TW202231577A - 形成場發射陰極方法 - Google Patents

Abstract

一種製造電子場發射陰極的方法，該場發射陰極包含具有與其接合的場發射材料層的基板，其中場發射材料併入碳奈米管材料、且經由溶膠凝膠製程被產生，以改良場發射陰極及實施此類陰極的場發射陰極裝置的場發射特性。

Description

形成場發射陰極方法

本申請與製造場發射陰極裝置的方法有關，且更具體地，與為改良陰極的場發射特性而併入碳奈米管且採用溶膠凝膠製程形成場發射陰極及實施此類陰極的場發射陰極裝置的方法有關。

一般而言，場發射陰極裝置包含陰極基板（通常由金屬或其他導電材料（例如，合金、導電玻璃、金屬化陶瓷、摻雜矽）構成）、被安置於基板上的一層場發射材料（例如，奈米管、奈米線、石墨烯）；以及，如果必要，被安置於基板與場發射材料之間的黏著性材料的附加層。舉例而言，場發射陰極裝置的一些典型應用包含在真空環境、場發射顯示器及X射線管中能操作的電子產品。

碳奈米管可被用於冷場發射陰極的製造中。然而，於電流電泳製程期間，碳奈米管通常分散不佳且/或不穩定，導致陰極表面上的發射體（emitter）之均勻性不良且陰極批次間的顯著變化。此外，由於電泳沉積製程中使用的懸浮液中的成分的濃度改變，藉由電泳沉積方法製成的陰極一般而言批次間有變化。這是大規模工業生產製程的主要缺陷。

因此，需要一種改良場發射基質材料的生產的方法，以獲得具有的高密度發射體以高均勻性分佈於其表面上且批次間的變化小的場發射陰極，從而改良陰極的場發射特性（例如，發射電流、開啟電壓及發射壽命）的製程的需要。

上述及其他需要由本揭露的態樣滿足，本揭露的態樣包含而不限於下面的範例性實施方式，且在一個特定態樣中，一種使用溶膠凝膠製程形成場發射陰極的方法，其中該方法包含：藉由於水中以碳奈米管與聚合物溶液的特定比例（例如，以重量計，從約1:10至約10:1）混合複數個碳奈米管與包括水穩定導電聚合物（例如，聚(3,4-乙基二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸) (poly(3,4-ethylendioxythiophene)-poly(styrene sulfonic acid))）的溶液以形成基礎混合物、使基礎混合物暴露於強超音波分散方法（例如，功率大於1W/cm ²及頻率為約20-50 kHz）、將至少一基質粒子引入至基礎混合物以形成場發射材料前驅物（亦即，經改性之基礎混合物）、使經場發射材料改性之基礎混合物暴露於和緩超音波分散方法（例如，功率小於1W/cm ²及頻率大於50 kHz）以形成場發射材料前驅物的穩定溶液、以及將極性添加劑引入場發射材料前驅物的穩定溶液中以形成作為最終場發射材料前驅物的溶膠溶液而形成場發射材料；將一層最終場發射材料前驅物沉積於基板的至少一部分上；在大氣壓下或真空下，在約30⁰C至約150⁰C的溫度下，乾燥該層及該基板；在真空下，在約500⁰C至約1000⁰C的溫度下使該層及該基板退火；以及活化該場發射材料，以形成場發射陰極。

另一個範例性態樣提供一種形成場發射材料前驅物的方法，其中該方法包含：以碳奈米管與聚合物溶液的特定比例（例如，以重量計，從約1:10至約10:1），將複數個碳奈米管及包括水穩定導電聚合物（例如，聚(3,4-乙基二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)）的溶液引入液體介質中；經由強超音波分散方法（例如，功率大於1W/cm ²及頻率約20-50 kHz），混合複數個碳奈米管與該溶液，以形成基礎混合物；將至少一基質粒子引入基礎混合物中，以形成經改性之基礎混合物；使包括至少一基質粒子的經改性之基礎混合物暴露於和緩超音波分散方法（例如，功率小於1W/cm ²及頻率大於50 kHz），以形成場發射材料前驅物的穩定溶液；以及將極性添加劑引入場發射材料前驅物的穩定溶液中，以形成作為最終場發射材料前驅物的溶膠溶液。

另一個範例性態樣提供另一種形成場發射陰極的方法，其中該方法包含：將場發射材料（例如，最終場發射材料前驅物）沉積於基板的至少一部分上；在大氣壓下或真空下，在約30⁰C至約150⁰C的溫度下，乾燥場發射材料及基板；在真空下，在約500⁰C至約1000⁰C的溫度下，使場發射材料及基板退火；以及活化場發射材料，以形成場發射陰極。這些方法提供了在大量生產製程中減小陰極的批次間的變化。

