TW202326927A - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

[課題] 提供一種「可使熱處理中之基板的吸附性提升，並提升熱處理之均勻性」的技術。 [解決手段] 熱處理單元(U2)，係具有：熱板(20)，載置晶圓(W)，並且加熱經載置的晶圓(W)；複數個間隙構件(22)，沿著熱板(20)中之載置晶圓(W)的表面(20a)而形成，並支撐晶圓(W)，在熱板(20)與晶圓(W)之間確保空隙(V)；吸引部(70)，朝向熱板(20)吸引晶圓(W)；及升降銷(51)，以貫通熱板(20)的方式設置，藉由升降的方式，使被載置於熱板(20)的晶圓(W)升降，熱板(20)中之表面(20a)，係具有隨著從外側越朝向內側而越往下方傾斜的凹狀區域(20d)。

Description

基板處理裝置

本揭示，係關於基板處理裝置。

在專利文獻1，係揭示有如下述內容：在「於平板狀的熱板之上，一邊吸引晶圓，一邊進行加熱處理」的裝置中，對被熱處理之前的晶圓之翹曲狀態進行測定，並因應晶圓之翹曲狀態，設定各吸引口對於晶圓的吸引開始時間點。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特開2007-300047號公報

[本發明所欲解決之課題]

本揭示，係提供一種「可使熱處理中之基板的吸附性提升，並提升熱處理之均勻性」的技術。 [用以解決課題之手段]

本揭示之一態樣的基板處理裝置，係具有：熱板，載置基板，並且加熱經載置的基板；複數個間隙構件，沿著熱板中之載置基板的表面而形成，並支撐基板，在熱板與基板之間確保空隙；吸引部，朝向熱板吸引基板；及升降銷，以貫通熱板的方式設置，藉由升降的方式，使被載置於熱板的基板升降，熱板中之表面，係具有隨著從外側越朝向內側而越往下方傾斜的凹狀區域。 [發明之效果]

根據本揭示，提供一種「可使熱處理中之基板的吸附性提升，並提升熱處理之均勻性」的基板處理裝置。

以下，參閱圖面，說明關於若干實施形態。在說明中，針對同一元件或具有相同功能的元件標記相同符號，並省略重複的說明。

[基板處理系統] 首先，參閱圖1及圖2，說明關於基板處理系統1。圖1所示之基板處理系統1，係對晶圓W施予感光性被膜之形成、該感光性被膜之曝光及該感光性被膜之顯像的系統。處理對象之晶圓W，係例如基板，抑或藉由施予預定處理而形成膜或電路等之狀態的基板。作為一例，該基板，係矽晶圓。晶圓W(基板)，係亦可為圓形。晶圓W，係亦可為玻璃基板、遮罩基板或FPD(Flat Panel Display)等。感光性被膜，係例如光阻膜。

如圖1及圖2所示般，基板處理系統1，係具備有：塗佈顯像裝置2(基板處理裝置)；曝光裝置3；及控制裝置100。曝光裝置3，係對被形成於晶圓W(基板)之光阻膜(感光性被膜)進行曝光的裝置。具體而言，曝光裝置3，係藉由浸液曝光等的方法，對光阻膜之曝光對象部分照射能量線。

塗佈顯像裝置2，係在由曝光裝置3所進行的曝光處理之前，進行將光阻(藥液)塗佈於晶圓W之表面而形成光阻膜的處理，並在曝光處理後，進行光阻膜之顯像處理。塗佈顯像裝置2，係具備有：載體區塊4；處理區塊5；及介面區塊6。

載體區塊4，係進行晶圓W往塗佈顯像裝置2內之導入及晶圓W從塗佈顯像裝置2內之導出。例如，載體區塊4，係可支撐晶圓W用之複數個載體C，且內建有包含收授臂的搬送裝置A1。載體C，係例如收容圓形之複數片晶圓W。搬送裝置A1，係從載體C取出晶圓W而傳遞至處理區塊5，並從處理區塊5接收晶圓W而返回到載體C內。處理區塊5，係具有處理模組11、12、13、14。

處理模組11，係內建有：液處理單元U1；熱處理單元U2；及搬送裝置A3，將晶圓W搬送至該些單元。處理模組11，係藉由液處理單元U1及熱處理單元U2，在晶圓W的表面上形成下層膜。液處理單元U1，係將下層膜形成用之處理液塗佈於晶圓W上。熱處理單元U2，係進行伴隨著下層膜之形成的各種熱處理。

處理模組12，係內建有：液處理單元U1；熱處理單元U2；及搬送裝置A3，將晶圓W搬送至該些單元。處理模組12，係藉由液處理單元U1及熱處理單元U2，在下層膜上形成光阻膜。液處理單元U1，係將光阻膜形成用之處理液塗佈於下層膜上。熱處理單元U2，係進行伴隨著光阻膜之形成的各種熱處理。

處理模組13，係內建有：液處理單元U1；熱處理單元U2；及搬送裝置A3，將晶圓W搬送至該些單元。處理模組13，係藉由液處理單元U1及熱處理單元U2，在光阻膜上形成上層膜。液處理單元U1，係將上層膜形成用之處理液塗佈於光阻膜上。熱處理單元U2，係進行伴隨著上層膜之形成的各種熱處理。

處理模組14，係內建有：液處理單元U1；熱處理單元U2；及搬送裝置A3，將晶圓W搬送至該些單元。處理模組14，係藉由液處理單元U1及熱處理單元U2，進行施予了曝光處理之光阻膜的顯像處理及伴隨著顯像處理的熱處理。液處理單元U1，係在將顯像液供給至曝光完成之晶圓W的表面上後，藉由沖洗液來將其沖洗掉，藉此，形成光阻圖案(進行光阻膜之顯像處理)。熱處理單元U2，係進行伴隨著顯像處理的各種熱處理。作為熱處理之具體例，係可列舉出顯像處理前的加熱處理(PEB：Post Exposure Bake)及顯像處理後的加熱處理(PB：Post Bake)等。

在處理區塊5內之載體區塊4側，係設置有棚架單元U10。棚架單元U10，係被劃分成在上下方向排列的複數個格室。在棚架單元U10附近，係設置有包含升降臂的搬送裝置A7。搬送裝置A7，係在棚架單元U10的格室彼此之間，使晶圓W升降。

