TW202532978A

TW202532978A - 光微影設備堇青石主體

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Publication number: TW202532978A
Application number: TW113137672A
Authority: TW
Inventors: 葛路特安東尼司法蘭西斯科司喬漢尼司德; 克力斯坦路易斯范倫丁; 建國鄧; 彼得赫爾穆斯; 邁克爾佩利; 傑佛瑞歐康那; 威廉哈倫多恩菲爾德; 塔莫優特迪克; 邁可安德魯柴達; 大衛哈特彼得森; 摩西希邁許; 麥可德馬蒂亞; 亞當麥可凱恩; 巴特法索理德斯查; 約翰埃瓦里斯特馬蘇奇; 馬修里普森
Original assignee: 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date: 2023-10-09
Filing date: 2024-10-02
Publication date: 2025-08-16
Also published as: WO2025078110A1

Abstract

本發明描述倍縮光罩載物台短衝程裝置，其可由一堇青石主體製成。研磨該堇青石主體且接著沉積一二氧化矽塗層或一超低膨脹(ULE)玻璃層。在薄化及研磨經沉積層之後，一光學器件定位於該層上。該光學器件可由Zerodur®製成且與該二氧化矽層或該ULE玻璃層形成一光學接觸。該光學器件接著固持倍縮光罩夾具以及編碼器標尺及基準件。

Description

光微影設備堇青石主體

本文中之描述大體上係關於一種由堇青石製成之光微影主體。

微影(例如，投影)設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。在此情況下，圖案化裝置(例如，遮罩)可含有或提供對應於IC之個別層的圖案(「設計佈局」)，且此圖案可藉由諸如穿過圖案化裝置上之圖案照射目標部分的方法經轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)上，該目標部分已塗佈有一層輻射敏感材料(「抗蝕劑」)。一般而言，單一基板含有複數個鄰近目標部分，圖案藉由微影投影設備依次地轉印至該複數個鄰近目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影投影設備中，在一個操作中將整個圖案化裝置上之圖案轉印至一個目標部分上。此設備通常稱為步進器。在通常稱為步進掃描設備之替代設備中，使投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上掃描遍及圖案化裝置，同時平行或反平行於此參考方向而同步地移動基板。圖案化裝置上之圖案之不同部分逐漸地轉印至一個目標部分。在此等微影設備中，圖案化裝置藉由具有光學接觸夾具之圖案化裝置卡盤固持。

根據實施例，提供一種用於一製造微影設備之一倍縮光罩夾具卡盤及/或一柵格板之方法。該方法包含提供用於該倍縮光罩夾具卡盤及/或該柵格板之一主體，該主體包含堇青石。該方法包含使該堇青石主體之一第一側光滑化以降低該第一側之一粗糙度。該方法包含用一二氧化矽層塗佈該堇青石主體之該第一側。該二氧化矽層具有與該堇青石主體之該第一側接觸之一鄰近側及一相對側。該方法包含經由其間之分子間力將該二氧化矽層之該相對側耦接至一光學器件。

在一些實施例中，該光滑化包含磨光。

在一些實施例中，該光滑化包含在磨光之後的研磨及/或離子束修形(IBF)。

在一些實施例中，該光滑化降低該第一側之該粗糙度使得該第一側之面積平均粗糙度(Sa)小於約1 nm。

在一些實施例中，該塗佈包含化學結合。

在一些實施例中，用該二氧化矽層塗佈該堇青石主體之該第一側包含該二氧化矽在該堇青石主體之該第一側上之電漿增強型化學氣相沉積。

在一些實施例中，該方法包含在塗佈之後及在耦接至該光學器件之前使該二氧化矽層光滑化。

在一些實施例中，該耦接包含光學接觸。

在一些實施例中，該光學器件包含與其他玻璃相比較具有一低熱膨脹係數(CTE)之一超低膨脹玻璃(ULE®)。

在一些實施例中，該光學器件包含一鋰鋁矽酸鹽玻璃陶瓷。

在一些實施例中，該光學器件包含Zerodur®。

在一些實施例中，該光學器件形成一倍縮光罩夾具之至少一部分。

在一些實施例中，該倍縮光罩夾具為一靜電夾具。

在一些實施例中，該卡盤包含一基座。

在一些實施例中，該方法包含將該堇青石主體耦接至該基座。

根據實施例，提供用於製造一微影設備之一倍縮光罩夾具卡盤及/或一柵格板之另一方法。該方法包含提供用於該倍縮光罩夾具卡盤及/或該柵格板之一主體，該主體包含堇青石。該方法包含使該堇青石主體之一第一側光滑化以降低該第一側之一粗糙度。該方法包含將該堇青石主體之該第一側耦接至一Zerodur®層，該Zerodur®層具有與該堇青石主體之該第一側接觸之一鄰近側及一相對側。該方法包含經由其間之分子間力將該Zerodur®層之該相對側耦接至一光學器件。

在一些實施例中，該方法進一步包含在將該ULE玻璃層之該相對側耦接至該光學器件之前使該Zerodur®層薄化及光滑化。

在一些實施例中，該Zerodur®層之該光滑化包含磨光。

在一些實施例中，該Zerodur®層之該光滑化包含在磨光之後的研磨及/或離子束修形(IBF)。

在一些實施例中，該光學器件(或其部分)由Zerodur®製成。

在一些實施例中，將該堇青石主體之該第一側耦接至該Zerodur®層包含將該堇青石主體之該第一側陽極結合至該Zerodur®層。

在一些實施例中，該夾具為一靜電夾具，且該微影設備為一極紫外線(EUV)微影設備。

根據實施例，提供一種微影設備之一倍縮光罩夾具卡盤及/或一柵格板。該倍縮光罩夾具卡盤及/或該柵格板包含用於該倍縮光罩夾具卡盤及/或該柵格板之一主體，該主體包含堇青石。該倍縮光罩夾具卡盤及/或該柵格板包含該堇青石主體之一第一側，該第一側具有藉由光滑化降低之一粗糙度。該倍縮光罩夾具卡盤及/或該柵格板包含藉由塗佈沉積於該堇青石主體之該第一側上之一二氧化矽層。該二氧化矽層具有與該堇青石主體之該第一側接觸之一鄰近側及一相對側。該二氧化矽層之該相對側經組態以用於經由其間之分子間力耦接至一光學器件。

在一些實施例中，該光滑化包含磨光。

在一些實施例中，該塗佈包含化學結合。

在一些實施例中，該二氧化矽層在塗佈之後及在耦接至該光學器件之前光滑化。

在一些實施例中，該耦接包含光學接觸。

在一些實施例中，該光學器件包含一鋰鋁矽酸鹽玻璃陶瓷。

在一些實施例中，該光學器件包含Zerodur®。

在一些實施例中，該倍縮光罩夾具為一靜電夾具。

在一些實施例中，該卡盤包含一基座。

在一些實施例中，該堇青石主體經組態以耦接至該基座。

根據實施例，提供一微影設備之另一倍縮光罩夾具卡盤及/或一柵格板。該倍縮光罩夾具卡盤及/或該柵格板包含用於該倍縮光罩夾具卡盤及/或該柵格板之一主體，該主體包含堇青石。該堇青石主體之一第一側具有藉由光滑化降低之一粗糙度。該倍縮光罩夾具卡盤及/或該柵格板包含一Zerodur®層，該Zerodur®層具有與該堇青石主體之該第一側接觸之一鄰近側及一相對側。該Zerodur®層之該相對側經組態以經由其間之分子間力耦接至一光學器件。

在一些實施例中，該Zerodur®層在將該Zerodur®層之該相對側耦接至該光學器件之前薄化及光滑化。

在一些實施例中，該Zerodur®層之該光滑化包含磨光。

在一些實施例中，該光學器件(或其部分)由Zerodur®製成。

一般而言，遮罩或倍縮光罩可為覆蓋有圖案之材料區塊。各種遮罩饋入至微影設備中且用以形成半導體裝置層。給定遮罩或倍縮光罩上所限定之圖案對應於半導體裝置之一或多個層中所產生之特徵。微影設備中之圖案化裝置卡盤及夾具(例如，靜電倍縮光罩夾具)用於在處理期間固定圖案化裝置。

