各個態樣的透徹理解。然而，所屬技術領域中具有通常知識者應理解，可在沒有這些具體細節的情況下實踐這些態樣。例如，可在方塊圖中顯示電路以避免不必要的細節使態樣模糊。在其他情況下，可能不會詳細顯示眾所周知的電路、結構和技術，以免使本揭露的態樣模糊。

本揭露描述一種封裝，其包含：一第一基材；一第一整合裝置，其耦接至該第一基材；一第二基材；一第二整合裝置，其耦接至該第二基材；及一散熱器，其耦接至該第二基材，其中該散熱器與該第一整合裝置的至少部分垂直重疊，且其中該散熱器位於該第二整合裝置側向。如下文將進一步描述，封裝提供改良之高效及/或有效的熱耗散，此情形改良整合裝置及封裝的熱效能。包含基材、整合裝置及散熱器的例示性封裝

圖1繪示包括基材、整合裝置及散熱器之封裝100的截面輪廓圖。封裝100可實施為層疊封裝(package on package, PoP)的部分。封裝100透過複數個焊料互連件111耦接至板109。板109包括至少一個板介電層190及複數個板互連件192。板109可包括印刷電路板(printed circuit board, PCB)。

封裝100包括基材102、基材104、整合裝置101、整合裝置103、整合裝置107、散熱器105及囊封層108。基材102可係第一基材（例如，底部基材）。基材102包括至少一個介電層120、複數個互連件122、及阻焊層126。至少一個介電層120可包括至少一個第一介電層。複數個互連件122可包括第一複數個互連件。基材102可包括第一表面（例如，頂部表面）及第二表面（例如，底部表面）。

基材104可為第二基材（例如，頂部基材）。基材104包括至少一個介電層140、複數個互連件142、及阻焊層146。至少一個介電層140可包括至少一個第二介電層。複數個互連件142可包括第二複數個互連件。基材104可包括第一表面（例如，頂部表面）及第二表面（例如，底部表面）。基材104可包括複數個互連件144。複數個互連件144可不與複數個互連件142電連接。複數個互連件144可包括板互連件、通孔互連件、及/或通孔互連件的堆疊。

整合裝置103可係第一整合裝置。整合裝置103可透過複數個柱互連件130及複數個焊料互連件132耦接至基材102。整合裝置103可透過複數個柱互連件130及複數個焊料互連件132耦接至基材102的第一表面（例如，頂部表面）。整合裝置103可透過複數個柱互連件130及複數個焊料互連件132耦接至複數個互連件122。複數個焊料互連件132可接觸複數個互連件122的互連件。整合裝置103可包括前側及背側。

基材104透過複數個焊料互連件106耦接至基材102。複數個焊料互連件106位於基材102與基材104之間。複數個焊料互連件106耦接至複數個互連件122及複數個互連件142。整合裝置103可位於基材102與基材104之間。

囊封層108耦接至基材102及基材104。囊封層108位於基材102與基材104之間。囊封層108可至少部分囊封整合裝置103及/或複數個焊料互連件106。囊封層108可接觸基材102、基材104、整合裝置103及/或複數個焊料互連件106。舉例而言，囊封層108可接觸整合裝置103的背側及/或整合裝置103的側表面。囊封層108位於整合裝置103及/或複數個焊料互連件106可側向。囊封層108可包括模具、樹脂、及/或環氧樹脂。囊封層108可係用於囊封的構件。囊封層108可藉由使用壓縮及轉移模製程序、片材模製程序、或液體模製程序來提供。

散熱器105耦接至基材104的第一表面（例如，頂部基材）。在一些實施方案中，散熱器105可透過熱界面材料(thermal interface material, TIM)耦接至基材104。在一些實施方案中，散熱器105可透過焊料互連件耦接至基材104。散熱器105與整合裝置103可至少部分垂直重疊。散熱器105與複數個互連件144可至少部分垂直重疊。複數個互連件144與整合裝置103可至少部分重疊。複數個互連件144可接觸整合裝置103的背側。散熱器105可係包括相對高之熱導率的組件。散熱器105可包括金屬，諸如銅（Cu）。在一些實施方案中，複數個互連件144可透過熱界面材料(thermal interface material, TIM)耦接至整合裝置103的背側。在一些實施方案中，複數個互連件144透過焊料互連件可耦接至整合裝置103的背側。

在一些實施方案中，整合裝置103產生之熱的至少一些可透過整合裝置103之背側、透過複數個互連件144以及透過散熱器105耗散。

整合裝置101可係第二整合裝置。整合裝置101可透過複數個焊料互連件110耦接至基材104。整合裝置101可透過複數個焊料互連件110耦接至基材104的第一表面（例如，頂部表面）。整合裝置101與整合裝置103可至少部分垂直重疊。例如，整合裝置101可與整合裝置103的至少部分垂直重疊。整合裝置101之一部分可與整合裝置103垂直重疊。例如，整合裝置101的一部分可能不與整合裝置103垂直重疊。

整合裝置107可係第三整合裝置。整合裝置107可透過複數個焊料互連件170耦接至基材104。整合裝置107可透過複數個焊料互連件170耦接至基材104的第一表面（例如，頂部表面）。整合裝置107與整合裝置103可至少部分垂直重疊。例如，整合裝置107可與整合裝置103的至少部分垂直重疊。整合裝置107之一部分可與整合裝置103垂直重疊。例如，整合裝置107的一部分可能不與整合裝置103垂直重疊。

整合裝置101位於散熱器105及/或整合裝置107可側向。整合裝置107位於散熱器105及/或整合裝置101可側向。

請注意，散熱器及/或整合裝置的大小及/或形狀可能隨著不同實施方案而發生變化。另外，整合裝置的數量及/或散熱器的數量可能隨著不同實施方案而發生變化。此外，整合裝置及/或散熱器的方位及/或位置可能隨著不同實施方案而發生變化。在一些實施方案中，封裝可耦接至第二基材（例如，104）。例如，包含基材及整合裝置（例如，記憶體整合裝置）的記憶體封裝可透過複數個焊料互連件耦接至基材。在一些實施方案中，整合裝置101及/或整合裝置107可在概念上表示包括基材及整合裝置的封裝。

圖2繪示包括基材、整合裝置及散熱器之封裝200的截面輪廓圖。封裝200可實施為層疊封裝(package on package, PoP)的部分。封裝200透過複數個焊料互連件111耦接至板109。板109包括至少一個板介電層190及複數個板互連件192。板109可包括印刷電路板(printed circuit board, PCB)。

封裝200類似於封裝100且可包括與封裝100類似的組件，並且至少部分可以如針對封裝100所述之方式類似的方式配置。封裝200包括基材102、基材104、整合裝置101、整合裝置103、整合裝置107、散熱器105、被動裝置205及囊封層108。基材102可係第一基材（例如，底部基材）。基材102包括至少一個介電層120、複數個互連件122、及阻焊層126。至少一個介電層120可包括至少一個第一介電層。複數個互連件122可包括第一複數個互連件。基材102可包括第一表面（例如，頂部表面）及第二表面（例如，底部表面）。

基材104可為第二基材（例如，頂部基材）。基材104包括至少一個介電層140、複數個互連件142、及阻焊層146。至少一個介電層140可包括至少一個第二介電層。複數個互連件142可包括第二複數個互連件。基材104可包括第一表面（例如，頂部表面）及第二表面（例如，底部表面）。基材104可包括複數個互連件144。複數個互連件144可不與複數個互連件142電連接。複數個互連件144可包括板互連件、通孔互連件、及/或通孔互連件的堆疊。

整合裝置103可係第一整合裝置。整合裝置103可透過複數個柱互連件130及複數個焊料互連件132耦接至基材102。整合裝置103可透過複數個柱互連件130及複數個焊料互連件132耦接至基材102的第一表面（例如，頂部表面）。整合裝置103可透過複數個柱互連件130及複數個焊料互連件132耦接至複數個互連件122。複數個焊料互連件132可接觸複數個互連件122的互連件。整合裝置103可包括前側及背側。

基材104透過複數個焊料互連件106耦接至基材102。複數個焊料互連件106位於基材102與基材104之間。複數個焊料互連件106耦接至複數個互連件122及複數個互連件142。整合裝置103可位於基材102與基材104之間。

囊封層108耦接至基材102及基材104。囊封層108位於基材102與基材104之間。囊封層108可至少部分囊封整合裝置103及/或複數個焊料互連件106。囊封層108可接觸基材102、基材104、整合裝置103及/或複數個焊料互連件106。舉例而言，囊封層108可接觸整合裝置103的背側及/或整合裝置103的側表面。囊封層108位於整合裝置103及/或複數個焊料互連件106可側向。囊封層108可包括模具、樹脂、及/或環氧樹脂。囊封層108可係用於囊封的構件。囊封層108可藉由使用壓縮及轉移模製程序、片材模製程序、或液體模製程序來提供。

散熱器105透過熱界面材料250耦接至基材104的第一表面（例如，頂部基材）。在一些實施方案中，散熱器105可透過焊料互連件耦接至基材104。散熱器105與整合裝置103可至少部分垂直重疊。散熱器105與複數個互連件144可至少部分垂直重疊。複數個互連件144與整合裝置103可至少部分垂直重疊。複數個互連件144可透過熱界面材料230耦接至整合裝置103的背側。在一些實施方案中，複數個互連件144透過焊料互連件可耦接至整合裝置103的背側。

被動裝置205耦接至基材104的第一表面。在一些實施方案中，被動裝置205透過焊料互連件耦接至基材104。被動裝置205可耦接至基材104之複數個互連件142中的一互連件。被動裝置205可包括電容器。

