TW202524B - - Google Patents

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^02〇S4 Afi A6 B6 五、發明説明（,） 1 .發明領域 本發明乃鼷於數位信號缓衝器電路，更特定的說是指 數位信號缓衝器霉路用於互補式金氰半場效霄晶體（M0 SFET)以便滅少功率的消耗。 2.習知技術之描述 數位信號缓衝為霄路被廣泛地應用於信號或電路之隔 绝用途，阻抗匹配，或扇入及扇出特性之改良等。一種最 常見的缓衝器«路設計的類型是一反相器。一傳统式之反 相器設計1〇應用互補式MOSFET如第一圔所示。其 中 P 型 MOSFET (”P-MOSFET”） 12 及 N 型MOSFET (”N—MOSFET”）14互補耦合 成一画騰極组菔，其中它們的闞棰12g,14g及吸棰 12d, 14d分別被連接在一起以便由闌極接收預定被 缓衝的输入信號16,而由吸極提供互補输出缓衝信號1 8 〇 經濟部屮央標f-ti-w工消赍合作杜印t (請先間讀背面之注意事項再瑱寫本頁) 該P-MOSFET12之源级12S被連接到一正 電源霣壓乂口卩，而N-兄03?£丁14之源極143 被連接到一負電源霄壓V S S ^另一種方式是，未使用雙 罨源電壓而僅使用一正電源電壓時，該P-MOSFET 12之源级12S被連接到一正霄壓源VCC,而N-MOSFET14之源级14S則被連接到電路參考黏或 接地黏G N D ^

第一圖之緩衝器霣路10由於使用互補式MOSFE • "" — 本纸張尺度逋用中a Η家梂孕（CNS)甲4梘格（210x297公嫠） 2025¾ A6 B6 五、發明説明（>) T 1 2 , 1 4因此消耗相當低之功率。但是，笛它用於緩 衝一電晶體電晶醱邏輯（”TTL”）型之输入訊號16 (採VCC—GND之電源组合）時，其霉功率消耗會變 得非常大。一 TTL” 0” ，或3輯低態非常接近零伏特 ，但一TTL” 1”，或邏輯高態一般都遠低於正電源霄 壓VCC。典型的VCC霣壓值為5伏待，而TTL” 1 ”典型上為2至2. 5伏特之♦間。因此，雖然以TTL” 0”作為輸入信號1 6時都會将N-MOSFET 1 2完 全打開（導通），但一典型的TTL” 1"並不一定可使 N_MOSFET 14 完全打開或使 P-MOSFET 1 2完全朗閉。因此，當_入信號16你一 TTL” 1”時 ，输出信號18為一 TTL”0” ：然而該纽衝器霣路1 0仍會消耗直流功率•因為P—M0SFET12並S有 完金被朗掉，因此仍然會將霣流傳導到已經導通的N—M Ο S F E T 1 4 去。 參考下表1 A及1B,典型的供轚（吸捶）霉流給Μ 0SFET12, 14 (其通道寬度及長度如表所示）作 經濟部屮央櫺f-局與工消^合作社印^ {請先聞讀背面之注意事項再填寫本页) 為傳統式缓衝器電路10所用，對應於不同之VCC電壓 及周園溫度。（表lAfe包含具代表性之最差情況時對於 一値完整的稹體電路模擬之傳播延運，該積釅霣路包含缓 衝器電路10以外之附加電路。）由此可見在输入信號霣 應1 6等於2伏特之典型TTL” 1”位準時會有相當大 量之供電霣流流通。將MOSFET12,14之通道適 本纸Λ尺度適用中BS家樣準（CNS)«P4境格（210x297公：S·) 五、發明說明（ A6 B6 當地按比例減小可以減少供電電流但卻會增加傳播延遲 表 傳統式緩衝器霉路 Μ 0 S F E T 型 通道寬度 43撤米 150撤米 通道長度 3 . 0微米 2 . 6撖米 V C C = 4 . 75伏特直流； 输入（伏持） 2

