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TW202438309A - 可撓性層壓材料 - Google Patents

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TW202438309A
TW202438309A TW112150969A TW112150969A TW202438309A TW 202438309 A TW202438309 A TW 202438309A TW 112150969 A TW112150969 A TW 112150969A TW 112150969 A TW112150969 A TW 112150969A TW 202438309 A TW202438309 A TW 202438309A
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TW
Taiwan
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glass fabric
matrix
quartz
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TW112150969A
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史考特 大衛 甘迺迪
羅伯特 湯瑪士 楊
Original Assignee
美商科慕Ｆｃ有限責任公司
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Abstract

一種層壓物品包括介電基材，其包括包括非氟化全氟共聚物之全氟共聚物基質，其中該非氟化全氟共聚物中之反應性端基之數目濃度及氟端基之數目濃度係經選擇以獲得目標電氣性質、目標黏著性質、或兩者；石英或L-玻璃織物，其嵌入該全氟共聚物基質中；及添加劑材料，其分散於該全氟共聚物基質中，其中該添加劑材料能夠吸收紫外光；及導電包覆，其係設置於該介電基材之表面上。

Description

可撓性層壓材料
無
經金屬包覆之層壓體係在各種電子應用中用作為印刷線路板基材。
在一第一態樣中，一種層壓物品包括介電基材，其包括包括非氟化全氟共聚物之全氟共聚物基質，其中該非氟化全氟共聚物中之反應性端基之數目濃度及氟端基之數目濃度係經選擇以獲得目標電氣性質、目標黏著性質、或兩者；石英或L-玻璃織物，其嵌入該全氟共聚物基質中；及添加劑材料，其分散於該全氟共聚物基質中，其中該添加劑材料能夠吸收紫外光；及導電包覆，其係設置於該介電基材之表面上。
實施例可包括下列特徵中之一者或二或更多者之任何組合。
該層壓物品具有在20 µm與200 µm之間之厚度。
該層壓物品之該厚度在30 µm與90 µm之間。
該層壓物品之該厚度在30 µm與60 µm之間。
該目標電氣性質包括在10 GHz下具有在2.10與2.50之間之介電常數的該介電基材。
該介電基材之該介電常數係在2.10與2.30之間。
該介電基材具有介電常數之熱係數，其值在0至100℃之溫度範圍內為在-250至+50 ppm/℃之間。
該目標電氣性質包括在10 GHz下具有小於0.001之散逸因數的該介電基材。
該介電基材在10 GHz下具有在0.0006與0.001之間之散逸因數。
該介電基材在10 GHz下之散逸因數係在0.0006與0.0008之間。
該層壓物品具有界定X-Y平面之平面形狀，且其中該層壓物品在該X-Y平面中之熱膨脹係數係在5與25 ppm/℃之間。
該層壓物品在該X-Y平面中之該熱膨脹係數係在14與20 ppm/℃之間。
該層壓物品在該X-Y平面中之該熱膨脹係數係在16與22 ppm/℃之間。
該非氟化全氟共聚物包括非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物。
全氟共聚物基質中每百萬個碳原子之羧基端基之數目足以使層壓物品不形成導電陽極絲(conductive anodic filament, CAF)。
全氟共聚物基質中每百萬個碳原子之羧基端基之數目為層壓物品提供介電基材與導電包覆之間大於2 lb/吋之剝離強度。
全氟共聚物基質中每百萬個碳原子之羧基端基之數目係在30與70之間。
全氟共聚物基質具有在10 g/10分鐘與30 g/10分鐘之間之熔體流動速率(melt flow rate, MFR)。
全氟共聚物基質在288℃下具有至少10秒之耐浮焊性(solder float resistance)。
該石英或L-玻璃織物具有小於50 g/m 2之基礎重量。
該石英或L-玻璃織物之該基礎重量小於25 g/m 2。
該石英或L-玻璃織物具有在10 µm與30 µm之間之厚度。
該石英或L-玻璃織物包括胺基矽烷或甲基丙烯酸酯矽烷表面化學處理。
該石英或L-玻璃織物包括經電漿處理或經電暈處理之石英或L-玻璃織物。
該石英或L-玻璃織物係用氟聚合物浸漬。
該石英或L-玻璃織物包括氟聚合物塗層。
該石英或L-玻璃織物在併入層壓物品中前係用氟聚合物處理來預處理。
該介電基材包括在5與20體積百分比之間的該石英或L-玻璃織物及在80與95體積百分比之間的全氟共聚物基質。
該石英或L-玻璃織物之水接觸角係在0°與60°之間。
該添加劑材料包括無機粒子。
該等無機粒子包括氧化鈰、二氧化鈦、二氧化矽、鈦酸鋇、鈦酸鈣、或氧化鋅之粒子。
添加劑材料包括熱固性聚合物。
添加劑材料係以小於2%之體積百分比存在於全氟共聚物基質中。
該添加劑材料係均質地分散於該整個全氟共聚物基質中。
導電包覆係設置於介電基材之兩個相對表面上。
導電包覆包括銅箔。
該銅箔係藉由層壓程序設置於該介電基材之該表面上。
該導電包覆具有小於72 µm之厚度。
該導電包覆之該厚度在5 µm與18 µm之間。
該導電包覆具有小於1 µm之均方根(root mean square, RMS)粗糙度。
該導電包覆之該RMS粗糙度小於0.5 µm。
在一第二態樣中，一種印刷線路板包括如前述態樣中之任一者之層壓物品，其中導體圖案係形成於該導電包覆中。
實施例可包括下列特徵中之一者或二或更多者之任何組合。
通孔係穿過層壓物品之厚度界定；及包括電鍍通孔之銅膜。
在一第三態樣中，一種多層印刷線路板包括多層層壓結構，該多層層壓結構包括多個根據第二態樣之印刷線路板。
實施例可包括下列特徵中之一者或二或更多者之任何組合。
多層印刷線路板包括設置於層壓結構中之相鄰印刷線路板之間之熱塑性黏著劑。
該熱塑性黏著劑係在較該全氟共聚物基質之熔點低0與200℃之間之溫度下黏合。
該熱塑性黏著劑係在較該全氟共聚物基質之熔點低0與50℃之間之溫度下黏合。