在一些實施方案中，整合裝置103產生之熱的至少一些可透過整合裝置103之背側、透過複數個互連件144以及透過散熱器105耗散。

整合裝置101可係第二整合裝置。整合裝置101可透過複數個焊料互連件110耦接至基材104。整合裝置101可透過複數個焊料互連件110耦接至基材104的第一表面（例如，頂部表面）。整合裝置101與整合裝置103可至少部分垂直重疊。例如，整合裝置101可與整合裝置103的至少部分垂直重疊。整合裝置101之一部分可與整合裝置103垂直重疊。例如，整合裝置101的一部分可能不與整合裝置103垂直重疊。

整合裝置107可係第三整合裝置。整合裝置107可透過複數個焊料互連件170耦接至基材104。整合裝置107可透過複數個焊料互連件170耦接至基材104的第一表面（例如，頂部表面）。整合裝置107與整合裝置103可至少部分垂直重疊。例如，整合裝置107可與整合裝置103的至少部分垂直重疊。整合裝置107之一部分可與整合裝置103垂直重疊。例如，整合裝置107的一部分可能不與整合裝置103垂直重疊。

整合裝置101位於散熱器105及/或整合裝置107可側向。整合裝置107位於散熱器105及/或整合裝置101可側向。

請注意，散熱器及/或整合裝置的大小及/或形狀可能隨著不同實施方案而發生變化。另外，整合裝置的數量及/或散熱器的數量可能隨著不同實施方案而發生變化。此外，整合裝置及/或散熱器的方位及/或位置可能隨著不同實施方案而發生變化。在一些實施方案中，封裝可耦接至第二基材（例如，104）。例如，包含基材及整合裝置（例如，記憶體整合裝置）的記憶體封裝可透過複數個焊料互連件耦接至基材。在一些實施方案中，整合裝置101及/或整合裝置107可在概念上表示包括基材及整合裝置的封裝。

圖3繪示包括基材、整合裝置及散熱器之封裝300的截面輪廓圖。封裝300可實施為層疊封裝(package on package, PoP)的部分。封裝300透過複數個焊料互連件111耦接至板109。板109包括至少一個板介電層190及複數個板互連件192。板109可包括印刷電路板(printed circuit board, PCB)。

封裝300類似於封裝200且可包括與封裝100及/或封裝200類似的組件，並且至少部分可以如針對封裝100及/或封裝200所述之方式類似的方式配置。封裝300包括基材102、基材104、整合裝置101、整合裝置103、整合裝置107、散熱器105、被動裝置205及囊封層108。整合裝置103包括複數個金屬化互連件330。複數個金屬化互連件330可包括墊互連件。複數個金屬化互連件330可耦接至整合裝置103的背側。複數個金屬化互連件330可為背側金屬化互連件。

基材104可透過熱界面材料230耦接至整合裝置103。基材104的複數個互連件144透過熱界面材料230耦接至整合裝置103的複數個金屬化互連件330。在一些實施方案中，基材104的複數個互連件144透過焊料互連件耦接至整合裝置103的複數個金屬化互連件330。

圖4繪示包括基材、整合裝置及散熱器之封裝400的截面輪廓圖。封裝400可實施為層疊封裝(package on package, PoP)的部分。封裝400透過複數個焊料互連件111耦接至板109。板109包括至少一個板介電層190及複數個板互連件192。板109可包括印刷電路板(printed circuit board, PCB)。

封裝400類似於封裝100且可包括與封裝100類似的組件，並且至少部分可以如針對封裝100所述之方式類似的方式配置。封裝400包括基材102、基材104、整合裝置101、整合裝置103、整合裝置107、散熱器105、被動裝置205及囊封層108。

基材102可係第一基材（例如，底部基材）。基材102包括至少一個介電層120、複數個互連件122、及阻焊層126。至少一個介電層120可包括至少一個第一介電層。複數個互連件122可包括第一複數個互連件。基材102可包括第一表面（例如，頂部表面）及第二表面（例如，底部表面）。

基材104可為第二基材（例如，頂部基材）。基材104包括至少一個介電層140、複數個互連件142、及阻焊層146。至少一個介電層140可包括至少一個第二介電層。複數個互連件142可包括第二複數個互連件。基材104可包括第一表面（例如，頂部表面）及第二表面（例如，底部表面）。基材104亦可包括至少一個空腔440。至少一個空腔440可延伸穿過基材104的厚度。

散熱器105透過熱界面材料430耦接至整合裝置103。熱界面材料430可至少部分位於基材104的至少一個空腔440中。熱界面材料430可耦接及接觸散熱器105、基材104及/或整合裝置103的背側。散熱器105與整合裝置103可至少部分垂直重疊。在一些實施方案中，整合裝置103可包括複數個金屬化互連件330，如封裝300中所述。熱界面材料430可耦接及接觸整合裝置103的複數個金屬化互連件330。替代熱界面材料430，在一些實施方案中，散熱器105可透過焊料互連件而耦接至基材104及/或整合裝置103。

囊封層108耦接至基材102及基材104。囊封層108位於基材102與基材104之間。囊封層108可至少部分囊封整合裝置103及/或複數個焊料互連件106。囊封層108可接觸基材102、基材104、整合裝置103及/或複數個焊料互連件106。舉例而言，囊封層108可接觸整合裝置103的背側及/或整合裝置103的側表面。囊封層108位於整合裝置103及/或複數個焊料互連件106可側向。囊封層108可包括模具、樹脂、及/或環氧樹脂。囊封層108可係用於囊封的構件。囊封層108可藉由使用壓縮及轉移模製程序、片材模製程序、或液體模製程序來提供。

在一些實施方案中，整合裝置103產生之熱的至少一些可透過整合裝置103之背側、透過熱界面材料430，以及透過散熱器105耗散。在一些實施方案中，整合裝置103產生的熱亦可透過基材104的複數個互連件142耗散。

整合裝置101可係第二整合裝置。整合裝置101可透過複數個焊料互連件110耦接至基材104。整合裝置101可透過複數個焊料互連件110耦接至基材104的第一表面（例如，頂部表面）。整合裝置101與整合裝置103可至少部分垂直重疊。

整合裝置107可係第三整合裝置。整合裝置107可透過複數個焊料互連件170耦接至基材104。整合裝置107可透過複數個焊料互連件170耦接至基材104的第一表面（例如，頂部表面）。整合裝置107與整合裝置103可至少部分垂直重疊。

整合裝置101位於散熱器105及/或整合裝置107可側向。整合裝置107位於散熱器105及/或整合裝置101可側向。

請注意，散熱器及/或整合裝置的大小及/或形狀可能隨著不同實施方案而發生變化。另外，整合裝置的數量及/或散熱器的數量可能隨著不同實施方案而發生變化。此外，整合裝置及/或散熱器的方位及/或位置可能隨著不同實施方案而發生變化。在一些實施方案中，封裝可耦接至第二基材（例如，104）。例如，包含基材及整合裝置（例如，記憶體整合裝置）的記憶體封裝可透過複數個焊料互連件耦接至基材。在一些實施方案中，整合裝置101及/或整合裝置107可在概念上表示包括基材及整合裝置的封裝。例示性溫度圖

圖5繪示封裝之各種組態的平面圖。圖5繪示封裝500、封裝510及封裝520的平面圖。封裝500包括整合裝置103、基材104、及整合裝置502。封裝510包括整合裝置103、基材104、整合裝置511、整合裝置517及散熱器515。封裝520包括整合裝置103、基材104、整合裝置521、整合裝置527及散熱器525。

如圖5中所示，封裝500包括整合裝置103、基材104、及整合裝置502。整合裝置103包括主動區501。主動區501包括複數個電晶體。主動區501位於整合裝置103的左上方部分中。整合裝置103的主動區501將在整合裝置103中產生大量熱。基材104位於整合裝置103與整合裝置502之間。封裝500不包括散熱器。整合裝置502與整合裝置103垂直重疊。

如圖5中所示，封裝510包括整合裝置103、基材104、整合裝置511、整合裝置517及散熱器515。封裝510可表示封裝100。散熱器515可表示散熱器105。整合裝置511可表示整合裝置101。整合裝置517可表示整合裝置107。整合裝置103包括主動區501。主動區501包括複數個電晶體。主動區501位於整合裝置103的左上方部分中。基材104位於整合裝置103與整合裝置511之間。基材104位於整合裝置103與整合裝置517之間。基材104位於整合裝置103與散熱器515之間。整合裝置511與整合裝置103之至少一部分垂直重疊。整合裝置517與整合裝置103之至少一部分垂直重疊。散熱器515與整合裝置103的至少一部分垂直重疊。散熱器515位於整合裝置511及/或整合裝置517側向。

如圖5中所示，封裝520包括整合裝置103、基材104、整合裝置521、整合裝置527及散熱器525。封裝520可表示封裝100。散熱器525可表示散熱器105。整合裝置521可表示整合裝置101。整合裝置527可表示整合裝置107。整合裝置103包括主動區501。主動區501包括複數個電晶體。主動區501位於整合裝置103的左上方部分中。基材104位於整合裝置103與整合裝置521之間。基材104位於整合裝置103與整合裝置527之間。基材104位於整合裝置103與散熱器525之間。整合裝置521與整合裝置103之至少一部分垂直重疊。整合裝置527與整合裝置103之至少一部分垂直重疊。散熱器525與整合裝置103的至少一部分垂直重疊。散熱器525位於整合裝置521及/或整合裝置527側向。散熱器525可大於散熱器515。

