TW202338917A

TW202338917A - 製作半導體製造系統的方法

Info

Publication number: TW202338917A
Application number: TW111142146A
Authority: TW
Inventors: 朴西螺; 崔正植
Original assignee: 南韓商三星電子股份有限公司
Priority date: 2022-03-22
Filing date: 2022-11-04
Publication date: 2023-10-01
Also published as: CN116798908A; KR20230137809A; KR102491761B1; US12086505B2; KR102784815B1; US20230306146A1

Abstract

本發明提供一種製作半導體製造系統的方法，可包含：製備第一真空管；製備第二真空管；經由第一真空管將第一處理腔室連接至第一泵；以及經由第二真空管將與第一處理腔室間隔開的第二處理腔室連接至第二泵。第一真空管的製備可包含：連接多個第一單元管以形成第一真空管；以及計算作為第一真空管的總電導率的第一電導率。第二真空管的製備可包含藉由連接多個第二單元管來形成第二真空管，使得作為第二真空管的總電導率的第二電導率等於第一電導率。

Description

製作半導體製造系統的方法

相關申請案的交叉參考

本專利申請案主張2022年3月22日在韓國智慧財產局申請的韓國專利申請案第10-2022-0035199號的優先權，所述韓國專利申請案的全部內容以引用的方式併入本文中。

本揭露是關於一種製作半導體製造系統的方法，且特定言之，是關於一種改良系統之間的效能均勻性的方法。

半導體裝置經由各種製程製造。舉例而言，半導體裝置的製造可包含對晶圓（例如，矽晶圓）執行的微影製程、蝕刻製程、沈積製程、拋光製程以及清潔製程。製程中的一些在真空條件下執行。對於真空條件，泵連接至處理腔室。將處理腔室連接至泵的真空管用於在處理腔室上施加由泵產生的真空壓力。

本發明概念的實施例提供一種能夠改良用於使用相同配方執行相同製程的多個處理腔室之間的效能均勻性的系統製作方法。

本發明概念的實施例提供一種能夠容易地控制多個處理腔室的系統製作方法。

本發明概念的實施例提供一種能夠減少處理腔室之間的效能變化且藉此改良半導體裝置的製造良率的系統製作方法。

本發明概念的實施例提供一種允許處理腔室及/或泵的自由安置的系統製作方法。

根據本發明概念的實施例，一種製作半導體製造系統的方法可包含：製備第一真空管；製備第二真空管；經由第一真空管將第一處理腔室連接至第一泵；以及經由第二真空管將與第一處理腔室間隔開的第二處理腔室連接至第二泵。第一真空管的製備可包含：連接多個第一單元管以形成第一真空管；以及計算作為第一真空管的總電導率的第一電導率。第二真空管的製備可包含藉由連接多個第二單元管來形成第二真空管，使得作為第二真空管的總電導率的第二電導率等於第一電導率。

根據本發明概念的實施例，一種製作半導體製造系統的方法可包含：製備多個真空管；以及經由真空管中的對應一者將多個處理腔室中的各者連接至多個泵中的對應一者。真空管的製備可包含計算真空管中的各者的電導率，且所有真空管可具有實質上相同的電導率。

根據本發明概念的實施例，一種製作半導體製造系統的方法可包含：製備第一真空管；製備與第一真空管間隔開且具有與第一真空管不同的形狀的第二真空管；經由第一真空管將第一處理腔室連接至第一泵；以及經由第二真空管將第二處理腔室連接至第二泵。第一真空管的製備可包含計算作為第一真空管的總電導率的第一電導率。第二真空管的製備可包含形成第二真空管，使得作為第二真空管的總電導率的第二電導率等於第一電導率。

現將參考隨附圖式更全面地描述本發明概念的實例實施例，在所述隨附圖式中繪示實例實施例。圖式中的相同參考標號表示相同元件，且因此將省略其重複描述。

圖1為示出根據本發明概念的實施例的半導體製造系統的透視圖。

在本申請案中，如圖1中所繪示，附圖標記D1、附圖標記D2以及附圖標記D3將分別用於表示彼此不平行的第一方向、第二方向以及第三方向。舉例而言，第一方向D1、第二方向D2以及第三方向D3可彼此垂直。