輸 入 L Ι-> Η I Η 14 L I 输 出 Η 0-> L 0 L 〇分 Η 0 溫度=551C 電流（撤安培） 1406.0 4 2 2.9 延 運（奈秒） 7 . 02其中Η I = 3伏待 6.80 L I = 0伏特 {請先閑讀背面之注意事項再填寫本页) .裝. •打· 表1 Β 傅统式缓衝器電路 Μ Ο S F Ε Τ 型 經濟部屮央標;,,-^对工消"合作杜印製 Ν 通道寬度 43微米 159徹米 通道長度 3 . 0微米 2 . 6微米 線· VCC=5.25伏特直流； 輸入（伏特） 2 溫度=271C 電流（撤安培） 2163.0 3 8 9 9 .1 本纸張尺度適ζη中HS家悻孕（CNS)甲4規格（210x297公釐） 025L4 Α6 Β6 溫度=01C 電流（撤安培） 2292.0 表2 五、發明説明（t) VC C = 5.25伏特直流； 輸入（伏恃） 2 3 922.3 現參考表2,由表中可見P-MOSFET12及N 一 MOSFET 14之通道寬度分別是8及2.8撖米，而 輸入信號霉壓1 6為二伏特，，而MO S FE T之總吸極霉 流就可實質上的減少。然而，比較表1及表2仍可發現其 傳S延遲也實霣上的增加了。因此，儘管按比例地滅少Μ OSFET之尺寸可實贾上地滅少缌吸極霣流，但也須付 出一種伴随而來的代價，就是傅播延遲。 傳统式”低功率”缓衝器轚路 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本页) Μ 0 S F Ε Τ 型 Ρ Ν 通道寬度 8撖米 28撤米 經濟邾屮央標爷局工消"合作杜印製 VCC=4.75伏特直流； 輸入（伏待） 2 3 输入 输出 L 14 Η I H L 0 Η Ι-» L I L 0-» H 0 通道長度 3 . 0微米 2 . 6徹米 溫度=55TC 電流（微安培） 268.50 80.16 延 遲（奈秒） 7 . 63其中Η I = 3伏特 8.15 L I = 〇伏特 本纸ft尺度適用中SB家榇i?(CNS)f 4規格（2丨0x297公釐） Α6 Β6 025ί>4 f/) 五、發明説明（ 發明概要 {請先聞讀背面之注意事項再填寫本页) 一種根據本發明之低功率互補式MO S F E T數位信 號缓衝器電路包含一第一互補式MO S F E T反相器用以 产_________ 接收一輸入數位信號及一偏壓輸入數位信號以便由此而提 供一第一反相數位信號。另外也包含一信號備壓電路也用 V_________ ---- 一 以接收該輸入數位信號並由此而提供該镉壓輸入數位信號 作為該第一互補式MO S F E.T反相器所用。於本發明之 一較佳實施例中更包含一第二互補式MO S F E T反相器 也可用以接收該輸入數位信號並用以接收該第一反相數位 信號，而且可由此而提供一第二反相數位信號。 根據本發明，應用輸入數位信號及其軀壓信號等效值 可確保每一互補式MO S F E T可依該輸入信號位準而被 更完全的打開（導通）或更完全地關掉（不導通），藉此 而減少MO S F E T之吸極電流。 本發明之上述及其它目的，持歡及優黏可因參考如下 所述之較佳實施例詳述及所附圖示而更加淸楚明白。 圖示簡述 經濟部t*標"局S工消"合作杜印製 第一圔顯示出一傳統式互補MOSFET反相器電路 之概略圖。 第二圖傜根據本發明較佳實施例之低功率互補式M0 S F E T數位信號缓衝器霣路之概略圖。 第三圖偽第二圈霉路之输入及輸出信號之混合信號時 序画。 本紙張疋度適用中H a家愫孪（CNS)甲公¢) a 4 Α6 Β6 五、發明說明（》） 第四鬮傺根據本發明之低功率互補式MO S F E T數 位信號缓衝器霣路之另一實施例的概略画。 較佳實施例詳述 參考第二圔，根據本發明之一低功率互補式MOSF E T數位信號缓衡器霣路1 〇 0包含兩俚MO S F E T反 相器篆路102、104及一MOSFET二極臛霄路1 ··'—- ------— 4作為一输入信號偏壓霄路、（將詳如後述），其連接方 式詳如圖式。