又另一個範例性態樣提供一種場發射陰極裝置，其中根據前述態樣中任一者形成場發射陰極，以獲得陰極裝置。該陰極具有於該陰極的表面上改良之場發射體密度及均勻性，從而得到具有改良之場發射特性（例如，高發射電流、低開啟電壓及較長發射壽命）的陰極裝置。 因此，本揭露包含而不限於下面的範例性實施方式：

範例性實施方式 1 ：一種形成場發射陰極的方法，包括：以特定比例混合複數個碳奈米管與溶液，以形成基礎混合物，該溶液包括於液體介質中的水穩定導電聚合物；使基礎混合物暴露於功率大於1W/cm ²及頻率20-50 kHz的超音波分散製程中；將至少一基質粒子引入至基礎混合物，以形成場發射材料前驅物；使場發射材料前驅物暴露於功率小於1W/cm ²及頻率大於50 kHz的超音波分散製程，以形成場發射材料前驅物的穩定溶液；將極性添加劑引入場發射材料前驅物的穩定溶液中，以形成作為最終場發射材料前驅物的溶膠溶液；將一層最終場發射材料前驅物沉積於基板的至少一部分上；在大氣壓下或真空下，在30⁰C至150⁰C的溫度下，乾燥該層最終場發射材料前驅物及基板，使得該層最終場發射材料前驅物於基板上形成均勻凝膠層；在真空下，在500⁰C至1000⁰C的溫度下，使凝膠層及基板退火，使得凝膠層形成場發射材料；以及活化場發射材料，以形成場發射陰極。

範例性實施方式 2 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中混合複數個碳奈米管與溶液包括混合複數個碳奈米管與包括聚(3,4-乙基二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)（PEDOT:PSS）聚合物及液體介質的溶液。

範例性實施方式 3 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中混合複數個碳奈米管與溶液包括混合複數個碳奈米管與PEDOT:PSS溶液，使得碳奈米管與PEDOT:PSS聚合物溶液的特定比例按重量計是從10:1至1:10。

範例性實施方式 4 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中混合複數個碳奈米管與溶液包括混合複數個碳奈米管與該溶液，而且該溶液的液體介質包括水。

範例性實施方式 5 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中將該層最終場發射材料前驅物沉積於基板上包括：經由浸塗、旋轉塗佈、氣刀塗佈、凹版印刷塗佈、狹縫式塗佈（slot die coating）、噴墨印刷、噴霧塗佈、繞線棒（Meyer bar）塗佈、微影塗佈、膠板印刷塗佈（flexography coating）、或其組合，將該層沉積於基板上。

範例性實施方式 6 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中將至少一基質粒子引入至基礎混合物包括將包括至少一玻璃粒子的至少一基礎混合物引入至基礎混合物。

範例性實施方式 7 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中將至少一玻璃粒子引入至基礎混合物包括將具有100 nm至3微米的直徑的至少一玻璃粒子引入至基礎混合物。

範例性實施方式 8 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中將該極性添加劑引入該穩定溶液中包括將從由乙醇、多元醇、乙二醇、甘油、內消旋-赤藻糖醇（meso-erythritol）、木糖醇、以及D-山梨糖醇、二甲基甲醯胺（DMF）、二甲基亞碸（DMSO）、二甲碸（DMSO ₂）、N-甲基-2-一氮五圜酮（NMP）、離子液體、或其組合組成之群組選出的極性添加劑引入穩定溶液中。

範例性實施方式 9 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中將該層最終場發射材料前驅物沉積於基板上包括將該層最終場發射材料前驅物沉積於包括金屬、不鏽鋼、合金、導電玻璃、或陶瓷的基板上。

範例性實施方式 10 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中活化該層場發射材料包括：將黏著性帶塗敷於場發射材料的表面；以及從該表面除去黏著性帶。

範例性實施方式 11 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中活化該層場發射材料包括：將可固化黏著劑塗敷於場發射材料的表面；使該黏著劑暴露於熱源或紫外光，以固化黏著劑並將黏著劑製成黏著劑膜；以及從該表面除去黏著劑膜。

