TW202514158A - 光學積層體及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之課題在於提供一種可抑制液晶相位差層產生傷痕的光學積層體。

作為解決課題之手段，係一種光學積層體，其具備黏接著劑層及附基材之第1液晶相位差層。黏接著劑層為光硬化型的黏接著劑組成物之硬化物層。附基材之第1液晶相位差層中，從黏接著劑層側開始依序具備第1液晶相位差層及第1基材層。第1液晶相位差層具有包含聚合性液晶化合物之聚合物的第1聚合物層。第1基材層相對於第1液晶相位差層可剝離。附基材之第1液晶相位差層在波長317nm的透光率Tx為20%以上。

Description

光學積層體及其製造方法

本發明係關於光學積層體及其製造方法。

作為具有抗反射性能的光學積層體，已知包含偏光元件及相位差元件的圓偏光板。作為圓偏光板所具備的相位差元件，有時會使用具有聚合物層的液晶相位差層，該聚合物層係聚合性液晶化合物之聚合物的層。液晶相位差層之聚合物層，可藉由在基材層上或形成於基材層上的配向層上塗佈含聚合性液晶化合物的組成物而形成塗佈層，並藉由對於該塗佈層照射活性能量線以使聚合性液晶化合物聚合而得(例如專利文獻1)。液晶相位差層係在被基材層支撐的狀態下與構成偏光板或其他液晶相位差層等光學積層體的光學膜貼合，之後再將基材層剝離去除。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2020-52365號公報

為了對應有機EL顯示裝置等顯示裝置中所應用之光學積層體的薄型化要求，有時會使用光硬化型接著劑以將光學積層體的各層之間貼合。例如，隔著光硬化型接著劑將由基材層所支撐之液晶相位差層與光學膜積層的情況，有時會藉由從基材層側照射光而使光硬化型接著劑硬化後，再將基材層剝離去除，藉此製造光學積層體。通常係一邊將由基材層所支撐之液晶相位差層及光學膜進行輸送一邊製造光學積層體，而將基材層剝離所得之積層體亦是一邊進行輸送一邊被送至製品加工。在如此進行製品加工時，可能會在因基材層剝離而露出的液晶相位差層上產生傷痕。

本發明之目的在於提供一種具備屬於光硬化型黏接著劑組成物之硬化物層的黏接著劑層及液晶相位差層並且可抑制在液晶相位差層產生傷痕的光學積層體及其製造方法。

本發明提供以下的光學積層體及其製造方法。

[1]一種光學積層體，其係具備黏接著劑層及附基材之第1液晶相位差層的光學積層體，其中，

前述黏接著劑層為光硬化型黏接著劑組成物的硬化物層，

前述附基材之第1液晶相位差層中，從前述黏接著劑層側開始依序具備第1液晶相位差層及第1基材層，

前述第1液晶相位差層具有包含聚合性液晶化合物之聚合物的第1聚合物層；

前述第1基材層相對於前述第1液晶相位差層可剝離，

前述附基材之第1液晶相位差層在波長317nm的透光率Tx為20%以上。

[2]如[1]所述之光學積層體，其中，前述第1基材層在波長317nm的透光率Ts為20%以上。

[3]如[1]或[2]所述之光學積層體，其中，前述第1基材層為薄膜基材，構成前述薄膜基材的樹脂為三乙醯基纖維素。

[4]如[1]至[3]中任一項之光學積層體，其中，前述第1基材層的厚度為40μm以下。

[5]如[1]至[4]中任一項之光學積層體，其中，前述第1液晶相位差層為正波長分散性。

[6]如[1]至[5]中任一項之光學積層體，其中，前述第1液晶相位差層為前述第1聚合物層。

[7]如[1]至[6]中任一項之光學積層體，其中，前述黏接著劑組成物包含光聚合起始劑；

前述黏接著劑層中的光聚合起始劑之殘留量為0.050質量%以下。

[8]如[1]至[7]中任一項之光學積層體，其中，前述黏接著劑層的厚度為2μm以上。

[9]如[1]至[8]中任一項之光學積層體，其中，前述黏接著劑組成物包含光聚合起始劑，

前述光聚合起始劑在波長280nm以上340nm以下的範圍具有極大吸收波長。

[10]如[1]至[9]中任一項之光學積層體，其中，在前述黏接著劑層之與前述第1液晶相位差層側的相反側更具有光學膜。

[11]如[10]所述之光學積層體，其中，前述光學膜含有含偏光元件之偏光板及第2液晶相位差層之中的至少一者；

前述第2液晶相位差層具有包含聚合性液晶化合物之聚合物的第2聚合物層。

[12]如[10]或[11]所述之光學積層體，其中，前述光學膜的透光率Ty與前述附基材之第1液晶相位差層的前述透光率Tx相同或是比其更小。

[13]一種光學積層體的製造方法，其係如[1]至[12]中任一項之光學積層體的製造方法，其包含：

步驟(S1)，在前述附基材之第1液晶相位差層的前述第1液晶相位差層側形成前述黏接著劑組成物的塗佈層；及

步驟(S2)，隔著前述附基材之第1液晶相位差層對於在前述步驟(S1)中形成的前述塗佈層照射光，藉此形成前述黏接著劑層。

[14]如[13]所述之光學積層體的製造方法，其中，前述光線為紫外線，

前述步驟(S2)中對於前述塗佈層照射的前述光線之累積光量為10mJ/cm²以上1000mJ/cm²以下。

根據本發明，可提供可抑制在液晶相位差層產生傷痕的光學積層體。

1:光學積層體

2:光學積層體

3:光學積層體

11:第1液晶相位差層

13:附基材之第1液晶相位差層

16:第1基材層

20:光學膜

21:第2液晶相位差層(光學膜)

23:附基材之第2液晶相位差層(光學膜)

26:第2基材層

31:第1黏接著劑層(黏接著劑層)

32:第2黏接著劑層

50:偏光板(光學膜)

圖1係示意顯示本發明的一實施型態之光學積層體的剖面圖。

圖2係示意顯示本發明的另一實施型態之光學積層體的剖面圖。

圖3係示意顯示本發明的再另一實施型態之光學積層體的剖面圖。

以下參照圖式說明光學積層體及光學積層體之製造方法的較佳實施型態。

<光學積層體>

圖1至圖3係示意顯示本發明的一實施型態之光學積層體的剖面圖。如圖1至圖3所示，光學積層體1至3具備第1黏接著劑層31(黏接著劑層)及附基材之第1液晶相位差層13。第1黏接著劑層31係光硬化型的黏接著劑組成物之硬化物層。

附基材之第1液晶相位差層13中，從第1黏接著劑層31側開始依序具備第1液晶相位差層11及第1基材層16。光學積層體1至3中，第1黏接著劑層31與第1液晶相位差層11較佳係直接接觸。附基材之第1液晶相位差層13中，第1液晶相位差層11與第1基材層16較佳係直接接觸。

第1液晶相位差層11具有包含聚合性液晶化合物之聚合物的第1聚合物層。第1液晶相位差層11為第1聚合物層、或是第1聚合物層與第1配向層的多層體。第1基材層16相對於第1液晶相位差層11可剝離。第1液晶相位差層為多層體的情況，第1配向層配置於第1基材 層16側，第1聚合物層配置於第1黏接著劑層31側。

光學積層體1至3中，通常在第1黏接著劑層31之與第1液晶相位差層11側的相反側具有層，該層亦可為光學膜20。光學積層體1至3包含光學膜20的情況，光學膜20與第1黏接著劑層31較佳為直接接觸。

光學積層體1至3中，附基材之第1液晶相位差層13在波長317nm的透光率Tx為20%以上。透光率Tx較佳為25%以上，更佳為30%以上，亦可為40%以上，亦可為50%以上，通常為90%以下。透光率Tx可依照後述實施例記載的方法測定。

光學積層體1至3，如後所述，可以下述方法製造：將附基材之第1液晶相位差層13的第1液晶相位差層11側與光學膜20等的層隔著光硬化型黏接著劑組成物的塗佈層進行積層，從附基材之第1液晶相位差層13側照射光，藉此使黏接著劑組成物硬化。藉由使附基材之第1液晶相位差層13的透光率Tx在上述範圍內，照射光容易通過附基材之第1液晶相位差層13，而照射光容易到達黏接著劑組成物的塗佈層，因此黏接著劑組成物的反應充分進行，容易得到堅硬的第1黏接著劑層31。

光學積層體1至3係在第1黏接著劑層31形成後將第1基材層16剝離之後再經由輸送而提供至製品加工等。在如此進行製品加工時，若因第1基材層16剝離而露出的第1液晶相位差層11的表面與輸送輥等接觸，則可能產生傷痕。光學積層體1至3，如上所述，因為附基材之第1液晶相位差層13的透光率Tx在上述範圍內，可得到黏接著劑組成物充分硬化而成的堅硬之第1黏接著劑層31。相對堅硬的第1黏接著劑層 31上的第1液晶相位差層11，相較於相對柔軟的第1黏接著劑層上的第1液晶相位差層，不易因輸送輥等接觸而產生傷痕。因此在光學積層體1至3中，可抑制在第1液晶相位差層11產生傷痕。

因為附基材之第1液晶相位差層13的透光率Tx在上述範圍內，隔著附基材之第1液晶相位差層13對於黏接著劑組成物照射光時，即使降低照射光的累積光量，亦可使黏接著劑組成物充分硬化。藉此可抑制伴隨照射光而產生的熱，因此亦可抑制因附基材之第1液晶相位差層13變形而產生熱皺紋。熱皺紋係指因為由照射光的光源產生的熱而導致黏接著劑組成物因照射光而硬化收縮，進而因為其影響造成形成光學積層體之薄膜等層的平坦性受損的現象，例如沿著光學積層體製造時的輸送方向(行進方向)產生波浪狀變形。若發生變形，形成光學積層體的層在進行輸送時可能在第1基材層等可剝離的層中產生通道(tunneling)。在將附基材之第1液晶相位差層13貼合於偏光板等之後仍維持變形的情況，會因為反射光而觀看到凹凸，或是因穿透光而觀看到色斑，因而不佳。尤其是黏接著劑層的厚度為1.0μm以上的情況、以及成為照射光側的第1基材層之厚度為60μm以下的情況，第1基材層容易因熱而變形。

相對於此，若附基材之第1液晶相位差層13的透光率Tx低於上述範圍，則照射光不易通過附基材之第1液晶相位差層13，光線難以到達黏接著劑組成物的塗佈層，因此黏接著劑組成物的反應難以進行。黏接著劑組成物的反應未充分進行而未充分硬化的第1黏接著劑層變得柔軟。柔軟的第1黏接著劑層上的第1液晶相位差層若與輸送輥等接觸則容易產生傷痕。又，若為了使黏接著劑組成物充分反應而增加照射光的累積 光量，伴隨黏接著劑組成物之反應而發生的硬化收縮增加，附基材之第1液晶相位差層容易變形而產生熱皺紋。

光學積層體1至3可用於後述顯示裝置等。光學積層體1至3包含光學膜20的情況，將第1基材層16剝離去除所得之附光學膜之積層體(後述)可應用於顯示裝置等。包含光學膜20的光學積層體1至3及附光學膜之積層體亦可為包含第1液晶相位差層11與第2液晶相位差層21的相位差體。光學積層體1至3及附光學膜之積層體可包含偏光元件或偏光板50與第1液晶相位差層11(圖1)、或是可包含偏光元件或偏光板50、第1液晶相位差層11及第2液晶相位差層21(圖2)。這樣的光學積層體1至3及附光學膜之積層體亦可為具有抗反射功能並發揮作為圓偏光板之功能者。

(第1黏接著劑層)

第1黏接著劑層31，如上所述，係光硬化型黏接著劑組成物的硬化物層。光硬化型黏接著劑組成物通常包含硬化性(聚合性)化合物，較佳為包含光聚合起始劑(後述)。

第1黏接著劑層31中的光聚合起始劑之殘留量較佳為0.050質量%以下，亦可為0.030質量%以下，亦可為0.020質量%以下，更佳為0.015質量%以下，亦可為0.010質量%以下，再佳為0.005質量%以下，通常亦可為0質量%以上，亦可為0.0001質量%以上。據認為藉由使第1黏接著劑層31中的光聚合起始劑的殘留量在上述範圍內，黏接著劑組成物的反應充分進行，而形成堅硬的第1黏接著劑層31。因此，藉由具備光聚合起始劑的殘留量在上述範圍內的第1黏接著劑層31，可更進一步抑制在 第1液晶相位差層11的表面產生傷痕。

黏接著劑組成物中包含的光聚合起始劑較佳係在波長280nm以上340nm以下的範圍具有極大吸收波長。光聚合起始劑的極大吸收波長亦可在波長280nm以上330nm以下的範圍內，亦可在波長300nm以上320nm以下的範圍內。藉由使用在該範圍具有極大吸收波長的光聚合起始劑，容易藉由通過具有上述透光率Tx的附基材之第1液晶相位差層13的光線使黏接著劑組成物反應。藉此可提供更進一步抑制在第1液晶相位差層11的表面產生傷痕的光學積層體1至3。

光聚合起始劑較佳係包含後述光陽離子聚合起始劑及光自由基聚合起始劑之中的至少一者。相對於100重量份的硬化性化合物，黏接著劑組成物中的光聚合起始劑的含量可為0.1質量份以上10質量份以下，亦可為1質量份以上8質量份以下。

第1黏接著劑層31的厚度較佳為2.0μm以上，更佳為2.5μm以上，亦可為3.0μm以上。藉由具備厚度大的第1黏接著劑層31，可更進一步抑制在第1液晶相位差層11的表面產生傷痕。第1黏接著劑層及黏接著劑組成物進一步的詳細說明如後所述。

(附基材之第1液晶相位差層)

附基材之第1液晶相位差層中，在第1基材層16上具有第1液晶相位差層11。附基材之第1液晶相位差層可藉由下述方式獲得：在第1基材層16上或形成於第1基材層16上的第1配向層17上塗佈包含聚合性液晶化合物的第1液晶相位差層形成用組成物，並使塗佈層中的聚合性液晶化合物進行聚合。第1液晶相位差層之製造方法的詳細說明如後所述。

(第1液晶相位差層)

第1液晶相位差層11包含上述第1聚合物層，亦可更包含第1配向層。第1聚合物層中包含的聚合物通常係聚合性液晶化合物在已配向的狀態下聚合而成的聚合物。第1聚合物層，如後所述，係由包含聚合性液晶化合物的第1液晶相位差層形成用組成物形成。第1聚合物層可為展現出相位差的層。第1液晶相位差層11包含第1配向層的情況，第1聚合物層與第1配向層通常直接接觸。第1配向層配置於第1聚合物層的第1基材層16側。

第1液晶相位差層11較佳為第1聚合物層。藉此，可更加抑制從光學積層體1至3將第1基材層16剝離而露出的第1液晶相位差層11的表面產生傷痕。

從在從附基材之第1液晶相位差層13側照射光時使黏接著劑組成物充分硬化的觀點來看，第1液晶相位差層11較佳為正波長分散性。藉此可更加抑制從光學積層體1至3將第1基材層16剝離而露出的第1液晶相位差層11的表面產生傷痕。又，亦可提升第1液晶相位差層11與光學膜20之間的密著性。第1液晶相位差層11更詳細的說明如後述。

(第1基材層)

第1基材層16支撐第1液晶相位差層11。第1基材層16相對於第1液晶相位差層11可剝離。第1基材層16在波長317nm的透光率Ts較佳為20%以上，更佳為25%以上，亦可為30%以上。藉由使第1基材層16的透光率Ts在上述範圍內，可輕易將附基材之第1液晶相位差層13的透 光率Tx調整於上述範圍。據認為第1基材層16的透光率Ts在上述範圍內的情況，第1基材層16不包含紫外線吸收劑，紫外線的穿透性優良。第1基材層16的透光率Ts可以與後述實施例記載的附基材之第1液晶相位差層13的透光率Tx之測定方法相同的方法進行測定。

第1基材層16較佳為薄膜基材。構成薄膜基材的樹脂較佳為三乙醯基纖維素。藉此，可輕易將附基材之第1液晶相位差層13的透光率Tx調整為上述範圍。

第1基材層16的厚度較佳為40μm以下，亦可為35μm以下，亦可為30μm以下，通常為10μm以上。第1基材層16的厚度較佳為30μm以上40μm以下。藉由使第1基材層16的厚度在上述範圍內，可良好地保持附基材之第1液晶相位差層13的操作性，並且輕易將附基材之第1液晶相位差層13的透光率Tx調整為上述範圍。第1基材層16更詳細的說明如後述。

(光學膜)

光學膜20可列舉：偏光元件、包含偏光元件的偏光板50、第2液晶相位差層21或此等的組合等。光學膜20較佳為包含偏光板50及第2液晶相位差層21之中的至少一者(圖1及圖2)，亦可包含偏光板50及第2液晶相位差層21兩者(圖3)。具備這種光學膜20的情況，若使附基材之第1液晶相位差層13的透光率Tx在上述範圍內，則可得到能夠抑制附基材之第1液晶相位差層13的表面產生傷痕的光學積層體1至3，因而較為理想。

光學膜20亦可為附基材之第2液晶相位差層23(圖2)。附基 材之第2液晶相位差層23具有第2基材層26及第2液晶相位差層21。附基材之第2液晶相位差層23中，第2液晶相位差層21與第2基材層26較佳為直接接觸，第2基材層26相對於第2液晶相位差層21可剝離。光學膜20為附基材之第2液晶相位差層23的情況，光學積層體2通常從第1黏接著劑層31側開始依序具有第2液晶相位差層21及第2基材層26。

第2液晶相位差層21具有包含聚合性液晶化合物之聚合物的第2聚合物層。第2液晶相位差層21為第2聚合物層或是第2聚合物層與第2配向層的多層體。第2聚合物層中包含的聚合物通常是在聚合性液晶化合物配向的狀態下聚合而成的聚合物。第2聚合物層，如後所述，係由包含聚合性液晶化合物的第2液晶相位差層形成用組成物所形成。第2聚合物層可為展現出相位差的層。第2液晶相位差層21包含第2配向層的情況，第2聚合物層與第2配向層通常直接接觸。如圖2所示，光學膜20具有第2液晶相位差層21及第2基材層26的情況，第2配向層中，較佳為第2聚合物層配置於第1黏接著劑層31側，第2配向層配置於第2基材層26側。如後所述，將圖2所示的光學積層體2用於製作光學積層體3(圖3)的情況，從後述時使介於第2液晶相位差層21與偏光板50之間的黏接著劑組成物充分硬化的觀點來看，第2液晶相位差層21較佳為正波長分散性。

光學膜20中，如圖3所示，亦可從第1黏接著劑層31側開始依序具有第2液晶相位差層21及偏光板50。第2液晶相位差層21與偏光板50，亦可隔著第2黏接著劑層32進行積層。此情況中，第2液晶相位差層21與第2黏接著劑層32較佳為直接接觸，第2黏接著劑層32 與偏光板50較佳為直接接觸。圖3所示的光學積層體3中，第2液晶相位差層21亦可為正波長分散性。如後所述，在形成第2液晶相位差層21與偏光板50之間的第2黏接著劑層32時，隔著附基材之第1液晶相位差層13，對於介於第2液晶相位差層21與偏光板50之間的黏接著劑組成物照射光而使其硬化的情況，從使黏接著劑組成物充分硬化的觀點來看，第2液晶相位差層21較佳為正波長分散性。藉此可更加抑制從光學積層體3將第1基材層16剝離而露出的第1液晶相位差層11的表面產生傷痕。又，亦可提升第2液晶相位差層21與偏光板50之間的密著性。

光學膜20的透光率Ty較佳係與附基材之第1液晶相位差層13的透光率Tx相同或是比其更小。具備這種光學膜20的情況，藉由使附基材之第1液晶相位差層13的透光率Tx在上述範圍內，可得到能夠抑制附基材之第1液晶相位差層13之表面產生傷痕的光學積層體1至3，因而較為理想。光學膜20的透光率Ty可藉由後述實施例記載的方法進行測定，其係在波長317nm的透光率。光學膜20、偏光板50及第2液晶相位差層21更詳細的說明如後述。

光學積層體3(圖3)中，附基材之第1液晶相位差層13、第1黏接著劑層31及第2液晶相位差層21依此順序積層而成的積層部分(以下亦稱為「相位差體R」)在波長317nm的透光率較佳為3%以上，亦可為5%以上，亦可為10%以上，通常為30%以下。相位差體R的透光率可藉由後述實施例記載的透光率Tx及Ty中所說明之方法進行測定。

