TW202309999A

TW202309999A - 電子裝置的製造方法

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Publication number: TW202309999A
Application number: TW111118249A
Authority: TW
Inventors: 陳嘉源; 蔡宗翰; 李冠鋒
Original assignee: 群創光電股份有限公司
Priority date: 2021-08-17
Filing date: 2022-05-16
Publication date: 2023-03-01
Also published as: US20230059512A1; CN115706135A

Abstract

本揭露提供了一種電子裝置的製造方法，其包括提供一載板、在所述載板上形成一發光模組、以及將所述發光模組轉移到一目標基板。在所述載板上形成一發光模組包括將一發光單元轉移到所述載板、在所述載板上形成一電路層、以及在所述載板上形成一圖案化光吸收層，其中所述圖案化光吸收層包括一開口，所述發光單元通過所述開口電連接到所述電路層。

Description

電子裝置的製造方法

本揭露涉及一種電子裝置的製造方法，特別是涉及一種包括光吸收層的電子裝置的製造方法。

近年來，發光二極體因其低耗能、壽命長、體積小等優點而廣泛地應用於電子裝置中，其中發光二極體元件可被微小化以改善電子裝置的顯示效果。由於發光二極體元件的微小化可能導致接合或電連接的異常情況，因此可將發光二極體元件模組化。然而，將現有的發光二極體模組接合到目標基板後，較難以形成可提升顯示裝置的對比度的遮光或吸光結構，使得顯示裝置的顯示效果受到影響。因此，如何改善包括發光二極體模組的電子裝置的對比度對於本領域來說仍是一項重要的議題。

本揭露提供了一種電子裝置的製造方法，使得電子裝置的光吸收層可至少部分設置於電路層與發光單元之間，藉此改善電子裝置的顯示效果。

在一些實施例中，本揭露提供了一種電子裝置的製造方法，其包括提供一載板、在載板上形成一發光模組、以及將發光模組轉移到一目標基板。在載板上形成一發光模組包括將一發光單元轉移到載板、在載板上形成一電路層、以及在載板上形成一圖案化光吸收層，其中圖案化光吸收層包括一開口，發光單元通過開口電連接到電路層。

在另一些實施例中，本揭露提供了一種電子裝置的製造方法，其包括提供一載板、在載板上形成一發光模組、在載板上將發光模組分成複數個子發光模組、以及在載板上將發光模組分成子發光模組之後，將子發光模組中的至少一個轉移到一目標基板。在載板上形成一發光模組包括將複數個發光單元轉移到載板、以及在載板上形成一電路層。

通過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及為了附圖的簡潔，本揭露中的多張附圖只繪出電子裝置的一部分，且附圖中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。

本揭露通篇說明書與所附的專利申請範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。

在下文說明書與專利申請範圍中，「含有」與「包括」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。

應了解到，當元件或膜層被稱為「設置在」另一個元件或膜層「上」或「連接到」另一個元件或膜層時，它可以直接在此另一元件或膜層上或直接連接到此另一元件或膜層，或者兩者之間存在有插入的元件或膜層(非直接情況)。相反地，當元件被稱為「直接」在另一個元件或膜層「上」或「直接連接到」另一個元件或膜層時，兩者之間不存在有插入的元件或膜層。當元件或膜層被稱為「電連接」到另一個元件或膜層時，其可解讀為直接電連接或非直接電連接。

術語「相同」或「大致上」一般解釋為在所給定的值的正負20%範圍以內，或解釋為在所給定的值的正負10%、正負5%、正負3%、正負2%、正負1%或正負0.5%的範圍以內。

雖然術語「第一」、「第二」、「第三」…可用以描述多種組成元件，但組成元件並不以此術語為限。此術語僅用於區別說明書內單一組成元件與其他組成元件。專利申請範圍中可不使用相同術語，而依照專利申請範圍中元件宣告的順序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文說明書中，第一組成元件在專利申請範圍中可能為第二組成元件。

根據本揭露，可使用光學顯微鏡(optical microscopy，OM)、掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)、薄膜厚度輪廓測量儀(α-step)、橢圓測厚儀、或其它合適的方式測量各元件的寬度、厚度、高度或面積、或元件之間的距離或間距，但不以此爲限。詳細而言，根據一些實施例，可使用掃描式電子顯微鏡取得包含欲測量的元件的剖面結構圖像，並測量各元件的寬度、厚度、高度或面積、或元件之間的距離或間距，並通過合適的方法(例如：積分)獲得元件體積。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。

須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的技術特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。

請參考圖1到圖3，圖1為本揭露第一實施例的電子裝置的製造方法的流程示意圖，圖2到圖3為本揭露第一實施例的電子裝置的製造流程示意圖。本揭露的電子裝置(例如圖3的電子裝置ED)可例如包括顯示裝置，而可根據使用者的需求與操作而顯示靜態或動態的影像或畫面，但不以此為限。顯示裝置可例如應用於筆記型電腦、公共顯示器、拼接顯示器、車用顯示器、觸控顯示器、電視、監視器、智慧型手機、平板電腦、光源模組、照明設備或例如為應用於上述產品的電子裝置，但不以此為限。電子裝置還可包括天線裝置、感測裝置、拼接裝置或透明顯示裝置，但不以此爲限。電子裝置可例如包括液晶(liquid crystal) 、發光二極體(light emitting diode，LED)、量子點(quantum dot，QD)、瑩光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他適合的顯示介質、或上述材料的組合。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、毫米/次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(可例如為QLED)，但不以此爲限。天線裝置可例如是液晶天線，但不以此爲限。拼接裝置可例如是顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此爲限。需注意的是，電子裝置可爲前述的任意排列組合，但不以此爲限。此外，電子裝置的外型可爲矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他適合的形狀。電子裝置可以具有驅動系統、控制系統、光源系統…等周邊系統以支援顯示裝置、天線裝置或拼接裝置。根據本揭露，電子裝置ED的製造方法100可包括以下步驟：

S102：提供一載板CR

S104：在載板CR上形成發光模組LM

S106：將發光模組LM轉移到目標基板TS

其中，在載板CR上形成發光模組LM(步驟S104)可包括以下步驟：

S1042：在載板CR上形成電路層CL

S1044：在載板CR上形成圖案化光吸收層LS

S1046：將發光單元LU轉移到載板CR上

以下將詳述電子裝置ED的製造方法100的各步驟內容。

本實施例中電子裝置ED的製造方法100首先可進行步驟S102，提供一載板CR。在本實施例中，載板CR可包括可提供支撐效果的硬質材料或可撓曲材料，例如玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其他適合的材料或上述材料的組合，但不以此為限。

