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TW202427537A - 用於基板支撐件的處理套組 - Google Patents

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TW202427537A
TW202427537A TW112124256A TW112124256A TW202427537A TW 202427537 A TW202427537 A TW 202427537A TW 112124256 A TW112124256 A TW 112124256A TW 112124256 A TW112124256 A TW 112124256A TW 202427537 A TW202427537 A TW 202427537A
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姆漢納德 穆斯塔法
幕哈瑪德Ｍ 拉許德
雷雨
艾夫傑尼諾斯Ｖ 葛拉托斯
維卡許 班西亞
維特Ｈ 卡德倫
詩薇 杜
李雍信
安尼迪塔 聖
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美商應用材料股份有限公司
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Abstract

於此提供用於處理基板的方法及設備。在一些實施例中，用於基板支撐件的處理套組包含：一上邊緣環，該上邊緣環由石英製成且具有一上表面及一下表面，其中該上表面實質為平面且該下表面包含一階梯狀下表面以界定該上邊緣環的一徑向最外部分及一徑向最內部分。

Description

用於基板支撐件的處理套組
本揭示案的實施例一般相關於基板處理設施，且更特定地，針對用於基板支撐件及使用該基板支撐件的方法的處理套組。
可使用基板處理系統(例如電漿反應器)以在基板上沉積、蝕刻、或形成層或處置基板表面。針對控制該基板處理的態樣有用的一個技術為使用射頻(RF)能量以控制接近基板的電漿，例如藉由耦合RF能量至設置於基板(設置於基板支撐件上)下的電極。
發明人於此提供基板處理系統的實施例，可提供改良的基板處理系統的RF能量控制，及晶圓邊緣附近的電漿鞘的彈性控制。
於此提供用於處理基板的方法及設備。在一些實施例中，用於基板支撐件的處理套組包含：一上邊緣環，該上邊緣環由石英製成且具有一上表面及一下表面，其中該上表面實質為平面且該下表面包含一階梯狀下表面以界定該上邊緣環的一徑向最外部分及一徑向最內部分。
在一些實施例中，基板支撐件包含：一下邊緣環，其中該下邊緣環為傳導性；及一上邊緣環，該上邊緣環具有經配置以與該下邊緣環相交的一波狀下表面，該上邊緣環進一步具有小於該下邊緣環的內直徑的一內直徑及大於該下邊緣環的外直徑的一外直徑，該上邊緣環進一步具有一上表面，該上表面實質為平面，其中該上邊緣環由石英製成。
在一些實施例中，基板支撐件包含：一基底，該基底支撐一基板支撐表面，該基板支撐表面經配置以支撐具有一給定直徑的一基板；及一處理套組，該處理套組設置於該基板支撐件頂上且包括：一下邊緣環，該下邊緣環具有一上表面，放置該上表面於大於該基底的該上表面且小於該基板支撐表面的一高度；及一上邊緣環，該上邊緣環設置於該下邊緣環頂上，該上邊緣環具有小於該給定直徑的一內直徑及大於該基底的外直徑的一外直徑，該上邊緣環進一步具有實質為平面的一上表面。
下方描述本揭示案的其他及進一步的實施例。
於此揭露用於處理基板的方法及設備。相較於傳統電漿處理設備，發明的方法及設備可優勢地便於更均勻的基板的電漿處理。例如，在基板邊緣及基板中央之間比較，本揭示案的實施例可改良處理均勻性，例如蝕刻均勻性，因此提供更均勻的總體基板處理。
