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TW202518074A - 光學積層體及顯示系統 - Google Patents

光學積層體及顯示系統 Download PDF

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TW202518074A
TW202518074A TW113132033A TW113132033A TW202518074A TW 202518074 A TW202518074 A TW 202518074A TW 113132033 A TW113132033 A TW 113132033A TW 113132033 A TW113132033 A TW 113132033A TW 202518074 A TW202518074 A TW 202518074A
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TW
Taiwan
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phase difference
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plate
layer
optical multilayer
Prior art date
Application number
TW113132033A
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English (en)
Inventor
林大輔
Original Assignee
日商日東電工股份有限公司
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Publication date
Priority claimed from JP2024022095A external-priority patent/JP2025042572A/ja
Application filed by 日商日東電工股份有限公司 filed Critical 日商日東電工股份有限公司
Publication of TW202518074A publication Critical patent/TW202518074A/zh

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Abstract

本發明提供一種可有助於提升VR護目鏡之顯示特性的光學積層體。 本發明實施形態之顯示系統具備:顯示元件,其係將顯示影像之光經由偏光構件朝前方射出且具有顯示面;反射部,係配置於顯示元件之前方,且包含反射型偏光構件,該反射部係反射從顯示元件射出之光;第一透鏡部,係配置於顯示元件與反射部之間的光路上;半反射鏡,係配置於顯示元件與前述第一透鏡部之間,該半反射鏡係使從顯示元件射出之光透射,並使經反射部反射之光朝反射部反射;第一相位差構件,係配置於顯示元件與半反射鏡之間的光路上;及,第二相位差構件,係配置於半反射鏡與反射部之間的光路上;並且,偏光構件與第一相位差構件構成光學積層體;且,光學積層體依序具備偏光構件、作為λ/2板發揮功能之層及作為λ/4板發揮功能之層。

Description

光學積層體及顯示系統
本發明涉及光學積層體及顯示系統。
以液晶顯示裝置及電致發光(EL)顯示裝置(例如有機EL顯示裝置)為代表之影像顯示裝置急速普及。影像顯示裝置中,為了實現影像顯示、提高影像顯示之性能,一般係使用偏光構件、相位差構件等光學構件(例如參照專利文獻1)。
近年來,持續開發影像顯示裝置之新用途。例如,用以實現Virtual Reality(VR)之附顯示器之護目鏡(VR護目鏡)已開始產品化。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1:日本專利特開2021-103286號公報
發明欲解決之課題 鑑於上述,本發明主要目的在於提供一種可有助於提升VR護目鏡之顯示特性的光學積層體。
用以解決課題之手段 1.本發明實施形態之顯示系統,係對使用者顯示影像者,其具備:顯示元件,其係將顯示影像之光經由偏光構件朝前方射出且具有顯示面;反射部,係配置於前述顯示元件之前方,且包含反射型偏光構件,該反射部係反射從前述顯示元件射出之光;第一透鏡部,係配置於前述顯示元件與前述反射部之間的光路上;半反射鏡,係配置於前述顯示元件與前述第一透鏡部之間,該半反射鏡係使從前述顯示元件射出之光透射,並使經前述反射部反射之光朝前述反射部反射;第一相位差構件,係配置於前述顯示元件與前述半反射鏡之間的光路上;及,第二相位差構件,係配置於前述半反射鏡與前述反射部之間的光路上;並且,前述偏光構件與前述第一相位差構件構成光學積層體;且,前述光學積層體依序具備偏光構件、作為λ/2板發揮功能之層及作為λ/4板發揮功能之層。 2.本發明實施形態之光學積層體,係用於如上述1之顯示系統者,前述光學積層體依序具備偏光構件、作為λ/2板發揮功能之層及作為λ/4板發揮功能之層。 3.如上述2之光學積層體中,上述作為λ/2板發揮功能之層之面內相位差Re(550)亦可為230nm~330nm。 4.如上述2或3之光學積層體中,上述作為λ/4板發揮功能之層之面內相位差Re(550)亦可為100nm~200nm。 5.如上述2至4中任一項之光學積層體中,上述作為λ/2板發揮功能之層之慢軸與前述偏光構件之吸收軸形成的角度亦可為5°~35°。 6.如上述2至5中任一項之光學積層體中,上述作為λ/4板發揮功能之層之慢軸與前述偏光構件之吸收軸形成的角度亦可為55°~85°。 7.如上述2至6中任一項之光學積層體中,上述作為λ/2板發揮功能之層亦可展現逆色散波長特性。 8.如上述2至7中任一項之光學積層體中,上述作為λ/4板發揮功能之層亦可展現逆色散波長特性。 9.如上述2至8中任一項之光學積層體,其亦可更具備折射率特性展現nz>nx=ny之關係的構件;且,前述折射率特性展現nz>nx=ny之關係的構件配置於前述作為λ/4板發揮功能之層之與前述作為λ/2板發揮功能之層相反的一側。 10.如上述2至9中任一項之光學積層體,其更具備抗反射保護構件;且,前述抗反射保護構件配置於與前述偏光構件為相反側的最外側。 11.如上述2至10中任一項之光學積層體,其從1減去以極角0°測定之波長550nm之透射光的消偏光指數(DI)所得之值(1-DI)亦可為99.5%以上。 12.如上述2至11中任一項之光學積層體,其從1減去以極角30°、方位角0°~360°測定之波長550nm之透射光的消偏光指數(DI)所得之值(1-DI)亦可為99.4%以上。 13.如上述2至12中任一項之光學積層體,其亦可作為上述第一相位差構件而用於具有以下程序之顯示方法:使經由偏光構件射出之顯示影像的光通過第一相位差構件之程序;使通過前述第一相位差構件之光通過半反射鏡及第一透鏡部之程序;使通過前述半反射鏡及前述第一透鏡部之光通過第二相位差構件之程序;使通過前述第二相位差構件之光藉反射型偏光構件朝前述半反射鏡反射之程序;以及,使經前述反射型偏光構件及前述半反射鏡反射之光可藉由前述第二相位差構件而透射前述反射型偏光構件之程序。
發明效果 根據本發明,可提供一種可有助於提升VR護目鏡之顯示特性的光學積層體。
以下參照圖式針對本發明實施形態進行說明,惟本發明不受該等實施形態所限。為了更明確說明圖式,相較於實施形態,有將各部分之寬度、厚度、形狀等示意顯示之情形,但僅為一例,非用以限定解釋本發明。又,關於圖式,有時會對相同或同等之要素賦予相同符號,並省略重複說明。
(用語及符號之定義) 本說明書中之用語及符號之定義如下。 (1)折射率(nx、ny、nz) 「nx」為面內折射率達最大之方向(亦即慢軸方向)的折射率,「ny」為在面內與慢軸正交之方向(亦即快軸方向)的折射率,而「nz」為厚度方向的折射率。 (2)面內相位差(Re) 「Re(λ)」係在23℃下以波長λnm之光測定之面內相位差。例如,「Re(550)」係在23℃下以波長550nm之光測定之面內相位差。Re(λ)可於令層(薄膜)之厚度為d(nm)時,藉由式:Re(λ)=(nx-ny)×d求出。 (3)厚度方向之相位差(Rth) 「Rth(λ)」係在23℃下以波長λnm之光測定之厚度方向之相位差。例如,「Rth(550)」係在23℃下以波長550nm之光測定之厚度方向之相位差。Rth(λ)可於令層(薄膜)厚度為d(nm)時,藉由式:Rth(λ)=(nx-nz)×d求出。 (4)Nz係數 Nz係數可藉由Nz=Rth/Re求得。 (5)角度 本說明書中提及角度時,只要未特別言及,該角度包含相對於基準方向往順時針方向及逆時針方向兩方向。因此,例如「45°」係指±45°。又,本說明書中,「大致平行」包含0°±10°之範圍,宜為0°±5°之範圍內,較宜為0°±3°之範圍內,更宜為0°±1°之範圍內。「大致正交」包含90°±10°之範圍,宜為90°±5°之範圍內,較宜為90°±3°之範圍內,更宜為90°±1°之範圍內。