參考圖1，可提供半導體製造系統。半導體製造系統可組態以對基底執行製造製程。舉例而言，半導體製造系統可為經組態以對基底執行蝕刻製程、沈積製程、清潔製程或曝光製程的系統。舉例而言，半導體製造系統可包含用於處理基底的蝕刻腔室、沈積腔室、清潔腔室、乾燥腔室或曝光腔室。基底可為以晶圓形式提供的矽基底，但本發明概念不限於此實例。為了對基底執行製程，半導體製造系統可包含處理腔室1、泵3以及真空管2。

在實施例中，可提供多個處理腔室1。舉例而言，可提供第一處理腔室11、第二處理腔室12、第三處理腔室13、第四處理腔室14、第五處理腔室15以及第六處理腔室16，如圖1中所繪示。處理腔室1可設置成彼此間隔開。圖1示出處理腔室1在水平方向上（在第二方向D2上）彼此間隔開的實例，但本發明概念不限於此實例。舉例而言，儘管圖1中未繪示，但處理腔室1可在豎直方向上（例如，在第一方向D1上）及/或在第三方向D3上彼此間隔開。所有處理腔室1可經組態以執行相同製程。舉例而言，所有處理腔室1可經組態以執行蝕刻製程。在實例實施例中，在處理腔室1內執行的製程可使用相同配方執行。舉例而言，所有處理腔室1可經組態以使用相同配方執行相同製程。此將在下文更詳細地描述。為了降低描述的複雜性，將例示性地描述處理腔室1中的一者。所有處理腔室1可與所描述的處理腔室相同。

泵3可包含或可為真空泵。在實施例中，可提供多個泵3。舉例而言，可提供第一泵31、第二泵32、第三泵33、第四泵34、第五泵35以及第六泵36，如圖1中所繪示。在實施例中，可將多個泵3設置為共同組合的單個結構。舉例而言，泵3可彼此相鄰地安置，且可組合以形成一個泵組/機架。舉例而言，如圖1中所繪示，第一泵31、第二泵32以及第三泵33可彼此連接以形成第一泵組/機架3a，且第四泵34、第五泵35以及第六泵36可彼此連接以形成第二泵組/機架3b。舉例而言，第一泵31、第二泵32以及第三泵33可彼此接觸，且第四泵34、第五泵35以及第六泵36可彼此接觸。在某些實施例中，第一泵31、第二泵32以及第三泵33可緊密地安置以形成泵組，且第四泵34、第五泵35以及第六泵36可緊密地安置以形成泵組。泵3可具有相同類型。舉例而言，所有泵3在大小及形狀上可相同。因此，泵3可設置成具有相同輸出。舉例而言，當泵3處於相同條件下時，其輸出可相同。此將在下文更詳細地描述。為了降低描述的複雜性，將例示性地描述泵3中的一者。所有泵3可與所描述的泵相同。

可在處理腔室1內執行基底上的製程。可在真空環境下執行基底上的製程。為了達成真空環境，泵3可連接至處理腔室1。舉例而言，第一泵31可連接至第一處理腔室11，且第二泵32可連接至第二處理腔室12。泵3中的各者可以前述一對一方式連接至處理腔室1中的對應一者。

真空管2可將處理腔室1連接至泵3。在實施例中，可提供多個真空管2。舉例而言，可提供第一真空管21、第二真空管22、第三真空管23、第四真空管24、第五真空管25以及第六真空管26，如圖1中所繪示。真空管2中的各者可將處理腔室1中的對應一者連接至泵3中的對應一者。舉例而言，處理腔室1中的各者可經由對應真空管2與泵3中的對應一者流體連通。真空管2中的各者可藉由將多個單元管彼此連接而形成。此將在下文更詳細地描述。為了降低描述的複雜性，將例示性地描述真空管2中的一者。除非在本揭露中另外規定，否則所有真空管2的特徵可與所描述的真空管相同。

泵3可設置於不同於處理腔室1的層級的層級處。舉例而言，泵3可置放於第一底面F1上。處理腔室1可置放於第二底面F2上。舉例而言，處理腔室1可在第一方向D1上與泵3間隔開。因此，將泵3連接至處理腔室1的真空管2可豎直地延伸。

真空管2可具有至少兩個不同形狀。舉例而言，真空管2中的至少一者可具有不同於真空管2中的其他者的形狀的形狀。舉例而言，第一真空管21的形狀可不同於第二真空管22的形狀。舉例而言，第一真空管21的長度可大於第二真空管22的長度。替代地，第一真空管21及第二真空管22可在形狀、結構及/或彎曲位置方面彼此不同。然而，第一真空管21可具有實質上與第二真空管22的電導率相等或類似的電導率。此將在下文更詳細地描述。

