TW202508038A - 光檢測裝置及電子機器 - Google Patents

Abstract

本揭示之課題在於提供一種具有良好檢測性能之光檢測裝置。 本揭示之一實施形態之光檢測裝置具備：第1像素及第2像素，其等各自具有將光進行光電轉換之第1光電轉換元件；第1濾光片，其與上述第1像素對應設置；第2濾光片，其與上述第2像素對應設置；第1導光構件，其設置於上述第1濾光片與上述第2濾光片之間；及第2導光構件，其設置於上述第1導光構件之周圍，具有較上述第1導光構件之折射率高之折射率。

Description

光檢測裝置及電子機器

本揭示係關於一種光檢測裝置及電子機器。

已有提出一種攝像裝置，其具備形成於相鄰之像素之邊界部分之遮光膜、及形成於遮光膜上之第1低折射率膜與第2低折射率膜(專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2017/073321號

[發明所欲解決之問題]

於檢測光之裝置中，較佳使檢測性能提升。

期望提供具有良好之檢測性能之光檢測裝置。 [解決問題之技術手段]

本揭示之一實施形態之光檢測裝置具備：第1像素及第2像素，其等各自具有將光進行光電轉換之第1光電轉換元件；第1濾光片，其與第1像素對應設置；第2濾光片，其與第2像素對應設置；第1導光構件，其設置於第1濾光片與第2濾光片之間；及第2導光構件，其設置於第1導光構件之周圍，具有較第1導光構件之折射率高之折射率。 本揭示之一實施形態之電子機器具備光學系統、及接收透過光學系統之光之光檢測裝置。光檢測裝置具有：第1像素及第2像素，其等各自具有將光進行光電轉換之第1光電轉換元件；第1濾光片，其與第1像素對應設置；第2濾光片，其與第2像素對應設置；第1導光構件，其設置於第1濾光片與第2濾光片之間；及第2導光構件，其設置於第1導光構件之周圍，具有較第1導光構件之折射率高之折射率。

以下，參照圖式詳細說明本揭示之實施形態。另，說明按以下之順序進行。 1.實施形態 2.變化例 3.適用例 4.應用例

＜1.實施形態＞ 圖1係顯示本揭示之實施形態之光檢測裝置之一例即攝像裝置之概略構成之一例的方塊圖。圖2係顯示實施形態之攝像裝置之像素部之一例之圖。光檢測裝置係可檢測入射之光之裝置。光檢測裝置即攝像裝置1例如可接收透過光學系統之光而產生信號。攝像裝置1(光檢測裝置)具備複數個具有光電轉換部(光電轉換元件)之像素P，構成為將入射之光進行光電轉換而產生信號。

各像素P之光電轉換部例如係光電二極體，構成為可將光進行光電轉換。如圖1及圖2所示之例般，攝像裝置1具有將複數個像素P以矩陣狀2維配置之區域(像素部100)作為攝像區域。像素部100係配置複數個像素P之像素陣列，亦可稱為受光部(受光區域)。各像素P之光電轉換部亦可稱為光電轉換區域。

攝像裝置1經由包含光學透鏡之光學系統(未圖示)，擷取來自被攝體之入射光(像光)。攝像裝置1可對藉由光學透鏡形成之被攝體之像進行拍攝。攝像裝置1將接收到之光進行光電轉換而產生像素信號。攝像裝置1例如係CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補金屬氧化物半導體)影像感測器。攝像裝置1可利用於數位靜態相機、視訊攝像機、行動電話等電子機器。

另，如圖2所示，將來自被攝體之光之入射方向設為Z軸方向，將與Z軸方向正交之紙面左右方向設為X軸方向，將與Z軸方向及X軸方向正交之紙面上下方向設為Y軸方向。於以後之圖中，亦有以圖2之箭頭之方向為基準而標記方向之情形。

如圖1所示，攝像裝置1於像素部100(像素陣列)之周邊區域中具有例如垂直驅動部111、信號處理電路112、水平驅動電路113、輸出電路114、控制電路115、及輸入輸出端子116等。又，於攝像裝置1設置有複數個像素驅動線Lread、及複數個垂直信號線VSL。

於圖1所示之例中，於像素部100中，按由排列於水平方向(列方向)排列之複數個像素P構成之每個像素列，配置複數個像素驅動線Lread。像素驅動線Lread係可傳遞驅動像素P之信號的信號線。像素驅動線Lread構成為傳送用以自像素P讀取信號之驅動信號。

又，於像素部100中，按由排列於垂直方向(行方向)之複數個像素P構成之每個像素行，配置垂直信號線VSL。垂直信號線VSL係可傳遞來自像素P之信號的信號線。垂直信號線VSL構成為傳送自像素P輸出之信號。

垂直驅動電路111例如由緩衝器、位移暫存器、位址解碼器等構成。垂直驅動電路111構成為可驅動像素部100之各像素P。垂直驅動電路111產生用以驅動像素P之信號，並經由像素驅動線Lread向像素部100之各像素P輸出。垂直驅動電路111產生例如控制選擇電晶體之信號、控制重設電晶體之信號等，並藉由像素驅動線Lread供給至各像素P。

信號處理電路112構成為可對輸入之像素之信號執行信號處理。信號處理電路112例如具有負載電路、AD(Analog Digital：類比數位)轉換電路、水平選擇開關等。作為一例，負載電路由可對像素P之放大電晶體供給電流之電流源構成。負載電路例如與像素P之放大電晶體一起構成源極隨耦電路。

信號處理電路112亦可具有構成為對經由垂直信號線VSL自像素P讀取之信號進行放大之放大電路。負載電路、放大電路及AD轉換電路等例如相對於複數個垂直信號線VSL之各者設置。可按像素部100之每個像素行，設置負載電路及AD轉換電路等。

自藉由垂直驅動電路111選擇並掃描之各像素P輸出之信號，經由垂直信號線VSL被輸入至信號處理電路112。信號處理電路112進行像素P之信號之AD轉換、CDS(Correlated Double Sampling：相關雙重取樣)等信號處理。

水平驅動電路113例如由緩衝器、位移暫存器、位址解碼器等構成。水平驅動電路113構成為可驅動信號處理電路112之水平選擇開關。水平驅動電路113一面掃描信號處理電路112之各水平選擇開關一面依序驅動。通過垂直信號線VSL各者而傳送之各像素P之信號由信號處理電路112實施信號處理，並藉由水平驅動電路113之選擇掃描依序被輸出至水平信號線121。

輸出電路114構成為對輸入之信號進行信號處理並輸出信號。輸出電路114對自信號處理電路112經由水平信號線121依序輸入之像素之信號進行信號處理，並輸出處理後之像素之信號。輸出電路114可進行例如緩衝、黑階調整、行偏差修正、及各種數位信號處理等。

控制電路115構成為可控制攝像裝置1之各部。控制電路115可接收自半導體基板120之外部賦予之時脈、指示動作模式之資料等，且輸出攝像裝置1之內部資訊等資料。控制電路115具有例如構成為可產生各種時序信號之時序產生器。

控制電路115基於以時序產生器產生之各種時序信號(脈衝信號、時脈信號等)，進行垂直驅動電路111、信號處理電路112、水平驅動電路113等周邊電路之驅動控制。輸入輸出端子116係與外部進行信號交換者。

另，垂直驅動電路111、信號處理電路112、水平驅動電路113、水平信號線121、輸出電路114、控制電路115等可設置於半導體基板120，亦可設置於其他基板。攝像裝置1亦可具有積層複數個基板而構成之構造(積層構造)。

圖3係顯示實施形態之攝像裝置之平面構成之一例之圖。圖3顯示攝像裝置1之像素部100之像素P之配置例。攝像裝置1之像素P具有複數個光電轉換部12(於圖3所示之例中為第1光電轉換部12a、第2光電轉換部12b)、透鏡31及濾光片32。

第2光電轉換部12b設置於第1光電轉換部12a旁，亦可說設置具有第1光電轉換部12a之像素、及具有第2光電轉換部12b之像素。又，像素P如後述，具有包含第1導光構件61及第2導光構件62而構成之導光壁70(參照圖4等)。另，像素P亦可具有3個以上之光電轉換部12。例如，像素P可包含4個光電轉換部12而構成。

透鏡31將入射之光引導至像素P之光電轉換部12側。透鏡31係將光聚光之透鏡，即亦稱為晶載透鏡之光學構件。透鏡31例如按每個像素P或每複數個像素P設置。來自計測對象即被攝體之光經由攝像透鏡等光學系統入射至透鏡31。可於來自光學系統之光入射之側，設置透鏡31及濾光片32。像素P之光電轉換部12將經由透鏡31及濾光片32入射之光進行光電轉換。

濾光片32構成為選擇性地使入射之光中之特定波長域之光透過。濾光片32例如係RGB(Red-Green-Blue：三原色)之彩色濾光片。濾光片32例如按每個像素P或每複數個像素P設置於光電轉換部12之上方。

於設置在攝像裝置1之像素部100之複數個像素P中，包含設置有使紅(R)光透過之濾光片32之複數個像素(R像素)、設置有使綠(G)光透過之濾光片32之複數個像素(G像素)、及設置有使藍(B)光透過之濾光片32之複數個像素(B像素)。

於像素部100中，重複配置複數個R像素、複數個G像素及複數個B像素。作為一例，R像素、G像素及B像素按照拜耳排列而配置。R像素、G像素及B像素可各自以2×2像素單位配置。