A.顯示系統 圖1係顯示本發明一實施形態之顯示系統之概略構成的示意圖。圖1中係示意性圖示顯示系統2之各構成要素之配置及形狀等。顯示系統2具備有:顯示元件12、包含反射型偏光構件之反射部14、第一透鏡部16、半反射鏡18、第一相位差構件20、第二相位差構件22及第二透鏡部24。反射部14係配置於顯示元件12之顯示面12a側即前方,其可反射從顯示元件12射出之光。第一透鏡部16係配置於顯示元件12與反射部14之間的光路上,半反射鏡18係配置於顯示元件12與第一透鏡部16之間。第一相位差構件20係配置於顯示元件12與半反射鏡18之間的光路上,第二相位差構件22係配置於半反射鏡18與反射部14之間的光路上。從半反射鏡起往前方配置之構成要素(圖示例中,為半反射鏡18、第一透鏡部16、第二相位差構件22、反射部14及第二透鏡部24)有時統稱為透鏡部(透鏡部4)。
顯示元件12例如為液晶顯示器或有機EL顯示器,且具有用以顯示影像之顯示面12a。從顯示面12a射出之光例如會通過顯示元件12可包含之偏光構件(代表上為偏光薄膜)後射出,成為第1直線偏光。
第一相位差構件20可將入射第一相位差構件20之第1直線偏光轉換成第1圓偏光。如圖1所示,第一相位差構件20可與顯示元件12設成一體。具體而言,顯示元件12可包含之偏光構件與第一相位差構件20係設成一體,而可構成後述光學積層體200。換言之,後述包含光學積層體200中之作為λ/2板發揮功能之層20a與作為λ/4板發揮功能之層20b的積層體可為顯示系統2中之第一相位差構件20。
半反射鏡18係使從顯示元件12射出之光透射,並使經反射部14反射之光朝反射部14反射。半反射鏡18係與第一透鏡部16設成一體。
第二相位差構件22係λ/4構件,其可使經反射部14及半反射鏡18反射之光透射包含反射型偏光構件之反射部14(以下有時將第二相位差構件稱為第2λ/4構件)。此外,第二相位差構件22亦可與第一透鏡部16設成一體。
從相位差構件(第一相位差構件)20射出之第1圓偏光會通過半反射鏡18及第一透鏡部16,並藉由第2λ/4構件22轉換成第2直線偏光。從第2λ/4構件22射出之第2直線偏光不會透射反射部14所含之反射型偏光構件而朝半反射鏡18反射。此時,入射反射部14所含之反射型偏光構件之第2直線偏光的偏光方向係與反射型偏光構件之反射軸同方向。因此,入射反射部14之第2直線偏光會被反射型偏光構件反射。
經反射部14反射之第2直線偏光藉由第2λ/4構件22轉換成第2圓偏光,而從第2λ/4構件22射出之第2圓偏光則通過第一透鏡部16而被半反射鏡18反射。經半反射鏡18反射之圓偏光會通過第一透鏡部16,並藉由第2λ/4構件22轉換成第3直線偏光。第3直線偏光會透射反射部14所含之反射型偏光構件。此時,入射反射部14所含之反射型偏光構件之第3直線偏光的偏光方向係與反射型偏光構件之透射軸同方向。因此,入射反射部14之第3直線偏光會透射反射型偏光構件。
透射反射部14之光會通過第二透鏡部24而入射使用者之眼睛26。
例如,顯示元件12所含之偏光構件之吸收軸與反射部14所含之反射型偏光構件之反射軸可配置成互相大致平行,亦可配置成大致正交。顯示元件12所含之偏光構件之吸收軸與第一相位差構件20之慢軸形成之角度及第一相位差構件20之面內相位差係設定成可使第一直線偏光轉換成第1圓偏光。關於上述角度及面內相位差將於B項進行詳細說明。顯示元件12所含之偏光構件之吸收軸與第二相位差構件22之慢軸形成之角度例如為40°~50°,可為42°~48°,亦可為約45°。
第二相位差構件22之面內相位差Re(550)例如為100nm~190nm,可為110nm~180nm,可為130nm~160nm,亦可為135nm~155nm。
第二相位差構件22宜展現相位差值隨測定光之波長而變大的逆色散波長特性。第二相位差構件22之Re(450)/Re(550)例如小於1,可為0.95以下,更可小於0.90,且更可為0.85以下。第二相位差構件22之Re(450)/Re(550)例如為0.75以上。
在一實施形態中,第二相位差構件22滿足Re(400)/Re(550)<0.85、Re(650)/Re(550)>1.03及Re(750)/Re(550)>1.05全部。第二相位差構件22宜滿足選自下述中之至少1者,較宜滿足至少2者,更宜滿足全部:0.65<Re(400)/Re(550)<0.80(宜為0.7<Re(400)/Re(550)<0.75)、1.0<Re(650)/Re(550)<1.25(宜為1.05<Re(650)/Re(550)<1.20)、及1.05<Re(750)/Re(550)<1.40(宜為1.08<Re(750)/Re(550)<1.36)。
第二相位差構件22宜為折射率特性展現nx>ny≧nz之關係。在此「ny=nz」不只ny與nz完全相同之情況,還包含實質上相同之情況。因此,在不損及本發明效果之範圍內可有成為ny<nz之情形。第二相位差構件22之Nz係數宜為0.9~3,較宜為0.9~2.5,更宜為0.9~1.5,尤宜為0.9~1.3。
第二相位差構件22之表面平滑性例如為0.50arcmin以下,宜為0.40arcmin以下,較宜為0.30arcmin以下,更宜為0.20arcmin以下。藉由第二相位差構件22滿足所述表面平滑性,可實現視辨性優異之顯示系統。例如,藉由滿足所述表面平滑性,可提升面內相位差之均一性,結果可抑制後述之在反射部之漏光等。表面平滑性之測定方法容於後述。
第二相位差構件22之厚度參差宜為1µm以下,較宜為0.8µm以下,更宜為0.6µm以下,又更宜為0.4µm以下。根據所述厚度參差,例如可良好達成上述表面平滑性。
第二相位差構件22係以可滿足上述特性之任意適當之材料形成。第二相位差構件22例如可為樹脂薄膜之延伸薄膜或液晶化合物之定向固化層。關於以樹脂薄膜之延伸薄膜或液晶化合物之定向固化層構成之第二相位差構件22,可應用與B項中記載之作為構成第一相位差構件20之λ/4板發揮功能之層相同之說明。作為λ/4板發揮功能之層與第二相位差構件22可為相同構成(形成材料、厚度、光學特性等)之構件,亦可為不同構成之構件。
第二相位差構件22之厚度宜為100µm以下。具體而言,以樹脂薄膜之延伸薄膜構成之第二相位差構件22的厚度例如為10µm~100µm,宜為10µm~70µm,較宜為10µm~60µm,更宜為20µm~50µm。又,以液晶定向固化層構成之第二相位差構件22的厚度例如為1µm~10µm,宜為1µm~8µm,較宜為1µm~6µm,更宜為1µm~4µm。
反射部14除了反射型偏光構件外,還可包含有吸收型偏光構件。吸收型偏光構件可配置於反射型偏光構件之前方。反射型偏光構件之反射軸與吸收型偏光構件之吸收軸可配置成互相大致平行,且反射型偏光構件之透射軸與吸收型偏光構件之透射軸可配置成互相大致平行。反射部14包含吸收型偏光構件時,反射部14亦可包含有具有反射型偏光構件與吸收型偏光構件之積層體。
上述反射型偏光構件可在將與其透射軸平行之偏光(代表上為直線偏光)維持其偏光狀態之狀態下透射,並反射其以外之偏光狀態的光(代表上為與其透射軸正交之偏光狀態的光)。反射型偏光構件之正交透射率(Tc)可為例如0.01%~3%。反射型偏光構件之單體透射率(Ts)例如可為43%~49%,宜可為45%~47%。反射型偏光構件之偏光度(P)可為例如92%~99.99%。反射型偏光構件代表上係以具有多層結構之薄膜(有時稱為反射型偏光薄膜)構成。反射型偏光薄膜之市售物可舉例如3M公司製之商品名「DBEF」、「APF」、日東電工公司製之商品名「APCF」。
上述吸收型偏光構件代表上可包含含二色性物質之樹脂薄膜(即吸收型偏光膜)。吸收型偏光膜可使用B項中記載之吸收型偏光膜。吸收型偏光膜之厚度例如為1µm以上且20µm以下,可為2µm以上且15µm以下,可為12µm以下,可為10µm以下,可為8µm以下,亦可為5µm以下。
