TW202534865A - 基板保持裝置、基板處理裝置以及基板保持方法 - Google Patents

Abstract

本發明的課題在於基板保持裝置及使用該基板保持裝置的基板處理裝置中防止產生來自吸附墊的粉塵及吸附墊的磨損，該基板保持裝置係在將基板相對於載置台定位於預定位置的狀態下藉由吸附墊將該基板吸附保持於載置台。本發明為一種基板保持裝置，係具備：載置台，係具備供基板載置的載置面；升降部，係使從下方支撐基板的複數個支撐銷下降，藉此將基板載置於載置面；吸附部，係藉由吸附墊從下方吸附並保持載置於載置面的基板的周緣部；定位部，係於較吸附墊更向上方分離的定位位置中抵接於藉由複數個支撐銷所支撐的基板的端面而將基板定位；以及控制部，係控制升降部、吸附部及定位部。將藉由定位部所定位的基板藉由升降部載置於載置面並藉由吸附部吸附保持。

Description

基板保持裝置、基板處理裝置以及基板保持方法

本發明係關於一種基板保持技術及基板處理技術，該基板保持技術係用以將液晶顯示裝置及有機EL(Electroluminescence；電致發光)顯示裝置等FPD(flat panel display；平面顯示器)用玻璃基板、半導體晶圓、光罩用玻璃基板、濾色器用基板、記錄碟用基板、太陽能電池用基板、電子紙用基板等精密電子裝置用基板、半導體封裝用基板(以下簡稱為「基板」)保持於載置台上，該基板處理技術係用以從狹縫噴嘴(slit nozzle)對保持於載置台的基板供給並塗布處理液。 本申請案係參照2024年2月21日所申請的日本專利申請案JP2024-24277的說明書、圖式以及申請專利範圍中的揭示內容將全部的揭示內容援用於本申請案。

作為基板處理裝置的一例，已知有一種塗布裝置，係一邊將具有狹縫狀噴出口的狹縫噴嘴相對於基板相對地移動一邊從狹縫噴嘴噴出處理液，藉此對基板塗布處理液。例如，專利文獻1所記載的裝置中，在於台(stage)的台面(相當於本發明的「載置面」的一例)保持基板的狀態下，於該台面的上方將狹縫噴嘴移動並對基板塗布處理液。該裝置中，於台的表面附近配設有：吸附盤(相當於本發明的「吸附墊」的一例)，係吸附保持基板的角部的下表面。吸附盤係連接於真空泵或排氣風扇等排氣單元。因此，從吸附盤進行排氣，藉此藉由吸附盤吸附保持基板的角部的下表面。然後，對藉由吸附盤吸附保持的基板塗布從狹縫噴嘴噴出的處理液。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2013-192980號公報。 [專利文獻2]日本特開2017-112197號公報。

[發明所欲解決之課題] 然而，預先設定台面上的基板的載置位置，若基板從上述載置位置偏離，則無法良好地塗布處理液。因此，提出於上述基板處理裝置組裝：定位部及／或位置調整機構等，係於藉由吸附盤吸附保持基板前進行基板的位置調整。作為定位部等，能應用例如專利文獻2所記載的發明。該位置調整機構係具有複數個對準銷(alignment pin)。這些對準銷係以圍繞藉由吸附盤從下方所支撐的基板的方式設置。各對準銷係以能夠朝向基板水平移動的方式設置。然後，複數個對準銷係朝向基板移動並於抵接於基板的周緣時使基板定位至預先設定的位置(對齊處理)。

若如此單純地結合專利文獻1、2所記載的發明，則產生下述問題。亦即，於上述定位處理中，各吸附盤係接觸於基板。因此，基板係一邊藉由對準銷與吸附盤摩擦一邊水平移動。因此種水平移動導致產生來自吸附盤的粉塵及吸附盤的磨損，並造成基板處理的品質下降。

本發明係鑒於上述課題而研創，本發明的目的在於基板保持裝置及使用該基板保持裝置的基板處理裝置中防止產生來自吸附墊的粉塵及吸附墊的磨損，該基板保持裝置係在將基板相對於載置台定位於預定位置的狀態下藉由吸附墊將該基板吸附保持於載置台。

[用以解決課題之手段] 本發明的第一態樣為一種基板保持裝置，係具備：載置台，係具備供基板載置的載置面；升降部，係使從下方支撐基板的複數個支撐銷下降，藉此將基板載置於載置面；吸附部，係藉由吸附墊從下方吸附並保持載置於載置面的基板的周緣部；定位部，係於較吸附墊更向上方分離的定位位置中抵接於藉由複數個支撐銷所支撐的基板的端面而將基板定位；以及控制部，係以下述方式控制升降部、吸附部及定位部：將藉由定位部所定位的基板藉由升降部載置於載置面並藉由吸附部吸附保持。