在處理區塊5內之介面區塊6側，係設置有棚架單元U11。棚架單元U11，係被劃分成在上下方向排列的複數個格室。

介面區塊6，係在與曝光裝置3之間進行晶圓W的收授。例如介面區塊6，係內建有包含收授臂的搬送裝置A8，且被連接於曝光裝置3。搬送裝置A8，係將被配置於棚架單元U11之晶圓W傳遞至曝光裝置3。搬送裝置A8，係從曝光裝置3接收晶圓W而返回到棚架單元U11。

控制裝置100，係被構成為部分地或整體地控制塗佈顯像裝置2。控制裝置100，係例如以藉由以下之程序來執行塗佈顯像處理的方式，控制塗佈顯像裝置2。首先，控制裝置100，係以將載體C內之晶圓W搬送至棚架單元U10的方式，控制搬送裝置A1，並以將該晶圓W配置於處理模組11用之格室的方式，控制搬送裝置A7。

其次，控制裝置100，係以將棚架單元U10的晶圓W搬送至處理模組11內之液處理單元U1及熱處理單元U2的方式，控制搬送裝置A3。又，控制裝置100，係以在該晶圓W之表面上形成下層膜的方式，控制液處理單元U1及熱處理單元U2。其後，控制裝置100，係以使形成有下層膜之晶圓W返回到棚架單元U10的方式，控制搬送裝置A3，並以將該晶圓W配置於處理模組12用之格室的方式，控制搬送裝置A7。

其次，控制裝置100，係以將棚架單元U10的晶圓W搬送至處理模組12內之液處理單元U1及熱處理單元U2的方式，控制搬送裝置A3。又，控制裝置100，係以在該晶圓W之下層膜上形成光阻膜的方式，控制液處理單元U1及熱處理單元U2。其後，控制裝置100，係以使晶圓W返回到棚架單元U10的方式，控制搬送裝置A3，並以將晶圓W配置於處理模組13用之格室的方式，控制搬送裝置A7。

其次，控制裝置100，係以將棚架單元U10的晶圓W搬送至處理模組13內之各單元的方式，控制搬送裝置A3。又，控制裝置100，係以在該晶圓W之光阻膜上形成上層膜的方式，控制液處理單元U1及熱處理單元U2。其後，控制裝置100，係以將晶圓W搬送至棚架單元U11的方式，控制搬送裝置A3。

其次，控制裝置100，係以將棚架單元U11之晶圓W送出至曝光裝置3的方式，控制搬送裝置A8。其後，控制裝置100，係以從曝光裝置3承接施予了曝光處理的晶圓W且配置於棚架單元U11中之處理模組14用之格室的方式，控制搬送裝置A8。

其次，控制裝置100，係以將棚架單元U11的晶圓W搬送至處理模組14內之各單元的方式，控制搬送裝置A3，並以進行該晶圓W的光阻膜之顯像處理的方式，控制液處理單元U1及熱處理單元U2。其後，控制裝置100，係以使晶圓W返回到棚架單元U10的方式，控制搬送裝置A3，並以使該晶圓W返回到載體C內的方式，控制搬送裝置A7及搬送裝置A1。

藉由以上，針對1片晶圓W的塗佈顯像處理便結束。控制裝置100，係針對後續的複數個晶圓W之各者，亦與上述相同地使塗佈顯像裝置2執行塗佈顯像處理。另外，塗佈顯像裝置2之具體構成，係不限於以上所例示的構成。塗佈顯像裝置2，係只要具備有進行熱處理的單元，則亦可為任何裝置。

＜熱處理單元＞ 接著，參閱圖3~圖8，詳細地說明關於熱處理單元U2的一例。熱處理單元U2，係被構成為對晶圓W施予包含有加熱處理與冷卻處理的熱處理。在本實施形態中，係說明熱處理單元U2之加熱處理的構成，省略冷卻處理之構成的說明。亦即，在圖3等中，係省略熱處理單元U2的冷卻處理之構成的圖示。

如圖3所示般，熱處理單元U2，係具備有：熱板20；複數個間隙構件22；支撐台30；複數個熱板溫度感測器40；升降機構50；吸引部70；及控制裝置100。

熱板20，係載置晶圓W，並且加熱經載置的晶圓W。熱板20，係「接收由加熱器21(加熱機構)產生的熱，藉由固體所致之熱傳導維持高溫」的構成。熱板20，係例如亦可由包含有碳化矽的材料所構成。熱板20，係呈圓板狀，內建有複數個加熱器21。熱板20，係具有在俯視下與晶圓W同等以上的寬度。在熱板20，係於厚度方向上形成有複數個貫通孔20z。複數個貫通孔20z，係與複數個升降銷51(後述)對應地設置，被設為升降銷51升降時的通過路徑。

複數個間隙構件22，係「沿著熱板20中之載置晶圓W的表面20a而形成，並支撐晶圓W，在熱板20與晶圓W之間確保空隙V」的接近銷。複數個間隙構件22，係沿著熱板20的表面20a而分散。複數個間隙構件22，係亦可為從所設置的熱板20之表面20a至與晶圓W接觸的前端為止之高度彼此相同。

另外，在圖3中，係熱板20雖被表示為平板狀，但實際上，熱板20，係以隨著從外側越朝向內側而越往下方傾斜的方式，被形成為凹狀(參閱圖4)。圖4，係說明熱板20的形狀之詳細內容的圖。

如圖4所示般，熱板20中之載置晶圓W的表面20a，係具有：凹狀區域20d，隨著從外緣側(外側)越朝向中央側(內側)而越往下方傾斜。在本實施形態之熱板20中，係表面20a的大致整體被設為凹狀區域20d，外緣部20e為向最上方突出的區域，中央部20c為向最下方突出的區域。亦即，在熱板20中，凹狀區域20d中之向最下方突出的區域，係在載置晶圓W的狀態下與晶圓W之中央部分Wc對向的區域(中央部20c)。更詳細而言，熱板20之表面20a，係其最外緣部(凹狀區域20d之外緣部20e的更外側)被設為平坦部20f。另外，亦可不設置平坦部20f，凹狀區域20d之曲面連續至熱板20的最外緣部。根據像這樣的構成，可使晶圓W之外緣部的加熱效果提升。形成有凹狀區域20d之表面20a的形狀，係例如球面(曲面)，其曲率，係亦可為固定或亦可為不固定。在凹狀區域20d之曲率為不固定的情況下，例如亦可將內側的曲率設成為比凹狀區域20d之外側的曲率大(亦即加深內側)。根據像這樣的構成，在晶圓W之翹曲不一樣的情況等下，在進行吸引時，可更容易製成「晶圓W與熱板20之間的間隙在外側比內側狹窄」之狀態，並更容易對各種翹曲方式的晶圓W進行吸引。亦即，可使對晶圓W之翹曲進行吸引的強健性提升。