例如，於像素部100中，重複配置相鄰之4個R像素、相鄰之4個G像素、相鄰之4個B像素。亦可說分別以2列×2列週期性地配置R像素、G像素及B像素。

R像素、G像素及B像素分別產生R成分之像素信號、G成分之像素信號及B成分之像素信號。攝像裝置1可獲得RGB之像素信號。另，像素P之配置不限於上述之例，可任意設定。

設置於像素部100之像素P之濾光片32不限定於原色系(RGB)之彩色濾光片，亦可為例如Cy(青)、Mg(品紅)、Ye(黃)等補色系之彩色濾光片。亦可配置與W(白)對應之濾光片，即，使入射光之全波長域之光透過之濾光片。濾光片32亦可為使紅外光透過之濾光片。

另，於攝像裝置1中，可根據需要省略濾光片32。亦可於攝像裝置1之一部分像素中不設置濾光片32。例如，可於接收白(W)光並進行光電轉換之像素中，不設置濾光片32。

圖4係顯示實施形態之攝像裝置之剖面構成之一例之圖。攝像裝置1例如圖4所示，具有透鏡31、濾光片32、絕緣層80、受光部20、及多層配線層130。另，圖4顯示與像素部100(受光部20)之中心之距離即像高為較高之區域之剖面構成之一例。

攝像裝置1具有將透鏡31、濾光片32、絕緣層80、受光部20及多層配線層130沿Z軸方向積層之構成。自光入射之側起，設置有透鏡31、濾光片32、絕緣層80、受光部20、及多層配線層130。

如圖4所示，受光部20(受光層)具備具有對向之第1面11S1及第2面11S2之半導體基板120。第2面11S2係與第1面11S1相反側之面。半導體基板120之第1面11S1係受光面(光入射面)。半導體基板120之第2面11S2係供形成電晶體等元件之元件形成面。於半導體基板120之第2面11S2設置閘極電極、閘極絕緣膜(例如閘極氧化膜)等。

半導體基板120由例如Si(矽)基板構成。半導體基板120亦可稱為半導體層。半導體基板120可為SOI(Silicon On Insulator：絕緣層上覆矽)基板、SiGe(矽鍺)基板、SiC(碳化矽)基板等，亦可使用其他半導體材料形成。

於圖4所示之例中，於半導體基板120(半導體層)之第1面11S1側設置絕緣層80及濾光片32等。透鏡31及濾光片32於與半導體基板120之第1面11S1正交之厚度方向上積層設置於受光部20。光電轉換部12(於圖4中為第1光電轉換部12a、第2光電轉換部12b)將經由透鏡31及濾光片32入射之光進行光電轉換。

於半導體基板120之第2面11S2側設置多層配線層130。於來自光學系統之光入射之側設置濾光片32及絕緣層80等，於與光入射之側相反側設置多層配線層130。攝像裝置1係所謂之背面照射型攝像裝置。

攝像裝置1之像素P具有第1光電轉換部12a、第2光電轉換部12b及讀取電路(未顯示)。第1光電轉換部12a及第2光電轉換部12b各自構成為接收光而產生信號(信號電荷)。讀取電路例如包含複數個電晶體而構成，且構成為可輸出基於經光電轉換之電荷的信號。

第1光電轉換部12a(第1光電轉換元件)構成為可藉由光電轉換而產生電荷。第1光電轉換部12a係第1光電二極體(PD1)，可將入射之光進行光電轉換，產生與受光量對應之電荷。第1光電轉換部12a亦可稱為第1光電轉換層。

第2光電轉換部12b(第2光電轉換元件)構成為可藉由光電轉換產生電荷。第2光電轉換部12b係第2光電二極體(PD2)，可將入射之光進行光電轉換，產生與受光量對應之電荷。第2光電轉換部12b亦可稱為第2光電轉換層。

於受光部20中，沿半導體基板120之第1面11S1及第2面11S2，設置複數個第1光電轉換部12a及第2光電轉換部12b。於半導體基板120中，例如埋入形成複數個第1光電轉換部12a及第2光電轉換部12b。第1光電轉換部12a及第2光電轉換部12b設置於半導體基板120之第1面11S1與第2面11S2之間。

像素P之讀取電路構成為可輸出基於由第1光電轉換部12a產生之電荷的信號(第1像素信號)、及基於由第2光電轉換部12b產生之電荷的信號(第2像素信號)。讀取電路包含例如傳送電晶體、浮動擴散(FD)、放大電晶體、選擇電晶體、重設電晶體等而構成。

讀取電路之傳送電晶體、放大電晶體、選擇電晶體及重設電晶體等各電晶體，各自由例如MOS電晶體(MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金氧半導體場效電晶體))構成。讀取電路構成為可將第1像素信號及第2像素信號讀取至垂直信號線VSL(參照圖1)。

垂直驅動電路111(參照圖1)經由上述之像素驅動線Lread，對各像素P之傳送電晶體、選擇電晶體及重設電晶體等之閘極供給控制信號，將電晶體設為接通狀態(導通狀態)或斷開狀態(非導通狀態)。於攝像裝置1之複數個像素驅動線Lread中，包含例如傳送控制傳送電晶體之信號之配線、傳送控制選擇電晶體之信號之配線、傳送控制重設電晶體之信號之配線等。

傳送電晶體、選擇電晶體及重設電晶體等由垂直驅動電路111進行接通/斷開控制。垂直驅動電路111藉由控制各像素P之讀取電路，自各像素P向垂直信號線VSL輸出像素信號。垂直驅動電路111可進行將各像素P之像素信號讀取至垂直信號線VSL之控制。

垂直驅動電路111可讀取基於由第1光電轉換部12a光電轉換後之電荷的第1像素信號、及基於由第2光電轉換部12b光電轉換後之電荷的第2像素信號。又，垂直驅動電路111可讀取與將由第1光電轉換部12a轉換後之電荷及由第2光電轉換部12b轉換後之電荷相加之電荷對應之像素信號。

多層配線層130積層設置於半導體基板120。多層配線層130例如包含導體膜及絕緣膜，具有複數個配線及通孔(VIA)等。多層配線層130具有介隔作為層間絕緣膜(層間絕緣層)之絕緣膜而積層有複數個配線之構成。

多層配線層130之配線使用例如鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)等金屬材料形成。多層配線層130之配線亦可使用多晶矽(Poly-Si)、其他導電材料構成。層間絕緣膜例如使用氧化矽(SiO)、氮化矽(SiN)、氮氧化矽(SiON)等形成。

於半導體基板120及多層配線層130中，例如按每個像素P或每複數個像素P設置上述之讀取電路。又，上述之垂直驅動電路111、信號處理電路112、水平驅動電路113、輸出電路114、控制電路115等(參照圖1)可設置於半導體基板120及多層配線層130、或與半導體基板120不同之基板。另，亦可將半導體基板120與多層配線層130之一部分或全部一併稱為半導體基板120。

於本實施形態中，對於複數個光電轉換部12、例如2個光電轉換部12(第1光電轉換部12a、第2光電轉換部12b)，設置1個透鏡31(透鏡部)。於攝像裝置1中，藉由第1光電轉換部12a及第2光電轉換部12b接收通過攝像透鏡等光學系統之彼此不同區域之光，並進行光瞳分割。

藉由使用基於由第1光電轉換部12a轉換後之電荷的第1像素信號、及基於由第2光電轉換部12b轉換後之電荷的第2像素信號，可獲得相位差資料(相位差資訊)。使用相位差資料，可進行相位差AF(Auto Focus：自動對焦)。

攝像裝置1之像素P係可利用於相位差檢測之像素，亦可稱為相位差像素(或相位差檢測像素)。如上所述，作為用於相位差檢測之信號，像素P構成為可輸出第1像素信號及第2像素信號。又，於本實施形態中，可於攝像裝置1之攝像面整面、即像素部100整體，重複設置相位差像素即像素P。可遍及攝像裝置1之攝像面整面獲得相位差資料，可進行高精度之AF(自動對焦)。

又，可對自像素部100之R像素、G像素及B像素之各像素輸出之像素信號進行信號處理，產生圖像資料。亦可使用基於將由第1光電轉換部12a轉換後之電荷與由第2光電轉換部12b轉換後之電荷相加之電荷的像素信號，來產生圖像資料。於攝像裝置1中，可遍及攝像面整面獲得圖像產生用之像素信號，可抑制圖像之畫質降低。

絕緣層80設置於供受光部20設置之層與供濾光片32設置之層之間。於圖4所示之例中，絕緣層80積層設置於受光部20(受光層)，位於半導體基板120之第1面11S1上。作為一例，絕緣層80係使用氧化膜、氮化膜、氮氧化膜等絕緣膜而構成。

絕緣層80可使用例如氧化矽(SiO)、氮化矽(SiN)、氧化鋁(AlO)等絕緣材料形成。絕緣層80可由氧化矽等低折射率之材料構成，亦可由透過檢測對象之波長域之光之其他材料構成。另，絕緣層80亦可稱為平坦化層(平坦化膜)。

又，如圖4所示，於攝像裝置1中設置分離部25、固定電荷膜41、防反射膜42及導光壁70。分離部25形成於相鄰之複數個光電轉換部12之間，將光電轉換部12間分離。分離部25使用例如設置於相鄰之複數個像素P(或光電轉換部12)之邊界之溝槽(槽部)而構成。

於圖4所示之例中，分離部25設置於第1光電轉換部12a與第2光電轉換部12b之間。分離部25可形成為於半導體基板120中包圍第1光電轉換部12a及第2光電轉換部12b各者。分離部25例如圖4所示之例般，例如可設置成貫通半導體基板120。