此外，本發明的第二態樣為一種基板處理裝置，係具備：上述基板保持裝置；以及狹縫噴嘴，係相對於載置於載置面並藉由吸附墊吸附保持於載置面的基板於水平方向相對地移動，藉此將處理液塗布於基板的表面。

此外，本發明的第三態樣為一種基板保持方法，係具備：第一步驟，係於載置台的載置面上藉由吸附部的吸附墊吸附並保持基板；第二步驟，係於第一步驟前，一邊於較載置面及吸附墊更靠上方處藉由複數個支撐銷從下方支撐基板一邊使定位構件抵接於基板的端面從而將基板定位；以及第三步驟，係於第二步驟後使複數個支撐銷下降，藉此將基板載置於載置面。

如此構成的發明中，在於定位位置中藉由複數個支撐銷從下方支撐基板的狀態下，定位構件係抵接於該基板的端面，該定位位置係較吸附墊更向上方分離的位置。藉此，使基板於水平方向中定位。於此定位處理中，使基板以不抵接於吸附墊的姿勢於水平方向移動。然後，受到定位處理的基板係藉由升降部載置於載置面並藉由吸附部吸附保持。

[發明功效] 如上所述，根據本發明，能一邊防止產生來自吸附墊的粉塵及吸附墊的磨損，一邊在將基板相對於載置台定位於預定位置的狀態下，藉由吸附墊將該基板吸附保持於載置台。 上文所說明的本發明的各個態樣所具有的複數個構成要素並非全部都是必要的，為了解決上文所說明的課題的一部分或者全部，或者為了達成本說明書所記載的功效的一部分或者全部，針對上文所說明的複數個構成要素的一部分的構成要素能夠適當地進行變更、刪除、與新的其他的構成要素置換、刪除一部分的限定內容。此外，為了解決上文所說明的課題的一部分或者全部，或者為了達成本說明書所記載的功效的一部分或者全部，亦能夠將上文所說明的本發明的一個態樣所包含的技術特徵的一部分或者全部與上文所說明的本發明的其他的態樣所包含的技術特徵的一部分或者全部組合從而作為本發明的獨立的一個形態。

圖1係示意性地顯示本發明的基板處理裝置的一實施形態的塗布裝置的整體構成之圖。其中，圖1及以後的各圖中，為了明確方向關係，適當地附加將Z方向設為鉛直方向並將XY平面設為水平面之XYZ正交座標系統，且依照需求誇大地或簡單地描繪各部的尺寸及數量。

基板處理裝置100係裝備本發明的「基板保持裝置」的一例之基板保持機構200。藉由控制部10控制基板處理裝置100的各部。藉此，在藉由基板保持機構200保持基板S的狀態下使狹縫噴嘴1相對於基板S於X方向相對地移動，藉此使處理液塗布於基板S的表面Sa。亦即，基板處理裝置100為稱為狹縫塗布器(slit coater)的裝置。作為處理液，能夠使用膏(paste)狀或漿(slurry)狀的各種處理液，包含例如光阻劑液、濾色器用顏料、聚亞醯胺前驅物、聚矽氧劑、奈米金屬油墨或導電材料。基板S為於俯視下具有矩形狀的玻璃基板。此外，針對成為塗布對象的基板S，亦能夠應用於各種基板，如矩形玻璃基板、半導體基板、膜液晶用可撓性基板、光罩用基板、濾色器用基板、太陽電池用基板、有機EL用基板、半導體封裝用基板等。此外，本說明書中，「基板S的表面Sa」係意味著基板S的兩個主表面中塗布處理液的一側的主表面。

基板處理裝置100中，於基台2上配置有屬於基板保持機構200中的一個構成要素之台3。將基板S載置於該台3的上表面(以下稱為「載置面31」)並吸附保持。此外，針對基板保持機構200的構成及動作，將於下文詳細描述。

於台3的上方配置有狹縫噴嘴1。狹縫噴嘴1係具有於Y方向延伸的狹縫狀的噴出口，且能夠從噴出口朝向保持於台3的基板S的表面Sa噴出處理液。基板處理裝置100中設有：噴嘴移動部4，係使狹縫噴嘴1於台3的上方中於X方向往返移動。噴嘴移動部4係具有：橋構造的噴嘴支撐體41，係於Y方向橫跨台3的上方且支撐狹縫噴嘴1；以及噴嘴驅動機構42，係使噴嘴支撐體41於X方向水平移動。