B.光學積層體 圖2係本發明一實施形態之光學積層體的概略剖面圖。光學積層體200依序具備偏光構件10、作為λ/2板發揮功能之層20a及作為λ/4板發揮功能之層20b。光學積層體200宜以使作為λ/4板發揮功能之層20b在視辨側之方式來使用。在一實施形態中,上述光學積層體在VR護目鏡等之顯示系統中,可配置於顯示元件側(例如顯示元件與透鏡部之間)來使用。如上述,上述顯示系統中,顯示元件所含之偏光構件與第一相位差構件可構成光學積層體。換言之,包含作為λ/2板發揮功能之層20a與作為λ/4板發揮功能之層20b的積層體係構成第一相位差構件20。
藉由使用上述構成之光學積層體,可獲得顯示特性優異之顯示系統。例如,在包含透鏡部之顯示系統中,若在到達透鏡部之前的光路中配置上述光學積層體,便可將圓偏光性高之光導入該顯示系統之透鏡部,結果可減低視辨到顯示影像重疊之現象、即所謂重影現象。且,可抑制漏光而可有助於高精細化。藉由將上述光學積層體組入A項中記載之顯示系統中,該等效果會很顯著。
上述光學積層體中,以極角30°、方位角0°~360°測定之波長550nm之透射光的橢圓率宜為0.77以上,較宜為0.78以上,更宜為0.80以上,又更宜為0.82以上,尤宜為0.84以上。若使用展現所述橢圓率之光學積層體,上述效果便顯著。可藉由全方位縝密地控制透射光的橢圓率來實現提升顯示特性即為上述光學積層體之成果之一。光學積層體中,以極角30°、方位角0°~360°測定之波長550nm之透射光的橢圓率越高越好,惟其上限例如為0.90(宜為0.93,較宜為0.95,更宜為0.99)。橢圓率係圓偏光之短軸/長軸的比,例如完全圓偏光時之橢圓率為1,完全直線偏光時之橢圓率為0。又,本說明書中,「橢圓率」意指橢圓率之絕對值。
本說明書中,所謂以極角30°、方位角0°~360°測定之透射光的橢圓率,係以極角30°使預定波長之光從偏光構件側入射,並針對極角30°之射出光,在方位角0°~360°範圍中按每11.25°方位角測得之橢圓率。因此,以方位角0°~360°測定之「橢圓率為X以上」,意指所得測定值32個的最小值為X。
在一實施形態中,上述光學積層體以極角30°、方位角0°~360°測定之波長450nm之透射光的橢圓率宜為0.77以上,較宜為0.80以上,更宜為0.82以上,尤宜為0.84以上。若在所述範圍內,便可獲得減少重影(ghost)現象之效果、漏光抑制效果、高精細化效果顯著之光學積層體。上述光學積層體中,以極角30°、方位角0°~360°測定之波長450nm之透射光的橢圓率越高越好,惟其上限例如為0.90(宜為0.93,較宜為0.95,更宜為0.99)。
在一實施形態中,上述光學積層體以極角30°、方位角0°~360°測定之波長650nm之透射光的橢圓率宜為0.77以上,較宜為0.80以上,更宜為0.82以上。若在所述範圍內,便可獲得減少重影(ghost)現象之效果、漏光抑制效果、高精細化效果顯著之光學積層體。上述光學積層體中,以極角30°、方位角0°~360°測定之波長650nm之透射光的橢圓率越高越好,惟其上限例如為0.90(宜為0.93,較宜為0.95,更宜為0.99)。
在一實施形態中,上述光學積層體在極角30°下,在方位角0°~360°範圍中按每11.25°方位角測定波長550nm之透射光的橢圓率時,該橢圓率的平均值為0.83以上,宜為0.84以上,更宜為0.86以上。若在所述範圍內,便可獲得減少重影(ghost)現象之效果、漏光抑制效果、高精細化效果顯著之光學積層體。在極角30°下,在方位角0°~360°範圍中按每11.25°方位角測定波長550nm之透射光的橢圓率時,該橢圓率的平均值愈高愈好,惟其上限例如為0.90(宜為0.95)。此外,在本說明書中,橢圓率的平均值意指以上述方式測定橢圓率所得之測定值32個的平均值。
在一實施形態中,上述光學積層體在極角30°下,在方位角0°~360°範圍中按每11.25°方位角測定波長450nm之透射光的橢圓率時,該橢圓率的平均值為0.80以上,宜為0.84以上,更宜為0.86以上。若在所述範圍內,便可獲得減少重影(ghost)現象之效果、漏光抑制效果、高精細化效果顯著之光學積層體。上述光學積層體中,在極角30°下,在方位角0°~360°範圍中按每11.25°方位角測定波長450nm之透射光的橢圓率時,該橢圓率的平均值愈高愈好,惟其上限例如為0.90(宜為0.95)。
在一實施形態中,上述光學積層體在極角30°下,在方位角0°~360°範圍中按每11.25°方位角測定波長650nm之透射光的橢圓率時,該橢圓率的平均值為0.80以上,宜為0.84以上,更宜為0.86以上。若在所述範圍內,便可獲得減少重影(ghost)現象之效果、漏光抑制效果、高精細化效果顯著之光學積層體。上述光學積層體中,在極角30°下,在方位角0°~360°範圍中按每11.25°方位角測定波長650nm之透射光的橢圓率時,該橢圓率的平均值愈高愈好,惟其上限例如為0.90(宜為0.95)。
在一實施形態中,上述光學積層體在極角30°下,在方位角0°~360°範圍中按每11.25°方位角測定波長550nm之透射光的橢圓率時,該橢圓率達0.85以上之數據為10個以上,宜為15個以上,較宜為20個以上,更宜為25個以上,尤宜為30個以上,最宜為32個。若在所述範圍內,便可獲得減少重影(ghost)現象之效果、漏光抑制效果、高精細化效果顯著之光學積層體。
在一實施形態中,上述光學積層體在極角30°下,在方位角0°~360°範圍中按每11.25°方位角測定波長450nm之透射光的橢圓率時,該橢圓率達0.85以上之數據為10個以上,宜為15個以上,較宜為20個以上,更宜為25個以上,尤宜為30個以上,最宜為32個。若在所述範圍內,便可獲得減少重影(ghost)現象之效果、漏光抑制效果、高精細化效果顯著之光學積層體。
在一實施形態中,上述光學積層體在極角30°下,在方位角0°~360°範圍中按每11.25°方位角測定波長650nm之透射光的橢圓率時,該橢圓率達0.85以上之數據為10個以上,宜為15個以上,較宜為20個以上,更宜為25個以上,尤宜為30個以上,最宜為32個。若在所述範圍內,便可獲得減少重影(ghost)現象之效果、漏光抑制效果、高精細化效果顯著之光學積層體。
在一實施形態中,上述光學積層體以極角0°(正面方向)測定之波長550nm之透射光的橢圓率宜為0.94以上,較宜為0.95以上,更宜為0.96以上。若在所述範圍內,便可獲得減少重影(ghost)現象之效果、漏光抑制效果、高精細化效果顯著之光學積層體。光學積層體以極角0°(正面方向)測定之波長550nm之透射光的橢圓率愈高愈好,惟其上限例如為0.99(宜為1)。
在一實施形態中,上述光學積層體以極角0°(正面方向)測定之波長450nm之透射光的橢圓率宜為0.94以上,較宜為0.95以上,更宜為0.96以上。若在所述範圍內,便可獲得減少重影(ghost)現象之效果、漏光抑制效果、高精細化效果顯著之光學積層體。光學積層體以極角0°(正面方向)測定之波長450nm之透射光的橢圓率愈高愈好,惟其上限例如為0.99(宜為1)。
在一實施形態中,上述光學積層體以極角0°(正面方向)測定之波長650nm之透射光的橢圓率宜為0.94以上,較宜為0.95以上,更宜為0.96以上。若在所述範圍內,便可獲得減少重影(ghost)現象之效果、漏光抑制效果、高精細化效果顯著之光學積層體。光學積層體以極角0°(正面方向)測定之波長650nm之透射光的橢圓率愈高愈好,惟其上限例如為0.99(宜為1)。
上述光學積層體中,「在極角30°下,在方位角0°~360°範圍中按每11.25°方位角測定波長550nm之透射光的橢圓率時,該橢圓率的平均值」(橢圓率B)相對於「以極角0°(正面方向)測定之波長550nm之透射光的橢圓率」(橢圓率A)的比(橢圓率B/橢圓率A),宜為0.85以上,較宜為0.88以上,更宜為0.9以上。若在所述範圍內,便可獲得減少重影(ghost)現象之效果、漏光抑制效果、高精細化效果顯著之光學積層體。橢圓率B/橢圓率A的上限例如為0.98(宜為0.99,較宜為1)。
在一實施形態中,從1減去上述光學積層體之消偏光指數(DI;Depolarization Index)所得之值(1-DI)為60%以上。消偏光指數可測定表示偏光作用之穆勒矩陣(下述(1))並從下述式(2)求得。表示偏光作用之穆勒矩陣係藉由使用穆勒矩陣偏光儀(Axometrics公司製,製品名「Axoscan」),在23℃下使預定波長(例如550nm)之光從光學積層體之偏光構件側入射來測定。 [數學式1]
上述光學積層體中,從1減去以極角30°、方位角0°~360°測定之波長550nm之透射光的消偏光指數(DI)所得之值(1-DI)宜為99.4%以上,較宜為99.5%以上,更宜為99.6%以上,尤宜為99.68%以上。只要在所述範圍內,本發明效果便顯著。本說明書中,以極角30°、方位角0°~360°測定之預定波長的消偏光指數(DI),係以極角30°使預定波長之光從光學積層體之偏光構件側入射,並針對極角30°之射出光,在方位角0°~360°範圍中按每11.25°方位角測得之消偏光指數的平均值。
