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TW202428926A - 用於噴射氣體的設備、用於處理基板的設備及用於沉積薄膜的方法 - Google Patents

用於噴射氣體的設備、用於處理基板的設備及用於沉積薄膜的方法 Download PDF

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TW202428926A
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gas supply
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曹源泰
黃喆周
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南韓商周星工程股份有限公司
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Abstract

本發明關於一種用於噴射氣體的設備、用於處理基板的設備以及用於沉積薄膜的方法，特別係關於一種用於噴射氣體以藉由將氣體噴射至基板而沉積薄膜的設備、用於處理基板的設備及用於沉積薄膜的方法。根據一示例性實施例的用於噴射氣體的設備包含：分開的界定有第一氣體供應路徑及第二氣體供應路徑，並具有分別連接於第一及第二氣體供應路徑的第一及第二氣體供應孔的第一電極；以及與第一電極電性絕緣且相隔並具有與第一及第二供應孔交替排列多個開口之第二電極。

Description

用於噴射氣體的設備、用於處理基板的設備及用於沉積薄膜的方法
本發明關於一種噴射氣體的設備、用於處理基板的設備及用於沉積薄膜的方法，特別係關於一種用於噴射氣體以藉由將氣體噴射至基板而沉積薄膜的設備、用於處理基板的設備及用於沉積薄膜的方法。
一般來說，係藉由以薄膜形式將各種材料沉積在基板上並將所沉積的薄膜圖案化，來製造半導體元件或顯示裝置。為此，會進行如沉積製程、蝕刻製程、清理製程及乾燥製程等各種不同的製程。
於此，沉積製程在基板上形成具有半導體元件或顯示裝置所需的性質之薄膜。上述沉積製程大致上由藉由使用具有多個噴射孔的氣體噴射設備噴射製程氣體以透過化學反應在基板上形成薄膜的基板處理設備進行。
當藉由使用具有這些噴射孔的氣體噴射設備於基板上形成薄膜時，沉積均勻度的確保是重要的。因此，對具有經改善的開口結構以沉積均勻的薄膜之氣體噴射設備的需求持續地增加。
相關技術文件
專利文件
專利文件1 KR 10-2004-0104197 A
本發明提供一種能沉積均勻的薄膜之用於噴射氣體的設備、用於處理基板的設備及用於沉積薄膜的方法。
根據一示例性實施例，用於噴射氣體的設備包含：分開地界定有一第一氣體供應路徑及一第二氣體供應路徑，並具有分別連接於第一及第二氣體供應路徑的第一及第二氣體供應孔的第一電極；以及與第一電極電性絕緣且相隔，並具有與第一及第二供應孔交替排列的多個開口之第二電極。
第二電極與第一電極可以大於3 mm且等於或小於25 mm的距離相隔。
開口可包含界定在一第一電極側的一第一開口，以及連接於第一開口且比第一開口具有較大的直徑之一第二開口。
第一開口可具有1 mm至3 mm的直徑。
第二開口可具有10 mm至14 mm的直徑。
開口可更包含界定於第一開口及第二開口之間以連接第一開口及第二開口的一第三開口。
第三開口可具有於朝向第二開口的方向中逐漸加大的剖面。
第二開口可具有25 mm至75 mm的直徑。
第二電極可具有35 mm至100 mm的厚度。
這些開口可以12 mm至20 mm的距離排列。
第一開口及第二開口可具有彼此不同的長度。
第一開口的長度可大於第二開口的長度。
第二開口的長度可大於第一開口的長度。
根據另一示例性實施例，用於處理基板的設備包含：一腔體、設置於腔體中以支撐裝載至腔體中的一基板之一基板支撐設備、設置於腔體中以朝基板支撐設備噴射氣體的用於噴射氣體的設備，以及連接於用於噴射氣體的設備以將電源供應至用於噴射氣體的設備的一電源供應設備。