噴嘴支撐體41係具有：固定構件41a，係固定有狹縫噴嘴1；以及兩個升降部41b，係支撐固定構件41a並使固定構件41a升降。固定構件41a為將Y方向設為長度方向的剖面矩形之桿狀構件，且由碳纖維強化樹脂等所構成。兩個升降部41b係連結於固定構件41a的長度方向的兩端部，且分別具有AC(alternating current；交流)伺服馬達(servo motor)及滾珠螺桿(ball screw)等。藉由這些升降部41b，使固定構件41a與狹縫噴嘴1一體地於鉛直方向(Z方向)升降並調整狹縫噴嘴1的噴出口與基板S之間的間隔亦即調整噴出口相對於基板S的上表面的相對高度。

噴嘴驅動機構42係具備：兩條導軌43，係將狹縫噴嘴1的移動向X方向引導；屬於驅動源之兩個線性馬達44；以及兩個線性編碼器45，係用以檢測狹縫噴嘴1的噴出口的位置。兩條導軌43係以從Y方向夾著台3的方式配置於基台2的Y方向的兩端，並以包含台3的方式於X方向延伸設置。然後，兩個升降部41b的下端部分別沿著兩條導軌43引導，藉此使狹縫噴嘴1於保持於台3上的基板S的上方於X方向移動。

兩個線性馬達44分別為AC無芯線性馬達(alternating current  coreless linear motor)，且具有定子44a及動子44b。定子44a係沿著X方向設於基台2的Y方向的兩個側面。另一方面，動子44b係固設於升降部41b的外側。線性馬達44係藉由於這些定子44a與動子44b之間產生的磁力作為噴嘴驅動機構42的驅動源而發揮功能。

此外，兩個線性編碼器45係分別具有刻度尺(scale)部45a及檢測部45b。刻度尺部45a係沿著X方向設於線性馬達44的定子44a的下部，該線性馬達44的定子44a係固設於基台2。另一方面，檢測部45b係固設於線性馬達44的動子44b的更外側，且與刻度尺部45a對向地配置，該線性馬達44的動子44b係固設於升降部41b。線性編碼器45係根據刻度尺部45a與檢測部45b之間的相對位置關係檢測X方向中的狹縫噴嘴1的噴出口的位置。亦即，本實施形態中，一邊藉由升降部41b於Z方向調整狹縫噴嘴1與基板S之間的間隔，一邊藉由噴嘴驅動機構42使狹縫噴嘴1相對於基板S於X方向相對地移動。然後，於此種相對地移動中從狹縫噴嘴1噴出處理液，藉此使處理液供給至基板S的上表面(處理液的塗布處理)。

圖2係從上方觀看基板保持機構的主要部分之俯視圖。此外，圖3係示意性地顯示基板保持機構的構成之圖。參照這些圖式說明基板保持機構200的構成及動作。

基板保持機構200中，台3係相當於本發明的「載置台」的一例。使用石平台(stone surface plate)等作為台3，該石平台係將載置面31的平面度設為數微米左右。載置面31的中央部係作為基板載置區域311而發揮功能，該基板載置區域311係能夠載置基板S。基板載置區域311係具有：中央部，係與基板S的有效區域對應地設有格子狀的吸附槽312；以及周緣部，係以圍繞吸附槽312的方式配置有複數個吸附墊71。

此處，基板S的有效區域係意味著於基板S的上表面中央部設有複數個元件的區域。於例如為半導體封裝時，矩形狀的玻璃基板係相當於基板S，積層於玻璃基板的上表面中央部而配置的複數個半導體晶片及半導體晶片之間的配線等係相當於複數個元件。於將基板S載置於基板載置區域311時，有效區域係位於基板載置區域311的中央部的上方。於基板載置區域311的中央部格子狀地刻設有如圖2所示的吸附槽312，吸附槽312係用以於載置面31牢固地吸附保持基板S的有效區域。亦即，從載置面31以一定的深度於X方向及Y方向延伸設置有槽，並於槽交叉的地點的一些地點中於Z方向貫穿設置有貫通孔313，該貫通孔313係從該交叉的地點相連至台3的下表面32。

如圖3所示，各貫通孔313係連接於負壓產生部5。負壓產生部5係具有吸附配管51、吸附源52及開閉閥53。更詳細而言，藉由吸附配管51將吸附源52連接於開閉閥53。作為吸附源52，例如亦可使用真空泵，亦可使用設置有基板處理裝置100的工廠的能源用度。於吸附配管51夾設有開閉閥53。依照來自控制部10的關閉指令關閉開閉閥53，藉此停止向貫通孔313供給負壓。另一方面，依照來自控制部10的打開指令打開開閉閥53，藉此向貫通孔313供給負壓。亦即，如下文所說明，於將基板S載置於基板載置區域311後依照來自控制部10的打開指令打開開閉閥53時，向貫通孔313供給負壓。藉此，從由基板S的有效區域的下表面與載置面31所夾著的空間經由吸附槽312及貫通孔313排出空氣並使基板S吸附保持於載置面31。