在圖案化裝置卡盤及/或柵格板之設計中，需要具有高楊氏模數(例如，剛度)及低熱膨脹係數(CTE)之主體材料。舉例而言，堇青石可為所需主體材料。堇青石具有比可用於卡盤生產中之其他低CTE材料高約50%之特定剛度。更硬的卡盤意謂更多精確控制整個卡盤之位置，此係由於在卡盤之側處的能量輸入穿過整個卡盤更快速地轉移。換言之，更硬的卡盤意謂卡盤之精確位置可在更高頻率下控制，從而產生較低伺服誤差。舉例而言，與由堇青石形成之主體相關聯之伺服過載與其他習知材料相比較降低了30%。然而，組件與堇青石主體之剛性結合為困難的。舉例而言，使用環氧樹脂黏著劑將倍縮光罩夾具連接至主體，儘管以機械方式穩固，但在夾具與主體之間置放塑膠材料且避免主體之高特定剛度。夾具與高穩定性及剛度主體之間的可逆結合(諸如，光學接觸)為理想的，但堇青石之表面特性不利於產生光學接觸。堇青石主體與倍縮光罩夾具光學接觸。光學接觸為藉由分子間力將兩個緊密共形表面接合在一起的結合程序。為了達成光學接觸，兩個表面應為光滑的(例如，分子光滑或幾乎分子光滑)及/或具有類似材料化學物質。然而，使用膠及/或其他黏著劑時，可難以達成包含耦接至堇青石主體之Zerodur®層之光學器件的無應力及無滯後結合。此外，難以或不可能將堇青石研磨至所需光滑度以實現光學器件之光學接觸。在一些實施例中，光學器件包含、耦接至及/或固持倍縮光罩夾具、編碼器標尺、基準件及/或其他組件。在一些實施例中，光學器件包含經夾持倍縮光罩(例如，鏡面)。基準件及編碼器標尺亦可包含光學器件及/或其一或多個部分。

有利的是，在本系統及方法中，將中間層添加至堇青石主體以促進耦接至其他組件。無論中間層是為二氧化矽抑或Zerodur®，此等中間層均可經研磨光滑(例如，足夠光滑以用於光學接觸)。因此，可將包含(不同)Zerodur®層之例如耦接至倍縮光罩夾具之光學器件定位於堇青石主體上。另外，舉例而言，編碼器標尺及基準件亦可包含光學器件及/或其部分。

下文描述用於製造微影設備之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板之方法及系統。然而，與此等方法及系統相關聯之原理(例如，使堇青石主體之表面光滑化)亦可應用於其他結構。

儘管在本文中可特定地參考積體電路(IC)之製造，但應地理解，本文之描述具有許多其他可能應用。舉例而言，其可用於製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此替代應用之情形下，本文中對術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被視為分別可與更一般術語「遮罩」、「基板」及「目標部分」互換。此外，可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「遮罩」之任何使用皆與更一般術語「圖案化裝置」同義。

作為引言，在將圖案自諸如遮罩之圖案化裝置轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受其他程序(「曝光後程序」)，諸如曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤及對經轉印圖案進行量測及/或其他檢測。此程序陣列係用作製造裝置(例如，IC)之個別層之基礎。基板接著可經歷各種程序，諸如，蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械研磨等，該等程序皆意欲精整裝置之個別層。若在裝置中需要若干層，則針對各層來重複整個程序或其變體。最終，基板上之各目標部分中將存在裝置。接著藉由諸如切割或鋸切之技術來使此等裝置彼此分離，由此可將個別裝置安裝於載體上、連接至銷釘等。

製造諸如半導體裝置之裝置通常涉及使用數個製造程序來處理基板(例如，半導體晶圓)以形成該等裝置之各種特徵及多個層。通常使用例如沉積、微影、蝕刻、化學機械研磨及離子植入及/或其他程序來製造及處理此層及特徵。可在基板上之複數個晶粒上製造多個裝置，且接著將該等裝置分離成個別裝置。此裝置製造程序可視為圖案化程序。圖案化程序涉及圖案化步驟，諸如使用微影設備中之圖案化裝置來將圖案化裝置上的圖案轉印至基板之光學及/或奈米壓印微影，但圖案化程序通常視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影設備進行抗蝕劑顯影、使用烘烤工具來烘烤基板、使用蝕刻設備使用圖案進行蝕刻等。通常在圖案化程序中涉及一或多個度量衡程序。

微影為在製造諸如IC之裝置中的步驟，其中形成於基板上之圖案定義裝置之功能元件，諸如微處理器、記憶體晶片等。類似微影技術亦用於形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)及其他裝置。

隨著半導體製造程序繼續進步，幾十年來，功能元件之尺寸已不斷地減小，而每裝置的諸如電晶體之功能元件之數目已在穩固地增加，此遵循通常稱為「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。在當前技術狀態下，使用微影投影設備來製造裝置之層，該等微影投影設備使用來自深紫外照明源之照明將設計佈局投影至基板上，從而產生尺寸遠低於100 nm (亦即，小於來自照明源(例如，193 nm照明源)之輻射的波長之一半)的個別功能元件。

供印刷尺寸小於微影投影設備之經典解析度限制之特徵的此程序根據解析度公式CD=k1×λ/NA而通常被稱為低k1微影，其中λ為所採用輻射之波長(當前在大多數狀況下為248 nm或193 nm)，NA為微影投影設備中之投影光學器件之數值孔徑，CD為「關鍵尺寸」(通常為所印刷之最小特徵大小)，且k1為經驗解析度因數。一般而言，k1愈小，則在基板上再現類似於由設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。為了克服此等困難，將複雜微調步驟應用於微影投影設備、設計佈局或圖案化裝置。舉例而言，此等步驟包括但不限於NA及光學相干設定之最佳化、自訂照明方案、相移圖案化裝置之使用、設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦被稱作「光學及程序校正」)、疊對量測，或一般定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。

如本文所使用之術語「投影光學器件」應廣泛地解釋為涵蓋各種類型之光學系統，包括例如折射光學器件、反射光學器件、孔徑及反射折射光學器件。術語「投影光學器件」亦可包括用於集體地或單個地導引、塑形或控制投影輻射光束的根據此等設計類型中之一者而操作之組件。術語「投影光學器件」可包括微影投影設備中之任何光學組件，無論光學組件位於微影投影設備之光學路徑中的何處。投影光學器件可包括用於在輻射穿過圖案化裝置之前塑形、調整及/或投影來自源之輻射之光學組件，及/或用於在輻射穿過圖案化裝置之後塑形、調整及/或投影該輻射之光學組件。投影光學器件通常不包括源及圖案化裝置。

圖1示意性地描繪可包括於本系統及/或方法中及/或與本系統及/或方法相關聯的微影設備LA之實施例。該設備包含：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；支撐結構(例如，遮罩台) MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，遮罩) MA且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位圖案化裝置之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台) WT (例如，WTa、WTb或兩者)，其經組態以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且耦接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒且常常稱為場)上。投影系統支撐於參考框架(RF)上。如所描繪，設備屬於透射型(例如，採用透射遮罩)。替代地，該設備可屬於反射型(例如，採用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或採用反射遮罩)。

照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源與微影設備可為單獨實體。在此類情況下，不認為源形成該微影設備之部分，且輻射光束藉助於包含例如合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為設備之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD一起(必要時)可稱為輻射系統。

照明器IL可更改光束之強度分佈。照明器可經配置以限制輻射光束之徑向範圍，以使得在照明器IL之光瞳平面中之環形區內的強度分佈為非零的。另外或替代地，照明器IL可操作以限制光束在光瞳平面中之分佈，以使得在光瞳平面中之複數個等間隔區段中的強度分佈為非零的。輻射光束在照明器IL之光瞳平面中的強度分佈可稱為照明模式。