上述光學積層體中,從1減去以極角30°、方位角0°~360°測定之波長450nm之透射光的消偏光指數(DI)所得之值(1-DI)宜為99.4%以上,較宜為99.5%以上,更宜為99.6%以上。只要在所述範圍內,本發明效果便顯著。
上述光學積層體中,從1減去以極角30°、方位角0°~360°測定之波長650nm之透射光的消偏光指數(DI)所得之值(1-DI)宜為99.4%以上,較宜為99.5%,更宜為99.6%以上。只要在所述範圍內,本發明效果便顯著。
上述光學積層體中,從1減去以極角0°(正面方向)測定之波長550nm之透射光的消偏光指數(DI)所得之值(1-DI)宜為99.5%以上,較宜為99.6%以上,更宜為99.7%以上,尤宜為99.75%以上。只要在所述範圍內,本發明效果便顯著。
上述光學積層體中,從1減去以極角0°(正面方向)測定之波長450nm之透射光的消偏光指數(DI)所得之值(1-DI)宜為99.5%以上,較宜為99.6%以上,更宜為99.7%以上。只要在所述範圍內,本發明效果便顯著。
上述光學積層體中,從1減去以極角0°(正面方向)測定之波長650nm之透射光的消偏光指數(DI)所得之值(1-DI)宜為99.4%以上,較宜為99.5%以上,更宜為99.6%以上。只要在所述範圍內,本發明效果便顯著。
(相位差構件) 如上述,光學積層體從偏光構件側起依序具備作為λ/2板發揮功能之層與作為λ/4板發揮功能之層作為相位差構件。
作為λ/2板發揮功能之層之慢軸與偏光構件之吸收軸形成之角度宜為5°~35°,較宜為10°~20°,更宜為12°~18°,尤宜為約15°。作為λ/4板發揮功能之層之慢軸與偏光構件之吸收軸形成之角度宜為55°~85°,較宜為70°~80°,更宜為72°~78°,尤宜為約75°。
作為λ/4板發揮功能之層之面內相位差Re(550)例如為100nm~200nm,可為110nm~180nm,可為130nm~160nm,亦可為135nm~155nm。
作為λ/2板發揮功能之層之面內相位差Re(550)例如為200nm~330nm,可為230nm~330nm,可為230nm~290nm,亦可為250nm~280nm。
作為λ/4板發揮功能之層宜展現相位差值隨測定光之波長而變大的逆色散波長特性。構成上述相位差構件之層之Re(450)/Re(550)例如小於1,可為0.95以下,更可小於0.90,且更可為0.85以下。構成上述相位差構件之層之Re(450)/Re(550)例如為0.75以上。作為λ/2板發揮功能之層宜展現相位差值隨測定光之波長而變大的逆色散波長特性。構成上述相位差構件之層之Re(450)/Re(550)例如小於1,可為0.95以下,更可小於0.90,且更可為0.85以下。構成上述相位差構件之層之Re(450)/Re(550)例如為0.75以上。以下,有時將作為λ/4板發揮功能之層及作為λ/2板發揮功能之層統稱為構成相位差構件之層。
在一實施形態中,構成上述相位差構件之層滿足Re(400)/Re(550)<0.85、Re(650)/Re(550)>1.03及Re(750)/Re(550)>1.05全部。構成上述相位差構件之層宜滿足選自下述中之至少1者,較宜滿足至少2者,更宜滿足全部:0.65<Re(400)/Re(550)<0.80(宜為0.7<Re(400)/Re(550)<0.75)、1.0<Re(650)/Re(550)<1.25(宜為1.05<Re(650)/Re(550)<1.20)、及1.05<Re(750)/Re(550)<1.40(宜為1.08<Re(750)/Re(550)<1.36)。
構成光學積層體中之相位差構件之層宜折射率特性展現nx>ny≧nz之關係。在此「ny=nz」不只ny與nz完全相同之情況,還包含實質上相同之情況。因此,在不損及本發明效果之範圍內可有成為ny<nz之情形。構成光學積層體中之相位差構件之層之Nz係數宜為0.9~3,較宜為0.9~2.5,更宜為0.9~1.5,尤宜為0.9~1.3。
構成光學積層體中之相位差構件之層之表面平滑性例如為0.50arcmin以下,宜為0.40arcmin以下,較宜為0.30arcmin以下,更宜為0.20arcmin以下。若在所述範圍內,便可實現視辨性優異之顯示系統。例如,藉由滿足所述表面平滑性,可提升面內相位差之均一性,結果可獲得具有優異顯示特性之顯示系統。
構成光學積層體中之相位差構件之層之厚度參差宜為1µm以下,較宜為0.8µm以下,更宜為0.6µm以下,又更宜為0.4µm以下。根據所述厚度參差,例如可良好達成上述表面平滑性。在此,厚度參差可藉由測定位於測定面內的第一部位之厚度、與從第一部位起往任意方向(例如上方向、下方向、左方向及右方向)拉開預定間隔(例如5mm~15mm)之位置之厚度來求算。
構成光學積層體中之相位差構件之層係以可滿足上述特性之任意適當之材料形成。該相位差構件例如可為樹脂薄膜之延伸薄膜或液晶化合物之定向固化層。此外,有時會將樹脂薄膜之延伸薄膜稱為相位差薄膜。
上述樹脂薄膜中所含之樹脂可列舉:聚碳酸酯系樹脂、聚酯碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯縮醛系樹脂、聚芳酯系樹脂、環狀烯烴系樹脂、纖維素系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、丙烯酸系樹脂等。該等樹脂可單獨使用,亦可組合(例如摻合、共聚)來使用。構成光學積層體中之相位差構件之層展現逆色散波長特性時,可適宜使用含聚碳酸酯系樹脂或聚酯碳酸酯系樹脂(以下有時僅稱為聚碳酸酯系樹脂)之樹脂薄膜。
只要可獲得本發明之效果,上述聚碳酸酯系樹脂便可使用任意適當之聚碳酸酯系樹脂。例如,聚碳酸酯系樹脂包含:源自茀系二羥基化合物之結構單元;源自異山梨醇系二羥基化合物之結構單元;及,源自選自於由脂環式二醇、脂環式二甲醇、二乙二醇、三乙二醇或聚乙二醇、以及伸烷基二醇或螺甘油所構成群組中之至少1種二羥基化合物之結構單元。聚碳酸酯系樹脂宜包含:源自茀系二羥基化合物之結構單元、源自異山梨醇系二羥基化合物之結構單元;源自脂環式二甲醇之結構單元;以及/或是,源自二乙二醇、三乙二醇或聚乙二醇之結構單元;更宜包含:源自茀系二羥基化合物之結構單元;源自異山梨醇系二羥基化合物之結構單元;及,源自二乙二醇、三乙二醇或聚乙二醇之結構單元。聚碳酸酯系樹脂視需要亦可包含有源自其他二羥基化合物之結構單元。此外,可適宜用於構成第一相位差構件之層的聚碳酸酯系樹脂及構成第一相位差構件之層之形成方法的詳細內容,例如記載於日本專利特開2014-10291號公報、日本專利特開2014-26266號公報、日本專利特開2015-212816號公報、日本專利特開2015-212817號公報、日本專利特開2015-212818號公報中,本說明書即援用該等公報之記載作為參考。
藉由延伸薄膜來形成作為λ/4板發揮功能之層時,其厚度例如為10µm~100µm,宜為10µm~70µm,較宜為10µm~60µm,更宜為20µm~50µm。藉由延伸薄膜來形成作為λ/2板發揮功能之層時,其厚度例如為20µm~200µm,宜為20µm~140µm,較宜為20µm~120µm,更宜為40µm~100µm。
上述液晶化合物之定向固化層係液晶化合物在層內於預定方向定向,且其定向狀態已受固定之層。此外,「定向固化層」之概念包含如後述使液晶單體硬化而得之定向硬化層。代表上,係棒狀液晶化合物沿構成光學積層體中之相位差構件之層(例如作為λ/4板發揮功能之層、作為λ/2板發揮功能之層等)之慢軸方向排列之狀態下定向(沿面定向)。棒狀液晶化合物可舉例如液晶聚合物及液晶單體。液晶化合物宜可聚合。液晶化合物若可聚合,便可使液晶化合物於定向後進行聚合,藉此固定液晶化合物之定向狀態。
上述液晶化合物之定向固化層(液晶定向固化層)可藉由下述方式來形成:對預定基材之表面施行定向處理,並於該表面塗敷含液晶化合物的塗敷液,使該液晶化合物於對應上述定向處理之方向定向,並固定該定向狀態。定向處理可採用任意適當之定向處理。具體上可舉機械性定向處理、物理性定向處理、化學性定向處理。機械性定向處理之具體例可舉磨擦處理、延伸處理。物理性定向處理之具體例可舉磁場定向處理、電場定向處理。化學性定向處理之具體例可舉斜向蒸鍍法、光定向處理。各種定向處理之處理條件可按目的採用任意適當之條件。