圖6繪示圖5之封裝的例示性溫度圖。圖6繪示可對應於封裝500的溫度圖600。圖6亦繪示可對應於封裝510的溫度圖610。圖6進一步繪示可對應於封裝520的溫度圖620。

溫度圖600可繪示整合裝置103在不存在散熱器時的溫度分布的實例。如圖6中所顯示，整合裝置103的係在主動區501上方的部分溫度最高，且整合裝置103之特定部分的溫度隨著該特定部分距離主動區501越遠而降低。

溫度圖610可繪示整合裝置103在存在散熱器515時的溫度分布的實例。如圖6中所顯示，整合裝置103的係在主動區501上方的部分溫度最高，且整合裝置103之特定部分的溫度隨著該特定部分距離主動區501越遠而降低。然而，散熱器515的存在有助於降低整合裝置103的整體溫度，並降低整合裝置103在某些熱點（諸如，主動區501上方的區）處的溫度。

溫度圖620可繪示整合裝置103在存在散熱器525時的溫度分布的實例。散熱器525大於散熱器515，此情形意謂更多熱可被有效地耗散。如圖6中所顯示，整合裝置103的係在主動區501上方的部分溫度最高，且整合裝置103之特定部分的溫度隨著該特定部分距離主動區501越遠而降低。然而，大於散熱器515之散熱器525的存在有助於使整合裝置103之整體溫度降低得甚至更多（相較於散熱器515），並降低整合裝置103在某些熱點（諸如，主動區501上方的區）處的溫度。

如圖6中所顯示，封裝的各種組態有助於降低整合裝置的整體溫度，以及減少整合裝置的局部熱點，此情形有助於提高整合裝置的效能及/或封裝的效能。散熱器的大小、形狀、方位、位置可經組態以最佳化整合裝置的熱分布及/或熱耗散，從而為整合裝置及/或封裝提供最佳效能。此外，封裝具有緊湊及/或改良的形狀因數，同時仍提供改良之效能。包含具有組態為散熱器之部分的基材的例示性封裝

圖7繪示包括基材、整合裝置之封裝700的截面輪廓圖，其中基材之一部分可組態為散熱器。封裝700可實施為層疊封裝(package on package, PoP)的部分。封裝700透過複數個焊料互連件111耦接至板109。板109包括至少一個板介電層190及複數個板互連件192。板109可包括印刷電路板(printed circuit board, PCB)。

封裝700包括基材102、基材104、整合裝置103、整合裝置107、散熱器105及囊封層108。基材102可係第一基材（例如，底部基材）。基材102包括至少一個介電層120、複數個互連件122、及阻焊層126。至少一個介電層120可包括至少一個第一介電層。複數個互連件122可包括第一複數個互連件。基材102可包括第一表面（例如，頂部表面）及第二表面（例如，底部表面）。

基材104可為第二基材（例如，頂部基材）。基材104包括至少一個介電層140、複數個互連件142、及阻焊層146。至少一個介電層140可包括至少一個第二介電層。基材104可包括第一表面（例如，頂部表面）及第二表面（例如，底部表面）。基材104亦可包括複數個散熱器互連件744。複數個散熱器互連件744可被視為複數個互連件142的一部分。複數個散熱器互連件744可不與複數個互連件142電連接。複數個散熱器互連件744可包括板互連件、通孔互連件、及/或通孔互連件的堆疊。複數個散熱器互連件744可經組態以作為散熱器操作。

整合裝置103可係第一整合裝置。整合裝置103可透過複數個柱互連件130及複數個焊料互連件132耦接至基材102。整合裝置103可透過複數個柱互連件130及複數個焊料互連件132耦接至基材102的第一表面（例如，頂部表面）。整合裝置103可透過複數個柱互連件130及複數個焊料互連件132耦接至複數個互連件122。複數個焊料互連件132正接觸複數個互連件122的互連件。整合裝置103可包括前側及背側。

在一些實施方案中，整合裝置103的背側可接觸基材104。例如，整合裝置103的背側可耦接至及接觸複數個散熱器互連件744。在一些實施方案中，整合裝置103的背側可透過熱界面材料(thermal interface material, TIM)、黏合劑及/或焊料互連件與複數個散熱器互連件744耦接。

基材104透過複數個焊料互連件106耦接至基材102。複數個焊料互連件106位於基材102與基材104之間。複數個焊料互連件106耦接至複數個互連件122及複數個互連件142。

囊封層108耦接至基材102及基材104。囊封層108位於基材102與基材104之間。囊封層108可至少部分囊封整合裝置103及/或複數個焊料互連件106。囊封層108可接觸基材102、基材104、整合裝置103及/或複數個焊料互連件106。舉例而言，囊封層108可接觸整合裝置103的背側及/或整合裝置103的側表面。囊封層108位於整合裝置103及/或複數個焊料互連件106可側向。囊封層108可包括模具、樹脂、及/或環氧樹脂。囊封層108可係用於囊封的構件。囊封層108可藉由使用壓縮及轉移模製程序、片材模製程序、或液體模製程序來提供。

散熱器105耦接至基材104的第一表面（例如，頂部基材）。在一些實施方案中，散熱器105可透過熱界面材料(thermal interface material, TIM)耦接至基材104。在一些實施方案中，散熱器105可透過焊料互連件耦接至基材104。散熱器105與整合裝置103可至少部分垂直重疊。散熱器105與複數個散熱器互連件744可至少部分垂直重疊。複數個散熱器互連件744與整合裝置103可至少部分垂直重疊。複數個散熱器互連件744可接觸整合裝置103的背側。散熱器105可係包括相對高之熱導率的組件。散熱器105可包括金屬。

在一些實施方案中，整合裝置103產生之熱的至少一些可透過整合裝置103之背側、透過複數個散熱器互連件744以及透過散熱器105耗散。

整合裝置107可係第二整合裝置。整合裝置107可透過複數個焊料互連件170耦接至基材104。整合裝置107可透過複數個焊料互連件170耦接至基材104的第一表面（例如，頂部表面）。整合裝置107與整合裝置103可至少部分垂直重疊。

請注意，散熱器及/或整合裝置的大小及/或形狀可能隨著不同實施方案而發生變化。另外，整合裝置的數量及/或散熱器的數量可能隨著不同實施方案而發生變化。此外，整合裝置及/或散熱器的方位及/或位置可能隨著不同實施方案而發生變化。在一些實施方案中，封裝可耦接至第二基材（例如，104）。例如，包含基材及整合裝置（例如，記憶體整合裝置）的記憶體封裝可透過複數個焊料互連件耦接至基材。在一些實施方案中，整合裝置107可在概念上表示包括基材及整合裝置的封裝。

圖8繪示圖7之封裝700的平面圖。封裝700包括整合裝置103、基材104、整合裝置107及散熱器105。整合裝置103包括主動區501。主動區501包括複數個電晶體。主動區501位於整合裝置103的左上方部分中。基材104的至少部分可包括複數個散熱器互連件。

圖9繪示封裝700之例示性溫度圖900。溫度圖900可繪示整合裝置103在偏移至整合裝置103之散熱器情況下的溫度分布的實例。如圖9中所顯示，整合裝置103的係在主動區501上方的部分溫度最高，且整合裝置103之特定部分的溫度隨著該特定部分距離主動區501越遠而降低。例示性整合裝置

圖10繪示包括晶粒基材之整合裝置1000的截面輪廓圖。整合裝置1000可表示整合裝置101、整合裝置103及/或整合裝置107。整合裝置1000包括晶粒基材部分1002及晶粒互連部分1004。晶粒基材部分1002包括晶粒基材1020、主動區1022及複數個貫穿基材通孔1021。主動區1022可包括複數個邏輯單元、複數個電晶體、及/或複數個濾波器。不同的實施方案可使用不同類型的電晶體，諸如場效應電晶體(FET)、平面FET、finFET及閘極全包圍FET。在一些實施方案中，前段程序(front end of line, FEOL)程序可用以製造晶粒基材1020的主動區1022。

晶粒基材1020可包括矽(Si)。晶粒基材1020可包含塊狀矽。塊狀矽可包括單塊矽。複數個貫穿基材通孔1021可延伸通過晶粒基材1020。不同實施方案對於晶片基材1020可具有不同的的厚度。

晶粒互連部分1004包括至少一個介電層1040及複數個晶粒互連件1042。晶粒互連部分1004耦接至晶粒基材部分1002。複數個晶粒互連件1042耦接至晶粒基材部分1002的主動區1022。複數個晶粒互連件1042可耦接至複數個貫穿基材通孔1021。晶粒互連部分1004亦可包括複數個墊互連件1001及鈍化層1006。在一些實施方案中，可使用後段程序(back end of line, BEOL)程序來製造晶粒互連部分1004。複數個金屬化互連件1023可耦接至複數個貫穿基材通孔1021。複數個金屬化互連件1023可係耦接至晶粒基材部分1002之背側金屬化部分的一部分。整合裝置1000可包括前側及背側。整合裝置1000的前側可為包括複數個墊互連件1001的一側。整合裝置1000的背側可係包括晶粒基材部分1002及/或晶粒基材1020的一側。

在一些實施方案中，至及/或自主動區1022的電路徑可包括複數個晶粒互連件1042的至少一個晶粒互連件、複數個貫穿基材通孔1021的至少一個貫穿基材通孔。在一些實施方案中，至及/或自主動區1022的電路徑可包括複數個晶粒互連件1042的至少一個晶粒互連件，複數個墊互連件1001的至少一個墊互連件。