例如，發明人已發現：在某些基板(例如，半導體晶圓)上蝕刻處理期間，發現中央至邊緣非均勻性的蝕刻量。特定地，發明人已發現：基板邊緣作用如同RF天線，造成在應用RF偏壓的處理期間處理腔室中的電場局部化且被基板邊緣吸引。因此，基板邊緣上的電漿撞擊也變得局部化且更強。發明人已發現包含兩個邊緣環部件的發明的邊緣環設計：上邊緣環及下邊緣環，如下方將更詳細討論。上邊緣環由石英製成，具有較高的蝕刻阻抗且在處理期間在腔室內部產生較少缺陷/顆粒。下邊緣環可由傳導性材料或高介電常數的材料製成，例如鋁。傳導性或高介電常數的下邊緣環升高RF傳導性表面且改變基板邊緣附近的電場。電場中的該改變優勢地將電漿撞擊自基板邊緣偏移至設置於下邊緣環上方的上邊緣環。
圖1根據本揭示案的一些實施例描繪感應性耦合電漿反應器(反應器100)的示意側面視圖。可單獨使用反應器100或作為整合半導體基板處理系統、或叢集工具的處理模組，例如加州Santa Clara的Applied Materials, Inc.可取得的CENTURA ®整合半導體晶圓處理系統。根據本揭示案的實施例可優勢地自修改獲益的合適的電漿反應器的範例包含感應性耦合電漿蝕刻反應器，例如半導體設施的DPS ®線或其他感應性耦合電漿反應器，例如Applied Materials, Inc.也可取得的MESA TM等。上方列出的半導體設施僅為圖示性，且其他蝕刻反應器及非蝕刻設施(例如CVD反應器、或其他半導體處理設施)也可適於根據本教示修改。例如，可在美國專利申請案公開號2011/009499 (V. Todorow等人公開於2011年4月28日，標題為「INDUCTIVELY COUPLED PLASMA APPARATUS」)、美國專利申請案公開號2011/0097901 (S. Banna等人公開於2011年4月28日，標題為「DUAL MODE INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR WITH ADJUSTABLE PHASE COIL ASSEMBLY」)、或美國專利申請案公開號2015/0068682 (S. Banna等人公開於2015年5月12日，標題為「POWER DEPOSITION CONTROL IN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA (ICP) REACTORS」)中找到可根據本揭示案修改的合適的非限定電漿反應器。
反應器100一般包含處理腔室104，具有一起界定內容積的傳導性主體(腔室壁130)及蓋120(例如，天花板)、設置於內容積內的基板支撐件116(展示為支撐基板115)、感應性耦合電漿設備102、及控制器140。腔室壁130典型地耦合至電性接地134。在反應器100配置為感應性耦合電漿反應器的實施例中，蓋120可包括面向反應器100的內容積的介電材料。在其他實施例中，也可使用或替代地使用其他電漿來源，例如電容性耦合電漿來源、遠端電漿來源等。
基板支撐件116一般包含上部分，該上部分具有用於支撐基板115的支撐表面。在一些實施例中，由介電材料形成支撐表面。圖1展示基板支撐件116的上部分，例如，作為靜電夾具117。基板支撐件116進一步包含經由匹配網路124耦合至偏壓來源122的陰極118。偏壓來源122可圖示性地為高至約1000 W(但不限於約1000 W)的RF能量的來源，例如針對某些應用約150 W，使用頻率例如大約13.56 MHz，雖然可針對特定應用視需要提供其他頻率及功率。偏壓來源122能夠產生連續或脈衝功率之其中一者或兩者。在一些實施例中，偏壓來源122可為DC或脈衝DC來源。在一些實施例中，偏壓來源122能夠提供多頻率，或一個或更多個第二偏壓來源(如圖2中所圖示)可經由相同匹配網路124或經由一個或更多個額外匹配網路(如圖2中所圖示)耦合至基板支撐件116以提供多頻率。絕緣體層128環繞陰極118。
處理套組125設置於基板支撐件116頂上以保護基板支撐件116的上表面，否則將曝露。處理套組125進一步經配置以改良基板處理，如下方將更詳細討論。在一些實施例中，可設置電漿螢幕129於基板支撐件116及腔室壁130之間的區域以限制或防止電漿在基板支撐件116下方移動。