該多層印刷線路板包括設置於該層壓結構中之相鄰印刷線路板之間之熱固性黏著劑。
該熱固性黏著劑係在150℃與250℃之間之溫度下固化。
通孔係穿過多層印刷線路板之厚度之至少一部分界定；及包括電鍍通孔之銅膜。
在一第四態樣中，一種可與5G通訊網路一起使用之天線，該天線包括如第三態樣之印刷線路板。
在一第五態樣中，一種製造多層印刷線路板之方法，該方法包括在多個第一態樣之層壓物品中之各者之該導電包覆中形成導體圖案，以形成各別印刷線路板；及層壓該多個印刷線路板，以形成多層層壓結構。
實施例可包括下列特徵中之一者或二或更多者之任何組合。
層壓多個印刷線路板包括使用熱塑性黏著劑黏附相鄰印刷線路板。
該方法包括在較該全氟共聚物基質之熔點低0與200℃之間之溫度下黏合該熱塑性黏著劑。
該方法包括在較該全氟共聚物基質之該熔點低0與50℃之間之溫度下黏合該熱塑性黏著劑。
層壓多個印刷線路板包括使用熱固性黏著劑黏附相鄰印刷線路板。
該方法包括在150℃與250℃之間之溫度下固化該熱固性黏著劑。
該方法包括穿過該多層層壓結構之厚度之至少一部分界定通孔。
該方法包括在紫外線鑽孔程序中界定該通孔。
在一第六態樣中，一種製造層壓物品之方法，該方法包括形成層狀物品，該層狀物品包括第一聚合物膜及第二聚合物膜，各膜包括包括非氟化全氟共聚物之全氟共聚物基質，其中該非氟化全氟共聚物中之反應性端基之數目濃度及氟端基之數目濃度係經選擇以獲得目標電氣性質、目標黏著性質、或兩者；及紫外線添加劑、石英或L-玻璃織物，其係設置於該第一聚合物膜與該第二聚合物膜之間；及導電包覆，其經設置以與該第一膜接觸；及將熱及壓力施加至該層狀物品，以形成該層壓物品。
實施例可包括下列特徵中之一者或二或更多者之任何組合。
該非氟化全氟共聚物包括非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物。
將熱及壓力施加至層狀物品包括在經加熱壓板中壓製層狀物品。
將熱及壓力施加至層狀物品包括在卷對卷層壓程序中加工層狀物品。
將熱及壓力施加至層狀物品包括對層狀物品施加較全氟共聚物基質之熔點大10與30℃之間之溫度。
將熱及壓力施加至層狀物品包括對層狀物品施加在300℃與400℃之間之溫度。
將熱及壓力施加至層狀物品包括對層狀物品施加在200 psi與1000 psi之間之壓力。
該方法包括在熔融加工及擠出程序中形成第一及第二膜。
該方法包括將紫外線添加劑分散於該非氟化全氟共聚物中。
該方法包括將該石英或L-玻璃織物用氟聚合物處理來處理。
將該石英或L-玻璃織物用氟聚合物處理來處理包括將該石英或L-玻璃織物用氟聚合物塗層塗佈。
將該石英或L-玻璃織物用氟聚合物塗層塗佈包括將該石英或L-玻璃織物在溶液塗佈程序中塗佈。
將該石英或L-玻璃織物用氟聚合物塗層塗佈包括將氟聚合物粒子沉積在該石英或L-玻璃織物之表面上。
各聚合物膜包括第一層及第二層，且其中各第一層經設置以與該石英或L-玻璃織物接觸，且各第二層經設置以與該導電包覆接觸。
在隨附圖式及以下實施方式中闡述一或多個實施方案之細節。其他特徵及優點將從實施方式及圖式、及從申請專利範圍中顯而易見。
吾人在此處描述經金屬包覆之可撓性層壓體，其在高頻率下（例如在10 GHz下）具有低介電常數及低散逸。本文所述之可撓性層壓體可用於高頻應用中印刷線路板之基材，諸如用於5G蜂巢式通訊網路中之天線、或與汽車雷達一起使用、及其他應用。本文所述之可撓性層壓體包括介電基材，介電基材係由具有嵌入於其中之玻璃織物（例如編織石英或L-玻璃織物）之全氟共聚物基質形成。全氟共聚物基質包括未完全氟化全氟共聚物（本文中稱為「非氟化全氟共聚物(non-fluorinated perfluorocopolymer)」），諸如未完全氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物。反應性端基及氟端基之數目濃度可控制以影響全氟共聚物基質之電氣性質（例如，介電常數及散逸因數）及機械性質（例如黏著性）。在介電基材中之添加劑材料能夠吸收紫外光，使得層壓體可用紫外線雷射鑽孔，例如用於形成穿過層壓體之厚度之通孔。可撓性層壓體係由導電包覆（諸如銅箔）在一或兩側上包覆。
參照圖1，經金屬包覆之可撓性層壓體100包括介電基材102及導電包覆，諸如金屬（例如銅）箔104a、104b（統稱為導電包覆104），其係分別設置於介電基材102之頂部及底部表面106a、106b上。儘管在圖1中介電基材102之兩個表面106a、106b上存在導電包覆104，但在一些實例中，導電包覆僅設置於介電基材102之單一表面（例如僅頂部表面106a）上。
可撓性層壓體100之介電基材102包括玻璃織物108（諸如編織石英或L-玻璃織物），其嵌入全氟共聚物基質110中，該全氟共聚物基質包括非氟化全氟共聚物，諸如非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物。如下文所進一步論述，全氟共聚物基質110為介電基材102提供低介電常數及低散逸因數，而石英或L-玻璃織物使介電基材102在x-y平面中之熱膨脹係數(CTE)能夠匹配導電包覆104之CTE。添加劑材料112能夠吸收紫外(UV)光，例如具有在180 nm與400 nm之間之波長的光，且係分散於全氟共聚物基質110中。UV反應性添加劑材料112之存在使可撓性層壓體100能夠藉由UV雷射鑽孔，例如用於形成電路結構，諸如穿過可撓性層壓體100之厚度之導孔。
可撓性層壓體100係平面結構，其具有小於約200 µm或小於約100 µm之沿著z軸之厚度，例如在20 µm與200 µm之間，例如在30 µm與90 µm之間或在30 µm與60 µm之間。介電基材102之厚度構成可撓性層壓體100之大部分厚度。例如，介電基材102具有小於約200 µm或小於約100 µm之沿著z軸之厚度，例如在20 µm與200 µm之間，例如在30 µm與90 µm之間或在30 µm與60 µm之間。各導電包覆104a、104b具有小於約72 µm之沿著z軸之厚度，例如小於約18 µm，例如在5 µm與18 µm之間。
可撓性層壓體100之介電基材102具有低介電常數，例如在10 GHz下小於約2.5之介電常數，例如在2.1與2.5之間，例如在2.1與2.3之間。介電常數具有熱係數，其值在0至100℃之溫度範圍內為在-250與50 ppm/℃之間，例如在-100與50 ppm/℃之間或在-50與25 ppm/℃之間。介電基材102亦具有低散逸因數，例如在10 GHz下小於0.0015之散逸因數，諸如小於0.001或小於0.0008，例如在0.0002與0.001之間，例如在0.0006與0.001之間，例如在0.0006與0.0008之間。