該第一反相器電路102包含一P-MOS F ET 1 06 及一 N—MOSFET 1 0 8 互相以一圏騰 極組合锅合。霣源之連接係傳統式的，其中正霣葱VDD 對卩_从03「£丁106之源極106S镉壓，而負轚 源 VSS 對 N — M0SFET 1 08 之源極 1 08S 禳® 。於本發明之一較佳簧施例中，正電源VDD典型值大約 為5伏特（例如一TTL電碼VCC),而負霄源VSS 你該轚路之參考®位，或接地電位GND。 該第二反相器1 04包含一 P—M0SFET 1 1 0 及一 N-M0SFET 1 1 2彼此以一圈嫌棰方式互相繙 合。其蘭極1 1 0 s及1 1 2 g互相耦合，而其吸極1 1 {請先閱讀背面之注老事項再填寫本頁) .装. .打. •線 經濟部屮央楳f-t? as工消赍合作杜印K. 之 E S .入 0 F S 输 1 S V 收 10源接 τ Μ 電去 Ε I 負接 F Ν 被直 S 而未而 ο 然 S ο Μ 〇 2 2 - ffi 1 1 P 偏 1 徑 0 D 级路 合 D 源號 。 耦 V 之信 } 相源 2 接述 互霣 1 連後 也正1 一如 d 由级由詳 2 S 源經 ί 1 ο 之而 2 1 1 2 反 2 ιίιι 1 » 1 d 级 1 Κ.號 ο 源 T 鴒信 本纸張尺度適用中SS家堞?A(CNS)T4t見格(210x297公釐） A6 B6 五、發明說明（Ύ ) 該MOSFET二極體電路1 14包含一P — MOS FET 1 1 6 及一 N-MOSFET 1 1 8 於一二極髓連 接的组合中，如圖示。其閑極1 16g, 1 18g及吸極

1 1 6 d , 1 I8d均相互耦合，藉此而使MOSFET

116, 1 1 8大致上電子式地等效於二極匾之功能。N -M0SFET118之源级118S藕合至第一反相器 102 之 N— MOSFETU0 8 之闞極 108g,而且 經由連接信號路徑1 2 〇而被耦合到第二反相器1 04之 N-M0SFET1 12 之源级 1 12S。 —輸入數位信號（例如一 TTL信號）122被輸入 到該M0SFET二極醱電路1 14,該第一反相器1〇 2之N-M0SFET108,及該第二反相器104之 N-M0SFET 1 1 2。該 M0SFET 二極腥霣路 1 1 4將該輸入信號1 2 2褊壓以産生一褊壓輸入信號1 2 4於第一反相器1 02之P-M0SFET之闞棰1 06 S。該第一反相器1 02提供第一反相信號1 26至該第 二反相器104,而後者即提供一第二反相信號128作 為輸出信號。 經濟部t *標-;|,-局*:工消费合作杜印製 {請先閱讀背面之注意事項再填窵本页) 當輸入信號122為TTL” 0”態，也就是説大約 零伏特時，第一反相器102之N—MOSFET108 不導通，而P — MQSFET106導通，藉此使該節點 能锅合其吸極l〇6d,108d而充電逹到VCC值。 該P—M0SFET 1 06成導通因其閘極1 〇6g大概 -10- 本纸張（度適m中SB家樣準（CNS)f 4梘格（210x297公免） 經濟部t央標f-t?*!:工消if合作杜印» A6 B6 五、發明說明（y)

在1. 8伏持，也就是詋該二極臞連接之P_MOSFE T116及N-MOSFET118之P及N通道之睡限 值之和。這表示該第二反相器104互相縝合之闞極1 1 0g,lI2g被充霉達到一VCC電位，藉此使第二反 相器之P — M0SFET1 10不導通而使N — MOSF ET112導通，更進而使输出信號128變成TTL” 0”態，亦即接近零伏特。* 當输入信號1 22由一 TLL” 0”轉移至一 TTL ” ί”時，亦邸大约從0伏待變成2伏特時，該第一反相 器之Ν - MOSFET108即開始導通，藉此而將其吸 極108d電位降低。同時，該傾壓輸入信號124緊跟 著输入信號122之轉移邸開如昇离，藉此而使第一 P-M0SFET106開始變成不導通，因其闞源極之傾壓 開始下降。

