TW202537104A

TW202537104A - 半導體裝置

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Publication number: TW202537104A
Application number: TW114104165A
Authority: TW
Inventors: 詹晴堯; 黃建凱; 石庭禎; 胡楚威
Original assignee: 聯發科技股份有限公司
Priority date: 2024-02-06
Filing date: 2025-02-05
Publication date: 2025-09-16
Also published as: EP4611025A3; EP4611025A2; CN120453262A; US20250253267A1

Abstract

一種半導體裝置，包括一基板、一外偵測線和一內偵測線。該基板具有一周邊側面。該外偵測線設置於該基板上並鄰接該周邊側面。該內偵測線設置於該基板上，鄰接該周邊側面，並與該外偵測線隔離。該外偵測線比該內偵測線更靠近該周邊側面。

Description

半導體裝置

本發明涉及一種裝置，更具體地說，涉及一種半導體裝置。

傳統的半導體裝置可能因溫度、外力作用等原因產生裂縫。如果裂縫持續擴大，將損壞半導體裝置中至少一個組件（導電軌跡、導電通孔、電路、主動晶片、被動元件、層結構、模塑化合物等）。因此，如何檢測半導體裝置中發生的裂縫已成為行業的一項重要任務。

在本發明的一個實施例中，提供了一種半導體裝置。該半導體裝置包括一基板、一外偵測線以及一內偵測線。該基板具有一周邊側面。該外偵測線設置於該基板上並鄰接該周邊側面。該內偵測線設置於該基板上，鄰接該周邊側面，並與該外偵測線隔離。該外偵測線比該內偵測線更靠近該周邊側面。

本發明的眾多目的、特點及優點將在閱讀以下對本發明實施例的詳細描述時變得容易理解。然而，此處所用的圖紙僅用於描述目的，不應視為限制性的。

參照第1A至1B圖，第1A圖示出根據本發明一實施例的半導體裝置100的頂視圖示意圖，第1B圖示出沿著1B-1B’方向的第1A圖中的半導體裝置100的橫截面視圖，而第1C圖示出沿著1C-1C’方向的第1A圖中的半導體裝置100的橫截面視圖。該半導體裝置100例如是一個半導體晶片、一個半導體晶粒、一個半導體封裝等。

如第1A至1C圖所示，該半導體裝置100包括一基板110、一外偵測線120、一內偵測線130、一第一墊片140A、一第二墊片140B、一第三墊片150A、一第四墊片150B、一第一外連接線160A、一第二外連接線160B、一第一內連接線170A以及一第二內連接線170B。該基板110具有一周邊側面110s。該外偵測線120設置於該基板110上並鄰接該周邊側面110s。該內偵測線130設置於該基板110上，鄰接該周邊側面110s，並與該外偵測線120隔離。該外偵測線120比該內偵測線130更靠近該周邊側面110s。因此，若該半導體裝置100發生裂縫（如果有的話），可透過該外偵測線120和/或該內偵測線130來偵測。由於裂縫能夠被及早偵測到，使用者可能/可以盡快處理裂縫問題。

如第1A圖所示，該周邊側面110s具有四個次周邊側面，例如，一第一次周邊側面110s1、一第二次周邊側面110s2、一第三次周邊側面110s3以及一第四次周邊側面110s4。該第一次周邊側面110s1、該第二次周邊側面110s2、該第三次周邊側面110s3以及該第四次周邊側面110s4定義了該基板110或該半導體裝置100的整個外界限。該外偵測線120和該內偵測線130鄰接於四個次周邊側面110s1至110s4延伸。

如第1A圖所示，該第一墊片140A設置於並暴露自該基板110。該第一外連接線160A連接該第一墊片140A與該外偵測線120的一第一端121。該第二墊片140B設置於並暴露自該基板110。該第二外連接線160B連接該第二墊片140B與該外偵測線120的一第二端122。該第一外連接線160A和/或該第二外連接線160B可能包括與該外偵測線120相同或類似的特徵。

如第1A圖所示，該第三墊片150A設置於並暴露自該基板110。該第一內連接線170A連接該第三墊片150A與該內偵測線130的一第一端131。該第四墊片150B設置於並暴露自該基板110。該第二內連接線170B連接該第四墊片150B與該內偵測線130的一第二端132。該第一內連接線170A和/或該第二內連接線170B可能包括與該內偵測線130相同或類似的特徵。

一偵測器（未示出）可能探測該第一墊片140A和該第二墊片140B。如果一裂縫斷裂了該外偵測線120，該偵測器和該外偵測線120不能形成一個電路迴路，因此該裂縫可能被該偵測器發現。同樣地，該偵測器可能探測該第三墊片150A和該第四墊片150B。如果一裂縫斷裂了該內偵測線130，該偵測器和該內偵測線130不能形成一個電路迴路，因此該裂縫可能被該偵測器發現。