照明器IL可包含經組態以調整光束之(角度/空間)強度分佈之調整器AD。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ外部及σ內部)。照明器IL可操作以使光束之角度分佈變化。舉例而言，照明器可操作以更改強度分佈為非零之光瞳平面中之區段的數目及角度範圍。藉由調整光束在照明器之光瞳平面中之強度分佈，可達成不同照明模式。舉例而言，藉由限制照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的徑向及角度範圍，強度分佈可具有多極分佈，諸如(例如)偶極、四極或六極分佈。可例如藉由將提供所要照明模式之光學器件插入至照明器IL中或使用空間光調變器來獲得彼照明模式。

照明器IL可操作以更改光束之偏振且可操作以使用調整器AD來調整偏振。跨照明器IL之光瞳平面之輻射光束的偏振狀態可稱為偏振模式。使用不同的偏振模式可允許在形成於基板W上之影像中達成較大對比度。輻射光束可為非偏振的。替代地，照明器可經配置以使輻射光束線性地偏振。輻射光束之偏振方向可跨照明器IL之光瞳平面而變化。輻射之偏振方向可在照明器IL之光瞳平面中之不同區中為不同的。可取決於照明模式來選擇輻射之偏振狀態。對於多極照明模式，輻射光束之各極的偏振可大體上垂直於照明器IL之光瞳平面中的彼極之位置向量。舉例而言，對於偶極照明模式，輻射可在實質上垂直於平分偶極之兩個相對區段之線的方向上線性地偏振。輻射光束可在兩個不同正交方向中之一者上偏振，其可稱為X偏振狀態及Y偏振狀態。對於四極照明模式，各極之區段中之輻射可在實質上垂直於平分彼區段的線之方向上線性地偏振。此偏振模式可稱為XY偏振。類似地，對於六極照明模式，各極之區段中之輻射可在實質上垂直於平分彼區段的線之方向上線性地偏振。此偏振模式可稱為TE偏振。

此外，照明器IL通常包含各種其他組件，諸如積分器IN及聚光器CN。照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。因此，照明器提供在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈之經調節輻射光束B。

支撐結構MT以取決於圖案化裝置之定向、微影設備之設計及其他條件(諸如(例如)圖案化裝置是否經固持於真空環境中)之方式來支撐圖案化裝置。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化裝置。支撐結構可為例如框架或台，其可視需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化裝置例如相對於投影系統處於所要位置。

本文中所使用之術語「圖案化裝置」應廣泛地解釋為係指可用於在基板之目標部分中賦予圖案之任何裝置。在實施例中，圖案化裝置為可用於在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案之任何裝置。應注意，例如，若賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，賦予至輻射光束之圖案將對應於裝置中產生於裝置之目標部分中的特定功能層，諸如積體電路。

圖案化裝置可為透射的或反射的。圖案化裝置之實例包括倍縮光罩或遮罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。倍縮光罩或遮罩在微影中已為人所熟知，且包括諸如二元、交替相移及衰減相移之遮罩類型，以及各種混合遮罩類型。可程式化鏡面陣列之實例採用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之各者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜之鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。

本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用與更一般術語「投影系統」同義。

投影系統PS具有可非均一且可影響成像於基板W上之圖案之光學轉印函數。對於非偏振輻射，此等影響可由兩個純量映圖極佳地描述，該兩個純量圖描述依據射出投影系統PS之輻射的光瞳平面中之位置而變的該輻射之透射(變跡)及相對相位(像差)。可將可稱為透射映圖及相對相位映圖之此等純量映圖表達為基本函數全集之線性組合。適宜的集合為澤爾尼克(Zernike)多項式，其形成單位圓上所定義之正交多項式集合。各純量映圖之判定可涉及判定此展開式中之係數。由於澤爾尼克多項式在單位圓上正交，故可藉由依次計算經量測純量映圖與各澤爾尼克多項式之內積且將此內積除以彼澤爾尼克多項式之範數之平方來判定澤爾尼克係數。

透射映圖及相對相位映圖係場及系統相依的。亦即，一般而言，各投影系統PS將針對各場點(亦即針對其影像平面中之各空間位置)具有不同澤爾尼克展開式。可藉由將例如來自投影系統PS之物件平面(亦即，圖案化裝置MA之平面)中之類點源之輻射投影通過投影系統PS且使用剪切干涉計以量測波前(亦即，具有相同相位之點之軌跡)來判定投影系統PS在其光瞳平面中之相對相位。剪切干涉計係共同路徑干涉計且因此，有利地，無需次級參考光束來量測波前。剪切干涉計可包含：繞射光柵，例如，投影系統之影像平面(亦即，基板台WTa或WTb)中之二維柵格；及偵測器，其經配置以偵測與投影系統PS之光瞳平面共軛的平面中之干涉圖案。干涉圖案為與輻射相位相對於在剪切方向上之光瞳平面中之座標之導數有關。偵測器可包含感測元件陣列，諸如，電荷耦接裝置(CCD)。

微影設備之投影系統PS可不產生可見條紋，且因此，可使用相位步進技術(諸如，例如移動繞射光柵)來增強波前判定之準確度。可在繞射光柵之平面中及在垂直於量測之掃描方向之方向上執行步進。步進範圍可為一個光柵週期，且可使用至少三個(均一地分佈)相位步進。因此，舉例而言，可在y方向上執行三個掃描量測，各掃描量測係針對在x方向上之不同位置而執行。繞射光柵之此步進將相位變化有效地變換成強度變化，從而允許判定相位資訊。光柵可在垂直於繞射光柵之方向(Z方向)上步進以校準偵測器。

可在兩個垂直方向上依序地掃描繞射光柵，該等兩個垂直方向可與投影系統PS之座標系統之軸線(X及Y)重合或可與此等軸線成諸如45度的角度。可在整數個光柵週期(例如，一個光柵週期)內執行掃描。掃描使在一個方向上之相位變化達到平均數，從而允許重新建構在另一方向上之相位變化。此允許依據兩個方向來判定波前。

可藉由將例如來自投影系統PS之物件平面(亦即，圖案化裝置MA之平面)中之點狀源之輻射投影通過投影系統PS，且使用偵測器來量測與投影系統PS之光瞳平面共軛的平面中之輻射強度來判定投影系統PS在其光瞳平面中之透射(變跡)。可使用與用以量測波前從而判定像差的偵測器相同之偵測器。

投影系統PS可包含複數個光學(例如，透鏡)元件，且可進一步包含經組態以調整該等光學元件中之一或多者以校正像差(橫越整個場之光瞳平面的相位變化)的調整機構。為達成此，調整機構可操作來以一或多種不同方式操控投影系統PS內之一或多個光學(例如透鏡)元件。投影系統可具有座標系統，其中其光軸在Z方向上延伸。調整機構可操作以進行以下各項之任何組合：使一或多個光學元件位移；使一或多個光學元件傾斜；及/或使一或多個光學元件變形。光學元件之位移可在任何方向(X、Y、Z或其組合)上。光學元件之傾斜通常藉由圍繞在x及/或y方向上之軸旋轉而離開垂直於光軸之平面，但圍繞z軸之旋轉可用於非旋轉對稱之非球面光學元件。光學元件之變形可包括低頻形狀(例如散光)及/或高頻形狀(例如自由形式非球面)。可例如藉由使用一或多個致動器以對光學元件之一或多個側施加力及/或藉由使用一或多個加熱元件以加熱光學元件的一或多個選定區域來執行光學元件之變形。一般而言，沒有可能調整投影系統PS以校正變跡(跨光瞳平面之透射變化)。當設計用於微影設備LA之圖案化裝置(例如，遮罩) MA時，可使用投影系統PS之透射映圖。使用計算微影技術，該圖案化裝置MA可經設計以至少部分地校正變跡。