電源供應設備可連接於第二電極以將電源供應至第二電極。
電源供應設備可將電源供應至第一電極及第二電極。
根據再另一示例性實施例，一種藉由使用上述之用於處理基板的設備沉積薄膜的方法藉由透過第一氣體供應路徑供應一第一氣體以及透過第二氣體供應路徑供應一第二氣體而於基板上沉積薄膜。
薄膜可藉由在第一電極與第二電極之間產生電漿以及在第二電極中產生電漿而沉積於基板上。
薄膜可藉由在第二電極及基板支撐設備之間產生電漿而沉積於基板上。
薄膜可藉由使用化學氣相沉積(CVD)方法或原子層沉積(ALD)方法而供應第一氣體及第二氣體其中至少一者而沉積於基板上。
薄膜可包含銦(In)被摻雜至氧化鋅(ZnO)中的IZO薄膜、鎵(Ga)被摻雜至氧化鋅(ZnO)中的GZO薄膜、銦(In)及鎵(Ga)被摻雜至氧化鋅(ZnO)中的IGZO薄膜、具有高介電常數(High-K)的薄膜、二氧化矽(SiO 2)薄膜以及氮化矽(SiN)薄膜其中至少一者。
以下，將參照相關圖式詳細描述具體實施例。然，本發明可以不同的形式實施且不應被解釋為以於此闡述的實施例為限。這些實施例反而是被提供而使本發明為透徹且完整的，且將完整地將本發明的範圍傳達給本領域具通常知識者。
也將理解的是，當層體、膜、區域或板體被稱為位於另一者「上」，其能直接位於另一者上或可存在有一或多個中間層體、膜、區域或板體。
並且，空間相對用語如「上方」或「頂」及「下方」或「底」等可於此用於為了方便描述而描述一個元件或特徵相對另一或多個元件或一或多個特徵於圖式中呈現的關係。將理解的是，空間相對用語除了圖式中描繪的位向之外，還旨在涵蓋使用或運作中的裝置之不同位向。於圖式中，層體及區域的厚度為了清楚而被誇大。於圖式中，通篇相似的標號指相似的元件。
圖1為繪示根據一示例性實施例的用於處理基板的設備(以下稱為基板處理設備)之示意圖。並且，圖2為繪示根據本發明一示例性實施例的用於噴射氣體的設備(以下稱為氣體噴射設備)中的開口的佈置結構的圖，且圖3為繪示根據一示例性實施例的氣體噴射設備中形成有供應孔及開口的狀態之圖。
請參閱圖1至圖3，根據一示例性實施例的基板處理設備包含：腔體10、安裝於腔體10中以支撐被提供於腔體10中的基板S之基板支撐設備20、安裝於腔體10中以將氣體噴射至基板支撐設備20的氣體噴射設備300，以及連接於氣體噴射設備300以將用於在腔體10中產生電漿的電源供應至氣體噴射設備300的電源供應設備400。並且，基板處理設備可更包含用於控制電源供應設備400的控制裝置(未繪示)。
腔體10具有預設反應空間且將此空間密封。腔體10可包含藉由包含約圓形或長方形平坦部以及從平坦部朝上延伸的側牆部而具有預設反應空間的本體14以及設置於約圓形或長方形的本體14上以密封反應空間的蓋體12。然而，示例性實施例並不以腔體10的外形為限。舉例來說，腔體10可被製造成對應於基板S的外形之各種外形。
排氣孔(未繪示)可形成在腔體10的底面之預設區域中，且連接於排氣孔的排氣管(未繪示)可設置於腔體10之外部。並且，排氣管可連接於排氣裝置(未繪示)。如渦輪分子真空泵浦(turbo-molecular pump)之真空泵浦可作為排氣裝置使用。因此，腔體10的內部可被排氣裝置真空排氣成預設降壓氣氛，如0.1 mTorr或更低的預設壓力。排氣管可不僅安裝在腔體10的底面上還安裝在將於下方描述的基板支撐設備20下方的腔體10之側面上。並且，可更安裝有多個排氣管及連接於其的多個排氣裝置以減少排氣時間。
並且，裝載至腔體10中用於基板處理製程(如薄膜沉積製程)的基板S可設置於基板支撐設備20上。基板支撐設備20例如可包含靜電吸盤以藉由靜電力吸取基板S，而使得基板S被設置且支撐或藉由真空吸引或機械力支撐基板S。
基板支撐設備20可具有對應於基板S的外形之外形，如圓形或長方形。基板支撐設備20可包含設置有基板S的基板支撐件22以及設置於基板支撐件22下方以使基板支撐件22垂直移動的抬升件24。於此，基板支撐件22可被製造成比基板S大，且抬升件24可在基板S設置於基板支撐件22上時支撐基板支撐件22的至少一區域(如中心部)，且使基板支撐件22朝氣體噴射設備300移動。並且，加熱器(未繪示)可安裝於基板支撐件22中。加熱器產生預設溫度的熱以加熱基板支撐件22以及放置於基板支撐件22上的基板S，而使得薄膜均勻地沉積於基板S上。