當提及定向、佈局、位置、形狀、大小、組成、量或其他量度時，本文中所使用的術語，諸如「相同」、「相等」、「平面」或「共面」未必意謂恰好相同的定向、佈局、位置、形狀、大小、組成、量或其他量度，但意欲涵蓋可例如歸因於製作製程而出現的可接受變化內的幾乎相同的定向、佈局、位置、形狀、大小、組成、量或其他量度。除非上下文或其他陳述另外規定，否則本文中可使用術語「實質上」來強調此含義。舉例而言，描述為「實質上相同」、「實質上相等」或「實質上平面」的術語可為完全相同、相等或平面或可為在可例如歸因於製作製程而出現的可接受變化內的相同、相等或平面。

圖2為示出根據本發明概念的實施例的半導體製造系統的一部分的透視圖，且圖3為示出根據本發明概念的實施例的半導體製造系統的一部分的正視圖。

參考圖2及圖3，第一處理腔室11及第二處理腔室12可在水平方向上彼此間隔開。舉例而言，第一處理腔室11及第二處理腔室12可彼此間隔開第一距離ds1。第一處理腔室11與第二處理腔室12之間的距離可為第一處理腔室11的中心與第二處理腔室12的中心之間的距離。

處理腔室之間的距離可不同於泵之間的距離。舉例而言，在第一泵組/機架3a中，第一泵31與第二泵32之間的距離可為第二距離ds2。第二泵32與第一泵31之間的距離可為第一泵31的中心與第二泵32的中心之間的距離。第二距離ds2可不同於第一距離ds1。舉例而言，第二距離ds2可小於第一距離ds1。

由於處理腔室之間的距離不同於泵之間的距離，故將處理腔室連接至泵的真空管可具有至少兩個不同長度。舉例而言，第一真空管21的形狀可不同於第二真空管22的形狀。舉例而言，如圖3中所繪示，第一真空管21的長度可大於/長於/超過第二真空管22的長度。然而，如上文所描述，第一真空管21的電導率可實質上與第二真空管22的電導率相等或類似。

在本說明書中，術語「電導率」可意謂流體的流動電導率（例如，流體電導率）。舉例而言，電導率可理解為通常定義於真空技術領域中的物理量。在此情況下，電導率可定義如下：

在上述等式中，C表示電導率。電導率C具有立方公尺/秒的因次。Q表示壓力輸貫量。壓力輸貫量Q具有帕立方公尺/秒的因次。P ₁表示管中第一位置處的壓力。P ₂表示管中第二位置處的壓力。若管的形狀/設計是固定的，則可唯一地得出管的電導率。舉例而言，管的流體電導率可取決於管的形狀、大小、材料及/或表面紋理。此將在下文更詳細地描述。

返回參考圖3，閥可組合至真空管中的各者。舉例而言，第一閥V1可置放於第一真空管21上。第二閥V2可置放於第二真空管22上。第三閥V3可置放於第三真空管23上。為了降低描述的複雜性，將例示性地描述閥中的一者。除非在本揭露中另外規定，否則所有閥可與所描述的閥相同。閥可經組態以控制流體流動穿過真空管的流動速率。舉例而言，當閥關閉時，真空管中的流體可靜止（例如，可停止流動）。藉由調節閥的打開程度，可控制真空管中流體的流動速率。閥可包含或可為手動閥。在此情況下，可由操作者手動地調節閥的打開程度。然而，本發明概念不限於此實例，且閥可包含或可為自動閥（例如，由電信號控制的閥）。在某些實施例中，閥可為被動閥。此將在下文更詳細地描述。

圖4為示出根據本發明概念的實施例的真空管的分解正視圖，且圖5為示出根據本發明概念的實施例的真空管的分解正視圖。

參考圖4，可藉由連接多個單元管7來形成第二真空管22。舉例而言，可串聯連接第一單元管711、第二單元管751以及第三單元管713以形成一個第二真空管22。第一單元管711及第三單元管713中的各者可為直管。然而，第一單元管711的長度可不同於第三單元管713的長度。在一些實施例中，第一單元管711的直徑可不同於第三單元管713的直徑。另一方面，第二單元管751可為漸縮管。舉例而言，漸縮管可將管大小自較大孔減小至較小孔。在某些實施例中，漸縮管可用於將管大小自較小孔增加至較大孔。舉例而言，漸縮管的兩端可具有各別孔，所述各別孔具有彼此不同的直徑。