作為一例，於分離部25之溝槽內設置絕緣膜，例如氧化矽膜、氧化鋁膜等。分離部25亦可使用具有低折射率之其他絕緣材料形成。亦可於分離部25之溝槽內設置空隙(氣隙)。

另，亦可於分離部25之溝槽中埋入多晶矽、金屬材料、其他絕緣材料等。分離部25亦可由藉由離子佈植形成之半導體區域(p型或n型半導體區域)而構成。另，分離部25亦可稱為像素分離部或像素分離壁。

於攝像裝置1中，藉由設置分離部25，可抑制由像素P之第1光電轉換部12a或第2光電轉換部12b光電轉換後之電荷向周圍之像素P洩漏。又，於攝像裝置1中，可抑制光洩漏至周圍之像素P。

如圖4所示之例般，攝像裝置1可具有固定電荷膜41及防反射膜42。作為一例，固定電荷膜41及防反射膜42由金屬化合物(金屬氧化物、金屬氮化物等)構成，亦可稱為金屬化合物層。固定電荷膜41及防反射膜42設置於半導體基板120之第1面11S1側。

固定電荷膜41例如設置於半導體基板120與絕緣層80之間。固定電荷膜41相對於各像素P之第1光電轉換部12a及第2光電轉換部12b設置，位於第1光電轉換部12a及第2光電轉換部12b之上。於圖4所示之例中，固定電荷膜41設置成覆蓋第1光電轉換部12a及第2光電轉換部12b。

固定電荷膜41係具有固定電荷之膜，可使用高介電材料形成。作為一例，固定電荷膜41由氧化鉿、氧化鋁等金屬氧化物構成。固定電荷膜41例如係具有負固定電荷之膜。固定電荷膜41亦可使用金屬氮化膜或金屬氮氧化膜構成。藉由設置固定電荷膜41，可抑制半導體基板120之界面處產生暗電流。另，作為固定電荷膜41，亦可設置具有正固定電荷之膜。

作為一例，防反射膜42由氧化鉿、氧化鉭等金屬氧化物構成，設置於固定電荷膜41之上。防反射膜42可由其他金屬氧化膜構成，亦可由金屬氮化膜或金屬氮氧化膜構成。防反射膜42設置於固定電荷膜41與絕緣層80之間，降低(抑制)反射。

防反射膜42可使用氧化矽、氮化矽、氮氧化矽等絕緣材料構成，亦可使用其他材料構成。另，絕緣層80亦可包含固定電荷膜41及防反射膜42中之至少一者而構成。攝像裝置1亦可構成為僅具有固定電荷膜41及防反射膜42中之一者。

導光壁70例如圖4所示之例般，設置於相鄰之複數個濾光片32之間。導光壁70具有第1導光構件61及第2導光構件62，構成為將入射之光導光至光電轉換部12側。導光壁70係壁狀之構造體，設置於濾光片32之周圍。導光壁70之至少一部分設置於相鄰之複數個像素P之邊界，亦可稱為將濾光片32間分離之分離壁(或分離部)。

第1導光構件61形成於相鄰之複數個濾光片32之間。第1導光構件61例如圖3所示之例般，設置成於俯視時包圍濾光片32。第1導光構件61具有較周圍之媒質之折射率低之折射率。於圖4所示之例中，第1導光構件61位於濾光片32之側面(側部)，具有較濾光片32之折射率低之折射率。

第1導光構件61由空隙(孔洞)、氧化矽等構成。第1導光構件61例如亦可使用氣隙(空隙)構成。第1導光構件61具有設置於相鄰之複數個濾光片32之間之空隙(空氣)，亦可稱為利用空氣(空氣層)之導光構件。

第1導光構件61亦可使用具有低折射率之其他介電材料構成。第1導光構件61亦可使用有機材料形成。第1導光構件61根據第1導光構件61與其周圍之媒質之折射率差，使入射之光之行進方向變化。

於攝像裝置1中，可調整入射至第1導光構件61之光之傳播方向，將光引導至光電轉換部12側。藉由設置導光壁70，可抑制光向周圍之像素P洩漏，降低混色(串擾)。

第2導光構件62設置於第1導光構件61之周圍。第2導光構件62設置於光電轉換部12之上方，例如位於第2導光構件62之下方。於圖4所示之例中，第2導光構件62相對於第1導光構件61之底部設置，並與第1導光構件61相接。第1導光構件61及第2導光構件62得以相互積層之方式形成。

第2導光構件62具有較周圍之媒質之折射率高之折射率。第2導光構件62例如設置成與第1導光構件61相接，具有較第1導光構件61之折射率高之折射率。於圖4所示之例中，第2導光構件62於絕緣層80上位於濾光片32之側面。第2導光構件62亦可具有較濾光片32之折射率高之折射率。

第2導光構件62由折射率高於第1導光構件61之折射率之材料構成。第2導光構件62使用例如氧化鈦(TiO)、氧化鉭(TaO)等金屬氧化物構成。第1導光構件61係低折射率部，第2導光構件62亦可稱為高折射率部。作為一例，可將第1導光構件61及第2導光構件62一併配置於相鄰之濾光片32之間，位於相鄰之濾光片32之邊界。

第2導光構件62可形成為包含鈦(Ti)、鉭(Ta)、鋁(Al)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鑭(La)、鈮(Nb)、鎂(Mg)元素等氧化物中之至少1者。第2導光構件62可使用具有較第1導光構件61之折射率高之折射率的介電材料構成。第2導光構件62亦可由其他金屬化合物、氮化矽(SiN)或氮氧化矽(SiON)等構成。第2導光構件62亦可由其他高折射率材料構成。

例如，來自光學透鏡之光大致垂直地入射至攝像裝置1之像素部100之中央部分。於位於較中央部分偏外側之周邊部分、即遠離像素部100之中央之區域，如圖4中用箭頭示意性地顯示之例般，光傾斜地入射。因此，於攝像裝置1中構成為，各像素P中之透鏡31及濾光片32等之位置根據與像素部100之中心之距離即像高而不同。

如圖4所示，像素P之透鏡31及濾光片32例如相對於該像素P之第1光電轉換部12a及第2光電轉換部12b，與像素部100之中央側錯開配置。於圖4所示之例中，可說透鏡31及濾光片32相對於像素P之第1光電轉換部12a及第2光電轉換部12b朝右方向位移而設置。

如此，於攝像裝置1中，將透鏡31及濾光片32等各者之位置根據像高而調整。可抑制入射至第1光電轉換部12a及第2光電轉換部12b之光量降低，抑制對入射光之感度降低。

又，於攝像裝置1中，於光電轉換部12之上方設置具有第1導光構件61及第2導光構件62之導光壁70。因此，可將通過光學系統之彼此不同區域之光高效地引導至第1光電轉換部12a及第2光電轉換部12b，可抑制使用第1像素信號及第2像素信號之相位差檢測之精度降低。

若假設於攝像裝置1不具有第2導光構件62之情形時，於像高較高之區域中，會有無法高效地將光引導至光電轉換部12之虞。可推想斜入射光無法被適當地導光，而於相位差像素中，會有一部分之光電轉換部(例如第1光電轉換部12a)無法高效地接收光。無法高效地將光引導至第1光電轉換部12a，可能會產生焦距未對準時之光之分離性能、即第1像素信號及第2像素信號之分離性能降低之情形。尤其於微細像素之情形時，有對第1光電轉換部12a之光之入射量降低、容易產生相位差檢測之精度降低之傾向。

於本實施形態中，第2導光構件62根據第2導光構件62與其周圍之媒質之折射率差，使入射之光之行進方向變化。如圖5所示之例般，自上方經由透鏡31入射至第2導光構件62之光藉由具有相對較高折射率之第2導光構件62，向第1光電轉換部12a側行進。藉由設置第2導光構件62，可使光朝第1光電轉換部12a聚光。

攝像裝置1亦可說具有藉由第1導光構件61及第2導光構件62將光引導至第1光電轉換部12a及第2光電轉換部12b之波導構造。藉由第2導光構件62適當地對來自光學系統之光進行導光，可使光入射至第1光電轉換部12a。

因此，第1光電轉換部12a及第2光電轉換部12b可高效地接收通過光學系統之彼此不同區域之光，並適當地進行光瞳分割。可抑制使用第1像素信號及第2像素信號之相位差檢測之精度降低。尤其於微細像素之情形時，亦可藉由第1導光構件61及第2導光構件62適當地對入射光進行導光，並高精度地進行相位差檢測。

如此，於本實施形態之攝像裝置1中，可抑制第1像素信號及第2像素信號之分離性能降低。可抑制相位差檢測之精度降低，防止AF性能降低。尤其於微細像素之情形時，亦可確保第1像素信號及第2像素信號之分離性能，可提升AF性能，且能夠提升圖像之畫質。

另，於像素部100(受光部20)之中央區域，像素P例如構成為如圖6所示。於像素部100之中央之像素P中，如圖6所示之例般，例如透鏡31及濾光片32各者之中心位置、與第1光電轉換部12a及第2光電轉換部12b之間之部分(於圖6中為分離部25)之中心位置大致一致。另，於像素部100之中央區域之各像素P中，如圖7所示之例般，亦可不設置第2導光構件62。