如此，藉由負壓產生部5吸附保持有基板S的有效區域，然而有效區域的外側區域亦即非有效區域係位於基板載置區域311的周緣部的上方。因此，若於非有效區域產生翹曲，則使空氣從翹曲部分流入至排氣對象空間(有效區域與台3之間)導致吸附力降低。因此，本實施形態中，於基板載置區域311的周緣部中，於載置面31以圍繞格子狀的吸附槽312的方式設有複數個凹部，並於各凹部配置有吸附墊71。如圖3所示，吸附墊71係具有：吸附上端部，係設有吸附口711，該吸附口711係吸附基板S的下表面；以及吸附下端部，係埋設於凹部。該吸附下端部係與吸附槽312相同地連接於負壓產生部5。因此，依照來自控制部10的關閉指令關閉開閉閥53，藉此停止向吸附墊71供給負壓。此時，吸附墊71的吸附上端部係較載置面31更向上方突出1mm左右，從而能夠於非吸附狀態下從下方支撐基板S的周緣部。此時的吸附口711的高度位置(下文說明的圖6B中的元件符號H3)係相當於本發明的「墊抵接位置」的一例。另一方面，依照來自控制部10的打開指令打開開閉閥53，藉此向吸附墊71供給負壓並開始吸附基板S。

吸附墊71係具有所謂的蛇腹構造，且於鉛直方向Z伸縮自如。因此，於吸附墊71的吸附口711係抵接於基板S的下表面並成為所謂的抵接狀態後，與下述說明的升降部6所為的基板S的下降連動地，吸附墊71的吸附上端部係於抵接於基板S的狀態下後退至凹部，並於完成將基板S載置於載置面31的時間點對凹部埋設自如。如上所述，本實施形態中，由複數個吸附墊71構成吸附部7，且從下方吸附並保持基板S的周緣部。

此外，本實施形態中，藉由開閉閥53的開閉同時切換吸附槽312及吸附墊71所為的吸附基板及停止吸附基板；然而，亦可設置吸附槽專用的開閉閥及吸附墊專用的開閉閥並以獨立地切換這些開閉閥的方式構成。

升降部6係具有複數個升降銷61及升降銷驅動部62。於台3設有複數個銷容納孔315並於各銷容納孔315容納有升降銷61，該銷容納孔315係與Z方向平行地延伸設置且於載置面31呈開口。本實施形態中，設置四個銷容納孔315並以藉由四條升降銷61使基板S升降的方式構成，升降銷61的數量並不限於「四條」，亦可依照基板S的平面大小及重量等適當地變更。

各升降銷61係例如將樹脂材料製的前端蓋裝卸自如地裝設於不鏽鋼等金屬製升降銷本體的前端而得，整體而言，具有與Z方向平行地延伸設置的銷形狀。作為構成前端蓋的樹脂材料，能使用例如PEEK (polyetheretherketone；聚醚醚酮)、UPE(ultra high molecular weight polyethylene；超高分子量聚乙烯)等。此外，各升降銷61的前端部亦即前端蓋係如下文所說明接觸於基板S的下表面，隨著接觸次數增大而磨損。因此，於磨損進展後由作業員定期更換前端蓋。

於控制裝置整體的控制部10係對升降銷驅動部62給予升降指令時，使升降銷61升降。藉此，升降銷61相對於銷容納孔315進退。如圖3所示，使升降銷61上升直至升降銷61的前端達到高度位置(圖3中的元件符號H1)為止，藉此能夠與省略圖示的機器人之間授受基板S。亦即，該高度位置係相當於基板S的傳遞位置H1的一例。例如，於機器人將基板S搬送至台3的上方時，藉由升降銷驅動部62的驅動所上升的複數個升降銷61從銷容納孔315向載置面31的上方突出並使各升降銷61的上端點接觸於基板S的下表面而接取基板S。接著，藉由升降銷驅動部62的驅動使複數個升降銷61下降並收容於銷容納孔315內，藉此使基板S從複數個升降銷61的上端載置於基板載置區域311。此外，從基板載置區域311舉起基板S時，藉由升降銷驅動部62的驅動使複數個升降銷61上升並從銷容納孔315向載置面31的上方突出。

此外，本實施形態中，在鉛直方向Z處於傳遞位置(圖3及圖6A中的元件符號H1)與墊抵接位置(圖6B中的元件符號H3)的中間設定有定位位置(圖6B中的元件符號H2)。設置該定位位置的理由係由於一邊避免與吸附墊71 滑動接觸一邊將從機器人接取到的塗布處理前的基板S藉由定位部8於水平方向定位(位置調整處理)的緣故。此外，本實施形態中設有：按壓部9，係用以於與位置調整處理同時或者於位置調整處理之前或之後執行翹曲矯正處理，該翹曲矯正處理係矯正基板S的翹曲。