此外，如果在該半導體裝置100中發生裂縫，該裂縫可能損壞該外偵測線120，並將導致該外偵測線120斷裂。該斷裂的外偵測線120可能被一偵測器（未示出）探測該第一墊片140A和該第二墊片140B時偵測到。同樣地，如果在該半導體裝置100中發生裂縫，該裂縫可能損壞該內偵測線130，並將導致該內偵測線130斷裂。該斷裂的內偵測線130可能被一偵測器探測該第三墊片150A和該第四墊片150B時偵測到。

如第1B圖所示，該基板110包括一基底111和複數個介電層112設置於該基底111上並相互堆疊。該基底111例如是一個矽晶圓的一部分。該外偵測線120包括複數個外導電軌跡123和複數個導電通孔124，每個外導電軌跡123設置於對應的介電層112上，並且導電通孔124中的一個連接相鄰的兩個外導電軌跡123。

如圖1B所示，在一個實施例中，外偵測線120可能以波浪形式延伸。此外，外偵測線120可能包括至少一個外上升段120A’和至少一個外下降段120D，其中相鄰的外上升段120A’和外下降段120D彼此連接。每個外上升段120A’在第一延伸路徑上升，該第一延伸路徑大致平行於周邊側面110s（例如，第一次周邊側面110s1、第二次周邊側面110s2、第三次周邊側面110s3和第四次周邊側面110s4），每個外下降段120D在第一延伸路徑下降，該第一延伸路徑大致平行於周邊側面110s。

如圖1B所示，直接連接的相鄰兩段分別是外上升段120A’和外下降段120D。此外，在相鄰的外下降段120D和外上升段120A’中，外下降段120D在介電層112的最底層與外上升段120A’連接。在相鄰的外上升段120A’和外下降段120D’中，外上升段120A’在介電層112的最頂層與外下降段120D’連接。

如圖1B所示，每個外上升段120A’可能穿過所有介電層112，每個外下降段120D可能穿過所有介電層112。因此，任何介電層112中發生的裂縫都可能被檢測到。

如圖1C所示，內偵測線130包括複數個內導電軌跡133和複數個導電通孔134，每個內導電軌跡133設置於對應的介電層112上，並且導電通孔134中的一個連接相鄰的兩個內導電軌跡133。

如圖1C所示，在一個實施例中，內偵測線130可能以波浪形式延伸。此外，內偵測線130可能包括至少一個內上升段130A和至少一個內下降段130D，其中相鄰的內上升段130A和外內下降段130D彼此連接。每個內上升段130A在第一延伸路徑上升，該第一延伸路徑大致平行於周邊側面110s，每個內下降段130D在第一延伸路徑下降，該第一延伸路徑大致平行於周邊側面110s。

如圖1C所示，直接連接的相鄰兩段分別是內上升段130A和內下降段130D。此外，在相鄰的內下降段130D’和內上升段130A中，內下降段130D’在介電層112的最頂層與內上升段130A連接。在相鄰的內上升段130A’和內下降段130D’中，內上升段130A’在介電層112的最底層與內下降段130D’連接。

如圖1C所示，每個內上升段130A可能穿過所有介電層112，每個內下降段130D可能穿過所有介電層112。因此，任何介電層112中發生的裂縫都可能被檢測到。

如圖1B和1C所示，外偵測線的上升段對應於內偵測線的下降段。此外，在從參考線L1到參考線L2的同一區域中，外上升段120A’對應於內下降段130D’，外下降段120D’對應於內上升段130A’。因此，雖然在圖1B中的較低介電層112（或稱為“空白區域BA”）缺少外偵測線120的段落，但圖1C中的內下降段130D和內上升段130A可能補充空白區域BA，因為圖1C中的內下降段130D和內上升段130A對應於圖1B中的空白區域BA。

在另一個實施例中，外偵測線120的上升段可能對應於內偵測線130的上升段。在其他實施例中，外偵測線120的上升段可能對應於內偵測線130的一部分上升段和一部分下降段。

參考圖2A至2C，圖2A顯示了根據本發明另一實施例的半導體裝置200的頂視圖示意圖，圖2B顯示了沿方向2B-2B’的圖2A中的半導體裝置200的橫截面視圖，圖2C顯示了沿方向2C-2C’的圖2A中的半導體裝置200的橫截面視圖。

如圖2A至2C所示，半導體裝置200包括基板110、外偵測線220、內偵測線230、第一墊片140A、第二墊片140B、第三墊片150A、第四墊片150B、第一外連接線160A、第二外連接線160B、第一內連接線170A和第二內連接線170B。