圖8係用以說明實施形態之攝像裝置之剖面構成之一例之圖。如圖8所示，第2導光構件62之寬度(面積)可與第1導光構件61之寬度大致相等。例如，第2導光構件62之X軸方向(或Y軸方向)之寬度W2可與第1導光構件61之寬度W1大致相同。第2導光構件62之寬度(面積)亦可與第1導光構件61之寬度(面積)不同。

圖9及圖10係用以說明實施形態之攝像裝置之剖面構成之另一例之圖。例如，如圖9所示之例般，第2導光構件62於X軸方向(或Y軸方向)上之寬度W2亦可大於第1導光構件61之寬度W1。又，例如，如圖10所示之例般，第2導光構件62之寬度W2亦可小於第1導光構件61之寬度W1。

圖11A及圖11B係用以說明實施形態之攝像裝置之平面構成之一例之圖。於攝像裝置1之像素部100中，如圖11A所示之例般，可於X軸方向上相鄰之濾光片32之間設置第2導光構件62。例如，於自像素部100之中央部沿±X方向離開之像素部100之區域中，第2導光構件62可如圖11A所示之例般設置。於圖11A所示之例中，將具有沿Y軸方向延伸之形狀之複數個第2導光構件62排列配置於X軸方向。

於像素部100中，如圖11B所示之例般，亦可於Y軸方向上相鄰之濾光片32之間設置第2導光構件62。例如，於自像素部100之中央部沿±Y方向離開之像素部100之區域中，第2導光構件62亦可如圖11B所示之例般設置。於圖11B所示之例中，將具有沿X軸方向延伸之形狀之複數個第2導光構件62排列配置於Y軸方向。

另，第2導光構件62之形狀及配置不限於上述之例，可適當變更。第2導光構件62可按每個像素P配置，亦可相對於複數個像素P設置。又，如圖11C所示之例般，第2導光構件62亦可設置成於俯視時包圍濾光片32之周圍。第2導光構件62得以沿像素P之邊界之方式形成為格柵狀。

[作用・效果] 本實施形態之光檢測裝置具備：第1像素(例如G像素)及第2像素(例如R像素)，其各自具有將光進行光電轉換之第1光電轉換元件(光電轉換部12)；第1濾光片(濾光片32)，其對應於第1像素而設置；第2濾光片，其對應於第2像素而設置；第1導光構件(第1導光構件61)，其設置於第1濾光片與第2濾光片之間；及第2導光構件(第2導光構件62)，其設置於第1導光構件之周圍，具有較第1導光構件之折射率高之折射率。

於本實施形態之光檢測裝置(攝像裝置1)中，於第1導光構件61之周圍設置具有較第1導光構件61之折射率高之折射率之第2導光構件62。因此，可藉由第2導光構件62適當地對入射光進行導光，而可抑制光檢測之精度降低，可實現具有良好檢測性能之光檢測裝置。

接著，就本揭示之變化例進行說明。以下，對與上述實施形態同樣之構成要件標註相同之符號，適當省略說明。

＜2.變化例＞ (2-1.變化例1) 於上述之實施形態中，已就第2導光構件62及導光壁70之構成例進行說明，但第2導光構件62及導光壁70之構成不限於上述之例。圖12係用以說明本揭示之變化例1之攝像裝置之構成例之圖。第2導光構件62如圖12所示之例般，可設置成沿著濾光片32之側面。第2導光構件62具有沿著波導之形狀，亦可說沿著波導配置。

圖13～圖15係用以說明本揭示之變化例1之攝像裝置之另一構成例之圖。亦可將第2導光構件62之至少一部分設置於第1導光構件61內。例如，如圖13所示之例般，第2導光構件62亦可以埋入至第1導光構件61之方式配置。於圖13所示之例中，第1導光構件61設置成覆蓋第2導光構件62。

如圖14所示之例般，亦可將第2導光構件62之一部分配置於第1導光構件61內。亦可說，將第2導光構件62置換為濾光片32之一部分及第1導光構件61之一部分而配置。另，可將第2導光構件62之一部分形成於絕緣層80內，亦可使第2導光構件62之底部位於絕緣層80內。

又，例如，如圖15所示之例般，第2導光構件62亦可設置成與第1導光構件61相鄰。第2導光構件62可與第1導光構件61相鄰配置。於圖15所示之例中，第2導光構件62配置成與第1導光構件61之側面(側部)相接。

於本變化例之攝像裝置1之情形下，亦可藉由第2導光構件62適當地對入射光進行導光。可適當地進行光瞳分割，可抑制相位差檢測之精度降低，可實現具有良好檢測性能之光檢測裝置(攝像裝置)。

(2-2.變化例2) 圖16A～16C係用以說明變化例2之攝像裝置之不同像高位置之像素之構成例之圖。圖16B顯示像高較圖16A之情形為高之區域中之像素之構成例。又，圖16C顯示像高較圖16B之情形為高之區域中之像素之構成例。

於攝像裝置1中，各像素P中之第2導光構件62之大小(高度、寬度等)亦可構成為根據與像素部100(像素陣列)之中心之距離即像高而不同。作為一例，如圖16A～圖16C所示，各像素P中之第2導光構件62之高度(長度)可構成為根據像高而不同。例如，如圖16A～圖16C所示之例般，越是位於離開像素部100之中央之區域，該區域中之第2導光構件62之高度越高。

圖17A～圖17C係用以說明變化例2之攝像裝置之不同像高位置之像素之構成例之圖。圖17B顯示像高較圖17A之情形為高之區域中之像素之構成例。又，圖17C顯示像高較圖17B之情形為高之區域中之像素之構成例。

如圖17A～圖17C所示之例般，於攝像裝置1中，各像素P中之第2導光構件62之形狀及配置位置亦可構成為根據與像素部100之中心之距離即像高而不同。另，像素部100之中央部之各像素P亦可具有第2導光構件62。於本變化例之情形時，亦可得到與上述實施形態之攝像裝置同樣之效果。

(2-3.變化例3) 於上述之實施形態及變化例中，已就攝像裝置1之構成例進行說明，但僅為一例，攝像裝置1之構成不限於上述之例。圖18係用以說明變化例3之攝像裝置之構成例之圖。如圖18所示，第2導光構件62亦可具有錐形構造。

第2導光構件62具有錐形(傾斜部)，具有錐形狀之形狀。於圖18所示之例中，第2導光構件62之X軸方向及Y軸方向之寬度越接近絕緣層80則越大。另，第2導光構件62亦可具有梯形之形狀。

圖19係用以說明變化例3之攝像裝置之另一構成例之圖。第2導光構件62亦可離開絕緣層80而配置。例如，如圖19所示之例般，第2導光構件62可配置成埋入至濾光片32內。第2導光構件62成為離開絕緣層80而懸浮之狀態。

另，第2導光構件62之構成不限於上述之例，可適當變更。例如，第2導光構件62亦可如圖20中示意性地顯示之例般，積層複數層膜而構成。例如，第2導光構件62亦可由具有不同折射率之複數層膜構成。第2導光構件62得具有例如2層或3層以上之積層構造。

如圖21所示，攝像裝置1亦可於第2導光構件62與絕緣層80之間具有擋止膜65。第2導光構件62亦可包含蝕刻之擋止膜65而構成。於本變化例之情形時，亦可獲得與上述實施形態之攝像裝置同樣之效果。

(2-4.變化例4) 圖22A及圖22B係用以說明變化例4之攝像裝置之構成例之圖。於圖22A中，與圖4同樣，圖示出設置有使紅(R)光透過之濾光片32(濾光片32r)之複數個像素(像素Pr)、及設置有使綠(G)光透過之濾光片32(濾光片32g)之複數個像素(像素Pg)。於圖22B中，圖示出複數個像素Pg、及設置有使藍(B)光之濾光片32(濾光片32b)之複數個像素(像素Pg)。

於攝像裝置1中，亦可以各自之形狀及配置位置等不同之方式設置相對於濾光片32r設置之第2導光構件62(第2導光構件62r)、相對於濾光片32g設置之第2導光構件62(第2導光構件62g)、及相對於濾光片32b設置之第2導光構件62(第2導光構件62b)。例如，為了於每個R、G、B之像素獲得所期望之分離性能，第2導光構件62r、第2導光構件62g及第2導光構件62b各者之大小、折射率等亦可不相同。

亦可考量R、G、B之各濾光片32之折射率，將第2導光構件62r、第2導光構件62g及第2導光構件62b由具有彼此不同折射率之材料構成。例如，第2導光構件62r由折射率較第2導光構件62g及第2導光構件62b各者之折射率高之材料構成。

第2導光構件62r例如具有較第2導光構件62g及第2導光構件62b各者之折射率高之折射率。又，第2導光構件62g亦可由折射率較第2導光構件62b之折射率高之材料構成，具有較第2導光構件62b之折射率高之折射率。

又，例如，如圖22A所示，設置成與濾光片32r相接之第2導光構件62r之高度(第2導光構件62r之Z軸方向之高度)亦可大於設置成與濾光片32g相接之第2導光構件62g之高度。又，如圖22B所示，第2導光構件62g之高度亦可大於設置成與濾光片32b相接之第2導光構件62b之高度。另，亦可視需要省略第2導光構件62b。

圖23A及圖23B係用以說明變化例4之攝像裝置之另一構成例之圖。例如，考量到人眼之特性，如圖23A及圖23B所示，可使第2導光構件62g之高度大於第2導光構件62r及第2導光構件62b各者之高度。另，第2導光構件62r亦可形成為較第2導光構件62b之高度高。