整合裝置（例如，103）可包括晶粒（例如，半導體裸晶粒）。整合裝置可包括電源管理積體電路(power management integrated circuit, PMIC)。整合裝置可包括應用處理器。整合裝置可包括數據機。整合裝置可包括射頻(radio frequency, RF)裝置、被動裝置、濾波器、電容器、電感器、天線、傳輸器、接收器、砷化鎵(GaAs)系的整合裝置、表面聲波(surface acoustic wave, SAW)濾波器、體聲波(bulk acoustic wave, BAW)濾波器、發光二極體(light emitting diode, LED)整合裝置、矽(Si)系的整合裝置、碳化矽(SiC)系的整合裝置、記憶體、電源管理處理器、及/或其組合。整合裝置可包括至少一個電子電路（例如，第一電子電路、第二電子電路等）。整合裝置可包括輸入/輸出(I/O)集線器。整合裝置可包括電晶體。整合裝置可為電氣組件及/或電氣裝置的實例。

在一些實施方案中，整合裝置可係小晶片。可使用與用以製造其他類型的整合裝置的其他程序相比提供更佳良率的程序來製造小晶片，此可降低製造小晶片的總體成本。不同的小晶片可具有不同的大小及/或形狀。不同的小晶片可經組態以提供不同的功能。不同的小晶片可具有不同的互連件密度（例如，具有不同寬度及/或間距的互連件）。在一些實施方案中，數個小晶片可用於執行一或多個晶片（例如，一或多個整合裝置）的功能性。如上所述，相對於使用單個晶片以執行封裝的所有功能，使用執行若干功能的若干小晶片可降低封裝的總體成本。在一些實施方案中，本揭露中描述的一或多個小晶片及/或一或多個整合裝置（例如，103）可使用相同的技術節點或者兩個或更多個不同的技術節點來製造。例如，可使用第一技術節點製造整合裝置，並且可使用不如第一技術節點先進的第二技術節點製造小晶片。在此一實例中，整合裝置可包括具有第一最小尺寸的組件（例如，互連件、電晶體），且小晶片可包括具有第二最小尺寸的組件（例如，互連件、電晶體），其中第二最小尺寸大於第一最小尺寸。在一些實施方案中，封裝的第一整合裝置及第二整合裝置可使用相同技術節點或不同技術節點來製造。在一些實施方案中，封裝的小晶片及另一小晶片可使用相同技術節點或不同技術節點來製造。

技術節點可指用以製造整合裝置及/或小晶片的特定製造程序及/或技術。技術節點可指定可製造的最小可能尺寸（例如，最小尺寸）（例如，電晶體的尺寸、跡線的寬度、兩個電晶體之間的間隙）。不同的技術節點可具有不同的良率損失。不同的技術節點可具有不同的成本。與生產具有較不精細細節的組件（例如，跡線、電晶體）的技術節點相比，生產具有精細細節的組件（例如，跡線、電晶體）的技術節點更昂貴且可具有更高的良率損失。因此，與較不先進的技術節點相比，更先進的技術節點可更昂貴且可具有更高的良率損失。當封裝的所有功能均在單一整合裝置中實施時，即使整合裝置的一些功能不需要使用該特定技術節點來製造，仍使用相同的技術節點來製造整個整合裝置。因此，整合裝置經鎖定至一個技術節點中。為了最佳化封裝的成本，一些功能可在不同的整合裝置及/或小晶片中實施，其中可使用不同的技術節點來製造不同的整合裝置及/或小晶片，以降低總體成本。例如，需要使用最先進的技術節點的功能可在整合裝置中實施，可使用較不先進的技術節點實施的功能可在另一整合裝置及/或一或多個小晶片中實施。一個實例將係使用第一技術節點（例如，最先進的技術節點）製造的整合裝置，該整合裝置經組態以提供運算應用；及使用第二技術節點製造的至少一個小晶片，其經組態以提供其他功能，其中第二技術節點並非如第一技術節點般昂貴，且其中第二技術節點製造具有最小尺寸之組件，該最小尺寸大於使用第一技術節點製造之組件的最小尺寸。運算應用的實例可包括高效能運算及/或高效能處理，其可藉由在整合裝置中製造且封裝盡可能多的電晶體來實現，此即係為何經組態用於運算應用的整合裝置可使用最先進之可用技術節點製造，而其他小晶片可使用較不先進之技術節點製造，因為彼等小晶片可能無需在小晶片中製造如此多的電晶體。因此，與使用單一整合裝置來執行封裝的所有功能相比，針對不同整合裝置及/或小晶片使用不同技術節點（其可能具有不同的相關聯良率損失）的組合可降低封裝的總體成本。

將功能分割至若干整合裝置及/或小晶片中的另一優點在於，其能夠在無需重新設計每個單一整合裝置及/或小晶片的情況下改善封裝效能。例如，若封裝的組態使用第一整合裝置及第一小晶片，則有可能藉由改變第一整合裝置的設計來改善封裝的效能，而同時保持第一小晶片的設計相同。因此，第一小晶片可與經改善及/或經不同組態的第一整合裝置一起再利用。當製造具有經改善整合裝置的封裝時，此藉由無需重新設計第一小晶片而節省成本。

封裝（例如，100、200、300、400）可以射頻(radio frequency, RF)封裝來實施。RF封裝可係射頻前端(radio frequency front end, RFFE)封裝。封裝（例如，100）可經組態以提供無線保真(WiFi)通訊及/或蜂巢通訊（例如，2G、3G、4G、5G）。封裝（例如，100、300、400）可經組態以支援全球行動通訊系統(Global System for Mobile, GSM)、通用行動電信系統(Universal Mobile Telecommunications System, UMTS)、及/或長期演進(Long-Term Evolution, LTE)。封裝（例如，100、200、300、400）可經組態以傳輸及接收具有不同頻率及/或通訊協定的信號。

已描述各種封裝，現在將在下文描述用於製造封裝的序列。用於製造包含基材、整合裝置及散熱器之封裝的例示性序列

在一些實施方案中，製造封裝包括若干程序。圖11A至圖11B繪示用於提供或製造封裝的例示性序列。在一些實施方案中，可使用圖11A至圖11B的序列以提供或製造封裝200。然而，可使用圖11A至圖11B的程序以製造本揭露中所述的封裝（例如，100、300、400）中之任一者。

應注意，圖11A至圖11B的序列可組合一或多個階段以簡化及/或闡明用於提供或製造封裝的序列。在一些實施方案中，可改變或修改程序的順序。在一些實施方案中，可在不偏離本揭露的範圍的情況下置換或取代程序之一或多者。

如圖11A所示，階段1繪示在提供基材102之後的狀態。基材102可係第一基材。基材102包括至少一個介電層120、複數個互連件122及阻焊層126。基材102可包括第一表面（例如，頂部表面）及第二表面（例如，底部表面）。基材102可使用如圖13A至圖13B中所述的方法來製造。

階段2繪示在整合裝置103耦接至基材102的第一表面（例如，頂部表面）之後的狀態。整合裝置103可透過複數個柱互連件130及複數個焊料互連件132耦接至基材102。在一些實施方案中，整合裝置103可透過複數個焊料互連件132耦接至基材102。可使用焊料回流程序以將整合裝置103耦接至基材102。

階段3繪示基材104經提供並透過複數個焊料互連件106耦接至基材102之後的狀態。基材104可係第二基材。基材104包括至少一個介電層140、複數個互連件142及阻焊層146。基材104可包括第一表面（例如，頂部表面）及第二表面（例如，底部表面）。基材104可使用如圖13A至圖13B中所述的方法來製造。在一些實施方案中，基材104可包括如圖4中所示的空腔。

可使用焊料回流程序以將基材104耦接至基材102。複數個焊料互連件106可耦接至基材102及基材104。複數個焊料互連件106可耦接至及接觸複數個互連件122及複數個互連件142。基材104係耦接至基材102，使得整合裝置103位於基材102與基材104之間。在一些實施方案中，在將基材104耦接至基材102之前，複數個焊料互連件分離地提供及/或耦接至基材102及基材104。基材104可耦接至整合裝置103的背側。可使用黏合劑、熱界面材料(TIM)（例如，230）及/或焊料互連件來將基材104的互連件耦接至整合裝置103的背側。

階段4繪示在基材102與基材104之間提供囊封層108之後的狀態。囊封層108可至少部分囊封整合裝置103、複數個焊料互連件106。囊封層108可位於基材102與基材104之間。囊封層108可位於整合裝置103之背側與基材104之間。囊封層108可位於複數個焊料互連件106側向。囊封層108可包括模具、樹脂、及/或環氧樹脂。囊封層108可係用於囊封的構件。囊封層108可藉由使用壓縮及轉移模程序序、片材模程序序、或液體模程序序來提供。

如圖11B中所示，階段5繪示在整合裝置101、整合裝置107及散熱器105耦接至基材104的第一表面（例如，頂部表面）之後的狀態。整合裝置101可係第二整合裝置。整合裝置107可係第三整合裝置。整合裝置101可透過複數個焊料互連件110耦接至基材104。整合裝置107可透過複數個焊料互連件170耦接至基材104。可使用焊料回流程序以將整合裝置101及/或整合裝置107耦接至基材104。可使用黏合劑、熱界面材料(TIM)（例如，250）及/或焊料互連件來將散熱器105耦接至基材104。階段5亦繪示耦接至基材104的被動裝置205。被動裝置205可透過焊料互連件耦接至基材104。可使用焊料回流程序以將被動裝置205耦接至基材104。在一些實施方案中，散熱器105可透過基材104中的空腔耦接至整合裝置103的背側，如圖4中所示並所述。