該第一反相器之N-MOSFET 1 08的吸極1 0 8 d之下降霣位引起該第二反相器之N-MOS F E T 1 12之鬧極1 12g的霉位（亦即該第一反相信號126 之位準）也跟著下降，藉此而使得第二反相器之N-M0 SFET 1 1 2到連截止區。·然而該輸入信號1 22上昇 之速度卻比第二反相器N — MOSF E T 1 1 2的閘極1 12g之電位下降的速度要快。因此，在該輸入信號12 .2之起始轉移期間，經由該連接信號路徑120而被加到 該第二反相器之N—MOSFET 1 1 2之源级1 1 2S -11 - 本纸》尺度適用中HS家樣iMCNS>f4(g格(210x297公釐） ....................................................¾...............................ir…：1...................... {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 025^4 Α6 Β6 經濟部十央標"局Ν工消"合作枝印製 五、發明説明（p) 之輸入信號會傳输到第二反相器之N- MO S F E T 1 1 2之吸極1 1 2d,因此而提供該輸出信號1 28之起始 轉移。當該第一反相信號126開始下降至0伏特時，第 二P—MOSFET 1 1 0即成導通而引起輸出信號1 2 8上昇到逹VC C值。 反之，當輸入信號122由一TTL” 1”轉移至一 TTL” 0” ，亦卽大约由2+伏持變成0伏待時，該第一 反相器之1^一从03?£丁106&隨即受成導通，此乃 基於該偏壓輸入信號124向下轉移至大约1. 8伏持， 亦即該二極體連接之P — M0SFET 1 1 6及N — M0 SFET 1 1 8之P通道及N通道臨限值之總和。如此就 使得該第一反相信號126上昇至大約VCC值，因此而 使第二反相器之N — MOSFET1 12成導通而其P — M0SFET110成不導通，而輸出信號128就下降 成 T T L M 0 ” 態。 因此，若使用二極體連接之M0SFET1 16, 1 1 8以一艟比原來輸入信號1 22更高之”高態”邏輯位 準去産生一隳壓輸入信號124時，該第一反相器之P_ M0SFET106邸可被更完全的藺掉（不導通），藉 此而實質上地減少流經該第一反相器102之吸極霣流。 而且，經由該連接信號路徑120將輸入信號122 直接的耦合到第二（或輸出）反相器104,則可使得輸 入至输出信號的傳播延遲被減少。 -12- f請先閱讀背面之注意本項再填寫本页) .¾. •打· •線· 表纸Λ尺度適叨中國B家梂準（CNS)甲見格（210x297公¢) ,025^4 A6 B6 經濟部屮央標i,lt?w工消"合作社卬^ 五、發明説明（/fc) 這可 由 參 考 下 列 之 表 3 A 及 表3 B 而 變 得 更易了 解 〇 在 相同條 件 下 ( 亦 即 Μ 0 S F E T之通 道 寬 度 及長度 > m 源 電壓， 周 圔 溫 度 及 输 入 信號 位 準） 9 與 第 一 圔所示 之 傳 統 式缓衝 器 霣 路 1 0 ( 表 1 A 及 表1 B ) 相 比 較，對 於 兩 値 反相器 1 0 2 » 1 0 4 之總 供 電 (吸 極 ) 電 流實霣 上 fch 傅 统式之 缓 衝 器 霣 路 所 霈 之供 電 電流少 〇 而 且 ，第二 圃 之 霣 路所對 應 之 全 積 龌 電 路 棋擬.