氣體供應設備可安裝於腔體10的蓋體12上。氣體供應設備可穿過腔體10的蓋體12，並包含第一氣體供應單元110及第二氣體供應單元120以將第一氣體及第二氣體每一者提供至氣體噴射設備300。於此，第一氣體可包含來源氣體，且第二氣體可包含反應氣體。然而，示例性實施例並不以此為限。舉例來說，第一氣體可包含反應氣體，第二氣體可包含來源氣體，或是第一氣體及第二氣體其中至少一者可包含混合有來源氣體及反應氣體的混合氣體。或者，第一氣體及第二氣體其中至少一者可為吹除氣體。也就是說，第一氣體供應單元110及第二氣體供應單元120每一者無須僅提供一種氣體。第一氣體供應單元110及第二氣體供應單元120每一者可同時供應多種氣體或供應選自這些氣體中的氣體。
氣體噴射設備300安裝於腔體10內部(如蓋體12的底面)，且用於將第一氣體噴射及供應至基板上的第一氣體供應路徑以及用於將第二氣體噴射及供應至基板上的第二氣體供應路徑形成於氣體噴射設備300中。因為第一氣體供應路徑及第二氣體供應路徑彼此獨立且分離，所以第一氣體及第二氣體可分離地被供應至基板上而非在氣體噴射設備300中混合。
具體來說，第一氣體供應路徑及第二氣體供應路徑於其中彼此分離的氣體噴射設備300包含具有分別連接於第一氣體供應路徑及第二氣體供應路徑的第一氣體供應孔312及第二氣體供應孔314的第一電極，以及與第一電極相隔且具有與第一氣體供應孔312及第二氣體供應孔314交替排列的多個開口332之第二電極330。
第一電極可包含頂架310及底架320。於此，頂架310可分離地耦接於蓋體12的底面，且同時，頂架310的頂面之部分(如頂面的中心部)與蓋體12的底面相隔預設距離。因此，從第一氣體供應單元110供應來的第一氣體可擴散至頂架310的頂面以及蓋體12的底面之間的空間中。並且，底架320與頂架310的底面相隔預設距離。因此，從第二氣體供應單元120供應來的第二氣體可擴散至底架320的頂面以及頂架310的底面之間的空間中。頂架310及底架320可沿其外周面相連且彼此整合以界定內相隔空間，且外周面可被第一密封件350密封。於此，第一密封件350可由絕緣材料製成以將頂架310及底架320彼此電性絕緣，相反地，可由導電材料製成以將頂架310及底架320彼此電性連接。
第一氣體供應路徑可被形成而使得從第一氣體供應單元110供應來的第一氣體擴散至蓋體12的底面及頂架310之間的空間中，且透過頂架310及底架320被供應至腔體10中。於此，第一氣體供應孔312可連接於第一氣體供應路徑，並穿過頂架310及底架320以在頂架310的頂面以及蓋體12的底面之間的空間之底部與底架320的頂面及頂架310的底面之間的空間相隔離。
並且，第二氣體供應路徑可被形成而使得從第二氣體供應單元120供應來的第二氣體擴散至頂架310的底面以及底架320的頂面之間的空間中，且透過底架320被供應至腔體10中。於此，第二氣體供應孔322可連接於第二氣體供應路徑並在頂架310的底面以及底架320的頂面之間的空間之底部穿過底架320。
因此，第一氣體供應路徑及第二氣體供應路徑可不彼此連通，且第一氣體及第二氣體可分離地透過第一電極從氣體供應設備被朝下供應。
第二電極330可與第一電極相絕緣且與第一電極朝下相隔。也就是說，第二電極330可與底架320相絕緣且與底架320朝下相隔。第二電極330可與底架320的底面以預設距離D1相隔。因此，透過第一電極朝下被供應的第一氣體及第二氣體可擴散至第二電極330的頂面以及底架320的底面之間的空間中。底架320及第二電極330可具有密封第二密封件360的外周面之結構。於此，第二密封件360可由絕緣材料製成以將底架320電性絕緣。