如第2B圖和第2C圖所示，外偵測線220設置於基板110上並鄰接周邊側面110s。內偵測線230設置於基板110上，鄰接周邊側面110s，並與外偵測線220隔離。外偵測線220比內偵測線230更靠近周邊側面110s。因此，如果半導體裝置200中發生裂縫（如果有的話），可以通過外偵測線220和/或內偵測線230來檢測到。

如第2A圖所示，第一墊片140A設置於並暴露自基板110。第一外連接線160A連接第一墊片140A與外偵測線220的第一端221。第二墊片140B設置於並暴露自基板110。第二墊片140B設置於並暴露自基板110。第二外連接線160B連接第二墊片140B與外偵測線220的第二端222。第一外連接線160A和/或第二外連接線160B可能包含與外偵測線220相同或類似的特徵。

如第2A圖所示，第三墊片150A設置於並暴露自基板110。第一內連接線170A連接第三墊片150A與內偵測線230的第一端231。第四墊片150B設置於並暴露自基板110。第二內連接線170B連接第四墊片150B與內偵測線230的第二端232。第一內連接線170A和/或第二內連接線170B可能包含與內偵測線230相同或類似的特徵。

探測器（未示出）可能探測第一墊片140A和第二墊片140B。如果裂縫斷開外偵測線220，探測器和外偵測線220不能形成電路迴路，因此裂縫可能被探測器發現。同樣地，探測器可能探測第三墊片150A和第四墊片150B。如果裂縫斷開內偵測線230，探測器和內偵測線230不能形成電路迴路，因此裂縫可能被探測器發現。

此外，如果半導體裝置200中發生裂縫，裂縫可能損壞外偵測線220，並導致外偵測線220斷裂。斷裂的外偵測線220可能被探測器（未示出）探測第一墊片140A和第二墊片140B時檢測到。同樣地，如果半導體裝置200中發生裂縫，裂縫可能損壞內偵測線230，並導致內偵測線230斷裂。斷裂的內偵測線230可能被探測器探測第三墊片150A和第四墊片150B時檢測到。

如第2B圖所示，基板110包括基底111和複數個介電層（112’和112”）設置於基底111上並相互堆疊。

半導體裝置200包含與半導體裝置100相同或類似的特徵，至少一個差異是外偵測線220和/或內偵測線230不穿過所有介電層。此外，外偵測線220和內偵測線230一起穿過所有介電層。例如，外偵測線220可能穿過上層介電層112’，而內偵測線230可能穿過下層介電層112”。

如第2B圖所示，在一個實施例中，外偵測線220可能以波浪形方式延伸。此外，外偵測線220可能包括至少一個外上升段220A和至少一個外下降段220D，其中相鄰的外上升段220A和外下降段220D彼此連接。每個外上升段220A’在第一延伸路徑上大致平行於周邊側面110s上升，每個外下降段220D在第一延伸路徑上大致平行於周邊側面110s下降。

如第2B圖所示，直接連接的相鄰兩段分別是外上升段220A和外下降段220D。此外，在相鄰的外上升段220A和外下降段220D’中，外上升段220A與外下降段220D’在上層介電層112’的最頂層連接。在相鄰的外下降段220D’和外上升段220A’中，外下降段220D’與外上升段220A’在上層介電層112’的最底層連接。

如第2C圖所示，在一個實施例中，內偵測線230可能以波浪形方式延伸。此外，內偵測線230可能包括至少一個內上升段230A和至少一個內下降段230D，其中相鄰的內上升段230A和內下降段230D彼此連接。每個內上升段230A在第一延伸路徑上大致平行於周邊側面110s上升，每個內下降段230D在第一延伸路徑上大致平行於周邊側面110s下降。

如圖2C所示，直接相連的相鄰兩段分別是內上升段230A和內下降段230D。此外，在相鄰的內上升段230A和內下降段230D'中，內上升段230A在較低介電層112”的最頂部與內下降段230D'相連。在相鄰的內下降段230D'和內上升段230A'中，內下降段230D'和內上升段230A'在較低介電層112”的最底部相連。

如圖2B和2C所示，外偵測線的上升段對應於內偵測線的上升段。此外，在從參考線L1到參考線L2的同一區域中，外下降段220D'對應於內下降段230D'，外上升段220A'對應於內上升段230A'。在另一實施例中，在從參考線L1到參考線L2的同一區域中，外下降段220D'對應於內上升段230A'，外上升段220A'對應於內下降段230D'。

