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TW202248030A - 光學積層體及其捲繞體 - Google Patents

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TW202248030A
TW202248030A TW111109235A TW111109235A TW202248030A TW 202248030 A TW202248030 A TW 202248030A TW 111109235 A TW111109235 A TW 111109235A TW 111109235 A TW111109235 A TW 111109235A TW 202248030 A TW202248030 A TW 202248030A
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藤井幹士
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日商住友化學股份有限公司
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Abstract

本發明之課題為提供變形受到抑制之光學積層體及其捲繞體。

上述課題之解決手段為一種光學積層體，係依序積層含有聚合性液晶化合物的硬化物層之第1相位差層、接著劑層、及光學層。第1相位差層在俯視下具有含有第1相位差層的端部之第1區域、及與第1區域鄰接之第2區域。在第1相位差層之俯視下，沿著與上述端部交叉之交叉方向依序配置上述端部、第1區域、及第2區域。第1相位差層之靠接著劑層側的面中，第1區域之氟含量小於第2區域之氟含量。

Description

光學積層體及其捲繞體
本發明係關於光學積層體及其捲繞體。
液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置等顯示裝置中係使用含有偏光板或相位差板等光學膜之構件。該含有光學膜之構件已知有一種光學積層體，係於基材層上塗布含有聚合性液晶化合物之液晶組成物後，使聚合性液晶化合物聚合硬化，藉此形成相位差層，於該相位差層上透過接著劑層積層偏光片者(例如專利文獻1等)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2015-191142號公報。
光學積層體通常製造為長條物，該長條光學積層體在捲繞為捲筒狀之狀態下於市場流通或保管等。經發現，在將光學積層體捲繞為捲筒狀之捲繞 體中，在捲繞體之捲繞軸方向的端部附近中表面整體不平滑，尤其是在薄膜化之光學積層體中會有產生凹凸的情形。從表面變形之捲繞體拉出的光學積層體，會有膜面整體沿著水平面為不平坦而變形的情形，故不適合對光學積層體進行加工處理或應用於顯示裝置等。
本發明之目的在於提供具有含有聚合性液晶化合物的硬化物層之相位差層且變形受到抑制之光學積層體、及其捲繞體。
本發明提供以下之光學積層體。
〔1〕一種光學積層體，係依序積層包含聚合性液晶化合物的硬化物層之第1相位差層、接著劑層、及光學層，其中，
前述第1相位差層在俯視下具有含有前述第1相位差層的端部之第1區域、及與前述第1區域鄰接之第2區域，
在前述第1相位差層之俯視下，沿著與前述端部交叉之交叉方向依序配置有前述端部、前述第1區域、及前述第2區域，
在前述第1相位差層之靠前述接著劑層側的面中，前述第1區域之氟含量小於前述第2區域之氟含量。
〔2〕如〔1〕所述之光學積層體，其中，前述第1區域係含有在前述端部與從前述端部起朝前述交叉方向距離100μm的位置之間的區域，
前述第2區域係含有在前述第1區域與前述第2區域的邊界位置和從前述端起朝前述交叉方向距離1000μm的位置之間的區域，
在前述第1相位差層之靠前述接著劑層側的面中，從前述端部起距離100μm的位置中的氟含量F1[atm%]、及從前述端部起距離1000μm的位置中的氟含量F2[atm%]滿足下式(A)之關係。
F1[atm%]≦F2[atm%]-2.5[atm%](A)。
〔3〕如〔1〕或〔2〕所述之光學積層體，其中，前述第1相位差層之厚度為0.5μm以上10μm以下。
〔4〕如〔1〕至〔3〕中任一項所述之光學積層體，其中，前述第1相位差層之俯視形狀為矩形，
前述端部為位於前述矩形的周緣的端部。
〔5〕如〔1〕至〔4〕中任一項所述之光學積層體，其中，前述第1相位差層具有朝前述光學積層體的積層方向貫通之貫通孔，
前述端部為位於前述貫通孔的周緣的端部。
〔6〕如〔1〕至〔5〕中任一項所述之光學積層體，其中，前述光學層為含有聚合性液晶化合物的硬化物層之第2相位差層。
〔7〕如〔6〕所述之光學積層體，更具有線性偏光片，
前述線性偏光片係積層於前述第1相位差層或前述光學層之與前述接著劑層側為相反側處。
〔8〕如〔1〕至〔5〕中任一項所述之光學積層體，其中，前述光學層包含線性偏光片。
〔9〕如〔8〕所述之光學積層體，進一步包含含有聚合性液晶化合物的硬化物層之第3相位差層，
前述第3相位差層係積層於前述第1相位差層之與前述接著劑層側為相反側處。
〔10〕一種捲繞體，係將〔1〕至〔9〕中任一項所述之光學積層體捲繞為捲筒狀而成者。
根據本發明，可抑制具有含有聚合性液晶化合物的硬化物層之相位差層之光學積層體的變形。
1,2,3,4,5:光學積層體
10:第1相位差層
11a,11b:第1區域
12a,12b:第2區域
15:貫通孔
18:第1基材層
20:接著劑層
21:第1貼合層
23:第3貼合層
30:光學層
31:第2基材層
32:第2相位差層(光學層)
33:第3相位差層
34:第3基材層
35:偏光板(光學層)
P1a,P2a,P1b,P2b:位置
Sa,Sb:端部
圖1係示意性表示本發明的一實施型態之光學積層體的剖面圖。
圖2係示意性表示圖1所示光學積層體之第1相位差層側的一例的平面圖。
圖3係示意性表示圖1所示光學積層體之第1相位差層側的另一例的平面圖。