接著，可進行步驟S104，在載板CR上形成發光模組LM，其中，如圖2所示，本實施例的發光模組LM可包括電路層CL、圖案化光吸收層LS、發光單元LU、保護層PL等元件和/或膜層，但不以此為限。根據本實施例，在載板CR上形成發光模組LM(步驟S104)時，可先在載板CR上形成電路層CL，之後再將發光單元LU轉移到載板CR上，但不以此為限。也就是說，在載板CR上形成發光模組LM的製程中，可先進行步驟S1042(在載板CR上形成電路層CL)，之後才進行步驟S1046(將發光單元LU轉移到載板CR上)。

詳細來說，如圖2所示，本實施例的在載板CR上形成發光模組LM的步驟S104可首先進行步驟S1042，在載板CR上形成電路層CL。須注意的是，此處提到的「在載板CR上形成電路層CL」可包括在載板CR上形成電路層CL的情形以及先形成電路層CL之後再設置在載板CR上的情形，且本揭露並不以此為限。本實施例的電路層CL可例如包括重佈線層(redistribution layer)，其中重佈線層可包括多個走線層WL和多個絕緣層IL。舉例來說，圖2中的電路層CL可例如包括兩層走線層WL和兩層絕緣層IL，走線層WL可穿過絕緣層IL的穿孔而上下連接，但不以此為限。走線層WL可包括任何適合的導電材料，例如金屬材料。絕緣層IL可包括任何適合的絕緣材料。此外，如圖2所示，電路層CL中的走線層WL可形成複數個接合墊BP，位於電路層CL中遠離載板CR的一側上。電路層CL的接合墊BP可用於電連接電路層CL與後續形成的發光單元LU。

接著，可進行步驟S1044，在載板CR和電路層CL上形成圖案化光吸收層LS。詳細來說，可先在載板CR和電路層CL上形成一整層的光吸收層覆蓋電路層CL。之後，可將光吸收層圖案化，藉此在光吸收層中形成複數個開口VA。舉例來說，本實施例的圖案化光吸收層LS可例如藉由微影製程或是印刷製程所形成，但不以此為限。根據本實施例，開口VA可暴露電路層CL的走線層WL的至少一部分，例如暴露電路層CL的接合墊BP，使得後續形成的發光單元LU可通過圖案化光吸收層LS的開口VA電連接到電路層CL的接合墊BP。也就是說，圖案化光吸收層LS的開口VA可大致上對應到電路層CL的接合墊BP。本實施例的圖案化光吸收層LS可包括黑色矩陣層(black matrix)、黑化金屬材料、其他適合的遮光材料或上述材料的組合。

在電路層CL上形成圖案化光吸收層LS之後，可接著進行步驟S1046，將發光單元LU轉移到載板CR上。具體來說，可先在生長基板(例如晶圓，圖中未示出)上形成發光單元LU之後，再將發光單元LU轉移到載板CR上，但不以此為限。本實施例的發光單元LU可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、量子點二極體(quantum dot light-emitting diode，QLED)、無機發光二極體(light emitting diode，LED)、其他任何適合的發光元件或上述的組合。無機發光二極體可例如包括次毫米發光二極體(mini LED)或微型發光二極體(micro LED)，但不以此為限。本實施例中將以發光單元LU包括無機發光二極體為例作說明，但本揭露並不以此為限。如圖2所示，發光單元LU可包括第一電極E1、第二電極E2以及發光層LL。第一電極E1和第二電極E2的其中一者可為發光二極體的p電極(或稱為陽極)，而另一者可為發光二極體的n電極(或稱為陰極)。發光層LL可例如包括p型半導體層、主動層和n型半導體層，但不以此為限。在本實施例中，將發光單元LU轉移到載板CR上之後，可將發光單元LU的第一電極E1和第二電極E2設置在圖案化光吸收層LS的開口VA中，藉此與電路層CL的接合墊BP接觸。如此一來，發光單元LU可通過圖案化光吸收層LS的開口VA電連接到電路層CL。發光單元LU可具有一出光面OS，其可視為發光單元LU發出光線的表面。舉例來說，出光面OS可包含發光單元LU的頂表面，但不以此為限。在一些實施例中，出光面OS還可包括發光單元LU的其他表面，例如側面。在載板CR上設置發光單元LU之後，可選擇性在載板CR上設置保護層PL，其中保護層PL可覆蓋發光單元LU以及其下的膜層以提供保護的功效。保護層PL可包括任何適合的透明絕緣材料，藉此降低保護層PL對於發光單元LU的出光效果的影響。保護層PL的材料例如可包括環氧樹脂、矽氧樹脂(Silicone)、聚二甲基矽氧(PDMS)、聚乙烯酯酸脂、聚乙烯酯、聚氯丁烯、其他合適的封裝材料或其他有機材料，但不以此為限。形成保護層PL之後，可完成在載板CR上形成發光模組LM的製程，但不以此為限。

在載板CR上形成發光模組LM之後，可接著進行步驟S106，將發光模組LM轉移到目標基板TS上，藉此形成圖3所示的電子裝置ED。須注意的是，在一些實施例中，發光模組LM還可選擇性地包括設置在保護層PL上的支撐基板CS，如圖2所示，但不以此為限。支撐基板CS可在發光模組LM的轉移過程中提供發光模組LM的支撐效果，藉此降低發光模組LM在轉移過程中的損壞。支撐基板CS的材料可參考上述載板CR的材料，故不再贅述。需注意的是，當支撐基板CS包括透明材料時，將發光模組LM轉移到目標基板TS之後可保留支撐基板CS；而當支撐基板CS包括不透光材料時，將發光模組LM轉移到目標基板TS之後可移除支撐基板CS，但不以此為限。根據本實施例，目標基板TS可配置以驅動發光單元LU發出光線，藉此控制電子裝置ED的顯示。詳細來說，如圖3所示，發光單元LU可透過圖案化光吸收層LS的開口VA電連接到電路層CL，而電路層CL可電連接到目標基板TS。舉例而言，電路層CL更包括複數個另一接合墊BP1與上述接合墊BP分別位於絕緣層IL的兩側，電路層CL可透過另一接合墊BP1電性連接至目標基板TS上的元件或是目標基板上的接合墊(未繪示)。因此，目標基板TS可透過電路層CL電連接到發光單元LU。本實施例的目標基板TS可例如包括任何適合的主動元件和/或被動元件，例如薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)、積體電路(integrated circuit)等，但不以此為限。在一些實施例中，目標基板TS可以為金屬氧化半導體(Metal Oxide Semiconductor，MOS)基板。