參考第3圖，第3圖顯示了根據本發明另一實施例的半導體裝置300的頂視圖示意圖。半導體裝置300包括基板110、第一偵測組DS31、第二偵測組DS32、第一墊片140A、第二墊片140B、第三墊片150A、第四墊片150B。第一偵測組DS31和第二偵測組DS32每個包括一外偵測線320和一內偵測線330。外偵測線320可能包括與外偵測線120或外偵測線220相同或類似的特徵。內偵測線330可能包括與外偵測線130或外偵測線230相同或類似的特徵。

如第3圖所示，第一偵測組DS31包括外偵測線320、內偵測線330、第一內連接線370A、第二內連接線370B、第一內外連接線335A和第二內外連接線335B。內偵測線330包括一第一次內偵測線330A和一第二次內偵測線330B。第一內連接線370A將第一墊片140A與內偵測線330的第一次內偵測線330A的第一端331連接。第二內連接線370B將第二墊片140B與內偵測線330的第二次內偵測線330B的第二端332連接。第一內外連接線335A將外偵測線320與內偵測線330的第一次內偵測線330A連接。第二內外連接線335B將外偵測線320與內偵測線330的第二次內偵測線330B連接。

在本實施例中，第一內連接線370A、第二內連接線370B和/或第二內外連接線335B可能包括與內偵測線130或內偵測線230相同或類似的特徵。第一內外連接線335A可能包括與偵測線（外偵測線或內偵測線）相同或類似的特徵。

如第3圖所示，在第一偵測組DS31中，外偵測線320鄰接於第一次周邊側面110s1、第二次周邊側面110s2和第四次周邊側面110s4延伸，第一次內偵測線330A鄰接於第一次周邊側面110s1和第二次周邊側面110s2延伸，第二次內偵測線330B鄰接於第一次周邊側面110s1和第四次周邊側面110s4延伸。在第一偵測組DS31中，外偵測線320、第一次內偵測線330A和第二次內偵測線330B可能沿一第一延伸路徑大致平行於第一次周邊側面110s1、第二次周邊側面110s2和第四次周邊側面110s4延伸。在第一偵測組DS31中，第一內外連接線335A可能沿一第二延伸路徑大致垂直於第二次周邊側面110s2延伸，而第二內外連接線335B可能沿一第四延伸路徑大致垂直於第四次周邊側面110s4延伸。

如第3圖所示，第二偵測組DS32包括外偵測線320、內偵測線330、第一內連接線370A、第二內連接線370B、第一內外連接線335A以及第二內外連接線335B。內偵測線330包括第一次內偵測線330A和第二次內偵測線330B。第一內連接線370A連接第三墊片150A與內偵測線330的第一次內偵測線330A的第一端331。第二內連接線370B連接第四墊片150B與內偵測線330的第二次內偵測線330B的第二端332。第一內外連接線335A連接外偵測線320與內偵測線330的第一次內偵測線330A。第二內外連接線335B連接外偵測線320與內偵測線330的第二次內偵測線330B。

如第3圖所示，在第二偵測組DS32中，外偵測線320鄰接於第二次周邊側面110s2、第三次周邊側面110s3和第四次周邊側面110s4延伸，第一次內偵測線330A鄰接於第二次周邊側面110s2和第三次周邊側面110s3延伸，第二次內偵測線330B鄰接於第三次周邊側面110s3和第四次周邊側面110s4延伸。在第二偵測組DS32中，外偵測線320、第一次內偵測線330A和第二次內偵測線330B可能延伸於第二次周邊側面110s2、第三次周邊側面110s3和第四次周邊側面110s4。在第二偵測組DS32中，第一內外連接線335A可能沿第二延伸路徑大致垂直於第二次周邊側面110s2延伸，而第二內外連接線335B可能沿第四延伸路徑大致垂直於第四次周邊側面110s4延伸。

一偵測器（未示出）可能探測第一墊片140A和第二墊片140B。如果裂縫斷開了第一偵測組DS31中的外偵測線320和/或內偵測線330，偵測器和第一偵測組DS31不能形成電路迴路，因此偵測器可能發現裂縫。同樣地，偵測器可能探測第三墊片150A和第四墊片150B。如果裂縫斷開了第二偵測組DS32中的內偵測線330和/或內偵測線330，偵測器和第二偵測組DS32不能形成電路迴路，因此偵測器可能發現裂縫。

參考第4圖，第4圖示出了根據本發明另一實施例的半導體裝置400的頂視圖示意圖。半導體裝置400包括基板110、第一偵測組DS41、第二偵測組DS42、第三偵測組DS43、第四偵測組DS44和開關490。每個第一偵測組DS41、第二偵測組DS42、第三偵測組DS43和第四偵測組DS44包括外偵測線420和內偵測線430。外偵測線420可能包括與外偵測線120或外偵測線220相同或類似的特徵。內偵測線430可能包括與外偵測線130或外偵測線230相同或類似的特徵。