參考圖5，可藉由連接單元管7來形成第一真空管21。舉例而言，可串聯連接第三單元管713、第二單元管751、第六單元管731、第七單元管715、第八單元管733以及第九單元管717以形成第一真空管21。第一真空管21的第三單元管713及第二單元管751可分別與第二真空管22的第三單元管713及第二單元管751相同。第三單元管713、第七單元管715以及第九單元管717中的各者可為直管。第二單元管751可為漸縮管。第六單元管731及第八單元管733中的各者可為肘形管。舉例而言，肘形管可為經組態以連接兩個自彼此不同的方向延伸的管的彎管。

可針對單元管道7中的各者定義電導率。單元管道7中的各者的電導率將稱為單元電導率。單元管道7中的各者的單元電導率可用於計算第一真空管21、第二真空管22、第三真空管23、第四真空管24、第五真空管25以及第六真空管26中的各者的總電導率。此將在下文更詳細地描述。

圖6為示出根據本發明概念的實施例的半導體製造系統的處理腔室的實例的截面視圖。

參考圖6，處理腔室1x可為參考圖1描述的處理腔室1的實例。圖6的處理腔室1x可為蝕刻系統。在此情況下，處理腔室1x可包含蝕刻腔室41、靜電卡盤43以及噴淋頭45。蝕刻腔室41可提供蝕刻空間4h。蝕刻空間4h可經由第一排氣孔47連接至泵3x。來自泵3x的真空壓力可用於對蝕刻空間4h抽真空。舉例而言，泵3x可用於在蝕刻空間4h中達成真空狀態。

基底W可安置於靜電卡盤43上。自第一氣體供應部分GSx供應的製程氣體可經由噴淋頭45傳送至蝕刻空間4h。製程氣體可用於在蝕刻空間4h中對基底W執行的蝕刻製程，且接著可藉由由泵3x形成的真空壓力經由第一排氣孔47排出至蝕刻空間4h外部。舉例而言，製程氣體可與安置於晶圓上的材料組合且所得混合物可經由第一排氣孔47排出。

圖7為示出根據本發明概念的實施例的半導體製造系統的處理腔室的實例的截面視圖。

參考圖7，處理腔室1y可為參考圖1描述的處理腔室1的實例。圖7的處理腔室1y可包含沈積系統。在此情況下，處理腔室1y可包含沈積腔室61、載物台63、氣體噴嘴65以及第二排氣孔67。氣體噴嘴65可連接至第二氣體供應部分GSy。氣體噴嘴65可經組態以朝向載物台63噴射流體。第二排氣孔67可連接至泵3y。由泵3y施加的真空壓力可用於對沈積腔室61的內部空間抽真空。

基底W可安置於載物台63上。舉例而言，基底W可安置於載物台63上以彼此豎直地間隔開。第二氣體供應部分GSy中的製程氣體可經由氣體噴嘴65供應至載物台63上的基底W上。在基底W上的沈積製程之後，製程氣體可藉由來自泵3y的真空壓力經由第二排氣孔67排出至外部。舉例而言，沈積製程可使用製程氣體在基底W上形成層且剩餘的製程氣體可藉由泵3y排出至外部。

圖8為示出根據本發明概念的實施例的半導體製造系統的處理腔室的實例的截面視圖。

參考圖8，處理腔室1z可為參考圖1描述的處理腔室1的實例。圖8的處理腔室1z可包含基底清潔系統或可與基底清潔系統組合。在此情況下，處理腔室1z可包含乾燥腔室81、乾燥載物台83、流體供應孔85以及第三排氣孔87。在某些實施例中，基底清潔系統可包含乾燥腔室81，所述乾燥腔室81包含乾燥載物台83、流體供應孔85以及第三排氣孔87。乾燥腔室81可提供乾燥空間8h。流體供應孔85可連接至乾燥流體供應部分GSz。第三排氣孔87可連接至泵3z。由泵3z的操作形成的真空壓力可用於對乾燥空間8h抽真空。

基底W可安置於乾燥載物台83上。可經由流體供應孔85將乾燥流體供應部分GSz中所含有的乾燥流體供應至乾燥載物台83上的基底W上。乾燥流體可為超臨界流體（supercritical fluid；SCF）。舉例而言，乾燥流體可為超臨界二氧化碳（CO ₂）。在基底W上的乾燥製程之後，乾燥流體可藉由由泵3z形成的真空壓力經由第三排氣孔87排出至外部。舉例而言，供應至基底的頂部表面的乾燥流體可經由第三排氣孔87自乾燥腔室81排出。

