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TW202326797A - 用於減少邊緣電弧的可更換靜電卡盤外環 - Google Patents

用於減少邊緣電弧的可更換靜電卡盤外環 Download PDF

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TW202326797A
TW202326797A TW111133150A TW111133150A TW202326797A TW 202326797 A TW202326797 A TW 202326797A TW 111133150 A TW111133150 A TW 111133150A TW 111133150 A TW111133150 A TW 111133150A TW 202326797 A TW202326797 A TW 202326797A
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TW
Taiwan
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esc
substrate support
cooling base
support assembly
barrier ring
Prior art date
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TW111133150A
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English (en)
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提蒙西喬瑟夫 富蘭克林
趙在龍
亞歷山大 蘇萊曼
雪 常
卡堤克 拉馬斯瓦米
史蒂芬Ｅ 巴巴揚
安瓦爾 胡沙因
大衛 寇某
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美商應用材料股份有限公司
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Abstract

本文的本揭示案的實施例包括用於處理基板的設備。更具體地，本揭示案的實施例提供基板支撐組件，包括一靜電卡盤(ESC)組件。ESC組件包括：一冷卻基底，該冷卻基底具有一頂部表面及一外直徑側壁；一ESC，該ESC具有一基板支撐表面、一底部表面、及一外直徑側壁，該ESC的該底部表面藉由一黏著層耦合至該冷卻基底的該頂部表面。該基板支撐組件包括一阻擋環，繞著該冷卻基底及該ESC的該等外直徑側壁設置該阻擋環，該阻擋環屏蔽該ESC的該底部表面及該冷卻基底的該頂部表面之間的一介面。

Description

用於減少邊緣電弧的可更換靜電卡盤外環
本揭示案的實施例一般相關於用於製造半導體裝置的設備和方法。更具體地，本文所揭露的設備相關於用於在電漿處理腔室中使用的靜電卡盤組件。
半導體基板被處理用於多種應用，包括整合裝置和微型裝置的製造。一種這樣的處理裝置是電漿處理腔室。在處理期間，基板被放置於電漿處理腔室內的靜電卡盤組件上。靜電卡盤組件可具有靜電卡盤、冷卻基底、設施板及/或基底。靜電卡盤(ESC)可具有用於將基板偏置到靜電卡盤的卡盤電極。
在電漿處理腔室中形成電漿以用於處理基板。在電漿處理期間，使用對基板溫度以及基板上電漿的形狀的嚴格控制來獲得良好且一致的結果。由ESC中的複數個加熱器以及冷卻基底來提供溫度均勻性。電漿的形狀受ESC中的電極以及面向電漿的ESC形狀(亦即，處理環)的影響。由於電漿與ESC的耦合及/或跨ESC的溫度非均勻性對處理效能產生負面影響，可能會出現處理偏差。
此外，在處理期間，電漿可在靜電卡盤組件和腔室壁之間形成電路並引起電弧。從靜電卡盤組件到接地或從邊緣環到ESC冷卻基底的電弧可能會損壞基板或以可能導致處理缺陷的方式變更電漿，亦即，對處理效能產生負面影響。邊緣電弧是用於高功率ESC上電弧的主要位置之其中一者，且可使用ESC周邊上的塗層來減少。然而，這些塗層存在許多問題，包括它們容易損壞、腐蝕。塗層是多孔的、容易開裂、難以翻新且昂貴的。
因此，需要改進的腔室設計以改進處理效能。
本揭示案一般包括基板支撐組件，包括：一靜電卡盤(ESC)組件。ESC組件包括：一冷卻基底，該冷卻基底具有一頂部表面及一外直徑側壁；及一ESC，該ESC具有一基板支撐表面、一底部表面、及一外直徑側壁，該ESC的該底部表面藉由一黏著層耦合至該冷卻基底的該頂部表面。該基板支撐組件包括一阻擋環，繞著該冷卻基底及該ESC的該等外直徑側壁設置該阻擋環，該阻擋環屏蔽該ESC的該底部表面及該冷卻基底的該頂部表面之間的一介面。
