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TW202539828A - 導電膠及燒結方法 - Google Patents

導電膠及燒結方法

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Publication number
TW202539828A
TW202539828A TW114105476A TW114105476A TW202539828A TW 202539828 A TW202539828 A TW 202539828A TW 114105476 A TW114105476 A TW 114105476A TW 114105476 A TW114105476 A TW 114105476A TW 202539828 A TW202539828 A TW 202539828A
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TW
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metal
Prior art date
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TW114105476A
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English (en)
Inventor
佐賀裕司
Original Assignee
美商瑟蘭斯水星控股股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Abstract

本發明提供一種導電膠。該導電膠包含金屬微粒材料,該金屬微粒材料具有D50在自約500 nm至約1,500 nm範圍內之第一金屬粉末、D50在自約10 nm至約100 nm範圍內之第二金屬粉末、及D50在自約3,000 nm至約5,500 nm範圍內之第三金屬粉末。該金屬膠包含溶劑組分。該第三金屬粉末與該第一金屬粉末之重量比大於1。本發明亦提供電子製品。

Description

導電膠及燒結方法
焊料連接或燒結技術用於將電子組件接合至基板。燒結連接在部件之間提供具有耐高溫性之燒結結合同時確保良好電及熱接觸。然而,用於將電子組件燒結在一起之程序需要在高程序溫度下燒結且利用晶粒接合設備對燒結配置加壓,其增加製造時間、複雜性及成本。
考慮到此,需要改良導電燒結材料及方法。
本發明之態樣包含一種導電膠。該導電膠包含金屬微粒材料,該金屬微粒材料擁有具有在自約500 nm至約1,500 nm之範圍內之D50之第一金屬粉末、具有在自約10 nm至約100 nm之範圍內之D50之第二金屬粉末、及具有在自約3,000 nm至約5,500 nm之範圍內之D50之第三金屬粉末。該金屬膠包含溶劑組分。該第三金屬粉末與該第一金屬粉末之重量比大於1。
本發明之實例態樣亦針對包含使用導電膠燒結至基板之半導體晶片之電子製品。該導電膠包含金屬微粒材料,該金屬微粒材料擁有具有在自約500 nm至約1,500 nm之範圍內之D50之第一金屬粉末、具有在自約10 nm至約100 nm之範圍內之D50之第二金屬粉末、及具有在自約3,000 nm至約5,500 nm之範圍內之D50之第三金屬粉末。該金屬膠包含溶劑組分。該第三金屬粉末與該第一金屬粉末之重量比大於1。
下文更詳細地闡述本發明之其他特徵及態樣。
相關申請案本申請案基於且主張2024年2月16日申請之美國臨時專利申請案第63/554,222號之優先權,該案以引用方式併入本文中。
一般技術者應理解本討論僅係例示性實施例之描述且不意欲限制本發明之更廣泛態樣。
一般而言,本發明係關於一種導電膠。該導電膠包含分散於溶劑組分中之一或多種金屬粉末。該一或多種金屬粉末包含具有在自約500 nm至約1,500 nm之範圍內之D50之第一金屬粉末、具有在自約10 nm至約100 nm之範圍內之D50之第二金屬粉末、及具有在自約3,000 nm至約5,500 nm之範圍內之D50之第三金屬粉末。