在圖4所示之例子中，係作為晶圓W，表示「與外緣部分We相比，中央部分Wc之區域更朝下方突出」之凹型的晶圓(+方向翹曲基板)。作為被載置於熱板20之晶圓W，係不僅考慮凹型的晶圓，亦考慮「與外緣部分We相比，中央部分Wc之區域更朝上方突出」之凸型的晶圓(-方向翹曲基板)。在考慮載置像這樣的各種形狀之晶圓W的情況下，採用具有上述往下方傾斜之凹狀區域20d的熱板20為較佳。關於其理由，參閱圖5進行說明。

圖5(a)，係說明在平板狀的比較例之熱板200載置凸型的晶圓W之例子的圖，圖5(b)，係說明在平板狀的比較例之熱板200載置凹型的晶圓W之例子的圖。如圖5(a)所示般，關於凸型的晶圓W，係即便在平板狀之熱板200中，外緣部分We亦被載置於熱板200之外緣側的間隙構件22。如此一來，在晶圓W之外緣部分We適切地被載置於間隙構件22的構成中，係成為如以晶圓W對吸附區域進行覆蓋般的狀態，並可藉由吸引部70之吸引，將晶圓W適切地吸附於熱板200方向。關於凸型的晶圓W及平板狀的晶圓W，係即便在具有本實施形態之凹狀區域20d的熱板20(參閱圖4)中，亦可將晶圓W之外緣部分We適切地載置於外緣側的間隙構件22。藉此，可藉由吸引部70之吸引，將晶圓W適切地吸附於熱板200方向。

另一方面，如圖5(b)所示般，關於凹型的晶圓W，係在平板狀之熱板200中，外緣部分We未被載置於熱板200之外緣側的間隙構件22而成為浮起的狀態。在該情況下，由於無法形成如以晶圓W進行覆蓋般的狀態，且容易從外緣部分We側吸入大氣而難以取得氣密，因此，會導致晶圓W對熱板200的吸附性降低。如此一來，關於凸型的晶圓W及平板狀的晶圓W，係從晶圓W之吸附性的觀點來看，熱板之形狀不太會成為問題，相對於此，凹型的晶圓W，係在平板狀之熱板200中無法確保晶圓W的吸附性。由此可知，在可載置各種形狀之晶圓W的狀況中，係將熱板之形狀設成使凹型的晶圓W之吸附性提升的形狀為較佳。如上述般，在凹型之晶圓W對熱板的載置，係由於外緣部分We未被載置於間隙構件22而成為浮起之狀態乃是問題，因此，採用上述熱板20來作為外緣部分We確實地被載置於間隙構件22的熱板。亦即，使用具有隨著從外緣側越朝向中央側而越往下方傾斜之凹狀區域20d的熱板20，藉此，凹型的晶圓W之形狀與熱板20之形狀容易一致，可將晶圓W的外緣部分We適切地載置於間隙構件22。藉此，針對凹型之晶圓W，亦可提升對熱板20的吸附性。

熱板20中之凹狀區域20d的深度d1，係被設為至少超過凹型之晶圓W的翹曲量之程度的大小。深度d1，係如圖4所示般，從基準面即平坦部20f至中央部20c為止之高度方向的長度。晶圓W之翹曲量，係指從晶圓W之外緣部分We至晶圓W的中央部分Wc為止之高度方向的長度。

熱板20之凹狀區域20d的形狀，係例如如以下般地決定。目前，關於凹型的晶圓W，直徑設為300mm，翹曲量設為1000μm。在該情況下，該晶圓W之曲率半徑，係藉由平方根的定理，算出為11250.5mm。另外，在均勻地被成膜於晶圓W的情況下，係雖因線膨脹差而產生晶圓W之變形，但當測定晶圓W的剖面形狀時，則直徑、翹曲量及曲率半徑，係上述的關係成立。而且，基於晶圓W的曲率半徑，決定熱板20之凹狀區域20d的曲率半徑。具體而言，凹狀區域20d之曲率半徑，係晶圓W的厚度與從間隙構件22的表面20a突出之高度加上晶圓W的曲率半徑(11250.5mm)而算出。

又，關於熱板20之凹狀區域20d的深度d1及直徑Φ，係被設為在晶圓W的尺寸考慮了機器人搬送等中之位置偏差的大小。具體而言，係考慮搬送誤差2mm左右，凹狀區域20d之深度d1，係亦可被設為1mm左右，直徑Φ，係亦可被設為304mm左右。另外，即便在產生如上述般之搬送誤差的情況下，對於熱處理中之晶圓溫度均勻性造成的影響亦小。

如上述般決定形狀之熱板20的凹狀區域20d，係例如可藉由旋轉研磨機等來進行加工。在預想因從加工後之表面產生的微小顆粒所致之程序缺陷的情況下，係藉由進行刷擦研磨或退火處理的方式，可使脫粒風險降低。

返回到圖3，吸引部70，係藉由對晶圓W賦予吸引力的方式，朝向熱板20吸引晶圓W。吸引部70，係對晶圓W之背面的複數個區域賦予吸引力。吸引部70，係具有：吸引手段71；及複數個配管72。

吸引手段71，係藉由壓力之作用吸起氣體的機構。複數個配管72，係各自之一端被連接於吸引手段71，同時其另一端到達被形成於熱板20之表面20a的吸附孔20x(與晶圓W對向的部分)。

支撐台30，係具有：底板31；及周壁32(支撐構件)。支撐台30，係例如亦可由包含有不銹鋼的材料所構成。周壁32，係沿著底板31之周緣而設置，支撐熱板20的外周部分。底板31，係與熱板20對向，經由周壁32從下方支撐熱板20。在周壁32支撐熱板20的狀態下，在支撐台30內構成空洞33。在底板31，係形成有升降銷51(後述)貫通的複數個路徑孔穴31z。複數個路徑孔穴31z，係與複數個升降銷51對應地設置，被設為升降銷51升降時的通過路徑。