根據本實施例，在方法100 中，電路層CL、圖案化光吸收層LS和發光單元LU可依序設置在載板CR上。因此，圖案化光吸收層LS在電子裝置ED的法線方向(即方向Z，或是目標基板TS的法線方向)上可設置在發光單元LU與電路層CL之間，或是說可至少部分位於發光單元LU與電路層CL之間，如圖3所示，因此在電子裝置ED的法線方向(方向Z)上，或是在電子裝置ED的俯視方向上，圖案化光吸收層LS可覆蓋電路層CL，並且，圖案化光吸收層LS可不覆蓋發光單元LU，或是說不覆蓋發光單元LU的出光面OS。上述的“電子裝置ED的俯視方向”可由電子裝置ED的出光側或使用者側來定義，亦即使用者在使用電子裝置ED時觀看電子裝置ED的方向。根據本實施例，由於圖案化光吸收層LS可覆蓋電路層CL，因此可減少進入電路層CL的外部光線(例如環境光)，便可減少環境光被電路層CL反射所產生的非顯示光，進而改善電子裝置ED的對比度。此外，由於圖案化光吸收層LS可不覆蓋發光單元LU的出光面OS，因此可降低圖案化光吸收層LS對於發光單元LU的出光效果的影響。再者，在本實施例的方法100中，由於電路層CL可先於發光單元LU設置在載板CR上，因此可降低電路層CL的製程對於發光單元LU的良率的影響，進而改善電子裝置ED的良率。

須注意的是，本實施例中發光模組LM所包括的元件和/或膜層並不以上述為限，而可根據產品設計需求包括任何適合的元件和/或膜層。下文中將描述本揭露更多實施例的內容。為了簡化說明，下述實施例相同的膜層或元件會使用相同的標註，且其特徵不再贅述，而各實施例之間的差異將會於下文中詳細描述。

請參考圖4和圖5，圖4到圖5為本揭露第一實施例的一變化實施例的電子裝置的製造流程示意圖。如圖4所示，本變化實施例在載板CR上形成電路層CL之後，可先將發光單元LU轉移到載板CR，並設置在電路層CL上。因此，在本變化實施例中，發光單元LU的第一電極E1和第二電極E2可直接接觸於電路層CL的接合墊BP，使得發光單元LU可電連接到電路層CL，但不以此為限。將發光單元LU設置在電路層CL上之後，可接著在載板CR上設置圖案化光吸收層LS。根據本變化實施例，圖案化光吸收層LS可例如通過點膠或整面塗佈的方式設置在載板CR上，但不以此為限。詳細來說，如圖4的左側所示，圖案化光吸收層LS可例如對應於發光單元LU的設置位置通過噴嘴(nozzle)以點膠的方式設置在電路層CL和發光單元LU上，進而覆蓋發光單元LU以及電路層CL的至少一部分。或者，如圖4的右側所示，圖案化光吸收層LS可通過噴嘴以整面塗佈的方式設置在載板CR上，並覆蓋發光單元LU與電路層CL或是覆蓋大部分的電路層CL。

如圖5所示，在載板CR上設置圖案化光吸收層LS之後，可進行一研磨(polishing)製程以至少移除圖案化光吸收層LS覆蓋發光單元LU的出光面OS的部分，藉此暴露出發光單元LU的出光面OS。舉例來說，本變化實施例的發光單元LU的出光面OS可例如為發光單元LU的頂表面，因此在進行研磨製程之後，可暴露出發光單元LU的頂表面，而圖案化光吸收層LS的頂表面TOS可大致上對齊於發光單元LU的頂表面，但不以此為限。在一些實施例中，當出光面OS包括發光單元LU的其他表面時，可移除覆蓋發光單元LU的該些表面的圖案化光吸收層LS的部分，藉此暴露出發光單元LU的出光面OS。在進行研磨製程後，可接著形成保護層PL，並可選擇性地形成支撐基板CS(請參考圖3，圖4、圖5未示出)以形成發光模組LM。接著，可類似圖3所示，將發光模組LM從載板CR轉移到目標基板TS，以形成電子裝置ED。

請參考圖6到圖9，圖6為本揭露第二實施例的電子裝置的製造方法的流程示意圖，圖7到圖9為本揭露第二實施例的電子裝置的製造流程示意圖。如圖6所示，本實施例的電子裝置ED的製造方法200可包括提供載板CR(步驟S102)、在載板CR上形成發光模組LM(步驟S104)以及將發光模組LM轉移到目標基板TS(步驟S106)，其中在載板CR上形成發光模組LM(步驟S104)時，可先將發光單元LU轉移到載板CR上，之後再在載板CR上形成電路層CL，但不以此為限。也就是說，不同於第一實施例的方法100，在本實施例的步驟S104(在載板CR上形成發光模組LM)中，可先進行步驟S1046(將發光單元LU轉移到載板CR上)，之後才進行步驟S1042(在載板CR上形成電路層CL)。

詳細來說，在提供載板CR(步驟S102)後，可先在載板CR上形成保護層PL，並將發光單元LU設置在保護層PL上，但不以此為限。如圖7所示，將發光單元LU設置在保護層PL上時，發光單元LU的第一電極E1和第二電極E2可朝上設置，或是說朝向遠離保護層PL的方向(即方向Z)設置，使得發光單元LU可電連接到後續形成的電路層CL。此時，發光單元LU的出光面OS可例如面朝下，或是說面向保護層PL，但不以此為限。將發光單元LU設置在保護層PL上之後，可選擇性地在保護層PL上設置覆蓋層CP。覆蓋層CP可覆蓋發光單元LU，但至少暴露出發光單元LU的第一電極E1和第二電極E2。即，覆蓋層CP的頂表面TOS1可不高於發光單元LU的第一電極E1和第二電極E2的頂面。覆蓋層CP可包括任何適合的絕緣材料。在設置覆蓋層CP之後，可接著在覆蓋層CP與發光單元LU上形成圖案化光吸收層LS，並在圖案化光吸收層LS上形成電路層CL，以形成發光模組LM(步驟S104)。類似地，本實施例的圖案化光吸收層LS可包括開口VA，使得電路層CL可通過圖案化光吸收層LS的開口VA電連接到發光單元LU。

在載板CR上形成發光模組LM之後，可接著進行步驟S106，將發光模組LM轉移到目標基板TS。根據本實施例，在發光模組LM轉移到目標基板TS之前，可先將發光模組LM轉移到另一載板，但不以此為限。詳細來說，如圖7所示，將發光模組LM轉移到目標基板TS的製程可包括在發光模組LM上設置支撐基板SUP，其中支撐基板SUP可在發光模組LM的轉移過程中提供支撐功能。支撐基板SUP的材料可參考上述載板CR的材料，故不再贅述。接著，可將圖7中包括載板CR、發光模組LM和支撐層SUP的結構反轉，使得支撐基板SUP可位於結構的下方，並將載板CR移除。如此一來，發光模組LM可從原本的載板CR轉移到另一載板(例如支撐基板SUP)。如圖8所示，將發光模組LM轉移到支撐基板SUP之後，發光單元LU可位於圖案化光吸收層LS上，圖案化光吸收層LS可位於電路層CL上，而發光單元LU的出光面OS可面朝上。接著，如圖8和圖9所示，可在發光模組LM的保護層PL上設置支撐基板CS，並將發光模組LM從支撐基板SUP轉移到目標基板TS，藉此形成電子裝置ED。當支撐基板CS包括透明材料時，將發光模組LM轉移到目標基板TS之後可保留支撐基板CS；而當支撐基板CS包括不透光材料時，將發光模組LM轉移到目標基板TS之後可移除支撐基板CS。