可撓性層壓體100之改善電氣性質（例如低介電常數及低散逸因數）使設計者能夠實現插入損失之改善，例如相對於現有可撓性材料，給定特性阻抗改善高達25%或更多。咸信在導電包覆104中之鐵磁性元素（例如Fe、Ni、或Co）之低水平可有助於達到低插入損失。
介電基材102之熱膨脹係數(CTE)及導電包覆104之CTE在可撓性層壓體100之x-y平面中係類似的。例如，當導電包覆104係銅箔時，介電基材102在x-y平面中之CTE可在5與25 ppm/℃之間，例如在16與22 ppm/℃之間，例如在14與20 ppm/℃之間。介電基材102與導電包覆104之間之CTE值之匹配為可撓性層壓體100提供尺寸穩定性，例如小於約0.1%之尺寸穩定性，例如使得當使可撓性層壓體經受導電包覆之移除及溫度變化時，將其原始尺寸保持在約0.1%內。
可撓性層壓體100之導電包覆104係強力黏附至介電基材。例如，在介電基材102與導電包覆104之間之剝離強度係大於2 lb./吋，例如大於4 lb./吋，例如在2與20 lb./吋之間或在4與20 lb./吋之間。可撓性層壓體100針對彎曲係機械性堅固的，且可在電子裝置中常見的彎曲半徑上彎曲，而不會使可撓性層壓體100之組件中之任一者失效。此可撓性促進可撓性層壓體100安裝至裝置中。
可撓性層壓體100可藉由UV雷射鑽孔且可與金屬化技術相容，例如電漿金屬化，使得通孔可穿過可撓性層壓體100之厚度（例如，沿著可撓性層壓體100之z軸）形成。可撓性層壓體100之介電基材102在288℃下具有至少5秒、至少10秒、至少30秒、或至少60秒之耐浮焊性，例如在5與20秒之間、在10與15秒之間、在10與30秒之間、在10與60秒之間、或在30與60秒之間。
可撓性層壓體100可用於印刷線路板，例如用於可撓性印刷電路板天線。例如，可撓性層壓體100之尺寸及電氣性質可使可撓性層壓體100適用於高頻應用中，諸如用於可在5G通訊網路上使用之行動裝置之天線（如下文所進一步論述）、或與汽車雷達一起使用、或其他高頻應用。在一些實例中，多個可撓性層壓體100本身可層壓至多層電路板結構中。可撓性層壓體實質上不含空隙且可抵抗導電陽極絲之形成，其有助於可撓性層壓體作為印刷線路板基材之電氣可靠性。
全氟共聚物基質110包括單一類型的非氟化全氟共聚物，諸如非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物。非氟化全氟共聚物可係直鏈、無支鏈聚合物。
可撓性層壓體100之介電基材102之低介電常數及低散逸因數至少部分地歸因於全氟共聚物基質110之組成。在全氟共聚物基質110中，反應性端基之數目濃度及氟端基之數目（例如每個碳原子數目之各別端基數目）可經定制以達成目標黏著性，同時仍保持由氟端基提供之低介電常數及低散逸因數。例如，氟化全氟共聚物由於其等含有的大量氟端基而具有低或零極性，且因此具有低介電常數及低散逸因數。然而，氟化全氟共聚物通常係非反應性的，例如，氟化共聚物對玻璃織物108及導電包覆104具有不良黏著性。非氟化全氟共聚物具有反應性端基（例如羧基或醯胺端基），其被吸引至玻璃織物108及導電包覆104。此等反應性端基之存在促進全氟共聚物基質與玻璃織物108及導電包覆104之間的黏著性。藉由控制基質中單一類型的全氟共聚物中之反應性端基之數目及氟端基之數目，可將黏著性以及電氣性質（例如介電常數及散逸因數）定制為目標值。
在一些實例中，全氟共聚物係由水性分散液聚合製成，且所聚合者(as-polymerized)每10 6個碳原子可含有至少約400個反應性端基。大部分此等端基係熱不穩定的，因為當暴露於熱（諸如在擠出及膜形成期間、或膜層壓條件下遇到的熱）時，其等可經歷化學反應，諸如分解及去羧，而使擠出之聚合物變色、或填充不均勻氣泡、或兩者。為了製造本文所述之氟化全氟共聚物，例如藉由控制粒子之處理參數（諸如溫度、暴露時間或表面積），將聚合之全氟共聚物穩定化，以用熱穩定的-CF3端基來替換所欲數目之反應性端基。穩定之實例方法係使氟聚合物暴露於氟化劑，諸如元素氟，例如藉由如美國專利第4,742,122號及美國專利第4,743,658號中所揭示之程序，其等之內容全文以引用方式併入本文中。
非氟化全氟共聚物一般具有較氟化全氟共聚物高的散逸因數。全氟共聚物基質110之組成可經定制以達到介電基材102之足夠低的介電常數及足夠低的散逸因數、及對玻璃織物108及導電包覆104之足夠的黏著性。例如，全氟共聚物基質110中單一類型之非氟化全氟共聚物中的反應性端基及氟端基之數目可經定制，以提供足夠的氟化端基來達成目標電氣性質，同時亦具有足夠數目之反應性端基來仍然保持對玻璃織物108及導電包覆104的足夠黏著性。介電基材102之足夠低的介電常數係在10 GHz下小於約2.5之介電常數，例如在2.1與2.5之間，例如在2.1與2.3之間。介電基材102之足夠低的散逸因數係在10 GHz下小於0.001之散逸因數，諸如在0.0002與0.001之間，例如在0.0006至0.001之間，例如在0.0006與0.0008之間。在一些實例中，全氟共聚物基質110與玻璃織物108及導電包覆104之間的黏著性之充分性係藉由介電基材102與導電包覆104之間之剝離強度判定。例如，若剝離強度大於2 lb./吋，例如大於4 lb./吋，例如在2與20 lb./吋之間或在4與20 lb./吋之間，則黏著性係足夠的。在一些實例中，全氟共聚物基質110與玻璃織物108及導電包覆104之間的黏著性之充分性係藉由可撓性層壓體100抵抗導電陽極絲(CAF)之形成的傾向判定，其在下文進一步論述。
在一些實例中，全氟共聚物基質110之組成係由構成全氟共聚物基質110之單一類型之非氟化全氟共聚物中存在之羧基端基之數目（例如數目濃度）指示。此類羧基端基之非限制性實例包括-COF、-CONH 2、-CO 2CH 3、及-CO 2H且係藉由聚合態樣判定，諸如聚合介質、起始劑、鏈轉移劑（若存在）、及緩衝劑（若存在）之選擇。全氟聚合物基質100中存在（且因此在非氟化全氟共聚物中存在）之每百萬個碳原子之羧基端基之數目可在30與70之間，例如在35與65之間。此羧基端基之數目可經選擇以在全氟共聚物基質110與玻璃織物108及導電包覆104之間達到足夠的黏著性，同時亦達到足夠低的介電常數及散逸因數。例如，可選擇羧基端基之數目使得可撓性層壓體100中無CAF形成。在一些實例中，非氟化全氟共聚物之組成係由全氟共聚物中存在之羧基端基之數目（例如數目濃度）指示。全氟共聚物中之羧基端基之分析及定量可藉由紅外光譜法進行，諸如描述於美國專利第3,085,083號、美國專利第4,742,122號、及美國專利第4,743,658號中，所有其等之內容全文以引用方式併入本文中。熱穩定的端基-CF3（氟化之產物）之存在係由在氟處理之後不存在不穩定的端基推論。相較於其他端基，-CF3端基之存在導致全氟共聚物之散逸因數降低。