本發明亦係關於一種用於接合至少兩個組件之燒結方法。該方法包含將導電膠安置於該第一組件上。該導電膠包含分散於溶劑組分中之一或多種金屬粉末。該金屬粉末可包含具有在自約500 nm至約1,500 nm之範圍內之D50之第一金屬粉末、具有在自約10 nm至約100 nm之範圍內之D50之第二金屬粉末、及具有在自約3,000 nm至約5,500 nm之範圍內之D50之第三金屬粉末。將第二組件放置於該導電膠上且燒結該組件配置。
有利的係,透過對導電膠之組件之特定濃度之特定本質之選擇性控制,本發明者已發現,即使當在更快速燒結時間(諸如約90分鐘或更短之燒結時間)下燒結時,所得導電膠亦可在組件部分之間提供有效燒結連接。此外,利用本發明之導電膠減少在燒結之前對乾燥步驟之需要。因此,降低製造複雜性且可實現改良處理速率。另外,利用本文所提供之方法可在燒結組件之間形成具有極少或無空隙之燒結連接。
現將更詳細地描述本發明之各種實施例。I. 導電膠 a. 金屬微粒材料
如上文所指示,導電膠包含金屬微粒材料。只要本發明之金屬微粒材料對本發明之技術效應不具有不利影響,本發明不受任何特殊限制。金屬微粒材料可包含在實施例中在293凱氏溫度下具有約7.00 × 106西門子(S)/m或更高或在另一實施例中在293凱氏溫度下具有約8.50 × 106S/m或更高,在另一實施例中在293凱氏溫度下具有約1.00 × 107S/m或更高,或在另一實施例中在293凱氏溫度下具有約4.00 × 107S/m或更高之電導率之導電材料。金屬微粒材料可為選自由以下組成之群組之金屬粉末:鋁(Al,3.64 × 107S/m)、鎳(Ni,1.45 × 107S/m)、銅(Cu,5.81 × 107S/m)、銀(Ag,6.17 × 107S/m)、金(Au,4.17 × 107S/m)、鉬(Mo,2.10 × 107S/m)、鎂(Mg,2.30 × 107S/m)、鎢(W,1.82 × 107S/m)、鈷(Co,1.46 × 107S/m)、鋅(Zn,1.64 × 107S/m)、鉑(Pt,9.43 × 106S/m)、鈀(Pd,9.5 × 106S/m)、其等之合金及其等之混合物。
在實施例中,金屬微粒材料可為銀。在使用銀作為金屬微粒材料之情況下,其可呈銀金屬、銀衍生物及/或其等之混合物之形式。銀衍生物之實例包含氧化銀(Ag2O)、銀鹽(諸如氯化銀(AgCl)、硝酸銀(AgNO3)、醋酸銀(AgOOCCH3)、三氟醋酸銀(AgOOCCF3)或磷酸銀(Ag3PO4))、具有塗佈於表面上之銀層之塗銀複合物或銀基合金或其類似者。
基於導電膠之總重量,金屬微粒材料可以在自約90重量%至約99重量%之範圍內(諸如約92重量%至約98重量%,諸如自約93重量%至約97重量%,諸如自約94重量%至約96重量%)之量存在。
金屬微粒材料可呈具有各種形狀(例如,球形、薄片、不規則形式及/或其等之混合物)之金屬顆粒之金屬粉末之形式。在某些實施例中,金屬粉末包含球形顆粒。例如,在實施例中,至少約60%至約100% (諸如約70%至約90%,諸如約85%至約100%)之金屬顆粒呈球形顆粒之形式。
金屬粉末可包含一或多種各具有不同且不重疊粒徑(D50)之金屬粉末。粒徑(D50)可藉由雷射繞射散射法量測。例如,在實施例中,粒徑(D50)可由使用Microtrac模型S-3500之雷射繞射散射法量測。亦可在不背離本發明之範疇之情況下利用其他已知儀器來量測粒徑(D50)。亦可使用具有不同平均顆粒大小、顆粒大小分佈或形狀等之金屬之混合物。如本文所使用,「D50」意謂50%之顆粒小於所述大小且50%之顆粒大於所述大小。
金屬粉末可包含具有在自約500 nm至約1,500 nm之範圍內(諸如自約650 nm至約1,200 nm,諸如自約1,000 nm至約1,200 nm)之D50之第一金屬粉末。金屬粉末可包含具有在自約10 nm至約100 nm之範圍內(諸如自約20 nm至約70 nm,諸如自約40 nm至約80 nm)之D50之第二金屬粉末。金屬粉末亦可包含具有在自約3,000 nm至約5,500 nm之範圍內(諸如自約4,000 nm至約5,000 nm,諸如自約4,400 nm至約5,500 nm)之D50之第三金屬粉末。