延 瀝最多 僅 需 作 1奈秒 的 延 遲 〇 表 3 A 缓 衝器 霣 路發明 Μ 0 S F E T 型 通 道 寬 度 通 道長 度 106(Ρ) 15 撤 米 3 m 米 108(H) 7 撖 米 3 撤 米 110(Ρ) 8 微 米 2.5 m 米 112(N) 25 微 米 2.5微 米 116(Ρ) 3 微 米 3 撤 米 118(H) 3 撖 米 6 撤 米 V c c = 4 · 75伏 持 直 流 * 溫 度 = 55t： 输入 ( 伏 恃 ) - 電 流 ( 撤 安培） 2 90 • 68 3 12 .47 輸 入 输 出 延 遲 (奈秒） L I-> Η I Η 04 L 0 7 . 16 其 中 Η I = 3伏 特 -13- {請先閱讀背面之注意事項再填寫本页) 表纸ft尺度適用中國a家樣準（CNS)甲Ί梘格（2丨0x297公.势> 經濟部屮*標11局負工消赍合作杜印製 L025S4 A6 B6 五、發明説明（丨\ ) H I-> L I L 04 Η 0 7 . 7 5 LI=0 伏持 表3_缓衝器電路發明 Μ 0 S F Ε Τ 型 通 道 寬 度 通 道 長 度 106 (Ρ) 15 徹 米 3 微 米 108(H) 7 m 米 3 撤 米 110(Ρ) 8 *徹 米 2 . 5 微 米 112 (Ν) 25 撤 米 2 · 5 微 米 11 6 ( Ρ ) 3 微 米 3 m 米 118(H) 3 微 米 6 徹 米 V C C = 5 . 25伏 特 直 流 9 溫 度 = 27 ，C 輸 入 ( 伏 持 ) 電 流 ( 撤 安 培 ) 2 19 1 • 80 3 4 1 .17 V C C = 5 . 25伏 持 直 流 9 溫 度 — 0 t: 输入 ( 伏 恃 ) 電 流 ( 撤 安 培 ) 2 187 .20 0 34 .5 7 參 照 第 三 圖 9 第 一 ISB 圖 及第 二 圈之 電 路 的 傳 播 延 遲 可經 由 圖形 加 以 比 較 〇 信 號 圖 A代 表 輸入 信 號 1 6 1 1 2 2 〇 信 號圖 Β 代 表 第 一 iigsl 画 之 傳 統式 缓 衝器 電 路 1 0 之 輸 出 信號 1 8之 轉 移 > 且 分 別 以 表 1 A — 1 B 及 2 A — 2 B 作 為裝 置 參數 〇 信 號 圖 D 代 表 第 二圖 之 第一 反 相 信 航 1 2 6 〇信 -14- {請先閱讀背面之注意事項再填窩本頁) •裝· •打· .綠· 本纸張疋度適用中8 8家悻孕（(：?(5)子4境格（210x297公釐） A6 B6 ^02504 五、發明説明（1 號圖E代表第二圖之输出信號1 28。 {請先聞讀背面之注意事項再填寫本筲) •打· 餿濟部t央櫺·Ηι·局*:工消赀合作杜印" •線· 參考第四圖，根據本發明之缓衝器霣器200之另一 實施例被顯示出來，其中一MO S F E T二極腥電路2 0 4具有一附加的二棰鱧連接的MOSFET 2 0 2。該附 加的二極醱連接型MO S F E T 20 2與原來的二極醱連 接塱MOSFET116, 118串脚連接。其閛棰20 2g及吸極202d互相縝合龙而連接到二棰體建接型N 一 MOSFET1 18 之源级 1 18S。其源级 202S 被途接到第一反相器之N-MOSFET1 08之閘级1 08 s,而且該信號路徑120將输入信號12 2送連第 二反相器之N-MOSFET1 12之源级1 12S。如 此就造成一MOSFET二極B«路204,該霣路20 4以一附加的N通道睡限霄壓將输入信號1 2 2作正的镐 壓，該睡限電壓你指附加N—MOSFET202之N通 道睡限電壓。