請參考圖10，圖10為本揭露第二實施例的一變化實施例的發光模組的剖視示意圖。根據本變化實施例，發光模組LM可不包括覆蓋發光單元LU的覆蓋層CP。詳細來說，在載板CR上形成保護層PL和發光單元LU之後，可直接在保護層PL和發光單元LU上形成圖案化光吸收層LS，其中圖案化光吸收層LS可覆蓋發光單元LU，但至少暴露出發光單元LU的第一電極E1和第二電極E2。接著，可在圖案化光吸收層LS上形成電連接到發光單元LU的電路層CL，以形成發光模組LM。發光模組LM的轉移製程可參考上述第二實施例的內容，故不再贅述。

請參考圖11，圖11為本揭露第二實施例的一變化實施例的圖案化光吸收層的設置俯視示意圖。圖11所示的變化實施例與圖10所示的變化實施例主要的差異之一在於圖案化光吸收層LS的設置方式。根據本變化實施例，在載板CR上設置保護層PL和發光單元LU之後，可沿著發光單元LU的周邊將圖案化光吸收層LS設置在保護層PL上，以形成圖案化光吸收層LS。因此，圖案化光吸收層LS在載板CR的法線方向(方向Z)上可不覆蓋發光元件LU，或是說不重疊於發光單元LU。舉例來說，本變化實施例的圖案化光吸收層LS可例如藉由印刷製程形成載板CR上，但不以此為限。如圖11所示，由於圖案化光吸收層LS可沿著發光單元LU的周邊設置，因此圖案化光吸收層LS的開口VA可大致上對應於發光單元LU。

請參考圖12，圖12為本揭露第二實施例的一變化實施例的發光模組的剖視示意圖。為了簡化附圖，圖12中的電路層CL僅以單層示出，但本變化實施例不以此為限。根據本變化實施例，發光模組LM還可包括絕緣層RL以及光調整層RI，其中絕緣層RL可設置在保護層PL和發光單元LU上，而光調整層RI可設置在絕緣層RL上，但不以此為限。絕緣層RL的材料例如可以包含樹脂或其他合適的透明絕緣材料，本揭露並不以此為限。詳細來說，如圖12所示，在載板CR上形成保護層PL和發光單元LU之後，可在對應於發光單元LU的設置位置處滴入絕緣材料，以在發光單元LU上形成絕緣層RL，其中絕緣層RL可覆蓋發光單元LU，或是說至少覆蓋發光單元LU的發光層LL，但不以此為限。根據本變化實施例，絕緣層RL可降低發光單元LU發出的光線在發光單元LU的表面發生全反射的機率。在形成絕緣層RL之後，可在絕緣層RL上形成光調整層RI，但不以此為限。在一些實施例中，如圖12所示，當絕緣層RL部分覆蓋發光單元LU的第一電極E1和第二電極E2時，光調整層RI可大致上共形地設置在絕緣層RL、第一電極E1和第二電極E2上。根據本變化實施例，光調整層RI可包括由高折射率的絕緣層和低折射率的絕緣層交替堆疊所形成的堆疊結構，而高折射率絕緣層和低折射率絕緣層之間的介面可形成反射介面。例如，圖12中的光調整層RI可例如由一層高折射率絕緣層HIN和一層低折射率絕緣層LIN所形成，且兩者之間具有反射介面RIF但不以此為限。在一些實施例中，光調整層RI可包括由多層的高折射率絕緣層HIN和低折射率絕緣層LIN交替堆疊所形成的五層或多層結構，並可具有多個反射介面RIF。在本變化實施例中，高折射率絕緣層HIN和低折射率絕緣層LIN的折射率差值可大於0.5。舉例來說，高折射率絕緣層HIN可包括折射率大於2.1的絕緣材料，例如氮化物，而低折射率絕緣層LIN可包括折射率小於1.5的絕緣材料，例如氧化物，但不以此為限。根據本變化實施例，由於光線在反射介面RIF的反射率可被改善，因此可改善發光單元LU的出光效果。在設置反射介面RIF之後，可接著在保護層PL和光調整層RI上設置圖案化光吸收層LS和電路層CL以形成發光模組LM，並通過轉移製程將發光模組LM轉移到目標基板以形成本揭露的電子裝置。須注意的是，雖然圖12未示出，光調整層RI中對應到發光單元LU的第一電極E1和第二電極E2的一部分可包括開口，使得電路層CL可透過光調整層RI的開口電連接到發光單元LU。此外，在一些實施例中，如圖12的右側所示，發光模組LM可包括光調整層RI而不包括絕緣層RL，而光調整層RI可共形地設置在發光單元LU上，但不以此為限。本變化實施例中發光模組LM包括絕緣層RL和/或光調整層RI的特徵可應用到本揭露各實施例與變化實施例中。

請參考圖13，圖13為本揭露第二實施例的一變化實施例的發光模組的剖視示意圖。為了簡化附圖，圖13中的電路層CL僅以單層示出，但本變化實施例不以此為限。在本變化實施例中，發光模組LM可包括發光單元LU1、發光單元LU2和發光單元LU3，其中發光單元LU1、發光單元LU2和發光單元LU3可發出不同顏色的光線，藉此混合出所需的光線。因此，如圖13所示，一個發光單元LU1、一個發光單元LU2和一個發光單元LU3在保護層PL上可鄰近於彼此設置，並可例如形成一個像素單元PU。發光單元LU1、發光單元LU2和發光單元LU3可分別發出紅光、藍光和綠光，並可混合出白光，但不以此為限。根據本變化實施例，發光模組LM可包括絕緣層RL，其中絕緣層RL可對應於像素單元PU設置。絕緣層RL的設置方式可參考上文，故不再贅述。詳細來說，如圖13所示，發光模組LM中的每一個像素單元PU可例如對應到一個絕緣層RL，其中絕緣層RL可至少覆蓋其所對應到的像素單元PU中的發光單元LU1、發光單元LU2和發光單元LU3的發光層LL。如此一來，同一個像素單元PU中的發光單元LU1、發光單元LU2和發光單元LU3的混色效果可通過絕緣層RL而被改善，進而改善發光模組LM的顯示效果。設置絕緣層RL之後，可接著形成圖案化光吸收層LS和電路層CL，以形成發光模組LM。接著，可通過轉移製程將發光模組轉移到目標基板TS，以形成電子裝置ED。於一實施例中，也可在絕緣層RL上形成光調整層RI，但不以此為限。