圖9為示出根據本發明概念的實施例的製作半導體製造系統的方法的流程圖。

參考圖9，可提供製作半導體製造系統的方法S。製作方法S可為製作參考圖1至圖8描述的半導體製造系統的方法。製作方法S可包含：製備單元資料（在S1中）；製備第一真空管（在S2中）；製備第二真空管（在S3中）；使用/經由第一真空管將第一處理腔室連接至第一泵（在S4中）；以及使用/經由第二真空管將第二處理腔室連接至第二泵（在S5中）。

單元資料的製備（在S1中）可包含製備單元管類型資料（在S11中）及計算單元電導率（在S12中）。

第一真空管的製備（在S2中）可包含：設計第一真空管（在S21中）；計算第一電導率（在S22中）；以及連接多個第一單元管以形成第一真空管（在S23中）。

第二真空管的製備（在S3中）可包含：設計第二真空管（在S31中）；計算第二電導率（在S32中）；以及連接多個第二單元管以形成第二真空管（在S33中）。

在下文中，將參考圖1至圖8及圖10更詳細地描述圖9的製作方法S。

圖10為繪示根據本發明概念的實施例的在製作半導體製造系統期間獲得的單元資料的圖表。舉例而言，單元資料可為單元管的資訊，包含單元管類型、單元管的大小以及單元管中的各者的流體電導率。

參考圖10、圖4、圖5以及圖9，單元管類型資料的製備（在S11中）可包含基於單元管7的類型對其進行分類。舉例而言，單元管可分類為直管、肘形管以及漸縮管。在圖10的圖表中，直管由「管（Pipe）」表示。肘形管由「肘形（Elbow）」表示。漸縮管由「漸縮（Reducer）」表示。藉由基於單元管的類型對其進行分類而製備的資料可稱為單元管分類資料UP。單元管類型資料的製備（在S11中）可更包含製備關於單元管的規格資料。舉例而言，對於直管，可製備關於直徑及長度的規格資料。對於肘形管，可製備關於直徑及彎曲角度的規格資料。對於漸縮管，可製備關於第一直徑及第二直徑的規格資料。關於各單元管的規格資料可稱為單元管規格資料UPS。單元管分類資料UP及單元管規格資料UPS可統稱為單元管類型資料UPD。

在實施例中，單元管類型資料UPD可更包含使用3D工具建模的形狀資料。舉例而言，單元管類型資料UPD可更包含經由使用3D工具的建模製程獲得且含有關於各單元管的形狀及長度的資訊的3D形狀資料。當單元管類型資料UPD包含3D形狀資料時，可提前執行獲得3D形狀資料的操作。舉例而言，可創建及儲存各單元管的3D形狀資料。可自3D形狀資料提取單元管分類資料UP及/或單元管規格資料UPS。舉例而言，可自在顯示裝置上可視化的3D形狀資料識別單元管分類資料UP。另外，可自3D形狀資料獲得單元管規格資料UPS。藉由使用此3D形狀資料，有可能容易且快速地獲得單元管分類資料UP及單元管規格資料UPS。

單元電導率的計算（在S12中）可包含計算作為各單元管的電導率的單元電導率UC。可使用關於各單元管的規格資料來計算單元電導率UC。可針對在單元管分類資料UP中單獨分類的各單元管計算單元電導率UC。在圖10的圖表中，各單元管的單元電導率UC可由C1至C8表示。

返回參考圖5、圖9以及圖10，第一真空管的設計（在S21中）可包含選擇用於形成第一真空管21的多個單元管。舉例而言，可基於圖10的單元管分類資料UP選擇用於形成第一真空管的單元管。在此步驟期間，可考慮第一泵31與第一處理腔室11之間的距離（例如，參看圖1）。另外，亦可考慮相鄰元件的安置。

第一電導率的計算（在S22中）可包含計算作為所設計第一真空管21的總電導率的第一電導率。可使用單元管中的各者的單元電導率來執行第一電導率的計算。舉例而言，可使用單元管類型資料UPD及單元電導率UC來計算第一電導率。舉例而言，在多個單元管串聯連接的情況下，可計算第一電導率，如下：