非氟化全氟共聚物之熔體流動速率(MFR)亦可影響全氟共聚物基質110與玻璃織物108及導電包覆104之間的黏著性。具有高MFR之聚合物在可撓性層壓體100之層壓期間較具有較低MFR之聚合物更容易流動。全氟共聚物基質110在層壓程序（在下文更詳細地論述）期間之流動使全氟共聚物基質110能夠完全包封玻璃織物108之纖維，產生實質上不含空隙（例如無孔）之介電基材102。無空隙介電基材102可抵抗CAF形成。例如，非氟化全氟共聚物之MFR可提供整體MFR在10與30 g/10分鐘之間（例如，10 g/10分鐘、15 g/10分鐘、18 g/10分鐘、21 g/10分鐘、24 g/10分鐘、27 g/10分鐘、或30 g/10分鐘）之全氟共聚物基質。例如，非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)可聚合至目標MFR且接著氟化。
適用於非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)之材料包括具有約40 g/10分鐘之MFR之Teflon ™PFA 316或具有約14 g/10分鐘之MFR之Teflon ™PFA 340 (Chemours)，其經改質以相對於氟端基之數目控制反應性端基之數目。
非氟化全氟共聚物具有高熔點，諸如在250℃與350℃之間，例如在280℃與320℃之間、在290℃與310℃之間，例如約305℃。非氟化全氟共聚物之高熔點導致全氟共聚物基質100耐高溫並為介電基材102提供足夠的耐浮焊性，諸如在288℃下至少5秒、至少10秒、至少30秒、或至少60秒之耐浮焊性，例如在5與20秒之間、在10與15秒之間、在10與30秒之間、在10與60秒之間、或在30與60秒之間，如根據IPC-TM-650測試方法所測量。
可選擇全氟共聚物基質110之組成以使介電基材102能夠與電漿處理相容，例如用於穿過可撓性層壓體100之厚度形成之通孔的金屬化。
編織玻璃織物108之存在使介電基材102之CTE能夠與金屬箔104之CTE匹配。嵌入全氟共聚物基質110中之編織玻璃織物108係由偏光玻璃(spread glass)（例如石英）束形成。
石英（二氧化矽）具有較全氟共聚物基質110更低的CTE。藉由調整全氟共聚物基質110與編織玻璃織物108之比率，介電基材102在x-y平面中之CTE可匹配金屬箔104之面內CTE，從而提供具有尺寸穩定性之可撓性層壓體100。例如，介電基材102可包括在5與20體積百分比之間的編織L-玻璃織物108及對編織玻璃織物108在80與95體積百分比之間的全氟共聚物基質110。介電基材102之x-y平面中之CTE可在5與25 ppm/℃之間，例如在16與22 ppm/℃之間，例如在14與20 ppm/℃之間，從而提供小於約0.1%之尺寸穩定性。相比之下，單獨全氟共聚物基質110之CTE可在100與300 ppm/℃之間。
石英具有低介電常數（在10 GHz下約3.7）及低損耗（在10 GHz下約0.0001），意指即使存在嵌入全氟共聚物基質110中之玻璃織物，介電基材102具有低介電常數及低損耗。編織玻璃織物108具有小於約30 µm之厚度（例如在約10 µm與30 µm之間），有助於實現薄介電基材102。玻璃織物108之基礎重量係小於約50 g/m 2，例如小於約25 g/m 2，例如在10 g/m 2與25 g/m 2之間。在一具體實例中，玻璃織物108係22 µm厚的1027C石英玻璃(Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd., Tokyo, Japan)。
L-玻璃織物之存在導致層壓體具有高度的平坦度，例如足以使層壓體之多個層之間在鑽孔程序期間能夠對準之平坦度。例如，在多層層壓結構中，高度的平坦度使在穿過多層結構之厚度鑽導孔之期間能夠對準。不受理論束縛，咸信L-玻璃織物之熱膨脹係數(CTE)與全氟共聚物基質之CTE之間之差異、連同L-玻璃織物之相對低模數（例如，相較於石英織物）使得L-玻璃織物在層壓體冷卻期間之收縮足夠小以避免在層壓體中產生波紋。
在一些實例中，使編織玻璃織物108經受一或多種表面處理，以改善全氟共聚物基質110對編織L-玻璃織物108之纖維之潤濕性以移除殘餘有機物質，或以機械地改變纖維之表面以增強玻璃織物108之纖維與全氟共聚物基質110之間的黏著性。表面處理之目的可係促進纖維被全氟共聚物實質上完全潤濕，使得全氟共聚物完全包封石英束。全氟共聚物對石英束之充分包封及黏著使介電基材102能夠實質上不含空隙（例如無孔），繼而有助於防止導電陽極絲之形成及在後加工期間（例如，在穿過可撓性層壓體100之厚度形成導孔之期間）電遷移之發生。
表面處理可包括熱處理以自石英纖維之表面移除殘餘有機物質（例如殘餘澱粉），使得乾淨的石英表面暴露於全氟共聚物。表面處理可包括在石英玻璃纖維之表面上添加助黏劑，諸如甲基丙烯酸酯矽烷、胺基矽烷、或氟矽烷。表面處理可包括電漿處理或電暈處理。表面處理可包括用聚合物塗層處理，諸如氟聚合物，例如全氟烷(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)、或Teflon ™非晶氟聚合物，以在石英玻璃纖維之表面上形成聚合物（例如氟聚合物）膜。例如，可將玻璃織物浸入含有氟聚合物之分散液之溶液中，以在石英纖維之表面上形成氟聚合物之單層。表面處理可包括用氟化矽烷處理，以在石英玻璃纖維之表面上形成氟化分子之層，例如單層。可施加表面處理之組合，諸如熱處理、接著電漿處理或電暈處理。施加至玻璃織物108之（多個）表面處理可改善全氟共聚物基質110對纖維之潤濕性，使全氟共聚物基質110能夠更好地包封玻璃織物108之纖維及全氟共聚物基質110與玻璃織物108之纖維之間的黏著性更強，從而有助於形成可抵抗CAF形成之無空隙介電基材102。
玻璃織物之潤濕性可藉由水接觸角(water contact angle, WCA)表徵。表面處理後之編織玻璃織物可具有在0°與60°之間之WCA。
在一些實例中，粒子（例如二氧化矽粒子）嵌入全氟共聚物基質110中而非玻璃織物108。粒子之大小及表面處理係經選擇以實現與金屬箔104匹配之CTE且改善藉由全氟共聚物基質110之粒子之潤濕性。