微影設備可屬於具有兩個(雙載物台)或更多個台(例如，兩個或更多個基板台WTa、WTb、兩個或更多個圖案化裝置台、在無專用於(例如)便於量測及/或清潔等之基板的情況下在投影系統下方之基板台WTa及台WTb)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台實施預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言，可進行使用對準感測器AS之對準量測及/或使用位階感測器LS之位階(高度、傾角等等)量測。

該微影設備亦可為以下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影設備中之其他空間，例如圖案化裝置與投影系統之間。浸潤技術在此項技術中已熟知用於增大投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。

在微影設備之操作中，輻射光束由照明系統IL調節及提供。輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，遮罩台) MT上之圖案化裝置(例如，遮罩) MA上。在已橫穿圖案化裝置MA的情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測裝置、線性編碼器、2D編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其並未明確地在圖1中描繪)可用於例如在自遮罩庫機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化裝置MA。一般而言，可藉助於形成第一定位器PM之部分之長衝程模組(粗定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化裝置對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等基板對準標記可位於目標部分之間的空間中(此等基板對準標記稱為切割道對準標記)。類似地，在多於一個晶粒設置於圖案化裝置MA上之情況中，圖案化裝置對準標記可位於該等晶粒之間。

可在以下模式中之至少一者中使用所描繪設備：1.在步進模式中，支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止，同時將賦予至輻射光束之圖案一次性投影至目標部分C上(亦即單次靜態曝光)。接著，基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。2.在掃描模式中，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT，同時將賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。3.在另一模式中，在將賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化裝置，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，一般採用脈衝式輻射源，且在基板台WT之各移動之後或在掃描期間之連續輻射脈衝之間視需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如，上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無遮罩微影。亦可採用上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。

可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)或度量衡或檢測工具中處理基板。在適用的情況下，可將本文中之揭示內容應用於此類及其他基板處理工具。此外，可將基板處理超過一次，例如以便產生多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指已經包括多個經處理層之基板。

本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)或深紫外線(DUV)輻射(例如，具有365 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5 nm至20 nm之範圍內的波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。

圖案化裝置上或由圖案化裝置提供之各種圖案可具有不同程序窗。亦即，將產生符合規格之圖案所根據之處理變數之空間。關於潛在系統性缺陷之圖案規格之實例包括檢查頸縮、線拉回、線薄化、關鍵尺寸(CD)、邊緣置放、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切及/或橋接。可藉由合併各個別圖案之程序窗(例如，使該等程序窗重疊)來獲得圖案化裝置或其區域上之圖案的程序窗。圖案群組之程序窗之邊界包含個別圖案中之一些的程序窗之邊界。換言之，此等個別圖案限制圖案群組之程序窗。此等圖案可稱為「熱點」或「程序窗限制圖案(PWLP)」，「熱點」與「程序窗限制圖案(PWLP)」在本文中可互換地使用。當控制圖案化程序之部分時，聚焦於熱點為可能且經濟的。當熱點並未有缺陷時，最有可能的是，其他圖案未有缺陷。

如圖2所展示，微影設備LA可形成微影單元(lithographic cell) LC (有時亦稱為微影單元(lithocell)或叢集)之部分，微影單元LC亦包括用以對基板執行預曝光程序及後曝光程序之設備。通常，此等裝置包括用以沉積一或多個抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之一或多個顯影器、一或多個冷卻板CH及/或一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取一或多個基板，將其在不同程序設備之間移動且將其遞送至微影設備之裝載匣LB。通常統稱為塗佈顯影系統之此等設備處於塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU控制微影設備。因此，不同設備可經操作以最大化產出量及處理效率。

為了正確且一致地曝光由該微影設備曝光之基板及/或為了監視圖案化程序(例如，裝置製造程序)之包括至少一個圖案轉印步驟(例如，光學微影步驟)的一部分，需要檢測基板或其他物件以量測或判定一或多個性質，諸如對準、疊對(其可例如介於上覆層中之結構之間或已由例如雙重圖案化程序個別地提供至層之同一層中之結構之間)、線厚度、關鍵尺寸(CD)、焦點偏移、材料性質等。因此，定位有微影製造單元LC之製造設施通常亦包括度量衡系統，該度量衡系統量測已在該微影製造單元中處理的基板W (圖1)中之一些或全部或該微影製造單元中之其他物件。度量衡系統可為微影單元LC之部分，例如其可為微影設備LA之部分(諸如對準感測器AS (圖1))。不同類型之度量衡之實例包括光學成像(例如，光學顯微鏡)、非成像光學量測(例如，基於繞射之量測，諸如ASML YieldStar度量衡工具、ASML SMASH度量衡系統)、機械量測(例如，使用觸控筆之剖面探測、原子力顯微法(AFM))及/或非光學成像(例如，掃描電子顯微法(SEM))。

可將度量衡結果直接地或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光(尤其在可足夠迅速且快速完成檢測使得該批次之一或多個其他基板仍待曝光之情況下)及/或經曝光基板之後續曝光進行調整。此外，已經曝光之基板可剝離及重工以改良良率，或丟棄，藉此避免對已知有瑕疵之基板進行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷之情況下，可僅對符合規格之彼等目標部分執行進一步曝光。

圖3A、圖3B及圖3C繪示光微影設備300 (例如，類似於或與圖1中所展示之微影設備相同)之實例部分。圖3A繪示極紫外線(EUV)微影設備之部分。圖3B繪示深紫外線(DUV)微影設備之部分。應注意，通常具有與本文所描述之主體類似的主體之靜電夾具通常用於EUV光微影設備，但本文所描述之原理可具有與DUV微影設備相關聯之一或多個其他用途。圖3C為根據實施例之圖3B中所展示之微影設備的部分之放大圖。

圖3A繪示接近微影設備300之夾具312之實例微影設備組件，該微影設備組件包括工具處置器306、307、308及/或其他組件。微影設備300可包括EUV內艙(EIP) 305、快速交換裝置(RED)及/或其他組件。在一些實施例中，微影設備300可經組態以用於具有自圖3A中所展示內容之一或多個調整的深紫外線(DUV)微影。圖3B繪示微影設備300之實例DUV設備(例如，在此等圖中具有微影設備300之夾具312)及各種組件，包括工具處置器306、307、308、倍縮光罩卡盤310、一或多個倍縮光罩夾具312及/或其他組件。在一些實施例中，微影設備300可經組態以用於具有自圖3B中所展示內容之一或多個調整的EUV微影。

在一些實施例中，工具處置器306、307、308包含倍縮光罩處置器轉台夾緊器306、倍縮光罩處置器機器人夾緊器307 (具有用於在運送期間夾緊倍縮光罩之相關聯組件308等)及/或其他組件。倍縮光罩處置器機器人夾緊器307可例如將倍縮光罩自吊艙320移動(例如在使用者將倍縮光罩置放於吊艙320中之後)。舉例而言，倍縮光罩處置器轉台夾緊器306可將倍縮光罩自倍縮光罩處置器機器人夾緊器307移動至一或多個倍縮光罩夾具312。微影設備300可包括經組態以促進倍縮光罩302經由微影設備300之移動及控制之各種其他機械組件322 (平移機構、升降機構、旋轉機構、馬達、功率產生及傳輸組件、結構組件等)。舉例而言，微影設備300可包括EUV內艙(EIP)及快速交換裝置(RED)及/或其他組件。

圖3C為設備300之一部分的放大視圖。圖3C展示倍縮光罩302、倍縮光罩處置器轉台夾緊器306、倍縮光罩卡盤310、一或多個倍縮光罩夾具312、機械組件322、倍縮光罩處置器機器人夾緊器307及/或其他組件。如圖3C中所展示，倍縮光罩處置器轉台夾緊器306經組態以將倍縮光罩302自倍縮光罩處置器機器人夾持器307移動至一或多個倍縮光罩夾具312。移動倍縮光罩302可包含在水平、豎直及/或其他方向上將倍縮光罩302朝向或遠離一或多個夾具312移動。倍縮光罩處置器轉台夾緊器306及/或倍縮光罩處置器機器人夾緊器307可包括各種電動機、平移器、旋轉組件、夾具、夾片、電源、功率傳輸組件、真空機構及/或促進倍縮光罩302之移動的其他組件。