圖4係示意性表示圖1所示光學積層體之第1相位差層側的又另一例的平面圖。
圖5係示意性表示本發明的另一實施型態之光學積層體的剖面圖。
圖6係示意性表示本發明的又另一實施型態之光學積層體的剖面圖。
圖7係示意性表示本發明的又另一實施型態之光學積層體的剖面圖。
圖8係示意性表示本發明的又另一實施型態之光學積層體的剖面圖。
以下參照圖式說明本發明之光學積層體之實施型態。以下所示各實施型態可任意組合。各實施型態及各圖式中，與先前所說明構件相同或相當的構件係附以相同或對應的符號並省略重複說明。又，為了容易理解各構成要件，各圖式係適當調整比例而表示，圖式所示各構成要件之比例與實際構成要件之比例未必一致。
〔實施型態1〕
圖1為示意表示本實施型態之光學積層體的剖面圖。圖2及圖3為示意表示圖1所示光學積層體之第1相位差層側的平面圖。
如圖1所示，光學積層體1係依序積層第1相位差層10、接著劑層20、及光學層30者。第1相位差層10含有聚合性液晶化合物的硬化物層，且可進一步含有用以使聚合性液晶化合物配向之配向層。第1相位差層10例如可為λ/4相位差層、λ/2相位差層、或正型C層等。接著劑層20為由接著劑組成物硬化的層。光學層30為具有穿透光的功能、反射光的功能、吸收光的功能等光學功能的層。第1相位差層10與接著劑層20通常以直接相接之方式設置。接著劑層20與光學層30通常以直接相接之方式設置。
光學積層體1之俯視形狀無特別限定，例如可為矩形、正方形、或矩形及正方形以外之其他形狀。其他形狀可舉例如多邊形、圓形、橢圓形。光學積層體1可為具有於矩形、正方形、或其他形狀之外周緣形成有凹部的異形形狀者，或可為具有矩形、正方形、或多邊形之角形成為圓角(具有R的形狀)的圓角形狀者，或可為後述之具有貫通孔者。光學積層體1可為葉片體，也可為長條膜狀物。光學積層體1為長條膜狀物時，可將光學積層體1捲繞為捲筒狀而形成捲繞體。
如圖2及圖3所示，光學積層體1之第1相位差層10在俯視下具有含有端部Sa之第1區域11a、及與第1區域11a鄰接之第2區域12a。在第1相位差層10之俯視下，沿著與端部Sa交叉之第1交叉方向X1(交叉方向)依序配置端部Sa、第1區域11a、及第2區域12a。端部Sa例如為位於第1相位差層10之外周緣的端部，如圖2及圖3所示，第1相位差層10之俯視形狀為矩形時，可為位於矩形之周緣的端部。如圖2及圖3所示，端部Sa可含有第1相位差層10的1邊整體，也可為1邊的一部分。第1交叉方向X1只要為與端部Sa交叉之方向，則無特別限定，如圖2及圖3所示，可為與端部Sa正交之方向。
在光學積層體1之第1相位差層10之靠接著劑層20側的面中，第1區域11a之氟含量小於第2區域12a之氟含量。本說明書中，氟含量是指氟原子的含量。第1相位差層10之靠接著劑層20側的面中的氟原子含量可藉由後述實施例所記載方法而測定。存在於第1相位差層10之氟原子為用以形成第1相位差層10之材料所含有的氟原子，例如調平劑所含有的氟原子。
製造光學積層體1時，在第1相位差層10上塗布或壓散接著劑組成物，藉此形成接著劑層20。已知在第1相位差層10之靠接著劑層20側的面中，端部Sa附近之區域的氟含量和與該區域鄰接之區域相同或大於該區域時，形成於端部Sa附近之區域之接著劑層的厚度會變厚。咸認為其原因如下，在具有上述氟含量的端部Sa附近之區域中，會因被塗布或壓散於該區域之接著劑組成物的表面凹陷或表面張力，而使接著劑組成物容易滯留。若接著劑組成物滯留於端部Sa附近之區域，則形成於第1相位差層與光學層之間之接著劑層的厚度會變得不均一。若將具有該厚度不均一的接著劑層之光學積層體捲繞為捲筒狀， 則捲繞體表面整體不平滑，尤其端部Sa附近之區域中容易產生凹凸，會有從捲繞體拉出的光學積層體變形的情形。
對此，如上述，本實施型態之光學積層體1中，在第1相位差層10之靠接著劑層20側的面中，第1相位差層10之含有端部Sa的第1區域11a之氟含量小於第2區域12a之氟含量。因此，在製造光學積層體1時，於第1相位差層10上塗布或壓散接著劑組成物時，可抑制第1區域11a中接著劑組成物產生滯留。藉此可使形成於第1相位差層10上之接著劑層20之厚度整體均一地形成，故將光學積層體1捲繞為捲筒狀之捲繞體的表面不易產生凹凸，表面整體容易變得平滑。因此可抑制從捲繞體拉出的光學積層體1的變形。
光學積層體1之第1相位差層10之靠接著劑層20側的面中的氟含量通常會從第1區域11a所含有的端部Sa起沿著第1交叉方向X1增加。該氟含量之增加可為連續性，也可為階段性。
第1區域11a為含有第1相位差層的端部Sa之區域，只要第1相位差層10之靠接著劑層20側的面中的氟含量小於與第1交叉方向X1鄰接之第2區域12a，則其範圍並無特別限定。如圖2及圖3所示，第1區域11a可含有在第1相位差層10的端部Sa與從端部Sa起往第1交叉方向X1距離100μm的位置P1a之間的區域。例如第1區域11a可為從端部Sa到位置P1a為止的區域，或如圖2及圖3所示，可為含有以含有位置P1a之方式從端部Sa起往第1交叉方向X1超過100μm的範圍。
於第1相位差層10可設置2個以上的第1區域11a。例如第1相位差層10為矩形時，如圖3所示，可以分別含有相對向的1對邊的端部Sa、Sa’之方式，而於第1相位差層10設置2個第1區域11a。第1相位差層10具有2 個以上之第1區域11a時，各第1區域11a之上述氟含量可彼此相同，也可彼此相異。
第2區域12a為在第1交叉方向X1與第1區域11a鄰接之區域，只要第1相位差層10之靠接著劑層20側的面中的氟含量大於第1區域11a，則其範圍並無特別限定。如圖2及圖3所示，第2區域12a可含有在第1區域11a與第2區域12a的邊界位置和從端部Sa起往第1交叉方向X1距離1000μm的位置P2a之間的區域。例如第2區域12a可為從上述邊界位置直到位置P2a為止的區域，或如圖2及圖3所示，可為含有以含有位置P2a之方式從端部Sa起往第1交叉方向X1超過1000μm的範圍。第1區域11a與第2區域12a的邊界位置可為位置P1a的位置，也可為從端部Sa起往第1交叉方向X1超過100μm的位置(超過位置P1a的位置)。第2區域12a可含有位置P2a。