在一些實例中，層壓結構可經設計以達到玻璃織物之良好包封，例如除了對玻璃織物施加表面處理之外或替代對玻璃織物施加表面處理。參照圖2，實例經金屬包覆之可撓性層壓體可藉由層壓一組層150來製造。該組層包括多層氟聚合物膜，其包括設置於玻璃織物108之任一側上之非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)層162a、162b、及設置於各非氟化層162之面向外側上之全氟共聚物層164a、164b，該全氟共聚物層包括氟化全氟共聚物或非氟化全氟共聚物。導電包覆（諸如上述金屬（例如銅）箔104a、104b）係設置於該組層150之兩個外側上。當將圖2中所示之結構層壓以產生可撓性層壓體時（關於層壓程序之進一步論述參見下文），非氟化層162包封玻璃織物108，使得非氟化層162及全氟共聚物層164形成基質，玻璃織物108嵌入基質中，例如形成可撓性層壓體之介電基材。
再次參照圖1，添加劑材料112係分散（例如均質地分散）於全氟共聚物基質110中。添加劑材料112係能夠吸收UV光之材料，使得可撓性層壓體100可藉由UV鑽孔程序加工，例如以在可撓性層壓體100之頂部與底部表面106之間形成導孔。添加劑材料112係以小於2%之體積百分比存在於介電基材102中，例如在1與2體積百分比之間，例如1 vol.%、1.25 vol.%、1.5 vol.%、或2 vol.%。添加劑材料112可係具有相對低介電常數之材料，例如在10與1000之間之介電常數，使得在全氟共聚物基質110中包括添加劑材料112不會顯著增加介電基材102之介電常數或散逸因數。例如，以小於2體積%包括添加劑材料112可造成介電基材102之介電常數增加小於10%，例如小於5%或小於2%。
在一些實例中，添加劑材料112係無機粒子，例如氧化鈰(CeO 2)、二氧化鈦(TiO 2)、二氧化矽(SiO 2)、鈦酸鋇(BaTiO 3)、鈦酸鈣(CaTiO 3)、氧化鋅(ZnO)、或其他合適材料之粒子。粒子可具有小於約5 µm、小於約2 µm、小於約1 µm、或小於約0.5 µm之直徑，例如在0.1 µm與0.5 µm之間。例如，較小的粒子通常較類似組成之較大的粒子更有效吸收UV光。在一些實例中，添加劑材料112係有機（例如聚合物）添加劑，諸如低損耗熱固性材料，諸如聚醯亞胺，其係摻入全氟共聚物基質110中。在一些實例中，無機粒子及有機添加劑兩者皆用作添加劑材料。
可撓性層壓體100之銅箔104提供可在其上界定導電圖案之平台，例如使得可撓性層壓體100可用作印刷線路板。在一些實例中，銅箔104係藉由機械程序（例如卷對卷層壓程序）設置於介電基材102之（多個）表面106上。例如，銅箔可係電沉積銅箔或輥軋銅箔。在一些實例中，銅箔104係沉積（例如電解電鍍）至介電基材102上。
銅箔104具有小於約72 µm之厚度，例如小於約18 µm，例如在10 µm與18 µm之間。銅箔104具有低均方根(RMS)粗糙度，諸如小於1 µm之RMS粗糙度，例如小於0.5 µm，如藉由非接觸干涉測量法所測量。銅箔104之低RMS粗糙度有助於維持由可撓性層壓體100製成之電路系統之低插入損失。在一些實例中，銅箔104之RMS粗糙度經選擇以平衡低插入損失（例如，可藉由低RMS粗糙度達到）與銅箔104與介電基材102之間的良好黏著性（例如，可藉由較高RMS粗糙度達到）。例如，如上文所論述，介電基材102與銅箔104之間足夠高的剝離強度係大於2 lb./吋之剝離強度，例如大於4 lb./吋，例如在2與20 lb./吋之間或在4與20 lb./吋之間。
銅箔104具有至少約99.9%之純度。銅箔104之表面化學可能受表面處理（諸如用鋅、熱穩定性添加劑處理、及用以抵抗氧化之處理）影響。此等表面處理可施加至銅箔104之一或兩個表面。已發現諸如鐵及鋅之元素有效增強剝離強度而不明顯降低基材之電氣性能。
如上文所論述，可撓性層壓體100之介電基材102實質上不含空隙，且在全氟共聚物基質110與玻璃織物108之間具有足夠的黏著性，其使可撓性層壓體能夠抵抗導電陽極絲(CAF)之形成。CAF係由於例如由施加電場誘導之金屬電遷移而例如在介電基材之空隙或弱區域中形成之金屬絲。CAF形成可導致電氣失效，例如當CAF在穿過印刷線路板之導孔之間建立短路路徑時。當在整個測試持續期間電阻下降小於十倍（在初始96小時平衡期之後電阻大於10 M歐姆）時，可撓性層壓體可被視為沒有CAF形成。在施加在100 VDC與1000 VDC之間之電壓下，CAF測試可持續多達1000小時或更長，例如取決於應用標準。
CAF形成之實例係顯示於圖3A中。圖3A顯示假設層壓體200，其具有其中嵌入玻璃纖維204之介電基質202。通孔(through-hole)（有時亦稱為導孔(via)）206係穿過層壓體200之厚度形成且電鍍有金屬208（例如銅）。電場之施加造成金屬208在介電基質202中陽極溶解、遷移、及再沉積，例如在介電基質202與玻璃纖維204之間的界面，形成在相鄰導孔206之間延伸之絲210。
圖3B顯示假設層壓體250中之CAF形成之另一實例，其具有其中嵌入玻璃纖維254之介電基質252及界定於層壓體250之頂部、底部、及內部表面上之導體圖案262（例如銅圖案）。金屬（例如銅）之絲260在導體圖案262與玻璃纖維254之間之界面處形成。
再次參照圖1，可撓性層壓體之介電基材102實質上不含空隙且在全氟共聚物基質110與玻璃織物108之間具有強黏著性。此係例如藉由全氟共聚物之本質（例如反應性端基之數目濃度）、石英或L-玻璃織物之表面化學、及製造參數（諸如壓力及溫度）（在下文論述）達到。此外，在全氟共聚物基質110中之玻璃織物108之配置使得織物之纖維與導電包覆104之間實質上無接觸。因此，介電基材102中之CAF形成最少，且可撓性層壓體100可用作可靠且堅固的印刷線路板基材。
參照圖4，多層印刷線路板300可由上文所述之多個可撓性層壓體100形成。在圖4之實例中，多層印刷線路板300包括藉由黏著劑層302連接之兩個可撓性層壓體100a、100b。導孔（亦稱為通孔；未圖示）可穿過多層印刷線路板之厚度之全部或一部分界定，例如藉由UV鑽孔，其中UV能量由可撓性層壓體100之介電基材中之添加劑材料吸收。導孔可電鍍有金屬，諸如銅膜。黏著劑層302可係例如可在較可撓性層壓體100之全氟共聚物基質之熔點低之溫度下黏合之黏著劑。在一些實例中，黏著劑係熱塑性黏著劑，其能夠在較全氟共聚物基質之熔點低0℃與50℃之間之溫度下黏合。在一些實例中，黏著劑係熱固性黏著劑，其能夠在較全氟共聚物基質之熔點低0℃與200℃之間之溫度下黏合，例如在150℃與250℃之間之溫度下。
參照圖5，將多個（此處，三個）可撓性層壓體100層壓在一起，以形成多層印刷線路板400。中心可撓性層壓體100c包括頂部及底部導電包覆。可撓性層壓體100d、100e各包括單一導電包覆。可撓性層壓體100c、100d分別藉由黏著劑層402a、402b黏合至中心可撓性層壓體100e。黏著劑層402a、402b可係例如可在較可撓性層壓體100之全氟共聚物基質之熔點低之溫度下黏合之黏著劑。在一些實例中，黏著劑係熱塑性黏著劑，其能夠在較全氟共聚物基質之熔點低0℃與50℃之間之溫度下黏合。在一些實例中，黏著劑係熱固性黏著劑，其能夠在較全氟共聚物基質之熔點低0℃與200℃之間之溫度下黏合。