本實施形態中，作為這些定位部8及按壓部9，採用與專利文獻2所記載的位置調整機構及按壓機構相同的構成。因此，以下省略定位部8及按壓部9的詳細的構成說明，且參照圖2及圖3說明定位部8及按壓部9的概要構成。

定位部8係具有於載置面31的各邊各配置有兩個之總共八個位置調整單元81。各位置調整單元81係具有：銷形狀的對準銷82，係於與Z方向平行地延伸設置。亦即，相對於台3的各側面，兩個對準銷82係於水平方向中相互分離地配置。對準銷82係能夠於較載置面31更靠上方側處於台3的上方空間與從該上方空間往台外側離開的分離空間之間水平移動自如地配置。更詳細而言，如圖3所示，對準銷82的下端係位於較載置面31更高且較墊抵接位置(圖6B中的元件符號H3)更低的位置。另一方面，對準銷82的上端係位於較定位位置(圖6B中的元件符號H2)更高且較傳遞位置(圖3及圖6A中的元件符號H1)更低的位置。因此，於基板S定位於定位位置的狀態下，對準銷82係於水平方向中與該基板S的端面Se對向。

於如此構成的對準銷82中，連接有對準銷驅動部83。然後，於依照來自控制部10的定位指令使對準銷驅動部83作動時，使位於退避位置的對準銷82朝向定位位置的基板S水平移動，並抵接於基板S的端面Se。藉此，使基板S於水平方向中定位於預定位置(亦稱為位置調整處理或對齊處理)。於該位置調整處理後，於從控制部10對對準銷驅動部83給予退避指令時，使對準銷82從基板S離開並返回至退避位置。

按壓部9係具有於載置面31的各邊各配置有一個之總共四個按壓單元91，各按壓單元91係具有：按壓構件92，係沿著載置面31中的對應的邊延伸設置。各按壓構件92係於待機位置、暫時矯正位置及正式矯正位置之間移動自如地設置。待機位置係意味著搬入及搬出基板S時的按壓構件92之位置、待機搬入基板S時的按壓構件92之位置及塗布處理時的按壓構件92之位置，於按壓構件92係如圖3所示位於從基板載置區域311往外側離開的待機位置的期間，不與搬入及搬出的基板S干擾，從而能夠順暢地進行基板S的搬入及搬出。此外，於塗布處理時，從基板S離開且不與狹縫噴嘴1干擾從而能順暢地進行塗布處理。

暫時矯正位置係意味著從上方按壓位於定位位置的基板S的周緣部之位置(參照將下文說明的圖6B至圖6C)。亦即，於該暫時矯正位置中，按壓構件92的下表面係從上方包覆基板S的周緣部且於鉛直方向Z中位於定位位置(圖6B中的元件符號H2)。藉此，位於定位位置的基板S的周緣部呈往上方翹曲的形狀；亦即，即使基板S凹狀地翹曲，亦於暫時矯正位置中由按壓構件92從上方壓住基板S的周緣部來矯正基板S的翹曲(暫時矯正處理)。藉此，假設即使於搬入基板S時基板S的周緣部往上方翹曲，基板S亦於定位位置中接受暫時矯正處理，並將基板S的端面Se以與對準銷82的側面對向的姿勢支撐於複數個升降銷61。因此，能穩定地進行定位處理。

此外，於進行定位處理時，對準銷82及按壓構件92係分別抵接於基板S。因此，本實施形態中，如圖2所示，抵接區域與按壓區域係以於基板S的周向中相互不同的方式構成，該抵接區域為使對準銷82抵接於基板S的端面Se之區域，該按壓區域為使按壓構件92按壓基板S的周緣部之區域。結果，能於定位位置處順暢地進行暫時矯正處理及定位處理。

正式矯正位置係意味著由按壓構件92從上方朝向載置面31按壓載置於載置面31的基板S的周緣部之位置(參照下文說明的圖6E)。亦即，於該正式矯正位置中，由按壓構件92的下表面與載置面31夾住基板S的周緣部來矯正基板S的翹曲(正式矯正處理)。

各按壓構件92係連接於按壓驅動部93。然後，依照來自控制部10的指令使按壓驅動部93作動，藉此使按壓構件92從待機位置經由暫時矯正位置及正式矯正位置返回至待機位置。包含這些一系列的按壓移動動作的基板保持動作係遵循預先記憶的程式使控制部10以下述說明的方式控制基板保持機構200的各部，藉此針對每個基板S而執行。