圖2根據本揭示案的一些實施例描繪基板支撐件116的進一步細節。如圖2中所展示，基板支撐件116包含設置於基板支撐件116內的電極200(例如，陰極118)。在一些實施例中，電極200可置中地設置於基板支撐件116的支撐表面216下方。電極200由傳導性材料形成，例如鋁(Al)、摻雜的碳化矽(SiC)、或可相容於處理環境的其他合適傳導性材料之其中一者或更多者。在一些實施例中，電極200可設置於或可為支撐基板支撐件116的介電支撐表面的基底205。基底205可具有周邊邊緣202及上表面204。在一些實施例中，基底205可包含經過基底205設置的複數個通道207，以經過通道207流動熱傳送媒體。熱傳送媒體來源209可耦合至複數個通道207以提供熱傳送媒體至複數個通道207。例如，可使用經過複數個通道207的熱傳送媒體的流動以調節設置於基板支撐件116上的基板的溫度。
基板支撐件116進一步包含設置於電極200的上表面204上方的基板支撐表面216。例如，基板支撐表面216可為靜電夾具117的部分。靜電夾具117設置於電極200上方且基板支撐表面216為靜電夾具117的上表面。靜電夾具117可包含介電平板，例如陶瓷定位盤220。陶瓷定位盤220包含設置於陶瓷定位盤220中的一個或更多個電極(所展示的電極222)，以提供DC能量以用於將基板115夾至靜電夾具117。電極222典型地耦合至DC功率供應226。
處理套組(例如，處理套組125)設置於基板支撐件116頂上以保護基板支撐件116的上表面，否則將曝露。例如，處理套組125包含下邊緣環206及上邊緣環208。下邊緣環206由傳導性或高介電常數處理可相容性材料製成，例如鋁或鋁合金，例如Al6061。在一些實施例中，且如圖4A所展示，下邊緣環206可具有陽極氧化塗層410。在一些實施例中，陽極氧化塗層410的塗層完全環繞下邊緣環206。然而，在一些實施例中，陽極氧化塗層410不完全環繞下邊緣環206。例如，可選擇性地在下邊緣環206上形成陽極氧化塗層410。陽極氧化塗層410可幫助保護下邊緣環206的金屬表面免於化學侵蝕(例如，氟侵蝕)，這可能造成缺陷或污染。陽極氧化塗層410可具有約4微米+/- 2微米的厚度。下邊緣環206電性地耦合至電極200(例如，基底205)，使得電極200及下邊緣環206可耦合至共用RF功率供應(例如，偏壓來源122)。在一些實施例中，下邊緣環206由與基底205相同的傳導性材料製成，在一些實施例中為Al6061。下邊緣環206一般包含彎曲邊緣以避免電弧。上邊緣環208由絕緣性處理可相容性材料製成，例如石英。也繞著下邊緣環206的外直徑表面設置環繞陰極118(例如，電極200，或基底205)的絕緣體層128。上邊緣環208設置於絕緣體層128、下邊緣環206、及陶瓷定位盤220的一部分上，如下方將更詳細討論。
發明人觀察到：在電漿處理期間，基板115的邊緣可作用如同RF天線，造成在應用RF偏壓的處理期間處理腔室中的電場局部化且被基板邊緣吸引。因此，基板邊緣上的電漿撞擊也變得局部化且更強，導致非均勻的基板處理。例如，發明人已發現：在某些基板(例如，半導體晶圓)上蝕刻處理期間，發現蝕刻量上中央至邊緣的非均勻性。
傳導性或高介電常數的下邊緣環206升高RF傳導性表面且改變基板115邊緣附近的電場。電場中的該改變優勢地將電漿撞擊自基板115邊緣偏移至設置於下邊緣環206上方的上邊緣環208。上邊緣環208由石英製成，優勢地具有較高的蝕刻阻抗且在處理期間在腔室內部產生較少缺陷/顆粒。因此，發明人已發現：提供處理套組125(如此處所討論)可優勢地提供更均勻的基板處理(例如，蝕刻)，同時在處理期間在腔室內部產生較少缺陷/顆粒。在具有陽極氧化塗層410的下邊緣環206的實施例中，陽極氧化塗層410是非傳導性的。然而，陽極氧化塗層410有利地不影響傳導性或高介電常數的下邊緣環206升高RF傳導性表面並改變基板115的邊緣附近的電場的能力。