圖4繪示用於倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板(例如，用於類似於及/或與諸如上文所描述之微影設備LA及/或300之微影設備之卡盤310相同的卡盤)之實例主體401。主體401包含堇青石。替代地，主體401可包含諸如鎳鋼之其他低CTE材料及/或其他材料。堇青石主體401繪示為立方體，但此僅為代表性實例。在一些實施例中，堇青石主體401可具有矩形及/或其他橫截面形狀、開放內部，例如具有位於開放內部之一或多個其他組件，及/或其他形狀。主體之更多細節可見於US 2018/0321602中，其以引用之方式併入本文中。在一些實施例中，主體為輕質結構，整個具有增硬肋之中空盒子。馬達可連接至主體以允許在所有維度上受控運動。此外，熱控制可經由經整合水通道實施，電力可通過主體供應至靜電夾具，且可包括各種制動器以在靜電夾持損失之情況下固持倍縮光罩。

倍縮光罩夾具及其他組件接觸堇青石主體401之一個表面(例如，第一側) 400。在一些實施例中，此等組件可包含光學器件。舉例而言，在一些實施例中，光學器件包含經夾持倍縮光罩(例如，鏡面)、基準件及/或編碼器標尺。在圖4中，倍縮光罩夾具及其他組件描述為接觸堇青石主體401之頂部表面(第一側400)，但此不具限制性。倍縮光罩夾具及其他組件可接觸堇青石主體401之任何表面(其接著可形成第一側400)。在一些實施例中，堇青石主體401包含基座(圖4中未示)及/或其他組件。在一些實施例中，舉例而言，堇青石主體401可耦接至基座。

柵格板為基板台WT之載物台位置量測之部分。柵格板將根據堇青石及Zerodur®組合增加剛度。

在此實例中，頂部表面(第一側400)之堇青石經光滑化以降低彼側之粗糙度。光滑化可包括用另一材料塗佈頂部表面、將另一材料層耦接至頂部表面、磨光操作、研磨操作及/或其他光滑化。如下文關於圖5A及圖5B所描述，且由放大部分410指示，堇青石主體401之頂部表面(例如，第一側400)可塗佈有二氧化矽層，該二氧化矽層耦接至Zerodur®層，及/或以其他方法形成以用於耦接至光學器件。Zerodur®為由Schott AG商標之鋰鋁矽酸鹽玻璃陶瓷。

圖5A繪示可對來自圖4之堇青石主體401之側(第一側400)執行之實例步驟集合(1至4)，該等步驟用於將堇青石主體401之側耦接至光學器件及/或其他組件直至並包括夾具。在圖5A中，步驟(1)包含提供堇青石主體401。堇青石主體401之頂部表面(第一側400)具有粗糙及不均勻外觀500。在步驟(2)中，堇青石主體401之第一側400經光滑化以降低第一側400之粗糙度。在一些實施例中，該光滑化包含磨光。在一些實施例中，光滑化進一步包含在磨光之後的研磨。在一些實施例中，該光滑化進一步包含在研磨及磨光之後的離子束修形(IBF)。在一些實施例中，舉例而言，該光滑化降低第一側400之粗糙度使得第一側400之面積平均粗糙度(Sa)小於約1 nm。

在步驟(3)中，二氧化矽(SiO ₂)層503塗佈於堇青石主體401之經光滑化頂部表面(第一側400)上。二氧化矽層503具有與堇青石主體401之第一側400接觸之鄰近側502及相對側504。在一些實施例中，該塗佈包含化學結合。在一些實施例中，SiO ₂層503使用電漿增強型化學氣相沉積(PECVD)及/或其他操作塗佈。在塗佈之後但在步驟(4)之前使SiO ₂塗層或層503光滑化。在步驟(4)中，SiO ₂塗層或層503之相對側504耦接至光學器件506。耦接可包含光學接觸及/或其他耦接。在一些實施例中，光學器件506形成倍縮光罩夾具之至少一部分(例如，如上文所描述)。舉例而言，倍縮光罩夾具可為靜電倍縮光罩夾具及/或其他夾具。在一些實施例中，該光學器件506包含鋰鋁矽酸鹽玻璃陶瓷。在一些實施例中，該光學器件506包含與其他玻璃相比較具有低熱膨脹係數(CTE)之超低膨脹玻璃(ULE®)。ULE®為由Corning產生之玻璃陶瓷之商標名。在一些實施例中，舉例而言，光學器件506包含置放成與SiO ₂塗層或層503光學接觸之Zerodur®光學器件。在一些實施例中，該光學器件506包含鋰鋁矽酸鹽玻璃陶瓷。舉例而言，光學器件506可與堇青石主體401光學接觸。隨後，將倍縮光罩夾具、編碼器標尺、基準件(圖中未示)及/或其他組件置放於光學器件506上及/或以其他方式耦接至光學器件506。藉由使光學器件506與堇青石主體401接觸，堇青石可用作用於倍縮光罩載物台短衝程(RSSS)卡盤主體之主體材料，且亦可能用於其他應用，如來自表面安裝永久磁體(SPM)之Z鏡面之柵格板及/或微影設備之其他組件。

SiO ₂塗層(層503)置放於堇青石主體401與光學器件506之間，此係由於堇青石及Zerodur®層(在此實例中為光學器件506之部分)通常不可光學接觸。為了經由光學接觸耦接，兩個表面通常必須具有類似化學物質及/或幾乎分子光滑。難以將堇青石磨光及/或研磨成分子光滑表面。因此，堇青石通常不可光學接觸光學器件506之Zerodur®層。因此，將由SiO ₂塗層(層503)製成之緩衝層施加於如圖5A中所示之堇青石主體401上，以用於與光學器件506光學接觸。

圖5B繪示可對堇青石主體401之側(第一側400)執行之替代實例步驟集合(替代步驟1至4)，該等步驟用於將堇青石主體401之側(第一側400)耦接至光學器件506及/或其他組件直至並包括夾具。在圖5B中，步驟(1)再次包含提供堇青石主體401。堇青石主體401之頂部表面(第一側400)再次具有粗糙及不均勻外觀500。在步驟(2)中，堇青石主體401之第一側400經光滑化(例如，磨光、研磨、IBF等)以降低第一側400之粗糙度。步驟(3)包含將堇青石主體401之第一側400耦接至Zerodur®層550，該Zerodur®層550具有與堇青石主體401之第一側400接觸的鄰近側552及相對側554。Zerodur®層550可經由陽極結合及/或其他耦接技術耦接至第一側400。舉例而言，層550可包含陽極結合至堇青石主體401之第一Zerodur®層。在步驟(4)中，層550 (例如，第一Zerodur®層)經薄化及研磨。IBF可隨後用以進一步使表面光滑。在步驟(5)中，Zerodur®層550之相對側554耦接至光學器件506。耦接可包括光學接觸及/或其他耦接。在一些實施例中，光學器件506由Zerodur®製成。舉例而言，在一些實施例中，Zerodur®光學器件506置放成與層550 (例如，第一Zerodur®層)光學接觸。因此，光學器件506與層550光學接觸。隨後，將倍縮光罩夾具、編碼器標尺、基準件(圖中未示)及/或其他組件定位於光學器件506上及/或以其他方式耦接至光學器件506。此處再次，藉由使光學器件506與堇青石主體401接觸，堇青石主體401可用作用於倍縮光罩載物台短衝程(RSSS)卡盤主體、柵格板之主體材料，且亦可能用於其他應用，如來自表面安裝永久磁體(SPM)之Z鏡面之柵格板及/或微影設備之其他組件。