範例性實施方式 12 ：一種形成場發射材料前驅物的方法，包括：將複數個碳奈米管引入液體介質中；將水穩定導電聚合物引入包括複數個碳奈米管的液體介質中，其中複數個碳奈米管以與包括液體介質及聚合物的溶液的特定比例存在；經由功率大於1W/cm ²及頻率為約20-50 kHz的超音波分散製程，混合液體介質中的複數個碳奈米管與水穩定導電聚合物，以形成基礎混合物；將至少一基質粒子引入基礎混合物中；使包含至少一基質粒子的基礎混合物暴露於功率小於1W/cm ²及頻率大於50 kHz的超音波分散製程，以形成場發射材料前驅物的穩定溶液；以及將極性添加劑引入場發射材料前驅物的穩定溶液中，以形成最終場發射材料前驅物。

範例性實施方式 13 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中將複數個碳奈米管引入液體介質中包括將複數個碳奈米管引入水中。

範例性實施方式 14 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中將水穩定導電聚合物引入包括將聚(3,4-乙基二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)（PEDOT:PSS）聚合物引入液體介質中。

範例性實施方式 15 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中混合複數個碳奈米管與溶液包括混合複數個碳奈米管與PEDOT:PSS溶液混合，使得碳奈米管與PEDOT:PSS溶液的特定比例按重量計是從10:1至1:10。

範例性實施方式 16 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中將至少一基質粒子引入基礎混合物包括將包括至少一玻璃粒子的至少一基質粒子引入基礎混合物。

範例性實施方式 17 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中將極性添加劑引入穩定溶液中包括將從由乙醇、多元醇、乙二醇、甘油、內消旋-赤藻糖醇、木糖醇、以及D-山梨糖醇、二甲基甲醯胺（DMF）、二甲基亞碸（DMSO）、二甲碸（DMSO ₂）、N-甲基-2-一氮五圜酮（NMP）、離子液體、或其組合組成之群組選出的極性添加劑引入穩定溶液中。

範例性實施方式 18 ：一種形成場發射陰極的方法，包括：將根據任何前述範例性實施方式的方法或其組合的最終場發射材料前驅物沉積於基板的至少一部分上；在大氣壓下或真空下，在30⁰C至150⁰C的溫度下，乾燥最終場發射材料前驅物及基板，使得最終場發射材料前驅物於基板上形成一層；在真空下，在500⁰C至1000⁰C的溫度下，使該層及基板退火，使得該層形成場發射材料；以及活化場發射材料，以形成場發射陰極。

範例性實施方式 19 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中將最終場發射材料前驅物沉積於基板的至少一部分上包括將最終場發射材料前驅物沉積於包括金屬、不鏽鋼、合金、導電玻璃、或陶瓷的基板的至少一部分上。

範例性實施方式 20 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中將最終場發射材料前驅物沉積於基板的至少一部分上包括：經由浸塗、旋轉塗佈、氣刀塗佈、凹版印刷塗佈、狹縫式塗佈、噴墨印刷、噴霧塗佈、繞線棒塗佈、微影塗佈、膠板印刷塗佈、或其組合，將最終場發射材料前驅物沉積於基板的至少一部分上。

範例性實施方式 21 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中活化場發射材料包括：將黏著性帶塗敷於場發射材料的表面；以及從場發射材料除去黏著性帶。

範例性實施方式 22 ：任何前述範例性實施方式的方法或其組合，其中活化場發射材料包括：將可固化黏著劑塗敷於場發射材料的表面；使黏著劑暴露於熱源或紫外光，以固化黏著劑並將黏著劑製成黏著劑膜；以及從該表面除去黏著劑膜。

範例性實施方式 23 ：一種場發射陰極裝置，包括依據任何前述範例性實施方式的方法或其組合製造的場發射陰極。

從與附圖一起閱讀以下詳細描述，本揭露的這些及其他特徵、態樣及優點將變得清楚，下面將簡單描述附圖。本揭露包含此揭露中闡述的二、三、四或更多個特徵或元件的任一組合，而與此等特徵或元件是否明確地被組合或是否詳述於本文中的特定實施方式的描述中無關。預期此揭露被全盤地閱讀，使得應根據預期（也就是說，可組合）看待本揭露的任何態樣及實施方式中的任何可分離特徵或元件，除非本揭露的上下文另外清楚地指定。

應明白，提供本文中的發明內容僅出於概略說明一些範例性態樣以提供對本揭露的基本理解的目的。就其本身而言，應明白，上面描述的範例性態樣僅是實例、且不應認為以任何方式使本揭露的範圍或精神變窄。應明白，除了本文中概略說明的態樣，本揭露的範圍涵蓋許多可能的態樣，下面將進一步描述其中一些態樣。此外，根據以下結合附圖進行的詳細描述，本文中揭露的其他態樣或此等態樣的優點變得清楚，作為實例，附圖闡明所描述的態樣的原理。