階段6繪示在複數個焊料互連件111耦接至基材102的第二表面之後的狀態。焊料回流程序可用以將複數個焊料互連件111耦接至基材102。階段6可繪示封裝200。封裝200可一次製造一個，或者可一起製造作為一或多個晶圓及/或面板的部分，且然後單粒化成個別封裝。用於製造包含基材、整合裝置及散熱器之封裝的方法的例示性流程圖

在一些實施方案中，製造封裝包括若干程序。圖12繪示用於提供或製造封裝之方法1200的例示性流程圖。在一些實施方案中，可使用圖12的方法1200以提供或製造本揭露中所述的封裝200。然而，方法1200可用以提供或製造本揭露中所述的封裝（例如，100、300、400）之任一者。

應注意，圖12的方法1200可組合一或多個程序以簡化及/或闡明用於提供或製造封裝的方法。在一些實施方案中，可改變或修改程序的順序。

方法提供（在1205）包括複數個互連件的第一基材。圖11A的階段1繪示並描述在提供基材102之後的狀態的實例。基材102可係第一基材。基材102包括至少一個介電層120、複數個互連件122及阻焊層126。基材102可包括第一表面（例如，頂部表面）及第二表面（例如，底部表面）。基材102可使用如圖13A至圖13B中所述的方法來製造。

方法將第一整合裝置耦接（在1210）至第一基材。圖11A的階段2繪示並描述在整合裝置103耦接至基材102的第一表面（例如，頂部表面）之後的狀態的實例。整合裝置103可透過複數個柱互連件130及複數個焊料互連件132耦接至基材102。在一些實施方案中，整合裝置103可透過複數個焊料互連件132耦接至基材102。可使用焊料回流程序以將整合裝置103耦接至基材102。

方法提供第二基材並透過複數個焊料互連件將其耦接至第一基材（在1215）。圖11A之階段3繪示並描述基材104經提供並透過複數個焊料互連件106耦接至基材102之後的狀態之實例。基材104可係第二基材。基材104包括至少一個介電層140、複數個互連件142及阻焊層146。基材104可包括第一表面（例如，頂部表面）及第二表面（例如，底部表面）。基材104可使用如圖13A至圖13B中所述的方法來製造。在一些實施方案中，基材104可包括如圖4中所示的空腔。

可使用焊料回流程序以將基材104耦接至基材102。複數個焊料互連件106可耦接至基材102及基材104。複數個焊料互連件106可耦接至及接觸複數個互連件122及複數個互連件142。基材104係耦接至基材102，使得整合裝置103位於基材102與基材104之間。在一些實施方案中，在將基材104耦接至基材102之前，複數個焊料互連件分離地提供及/或耦接至基材102及基材104。基材104可耦接至整合裝置103的背側。可使用黏合劑、熱界面材料(TIM)（例如，230）及/或焊料互連件來將基材104的互連件耦接至整合裝置103的背側。

方法在第一基材與第二基材之間提供（在1220）囊封層。圖11A的階段4繪示並描述在基材102與基材104之間提供囊封層108之後的狀態的實例。囊封層108可至少部分囊封整合裝置103、複數個焊料互連件106。囊封層108可位於基材102與基材104之間。囊封層108可位於整合裝置103之背側與基材104之間。囊封層108可位於複數個焊料互連件106側向。囊封層108可包括模具、樹脂、及/或環氧樹脂。囊封層108可係用於囊封的構件。囊封層108可藉由使用壓縮及轉移模製程序、片材模製程序、或液體模製程序來提供。

方法將整合裝置及/或散熱器耦接（在1225）至第二基材。圖11B的階段5繪示並描述在整合裝置101、整合裝置107及散熱器105耦接至基材104的第一表面（例如，頂部表面）之後的狀態的實例。整合裝置101可係第二整合裝置。整合裝置107可係第三整合裝置。整合裝置101可透過複數個焊料互連件110耦接至基材104。整合裝置107可透過複數個焊料互連件170耦接至基材104。可使用焊料回流程序以將整合裝置101及/或整合裝置107耦接至基材104。可使用黏合劑、熱界面材料(TIM)（例如，250）及/或焊料互連件來將散熱器105耦接至基材104。階段5亦繪示耦接至基材104的被動裝置205。被動裝置205可透過焊料互連件耦接至基材104。可使用焊料回流程序以將被動裝置205耦接至基材104。在一些實施方案中，散熱器105可透過基材104中的空腔耦接至整合裝置103的背側，如圖4中所示並所述。

方法將複數個焊料互連件耦接（在1230）至第一基材。圖11B的階段6繪示並描述在複數個焊料互連件111耦接至基材102的第二表面之後的狀態的實例。焊料回流程序可用以將複數個焊料互連件111耦接至基材102。階段6可繪示封裝200。封裝200可一次製造一個，或者可一起製造作為一或多個晶圓及/或面板的部分，且然後單粒化成個別封裝。用於製造基材的例示性序列

在一些實施方案中，製造基材包括數個程序。圖13A至圖13B繪示用於提供或製造基材的例示性序列。在一些實施方案中，可使用圖13A至圖13B的序列以提供或製造基材104。然而，圖13A至圖13B的程序可用以製造本揭露中所描述的基材中之任一者（例如，102）。

應注意，圖13A至圖13B的序列可組合一或多個階段以簡化及/或闡明用於提供或製造基材的序列。在一些實施方案中，可改變或修改程序的順序。在一些實施方案中，可在不偏離本揭露的範圍的情況下置換或取代程序之一或多者。

如圖13A所示，階段1繪示在提供載體1300之後的狀態。晶種層1301可位於載體1300上方。

階段2繪示形成複數個互連件1312之後的狀態。互連件1312可位於晶種層1301上方。可使用微影程序、電鍍程序、剝離程序及/或蝕刻程序來形成複數個互連件1312。互連件1312可表示複數個互連件142中的至少一些互連件。

階段3繪示在介電層1310形成於載體1300、晶種層1301、及複數個互連件1312上方之後的狀態。可使用沉積及/或層壓程序以形成介電層1310。介電層1310可包括預浸材料及/或聚醯亞胺。介電層1310可包括光可成像介電質。然而，不同實施方案可將不同材料用於介電層。

階段4繪示在介電層1310中形成複數個空腔1313之後的狀態。複數個空腔1313可使用蝕刻程序（例如，光蝕刻程序）、雷射程序、曝光程序及/或顯影程序形成。

階段5繪示在電介層1310中及上方（包括在複數個空腔1313中及上方）形成互連件1322之後的狀態。例如，可形成通孔、墊、及/或跡線。可使用微影程序、電鍍程序、剝離程序及/或蝕刻程序來形成互連件。

如圖13B中所示，階段6繪示在介電層1310及複數個互連件1322上方形成介電層1320之後的狀態。可使用沉積及/或層壓程序以形成介電層1320。介電層1320可包括預浸材料及/或聚醯亞胺。介電層1320可包括光可成像介電質。然而，不同實施方案可將不同材料用於介電層。

階段7繪示在介電層140中形成複數個空腔1323之後的狀態。介電層140可表示介電層1310及/或介電層1320。複數個空腔1323可使用蝕刻程序（例如，光蝕刻程序）、雷射程序、曝光程序及/或顯影程序形成。

階段8繪示在電介層140中及上方（包括在複數個空腔1323中及上方）形成互連件1332之後的狀態。例如，可形成通孔、墊、及/或跡線。可使用微影程序、電鍍程序、剝離程序及/或蝕刻程序來形成互連件。

階段9繪示載體1300與至少一個介電層140及晶種層1301解耦（例如，分離、移除、研磨掉）之後的狀態，晶種層1301的多個部分被移除（例如，蝕刻掉），從而留下包括至少一個介電層140及複數個互連件142的基材104。複數個互連件142可表示複數個互連件1312、複數個互連件1322及/或複數個互連件1332。

階段10繪示在基材104的第一表面上方形成阻焊層145之後以及在基材104的第二表面上方形成阻焊層146之後的狀態。可使用沉積程序及/或層壓程序以形成阻焊層145及/或阻焊層146。阻焊層145及/或阻焊層146可包括開口。可使用蝕刻程序、曝光程序及/或顯影程序來在阻焊層145中形成開口及/或在阻焊層146中形成開口。

階段11繪示穿過基材104形成空腔1390之後的狀態。空腔1390可延伸穿過阻焊層145、至少一個介電層140及阻焊層146。雷射程序（例如，雷射剝蝕）可用於形成空腔1390。

不同的實施方案可使用用於形成（多個）金屬層及/或互連件之不同的程序。在一些實施方案中，可使用化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)程序、物理氣相沉積(physical vapor deposition, PVD)程序、濺鍍程序、噴塗程序、及/或電鍍程序以形成（多個）金屬層。用於製造基材之方法的例示性流程圖

在一些實施方案中，製造基材包括數個程序。圖14繪示用於提供或製造基材之方法1400的例示性流程圖。在一些實施方案中，圖14的方法1400可用以提供或製造本揭露的基材。舉例來說，圖14的方法1400可用以製造基材104。

應注意，圖14的方法1400可組合一或多個程序以簡化及/或闡明用於提供或製造基材的方法。在一些實施方案中，可改變或修改程序的順序。

方法提供（在1405）具有晶種層的載體。圖13A的階段1繪示並描述提供載體1300之後的狀態的實例。晶種層1301可位於載體1300上方。

方法形成並圖案化（在1410）複數個互連件。圖13A之階段2繪示並描述形成複數個互連件1312之後的狀態的實例。互連件1312可位於晶種層1301上方。可使用微影程序、電鍍程序、剝離程序及/或蝕刻程序來形成複數個互連件1312。互連件1312可表示複數個互連件142中的至少一些互連件。