在本發明之一個實施例中,第一金屬粉末以約15重量%至約45重量% (諸如自約20重量%至約30重量%,諸如自約30重量%至約40重量%)之導電膠之量存在。第二金屬粉末可以約3重量%至約15重量% (諸如自約5重量%至約10重量%,諸如自約7重量%至約12重量%)之量存在。第三金屬粉末可以約40重量%至約75重量% (諸如自約50重量%至約60重量%,諸如自約45重量%至約67重量%)之量存在。
第三金屬粉末與第一金屬粉末之重量比大於1。例如,第三金屬粉末與第一金屬粉末之重量比可為約1.2:1至約7:1,諸如約1.2:1至約5:1,諸如約2:1至約6:1,諸如約3:1至約5:1。此外,第三金屬粉末與第二金屬粉末之重量比係自約3:1至約10:1,諸如約5:1至約9:1,諸如約6:1至約8:1。在其他實施例中,基於金屬微粒材料之總重量,第三金屬粉末以至少約45重量%至約75重量% (諸如自約45重量%至約60重量%,諸如自約50重量%至約70重量%)之量存在。
粉末中之金屬顆粒可塗佈有任何適合塗層(例如,表面活性劑)。在實施例中,金屬顆粒塗佈有脂質(諸如脂肪酸)。脂肪酸可包含分枝、不分枝、飽和或不飽和之游離脂肪酸、脂肪酸鹽或脂肪酸酯。適合脂肪酸包含(但不限於)油酸、硬脂酸、月桂酸、辛酸、癸酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、花生酸、二十二酸、二十四酸、蠟酸、山梨酸及其等之組合。在其他實施例中,金屬顆粒可塗佈有陰離子表面活性劑。適合陰離子表面活性劑包括硫酸月桂酯鈉、月桂醇聚醚硫酸酯銨、硫酸月桂酯銨、硫酸月桂酯鋁、月桂醇聚醚硫酸酯鋁、硬脂酸鈉、椰油酸鉀及其等之組合。本文所揭示之塗層可藉由本技術中已知之任何方式安置於金屬顆粒之表面上。
在實施例中,導電材料係無鉛且不含有鉛或鉛組件。具體而言,導電材料實質上不含任何鉛及其衍生物(例如,氧化鉛,諸如一氧化鉛(PbO)、二氧化鉛(PbO2)或四氧化三鉛(Pb3O4)及其類似者)。
b. 溶劑組分導電膠可包含溶劑組分。例如,溶劑組分可包含除其他添加劑(例如,分散劑)之外之一或多種溶劑。例如,金屬粉末可與溶劑組分混合以形成導電膠。溶劑組分可呈液體或黏性形式以促進混合。適合溶劑組分允許導電材料均勻地分散於其中且具有適當黏度以將導電材料輸送至製品之表面上(諸如藉由網版印刷、模版印刷或其類似者)。即使當在較低壓力下燒結、減少燒結時間或在燒結之前無需額外乾燥步驟時,所提供之導電膠亦提供良好乾燥速率及優異燒結性質。溶劑組分可以在自約1重量%至約7重量%之範圍內(諸如自約3重量%至約5.5重量%,諸如自約4重量%至約6重量%)之量存在。
溶劑組分可包含一或多種適合溶劑。適合溶劑可包含醇類(例如,乙醇、二醇、三醇、脂肪酸醇);酯類(例如,苯甲酸酯,諸如鄰苯二甲酸二丁酯、二元酸酯)、二醇類(例如,丁基卡必醇、二丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、己二醇);烴類或烴類混合物(例如,煤油);及其等之混合物。在實施例中,溶劑組分可包含至少兩種不同醇類。在其他實施例中,溶劑組分可包含至少三種不同醇類。基於導電膠之總重量,溶劑可以約1重量%至約10重量% (諸如自約1重量%至約7重量%,諸如自約3重量%至約5重量%,諸如自約2.5重量%至約5.5重量%)之量存在。
溶劑組分亦可包含一或多種分散劑。在一些實施例中,分散劑選自由磷酸化聚醚、磷酸化聚酯組成之群組及其等之混合物。在另一實施例中,分散劑係聚乙二醇酯之烷醇銨鹽。在另一實施例中,分散劑選自由Disperbyk 180 (聚乙二醇酯之烷醇銨鹽)、Disperbyk 111 (磷酸化聚酯)、Byk W-9010 (磷酸化聚酯)或其等之混合物(所有均購自Byk-Chemie, GmBH, Wesel, Germany)所組成之群組。在另一實施例中,分散劑係Solplus D540 (購自Lubrizol, Inc., Cleveland, Ohio之磷酸化氧化乙烯/氧化丙烯共聚物)。在又一實施例中,分散劑係上述分散劑之任何者之混合物。在一些實施例中,分散劑係芳族聚醯胺酸或芳族聚醯亞胺。在另一實施例中,分散劑係聚伸烷基醚,諸如聚四亞甲基二醇及聚乙二醇。