另，亦可僅對濾光片32r、濾光片32g及濾光片32b中之任1種或2種濾光片32設置第2導光構件62。例如，如圖24A及圖24B所示之例般，可將攝像裝置1構成為僅具有第2導光構件62r、第2導光構件62g及第2導光構件62b中之第2導光構件62g。又，例如，亦可將攝像裝置1構成為具有第2導光構件62r、第2導光構件62g及第2導光構件62b中之第2導光構件62r及第2導光構件62g。

另，亦可僅於攝像裝置1之一部分像素配置第2導光構件62。例如，可僅對像素Pr、像素Pg及像素Pb中之任1種或2種像素P配置第2導光構件62。

(2-5.變化例5) 於上述之實施形態及變化例中，就攝像裝置1之像素P之構成例進行說明，但像素P之構成不限於上述之例。圖25係用以說明變化例5之攝像裝置之平面構成之一例之圖。圖26及圖27係用以說明變化例5之攝像裝置之剖面構成之一例之圖。

圖26顯示與像素部100(像素陣列)之中心之距離即像高較高之區域之剖面構成之一例。圖27顯示像素部100之中心附近之區域之剖面構成之一例。如圖25～圖27所示，各像素P亦可各自具有1個光電轉換部12。

於本變化例之攝像裝置1中，例如，相對於1個光電轉換部12設置1個透鏡31(透鏡部)及濾光片32。第2導光構件62得按每個濾光片32或每複數個濾光片32設置。另，於像素部100之中央區域之各像素P中，亦可不設置第2導光構件62。

於本變化例之攝像裝置1之情形時，亦可藉由設置第2導光構件62，將入射光適當地導光至光電轉換部12。可抑制像素信號之品質降低，而可抑制圖像之畫質降低，可實現具有良好檢測性能之光檢測裝置。

＜3.適用例＞ 上述攝像裝置1等例如可適用於數位靜態相機或視訊攝影機等相機系統、具有攝像功能之行動電話等之、具備攝像功能之所有類型之電子機器。圖28顯示電子機器1000之概略構成。

電子機器1000例如具有透鏡群1001、攝像裝置1、DSP(Digital Signal Processor：數位信號處理器)電路1002、訊框記憶體1003、顯示部1004、記錄部1005、操作部1006及電源部1007，經由匯流排線1008相互連接。

透鏡群1001係擷取來自被攝體之入射光(像光)而於攝像裝置1之攝像面上成像者。攝像裝置1將藉由透鏡群1001而成像於攝像面上之入射光之光量以像素單位轉換成電子信號，並作為像素信號供給至DSP電路1002。

DSP電路1002係對自攝像裝置1供給之信號進行處理之信號處理電路。DSP電路1002輸出對來自攝像裝置1之信號進行處理而獲得之圖像資料。訊框記憶體1003係以幀單位暫時保持藉由DSP電路1002處理後之圖像資料者。

顯示部1004例如由液晶面板或有機EL(Electro Luminescence：電致發光)面板等面板型顯示裝置構成，將由攝像裝置1所拍攝之動態圖像或靜態圖像之圖像資料記錄於半導體記憶體或硬碟等記錄媒體中。

操作部1006按照使用者之操作，輸出對於電子機器1000所擁有之各種功能的操作信號。電源部1007係對該等供給對象適當地供給成為DSP電路1002、訊框記憶體1003、顯示部1004、記錄部1005及操作部1006之動作電源的各種電源者。

＜4.應用例＞ (對移動體之應用例) 本揭示之技術(本技術)可應用於各種製品。例如，本揭示之技術可作為搭載於汽車、電動汽車、混合動力汽車、機車、自行車、個人移動載具、飛機、無人機、船舶、機器人等任一種類之移動體之裝置而實現。

圖29係顯示可適用本揭示之技術之移動體控制系統之一例，即車輛控制系統之概略性構成例之方塊圖。

車輛控制系統12000具備經由通信網路12001連接之複數個電子控制單元。於圖29所示之例中，車輛控制系統12000具備驅動系統控制單元12010、車體系統控制單元12020、車外資訊檢測單元12030、車內資訊檢測單元12040及整合控制單元12050。又，作為整合控制單元12050之功能構成，圖示有微電腦12051、聲音圖像輸出部12052、及車載網路I/F(interface：介面)12053。

驅動系統控制單元12010根據各種程式控制與車輛之驅動系統關聯之裝置之動作。例如，驅動系統控制單元12010作為內燃機或驅動用馬達等用以產生車輛之驅動力之驅動力產生裝置、用以將驅動力傳遞至車輪之驅動力傳遞機構、調節車輛之舵角之轉向機構、及產生車輛之制動力之制動裝置等之控制裝置而發揮功能。

車體系統控制單元12020根據各種程式控制車體所裝備之各種裝置之動作。例如，車體系統控制單元12020係作為免鑰匙啟動系統、智能鑰匙系統、電動車窗裝置、或頭燈、尾燈、剎車燈、方向燈或霧燈等各種燈之控制裝置而發揮功能。該情形時，可對車體系統控制單元12020，輸入自代替鑰匙之可攜式機器發出之電波或各種開關之信號。車體系統控制單元12020受理該等之電波或信號之輸入，控制車輛之門鎖裝置、電動車窗裝置、燈等。

車外資訊檢測單元12030檢測搭載有車輛控制系統12000之車輛之外部資訊。例如，對車外資訊檢測單元12030連接攝像部12031。車外資訊檢測單元12030使攝像部12031拍攝車外之圖像，且接收所拍攝之圖像。車外資訊檢測單元12030亦可基於接收到之圖像，進行人、車、障礙物、標識或路面上之文字等之物體檢測處理或距離檢測處理。

攝像部12031係接收光並輸出與該光之受光量對應之電子信號之光感測器。攝像部12031可將電子信號作為圖像輸出，亦可作為測距之資訊輸出。又，攝像部12031接收之光可為可見光，亦可為紅外線等非可見光。

車內資訊檢測單元12040檢測車內之資訊。對於車內資訊檢測單元12040，例如連接檢測駕駛者狀態之駕駛者狀態檢測部12041。駕駛者狀態檢測部12041包含例如拍攝駕駛者之相機，車內資訊檢測單元12040可基於自駕駛者狀態檢測部12041輸入之檢測資訊，算出駕駛者之疲勞度或精神集中度，亦可判別駕駛者是否打瞌睡。

微電腦12051可基於由車外資訊檢測單元12030或車內資訊檢測單元12040取得之車內外之資訊，運算驅動力產生裝置、轉向機構或制動裝置之控制目標值，對驅動系統控制單元12010輸出控制指令。例如，微電腦12051可進行以實現包含車輛之迴避碰撞或緩和衝擊、基於車間距離之跟隨行駛、定速巡航、車輛之碰撞警告、或車輛之偏離車道警告等之ADAS(Advanced Driver Assistance System：先進駕駛輔助系統)之功能為目的之協調控制。

又，微電腦12051可基於由車外資訊檢測單元12030或車內資訊檢測單元12040取得之車輛周圍之資訊，控制驅動力產生裝置、轉向機構或制動裝置等，而進行以不憑藉駕駛者之操作而自主行駛之自動駕駛等為目的之協調控制。

又，微電腦12051可基於由車外資訊檢測單元12030取得之車外之資訊，對車體系統控制單元12020輸出控制指令。例如，微電腦12051可根據由車外資訊檢測單元12030檢測出之前車或對向車位置而控制頭燈，進行將遠光燈切換為近光燈等以謀求防眩為目的之協調控制。

聲音圖像輸出部12052將聲音及圖像中之至少一者之輸出信號，發送至可對車輛之搭乘者或車外以視覺或聽覺方式通知資訊之輸出裝置。於圖29之例中，作為輸出裝置，例示有音頻揚聲器12061、顯示部12062及儀表板12063。顯示部12062例如可包含車載顯示器及抬頭顯示器之至少一者。

圖30係顯示攝像部12031之設置位置之例之圖。

於圖30中，車輛12100具有作為攝像部12031之攝像部12101、12102、12103、12104、12105。

攝像部12101、12102、12103、12104、12105設置於例如車輛12100之前保險桿、側視鏡、後保險桿、尾門及車廂內之擋風玻璃之上部等位置。前保險桿所配備之攝像部12101及車廂內之擋風玻璃之上部所配備之攝像部12105主要取得車輛12100之前方之圖像。側視鏡所配備之攝像部12102、12103主要取得車輛12100之側方之圖像。後保險桿或尾門所配備之攝像部12104主要取得車輛12100之後方之圖像。以攝像部12101及12105取得之前方圖像，主要用於檢測前車或行人、障礙物、號誌機、交通標識或車道線等。

另，於圖30顯示攝像部12101至12104之攝影範圍之一例。攝像範圍12111顯示設置於前保險桿之攝像部12101之攝像範圍，攝像範圍12112、12113分別顯示設置於側視鏡之攝像部12102、12103之攝像範圍，攝像範圍12114顯示設置於後保險桿或尾門之攝像部12104之攝像範圍。例如，藉由使攝像部12101至12104拍攝到之圖像資料重疊，可獲得自上方觀察車輛12100之俯瞰圖像。

攝像部12101至12104之至少1者亦可具有取得距離資訊之功能。例如，攝像部12101至12104之至少1者可為由複數個攝像元件構成之立體相機，亦可為具有相位差檢測用之像素之攝像元件。