光學積層體3的第2黏接著劑層32為包含光聚合起始劑之黏接著劑組成物之硬化物的情況，第2黏接著劑層32中的光聚合起始劑 之殘留量例如可為0.10質量%以下，亦可為0.080質量%以下，亦可為0.050質量%以下，亦可為0.030質量%以下，亦可為0.010質量%以下，亦可為0.005質量%以下，通常為0質量%以上，亦可為0.001質量%以上。第2黏接著劑層32中的光聚合起始劑之殘留量亦可大於第1黏接著劑層31中的光聚合起始劑之殘留量。

(附光學膜之積層體)

附光學膜之積層體通常依序具備光學膜20、第1黏接著劑層31及第1液晶相位差層11。光學膜20包含偏光板50或第2液晶相位差層21的情況，附光學膜之積層體亦可依序具備偏光板50、第1黏接著劑層31及第1液晶相位差層11，亦可依序具備第2基材層26、第2液晶相位差層21、第1黏接著劑層31及第1液晶相位差層11。光學膜20包含偏光板50及第2液晶相位差層21的情況，附光學膜之積層體亦可依序具備偏光板50、第2黏接著劑層32、第2液晶相位差層21、第1黏接著劑層31及第1液晶相位差層11。

<光學積層體的製造方法>

光學積層體1至3的製造方法包含：

步驟(S1)，在附基材之第1液晶相位差層13的第1液晶相位差層11側形成黏接著劑組成物的第1塗佈層(塗佈層)；及

步驟(S2)，隔著附基材之第1液晶相位差層13對於步驟(S1)中形成的第1塗佈層照射光，藉此形成第1黏接著劑層31。

附基材之第1液晶相位差層13的透光率Tx如上述為20%以上。因此，即使在隔著附基材之第1液晶相位差層13對於附基材之第1液 晶相位差層13上的第1塗佈層照射光的情況中，亦可得到黏接著劑組成物充分硬化而成的第1黏接著劑層31。黏接著劑組成物包含光聚合起始劑的情況，亦可減少第1黏接著劑層31中的光聚合起始劑的殘留量。

在步驟(S2)中照射的光較佳為紫外線。附基材之第1液晶相位差層13的紫外線穿透率大，因此可減少在步驟(S2)中對於第1塗佈層照射之光線的累積光量。在步驟(S2)中對於第1塗佈層照射之光線的累積光量例如為10mJ/cm²以上1000mJ/cm²以下，亦可為此範圍中較小的累積光量，較佳為10mJ/cm²以上300mJ/cm²以下，亦可為30mJ/cm²以上200mJ/cm²以下，更佳為50mJ/cm²以上125mJ/cm²以下。在光學積層體1至3的製造方法中，即使照射之光線的累積光量小，亦可使黏接著劑組成物充分硬化。因此，可抑制受到伴隨紫外線等照射光而產生的熱(從燈源產生的熱等)或是黏接著劑組成物伴隨照射光而硬化收縮的影響導致附基材之第1液晶相位差層13變形而產生熱皺紋，並且亦可在製品加工等之中抑制在第1液晶相位差層11產生傷痕。

第1塗佈層之與第1液晶相位差層11側的相反側通常會積層光學膜等使用黏接著劑組成物貼合於第1液晶相位差層11的層。該層為光學膜20的情況，黏接著劑組成物的第1塗佈層只要形成於光學膜20與第1液晶相位差層11之間即可，亦可在附基材之第1液晶相位差層13上形成第1塗佈層並積層光學膜20，亦可在光學膜20上形成第1塗佈層並積層附基材之第1液晶相位差層13，亦可在附基材之第1液晶相位差層13及光學膜20兩者上皆形成第1塗佈層並將兩者積層。

以往的附基材之第1液晶相位差層因為透光率小，因此難以 藉由隔著附基材之第1液晶相位差層照射光而得到使活性能量線硬化型接著劑組成物或光硬化型接著劑組成物充分硬化而成的接著劑層。因此，可能因為接著劑層中殘留的聚合起始劑等，而在進行耐久試驗等時發生光學特性降低等不良情形。相對於此，本實施型態的附基材之第1液晶相位差層因為透光率大，因此可藉由隔著附基材之第1液晶相位差層照射光而得到使上述接著劑組成物充分硬化而成的第1黏接著劑層，即使在使用附基材之第1液晶相位差層、第1黏接著劑層及第2液晶相位差層形成包含第1液晶相位差層及第2液晶相位差層的相位差體(相位差體R)的情況中，亦可使相位差體R的透光率變大。因此，即使在為了將相位差體R與偏光元件貼合而使用光硬化型黏接著劑組成物、例如活性能量線硬化型接著劑組成物或光硬化型接著劑組成物的情況中，亦可輕易形成充分硬化而成的第2黏接著劑層。藉此，可達成具備第1液晶相位差層、第2液晶相位差層及偏光元件的光學積層體之薄膜化，並且亦可達成提升彎折性、抑制彎曲、伴隨第1黏接著劑層及第2黏接著劑層的屏障性提升而使耐久性提升等。

圖3所示的光學積層體3，亦可以上述方式將相位差體R與偏光元件貼合而得，此情況中，相位差體R可使用從圖2所示的光學積層體2將第2基材層剝離而成者。光學積層體3的製造方法，例如亦可包含：

步驟(S11)，準備光學積層體2；

步驟(S12)，從光學積層體2將第2基材層26剝離，得到附基材之第1液晶相位差層13、第1黏接著劑層31及第2液晶相位差層21依序積層而成的相位差體R；

步驟(S13)，隔著黏接著劑組成物的第2塗佈層將相位差體R的第2液 晶相位差層21側與偏光元件積層；及

步驟(S14)，隔著相位差體R對於步驟(S13)中形成的第2塗佈層照射光，藉此形成第2黏接著劑層32。

步驟(S11)亦可為藉由上述步驟(S1)及步驟(S2)準備光學積層體2的步驟。在步驟(S12)中將第2基材層26剝離時，亦可僅將第2基材層26剝離，亦可將第2配向層與第2基材層26一起剝離。

步驟(S13)中，黏接著劑組成物的第2塗佈層可形成於相位差體R的第2液晶相位差層21上，亦可形成於偏光元件上，亦可形成於此等兩者。

步驟(S14)中照射的光較佳為紫外線。如上所述，因為相位差體R的透光率大，即使在從相位差體R側對於第2塗佈層照射光的情況中，亦可得到黏接著劑組成物充分硬化而成的第2黏接著劑層32。又，步驟(S14)中可減少對於第2塗佈層照射之光的累積光量。黏接著劑組成物包含光聚合起始劑的情況，亦可減少第2黏接著劑層32中的光聚合起始劑之殘留量。在步驟(S14)中，對於第2塗佈層照射之光的累積光量可為上述步驟(S2)中說明的累積光量。

<附光學膜之積層體的製造方法>

附光學膜之積層體的製造方法包含從含有光學膜20的光學積層體1至3將第1基材層16剝離的步驟。在將第1基材層16剝離時，亦可僅剝離第1基材層16，亦可將第1基材層16與第1配向層一起剝離。

<顯示裝置>

光學積層體1至3，在將第1基材層16剝離後可應用於顯示裝置。顯 示裝置可包含附光學膜之積層體與圖像顯示元件(有機EL表示元件等)。附光學膜之積層體配置於圖像顯示元件的觀賞側。可使用黏著劑(pressure-sensitive adhesive)層將附光學膜之積層體貼合於圖像顯示元件。

顯示裝置並無特別限定，可列舉例如：有機電致發光(有機EL)顯示裝置、無機電致發光(無機EL)顯示裝置、液晶顯示裝置、場發光顯示裝置等顯示裝置。

顯示裝置可用作智慧型手機、平板電腦等行動式設備、電視、數位相框、電子看板、測定器、計器類、辦公用設備、醫療設備、電算設備等。

以下說明構成光學積層體之各層的詳細內容及各層的製造方法等。

<黏接著劑層(第1黏接著劑層、第2黏接著劑層)>

第1黏接著劑層宜在將光學膜與第1液晶相位差層貼合時使用。第2黏接著劑層宜在將構成光學膜之構件(例如偏光板及第2液晶相位差層)貼合時使用。將第1液晶相位差層與第2液晶相位差層貼合的第1黏接著劑層較佳為後述接著劑(adhesive)層。

黏接著劑層(第1黏接著劑層或第2黏接著劑層)為黏著劑層或接著劑層，可由黏接著劑組成物形成。黏接著劑組成物為黏著劑組成物或接著劑組成物。

(黏著劑層)

黏著劑層係藉由將其本體貼附於被著體而藉此展現出接著性者，其被稱為感壓型接著劑者。作為形成黏著劑層的黏著劑組成物，可使用以往公 知的光學透明性優良之黏著劑組成物，並未特別限制，例如可使用具有丙烯酸系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、聚矽氧系樹脂、聚乙烯醚系樹脂等基底聚合物的黏著劑組成物。又，亦可為活性能量線硬化型黏著劑組成物、熱硬化型黏著劑組成物等。此等之中，宜為以透明性、黏著力、再剝離性、耐候性、耐熱性等優良的丙烯酸系樹脂作為基底聚合物的黏著劑組成物。

黏著劑組成物亦可更包含交聯劑、矽烷化合物、抗靜電劑等。

黏著劑組成物中包含的(甲基)丙烯酸系樹脂較佳為以源自下式(I)所示之(甲基)丙烯酸烷酯之結構單元(以下亦稱為「結構單元(I)」)為主成分(例如相對於100質量份的(甲基)丙烯酸系樹脂的結構單元包含50質量份以上)的聚合物(以下亦稱為「(甲基)丙烯酸酯聚台物」)。

另外，本說明書中，所謂的(甲基)丙烯酸系樹脂係指丙烯酸樹脂及甲基丙烯酸樹脂之中的至少一者。(甲基)丙烯酸酯及(甲基)丙烯醯基等亦相同。

[式(I)中，

R¹⁰表示氫原子或甲基，R²⁰表示碳數1至20的烷基，烷基亦可具有直鏈狀、支鏈狀及環狀之中的任一種結構，烷基的氫原子亦可被碳數1至10的烷氧基取代]。

式(I)表示的(甲基)丙烯酸酯可列舉例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙 烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸異己酯、(甲基)丙烯酸正庚酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸正十二酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸十八酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯等。含烷氧基之烷基丙烯酸酯的具體例可列舉：(甲基)丙烯酸2-甲氧乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯等。其中較佳為包含(甲基)丙烯酸正丁酯或(甲基)丙烯酸2-乙基己酯，特佳為包含(甲基)丙烯酸正丁酯。

(甲基)丙烯酸酯聚合物亦可包含源自結構單元(I)以外之其他單體的結構單元。源自其他單體的結構單元可為一種，亦可為兩種以上。(甲基)丙烯酸酯聚合物可含有的其他單體可列舉：具有極性官能基的單體、具有芳香族基的單體、丙烯醯胺系單體。

具有極性官能基的單體可列舉：具有極性官能基的(甲基)丙烯酸酯。極性官能基可列舉：羥基；羧基；經由碳數1至6的烷基取代的取代胺基或未取代胺基；環氧基等雜環基等。

相對於(甲基)丙烯酸酯聚合物的所有結構單元100質量份，(甲基)丙烯酸酯聚合物中源自具有極性官能基之單體的結構單元之含量較佳為10質量份以下，更佳為0.5質量份以上10質量份以下，再佳為0.5質量份以上5質量份以下，特佳為1質量份以上5質量份以下。

具有芳香族基的單體可列舉：分子內具有一個(甲基)丙烯醯基與一個以上之芳香環(例如苯環、萘環等)且具有苯基、苯氧基乙基或苄基 的(甲基)丙烯酸酯。

相對於(甲基)丙烯酸酯聚合物的所有結構單元100質量份，(甲基)丙烯酸酯聚合物中源自具有芳香族基之單體的結構單元之含量較佳為20質量份以下，更佳為4質量份以上20質量份以下，再佳為4質量份以上15質量份以下。

丙烯醯胺系單體可列舉：N-(甲氧基甲基)丙烯醯胺、N-(乙氧基甲基)丙烯醯胺、N-(丙氧基甲基)丙烯醯胺、N-(丁氧基甲基)丙烯醯胺、N-(2-甲基丙氧基甲基)丙烯醯胺等。藉由包含此等結構單元，可抑制後述抗靜電劑等添加物滲出。

再者，作為結構單元(I)以外的源自其他單體的結構單元，亦可包含源自苯乙烯系單體的結構單元、源自乙烯基系單體的結構單元、源自分子內具有多個(甲基)丙烯醯基之單體的結構單元等。

(甲基)丙烯酸系樹脂的重量平均分子量(以下亦僅稱為「Mw」)較佳為50萬至250萬。若重量平均分子量為50萬以上，則可提升黏著劑層在高溫、高濕之環境中的耐久性。若重量平均分子量在250萬以下，則在將含有黏著劑組成物的塗佈液進行塗佈時的操作性變得良好。以重量平均分子量(Mw)與數量平均分子量(以下亦僅稱為「Mn」)的比所表示的分子量分布(Mw/Mn)通常為2至10。本說明書中「重量平均分子量」及「數量平均分子量」係以凝膠滲透層析(GPC)法測定的聚苯乙烯換算值。

(甲基)丙烯酸系樹脂，在溶解於乙酸乙酯而形成濃度20質量%之溶液時，其在25℃的黏度較佳為20Pa．s以下，更佳為0.1至15Pa．s。若(甲基)丙烯酸樹脂在溫度25℃的黏度在上述範圍內，則對於包含由上 述樹脂形成之黏著劑層的光學積層體及附光學膜之積層體之耐久性的提升以及重工性有所貢獻。上述黏度可藉由Brookfield黏度計測定。

(甲基)丙烯酸系樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)例如為-60至20℃，較佳為-50至15℃，更佳為-45至10℃，再佳為-40至0℃。玻璃轉移溫度可藉由差示掃描熱量計(DSC)測定。

(甲基)丙烯酸系樹脂亦可包含兩種以上的(甲基)丙烯酸酯聚合物。這種(甲基)丙烯酸酯聚合物可列舉例如：以源自上述(甲基)丙烯酸酯的結構單元(I)作為主成分且重量平均分子量在5萬至30萬之範圍內的較低分子量之(甲基)丙烯酸酯聚合物。

(甲基)丙烯酸系樹脂通常可藉由溶液聚合法、塊狀聚合法、懸浮聚合法、乳化聚合法等公知的聚合方法製造。(甲基)丙烯酸系樹脂的製造中，通常係在聚合起始劑的存在下進行聚合。相對於構成(甲基)丙烯酸系樹脂的所有單體共100質量份，聚合起始劑的使用量通常為0.001至5質量份。(甲基)丙烯酸系樹脂亦可藉由以紫外線等活性能量線進行聚合的方法製造。

黏著劑組成物較佳為包含交聯劑。交聯劑可列舉慣用的交聯劑(例如異氰酸酯化合物、環氧化物、氮丙啶化合物、金屬螯合物、過氧化物等)，尤其從黏著劑組成物的適用期、交聯速度及光學積層體及附光學膜之積層體的耐久性等的觀點來看，較佳為異氰酸酯系化合物。

異氰酸酯化合物係在分子內具有至少兩個異氰酸基(-NCO)的化合物。具體可列舉：甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、氫化苯二甲基二異氰酸酯、二苯基 甲烷二異氰酸酯、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯、萘二異氰酸酯、三苯基甲烷三異氰酸酯等。另外亦可列舉：使此等的異氰酸酯化合物與丙三醇或三羥甲基丙烷等多元醇反應所得之加成體、或是此等異氰酸酯化合物的二聚物或三聚物。亦可組合兩種以上的異氰酸酯化合物。

相對於100質量份的(甲基)丙烯酸系樹脂，黏著劑組成物中的交聯劑之含量例如可為0.01至10質量份，較佳為0.05至5質量份，再佳為0.1至1質量份。

黏著劑組成物亦可更含有矽烷化合物。矽烷化合物可列舉：乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基參(2-甲氧基乙氧基)矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基乙氧基二甲基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-氯丙基甲基二甲氧基矽烷、3-氯丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷等。矽烷化合物可包含源自上述矽烷化合物的寡聚物。

相對於100質量份的(甲基)丙烯酸系樹脂，在黏著劑組成物的矽烷化合物之含量一般為0.01至10質量份，較佳為0.05至5質量份。若矽烷化合物的含量為0.01質量份以上，有黏著劑層與被著體的密著性提升的傾向，若含量為10質量份以下，有抑制矽烷化合物從黏著劑層滲出的傾向。

黏著劑組成物亦可更包含抗靜電劑。抗靜電劑可列舉公知者，宜為離子性抗靜電劑。構成離子性抗靜電劑的陽離子成分可列舉：有機陽離子及無機陽離子。有機陽離子可列舉：吡啶鎓陽離子、咪唑鎓陽離子、 銨陽離子、鋶陽離子、鏻陽離子等。無機陽離子可列舉：鋰陽離子、鉀陽離子、鈉陽離子、銫陽離子等的鹼金屬陽離子、鎂陽離子、鈣陽離子等鹼土金屬陽離子等。作為構成離子性抗靜電劑的陰離子成分，可為無機陰離子及有機陰離子的任一者，從抗靜電性優良這樣的觀點來看，較佳為包含氟原子的陰離子成分。包含氟原子的陰離子成分可列舉：六氟磷酸根陰離子(PF₆ ^-)、雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺陰離子[(CF₃SO₂)₂N^-]、雙(氟磺醯基)醯亞胺陰離子[(FSO₂)₂N^-]陰離子等。

從黏著劑組成物的抗靜電性的經時穩定性優良這樣的觀點來看，較佳係在室溫下為固體的離子性抗靜電劑。

相對於100質量份的(甲基)丙烯酸系樹脂，在黏著劑組成物的抗靜電劑之含量為例如0.01至20質量份，較佳為0.1至10質量份，再佳為1至7質量。

黏著劑組成物可單獨包含紫外線吸收劑、溶劑、交聯觸媒、賦黏樹脂(膠黏劑)、塑化劑等添加劑或包含其中的兩種以上。在黏著劑組成物中調配紫外線硬化性化合物並在形成黏著劑層後照射紫外線使其硬化而形成更硬的黏著劑層亦為有用。

黏著劑層例如可藉由下述方法形成：使黏著劑組成物溶解或分散於溶劑以作為含溶劑之黏著劑組成物，然後將其塗佈在欲設置黏著劑層之層的表面並使其乾燥。

黏著劑層的厚度通常為0.1μm以上30μm以下，較佳為3μm以上30μm以下，再佳為5μm以上25μm以下，特佳為5μm以上10μm以下。

由於光學積層體所具有的第1液晶相位差層厚度小，因此光學積層體的厚度亦變小。光學積層體具備黏著劑層的情況，較佳係黏著劑層在溫度23℃的儲存彈性模數G’亦小。藉此容易抑制在製品加工等之中於第1液晶相位差層11產生傷痕。黏著劑層在溫度23℃的儲存彈性模數G’較佳為5MPa以下，更佳為1MPa以下，再佳為0.5MPa以下，再更佳為0.2MPa以下，特佳為0.1MPa以下。黏著劑層在溫度23℃的儲存彈性模數G’通常為0.001MPa以上，亦可為0.01MPa以上。儲存彈性模數G’可在溫度23℃中，依據JIS K7244-6，使用黏彈性測定裝置(Physica公司製，MCR300)，藉由扭曲剪切法(正向力FN：1N，應變γ：1%，頻率：1Hz)進行測定。

(接著劑層)

接著劑層可具有將偏光片與偏光元件保護膜接合的功能、將光學膜與第1液晶相位差層貼合的功能、將構成光學膜的構件(例如偏光板及第2液晶相位差層)貼合的功能等。接著劑層可由接著劑組成物形成。

接著劑組成物可列舉例如：水系接著劑組成物、藉由加熱或紫外線、可見光、電子束、X射線等活性能量線的照射而硬化的硬化性接著劑組成物等。水系接著劑組成物可列舉例如：將聚乙烯醇系樹脂或胺甲酸乙酯樹脂作為主成分溶解於水中而成者、將聚乙烯醇系樹脂或胺甲酸乙酯樹脂作為主成分分散於水中而成者。水系接著劑組成物亦可更含有多元醛、三聚氰胺系化合物、二氧化鋯化合物、鋅化合物、乙二醛化合物、水溶性環氧樹脂等硬化性成分、交聯劑。水系接著劑組成物可列舉例如：日本特開2010-191389號公報記載的接著劑組成物、日本特開2011-107686 號公報記載的接著劑組成物、日本特開2020-172088號公報記載的組成物、日本特開2005-208456號公報記載的組成物等。