溶劑組分可視情況包含一或多種添加劑。添加劑可為增稠劑、穩定劑、黏度調節劑、表面活性劑、潤濕劑、觸變減黏劑、助焊劑及其他習知添加劑(例如著色劑、防腐劑或氧化劑)等中之一或多者。在一實施例中,溶劑組分包含助焊劑。添加劑之量取決於所得導電膠之所要特性。只要不會對本發明之技術效應產生不利影響,所選的添加劑就不受到限制。
II. 製品導電膠可經施加於一或多個組件且用於將至少兩個組件燒結在一起。特別地,可將本發明之導電膠施加於第一組件,且接著可將第二組件安置於導電膠上從而形成組件配置。接著,可燒結導電膠,因此在第一組件與第二組件之間形成燒結連接。如下文提供之實例中進一步描述及繪示,導電膠可應用於期望具有優異黏合性之電連接之相當多樣的應用中(例如,功率電子器件等)。組件配置可包含電子製品,藉此經由本文所描述之導電膠在半導體晶片與基板之間形成燒結連接。
導電膠可用於在組件部分之間提供燒結連接。例如,如圖1中所展示,將導電膠10安置於基板12 (例如,第一組件)上。基板材料可包含任何導電、介電或絕緣材料。適合基板包含印刷電路板。導電膠10包含溶劑被視為濕潤。導電膠10可經由任何適合方法安置於基板12上,包含網版印刷、模版印刷、分散印刷或噴墨印刷。在步驟30處,將第二組件16放置於導電膠10上。第二組件16可包含半導體晶片或其他適合電子組件。基板12、導電膠10及第二組件16形成可在步驟40處燒結之組件配置17。特別地,組件配置17可在將第二組件16施加於導電膠12上之前不需要額外乾燥步驟之情況下燒結。此外,在實施例中,組件配置可在自約0 MPa至約5 MPa之範圍內之燒結壓力下燒結。此外,在實施例中,組件配置17可在不使用晶粒或其他設備之情況下燒結而可在任何能夠達到所要燒結溫度之適合爐中燒結。此外,組件配置17可在自約200°C至約350°C之範圍內(諸如自約200°C至約280°C,諸如自約220°C至約280°C,諸如自約250°C至約300°C,諸如自約270°C至約290°C)之燒結溫度下燒結。組件配置可在自約30分鐘至約120分鐘之範圍內(諸如約90分鐘或更短)之燒結時間內燒結。
在燒結之後,如使用適合剪切強度測試器判定,組件配置17可展現至少20 MPa至約60 MPa (諸如至少約30 MPa至約50 MPa,諸如至少約40 MPa至約50 MPa)之剪切強度。例如,剪切強度可使用購自英國Nordson Dage之Dage 4000剪切強度測試器量測。為量測剪切強度,藉由測試器量測剪切移動之位移且獲得對應剪切強度,直至剪切斷裂時之最大剪切力。記錄對應位移值。例如,剪切強度(如本文所使用)係指藉由在橫向方向上推動第一及第二組件來將燒結組件剝離時所施加之力之量。
III. 方法圖2描繪根據本發明之形成製品(100)之一個實例方法之流程圖。
在(102)處,該方法包含將導電膠安置於第一組件上。導電膠可包含分散於溶劑組分中之導電材料。導電膠可包含上文所描述之材料。在實施例中,導電材料可包含金屬粉末,諸如銀。溶劑組分可包含一或多種溶劑(例如,醇類)及分散劑。導電膠可包含自約3重量%至約5.5重量%之溶劑組成及自約90重量%至約97重量%之金屬粉末。
在(104)處,該方法包含將第二組件安置於該導電膠上。在此實施例中,晶粒可用於具有塗佈於其上之導電膠之第一組件接合至第二組件。例如,可將其上具有導電膠之第一組件安置於晶粒之底部。接著,晶粒之頂部及底部可在約0.01 MPa至約0.20 MPa (諸如自約0.05 MPa至約0.10 MPa)之一壓力下將第一組件及第二組件壓在一起達約0.1秒至約1分鐘(諸如自約1秒至約20秒)之時間週期。第一組件、導電膠及第二組件形成可接著燒結之組件配置。
在(106)處,該方法包含燒結該組件配置。組件配置可在自約200°C至約400°C之範圍內(諸如自約250°C至約350°C,諸如自約250°C至約300°C)之燒結溫度下燒結。組件配置可燒結在自約5分鐘至約120分鐘之範圍內(諸如自約15分鐘至約90分鐘,諸如自約30分鐘至約60分鐘)之燒結時間。組件配置可在空氣中或在含有惰性氣體之惰性氣氛中燒結。在實施例中,組件配置可在約0 MPa至約5 MPa之燒結壓力下燒結。燒結組件配置可包含將組件配置曝露於約25°C之初始燒結溫度下且以約3°C/min至約10°C/min之速率將溫度升高至約200°C至約300°C之最終燒結溫度。將組件配置保持在250°C之最終燒結溫度下約15 min至約60 min之時間週期。接著,藉由以約1°C/min降低溫度直至達到約40°C之溫度而冷卻組件配置。有利的係,當前方法允許在燒結之前不需要對導電膠進行額外乾燥步驟之更快速燒結程序。因此,所揭示之方法減少處理時間及成本。