例如，微電腦12501基於自攝像部12101至12104取得之距離資訊，求出攝像範圍12111至12114內之與各立體物相隔之距離、及該距離之時間變化(相對於車輛12100之相對速度)，藉此可尤其將存在於車輛12100之行進路徑上最接近之立體物、且朝與車輛12100大致相同之方向以特定速度(例如為0 km/h以上)行駛之立體物，擷取作為前車。再者，微電腦12051可設定前車與前方應預先確保之車間距離，進行自動剎車控制(亦包含停止跟隨控制)或自動加速控制(亦包含跟隨發進控制)等。如此，可進行以不憑藉駕駛者之操作而自主行駛之自動駕駛等為目的之協調控制。

例如，微電腦12051可基於自攝像部12101至12104獲得之距離資訊，將立體物相關之立體物資料分類成二輪車、普通車輛、大型車輛、行人、電線桿等其他立體物並擷取，用於自動迴避障礙物。例如，微電腦12051可將車輛12100周邊之障礙物識別為車輛12100之駕駛者可視認之障礙物與難以視認之障礙物。且，微電腦12051判斷表示與各障礙物碰撞之危險度的碰撞風險，當判斷出碰撞風險為設定值以上而有可能發生碰撞之情況時，經由音頻揚聲器12061或顯示部12062對駕駛者輸出警報，或經由驅動系統控制單元12010進行強制減速或迴避轉向，藉此可進行用以迴避碰撞之駕駛支援。

攝像部12101至12104之至少1者亦可為檢測紅外線之紅外線相機。例如，微電腦12051可藉由判定攝像部12101至12104之攝像圖像中是否存在行人而辨識行人。該行人之辨識係根據例如擷取作為紅外線相機之攝像部12101至12104之攝像圖像中之特徵點之順序、及對表示物體輪廓之一連串特徵點進行圖案匹配處理而判別是否為行人之順序進行。若微電腦12051判斷出攝像部12101至12104之攝像圖像中存在行人且辨識為行人，則聲音圖像輸出部12052以對該辨識出之行人重疊顯示強調用之方形輪廓線之方式，控制顯示部12062。又，聲音圖像輸出部12052亦可以將表示行人之圖標等顯示於期望之位置之方式控制顯示部12062。

以上，已就可適用本揭示之技術之移動體控制系統之一例進行說明。本揭示之技術於以上說明之構成中，可適用於例如攝像部12031。具體而言，例如，攝像裝置1可適用於攝像部12031。藉由將本揭示之技術適用於攝像部12031，可獲得高精細之攝影圖像。於移動體控制系統中，可進行利用攝影圖像之高精度之控制。

(對內視鏡手術系統之應用例) 本揭示之技術(本技術)可應用於各種製品。例如，本揭示之技術亦可適用於內視鏡手術系統。

圖31係顯示得適用本揭示之技術(本技術)之內視鏡手術系統之概略構成之一例之圖。

於圖31中，圖示出施術者(醫師)11131使用內視鏡手術系統11000，對病床11133上之患者11132進行手術之情形。如圖所示，內視鏡手術系統11000由以下構成：內視鏡11100、氣腹管11111及能量處置器具11112等之其他手術器械11110、支持內視鏡11100之支持臂裝置11120、及搭載有用於內視鏡手術之各種裝置之台車11200。

內視鏡11100由將距離前端特定長度之區域插入至患者11132之體腔內之鏡筒11101、與連接於鏡筒11101之基端之相機頭11102構成。於圖示之例中，圖示出作為具有硬性鏡筒11101之所謂硬性鏡而構成之內視鏡11100，但內視鏡11100亦可作為具有軟性鏡筒之所謂軟性鏡而構成。

於鏡筒11101之前端設置嵌入對物透鏡之開口部。於內視鏡11100連接有光源裝置11203，由該光源裝置11203產生之光藉由延伸設置於鏡筒11101內部之光導而被導光至該鏡筒之前端，經由對物透鏡向患者11132體腔內之觀察對象照射。另，內視鏡11100可為直視鏡，亦可為斜視鏡或側視鏡。

於相機頭11102之內部設置有光學系統及攝像元件，來自觀察對象之反射光(觀察光)藉由該光學系統而聚光於該攝像元件。藉由該攝像元件將觀察光進行光電轉換，產生與觀察光對應之電子信號，即與觀察圖像對應之圖像信號。該圖像信號作為RAW資料被發送至相機控制單元(CCU：Camera Control Unit)11201。

CUU11201由CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)、GPU (Graphics Processing Unit：圖形處理單元)等構成，總括性控制內視鏡11100及顯示裝置11202之動作。再者，CCU11201自相機頭11102接收圖像信號，對該圖像信號實施例如顯影處理(去馬賽克處理)等之用以顯示基於該圖像信號之圖像之各種圖像處理。

顯示裝置11202根據來自CUU11201之控制，顯示基於由該CUU11201實施圖像處理後之圖像信號之圖像。

光源裝置11203由例如LED(Light Emitting Diode：發光二極體)等光源構成，將拍攝手術部位等時之照射光供給至內視鏡11100。

輸入裝置11204為針對內視鏡手術系統11000之輸入介面。使用者可經由輸入裝置11204，對內視鏡手術系統11000進行各種資訊之輸入或輸入指示。例如，使用者輸入變更內視鏡11100之攝像條件(照射光之種類、倍率及焦距等)之旨意的指示等。

處置器具控制裝置11205控制用於組織之燒灼、切開或血管之封閉等之能量處置器具11112之驅動。氣腹裝置11206基於確保內視鏡11100之視野及確保施術者之作業空間之目的，為了使患者11132之體腔鼓起，而經由氣腹管11111對該體腔內送入氣體。記錄器11207係可記錄手術相關之各種資訊之裝置。印表機11208係能以文字、圖像或圖表等各種形式列印手術相關之各種資訊之裝置。

另，對內視鏡11100供給拍攝手術部位時之照射光之光源裝置11203，例如可由以LED、雷射光源或由該等之組合構成之白色光源構成。於以RGB雷射光源之組合構成白色光源之情形時，由於可高精度地控制各色(各波長)之輸出強度及輸出時序，故可於光源裝置11203中進行攝像圖像之白平衡之調整。又，於該情形時，亦可藉由將來自RGB雷射光源各者之雷射光對觀察對象分時照射，且與該照射時序同步控制相機頭11102之攝像元件之驅動，而分時拍攝與RGB各者對應之圖像。根據該方法，即便不於該攝像元件設置彩色濾光器，亦可獲得彩色圖像。

又，光源裝置11203可以每隔特定時間變更要輸出之光的強度之方式控制其驅動。與該光之強度之變更時序同步控制相機頭11102之攝像元件之驅動而分時取得圖像，並將該圖像合成，藉此可產生不存在所謂欠曝及過曝之高動態範圍之圖像。

又，光源裝置11203亦可構成為能夠供給對應於特殊光觀察之特定波長頻帶之光。於特殊光觀察中，例如進行所謂窄頻光觀察(Narrow Band Imaging：窄頻影像)，即，利用身體組織對光吸收之波長依存性，照射與通常觀察時之照射光(即白色光)相比更窄頻帶之光，藉此以高對比度拍攝黏膜表層之血管等特定組織。或者，於特殊光觀察中，亦可進行藉由照射激發光產生之螢光而獲得圖像之螢光觀察。於螢光觀察中，可對身體組織照射激發光而觀察來自該身體組織之螢光(自螢光觀察)，或將吲哚青綠(ICG：Indocyanine Green)等試劑局部注射至身體組織，且對該身體組織照射與該試劑之螢光波長對應之激發光而獲得螢光像等。光源裝置11203可構成為能供給與此種特殊光觀察對應之窄頻光及/或激發光。

圖32係顯示圖31所示之相機頭11102及CCU11201之功能構成之一例之方塊圖。

相機頭11102具有透鏡單元11401、攝像部11402、驅動部11403、通信部11404及相機頭控制部11405。CCU11201具有通信部11411、圖像處理部11412及控制部11413。相機頭11102與CCU11201藉由傳輸纜線11400可相互通信地連接。

透鏡單元11401係設置於與鏡筒11101之連接部之光學系統，將自鏡筒11101之前端擷取之觀察光導光至相機頭11102，並入射至該透鏡單元11401。透鏡單元11401係組合包含變焦透鏡及聚焦透鏡之複數個透鏡而構成。

攝像部11402係以攝像元件構成。構成攝像部11402之攝像元件可為1個(所謂單板式)，亦可為複數個(所謂多板式)。於攝像部11402以多板式構成之情形時，例如可由各攝像元件產生與RGB各者對應之圖像信號並將其等合成，藉此可獲得彩色圖像。或者，攝像部11402亦可構成為具有用以分別取得與3D(Dimensional：維)顯示對應之右眼用及左眼用圖像信號之一對攝像元件。藉由進行3D顯示，施術者11131可更準確地掌握手術部位之活體組織之深度。另，於攝像部11402以多板式構成之情形時，亦可與各攝像元件對應地設置複數個透鏡單元11401。

又，攝像部11402可未必設置於相機頭11102。例如，攝像部11402亦可於鏡筒11101之內部設置於對物透鏡之正後方。

驅動部11403由致動器構成，來自相機頭控制部11405之控制，使透鏡單元11401之變焦透鏡及聚焦透鏡沿光軸移動特定距離。藉此，可適當調整攝像部11402之攝像圖像之倍率及焦點。

通信部11404由與CCU11201之間用於收發各種資訊之通信裝置構成。通信部11404將自攝像部11402獲得之圖像信號作為RAW資料經由傳輸纜線11400發送至CCU11201。