本揭示案的實施例可進一步提供基板支撐組件，包括：一靜電卡盤(ESC)組件。ESC組件包括：一ESC，該ESC具有一基板支撐表面及一底部表面；及一冷卻基底，該冷卻基底設置於該ESC的該底部表面下方。該ESC的該底部表面的一部分水平地延伸超出該冷卻基底的一頂部表面；一設施板，該設施板設置於該冷卻基底下方，其中該冷卻基底的該底部表面水平地延伸超出該設施板；一絕緣體板，該絕緣體板設置於該設施板下方，其中該絕緣體板的一頂部表面的一部分水平地延伸超出該冷卻基底的該底部表面；及一阻擋環，該阻擋環設置於以下兩者之間：水平地延伸超出該冷卻基底的一頂部表面的該ESC的該底部表面、及水平地延伸超出該冷卻基底的該底部表面的該絕緣體板的該頂部表面，該阻擋環環繞該該冷卻基底。
本揭示案的實施例可進一步提供基板支撐組件，包括：一靜電卡盤(ESC)組件。ESC組件包括：一ESC，該ESC具有一基板支撐表面及一底部表面；及一冷卻基底，該冷卻基底設置於該ESC的該底部表面下方。該ESC的該底部表面的一部分水平地延伸超出該冷卻基底的一頂部表面；一設施板，該設施板設置於該冷卻基底下方；一絕緣體板，該絕緣體板設置於該設施板下方，該冷卻基底的該底部表面水平地延伸超出該設施板及該絕緣體板；一接地板，該接地板設置於該絕緣體板下方，該接地板的一部分水平地延伸超出該絕緣體板；及一阻擋環，該阻擋環設置於以下兩者之間：水平地延伸超出該冷卻基底的一頂部表面的該ESC的該底部表面、及水平地延伸超出該絕緣體板的該接地板的該部分。
本文所述的實施例提供基板支撐組件，包括保護靜電卡盤(ESC)和冷卻基底之間的接合的阻擋環。阻擋環也用作阻擋環與ESC和冷卻基底兩者之間的真空到大氣密封，這允許RF熱冷卻基底保持在大氣壓力下，這有利於減少電弧。
下面描述的基板支撐組件可用在蝕刻處理腔室和其他類型的電漿和非電漿增強處理腔室中，例如物理氣相沉積腔室、化學氣相沉積腔室、離子注入腔室等，及需要保護設置在冷卻基底和ESC之間的接合層的其他系統。
圖1是根據一實施例的包括基板支撐組件101A的示例性電漿腔室100A的橫截面示意圖。基板支撐組件101A可用於多種類型的電漿處理腔室，例如電漿處理腔室、退火腔室、物理氣相沉積腔室、化學氣相沉積腔室、和離子注入腔室等，以及需要保護基板支撐組件101A內的黏著層免受電漿處理腔室100A內的環境條件的影響的其他系統。也預期本揭示案可用於利用電漿的處理腔室中的優勢。
電漿處理腔室100A包括腔室主體102，具有封閉處理區域109的側壁104、底部106、和蓋108。基板支撐組件101設置在處理區域109中。
基板支撐組件101包括靜電卡盤組件103(ESC組件)、設施板124、絕緣體板126、接地板128、和阻擋環145。
ESC組件103包括靜電卡盤(ESC)110和冷卻基底112。在某些實施例中，ESC組件103可被石英處理套件(未展示)環繞。ESC 110使用黏著層114耦合到冷卻基底112。ESC 110包括基板支撐表面116、底部表面118、和在支撐表面116上形成的下落部，形成支撐邊緣環120的壁架113。邊緣環120水平地延伸超出ESC 110的外周邊。在一個實施例中，ESC 110由具有嵌入式卡盤電極129的介電主體製成。介電主體可為陶瓷材料，例如氧化鋁(Al 2O 3)、氮化鋁(AlN)或其他合適材料。替代地，ESC 110的介電主體可由聚合物製成，例如聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚芳醚酮等。
冷卻基底112的頂部表面122使用黏著層114耦合到ESC 110的底部表面118。黏著層114可包括含環氧樹脂材料、含矽樹脂材料、含丙烯酸材料、或其他適用於將ESC 110接合到冷卻基底112的材料。ESC 110的一部分115水平地延伸超出冷卻基底112的頂部表面122。換句話說，ESC 110比冷卻基底112寬。
設施板124設置於冷卻基底112下方。由接地板128支撐的設施板124經配置以促進與基板支撐組件101A的電、冷卻、加熱、和氣體連接。接地板128由處理腔室的底部106支撐。絕緣體板126使設施板124與接地板128絕緣。換句話說，絕緣體板126設置在接地板128上方並環繞設施板124。可在設施板124和絕緣體板126之間定義有一可選的間隙125。間隙125的距離可在0.002吋和0.010吋之間。間隙125有助於減緩設備板124和絕緣體板126之間的熱傳送。絕緣體板126的頂部表面117水平地延伸超出冷卻基底112。換句話說，絕緣體板126比冷卻基底112寬。
ESC 110的卡盤電極129可被配置為單極或雙極電極，或具有另一合適佈置。卡盤電極129經由RF濾波器(未展示)耦合到卡盤功率源132，卡盤功率源132提供DC功率以將基板靜電地固定到ESC 110的支撐表面116。