方法形成（在1415）介電層。圖13A之階段3繪示並描述在介電層1310形成於載體1300、晶種層1301、及複數個互連件1312上方之後的狀態之實例。可使用沉積及/或層壓程序以形成介電層1310。介電層1310可包括預浸材料及/或聚醯亞胺。介電層1310可包括光可成像介電質。然而，不同實施方案可將不同材料用於介電層。

方法形成（在1420）複數個互連件。形成複數個互連件可包括在介電層中形成複數個空腔並執行電鍍程序。圖13A的階段4繪示並描述在介電層1310中形成複數個空腔1313之後的狀態的實例。複數個空腔1313可藉由使用蝕刻程序（例如，光蝕刻程序）、雷射程序、曝光程序及/或顯影程序形成。

圖13A之階段5繪示並描述在電介層1310中及上方（包括在複數個空腔1313中及上方）形成互連件1322之後的狀態的實例。例如，可形成通孔、墊、及/或跡線。可使用微影程序、電鍍程序、剝離程序及/或蝕刻程序來形成互連件。

方法形成（在1425）另一介電層。圖13B之階段6繪示並描述在介電層1320形成於介電層1310、及複數個互連件1322上方之後的狀態之實例。可使用沉積及/或層壓程序以形成介電層1320。介電層1320可包括預浸材料及/或聚醯亞胺。介電層1320可包括光可成像介電質。然而，不同實施方案可將不同材料用於介電層。

方法形成（在1430）複數個互連件。形成複數個互連件可包括在介電層中形成複數個空腔並執行電鍍程序。圖13B的階段7繪示並描述在介電層140中形成複數個空腔1323之後的狀態的實例。介電層140可表示介電層1310及/或介電層1320。複數個空腔1323可使用蝕刻程序（例如，光蝕刻程序）、雷射程序、曝光程序及/或顯影程序形成。

圖13B之階段8繪示並描述在電介層140中及上方（包括在複數個空腔1323中及上方）形成互連件1332之後的狀態的實例。例如，可形成通孔、墊、及/或跡線。可使用微影程序、電鍍程序、剝離程序及/或蝕刻程序來形成互連件。

方法使載體解耦（在1435）。圖13B的階段9繪示並描述載體1300與至少一個介電層140及晶種層1301解耦（例如，分離、移除、研磨掉）之後的狀態的實例，晶種層1301的多個部分被移除（例如，蝕刻掉），從而留下包括至少一個介電層140及複數個互連件142的基材104。複數個互連件142可表示複數個互連件1312、複數個互連件1322及/或複數個互連件1332。

方法形成（在1440）另一阻焊層。圖13B的階段10繪示並描述在基材104的第一表面上方形成阻焊層145之後以及在基材104的第二表面上方形成阻焊層146之後的狀態的實例。可使用沉積程序及/或層壓程序以形成阻焊層145及/或阻焊層146。可使用蝕刻程序、曝光程序及/或顯影程序來在阻焊層145中形成開口及/或在阻焊層146中形成開口。

方法在基材中形成（在1445處）空腔。圖13B的階段11繪示並描述穿過基材104形成空腔1390之後的狀態的實例。空腔1390可延伸穿過阻焊層145、至少一個介電層140及阻焊層146。雷射程序（例如，雷射剝蝕）可用於形成空腔1390。

不同的實施方案可使用用於形成（多個）金屬層及/或互連件之不同的程序。在一些實施方案中，可使用化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)程序、物理氣相沉積(physical vapor deposition, PVD)程序、濺鍍程序、噴塗程序、及/或電鍍程序以形成（多個）金屬層。包含基材、整合裝置及散熱器的例示性封裝

在一些實施方案中，整合裝置的堆疊可位於兩個基材之間。圖15至圖17繪示具有基材、整合裝置堆疊及散熱器之封裝的各種實例。

圖15繪示包括基材、整合裝置的堆疊及散熱器之封裝1500的截面輪廓圖。封裝1500可實施為層疊封裝(package on package, PoP)的部分。封裝1500類似於封裝200且可包括以與封裝200類似的方式配置的類似組件。因此，封裝200的至少一些描述適用於封裝1500。封裝1500包括位於基材之間的整合裝置堆疊。封裝1500包括基材102、基材104、整合裝置101、整合裝置103、整合裝置1503、整合裝置107、散熱器105及囊封層108。

整合裝置103及整合裝置1503可形成整合裝置堆疊。整合裝置1503可耦接至整合裝置103。整合裝置1503可經組態以電耦接至整合裝置103。在一些實施方案中，整合裝置1503的前側耦接至整合裝置103的背側。整合裝置103及整合裝置1503位於基材102與基材104之間。熱界面材料(thermal interface material, TIM) 230可耦接至整合裝置1503的背側。基材104透過熱界面材料(thermal interface material, TIM)230耦接至整合裝置1503的背側。在一些實施方案中，複數個互連件144可接觸整合裝置1503。散熱器105與整合裝置1503可至少部分垂直重疊。散熱器105與複數個互連件144可至少部分垂直重疊。複數個互連件144與整合裝置1503可至少部分垂直重疊。在一些實施方案中，整合裝置1503產生之熱的至少一些可透過整合裝置1503之背側、透過熱界面材料(thermal interface material, TIM) 230、透過複數個互連件144以及透過散熱器105耗散。在一些實施方案中，可使用黏合劑及/或焊料互連件將基材104耦接至整合裝置1503。在一些實施方案中，可能不存在熱界面材料(thermal interface material, TIM) 230。囊封層108可至少部分囊封整合裝置103、整合裝置1503及/或複數個焊料互連件106。

圖16繪示包括基材、整合裝置的堆疊及散熱器之封裝1600的截面輪廓圖。封裝1600可實施為層疊封裝(package on package, PoP)的部分。封裝1600類似於封裝400且可包括以與封裝400類似的方式配置的類似組件。因此，封裝400的至少一些描述適用於封裝1600。封裝1600包括位於基材之間的整合裝置堆疊。封裝1600包括基材102、基材104、整合裝置101、整合裝置103、整合裝置1503、整合裝置107、散熱器105及囊封層108。

整合裝置103及整合裝置1503可形成整合裝置堆疊。整合裝置1503可耦接至整合裝置103。整合裝置1503可經組態以電耦接至整合裝置103。在一些實施方案中，整合裝置1503的前側耦接至整合裝置103的背側。整合裝置103及整合裝置1503位於基材102與基材104之間。熱界面材料(thermal interface material, TIM) 430可耦接至整合裝置1503的背側。散熱器105透過熱界面材料(thermal interface material, TIM) 430耦接至整合裝置1503的背側。散熱器105與整合裝置1503可至少部分垂直重疊。在一些實施方案中，整合裝置1503產生之熱的至少一些可透過整合裝置1503之背側、透過熱界面材料(thermal interface material, TIM) 430且透過散熱器105耗散。在一些實施方案中，可使用黏合劑及/或焊料互連件將散熱器105耦接至整合裝置1503。囊封層108可至少部分囊封整合裝置103、整合裝置1503及/或複數個焊料互連件106。

圖17繪示包括基材、整合裝置的堆疊及散熱器之封裝1700的截面輪廓圖。封裝1700可實施為層疊封裝(package on package, PoP)的部分。封裝1700類似於封裝700且可包括以與封裝700類似的方式配置的類似組件。因此，封裝700的至少一些描述適用於封裝1700。封裝1700包括位於基材之間的整合裝置堆疊。封裝1700包括基材102、基材104、整合裝置103、整合裝置1503、整合裝置107、散熱器105及囊封層108。

整合裝置103及整合裝置1503可形成整合裝置堆疊。整合裝置1503可耦接至整合裝置103。整合裝置1503可經組態以電耦接至整合裝置103。在一些實施方案中，整合裝置1503的前側耦接至整合裝置103的背側。整合裝置103及整合裝置1503位於基材102與基材104之間。

基材104可耦接至整合裝置1503。基材104可接觸整合裝置1503的背側。複數個散熱器互連件744可接觸整合裝置1503的背側。在一些實施方案中，基材104及/或複數個散熱器互連744可透過熱界面材料(thermal interface material, TIM)、黏合劑及/或焊料互連件耦接至整合裝置1503。

請注意，整合裝置堆疊的使用可在本揭露中所述的任何封裝中實施。在一些實施方案中，整合裝置的堆疊可能包括兩個以上的整合裝置。在一些實施方案中，兩個或兩個以上的分離之整合裝置堆疊可位於兩個基材之間。例示性電子裝置

圖18繪示可與任何上述裝置、整合裝置、積體電路(IC)封裝、積體電路(IC)裝置、半導體裝置、積體電路、晶粒、中介層、封裝、層疊封裝(package-on-package, PoP)、系統封裝(System in Package, SiP)、或系統單晶片(System on Chip, SoC)整合的各種電子裝置。例如，行動電話裝置1802、膝上型電腦裝置1804、固定位置終端裝置1806、穿戴式裝置1808、或汽車1810可包括如本文所述的裝置1800。裝置1800可係例如本文所述的裝置及/或積體電路(IC)封裝中之任一者。圖18中所繪示之裝置1802、1804、1806、及1808以及汽車1810僅係例示性的。其他電子裝置亦可以裝置1800為特徵，包括（但不限於）裝置（例如，電子裝置）之群組，其包括行動裝置、手持個人通訊系統(personal communication system, PCS)單元、可攜式資料單元（諸如個人數位助理）、全球定位系統(global positioning system, GPS)啟用裝置、導航裝置、機上盒、音樂播放器、視訊播放器、娛樂單元、固定位置資料單元（諸如儀表讀取裝置）、通訊裝置、智慧型手機、平板電腦、電腦、穿戴式裝置（例如，手表、眼鏡）、物聯網(Internet of things, IoT)裝置、伺服器、路由器、實施在汽車（例如，自動汽車）中的電子裝置、或儲存或擷取資料或電腦指令之任何其他裝置或其任何組合。