請參考圖14到圖16，圖14為本揭露第三實施例的電子裝置的製造方法的流程示意圖，圖15到圖16為本揭露第三實施例的電子裝置的製造示意圖。須注意的是，為了簡化附圖，圖15、圖16和以下附圖中僅簡單示出發光單元LU，並未示出發光單元LU的詳細結構。如圖14所示，本實施例的電子裝置ED的製造方法300包括以下步驟：

S302：提供一載板CR

S304：在載板CR上形成發光模組LM

S306：在載板CR上將發光模組LM分成複數個子發光模組SM

S308：將至少一個子發光模組SM轉移到目標基板TS

其中，在載板CR上形成發光模組LM(步驟S304)可包括以下步驟：

S3042：在載板CR上形成電路層CL

S3044：在載板CR上形成圖案化光吸收層LS

S3046：將發光單元LU轉移到載板CR上

以下將詳述電子裝置ED的製造方法300的各步驟內容。

本實施例的電子裝置ED的製造方法300可先進行步驟S302，提供一載板CR以及步驟S304，在載板CR上形成發光模組LM。步驟S302和步驟S304的細節可分別參考上述實施例的步驟S102和步驟S104，故不再贅述。此外，如圖15所示，在載板CR上形成發光模組LM(步驟S304)的製程中，可例如先在載板CR上形成電路層CL，之後再將發光單元LU轉移到載板CR上，但不以此為限。即，在本實施例中，可先進行步驟S3042，之後才進行步驟S3046。本實施例的發光模組LM的詳細結構可例如參考圖2所示的發光模組LM，但不以此為限。

在載板CR上形成發光模組LM之後，可接著進行步驟S306，將載板CR上的發光模組LM分成複數個子發光模組SM。舉例而言，可例如透過刀輪切割、雷射切割、化學蝕刻等方式將發光模組LM分成複數個子發光模組SM，但不以此為限。詳細來說，如圖15所示，在形成發光模組LM之後，可在發光模組LM上定義出切割道CT，並沿著所定義的切割道CT進行切割，將發光模組LM分成複數個子發光模組SM。在一些實施例中，可通過刀輪切割製程將發光模組LM分割成子發光模組SM，其中在發光模組LM的切割製程中可同時包括多組刀輪進行切割。在一些實施例中，可通過雷射切割製程將發光模組LM分割成子發光模組SM。在一些實施例中，可通過微影蝕刻製程將發光模組LM分割成子發光模組SM。須注意的是，在一些實施例中，圖15所示的支撐基板CS可在形成子發光模組SM之後分別對應於子發光模組SM設置。或者，在一些實施例中，支撐基板CS可先設置在發光模組LM上，並與發光模組LM一起被切割。須注意的是，當圖15所示的支撐基板CS包括非透光材料，可從發光模組LM中將支撐基板CS移除。

藉由上述方式形成子發光模組SM之後，可接著進行步驟S308，將至少一個子發光模組SM轉移到目標基板TS。具體來說，依照電子裝置ED的設計需求，可將任意數量的子發光模組SM從載板CR上轉移到目標基板TS。例如，圖16中示出了將兩個子發光模組SM轉移到目標基板TS的結構，但不以此為限。在本實施例中，將子發光模組SM轉移到目標基板TS之後，還可將一覆蓋基板CS2設置於子發光模組SM相對於目標基板TS的另一側，其中覆蓋基板CS2可包括遮光層LS2，設置在覆蓋基板CS2面向子發光模組SM的一側上。覆蓋基板CS2的材料可參考上述實施例的支撐基板CS，故不再贅述。遮光層LS2的材料例如可包括吸光材料，但本揭露並不以此為限。在一些實施例中，遮光層LS2的材料例如可包括黑色矩陣層(black matrix)、黑化金屬材料、其他適合的遮光材料或上述材料的組合。根據本實施例，遮光層LS2可對應於子發光模組SM之間的間隙GP設置在覆蓋基板CS2上，因此，將覆蓋基板CS2設置於子發光模組SM上時，遮光層LS2可至少部分填入子發光模組SM之間的間隙GP，但不以此為限。將覆蓋基板CS2設置於子發光模組SM上之後，可形成本實施例的電子裝置ED。須注意的是，當覆蓋基板CS2包括透明材料時，可不須從電子裝置ED中將覆蓋基板CS2移除；而當覆蓋基板CS2包括不透光材料時，可將覆蓋基板CS2從電子裝置ED中移除，並留下填入間隙GP的遮光層LS2。

根據本實施例的電子裝置ED的製造方法300，發光模組LM在轉移到目標基板TS之前可藉由分離製程分成具有較小尺寸的子發光模組SM。相較於較大尺寸的發光模組LM，本實施例的子發光模組SM可較容易被轉移，進而降低轉移製程的難度。此外，如上文所述，由於電子裝置ED的圖案化光吸收層LS可設置在電路層CL與發光單元LU之間，因此可減少環境光被電路層CL反射所產生的非顯示光，進而改善電子裝置ED的對比度。再者，由於電子裝置ED可包括填入子發光模組SM之間的間隙GP的遮光層LS2以減少進入間隙GP的環境光，因此可降低環境光被間隙GP所暴露出的電路層CL反射所產生的非顯示光，進一步改善電子裝置ED的對比度。

請參考圖17和圖18，圖17為本揭露第三實施例的一變化實施例的發光模組的俯視示意圖，圖18為本揭露第三實施例的一變化實施例的發光模組的電路層的底視示意圖。如圖17所示，本變化實施例的發光模組LM可例如包括複數個像素單元PU，其中每一個像素單元PU可包括發出不同顏色光線的三個發光單元LU，但不以此為限。關於像素單元PU的特徵可參考上文，故不再贅述。根據本變化實施例，在形成發光模組LM中的像素單元PU(發光單元LU)時，可設計像素單元PU之間的距離，使得位於切割道CT兩側的兩個像素單元PU之間的距離可大於未位於切割道CT兩側的兩個像素單元PU之間的距離。舉例來說，發光模組LM可例如包括沿方向X和方向Y延伸的兩條切割道CT，其中以沿方向Y延伸的切割道CT為例，位於切割道CT兩側的兩個像素單元PU可具有距離W2，未位於切割道CT兩側的兩個像素單元PU可具有距離W1，而距離W2可大於距離W1，但不以此為限。在一些實施例中，切割道CT的數量和延伸方向可依據產品設計需求而決定。須注意的是，上述的“兩個像素單元PU之間的距離”可例如定義為一個像素單元PU中的發光單元LU與另一個像素單元PU中的發光單元LU的最小距離，但不以此為限。根據本變化實施例，由於切割道CT兩側的像素單元PU之間可具有較大的距離，因此可降低發光單元LU在切割製程中產生損壞的機率，進而改善電子裝置ED的良率。