硬化性接著劑組成物包含硬化性(聚合性)化合物作為主成分，較佳為藉由活性能量線照射而硬化的活性能量線硬化型接著劑組成物。活性能量線硬化型接著劑組成物更佳為藉由紫外線或可見光的照射而硬化的光硬化型接著劑組成物。活性能量線硬化型接著劑組成物及光硬化型接著劑組成物可列舉：包含陽離子聚合性化合物作為硬化性化合物的陽離子聚合型接著劑組成物、包含自由基聚合性化合物作為硬化性化合物的自由基聚合型接著劑組成物、包含陽離子聚合性化合物與自由基聚合性化合物兩者作為硬化性化合物的複合型接著劑組成物等。

陽離子聚合性化合物係藉由紫外線、可見光、電子束、X射線等活性能量線的照射或加熱進行陽離子聚合反應而硬化的化合物或寡聚物，具體可列舉：環氧化物、氧環丁烷化合物、乙烯基化合物等。

環氧化物可列舉：3’,4’-環氧環己基甲基、3,4-環氧環己烷羧酸酯等脂環式環氧化物(分子內具有一個以上的鍵結於脂環式環上之環氧基的化合物)；雙酚A的二環氧丙醚等芳香族環氧化物(分子內具有芳香族環與環氧基的化合物)；2-乙基己基環氧丙醚、1,4-丁二醇二環氧丙醚等脂肪族環氧化物(分子內具有至少一個鍵結於脂肪族碳原子之環氧乙烷環的化合物)等。

氧環丁烷化合物可列舉：3-乙基-3-{[(3-乙氧環丁-3-基)甲氧基]甲基}氧環丁烷等分子內具有一個以上之氧環丁烷環的化合物。

陽離子聚合型接著劑組成物較佳為包含陽離子聚合起始劑。 陽離子聚合起始劑亦可為熱陽離子聚合起始劑，亦可為光陽離子聚合起始劑。陽離子聚合起始劑可列舉：六氟銻酸苯重氮鹽等芳香族重氮鹽；肆(五氟苯基)硼酸二苯基碘鎓等芳香族碘鎓鹽；六氟磷酸三苯基鋶等芳香族鋶鹽；二甲苯-環戊二烯基鐵(II)六氟銻酸酯等鐵-芳烴錯合物等。相對於100質量份的陽離子聚合性化合物，接著劑組成物中的陽離子聚合起始劑的含量為通常0.1至10質量份。亦可包含兩種以上的陽離子聚合起始劑。

陽離子聚合型接著劑組成物可列舉例如：日本特開2021-113969號公報記載的陽離子聚合性組成物等。

自由基聚合性化合物，係藉由紫外線、可見光、電子束、X射線等活性能量線的照射、加熱進行自由基聚合反應而硬化的化合物或寡聚物，具體可列舉具有乙烯屬不飽和鍵的化合物。具有乙烯屬不飽和鍵的化合物可列舉：分子內具有一個以上之(甲基)丙烯醯基的(甲基)丙烯酸系化合物、分子內具有一個以上之乙烯基的乙烯基化合物等。

作為(甲基)丙烯酸系化合物，可使分子內具有至少一個(甲基)丙烯醯氧基的(甲基)丙烯酸酯單體、(甲基)丙烯醯胺單體及含官能基之化合物中的兩種以上反應而得，可列舉分子內具有至少兩個(甲基)丙烯醯基的(甲基)丙烯酸寡聚物等含(甲基)丙烯醯基的化合物。

自由基聚合型接著劑組成物較佳為包含自由基聚合起始劑。自由基聚合起始劑亦可為熱自由基聚合起始劑，亦可為光自由基聚合起始劑。自由基聚合起始劑可列舉：苯乙酮、3-甲基苯乙酮等苯乙酮系起始劑；二苯甲酮、4-氯二苯甲酮、4,4’-二胺基二苯甲酮等二苯甲酮系起始劑；苯偶姻丙醚、苯偶姻乙醚等苯偶姻醚系起始劑；4-異丙基噻噸酮等噻噸酮系 起始劑；氧葱酮、芴酮等。相對於100質量份的自由基聚合性化合物，在接著劑組成物的自由基聚合起始劑之含量通常為0.1至10質量份。亦可包含兩種以上的自由基聚合起始劑。

自由基聚合型接著劑組成物可列舉例如：日本特開2016-126345號公報、日本特開2016-153474號公報、國際公開第2017/183335號記載的自由基聚合性組成物等。

活性能量線硬化型接著劑組成物或光硬化型接著劑組成物可因應需求含有離子捕捉劑、抗氧化劑、鏈轉移劑、賦黏劑、熱塑性樹脂、填充劑、流動調整劑、塑化劑、消泡劑、抗靜電劑、調平劑、溶劑等添加劑。

藉由接著劑層將兩層貼合可以下述方式進行：在選自兩層各別之貼合面中的至少一貼合面上塗佈接著劑組成物，並隔著接著劑組成物的塗佈層將兩者重疊，再使用貼合輥等從上下按壓而貼合後，使塗佈層乾燥，並照射活性能量線而使其硬化，或是加熱使其硬化。

在形成接著劑組成物的塗佈層之前，亦可對於選自兩層各別之貼合面的至少一貼合面實施皂化處理、電暈處理、電漿處理、底漆處理、錨定塗佈處理等易接著處理。

接著劑組成物之塗佈層的形成可使用模塗佈機、缺角輪塗佈機、凹版塗佈機、線棒塗佈機、刮刀塗佈機等各種塗佈方式。

照射活性能量線時的活性能量線的照射強度，係依照活性能量線硬化型接著劑組成物或光硬化型接著劑組成物的組成決定，並無特別限定，較佳為10mW/cm²以上1000mW/cm²以下。另外，照射強度較佳係 在對於光陽離子聚合起始劑或光自由基聚合起始劑之類的光聚合起始劑的活性化有效之波長區域中的強度。較佳係以這樣的照射光強度照射一次或多次而使其累積光量為10mJ/cm²以上，更佳為100mJ/cm²以上1,000mJ/cm²以下。

用以進行活性能量線硬化型接著劑組成物或光硬化型接著劑組成物之聚合硬化的光源並無特別限定，可列舉例如：低壓汞燈、中壓汞燈、高壓汞燈、超高壓汞燈、氙氣燈、鹵素燈、化學燈、黑光燈、微波激發汞燈、金屬鹵化物燈。

由水系接著劑組成物形成之接著劑層的厚度可為例如5μm以下，較佳為1μm以下，更佳為0.5μm以下，亦可為0.01μm以上，較佳為0.05μm以上。

由活性能量線硬化型接著劑組成物或光硬化型接著劑組成物形成的接著劑層之厚度可為例如10μm以下，較佳為5μm以下，更佳為3μm以下，亦可為0.1μm以上，較佳為0.5μm以上，更佳為1μm以上，再佳為2μm以上。

<第1液晶相位差層、第2液晶相位差層>

第1液晶相位差層及第2液晶相位差層分別含有包含聚合性液晶化合物之聚合物的第1聚合物層及第2聚合物層(以下亦僅稱為「聚合物層」)。第1液晶相位差層亦可為第1聚合物層與第1配向層的多層體，第2液晶相位差層亦可為第2聚合物層與第2配向層的多層體。

第1液晶相位差層係將包含聚合性液晶化合物的第1液晶相位差層形成用組成物塗佈形成於第1基材層或第1配向層上，形成聚合性 液晶化合物經配向的聚合物而藉此獲得。第2液晶相位差層係將包含聚合性液晶化合物的第2液晶相位差層形成用組成物塗佈形成於第2基材層或第2配向層上，形成聚合性液晶化合物經配向的聚合物而藉此獲得。如此形成液晶相位差層，從薄型化以及可任意設計波長分散特性的觀點來看較佳。第1液晶相位差層形成用組成物及第2液晶相位差層形成用組成物分別獨立，可更包含溶劑、光聚合起始劑、光敏劑、抗氧化劑、調平劑及密著劑等。

液晶相位差層(第1液晶相位差層或第2液晶相位差層)通常係在聚合性液晶化合物經配向的狀態下硬化而成的膜，為了在觀賞面內會產生相位差，通常包含由在聚合性液晶化合物相對於基材層(第1基材層或第2基材層)面水平之方向上配向的狀態下使聚合性基聚合而成的硬化膜所構成之聚合物層(第1聚合物層或第2聚合物層)。此時，聚合性液晶化合物為棒狀液晶的情況，只要為正A板即可，若聚合性液晶化合物為圓盤狀液晶，只要為負A板即可。

光學積層體或附光學膜之積層體亦可為包含偏光元件及第1液晶相位差層並具有抗反射功能者。光學積層體或附光學膜之積層體為了高程度地達成抗反射功能，只要具有在可見光全域中的λ/4板功能(亦即π/2的相位差功能)即可。具體而言，較佳係具有逆波長分散性λ/4層，或較佳係將配向不同的兩種以上之液晶相位差層組合。例如亦可為將具有λ/2板功能的液晶相位差層(亦即π的相位差功能)與具有λ/4板功能的液晶相位差層(亦即π/2的相位差功能)組合而成者。

光學積層體及附光學膜之積層體，從可補償斜向上的抗反射 功能的觀點來看，較佳係更包含在厚度方向上具有異向性的層(正C板)。又，各液晶相位差層亦可進行傾斜配向，亦可形成膽固醇狀配向狀態。

光學積層體或附光學膜之積層體具有抗反射功能並發揮作為圓偏光板之功能的情況，第1液晶相位差層較佳為給予λ/4之相位差的λ/4液晶相位差層。光學積層體或附光學膜之積層體具有第1液晶相位差層及第2液晶相位差層並發揮作為圓偏光板之功能的情況，[i]第1液晶相位差層及第2液晶相位差層亦可為λ/4液晶相位差層及給予λ/2之相位差的λ/2液晶相位差層的組合，[ii]第1液晶相位差層及第2液晶相位差層亦可為正C板及λ/4液晶相位差層的組合。

就可見光全域中的λ/4功能而言，若將對於波長λnm之光的面內相位差設為R(λ)，則較佳為滿足下式(1)所示之光學特性，較佳為滿足下式(1)、下式(2)及下式(3)所示之光學特性。

100nm<Re(550)<160nm (1)

[式(1)至(3)中，

Re(450)係表示對於波長450nm之光的面內相位差值(面內遲滯值)，

Re(550)係表示對於波長550nm之光的面內相位差值，

Re(650)係表示對於波長650nm之光的面內相位差值]。

若液晶相位差層的「Re(450)/Re(550)」超過1.0，則在具備該液晶相位差層的橢圓偏光板中，在短波長側的漏光變大。「Re(450)/Re(550)」的值較佳為0.7以上1.0以下，更佳為0.80以上0.95以下，再 佳為0.80以上0.92以下，特佳為0.82以上0.88以下。藉由調整聚合性液晶化合物之混合比例及複數液晶相位差層的積層角度及相位差值，可任意調整「Re(450)/Re(550)」的值。

液晶相位差層的面內相位差值可藉由液晶相位差層的厚度來調整。面內相位差值係以下式(4)決定，因此為了得到預期的面內相位差值(Re(λ))，只要調整△n(λ)與厚度d即可。液晶相位差層的厚度通常為10μm以下，較佳為0.3μm以上5μm以下，更佳為0.5μm以上5μm以下，再佳為1μm以上3μm以下。液晶相位差層的厚度可藉由干涉膜厚計、雷射顯微鏡或觸針式膜厚計進行測定。式(4)中的△n(λ)與後述聚合性液晶化合物的分子結構相依。

Re(λ)=d×An(λ) (4)

[式中，Re(λ)表示波長λnm的面內相位差值，d表示膜厚，△n(λ)表示波長λnm的雙折射率]。

作為達成抗反射性能的方法之一，已知將正波長分散性λ/2層與正波長分散性λ/4層組合而成的構成。例如可藉由將具有式(5)、式(7)及式(8)表示之光學特性的層與具有式(6)、式(7)及式(8)表示之光學特性的層依照特定的慢軸關係組合而得。

100nm<Re(550)<160nm (5)

200nm<Re(550)<320nm (6)

[式(5)至(8)中，

Re(450)係表示對於波長450nm之光的面內相位差值，

Re(550)係表示對於波長550nm之光的面內相位差值，

Re(650)係表示對於波長650nm之光的面內相位差值]。

將上述層組合的方法可列舉：日本特開2015-163935號公報、WO2013/137464號等周知的方法。從視角補償的觀點來看，較佳係使用包含圓盤狀聚合性液晶化合物之聚合物的λ/2液晶相位差層與包含棒狀聚合性液晶化合物之聚合物的λ/4液晶相位差層。

圓盤狀聚合性液晶化合物可列舉例如：包含式(W)所示之基的化合物(以下有時亦稱為聚合性液晶化合物)。

[式(W)中，R⁴⁰表示下式(W-1)至(W-5)；

[式(W-1)至(W-5)中，

X⁴⁰及Z⁴⁰表示碳數1至12的烷二基，該烷二基所包含的氫原子可被碳數1至5的烷氧基取代，該烷氧基所包含的氫原子亦可被鹵素原子取代；又，構成該烷二基的-CH₂-亦可被取代成-O-或-CO-；

m2表示整數]]。

棒狀聚合性液晶化合物可列舉例如：式(II)、式(III)、式(IV)、式(V)、式(VI)或式(VII)表示的化合物。

P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-B15-A14-B16-E12-B17-P12 (II)

P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-B15-A14-F11 (III)

P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-B15-E12-B17-P12 (IV)

P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-F11 (V)

P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-E12-B17-P12 (VI)

P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-F11 (VII)

[式(II)至(VII)中，

A11至A14分別獨立地表示2價脂環式烴基或2價芳香族烴基；該2價脂環式烴基及2價芳香族烴基所包含的氫原子亦可被鹵素原子、碳數1至6的烷基、碳數1至6的烷氧基、氰基或硝基取代，該碳數1至6的烷基及該碳數1至6的烷氧基所包含的氫原子亦可被氟原子取代；

B11及B17分別獨立地表示-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CO-NR¹⁶-、-NR¹⁶-CO-、-CO-、-CS-或單鍵；R¹⁶表示氫原子或碳數1至6的烷基；

B12至B16分別獨立地表示-C≡C-、-CH=CH-、-CH₂-CH₂-、-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-C(=O)-NR¹⁶-、-NR¹⁶-C(=O)-、-OCH₂-、-OCF₂-、-CH₂O-、-CF₂O-、-CH=CH-C(=O)-O-、-O-C(=O)-CH=CH-或單鍵；

E11及E12分別獨立地表示碳數1至12的烷二基，該烷二基所包含的氫原子亦可被碳數1至5的烷氧基取代，該烷氧基所包含的氫原子亦可被鹵素原子取代；又，構成該烷二基的-CH₂-亦可取代成-O-或-CO-；

F11表示氫原子、碳數1至13的烷基、碳數1至13的烷氧基、氰基、硝基、三氟甲基、二甲胺基、羥基、羥甲基、甲醯基、磺酸基(-SO₃H)、羧基、碳數1至10的烷氧基羰基或鹵素原子，構成該烷基及烷氧基的-CH₂-亦可被取代成-O-；

P11及P12分別獨立地表示聚合性基]。

除了將上述正波長分散性λ/2層與正波長分散性λ/4層組合而成之構成以外，針對傾斜配向或膽固醇狀配向的構成而言，只要是達成 抗反射功能的構成則可使用，並無特別限制。這樣的構成可列舉例如：WO2021/060378號、WO2021/132616號、WO2021/132624號等記載的構成。

正C板只要是在厚度方向上具有異向性者則未特別限定，但在未進行傾斜配向或膽固醇狀配向的情況中，具有下式(9)表示的光學特性。

nx≒ny<nz (9)

[式(9)中，

nx表示在波長λ[nm]中，正C板之面內的主折射率；

ny係表示在波長λ[nm]中，正C板在與nx同一面內相對nx正交之方向上的折射率；

nz(λ)表示在波長λ[nm]中，正C板之厚度方向上的折射率。

nx≒ny時，nx可為正C板之面內任意方向的折射率]。

正C板在波長550nm的面內相位差值Re(550)通常為0nm以上10nm以下的範圍，較佳為0nm以上5nm以下的範圍。又，在波長550nm的厚度方向的相位差值Rth(550)通常為-170nm以上-10nm以下的範圍，較佳為-150nm以上-20nm以下，更佳為-100nm以上-40nm以下的範圍。厚度方向的相位差值若在此範圍內，則可更加提升斜向的抗反射特性。

正C板為液晶相位差層時，其厚度通常為10μm以下，較佳為5μm以下，更佳為0.3μm以上3μm以下。

正C板較佳為液晶相位差層。更佳為棒狀聚合性液晶化合物。 棒狀聚合性液晶化合物可列舉例如：上述式(II)至(VII)表示的化合物。

(構成液晶相位差層的聚合性液晶化合物)

第1液晶相位差層形成用組成物及第2液晶相位差層形成用組成物(以下亦稱為「液晶相位差層形成用組成物」)所包含的聚合性液晶化合物係指具有聚合性基、尤其是光聚合性基的液晶化合物，該聚合性液晶化合物可使用以往公知的聚合性液晶化合物。光聚合性基係指可藉由從光聚合起始劑產生之反應活性種、例如活性自由基或酸等而參與聚合反應之基。光聚合性基可列舉：乙烯基、乙烯氧基、1-氯乙烯基、異丙烯基、4-乙烯基苯基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、環氧乙烷基、氧環丁烷基等。其中較佳為丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、乙烯氧基、環氧乙烷基及氧環丁烷基，更佳為丙烯醯氧基。聚合性液晶化合物可為熱致性液晶，亦可為溶致性液晶，但從可進行緻密的膜厚控制的觀點來看，較佳為熱致性液晶。又，熱致性液晶中的相秩序結構可為向列液晶，亦可為層列液晶。另外可為棒狀液晶，亦可為圓盤狀液晶。聚合性液晶化合物可單獨使用或將兩種以上組合使用。

作為聚合性液晶化合物，從展現逆波長分散性的觀點來看，較佳為在相對分子長軸方向垂直的方向上更具有雙折射性的T字型或H型的液晶元結構之液晶，從得到更強之分散的觀點來看，更佳為T字型液晶，T字型液晶的結構具體可列舉例如：下式(VIII)表示的化合物。

[式(VIII)中，

Ar表示亦可具有取代基的二價芳香族基；該二價芳香族基中，較佳係 包含氮原子、氧原子、硫原子之中的至少一者以上；二價基Ar包含兩個以上之芳香族基的情況，兩個以上的芳香族基彼此亦可由單鍵、-CO-O-、-O-等二價的鍵結基進行鍵結。

G¹及G²分別獨立地表示二價芳香族基或二價脂環式烴基。此處，該二價芳香族基或二價脂環式烴基所包含的氫原子亦可被鹵素原子、碳數1至4的烷基、碳數1至4的氟烷基、碳數1至4的烷氧基、氰基或硝基取代，構成該二價芳香族基或二價脂環式烴基的碳原子亦可被氧原子、硫原子或氮原子取代。

L¹、L²、B¹及B²分別獨立地為單鍵或二價連結基。

k、l分別獨立地表示0至3的整數，滿足1

k+l的關係。此處，2

k+l的情況，B¹及B²、G¹及G²分別可彼此相同，亦可不同。

E¹及E²分別獨立地表示碳數1至17的烷二基，此處烷二基所包含的氫原子亦可被鹵素原子取代，該烷二基所包含的-CH₂-亦可被-O-、-S-、-COO-取代，具有多個-O-、-S-、-COO-的情況彼此不相鄰。

P¹及P²互相獨立地為聚合性基或氫原子，至少一者為聚合性基]。

G¹及G²分別獨立，較佳為亦可被選自由鹵素原子及碳數1至4的烷基構成之群組中的至少一個取代基取代的1,4-伸苯基二基、亦可被選自由鹵素原子及碳數1至4的烷基構成之群組中的至少一個取代基取代的1,4-環己烷二基，更佳為經甲基取代的1,4-伸苯基二基、未取代的1,4-伸苯基二基、或未取代的1,4-反式環己烷二基，特佳為未取代的1,4-伸苯基二基、或未取代的1,4-反式環己烷二基。