於此，第二電極330可與第一電極朝下相隔了形成於第一電極的表面(即底架320的底面)上之電漿包覆區域沒有與形成在第二電極的表面(即第二電極330的頂面)上的電漿包覆區域重疊之距離。於此，電漿包覆區域代表雖然隨著正(+)離子集中在電漿及結構的表面之間而產生能量交換但幾乎沒有形成電漿的暗場(dark field)區域。
當形成在底架320的底面上的電漿包覆區域重疊於形成在第二電極330的頂面上的電漿包覆區域時，底架320的底面與第二電極330的頂面之間不會形成電漿。然而，根據示例性實施例，因為底架320及第二電極330彼此相隔了形成於底架320的底面上之電漿包覆區域沒有與形成在第二電極330的頂面上的電漿包覆區域重疊之距離，所以電漿可在底架320的底面與第二電極330的頂面之間產生。
當底架320的底面與第二電極330的頂面之間的空間變得非常寬時，氣體可停滯在底架320的底面與第二電極330的頂面之間，且氣體噴射設備的整體尺寸可能會增加。因此，第二電極330可與第一電極相隔大於3毫米(mm)且等於或小於25 mm之距離。當第二電極330與第一電極以3 mm以下的距離相隔時，電漿可能無法產生於底架320的底面與第二電極330的頂面之間的空間中，且當距離大於25 mm時，可能無法沉積高品質的薄膜。
並且，第二電極330具有與上述第一及第二氣體供應孔312、322交替排列的多個開口332。也就是說，如圖2所示，當從上方或下方觀看第一電極與第二電極330時，這些開口332不會重疊於第一氣體供應孔312及第二氣體供應孔322其中一者。當從上方或下方觀看第一電極與第二電極330時，各個開口332可沿至少一方向設置於第一氣體供應孔312之間。並且，各個開口332可沿至少一方向界定在第一氣體供應孔312及第二氣體供應孔322之間的中心位置。
當開口332被排列成重疊於第一氣體供應孔312及第二氣體供應孔314時，從第一氣體供應孔312及第二氣體供應孔314供應來的大部分氣體可透過重疊於第一氣體供應孔312及第二氣體供應孔314的開口332被噴射。然而，所有的氣體可能不會透過開口332朝下被噴射。某些氣體可能會流動或停滯在底架320的底面與第二電極330的頂面之間的空間中，而非透過開口332被直接噴射。因為上述停滯氣體阻斷了氣體的順暢流動並造成微粒的形成，根據一示例性實施例，這些開口332可界定在第二電極330中以與第一氣體供應孔312及第二氣體供應孔322每一者交替。
如圖3所示，上述開口332可包含形成在第一電極側的第一開口333以及連接於第一開口333且比第一開口333具有更大的直徑之第二開口335。也就是說，各個開口332可包含從第二電極330的頂面具有預設長度H1的第一開口333以及從第二電極330的底面具有預設長度H2的第二開口335。於此，第一開口333為氣體入口，且擴散到底架320的底面與第二電極330的頂面之間的空間中的氣體會透過第一開口333被引入到開口332中。另一方面，第二開口335為氣體出口，且被引入到開口332中的氣體透過第二開口335從第二電極330被朝下噴射。第一開口333可與第一氣體供應孔312及第二氣體供應孔322交替排列，且第二開口335可從第一開口333朝下延伸以比第一開口333具有更大的直徑。並且，各個開口332可更包含在第一開口333及第二開口335之間連接第一開口333及第二開口335之第三開口334。
第一開口333可將擴散至底架320的底面與第二電極330的頂面之間的氣體導引至設置於其下方的第二開口335。上述第一開口333可具有被選擇以均勻地將擴散至底架320的底面與第二電極330的頂面之間的氣體導引至各個第二開口335之直徑D2。於此，第一開口333可具有直徑D2以於其中形成電漿包覆區域。也就是說，第一開口333可形成幾乎沒有形成電漿的電漿包覆區域，這是因為形成在形成第一開口333之第二電極330的內表面上的多個電漿包覆區域彼此重疊。為此，第一開口333可具有1 mm至3 mm之直徑D2。當第一開口333具有小於1 mm的直徑D2時，氣體可能不會順暢地透過第一開口333流動，且當第一開口333具有大於3 mm的直徑D2時，電漿可能會產生在第一開口333中以造成由微粒造成的堵塞。因此，第一開口333可被形成以從第二板體330的頂面具有10至25 mm的長度H1。