此外，如圖17所示，在沿著兩條切割道CT進行切割製程之後，可將發光模組LM分成四個子發光模組SM。以子發光模組SM1和子發光模組SM2為例，子發光模組SM1的邊緣F1和子發光模組SM2的邊緣F2可藉由沿方向Y的切割道CT切割發光模組LM所形成，但不以此為限。根據本變化實施例，子發光模組SM1中最接近邊緣F1的發光單元LU與邊緣F1之間可具有距離W3，而子發光模組SM2中最接近邊緣F2的發光單元LU與邊緣F2之間可具有距離W4，其中距離W3和距離W4的和可小於位於切割道CT兩側的兩個像素單元PU之間的距離W2。由於子像素模組SM1和/或子像素模組SM2可分別包括距離W3、距離W4，可降低發光單元LU因過於接近子發光模組SM1和/或子發光模組SM2的邊緣而產生損壞的機率。此外，在本變化實施例中，可調整距離W3和距離W4，使得距離W3與距離W4大致上相同，但不以此為限。也就是說，距離W3和距離W4可分別小於距離W2的二分之一(即，W3、W4＜1/2W2)。舉例來說，在進行切割製程之後，可藉由磨邊製程調整距離W3和距離W4的值，但不以此為限。藉由使距離W3和距離W4大致上相同，當子發光模組SM1和子發光模組SM2應用於拼接顯示裝置時，可減少因子發光模組的結構差異而造成的對拼接顯示裝置的顯示效果的影響。

再者，如圖18所示，圖18示出了發光模組LM的電路層CL的接合墊BP2(可同時參考圖2的接合墊BP1)的結構，其中接合墊BP2可配置以將電路層CL電連接到目標基板。根據本變化實施例，以子發光模組SM1為例，子發光模組SM1中最接近邊緣F1的接合墊BP2與邊緣F1之間可具有距離W5，其中距離W5可大於最接近邊緣F1的發光單元LU與邊緣F1之間的距離，即上述的距離W3(參考圖17)，但不以此為限。藉由使距離W5大於距離W3，子發光模組SM1的接合良率可被改善，進而改善電子裝置ED的良率。

請參考圖19和圖20，圖19為本揭露第三實施例的一變化實施例的子發光模組的轉移製程的示意圖，圖20為本揭露第三實施例的另一變化實施例的子發光模組的轉移製程的示意圖。如圖19和圖20所示，在轉移子發光模組SM之前，可先在子發光模組SM上設置轉移頭HE，並藉由轉移頭HE將子發光模組SM從載板CR轉移到目標基板TS上。此時，電路層CL的接合墊BP2可接合到目標基板TS上的接合墊BP3，並可例如形成一接合區域BR。接合區域BR可例如定義為電路層CL中最外圍的接合墊BP2的外邊緣所圍成的區域，但不以此為限。根據本實施例，如圖19所示，接合區域BR在平行於目標基板TS的一方向(例如方向X)上可具有一接合寬度W6，而支撐基板CS在該方向上可具有寬度W7，其中寬度W6可與寬度W7相同，但不以此為限。也就是說，本實施例的支撐基板CS可對應於接合區域BR設置。在一些實施例中，接合寬度W6大致上可與子發光模組SM的寬度相同。在一些實施例中，接合寬度W6可小於子發光模組SM的寬度。根據本實施例，由於子發光模組SM的支撐基板CS的寬度W7可與接合區域BR的接合寬度W6相同，因此可降低子發光模組SM在轉移過程中因應力而導致的形變，進而改善電子裝置ED的良率。

或者，如圖20所示，在一些實施例中，子發光模組SM可不包括支撐基板CS。此外，設置在子發光模組SM上的轉移頭HE可具有寬度W8，其中寬度W8可大致上與接合區域BR的接合寬度W6相同，但不以此為限。也就是說，轉移頭HE可對應於接合區域BR設置。由於轉移頭HE的寬度W8可與接合區域BR的接合寬度W6相同，因此可降低子發光模組SM在轉移過程中因應力而導致的形變，進而改善電子裝置ED的良率。

請參考圖21到圖22，圖21到圖22為本揭露第三實施例的一變化實施例的電子裝置的製造示意圖。本變化實施例的電子裝置ED的製造方法可參考圖14所示的方法300，但與方法300不同的是，在本變化實施例的步驟S304(在載板CR上形成發光模組LM)中，可先進行步驟S3046(將發光單元LU轉移到載板CR上)，之後才進行步驟S3042(在載板CR上形成電路層CL)。詳細來說，可依序在載板CR上形成發光單元LU、圖案化光吸收層LS和電路層CL，以形成發光模組LM。接著，可沿著切割道CT將發光模組LM分成複數個子發光模組SM(步驟S306)，並在子發光模組SM上設置支撐基板SUP，以形成圖21所示的結構。之後，可參考圖7到圖9所示製程內容，將圖21示出的結構反轉，移除載板CR並設置支撐基板CS，並將子發光模組SM從支撐基板SUP轉移到目標基板TS，以形成電子裝置ED，但不以此為限。須注意的是，本變化實施例的支撐基板SUP的設置方法並不以圖21所示為限，下文將會介紹支撐基板SUP的設置方法的其他實施例。根據本變化實施例，電子裝置ED還可包括對應於子發光模組SM的間隙GP設置的遮光層LS2，其中遮光層LS2可至少部分填入間隙GP。遮光層LS2可具有任何適合的形狀，本變化實施例並不以此為限。如圖22所示，間隙GP可具有寬度T3，相鄰的兩個子發光模組SM中的發光單元LU的最小距離可為距離T2，而遮光層LS2可具有最大寬度T1。在本變化實施例中，最大寬度T1可大於寬度T3，且小於距離T2(即，寬度T3＜最大寬度T1＜距離T2)，但不以此為限。藉由使最大寬度T1可大於寬度T3，遮光層LS2可有效地密封間隙GP，降低環境光進入間隙GP的機會，此外，藉由使最大寬度T1小於距離T2，可降低遮光層LS2對於發光單元LU的出光的影響。

請參考圖23，圖23為圖21所示的支撐基板的不同設置方法的示意圖。如圖23所示，支撐基板SUP可以多種方法設置在子發光模組SM上。首先，如方法(I)所示，在將發光模組LM分成子發光模組SM之前，可先在載板CR上提供支撐基板SUP，設置在發光模組LM上。在方法(I)中，支撐基板SUP可例如對應於將形成的子發光模組SM設置，其中支撐基板SUP可不重疊於切割道CT。須注意的是，雖然方法(I)未示出，發光模組LM上可包括複數個支撐基板SUP，對應於兩個或更多個將形成的子發光模組SM設置。在形成支撐基板SUP之後，可進行切割製程，將發光模組LM分為複數個子發光模組，並將對應到支撐基板SUP的至少一子發光模組SM轉移到目標基板TS。在轉移子發光模組SM之前，可例如將結構反轉，使得支撐基板SUP可位於下側，但不以此為限。由於方法(I)中支撐基板SUP可不對應於切割道CT設置，因此可降低支撐基板SUP對於切割製程的影響。另一方面，由於方法(I)中的支撐基板SUP在切割製程中可不被切割，並非為消耗品，因此可降低製程成本。此外，在方法(I)中，支撐基板SUP寬度H2可例如小於子發光模組SM的寬度H1，藉此預留切割道CT的位置，但不以此為限。如此一來，可降低切割製程對於支撐基板SUP的破壞。