又，較佳為以複數存在的G¹及G²之中至少一者為二價脂環式烴基， 又，更佳為鍵結於L¹或L²的G¹及G²之中至少一者為二價脂環式烴基。

L¹及L²分別獨立，較佳為單鍵、碳數1至4的伸烷基、-O-、-S-、-R^a1OR^a2-、-R^a3COOR^a4-、-R^a5OCOR^a6-、R^a7OC=OOR^a8-、-N=N-、-CR^c=CR^d-或-C≡C-。此處，R^a1至R^a8分別獨立地表示單鍵或碳數1至4的伸烷基，R^c及R^d表示碳數1至4的烷基或氫原子。L¹及L²分別獨立，更佳為單鍵、-OR^a2-1-、-CH₂-、-CH₂CH₂-、-COOR^a4-1-或OCOR^a6-1-。此處，R^a2-1、R^a4-1、R^a6-1分別獨立地表示單鍵、-CH₂-、-CH₂CH₂-任一者。L¹及L²分別獨立，再佳為單鍵、-O-、-CH₂CH₂-、-COO-、-COOCH₂CH₂-或-OCO-。

B¹及B²分別獨立，較佳為單鍵、碳數1至4的伸烷基、-O-、-S-、-R^a9OR^a10-、-R^a11COOR^a12-、-R^a13OCOR^a14-或-R^a15OC=OOR^a16-。此處R^a9至R^a16分別獨立地表示單鍵或碳數1至4的伸烷基。B¹及B²分別獨立，更佳為單鍵、-OR^a10-1-、-CH₂-、-CH₂CH₂-、-COOR^a12-1-或-OCOR^a14-1-。此處，R^a10-1、R^a12-1、R^a14-1分別獨立地表示單鍵、-CH₂-、-CH₂CH₂-任一者。B¹及B²分別獨立，再佳為單鍵、-O-、-CH₂CH₂-、-COO-、-COOCH₂CH₂-、-OCO-或-OCOCH₂CH₂-。

從顯示出逆波長分散性的觀點來看，k及l較佳為2

k+l

6的範圍，較佳為k+l=4，更佳為k=2且l=2。若k=2且l=2則成為對稱結構，因而較佳。

E¹及E²分別獨立，較佳為碳數1至17的烷二基，更佳為碳數4至12的烷二基。

P¹或P²表示的聚合性基可列舉：環氧基、乙烯基、乙烯氧基、 1-氯乙烯基、異丙烯基、4-乙烯基苯基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、環氧乙烷基及氧環丁烷基等。其中較佳為丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、乙烯氧基、環氧乙烷基及氧環丁烷基，更佳為丙烯醯氧基。

Ar較佳係具有選自亦可具有取代基的芳香族烴環、亦可具有取代基的芳香族雜環及電子吸引性基中的至少一者。該芳香族烴環可列舉例如：苯環、萘環、蒽環等，較佳為苯環、萘環。該芳香族雜環可列舉：呋喃環、苯并呋喃環、吡咯環、吲哚環、噻吩環、苯并噻吩環、吡啶環、吡

環、嘧啶環、三唑環、三

環、二氫吡咯環、咪唑環、吡唑環、噻唑環、苯并噻唑環、噻吩噻唑環、

唑環、苯并

唑環及啡啉環等。其中，較佳為具有噻唑環、苯并噻唑環或苯并呋喃環，更佳為具有苯并噻唑基。又，Ar包含氮原子的情況，該氮原子較佳係具有π電子。

式(VIII)中，Ar表示的2價芳香族基所包含的π電子的總數N_π較佳為8以上，更佳為10以上，再佳為14以上，特佳為16以上。又，較佳為30以下，更佳為26以下，再佳為24以下。

Ar表示的芳香族基可適當地列舉例如以下的基。

式(Ar-1)至式(Ar-23)中，＊符號表示連結部。

Z⁰、Z¹及Z²分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳數1至12的烷基、氰基、硝基、碳數1至12的烷基亞磺醯基、碳數1至12的烷基磺醯基、羧基、碳數1至12的氟烷基、碳數1至6的烷氧基、碳數1至12的烷基硫基、碳數1至12的N-烷胺基、碳數2至12的N,N-二烷胺基、碳數1至12的N-烷胺磺醯基或碳數2至12的N,N-二烷胺磺醯基。

Q¹及Q²分別獨立地表示-CR^2’R^3’-、-S-、-NH-、-NR^2’-、-CO-或O-，R^2’及R^3’分別獨立地表示氫原子或碳數1至4的烷基。

J¹及J²分別獨立地表示碳原子或氮原子。

Y¹、Y²及Y³分別獨立地表示亦可被取代的芳香族烴基或芳香族雜環基。

W¹及W²分別獨立地表示氫原子、氰基、甲基或鹵素原子。

m表示0至6的整數。

在Y¹、Y²及Y³的芳香族烴基可列舉：苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基等碳數6至20的芳香族烴基，較佳為苯基、萘基，更佳為苯基。芳香族雜環基可列舉：呋喃基、吡咯基、噻吩基、啶基、噻唑基、苯并噻唑基等包含至少一個氮原子、氧原子、硫原子等雜原子的碳數4至20的芳香族雜環基，較佳為呋喃基、噻吩基、啶基、噻唑基、苯并噻唑基。

Y¹、Y²及Y³分別獨立，亦可為可被取代的多環系芳香族烴基或多環系芳香族雜環基。多環系芳香族烴基係指縮合多環系芳香族烴基、或源自芳香環集合的基。多環系芳香族雜環基係指縮合多環系芳香族雜環基、或源自芳香環集合之基。

Z⁰、Z¹及Z²分別獨立，較佳為氫原子、鹵素原子、碳數1至12的烷基、氰基、硝基、碳數1至12的烷氧基，Z⁰再佳為氫原子、碳數1至12的烷基、氰基，Z¹及Z²再佳為氫原子、氟原子、氯原子、甲基、氰基。

Q¹及Q²分別獨立，較佳為-NH-、-S-、-NR^2’-、-O-，R^2’較佳為氫原子。其中特佳為-S-、-O-、-NH-。

式(Ar-1)至(Ar-23)之中，從分子穩定性的觀點來看，較佳為式(Ar-6)及式(Ar-7)。

式(Ar-16)至(Ar-23)中，Y¹亦可與其所鍵結之氮原子及Z⁰一起形成芳香族雜環基。芳香族雜環基可列舉前述作為Ar可具有之芳香族雜環者，可列舉例如：吡咯環、咪唑環、二氫吡咯環、吡啶環、吡

環、嘧啶環、吲哚環、喹啉環、異喹啉環、嘌呤環、吡咯啶環等。此芳香族雜環基亦可具有取代基。又，Y¹亦可與其所鍵結之氮原子及Z⁰一起成為上述亦可被取代的多環系芳香族烴基或多環系芳香族雜環基。可列舉例如：苯并呋喃環、苯并噻唑環、苯并

唑環等。

聚合性液晶化合物之中，較佳為極大吸收波長為300至400nm的化合物。液晶相位差層形成用組成物包含光聚合起始劑的情況，有長期保管時聚合性液晶化合物進行聚合反應及凝膠化的疑慮。然而，若聚合性液晶化合物的極大吸收波長為300至400nm，即使在保管中曝露於紫外光，亦可有效地抑制從光聚合起始劑產生反應活性種及因為該反應活性種導致聚合性液晶化合物進行聚合反應及凝膠化。因此，從聚合性液晶組成物之長期穩定性的觀點來看有利，可提升所得之聚合物層(液晶硬化膜)的配向性及膜厚的均勻性。另外，聚合性液晶化合物的極大吸收波長可在溶劑中使用紫外可見光光譜儀測定。該溶劑為可將聚合性液晶化合物溶解的溶劑，可列舉例如：氯仿等。

相對於100質量份的液晶相位差層形成用組成物之固形分，液晶相位差層形成用組成物中的聚合性液晶化合物之含量例如為70至99.5質量份，較佳為80至99質量份，更佳為85至98質量份，再佳為90 至95質量份。若聚合性液晶化合物的含量在上述範圍內，從所得之聚合物層(液晶硬化膜)之配向性的觀點來看有利。另外，本說明書中，所謂的液晶相位差層形成用組成物的固形分，係指從液晶相位差層形成用組成物將有機溶劑等揮發性成分去除後的所有成分。

液晶相位差層形成用組成物亦可更包含溶劑、調平劑、聚合起始劑、光敏劑、抗氧化劑、交聯劑、密著劑等反應性添加劑，從加工性的觀點來看，較佳係包含溶劑、調平劑。

液晶相位差層形成用組成物亦可含有溶劑。一般而言，聚合性液晶化合物因為黏度高，因此藉由作為溶解於溶劑而成的液晶相位差層形成用組成物，可輕易進行塗佈，結果多數的情況可輕易形成液晶相位差層。溶劑較佳為可完全溶解聚合性液晶化合物者，又較佳為對於聚合性液晶化合物之聚合反應不具有活性的溶劑。

溶劑可列舉：甲醇、乙醇、乙二醇、異丙醇、丙二醇、乙二醇甲醚、乙二醇丁醚及丙二醇單甲醚等醇溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇甲醚乙酸酯、γ-丁內酯或丙二醇甲醚乙酸酯及乳酸乙酯等酯溶劑；丙酮、甲乙酮、環戊酮、環己酮、2-庚酮及甲基異丁基酮等酮溶劑；戊烷、己烷及庚烷等脂肪族烴溶劑；甲苯及二甲苯等芳香族烴溶劑、乙腈等腈溶劑；四氫呋喃及二甲氧基乙烷等醚溶劑；氯仿及氯苯等含氯之溶劑；二甲基乙醯胺、二甲基甲醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮等醯胺系溶劑等。此等溶劑可單獨使用，亦可將兩種以上組合使用。

相對於液晶相位差層形成用組成物的總量，溶劑的含量較佳為50至98質量%。換言之，在液晶相位差層形成用組成物的固形分之含 量較佳為2至50質量%，更佳為5至30質量%。若該固形分的含量為50質量%以下，則液晶相位差層形成用組成物的黏度變低，藉由液晶相位差層的厚度變得大致均勻，則有該液晶相位差層不易產生色斑的傾向。又，此固形分的含量可考量欲製造之液晶相位差層的厚度來決定。

亦可使液晶相位差層形成用組成物含有調平劑。所謂的調平劑，係具有調整液晶相位差層形成用組成物的流動性而使塗佈液晶相位差層形成用組成物所得之膜更平坦之功能的添加劑，可列舉例如：有機改性聚矽氧系、聚丙烯酸酯系及全氟烷基系的調平劑。其中，使其水平配向的情況，較佳為聚丙烯酸酯系調平劑及全氟烷基系調平劑，使其垂直配向的情況，較佳為有機改性聚矽氧系調平劑及全氟烷基系調平劑。

液晶相位差層形成用組成物含有調平劑的情況，相對於聚合性液晶化合物的含量100質量份，較佳為0.01至5質量份，更佳為0.05至3質量份。若調平劑的含量在上述範圍內，有容易使聚合性液晶化合物水平配向且所得之液晶相位差層變得更平滑的傾向。若調平劑相對於聚合性液晶化合物的含量超過上述範圍，有所得之液晶相位差層容易產生色斑的傾向。另外，液晶相位差層形成用組成物亦可含有兩種以上的調平劑。

液晶相位差層形成用組成物亦可含有聚合起始劑。聚合起始劑係可使聚合性液晶化合物等開始進行聚合反應的化合物。作為聚合起始劑，從與熱致液晶的相狀態不相依這樣的觀點來看，較佳為藉由光的作用產生活性自由基的光聚合起始劑。

光聚合起始劑只要是可使聚合性液晶化合物開始進行聚合反應的化合物，則可使用公知的光聚合起始劑。具體可列舉：藉由光的作用 而產生活性自由基或酸的光聚合起始劑，其中較佳為藉由光的作用產生自由基的光聚合起始劑。光聚合起始劑可單獨使用或將兩種以上組合使用。

光聚合起始劑可使用公知的光聚合起始劑，例如，作為產生活性自由基的光聚合起始劑，可使用自我開裂型苯偶姻系化合物、苯乙酮系化合物、羥基苯乙酮系化合物、α-胺基苯乙酮系化合物、肟酯系化合物、醯基膦氧化物系化合物、偶氮系化合物等，可使用拔氫型的二苯甲酮系化合物、烷基苯酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、苄基縮酮系化合物、二苯并環庚酮系化合物、蒽醌系化合物、氧葱酮系化合物、噻噸酮系化合物、鹵素基苯乙酮系化合物、二烷氧基苯乙酮系化合物、鹵素基雙咪唑系化合物、鹵素基三

系化合物、三

系化合物等。作為產生酸的光聚合起始劑，可使用碘鎓鹽及鋶鹽等。從低溫反應效率優良這樣的觀點來看，較佳為自身開裂型光聚合起始劑，特佳為苯乙酮系化合物、羥基苯乙酮系化合物、α-胺基苯乙酮系化合物、肟酯系化合物。

液晶相位差層形成用組成物中的聚合起始劑的含量，可因應聚合性液晶化合物的種類及其量適當調整，相對於聚合性液晶化合物的含量100質量份，通常為0.1至30質量份，較佳為0.5至10質量份，更佳為0.5至8質量份。若聚合起始劑的含量在上述範圍內，則可在不導致聚合性液晶化合物的配向混亂的情況下進行聚合。

液晶相位差層形成用組成物亦可含有敏化劑。作為敏化劑，較佳為光敏劑。該敏化劑可列舉例如：氧葱酮及噻噸酮等氧葱酮化合物(例如2,4-二乙基噻噸酮、2-異丙基噻噸酮等)；蒽及含烷氧基之蒽(例如二丁氧基蒽等)等蒽化合物；酚噻

及紅螢烯(Rubrene)等。

液晶相位差層形成用組成物含有敏化劑的情況，可更促進液晶相位差層形成用組成物含有之聚合性液晶化合物的聚合反應。相對於聚合性液晶化合物的含量100質量份，此敏化劑的使用量較佳為0.1至30質量份，更佳為0.5至10質量份，再佳為0.5至8質量份。

從穩定進行聚合反應的觀點來看，液晶相位差層亦可含有抗氧化劑。藉由抗氧化劑，可控制聚合性液晶化合物之聚合反應進行的程度。

作為抗氧化劑，例如，亦可為選自酚系抗氧化劑、胺系抗氧化劑、醌系抗氧化劑、亞硝基系抗氧化劑的一次抗氧化劑，亦可為選自磷系抗氧化劑及硫系抗氧化劑的二次抗氧化劑。

液晶相位差層形成用組成物含有抗氧化劑的情況，相對於聚合性液晶化合物的含量100質量份，抗氧化劑的含量較佳為0.1至30質量份，更佳為0.5至10質量份，再佳為0.5至8質量份。抗氧化劑可單獨使用或將兩種以上組合使用。若抗氧化劑的含量在上述範圍內，則可在不導致聚合性液晶化合物的配向混亂的情況下進行聚合。

液晶相位差層形成用組成物亦可包含反應性添加劑。作為反應性添加劑，較佳為其分子內具有碳-碳不飽和鍵、活性氫反應性基、硫醇基者。另外，此處所述的「活性氫反應性基」，係指對於羧基(-COOH)、羥基(-OH)、胺基(-NH₂)等具有活性氫之基具有反應性的基，其代表例為環氧丙基、

唑啉基、碳二亞胺基、氮丙啶基、醯亞胺基、異氰酸酯基、硫基異氰酸酯基、順丁烯二酸酐基等。反應性添加劑所具有的反應性基的個數通常分別1至20個，較佳係分別為1至10個。

(液晶相位差層的製造方法)

液晶相位差層可藉由將液晶相位差層形成用組成物(第1液晶相位差層形成用組成物或第2液晶相位差層形成用組成物)塗佈於基材層(第1基材層或第2基材層)上或是形成於基材層上之配向層(第1配向層或第2配向層)上而製造。

將液晶相位差層形成用組成物塗佈於基材層或配向層上的方法可列舉：擠製塗佈法、直接凹版塗佈法、反轉凹版塗佈法、CAP塗佈法、狹縫塗佈法、微凹版(micro-gravure)法、模塗佈法、噴墨法等。另外可列舉：使用浸漬式塗佈機、棒式塗佈機、旋轉塗佈機等塗佈機進行塗佈的方法等。其中，以捲對捲(roll to roll)形式連續塗佈的情況，較佳為以微凹版法、噴墨法、狹縫塗佈法、模塗佈法所進行的塗佈方法，塗佈於玻璃等單片基材的情況，較佳為均勻性高的旋轉塗佈法。以捲對捲形式塗佈的情況，亦可藉由將配向層形成用組成物塗佈於基材層等而形成配向層，再將液晶相位差層形成用組成物連續塗佈於所得之配向層上。

去除液晶相位差層形成用組成物中包含之溶劑的乾燥方法可列舉例如：自然乾燥、通風乾燥、加熱乾燥、減壓乾燥及將此等組合的方法。其中較佳為自然乾燥或加熱乾燥。乾燥溫度較佳為0至200℃的範圍，更佳為20至150℃的範圍，再佳為50至130℃的範圍。乾燥時間較佳為10秒至10分鐘，更佳為30秒至5分鐘。配向層形成用組成物亦可相同地進行乾燥。

作為使液晶相位差層形成用組成物中包含的聚合性液晶化合物聚合的方法，較佳為光聚合。光聚合可藉由對於在基材層上或配向層上塗佈有包含聚合性液晶化合物之液晶相位差層形成用組成物的積層體照射 活性能量線而實施。作為照射的活性能量線，可因應乾燥被膜所包含的聚合性液晶化合物的種類(尤其是聚合性液晶化合物所具有的光聚合性官能基的種類)及此等的量適當選擇，包含光聚合起始劑的情況則是因應光聚合起始劑的種類及此等的量適當選擇。具體可列舉：選自由可見光、紫外線、紅外線、X射線、α射線、β射線及γ射線構成之群組中的一種以上的活性能量線。其中，從容易控制聚合反應之進行的點、以及可使用廣泛用於該領域者作為光聚合裝置這樣的觀點來看，較佳為紫外線，較佳係以可藉由紫外線進行光聚合的方式選擇聚合性液晶化合物的種類。

活性能量線的光源可列舉例如：低壓汞燈、中壓汞燈、高壓汞燈、超高壓汞燈、氙氣燈、鹵素燈、碳電弧燈、鎢燈、鎵燈、準分子雷射、發出波長範圍380至440nm之光線的LED光源、化學燈、黑光燈、微波激發汞燈、金屬鹵化物燈等。

紫外線照射強度通常為10mW/cm²以上3,000mW/cm²以下。紫外線照射強度較佳為對於陽離子聚合起始劑或自由基聚合起始劑的活性化有效之波長區域的強度。照射紫外線的時間通常為0.1秒至10分鐘，較佳為1秒至5分鐘，更佳為5秒至3分鐘，再佳為10秒至1分鐘。若以這樣的紫外線照射強度照射一次或多次，其累積光量通常為10mJ/cm²以上3,000mJ/cm²以下，較佳為50mJ/cm²以上2,000mJ/cm²以下，更佳為100mJ/cm²以上1,000mJ/cm²以下。累積光量在此範圍以下的情況，聚合性液晶化合物的硬化變得不充分，可能無法得到良好的轉印性。相反地，累積光量在此範圍以上的情況，包含液晶相位差層的光學膜可能著色。

(相位差體)

相位差體包含至少一層液晶相位差層。光學積層體及光學膜亦可包含相位差體。例如，光學積層體所包含的第1液晶相位差層與光學膜所包含的第2液晶相位差層亦可構成相位差體。

(基材層(第1基材層、第2基材層))

基材層可列舉：玻璃基材及薄膜基材，較佳為薄膜基材，從可連續製造的觀點來看，更佳為長條的捲筒狀膜。基材層較佳為透明基材層。構成薄膜基材的樹脂可列舉例如：聚乙烯、聚丙烯、降莰烯系聚合物等聚烯烴；環狀烯烴系樹脂；聚乙烯醇；聚對苯二甲酸乙二酯；聚甲基丙烯酸酯；聚丙烯酸酯；三乙醯基纖維素、二乙醯基纖維素及乙酸丙酸纖維素等的纖維素酯；聚萘二甲酸乙二酯；聚碳酸酯；聚碸；聚醚碸；聚醚酮；聚伸苯基硫化物及聚伸苯氧化物等塑膠。其中，從用於光學膜用途時的透明性等的觀點來看，更佳為以選自由三乙醯基纖維素、環狀烯烴系樹脂、聚甲基丙烯酸酯及聚對苯二甲酸乙二酯構成之群組中的樹脂所構成的薄膜基材。