於第1相位差層10可設置2個以上的第2區域12a。例如第1相位差層10為矩形時，如圖3所示，可以分別與2個第1區域11a、11a鄰接之方式設置2個第2區域12a、12a，也可以與2個第1區域11a兩者鄰接之方式設置1個第2區域12a。第1相位差層10具有2個以上的第2區域12a時，各第2區域12a之上述氟含量可彼此相同，也可彼此相異。
第1區域11a含有在端部Sa與位置P1a之間的區域，且第2區域12a含有在第1區域11a與第2區域12a的邊界位置和位置P2a之間的區域時，在第1相位差層10之靠接著劑層20側的面中，位置P1a中的氟含量F1[atm%]與位置P2a中的氟含量F2[atm%]較佳為滿足下式(A)之關係。
F1[atm%]≦F2[atm%]-2.5[atm%]...(A)。
F1可為F2-2.8以下，也可為F2-3.0以下，也可為F2-3.1以下。藉由使F1在上述式(A)之範圍內，而在第1相位差層10之第1區域11a中容易抑制接著劑組成物產生滯留。因此可使光學積層體1之捲繞體表面不易產生凹凸，故可抑制從捲繞體拉出的光學積層體1的變形。
在第1相位差層10之靠接著劑層20側的面中，在端部Sa與位置P1a之間的區域中的氟含量較佳為小於位置P1a中的氟含量F1。例如從端部Sa起距離50μm的位置中的氟含量F50可為F1-1.0以下，也可為F1-1.5以下，也可為F1-2.0以下，又，可為F2-3.0以下，也可為F2-4.0以下，也可為F2-5.0以下。
在第1相位差層10之靠接著劑層20側的面中，在位置P1a與位置P2a之間的氟含量較佳為大於位置P1a中的氟含量F1且小於位置P2a中的氟含量。例如從端部Sa起距離500μm的位置中的氟含量F500可為F2-0.3以上，也可為F2-0.5以上，也可為F2-0.7以上，又，可為F1+1.0以上，也可為F1+1.5以上，也可為F1+2.0以上。
例如可藉由以下方法而調整第1相位差層10之第1區域11a及第2區域12a之氟含量。首先準備含有氟原子之原料相位差層。例如於第1基材層塗布混合含有聚合性液晶化合物及氟原子之材料等的組成物而形成塗布層，並使塗布層中的聚合性液晶化合物聚合硬化，藉此可獲得原料相位差層。塗布層可形成於配向層上，該配向層形成於第1基材層上。含有氟原子之材料可舉例如調平劑等。對以上述方式所獲得之第1基材層及原料相位差層的原料積層體的端部實施熱處理。藉此可降低含有端部Sa之第1區域11a之氟含量，故可使第1區域11a之氟含量小於第2區域12a之氟含量。
對原料積層體的端部實施之熱處理只要為可降低第1相位差層10之氟含量的處理，則無特別限定，可舉例如以火焰烘烤原料積層體的端部的火焰處理或ITRO處理、以熱線烘烤原料積層體之熱線處理等。藉由火焰或熱線進行的烘烤只要以使火焰或熱線的熱快速地接觸原料積層體的端面之方式進行即可。熱處理可對於1片原料積層體的端面進行，但若為長條原料積層體，也可對於將原料積層體捲繞為捲筒狀之原料輥的端面進行，若為單片狀原料積層體，也可對於重疊複數片(例如10至50片)原料積層體之積層結構物的端面進行。
例如可將形成於第1基材層上之第1相位差層10與光學層30透過接著劑層20予以積層，藉此製造光學積層體1。用以形成接著劑層20之接著劑組成物可塗布於第1相位差層10側，也可塗布於光學層30側，也可塗布於該等兩者。若透過塗布於第1相位差層10及光學層30中之至少一者之接著劑組成物積層第1相位差層10與光學層30，則在第1相位差層10與光學層30之間接著劑組成物會被壓散。接著劑組成物之塗布方法可舉出光學領域中使用之公知塗布方法，具體而言可舉出旋轉塗層法、擠壓法、凹板塗布法、模塗層法、狹縫塗層法、棒式塗層法、缺角輪塗層法、塗布器法、柔版法等。在透過接著劑組成物積層第1相位差層10與光學層30後進行硬化，藉此可形成接著劑層20。形成接著劑層20後可剝離第1基材層。
將光學積層體1捲繞為捲筒狀之捲繞體例如可捲繞於捲芯而獲得。捲繞體之捲繞軸方向之長度並無特別限定，通常為300mm以上2000mm以下，可為1000mm以上，也可為1200mm以上，又，可為1800mm以下，也可為1500mm以下。捲繞體之直徑並無特別限定，通常為50mm以上1000mm以下， 可為100mm以上，也可為300mm以上，又，可為800mm以下，也可為500mm以下。
〔實施型態2〕
圖4為示意表示圖1所示光學積層體之第1相位差層側的另一例的平面圖。圖4中表示第1相位差層10具有貫通孔15時之第1相位差層10的平面圖，該貫通孔15係朝光學積層體1的積層方向貫通。
如圖4所示，光學積層體1至少於第1相位差層10具有貫通孔15，該貫通孔15係朝光學積層體1的積層方向貫通。構成光學積層體1之光學層30及接著劑層20可於與第1相位差層10之貫通孔15對應的位置具有貫通孔。又，光學積層體1係以朝該積層方向貫通之方式具有貫通孔，且構成光學積層體1之所有的層可具有貫通孔。
第1相位差層10所具有的貫通孔15只要是朝光學積層體1的積層方向貫通者，則形狀、大小、及數目等並無特別限定。貫通孔15之形狀例如可設為：圓形(正圓形)；橢圓形；長圓形；三角形或四角形等多邊形；多邊形之至少1個角形成為圓角(具有R之形狀)的圓角多邊形等。圖4中表示貫通孔15為圓形(正圓形)的情形。
貫通孔15的直徑較佳為0.5mm以上，可為1mm以上，也可為2mm以上，也可為3mm以上。貫通孔15的直徑較佳為20mm以下，可為15mm以下，也可為10mm以下，也可為7mm以下。本說明書中，貫通孔15的直徑在貫通孔之俯視形狀為圓形(正圓形)時為該圓的直徑，在貫通孔之俯視形狀為圓形(正圓形)以外時，為俯視下貫通孔之外接圓(正圓形)的直徑。
第1相位差層10所具有之貫通孔15可為1個，也可為2以上。具有2個以上的貫通孔15時，其形狀及大小可分別相同或相異。