在本實施例中，至少一個第一偵測組DS41、第二偵測組DS42、第三偵測組DS43、第四偵測組DS44和開關490可能形成於（或完全嵌入於）基板110內，例如，基板的基底111（未示出）和/或介電層112（未示出）。換句話說，至少一個第一偵測組DS41、第二偵測組DS42、第三偵測組DS43、第四偵測組DS44和開關490不是暴露於半導體裝置100之外。

如第4圖所示，第一偵測組DS41包括外偵測線420、內偵測線430、第一外連接線460A、第一內連接線470A和第一內外連接線435A。第一外連接線460A連接開關490與外偵測線420的第一端421。第一內連接線470A連接開關490的開關單元491與內偵測線430的第二端431。第一內外連接線435A連接外偵測線420與內偵測線430。

如第4圖所示，在第一偵測組DS41中，外偵測線420鄰接於第一次周邊側面110s1和第二次周邊側面110s2延伸，內偵測線430鄰接於第一次周邊側面110s1和第二次周邊側面110s2延伸。在第一偵測組DS41中，外偵測線420和內偵測線430可能延伸於第一延伸路徑大致平行於第一次周邊側面110s1和第二次周邊側面110s2。在第一偵測組DS41中，第一內外連接線435A可能沿第二延伸路徑大致垂直於第二次周邊側面110s2延伸。

如第4圖所示，第二偵測組DS42包括外偵測線420、內偵測線430、第一外連接線460A、第一內連接線470A以及第一內外連接線435A。第一外連接線460A連接開關490與外偵測線420的第一端421。第一內連接線470A連接開關490的開關單元492與內偵測線430的第二端431。第一內外連接線435A連接外偵測線420與內偵測線430。

如第4圖所示，在第二偵測組DS42中，外偵測線420鄰接於第二次周邊側面110s2和第三次周邊側面110s3，內偵測線430鄰接於第二次周邊側面110s2和第三次周邊側面110s3。在第二偵測組DS42中，外偵測線420和內偵測線430可能沿第一延伸路徑大致平行於第二次周邊側面110s2和第三次周邊側面110s3延伸。在第二偵測組DS42中，第一內外連接線435A可能沿第二延伸路徑大致垂直於第二次周邊側面110s2延伸。

如第4圖所示，第三偵測組DS43包括外偵測線420、內偵測線430、第一外連接線460A、第一內連接線470A以及第一內外連接線435A。第一外連接線460A連接開關490與外偵測線420的第一端421。第一內連接線470A連接開關490的開關單元493與內偵測線430的第二端431。第一內外連接線435A連接外偵測線420與內偵測線430。

如第4圖所示，在第三偵測組DS43中，外偵測線420鄰接於第三次周邊側面110s3和第四次周邊側面110s4，內偵測線430鄰接於第三次周邊側面110s3和第四次周邊側面110s4。在第三偵測組DS43中，外偵測線420和內偵測線430可能沿第一延伸路徑大致平行於第三次周邊側面110s3和第四次周邊側面110s4延伸。在第三偵測組DS43中，第一內外連接線435A可能沿第三延伸路徑大致垂直於第三次周邊側面110s3延伸。

如第4圖所示，第四偵測組DS44包括外偵測線420、內偵測線430、第一外連接線460A、第一內連接線470A以及第一內外連接線435A。第一外連接線460A連接開關490與外偵測線420的第一端421。第一內連接線470A連接開關490的開關單元494與內偵測線430的第二端431。第一內外連接線435A連接外偵測線420與內偵測線430。

如第4圖所示，在第四偵測組DS44中，外偵測線420鄰接於第一次周邊側面110s1和第四次周邊側面110s4，內偵測線430鄰接於第一次周邊側面110s1和第四次周邊側面110s4。在第四偵測組DS44中，外偵測線420和內偵測線430可能沿第一延伸路徑大致平行於第一次周邊側面110s1和第四次周邊側面110s4延伸。在第四偵測組DS44中，第一內外連接線435A可能沿第四延伸路徑大致垂直於第四次周邊側面110s4延伸。

開關490可能設置於或在基板110上。在某些實施例中，開關490可能是電路基板（未顯示）的一部分，例如印刷電路板或類似物。電路基板與半導體裝置400電連接。開關490可能控制開關單元491、492、493和494中的一個打開，以檢測相應的偵測線是否斷裂。

參考第5圖，第5圖示出根據本發明另一實施例的半導體裝置500的頂視圖示意圖。半導體裝置500包括基板110、外偵測線520、第一偵測組DS51、第二偵測組DS52、第三偵測組DS53、第四偵測組DS54以及開關590。每一個第一偵測組DS51、第二偵測組DS52、第三偵測組DS53和第四偵測組DS54包括內偵測線530。內偵測線530可能包括與外偵測線130或外偵測線230相同或類似的特徵。