圖3根據本揭示案的一些實施例描繪圖2中所描繪的基板支撐件116的部分示意側面視圖。例如，靜電夾具117經配置以支撐具有給定直徑的基板，例如300 mm(雖然也可使用其他大小及形狀，例如150 mm、200 mm、450 mm等)。靜電夾具117的支撐表面216具有小於給定寬度的直徑，使得基板115的外周邊邊緣稍微懸垂支撐表面216。例如，在用於處理300 mm晶圓的配置中，支撐表面216具有稍微小於300 mm的直徑。靜電夾具117包含壁304，壁304垂直或實質垂直自支撐表面216向下延伸，終止於自壁304底部徑向向外延伸的外周邊突出部308的上表面306。
靜電夾具117的外周邊突出部308徑向向外設置下邊緣環206。例如，下邊緣環206的內直徑大於外周邊突出部308的內直徑，因此，大於基板給定寬度的內直徑(例如，300 mm)。如上方所述，下邊緣環206傳導性地耦合至電極200。如圖3中所描繪，下邊緣環206傳導性地耦合至電極200，例如，藉由直接設置於基底205頂上(基底205形成電極200)。下邊緣環206包含置於基底205的上表面204上方的上表面302(例如，電極200上方)以在基板115外邊緣徑向向外設置的區域中局部地升高RF傳導性表面。
發明人已發現：放置下邊緣環206的上表面302於電極200的上表面204上方，優勢地提供更均勻的基板處理，如上述。例如，發明人相信下邊緣環206的升高的上表面302吸引基板115的直徑外部的離子，防止或減低基板邊緣處增加的處理產物。
然而，發明人已進一步發現：針對一些處理，放置下邊緣環206的上表面302太靠近基板115或在基板115上方將急遽地減低接近基板115邊緣的處理速率，例如蝕刻速率。因此，在一些實施例中，進一步設置下邊緣環206的上表面302於小於外周邊突出部308的上表面306的高度。
在一些實施例中，基底205包含經配置以接收下邊緣環206的切口或凹口310。在一些實施例中，凹口310的徑向內壁實質與外周邊突出部308的外壁對齊。如圖3中所描繪，調整凹口310及下邊緣環206的大小以放置下邊緣環206的上表面302同時處於基底205的上表面204上方及外周邊突出部308的上表面306下方。在一些實施例中，下邊緣環206具有內直徑，大於凹口310的徑向內壁的內直徑，使得下邊緣環的內側壁不會接觸凹口310的徑向內壁。在一些實施例中，下邊緣環206具有外直徑，等於或小於基底205的外直徑。換句話說，下邊緣環的周邊邊緣312與周邊邊緣202對齊或徑向向內設置。
在一些實施例中，下邊緣環206或基底205之其中一者或兩者可包含一個或更多個對齊特徵以便於下邊緣環206徑向對齊至基底205。例如，如圖3中所描繪，可在基底205的凹口310中設置孔洞314以接收下邊緣環206對應的突出物或插銷(未展示)，以便於下邊緣環206徑向對齊至基底205。也考量其他對齊配置。
上邊緣環208設置於絕緣體層128、下邊緣環206、及陶瓷定位盤220的外周邊突出部308的一部分上。特定地，上邊緣環208具有經配置以至少安置於外周邊突出部308上的下表面。上邊緣環208的下表面稍微與下邊緣環206的上表面302間隔開來。上邊緣環208的下表面也可安置於絕緣體層128的上表面上。
在一些實施例中，下邊緣環206可包含上及外周邊凹口316，經配置以與上邊緣環208的對應部分相交。凹口316便於下邊緣環206及上邊緣環208的對齊。在一些實施例中，下邊緣環不包含上及外周邊凹口，例如下方相關於圖6至6A所述。
在一些實施例中，絕緣體層128可包含上及外周邊凹口318，經配置以與上邊緣環208的對應部分相交。上邊緣環208可包含波狀下表面，例如階梯狀下表面。在一些實施例中，上邊緣環208包含階梯狀下表面，具有一個或更多個階梯以逐步自最厚的徑向最外部分(圓化邊緣除外)減低上邊緣環208的厚度至最薄徑向最內部分。