第三開口334設置於第一開口333下方以順暢地將透過第一開口333供應的氣體傳送至第二開口335。此第三開口334可具有剖面從第一開口333的底端至第二開口335的頂端加大的外形，且此外形可允許透過第一開口333供應的氣體透過第三開口334被導引且順暢地被傳送至第二開口335而沒有停滯。然而，第三開口334非為必要元件。當第三開口334被省略時，第二開口335可直接連接於第一開口333的底側。
第二開口335連接於第一開口333的底側或第三開口334的底側。第二開口335在圓柱狀電極中產生電漿。也就是說，第二開口335提供寬的表面積以產生被引入到第二開口335中的氣體之電漿離子化，進而產生高密度電漿。
上述第二開口335可具有10 mm至14 mm的直徑D3。當第二開口335具有小於10 mm的直徑D3時，可能無法形成高密度電漿。或者，當第二開口335具有大於14 mm的直徑D3時，薄膜可能因這些第二開口335之間的距離增加而無法均勻地沉積。當這些第二開口335之間的距離增加時，從各個第二開口335噴射的氣體會於基板S上集中在預設位置，這造成了不均勻的沉積。然而，當這些第二開口335之間的距離減小時，從各個第二開口335噴射的氣體可能會於基板S上重疊以進一步均勻地沉積薄膜。第二開口335可以12 mm至20 mm的距離排列以於基板S上沉積均勻的薄膜，且當第二開口335具有14 mm以下的直徑D3時，第二開口335可以12 mm至20 mm的距離排列以提升沉積均勻度。
並且，第二開口335可具有25 mm至75 mm的長度H2。也就是說，第二開口335可從第二電極330的底面朝上具有25 mm至75 mm的長度H2。當第二開口335具有小於25 mm的長度H2時，電漿可能會以不足夠的密度形成。另一方面，當第二開口335具有大於75 mm的長度H2時，產生在第二開口335中的離子會與形成第二開口335的第二電極330的內表面碰撞而因濺射產生孔洞損毀。因此，第二開口335可具有25 mm至75 mm的長度H2。
如上所述，第一開口333可具有10 mm至25 mm的長度H1。並且，第二開口335可具有25 mm至75 mm的長度H2。因此，第二開口330可具有35 mm至100 mm的厚度。當第二開口335具有小於35 mm的厚度時，第二電極330可能會因自身的重量而產生偏斜，且當第二開口335具有大於75 mm的厚度時，第二開口335可能會在腔體10中佔據大量的空間，且因此具有差的結構效率。因此，第二電極330可具有35 mm至100 mm的厚度。
另一方面，第一開口333的長度H1以及第二開口335的長度H2可在第二電極330具有設定厚度的範圍內被調整。也就是說，第一開口333的長度H1以及第二開口335的長度H2可透過相異或相同地被調整。
舉例來說，在第二電極330具有設定厚度的範圍中，第一開口333的長度H1可大於第二開口335的長度H2。當第二電極330的厚度被設定為35 mm至100 mm且第二開口335的長度H2被設定為25 mm時，第一開口333可被設定為具有25 mm的長度H1以增加電漿的密度。
並且，第一開口333的長度H1可小於第二開口335的長度H2，即第二開口335的長度H2可大於第一開口333的長度H1，以在第二電極330具有設定厚度的範圍中降低電漿的密度。當第二電極330的厚度被設定為35 mm至100 mm且第二開口335的長度H2被設定為25 mm時，第一開口333的長度H1可被設定為10 mm以上以及25 mm以下，以降低電漿的密度。
並且，第一開口333的長度H1以及第二開口335的長度H2可彼此相同。如上所述，因為第一開口333的長度H1以及第二開口335的長度H2被相同或相異地調整，所以電漿可被調整成具有所需的密度。
電源供應設備400可連接於氣體噴射設備300，以將用於在腔體10中產生電漿的電源供應至氣體噴射設備。也就是說，電源供應設備400可在腔體10中供應用於產生電漿的射頻功率(RF power)。