如第5圖所示，外偵測線520鄰近第一次周邊側面110s1、第二次周邊側面110s2、第三次周邊側面110s3和第四次周邊側面110s4。外偵測線520可能沿一第一延伸路徑大致平行於第一次周邊側面110s1、第二次周邊側面110s2、第三次周邊側面110s3和第四次周邊側面110s4延伸。

在本實施例中，至少一個第一偵測組DS51、第二偵測組DS52、第三偵測組DS53、第四偵測組DS54和開關590可能形成於（或完全嵌入於）基板110內，例如基板110的基底111（未示出）和/或介電層112（未示出）。換句話說，至少一個第一偵測組DS51、第二偵測組DS52、第三偵測組DS53、第四偵測組DS54和開關590未從半導體裝置500暴露出來。

如第5圖所示，第一偵測組DS51包括內偵測線530、一第一內連接線570A和一第二內連接線570B。第一內連接線570A連接開關590與內偵測線530的一第一端531。第二內連接線570B連接開關590的開關單元591與內偵測線530的一第二端532。

在本實施例中，第一內連接線570A和/或第二內連接線570B可能包括與內偵測線130或內偵測線230相同或類似的特徵。

如第5圖所示，在第一偵測組DS51中，內偵測線530鄰近第一次周邊側面110s1和第二次周邊側面110s2，在第一偵測組DS51中，內偵測線530可能沿一第一延伸路徑大致平行於第一次周邊側面110s1和第二次周邊側面110s2延伸。

如第5圖所示，第二偵測組DS52包括內偵測線530、一第一內連接線570A和一第二內連接線570B。第一內連接線570A連接開關590與內偵測線530的一第一端531。第二內連接線570B連接開關590的開關單元592與內偵測線530的一第二端532。

如第5圖所示，在第二偵測組DS52中，內偵測線530鄰近第二次周邊側面110s2和第三次周邊側面110s3，在第二偵測組DS52中，內偵測線530可能沿一第一延伸路徑大致平行於第二次周邊側面110s2和第三次周邊側面110s3延伸。

如第5圖所示，第三偵測組DS53包括內偵測線530、一第一內連接線570A和一第二內連接線570B。第一內連接線570A連接開關590與內偵測線530的一第一端531。第二內連接線570B連接開關590的開關單元593與內偵測線530的一第二端532。

如第5圖所示，在第三偵測組DS53中，內偵測線530鄰近第三次周邊側面110s3和第四次周邊側面110s4，在第三偵測組DS53中，內偵測線530可能沿一第一延伸路徑大致平行於第三次周邊側面110s3和第四次周邊側面110s4延伸。

如第5圖所示，第四偵測組DS54包括內偵測線530、一第一內連接線570A和一第二內連接線570B。第一內連接線570A連接開關590與內偵測線530的一第一端531。第二內連接線570B連接開關590的開關單元594與內偵測線530的一第二端532。

如第5圖所示，在第四偵測組DS54中，內偵測線530鄰近第一次周邊側面110s1和第四次周邊側面110s4，在第四偵測組DS54中，內偵測線530可能沿一第一延伸路徑大致平行於第一次周邊側面110s1和第四次周邊側面110s4延伸。

在如第5圖所示的某些實施例中，半導體裝置500可額外包括第五偵測組DS55，其包括外偵測線520、一第一外連接線560A和一第二外連接線560B。第一外連接線560A連接開關590與外偵測線520的一第一端521。第二外連接線560B連接開關590的開關單元595與外偵測線520的一第二端522。

開關590可能控制其中一個開關單元591、592、593、594和595打開以檢測相應的偵測線是否斷裂。

雖然本發明已以目前被認為最實用和首選的實施例描述，但應理解本發明不必限於所揭露的實施例。相反，本發明旨在涵蓋各種修改和類似安排，這些修改和類似安排包含在所附權利要求的精神和範圍內，應賦予最廣泛的解釋，以涵蓋所有這些修改和類似結構。