實例本發明進一步藉由(但不限於)以下實例進行說明。
藉由將各種銀粉末分散於有機溶劑及聚合物之混合物中來製備實例導電膠。分散藉由在混合器中混合組件其後接著三輥碾磨機進行。
實例及比較實例繪示於下表1中。例如,表1提供各實例中所利用之銀金屬粉末之D50連同金屬粉末、溶劑及分散劑之量。除非另有指定,否則表1中之所有量均係重量百分比。表1
實例 實例 1 實例 2 比較實例 1 比較實例 2 比較實例 3
銀粉末D50 = 800重量% 36.1 21.6 43.4 36.1 70.4
銀粉末D50 = 60重量% 11.4 6.8 13.7 11.4 22.2
銀粉末D50 = 2,230重量% - - - 47.5 -
銀粉末D50 = 4,490 重量% 47.5 66.2 38.0 - -
助焊劑  (2-N-正丁氧基乙氧基) 乙酸 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
分散劑 Solplus D540 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
溶劑 1-Decanol 1.5 2.0 1.5 1.5 3.0
溶劑 2-甲基丁烷-2,3,4-三元醇 0.6 0.6 0.6 0.6 0.6
溶劑 萜品氧基乙醇(Terpinyloxyethanol) 2.1 2.0 2.1 2.1 3.0
空隙產生 未觀察到 未觀察到 觀察到 觀察到 觀察到
晶粒剪切強度 MPa 41 28 39 55 46
實例膠藉由金屬擠壓模版印刷於基板表面上。基板係銅基板。藉由使用空氣脈衝將方形導電膠印刷於基板上。接著,將晶片安裝於導電膠上。使用晶粒接合器在室溫(例如,約20°C至約22°C)下安裝晶片。將其上具有導電膠之基板安裝至晶粒接合器之底部中且將晶片安裝於晶粒接合器之頂部中。晶粒接合器在0.07 MPa之壓力下將基板及晶片壓在一起達約10秒之時間週期。在空氣氣氛中,在0 MPa下,在250°C之燒結溫度下將基板、導電膠及晶片燒結22分鐘之時間週期。晶片及基板經受約25°C之初始燒結溫度且以約6°C/min之速率將溫度升高至約250°C之最終燒結溫度。將晶片及基板保持在250°C之最終燒結溫度下達約22 min之時間週期。藉由以約1°C/min之速率降低溫度直至達到約40°C之溫度而冷卻晶片及基板。膠之燒結厚度係約45 µm。
在燒結之後,在熱循環之後量測各實例之晶片與銅板之間的晶粒剪切強度。使用接頭電阻測試器(4000 Plus,Nordson Advanced Technology Co., Ltd.)根據標準晶粒剪切測試方法(MIL STD-883)進行測試。晶粒剪切強度定義為當銅晶片由接頭電阻測試器剝離時之強度。
如所描繪,觀察到代表性實例在燒結期間或燒結之後無空隙產生,而比較實例則確實形成空隙。
定義如本文所使用,範圍及量可表示為「約」特定值或範圍。「約」意欲亦包含精確量。因此,「約5%」意謂「約5%」及亦「5%」。「約」意謂在應用或預期目的之典型實驗誤差內。
如本文所使用,「選用」或「可選地」意謂隨後描述之事件或情況發生或不發生,且本描述包含其中該事件或情況發生之例項及其不發生之例項。例如,方法或組合物中之選用組件意謂該組件可存在或可不存在於方法或組合物中。
如本文所使用,術語「實質上無」意謂存在之量不超過無足輕重之痕量且涵蓋完全無(例如,0莫耳%直至0.01莫耳%)。
在本發明中,化學元素使用其常見化學縮寫(諸如元素周期表中常見之化學縮寫)來討論。例如,氫由其常見化學縮寫H表示;氦由其常見化學縮寫He表示;等等。
對本發明之單一特性或限制之所有參考應包含對應複數特性或限制,且反之亦然,除非另有規定或由進行參考之上下文明顯隱含相反意思。
本發明之方法及組合物(包含其組件)可包括、由或基本上由本文所描述之基本元素及限制組成。