又，通信部11404自CCU11201接收用以控制相機頭11102之驅動的控制信號，並供給至相機頭控制部11405。該控制信號中包含例如指定攝像圖像之訊框率之旨意之資訊、指定攝像時之曝光值之旨意之資訊、及/或指定攝像圖像之倍率及焦點之旨意之資訊等與攝像條件相關之資訊。

另，上述訊框率或曝光值、倍率、焦點等攝像條件可由使用者適當指定，亦可基於所取得之圖像信號，由CCU11201之控制部11413自動設定。於後者之情形時，需將所謂之AE(Auto Exposure：自動曝光)功能、AF(Auto Focus：自動對焦)功能及AWB(Auto White Balance：自動白平衡)功能搭載於內視鏡11100。

相機頭控制部11405基於經由通信部11404接收到之來自CCU11201之控制信號，控制相機頭11102之驅動。

通信部11411由與相機頭11102之間用於收發各種資訊之通信裝置構成。通信部11411自相機頭11102接收經由傳輸纜線11400發送之圖像信號。

又，通信部11411對相機頭11102發送用以控制相機頭11102之驅動的控制信號。圖像信號、控制信號可藉由電子通信或光通信等發送。

圖像處理部11412對自相機頭11102發送之RAW資料即圖像信號實施各種圖像處理。

控制部11413進行利用內視鏡11100對手術部位等之拍攝、及藉由拍攝手術部位等而獲得之攝像圖像之顯示相關之各種控制。例如，控制部11413產生用以控制相機頭11102之驅動之控制信號。

又，控制部11413基於由圖像處理部11412實施圖像處理後之圖像信號，使顯示裝置11202顯示映現出手術部位等之攝像圖像。此時，控制部11413亦可使用各種圖像辨識技術，辨識攝像圖像內之各種物體。例如，控制部11413可藉由檢測攝像圖像中所含之物體之邊緣形狀、顏色等，而辨識鉗子等手術器械、特定之活體部位、出血、能量處置器具11112使用時之霧氣等。控制部11413於使顯示裝置11202顯示攝像圖像時，亦可使用該辨識結果，使各種手術支援資訊重疊顯示於該手術部位之圖像。藉由重疊顯示手術支援資訊，對施術者11131進行提示，可減輕施術者11131之負擔，讓施術者11131確實地進行手術。

連接相機頭11102及CCU11201之傳輸纜線11400係與電子信號之通信對應之電子信號纜線、與光通信對應之光纜、或其等之複合纜線。

此處，於圖示之例中，使用傳輸纜線11400以有線進行相機頭11102與CCU11201之間之通信，但亦可以無線進行通信。

以上，已就可適用本揭示之技術之內視鏡手術系統之一例進行說明。本揭示之技術於以上說明之構成中，例如可較好地適用於設置於內視鏡11100之相機頭11102之攝像部11402。藉由將本揭示之技術適用於攝像部11402，可提供高精細之內視鏡11100。

以上，已舉出實施形態、變化例、適用例以及應用例說明本揭示，但本技術並非限定於上述實施形態等者，可進行各種變化。例如，上述之變化例係作為上述實施形態之變化例進行說明，但亦可適當組合各變化例之構成。

於上述實施形態等中，已例示並說明攝像裝置，但本揭示之光檢測裝置例如只要為接收入射之光並將光轉換為電荷者即可。輸出之信號可為圖像資訊之信號，亦可為測距資訊之信號。光檢測裝置(攝像裝置)可適用於影像感測器、測距感測器等。

本揭示之光檢測裝置亦可適用作為可進行TOF(Time Of Flight：飛行時間)方式之距離量測之測距感測器。光檢測裝置(攝像裝置)亦可適用作為可檢測事件之感測器，例如事件驅動型之感測器(被稱為EVS(Event Vision Sensor：事件視覺感測器)、EDS(Event Driven Sensor：事件驅動感測器)、DVS(Dynamic Vision Sensor：動態視覺感測器)等)。

本揭示之一實施形態之光檢測裝置具備：第1像素及第2像素，其等各自具有第1光電轉換元件；第1濾光片，其與第1像素對應設置；第2濾光片，其與第2像素對應設置；第1導光構件，其設置於第1濾光片與第2濾光片之間；及第2導光構件，其設置於第1導光構件之周圍，具有較第1導光構件之折射率高之折射率。因此，可實現具有良好檢測性能之光檢測裝置。

另，本說明書中記述之效果僅為例示，並非限定於該記述者，亦可有其他效果。又，本揭示亦可為如下之構成。 (1) 一種光檢測裝置，其具備： 第1像素及第2像素，其等各自具有將光進行光電轉換之第1光電轉換元件； 第1濾光片，其與上述第1像素對應設置； 第2濾光片，其與上述第2像素對應設置； 第1導光構件，其設置於上述第1濾光片與上述第2濾光片之間；及 第2導光構件，其設置於上述第1導光構件之周圍，具有較上述第1導光構件之折射率高之折射率。 (2) 如上述(1)之光檢測裝置，其中 上述第2導光構件之至少一部分設置於與上述第1濾光片之光入射之側相反側。 (3) 如上述(1)或(2)之光檢測裝置，其中 上述第2導光構件之至少一部分設置於上述第1導光構件與上述第1光電轉換元件之間。 (4) 如上述(1)至(3)中任1項之光檢測裝置，其中 上述第2導光構件之至少一部分設置於上述第1導光構件內。 (5) 如上述(1)至(4)中任1項之光檢測裝置，其中 上述第2導光構件以與上述第1導光構件相鄰之方式設置。 (6) 如上述(1)至(5)中任1項之光檢測裝置，其中 上述第1光電轉換元件將經由上述第1濾光片及上述第2導光構件而入射之光進行光電轉換。 (7) 如上述(1)至(6)中任1項之光檢測裝置，其進而具備： 透鏡，其設置於上述第1濾光片之上方，供光入射；且 上述第1光電轉換元件將經由上述透鏡、上述第1濾光片及上述第2導光構件而入射之光進行光電轉換。 (8) 如上述(7)之光檢測裝置，其中 於與上述透鏡及上述第1濾光片之積層方向正交之方向上，上述透鏡之中心位置與上述第1濾光片之中心位置不同。 (9) 如上述(1)至(8)中任1項之光檢測裝置，其中 與上述第1濾光片及上述第1光電轉換元件之積層方向正交之方向上之上述第2導光構件之寬度，大於上述第1導光構件之寬度。 (10) 如上述(1)至(9)中任1項之光檢測裝置，其中 上述第1像素包含上述第1光電轉換元件、及設置於上述第1光電轉換元件旁之第2光電轉換元件。 (11) 如上述(1)至(10)中任1項之光檢測裝置，其中 上述第1像素係可利用於相位差檢測之像素。 (12) 如上述(1)至(11)中任1項之光檢測裝置，其中 上述第1濾光片係使綠色光透過之濾光片。 (13) 如上述(1)至(12)中任1項之光檢測裝置，其中具有： 像素陣列，其設置有包含上述第1像素及上述第2像素之複數個像素； 於上述像素陣列中，設置有根據與上述像素陣列中心之距離而大小不同之上述第2導光構件。 (14) 如上述(1)至(13)中任1項之光檢測裝置，其中 上述第1像素及上述第2像素各自具有上述第2導光構件； 上述第1像素之上述第2導光構件與上述第2像素之上述第2導光構件具有彼此不同之大小。 (15) 如上述(1)至(14)中任1項之光檢測裝置，其中 上述第1像素及上述第2像素各自具有上述第2導光構件； 上述第1像素之上述第2導光構件與上述第2像素之上述第2導光構件具有彼此不同之折射率。 (16) 如上述(1)至(15)中任1項之光檢測裝置，其中 上述第1濾光片係使綠色光透過之濾光片； 上述第2濾光片係使紅色光透過之濾光片、或使藍色光透過之濾光片。 (17) 如上述(1)至(16)中任1項之光檢測裝置，其中 上述第2導光構件使用具有較上述第1導光構件之折射率高之折射率之介電材料構成。 (18) 如上述(1)至(17)中任1項之光檢測裝置，其中 上述第1導光構件使用空隙構成。 (19) 一種電子機器，其具備： 光學系統；及 光檢測裝置，其接收透過上述光學系統之光；且 上述光檢測裝置具有： 第1像素及第2像素，其等各自具有將光進行光電轉換之第1光電轉換元件； 第1濾光片，其與上述第1像素對應設置； 第2濾光片，其與上述第2像素對應設置； 第1導光構件，其設置於上述第1濾光片與上述第2濾光片之間；及 第2導光構件，其設置於上述第1導光構件之周圍，具有較上述第1導光構件之折射率高之折射率。