圖4所示之第1相位差層10在俯視下具有含有端部Sb之第1區域11b、及與第1區域11b鄰接之第2區域12b。在第1相位差層10之俯視下，沿著與端部Sb交叉之第2交叉方向X2(交叉方向)依序配置端部Sb、第1區域11b、及第2區域12b。第1相位差層10具有貫通孔15時，如圖4所示，端部Sb可為貫通孔15之周緣的端部，也可為該端部之一部分或全部。第2交叉方向X2只要為與端部Sb交叉之方向，則無特別限定，第1區域11b所含有的端部Sb為第1相位差層10之貫通孔15部分之周緣整體時，不限於圖4所示第2交叉方向X2，亦可為與例如圖2及圖3所示第1交叉方向X1相同之方向。
圖4所示之第1相位差層10中，如先前實施型態中有關含有位於第1相位差層10之外周緣的端部Sa之第1區域11a、及與其鄰接之第2區域12a的說明一般(圖2及圖3)，在光學積層體1之第1相位差層10之靠接著劑層20側的面中，含有端部Sb之第1區域11b之氟含量小於第2區域12b之氟含量。
光學積層體1之第1相位差層10之靠接著劑層20側的面中的氟含量通常會從第1區域11b所含有的端部Sb起沿著第2交叉方向X2增加。該氟含量的增加可為連續性，也可為階段性。
第1區域11b只要為含有第1相位差層10的端部Sb，且第1相位差層10之靠接著劑層20側的面中的氟含量小於在第2交叉方向X2鄰接之第2區域12b的區域，則其範圍並無特別限定。如圖4所示，第1區域11b可含有在端部Sb與從端部Sb起往第2交叉方向X2距離100μm的位置P1b之間的區 域。例如第1區域11b可為從端部Sb直到位置P1b為止的區域，或如圖4所示，可含有以含有位置P1b之方式從端部Sb起往第2交叉方向X2超過100μm的範圍。於第1相位差層10可設置2個以上的第1區域11b，各第1區域11b之上述氟含量可彼此相同，也可彼此相異。
第2區域12b只要為朝第2交叉方向X2與第1區域11b鄰接，且第1相位差層10之靠接著劑層20側的面中的氟含量大於第1區域11b的區域，則其範圍並無特別限定。如圖4所示，第2區域12b可含有在第1區域11b與第2區域12b的邊界位置和從端部Sb起往第2交叉方向X2距離1000μm的位置P2b之間的區域。例如第2區域12b可為從上述邊界位置起直到位置P2b為止的區域，或如圖4所示，可含有以含有位置P2b之方式從端部Sb起往第1交叉方向X1超過1000μm的範圍。第1區域11b與第2區域12b的邊界位置可為位置P1b的位置，也可為從端部Sb起往第2交叉方向X2超過100μm的位置(超過位置P1b的位置)。於第1相位差層10可設置2個以上的第2區域12b，各第2區域12b之上述氟含量可彼此相同，也可彼此相異。
第1區域11b含有在端部Sb與位置P1b之間的區域，且第2區域12b含有在上述邊界位置與從端部Sb起直到位置P2b之間的區域時，在第1相位差層10之靠接著劑層20側的面中，位置P1b中的氟含量F1[atm%]與位置P2b中的氟含量F2[atm%]較佳為滿足上述式(A)之關係。F1、F50、及F500之較佳範圍如上述。
如上述，咸認為於第1相位差層10設置第1區域11b及第2區域12b時，可抑制光學積層體1捲繞為捲筒狀之捲繞體的表面產生凹凸，並可提高表面整體之平滑性。藉此可期待從捲繞體拉出的光學積層體1的變形受到抑制。
第1相位差層10之第1區域11b及第2區域12b之氟含量例如可藉由先前實施型態中所說明方法而調整。
以下說明光學積層體之具體的層結構。
(光學積層體之例(1))
圖5及圖6為示意表示本實施型態之光學積層體的剖面圖。圖5及圖6所示光學積層體2、3為圖1所示光學積層體1中的光學層30為第2相位差層32者。
如圖5及圖6所示，光學積層體2、3係包含第1相位差層10、接著劑層20、及第2相位差層32(光學層30)。第2相位差層32可為延伸膜，也可含有聚合性液晶化合物的硬化物層。第2相位差層32含有上述硬化物層時，第2相位差層32可進一步含有用以使聚合性液晶化合物配向之配向層。光學積層體2、3或第1相位差層10可具有貫通孔，該貫通孔係朝光學積層體2、3的積層方向貫通。
如圖5所示，光學積層體2可在第1相位差層10之與接著劑層20側為相反側處依序積層第1貼合層21、及具有線性偏光片之偏光板35，也可在第2相位差層32之與接著劑層20側為相反側處積層第2基材層31。或者，光學積層體2可在第2相位差層32之與接著劑層20側為相反側處依序積層第2貼合層、及具有線性偏光片之偏光板，也可在第1相位差層10之與接著劑層20側為相反側處積層第1基材層。偏光板35可於線性偏光片之單面或雙面具有保護層並透過接著劑組成物或黏著劑(pressure-sensitive adhesive)組成物積層線性偏光片與保護層，也可於線性偏光片上直接積層保護層。第2貼合層為接著劑組成物的硬化物之接著劑層、或由黏著劑組成物所形成之黏著劑層。
如圖6所示，光學積層體3可於第1相位差層10之與接著劑層20側為相反側處具有第1基材層18。又，如圖6所示，光學積層體3可進一步於第2相位差層32之與接著劑層20側為相反側處具有第2基材層31。
第2相位差層32含有聚合性液晶化合物的硬化物層時，第2相位差層32可在靠接著劑層20側的面具有氟含量相異之區域。具體而言，第2相位差層32在俯視下具有含有第2相位差層32的端部之第1’區域、及與第1’區域鄰接之第2’區域，在第2相位差層32之俯視下，沿著與上述端部交叉之交叉方向依序配置上述端部、第1’區域及第2’區域時，第1’區域之氟含量可小於第2’區域之氟含量。第2相位差層32之上述端部可為位於第2相位差層32之外周緣的端部、或位於貫通孔之周緣之第2相位差層32的端部。
上述端部、第1’區域、及第2’區域可分別如第1相位差層10的端部Sa、Sa’、Sb、第1區域11a、11b、及第2區域12a、12b的說明般構成。例如第1’區域可含有在第2相位差層32之第1’區域所含有的端部與從該端部起往上述交叉方向距離100μm的位置P1’之間的區域。第2’區域可含有在第2相位差層32之第1’區域與第2’區域的邊界位置和從第1’區域所含有的端部起往上述交叉方向距離1000μm的位置P2’之間的區域。
在第2相位差層32之靠接著劑層20側的面中，位置P1’中的氟含量F1[atm%]及位置P2’中的氟含量F2[atm%]較佳為滿足上述式(A)之關係。F1、F50、及F500之較佳範圍如上述。