100:半導體裝置 110:基板 110s:周邊側面 110s1:第一次周邊側面 110s2:第二次周邊側面 110s3:第三次周邊側面 110s4:第四次周邊側面 111:基底 112:介電層 112’:介電層 112”:介電層 120:外偵測線 120A’:外上升段 120D:外下降段 120D’:外下降段 121:第一端 122:第二端 123:外導電軌跡 124:導電通孔 130:內偵測線 130A:內上升段 130A’:內上升段 130D’:內下降段 131:第一端 132:第二端 133:內導電軌跡 134:導電通孔 140A:第一墊片 140B:第二墊片 150A:第三墊片 150B:第四墊片 160A:第一外連接線 160B:第二外連接線 170A:第一內連接線 170B:第二內連接線 1B-1B’:方向 1C-1C’:方向 200:半導體裝置 220:外偵測線 220A:外上升段 220A’:外上升段 220D:外下降段 220D’:外下降段 221:第一端 222:第二端 230:內偵測線 230A:內上升段 230A’:內上升段 230D:內下降段 230D’:內下降段 231:第一端 232:第二端 2B-2B’:方向 2C-2C’:方向 300:半導體裝置 320:外偵測線 330:內偵測線 330A:第一次內偵測線 330B:第二次內偵測線 331:第一端 332:第二端 335A:第一內外連接線 335B:第二內外連接線 370A:第一內連接線 370B:第二內連接線 400:半導體裝置 420:外偵測線 421:第一端 430:內偵測線 431:第二端 435A:第一內外連接線 460A:第一外連接線 470A:第一內連接線 490:開關 491:開關單元 492:開關單元 493:開關單元 494:開關單元 500:半導體裝置 520:外偵測線 521:第一端 522:第二端 530:內偵測線 531:第一端 532:第二端 560A:第一外連接線 560B:第二外連接線 570A:第一內連接線 570B:第二內連接線 590:開關 591:開關單元 592:開關單元 593:開關單元 594:開關單元 595:開關單元 BA:空白區域 DS31:第一偵測組 DS32:第二偵測組 DS41:第一偵測組 DS42:第二偵測組 DS43:第三偵測組 DS44:第四偵測組 DS51:第一偵測組 DS52:第二偵測組 DS53:第三偵測組 DS54:第四偵測組 DS55:第五偵測組 L1:參考線 L2:參考線 X:方向 Y:方向 Z:方向

本發明的上述目的和優點將對那些通常具有技術技能的人在審查以下詳細描述和附圖後變得更加容易理解，其中：第1A圖描繪了根據本發明一個實施例的半導體裝置的頂視圖的示意圖；第1B圖描繪了沿著方向1B-1B’的第1A圖中的半導體裝置100的橫截面視圖；第1C圖描繪了沿著方向1C-1C’的第1A圖中的半導體裝置的橫截面視圖；第2A圖描繪了根據本發明另一個實施例的半導體裝置的頂視圖的示意圖；第2B圖描繪了沿著方向2B-2B’的第2A圖中的半導體裝置的橫截面視圖；第2C圖描繪了沿著方向2C-2C’的第2A圖中的半導體裝置的橫截面視圖；第3圖描繪了根據本發明另一個實施例的半導體裝置的頂視圖的示意圖；第4圖描繪了根據本發明另一個實施例的半導體裝置的頂視圖的示意圖；以及第5圖描繪了根據本發明另一個實施例的半導體裝置的頂視圖的示意圖。