例如，在一些實施例中，如圖1及圖7及7A中所描繪，提供一個階梯，界定具有不同厚度的兩個部分：徑向最外部分(例如，圖7A中的720)及徑向最內部分(例如，圖7A中的710)。在一些實施例中，如圖2至3及圖5至5A中所描繪，提供兩個階梯，界定具有不同厚度的三個部分：徑向最外部分320、中央部分322、及徑向最內部分324。可放置一個或更多個階梯以將上邊緣環208與設置於外周邊突出部308、凹口316、及凹口318下方的部件相交。
上邊緣環208包含上表面326及圓角或彎曲上周邊邊緣以連接上表面326至上邊緣環208的外周邊壁或直接至上邊緣環208的下表面，取決於彎曲的本質。在一些實施例中，上表面326自上邊緣環208的內直徑至上邊緣環208的外直徑附近為平面的或實質平面的(例如，上邊緣環的彎曲上周邊邊緣除外)。
上邊緣環208具有內直徑，大於支撐表面216的內直徑且小於基板115的給定直徑(例如，針對用於設計處理300 mm晶圓的配置，小於300 mm)。可在上邊緣環208及壁304之間界定空隙。上邊緣環208進一步在徑向最內部分324處具有小於壁304高度的厚度，使得在上邊緣環208安置於外周邊突出部308上時，上邊緣環208的上表面326低於靜電夾具117的支撐表面216。發明人已發現：放置上表面326於或高於基板115的層級增加了某些處理(例如，蝕刻)期間的顆粒缺陷。因此，在基板115設置於基板支撐件116上時，上邊緣環208的徑向最內部分324在基板115的外周邊邊緣下方延伸，且在上邊緣環208及基板115的背側表面之間界定空隙。
上邊緣環208具有外直徑，大於基板支撐件116的外直徑，使得上邊緣環的外周邊邊緣懸垂或延伸超出基板支撐件116(包含絕緣體層128)。
圖4根據本揭示案的一些實施例描繪下邊緣環206的側面橫截面視圖。圖4A描繪下邊緣環206的部分側面橫截面視圖。
圖5根據本揭示案的一些實施例描繪上邊緣環208的側面橫截面視圖。圖5A描繪上邊緣環208的部分側面橫截面視圖。
圖6根據本揭示案的一些實施例描繪下邊緣環606的側面橫截面視圖。圖6A描繪下邊緣環606的部分側面橫截面視圖。可使用下邊緣環606相似於上述下邊緣環。而且，在一些實施例中，下邊緣環606可具有與上述陽極氧化塗層410相似的陽極氧化塗層610。例如，在一些實施例中，陽極氧化塗層610的塗層完全環繞下邊緣環606。然而，在一些實施例中，陽極氧化塗層610不完全環繞下邊緣環606。例如，可選擇性地在下邊緣環606上形成陽極氧化塗層610。陽極氧化塗層610可幫助保護下邊緣環606的金屬表面免於化學侵蝕(例如，氟侵蝕)，這可能造成缺陷或污染。陽極氧化塗層610可具有約4微米+/- 2微米的厚度。下邊緣環606具有上表面602和周邊側壁612。在一些實施例中，下邊緣環608具有約13.2吋至約13.8吋的外直徑。在一些實施例中，下邊緣環608具有約12.0吋至約12.5吋的內直徑。在一些實施例中，下邊緣環606一般包含彎曲邊緣。
圖7根據本揭示案的一些實施例描繪上邊緣環708的側面橫截面視圖。圖7A描繪上邊緣環708的部分側面橫截面視圖。可使用上邊緣環708相似於上述上邊緣環。上邊緣環708包含上表面726及圓角或彎曲上周邊邊緣以連接上表面726至上邊緣環708的外周邊壁704或直接至上邊緣環708的下表面702，取決於彎曲的本質。在一些實施例中，上表面726自上邊緣環708的內直徑至上邊緣環708的外直徑附近為平面的或實質平面的(例如，上邊緣環的彎曲上周邊邊緣除外)。
上邊緣環708具有內直徑，大於支撐表面216的內直徑且小於基板115的給定直徑。在一些實施例中，上邊緣環708的內直徑為約11.5吋至約12.0吋。在一些實施例中，上邊緣環708的外直徑為約14.9吋至約15.4吋。在一些實施例中，上邊緣環708具有約1.5吋至約2.0吋的寬度，由上邊緣環708的內直徑及上邊緣環708的外直徑之間的距離來界定。
上邊緣環708包含波狀的下表面702，例如階梯狀下表面。如圖7中所描繪，上邊緣環708包含階梯狀下表面以自較厚的徑向最外部分(圓化邊緣除外)減低上邊緣環708的厚度至較薄徑向最內部分。在圖7至7A的實施例中，提供一個階梯，界定具有不同厚度的兩個部分：徑向最外部分720及徑向最內部分710。在一些實施例中，徑向最內部分710具有約13.5吋至約14.5吋的外直徑。可放置階梯以將上邊緣環708與外周邊突出部308及下邊緣環206或下邊緣環608相交。