液晶化合物之定向可視液晶化合物之種類在能展現液晶相之溫度下進行處理來進行。藉由進行所述溫度處理,液晶化合物會變為液晶狀態,而該液晶化合物會因應基材表面之定向處理方向而定向。
在一實施形態中,定向狀態之固定係藉由冷卻依上述定向之液晶化合物來進行。當液晶化合物為聚合性或交聯性時,定向狀態之固定係藉由對依上述定向之液晶化合物施行聚合處理或交聯處理來進行。
上述液晶化合物可使用任意適當之液晶聚合物及/或液晶單體。液晶聚合物及液晶單體各自可單獨使用,亦可組合。液晶化合物之具體例及液晶定向固化層之製作方法係記載於例如日本專利特開2006-163343號公報、日本專利特開2006-178389號公報、國際公開第2018/123551號公報中。本說明書即援用該等公報之記載作為參考。
藉由液晶化合物之定向固化層來形成作為λ/4板發揮功能之層時,其厚度例如為1µm~10µm,宜為1µm~8µm,較宜為1µm~6µm,更宜為1µm~4µm。藉由液晶化合物之定向固化層來形成作為λ/2板發揮功能之層時,其厚度例如為2µm~20µm,宜為2µm~16µm,較宜為2µm~12µm,更宜為2µm~8µm。
(偏光構件) 上述偏光構件代表上可包含含二色性物質之樹脂薄膜(有時稱為吸收型偏光膜)。吸收型偏光膜之厚度例如為1µm以上且20µm以下,可為2µm以上且15µm以下,可為12µm以下,可為10µm以下,可為8µm以下,亦可為5µm以下。
上述偏光構件可由單層樹脂薄膜製作,亦可使用二層以上之積層體來製作。
由單層樹脂薄膜製作時,例如可藉由對聚乙烯醇(PVA)系薄膜、部分縮甲醛化PVA系薄膜、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等親水性高分子薄膜,施行利用碘或二色性染料等二色性物質進行之染色處理、延伸處理等,而獲得偏光構件。其中,又宜為將PVA系薄膜用碘染色並進行單軸延伸所得之偏光構件。
上述利用碘進行之染色,例如可藉由將PVA系薄膜浸漬於碘水溶液中來進行。上述單軸延伸之延伸倍率宜為3~7倍。延伸可在染色處理後進行,亦可邊染色邊進行。又,亦可延伸後再染色。視需要,對PVA系薄膜施行膨潤處理、交聯處理、洗淨處理、乾燥處理等。
作為使用上述二層以上之積層體來製作時的積層體,可列舉以下積層體:樹脂基材與積層於該樹脂基材之PVA系樹脂層(PVA系樹脂薄膜)的積層體;或者樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層的積層體。使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層的積層體而得之吸收型偏光膜,例如可藉由以下步驟來製作:將PVA系樹脂溶液塗佈於樹脂基材並使其乾燥,於樹脂基材上形成PVA系樹脂層,而獲得樹脂基材與PVA系樹脂層的積層體;以及,將該積層體進行延伸及染色而將PVA系樹脂層製成吸收型偏光膜。本實施形態中,宜於樹脂基材之單側形成含鹵化物與聚乙烯醇系樹脂之聚乙烯醇系樹脂層。延伸在代表上包含使積層體浸漬於硼酸水溶液中來延伸。並且視需求,延伸可更包含在硼酸水溶液中進行延伸前將積層體在高溫(例如95℃以上)下進行空中延伸。並且,在本實施形態中,宜將積層體供於乾燥收縮處理,該乾燥收縮處理係將積層體一邊往長邊方向輸送一邊加熱,藉此使其於寬度方向收縮2%以上。代表上,本實施形態之製造方法包含對積層體依序施行空中輔助延伸處理、染色處理、水中延伸處理及乾燥收縮處理。藉由導入輔助延伸,即便是在將PVA塗佈於熱塑性樹脂上之情況下仍可提高PVA之結晶性,而可達成高光學特性。又,同時事先提高PVA之定向性,可在後續的染色步驟或延伸步驟中浸漬於水中時,防止PVA之定向性降低或溶解等問題,而可達成高光學特性。並且,將PVA系樹脂層浸漬於液體中時,相較於PVA系樹脂層不含鹵化物之情況,可更抑制聚乙烯醇分子之定向紊亂及定向性之降低。藉此,可提升經由染色處理及水中延伸處理等將積層體浸漬於液體中來進行的處理步驟而得之吸收型偏光膜的光學特性。並且,藉由乾燥收縮處理使積層體於寬度方向收縮,可提升光學特性。所得樹脂基材/吸收型偏光膜之積層體可直接使用(即,可將樹脂基材作為吸收型偏光膜之保護層),亦可於從樹脂基材/吸收型偏光膜之積層體剝離樹脂基材後的剝離面、或於與剝離面為相反側的面積層符合目的之任意適當的保護層來使用。所述吸收型偏光膜之製造方法之詳細內容記載於例如日本專利特開2012-73580號公報、日本專利第6470455號中。本說明書中係援用該等公報整體之記載作為參考。
吸收型偏光膜之正交透射率(Tc)宜為0.5%以下,較宜為0.1%以下,更宜為0.05%以下。吸收型偏光膜之單體透射率(Ts)例如為41.0%~45.0%,宜為42.0%以上。吸收型偏光膜之偏光度(P)例如為99.0%~99.997%,宜為99.9%以上。
(其他構件) 構成上述光學積層體之各構件可透過任意適當之接著層積層。藉由透過接著層積層構件,可獲得平滑性優異之光學積層體。若使用平滑性優異之光學積層體來構成例如A項中記載之顯示系統,則即便影像被透鏡部放大,仍可實現顯示特性優異之影像顯示。
在一實施形態中,光學積層體中之相位差構件具備任意適當之接著層,而構成光學積層體中之相位差構件之層可透過接著層積層。又,相位差構件與偏光構件可透過接著層積層。藉由接著層將相位差構件與偏光構件一體化,藉此可獲得可有助於防止重影現象之光學積層體。
接著層可以接著劑形成,亦可以黏著劑形成。具體上,接著層可為接著劑層,亦可為黏著劑層。接著層之厚度例如為0.05µm~30µm。
黏著劑之具體例可列舉丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、胺甲酸酯系黏著劑、環氧系黏著劑及聚醚系黏著劑。藉由調整形成黏著劑之基底樹脂的單體的種類、數量、組合及摻混比、以及交聯劑的摻混量、反應溫度、反應時間等,可調製出具有符合目的之所期望特性的黏著劑。黏著劑之基底樹脂可單獨使用,亦可組合二種以上來使用。基底樹脂宜可使用丙烯酸系樹脂。
接著劑係在形成接著劑層之過程中其狀態從液體不可逆地變化成固體者,其具有於塗佈時具有流動性而藉由硬化處理(例如活性能量線照射、加熱)會硬化之性質。接著劑宜可使用硬化型接著劑。具體而言,接著劑層宜為樹脂之硬化層。硬化型接著劑宜可使用紫外線硬化型接著劑。
上述紫外線硬化型接著劑包含具有(甲基)丙烯醯基之化合物、具有乙烯基之化合物等硬化性單體作為硬化性單體。宜可使用具有(甲基)丙烯醯基之化合物。在此,(甲基)丙烯醯基係指丙烯醯基及/或甲基丙烯醯基。
上述相位差構件所含之接著劑層之厚度例如為0.5µm以上且3µm以下,宜為2µm以下,較宜為1.3µm以下,更宜為1.1µm以下,尤宜為0.9µm以下。根據所述厚度,可獲得平滑性極優異之光學積層體。
上述光學積層體亦可更具有折射率特性可展現nz>nx=ny之關係的構件(所謂正C板)。正C板例如可配置於相位差構件之與偏光構件相反的一側(即作為λ/4板發揮功能之層之與作為λ/2板發揮功能之層相反的一側)。藉由配置正C板,可獲得射出光之橢圓率更高之光學積層體。
正C板之厚度方向的相位差Rth(550)宜為-20nm~-200nm,較宜為-30nm~-180nm,更宜為-40nm~-160nm,尤宜為-50nm~-140nm。在此,「nx=ny」不僅包含nx與ny嚴格上相等之情況,還包含nx與ny實質上相等之情況。正C板之面內相位差Re(550)例如小於10nm。
正C板係以可滿足上述特性之任意適當之材料形成。正C板例如可為樹脂薄膜或液晶化合物之定向固化層。
構成正C板之樹脂薄膜之材料代表上可舉具有負雙折射之樹脂材料。具有負雙折射之樹脂係一顯示進行單軸延伸時與延伸方向成直角方向之折射率達最大之性質的樹脂。具有負雙折射之樹脂可舉例如側鏈導入有芳香環或羰基等極化各向異性大的化學鍵或官能基之樹脂。具有負雙折射之樹脂的具體例可舉丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、馬來醯亞胺系樹脂、改質聚烯烴系樹脂、延胡索酸酯系樹脂等,其具體例可參照日本專利特開2021-076759號公報、日本專利特表2008-544304號公報、日本專利特表2008-544317號公報等中記載之具有負雙折射之樹脂。上述樹脂材料可單獨使用或可組合二種以上來使用。
構成正C板之樹脂薄膜視需求可進一步含有任意適當之添加劑。添加劑之具體例可列舉:塑化劑、熱穩定劑、光穩定劑、滑劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、阻燃劑、著色劑、抗靜電劑、增容劑、交聯劑、增稠劑等。添加劑之種類及含量可按目的適當設定。樹脂薄膜中之添加劑含量例如為3重量%~10重量%左右。