在圖5B中所示之實例中，第一層550可藉助於陽極結合沉積於堇青石主體401上。堇青石主體401與層550之間的光學接觸通常為不可能的，此係由於堇青石難以研磨成分子光滑表面。在層550已與堇青石主體401陽極結合之後，光學器件506可光學接觸層550。舉例而言，Zerodur®層550及Zerodur®光學器件506 (或光學器件506之Zerodur®層)具有相同化學物質且可經研磨為分子光滑。因此，光學器件506與能夠光學接觸層550。

此外，在圖5A至圖5B中，光學器件506不一定必須為Zerodur®光學器件及/或包括Zerodur®層。其可為與其他玻璃相比較具有低熱膨脹係數(CTE)之任何光學器件。替代或另外地，舉例而言，光學器件506可包含鋰鋁矽酸鹽玻璃陶瓷。

圖6繪示用於將夾具附接至堇青石主體之方法600。在一些實施例中，方法600之一或多個操作可由一或多個處理器及/或計算系統控制，如下文所描述(參見圖7)。方法600之操作(例如，薄化及研磨、光學接觸、陽極結合及下文所描述之其他操作)可在主體耦接至微影設備或自微影設備斷開之情況下執行。下文呈現之方法600之操作意欲為說明性的。在一些實施例中，方法600可在未描述之一或多個額外操作之情況下及/或在無所論述操作中的一或多者之情況下實現。另外，圖6中繪示方法600之操作之次序，且下文描述並不意欲為限制性的。

在一些實施例中，方法600之一或多個操作可實施於一或多個處理裝置(例如，數位處理器、類比處理器、經設計以處理資訊之數位電路、經設計以處理資訊之類比電路、狀態機及/或用於電子地處理資訊之其他機構，如下文關於圖7所描述)中及/或由該一或多個處理裝置控制。一或多個處理裝置可包括回應於電子地儲存於電子儲存媒體上之指令而執行方法600的操作中之一些或全部的一或多個裝置。一或多個處理裝置可包括經由硬體、韌體及/或軟體而組態之一或多個裝置，該一或多個裝置經特定設計以用於執行方法600之操作中之一或多者(例如參見以下關於圖7之論述)。舉例而言，一或多個處理裝置可運行經組態以形成一或多個主體表面及/或Zerodur®層表面之影像之鑲嵌的軟體。

在操作601處，定位堇青石主體401以用於後續耦接操作。圖5A之步驟(1)及圖5B之步驟(1)兩者展示操作601。在操作601中，堇青石主體401中之一個、一些或所有側具有粗糙及不均勻表面。

在操作602處，堇青石主體401 (圖5A及圖5B)之表面(例如，圖4中繪示之第一側400)經光滑化(例如，磨光、研磨等)。圖5A之步驟(2)及圖5B之步驟(2)兩者展示操作602。藉由磨光機、研磨機、IBF及/或可使主體表面光滑之任何其他裝置執行光滑。在光滑化之後，堇青石主體401之表面變為光滑及平坦表面。在一些實施例中，堇青石主體401表面經研磨至具有小於10 nm之面積平均粗糙度(Sa)之低粗糙度。較佳的是，堇青石主體401表面經研磨至具有小於約1 nm之Sa之低粗糙度。在一些實施例中，可研磨堇青石主體401之具有粗糙及不均勻表面之各側或表面。

在操作603處，將二氧化矽(SiO ₂)層503 (圖5A)塗佈於堇青石主體401上。方法600中之此路徑(例如，圖6之左側)遵循圖5A中所展示及上文所描述之實施例之步驟。圖5A之步驟(3)展示操作603。在一些實施例中，二氧化矽層503使用化學氣相沉積(CVD)沉積。其他沉積方法包括物理氣相沉積(PVD)、電漿增強型化學氣相沉積(PEVCD)及原子層沉積(ALD)。

在操作604處，光學器件506 (圖5A)光學接觸至SiO ₂層503上。圖5A之步驟(4)展示包括光學接觸之操作604。由於其類似化學物質及兩種材料均為光學地光滑及平坦，因此光學器件506與SiO ₂層503光學接觸。因此，兩個光學表面接觸在一起以產生極剛性及機械穩定，以及使用分子間力產生之完全可逆結合。光學器件506可耦接至倍縮光罩夾具、編碼器標尺及基準件(圖中未示)等。

方法600之另一路徑(例如，圖6之右側)遵循圖5B之實施例。在此實施例中，在操作602完成之後接著操作605。在操作605中，層550 (圖5B)陽極結合至堇青石主體401。陽極結合用以使用需要一種材料為離子導電之氧化結合將層550耦接至堇青石主體401。陽極結合需要清潔及均勻表面及通過足夠強大靜電場之結合基板之間的原子接觸。

在操作605完成之後，執行操作606。操作606涉及光滑化(例如，磨光、研磨及/或IBF)層550，直至其具有平坦及光滑表面。圖5B之步驟(4)展示操作606。藉由磨光機、研磨機及/或可使層550光滑之任何其他裝置執行光滑。在一些實施例中，操作602及606藉由相同工具執行。在一些實施例中，操作602及606藉由不同工具執行。

在操作607處，光學器件506經由光學接觸耦接至層550。圖5B之步驟(5)展示操作607。由於兩種材料相同以及光學地光滑及平坦，因此光學器件506與層550光學接觸。因此，兩個光學表面接觸在一起以產生極剛性及機械穩定，以及使用分子間力產生之完全可逆結合。光學器件506可耦接至倍縮光罩夾具、編碼器標尺及基準件(圖中未示)等。

圖7為繪示可輔助實施本文中所揭示之方法、流程或一或多個系統之電腦系統700的方塊圖。電腦系統700可包括於上文(圖1、圖3A等)所描述之微影設備LA中及/或以電子方式耦接至微影設備LA。電腦系統700包括用於傳達資訊之匯流排702或其他通信機構及與匯流排702耦接以用於處理資訊之處理器704 (或多個處理器704、705等)。電腦系統700亦包括耦接至匯流排702以用於儲存待由處理器704執行之資訊及指令的主記憶體706，諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存裝置。主記憶體706亦可用於在待由處理器704執行之指令之執行期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統700進一步包括耦接至匯流排702以用於儲存用於處理器704之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM) 708或其他靜態儲存裝置。提供諸如磁碟或光碟之儲存裝置710，且該儲存裝置710經耦接至匯流排702以儲存資訊及指令。

電腦系統700可經由匯流排702耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器712，諸如陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入裝置714耦接至匯流排702以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器704。另一類型之使用者輸入裝置為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器704且用於控制顯示器712上之游標移動的游標控制件716，諸如滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入裝置通常具有在兩個軸線(第一軸線(例如，X)及第二軸線(例如，Y))上之兩個自由度，其允許裝置指定在平面中之位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可用作輸入裝置。

根據一個實施例，本文中所描述之一或多個流程及/或方法的部分可藉由電腦系統700回應於處理器704執行含於主記憶體706中的一或多個指令之一或多個序列而執行。可將此指令自諸如儲存裝置710之另一電腦可讀媒體讀取至主記憶體706中。主記憶體706中所含有之指令序列的執行使得處理器704執行本文中所描述之流程及/或程序步驟。亦可採用呈多處理配置之一或多個處理器以執行主記憶體706中所含有之指令序列。在替代性實施例中，可代替或組合軟體指令而使用硬佈線電路系統。因此，本文中之描述不限於硬體電路系統及軟體之任何特定組合。

如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」或「機器可讀媒體」指參與將指令提供至處理器704以用於執行之任何媒體。此類媒體可呈許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括例如光碟或磁碟，諸如儲存裝置710。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體706。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，其包括包含匯流排702之電線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式包括例如軟碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。