複數個熱板溫度感測器40，係分別被設置熱板20之內部的不同位置。複數個熱板溫度感測器40，係在加熱器21附近測定溫度，將測定結果發送至控制裝置100。

有別於複數個熱板溫度感測器40，亦可以對應於晶圓W的互不相同之位置的方式，在熱板20的內部設置控制用溫度感測器140。圖6，係說明複數個控制用溫度感測器140之配置的圖。如圖6所示般，設置於熱板20之內部的複數個控制用溫度感測器140，係距熱板20之表面20a的間隔距離被設成儘量近為較佳。具體而言，距控制用溫度感測器140之表面20a的間隔距離，係統一被設成1mm~3mm左右為較佳。又，複數個控制用溫度感測器140，係從其上端140a(前端)至熱板20的表面20a為止之高度方向(垂直方向)的長度d2被設為彼此相同。

圖7(a)，係表示基於藉由距熱板20之表面20a的距離比較近之控制用溫度感測器140所取得的溫度之溫度控制的圖，圖7(b)，係表示基於藉由距離較遠之控制用溫度感測器140所取得的溫度之溫度控制的圖。在圖7(a)及圖7(b)中，橫軸，係表示時間，縱軸，係表示藉由控制用溫度感測器140所取得的溫度。如圖7(a)及圖7(b)所示般，控制用溫度感測器140越靠近表面20a，越迅速取得晶圓W被搭載於熱板20後之暫時的溫度下降。藉此，由於可提早開始加熱器21之升溫控制，因此，可使控制響應性提升，並提早實現熱處理的溫度最佳化。而且，在例如距複數個控制用溫度感測器140的表面20a之距離互不相同的情況下，係如圖7(a)及圖7(b)所示般，直至實現熱處理之溫度最佳化為止的時間互不相同。在該情況下，導致熱處理的態樣在與各控制用溫度感測器140對應之晶圓W的每個區域有所不同。在該情況下，係恐有晶圓W之熱處理的均勻性受損之虞。該點，如上述般，複數個控制用溫度感測器140的至表面20a為止之高度方向(垂直方向)的長度d2被設為彼此相同，藉此，可實現晶圓W之熱處理的均勻性提升。如此一來，基於「與位於加熱器21附近的熱板溫度感測器40相比更靠近熱板20之表面20a且距表面20a的間隔距離被管理為預定值」之控制用溫度感測器140的取得溫度，控制熱板20的溫度。藉此，可進行更適於晶圓W之溫度分布狀態的熱處理。又，在相對於表面20a具有曲面或階差而加熱器21被設置成大致水平的情況下等，如從加熱器21至表面20a為止的距離因位置而不同般之構成的情況下，像這樣的控制手法，係亦適合作為適於晶圓W之溫度分布的手法。

返回到圖3，升降機構50，係具有：複數根(例如3根)升降銷51；及驅動部52。升降銷51，係貫通底板31的路徑孔穴31z及熱板20的貫通孔20z而升降。升降銷51之上部，係伴隨著升降銷51的上升而朝熱板20上突出，伴隨著升降銷51的下降而被收容於熱板20內。驅動部52，係內建有馬達或氣缸等的驅動源，使升降銷51升降。升降機構50，係藉由使升降銷51升降的方式，使熱板20上的晶圓W升降。在此，從使藉由吸引部70朝向熱板20吸引晶圓W時之吸附效果提升的觀點來看，係升降銷51之路徑孔穴31z等相對於比底板31更下方的空間被封閉為較佳。以下，係參閱圖8，說明關於路徑孔穴31z等的封閉之密封部的構成之一例。

圖8，係示意地表示密封部的構成之一例的圖。另外，在圖8中，係省略圖示熱板20的凹狀區域20d等。如圖8所示般，熱處理單元U2，係具備有上部密封部91與下部密封部92作為密封部的構成。上部密封部91，係由筒狀的斷熱材料所構成，以與熱板20中之表面20a的相反側之面(亦即下面)接觸的方式設置。上部密封部91，係以包圍升降銷51之周圍的方式設置。上部密封部91，係具有彈性，例如包含樹脂或橡膠而構成。另外，在熱板20之下面的大致整個區域，係亦可設置有發熱電阻體93。

下部密封部92，係使底板31之路徑孔穴31z的內部空間與上部密封部91的內部空間相對於比底板31更下方的空間封閉之構成。下部密封部92，係例如包含聚醯亞胺或PEEK而構成。下部密封部92，係如圖8所示般，例如被設置於底板31的下面。藉由下部密封部92被配置於比底板31更下側的方式，抑制在下部密封部92以具有熱之狀態位於上部時會成為問題之對晶圓W的加熱影響。又，使下部密封部92遠離熱源，可使下部密封部92的耐久性提升，並進一步使下部密封部92的維護性提升。另外，下部密封部92，係亦可被設置於底板31的內部。

另外，在不使用具有彈性之構件作為上部密封部91的情況下，係亦可在上部密封部91與下部密封部92之間更具備從下方推壓上部密封部91的彈簧。像這樣的彈簧，係例如亦可被設置於底板31上的台座。

控制裝置100，係執行如下述者：基於藉由複數個控制用溫度感測器140所檢測到的溫度，控制加熱器21；控制升降機構50的驅動部52；及以進行從熱板20上搬送晶圓W的方式，控制搬送裝置A3。又，控制裝置100，係執行如下述者等：控制由吸引手段71所進行的吸引處理等。

控制裝置100，係由一個或複數個控制用電腦所構成。控制裝置100，係例如具有圖9所示的電路120。電路120，係具有：一個或複數個處理器122；記憶體124；儲存器126；輸出入埠128；及計時器132。儲存器126，係例如具有硬碟等、電腦可讀取的記錄媒體。記憶媒體，係記憶用以使控制裝置100執行後述之基板處理方法的程式。記憶媒體，係亦可為非揮發性之半導體記憶體、磁碟及光碟等的可取出之媒體。

記憶體124，係暫時記憶從儲存器126之記憶媒體載入的程式及處理器122所致之運算結果。處理器122，係與記憶體124協同作用而執行上述程式。輸出入埠128，係依照來自處理器122的指令，在與液處理單元U1及熱處理單元U2等之間進行電信號的輸出入。計時器132，係例如藉由計數固定週期之基準脈衝的方式，計測經過時間。