市售的纖維素酯基材可列舉：「Fujitac Film」(FUJIFILM股份有限公司製)；「KC8UX2M」、「KC8UY」及「KC4UY」(以上為Konica Minolta opto股份有限公司製)等。

市售的環狀烯烴系樹脂可列舉：「Topas」(註冊商標)(Ticona社(德國)製)、「ARTON」(註冊商標)(JSR股份有限公司製)、「ZEONOR」(註冊商標)、「ZEONEX」(註冊商標)(以上為日本瑞翁股份有限公司製)及「APEL」(註冊商標)(三井化學股份有限公司製)。藉由溶劑澆鑄法、熔融擠製法等公知手段將這樣的環狀烯烴系樹脂製膜，可形成基材。亦可使用市售的環狀烯烴系樹脂基材。市售的環狀烯烴系樹脂基材可列舉：「Esushina」(註冊 商標)、「SCA40」(註冊商標)(以上為積水化學工業股份有限公司製)、「ZEONOR膜」(註冊商標)(Optes股份有限公司製)及「Arton Film」(註冊商標)(JSR股份有限公司製)。

第2基材層的厚度較佳係薄至可實用操作的程度，若太薄則強度降低，有加工性不佳的傾向。第2基材層的厚度通常為5μm至300μm，較佳為10μm至200μm，更佳為10至50μm。又，藉由將第2基材層剝離而轉移液晶相位差層，可得到進一步的薄膜化效果。

(配向層(第1配向層、第2配向層))

配向層係具有使聚合性液晶化合物在預期方向上進行液晶配向之配向限制力者。

配向層可輕易使聚合性液晶化合物進行液晶配向。水平配向、垂直配向、複合配向、傾斜配向等液晶配向的狀態會根據配向層及聚合性液晶化合物的性質而變化，其組合可任意選擇。例如，配向膜若是展現出水平配向以作為配向限制力的材料，則聚合性液晶化合物可形成水平配向或複合配向，若是展現出垂直配向的材料，則聚合性液晶化合物可形成垂直配向或傾斜配向。水平、垂直等的表現，係表示在以液晶相位差層平面為基準的情況中經配向之聚合性液晶化合物的光軸的方向。例如，垂直配向係指在相對於液晶相位差層平面垂直的方向上具有經配向之聚合性液晶化合物的光軸。此處所述的垂直，係指相對於液晶相位差層平面為90°±20°。

配向限制力，在配向層由配向性聚合物形成的情況中，可藉由表面狀態及摩擦條件任意調整，由光配向性聚合物形成的情況中，可藉 由偏光照射條件等任意調整。又，亦可藉由選擇聚合性液晶化合物的表面張力及液晶性等物性來控制液晶配向。

作為形成於基材層與液晶相位差層之間的配向層，較佳係不溶於在配向層上形成液晶相位差層時使用的溶劑，並且在用以去除溶劑或液晶配向的加熱處理的具有耐熱性者。配向層可列舉：由配向性聚合物構成的配向層、光配向層及溝槽(groove)配向膜、在配向方向上延伸的延伸膜等，應用於長條捲筒狀膜的情況，從可輕易控制配向方向的觀點來看，較佳為光配向層。

配向層的厚度為通常為10nm至5000nm的範圍，較佳為10nm至1000nm的範圍，更佳為30至300nm。

摩擦配向層中所使用的配向性聚合物可列舉：分子內具有醯胺鍵的聚醯胺或明膠類、分子內具有醯亞胺鍵的聚醯亞胺及其水解物的聚醯胺酸、聚乙烯醇、烷基改性聚乙烯醇、聚丙烯醯胺、聚

唑、聚乙烯亞胺、聚苯乙烯、聚乙烯吡咯啶酮、聚丙烯酸及聚丙烯酸酯類等。其中較佳為聚乙烯醇。此等配向性聚合物可單獨使用，亦可將兩種以上組合使用。

摩擦方法可列舉：使將配向性聚合物組成物塗佈於基材上並進行退火而藉此形成於基材層表面的配向性聚合物膜接觸捲繞有摩擦布並且正在旋轉的摩擦輥之方法。

光配向層係由具有光反應性基的聚合物、寡聚物或單體構成。光配向層可藉由照射偏光而得到配向限制力。從可藉由選擇照射之偏光的偏光方向而任意控制配向限制力之方向的觀點來看，更佳為光配向層。

所謂的光反應性基，係指藉由照射光而產生液晶配向能力之 基。具體而言，係藉由照射光而引發分子配向或發生異構化反應、二聚化反應、光交聯反應或光分解反應之類成為液晶配向能力之起源的光反應者。該光反應性基之中，從配向性優良的觀點來看，較佳為引起二聚化反應或光交聯反應者。作為可產生上述反應的光反應性基，較佳為具有不飽和鍵、尤其是雙鍵者，更佳為具有選自由碳-碳雙鍵(C=C鍵)、碳-氮雙鍵(C=N鍵)、氮-氮雙鍵(N=N鍵)及碳-氧雙鍵(C=O鍵)構成之群組中的至少一者之基。

具有C=C鍵的光反應性基可列舉例如：乙烯基、多烯基、二苯乙烯基、茋唑基、偶氮茋鎓鹽(Stilbazolium)基、查耳酮基及桂皮醯基等。從容易控制反應性這樣的點、以及在光配向時展現出配向限制力的觀點來看，較佳為查耳酮基及桂皮醯基。具有C=N鍵的光反應性基可列舉：具有芳香族希夫鹼及芳香族腙等結構的基。具有N=N鍵的光反應性基可列舉：偶氮苯基、偶氮萘基、芳香族雜環偶氮基、雙偶氮基及甲

(Formazan)基等、以及以氧偶氮基苯作為基本結構者。具有C=O鍵的光反應性基可列舉：二苯甲酮基、香豆素基、蒽醌基及順丁烯二醯亞胺基等。此等的基亦可具有烷基、烷氧基、芳基、烯丙氧基、氰基、烷氧基羰基、羥基、磺酸基及鹵化烷基等取代基。

就照射偏光而言，可為從膜面直接照射偏光的形式，亦可為從基材層側照射偏光並使偏光穿透以進行照射的形式。又，該偏光特佳係實質上為平行光。照射之偏光可為具有光反應性基之聚合物或單體的光反應性基能夠吸收光能量的波長區域者。具體而言，特佳為波長250至400nm之範圍的UV(紫外光)。該偏光照射中使用的光源可列舉：氙氣燈、高壓汞燈、超高壓汞燈、金屬鹵化物燈、KrF、ArF等紫外光雷射等，更佳為高壓 汞燈、超高壓汞燈及金屬鹵化物燈。此等的燈因為在波長313nm之紫外光的發光強度大而較佳。藉由使來自光源的光通過適當的偏光片以進行照射，藉此可照射偏光。此偏光片可使用偏光濾片或格蘭-湯姆遜(Glan-Thompson)、格蘭-泰勒(Glan-Taylor)等偏光稜鏡或導線網格型偏光片。

從容易將附基材之第1液晶相位差層的透光率Tx調整於上述範圍的觀點來看，第1液晶相位差層特佳為不含第1配向層。設置第1配向層的情況，較佳係使用在波長280至340nm的吸光度小的材料作為構成第1配向層的材料。

<偏光板>

偏光板係具有光吸收異向性功能的膜，一般係包含使雙色性色素單軸配向而成之偏光元件的膜。為了使雙色性色素單軸配向，可由偏光片或液晶偏光片來製作，該偏光片係在使碘或有機雙色性染料含浸於聚乙烯醇(PVA)系樹脂等聚合物的狀態下進行單軸延伸的薄膜，該液晶偏光片係藉由使雙色性色素與聚合性液晶化合物配向而形成的光學異向性層。亦即，藉由延伸聚合物或聚合性液晶化合物的聚合物中所包含的雙色性色素而異向性地吸收光線，藉此展現出偏光功能。

偏光板包含偏光元件，可在偏光元件的單面或兩面具有偏光元件保護膜或保護層。

偏光板的偏光性能可使用分光光度計測定。例如，可使用將稜鏡偏光片設置於分光光度計而成的裝置，以雙束法在可見光之波長380nm至780nm的範圍內測定穿透軸方向(配向垂直方向)的穿透率(T1)及吸收軸方向(配向方向)的穿透率(T2)。在可見光範圍內的偏光性能，可使用 下式(式1)及(式2)算出在各波長中的單體穿透率、偏光度，再依照JIS Z 8701的2度視野(C光源)進行視感度修正，藉此可以視感度修正單體穿透率(Ty’)及視感度修正偏光度(Py)算出。又，同樣地從測定的穿透率，使用C光源的等色函數，算出在L^*a^*b^*(CIE)表色系中的色度a^*及b^*，藉此得到偏光板單體的色相(單體色相)、將偏光板平行配置的色相(平行色相)、將偏光板正交配置的色相(正交色相)。a^*及b^*的值越接近0，則可判斷越接近中性色相。

單體穿透率(%)=(T1+T2)/2 (式1)

偏光度(%)=(T1-T2)/(T1+T2)×100 (式2)

偏光板的視感度修正偏光度Py通常為80%以上，較佳為90%以上，更佳為95%以上，再佳為98%以上，特佳為99%以上，若為99.9%以上則可適用於液晶顯示器。提高偏光板的視感度修正偏光度Py，有利於提高光學積層體的抗反射功能。若視感度修正偏光度Py小於80%，可能無法發揮將光學積層體用作抗反射膜時的抗反射功能。

偏光板的視感度修正單體穿透率Ty’越高，在顯示白色時的清晰度越高，從(式1)及(式2)的關係可得知，若單體穿透率過高，則有偏光度下降這樣的問題。因此較佳為30%以上60%以下，更佳為35%以上55%以下，再佳為38%以上50%以下，再佳為40%以上45%以下。若視感度修正單體穿透率Ty’過高，則視感度修正偏光度Py變得太低，在將光學積層體用作抗反射膜時的抗反射功能可能變得不充分。

(偏光元件)

偏光元件如上所述，可列舉：偏光片及液晶偏光片。偏光元件較佳為 偏光片。

(偏光片)

在使碘或有機雙色性染料含浸於偏光片亦即聚乙烯醇(PVA)系樹脂膜等之聚合物的狀態下單軸延伸而成的膜，通常可經由下述步驟製造：將聚乙烯醇系樹脂膜單軸延伸的步驟、以碘等雙色性色素將聚乙烯醇系樹脂膜染色而藉此吸附該雙色性色素的步驟、以含硼酸之水溶液等交聯劑處理吸附有雙色性色素的聚乙烯醇系樹脂膜的步驟、以及在以含硼酸之水溶液等交聯劑處理後進行水洗的步驟。偏光片亦可包含交聯劑。

偏光片的厚度通常為30μm以下，較佳為18μm以下，更佳為15μm以下，再佳為10μm以下。該厚度通常為1μm以上，例如5μm以上即可。

聚乙烯醇系樹脂膜的單軸延伸可在以雙色性色素進行染色之前、與染色同時、或是染色之後進行。染色後進行單軸延伸的情況，此單軸延伸可在硼酸處理之前進行，亦可在硼酸處理中進行。當然亦可以此處所示的多個階段進行單軸延伸。單軸延伸可採用在周速不同的輥之間於薄膜輸送方向上進行單軸延伸的方法、或是使用熱輥在薄膜輸送方向上進行單軸延伸的方法、使用拉幅機在寬度方向上進行延伸的方法等。單軸延伸可藉由在大氣中延伸的乾式延伸來進行，亦可藉由在使用水等溶劑使聚乙烯醇系樹脂膜膨潤的狀態下延伸的濕式延伸來進行。延伸倍率通常為3至8倍。又，亦可在熱塑性樹脂膜上塗佈包含聚乙烯醇的水溶液後實施乾燥處理，與熱塑性樹脂膜一起藉由上述方法進行延伸。

以雙色性色素對於聚乙烯醇系樹脂膜進行染色，例如可藉由 將聚乙烯醇系樹脂膜浸漬於含有雙色性色素之水溶液的方法來進行。作為雙色性色素，具體係使用碘或雙色性有機染料。

(偏光片的製造方法)

偏光片通常係經由下述步驟而製造：將聚乙烯醇系樹脂膜(以下亦稱為「PVA系膜」)進行單軸延伸的步驟、藉由以雙色性色素進行染色而使雙色性色素吸附於PVA系膜的步驟、以含硼酸之水溶液處理吸附有雙色性色素之PVA系膜以使其交聯的步驟、以及在以含硼酸之水溶液進行交聯處理後進行水洗的步驟(以下亦稱為「硼酸處理」)。

PVA系膜的單軸延伸可在以雙色性色素進行染色之前、與染色同時、或是在染色之後進行。染色之後進行單軸延伸的情況，該單軸延伸可在硼酸處理之前進行，亦可在硼酸處理中進行。當然亦可以此處所示的多個階段進行單軸延伸。單軸延伸可採用在周速不同的輥之間於薄膜輸送方向上單軸延伸的方法、使用熱輥在薄膜輸送方向上單軸延伸的方法、使用拉幅機在寬度方向上延伸的方法等。又，單軸延伸可藉由在大氣中延伸的乾式延伸來進行，亦可藉由在使用水等溶劑使PVA系膜膨潤的狀態下延伸的濕式延伸來進行。延伸倍率通常為3至8倍。

以雙色性色素對於PVA系膜進行染色，例如可藉由將PVA系膜浸漬於含有雙色性色素之水溶液的方法來進行。雙色性色素具體係使用碘或雙色性有機染料。另外，PVA系膜在染色處理之前較佳係實施浸漬於水中以使其膨潤的處理。

使用碘作為雙色性色素的情況，通常係採用將PVA系膜浸漬於含有碘及碘化鉀之水溶液以進行染色的方法。就該水溶液中的碘含量而 言，在每100質量份的水中，通常為0.01至1質量份，就碘化鉀的含量而言，在每100質量份的水中，通常為0.5至20質量份。用於染色之水溶液的溫度通常為20至40℃。又，浸漬於該水溶液的時間(染色時間)通常為20至1800秒。

另一方面，使用雙色性有機染料作為雙色性色素的情況，通常係採用將PVA系膜浸漬於包含水溶性之雙色性有機染料的水溶液以進行染色的方法。就該水溶液中的雙色性有機染料的含量而言，在每100質量份的水中，通常為0.0001至10質量份，較佳為0.001至1質量份。該染料水溶液亦可含有硫酸鈉之類的無機鹽作為染色助劑。用於染色的雙色性有機染料水溶液的溫度通常為20至80℃。又，浸漬於該水溶液的時間(染色時間)通常為10至1800秒。

以雙色性色素進行染色之後的硼酸處理，可藉由將已染色之PVA系膜浸漬於含硼酸之水溶液中的方法來進行。就含硼酸之水溶液中的硼酸含量而言，在每100質量份的水中，通常為2至15質量份，較佳為5至12質量份。使用碘作為雙色性色素的情況，該含硼酸之水溶液較佳係含有碘化鉀。就含硼酸之水溶液的碘化鉀含量而言，在每100質量份的水中，通常為0.1至15質量份，較佳為5至12質量份。浸漬於含硼酸之水溶液的浸漬時間通常為60至1200秒，較佳為150至600秒，再佳為200至400秒。含硼酸之水溶液的溫度通常為50℃以上，較佳為50至85℃，再佳為60至80℃。

硼酸處理後的PVA系膜通常會進行水洗處理。水洗處理，例如可藉由將經硼酸處理的PVA系膜浸漬於水中的方法來進行。水洗處理中 的水之溫度通常為5至40℃。又浸漬時間通常為1至120秒。

水洗後實施乾燥處理，可得到偏光片。乾燥處理可使用熱風乾燥機或遠紅外線加熱器進行。乾燥處理的溫度通常為30至100℃，較佳為50至80℃。乾燥處理的時間通常為60至600秒，較佳為120至600秒。藉由乾燥處理，偏光片中的水分率降低至實用的程度。相對於偏光片的總質量，其水分率通常為5至20質量%，較佳為8至15質量%。若水分率為5質量%以上，則偏光片具有充分的可撓性，因此可抑制乾燥後損傷、破裂。又，若水分率為20質量%以下，則偏光片具有充分的熱穩定性。

以上述方式可製造在PVA系膜上吸附配向有雙色性色素而成的偏光片。

上述所得之偏光片，藉由在其單面或兩面積層偏光元件保護膜或保護層，藉此可製造偏光板。

(液晶偏光片)

由液晶偏光片亦即由包含雙色性色素的聚合性液晶化合物之聚合物構成的光學異向性層，由於可任意控制色相的點以及可大幅度薄型化的點、而且不會因熱導致延伸緩和而具有非收縮性的點，因此可適用於例如可撓性顯示器用途。

藉由將液晶偏光片形成用組成物塗佈在第3基材層上或是形成於第3基材層上的第3配向層上，並使液晶偏光片形成用組成物所包含的雙色性色素配向，藉此可形成液晶偏光片。液晶偏光片的厚度較佳為0.1μm以上5μm以下，更佳為0.3μm以上4μm以下，再佳為0.5μm以上3μm以下。若厚度小於上述範圍，則可能無法得到所需之光吸收，且若厚 度大於上述範圍，則有由第3配向層而來的配向限制力降低、容易產生配向缺陷的傾向。又，液晶偏光片形成用組成物可更包含溶劑、光聚合起始劑、光敏劑、聚合抑制劑、調平劑及密著性提升劑等。

雙色性色素與聚合性液晶化合物相對於第3基材層面水平配向而成的液晶偏光片中，對於波長λnm的光而言，配向方向之吸光度A1(λ)與和配向面內垂直方向之吸光度A2(λ)的比(雙色比)較佳為7以上，更佳為20以上，再佳為40以上。該比的值越大，可說是吸收選擇性越優良的液晶偏光片。雖亦與雙色性色素的種類相關，但在構成液晶偏光片的聚合性液晶化合物為向列型液晶相的狀態下硬化的情況，上述比為5至10左右。

藉由將吸收波長不同的兩種以上之雙色性色素混合，可製作各種色相的液晶偏光片，可形成在可見光全域皆具有吸收的液晶偏光片。藉由形成具有這種吸收特性的液晶偏光片，可發展至各種用途。

(構成液晶偏光片的聚合性液晶化合物)

所謂的聚合性液晶化合物，係具有聚合性基且具有液晶性的化合物。聚合性基係指參與聚合反應的基，較佳為光聚合性基。此處，所謂的光聚合性基，係指可藉由從後述光聚合起始劑產生之活性自由基或酸等而參與聚合反應的基。聚合性基可列舉：乙烯基、乙烯氧基、1-氯乙烯基、異丙烯基、4-乙烯基苯基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、環氧乙烷基、氧環丁烷基等。其中較佳為丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、乙烯氧基、環氧乙烷基及氧環丁烷基，更佳為甲基丙烯醯氧基或丙烯醯氧基。液晶性可為熱致液晶，亦可為溶致液晶，在與後述雙色性色素混合的情況中，較佳為熱致液 晶。聚合性液晶化合物可為單體，亦可為二聚物以上聚合而成的聚合物。

聚合性液晶化合物為熱致液晶的情況，亦可為顯示向列液晶相的熱致性液晶化合物，亦可為顯示層列液晶相的熱致性液晶化合物。從可顯示出高雙色性這樣的觀點來看，聚合性液晶化合物顯示的液晶狀態較佳為層列相，從高性能化的觀點來看，更佳為高次層列相。其中，更佳為形成層列B相、層列D相、層列E相、層列F相、層列G相、層列H相、層列I相、層列J相、層列K相或層列L相的高次層列聚合性液晶化合物，再佳為形成層列B相、層列F相或層列I相的高次層列聚合性液晶化合物。若聚合性液晶化合物形成的液晶相為此等的高次層列相，則可製造偏光性能更高的液晶偏光片。又，這種偏光性能高的液晶偏光片在X射線繞射測定中可獲得源自六角相或結晶相之類的高次結構的布拉格峰值。該布拉格峰值係源自分子配向之週期結構的峰值，可得到其週期間隔為3至6Å的膜。從可得到更高之偏光特性這樣的觀點來看，液晶偏光片較佳係包含該聚合性液晶化合物在層列相的狀態下配向而成的聚合性液晶化合物的聚合物。