回到圖1，在一些實施例中，蓋120可為實質平坦。處理腔室104的其他修改可具有其他類型的蓋，例如圓頂形狀的蓋或其他形狀。感應性耦合電漿設備102典型地設置於蓋120上方且經配置以感應性地耦合RF功率進入處理腔室104。感應性耦合電漿設備102包含設置於蓋120上方的第一及第二線圈110、112。可視需求調整相對位置、每一線圈的直徑比例、及/或每一線圈中的匝數之每一者，以例如經由控制每一線圈上的感應性來控制形成的電漿的剖面或密度。第一及第二線圈110、112之每一者藉由匹配網路114經由RF饋送結構106耦合至RF功率供應108。RF功率供應108可圖示性地能夠以自50 kHz至13.56 MHz的範圍中的可調諧頻率產生高至約4000 W(但不限於約4000 W)，雖然可針對特定應用視需求提供其他頻率及功率。
在一些實施例中，可在RF饋送結構106及RF功率供應108之間提供功率分割器105(例如分割電容器)以控制提供至第一及第二線圈個別的RF功率的相對數量。例如，如圖1中所展示，功率分割器105可設置於將RF饋送結構106耦合至RF功率供應108的線中，以控制提供至每一線圈的RF功率量(因此，便於控制對應至第一及第二線圈的區中的電漿特性)。在一些實施例中，功率分割器105可併入匹配網路114。在一些實施例中，在功率分割器105之後，RF電流流至RF饋送結構106，接著流至第一及第二線圈110、112。替代地，分開的RF電流可直接饋送至個別第一及第二線圈之每一者。
加熱器元件121可設置於蓋120頂上以便於加熱處理腔室104內部。加熱器元件121可設置於蓋120及第一及第二線圈110、112之間。在一些實施例中，加熱器元件121可包含電阻性加熱元件且可耦合至功率供應123，例如AC功率供應，經配置以提供足夠能量以控制加熱器元件121的溫度於約攝氏50至約100度之間。在一些實施例中，加熱器元件121可為開阻斷加熱器。在一些實施例中，加熱器元件121可包括無阻斷加熱器，例如環狀元件，因而便於處理腔室104內均勻的電漿形成。
在操作期間，可將基板115(例如半導體晶圓或其他適合用於電漿處理的基板)置於基板支撐件116上，且可自氣體面板138經由一個或更多個入口埠126 (經由蓋120及/或腔室壁130設置)供應處理氣體，以在處理腔室104內形成氣體混和物150。例如，在導入處理氣體之前，可藉由例如加熱器121(如上述)來控制腔室內的表面的溫度，以具有處於約攝氏100至200度之間或約攝氏150度的溫度的面對表面的內容積。可藉由自RF功率供應108應用功率至第一及第二線圈110、112來將氣體混和物150點火成為處理腔室104中的電漿155。在一些實施例中，也可將來自偏壓來源122的功率提供至基板支撐件116。可使用節流閥127及真空幫浦136來控制處理腔室104內部內的壓力。在一些實施例中，可使用閘閥、蝶閥、擺錘閥等來控制處理腔室104內的壓力。可使用經由腔室壁130運行的含液體的管道(未展示)來控制腔室壁130的溫度。一個本設備找到的特別有用的非限定特定應用為預先清理應用，例如自基板(例如，矽基板或晶圓)蝕刻氧化物(例如，氧化矽)。
控制器140包括中央處理單元(CPU)144、記憶體142、及針對CPU 144的支援電路146且便於控制反應器100的部件因及形成電漿的方法，例如此處所討論。控制器140可為任何形式的一般用途電腦處理器，可使用於工業設定以用於控制多種腔室及子處理器。記憶體、或CPU 144的電腦可讀取媒體142可為一個或更多個易於取得的記憶體，例如隨機存取記憶體(RAM)、唯獨記憶體(ROM)、軟碟、硬碟、或任何其他形式的數位儲存，在本端或遠端。支援電路146耦合至CPU 144以用於以傳統方式支援處理器。該等電路包含快取、功率供應、時脈電路、輸入/輸出電路及子系統等。記憶體142儲存可執行或呼叫的軟體(來源或物件程式碼)而以此處所述方式控制反應器100的操作。也可藉由第二CPU(未展示)來儲存及/或執行軟體程序，該第二CPU位於遠端遠離CPU 144所控制的硬體。