這使得該福壓输入信號124變得更正值化 ,藉此使得在输入信號122為一TTL” 1”時可將該 第一反相的P-M0SFET106作更完全之颶閉（不 導通）/如此就可使該第一反相器之M0SFET吸極電 流減少更多。然而第四圖之電路200之傳播延邇卻也付 出相當的代價。藉著參考如下所列之表4並與前述之表3 A及表3 B之電流及傳播延遲邸可得到更佳的瞭解。 表4 缕衝器霣路發明（W/額外的”二棰S”） -15 本纸》尺度適用中SS家樣準（CNS)f^格（210X297公ft) A6 vA B6 經濟部屮央梂哔局=Κ工消兑合作杜印¾ 丘、發明說明（I j) Μ O S F E T 型 通 道 寬度 通道 長度 106(Ρ) 15 撤米 3 微米 108⑴ 7 撖米 3 微米 110(Ρ) 8 撤米 2 . 5 微米 112(H) 25 撤米 2 . 5 撤米 116(P) 3 撖米 3 撖米 118(N) 3 JS米 6 微米 202(H) 3 橄米 6 徹米 V C C = 4 . 75伏特直 流 溫 度 =55t 输入（ 伏 持） 霣 流 (微安培） 2 3 7.09 3 4.17 輸 入 输 出 延 理（奈 秒） L Ι-» Η I Η 04 L 0 7 . 15 其 中Η 1 = 3伏特 Η 14 L I L 0 Η 0 8 . 80 L 1 = 〇伏特 所需確 認 的是根據 上 述 本 發明之實 施 例所作之各種不 同之改良均 可 實用於本 發 明 中 。下列之 申 請專利範園卽定 義了本發明 之 範圔，而 這 itt： Φ 請專fl 丨範 圍 所定義之結構及 方法還有其 等 效取代均 可 列 為 申請專 :利 範 園内。 ......................................................装..............................打…：..........................嗥, ( 一 *' (請先聞讀背面之注意事項再填寫本丌) 本纸Λ尺度適用中as家樣i；t(CNS)f'丨梘烙（210x297公螫）

Claims (1)

1. B7 C7 A7 _____ D7 六、申請專利範圍 —種改良之互浦式MOSFET缓衝器電路包含 一第一互補式MO S F E T反相器，其包含第一及第二互 補式MQSFET,且分別具有第一及第二MOSFET i 源级，互相耦令之第—及第二MOSFET閘極用以接收 一第一數位信號，及互相错合之第一及第二M〇 S F E T 3S極兩以提供一输出數位信號，其改良包含： —第二互補式MO S F E T反相器包含第三及第四互 補式MQSFET,且妓此以圔騰極形態互相耩合.而且 分別以第三及第四MO S F E T閛極接收一翰入數位信號 及一第二數位信號，且將第三及第四MO S F E T吸搔互 相韫合浼再連至該互相頌合之第一及第二Μ 0 S F E T閛 極；及 多健二極髏連接之MO S FE Τ成串聯式地铒合於該 第二及第四MO S F.E Τ閑極間用以接收該输入數位信號 並提洪該第二數位信號至該第四MO S F Ε Τ閑極。 2· 如申請專利範圍第1項所述之改良之互補式 MOSFET缓衝器電路，其中該改良更包含甩以將該第 三MOSF ΕΤ之閛極铒合至該第一 m〇S F ΕΤ源级之 繙合装置。 _ 3.