光學積層體2、3中，第1相位差層10及第2相位差層32之組合可舉出λ/2相位差層與λ/4相位差層、或λ/4相位差層與正型C層。第1相位 差層10及第2相位差層32中的一者為λ/4相位差層時，光學積層體2可構成圓偏光板。
例如可將於第1基材層18上形成有第1相位差層10之第1積層體、及於第2基材層31上形成有第2相位差層32之第2積層體透過接著劑層20予以積層，藉此可製造圖6所示光學積層體3。用以形成接著劑層20之接著劑組成物可塗布於第1積層體之第1相位差層10側，也可塗布於第2積層體之第2相位差層32側，也可塗布於該等兩者。接著劑組成物之塗布方法可舉出上述方法。可在將第1積層體及第2積層體透過接著劑組成物予以積層後進行硬化，藉此形成接著劑層。
例如可從圖6所示光學積層體3剝離第1基材層18，於露出之第1相位差層10上透過第1貼合層21積層偏光板35，藉此製造圖5所示光學積層體2。
(光學積層體之例(2))
圖7及圖8為示意性表示本實施型態之光學積層體的剖面圖。圖7及圖8所示光學積層體4、5為圖1所示光學積層體1中的光學層30為具有線性偏光片之偏光板35者。如圖7及圖8所示，光學積層體4、5具有第1相位差層10、接著劑層20、及偏光板35(光學層30)。光學積層體4、5或第1相位差層10可具有貫通孔，該貫通孔係朝光學積層體4、5的積層方向貫通。
如圖7所示，光學積層體4可於第1相位差層10之與接著劑層20為相反側處具有第1基材層18。
如圖8所示，光學積層體5可於第1相位差層10之與接著劑層20側為相反側處依序積層第3貼合層23及第3相位差層33。也可於第3相位差層33之與第3貼合層23為相反側處積層第3基材層34。
第3相位差層33可為延伸膜，也可含有聚合性液晶化合物的硬化物層。第3相位差層33為含有聚合性液晶化合物的硬化物層時，第3貼合層23側的面可如第2相位差層32中所說明般具有氟含量相異之區域。第3貼合層23為屬於接著劑組成物的硬化物之接著劑層或黏著劑層。
光學積層體4之第1相位差層10為λ/4相位差層時，光學積層體4可構成圓偏光板。光學積層體5中，第1相位差層10與第3相位差層33的組合可舉出λ/2相位差層及λ/4相位差層、或λ/4相位差層及正型C層。第1相位差層10及第3相位差層33中的一者為λ/4相位差層時，光學積層體5可構成圓偏光板。
例如可將於第1基材層18上形成有第1相位差層10之第1積層體及具有線性偏光片之偏光板35透過接著劑層20予以積層，藉此製造圖7所示光學積層體4。用以形成接著劑層之接著劑組成物可塗布於第1積層體之第1相位差層10側，也可塗布於偏光板35側，也可塗布於該等兩者。接著劑組成物之塗布方法可舉出上述方法。可將第1積層體及偏光板透過接著劑組成物予以積層後進行硬化，藉此形成接著劑層。
例如可從圖7所示光學積層體4剝離第1基材層18，於露出之第1相位差層10上，透過第3貼合層23積層於第3基材層34上形成有第3相位差層33之第3積層體，藉此製造圖8所示光學積層體5。
光學積層體1至5之厚度並無特別限定，可為500μm以下，也可為300μm以下，也可為200μm以下。光學積層體1至5之厚度可為10μm以上，也可為50μm以上。若將厚度為200μm以下且未將第1相位差層之靠接著劑層側的面中的氟含量如光學積層體1至5所述般調整之光學積層體捲繞為捲筒狀，則光學積層體有容易產生變形之傾向。對此，如光學積層體1至5所述般調整第1相位差層之接著劑層側之氟含量，藉此即使在厚度為200μm以下的情形中，也容易抑制光學積層體1至5所產生的變形。
以下具體說明上述說明之光學積層體1至5所使用的材料等。
(第1相位差層)
第1相位差層只要為含有聚合性液晶化合物的硬化物層者，則無特別限定。第1相位差層除了上述硬化物層以外可含有用以使聚合性液晶化合物配向之配向層。第1相位差層含有氟原子。
第1相位差層之厚度並無特別限定，可為10μm以下，也可為8μm以下，也可為5μm以下，又，可為0.5μm以上，也可為0.8μm以上，也可為1μm以上。第1相位差層之厚度在上述範圍時，在第1相位差層之靠接著劑層側的面中，使第1區域之氟含量小於第2區域之氟含量，藉此可有效抑制光學積層體的變形。
第1相位差層可使用含有聚合性液晶化合物之第1組成物而形成，第1組成物較佳為包含含有氟原子之調平劑(以下稱為「調平劑(F)」)。調平劑(F)可舉出「Megafac(註冊商標)R-08」、同系列之「R-30」、同系列之「R-90」、同系列之「F-410」、同系列之「F-411」、同系列之「F-443」、同系列之「F-445」、同系列之「F-470」、同系列之「F-471」、同系列之「F-477」、同系列之「F-479」、 同系列之「F-482」、同系列之「F-483」、及同系列之「F-556」(DIC股份有限公司)；「surflon(註冊商標)S-381」、同系列之「S-382」、同系列之「S-383」、同系列之「S-393」、同系列之「SC-101」、同系列之「SC-105」、「KH-40」、及「SA-100」(AGC SEIMI CHEMICAL股份有限公司)；「E1830」、「E5844」(DAIKIN精化研究所股份有限公司)；「Eftop EF301」、「Eftop EF303」、「Eftop EF351」、及「Eftop EF352」(Mitsubishi Materials Electronic Chemicals股份有限公司)等。
聚合性液晶化合物為具有聚合性反應基且顯示液晶性之化合物。聚合性反應基為參與聚合反應的基，較佳為光聚合性反應基。光聚合性反應基為可藉由從光聚合起始劑產生的活性自由基或酸等而參與聚合反應的基。光聚合性官能基可舉出乙烯基、乙烯氧基、1-氯乙烯基、異丙烯基、4-乙烯基苯基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、環氧乙烷基、氧雜環丁烷基等。其中較佳為丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、乙烯氧基、環氧乙烷基、及氧雜環丁烷基，更佳為丙烯醯氧基。聚合性液晶化合物之種類無特別限定，可使用棒狀液晶化合物、圓盤狀液晶化合物、及該等的混合物。聚合性液晶化合物之液晶性可為熱致性液晶或溶致性液晶，相排列結構可為向列型液晶或層列液晶。