雖然前述是本揭示案的實施例，可修改本揭示案其他及進一步的實施例，而不遠離其基本範圍。例如，可控制針對應用至電極200的RF偏壓的不同RF頻率、及/或不同功率層級、多種尺寸的處理套組125以放置下邊緣環206(或606)的上表面302(或602)。例如，在一些實施例中，可將下邊緣環206(或606)的上表面302(或602)放置靠近或進一步遠離支撐表面216。在一些實施例中，可選擇或控制下邊緣環206(或606)的內及/或外直徑以控制上表面302(或602)的寬度及/或控制下邊緣環206(或606)的上表面302(或602)的徑向位置。
100:反應器 102:感應性耦合電漿設備 104:處理腔室 105:功率分割器 106:RF饋送結構 108:RF功率供應 110:第一線圈 112:第二線圈 114:匹配網路 115:基板 116:基板支撐件 117:靜電夾具 118:陰極 120:蓋 121:加熱器元件 122:偏壓來源 124:匹配網路 125:處理套組 126:入口埠 127:節流閥 128:絕緣體層 129:電漿螢幕 130:腔室壁 134:電性接地 136:真空幫浦 138:氣體面板 140:控制器 142:記憶體 144:CPU 146:支援電路 150:氣體混和物 155:電漿 200:電極 202:周邊邊緣 204:上表面 205:基底 206:下邊緣環 207:通道 208:上邊緣環 209:熱傳送媒體來源 216:基板支撐表面 220:陶瓷定位盤 222:電極 226:DC功率供應 302:上表面 304:壁 306:上表面 308:外周邊突出部 310:凹口 312:周邊邊緣 314:孔洞 316:凹口 318:凹口 320:徑向最外部分 322:中央部分 324:徑向最內部分 326:上表面 410:陽極氧化塗層 602:上表面 606:下邊緣環 608:下邊緣環 610:陽極氧化塗層 612:周邊側壁 702:下表面 704:外周邊壁 708:上邊緣環 710:徑向最內部分 720:徑向最外部分 726:上表面
可以詳細理解本揭示案上述特徵中的方式，可藉由參考所附圖式中所描繪的本揭示案的圖示性實施例而理解本揭示案的實施例(簡短總結如上且下方將更詳細討論)。然而，所附圖式僅圖示本揭示案典型的實施例，因此不考慮限制其範圍，因為本揭示案可允許其他等效實施例。
圖1根據本揭示案的一些實施例描繪電漿反應器的示意視圖。
圖2根據本揭示案的一些實施例描繪基板支撐件的示意側面視圖。
圖3根據本揭示案的一些實施例描繪基板支撐件的部分示意側面視圖。
圖4根據本揭示案的一些實施例描繪用於基板支撐件的下邊緣環的側面橫截面視圖。
圖4A描繪圖4的下邊緣環的部分側面橫截面視圖。
圖5根據本揭示案的一些實施例描繪用於基板支撐件的上邊緣環的側面橫截面視圖。
圖5A描繪圖5的上邊緣環的部分側面橫截面視圖。
圖6根據本揭示案的一些實施例描繪下邊緣環的側面橫截面視圖。
圖6A描繪圖6的下邊緣環的部分側面橫截面視圖。
圖7根據本揭示案的一些實施例描繪上邊緣環的側面橫截面視圖。
圖7A描繪圖7的上邊緣環的部分側面橫截面視圖。
為了便於理解，儘可能使用相同元件符號，以標示圖式中常見的相同元件。圖式不依比例繪製且可為了清晰而簡化。一個實施例的元件及特徵可有利地併入其他實施例，而無須進一步敘述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
115:基板
116:基板支撐件
117:靜電夾具
118:陰極
125:處理套組
128:絕緣體層
202:周邊邊緣
204:上表面
205:基底
206:下邊緣環
208:上邊緣環
216:基板支撐表面
302:上表面
304:壁
306:上表面
308:外周邊突出部
310:凹口
312:周邊邊緣
314:孔洞
316:凹口
318:凹口