導孔（未圖示）可穿過多層印刷線路板400之厚度之全部或一部分界定，例如藉由UV鑽孔。
由本文所述之可撓性層壓體100製成之印刷線路板可用於各種應用中，例如高頻應用，諸如高頻通訊應用。例如，參照圖6，包括一或多個可撓性層壓體之印刷線路板502可用於可在5G通訊網路上操作之通訊裝置500（例如行動通訊裝置）之天線或天線饋線。例如，可撓性層壓體可用作用於通訊裝置天線或天線饋線之印刷線路板之基材，以連接位於不同平面上之裝置之電子組件。包括一或多個可撓性層壓體之印刷線路板504可用於通訊網路設備中，諸如用於蜂巢式通訊網路之塔508中之傳輸天線中。包括可撓性層壓體之印刷線路板亦可用於其他應用中，諸如用於行動計算裝置中之相機饋線。
本文所述之可撓性層壓體可藉由層壓程序製造。參照圖7，在一實例中，玻璃織物108係設置於兩個全氟共聚物膜120a、120b之間。各全氟共聚物膜120a、120b具有在10 µm與50 µm之間之厚度，例如在20 µm與30 µm之間。導電包覆104a、104b係分別設置於全氟共聚物膜120a、120b上。例如，導電包覆104係電沉積銅箔或輥軋退火銅箔。各導電包覆104a、104b具有小於約72 µm之厚度，例如小於約18 µm，例如在10 µm與18 µm之間。
將材料之層104、108、120加熱並壓製，以壓實材料之層，從而形成可撓性層壓體100。在一些實例中，將玻璃織物108及兩個全氟共聚物膜120a、120b層壓以形成介電基材，且在第二加工步驟中將導電包覆（例如銅箔）電沉積至介電基材上。
選擇層壓程序之參數（例如溫度、時間、及壓力）以達到全氟共聚物之目標黏度，其使全氟共聚物能夠流動，從而潤濕及包封玻璃織物108之玻璃束，並使全氟共聚物與導電包覆104之間具有良好黏著性。例如，選擇程序參數使得全氟共聚物在330℃下達到在2000 Pa-s與5000 PA-s之間之零剪切黏度。溫度可大於全氟共聚物之熔點，例如較全氟共聚物之熔點高10℃與30℃之間。例如，溫度可在300℃與400℃之間，例如在320℃與330℃之間，例如300℃、320℃、340℃、360℃、380℃、或400℃。溫度上升速率可在1與5℃/分鐘之間，例如1℃/分鐘、2℃/分鐘、3℃/分鐘、4℃/分鐘、或℃/分鐘。施加至材料之層之壓力可在100 psi與1000 psi之間，例如在200 psi與1000 psi之間或在600 psi與1000 psi之間。停留時間（例如，用於靜態層壓程序）可在30分鐘與120分鐘之間，例如30分鐘、60分鐘、90分鐘、或120分鐘。
圖7描繪使用一組輥600之等壓卷對卷層壓程序。在一些實例中，卷對卷層壓程序係等容、間隙控制之層壓程序。在一些實例中，層壓程序係靜態層壓程序，其中材料之層係在經加熱壓板之間壓製。
全氟共聚物膜120係藉由例如熔融加工及擠出形成。在一些實例中，將添加劑材料混合至熔融氟化全氟共聚物中，且將氟化共聚物及添加劑材料之混合物與熔融非氟化全氟共聚物混合。在一些實例中，將添加劑材料混合至熔融非氟化全氟共聚物中，且將添加劑材料與熔融氟化全氟共聚物混合。將所得全氟共聚物混合物擠出以形成全氟共聚物膜。將添加劑材料與非氟化全氟共聚物混合有助於添加劑材料在整個全氟共聚物膜中之整合及分散。
圖8係用於製造可撓性層壓體100之實例程序之流程圖。將能夠吸收紫外光之添加劑材料分散於非氟化全氟共聚物（諸如非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)全氟共聚物）中(700)。添加劑材料係例如氧化鈰、二氧化鈦、二氧化矽、鈦酸鋇、鈦酸鈣、或氧化鋅之粒子；或聚合物添加劑，諸如聚醯亞胺。將具有分散之添加劑的全氟共聚物熔融加工並擠出，以形成全氟共聚物膜(702)。
使編織石英或L-玻璃織物暴露於表面處理，諸如熱處理、電暈處理、或電漿處理，或在石英或L-玻璃織物之纖維之表面上形成塗層(704)。亦使銅箔（例如電沉積銅箔或經輥軋退火銅箔）暴露於表面處理，諸如熱處理、電暈處理、或電漿處理，或沉積助黏劑或熱穩定性添加劑(706)。
形成材料之層狀堆疊(708)，其包括設置於兩個全氟共聚物膜之間之經處理石英或L-玻璃織物，其中在堆疊之頂部及底部兩者上皆具有經處理導電包覆。藉由施加熱及壓力將材料之層狀堆疊層壓，以形成可撓性層壓體(710)，例如在靜態層壓程序或卷對卷層壓程序中。 實例
一般而言，已經證明經銅包覆之層壓體中使用之全氟共聚物樹脂中之反應性端基及氟端基之數目濃度影響經銅包覆之層壓體之電氣性質（例如，介電常數及散逸因數）及機械性質（例如黏著性）。例如，氟端基之數目濃度的增加導致介電常數及散逸因數的降低，但導致對銅箔的較低的堅固的黏著性。相反地，反應性端基之數目濃度的增加導致介電常數及散逸因數的增加，但改善對銅箔的黏著性。據信調整全氟共聚物基質中反應性端基及氟端基之數目濃度將對電氣性質及機械性質具有類似的影響。
已描述標的之具體實施例。其他實施例係在以下申請專利範圍之範疇內。例如，申請專利範圍中所敍述之行動可以不同順序執行且仍達到所欲結果。作為一個實例，隨附圖式中所描繪之程序不一定需要所示之特定順序或依序順序來達到所欲結果。在某些實施方案中，多工及平行加工可係有利的。
100:可撓性層壓體 100a:可撓性層壓體 100b:可撓性層壓體 100c:可撓性層壓體 100d:可撓性層壓體 100e:可撓性層壓體 102:介電基材 104:導電包覆/層 104a:金屬箔/導電包覆 104b:金屬箔/導電包覆 106:表面 106a:頂部表面/表面 106b:底部表面/表面 108:玻璃織物/層 110:全氟共聚物基質 112:添加劑材料 120:全氟共聚物膜/層 120a:全氟共聚物膜 120b:全氟共聚物膜 150:層 162:非氟化層 162a:非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)層 162b:非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)層 164:全氟共聚物層 164a:全氟共聚物層 164b:全氟共聚物層 200:層壓體 202:介電基質 204:玻璃纖維 206:導孔 208:金屬 210:絲 250:層壓體 252:介電基質 254:玻璃纖維 260:絲 262:導體圖案 300:多層印刷線路板 302:黏著劑層 400:多層印刷線路板 402a:黏著劑層 402b:黏著劑層 500:通訊裝置 502:印刷線路板 504:印刷線路板 508:塔 600:輥 700:步驟 702:步驟 704:步驟 706:步驟 708:步驟 710:步驟