各種形式之電腦可讀媒體可涉及將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器704以用於執行。舉例而言，初始可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將該等指令載入至其動態記憶體中且經由網路(諸如網際網路)發送該等指令。在電腦系統700本端之數據機可接收資料，且使用紅外傳輸器將資料轉換為紅外信號。耦接至匯流排702之紅外偵測器可接收紅外信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排702上。匯流排702將資料攜載至主記憶體706，處理器704自該主記憶體706擷取且執行指令。由主記憶體706接收之指令可視情況在由處理器704執行之前或之後儲存於儲存裝置710上。

電腦系統700亦可包括耦接至匯流排702之通信介面718。通信介面718提供耦接至網路鏈路720之雙向資料通信，該網路鏈路720連接至區域網路722。舉例而言，通信介面718可為整合服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供與對應類型之電話線之資料通信連接。作為另一實例，通信介面718可為區域網路(LAN)卡以提供與相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此實施中，通信介面718發送且接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料流的電信號、電磁信號或光學信號。

網路鏈路720通常經由一或多個網路而將資料通信提供至其他資料裝置。舉例而言，網路鏈路720可經由區域網路722而向主機電腦724或向由網際網路服務業者(ISP) 726操作之資料設備提供連接。ISP 726繼而經由全球封包資料通信網路(現通常稱為「網際網路」 728)提供資料通信服務。區域網路722及網際網路728兩者使用攜載數位資料流之電信號、電磁信號或光學信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路720上且經由通信介面718之信號(該等信號將數位資料攜載至電腦系統700且自電腦系統700攜載數位資料)為輸送資訊的例示性形式之載波。

電腦系統700可經由一或多個網路、網路鏈路720及通信介面718發送訊息及接收資料，包括程式碼。在網際網路實例中，伺服器730可經由網際網路728、ISP 726、區域網路722及通信介面718而傳輸用於應用程式之所請求程式碼。舉例而言，一個此經下載應用可提供本文中所描述之方法中的全部或部分。所接收程式碼可在接收時藉由處理器704執行，及/或儲存於儲存裝置710或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統700可獲得呈載波形式之應用程式碼。

本系統及方法之其他實施例揭示於經編號條項之後續清單中： 1.一種用於製造微影設備之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板之方法，其包含：提供用於倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板之主體，該主體包含堇青石；使堇青石主體之第一側光滑化以降低第一側之粗糙度；用二氧化矽層塗佈堇青石主體之第一側，該二氧化矽層具有與堇青石主體之第一側接觸之鄰近側及相對側；及經由其間之分子間力將二氧化矽層之相對側耦接至光學器件。 2.如前述條項中任一項之方法，其中光滑化包含磨光。 3.如前述條項中任一項之方法，其中光滑化進一步包含在磨光之後的研磨及/或離子束修形(IBF)。 4.如前述條項中任一項之方法，其中光滑化降低第一側之粗糙度，使得第一側之面積平均粗糙度(Sa)小於約1 nm。 5.如前述條項中任一項之方法，其中塗佈包含化學結合。 6.如前述條項中任一項之方法，用二氧化矽層塗佈堇青石主體之第一側包含二氧化矽在堇青石主體之第一側上之電漿增強型化學氣相沉積。 7.如前述條項中任一項之方法，其進一步包含在塗佈之後及在耦接至光學器件之前使二氧化矽層光滑化。 8.如前述條項中任一項之方法，其中耦接包含光學接觸。 9.如前述條項中任一項之方法，其中光學器件包含與其他玻璃相比較具有低熱膨脹係數(CTE)之超低膨脹玻璃(ULE®)。 10.如前述條項中任一項之方法，其中光學器件包含鋰鋁矽酸鹽玻璃陶瓷。 11.如前述條項中任一項之方法，其中光學器件包含Zerodur®。 12.如前述條項中任一項之方法，其中光學器件形成倍縮光罩夾具之至少一部分。 13.如前述條項中任一項之方法，其中倍縮光罩夾具為靜電夾具。 14.如前述條項中任一項之方法，其中卡盤包含基座。 15.如前述條項中任一項之方法，其進一步包含將堇青石主體耦接至基座。 16.一種用於製造微影設備之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板之方法，該方法包含：提供用於倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板之主體，該主體包含堇青石；使堇青石主體之第一側光滑化以降低第一側之粗糙度；將堇青石主體之第一側耦接至Zerodur®層，該Zerodur®層具有與堇青石主體之第一側接觸之鄰近側及相對側；及經由其間之分子間力將Zerodur®層之相對側耦接至光學器件。 17.如前述條項中任一項之方法，其進一步包含在將Zerodur®層之相對側耦接至光學器件之前，使Zerodur®層薄化及光滑化。 18.如前述條項中任一項之方法，其中Zerodur®層之光滑化包含磨光。 19.如前述條項中任一項之方法，其中Zerodur®層之光滑化進一步包含在磨光之後的研磨及/或離子束修形(IBF)。 20.如前述條項中任一項之方法，其中光學器件由Zerodur®製成。 21.如前述條項中任一項之方法，其中將堇青石主體之第一側耦接至Zerodur®層包含將堇青石主體之第一側陽極結合至Zerodur®層。 22.如前述條項中任一項之方法，其中光學器件形成倍縮光罩夾具之至少一部分。 23.如前述條項中任一項之方法，其中夾具為靜電夾具，且其中微影設備為極紫外線(EUV)微影設備。 24.一種微影設備之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其包含：用於倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板之主體，其包含堇青石，該堇青石主體之第一側具有藉由光滑化降低之粗糙度；及二氧化矽層，其藉由塗佈沉積於堇青石主體之第一側上，該二氧化矽層具有與堇青石主體之第一側接觸之鄰近側及相對側，其中二氧化矽層之相對側經組態以用於經由其間之分子間力耦接至光學器件。 25.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中光滑化包含磨光。 26.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中光滑化進一步包含在磨光之後的研磨及/或離子束修形(IBF)。 27.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中光滑化降低第一側之粗糙度，使得第一側之面積平均粗糙度(Sa)小於約1 nm。 28.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中塗佈包含化學結合。 29.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中用二氧化矽層塗佈堇青石主體之第一側包含二氧化矽在堇青石主體之第一側上之電漿增強型化學氣相沉積。 30.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其進一步包含在塗佈之後及在耦接至光學器件之前使二氧化矽層光滑化。 31.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中耦接包含光學接觸。 32.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中光學器件包含與其他玻璃相比較具有低熱膨脹係數(CTE)之超低膨脹玻璃(ULE®)。 33.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中光學器件包含鋰鋁矽酸鹽玻璃陶瓷。 34.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中光學器件包含Zerodur®。 35.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中光學器件形成倍縮光罩夾具之至少一部分。 36.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中倍縮光罩夾具為靜電夾具。 37.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中卡盤包含基座。 38.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中堇青石主體經組態以耦接至基座。 39.一種微影設備之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其包含：用於倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板之主體，其包含堇青石，該堇青石主體之第一側具有藉由光滑化降低之粗糙度；及Zerodur®層，其耦接至堇青石主體之第一側，該Zerodur®層具有與堇青石主體之第一側接觸之鄰近側及相對側，其中ULE玻璃層之相對側經組態以用於經由其間之分子間力耦接至光學器件。 40.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中在將Zerodur®層之相對側耦接至光學器件之前，使Zerodur®層薄化及光滑化。 41.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中Zerodur®層之光滑化包含磨光。 42.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中Zerodur®層之光滑化進一步包含在磨光之後的研磨及/或離子束修形(IBF)。 43.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中光學器件由Zerodur®製成。 44.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中將堇青石主體之第一側耦接至Zerodur®層包含將堇青石主體之第一側陽極結合至Zerodur®層。 45.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中光學器件形成倍縮光罩夾具之至少一部分。 46.如前述條項中任一項之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中夾具為靜電夾具，且其中微影設備為極紫外線(EUV)微影設備。

本文中所揭示之概念可與用於對子波長特徵進行成像之任何通用成像系統相關聯，且可尤其對能夠產生愈來愈短的波長之新興成像技術有用。已經在使用中之新興技術包括極紫外(EUV)、能夠使用ArF雷射來產生193 nm波長且甚至能夠使用氟雷射來產生157 nm波長之DUV微影。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由利用高能電子來撞擊材料(固體或電漿)來產生在20 nm至5 nm之範圍內的波長，以便產生在此範圍內之光子。