在一實施形態中,可將上述樹脂材料製成薄膜狀後直接作為正C板使用。具體而言,可不將製膜出之膜延伸便直接作為正C板使用。例如,若將包含上述樹脂材料之樹脂溶液塗佈於支持體上(利用溶液製膜法)來製膜,樹脂溶液在支持體上乾燥時會因體積收縮而產生應力,而有聚合物之分子鏈於面內方向定向之傾向。若使用雙折射展現性高且具有負固有雙折射之樹脂材料,便可藉由乾燥時之收縮作用,於支持體上形成具有大的厚度方向雙折射之塗膜。然後,可將所形成之塗膜直接作為正C板使用。
以樹脂薄膜構成之正C板之厚度例如為1µm~40µm,宜為3µm~35µm,較宜為5µm~30µm。
構成正C板之液晶化合物的定向固化層可適宜例示固定成垂面定向之液晶材料的定向固化層。可使垂面定向的液晶材料(液晶化合物)可為液晶單體,亦可為液晶聚合物。所述液晶化合物及正C板之形成方法的具體例可舉日本專利特開2002-333642號公報之段落[0020]~[0028]中記載之液晶化合物及該相位差層之形成方法。
以液晶化合物之定向固化層構成之正C板之厚度宜為0.5µm~10µm,較宜為0.5µm~8µm,更宜為0.5µm~5µm。
上述光學積層體亦可具備有保護構件。保護構件可配置於與偏光構件為相反側的最外側。在一實施形態中,該保護構件係抗反射保護構件。
保護構件宜以具有基材與形成於基材上之表面處理層的積層薄膜構成。積層薄膜之厚度宜為10µm~80µm,較宜為15µm~60µm,更宜為20µm~45µm。表面處理層之厚度宜為0.5µm~10µm,較宜為1µm~7µm,更宜為2µm~5µm。
表面處理層代表上包含硬塗層。硬塗層代表上係藉由於基材塗佈硬塗層形成材料並使塗佈層硬化來形成。硬塗層形成材料代表上包含作為層形成成分之硬化性化合物。硬化性化合物之硬化機制可舉例如熱硬化型、光硬化型。硬化性化合物可舉例如單體、寡聚物、預聚物。宜可使用多官能單體或寡聚物作為硬化性化合物。多官能單體或寡聚物可列舉例如具有2個以上(甲基)丙烯醯基之單體或寡聚物、胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯或胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯之寡聚物、環氧系單體或寡聚物、聚矽氧系單體或寡聚物。
硬塗層之厚度宜為0.5µm~10µm,較宜為1µm~7µm,更宜為2µm~5µm。
表面處理層宜包含機能層。機能層宜作為抗反射層發揮功能。具備抗反射層之保護構件可為上述抗反射保護構件。在理想實施形態中,表面處理層係從上述基材側起依序包含上述硬塗層與抗反射層。機能層之厚度宜為0.05µm~10µm,較宜為0.1µm~5µm,更宜為0.1µm~2µm。
具有表面處理層之保護構件可配置成表面處理層位於前方側。具體而言,表面處理層可位於光學積層體之最表面。在一實施形態中,保護構件之表面處理層側表面在波長420nm至680nm之範圍中的5°正常反射率光譜的最大值宜為2.0%以下,較宜為1.2%以下,更宜為1.0%以下,尤宜為0.8%以下。在此,5°正常反射率例如可使用下述方式測定:使用黏著劑將測定對象貼附於黑壓克力板而製出測定試樣,測定裝置係使用光譜光度計(Hitachi High-Tech公司製,商品名「U-4100」),且將光對測定試樣之入射角設為5°。
實施例 以下,藉由實施例來具體說明本發明,惟本發明不受該等實施例所限。此外,實施例等中之試驗及評估方法如下。此外,記載為「份」時,只要無特別說明事項即指「重量份」,而記載為「%」時,只要無特別說明事項即指「重量%」。
(1)厚度 10µm以下之厚度係使用掃描型電子顯微鏡(日本電子公司製,製品名「JSM-7100F」)進行測定。大於10µm之厚度係使用數位測微器(Anritsu公司製,製品名「KC-351C」)進行測定。 (2)面內相位差Re(λ) 使相位差薄膜之寬度方向中央部及兩端部中之一邊與該薄膜之寬度方向平行後裁切成寬度50mm、長度50mm之正方形狀,製出試料。使用穆勒矩陣偏光儀(Axometrics公司製,製品名「Axoscan」),測定該試料在23℃下在各波長下之面內相位差。 (3)偏光薄膜之單體透射率及偏光度 使用光譜光度計(大塚電子公司製,「LPF-200」),測定偏光薄膜之單體透射率Ts、平行透射率Tp、正交透射率Tc。該等Ts、Tp及Tc係以JIS Z8701之2度視野(C光源)進行測定並進行視感度校正後之Y值。從所得Tp及Tc利用下述式求算偏光薄膜之偏光度。 偏光度(%)={(Tp-Tc)/(Tp+Tc)} 1/2×100 (4)表面平滑性 使用相位移式雷射干涉計(Zygo公司製,製品名「DynaFiz」)測定相位差薄膜之平滑性。具體而言,係以不使異物或氣泡、變形的條痕進入之方式,將相位差薄膜層合於載玻片(松浪硝子工業公司製,製品名「S200200」)上。接著,為了去除微小氣泡的影響,利用加壓脫泡裝置(高壓釜)進行了脫泡。脫泡條件設為50℃、0.5MPa、30分鐘。脫泡後,在室溫下自然冷卻30分鐘以上,而獲得測定試料。 於附防振台之測定台載置測定試樣,使用單一波長(波長633nm)之雷射,使其與已確保平坦度之基準器進行干涉,測定預定區域(30mmφ之圓)內之相對位移。關於解析,係將挑選出0.1/mm~1/mm頻率之值而得之角度的指標「Slope magnitude RMS」乘以2倍後,將所得之值(相當於2σ)定義為相位差薄膜之平滑性(單位:arcmin)。
[製造例1-1:相位差薄膜1之製作] 於由2台具備有攪拌葉片及控制成100℃之回流冷卻器的直立型反應器構成之批次聚合裝置中,饋入雙[9-(2-苯氧基羰基乙基)茀-9-基]甲烷29.60重量份(0.046mol)、異山梨醇(ISB)29.21重量份(0.200mol)、螺甘油(SPG)42.28重量份(0.139mol)、碳酸二苯酯(DPC)63.77重量份(0.298mol)及作為觸媒的乙酸鈣一水合物1.19×10 -2重量份(6.78×10 -5mol)。將反應器內進行減壓氮置換後,以熱介質加溫,並於內溫達100℃之時間點開始攪拌。於升溫開始40分鐘後使內溫達到220℃,控制維持該溫度的同時開始減壓,在達到220℃後以90分鐘使其成為13.3kPa。將與聚合反應一同副生成之苯酚蒸氣導入100℃之回流冷卻器,使苯酚蒸氣中所含些許量之單體成分返回反應器,並將未凝聚之苯酚蒸氣導入45℃的凝聚器中回收。將氮導入第1反應器並暫時使其回復到大氣壓後,將第1反應器內經寡聚化之反應液移至第2反應器。接著,開始進行第2反應器內之升溫及減壓,並以50分鐘使內溫成為240℃、壓力成為0.2kPa。然後,進行聚合至達到預定之攪拌功率。在達到預定功率之時間點將氮導入反應器並回復壓力,將所生成之聚酯碳酸酯系樹脂擠出至水中,裁切束狀物而獲得丸粒。 將所得聚酯碳酸酯系樹脂(丸粒)在80℃下真空乾燥5小時後,使用具備單軸擠製機(東芝機械公司製,缸筒設定溫度:250℃)、T型模(寬200mm,設定溫度:250℃)、冷卻輥(設定溫度:120~130℃)及捲取機之薄膜製膜裝置,製出厚度130µm之長條狀樹脂薄膜。將所得長條狀樹脂薄膜以延伸溫度140℃、延伸倍率2.7倍往寬度方向延伸。 依上述方式,而獲得厚度為47µm、Re(590)為140nm且Nz係數為1.2之相位差薄膜1(λ/4板)。所得相位差薄膜1之Re(450)/Re(550)為0.856,展現逆色散波長特性。 又,該薄膜之表面平滑性為0.25arcmin。
[製造例1-2:相位差薄膜2之製作] 依與製造例1-1相同方式而獲得聚酯碳酸酯系樹脂(丸粒)。 將所得聚酯碳酸酯系樹脂(丸粒)在80℃下真空乾燥5小時後,使用具備單軸擠製機(東芝機械公司製,缸筒設定溫度:250℃)、T型模(寬200mm,設定溫度:250℃)、冷卻輥(設定溫度:120~130℃)及捲取機之薄膜製膜裝置,製出厚度260µm之長條狀樹脂薄膜。將所得長條狀樹脂薄膜以延伸溫度140℃、延伸倍率2.7倍往寬度方向延伸。 依上述方式,而獲得厚度為91µm、Re(590)為270nm且Nz係數為1.2之相位差薄膜2(λ/2板)。所得相位差薄膜2之Re(450)/Re(550)為0.859,展現逆色散波長特性。 又,該薄膜之表面平滑性為0.35arcmin。