圖1至圖10、圖11A至圖11B、圖12、圖13A至圖13B及圖14至圖18中所繪示的組件、程序、特徵及/或功能中的一或多者可經重新配置及/或組合成單一組件、程序、特徵或功能，或者體現在若干組件、程序或功能中。亦可在不脫離本揭露的情況下加上附加元件、組件、程序及/或功能。亦應注意，圖1至圖10、圖11A至圖11B、圖12、圖13A至圖13B及圖14至圖18及其在本揭露中之對應描述不限於晶粒及/或IC。在一些實施方案中，圖1至圖10、圖11A至圖11B、圖12、圖13A至圖13B及圖14至圖18及其對應描述可用以製造、建立、提供並/或產生裝置及/或整合裝置。在一些實施方案中，裝置可包括晶粒、整合裝置、整合被動裝置(IPD)、晶粒封裝、積體電路(IC)裝置、裝置封裝、積體電路(IC)封裝、晶圓、面板、半導體裝置、層疊封裝(package-on-package, PoP)裝置、散熱裝置及/或中介層。

應注意，本揭露中的圖式可表示各種部件、組件、物體、裝置、封裝、整合裝置、積體電路及/或電晶體的實際表示及/或概念表示。在一些情況下，圖式可能不會按比例。在一些情況下，為了清楚起見，可不顯示所有組件及/或部件。在一些情況下，圖式中的各種部件及/或組件的定位、位置、大小及/或形狀可係例示性的。在一些實施方案中，圖式中的各種組件及/或部件可係可選的。

用詞「例示性(exemplary)」在本文中係用以意指「作為一實例、情況、或繪示」。本文中描述為「例示性」之任何實施方案或態樣將不必然解釋為比本揭露之其他態樣較佳或有利。同樣地，用語「態樣(aspect)」不需要本揭露的所有態樣皆包括所討論的特徵、優點、或操作模式。用語「耦接(coupled)」在本文用以指兩個物體之間的直接或間接耦接（例如，機械耦接）。例如，若物體A實體接觸物體B，且物體B接觸物體C，則仍可將物體A和物體C視為彼此耦接——即使其等並未直接彼此實體接觸。經耦接至物體B的物體A可耦接至物體B的至少部分。用語「電氣耦接(electrically coupled)」可意指兩個物體直接或間接地耦接在一起，使得電流（例如，信號、電力、接地）可在該兩物體之間行進。電耦接的兩個物體可具有或可沒有電流行經於這兩個物體之間。用語「第一(first)」、「第二(second)」、「第三(third)」、及「第四(fourth)」（及/或高於第四的任一事物）的使用係任意的。所描述的組件中的任一者可係第一組件、第二組件、第三組件或第四組件。例如，被稱為第二組件的組件可係第一組件、第二組件、第三組件、或第四組件。用語「囊封(encapsulate/encapsulating)」及/或任何衍生意指物體可部分地囊封或完全地囊封另一物體。用語「頂部(top)」和「底部(bottom)」是任意的。位於頂部的組件可位於位於底部的組件上方。可將頂部組件視為底部組件，且反之亦然。如在本揭露中所述，位在第二組件「上方(over)」的第一組件可意指第一組件位在第二組件上面或下面，取決於底部或頂部如何經任意地定義。在另一個實例中，第一組件可位於第二組件的第一表面上方（例如，之上），且第三組件可位於第二組件的第二表面上方（例如，之下），其中第二表面與第一表面相對。應進一步注意，當用語「上方(over)」在本申請案中在一個組件位於另一組件上方的上下文中使用時，可用以意指一組件在另一個組件上且/或在另一個組件中（例如，在一組件的表面上或嵌入一組件中）。因此，例如，第一組件位於第二組件上方可意味指(1)第一組件位於第二組件上方，但不直接接觸第二組件，(2)第一組件位於第二組件上（例如，第二組件的表面上），以及/或者(3)第一組件位於第二組件中（例如，嵌入第二組件中）。位於第二組件「中(in)」的第一組件可部分位於第二組件中或完全地位於第二組件中。約X至XX的值可意指X及XX之間的值，含X及XX。X及XX之間的（多個）值可係離散或連續的。如本揭露中所使用的用語「約『值X』」或「大約值X」意指在『值X』的10%以內。例如，約1或大約1的值會意指0.9至1.1的範圍內的值。「複數個(plurality)」組件可包括全部可行組件或僅來自全部可行組件之組件的一些者。例如，若裝置包括十個組件，則使用用語「複數個組件(the plurality of components)」可係指全部十個組件或僅來自該十個組件之組件的一些者。

在一些實施方案中，互連件是裝置或封裝的元件或組件，其允許或促進兩個點、元件及/或組件之間的電連接。在一些實施方案中，互連件可包括跡線（例如，跡線互連件）、通孔（例如，通孔互連件）、墊（例如，墊互連件）、柱、金屬化層、再分布層、及/或凸塊下金屬化(UBM)層/互連件。在一些實施方案中，互連件可包括導電材料，該導電材料可經組態以提供用於信號（例如，資料信號）、接地及/或電源的電路徑。互連件可包括多於一個元件或組件。互連件可由一或多個互連件來界定。互連件可包括一或多個金屬層。互連件可係電路的部分。不同的實施方案可使用不同的程序及/或順序以用於形成互連件。在一些實施方案中，化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)程序、物理氣相沉積(physical vapor deposition, PVD)程序、濺鍍程序、噴塗及/或鍍覆程序可用以形成互連件。

另外，應注意，本文所含有的各種揭露內容可被描述為被描繪為流程圖(flowchart)、流程圖(flow diagram)、結構圖、或方塊圖的程序。儘管流程圖表可將操作描述為順序程序，但是操作的多者可並行或同時執行。另外，可重新配置操作的順序。程序在其操作完成時終止。

在下文中，描述進一步的實例以促進對本發明的理解。

態樣1：一種封裝，其包含：一第一基材；一第一整合裝置，其耦接至該第一基材；一第二基材；一第二整合裝置，其耦接至該第二基材；及一散熱器，其耦接至該第二基材，其中該散熱器與該第一整合裝置的至少部分垂直重疊，且其中該散熱器位於該第二整合裝置側向。

態樣2：如請求項1之封裝，其中該第二基材包括複數個貫穿基材通孔，該複數個貫穿基材通孔與該散熱器的至少部分及該第一整合裝置垂直重疊。

態樣3：如請求項1之封裝，其中該第一整合裝置透過一熱界面材料(TIM)耦接至該第二基材。

態樣4：如請求項1之封裝，其中該第一整合裝置透過焊料耦接至該第二基材。

態樣5：如請求項1之封裝，其中該散熱器通過一熱界面材料(TIM)或焊料耦接至該第二基材。

態樣6：如請求項1之封裝，其中該第一整合裝置包含耦接至該第一整合裝置之一背側的至少一個墊互連件。

態樣7：如請求項1之封裝，其中第二基材包含一空腔，其中該散熱器通過一熱界面材料(TIM)或焊料耦接至該第二基材，其中該散熱器透過該熱界面材料耦接至該第一整合裝置，且其中該散熱器係至少部分位於該第二基材的該空腔中。

態樣8：如請求項1之封裝，其進一步包含耦接至第一整合裝置的另一整合裝置，其中該另一整合裝置及該第一整合裝置係整合裝置之一堆疊的部分，且其中整合裝置之該堆疊位於該第一基材與該第二基材之間。

態樣9：如請求項1之封裝，其進一步包含耦接至第二基材的一第三整合裝置，其中該散熱器側向位於該第二整合裝置與該第三整合裝置之間，且其中該第二整合裝置及該第三整合裝置與該第一整合裝置至少部分垂直重疊。

態樣10：如請求項9之封裝，其中該第二整合裝置係耦接至該第二基材之一整合裝置封裝的部分，且其中該整合裝置封裝透過複數個焊料互連件耦接至該第二基材。

態樣11：一種用於製造一封裝的方法。該方法提供一第一基材。該方法將一第一整合裝置耦接至該第一基材。該方法提供一第二基材。該方法將一第二整合裝置耦接至該第二基材。該方法將一散熱器耦接至該第二基材，其中該散熱器與該第一整合裝置的至少部分垂直重疊，且其中該散熱器位於該第二整合裝置側向。

態樣12：如請求項11之方法，其中該第二基材包括複數個貫穿基材通孔，該複數個貫穿基材通孔與該散熱器的至少部分及該第一整合裝置垂直重疊。

態樣13：如請求項11之方法，其中該第一整合裝置透過一熱界面材料(TIM)耦接至該第二基材。

態樣14：如請求項11之方法，其中該第一整合裝置透過焊料耦接至該第二基材。

態樣15：如請求項11之方法，其中該散熱器通過一熱界面材料(TIM)或焊料耦接至該第二基材。

態樣16：如請求項11之方法，其中該第一整合裝置包含耦接至該第一整合裝置之一背側的至少一個墊互連件。

態樣17：如請求項11之方法，其中第二基材包含一空腔，其中該散熱器通過一熱界面材料(TIM)或焊料耦接至該第二基材，其中該散熱器透過該熱界面材料耦接至該第一整合裝置，且其中該散熱器係至少部分位於該第二基材的該空腔中。