於此，電源供應設備400可連接於第二電極330，以將射頻功率僅供應至第二電極330，且第一電極可接地。於此，第一電極與第二電極330可由絕緣材料製成的第二密封件360絕緣。如上所述，當電源供應設備400將射頻功率供應至第二電極330且第一電極接地時，第一電極與第二電極330各自形成用於產生電容耦合電漿(capacitively coupled plasma，CCP)的電極。並且，因為基板支撐件22也接地，所以CCP可產生在第二電極330及支撐件22之間。或者，電源供應設備400也可將電源供應至第一電極與第二電極330。於此情況中，電源供應設備400可將射頻功率供應至第一電極與第二電極330每一者。
上述根據一示例性實施例的基板處理設備可用於藉由使用化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)方法或原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)方法，而於基板S上沉積薄膜。於此，由CVD或ALD方法沉積的薄膜可包含銦(In)被摻雜至氧化鋅(ZnO)中的IZO薄膜、鎵(Ga)被摻雜至氧化鋅(ZnO)中的GZO薄膜、銦(In)及鎵(Ga)被摻雜至氧化鋅(ZnO)中的IGZO薄膜、具有高介電常數(High-K)的薄膜、二氧化矽(SiO 2)薄膜以及氮化矽(SiN)薄膜中的至少一者。
首先，當薄膜藉由使用CVD方法沉積於基板S上時，來源氣體與反應氣體可同時被供應至基板S上。於此，第一氣體可包含來源氣體，且第二氣體可包含反應氣體。然而，示例性實施例並不以此為限。舉例來說，第一氣體可包含反應氣體，第二氣體可包含來源氣體，或是第一氣體及第二氣體其中至少一者可包含混合有來源氣體及反應氣體的混合氣體。或者，第一氣體及第二氣體其中至少一者可為吹除氣體。於此，藉由透過電源供應設備400將射頻功率供應至氣體噴射設備300，可在腔體10中產生電漿，以提升沉積效率。
並且，當薄膜藉由ALD方法沉積於基板S上時，來源氣體及反應氣體可交替地被供應至基板S上。於此，第一氣體可包含來源氣體，且第二氣體可包含反應氣體。或者，第一氣體可包含反應氣體，且第二氣體可包含來源氣體。或者，第一氣體及第二氣體其中至少一者可為吹除氣體。於此，供應來源氣體、供應吹除氣體、供應反應氣體及供應吹除氣體的多個步驟可形成一個製程循環，且可重複多次製程循環以在基板S上沉積薄膜。於此，透過電源供應設備400將射頻功率供應至氣體噴射設備300，可在腔體10中形成電漿，且此可在供應反應氣體的製程中進行以提升沉積效率。
如上所述，當薄膜藉由CVD或ALD方法沉積在基板S上時，透過電源供應設備400將射頻功率供應至氣體噴射設備300，電漿可形成在第一電極與第二電極330之間，且電漿可產生在第二電極330中。並且，高密度CCP可產生在第二電極330及基板支撐件22之間。
如上所述，根據一示例性實施例，可藉由將製程氣體透過其噴射的多個開口之間的距離最小化，來提升沉積均勻度。並且，可形成高密度電漿，且因此可形成高品質薄膜。
雖然具體實施例已使用特定用語描述及繪示，但用語僅為用於清楚解釋實施例的示例，且因此對本領域具通常知識者來說顯而易見的是，實施例及技術用語能以其他具體形式實施且在不改變技術概念或必要特徵的情況下進行改變。因此，應理解的是，根據本發明的簡單修改可屬於本發明的技術精神。
10:腔體 12:蓋體 14:本體 20:基板支撐設備 22:支撐件 24:抬升件 110:第一氣體供應單元 120:第二氣體供應單元 300:氣體噴射設備 310:頂架 312,314,322:氣體供應孔 320:底架 330:第二電極 332,333,334,335:開口 350:第一密封件 360:第二密封件 400:電源供應設備 S:基板 D1:預設距離 H1,H2:長度 D2,D3:直徑