圖4係顯示圖1的基板處理裝置中的基板保持處理的一例之流程圖。圖5係顯示圖2的基板保持機構所為的基板的暫時矯正的程序之流程圖。圖6A、圖6C至圖6E係顯示圖4的流程圖所執行的動作之動作說明圖，圖6B係顯示圖5的流程圖所執行的動作之動作說明圖。

步驟S101中，與載置面31的四邊分別對應地設置的按壓構件92係移動至待機位置並待機。亦即，如圖6A所示，按壓構件92係移動至非干擾位置並待機，該非干擾位置為較傳遞位置H1更高且較藉由省略圖示的機器人所搬送的基板S更外側之位置。然後，接下來的步驟S102中，如圖6A所示，各對準銷82係位於分離空間。此外，升降銷61的上端係收容於銷容納孔315內。於機器人向載置面31的上方搬送基板S時，如圖6A中的箭頭M1所示，各升降銷61係從銷容納孔315上升，並使各升降銷61的上端於傳遞位置H1點接觸於基板S(步驟S103)，各升降銷61係從機器人接取基板S(步驟S104)。

然後，如圖6B中的箭頭M2所示，使升降銷61下降直至升降銷61的上端位於定位位置H2為止。藉此，於藉由升降銷61從下方支撐基板S的下表面的狀態下，基板S係移動至定位位置H2(步驟S105)。亦即，基板S的中央部係於鉛直方向Z中與定位位置H2大致一致。另一方面，基板S的周緣部未必與定位位置H2一致。也就是說，例如若所搬入的基板S的周緣部往上方翹曲，則基板S的端面Se係有時於鉛直方向Z中較定位位置H2更高。而且，距定位位置H2的距離係與基板S的翹曲程度成比例。其中，例如，若基板S的翹曲量變大，則基板S的端面Se係有可能高於對準銷82的上端。在此情況下，若使對準銷82向基板S側水平移動，則對準銷82不抵接於基板S的端面Se而是直接抵接於基板S的下表面。因此，水平方向中的基板S的定位精度大幅降低。

因此，本實施形態中，執行圖5所示的基板S的暫時矯正處理(步驟S106)。亦即，四個按壓構件92係如圖6B中的箭頭M3所示水平移動至進入位置並位於與基板S對應的邊的正上方(步驟S201)。接著，如圖6B中的箭頭M4所示，使各按壓構件92下降至定位位置H2(步驟S202)。此時，若基板S的周緣部往上方翹曲，則下降至定位位置H2的按壓構件92係向下方按壓產生翹曲的基板S的周緣部，藉此以某種程度矯正基板S的翹曲。結果，基板S的周緣的高度係大致成為定位位置H2，且低於對準銷82的上端。結果，對準銷82的側面係在水平方向中與基板S的端面Se對向。

於完成暫時矯正基板S後，如圖6C中的箭頭M5所示，複數個對準銷82係朝向定位位置H2的基板S水平移動，並於水平方向中將基板S定位於預定位置(步驟S107：定位處理)。然後，於定位處理後，如圖6C中的箭頭M6所示，對準銷82係從基板S離開並返回至原始的退避位置。如上所述，本實施形態中，於將基板S從吸附墊71往上方分離的狀態下進行基板S的定位處理。結果，能一邊有效地防止產生來自吸附墊71的粉塵及吸附墊71的磨損，一邊於水平方向中使基板S相對於載置面31定位於預定位置。

接著，如圖6D中的箭頭M7所示，再次開始升降銷61下降(步驟S108)。藉此，使基板S藉由升降銷61支撐並朝向台3下降。亦使按壓構件92與此同步地朝向台3下降(步驟S109)。亦即，若下降中的基板S接受步驟S106所為的暫時矯正處理，則在接受暫時矯正處理的狀態下使基板S下降。

此外，於基板S下降中，基板S的周緣部係抵接於吸附墊71的吸附口711(參照圖6D)。進一步地使升降銷61下降從而使升降銷61的上端收容於銷容納孔315內並使吸附墊71的吸附上端部後退至凹部。藉此，使基板S從各升降銷61的上端載置於載置面31(步驟S110)。此外，按壓構件92係將基板S的周緣部按壓至載置面31，藉此以按照載置面31的形狀的方式矯正基板S的形狀。如上所述，本實施形態中，一邊執行正式矯正處理一邊將基板S載置於載置面31。然後，吸附源52係從通氣孔抽吸空氣，藉此將基板S吸附於載置面31(步驟S111)。藉此，使基板S固定於載置面31。接著，按壓構件92係返回至原始的待機位置。藉此，完成基板保持處理。之後，執行狹縫噴嘴1所為的塗布處理。