態樣18：如請求項11之方法，其進一步包含將一被動裝置耦接至該第二基材。

態樣19：如請求項11之方法，其進一步包含將一第三整合裝置耦接至該第二基材，其中該散熱器側向位於該第二整合裝置與該第三整合裝置之間。

態樣20：如請求項19之方法，其中該第二整合裝置及該第三整合裝置與該第一整合裝置的至少部分垂直重疊。

態樣21：如態樣11至20之方法，其中該封裝在選自由下列組成之一群組的一裝置中實施：一音樂播放器、一視訊播放器、一娛樂單元、一導航裝置、一通訊裝置、一行動裝置、一行動電話、一智慧型手機、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一穿戴式裝置、一膝上型電腦、一伺服器、一物聯網(IoT)裝置、及一汽車中的一裝置。

態樣22：如態樣1至10之封裝，其中該封裝在選自由下列組成之一群組的一裝置中實施：一音樂播放器、一視訊播放器、一娛樂單元、一導航裝置、一通訊裝置、一行動裝置、一行動電話、一智慧型手機、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一穿戴式裝置、一膝上型電腦、一伺服器、一物聯網(IoT)裝置、及一汽車中的一裝置。

本文所描述的本揭露的各種特徵可在不脫離本揭露的情況下實施在不同的系統中。應注意的是，本揭露的前述態樣僅是實例，並且將不解釋為限制本揭露。本揭露之態樣的描述意圖是說明性的，而非限制申請專利範圍的範圍。因此，本文教示可便於應用於其他類型的設備，並且許多替代、修改和變化對於本領域技術人員來說將是顯而易見的。

100:封裝101:整合裝置102:基材103:整合裝置104:基材105:散熱器106:焊料互連件107:整合裝置108:囊封層109:板110:焊料互連件111:焊料互連件120:介電層122:互連件126:阻焊層130:柱互連件132:焊料互連件140:介電層142:互連件144:互連件146:阻焊層170:焊料互連件190:板介電層192:板互連件200:封裝205:被動裝置230:熱界面材料250:熱界面材料300:封裝330:金屬化互連件400:封裝430:熱界面材料440:空腔500:封裝501:主動區502:整合裝置510:封裝511:整合裝置515:散熱器517:整合裝置520:封裝521:整合裝置525:散熱器527:整合裝置600:溫度圖610:溫度圖620:溫度圖700:封裝744:散熱器互連件900:例示性溫度圖1000:整合裝置1001:墊互連件1002:晶粒基材部分1004:晶粒互連部分1006:鈍化層1020:晶粒基材1021:貫穿基材通孔1022:主動區1023:金屬化互連件1040:介電層1042:晶粒互連件1200:方法1205:步驟1210:步驟1215:步驟1220:步驟1225:步驟1230:步驟1300:載體1301:晶種層1310:介電層1312:互連件1313:空腔1320:介電層1322:互連件1323:空腔1332:互連件1390:空腔1400:方法1405:步驟1410:步驟1415:步驟1420:步驟1425:步驟1430:步驟1435:步驟1440:步驟1445:步驟1500:封裝1503:整合裝置1600:封裝1700:封裝1800:裝置1802:行動電話裝置；裝置1804:膝上型電腦裝置；裝置1806:固定位置終端裝置；裝置1808:穿戴式裝置；裝置1810:汽車

當結合圖式時，各種特徵、性質、及優點可從下文闡述的實施方案變得顯而易見，在該等圖式中相似的元件符號係通篇對應地識別。

［圖1］繪示包括基材、整合裝置及散熱器之封裝的例示性截面輪廓圖。

［圖2］繪示包括基材、整合裝置及散熱器之封裝的例示性截面輪廓圖。

［圖3］繪示包括基材、整合裝置及散熱器之封裝的例示性截面輪廓圖。

［圖4］繪示包括基材、整合裝置及散熱器之封裝的例示性截面輪廓圖。

［圖5］繪示各種封裝的例示性平面圖。

［圖6］繪示各種封裝的例示性溫度圖。

［圖7］繪示包括基材、整合裝置及散熱器之封裝的例示性截面輪廓圖。

［圖8］繪示封裝的例示性平面圖。

［圖9］繪示封裝的例示性溫度圖。

［圖10］繪示整合裝置的例示性截面輪廓圖。

［圖11A］至［圖11B］繪示用於製造封裝的例示性序列。

［圖12］繪示用於製造封裝之方法的例示性流程圖。

［圖13A］至［圖13B］繪示用於製造基材的例示性序列。

［圖14］繪示用於製造基材之方法的例示性流程圖。

［圖15］繪示包括基材、整合裝置及散熱器之封裝的例示性截面輪廓圖。

［圖16］繪示包括基材、整合裝置及散熱器之封裝的例示性截面輪廓圖。

［圖17］繪示包括基材、整合裝置及散熱器之封裝的例示性截面輪廓圖。

［圖18］繪示可整合本文中描述的晶粒、電子電路、整合裝置、整合被動裝置(integrated passive device, IPD)、被動組件、封裝、及/或裝置封裝的各種電子裝置。

100:封裝

101:整合裝置

102:基材

103:整合裝置

104:基材

105:散熱器

106:焊料互連件

107:整合裝置

108:囊封層

109:板

110:焊料互連件

111:焊料互連件

120:介電層

122:互連件

126:阻焊層

130:柱互連件

132:焊料互連件

140:介電層

142:互連件

144:互連件

146:阻焊層

170:焊料互連件

190:板介電層

192:板互連件

200:封裝

205:被動裝置

230:熱界面材料

250:熱界面材料

Claims (20)

1. 一種封裝，其包含：一第一基材；一第一整合裝置，其耦接至該第一基材；一第二基材；一第二整合裝置，其耦接至該第二基材；及一散熱器，其耦接至該第二基材，其中該散熱器與該第一整合裝置的至少部分垂直重疊，且其中該散熱器位於該第二整合裝置側向。
2. 如請求項1之封裝，其中該第二基材包括複數個貫穿基材通孔，該複數個貫穿基材通孔與該散熱器的至少部分及該第一整合裝置垂直重疊。
3. 如請求項1之封裝，其中該第一整合裝置透過一熱界面材料(thermal interface material, TIM)耦接至該第二基材。
4. 如請求項1之封裝，其中該第一整合裝置透過焊料耦接至該第二基材。
5. 如請求項1之封裝，其中該散熱器通過一熱界面材料(TIM)或焊料耦接至該第二基材。
6. 如請求項1之封裝，其中該第一整合裝置包含耦接至該第一整合裝置之一背側的至少一個墊互連件。
7. 如請求項1之封裝，其中該第二基材包含一空腔，其中該散熱器透過一熱界面材料耦接至該第二基材，其中該散熱器透過該熱界面材料耦接至該第一整合裝置，且其中該散熱器係至少部分位於該第二基材的該空腔中。
8. 如請求項1之封裝，其進一步包含耦接至該第一整合裝置的另一整合裝置，其中該另一整合裝置及該第一整合裝置係整合裝置之一堆疊的部分，且其中整合裝置之該堆疊位於該第一基材與該第二基材之間。
9. 如請求項1之封裝，其進一步包含耦接至該第二基材的一第三整合裝置，其中該散熱器側向位於該第二整合裝置與該第三整合裝置之間，且其中該第二整合裝置及該第三整合裝置與該第一整合裝置至少部分垂直重疊。
10. 如請求項9之封裝，其中該第二整合裝置係耦接至該第二基材之一整合裝置封裝的部分，且其中該整合裝置封裝透過複數個焊料互連件耦接至該第二基材。
11. 一種用於製造一封裝的方法，其包含：提供一第一基材；將一第一整合裝置耦接至該第一基材；提供一第二基材；將一第二整合裝置耦接至該第二基材；及將一散熱器耦接至該第二基材，其中該散熱器與該第一整合裝置的至少部分垂直重疊，且其中該散熱器位於該第二整合裝置側向。
12. 如請求項11之方法，其中該第二基材包括複數個貫穿基材通孔，該複數個貫穿基材通孔與該散熱器的至少部分及該第一整合裝置垂直重疊。
13. 如請求項11之方法，其中該第一整合裝置透過一熱界面材料(TIM)耦接至該第二基材。
14. 如請求項11之方法，其中該第一整合裝置透過焊料耦接至該第二基材。
15. 如請求項11之方法，其中該散熱器通過一熱界面材料(TIM)或焊料耦接至該第二基材。
16. 如請求項11之方法，其中該第一整合裝置包含耦接至該第一整合裝置之一背側的至少一個墊互連件。
17. 如請求項11之方法，其中該第二基材包含一空腔，其中該散熱器透過一熱界面材料耦接至該第二基材，其中該散熱器透過該熱界面材料耦接至該第一整合裝置，且其中該散熱器係至少部分位於該第二基材的該空腔中。
18. 如請求項11之方法，其進一步包含耦接一被動裝置至該第二基材。
19. 如請求項11之方法，其進一步包含將一第三整合裝置耦接至該第二基材，其中該散熱器側向位於該第二整合裝置與該第三整合裝置之間。
20. 如請求項19之方法，其中該第二整合裝置及該第三整合裝置與該第一整合裝置的至少部分垂直重疊。