在上述等式中，C _T表示第一電導率，且C ₁、C ₂、…、C _N中的各者表示對應單元管的單元電導率。舉例而言，第一電導率的倒數可等於值的總和，所述值中的各者作為構成第一真空管21的對應單元管的單元電導率的倒數給出。可以此方式計算作為第一真空管21的總電導率的第一電導率。

連接第一單元管以形成第一真空管（在S23中）可包含實際上連接多個單元管以形成第一真空管21。

返回參考圖4、圖9以及圖10，第二真空管的設計（在S31中）可包含選擇用作第二真空管22的部分的多個單元管。第二真空管的設計（在S31中）可與第一真空管的設計（在S21中）類似。然而，構成第二真空管的單元管的數目可不同於構成第一真空管的單元管的數目，及/或構成第二真空管的單元管的類型可不同於構成第一真空管的單元管的類型。舉例而言，構成第一真空管的單元管中的至少一者可具有與構成第二真空管的第二單元管中的各者不同的形狀。

第二電導率的計算（在S32中）可包含計算作為所設計第二真空管22的總電導率的第二電導率。第二電導率的計算（在S32中）可與第一電導率的計算（在S22中）類似。然而，第二電導率可設定為等於第一電導率。若所計算的第二電導率不同於先前計算的第一電導率，則可再次執行第二真空管的設計（在S31中）。舉例而言，可執行第二真空管的設計（在S31中）使得所計算的第二電導率等於第一電導率。

連接第二單元管以形成第二真空管（在S33中）可包含實際上連接多個單元管以形成第二真空管22。由於在步驟S31及步驟S32中，第二電導率設定為等於第一電導率，故第二真空管22的最終結構中的總電導率可等於第一真空管21的總電導率。舉例而言，可形成第二真空管22，使得作為第二真空管22的總電導率的第二電導率變得等於第一電導率。

在實施例中，可藉由重複以上步驟來形成多個真空管。

參考圖9及圖1，使用/經由第一真空管將第一處理腔室連接至第一泵（在S4中）可包含使用/經由第一真空管21將第一處理腔室11連接至第一泵31。因此，第一處理腔室11可連接至第一泵31。參考圖9及圖3，使用/經由第一真空管將第一處理腔室連接至第一泵（在S4中）可更包含將第一閥V1置放於第一真空管21上。第一閥V1可為手動閥。在某些實施例中，第一閥V1可為被動閥及/或自動閥。

使用/經由第二真空管將第二處理腔室連接至第二泵（在S5中）可包含使用/經由第二真空管22將第二處理腔室12連接至第二泵32。因此，第二處理腔室12可連接至第二泵32。參考圖9及圖3，使用/經由第二真空管將第二處理腔室連接至第二泵（在S5中）可更包含將第二閥V2置放於第二真空管22上。第二閥V2可為與第一閥V1相同的類型。

至此，已描述依序執行步驟，但本發明概念不限於此。舉例而言，可部分改變圖9的流程圖上的步驟的次序。舉例而言，連接第一單元管以形成第一真空管（在S33中）可在計算第一電導率（在S22中）之前執行。

替代地，流程圖上的步驟中的一些可在時間上彼此重疊（例如，在時間上重疊）。舉例而言，可實質上相同時間執行第二真空管的設計（在S31中）及第二電導率的計算（在S32中）。

在根據本發明概念的實施例的製作半導體製造系統的方法中，真空管可設置為具有相同電導率，且在此情況下，處理腔室可具有相同的排氣效能。因此，有可能改良處理腔室的製程效能的均勻性。舉例而言，當處理腔室用於使用相同配方執行相同製程時，可均勻地控制處理腔室的製程效能。因此，有可能防止對基底執行的製程的結果隨腔室而改變/變化。舉例而言，有可能較少處理腔室之間的製程變化且藉此提高製造良率。

在根據本發明概念的實施例的製作半導體製造系統的方法中，即使在重複製程時/之後，亦有可能容易地控制閥。舉例而言，若重複製程，則粒子可積聚於真空管中。在此情況下，為了將電導率保持為恆定值，可能需要進一步打開真空管上的閥。在多個真空管具有相同電導率的情況下，可以相同方式控制所有閥。因此，即使在重複製程時/之後，亦可快速且簡單地達成閥的控制。

在根據本發明概念的實施例的製作半導體製造系統的方法中，即使當處理腔室與泵之間的距離變化時（例如，當距離彼此不同時），真空管的電導率可保持為相同值。此可增加安置處理腔室及/或泵的自由度。