[作用] 一般，作為熱板，係使用圖5(a)及圖5(b)等所示之平板狀的熱板200。在像這樣的熱板200中，係特別在使用「與外側相比，內側之區域更朝下方突出」的凹型之晶圓W(參閱圖5(b))的情況下，即便藉由以吸引部70吸引晶圓W的方式，亦難以適切地吸附晶圓W之外側的區域。由於凹型之晶圓W，係成為晶圓W的外側區域之區域浮起的狀態(參閱圖5(b))，因此，容易吸入大氣而難以取得氣密。因此，例如即便在相較於內側之區域朝上方突出的凸型之基板(參閱圖5(a))的情況下，亦導致對熱板200的吸附性降低。

圖10，係表示每一晶圓翹曲量所需的VAC流量(吸引部70的真空流量)之例子的圖。在圖10中，橫軸，係表示晶圓翹曲量，縱軸，係表示為了矯正翹曲所需的真空流量。又，在圖10中，實線，係表示關於凸型的晶圓W之每一翹曲量的真空流量，虛線，係表示關於凹型的晶圓W之每一翹曲量的真空流量。如圖10所示般，在凹型之晶圓W中，真空流量變得特別多，例如關於翹曲量為1000μm的晶圓W，係與翹曲量為200μm左右的晶圓W相比，真空流量成為50倍左右。像這樣地增加真空流量而提高晶圓W之吸附性的方法，係與可持續(sustainable)之社會的方向性相悖，稱不上是良策。又，擔心因真空流量增加而產生流入部處的局部冷點或伴隨於吸附壓增加之晶圓W的背面之損傷・微粒的產生。因此，需要一種「以增加真空流量以外的方法，針對凹型之晶圓W提高對熱板的吸附性」之手段。

該點，在本實施形態之熱處理單元U2中，係由於在熱板20形成有隨著從外側越朝向內側而越往下方傾斜的凹狀區域20d，因此，容易使凹型之晶圓W的形狀與熱板20(詳細而言，係熱板20之凹狀區域20d)的形狀一致。根據像這樣的構成，在藉由吸引部70吸引晶圓W時，針對凹型之晶圓W的外側之區域，亦可適切地吸附於熱板20。而且，藉由使晶圓W適切地吸附於熱板20的方式，可使晶圓W適切地支撐於間隙構件22，並可不受區域影響而對基板均勻地實施熱處理。如以上般，根據本實施形態之熱處理單元U2，可使熱處理中之晶圓W的吸附性提升，並可實現熱處理之均勻性提升。

相較於比較例的熱板200，說明關於熱處理之均勻性提升的效果。圖11(a)(b)，係表示關於比較例的熱板200之晶圓溫度範圍的圖。圖12(a)(b)，係表示關於本實施形態的熱板20之晶圓溫度範圍的圖。在此的晶圓溫度範圍，係指將溫度感測器貼附於晶圓W的表面20a上之不同複數個位置而進行評估之結果所獲得的其複數個位置間之溫度範圍的資訊。在圖11(a)及圖12(a)中，係實際之溫度差的值被表示為晶圓溫度範圍，在圖11(b)及圖12(b)中，係以%表示溫度差的程度作為晶圓溫度範圍。溫度差的程度為0%，係表示完全無溫度差。在圖11(b)及圖12(b)中，橫軸，係表示晶圓W加熱時的溫度變遷，縱軸，係表示晶圓溫度與晶圓溫度範圍。又，在圖11(b)及圖12(b)中，實線，係表示晶圓W之中央附近的溫度，一點鏈線，係表示晶圓W之外緣部(外周附近)附近的溫度，虛線，係表示晶圓溫度範圍。另外，在晶圓W的中央部與相對於中央部各相差90度之外緣部的4處共計5處貼附熱電偶(未圖示)，測定圖11及後述圖12中所示的溫度。另外，實線所示的溫度，係指中央部的熱電偶所致之取得溫度，一點鏈線所示的溫度，係指外緣部4處之熱電偶的取得溫度之平均。作為晶圓W，係使用翹曲量為1000μm之凹型的晶圓。

如圖11(a)所示般，在比較例之熱板200中，係在過渡狀態下，晶圓W之中央附近的溫度與晶圓W之外緣部附近的溫度之溫度差為62.4℃。又，在穩態狀態下(例如經過120秒後)，係上述溫度差為6.5℃。而且，如圖11(b)所示般，即便在經過120秒時，晶圓溫度範圍(中央附近與外緣部附近之溫度差的程度)亦未達到0%。如以上般，在比較例之熱板200中，係晶圓W的內外溫度差大且即便延長加熱處理時間亦產生面內溫度差，故稱不上實現熱處理之均勻性。

對此，如圖12(a)所示般，在本實施形態之熱板20中，係與上述相同地在晶圓W之複數個位置設置控制用溫度感測器140所獲得的溫度範圍為0.5℃。從該情況顯然可知，與比較例之熱板200相比，溫度差被改善125倍左右。又，在穩態狀態下(例如經過60秒後)，係上述溫度差為0.1℃，與比較例之熱板200相比，被改善65倍左右。而且，如圖12(b)所示般，關於晶圓溫度範圍(中央附近與外緣部附近之溫度差的程度)，係從較早階段起始終接近0%。如以上般，在本實施形態之熱板20中，係由於晶圓W的內外溫度差從早期就被抑制得較小，因此，可說是熱處理之均勻性提升。

凹狀區域20d中之向最下方突出的區域，係亦可在載置晶圓W的狀態下與晶圓W之中央部分Wc對向。根據像這樣的構成，可使熱板20的形狀與凹型之晶圓W的形狀變得更加一致，並可使晶圓W的吸附性提升。

複數個間隙構件22，係從所設置的熱板20之表面20a至與晶圓W接觸的前端為止的高度亦可被設為彼此相同。根據像這樣的構成，可防止「因間隙構件22的影響而阻礙凹型之晶圓W的形狀與熱板20的形狀之形狀一致性」的情形。

熱處理單元U2，係更具備有：複數個控制用溫度感測器140，以分別與晶圓W之互不相同的位置對應的方式，被設置於晶圓W之內部，測定被使用於加熱器21之控制的溫度。而且，複數個控制用溫度感測器140，係從其前端至熱板20的表面20a為止之高度方向的長度亦可被設為彼此相同。根據像這樣的構成，由於可針對晶圓W之互不相同的位置，以相同之條件(距熱板20之表面20a的距離成為相同之條件)取得被使用於加熱器21之控制的溫度，因此，可實現晶圓W之熱處理的均勻性提升。