聚合性液晶化合物可單獨使用一種，亦可組合兩種以上使用。包含後述其他化合物的液晶偏光片形成用組成物，只要無損本發明的效果，則亦可包含聚合性液晶化合物以外的其他聚合性液晶化合物，從得到配向秩序度高之液晶偏光片的觀點來看，相對於液晶偏光片形成用組成物所包含的所有聚合性液晶化合物的總質量，聚合性液晶化合物(其他聚合性液晶化合物以外的聚合性液晶化合物)的比例較佳為51質量%以上，更佳為70質量%以上，再佳為80質量%以上。

液晶偏光片形成用組成物的聚合性液晶化合物的含量，相對於聚合性液晶組成物的固形分，較佳為40至99.9質量%，更佳為60至99質量%，再佳為70至99質量%。若聚合性液晶化合物的含量在上述範圍內，有聚合性液晶化合物的配向性變高的傾向。另外，本說明書中，固形分係指將溶劑從液晶偏光片形成用組成物去除後的成分總量。

(構成液晶偏光片的雙色性色素)

雙色性色素係指分子在長軸方向上的吸光度與短軸方向上的吸光度具有不同性質的色素。雙色性色素較佳為具有吸收可見光的特性，更佳係在波長380至680nm的範圍具有吸收極大波長(λMAX)。這樣的雙色性色素可列舉例如：吖啶色素、

色素、花青色素、萘色素、偶氮色素及蒽醌色素等，其中較佳為偶氮色素。偶氮色素可列舉：單偶氮色素、雙偶氮色素、參偶氮色素、肆偶氮色素及二苯乙烯偶氮色素等，較佳為雙偶氮色素及參偶氮色素。雙色性色素可單獨亦可組合，但為了在可見光全域獲得吸收，較佳係組合兩種以上的雙色性色素，更佳係組合三種以上的雙色性色素。

偶氮色素可列舉例如：式(VIII)表示的化合物(以下有時亦稱為「化合物(VIII)」)。

T¹-A¹(-N=N-A²)_p-N=N-A³-T² (VIII)

[式(VIII)中，

A¹、A²及A³互相獨立地表示亦可具有取代基的1,4-伸苯基、亦可具有取代基的萘-1,4-二基、亦可具有取代基的苯甲酸苯基酯基、亦可具有取代基的4,4’-伸二苯乙烯基(stilbenylene group)或亦可具有取代基的2價雜 環基。

T¹及T²互相獨立地為電子吸引基或電子釋放基，相對於偶氮鍵面內實質上位於180°的位置。

p表示0至4的整數。p為2以上的情況，各別的A²可彼此相同，亦可不同。在可見光區域顯示吸收的範圍內，-N=N-鍵亦可取代成-C=C-、-COO-、-NHCO-、-N=CH-鍵]。

雙色性色素的含量(包含多種時為其總量)，從得到良好的光吸收特性的觀點來看，相對於100質量份的聚合性液晶化合物，通常為1至60質量份，較佳為1至40質量份，更佳為1至20質量份。若雙色性色素的含量少於此範圍，則光吸收變得不充分，無法得到充分的偏光性能，若多於此範圍，則可能阻礙液晶分子的配向。

藉由將液晶偏光片形成用組成物塗佈於第3基材層上或是形成於第3基材層上的第3配向層上，藉此可製造液晶偏光片。液晶偏光片形成用組成物亦可更包含溶劑、調平劑、聚合起始劑、光敏劑、抗氧化劑、交聯劑、密著劑等反應性添加劑等添加劑，從加工性的觀點來看，較佳係包含溶劑、調平劑。此等的添加劑可使用在液晶相位差層形成用組成物中所說明者。

液晶偏光片形成用組成物的塗佈方法、將液晶偏光片形成用組成物中包含的溶劑去除的乾燥方法、使液晶偏光片形成用組成物所包含的聚合性液晶化合物聚合的方法，可列舉在液晶相位差層之製造方法中所說明的方法。第3基材層及第3配向層可列舉：在液晶相位差層之製造方法中所說明的第1基材層及第2基材層，以及第1配向層及第2配向層中 所說明者。

藉由在液晶偏光片的單面或兩面積層偏光元件保護膜或保護層，藉此可製造偏光板。

(偏光元件保護膜)

偏光元件保護膜具有保護偏光元件之表面的功能。偏光元件與偏光元件保護膜亦可彼此直接積層。此處所謂的「直接積層」包含藉由偏光元件保護膜的自黏性而積層於偏光元件的態樣以及隔著黏接著劑層(接著劑層或黏著劑層)進行積層的態樣。就偏光元件保護膜而言，為了提升與偏光元件的密著性，亦可對其實施表面處理(例如電暈處理等)，亦可形成底漆層(亦稱為「易接著層」)等薄層。

作為偏光元件保護膜，例如，可使用透明性、機械強度、熱穩定性、水分阻隔性、等向性、延伸性等優良的樹脂膜。樹脂膜亦可為熱塑性樹脂膜。構成這種樹脂膜之樹脂的具體例可列舉：三乙醯基纖維素等纖維素系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂；聚醚碸系樹脂；聚碸系樹脂；聚碳酸酯系樹脂；尼龍、芳香族聚醯胺等聚醯胺系樹脂；聚醯亞胺系樹脂；聚乙烯、聚丙烯、乙烯/丙烯共聚物等聚烯烴系樹脂；具有環系及降莰烯結構的環狀聚烯烴系樹脂(亦稱為「降莰烯系樹脂」)；聚甲基丙烯酸甲酯等(甲基)丙烯酸系樹脂；聚芳酯系樹脂；聚苯乙烯系樹脂；聚乙烯醇系樹脂、以及此等的混合物。此材質的偏光元件保護膜可從市場上輕易取得。另外亦可列舉：(甲基)丙烯酸系、胺甲酸乙酯系、(甲基)丙烯酸胺甲酸乙酯系、環氧系、聚矽氧系等熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。本說明書中，(甲基)丙烯酸係指丙烯酸及甲基丙烯酸之中任一 者。關於(甲基)丙烯酸酯及(甲基)丙烯醯基等的表記亦相同。

作為鏈狀聚烯烴系樹脂，除了聚乙烯樹脂(屬於乙烯之同元聚合物的聚乙烯樹脂、或是以乙烯為主體的共聚物)、聚丙烯樹脂(屬於丙烯之同元聚合物的聚丙烯樹脂、或是以丙烯為主體的共聚物)之類的鏈狀烯烴之同元聚合物以外，亦可列舉由兩種以上的鏈狀烯烴構成的共聚物。

環狀聚烯烴系樹脂係將環狀烯烴作為聚合單元進行聚合之樹脂的統稱，可列舉例如：日本特開1989-240517號公報、日本特開1991-14882號公報、日本特開1991-122137號公報等記載的樹脂。若舉出環狀聚烯烴系樹脂的具體例，則為環狀烯烴的開環(共)聚合物、環狀烯烴的加成聚合物、環狀烯烴與乙烯、丙烯之類的鏈狀烯烴的共聚物(代表性為無規共聚物)及以不飽和羧酸或其衍生物將此等改性而成的接枝聚合物、以及此等的氫化物。其中，較佳係採用使用降莰烯或多環降莰烯系單體之類的降莰烯系單體作為環狀烯烴而成的降莰烯系樹脂。

聚酯系樹脂係在主鏈中具有酯鍵的樹脂，其一般為多元羧酸或其衍生物與多元醇的縮聚物。多元羧酸或其衍生物可使用2價的二羧酸或其衍生物，可列舉例如：對苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸二甲酯、萘二羧酸二甲酯等。多元醇可使用2價的二醇，可列舉例如：乙二醇、丙二醇、丁二醇、新戊二醇、環己烷二甲醇等。作為聚酯系樹脂的代表例，可列舉屬於對苯二甲酸與乙二醇之縮聚物的聚對苯二甲酸乙二酯。

纖維素酯系樹脂係纖維素與脂肪酸的酯。纖維素酯系樹脂的具體例包含三乙酸纖維素、二乙酸纖維素、纖維素三丙酸酯、纖維素二丙酸酯。另外可列舉：具有多種構成此等纖維素酯系樹脂之聚合單元的共聚 物、或是羥基的一部分經由其他取代基修飾而成者。此等之中，特佳為三乙酸纖維素(三乙醯基纖維素)。

(甲基)丙烯酸系樹脂係以具有(甲基)丙烯醯基的化合物作為主要構成單體的樹脂。(甲基)丙烯酸系樹脂的具體例可列舉例如；聚甲基丙烯酸甲酯之類的聚(甲基)丙烯酸酯；甲基丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸共聚物；甲基丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸酯共聚物；甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸酯-(甲基)丙烯酸共聚物；(甲基)丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物(MS樹脂等)；甲基丙烯酸甲酯與具有脂環族烴基之化合物的共聚物(例如甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸環己酯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸降莰酯共聚物等)。較佳係使用以聚(甲基)丙烯酸甲酯之類的聚(甲基)丙烯酸C_1-6烷酯作為主成分的聚合物，更佳係使用以甲基丙烯酸甲酯作為主成分(50至100重量%，較佳為70至100重量%)的甲基丙烯酸甲酯系樹脂。

聚碳酸酯系樹脂係由單體單元經由碳酸根基(carbonato)鍵結而成之聚合物所構成。聚碳酸酯系樹脂亦可為將聚合物骨架進行修飾而成的所謂改性聚碳酸酯的樹脂或是共聚合聚碳酸酯等。聚碳酸酯系樹脂可列舉例如：日本特開2012-31370號公報記載者。

偏光元件保護膜的厚度較佳為0.1μm至60μm，更佳為0.5μm至40μm，再佳為1μm至30μm。

偏光元件保護膜可以相較於偏光元件配置於觀賞側的方式使用。因此，亦可因應需求對於偏光元件保護膜實施硬塗處理、抗反射處理、防沾黏處理、防眩處理等表面處理。亦可因應需求進一步/或是另外對於偏光元件保護膜實施改善透過偏光墨鏡觀賞時之觀賞性的處理(代表性為賦 予(橢)圓偏光功能、賦予超高相位差)。藉由實施這樣的處理，即使在透過偏光墨鏡等偏光透鏡觀賞顯示畫面的情況，亦可實現優良的觀賞性。因此，具備具有相位差之偏光元件保護膜的偏光板，亦適合應用於可在戶外使用的圖像顯示裝置。

藉由對於包含上述熱塑性樹脂的膜進行延伸，藉此可製作偏光元件保護膜。延伸處理可列舉：單軸延伸或雙軸延伸等。延伸方向可列舉：未延伸膜的機械行進方向(MD)、與其正交的方向(TD)、與機械行進方向(MD)斜向交叉的方向等。雙軸延伸亦可為在兩個延伸方向上同時延伸的同時雙軸延伸，亦可為在既定方向上延伸後再於另一方向延伸的逐次雙軸延伸。延伸處理例如可以下述方式進行：使用在出口側的周速較大的兩對以上之夾輥而將其在長邊方向(機械行進方向：MD)進行延伸，或是以夾頭載持未延伸膜的兩側端並將其在與機械行進方向正交的方向(TD)拉開。此時，藉由調整膜的厚度或是調整延伸倍率，可控制相位差值及波長分散。又，藉由在樹脂中添加波長分散調整劑，可控制波長分散值。

偏光元件保護膜，可因應目的含有任意適當的添加劑。添加劑可列舉例如：受阻酚系、磷系、硫系等抗氧化劑、耐光穩定劑、紫外線吸收劑、耐候穩定劑、熱穩定劑等的穩定劑；玻璃纖維、碳纖維等補強材料；近紅外線吸收劑；磷酸參(二溴丙基)酯、磷酸三烯丙酯、氧化銻等阻燃劑；陰離子系、陽離子系、非離子系界面活性劑等抗靜電劑；無機顏料、有機顏料、染料等著色劑；有機填充物或無機填充物；樹脂改性劑；塑化劑；潤滑劑；相位差降低劑等。含有之添加劑的種類、組合、含量等可因應目的及預期特性適當設定。

為了賦予預期表面光學特性或其他特徵，亦可在偏光元件保護膜的外面設置塗佈層(表面處理層)。表面處理層的具體例包含硬塗層、防眩層、抗反射層、抗靜電層、防汙層。形成表面處理層的方法並無特別限定，可使用公知的方法。表面處理層亦可形成於偏光元件保護膜的一面，亦可形成於兩面。

硬塗層具有提高偏光元件保護膜之表面硬度的功能，其設置目的為防止表面擦傷等。就硬塗層而言，其依照JIS K 5600-5-4：1999「塗料一般試驗方法-第5部：塗膜的機械性質-第4節：刮磨硬度(鉛筆法)」規定之鉛筆硬度試驗(將具有硬塗層的光學膜載置於玻璃板上以進行測定)所測得的鉛筆硬度較佳為H或是比其更堅硬的值。

形成硬塗層的材料，一般係藉由熱或光而硬化者。可列舉例如：有機聚矽氧系、三聚氰胺系、環氧系、(甲基)丙烯酸系、胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯系之類的有機硬塗材料、二氧化矽之類的無機硬塗材料。此等之中，從對於偏光元件保護膜之密著性良好以及生產性優良來看，較佳係使用胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯系或多官能(甲基)丙烯酸酯系硬塗材料。

硬塗層可因應預期以調整折射率、提升彎曲彈性係數、體積收縮率的穩定化、進一步達成提升耐熱性、抗靜電性、防眩性等為目的而含有各種填充物。硬塗層亦可含有抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、抗靜電劑、調平劑、消泡劑之類的添加劑。

硬塗層亦可為了進一步提升強度而含有添加劑。添加劑並未限定，可列舉：無機系微粒子、有機系微粒子或此等的混合物。就硬塗層的厚度而言，為了具有硬度而可為較厚，但若太厚，在裁切時容易破裂， 因此例如可為1μm至20μm，亦可為2μm至10μm。硬塗層的厚度較佳為3μm至7μm。

防眩層係表面具有微細凹凸形狀的層，較佳為使用上述形成硬塗層之材料形成。

表面具有微細凹凸形狀的防眩層可藉由下述方法形成：1)在延伸膜上形成含有微粒子的塗膜而設置根據該微粒子之凹凸的方法；2)在延伸膜上形成含有或不含有微粒子的塗膜後，將其按壓於表面經賦予凹凸形狀的模具(輥等)以轉印凹凸形狀的方法(亦稱為壓印法)等。

抗反射層，對於觀看偏光元件保護膜者而言，係用以使偏光元件保護膜表面的外部光線反射變弱的層，通常對於可見光的反射率為1.5%以下。這種反射率的抗反射層典型而言可藉由將具有高折射率的高折射率層與具有低折射率的低折射率層積層而獲得、或是藉由使用日本特開2021-6929號公報記載的方法及材料而獲得。藉由調整此等的折射率與各層的厚度，可使來自各層的反射光彼此消弱，而發揮優良的抗反射功能。

就高折射率層與低折射率層構成的抗反射層而言，若使用可分別形成高折射率層及低折射率層的塗佈型組成物來製造抗反射層，則操作極為簡便，因而較佳。此處舉出可分別形成高折射率層及低折射率層的塗佈型組成物之一例。此塗佈型組成物為液態，其包含適當的硬化性樹脂，並因應需求包含添加劑。可形成高折射率層的塗佈型組成物(高折射率層形成用組成物)，例如係將胺甲酸乙酯丙烯酸酯之類的硬化性樹脂與苯乙酮系、二苯甲酮系、苄基二甲基縮酮系、α-羥基烷基苯酮系、α-胺基烷基苯酮系或噻噸酮系之類的用於光聚合之起始劑(光聚合起始劑)溶解於甲乙酮、 甲基異丁基酮之類的溶劑而成。為了使塗佈性更加良好，亦可包含調平劑，較佳為包含氟系調平劑。又，可形成低折射率層的塗佈型組成物(低折射率層形成用組成物)，係使二氧化矽粒子分散於將作為硬化性樹脂的聚乙二醇二丙烯酸酯或季戊四醇(三/四)丙烯酸酯之類的黏結劑樹脂與苯乙酮系、二苯甲酮系、苄基二甲基縮酮系、α-羥基烷基苯酮系、α-胺基烷基苯酮系或噻噸酮系之類的用於光聚合的起始劑(光聚合起始劑)溶解於1-甲氧基-2-丙基乙酸酯或甲基異丁基之類的溶劑而成的溶液所形成。為了使塗佈性更加良好，亦可包含氟系調平劑。另外，此處所舉出的可分別形成高折射率層及低折射率層的塗佈型組成物僅為一例，較佳係因應欲形成之抗反射層的特性而分別將高折射率層形成用組成物及低折射率層形成用組成物最佳化。

抗反射層例如可為具備低折射率層者。又，亦可為在偏光元件保護膜與低折射率層之間更具備高折射率層及/或中折射率層的多層結構。

低折射率層可藉由將含有上述硬化性樹脂之硬化物、金屬烷氧化物系聚合物等透光性樹脂及無機粒子的塗佈液進行塗佈後，因應需求使塗佈層硬化的方法而形成。無機粒子可列舉例如：LiF(折射率1.4)、MgF(折射率1.4)、3NaF．AlF(折射率1.4)、AlF(折射率1.4)、Na₃AlF₆(折射率1.33)等低折射粒子、中空二氧化矽粒子等。

抗靜電層可以賦予偏光元件保護膜之表面導電性、抑制靜電所造成之影響等目的而設置。抗靜電層的形成，例如可採用將含有導電性物質(抗靜電劑)的樹脂組成物塗佈於偏光元件保護膜上的方法。例如藉由在上述形成硬塗層的材料中使抗靜電劑共存，可形成抗靜電性的硬塗層。

防汙層係為了賦予撥水性、撥油性、耐汗性、防汙性等而設置。用以形成防汙層的適當材料為含氟之有機化合物。含氟之有機化合物可列舉：氟碳、全氟矽烷、此等的高分子化合物等。防汙層的形成方法可因應形成之材料而使用以蒸鍍或濺鍍為代表例的物理氣相成長法、化學氣相成長法、濕式塗佈法等。防汙層的平均厚度為通常1至50nm左右，較佳為3至35nm。

(保護層)

偏光板中，亦可在偏光元件的單面或兩面具有保護層。使用液晶偏光片作為偏光元件並藉由黏接著劑等將液晶偏光片與其他膜接著積層的情況中，藉由在液晶偏光片的表面具有保護層，可防止液晶偏光片中的未反應之聚合性液晶化合物、雙色性色素等低分子成分擴散至其他層。

保護層只要可抑制液晶偏光片中未反應的聚合性液晶化合物、雙色性色素等低分子成分擴散至其他層，則其厚度宜小。保護層的厚度較佳為0.1μm以上10μm以下，更佳為0.1μm以上5μm以下，再佳為0.1μm以上3μm以下。

保護層較佳為交聯密度大的聚合物或是親水性相互作用高的水溶性聚合物。例如包含選自由(甲基)丙烯酸樹脂、環氧樹脂、氧環丁烷樹脂、胺甲酸乙酯樹脂及三聚氰胺樹脂、聚乙烯醇樹脂構成的群組中的至少一種而成。此等之中，從硬化性優良、易形成之觀點來看，較佳為包含選自由(甲基)丙烯酸樹脂、環氧樹脂、氧環丁烷樹脂、胺甲酸乙酯樹脂及三聚氰胺樹脂構成的群組之中的至少一種而成，更佳為包含選自由(甲基)丙烯酸樹脂及胺甲酸乙酯樹脂構成之群組中的至少一種而成。又，從親水性的 觀點來看，較佳為聚乙烯醇樹脂。

[實施例]

以下顯示實施例及比較例等而更具體說明本發明，但本發明不因此等的例子而有所限定。實施例及比較例等中的「%」及「份」，若未特別說明，則分別表示「質量%」及「質量份」。

<偏光板a的製作>

(偏光片a的製作)

將平均聚合度約2,400、皂化度99.9莫耳%以上且厚度75μm的聚乙烯醇膜浸漬於30℃的純水之後，於30℃浸漬於碘/碘化鉀/水的質量比為0.02/2/100的水溶液，以進行碘染色(染色步驟)。將經過染色步驟的聚乙烯醇膜於56.5℃浸漬於碘化鉀/硼酸/水的質量比為12/5/100的水溶液，以進行硼酸處理(硼酸處理步驟)。