示例性實施例能參照以下描述以及相關圖式更詳細地被理解，於圖式中： 圖1為繪示根據一示例性實施例的用於處理基板的設備之示意圖。 圖2為繪示根據本發明一示例性實施例的用於噴射氣體的設備中的開口的佈置結構的圖。 圖3為繪示根據一示例性實施例的用於噴射氣體的設備中界定有供應孔及開口的狀態之圖。
10:腔體
12:蓋體
14:本體
20:基板支撐設備
22:支撐件
24:抬升件
110:第一氣體供應單元
120:第二氣體供應單元
300:氣體噴射設備
310:頂架
312,322:氣體供應孔
320:底架
330:第二電極
332:開口
350:第一密封件
360:第二密封件
400:電源供應設備
S:基板

Claims (21)

  1. 一種用於噴射氣體的設備，包含：一第一電極，該第一電極中分開地界定有一第一氣體供應路徑及一第二氣體供應路徑，該第一電極具有分別連接於該第一氣體供應路徑及該第二氣體供應路徑的一第一氣體供應孔及一第二氣體供應孔；以及一第二電極，與該第一電極電性絕緣且相隔，並具有與該第一氣體供應孔及該第二氣體供應孔交替排列的多個開口。
  2. 如請求項1所述之設備，其中該第二電極與該第一電極以大於3 mm且等於或小於25 mm的距離相隔。
  3. 如請求項1所述之設備，其中該些開口包含：一第一開口，界定在一第一電極側；以及一第二開口，連接於該第一開口且比該第一開口具有較大的直徑。
  4. 如請求項3所述之設備，其中該第一開口具有1 mm至3 mm的直徑。
  5. 如請求項3所述之設備，其中該第二開口具有10 mm至14 mm的直徑。
  6. 如請求項3所述之設備，其中該些開口更包含界定於該第一開口及該第二開口之間以連接該第一開口及該第二開口的一第三開口。
  7. 如請求項6所述之設備，其中該第三開口具有於朝向該第二開口的方向中逐漸加大的剖面。
  8. 如請求項3所述之設備，其中該第二開口具有25 mm至75 mm的直徑。
  9. 如請求項1所述之設備，其中該第二電極具有35 mm至100 mm的厚度。
  10. 如請求項1所述之設備，其中該些開口以12 mm至20 mm的距離排列。
  11. 如請求項3所述之設備，其中該第一開口及該第二開口具有彼此不同的長度。
  12. 如請求項11所述之設備，其中該第一開口的長度大於該第二開口的長度。
  13. 如請求項11所述之設備，其中該第二開口的長度大於該第一開口的長度。
  14. 一種用於處理基板的設備，包含：一腔體；一基板支撐設備，設置於該腔體中以支撐裝載至該腔體中的一基板；如請求項1至13中任一項所述之用於噴射氣體的設備，設置於該腔體中以朝該基板支撐設備噴射氣體；以及一電源供應設備，連接於用於噴射氣體的該設備以將電源供應至用於噴射氣體的該設備。
  15. 如請求項14所述之設備，其中該電源供應設備連接於該第二電極以將電源供應至該第二電極。
  16. 如請求項14所述之設備，其中該電源供應設備將電源供應至該第一電極及該第二電極。
  17. 一種藉由使用如請求項14所述之用於處理基板的設備沉積一薄膜的方法，其中藉由透過該第一氣體供應路徑供應一第一氣體以及透過該第二氣體供應路徑供應一第二氣體而於該基板上沉積該薄膜。
  18. 如請求項17所述之方法，其中該薄膜藉由在該第一電極與該第二電極之間產生電漿以及在該第二電極中產生電漿而沉積於該基板上。
  19. 如請求項17所述之方法，其中該薄膜藉由在該第二電極及該基板支撐設備之間產生電漿而沉積於該基板上。
  20. 如請求項17所述之方法，其中該薄膜藉由使用化學氣相沉積(CVD)方法或原子層沉積(ALD)方法而供應該第一氣體及該第二氣體其中至少一者而沉積於該基板上。
  21. 如請求項17所述之方法，其中該薄膜包含銦(In)被摻雜至氧化鋅(ZnO)中的IZO薄膜、鎵(Ga)被摻雜至氧化鋅(ZnO)中的GZO薄膜、銦(In)及鎵(Ga)被摻雜至氧化鋅(ZnO)中的IGZO薄膜、具有高介電常數(High-K)的薄膜、二氧化矽(SiO 2)薄膜以及氮化矽(SiN)薄膜其中至少一者。
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