[製造例1-3:相位差層(液晶化合物之定向固化層)3之製作] 將式(I)所示化合物55重量份、式(II)所示化合物25重量份及式(III)所示化合物20重量份加入環戊酮(CPN)400重量份後,加溫至60℃並攪拌使其溶解。然後,將上述化合物之溶液恢復至室溫,並於上述化合物之溶液中添加IRGACURE 907(BASF Japan公司製)3重量份、MEGAFACE F-554(DIC公司製)0.2重量份及對甲氧酚(MEHQ)0.1重量份後,進一步攪拌。攪拌後的溶液透明且均勻。將所得溶液以0.20µm之膜濾器過濾而獲得聚合性組成物。 又,使用旋塗法將定向膜用聚醯亞胺溶液塗佈於厚度0.7mm之玻璃基材上,並在100℃下乾燥10分鐘後,以200℃燒成60分鐘,藉此獲得塗膜。利用市售之摩擦裝置對所得塗膜進行摩擦處理,形成定向膜。 接著,以旋塗法將上述所得聚合性組成物塗佈於基材(實質上為定向膜)上,並在100℃下乾燥2分鐘。將所得塗佈膜冷卻至室溫後,使用高壓水銀燈以30mW/cm 2之強度照射紫外線30秒鐘,而獲得作為液晶化合物之定向固化層的相位差層(厚度:3µm)。相位差層之面內相位差Re(590)為140nm。且,相位差層之Re(450)/Re(550)為0.851,展現逆色散波長特性。該相位差層可作為λ/4板發揮功能。 又,該相位差層之表面平滑性為0.16arcmin。
[化學式1] [化學式2]
[製造例1-4:相位差層(液晶化合物之定向固化層)4之製作] 除了將相位差層之厚度設為6µm外,依與製造例1-3相同方式而獲得相位差層。該相位差層之面內相位差Re(590)為270nm。且,該相位差層之Re(450)/Re(550)為0.851,展現逆色散波長特性。該相位差層可作為λ/2板發揮功能。 又,該相位差層之表面平滑性為0.22arcmin。
[製造例1-5:相位差薄膜5之製作] 以使面內相位差Re(590)為140nm之方式調整延伸倍率及延伸溫度並將長條降𦯉烯系樹脂薄膜(日本ZEON公司製,商品名Zeonor,厚度40µm)進行自由端縱延伸,藉此製出厚度33µm之相位差薄膜5(λ/4板)。依上述方式獲得之相位差薄膜5具有nx>ny=nz之折射率。又,相位差層之Re(450)/Re(550)為1.004,大約展現平坦色散波長特性。 又,該薄膜之表面平滑性為0.32arcmin。
[製造例1-6:相位差薄膜6之製作] 以使面內相位差Re(590)為270nm之方式調整延伸倍率及延伸溫度並將長條降𦯉烯系樹脂薄膜(日本ZEON公司製,商品名Zeonor,厚度50µm)進行自由端縱延伸,藉此製出厚度33µm之相位差薄膜6(λ/2板)。依上述方式獲得之相位差薄膜6具有nx>ny=nz之折射率。又,相位差層之Re(450)/Re(550)為1.004,大約展現平坦色散波長特性。 又,該薄膜之表面平滑性為0.42arcmin。
[製造例1-7:相位差層(液晶化合物之定向固化層)7之製作] 將展現向列型液晶相的聚合性液晶(BASF公司製:商品名「PaliocolorLC242」)10g與對該聚合性液晶化合物的光聚合引發劑(BASF公司製:商品名「IRGACURE 907」)3g溶解至甲苯40g中,調製出液晶組成物(塗敷液)。 使用擦拭布擦拭聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(厚度38µm)表面,施行定向處理。 利用棒塗機將上述液晶塗敷液塗敷於該定向處理表面,並在90℃下加熱乾燥2分鐘,藉此使液晶化合物定向。 使用金屬鹵素燈對依上述方式形成之液晶層照射1mJ/cm 2的光,使該液晶層硬化,藉此於PET薄膜上形成作為液晶定向固化層的相位差層。 相位差層之厚度為1.5µm,面內相位差Re(590)為140nm。 並且,相位差層展現nx>ny=nz之折射率特性。且,相位差層之Re(450)/Re(550)為1.089,展現正色散波長特性。該相位差層可作為λ/4板發揮功能。 又,該薄膜之表面平滑性為0.18arcmin。
[製造例1-8:相位差層(液晶化合物之定向固化層)8之製作] 除了將相位差層之厚度設為2.5µm外,依與製造例1-7相同方式而獲得面內相位差Re(590)為270nm之相位差層。相位差層展現nx>ny=nz之折射率特性。且,相位差層之Re(450)/Re(550)為1.089,展現正色散波長特性。該相位差層可作為λ/2板發揮功能。
[製造例1-9:相位差薄膜(正C板)9之製作] 於具備攪拌機、冷卻管、氮導入管及溫度計之高壓釜中,加入羥丙基甲基纖維素(信越化學製,商品名METOLOSE 60SH-50」)48重量份、蒸餾水15601重量份、延胡索酸二異丙酯8161重量份、丙烯酸3-乙-3-氧雜環丁烷基甲酯240重量份及聚合引發劑之過氧化三甲基乙酸三級丁酯45重量份,進行氮起泡1小時後,一邊攪拌一邊在49℃下維持24小時,藉此進行了自由基懸浮聚合。 接著,冷卻至室溫,將所生成之含聚合物粒子的懸浮液進行離心分離。將所得聚合物以蒸餾水洗淨2次及以甲醇洗淨2次後,進行減壓乾燥。將所得延胡索酸酯系樹脂溶解於甲苯-甲基乙基酮混合溶液(甲苯/甲基乙基酮50重量%/50重量%)中,製成20%溶液。 並且,相對於延胡索酸酯系樹脂100重量份,添加偏苯三甲酸三丁酯5重量份作為塑化劑,調製出塗料(dope)。 支持體薄膜係使用聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯/聚間苯二甲酸乙二酯共聚物)之雙軸延伸薄膜(厚度75µm)。以使乾燥後之膜厚為20µm之方式將調製出之塗料(dope)塗佈於支持體薄膜上,並使其在140℃下乾燥。 乾燥後之塗膜(正C板)為Re(590)≒0nm、Rth(590)=-83nm。又,相位差層之Rth(450)/Rth(550)為1.012,展現正色散波長特性。
[製造例2:偏光薄膜之製作] 熱塑性樹脂基材係使用長條狀且Tg約75℃之非晶質間苯二甲酸共聚聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度:100µm),並對樹脂基材之單面施行了電暈處理。 於以9:1混合聚乙烯醇(聚合度4200,皂化度99.2莫耳%)及乙醯乙醯基改質PVA(Mitsubishi Chemical Co.製,商品名「GOHSENX Z410」)而成之PVA系樹脂100重量份中添加碘化鉀13重量份,並將所得者溶於水中而調製出PVA水溶液(塗佈液)。 於樹脂基材之電暈處理面塗佈上述PVA水溶液並在60℃下乾燥,藉此形成厚度13µm之PVA系樹脂層,而製出積層體。 將所得積層體於130℃之烘箱內往縱向(長邊方向)進行單軸延伸成2.4倍(空中輔助延伸處理)。 接著,使積層體浸漬於液溫40℃的不溶解浴(相對於水100重量份摻混4重量份之硼酸而得之硼酸水溶液)中30秒鐘(不溶解處理)。 接著,於液溫30℃的染色浴(相對於水100重量份,以1:7之重量比摻混碘與碘化鉀而得之碘水溶液)中調整濃度的同時使其浸漬於其中60秒鐘,以使最後所得吸收型偏光膜的單體透射率(Ts)成為所期望之值(染色處理)。 接著,使其浸漬於液溫40℃的交聯浴(相對於水100重量份摻混3重量份之碘化鉀並摻混5重量份之硼酸而得之硼酸水溶液)中30秒鐘(交聯處理)。 然後,一邊使積層體浸漬於液溫70℃之硼酸水溶液(硼酸濃度4重量%、碘化鉀濃度5重量%)中,一邊在周速相異之輥間往縱向(長邊方向)進行單軸延伸以使總延伸倍率達5.5倍(水中延伸處理)。 之後,使積層體浸漬於液溫20℃的洗淨浴(相對於水100重量份摻混4重量份之碘化鉀而得之水溶液)中(洗淨處理)。 之後,一邊在保持於約90℃之烘箱中乾燥,一邊使其接觸表面溫度保持於約75℃之SUS製加熱輥(乾燥收縮處理)。積層體進行乾燥收縮處理所致之寬度方向之收縮率為5.2%。 經由以上程序,於樹脂基材上形成了厚度約5µm之吸收型偏光膜。 於所得吸收型偏光膜之表面(與樹脂基材為相反側之面),透過紫外線硬化型接著劑貼合作為保護層之環烯烴系樹脂薄膜(厚度:25µm)。具體而言,係塗敷成硬化型接著劑之總厚度成為約1µm,並使用輥軋機進行貼合。然後,從環烯烴系樹脂薄膜側照射UV光線使接著劑硬化。接著,剝離樹脂基材。 藉此,獲得具有環烯烴系樹脂薄膜/吸收型偏光膜之構成的偏光薄膜。偏光薄膜之單體透射率(Ts)為43.4%,偏光度為99.993%。
[實施例1] 依序積層製造例2所得之偏光薄膜、相位差薄膜2(λ/2板)及相位差薄膜1(λ/4板)而獲得光學積層體。 相鄰之薄膜係透過丙烯酸系黏著劑層(日東電工公司製,厚度5µm)疊合。疊合時,各相位差薄膜之慢軸與偏光薄膜之吸收軸的關係在從相位差薄膜1(λ/4板)觀看時令偏光薄膜之吸收軸方向為基準(0°)時,相位差薄膜2(λ/2板)之慢軸方向的角度係設為15°,相位差薄膜1(λ/4板)之慢軸方向的角度係設為75°。