100:半導體裝置

110:基板

110s:周邊側面

110s1:第一次周邊側面

110s2:第二次周邊側面

110s3:第三次周邊側面

110s4:第四次周邊側面

120:外偵測線

121:第一端

122:第二端

130:內偵測線

131:第一端

132:第二端

140A:第一墊片

140B:第二墊片

150A:第三墊片

150B:第四墊片

160A:第一外連接線

160B:第二外連接線

170A:第一內連接線

170B:第二內連接線

1B-1B’:方向

1C-1C’:方向

L1:參考線

L2:參考線

X:方向

Y:方向

Z:方向

Claims

一種半導體裝置，包括：一基板具有一周邊側面；一外偵測線設置於該基板上並鄰接該周邊側面；以及一內偵測線設置於該基板上，鄰接該周邊側面，並與該外偵測線隔離；其中，該外偵測線比該內偵測線更靠近該周邊側面。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該外偵測線沿一第一延伸路徑大致平行於該周邊側面延伸。
如請求項1所述的半導體裝置，進一步包括：一第一墊片設置於並暴露自該基板；一第一外連接線連接該第一墊片與該外偵測線的一第一端；一第二墊片設置於並暴露自該基板；以及一第二外連接線連接該第二墊片與該外偵測線的一第二端。
如請求項3所述的半導體裝置，其中該周邊側面具有一第一次周邊側面、一第二次周邊側面、一第三次周邊側面與第一次周邊側面相對以及一第四次周邊側面與第二次周邊側面相對；該第一外連接線與該第二外連接線沿一第二延伸路徑大致垂直於該第二次周邊側面延伸。
如請求項1所述的半導體裝置，進一步包括：一第三墊片設置於並暴露自該基板；一第一內連接線連接該第三墊片與該內偵測線的一第一端；一第四墊片設置於並暴露自該基板；以及一第二內連接線連接該第四墊片與該內偵測線的一第二端。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該基板包括：複數個介電層相互堆疊；其中，該外偵測線包括複數個導電軌跡和複數個導電通孔，每個導電軌跡設置於對應介電層上，並且導電通孔中的一個連接相鄰的兩個導電軌跡。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該外偵測線包括一外上升段和一外下降段與外上升段連接，並且該內偵測線包括一內上升段和一內下降段與內上升段連接；其中，該外上升段對應於該內下降段，並且該外下降段對應於該內上升段。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該外偵測線包括一外上升段和一外下降段與外上升段連接，並且該內偵測線包括一內上升段和一內下降段與內上升段連接；其中，該外上升段對應於該內上升段，並且該外下降段對應於該內下降段。
如請求項1所述的半導體裝置，進一步包括：一第一偵測組和一第二偵測組，其中每個第一偵測組和第二偵測組包括該外偵測線和該內偵測線；其中，該周邊側面具有一第一次周邊側面、一第二次周邊側面、一第三次周邊側面與第一次周邊側面相對以及一第四次周邊側面與第二次周邊側面相對；第一偵測組鄰接於第一次周邊側面、第二次周邊側面和第四次周邊側面延伸，並且第二偵測組鄰接於第二次周邊側面、第三次周邊側面和第四次周邊側面延伸。
如請求項9所述的半導體裝置，其中每個第一偵測組和第二偵測組包括：該外偵測線；該內偵測線包括一第一次內偵測線和一第二次內偵測線；一第一內連接線連接於第一次內偵測線的一第一端和內偵測線；一第二內連接線連接於第二次內偵測線的一第二端和內偵測線；一第一內外連接線連接外偵測線與第一次內偵測線和內偵測線；以及一第二內外連接線連接外偵測線與第二次內偵測線和內偵測線。
如請求項1所述的半導體裝置，進一步包括：一第一偵測組、一第二偵測組、一第三偵測組和一第四偵測組，其中每個第一偵測組、第二偵測組、第三偵測組和第四偵測組包括該外偵測線和該內偵測線；其中，該周邊側面具有一第一次周邊側面、一第二次周邊側面、一第三次周邊側面與第一次周邊側面相對以及一第四次周邊側面與第二次周邊側面相對；第一偵測組鄰接於第一次周邊側面和第二次周邊側面延伸，第二偵測組鄰接於第二次周邊側面和第三次周邊側面延伸，第三偵測組鄰接於第三次周邊側面和第四次周邊側面延伸，並且第四偵測組鄰接於第四次周邊側面和第一次周邊側面延伸。
如請求項11所述的半導體裝置，更包括：一開關設置於基板上並與第一檢測組、第二檢測組、第三檢測組及第四檢測組電連接。
如請求項11所述的半導體裝置，其中第一檢測組、第二檢測組、第三檢測組及第四檢測組完全嵌入於基板中。
如請求項11所述的半導體裝置，其中每一個第一檢測組、第二檢測組、第三檢測組及第四檢測組包括：外部檢測線；內部檢測線；一第一外部連接線連接外部檢測線的第一端；一第一內部連接線連接內部檢測線的第二端；及一第一內外連接線連接外部檢測線與內部檢測線。
如請求項12所述的半導體裝置，其中每一個第一檢測組、第二檢測組、第三檢測組及第四檢測組包括：外部檢測線；內部檢測線；一第一外部連接線連接開關與外部檢測線的第一端；一第一內部連接線連接開關的開關單元與內部檢測線的第二端；及一第一內外連接線連接外部檢測線與內部檢測線。
如請求項1所述的半導體裝置，更包括：一外部檢測線；及一第一檢測組、一第二檢測組、一第三檢測組及一第四檢測組，其中每一個第一檢測組、第二檢測組、第三檢測組及第四檢測組包括內部檢測線；其中周邊側面有一第一次周邊側面、一第二次周邊側面、一第三次周邊側面與第一次周邊側面相對，及一第四次周邊側面與第二次周邊側面相對；外部檢測線鄰近第一次周邊側面、第二次周邊側面、第三次周邊側面及第四次周邊側面延伸；第一檢測組鄰近第一次周邊側面及第二次周邊側面延伸，第二檢測組鄰近第二次周邊側面及第三次周邊側面延伸，第三檢測組鄰近第三次周邊側面及第四次周邊側面延伸，及第四檢測組鄰近第四次周邊側面及第一次周邊側面延伸。
如請求項16所述的半導體裝置，更包括：一開關設置於基板上並與第一檢測組、第二檢測組、第三檢測組及第四檢測組電連接。
如請求項16所述的半導體裝置，其中第一檢測組、第二檢測組、第三檢測組及第四檢測組完全嵌入於基板中。