320:徑向最外部分
322:中央部分
324:徑向最內部分
326:上表面

Claims (20)

  1. 一種用於一基板支撐件的處理套組，包括： 一上邊緣環，該上邊緣環由石英製成且具有一上表面及一下表面，其中該上表面實質為平面且該下表面包含一階梯狀下表面以界定該上邊緣環的一徑向最外部分及一徑向最內部分；及 一下邊緣環，其中該下邊緣環經配置以與該上邊緣環的該階梯狀下表面相交。
  2. 如請求項1所述之處理套組，其中該下邊緣環包括鋁或具有一陽極氧化塗層的一鋁合金。
  3. 如請求項1所述之處理套組，其中該下邊緣環具有沿著一上及外周邊邊緣的一凹口，其中該上邊緣環的該階梯狀下表面經配置以與該凹口相交。
  4. 如請求項1所述之處理套組，其中該上邊緣環具有小於該下邊緣環的內直徑的一內直徑及大於該下邊緣環的外直徑的一外直徑。
  5. 如請求項1所述之處理套組，其中該下邊緣環為傳導性。
  6. 如請求項1所述之處理套組，其中該徑向最外部分具有大於該徑向最內部分的一厚度的一厚度。
  7. 如請求項1至6之任一項所述之處理套組，其中該上邊緣環包含一彎曲上周邊邊緣，連接該上表面至該上邊緣環的一外周邊壁或至該上邊緣環的該下表面。
  8. 如請求項1至6之任一項所述之處理套組，其中該上邊緣環具有約1.5吋至約2.0吋的一寬度。
  9. 如請求項1至6之任一項所述之處理套組，其中該上邊緣環的該徑向最內部分具有約13.5吋至約14.5吋的一外直徑。
  10. 一種用於一基板支撐件的處理套組，包括： 一下邊緣環，其中該下邊緣環為傳導性；及 一上邊緣環，該上邊緣環具有經配置以與該下邊緣環相交的一波狀下表面，該上邊緣環進一步具有小於該下邊緣環的內直徑的一內直徑及大於該下邊緣環的外直徑的一外直徑，該上邊緣環進一步具有一上表面，該上表面實質為平面，其中該上邊緣環由石英製成。
  11. 如請求項10所述之處理套組，其中該上邊緣環的該波狀下表面包含一階梯狀下表面，該階梯狀下表面一般減低該上邊緣環自一徑向最外部分至一徑向最內部分的一厚度。
  12. 如請求項11所述之處理套組，其中該階梯狀下表面包含一階梯以界定該徑向最外部分及該徑向最內部分，其中該上邊緣環的該徑向最內部分經配置以與該下邊緣環相交。
  13. 如請求項10至12之任一項所述之處理套組，其中該下邊緣環由鋁或一鋁合金製成。
  14. 如請求項10至12之任一項所述之處理套組，其中該下邊緣環包括鋁或具有一陽極氧化塗層的一鋁合金。
  15. 如請求項10至12之任一項所述之處理套組，其中該下邊緣環具有沿著一上及外周邊邊緣的一凹口，其中該上邊緣環的該波狀下表面經配置以與該凹口相交。
  16. 如請求項10至12之任一項所述之處理套組，其中該上邊緣環包含一彎曲上周邊邊緣，連接該上表面至該上邊緣環的一外周邊壁或至該上邊緣環的該波狀下表面。
  17. 一種基板支撐件，包括： 一基底，該基底支撐一基板支撐表面，該基板支撐表面經配置以支撐具有一給定直徑的一基板；及 一處理套組，該處理套組設置於該基板支撐件頂上且包括： 一下邊緣環，該下邊緣環具有一上表面，放置該上表面於大於該基底的該上表面且小於該基板支撐表面的一高度；及 一上邊緣環，該上邊緣環設置於該下邊緣環頂上，該上邊緣環具有小於該給定直徑的一內直徑及大於該基底的外直徑的一外直徑，該上邊緣環進一步具有實質為平面的一上表面。
  18. 如請求項17所述之基板支撐件，進一步包括： 該基板支撐件的一上部分，該基板支撐件的該上部分設置於該基底上方，其中該基板支撐件的該上部分的一上表面包括該基板支撐表面。
  19. 如請求項18所述之基板支撐件，其中該基板支撐件的該上部分包含徑向向外延伸的一外周邊突出部，且其中該上邊緣環具有一下表面，該下表面經配置以安置於該外周邊突出部上。
  20. 如請求項17至19之任一項所述之基板支撐件，其中該下邊緣環包括鋁或具有一陽極氧化塗層的一鋁合金。
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