以8℃的純水清洗經過硼酸處理步驟的聚乙烯醇膜之後，於65℃進行乾燥，得到在聚乙烯醇中吸附配向有碘的偏光片a。此時，在碘染色步驟與硼酸處理步驟中進行延伸。此延伸中的總延伸倍率為5.3倍，所得之偏光片a的厚度為27μm。

(偏光板a的製作)

在偏光片a的單面上，隔著水系接著劑貼合作為偏光元件保護膜的環狀聚烯烴樹脂(COP)膜(日本瑞翁製，ZEONORZF14，厚度13μm)，在偏光片a的另一面上，隔著水系接著劑貼合經皂化處理的三乙醯基纖維素膜(商品名稱：KC4UYTAC，Konica Minolta製，厚度40μm)。一邊將所得之貼合物的張力保持於430N/m，一邊於60℃進行乾燥2分鐘，得到偏光板a。 水系接著劑係以下述方式製備：在100份的水中添加3份的羧基改性聚乙烯醇(Kuraray povalkl318，可樂麗製)、1.5份的水溶性聚醯胺環氧樹脂(SumirezResin650，Sumika Chemtex製，固形分濃度30%的水溶液)。

<偏光板(b)的製作>

在偏光片a的兩面隔著在上述偏光板a的製作中使用的水系接著劑貼合經皂化處理的三乙醯基纖維素膜(商品名稱：KC4UYTAC，Konica Minolta製，厚度40μm)。一邊將所得之貼合物的張力保持於430N/m，一邊於60℃進行乾燥2分鐘，得到在兩面上具有作為偏光元件保護膜的三乙醯基纖維素(TAC)膜的偏光板b。

<第1液晶相位差層(1)的製作>

(第1液晶相位差層形成用組成物(1)的製備)

相對於100份的下示聚合性液晶化合物Paliocolor LC242(BASF JAPAN公司製)，添加0.1份的調平劑「BYK-361N」(BYK-Chemie公司製)及2.5份的作為光聚合起始劑的「Omnirad907」(IGM Resin B.V.公司製)。再者，相對於100份的上述聚合性液晶化合物，添加400份的丙二醇1-單甲醚2-乙酸酯(PGME)，於溫度80℃攪拌1小時，製備第1液晶相位差層形成用組成物(1)。

聚合性液晶化合物Paliocolor LC242：

(附基材之第1液晶相位差層(1)的製作)

對於作為第1基材層(1)的裁切成長方形之三乙醯基纖維素(TAC)膜 (Konica Minolta股份有限公司製，KC4UY(厚度40μm))，從TAC膜的長邊方向以成為15°的角度實施摩擦處理，藉由棒塗佈機在其上塗佈第1液晶相位差層形成用組成物(1)。將所得之塗佈層於100℃乾燥1分鐘後，冷卻至室溫，得到乾燥被膜。然後使用高壓汞燈(優志旺股份有限公司製「Unicure VB-15201BY-A」)，在氮氣環境中，對於乾燥被膜照射1000mJ/cm²(365nm基準)的紫外線，藉此形成聚合性液晶化合物在相對第1基材層(1)的面內水平之方向上配向的狀態下硬化而成的第1聚合物層(1)(水平配向液晶硬化膜)，得到由第1基材層(1)/第1液晶相位差層(1)(第1聚合物層(1))構成的附基材之第1液晶相位差層(1)。

以雷射顯微鏡測定所得之第1聚合物層(1)的厚度，結果為1.0μm。附基材之第1液晶相位差層(1)的面內相位差值係使用王子計測機器股份有限公司製的KOBRA-WR進行測定。結果，在波長550nm的面內相位差值為Re(550)=140nm。另外，作為第1基材層(1)的TAC膜在波長550nm的相位差值約為0，因此不影響其光學特性。配向角相對於第1基材層(1)的長邊方向為15°。第1液晶相位差層(1)為正波長分散性。

<第1液晶相位差層(2)的製作>

(附基材之第1液晶相位差層(2)的製作)

依照國際公開第2021/060378號的段落[0136]及[0137]記載的第3光學異向性層的製作程序，在附基材之第1液晶相位差層(1)的製作中所說明的第1基材層(1)上形成第1液晶相位差層(2)，得到由第1基材層(1)/第1液晶相位差層(2)(第1聚合物層(2))構成的附基材之第1液晶相位差層(2)。

<第1液晶相位差層(3)的製作>

(垂直配向層形成用組成物(1)(配向層形成用組成物)的製備)

垂直配向層形成用組成物(1)係使用下述混合物：將2-苯氧基乙基丙烯酸酯、丙烯酸四氫呋喃甲酯、二新戊四醇三丙烯酸酯與雙(2-乙烯氧基乙基)醚依照1：1：4：5的比例混合，並以4%的比例添加作為聚合起始劑的LUCIRIN TPO而成的混合物。

(第1液晶相位差層形成用組成物(2)的製備)

第1液晶相位差層形成用組成物(2)係以固形分成為1至1.5g的方式製備光聚合性向列液晶化合物(Merck公司製，RMM28B)與溶劑而製作。溶劑係使用將甲乙酮(MEK)、甲基異丁基酮(MIBK)、環己酮(CHN)依照質量比(MEK：MIBK：CHN)為35：30：35的比例混合而成的混合溶劑。

(附基材之第1液晶相位差層(3)的製作)

準備作為第1基材層(2)的厚度38μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜。在第1基材層(2)的單面上以厚度成為3μm的方式塗佈垂直配向層形成用組成物(1)，照射200mJ/cm²的紫外線，製作作為垂直配向層的第1配向層(1)。

藉由模具塗佈在第1配向層(1)上塗佈第1液晶相位差層形成用組成物(2)。塗佈量為4至5g(wet)。使乾燥溫度為75℃，使乾燥時間為120秒，將塗膜乾燥。之後對於塗膜照射紫外線(UV)，使聚合性液晶化合物聚合而形成第1聚合物層(3)，得到由第1基材層(2)/第1液晶相位差層(3)(第1配向層(1)/第1聚合物層(3))構成的附基材之第1液晶相位差層(3)。

附基材之第1液晶相位差層(3)為正C板。第1液晶相位差層 (3)的厚度為4μm。隔著黏著劑將附基材之第1液晶相位差層(3)貼合於玻璃後，將第1基材層(3)剝離，測定第1液晶相位差層(3)的面內相位差值。測定係使用王子計測機器股份有限公司製的「KOBRA-WPR」。在波長550nm的面內相位差值為Re(550)=1nm、在波長550nm的厚度方向上之相位差值為Rth(550)=-100nm。第1液晶相位差層(3)為正波長分散性。

<第1液晶相位差層(c1)的製作>

(配向性聚合物組成物(c1)(配向層形成用組成物(c1))的製備)

在市售的聚乙烯醇(聚乙烯醇1000完全皂化型，和光純藥工業股份有限公司製)加水，於100℃加熱1小時，得到配向性聚合物組成物(c1)。

(附基材之第1液晶相位差層(c1)的製作)

在作為第1基材層(c1)的裁切成長方形之三乙醯基纖維素(TAC)膜(Konica Minolta股份有限公司製，KC8UY(厚度80μm))上塗佈配向性聚合物組成物(c1)並進行加熱乾燥，藉此形成厚度100nm的第1配向層(c1)。對於第1配向層(c1)的表面，從上述TAC膜的長邊方向以成為15°的角度實施摩擦處理，藉由棒塗佈機在其上塗佈第1液晶相位差層形成用組成物(1)。將所得之塗佈層於100℃乾燥1分鐘後，冷卻至室溫，得到乾燥被膜。然後，使用高壓汞燈(優志旺股份有限公司製「Unicure VB-15201BY-A」)，在氮氣環境下，對於乾燥被膜照射1000mJ/cm²(365nm基準)的紫外線，形成聚合性液晶化合物在相對於第1基材層(c1)的面內水平之方向上配向的狀態下硬化而成的第1聚合物層(c1)(水平配向液晶硬化膜)，得到由第1基材層(c1)/第1液晶相位差層(c1)(第1配向層(c1)/第1聚合物層(c1))構成的附基材之第1液晶相位差層(c1)。

以雷射顯微鏡測定所得之第1聚合物層(c1)的厚度，結果為1.0μm。附基材之第1液晶相位差層(c1)的面內相位差值係使用王子計測機器股份有限公司製的KOBRA-WR進行測定。結果，在波長550nm的面內相位差值為Re(550)=140nm。另外，作為第1基材層(c1)的TAC膜在波長550nm的相位差值約為0，因此不影響其光學特性。配向角相對於第1基材層(c1)的長邊方向為15°。第1液晶相位差層(c1)為正波長分散性。

[附基材之第1液晶相位差層的透光率Tx之測定]

使用紫外可見分光光度計(島津製作所股份有限公司公司製的「UV-2450」)測定上述所得之附基材之第1液晶相位差層在波長317nm的透光率Tx。結果顯示於表1至表3。

[第1基材層的厚度的測定]

使用接觸式膜厚計(NIKON製：DIGIMICROMH-15M)測定第1基材層的厚度。結果顯示於表1至表3。

<第2液晶相位差層(1)的製作>

(第2液晶相位差層形成用組成物(1)的製備)

分別製備具有下示結構的聚合性液晶化合物(A1)及聚合性液晶化合物(A2)。聚合性液晶化合物(A1)及聚合性液晶化合物(A2)係根據日本特開2010-244038號公報記載的方法準備。

聚合性液晶化合物(A1)：

聚合性液晶化合物(A2)：

將聚合性液晶化合物(A1)及聚合性液晶化合物(A2)以質量比80：20混合，得到混合物。相對於所得之混合物100份，添加0.1份的調平劑「MEGAFACF-556」(DIC公司製)，2.5份的作為光聚合起始劑的「Omnirad907」(IGM Resin B.V.公司製)，0.1份的下述所示的離子性化合物(B)。然後相對於100份的混合物，添加650份的環戊酮，在溫度80℃攪拌1小時，藉此製備第2液晶相位差層形成用組成物(1)。

離子性化合物(B)

(附基材之第2液晶相位差層(1)的製作)

使用電暈處理裝置(AGF-B10；春日電機股份有限公司製)對於作為第2基材層(1)的裁切成長方形之環烯烴聚合物(COP)膜(日本瑞翁股份有限公司製，ZF14，厚度13μm)實施電暈處理後，塗佈配向性聚合物組成物(c1)，加熱乾燥後，形成厚度100nm的配向性聚合物的第2配向層(1)。對於第2配向層(1)的表面，從COP膜的長邊方向以成為75°的角度實施摩擦處理，藉由棒塗佈機在其上塗佈第2液晶相位差層形成用組成物(1)，於120℃進行乾燥2分鐘，得到乾燥被膜。使用高壓汞燈(優志旺股份有限公司製「Unicure VB-15201BY-A」)，在氮氣環境下，於溫度80℃對於乾燥被膜照射曝光量1000mJ/cm²(365nm基準)的紫外光，藉此形成聚合性液晶化合物的光軸在相對於第2基材層(1)的面內水平之方向上配向的狀態下硬化而成的第2聚合物層(1)，得到作為光學膜的附基材之第2液晶相位差層(1)。附基材之第2液晶相位差層(1)具有第2基材層(1)/第2液晶相位差層(1)(第2配向層(1)/第2聚合物層(1))的層結構。

以雷射顯微鏡測定所得之第2聚合物層(1)的厚度，結果為1.8μm。附基材之第2液晶相位差層(1)的面內相位差值係使用王子計測機器股份有限公司製的KOBRA-WR進行測定。結果，在波長550nm的面內相位差值為Re(550)=270nm。另外，作為第2基材層(1)的COP膜在波長 550nm的相位差值約為0，因此不影響附基材之第2液晶相位差層(1)的光學特性。配向角相對於第2基材層(1)的長邊方向為75°。第2液晶相位差層(1)為正波長分散性。

<第2液晶相位差層(2)的製作>

(光配向膜形成用組成物(2)(配向層形成用組成物)的製備)

依據日本特開2021-196514記載的方法製造下述結構的光配向性材料(重量平均分子量：50000，m：n=50：50)。將2份的下述光配向性材料與98份的環戊酮(溶劑)作為成分並進行混合，將所得之混合物於80℃攪拌1小時，藉此製備光配向膜形成用組成物(2)。

光配向性材料：

(第2液晶相位差層形成用組成物(2)的製備)

分別製備具有下述所示之結構的聚合性液晶化合物(A3)及聚合性液晶化合物(A4)。聚合性液晶化合物(A3)係以與日本特開2019-003177記載的方法相同地準備。聚合性液晶化合物(A4)係以與日本特開2009-173893號公報記載的方法相同地準備。

聚合性液晶化合物(A3)：

聚合性液晶化合物(A4)：

使1mg的聚合性液晶化合物(A3)溶解於10mL的氯仿而得到溶液。將所得之溶液裝入光路徑長1cm的測定用單元以作為測定用試料，將測定用試料設置於紫外可見分光光度計(島津製作所股份有限公司製「UV-2450」)，測定吸收光譜。從所得之吸收光譜讀取成為極大吸收度的波長，結果在波長300至400nm的範圍的極大吸收波長λmax為356nm。

將聚合性液晶化合物(A3)及聚合性液晶化合物(A4)以質量比90：10混合，得到混合物。相對於所得之混合物100份，添加0.1份的調平劑「BYK-361N」(BM Chemie公司製)、3份的作為光聚合起始劑的「IRGACURE OXE-03」(BASF JAPAN股份有限公司製)。然後以使固形分濃度成為13%的方式添加N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)。將其於溫度80℃攪拌1小時，藉此製備第2液晶相位差層形成用組成物(2)。

(附基材之第2液晶相位差層(2)的製作)

藉由棒塗佈機在作為第2基材層(2)的雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(Diafoil，三菱樹脂股份有限公司製)塗佈光配向膜形成用組成物(2)。將所得之塗佈層於120℃乾燥2分鐘後，冷卻至室溫，形成乾燥被膜。 之後，使用UV照射裝置(SPOT CURE SP-9；優志旺股份有限公司製)，照射偏光紫外光100mJ(313nm基準)，得到作為第2配向層(2)的光配向膜。使用日本分光股份有限公司製的橢圓偏光儀M-220進行測定，第2配向層(2)的厚度為100nm。

藉由棒塗佈機在第2配向層(2)上塗佈第2液晶相位差層形成用組成物(2)，於120℃加熱乾燥2分鐘後，冷卻至室溫，得到乾燥被膜。然後，使用高壓汞燈(優志旺股份有限公司製「Unicure VB-15201BY-A」)，在氮氣環境下，對於乾燥被膜照射曝光量500mJ/cm²(365nm基準)的紫外線，藉此形成聚合性液晶化合物在相對於第2基材層(2)的面內水平之方向上配向的狀態下硬化而成的第2聚合物層(2)(水平配向液晶硬化膜)，得到作為光學膜的附基材之第2液晶相位差層(2)。附基材之第2液晶相位差層(2)具有第2基材層(2)/第2液晶相位差層(2)(第2配向層(2)/第2聚合物層(2))的層結構。使用OLYMPUS股份有限公司製的雷射顯微鏡LEXT OLS4100進行測定，第2聚合物層(2)的厚度為2.0μm。

對於附基材之第2液晶相位差層(2)的第2液晶相位差層(2)側實施電暈處理，隔著琳得科公司製25μm感壓式黏著劑貼合於玻璃，將第2基材層(2)剝離並去除。面內相位差值係使用王子計測機器股份有限公司製的KOBRA-WR進行測定。另外，對於波長450nm、550nm及650nm之光的面內相位差值，係從對於波長448.2nm、498.6nm、548.4nm、587.3nm、628.7nm、748.6nm之光的面內相位差值的測定結果所得之柯西色散公式求出。

結果，第2液晶相位差層(2)的面內相位差值為Re(450)= 122nm、Re(550)=140nm、Re(650)=144nm，在各波長的面內相位差值之關係如下，第2液晶相位差層(2)為逆波長分散性。

Re(450)/Re(550)=0.87

Re(650)/Re(550)=1.03

[式中，Re(450)係表示對於波長450nm之光的面內相位差值，Re(550)係表示對於波長550nm之光的面內相位差值，Re(650)係表示對於波長650nm之光的面內相位差值]。

[第2液晶相位差層之透光率的測定]

將上述所得之附基材之第2液晶相位差層的第2液晶相位差層側隔著黏著劑層貼合於玻璃後，將第2基材層剝離，得到測定用樣本(1)。針對測定用樣本(1)的製作中所使用的玻璃與黏著劑層的積層體，使用紫外可見分光光度計(島津製作所股份有限公司製的「UV-2450」)測定其在波長317nm的透光率，以此作為基準線，與上述相同地對於測定用樣本(1)在波長317nm的透光率進行測定，將所得之測定值作為第2液晶相位差層的透光率。結果顯示於表1至表3。

<光硬化型接著劑組成物的製備>

調配下述成分並混合後進行消泡，製備作為光硬化型黏接著劑組成物的接著劑組成物。

‧新戊二醇二環氧丙醚(陽離子聚合性化合物)(商品名稱：EX-211L，Nagase ChemteX股份有限公司製)：30份

‧3-乙基-3{[(3-乙氧環丁-3-基)甲氧基]甲基}氧環丁烷(陽離子聚合性化合物)(商品名稱：OXT-221，東亞合成股份有限公司製)：13份

‧雙酚A型環氧樹脂(陽離子聚合性化合物)(商品名稱：EP-4100E，艾迪科股份有限公司，黏度13Pa．s(溫度25℃))：45份

‧含芳香族之氧環丁烷化合物(陽離子聚合性化合物)(商品名稱：TCM-104，TRONLY製)：12份

‧光聚合起始劑(光陽離子聚合起始劑)(商品名稱：CPI-100P，San-Apro股份有限公司製，50%丙烯碳酸酯溶液)：2.25份(固形分量)

‧1,4-二乙氧基萘(光敏助劑)：1份

[光聚合起始劑之極大吸收波長的測定]

將用於接著劑組成物的光聚合起始劑溶解於甲醇，使用紫外可見分光光度計(島津製作所股份有限公司公司製的「UV-2450」)測定極大吸收波長。光聚合起始劑在波長305nm具有極大吸收波長。

<黏著片的製作>

(黏著劑組成物的製備)

在具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌機的反應容器中，置入100份的乙酸乙酯、99.0份的丙烯酸丁酯、0.5份的丙烯酸2-羥乙酯及0.5份的丙烯酸的混合溶液，以氮氣取代裝置內的空氣而使其不含氧，並且將內溫上升至55℃。之後，將使0.12份的偶氮雙異丁腈(聚合起始劑)溶解於10份的乙酸乙酯而成的溶液完全添加至其中。添加聚合起始劑，在該溫度保持1小時，然後一方面將內溫保持於54至56℃，一方面以添加速度17.3部/hr將乙酸乙酯連續加入反應容器內，在(甲基)丙烯酸系樹脂的濃度成為35質量%的時間點停止乙酸乙酯的添加，再於該溫度保持至從乙酸乙酯的添加開始起算經過6小時為止。最後加入乙酸乙酯，以(甲基)丙烯酸系樹 脂的濃度成為20質量%的方式進行調整，製備丙烯酸樹脂溶液(1)。所得之丙烯酸樹脂其重量平均分子量Mw為170萬，分子量分布Mw/Mn為3.9。另外，Mw及Mn係以下述方式測定：在GPC裝置中將兩根東曹股份有限公司製的「TSKgel GMHHR-H(S)」串聯連接配置以作為管柱，使用四氫呋喃作為溶出液，以試料濃度2mg/mL、試料導入量100μL、溫度40℃、流速1mL/分鐘的條件，藉由標準聚苯乙烯換算進行測定。

相對於丙烯酸樹脂溶液(1)的固形分80份，添加(固形分)20份的二官能丙烯酸酯(從新中村化學工業股份有限公司取得；型號「A-DOG」)、按有效成分基準計為2.5份的交聯劑(三井化學製：商品名稱「D-101E」(甲苯二異氰酸酯的三羥甲基丙烷加成體的乙酸乙酯溶液(固形分濃度75質量%))、1.5份的光聚合起始劑(Ciba Specialty Chemicals公司製：商品名稱「IRGACURE 500」)及0.3份的矽烷偶合劑(信越化學工業股份有限公司製：商品名稱「KBM-403」)，再以固形分濃度成為13%的方式添加乙酸乙酯，得到黏著劑組成物。