現在將在下文中參考附圖更全面描述本揭露，其中顯示本揭露的一些態樣，而非全部態樣。的確，本揭露可以許多不同的形式被具體實施，而且不應被認為限於本文闡述的態樣；相反，提供此等態樣是為了此揭露滿足適用的法律要求。在各處，相似的元件符號指相似的元件。

圖1闡明場發射陰極100的一個實例，場發射陰極100包含基板102及被安置於基板102上的一層場發射材料104，及如果必要，被安置於基板102與場發射材料104之間的黏著性材料的附加層（未顯示）。基板102可由導電材料（例如，金屬材料（例如，固體金屬或合金（例如，不鏽鋼、摻雜矽））；導電玻璃（例如，銦錫氧化物（ITO）鍍膜玻璃或在表面上具有導電塗層的其他熔融玻璃）；或導電陶瓷（例如，金屬化陶瓷，例如，氧化鋁、氧化鈹、及氮化鋁））製成。場發射材料104包含被安置於基質材料內的複數個碳奈米管（CNT）。該層場發射材料104是經由溶膠凝膠製程形成的。一般而言，溶膠凝膠製程已用於基板上的氧化物的薄膜製造，這是由於其具有高純度、高均勻性及低批次間的變化的優點。場發射材料於基板102上的沉積可經由本文揭露的塗層製程中任一者實行。

溶膠凝膠製程的使用導致於基板上形成CNT/PEDOT:PSS/基質複合物的薄膜，以及在乾燥及退火後，形成具有均勻CNT/基質層的陰極。此溶膠凝膠製程製成的陰極不僅具有高密度且均勻的發射體而且批批次間的變化非常小、並可滿足工業應用的大量生產的要求。

圖2說明形成包含碳奈米管的場發射材料前驅物的方法200。於該方法的一個態樣中，提供例如水之類的液體介質（步驟210），複數個碳奈米管與聚(3,4-乙基二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)（PEDOT:PSS）聚合物以特定比例（舉例而言，例如，複數個碳奈米管與包括液體介質及該聚合物的溶液的重量比例在約10:1至約1:10的範圍）被引入液體介質（步驟220）。於一些實施方式中，可使用包括水穩定導電聚合物的其他液體介質。在步驟230，複數個碳奈米管與PEDOT:PSS溶液經由強超音波分散製程被混合，以形成基礎混合物。此混合可以低頻率（20-50 kHz）及高功率（＞1W/cm ²）以約1分鐘至約30分鐘範圍內的時間週期被實行。接著，至少一基質粒子被引入基礎混合物中（步驟240）。經改性之基礎混合物（亦即，包含至少一基質粒子）被暴露於和緩超音波分散製程，以形成場發射材料前驅物的穩定溶液（亦即，均質前驅物溶膠）（步驟250）。和緩超音波分散製程可以高頻率（＞50kHz）、低功率（＜1W/cm ²）且以約30分鐘至約24小時範圍的時間週期被實行。在步驟260，將極性添加劑加至穩定溶液，以形成為最終場發射材料前驅物的溶膠溶液。於各種實施方式中，最終場發射材料前驅物可包含碳奈米管、PEDOT:PSS、（多個）基質粒子、以及一或多個添加劑。

成分的特有組成物及量可改變以適合特定應用。舉例而言， 於一些實施方式中，至少一基質粒子可由市售的玻璃粒子形成，該玻璃粒子經由行星式球磨被處理，以產生具有約100 nm至約3微米直徑的玻璃粒子，其中至少一基質粒子以總液體介質的約0.1 wt%至約10 wt%被分散至基礎混合物中。於各種實施方式中，極性添加劑可包含乙醇、多元醇（例如，乙二醇、甘油、內消旋-赤藻糖醇、木糖醇、以及D-山梨糖醇）、二甲基甲醯胺（DMF）、二甲基亞碸（DMSO）、二甲碸（DMSO ₂）、N-甲基-2-一氮五圜酮（NMP）、離子液體、或其組合中一者或多者。極性添加劑的濃度可為總液體介質的約0.1 wt%至約20 wt%。碳奈米管可由化學氣相沉積製程、雷射剝蝕製程、及/或電弧放電法被製造。