熱處理單元U2，係具備有：底板31，經由周壁32從下方支撐熱板20，並且具有升降銷51貫通的路徑孔穴31z。又，熱處理單元U2，係具備有：上部密封部91，由筒狀的斷熱材料所構成，與熱板20中之表面20a的相反側之面即下面接觸。而且，熱處理單元U2，係具備有：下部密封部92，使底板31之路徑孔穴31z的內部空間與上部密封部91的內部空間相對於比底板31更下方的空間封閉。如此一來，藉由下部密封部92，底板31之路徑孔穴31z(升降銷51貫通的孔穴)的內部空間等相對於比底板31更下方的空間被封閉。藉此，可使藉由吸引部70朝向熱板20吸引晶圓W時的吸附效果(翹曲晶圓的真空矯正效果)提升。在此，若僅要求上述的封閉效果，則亦考慮不將密封部分成上部密封部91與下部密封部92而僅由一構件來構成。然而，吾人認為，在僅由一構件構成密封部的情況下，例如當在接近熱板20的位置設置密封部時，則密封部會因熱劣化而導致提前劣化。該點，在本實施形態中，係將密封部分成上部密封部91與下部密封部92，在與熱板20接觸的位置設置上部密封部91，該上部密封部91，係由不會干擾熱板20之熱處理的斷熱材料所構成。而且，在遠離熱板20的位置(不會受到熱處理之熱影響的位置)設置下部密封部92。藉此，可一邊適切地實施由熱板20所進行的熱處理，一邊避免密封部提前劣化的情形。

下部密封部92，係亦可被設置於底板31的內部或底板31的下面。根據像這樣的構成，可藉由下部密封部92，將底板31之路徑孔穴31z的內部空間相對於比底板31更下方的空間確實地封閉。

上部密封部91，係亦可具有彈性。根據像這樣的構成，可針對上部密封部91之位置，一邊在上下方向具有某種程度的自由度，一邊使上部密封部91與熱板20之接觸性提升。

以上，雖說明了關於各種例示性實施形態，但並不限定於上述的例示性實施形態，亦可進行各種追加、省略、置換及變更。又，可組合不同實施形態中之要素而形成其他實施形態。

例如，在「控制裝置100控制驅動部52，以使升降銷51升降」之構成中，控制裝置100亦可控制驅動部52，以使升降銷51的下降動作中之升降銷51的下降速度在下降途中發生變化。

圖13，係說明變形例的升降銷51之下降速度的圖。在圖13中，係表示升降銷51的下降動作中之升降銷51的速度之一例。在圖13所示之例子中，係從升降銷51之下降動作的開始位置600(升降銷51之UP結束位置)至暫時停止位置601，以30mm/s的下降速度進行升降銷51之下降動作。而且，在下降於暫時停止位置601停止僅預定時間後，從暫時停止位置601至比間隙構件22之前端更下方的間隙下位置602，以2mm/s的下降速度進行升降銷51之下降動作。在該情況下，晶圓W，係以2mm/s的下降速度被載置於間隙構件22。最後，從間隙下位置602至下降動作之結束位置603(升降銷51之DOWN結束位置)，以10mm/s的下降速度進行升降銷51之下降動作。

亦即，控制裝置100，係在下降動作中，控制驅動部52，以使升降銷51以預定的第1速度(例如30mm/s)下降至預定的第1高度(上述暫時停止位置601)。又，控制裝置100，係控制驅動部52，以在從第1高度進一步下降時，使升降銷51以比第1速度慢的第2速度(例如2mm/s)下降。

而且，控制裝置100，係在下降動作中，控制驅動部52，以使到達了預定的第1高度(上述暫時停止位置601)之升降銷51不下降而停止僅預定時間。

由上述控制裝置100所進行的控制，係指用以抑制「在將晶圓W搭載於熱板20後晶圓W立即大幅變形」的情形之控制。像這樣的晶圓W之大幅變形，係例如在只有晶圓W之邊緣部(外周緣)被極端加熱的情況下，由於「晶圓W之表面張力的平衡因晶圓W之局部膨脹而變化」所引起的。例如在晶圓W為凸型的情況下，係由於晶圓W之邊緣部容易先被加熱，因此，容易產生上述的大幅變形。

藉由控制裝置100控制驅動部52，以使其以後之下降速度比至第1高度為止的下降速度慢，藉此，在凸型之晶圓W被搭載於熱板20的情況下，晶圓W之邊緣部被急速加熱的情形會得到抑制。藉此，在晶圓W之邊緣部被極端加熱的情況下，可抑制成為問題之晶圓W的大幅變形。

又，藉由控制裝置100控制驅動部52，以使升降銷51在預定的第1高度停止僅預定時間，藉此，在凸型之晶圓W被搭載於熱板20的情況下，晶圓W之邊緣部被急速加熱的情形會得到抑制。藉此，可更適切地抑制晶圓W大幅變形的情形。

另外，控制裝置100，係亦可基於晶圓W的翹曲量資料，決定上述第1高度。在該情況下，基板處理裝置，係亦可更具備有：檢查單元U3(參閱圖14)，具有計測晶圓W之翹曲量資料的周緣攝像次單元400(計測部)。

圖14，係變形例之檢查單元U3的側視圖。藉由圖14所示的檢查單元U3，計測晶圓W之翹曲量資料。首先，控制裝置100控制基板處理裝置的各部，使晶圓W搬送至檢查單元U3。接著，控制裝置100控制旋轉保持次單元900，使晶圓W保持於保持台901。接著，控制裝置100控制旋轉保持次單元900，且藉由致動器903，保持台901會沿著導引軌904朝預定的拍攝位置移動。

接著，控制裝置100控制旋轉保持次單元900，且藉由致動器903使保持台901旋轉。藉此，晶圓W便旋轉。在該狀態下，控制裝置100控制周緣攝像次單元400，一邊使照明模組420的光源成為ON，一邊進行攝像機410之拍攝。藉此，遍及晶圓W之周緣全周，對晶圓W的端面進行拍攝。像這樣的晶圓W之端面的拍攝圖像，係指用以特定晶圓W之翹曲量的翹曲量資料。

控制裝置100，係基於晶圓W之端面的拍攝圖像，算出晶圓W的剖面線。具體而言，控制裝置100，係基於例如對比差，從拍攝圖像判別晶圓W之端面的上緣及下緣。而且，控制裝置100，係算出通過該上緣與下緣之中間位置的線作為剖面線。控制裝置100，係從算出的剖面線減去基準晶圓(翹曲量為已知的晶圓)之剖面線，且算出晶圓W的翹曲量。