相對於聚合性液晶化合物100質量份，第1組成物所含有之調平劑(F)較佳為0.01質量份以上，更佳為0.05質量份以上，又，較佳為5質量份以下，更佳為3質量份以下。
第1組成物可進一步含有聚合起始劑、光增敏劑、聚合抑制劑、溶劑、調平劑(F)以外之調平劑等。
第1相位差層可含有之配向層具有使聚合性液晶化合物往期待方向進行液晶配向之配向限制力。配向層較佳為具有不會因塗布第1組成物等而溶解之耐溶劑性，且在用以去除溶劑或使聚合性液晶化合物配向的加熱處理中具有耐熱性者。配向層可分別獨立地舉出含有配向性聚合物之配向層、光配向層、於表面形成凹凸圖案或複數條溝並配向之溝槽配向層等。
(第2相位差層、第3相位差層)
第2相位差層及第3相位差層可分別獨立地為由延伸膜所構成之層，也可為含有聚合性液晶化合物的硬化物層者。第2相位差層及第3相位差層含有聚合性液晶化合物的硬化物層時，第2相位差層及第3相位差層可含有用以使聚合性液晶化合物配向之配向層，硬化物層可含有氟原子。
第2相位差層及第3相位差層之厚度並無特別限定，可分別獨立地為50μm以下，也可為30μm以下，也可為15μm以下，也可為13μm以下，也可為10μm以下，也可為5μm以下，通常為0.1μm以上，可為0.5μm以上，也可為1μm以上，也可為5μm以上，也可為10μm以上。
第2相位差層及第3相位差層為延伸膜時，可使用對由後述第1基材層、第2基材層、及第3基材層中所例示的樹脂材料所形成之膜進行單軸延伸或雙軸延伸而成之延伸膜。
第2相位差層及第3相位差層含有聚合性液晶化合物的硬化物層時，該硬化物層可使用含有聚合性液晶化合物之第2組成物而形成。聚合性液晶化合物可使用第1相位差層中所說明之化合物。第2組成物除了聚合性液晶化合物以外可含有聚合起始劑、光增敏劑、聚合抑制劑、溶劑、調平劑(F)、調平劑(F)以外之調平劑等。
第2相位差層及第3相位差層含有配向層有時，配向層可使用第1相位差層可含有之配向層中所說明之配向層。
(第1基材層、第2基材層、第3基材層)
第1基材層、第2基材層、及第3基材層分別獨立地較佳為由樹脂材料所形成之膜。樹脂材料例如較佳為使用透明性、機械性強度、熱穩定性等優異者。樹脂材料較佳為熱塑性樹脂，可舉例如：三乙酸纖維素等纖維素系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯，聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂；聚醚碸系樹脂；聚碸系樹脂；聚碳酸酯系樹脂；耐綸或芳香族聚醯胺等聚醯胺系樹脂；聚醯亞胺系樹脂；聚乙烯、聚丙烯、乙烯/丙烯共聚物等聚烯烴系樹脂；具有環系及降莰烯結構之環狀聚烯烴系樹脂；(甲基)丙烯酸系樹脂；聚芳酯系樹脂；聚苯乙烯系樹脂；聚乙烯醇系樹脂等。「(甲基)丙烯酸」為選自由丙烯酸及甲基丙烯酸所組成的群組的至少一者。
第1基材層、第2基材層、及第3基材層可分別獨立地為單層結構或多層結構，為多層結構時，各層可由相同樹脂材料形成，也可由相異樹脂材料形成。
以強度或加工性之觀點來看，第1基材層、第2基材層、及第3基材層之厚度分別獨立地較佳為5至300μm，更佳為10至200μm。
(光學層)
光學層為具有穿透光、反射光、吸收光等光學功能的層，可為樹脂膜，也可為液晶層。光學層可為單層結構，也可為透過貼合層等積層之2層以上之積層結構。
光學層可舉出：線性偏光片；於線性偏光片之單面或雙面積層保護層之偏光板；於偏光板之單面積層防護層(protect film)之附防護膜之偏光板；反射膜；半穿透性反射膜；增亮膜；光學補償膜；附有防眩功能的膜；相位差膜或相位差層等。
(偏光板)
光學積層體可具有偏光板作為光學層，也可除了光學層以外進一步含有偏光板。偏光板為於線性偏光片之單面或雙面積層保護層者。偏光板為僅於單面積層保護層者時，光學積層體中，保護層較佳係設置於線性偏光片之與第1相位差層側或第2相位差層側為相反側處。
線性偏光片及保護層較佳係透過接著劑層或黏著劑層而貼合。用以形成接著劑層之接著劑組成物、及用以形成黏著劑層之黏著劑組成物可舉出後述接著劑組成物及黏著劑組成物。保護層可舉出由第1基材層、第2基材層、及第3基材層中所例示的樹脂材料所形成的膜。
偏光板之厚度例如為200μm以下，也可為120μm以下，也可為100μm以下，也可為50μm以下，也可為30μm以下，通常為10μm以上，可為15μm以上，也可為20μm以上。
(線性偏光片)
線性偏光片可舉例如於聚乙烯醇系樹脂膜吸附配向二色性色素而成之PVA偏光層、或在聚合性液晶化合物之硬化層中配向有二色性色素之液晶偏光層。
構成聚乙烯醇系樹脂膜之聚乙烯醇系樹脂可藉由使聚乙酸乙烯酯系樹脂皂化而獲得。聚乙酸乙烯酯系樹脂除了屬於乙酸乙烯酯之均聚物之聚乙酸乙烯酯以外，可舉出可與乙酸乙烯酯共聚之單體與乙酸乙烯酯的共聚物等。 可與乙酸乙烯酯共聚之單體可舉出不飽和羧酸、烯烴、乙烯基醚、不飽和磺酸、具有銨基之(甲基)丙烯醯胺等。
聚乙烯醇系樹脂之皂化度通常為85至100莫耳%，較佳為98莫耳%以上。聚乙烯醇系樹脂可經改質，例如可使用經醛類改質之聚乙烯醇縮甲醛或聚乙烯醇縮乙醛等。聚乙烯醇系樹脂之皂化度及平均聚合度通常為1000至10000，較佳為1500至5000。聚乙烯醇系樹脂之平均聚合度可根據JIS K 6726而求。
通常係使用將聚乙烯醇系樹脂予以製膜者作為PVA偏光層之原料膜。聚乙烯醇系樹脂可以公知方法製膜。原料膜之厚度通常為1至150μm，若考慮延伸容易度等，則較佳為10μm以上。
例如對於原料膜實施單軸延伸之步驟、以二色性色素對膜染色並使其吸附該二色性色素之步驟、以硼酸水溶液處理膜之步驟、及將膜水洗之步驟，最後乾燥，藉此製造PVA偏光層。PVA偏光層之厚度為20μm以下，也可為15μm以下，也可為10μm以下，通常為3μm以上，可為5μm以上。