一旦最終場發射材料前驅物在穩定溶膠溶液中產出，前驅物就可沉積於基板的至少一部分上（步驟270）。經由浸塗、旋轉塗佈、氣刀塗佈、凹版印刷塗佈、狹縫式塗佈、噴墨印刷、噴霧塗佈、繞線棒塗佈、微影塗佈、膠板印刷塗佈、或其組合，該層最終場發射材料前驅物被沉積於基板上。基板可包括金屬、不鏽鋼、合金、導電玻璃、或陶瓷。基板可經由例如機器人材料搬運系統或由使用者手動地被提供至適合的設備。基板經被配置以在其上容納一層最終場發射材料前驅物。

沉積於基板上之後，溶膠層可經受一或多個其他製程，例如，乾燥、退火、及活化製程。乾燥之後，從基板的表面上的溶膠層形成CNT/PEDOT:PSS/基質粒子的一均勻凝膠層、然後被退火。在活化基板上的沉積層後，形成場發射陰極。

圖3說明使用包括碳奈米管的場發射材料形成場發射陰極的方法300。於該方法的一個態樣中，基板（例如，上文描述的基板）被提供至經配置以實行沉積製程的設備（步驟310）。該方法進一步包含形成場發射材料前驅物（步驟320）。於一些情況中，場發射材料前驅物於基板被提供之前產生。一層場發射材料前驅物被沉積於基板的至少一部分上（步驟330）。基板可由金屬（例如，不鏽鋼、合金）、導電玻璃、或金屬化陶瓷製成。基板可經由例如機器人材料搬運系統或由使用者手動地提供至適合的設備。

然後，基板及沉積於其上的場發射材料前驅物層被暴露於乾燥製程（步驟340）及退火製程（步驟350），以形成場發射材料。乾燥製程可在大氣壓下或在真空下在約30 ⁰C至約150 ⁰C的溫度下被實行。退火製程可在約500⁰C至約1000⁰C的溫度下在真空下被實行。在步驟360，該層場發射材料被活化以獲得場發射陰極。活化可藉由將黏著劑（例如，黏著性帶或可固化黏著性材料）塗敷於該層場發射材料的表面以及從該層場發射材料上除去黏著劑而被實行。

步驟370說明形成場發射材料前驅物的方法的一個實例。在步驟370，複數個碳奈米管及PEDOT:PSS聚合物以複數個碳奈米管與包括液體介質及聚合物的溶液的特定比例（例如，按重量計，約10:1至約1:10）被混合於例如水之類的液體介質中。成分可經由強超音波分散製程被混合，以形成基礎混合物，如上所述。接著，至少一基質粒子被分散至基礎混合物中。經改性之基礎混合物可被暴露於和緩超音波分散製程，以形成場發射材料前驅物的穩定懸浮液，如上所述。接著，極性添加劑被加至穩定溶液，以形成作為最終場發射材料前驅物的溶膠溶液。於各種實施方式中，最終場發射材料前驅物可包含碳奈米管、PEDOT:PSS、（多個）基質粒子、及一或多個添加劑。

成分的特定組成物及量可改變以適合特定應用。例如，於一些實施方式中，至少一基質粒子可從市售的玻璃粒子被形成，該玻璃粒子經由行星球磨被處理，以產生具有約100 nm至約3微米的直徑的玻璃粒子，其中至少一基質粒子以總液體介質的約0.1 wt%至約10 wt%被分散至基礎混合物中。於各種實施方式中，極性添加劑可包含乙醇、多元醇（例如，乙二醇、甘油、內消旋-赤藻糖醇、木糖醇、以及D-山梨糖醇）、二甲基甲醯胺（DMF）、二甲基亞碸（DMSO）、二甲碸（DMSO ₂）、N-甲基-2-一氮五圜酮（NMP）、離子液體、或其組合中一者或多者。極性添加劑的濃度可為總液體介質的約0.1 wt%至約20 wt%。碳奈米管可藉由化學氣相沉積製程、雷射剝蝕製程、及/或電弧放電方法被製造。

前述方法提供奈米複合物結構的CNT/ PEDOT:PSS/基質層，該奈米複合物結構當被形成於基板的表面上時紋理均勻。在真空中乾燥及退火後，所得場發射陰極的場發射材料被活化。所形成的陰極具有高發射體密度、高發射電流、低開啟電壓及長使用壽命的特性。陰極的批次間變化被顯著減小，這對於工業化生產及應用重要。