而且，控制裝置100，係考慮基於翹曲量資料所算出的晶圓W之翹曲量，決定上述的第1高度。如此一來，考慮實際之晶圓W的翹曲量來決定速度之變化點即第1高度，藉此，可考慮晶圓W的實際形狀，更適切地抑制晶圓W之邊緣部被急速加熱的情形。

另外，晶圓W之翹曲量資料，係亦可未必藉由檢查單元U3而計測。晶圓W之翹曲量資料，係亦可為例如以其他裝置來預先計測並被記憶於基板處理裝置的資料。

圖15(a)，係另一變形例之熱板520的平面圖，圖15(b)，係沿著圖15(a)之b-b線的剖面圖。又，如圖15(a)及圖15(b)所示般，熱板520中之外周緣的區域652的表面高度，係亦可比其內側區域651的表面高度低。根據像這樣的構成，在凸型之晶圓W被載置於熱板520時，可抑制晶圓W的邊緣部碰撞熱板520中之外周緣的區域652且晶圓W之邊緣部被急速加熱的情形，並抑制晶圓W的大幅變形。

上述外周緣的區域652與內側區域651之表面高度的差異，係亦可被設為比0.2mm小(例如0.1mm左右)。在無凹凸的平坦之晶圓W被載置於熱板520的情況下，係當外周緣的區域652與內側區域651之表面高度的差異大時，恐有無法適切實施熱處理之虞。該點，外周緣的區域652與內側區域651之表面高度的差異被設為比0.2mm小，藉此，即便在平板之晶圓W被載置於熱板520的情況下，亦可適切地實施熱處理。

又，如圖15(a)所示般，亦可設置固定銷722作為間隙構件，該固定銷722，係被設置於外周緣的區域652與內側區域651之邊界附近，支撐晶圓W。在如圖15(a)所示之例子中，係遍及上述邊界附近的全周設置有24個固定銷722。如此一來，固定銷722被設置於外周緣的區域652與內側區域651之邊界附近，藉此，可更適切地抑制凸型之晶圓W的邊緣部碰撞外周緣的區域652的情形。

又，外周緣的區域652之表面高度，係亦可遍及整個區域被設為固定(無高低且固定的高度)。藉此，可適切地實施對晶圓W之邊緣部的熱處理。

又，如圖15(a)及圖15(b)所示般，在外周緣的區域652，係亦可更設置有支撐晶圓W的固定銷723作為間隙構件。藉此，可更適切地抑制凸型之晶圓W的邊緣部碰撞外周緣的區域652的情形。另外，如圖15(b)所示般，固定銷723之高度，係亦可被設為比區域652高且比內側區域651低。

在此，在以下的[E1]~[E16]記載包含於本揭示之各種例示性實施形態。

[E1] 基板處理裝置，係具備有：熱板，載置基板，並且加熱經載置的前述基板；及複數個間隙構件，沿著前述熱板中之載置前述基板的表面而形成，並支撐前述基板，在前述熱板與前述基板之間確保空隙。而且，基板處理裝置，係具備有：吸引部，朝向前述熱板吸引前述基板；及升降銷，以貫通前述熱板的方式設置，藉由升降的方式，使被載置於前述熱板的前述基板升降。而且，基板處理裝置的前述熱板中之前述表面，係具有隨著從外側越朝向內側而越往下方傾斜的凹狀區域。

[E2] 如[E1]之基板處理裝置，其中，前述凹狀區域中之向最下方突出的區域，係在載置前述基板的狀態下與前述基板之中央部分對向。

[E3] 如[E1]或[E2]之基板處理裝置，其中，前述複數個間隙構件，係從所設置的前述熱板之前述表面至與前述基板接觸的前端為止之高度彼此相同。

[E4] 如[E1]~[E3]中任一項之基板處理裝置，其中，前述熱板，係「接收由加熱機構產生的熱，藉由固體所致之熱傳導維持高溫」的構成，且為「具有在俯視下與前述基板同等以上的寬度」之板狀的構件。前述基板處理裝置，係更具備有：複數個溫度感測器，以分別與前述基板之互不相同的位置對應的方式，被設置於前述熱板之內部，測定被使用於前述加熱機構之控制的溫度。前述複數個溫度感測器，係從其前端至前述熱板的前述表面為止之高度方向的長度被設為彼此相同。

[E5] 如[E1]~[E4]中任一項之基板處理裝置，其中，更具備有：底板，經由支撐構件從下方支撐前述熱板，並且具有前述升降銷貫通的路徑孔穴；及上部密封部，由筒狀的斷熱材料所構成，與前述熱板中之前述表面的相反側之面即下面接觸。更具備有：下部密封部，使前述底板之前述路徑孔穴的內部空間與前述上部密封部的內部空間相對於比前述底板更下方的空間封閉。

[E6] 如[E5]之基板處理裝置，其中，前述下部密封部，係被設置於前述底板的內部或前述底板的下面。

[E7] 如[E5]或[E6]之基板處理裝置，其中，前述上部密封部，係具有彈性。

[E8] 如[E1]~[E7]中任一項之基板處理裝置，其中，更具備有：驅動部，使前述升降銷升降；及控制裝置，控制前述驅動部，以使前述升降銷升降。前述控制裝置，係在前述升降銷之下降動作中，控制前述驅動部，以使前述升降銷的下降速度變化。

[E9] 如[E8]之基板處理裝置，其中，前述控制裝置，係控制前述驅動部，以使前述升降銷以預定的第1速度下降至預定的第1高度，並以在從前述第1高度進一步下降時，使前述升降銷以比前述第1速度慢的第2速度下降。