一般技術者可在不背離本發明之精神及範疇之情況下實踐本發明之此等及其他修改及變動。另外,應理解,各種實施例之態樣可全部或部分地互換。此外,一般技術者將瞭解,前述描述僅以實例之形式且不意欲限制在此等隨附申請專利範圍中進一步描述之本發明。
10:導電膠12:基板16:第二組件17:組件配置30:步驟40:步驟100:製品102:步驟104:步驟106:步驟
在本說明書之剩餘部分中更具體地闡述針對一般技術者之本發明之完全及啟用揭示內容(包含其最佳模式),其參考附圖,其中:
圖1係根據本發明之一個實施例之形成組件配置之實例方法之示意圖;及
圖2係根據本發明之一個實施例之形成組件配置之實例方法之流程圖。
在本說明書及圖式中重複使用元件符號意欲表示本發明之相同或類似特徵或元件。
10:導電膠
12:基板
16:第二組件
17:組件配置
30:步驟
40:步驟

Claims (20)

  1. 一種導電膠,其包括:金屬微粒材料,其包括具有在自約500 nm至約1,500 nm範圍內之D50之第一金屬粉末、具有在自約10 nm至約100 nm範圍內之D50之第二金屬粉末、及具有在自約3,000 nm至約5,500 nm範圍內之D50之第三金屬粉末;及溶劑組分,其中該第三金屬粉末與該第一金屬粉末之重量比大於1。
  2. 如請求項1之導電膠,其中該導電膠包括自約90重量%至約99重量%之該金屬微粒材料及自約1重量%至約10重量%之該溶劑組分。
  3. 如請求項1之導電膠,其中該第三金屬粉末與該第一金屬粉末之重量比係自約1.2:1至約5:1。
  4. 如請求項1之導電膠,其中該第三金屬粉末與該第二金屬粉末之重量比係自約3:1至約10:1。
  5. 如請求項1之導電膠,其中該第一金屬粉末、該第二金屬粉末及該第三金屬粉末包括銀。
  6. 如請求項1之導電膠,其中該第三金屬粉末佔該金屬微粒材料之至少45重量%至約75重量%。
  7. 如請求項1之導電膠,其中該第一金屬粉末、該第二金屬粉末及該第三金屬粉末之各者包括球形顆粒。
  8. 如請求項1之導電膠,其中該第一金屬粉末、該第二金屬粉末及該第三金屬粉末之各者包括塗層。
  9. 如請求項8之導電膠,其中該塗層包括一或多種脂質。
  10. 如請求項1之導電膠,其中該溶劑組分包括一或多種醇類及分散劑。
  11. 一種用於接合至少兩個組件之燒結方法,該方法包括:將導電膠安置於第一組件上,該導電膠包括:金屬微粒材料,其包括具有在自約500 nm至約1,500 nm範圍內之D50之第一金屬粉末、具有在自約10 nm至約100 nm範圍內之D50之第二金屬粉末、及具有在自約3,000 nm至約5,500 nm範圍內之D50之第三金屬粉末,其中該第三金屬粉末與該第一金屬粉末之重量比大於1;將第二組件安置於該導電膠上以形成組件配置;及燒結該組件配置。
  12. 如請求項11之方法,其包括約90分鐘或更短之燒結時間。
  13. 如請求項11之方法,其中將該導電膠安置於該第一組件上包括將該導電膠印刷於該第一組件上。
  14. 如請求項11之方法,其中將第二組件安置於該導電膠上包括將其上具有該導電膠之該第一組件安置於晶粒之底部上,且在約0.01 MPa至約1 MPa之壓力下將該第一組件及該第二組件壓在一起達約0.1秒至約10秒之時間週期。
  15. 如請求項11之方法,其中燒結該組件配置包括將該組件配置曝露於約25°C之初始燒結溫度下且以約3°C/min至約10°C/min之速率將溫度升高至約200°C至約300°C之最終燒結溫度,並保持約15 min至約60 min。
  16. 如請求項11之方法,其中該組件配置展現至少約10 MPa至約60 MPa之剪切強度。
  17. 如請求項11之方法,其中該導電膠包括自約90重量%至約99重量%之該金屬微粒材料及自約1重量%至約10重量%之該溶劑組分。
  18. 如請求項11之方法,其中該第三金屬粉末與該第一金屬粉末之重量比係自約1.2:1至約5:1。
  19. 如請求項11之方法,其中該第三金屬粉末與該第二金屬粉末之重量比係自約3:1至約10:1。
  20. 一種電子製品,其包括使用包括如請求項1之導電膠的導電膠燒結至基板之半導體晶片。
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