如上所說明，本實施形態中，在於較吸附墊71更向上方分離的定位位置H2中藉由複數個升降銷61從下方支撐基板S的狀態下，對準銷82係抵接於基板S的端面Se。藉此，於水平方向使基板S相對於載置面31對齊於預定位置。該定位處理(對齊處理)中，使基板S從吸附墊71分離並於非抵接狀態下於水平方向移動。然後，於定位後，使基板S載置於載置面31並藉由吸附墊71吸附保持。因此，能一邊防止產生來自吸附墊71的粉塵及吸附墊71的磨損，一邊在將基板S相對於載置面31定位於預定位置的狀態下，藉由吸附墊71將基板S吸附保持於載置台。

此外，於進行對準銷82所為的定位處理前，於定位位置H2進行按壓部9所為的暫時矯正處理。因此，即使搬入有周緣部往上方翹曲的基板S，亦於鉛直方向Z中使基板S的周緣部矯正為與定位位置H2大致相同的高度，從而能確實地使對準銷82抵接於基板S的端面Se。而且，本實施形態中，在藉由按壓構件92從上方按壓基板S的周緣部並進行暫時矯正的情況下進行對準銷82所為的定位處理(對齊處理)。因此，能精度佳地進行對準銷82所為的定位處理。

此外，本實施形態中，與於基板S的定位後對準銷82從基板S的端面Se分離並使升降銷61下降從而將基板S載置於載置面31並行地，藉由載置面31與按壓構件92夾住載置於載置面31的基板S的周緣部並矯正基板S的周緣部(正式矯正處理)。然後，由於對正式矯正處理後的基板S塗布處理液，因此能良好地將處理液塗布於基板S的表面Sa。

如上所說明，上述實施形態中，升降銷61係相當於本發明的「支撐銷」的一例，對準銷82係相當於本發明的「定位構件」的一例。

此外，本發明並不限於上述實施形態，只要未逸離本發明的主旨，則除了上述之外還能夠進行各種變更。例如，上述實施形態中，基板S的下降速度係任意，然而亦可以墊抵接位置H3為基準變更下降速度。更具體而言，於將從定位位置H2下降至墊抵接位置H3時的速度及從墊抵接位置H3下降至載置面31時的速度分別設為「第一下降速度」及「第二下降速度」時，亦可將第二下降速度設定為較第一下降速度更低速。此種設定係為了使吸附墊71的收縮無延遲地追隨升降銷61的下降所為的基板下降。

此外，上述實施形態中，於將基板S載置於載置面31後開始吸附保持，然而開始吸附的時序(timing)並不限於此，例如亦可於使基板S下降至墊抵接位置H3的時序開始吸附保持。

此外，上述實施形態中，使用對準銷82作為本發明的「定位構件」，然而「定位構件」的形狀並不限於此，例如亦可使用具有柱狀的塊體作為「定位構件」的一例。 以上，根據特定的實施例說明了發明，但本說明並不意圖以限定性含義進行解釋。參照發明的說明，與本發明的其他實施形態同樣地，所揭示之實施形態的各種變形例對於精通該技術的人將變得顯而易見。因此，認為於不脫離發明的真實範圍的範圍內，隨附的申請專利範圍係包含該變形例以及實施形態。

[產業可利用性] 本發明係能應用於基板保持裝置及基板保持方法，係用以將基板保持於載置台，且本發明係能應用於基板處理裝置，係用以對保持於載置台的基板從狹縫噴嘴供給並塗布處理液。

1:狹縫噴嘴 2:基台 3:台(載置台) 4:噴嘴移動部 5:負壓產生部 6:升降部 7:吸附部 8:定位部 9:按壓部 10:控制部 31:載置面(台的上表面) 32:下表面 41:噴嘴支撐體 41a:固定構件 41b:升降部 42:噴嘴驅動機構 43:導軌 44:線性馬達 44a:定子 44b:動子 45:線性編碼器 45a:刻度尺部 45b:檢測部 51:吸附配管 52:吸附源 53:開閉閥 61:升降銷(支撐銷) 62:銷驅動部 71:吸附墊 81:位置調整單元 82:對準銷(定位構件) 83:對準銷驅動部 91:按壓單元 92:按壓構件 93:按壓驅動部 100:基板處理裝置 200:基板保持機構(基板保持裝置) 311:基板載置區域 312:吸附槽 313:貫通孔 315:銷容納孔 711:吸附口 H1:傳遞位置 H2:定位位置 H3:墊抵接位置 M1~M7:箭頭 S:基板 S101~S111,S201~S202:步驟 Sa:(基板的)表面 Se:(基板的)端面 Z:鉛直方向