PVA偏光層也可藉由以下方法獲得：[i]使用聚乙烯醇系樹脂膜單獨的膜作為原料膜，對於該膜實施單軸延伸處理及二色性色素之染色處理之方法；[ii]於基材膜塗布含有聚乙烯醇系樹脂之塗布液(水溶液等)，使其乾燥而獲得具有聚乙烯醇系樹脂層之基材膜後，對其與基材膜一起單軸延伸，對於延伸後之聚乙烯醇系樹脂層實施二色性色素之染色處理，接著剝離去除基材膜之方法。基材膜可舉出使用第1基材層、第2基材層、及第3基材層中所說明的樹脂材料所形成的膜。
用以形成液晶偏光層之聚合性液晶化合物可使用第1組成物及第2組成物中所例示的具有聚合性反應基之聚合性液晶化合物。液晶偏光層可藉由以下方法形成：[iii]例如於基材膜上所形成的配向層上塗布含有聚合性液晶化合物及二色性色素之偏光層形成用組成物，使聚合性液晶化合物聚合並硬化之方法；[iv]於基材膜上塗布偏光層形成用組成物而形成塗膜，將該塗膜與基材膜一起延伸之方法。基材膜可舉出上述[ii]所使用之基材膜。液晶偏光層之厚度可為20μm以下，也可為15μm以下，也可為13μm以下，也可為10μm以下，也可為5μm以下，通常為0.1μm以上，可為0.3μm以上。
(接著劑層)
接著劑層為使接著劑組成物硬化而成的層。接著劑組成物為含有硬化性樹脂成分作為硬化性成分且為後述感壓型接著劑(黏著劑)以外之接著劑。接著劑組成物可舉出將硬化性樹脂成分溶解或分散於水之水系接著劑、含有活性能量線硬化性化合物之活性能量線硬化性接著劑、熱硬化性接著劑等。
水系接著劑所含有的樹脂成分可舉出聚乙烯醇系樹脂或胺甲酸乙酯系樹脂等。
活性能量線硬化性接著劑可舉出藉由照射紫外線、可見光、電子束、X射線等活性能量線而硬化之組成物。其中，較佳為藉由照射紫外線而硬化之紫外線硬化性樹脂組成物。活性能量線硬化性接著劑較佳係含有環氧化合物作為硬化性成分，更佳係含有脂環式環氧化合物作為硬化性成分。活性能量線硬化性接著劑可同時含有環氧化合物及(甲基)丙烯酸系化合物等。
熱硬化性接著劑可舉出含有環氧系樹脂、聚矽氧系樹脂、苯酚系樹脂、三聚氰胺系樹脂等作為主成分者。接著劑組成物除了硬化性成分以外，也 可含有溶劑、增敏劑、聚合促進劑、離子捕捉劑、抗氧化劑、鏈轉移劑、增黏劑、熱塑性樹脂、填充劑、流動調整劑、塑化劑、消泡劑、抗靜電劑、調平劑等添加劑。
(第1貼合層、第2貼合層、第3貼合層)
第1貼合層、第2貼合層、及第3貼合層為使接著劑組成物硬化而成之接著劑層、或使用黏著劑組成物所形成之黏著劑層。接著劑組成物可使用上述者。
黏著劑組成物含有黏著劑。黏著劑為將該黏著劑本身貼合於被著體而展現接著性者，亦即稱為感壓型接著劑者。黏著劑可舉出含有(甲基)丙烯酸系聚合物、聚矽氧系聚合物、聚酯系聚合物、聚胺甲酸乙酯系聚合物、聚醚系聚合物、或橡膠系聚合物等聚合物作為主成分者。本說明書中，主成分是指在黏著劑之全固形物中含有50質量%以上之成分。黏著劑可為活性能量線硬化型、熱硬化型。也可藉由照射活性能量線或加熱而調整交聯度或接著力。
(實施例)
以下舉出實施例及比較例進一步具體說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例及比較例。
[氟原子量之檢測]
氟原子量之計算係藉由使用X射線光電子光譜法裝置(Thermo Scientific公司製K-Alpha)的X射線光電子光譜法分析，並依以下順序進行。
首先，在第1相位差層之靠接著劑層側表面之測定點中取得寬能譜掃瞄光譜(wide scan spectrum)，對於寬能譜掃瞄光譜所檢測到的所有元素取得窄能譜掃瞄光譜(narrow scan spectrum)。接著求全元素之窄能譜掃瞄光譜的波峰面積，計算各測定點中的元素組成比[atom%]，並計算測定點中的氟原子之元素 量。測定點係設為從構成第1相位差層的硬化物層中已實施火焰處理的端部起往與該端部交叉之方向(寬度方向，捲繞軸方向)距離50μm的位置、距離100μm的位置、距離200μm的位置、距離500μm的位置、距離700μm的位置、及距離1000μm的位置。
測定條件如下。
(測定條件)
．X射線源：Al-K α單色(1486.7eV)。
．X射線光點大小(測定點徑)：400μm。
．寬能譜掃瞄分析(Survey scan)；
測定範圍：-10至1350eV，通能：200eV，
停留時間：25m秒，能階：1.0eV，累積次數：5次。
．窄能譜掃瞄分析(Snap scan)；
通能：150eV，處理時間：1秒，累積次數：10次。
[製造例1：製作具有形成於第1基材層上之第1相位差層之積層體(1)]
(調製配向層形成用組成物)
以聚乙烯醇(聚乙烯醇1000完全皂化型，和光純藥工業股份有限公司製)之2質量%水溶液作為配向層形成用組成物。
(調製第1組成物)
將以下所示聚合性液晶化合物A及聚合性液晶化合物B以90：10之以質量比混合，相對於該混合物添加調平劑(F-556；DIC公司製)2.0份、及聚合起始劑之2-二甲胺基-2-苄基-1-(4-嗎啉基苯基)丁烷-1-酮(「IRGACURE 369(Irg369)」， BASF JAPAN股份有限公司製)6份。又，以固形物濃度成為13%之方式添加N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)，於80℃攪拌1小時，藉此獲得第1組成物。
聚合性液晶化合物A係依日本特開2010-31223號公報所記載方法製造。又，聚合性液晶化合物B係根據日本特開2009-173893號公報所記載方法製造。以下表示各別的分子結構。
<聚合性液晶化合物A>
Figure 111109235-A0202-12-0027-1
<聚合性液晶化合物B>
Figure 111109235-A0202-12-0027-2
(製作積層體(1))
於作為第1基材層之厚度50μm、寬度1100mm之長條環烯烴系膜〔日本ZEON股份有限公司製的商品名「ZF-14-50」〕上實施電暈處理後，使用模塗布器以塗布寬度成為1000mm(從第1基材層之寬度方向的兩端部起各50mm為未塗布區域)之方式塗布配向層形成用組成物，於60℃乾燥1分鐘，進一步於80℃乾燥3分鐘，而形成厚度89nm之膜。接著於所得膜的表面實施摩擦處理而形成配向層。摩擦處理係使用半自動摩擦裝置(商品名：LQ-008型，常陽工學股份有限公司製)利用布(商品名：YA-20-RW，吉川化工股份有限公司製)以壓入量0.15mm、轉數500rpm、平台速度16.7mm/s之條件進行。