在實施例中，真空管的電導率可取決於溫度。舉例而言，溫度的改變可引起真空管的電導率的改變。因此，可考慮溫度的改變以改良真空管的電導率均勻性。舉例而言，在第二真空管的製備中（在S3中），可考慮其中安置有第二真空管22的環境來計算第二電導率。舉例而言，若第一真空管21及第二真空管22規劃為置放於不同溫度條件下，則可考慮其間的溫度差來計算第二電導率。替代地，可在第一真空管21及/或第二真空管22附近設置溫度調節裝置以減小第一真空管21與第二真空管22之間的溫度差及/或以保持真空管21與真空管22之間的恆定溫度。舉例而言，具有循環冷卻水的導管及/或加熱裝置（例如，加熱絲）可用作溫度調節裝置。

在根據本發明概念的實施例的製作半導體製造系統的方法中，可考慮溫度條件以改良真空管的電導率均勻性。因此，即使當真空管中的一者處於不同於其他者的溫度條件下時，處理腔室可在相同條件下操作。

在根據本發明概念的實施例的製作半導體製造系統的方法中，有可能改良用於使用相同配方執行相同製程的多個處理腔室之間的效能均勻性。

在根據本發明概念的實施例的製作半導體製造系統的方法中，有可能容易地控制多個處理腔室。

在根據本發明概念的實施例的製作半導體製造系統的方法中，有可能減小處理腔室之間的效能變化且藉此提高半導體裝置的製造良率。

在根據本發明概念的實施例的製作半導體製造系統的方法中，有可能自由地安置處理腔室及/或泵。

在以上描述中提供一種製作半導體製造系統的方法。根據本揭露的實施例，提供一種半導體製造系統。半導體製造系統可為由上文所揭露的製作半導體製造系統的方法製作的系統。舉例而言，半導體製造系統可包含上文所描述的腔室、泵以及真空管以及其他部件及組件。

根據本揭露的另一實施例，提供一種製作半導體裝置的方法。製作半導體裝置的方法可包含：將基底（例如，半導體基底）提供至處理腔室；在基底上沈積層；圖案化基底及/或形成於基底上的層（例如，藉由微影製程）；清潔及乾燥基底。舉例而言，導體圖案、半導體圖案及/或絕緣圖案/層可形成於基底上。基底可分割為半導體晶片且可封裝半導體晶片以產生半導體裝置。可在上文所描述的半導體製造系統中執行半導體裝置的製作製程的一或多個步驟。舉例而言，可在半導體製造系統的處理腔室中執行圖案化半導體圖案、導體圖案及/或絕緣圖案的一或多個蝕刻製程。可在半導體製造系統的腔室中執行形成金屬層、半導體層及/或絕緣層的一或多個沈積製程。可在半導體製造系統的腔室中執行基底的一或多個清潔製程。可在半導體製造系統的腔室中執行微影製程的一或多個曝光製程以在基底上形成圖案。

儘管不同圖式繪示例示性實施例的變體且不同實施例揭露彼此不同的特徵，但此等圖式及實施例未必意欲彼此互斥。實情為，如自以上詳細描述的上下文認識到，當將圖式及實施例的相關描述作為整體考慮時，在不同圖式中描繪及/或在以上不同實施例中描述的某些特徵可與來自其他圖式/實施例的其他特徵組合以產生額外不同實施例。

雖然已特定繪示及描述本發明概念的實例實施例，但所屬領域中具通常知識者將理解，在不脫離所附申請專利範圍的精神及範疇的情況下，可對此等實例實施例進行形式及細節上的變化。