圖1係可撓性、經金屬包覆之層壓體之示意圖。 圖2係用於可撓性、經金屬包覆之層壓體之層狀結構之示意圖。 圖3A及圖3B係具有導電陽極絲之層壓體之示意圖。 圖4及圖5係印刷線路板之示意圖。 圖6係通訊網路之示意圖。 圖7係卷對卷層壓程序之示意圖。 圖8係製造可撓性、經金屬包覆之層壓體之方法之流程圖。
100:可撓性層壓體
102:介電基材
104a:金屬箔/導電包覆
104b:金屬箔/導電包覆
106a:頂部表面/表面
106b:底部表面/表面
108:玻璃織物/層
110:全氟共聚物基質
112:添加劑材料

Claims (73)

  1. 一種層壓物品，其包含： 介電基材，其包含： 全氟共聚物基質，其包含非氟化全氟共聚物，其中該非氟化全氟共聚物中之反應性端基之數目濃度及氟端基之數目濃度係經選擇以獲得目標電氣性質、目標黏著性質、或兩者； 石英或L-玻璃織物，其嵌入該全氟共聚物基質中；及 添加劑材料，其分散於該全氟共聚物基質中，其中該添加劑材料能夠吸收紫外光；及 導電包覆，其係設置於該介電基材之表面上。
  2. 如請求項1之層壓物品，其中該層壓物品具有在20 µm與200 µm之間之厚度。
  3. 如請求項2之層壓物品，其中該層壓物品之該厚度係在30 µm與90 µm之間。
  4. 如請求項3之層壓物品，其中該層壓物品之該厚度係在30 µm與60 µm之間。
  5. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該等目標電氣性質包含在10 GHz下具有在2.10與2.50之間之介電常數的該介電基材。
  6. 如請求項5之層壓物品，其中該介電基材之該介電常數係在2.10與2.30之間。
  7. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該介電基材具有介電常數之熱係數，其值在0至100℃之溫度範圍內為在-250至+50 ppm/℃之間。
  8. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該等目標電氣性質包含在10 GHz下具有小於0.001之散逸因數的該介電基材。
  9. 如請求項8之層壓物品，其中該介電基材在10 GHz下具有在0.0006與0.001之間之散逸因數。
  10. 如請求項9之層壓物品，其中該介電基材在10 GHz下之該散逸因數係在0.0006與0.0008之間。
  11. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該層壓物品具有界定X-Y平面之平面形狀，且其中該層壓物品在該X-Y平面中之熱膨脹係數係在5與25 ppm/℃之間。
  12. 如請求項11之層壓物品，其中該層壓物品在該X-Y平面中之該熱膨脹係數係在14與20 ppm/℃之間。
  13. 如請求項11之層壓物品，其中該層壓物品在該X-Y平面中之該熱膨脹係數係在16與22 ppm/℃之間。
  14. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該非氟化全氟共聚物包含非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物。
  15. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該全氟共聚物基質中每百萬個碳原子之羧基端基之數目足以使該層壓物品不形成導電陽極絲(conductive anodic filament, CAF)。
  16. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該全氟共聚物基質中每百萬個碳原子之羧基端基之數目為該層壓物品提供該介電基材與該導電包覆之間大於2 lb/吋之剝離強度。
  17. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該全氟共聚物基質中每百萬個碳原子之羧基端基之數目係在30與70之間。
  18. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該全氟共聚物基質具有在10 g/10分鐘與30 g/10分鐘之間之熔體流動速率(melt flow rate, MFR)。
  19. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該全氟共聚物基質在288℃下具有至少10秒之耐浮焊性(solder float resistance)。
  20. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該石英或L-玻璃織物具有小於50 g/m 2之基礎重量。
  21. 如請求項20之層壓物品，其中該石英或L-玻璃織物之該基礎重量係小於25 g/m 2。
  22. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該石英或L-玻璃織物具有在10 µm與30 µm之間之厚度。
  23. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該石英或L-玻璃織物包括胺基矽烷或甲基丙烯酸酯矽烷表面化學處理。
  24. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該石英或L-玻璃織物包含經電漿處理或經電暈處理之石英或L-玻璃織物。
  25. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該石英或L-玻璃織物係用氟聚合物浸漬。
  26. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該石英或L-玻璃織物包含氟聚合物塗層。
  27. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該石英或L-玻璃織物在併入該層壓物品中前係用氟聚合物處理來預處理。
  28. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該介電基材包含在5與20體積百分比之間的該石英或L-玻璃織物及在80與95體積百分比之間的該全氟共聚物基質。
  29. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該石英或L-玻璃織物之水接觸角係在0°與60°之間。