1:攝像裝置 11S1:第1面 11S2:第2面 12:光電轉換部 12a:第1光電轉換部 12b:第2光電轉換部 20:受光部(受光層) 25:分離部 31:透鏡 32, 32b, 32g, 32r:濾光片 41:固定電荷膜 42:防反射膜 61:第1導光構件 62, 62b, 62g, 62r:第2導光構件 65:擋止膜 70:導光壁 80:絕緣層 100:像素部 111:垂直驅動電路 112:信號處理電路 113:水平驅動電路 114:輸出電路 115:控制電路 116:輸入輸出端子 120:半導體基板 121:水平信號線 130:多層配線層 1000:電子機器 1001:透鏡群 1002:DSP電路 1003:訊框記憶體 1004:顯示部 1005:記憶部 1006:操作部 1007:電源部 1008:匯流排線 11000:內視鏡手術系統 11100:內視鏡 11101:鏡筒 11102:相機頭 11110:其他手術器械 11111:氣腹管 11112:能量處置器具 11120:支持臂裝置 11131:施術者(醫師) 11132:患者 11133:病床 11200:台車 11201:CCU(相機控制單元) 11202:顯示裝置 11203:光源裝置 11204:輸入裝置 11205:處置器具控制裝置 11206:氣腹裝置 11207:記錄器 11208:印表機 11400:傳輸纜線 11401:透鏡單元 11402:攝像部 11403:驅動部 11404, 11411:通信部 11405:相機頭控制部 11412:圖像處理部 11413:控制部 12000:車輛控制系統 12001:通信網路 12010:驅動系統控制單元 12020:車體系統控制單元 12030:車外資訊檢測單元 12031, 12101～12105:攝像部 12040:車內資訊檢測單元 12041:駕駛者狀態檢測部 12050:整合控制單元 12051:微電腦 12052:聲音圖像輸出部 12053:車載網路I/F 12061:音頻揚聲器 12062:顯示部 12063:儀表板 12100:車輛 12111～12114:攝像範圍 B:藍 G:綠 Lread:像素驅動線 P, Pb, Pg, Pr:像素 PD1:第1光電二極體 PD2:第2光電二極體 R:紅 VSL:垂直信號線 W1, W2:寬度 X, Y, Z:軸方向

圖1係顯示本揭示之實施形態之光檢測裝置之一例即攝像裝置之概略構成之一例的方塊圖。 圖2係顯示本揭示之實施形態之攝像裝置之像素部之一例之圖。 圖3係顯示本揭示之實施形態之攝像裝置之平面構成之一例之圖。 圖4係顯示本揭示之實施形態之攝像裝置之剖面構成之一例之圖。 圖5係用以說明本揭示之實施形態之攝像裝置之構成例之圖。 圖6係顯示本揭示之實施形態之攝像裝置之剖面構成之一例之圖。 圖7係顯示本揭示之實施形態之攝像裝置之剖面構成之一例之圖。 圖8係用以說明本揭示之實施形態之攝像裝置之剖面構成之一例之圖。 圖9係用以說明本揭示之實施形態之攝像裝置之剖面構成之另一例之圖。 圖10係用以說明本揭示之實施形態之攝像裝置之剖面構成之另一例之圖。 圖11A係用以說明本揭示之實施形態之攝像裝置之平面構成之一例之圖。 圖11B係用以說明本揭示之實施形態之攝像裝置之平面構成之一例之圖。 圖11C係用以說明本揭示之實施形態之攝像裝置之平面構成之一例之圖。 圖12係用以說明本揭示之變化例1之攝像裝置之構成例之圖。 圖13係用以說明本揭示之變化例1之攝像裝置之另一構成例之圖。 圖14係用以說明本揭示之變化例1之攝像裝置之另一構成例之圖。 圖15係用以說明本揭示之變化例1之攝像裝置之另一構成例之圖。 圖16A係用以說明本揭示之變化例2之攝像裝置之不同像高位置處之像素之構成例之圖。 圖16B係用以說明本揭示之變化例2之攝像裝置之不同像高位置處之像素之構成例之圖。 圖16C係用以說明本揭示之變化例2之攝像裝置之不同像高位置處之像素之構成例之圖。 圖17A係用以說明本揭示之變化例2之攝像裝置之不同像高位置處之像素之另一構成例之圖。 圖17B係用以說明本揭示之變化例2之攝像裝置之不同像高位置處之像素之另一構成例之圖。 圖17C係用以說明本揭示之變化例2之攝像裝置之不同像高位置處之像素之另一構成例之圖。 圖18係用以說明本揭示之變化例3之攝像裝置之構成例之圖。 圖19係用以說明本揭示之變化例3之攝像裝置之另一構成例之圖。 圖20係用以說明本揭示之變化例3之攝像裝置之另一構成例之圖。 圖21係用以說明本揭示之變化例3之攝像裝置之另一構成例之圖。 圖22A係用以說明本揭示之變化例4之攝像裝置之構成例之圖。 圖22B係用以說明本揭示之變化例4之攝像裝置之構成例之圖。 圖23A係用以說明本揭示之變化例4之攝像裝置之另一構成例之圖。 圖23B係用以說明本揭示之變化例4之攝像裝置之另一構成例之圖。 圖24A係用以說明本揭示之變化例4之攝像裝置之另一構成例之圖。 圖24B係用以說明本揭示之變化例4之攝像裝置之另一構成例之圖。 圖25係用以說明本揭示之變化例5之攝像裝置之平面構成之一例之圖。 圖26係用以說明本揭示之變化例5之攝像裝置之剖面構成之一例之圖。 圖27係用以說明本揭示之變化例5之攝像裝置之剖面構成之一例之圖。 圖28係顯示具有攝像裝置之電子機器之構成例之方塊圖。 圖29係顯示車輛控制系統之概略性構成之一例之方塊圖。 圖30係顯示車外資訊檢測部及攝像部之設置位置之一例之說明圖。 圖31係顯示內視鏡手術系統之概略性構成之一例之圖。 圖32係顯示相機頭及CCU之功能構成之一例之方塊圖。

1:攝像裝置

11S1:第1面

11S2:第2面

12a:第1光電轉換部

12b:第2光電轉換部

20:受光部(受光層)

25:分離部

31:透鏡

32:濾光片

41:固定電荷膜

42:防反射膜

61:第1導光構件

62:第2導光構件

70:導光壁

80:絕緣層

120:半導體基板

130:多層配線層

G:綠

P:像素

PD1:第1光電二極體

PD2:第2光電二極體

R:紅

X,Y,Z:軸方向

Claims (19)

1. 一種光檢測裝置，其包含： 第1像素及第2像素，其等各自具有將光進行光電轉換之第1光電轉換元件； 第1濾光片，其與上述第1像素對應設置； 第2濾光片，其與上述第2像素對應設置； 第1導光構件，其設置於上述第1濾光片與上述第2濾光片之間；及 第2導光構件，其設置於上述第1導光構件之周圍，具有較上述第1導光構件之折射率高之折射率。
2. 如請求項1之光檢測裝置，其中 上述第2導光構件之至少一部分，設置於與上述第1濾光片之光入射之側相反側。
3. 如請求項1之光檢測裝置，其中 上述第2導光構件之至少一部分，設置於上述第1導光構件與上述第1光電轉換元件之間。
4. 如請求項1之光檢測裝置，其中 上述第2導光構件之至少一部分設置於上述第1導光構件內。
5. 如請求項1之光檢測裝置，其中 上述第2導光構件以與上述第1導光構件相鄰之方式設置。
6. 如請求項1之光檢測裝置，其中 上述第1光電轉換元件將經由上述第1濾光片及上述第2導光構件而入射之光進行光電轉換。
7. 如請求項1之光檢測裝置，其進而包含： 透鏡，其設置於上述第1濾光片之上方，供光入射；且 上述第1光電轉換元件將經由上述透鏡、上述第1濾光片及上述第2導光構件而入射之光進行光電轉換。
8. 如請求項7之光檢測裝置，其中 於與上述透鏡及上述第1濾光片之積層方向正交之方向上，上述透鏡之中心位置與上述第1濾光片之中心位置不同。
9. 如請求項1之光檢測裝置，其中 與上述第1濾光片及上述第1光電轉換元件之積層方向正交之方向上之上述第2導光構件之寬度，大於上述第1導光構件之寬度。
10. 如請求項1之光檢測裝置，其中 上述第1像素係包含上述第1光電轉換元件、及設置於上述第1光電轉換元件旁之第2光電轉換元件。
11. 如請求項1之光檢測裝置，其中 上述第1像素係可利用於相位差檢測之像素。
12. 如請求項1之光檢測裝置，其中 上述第1濾光片係使綠色光透過之濾光片。
13. 如請求項1之光檢測裝置，其包含： 像素陣列，其設置有包含上述第1像素及上述第2像素之複數個像素； 於上述像素陣列中，設置有根據與上述像素陣列中心之距離而大小不同之上述第2導光構件。
14. 如請求項1之光檢測裝置，其中 上述第1像素及上述第2像素各自具有上述第2導光構件； 上述第1像素之上述第2導光構件與上述第2像素之上述第2導光構件具有彼此不同之大小。
15. 如請求項1之光檢測裝置，其中 上述第1像素及上述第2像素各自具有上述第2導光構件； 上述第1像素之上述第2導光構件與上述第2像素之上述第2導光構件具有彼此不同之折射率。
16. 如請求項1之光檢測裝置，其中 上述第1濾光片係使綠色光透過之濾光片； 上述第2濾光片係使紅色光透過之濾光片、或使藍色光透過之濾光片。
17. 如請求項1之光檢測裝置，其中 上述第2導光構件使用具有較上述第1導光構件之折射率高之折射率之介電材料構成。
18. 如請求項1之光檢測裝置，其中 上述第1導光構件使用空隙構成。
19. 一種電子機器，其包含： 光學系統；及 光檢測裝置，其接收透過上述光學系統之光；且 上述光檢測裝置包含： 第1像素及第2像素，其等各自具有將光進行光電轉換之第1光電轉換元件； 第1濾光片，其與上述第1像素對應設置； 第2濾光片，其與上述第2像素對應設置； 第1導光構件，其設置於上述第1濾光片與上述第2濾光片之間；及 第2導光構件，其設置於上述第1導光構件之周圍，具有較上述第1導光構件之折射率高之折射率。