ESC 110可選地包括嵌入其中的一個或更多個電阻加熱器134。電阻加熱器134用於將ESC 110的溫度升高到適用於處理設置在支撐表面116上的基板的處理溫度。電阻加熱器134經由設備板124耦合到可選的加熱器功率源136。加熱器功率源136可向電阻加熱器134提供500瓦或更多的功率。加熱器功率源136包括控制器(未展示)以用於控制加熱器功率源136的操作，一般設置為將基板加熱到預定的溫度。在一個實施例中，電阻加熱器134包括複數個橫向分開的加熱區，其中控制器使得電阻加熱器134的至少一個區相對於位於其他區的其中一者或更多者中的電阻加熱器134被優先加熱。例如，電阻加熱器134可同心地佈置在複數個分開的加熱區中。電阻加熱器134將基板維持在適用於處理的處理溫度。在一個實施例中，處理溫度不大於約攝氏-50度。例如，處理溫度在約攝氏-50度至約攝氏-150度之間。而在其他範例中，處理溫度大於約攝氏-50度。例如，處理溫度在攝氏-50度到約攝氏+150度之間。
冷卻基底112包括至少一個冷卻區139，每一冷卻區耦合到冷卻劑供應140。至少一個冷卻區139可同心地或以其他合適的方式佈置。例如，可在基板支撐表面116下方提供內區，而可沿著外周邊提供外區且可能在邊緣環120下方延伸。
設施板124可包括可選的冷卻通道(未展示)，可耦合到可選的冷卻劑供應142。當存在時，冷卻劑供應142提供冷卻劑，在一個範例中，可將環境溫度保持在約攝氏25度至約攝氏35度之間。由冷卻劑供應142提供的冷卻劑是傳熱流體，且在一些範例中是製冷劑。冷卻劑供應142提供循環通過設施板124的冷卻劑通道(未展示)的冷卻材料。流過冷卻劑通道的冷卻劑使得設施板124能夠維持在預定的環境溫度，這有助於將絕緣體板126維持於預定環境溫度。
在一個實施例中，阻擋環145可設置在ESC 110和絕緣體板126的頂部表面117之間，其在基板支撐組件101A的兩側上延伸超過冷卻基底112。換句話說，繞著冷卻基底112的外直徑側壁147設置阻擋環145。在一個範例中，阻擋環145由陶瓷或其他介電材料製成。在一個實施例中，阻擋環145經由使用第一密封150形成對ESC 110的真空密封。阻擋環145使用第二密封152形成對絕緣體板126的真空密封。在ESC 110及阻擋環145之間存在頂部間隙154，且在ESC 110和絕緣體板126之間存在底部間隙156。因此，阻擋環145不接觸ESC 110或絕緣體板126。換句話說，冷卻基底112的外周邊被真空密封完全隔離。替代地，阻擋環145可使用接合材料代替密封來密封到ESC 110和設施板124。接合材料可為基於矽樹脂、環氧樹脂等。因此，阻擋環145允許在設置在阻擋環145內部的基板支撐組件101的部分內使用更高的壓力，例如環境壓力，這也減少了基板支撐組件101內的潛在電弧。
在一些實施例中，基板支撐組件101A的部件可使用緊固件(未展示)彼此耦合。例如，接地板128可使用緊固件耦合到絕緣體板126，絕緣體板可使用緊固件耦合到設施板124，且絕緣體板可使用緊固件耦合到冷卻基底112。
有利地，阻擋環145形成對ESC 110的真空密封，使得冷卻基底112的外直徑被隔離。換句話說，冷卻基底112的外直徑和ESC 110的外直徑在真空密封的相對側上，而阻擋環145用作電漿阻擋器以防止ESC 110和冷卻基底112之間的黏著層114被腐蝕，且允許RF熱冷卻基底112完全保持在大氣壓力下，這有利地減少了潛在的電弧。
圖2是根據一實施例的包括基板支撐組件101B的示例性電漿腔室100B的橫截面示意圖。基板支撐組件101B類似於基板支撐組件101A，除了繞著ESC 110的外周邊的一部分設置阻擋環145，在壁架113的頂部和邊緣環120之間形成間隙158。
圖3是根據一實施例的包括基板支撐組件101C的示例性電漿腔室100C的橫截面示意圖。基板支撐組件101C類似於基板支撐組件101A，除了絕緣體板126不環繞設施板124。如圖3中所圖示，阻擋環145屏蔽設施板124和冷卻基底112之間的間隙，確保設施板124與電漿腔室100C的側壁沒有直接視線，從而降低了其間潛在的電弧。有利地，這消除了底部間隙156(圖1)並允許更好地控制頂部間隙154的距離，因為冷卻基底112位於阻擋環145的肩部上。此外，ESC 110上的密封力減少了，因為只有第一密封150的力被傳送到ESC 110。此外，由於絕緣體板126和第二密封152遠離基板支撐表面116(亦即，處理區域)，減低了絕緣體板126和第二密封152的腐蝕。在一些實施例中，阻擋環145可經由緊固件155耦合到冷卻基底112和絕緣體板126。
圖4是根據一實施例的包括基板支撐組件101D的示例性電漿腔室100D的橫截面示意圖。基板支撐組件101D類似於基板支撐組件101C，除了繞著ESC 110的外周邊的一部分設置阻擋環145，在壁架113的頂部和邊緣環120之間形成間隙158。