A-DOG為羥基新戊醛(hydroxypivaldehyde)與三羥甲基丙烷的縮醛化合物之二丙烯酸酯，其具有下式結構。

(黏著劑層的製作)

使用塗敷器以乾燥後的厚度成為5μm的方式將上述製備的黏著劑組成物塗佈於由實施了脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜構成之分隔件[三 菱化學製：MRV(V04)(厚度：38μm)]的脫模處理面，於100℃進行乾燥1分鐘，以製作黏著劑層。然後將所得之黏著劑層中與分隔件相反側的表面貼合於由實施了脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜構成的分隔件[三菱化學製：MRF(厚度：38μm)]的脫模處理面。持續以下述條件照射紫外線，製作黏著片。

<UV照射條件>

‧使用Fusion UV燈系統(Fusion UV Systems公司製)H bulb

‧累積光量250mJ/cm²

[實施例1]

(相位差體(1)的製作)

對於附基材之第1液晶相位差層(1)的第1液晶相位差層(1)側及附基材之第2液晶相位差層(1)的第2液晶相位差層(1)側分別實施電暈處理。在一面的電暈處理面塗佈上述製備的接著劑組成物，並將附基材之第1液晶相位差層(1)的第1液晶相位差層(1)與附基材之第2液晶相位差層(1)的第2液晶相位差層(1)貼合。從附基材之第1液晶相位差層(1)側照射紫外線，使接著劑組成物硬化，形成作為第1黏接著劑層的接著劑層(1)。紫外線係以波長320nm至390nm的UVA成為400mJ/cm²的方式照射。得到具有下述層結構的作為光學積層體之相位差體(1)：第2基材層(1)/第2液晶相位差層(1)(第2配向層(1)/第2聚合物層(1))/接著劑層(1)/第1液晶相位差層(1)/第1基材層(1)。接著劑層(1)的厚度為2.0μm。

(光學積層體(1)的製作)

對於偏光板a的TAC膜側實施電暈處理、並與將上述所得之黏著片之 一邊的分隔件剝離後的面貼合，然後將另一邊的分隔件剝離，使黏著劑層露出。對於將相位差體(1)的第2基材層(1)剝離而露出的第2液晶相位差層(1)(第2聚合物層(1))實施電暈處理、並貼合於上述露出的黏著劑層(第2黏接著劑層)，得到光學積層體(1)。亦將第2配向層(1)與第2基材層(1)一起剝離。光學積層體(1)的層結構為偏光板a/黏著劑層/第2液晶相位差層(1)(第2聚合物層(1))/接著劑層(1)/第1液晶相位差層(1)/第1基材層(1)。

(附光學膜之積層體(1)的製作)

從光學積層體(1)將第1基材層(1)剝離，得到附光學膜之積層體(1)。附光學膜之積層體(1)的層結構為偏光板a/黏著劑層/第2液晶相位差層(1)(第2聚合物層(1))/接著劑層(1)/第1液晶相位差層(1)。

[實施例2至4]

將為了使接著劑組成物硬化而從附基材之第1液晶相位差層(1)側照射的紫外線之光量變更為表1所示的光量，形成接著劑層(2)至(4)，除此之外，以與實施例1相同的程序，得到光學積層體(2)至(4)及附光學膜之積層體(2)至(4)。

[實施例5]

將接著劑層的厚度變更為表1所示的厚度，形成接著劑層(5)，除此之外，以與實施例3相同的程序得到光學積層體(5)及附光學膜之積層體(5)。

[實施例6]

(相位差體(6)的製作)

使用上述製備的接著劑組成物代替接著劑層(1)，形成厚度為3.5μm的接著劑層(6)，除此之外，以實施例1的程序得到相位差體(6)。相位差體(6) 具有下述層結構：第2基材層(1)/第2液晶相位差層(1)(第2配向層(1)/第2聚合物層(1))/接著劑層(6)/第1液晶相位差層(1)/第1基材層(1)。

(光學積層體(6)及附光學膜之積層體(6)的製作)

使用相位差體(6)代替相位差體(1)，除此之外，依照實施例1的程序得到光學積層體(6)及附光學膜之積層體(6)。

[實施例7]

(相位差體(7)的製作)

對於附基材之第1液晶相位差層(2)的第1液晶相位差層(2)側及附基材之第2液晶相位差層(2)的第2液晶相位差層(2)側分別實施電暈處理。在一邊的電暈處理面上塗佈上述製備的接著劑組成物，將附基材之第1液晶相位差層(2)的第1液晶相位差層(2)與附基材之第2液晶相位差層(2)的第2液晶相位差層(2)貼合。從附基材之第1液晶相位差層(2)側照射紫外線，使接著劑組成物硬化，形成作為第1黏接著劑層的接著劑層(7)。紫外線係以波長320nm至390nm的UVA成為400mJ/cm²的方式照射。得到具有下述層結構的作為光學積層體之相位差體(7)：第2基材層(2)/第2液晶相位差層(2)(第2配向層(2)/第2聚合物層(2))/接著劑層(7)/第1液晶相位差層(2)/第1基材層(2)的層結構。接著劑層(7)的厚度為2.0μm。

(光學積層體(7)的製作)

對於偏光板a的TAC膜側實施電暈處理，並且與將上述所得之黏著片一邊的分隔件剝離後的面貼合，然後將另一邊的分隔件剝離，使黏著劑層露出。對於將相位差體(3)的第2基材層(2)剝離而露出的第2液晶相位差層(2)(第2聚合物層(2))實施電暈處理，再貼合於上述露出的黏著劑層(第2 黏接著劑層)，得到光學積層體(7)。亦將第2配向層(2)與第2基材層(2)一起剝離。光學積層體(7)的層結構為偏光板a/黏著劑層/第2液晶相位差層(2)(第2聚合物層(2))/接著劑層(7)/第1液晶相位差層(2)/第1基材層(1)。

(附光學膜之積層體(7)的製作)

從光學積層體(7)將第1基材層(1)剝離，得到附光學膜之積層體(7)。附光學膜之積層體(7)的層結構為偏光板/黏著劑層/第2液晶相位差層(2)(第2聚合物層(2))/接著劑層(7)/第1液晶相位差層(2)。

[實施例8]

(相位差體(8)的製作)

使用上述製備的接著劑組成物代替接著劑層(7)，形成厚度為3.5μm的接著劑層(8)，除此之外，以實施例7的程序得到相位差體(8)。相位差體(8)具有下述層結構：第2基材層(2)/第2液晶相位差層(2)(第2配向層(2)/第2聚合物層(2))/接著劑層(8)/第1液晶相位差層(2)/第1基材層(1)。

(光學積層體(8)及附光學膜之積層體(8)的製作)

使用相位差體(8)代替相位差體(3)，除此之外，以實施例7的程序得到光學積層體(8)及附光學膜之積層體(8)。

[實施例9]

(相位差體(9)的製作)

對於附基材之第1液晶相位差層(3)的第1液晶相位差層(3)側及附基材之第2液晶相位差層(2)的第2液晶相位差層(2)側分別實施電暈處理。在一邊的電暈處理面上塗佈上述製備的接著劑組成物，將附基材之第1液晶相位差層(3)的第1液晶相位差層(3)與附基材之第2液晶相位差層(2)的 第2液晶相位差層(2)。從附基材之第1液晶相位差層(3)側照射紫外線，使接著劑組成物硬化，形成作為第1黏接著劑層的接著劑層(9)。紫外線係以波長320nm至390nm的UVA成為400mJ/cm²的方式照射。得到具有下述層結構的作為光學積層體之相位差體(9)：第2基材層(2)/第2液晶相位差層(2)(第2配向層(2)/第2聚合物層(2))/接著劑層(9)/第1液晶相位差層(3)(第1聚合物層(3)/第1配向層(1))/第1基材層(2)。接著劑層(9)的厚度為2.0μm。

(光學積層體(9)的製作)

對於偏光板a的TAC膜側實施電暈處理，並與將上述所得之黏著片的一邊的分隔件剝離後的面貼合，然後將另一邊的分隔件剝離，使黏著劑層露出。對於將相位差體(9)的第2基材層(2)剝離而露出的第2液晶相位差層(2)(第2聚合物層(2))實施電暈處理，再將其與上述露出的黏著劑層(第2黏接著劑層)貼合，得到光學積層體(9)。亦將第2配向層(2)與第2基材層(2)一起剝離。光學積層體(9)的層結構為偏光板a/黏著劑層/第2液晶相位差層(2)(第2聚合物層(2))/接著劑層(9)/第1液晶相位差層(3)(第1聚合物層(3)/第1配向層(1))/第1基材層(2)。

(附光學膜之積層體(9)的製作)

從光學積層體(5)將第1基材層(3)剝離，得到附光學膜之積層體(9)。亦將第1配向層(1)與第1基材層(2)的剝離一起剝離。附光學膜之積層體(9)的層結構為偏光板/黏著劑層/第2液晶相位差層(2)(第2聚合物層(2))/接著劑層(9)/第1液晶相位差層(3)(第1聚合物層(3))。

[實施例10]

(相位差體(10)的製作)

使用上述製備的接著劑組成物代替接著劑層(9)，形成厚度為3.5μm的接著劑層(10)，除此之外，以實施例9的程序得到相位差體(10)。相位差體(10)具有下述層結構：第2基材層(2)/第2液晶相位差層(2)(第2配向層(2)/第2聚合物層(2))/接著劑層(10)/第1液晶相位差層(3)(第1聚合物層(3)/第1配向層(1))/第1基材層(2)。

(光學積層體(10)及附光學膜之積層體(10)的製作)

使用相位差體(10)代替相位差體(9)，除此之外，以實施例9的程序得到光學積層體(10)及附光學膜之積層體(10)。

[比較例1]

(相位差體(c1)的製作)

對於附基材之第1液晶相位差層(c1)的第1液晶相位差層(c1)側及附基材之第2液晶相位差層(1)的第2液晶相位差層(1)側分別實施電暈處理。在一邊的電暈處理面塗佈上述製備的接著劑組成物，將附基材之第2液晶相位差層(1)的第2液晶相位差層(1)與附基材之第1液晶相位差層(c1)的第1液晶相位差層(c1)貼合。從附基材之第1液晶相位差層(c1)側照射紫外線，使接著劑組成物硬化，形成接著劑層(c1)。紫外線係以波長320nm至390nm的UVA成為400mJ/cm²的方式照射。得到具有下述層結構的相位差體(c1)：第2基材層(1)/第2液晶相位差層(1)(第2配向層(1)/第2聚合物層(1))/接著劑層(c1)/第1液晶相位差層(c1)(第1聚合物層(c1)/第1配向層(c1))/第1基材層(c1)。接著劑層(c1)的厚度為2.0μm。

(光學積層體(c1)的製作)

對於偏光板b的一邊的TAC膜側實施電暈處理，並與將上述所得之黏著片一邊的分隔件剝離後的面貼合，然後將另一邊的分隔件剝離而使黏著劑層露出。對於將相位差體(c1)的第2基材層(1)剝離而露出的第2液晶相位差層(1)(第2聚合物層(1))實施電暈處理，將將其與上述露出的黏著劑層(第2黏接著劑層)貼合，得到光學積層體(c1)。亦將第2配向層(1)與第2基材層(1)一起剝離。光學積層體(c1)的層結構為偏光板b/黏著劑層/第2液晶相位差層(1)(第2聚合物層(1))/接著劑層(1)/第1液晶相位差層(c1)(第1聚合物層(c1)/第1配向層(c1))/第1基材層(c1)。

(附光學膜之積層體(c1)的製作)

從光學積層體(c1)將第1基材層(c1)剝離，得到附光學膜之積層體(1)。在剝離第1基材層(c1)的同時，亦將第1配向層(c1)剝離。附光學膜之積層體(1)的層結構為偏光板b/黏著劑層/第2液晶相位差層(1)(第2聚合物層(1))/接著劑層(1)/第1液晶相位差層(1)(第1聚合物層(1))。

[實施例11]

在製作光學積層體時，使用上述製備的接著劑組成物將偏光板a的電暈處理面與將相位差體(1)的第2基材層(1)剝離而露出的第2液晶相位差層(1)(第2聚合物層(1))的電暈處理面貼合，從將第2基材層剝離後的相位差體(1)側照射紫外線，使接著劑硬化，形成作為第2黏接著劑層的接著劑層，除此之外，以與實施例1相同的程序得到光學積層體(11)及附光學膜之積層體(11)。紫外線係以波長320nm至390nm的UVA成為400mJ/cm²的方式照射。作為第2黏接著劑層的接著劑層之厚度為2.5μm。

[實施例12]

在製作光學積層體時，從將第2基材層剝離後的相位差體(1)側以使波長320nm至390nm的UVA成為600mJ/cm²的方式照射紫外線，除此之外，以與實施例11相同的程序得到光學積層體(12)及附光學膜之積層體(12)。

[實施例13至15]

在製作光學積層體時，使用相位差體(6)至(8)，除此之外，以與實施例11相同的程序得到光學積層體(13)至(15)及附光學膜之積層體(13)至(15)。

[接著劑層之厚度的測定]

接著劑層的厚度係使用KEYENCE製雷射顯微鏡進行測定。結果顯示於表1至表3。

[光學膜的透光率Ty的測定]

光學積層體及附光學膜之積層體中，偏光板/黏著劑層(第2黏接著劑層)/第2液晶相位差層構成光學膜。使用紫外可見分光光度計(島津製作所股份有限公司製的「UV-2450」)測定此光學膜在波長317nm的透光率Ty，與附基材之第1液晶相位差層在波長317nm的透光率Tx進行比較。結果顯示於表1至表3。

[接著劑層中的光聚合起始劑之殘留量的測定]

使用相位差體依照下述程序算出接著劑層所包含的光聚合起始劑之比例。首先，從該相位差體將第1基材層及第2基材層剝離去除，將第2液晶相位差層/接著劑層/第1液晶相位差層之層結構的積層體冷凍粉碎，溶解於溶劑(乙腈)後進行濾過，得到試驗溶液。將所得之試驗溶液提供至高速液體層析，從源自光聚合起始劑之成分的峰值面積將光聚合起始劑定量化。 測定條件如下所述。

裝置：LC-20A系列(島津製作所股份有限公司製)

管柱：Kinetex2.6μm C18(4.6mm

×100mm，Phenomenex公司製)

移動相：A液；0.05%三氟乙酸添加水

B液；0.05%三氟乙酸添加乙腈

溶離條件：梯度法B液濃度；10%-30分鐘-100%(保持10分鐘)

移動相流量：1.0mL/分鐘

管柱溫度：40℃

檢測器：UV檢測器(波長：254nm)

試料注入量：5μL

藉由下式算出源自光聚合起始劑之成分的比例。

接著劑中的起始劑成分的含量[%]

=(試驗溶液中源自接著劑層之光聚合起始劑的成分每單位體積的含量[mg/mL])÷(製備試驗溶液時的粉體量[mg])×(製備試驗溶液時所使用的溶劑量[mL])÷(接著劑層的厚度[μm])×(將第1基材層及第2基材層剝離去除後的積層體整體之厚度[μm])×100

[耐擦傷性試驗]

以載重250g/cm²將鋼絲絨# 0000在附光學膜之積層體(相當於從圖2所示的光學積層體將第1基材層剝離而成者)的第1液晶相位差層側表面上來回10次，以進行耐擦傷性試驗。之後根據JIS K 7136測定附光學膜之積層體的霧度，算出耐擦傷性試驗前後的霧度變化(△Hz[%]=(耐擦傷性試驗後的霧度)-(耐擦傷性試驗前的霧度))，以下述基準進行評估。結果顯 示於表1至表3。

A：△Hz未達2%。

B：△Hz為2%以上且未達4%。

C：△Hz為4%以上。

[熱皺紋的評估]

將附光學膜之積層體裁切成全寬度(TD方向)×0.5m(MD方向)的尺寸，並將其載置於檢測載台。MD方向為偏光片的吸收軸方向，TD方向為與MD方向正交的方向。在檢測載台的上部，將3波長光的螢光燈與TD方向平行配置，從與光學膜積層體距離50cm之處觀察MD方向的波浪狀凹凸，依照下述基準進行評估。結果顯示於表1至表3。

A：未觀察到凹凸。

B：僅稍微觀察到凹凸。

C：可觀察到凹凸。

[密著性的評估]

將從光學積層體剝離第1基材層而露出的面隔著黏著劑層貼合於玻璃。然後，從偏光板側以貫通玻璃上之光學積層體(將第1基材層剝離所得者)的方式，刻劃出100個(10×10個)1mm見方的網格(cross hatch)，作為測定用樣本(2)。在溫度23℃、相對濕度55%的條件下，以覆蓋形成於測定用樣本(2)上的100個網格整體的方式，貼附寬度24mm的黏著膠帶(賽璐凡(cellophane)膠帶CT405AP-24，NICHIBAN製)後，將黏著膠帶在相對於網格面為45°的方向上撕開。計算在測定用樣本(2)的玻璃上殘留的網格數量，依照下述基準進行評估。結果顯示於表1至表3。

A：殘留的網格為80個以上100個以下。

B：殘留的網格為50個以上且未達80個。

C：殘留的網格為0個以上且未達50個。

[表1]

[表2]

[表3]

1:光學積層體

11:第1液晶相位差層

13:附基材之第1液晶相位差層

16:第1基材層

20:光學膜

31:第1黏接著劑層(黏接著劑層)

50:偏光板(光學膜)

Claims (14)

1. 一種光學積層體，其具備黏接著劑層及附基材之第1液晶相位差層，其中，

   前述黏接著劑層為光硬化型黏接著劑組成物之硬化物層，

   前述附基材之第1液晶相位差層中，從前述黏接著劑層側開始依序具備第1液晶相位差層及第1基材層，

   前述第1液晶相位差層具有包含聚合性液晶化合物之聚合物的第1聚合物層，

   前述第1基材層相對於前述第1液晶相位差層可剝離，

   前述附基材之第1液晶相位差層在波長317nm的透光率Tx為20%以上。
2. 如請求項1所述之光學積層體，其中，前述第1基材層在波長317nm的透光率Ts為20%以上。
3. 如請求項1或2所述之光學積層體，其中，

   前述第1基材層為薄膜基材，

   構成前述薄膜基材的樹脂為三乙醯基纖維素。
4. 如請求項1或2所述之光學積層體，其中，前述第1基材層的厚度為40μm以下。
5. 如請求項1或2所述之光學積層體，其中，前述第1液晶相位差層為正波長分散性。
6. 如請求項1或2所述之光學積層體，其中，前述第1液晶相位差層為前述第1聚合物層。
7. 如請求項1或2所述之光學積層體，其中，

   前述黏接著劑組成物包含光聚合起始劑，

   前述黏接著劑層中的光聚合起始劑之殘留量為0.050質量%以下。
8. 如請求項1或2所述之光學積層體，其中，前述黏接著劑層的厚度為2μm以上。
9. 如請求項1或2所述之光學積層體，其中，前述黏接著劑組成物包含光聚合起始劑，

   前述光聚合起始劑在波長280nm以上340nm以下的範圍內具有極大吸收波長。
10. 如請求項1或2所述之光學積層體，其中，在前述黏接著劑層之與前述第1液晶相位差層側的相反側更具有光學膜。
11. 如請求項10所述之光學積層體，其中，前述光學膜含有包含偏光元件的偏光板及第2液晶相位差層之中的至少一者，

    前述第2液晶相位差層具有包含聚合性液晶化合物之聚合物的第2聚合物層。
12. 如請求項10所述之光學積層體，其中，前述光學膜的透光率Ty與前述附基材之第1液晶相位差層之前述透光率Tx相同或是比其更小。
13. 一種光學積層體的製造方法，其係如請求項1或2所述之光學積層體的製造方法，其包含：

    步驟(S1)，在前述附基材之第1液晶相位差層之前述第1液晶相位差層側形成前述黏接著劑組成物的塗佈層；及

    步驟(S2)，隔著前述附基材之第1液晶相位差層照射光，藉此在前述步驟(S1)中形成的前述塗佈層上形成前述黏接著劑層。
14. 如請求項13所述之光學積層體的製造方法，其中，

    前述光為紫外線，

    前述步驟(S2)中對於前述塗佈層照射的前述光之累積光量為10mJ/cm²以上1000mJ/cm²以下。

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