[實施例2] 積層製造例2所得之偏光薄膜、相位差層4(λ/2板)及相位差層3(λ/4板)而獲得光學積層體。 相鄰之要素係透過丙烯酸系黏著劑層(日東電工公司製,厚度5µm)疊合。疊合時,各相位差薄膜之慢軸與偏光薄膜之吸收軸的關係在從相位差層3(λ/4板)觀看時令偏光薄膜之吸收軸方向為基準(0°)時,相位差層4(λ/2板)之慢軸方向的角度係設為15°,相位差層3(λ/4板)之慢軸方向的角度係設為75°。
[實施例3] 積層製造例2所得之偏光薄膜、相位差薄膜2(λ/2板)、相位差薄膜1(λ/4板)及相位差薄膜9而獲得光學積層體。 相鄰之要素係透過丙烯酸系黏著劑層(日東電工公司製,厚度5µm)疊合。疊合時,各相位差薄膜之慢軸與偏光薄膜之吸收軸的關係在從相位差薄膜1(λ/4板)觀看時令偏光薄膜之吸收軸方向為基準(0°)時,相位差薄膜2(λ/2板)之慢軸方向的角度係設為15°,相位差薄膜1(λ/4板)之慢軸方向的角度係設為75°。
[實施例4] 積層製造例2所得之偏光薄膜、相位差層4(λ/2板)、相位差層3(λ/4板)及相位差薄膜9而獲得光學積層體。 相鄰之要素係透過丙烯酸系黏著劑層(日東電工公司製,厚度5µm)疊合。疊合時,各相位差層之慢軸與偏光薄膜之吸收軸的關係在從相位差層3(λ/4板)觀看時令偏光薄膜之吸收軸方向為基準(0°)時,相位差層4(λ/2板)之慢軸方向的角度係設為15°,相位差層3(λ/4板)之慢軸方向的角度係設為75°。
[實驗例1] 積層製造例2所得之偏光薄膜、相位差薄膜6(λ/2板)及相位差薄膜5(λ/4板)而獲得光學積層體。 相鄰之薄膜係透過丙烯酸系黏著劑層(日東電工公司製,厚度5µm)疊合。疊合時,各相位差薄膜之慢軸與偏光薄膜之吸收軸的關係在從相位差薄膜5(λ/4板)觀看時令偏光薄膜之吸收軸方向為基準(0°)時,相位差薄膜6(λ/2板)之慢軸方向的角度係設為15°,相位差薄膜5(λ/4板)之慢軸方向的角度係設為75°。
[實驗例2] 積層製造例2所得之偏光薄膜、相位差薄膜6(λ/2板)、相位差薄膜5(λ/4板)及相位差薄膜9而獲得光學積層體。 相鄰之薄膜係透過丙烯酸系黏著劑層(日東電工公司製,厚度5µm)疊合。疊合時,各相位差薄膜之慢軸與偏光薄膜之吸收軸的關係在從相位差薄膜5(λ/4板)觀看時令偏光薄膜之吸收軸方向為基準(0°)時,相位差薄膜6(λ/2板)之慢軸方向的角度係設為15°,相位差薄膜5(λ/4板)之慢軸方向的角度係設為75°。
[實驗例3] 積層製造例2所得之偏光薄膜、相位差層8(λ/2板)及相位差層7(λ/4板)而獲得光學積層體。 相鄰之要素係透過丙烯酸系黏著劑層(日東電工公司製,厚度5µm)疊合。疊合時,各相位差薄膜之慢軸與偏光薄膜之吸收軸的關係在從相位差層7(λ/4板)觀看時令偏光薄膜之吸收軸方向為基準(0°)時,相位差層8(λ/2板)之慢軸方向的角度係設為15°,相位差層7(λ/4板)之慢軸方向的角度係設為75°。
[實驗例4] 積層製造例2所得之偏光薄膜、相位差層8(λ/2板)、相位差層7(λ/4板)及相位差薄膜9而獲得光學積層體。 相鄰之要素係透過丙烯酸系黏著劑層(日東電工公司製,厚度5µm)疊合。疊合時,各相位差薄膜之慢軸與偏光薄膜之吸收軸的關係在從相位差層7(λ/4板)觀看時令偏光薄膜之吸收軸方向為基準(0°)時,相位差層8(λ/2板)之慢軸方向的角度係設為15°,相位差層7(λ/4板)之慢軸方向的角度係設為75°。
<評估> 針對各實施例進行下述評估。 1.橢圓率 使用穆勒矩陣偏光儀(Axometrics公司製,製品名「Axoscan」),在23℃下使預定波長(450nm、550nm、650nm)之光從光學積層體之偏光構件側入射並從相位差構件射出,再測定射出之光的橢圓率。 將入射角及射出角設為極角30°,在方位角0°~360°之範圍中按每11.25°方位角測定橢圓率。 將32個測定值的最小值及平均值、以及達0.85以上之數據的個數列示於表1。 又,將入射角及射出角設為極角0,測定橢圓率。將測定值列示於表1。
[表1]
2.消偏光性 使用穆勒矩陣偏光儀(Axometrics公司製,製品名「Axoscan」),在23℃下使預定波長(450nm、550nm、650nm)之光從光學積層體之偏光構件側入射而得穆勒矩陣,藉由下述式從所得穆勒矩陣求出消偏光指數(DI),並藉由從1減去消偏光指數(DI)所得之值(1-DI)來評估消偏光性。 [數學式2] 消偏光指數(DI)係求出以極角30°、方位角0°~360°測定之預定波長之透射光的消偏光指數(DI)、與以極角0°(正面方向)測定之預定波長之透射光的消偏光指數(DI)。以極角30°、方位角0°~360°測定之預定波長之透射光的消偏光指數(DI),係採用針對極角30°之射出光,在方位角0°~360°範圍中按每11.25°方位角測得之消偏光指數的平均值。 將結果列示於表2。
[表2]
產業上之可利用性 本發明實施形態之顯示系統例如可用於VR護目鏡等之顯示體。
2:顯示系統 4:透鏡部 10:偏光構件 12:顯示元件 12a:顯示面 14:反射部 16:第一透鏡部 18:半反射鏡 20:第一相位差構件 20a:作為λ/2板發揮功能之層 20b:作為λ/4板發揮功能之層 22:第二相位差構件 24:第二透鏡部 26:使用者之眼睛 200:光學積層體
圖1係示意圖,其係顯示本發明一實施形態之顯示系統之概略構成。 圖2係本發明一實施形態之光學積層體的概略剖面圖。
2:顯示系統
4:透鏡部
12:顯示元件
12a:顯示面
14:反射部
16:第一透鏡部
18:半反射鏡
20:第一相位差構件
22:第二相位差構件
24:第二透鏡部
26:使用者之眼睛

Claims (13)

  1. 一種顯示系統,係對使用者顯示影像者,其具備: 顯示元件,其係將顯示影像之光經由偏光構件朝前方射出且具有顯示面; 反射部,係配置於前述顯示元件之前方,且包含反射型偏光構件,該反射部係反射從前述顯示元件射出之光; 第一透鏡部,係配置於前述顯示元件與前述反射部之間的光路上; 半反射鏡,係配置於前述顯示元件與前述第一透鏡部之間,該半反射鏡係使從前述顯示元件射出之光透射,並使經前述反射部反射之光朝前述反射部反射; 第一相位差構件,係配置於前述顯示元件與前述半反射鏡之間的光路上;及 第二相位差構件,係配置於前述半反射鏡與前述反射部之間的光路上;並且 前述偏光構件與前述第一相位差構件構成光學積層體;且 前述光學積層體依序具備偏光構件、作為λ/2板發揮功能之層及作為λ/4板發揮功能之層。
  2. 一種光學積層體,係用於如請求項1之顯示系統者,前述光學積層體依序具備偏光構件、作為λ/2板發揮功能之層及作為λ/4板發揮功能之層。
  3. 如請求項2之光學積層體,其中前述作為λ/2板發揮功能之層之面內相位差Re(550)為230nm~330nm。
  4. 如請求項2之光學積層體,其中前述作為λ/4板發揮功能之層之面內相位差Re(550)為100nm~200nm。
  5. 如請求項2之光學積層體,其中前述作為λ/2板發揮功能之層之慢軸與前述偏光構件之吸收軸形成的角度為5°~35°。
  6. 如請求項2之光學積層體,其中前述作為λ/4板發揮功能之層之慢軸與前述偏光構件之吸收軸形成的角度為55°~85°。
  7. 如請求項2之光學積層體,其中前述作為λ/2板發揮功能之層展現逆色散波長特性。
  8. 如請求項2之光學積層體,其中前述作為λ/4板發揮功能之層展現逆色散波長特性。
  9. 如請求項2之光學積層體,其更具備折射率特性展現nz>nx=ny之關係的構件;且 前述折射率特性展現nz>nx=ny之關係的構件係配置於前述作為λ/4板發揮功能之層之與前述作為λ/2板發揮功能之層相反的一側。
  10. 如請求項2之光學積層體,其更具備抗反射保護構件;且 前述抗反射保護構件係配置於與前述偏光構件為相反側的最外側。
  11. 如請求項2之光學積層體,其從1減去以極角0°測定之波長550nm之透射光的消偏光指數(DI)所得之值(1-DI)為99.5%以上。
  12. 如請求項2之光學積層體,其從1減去以極角30°、方位角0°~360°測定之波長550nm之透射光的消偏光指數(DI)所得之值(1-DI)為99.4%以上。
  13. 如請求項2之光學積層體,其係作為前述第一相位差構件而用於具有以下程序之顯示方法: 使經由偏光構件射出之顯示影像的光通過第一相位差構件之程序; 使通過前述第一相位差構件之光通過半反射鏡及第一透鏡部之程序; 使通過前述半反射鏡及前述第一透鏡部之光通過前述第二相位差構件之程序; 使通過前述第二相位差構件之光藉反射型偏光構件朝前述半反射鏡反射之程序;以及 使經前述反射型偏光構件及前述半反射鏡反射之光可藉由前述第二相位差構件而透射前述反射型偏光構件之程序。
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