圖5是根據一實施例的包括基板支撐組件101E的示例性電漿腔室100E的橫截面示意圖。基板支撐組件101E類似於基板支撐組件101A至101D，除了絕緣體板126與設施板124齊平。如圖5中所圖示，阻擋環145的肩部屏蔽了接地板128和冷卻基底112之間的間隙，確保設施板124沒有到電漿腔室100C的側壁的直接視線，從而減低了其間潛在的電弧。阻擋環145可使用第一緊固件155耦合到冷卻基底，且可使用第二緊固件耦合到接地板128。有利地，這消除了底部間隙(圖1)且允許更好地控制頂部間隙154的距離，因為冷卻基底112的肩部位於阻擋環145上。此外，減少了ESC 110上的密封力，因為僅有第一密封150的力被傳送到ESC 110。此外，由於絕緣體板126被完全移動到大氣壓力，減低了絕緣體板126的腐蝕。在一些實施例中，阻擋環145可經由緊固件155耦合到冷卻基底112和絕緣體板126。
圖6是根據一實施例的包括基板支撐組件101F的示例性電漿腔室100F的橫截面示意圖。基板支撐組件101F類似於基板支撐組件101E，除了繞著ESC 110的外周邊的一部分設置阻擋環145，在壁架113的頂部和邊緣環120之間形成間隙158。
100A~100F:電漿腔室 101:基板支撐組件 101A~101F:基板支撐組件 102:腔室主體 103:靜電卡盤組件 104:側壁 106:底部 108:蓋 109:處理區域 110:ESC 112:冷卻基底 113:壁架 114:黏著層 115:部分 116:基板支撐表面 117:頂部表面 118:底部表面 120:邊緣環 122:頂部表面 124:設施板 126:絕緣體板 128:接地板 129:卡盤電極 132:卡盤功率源 134:電阻加熱器 136:加熱器功率源 139:冷卻區 140:冷卻劑供應 142:冷卻劑供應 145:阻擋環 147:側壁 150:第一密封 152:第二密封 154:頂部間隙 155:緊固件 156:底部間隙 158:間隙
為了能夠詳細理解本揭示案的上述特徵的方式，可藉由參考實施例來獲得上文簡要概括的本揭示案的更具體的描述，其中一些圖示於附圖中。然而，注意附圖僅圖示了示例性實施例，因此不應被視為限制其範圍，且可允許其他等效的實施例。
圖1是根據一實施例的包括基板支撐組件的示例性電漿腔室的橫截面示意圖。
圖2是根據一實施例的包括基板支撐組件的示例性電漿腔室的橫截面示意圖。
圖3是根據一實施例的包括基板支撐組件的示例性電漿腔室的橫截面示意圖。
圖4是根據一實施例的包括基板支撐組件的示例性電漿腔室的橫截面示意圖。
圖5是根據一實施例的包括基板支撐組件的示例性電漿腔室的橫截面示意圖。
圖6是根據一實施例的包括基板支撐組件的示例性電漿腔室的橫截面示意圖。
為了便於理解，儘可能地使用相同的參考數字來表示圖式共有的相同元件。預期一個實施例的元件和特徵可有益地併入其他實施例中而無需進一步敘述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100A:電漿腔室
101A:基板支撐組件
102:腔室主體
103:靜電卡盤組件
104:側壁
106:底部
108:蓋
109:處理區域
110:ESC
112:冷卻基底
113:壁架
114:黏著層
115:部分
116:基板支撐表面
117:頂部表面
118:底部表面
120:邊緣環
122:頂部表面
124:設施板
126:絕緣體板
128:接地板
129:卡盤電極
132:卡盤功率源
134:電阻加熱器
136:加熱器功率源
139:冷卻區
140:冷卻劑供應
142:冷卻劑供應
145:阻擋環
147:側壁
150:第一密封
152:第二密封
154:頂部間隙
155:緊固件
156:底部間隙

Claims (20)

  1. 一種基板支撐組件，包括： 一靜電卡盤(ESC)組件，包括： 一冷卻基底，該冷卻基底具有一頂部表面及一外直徑側壁；及 一ESC，該ESC具有一基板支撐表面、一底部表面、及一外直徑側壁，該ESC的該底部表面藉由一黏著層耦合至該冷卻基底的該頂部表面；及 一阻擋環，繞著該冷卻基底及該ESC的該等外直徑側壁設置該阻擋環，該阻擋環屏蔽該ESC的該底部表面及該冷卻基底的該頂部表面之間的一介面。
  2. 如請求項1所述之基板支撐組件，進一步包括： 一設施板，該設施板設置於該冷卻基底下方；及 一絕緣體板，該絕緣體板環繞該設施板，該絕緣體板的一頂部表面的一部分水平地延伸超出該冷卻基底的一頂部表面。
  3. 如請求項2所述之基板支撐組件，進一步包括一接地板，該接地板設置於該絕緣體板下方。
  4. 如請求項2所述之基板支撐組件，進一步包括一頂部間隙及一底部間隙，該頂部間隙在該阻擋環及該ESC的該底部表面之間，該底部間隙在該阻擋環及該絕緣體板的該頂部表面之間。