接著於配向層的整面使用模塗布器塗布第1組成物，於120℃乾燥1分鐘。然後使用高壓水銀燈〔USHIO電機股份有限公司之商品名：「uniQure VB-15201BY-A」〕照射紫外線(氮環境下，於波長365nm的累積光量：500mJ/cm2)，藉此於第1基材層上所設置之配向層上形成聚合性液晶化合物的硬化物層。接著以分別成為45mm之寬度之方式裁切兩端部，而獲得寬度1010mm之原料積層體(1)。從所得原料積層體(1)裁切薄片(寬度1010mm，長度100mm)，從薄片之聚合性液晶化合物的硬化物層的端部起距離100μm及1000μm的位置分別選出2處，針對合計4處之測定點藉由上述方法測定氟原子量，而獲得各位置的平均值。結果示於表1。
[表1]
Figure 111109235-A0202-12-0028-3
將上述所得原料積層體(1)捲繞為捲筒狀而獲得原料捲繞體(1)。對原料捲繞體(1)之捲繞軸方向的兩端實施火焰處理(熱處理)，而獲得積層體(1)之捲繞體(1)。火焰處理係使用燃燒器(氣體壓：0.4MPa)並使其沿著位於經固定的原料捲繞體(1)之捲繞軸方向的兩端的端面移動而進行。在火焰處理中以下述條件進行：燃燒器之移動速度設為700mm/秒，燃燒器與位於原料捲繞體(1)之捲繞軸方向的端部的硬化物層的距離設為20mm，使燃燒器沿著原料捲繞體(1)之捲繞軸方向的端面來回移動1次(將其視為通過次數2次)。
從由捲繞體(1)拉出之積層體(1)之第1相位差層表面中已實施火焰處理的端部起距離50μm、100μm、200μm、500μm、700μm、及1000μm的位置分別選出2處，針對合計12處之測定點藉由上述方法測定氟原子量，計算各位置的平均值。又，計算各測定點所得氟原子量之平均值與從端部起距離1000μm的位置之氟原子量之平均值的差值。結果示於表2。
[表2]
Figure 111109235-A0202-12-0029-4
[製造例2：調製接著劑組成物]
相對於3’,4’-環氧環己基甲基3,4-環氧環己烷羧酸酯〔Daicel股份有限公司製的商品名「celloxide 2021P」〕75質量份添加1,4-丁二醇二環氧丙基醚〔Nagasechemtex股份有限公司製的商品名「EX-214L」〕25質量份、及光聚合起始劑〔san-apro股份有限公司製的商品名「CPI-100P」〕5.0質量份並混合，藉此調製接著劑組成物。
〔實施例1〕
準備2個積層體(1)(寬度1010mm，長度100m)。於其中一個積層體(1)之第1相位差層表面塗布製造例2所調製之接著劑組成物，並與另一個積層體(1)之第1相位差層表面側貼合。然後照射紫外線(累積光量400mJ/cm2(UV-B))使接著劑 組成物硬化而形成接著劑層，獲得光學積層體(1)。將所得光學積層體(1)捲繞於捲芯，而獲得光學積層體(1)之捲繞體(1)。
將捲繞體(1)於溫度23℃之條件下保管3天後，以目視確認捲繞體(1)表面時未確認到凹凸。
〔比較例1〕
使用2個原料積層體(1)(寬度1010mm，長度100m)取代積層體(1)，除此之外，以與實施例1相同方式獲得光學積層體(2)，並獲得光學積層體(2)之捲繞體(2)。將捲繞體(2)在溫度23℃之條件下保管3天後，以目視確認捲繞體(2)表面時確認到凹凸。
10:第1相位差層
11a:第1區域
12a:第2區域
P1a,P2a:位置
Sa:端部

Claims (9)

  1. 一種光學積層體，係依序積層有包含聚合性液晶化合物的硬化物層之第1相位差層、接著劑層、及光學層，其中，
    前述第1相位差層在俯視下具有含有前述第1相位差層的端部之第1區域、及與前述第1區域鄰接之第2區域，
    在前述第1相位差層之俯視下，沿著與前述端部交叉之交叉方向依序配置有前述端部、前述第1區域、及前述第2區域，
    在前述第1相位差層之靠前述接著劑層側的面中，前述第1區域之氟含量小於前述第2區域之氟含量，
    前述第1區域係含有在前述端部與從前述端部起朝前述交叉方向距離100μm的位置之間的區域，
    前述第2區域係含有在前述第1區域與前述第2區域的邊界位置和從前述端起朝前述交叉方向距離1000μm的位置之間的區域，
    在前述第1相位差層之靠前述接著劑層側的面中，從前述端部起距離100μm的位置中的氟含量F1[atm%]、及從前述端部起距離1000μm的位置中的氟含量F2[atm%]滿足下式(A)之關係，
    F1[atm%]≦F2[atm%]-2.5[atm%] (A)。
  2. 如請求項1所述之光學積層體，其中，前述第1相位差層之厚度為0.5μm以上10μm以下。
  3. 如請求項1或2所述之光學積層體，其中，前述第1相位差層之俯視形狀為矩形，
    前述端部為位於前述矩形的周緣的端部。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之光學積層體，其中，前述第1相位差層具有朝前述光學積層體的積層方向貫通之貫通孔，
    前述端部為位於前述貫通孔的周緣的端部。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之光學積層體，其中，前述光學層為含有聚合性液晶化合物的硬化物層之第2相位差層。
  6. 如請求項5所述之光學積層體，更具有線性偏光片，
    前述線性偏光片係積層於前述第1相位差層或前述光學層之與前述接著劑層側為相反側處。
  7. 如請求項1至4中任一項所述之光學積層體，其中，前述光學層包含線性偏光片。
  8. 如請求項7所述之光學積層體，更包含含有聚合性液晶化合物的硬化物層之第3相位差層，
    前述第3相位差層係積層於前述第1相位差層之與前述接著劑層側為相反側處。
  9. 一種捲繞體，係將請求項1至8中任一項所述之光學積層體捲繞為捲筒狀而成者。
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