—種互補式MQSFET缓衝器霄路用以接收及 缓衝一數位信號，該互補式MO S F E T缓衝器電路包含 第一互補式M.O S F E T反相器装置用以接收一輸入 本纸張尺度通用中基3家樓準 (CN’S)甲4说络（210 X 297公"$ ) (琦先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 J·· B7 C7 D7 〇2〇ί^ 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 數位信號及一偏s輸入數位信號，而且用以提供一第一反 相數位信號；及 4 信號偏壓装置用以接收該輸入數位信號並提供該«壓 輸入數位信號。 4. 如申諳專钊範圍第3項所述之互補式MOS FET缓衝器電路，其中該第一互補式MGSFET反相 器装置包含第一及第二互補式*M0 S F Ε Τ且彼此互相以 一圔騰極形態锚合，且分别具有第一及第二MO S F Ε Τ 閑極且分別用以接收該輸入數位信號及該®壓輸入數位信 號，且互相锅合其第一及第二Μ 0 S F Ε Τ吸極以（I提供 該第一反相數位信號。 5. 如申If專利範圍第3項所述之互補式MOS F Ε Τ缓衝器電路，其中該信號裔壓装置S含多画二極證 連接之MOSFET’。 6. 如申請專利範圍第3項所述之互補式MOS ?£丁缓衝器電路，更包含第二互補式>405「£丁反相 器装置用以接收該第一反相數泣信號並用以提供一第二反 相數位信號。 熳濟部+夹揉準局具工消费合作社印# 7. 如申請專利範圍第6項所述之互補式MOS F Ε 了缓衝器電路，其中該第二互補式MOSF Ε Τ反相 器装置包含第三及第四互補式MO S F Ε Τ，且彼此以一 圖騰極形態互相锚合，且分別具有互相韫合之第三及第四 M〇S F Ε Τ閑極用以接收該第一反相數位信號，而且互 -2 - 本纸張尺度迺用中S3家標準（CNS)甲見格（210 X 297公货） 六、申請專利範圍 相锅合第三 位信號。 8 . F E T缓衝 器裝置用以 並罔以提供 9 . F E T缓衝 器装置包含 形態頜合， 收該输入數 四互相锡合 信號，而第 供該第二反 1〇. 並缓衝一數 A7 B7 C7 D7 及第四MO S F E T吸極用以提供第二反相數 如申請專利範圍第 器電路，更包含第二 接收該_入數位信號 一第二反相數位信號 如申請專利範齓第 器電路，其中該第二 第三及第四MO S F 且其分別具有一第三 位信號及一第四Μ 0 之MOSF ΕΤ閛極 三及第四互相锅合之 相數位信號。 一種互補式MO S F 位信號，該互補式Μ 3項所述之互補炙MO S 互補式MOSFET反相 及該第一反相數位信號， 〇 8項所述之互補式Μ〇S 互補式MOSFET反相 E T ,其互相以一圖騰極 MOSFET源極用以接 SFET源極，第三及第 用以接收該第一反相數位 M〇 S F E T吸極用以提 E T缓衝器電路用以接收 0 S F E T缓*電路包含 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 丨裝. 訂. 设濟#中央櫺季局負工消费合作社印製 輸入編壓互補式M G S F E T輸入反柑器装置甩以接 收及嬬壓一输入數位信號，並用以提供一第一反相數位信 號；及 #入繙合互補式MO S F Ε Τ輸出反相器装置用以接 收該第一反相數位信號及該輸入數位信號，並用以提供一 第二反相数位信號。 -3 - 本紙張尺度遑用taa家櫺準（CMS) τ 4規樁（210 X 297 «» ) Α7 Β7 C7 D7 :、申請專利範圍 (請先¾讀背面之注意事項再填罵本頁> 11. 如申請專利範圍第10項所述之互補式Μ 〇SFET缓衝器電路，其中該輸入辐壓互補式MOSF E 丁输入反相器装置芭含多画二極證連接之MO S F E 丁 ,及第一，第二互補式MOSFET,其以一圖騰形態互 相韫合旦分別具有一第一Μ 0 S F E T閛極用以接收該输 入數位信號及一第二M Q S F Ε Τ閜極，第一及第二Μ 0 SFET源極，及互相锅合之·第一及第二MOSFET吸 箜用以提供該第一反1=目數位信號，Ϊ5其中該多痼二極證連 接2M〇SFET玻镊合至該第一及第二MOSFET閑 12. 