  5. 如請求項2所述之基板支撐組件，其中該阻擋環經由一接合材料形成與該ESC及該絕緣體板的一密封。
  6. 如請求項2所述之基板支撐組件，其中該阻擋環經由一第一密封形成對該ESC的一真空密封，且該阻擋環經由一第二密封形成對該絕緣體板的一真空密封。
  7. 如請求項6所述之基板支撐組件，其中該ESC及該阻擋環在該第一密封的相對側上。
  8. 如請求項1所述之基板支撐組件，其中該冷卻基底包括至少一個冷卻區，每一冷卻區耦合至一冷卻供應。
  9. 如請求項1所述之基板支撐組件，其中該阻擋環由一陶瓷材料製成。
  10. 一種基板支撐組件，包括： 一靜電卡盤(ESC)組件，包括： 一ESC，該ESC具有一基板支撐表面及一底部表面；及 一冷卻基底，該冷卻基底設置於該ESC的該底部表面下方，其中該ESC的該底部表面的一部分水平地延伸超出該冷卻基底的一頂部表面； 一設施板，該設施板設置於該冷卻基底下方，其中該冷卻基底的該底部表面水平地延伸超出該設施板； 一絕緣體板，該絕緣體板設置於該設施板下方，其中該絕緣體板的一頂部表面的一部分水平地延伸超出該冷卻基底的該底部表面；及 一阻擋環，該阻擋環設置於以下兩者之間：水平地延伸超出該冷卻基底的一頂部表面的該ESC的該底部表面、及水平地延伸超出該冷卻基底的該底部表面的該絕緣體板的該頂部表面，該阻擋環環繞該該冷卻基底。
  11. 如請求項10所述之基板支撐組件，其中該阻擋環經由一緊固件耦合至該絕緣體板及該冷卻基底。
  12. 如請求項10所述之基板支撐組件，其中該阻擋環經由一第一密封形成對該ESC的一真空密封，且該阻擋環經由一第二密封形成對該絕緣體板的一真空密封。
  13. 如請求項10所述之基板支撐組件，進一步包括一頂部間隙，該頂部間隙在該阻擋環及水平地延伸超出該冷卻基底的一頂部表面的該ESC的該底部表面之間。
  14. 如請求項10所述之基板支撐組件，其中該阻擋環經由一阻擋材料形成與水平地延伸超出該冷卻基底的一頂部表面的該ESC的該底部表面的一密封。
  15. 如請求項10所述之基板支撐組件，進一步包括一接地板，該接地板設置於該絕緣體板下方。
  16. 一種基板支撐組件，包括： 一靜電卡盤(ESC)組件，包括： 一ESC，該ESC具有一基板支撐表面及一底部表面；及 一冷卻基底，該冷卻基底設置於該ESC的該底部表面下方，其中該ESC的該底部表面的一部分水平地延伸超出該冷卻基底的一頂部表面； 一設施板，該設施板設置於該冷卻基底下方； 一絕緣體板，該絕緣體板設置於該設施板下方，該冷卻基底的該底部表面水平地延伸超出該設施板及該絕緣體板； 一接地板，該接地板設置於該絕緣體板下方，該接地板的一部分水平地延伸超出該絕緣體板；及 一阻擋環，該阻擋環設置於以下兩者之間：水平地延伸超出該冷卻基底的一頂部表面的該ESC的該底部表面、及水平地延伸超出該絕緣體板的該接地板的該部分。
  17. 如請求項16所述之基板支撐組件，其中該阻擋環經由一第一緊固件耦合至該冷卻基底，且該阻擋環使用一第二緊固件耦合至該接地板。
  18. 如請求項16所述之基板支撐組件，其中該阻擋環經由一第一密封形成對該ESC的一真空密封，且該阻擋環經由一第二密封形成對該接地板的一真空密封。
  19. 如請求項16所述之基板支撐組件，進一步包括一頂部間隙，該頂部間隙在該阻擋環及水平地延伸超出該冷卻基底的一頂部表面的該ESC的該底部表面之間。
  20. 如請求項16所述之基板支撐組件，其中該阻擋環經由一阻擋材料形成與水平地延伸超出該冷卻基底的一頂部表面的該ESC的該底部表面的一密封。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240161340A (ko) * 2023-05-04 2024-11-12 삼성전자주식회사 포커스 링 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US20250112075A1 (en) * 2023-09-29 2025-04-03 Applied Materials, Inc. Metal bonded esc with outer ceramic vacuum isolation ring for cryogenic service

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5796074A (en) * 1995-11-28 1998-08-18 Applied Materials, Inc. Wafer heater assembly
US5805408A (en) * 1995-12-22 1998-09-08 Lam Research Corporation Electrostatic clamp with lip seal for clamping substrates