[圖1]係示意性地顯示本發明的基板處理裝置的一實施形態的塗布裝置的整體構成之圖。 [圖2]係從上方觀看基板保持機構的主要部分之俯視圖。 [圖3]係示意性地顯示基板保持機構的構成之圖。 [圖4]係顯示圖1的基板處理裝置中的基板保持處理的一例之流程圖。 [圖5]係顯示圖2的基板保持機構所為的基板的暫時矯正的程序之流程圖。 [圖6A]係顯示圖4的流程圖所執行的動作之動作說明圖。 [圖6B]係顯示圖5的流程圖所執行的動作之動作說明圖。 [圖6C]係顯示圖4的流程圖所執行的動作之動作說明圖。 [圖6D]係顯示圖4的流程圖所執行的動作之動作說明圖。 [圖6E]係顯示圖4的流程圖所執行的動作之動作說明圖。

3:台(載置台)

7:吸附部

31:載置面(台的上表面)

32:下表面

61:升降銷(支撐銷)

71:吸附墊

82:對準銷

92:按壓構件

200:基板保持機構

313:貫通孔

315:銷容納孔

H2:定位位置

M5,M6:箭頭

S:基板

Se:端面

Z:鉛直方向

Claims (10)

1. 一種基板保持裝置，係具備： 載置台，係具備供基板載置的載置面； 升降部，係使從下方支撐前述基板的複數個支撐銷下降，藉此將前述基板載置於前述載置面； 吸附部，係藉由吸附墊從下方吸附並保持載置於前述載置面的前述基板的周緣部； 定位部，係於較前述吸附墊更向上方分離的定位位置中抵接於藉由前述複數個支撐銷所支撐的前述基板的端面而將前述基板定位；以及 控制部，係以下述方式控制前述升降部、前述吸附部及前述定位部：將藉由前述定位部所定位的前述基板藉由前述升降部載置於前述載置面，並藉由前述吸附部吸附保持。
2. 如請求項1所記載之基板保持裝置，其中具備：按壓部，係以能夠於前述定位位置中從上方按壓藉由前述複數個支撐銷所支撐的前述基板的前述周緣部的方式設置。
3. 如請求項2所記載之基板保持裝置，其中由前述定位部抵接於前述基板的前述端面之抵接區域與由前述按壓部按壓前述基板的前述周緣部之按壓區域係於前述基板的周向中相互不同。
4. 如請求項3所記載之基板保持裝置，其中前述控制部係以下述方式控制前述定位部及前述按壓部：於前述按壓部按壓前述基板的前述周緣部的情況下藉由前述定位部抵接於前述基板的前述端面來使前述基板定位。
5. 如請求項4所記載之基板保持裝置，其中前述控制部係以下述方式控制前述定位部及前述升降部：於前述基板的定位後，前述定位部從前述基板的前述端面分離且前述升降部使前述複數個支撐銷下降，藉此使前述基板載置於前述載置面。
6. 如請求項5所記載之基板保持裝置，其中前述控制部係以下述方式控制前述按壓部：使前述複數個支撐銷下降並使前述按壓部下降，藉此藉由前述載置面與前述按壓部夾住載置於前述載置面的前述基板的前述周緣部。
7. 如請求項1至6中任一項所記載之基板保持裝置，其中前述吸附墊係具備： 吸附上端部，係設有吸附口，前述吸附口係吸附前述基板的下表面；以及 吸附下端部，係埋設於凹部，前述凹部係設於前述載置面； 前述吸附上端部係於不抵接於前述基板的前述下表面之非抵接狀態下突出至墊抵接位置，前述墊抵接位置為較前述載置面更靠上方且較前述定位位置更靠下方之位置；前述吸附上端部係於已抵接於前述基板的前述下表面之抵接狀態下與前述基板的下降連動地後退至前述凹部，並於完成將前述基板載置於前述載置面的時間點對前述凹部埋設自如。
8. 如請求項7所記載之基板保持裝置，其中前述控制部係以下述方式控制前述升降部：使前述基板以第一下降速度從前述定位位置下降至前述墊抵接位置，且使前述基板以第二下降速度從前述墊抵接位置下降至前述載置面，前述第二下降速度係較前述第一下降速度更低速。
9. 一種基板處理裝置，係具備： 如請求項1至6中任一項所記載之基板保持裝置；以及 狹縫噴嘴，係相對於載置於前述載置面並藉由前述吸附墊吸附保持於前述載置面的基板於水平方向相對地移動，藉此將處理液塗布於前述基板的表面。
10. 一種基板保持方法，係具備： 第一步驟，係於載置台的載置面上藉由吸附部的吸附墊吸附並保持基板； 第二步驟，係於前述第一步驟前，一邊於較前述載置面及前述吸附墊更靠上方處藉由複數個支撐銷從下方支撐前述基板一邊使定位構件抵接於前述基板的端面從而將前述基板定位；以及 第三步驟，係於前述第二步驟後使前述複數個支撐銷下降，藉此將前述基板載置於前述載置面。