或者，如方法(II)、(III)所示，可先進行切割製程後，再將支撐基板SUP設置在子發光模組SM上。在方法(II)中，支撐基板SUP可對應於多於一個或所有的子發光模組SM設置，並藉由支撐基板SUP轉移該些子發光模組SM。在方法(III)中，支撐基板SUP可對應一個子發光模組SM設置，並藉由支撐基板SUP轉移該子發光模組SM。在轉移子發光模組SM之前，可例如將結構反轉，使得支撐基板SUP可位於下側，但不以此為限。舉例來說，在圖21所示的實施例中，支撐基板SUP是以方法(II)設置，但本揭露並不以此為限。在一些實施例中，圖21中的支撐基板SUP可以方法(I)或(III)的方式設置。由於方法(II)、(III)中是先進行切割製程，才設置支撐基板SUP，因此可降低支撐基板SUP對於切割製程的影響。此外，由於方法(II)、(III)中的支撐基板SUP在切割製程中可不被切割，並非為消耗品，因此可降低製程成本。須注意的是，圖23所示的支撐基板SUP的各種設置方法可應用於圖15所示的支撐基板CS，但不以此為限。也就是說，圖15中的支撐基板CS可藉由方法(I)、(II)或(III)設置在載板CR上。

請參考圖24，圖24為本揭露第三實施例的一變化實施例的電子裝置的製造示意圖。為了簡化附圖，圖24中僅簡單地示出子發光模組SM，而子發光模組SM的詳細結構可參考上述實施例或變化實施例的內容。根據本變化實施例，在載板CR上形成發光模組LM之前，可先在載板CR上形成一犧牲層SC。即，犧牲層SC可設置在載板CR與發光模組LM之間。本變化實施例的犧牲層SC可例如藉由照光(例如雷射光)或加熱的方式與載板CR脫離，藉此轉移載板CR上的子發光模組SM到另一載板或目標基板TS。舉例來說，犧牲層SC可包括光阻材料(例如酚醛樹脂(phenol-formaldehyde resion)、環氧樹脂(epoxy resin)或聚異戊二烯橡膠(polyisoprene rubber))、無機材料(例如氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或氧化鋁)、有機材料(例如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmetacrylate，PMMA)、苯環丁烯(benzocyclobutene，BCB)、聚醯亞胺(polyimide)、聚二甲基矽氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)或過氟烷基化物(polyfluoroalkoxy，PFA))、其他適合的材料、或上述材料的組合，但不以此為限。如圖24所示，在發光模組LM的切割製程中，犧牲層SC可不被切割，但不以此為限。即，在通過切割製程形成複數個子發光模組SM之後，犧牲層SC在載板CR上可為一連續膜層。如此一來，可降低子發光模組SM因切割犧牲層SC而產生的捲曲現象，進而改善子發光模組SM的良率。在另一些實施例中，犧牲層SC在發光模組LM的切割製程中可被切割。即，犧牲層SC可被分成多個部分，分別對應到不同的子發光模組SM。如此一來，在轉移特定的子發光模組SM時可降低對於其他的子發光模組SM的影響。本變化實施例的犧牲層SC可應用於上述各實施例與變化實施例中以轉移發光模組LM或子發光模組SM。

根據本變化實施例，在轉移子發光模組SM之前，可在載板CR相對於子發光模組SM的一側上設置遮光層LS3，其中遮光層LS3可對應於切割道CT設置。舉例來說，當發光模組LM上具有複數條沿著方向X和方向Y延伸並交錯的切割道CT時，遮光層LS3可對應於該些切割道CT設置，並可具有矩陣形狀，但不以此為限。此外，如圖24所示，在本變化實施例中，切割道CT可具有寬度W9，而遮光層LS3可具有寬度W10，其中寬度W9可大於寬度W10，但不以此為限。即，切割道CT的寬度可大於遮光層LS3的寬度。本變化實施例的遮光層LS3可在轉移一子發光模組SM時降低對其他的子發光模組SM的影響。舉例來說，如圖24所示，當欲轉移最左側的子發光模組SM時，可照射光線L1以移除對應到最左側的子發光模組SM的犧牲層SC的一部分。此時，在載板CR的法線方向(方向Z)上位於最左側的子發光模組SM的兩側的遮光層LS3可阻擋光線L1，藉此降低光線L1照射到犧牲層SC的其他部分的機率。如此一來，在轉移最左側的子發光模組SM時，可降低因光線L1的照射所導致的其他子發光模組SM的脫落。此外，由於遮光層LS3的寬度W10可小於切割道CT的寬度W9，因此光線可不被遮光層LS3阻擋，而可照射到對應於子發光模組SM的犧牲層SC。如此一來，對應於子發光模組SM的犧牲層SC未被移除的機率可減少，進而改善子發光模組SM的轉移製程。遮光層LS3的材料可參考上述實施例的遮光層LS2，故不再贅述。

請參考圖25，圖25為本揭露第三實施例的一變化實施例的電子裝置的製造示意圖。為了簡化附圖，圖25僅示出了子發光模組SM的發光單元LU和封裝層EN，其中封裝層EN可包括前述實施例中的保護層PL、覆蓋層CP、或其他可位於發光單元LU上的膜層，但不以此為限。此外，雖然圖25示出了包括犧牲層SC的結構，但本變化實施例並不以此為限。根據本變化實施例，在進行發光模組LM的切割製程之前，可先移除發光模組LM的封裝層EN的至少一部分，以形成至少一個凹槽RS。如圖25所示，形成凹槽RS之後，可例如藉由凹槽RS定義出子發光模組SM。接著，可在發光模組LM以及凹槽RS上依序設置第一無機層IOL1、第一有機層OL1以及第二無機層IOL2，以形成覆蓋發光模組LM以及凹槽RS的堆疊結構。之後，可進行切割製程，沿著切割道(圖中未示出)將發光模組LM分成子發光模組SM，其中切割道可例如對應於凹槽RS，但不以此為限。藉由上述方法所形成的子發光模組SM可被第一無機層IOL1、第一有機層OL1以及第二無機層IOL2覆蓋，因此，第一無機層IOL1、第一有機層OL1以及第二無機層IOL2可提供子發光模組SM防水氧的功效。在一些實施例中，也可以在發光模組LM以及凹槽RS上設置一層或多層的無機層及絕緣層，但本揭露並不以此為限。