[E10] 如[E9]之基板處理裝置，其中，前述控制裝置，係在前述下降動作中，控制前述驅動部，以使到達了前述第1高度的前述升降銷不下降而停止僅預定時間。

[E11] 如[E9]或[E10]之基板處理裝置，其中，前述控制裝置，係基於前述基板之翹曲量資料，決定前述第1高度。

[E12] 如[E11]之基板處理裝置，其中，更具備有：計測部，計測前述基板的翹曲量資料。

[E13] 如[E1]~[E12]中任一項之基板處理裝置，其中，前述熱板中之外周緣的區域之表面高度，係比其內側區域的表面高度低。

[E14] 如[E13]之基板處理裝置，其中，前述外周緣的區域與前述內側區域之表面高度的差異，係比0.2mm小。

[E15] 如[E13]或[E14]之基板處理裝置，其中，前述間隙構件，係具有：固定銷，被設置於前述外周緣的區域與前述內側區域之邊界附近，支撐前述基板。

[E16] 如[E13]~[E15]中任一項之基板處理裝置，其中，前述外周緣的區域之表面高度為固定。

2:塗佈顯像裝置(基板處理裝置) 20,520:熱板 20a:表面 21:加熱器(加熱機構) 22:間隙構件 31:底板 31z:路徑孔穴 32:周壁(支撐構件) 140:控制用溫度感測器(溫度感測器) 51:升降銷 52:驅動部 70:吸引部 91:上部密封部 92:下部密封部 100:控制裝置 400:周緣攝像次單元(計測部) 651:內側區域 652:外周緣的區域 722:固定銷 V:空隙 W:晶圓

[圖1]圖1，係示意地表示實施形態的基板處理系統之一例的立體圖。 [圖2]圖2，係示意地表示塗佈顯像裝置之一例的側視圖。 [圖3]圖3，係示意地表示熱處理單元之一例的圖。 [圖4]圖4，係說明熱板的形狀之詳細內容的圖。 [圖5]圖5(a)，係說明在平板狀之熱板載置凸型的晶圓之例子的圖，圖5(b)，係說明在平板狀之熱板載置凹型的晶圓之例子的圖。 [圖6]圖6，係說明控制用溫度感測器之配置的圖。 [圖7]圖7(a)，係表示基於藉由距熱板的距離比較近之控制用溫度感測器所取得的溫度之溫度控制的圖，圖7(b)，係表示基於藉由距熱板的距離比較遠之控制用溫度感測器所取得的溫度之溫度控制的圖。 [圖8]圖8，係示意地表示密封部的構成之一例的圖。 [圖9]圖9，係表示控制裝置的硬體構成之一例的方塊圖。 [圖10]圖10，係表示每一晶圓翹曲量所需的VAC流量之例子的圖。 [圖11]圖11(a)(b)，係表示關於比較例之熱板的晶圓溫度範圍之例子的圖。 [圖12]圖12(a)(b)，係表示關於本實施形態之熱板的晶圓溫度範圍之例子的圖。 [圖13]圖13，係說明變形例的升降銷之下降速度的圖。 [圖14]圖14，係變形例之檢查單元的側視圖。 [圖15]圖15(a)，係變形例之熱板的平面圖，圖15(b)，係沿著圖15(a)之b-b線的剖面圖。

20:熱板

20a:表面

20c:中央部

20d:凹狀區域

20e:外緣部

20f:平坦部

22:間隙構件

W:晶圓

Wc:中央部分

We:外緣部分

Claims (16)

1. 一種基板處理裝置，其特徵係，具備有： 熱板，載置基板，並且加熱經載置的前述基板； 複數個間隙構件，沿著前述熱板中之載置前述基板的表面而形成，並支撐前述基板，在前述熱板與前述基板之間確保空隙； 吸引部，朝向前述熱板吸引前述基板；及 升降銷，以貫通前述熱板的方式設置，藉由升降的方式，使被載置於前述熱板的前述基板升降， 前述熱板中之前述表面，係具有隨著從外側越朝向內側而越往下方傾斜的凹狀區域。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 前述凹狀區域中之向最下方突出的區域，係在載置前述基板的狀態下與前述基板之中央部分對向。
3. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 前述複數個間隙構件，係從所設置的前述熱板之前述表面至與前述基板接觸的前端為止之高度彼此相同。
4. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 前述熱板，係「接收由加熱機構產生的熱，藉由固體所致之熱傳導維持高溫」的構成，且為「具有在俯視下與前述基板同等以上的寬度」之板狀的構件， 前述基板處理裝置，係更具備有： 複數個溫度感測器，以分別與前述基板之互不相同的位置對應的方式，被設置於前述熱板之內部，測定被使用於前述加熱機構之控制的溫度， 前述複數個溫度感測器，係從其前端至前述熱板的前述表面為止之高度方向的長度被設為彼此相同。
5. 如請求項1~4中任一項之基板處理裝置，其中，更具備有： 底板，經由支撐構件從下方支撐前述熱板，並且具有前述升降銷貫通的路徑孔穴； 上部密封部，由筒狀的斷熱材料所構成，與前述熱板中之前述表面的相反側之面即下面接觸；及 下部密封部，使前述底板之前述路徑孔穴的內部空間與前述上部密封部的內部空間相對於比前述底板更下方的空間封閉。
6. 如請求項5之基板處理裝置，其中， 前述下部密封部，係被設置於前述底板的內部或前述底板的下面。
7. 如請求項5之基板處理裝置，其中， 前述上部密封部，係具有彈性。
8. 如請求項1之基板處理裝置，其中，更具備有： 驅動部，使前述升降銷升降；及 控制裝置，控制前述驅動部，以使前述升降銷升降， 前述控制裝置，係在前述升降銷之下降動作中，控制前述驅動部，以使前述升降銷的下降速度變化。
9. 如請求項8之基板處理裝置，其中， 前述控制裝置，係在前述下降動作中，控制前述驅動部，以使前述升降銷以預定的第1速度下降至預定的第1高度，並以在從前述第1高度進一步下降時，使前述升降銷以比前述第1速度慢的第2速度下降。
10. 如請求項9之基板處理裝置，其中， 前述控制裝置，係在前述下降動作中，控制前述驅動部，以使到達了前述第1高度的前述升降銷不下降而停止僅預定時間。
11. 如請求項9之基板處理裝置，其中， 前述控制裝置，係基於前述基板之翹曲量資料，決定前述第1高度。
12. 如請求項11之基板處理裝置，其中，更具備有： 計測部，計測前述基板的翹曲量資料。
13. 如請求項1~12中任一項之基板處理裝置，其中， 前述熱板中之外周緣的區域之表面高度，係比其內側區域的表面高度低。
14. 如請求項13之基板處理裝置，其中， 前述外周緣的區域與前述內側區域之表面高度的差異，係比0.2mm小。
15. 如請求項13之基板處理裝置，其中， 前述間隙構件，係具有：固定銷，被設置於前述外周緣的區域與前述內側區域之邊界附近，支撐前述基板。
16. 如請求項13之基板處理裝置，其中， 前述外周緣的區域之表面高度為固定。

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