TW334609B (en) * 1996-09-19 1998-06-21 Hitachi Ltd Electrostatic chuck, method and device for processing sanyle use the same
US6730175B2 (en) * 2002-01-22 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Ceramic substrate support
US6838646B2 (en) * 2002-08-22 2005-01-04 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Susceptor device
US8633423B2 (en) * 2010-10-14 2014-01-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling substrate temperature in a process chamber
CN102468208B (zh) * 2010-11-16 2015-07-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 卡盘和半导体处理装置
US9859142B2 (en) * 2011-10-20 2018-01-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US10690414B2 (en) * 2015-12-11 2020-06-23 Lam Research Corporation Multi-plane heater for semiconductor substrate support
US11127619B2 (en) * 2016-06-07 2021-09-21 Applied Materials, Inc. Workpiece carrier for high power with enhanced edge sealing
JP6751061B2 (ja) * 2016-09-20 2020-09-02 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置
US10943808B2 (en) * 2016-11-25 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Ceramic electrostatic chuck having a V-shape seal band
US11456161B2 (en) * 2018-06-04 2022-09-27 Applied Materials, Inc. Substrate support pedestal
US20200035535A1 (en) * 2018-07-27 2020-01-30 Applied Materials, Inc. Metal bonded electrostatic chuck for high power application
KR102244438B1 (ko) * 2018-12-17 2021-04-27 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드. 차이나 플라즈마 처리 장치에 사용되는 rf 전극 조립품 및 플라즈마 처리 장치
US11764041B2 (en) * 2019-06-14 2023-09-19 Applied Materials, Inc. Adjustable thermal break in a substrate support
US11373893B2 (en) * 2019-09-16 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Cryogenic electrostatic chuck
US11646183B2 (en) * 2020-03-20 2023-05-09 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly with arc resistant coolant conduit
US11569114B2 (en) * 2021-02-12 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with cooled electrostatic chuck

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