1、1x、1y、1z:處理腔室 2、3x、3y、3z:泵 3:真空管 3a:第一泵組/機架 3b:第二泵組/機架 4h:蝕刻空間 7:單元管 8h:乾燥空間 11:第一處理腔室 12:第二處理腔室 13:第三處理腔室 14:第四處理腔室 15:第五處理腔室 16:第六處理腔室 21:第一真空管 22:第二真空管 23:第三真空管 24:第四真空管 25:第五真空管 26:第六真空管 31:第一泵 32:第二泵 33:第三泵 34:第四泵 35:第五泵 36:第六泵 41:蝕刻腔室 43:靜電卡盤 45:噴淋頭 47:第一排氣孔 61:沈積腔室 63:載物台 65:氣體噴嘴 67:第二排氣孔 81:乾燥腔室 83:乾燥載物台 85:流體供應孔 87:第三排氣孔 711:第一單元管 713:第三單元管 715:第七單元管 717:第九單元管 731:第六單元管 733:第八單元管 751:第二單元管 D1:第一方向 D2:第二方向 D3:第三方向 ds1:第一距離 ds2:第二距離 F1:第一底面 F2:第二底面 GSx:第一氣體供應部分 GSy:第二氣體供應部分 GSz:第三氣體供應部分 S:方法 S1、S11、S12、S2、S21、S22、S23、S3、S31、S32、S33、S4、S5:步驟 UC:單元電導率 UP:單元管分類資料 UPD:單元管類型資料 UPS:單元管規格資料 V1:第一閥 V2:第二閥 V3:第三閥 W:基底

圖1為示出根據本發明概念的實施例的半導體製造系統的透視圖。圖2為示出根據本發明概念的實施例的半導體製造系統的一部分的透視圖。圖3為示出根據本發明概念的實施例的半導體製造系統的一部分的正視圖。圖4為示出根據本發明概念的實施例的真空管的分解正視圖。圖5為示出根據本發明概念的實施例的真空管的分解正視圖。圖6為示出根據本發明概念的實施例的半導體製造系統的處理腔室的實例的截面視圖。圖7為示出根據本發明概念的實施例的半導體製造系統的處理腔室的實例的截面視圖。圖8為示出根據本發明概念的實施例的半導體製造系統的處理腔室的實例的截面視圖。圖9為示出根據本發明概念的實施例的製作半導體製造系統的方法的流程圖。圖10為繪示根據本發明概念的實施例的在製作半導體製造系統期間獲得的單元資料的圖表。

S:方法

S1、S11、S12、S2、S21、S22、S23、S3、S31、S32、S33、S4、S5:步驟

Claims

一種製作半導體製造系統的方法，包括：製備第一真空管；製備第二真空管；經由所述第一真空管將第一處理腔室連接至第一泵；以及經由所述第二真空管將與所述第一處理腔室間隔開的第二處理腔室連接至第二泵，其中所述第一真空管的所述製備包括：連接多個第一單元管以形成所述第一真空管；以及計算作為所述第一真空管的總電導率的第一電導率，其中所述第二真空管的所述製備包括藉由連接多個第二單元管來形成所述第二真空管，使得作為所述第二真空管的總電導率的第二電導率等於所述第一電導率。
如請求項1所述的製作半導體製造系統的方法，更包括製備關於所述第一單元管及所述第二單元管的單元資料。
如請求項2所述的製作半導體製造系統的方法，其中所述單元資料的所述製備包括製備單元管類型資料，所述單元管類型資料藉由基於所述第一單元管及所述第二單元管的類型對其進行分類而獲得。
如請求項3所述的製作半導體製造系統的方法，其中所述單元資料的所述製備更包括計算所述第一單元管及所述第二單元管中的各者的單元電導率。
如請求項4所述的製作半導體製造系統的方法，其中所述第一電導率的所述計算包括使用所述單元管類型資料及所述單元電導率來計算所述第一電導率。
一種製作半導體製造系統的方法，包括：製備多個真空管；以及經由所述真空管中的對應一者將多個處理腔室中的各者連接至多個泵中的對應一者，其中所述真空管的所述製備包括計算所述真空管中的各者的電導率，以及所有所述真空管具有實質上相同的電導率。
如請求項6所述的製作半導體製造系統的方法，其中所述處理腔室中的各者包括蝕刻腔室、沈積腔室以及基底清潔腔室中的一者。
如請求項7所述的製作半導體製造系統的方法，其中所有所述處理腔室經組態以執行相同半導體製程。
一種製作半導體製造系統的方法，包括：製備第一真空管；製備與所述第一真空管間隔開且具有與所述第一真空管不同的形狀的第二真空管；經由所述第一真空管將第一處理腔室連接至第一泵；以及經由所述第二真空管將第二處理腔室連接至第二泵，其中所述第一真空管的所述製備包括計算作為所述第一真空管的總電導率的第一電導率，所述第二真空管的所述製備包括形成所述第二真空管，使得作為所述第二真空管的總電導率的第二電導率等於所述第一電導率。
如請求項9所述的製作半導體製造系統的方法，其中所述第一真空管的長度不同於所述第二真空管的長度。