  30. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該添加劑材料包含無機粒子。
  31. 如請求項30之層壓物品，其中該等無機粒子包含氧化鈰、二氧化鈦、二氧化矽、鈦酸鋇、鈦酸鈣、或氧化鋅之粒子。
  32. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該添加劑材料包含熱固性聚合物。
  33. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該添加劑材料係以小於2%之體積百分比存在於該全氟共聚物基質中。
  34. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該添加劑材料係均質地在整個該全氟共聚物基質中。
  35. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該導電包覆係設置於該介電基材之兩個相對表面上。
  36. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該導電包覆包含銅箔。
  37. 如請求項36之層壓物品，其中該銅箔係藉由層壓程序設置於該介電基材之該表面上。
  38. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該導電包覆具有小於72 µm之厚度。
  39. 如請求項38之層壓物品，其中該導電包覆之該厚度係在5 µm與18 µm之間。
  40. 如前述請求項中任一項之層壓物品，其中該導電包覆具有小於1 µm之均方根(root mean square, RMS)粗糙度。
  41. 如請求項40之層壓物品，其中該導電包覆之該RMS粗糙度係小於0.5 µm。
  42. 一種印刷線路板，其包含： 如前述請求項中任一項之層壓物品， 其中導體圖案係形成於該導電包覆中。
  43. 如請求項42之印刷線路板，其中通孔係穿過該層壓物品之厚度界定；及包含電鍍該通孔之銅膜。
  44. 一種多層印刷線路板，其包含： 多層層壓結構，其包含多個如請求項42之印刷線路板。
  45. 如請求項44之多層印刷線路板，其包含設置於該層壓結構中之相鄰印刷線路板之間之熱塑性黏著劑。
  46. 如請求項45之多層印刷線路板，其中該熱塑性黏著劑係在較該全氟共聚物基質之熔點低0與200℃之間之溫度下黏合。
  47. 如請求項46之多層印刷線路板，其中該熱塑性黏著劑係在較該全氟共聚物基質之該熔點低0與50℃之間之溫度下黏合。
  48. 如請求項44之多層印刷線路板，其包含設置於該層壓結構中之相鄰印刷線路板之間之熱固性黏著劑。
  49. 如請求項48之多層印刷線路板，其中該熱固性黏著劑係在150℃與250℃之間之溫度下固化。
  50. 如請求項42至49中任一項之多層印刷線路板，其中通孔係穿過該多層印刷線路板之該厚度之至少一部分界定；及包含電鍍該通孔之銅膜。
  51. 一種可與5G通訊網路一起使用之天線，該天線包含： 如請求項44至50中任一項之印刷線路板。
  52. 一種製造多層印刷線路板之方法，該方法包含： 在多個如請求項1之層壓物品中之各者之該導電包覆中形成導體圖案，以形成各別印刷線路板；及 層壓該多個印刷線路板，以形成多層層壓結構。
  53. 如請求項52之方法，其中層壓該多個印刷線路板包含使用熱塑性黏著劑黏附相鄰印刷線路板。
  54. 如請求項53之方法，其包含在較該全氟共聚物基質之熔點低0與200℃之間之溫度下黏合該熱塑性黏著劑。
  55. 如請求項54之方法，其包含在較該全氟共聚物基質之該熔點低0與50℃之間之溫度下黏合該熱塑性黏著劑。
  56. 如請求項52之方法，其中層壓該多個印刷線路板包含使用熱固性黏著劑黏附相鄰印刷線路板。
  57. 如請求項56之方法，其包含在150℃與250℃之間之溫度下固化該熱固性黏著劑。
  58. 如請求項52至57中任一項之方法，其包含穿過該多層層壓結構之厚度之至少一部分界定通孔。
  59. 如請求項58之方法，其包含在紫外線雷射鑽孔程序中界定該通孔。
  60. 一種製造層壓物品之方法，該方法包含： 形成層狀物品，該層狀物品包含： 第一聚合物膜及第二聚合物膜，各膜包含： 全氟共聚物基質，其包含非氟化全氟共聚物，其中該非氟化全氟共聚物中之反應性端基之數目濃度及氟端基之數目濃度係經選擇以獲得目標電氣性質、目標黏著性質、或兩者；及 紫外線添加劑， 石英或L-玻璃織物，其係設置於該第一聚合物膜與該第二聚合物膜之間；及 導電包覆，其經設置以與該第一膜接觸；及 將熱及壓力施加至該層狀物品，以形成該層壓物品。
  61. 如請求項60之方法，其中該非氟化全氟共聚物包含非氟化四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物。
  62. 如請求項60或61之方法，其中將熱及壓力施加至該層狀物品包含在經加熱壓板中壓製該層狀物品。
  63. 如請求項60至62中任一項之方法，其中將熱及壓力施加至該層狀物品包含在卷對卷層壓程序中加工該層狀物品。
  64. 如請求項60至63中任一項之方法，其中將熱及壓力施加至該層狀物品包含對該層狀物品施加較該全氟共聚物基質之熔點大10與30℃之間之溫度。
  65. 如請求項60至64中任一項之方法，其中將熱及壓力施加至該層狀物品包含對該層狀物品施加在300℃與400℃之間之溫度。
  66. 如請求項60至65中任一項之方法，其中將熱及壓力施加至該層狀物品包含對該層狀物品施加在200 psi與1000 psi之間之壓力。
  67. 如請求項60至66中任一項之方法，其包含在熔融加工及擠出程序中形成該第一膜及該第二膜。
  68. 如請求項67之方法，其包含將該紫外線添加劑分散於該非氟化全氟共聚物中。
  69. 如請求項60至68中任一項之方法，其包含將該石英或L-玻璃織物用氟聚合物處理來處理。
  70. 如請求項69之方法，其中將該石英或L-玻璃織物用氟聚合物處理來處理包含將該石英或L-玻璃織物用氟聚合物塗層塗佈。
  71. 如請求項70之方法，其中將該石英或L-玻璃織物用氟聚合物塗層塗佈包含將該石英或L-玻璃織物以溶液塗佈程序塗佈。
  72. 如請求項70或71之方法，其中將該石英或L-玻璃織物用氟聚合物塗層塗佈包含將氟聚合物粒子沉積在該石英或L-玻璃織物之表面上。
  73. 如請求項60至72中任一項之方法，其中各聚合物膜包含第一層及第二層，且其中各第一層經設置以與該石英或L-玻璃織物接觸，且各第二層經設置以與該導電包覆接觸。
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