雖然本文所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上之晶圓製造，但應理解，所揭示概念可供任何類型之製造系統使用，例如，用於在除了矽晶圓以外的基板上之製造之製造系統。此外，所揭示元件之組合及子組合可包含分離實施例。舉例而言，清潔系統及/或方法及相關聯之微影設備可包含分離實施例，及/或此等特徵在同一實施例中可一起使用。

上方描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述進行修改。

300:微影設備 302:倍縮光罩 305:EUV內艙 306:倍縮光罩處置器轉台夾緊器 307:倍縮光罩處置器機器人夾緊器 308:工具處置器 310:倍縮光罩卡盤 312:倍縮光罩夾具 320:吊艙 322:機械組件 400:表面 401:主體 410:放大部分 500:外觀 502:鄰近側 503:二氧化矽層 504:相對側 506:光學器件 550:第一層 552:鄰近側 554:相對側 600:方法 601:操作 602:操作 603:操作 604:操作 605:操作 606:操作 607:操作 700:電腦系統 702:匯流排 704:處理器 705:處理器 706:主記憶體 708:唯讀記憶體 710:儲存裝置 712:顯示器 714:輸入裝置 716:游標控制件 718:通信介面 720:網路鏈路 722:區域網路 724:主機電腦 726:網際網路服務業者 728:網際網路 730:伺服器 AD:調整器 AS:對準感測器 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 BK:烘烤板 C:目標部分 CH:冷卻板 CN:聚光器 I/O1:輸入埠 I/O2:輸出埠 IF:位置感測器 IL:照明系統/照明器 IN:積分器 LA:微影設備 LACU:微影控制單元 LB:裝載匣 LC:微影單元 LS:位階感測器 M1:圖案化裝置對準標記 M2:圖案化裝置對準標記 MA:圖案化裝置 MT:支撐結構 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一定位器 PS:投影系統 PW:第二定位器 RO:機器人 SC:旋塗器 SCS:監督控制系統 SO:輻射源 TCU:塗佈顯影系統控制單元 W:基板 WT:基板台 WTa:基板台 WTb:基板台

併入且構成本說明書之一部分之附圖說明一或多個實施例且連同本說明書解釋此等實施例。現將參考隨附示意性圖式而僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分，且在該等圖式中：

圖1示意性地描繪根據實施例之微影設備。

圖2示意性地描繪根據實施例之微影單元或群集之實施例。

圖3A繪示根據實施例之極紫外線(EUV)微影設備之一部分。

圖3B繪示根據實施例之微影設備之另一部分。

圖3C為根據實施例之圖3B中所展示之微影設備的部分之放大圖。

圖4繪示用於倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板之實例主體。

圖5A繪示可對來自圖4之主體的一側執行的用於將主體的側耦接至光學器件的第一實例步驟集合。

圖5B為可對來自圖4之主體之側執行的用於將主體之側耦接至光學器件之第二實例步驟集合。

圖6繪示根據實施例之用於結合至用於倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板之主體的方法。

圖7為根據實施例之實例電腦系統之方塊圖。

400:表面

401:主體

500:外觀

502:鄰近側

503:二氧化矽層

504:相對側

506:光學器件

Claims

一種用於製造一微影設備之一倍縮光罩夾具卡盤及/或一柵格板之方法，其包含：提供用於該倍縮光罩夾具卡盤及/或該柵格板之一主體，該主體包含堇青石；使該堇青石主體之一第一側光滑化以降低該第一側之一粗糙度；用一二氧化矽層塗佈該堇青石主體之該第一側，該二氧化矽層具有與該堇青石主體之該第一側接觸之一鄰近側及一相對側；及經由其間之分子間力將該二氧化矽層之該相對側耦接至一光學器件。
如請求項1之方法，其中：該光滑化包含磨光；該光滑化進一步包含在磨光之後的研磨及/或離子束修形(IBF)；該光滑化降低該第一側之該粗糙度使得該第一側之面積平均粗糙度(Sa)小於約1 nm；且該塗佈包含化學結合。
如請求項1之方法，其中：該用該二氧化矽層塗佈該堇青石主體之該第一側包含該二氧化矽在該堇青石主體之該第一側上之電漿增強型化學氣相沉積；且該耦接包含光學接觸。
如請求項1之方法，其進一步包含在塗佈之後及在耦接至該光學器件之前使該二氧化矽層光滑化。
如請求項1之方法，其中：該光學器件包含與其他玻璃相比較具有一低熱膨脹係數(CTE)之一超低膨脹玻璃(ULE®)，或該光學器件包含一鋰鋁矽酸鹽玻璃陶瓷或Zerodur®；該光學器件形成一倍縮光罩夾具之至少一部分，其中該倍縮光罩夾具為一靜電夾具；且該卡盤包含一基座，其中該方法進一步包含將該堇青石主體耦接至該基座。
一種微影設備之一倍縮光罩夾具卡盤及/或一柵格板，其包含：用於該倍縮光罩夾具卡盤及/或該柵格板之一主體，其包含堇青石，該堇青石主體之一第一側具有藉由光滑化降低之一粗糙度；及一二氧化矽層，其藉由塗佈沉積於該堇青石主體之該第一側上，該二氧化矽層具有與該堇青石主體之該第一側接觸之一鄰近側及一相對側，其中該二氧化矽層之該相對側經組態以用於經由其間之分子間力耦接至一光學器件。
如請求項6之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中：該光滑化包含磨光；該光滑化進一步包含在磨光之後的研磨及/或離子束修形(IBF)；該光滑化降低該第一側之該粗糙度使得該第一側之面積平均粗糙度(Sa)小於約1 nm；且該塗佈包含化學結合。
如請求項6之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中：該用該二氧化矽層塗佈該堇青石主體之該第一側包含該二氧化矽在該堇青石主體之該第一側上之電漿增強型化學氣相沉積；且該耦接包含光學接觸。
如請求項6之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其進一步包含在塗佈之後及在耦接至該光學器件之前使該二氧化矽層光滑化。
如請求項6之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中：該光學器件包含與其他玻璃相比較具有一低熱膨脹係數(CTE)之一超低膨脹玻璃(ULE®)、一鋰鋁矽酸鹽玻璃陶瓷或Zerodur®；該光學器件形成一倍縮光罩夾具之至少一部分，其中該倍縮光罩夾具為一靜電夾具；且該卡盤包含一基座，其中堇青石卡盤主體經組態以耦接至該基座。
一種微影設備之一倍縮光罩夾具卡盤及/或一柵格板，其包含：用於該倍縮光罩夾具卡盤及/或該柵格板之一主體，其包含堇青石，該堇青石主體之一第一側具有藉由光滑化降低之一粗糙度；及一Zerodur®層，其耦接至該堇青石主體之該第一側，該ULE玻璃層具有與該堇青石主體之該第一側接觸之一鄰近側及一相對側，其中該Zerodur®層之該相對側經組態以用於經由其間之分子間力耦接至一光學器件。
如請求項11之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中：該Zerodur®層在將該Zerodur®層之該相對側耦接至該光學器件之前薄化及光滑化；且該Zerodur®層之光滑化包含磨光；且該Zerodur®層之該光滑化進一步包含在磨光之後的研磨及/或離子束修形(IBF)。
如請求項11之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中該光學器件由Zerodur®製成。
如請求項11之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中將該堇青石主體之該第一側耦接至該Zerodur®層包含將該堇青石主體之該第一側陽極結合至該Zerodur®層。
如請求項11之倍縮光罩夾具卡盤及/或柵格板，其中：該光學器件形成一倍縮光罩夾具之至少一部分；該夾具為一靜電夾具；且該微影設備為一極紫外線(EUV)微影設備。