如申ϋ專利範圍第1 0項所述之互補式Μ 〇SFET缓衝器電路，其中該輸入锅合互補式MOSF a Ξ T輸出反相器装置包含第三及第四互補式MO S F E T ,其以一圈騰極形態 '互相韫合，且分別具有互相耦合之第 三及第四MO S F Ε Τ閜極甩以接收該第一反相數位信號 ，一第三Μ 0 S F Ε Τ源级兩以接收該輸入數位信號.及 一第四MOSFET源级，還有第三及第四互相繙合之Μ 熳濟部t央標季4W工消费合作社印製 該缓：；壓 洪號驟號饌 ii信步信號 以 位 之位信 BE 數下數位 極種如入數 吸一含輸入 T .包一，輸 E 3 其收該 F 1 ，接將 S 號 0信 及 i ; /il 數 號 1 信 衝 埤 。缓 數 諕並 入 信收 輸 泣接 壓 S 以 « 相用 一 反法 供 二方 提 ^一拓 衝 以 本·纸張尺及適用f 3151：捸準（CNS)甲4遣格（210 X 297公釐） 025 〇{ A7 B7 C7 • D7 申請專利範園 *濟部中夹樣準房貝工消费合作杜印8 1 3 號入證 。號號反 .，鬮 ο 號信二 號號反 第號信輸極號信信一 極 τ Μ 信位第 信信二 到信位壓二信位位第 閛 Ε 二 位數一 位位第 入位數偏宿位數數一 TF 第 數相供 數數 I 輸數之 一多數之入供 ES 及 之反提 之相供 號相述供到入述输提 F ο I 述一以 述反提 信反所提入輸所 S 以 SM 第 所第器 所|以 位一項以_墼項偏器 ο 二 之 項該相 項第器 數第 3 壓號谝 3 該相 Μ 第 合 3 及反 6 該相 入一 1辐信該 1 及反 一一 铒 1 號 τ 1 及反 輸供第號位出第號 Τ 第到y 相 第信 E 第號 T 壓提圍信數輸圍信 ε 一入' 互 圍位 F 圔信 Ε 辐以範位入此 i®L位 F 到输 由 範數 S· 範位 F 該器利數輸由利數 S 入號 號 利入 G 利數 S 及相專入該且專入 ο: 输信 信 專输M專入 ο: 號反請輸將並請輸 Μ 含號位 位 諳該式。請輸 Μ 含 信 Τ 申該含 Τ 申該式 包信數 數 α 申將補铤申該式包 位£如将包1^如將補驟位入 相出如含互步如將補霣 數 F 中驟 F 中互 步數輸 反输 包二之 中互步 入 S 其步 S 其 I 之入壓 一極 更第號 箕二之 输0. ，之0. ，第號輸辐 第吸 · ，一信 . ，第號 該 Μ 4 法號Μ5 法 | 信該該 該 Τ 6 法·.到位 7 法一信 將式 1 方信之 1 方到位将将 將 Ε1 方入數 1 方到位 補 衝位接 衝入數 ; F 衝输相 衝入數 互 缓數連 缓输相 極 S 缓號反 缓輸相 ------------------------装------ir. - . · . (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 本Μ張尺•度適《 +蕹面家《準（CNS) τ 4洗格（210 X 297 «：* ) 025沾 A7 B7 C7 D7 六、申請專利範圍 位相極 數反閘 入一 T 輸第 E 該該 F 將將 S ο Μ 數 四 第 及 極三 閘第 T 之 E 合 F 0 S 相 ο 互 Μ 到 一 入 到輸 入號 輸信 號位及 Μ 四 第 及 三 第 之 合 0 相 互 該 由 號 信 位 〇 數出 相輸 反極 二 吸 第 Τ 該 Ε 將 F S 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --裝. 訂. Y4. «濟部中央標準房霣工消费合作杜印製 本纸張尺度適用中國國家愫準（CNS)甲4規格（210 X 297公釐）