請參考圖26，圖26為本揭露第三實施例的一變化實施例的電子裝置的製造示意圖。根據本變化實施例的剖視示意圖，在發光模組LM的切割製程中，切割道CT的延伸方向可不平行於載板CR的法線方向(方向Z)。詳細來說，如圖26所示，切割道CT的延伸方向與載板CR的表面之間可具有一夾角θ1，其中夾角θ1可為切割道CT的延伸方向與載板CR的表面之間的銳角 (即，θ1＜90°)。在本變化實施例中，舉例而言，夾角θ1的範圍可從45度到80度(即，45°≦θ1≦80°)，但不以此為限。藉由使切割道CT與載板CR的表面之間的夾角θ1位於上述範圍中，當本變化實施例的子發光模組SM應用於拼接顯示裝置時，可降低電路層CL因進入縫隙的光反射而被使用者察覺的情形，進而降低拼接顯示裝置的縫隙感。

綜上所述，本揭露了提供了一種電子裝置的製造方法，其中藉由本揭露的製造方法所形成的電子裝置的圖案化光吸收層可位於電路層與發光單元之間。因此，圖案化光吸收層可減少環境光被電路層反射所產生的非顯示光，進而改善電子裝置的對比度。此外，根據本揭露的製造方法，可先在載板上將發光模組分成子發光模組，再將子發光模組轉移到目標基板上以形成電子裝置，藉此降低轉移製程的難度。以上所述僅為本揭露之實施例，凡依本揭露申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本揭露之涵蓋範圍。

100,200,300:方法 BP,BP1,BP2,BP3:接合墊 BR:接合區域 CL:電路層 CP:覆蓋層 CR:載板 CS:支撐基板 CT:切割道 E1:第一電極 E2:第二電極 ED:電子裝置 EN:封裝層 F2、F1:邊緣 GP:間隙 HE:轉移頭 HIN:高折射率絕緣層 IL:絕緣層 IOL1:第一無機層 IOL2:第二無機層 L1:光線 LIN:低折射率絕緣層 LL:發光層 LM:發光模組 LS:圖案化光吸收層 LS2,LS3:遮光層 LU,LU1,LU2,LU3:發光單元 OL1:第一有機層 OS:出光面 PL:保護層 PU:像素單元 RI:光調整層 RL:絕緣層 RS:凹槽 S102,S104,S1042,S1044,S1046,S106,S302,S304,S3042,S3044,S3046,S306,S308:步驟 SC:犧牲層 SM,SM1,SM2:子發光模組 SUP:支撐基板 T1:最大寬度 TOS,TOS1:頂表面 TS:目標基板 VA:開口 W2,W1,W3,W4,W5,T2:距離 W6:接合寬度 W7,W8,T3,H2,H1,W9,W10:寬度 WL:走線層 X,Y,Z:方向 θ1:夾角

圖1為本揭露第一實施例的電子裝置的製造方法的流程示意圖。圖2到圖3為本揭露第一實施例的電子裝置的製造流程示意圖。圖4到圖5為本揭露第一實施例的一變化實施例的電子裝置的製造流程示意圖。圖6為本揭露第二實施例的電子裝置的製造方法的流程示意圖。圖7到圖9為本揭露第二實施例的電子裝置的製造流程示意圖。圖10為本揭露第二實施例的一變化實施例的發光模組的剖視示意圖。圖11為本揭露第二實施例的一變化實施例的光吸收層的設置示意圖。圖12為本揭露第二實施例的一變化實施例的發光模組的剖視示意圖。圖13為本揭露第二實施例的一變化實施例的發光模組的剖視示意圖。圖14為本揭露第三實施例的電子裝置的製造方法的流程示意圖。圖15到圖16為本揭露第三實施例的電子裝置的製造流程示意圖。圖17為本揭露第三實施例的一變化實施例的發光模組的俯視示意圖。圖18為本揭露第三實施例的一變化實施例的發光模組的電路層的底視示意圖。圖19為本揭露第三實施例的一變化實施例的子發光模組的轉移過程的示意圖。圖20為本揭露第三實施例的一變化實施例的子發光模組的轉移過程的示意圖。圖21到圖22為本揭露第三實施例的一變化實施例的電子裝置的製造示意圖。圖23為圖21所示的支撐基板的不同設置方法的示意圖。圖24為本揭露第三實施例的一變化實施例的電子裝置的製造示意圖。圖25為本揭露第三實施例的一變化實施例的電子裝置的製造示意圖。圖26為本揭露第三實施例的一變化實施例的電子裝置的製造示意圖。

BP:接合墊

CL:電路層

CS:支撐基板

E1:第一電極

E2:第二電極

ED:電子裝置

IL:絕緣層

LL:發光層

LM:發光模組

LS:圖案化光吸收層

LU:發光單元

OS:出光面

PL:保護層

TS:目標基板

VA:開口

WL:走線層

X,Y,Z:方向

Claims

一種製造電子裝置的方法，包括：提供一載板；在所述載板上形成一發光模組，其包括：將一發光單元轉移到所述載板；在所述載板上形成一電路層；以及在所述載板上形成一圖案化光吸收層，所述圖案化光吸收層包括一開口，所述發光單元通過所述開口電連接到所述電路層；以及將所述發光模組轉移到一目標基板。
根據請求項1所述的方法，其中，在所述載板上形成所述電路層的步驟是在將所述發光單元轉移到所述載板之前所進行。
根據請求項1所述的方法，其中，在所述載板上形成所述電路層的步驟是在將所述發光單元轉移到所述載板之後所進行。
根據請求項3所述的方法，還包括在將所述發光模組轉移到所述目標基板之前，先將所述發光模組轉移到另一載板。
根據請求項1所述的方法，其中，所述圖案化光吸收層是藉由印刷製程形成在所述載板上。
根據請求項1所述的方法，其中，所述圖案化光吸收層是藉由微影製程形成在所述載板上。
根據請求項1所述的方法，其中，所述目標基板被配置為可驅動所述發光單元。
一種製造電子裝置的方法，包括：提供一載板；在所述載板上形成一發光模組，其包括：將複數個發光單元轉移到所述載板；以及在所述載板上形成一電路層；在所述載板上將所述發光模組分成複數個子發光模組；以及在所述載板上將所述發光模組分成所述複數個子發光模組之後，將所述複數個子發光模組中的至少一個子發光模組轉移到一目標基板。
根據請求項8所述的方法，還包括在所述複數個子發光模組中的所述至少一個子發光模組上提供一支撐基板，並轉移具有所述支撐基板的所述至少一個子發光模組。
根據請求項9所述的方法，還包括反轉具有所述支撐基板的所述至少一個子發光模組。
根據請求項8所述的方法，還包括在所述載板上將所述發光模組分成所述複數個子發光模組之前，先在所述發光模組上提供一支撐基板，並轉移具有所述支撐基板的所述至少一個子發光模組。
根據請求項8所述的方法，還包括在所述載板上形成所述發光模組之前，先在所述載板上形成一犧牲層，其中所述犧牲層設置在所述載板與所述發光模組之間。