得益於前面的描述及有關附圖中呈現的教導的這些揭露的實施方式，所屬領域中的通常知識者會想到本文闡述的本發明的許多修改及其他實施方式。因此，應理解，本發明的實施方式並不限於所揭露的具體實施方式，而且修改及其他實施方式旨在被包含於本發明的範圍內。另外，儘管前面的描述及有關圖式在元件及/或功能的某個範例性組合的情境下描述了範例性實施方式，但應明白，可藉由替代實施方式提供元件及/或功能的不同組合，而不脫離本揭露的範圍。於此方面，舉例而言，在本揭露的範圍內，與上面明確描述的那些元件及/或功能的組合不同的元件及/或功能的組合亦被構思。儘管本文中採用特定術語，但這些術語僅以通用描述性意義被使用，而沒有限制性目的。

應理解，儘管本文中可使用術語第一、第二等描述各種步驟或計算，但此等步驟或計算不應受通用術語的限制。這些術語僅用於將一個操作或計算與另一個操作或計算區別。舉例而言，第一計算可被稱為第二計算，且類似地，第二步驟可被稱為第一步驟，而不脫離本揭露的範圍。如本文中使用的，術語“及/或”及“/”符號包含一或多個有關列項的任一或全部組合。

如本文中使用的，單數形式“一（a）”、“一（an）”及“該（the）”旨在亦包含複數形式，除非上下文另外清楚地表明。應進一步理解，術語“包括（comprises）”、“包括（comprising）”、“包含（includes）”及/或“包含（including）”當在本文中使用時說明存在所陳述的特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件，但不排除存在或附加一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組。因此，本文中使用的術語僅出於描述特定實施方式的目的，而不旨在限制性。

100:場發射陰極 102:基板 104:場發射材料 200、300:方法 210、220、230、240、250、260、270、310、320、330、340、350、360、370:步驟

因此，已以一般術語描述了本揭露，現在將闡釋附圖，附圖未必按比例繪製，且其中： 圖1示意性地闡明根據本揭露的一或多個態樣的場發射陰極的實例及與陰極基板接合的場發射材料沉積層的本質； 圖2闡明根據本揭露的一或多個態樣的形成場發射材料前驅物的方法的一個實例；以及 圖3闡明根據本揭露的一或多個態樣的形成場發射陰極的方法的一個實例。

300:方法

310、320、330、340、350、360、370:步驟

Claims (23)

1. 一種形成一場發射陰極的方法，包括： 以一特定比例混合複數個碳奈米管與一溶液，以形成一基礎混合物，該溶液包括於一液體介質中的一水穩定導電聚合物； 使該基礎混合物暴露於一功率大於1W/cm ²及一頻率約20-50 kHz的一超音波分散製程； 將至少一基質粒子引入該基礎混合物，以形成一場發射材料前驅物； 使該場發射材料前驅物暴露於一功率小於1W/cm ²及一頻率大於50 kHz的一超音波分散製程，以形成該場發射材料前驅物的一穩定溶液； 將一極性添加劑引入該場發射材料前驅物的該穩定溶液，以形成作為一最終場發射材料前驅物的一溶膠溶液； 將一層該最終場發射材料前驅物沉積於一基板的至少一部分上； 在大氣壓下或在一真空下，在30⁰C至150⁰C的一溫度下，乾燥該層最終場發射材料前驅物及該基板，使得該層最終場發射材料前驅物於該基板上形成一均勻凝膠層； 在一真空下，在500⁰C至1000⁰C的一溫度下，使該凝膠層及該基板退火，使得該凝膠層形成一場發射材料；以及 活化該場發射材料，以形成該場發射陰極。
2. 如請求項1所述的方法，其中混合該複數個碳奈米管與該溶液包括混合該複數個碳奈米管與包括聚(3,4-乙基二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)（PEDOT:PSS）聚合物及該液體介質的該溶液。
3. 如請求項2所述的方法，其中混合該複數個碳奈米管與該溶液包括混合該複數個碳奈米管與該PEDOT:PSS溶液，使得碳奈米管與PEDOT:PSS聚合物溶液的該特定比例按重量計為從10:1至1:10。
4. 如請求項1所述的方法，其中混合該複數個碳奈米管與該溶液包括混合該複數個碳奈米管與該溶液，而且該溶液的該液體介質包括水。
5. 如請求項1所述的方法，其中將該層最終場發射材料前驅物沉積於該基板上包括：經由浸塗、旋轉塗佈、氣刀塗佈、凹版印刷塗佈、狹縫式塗佈、噴墨印刷、噴霧塗佈、繞線棒塗佈、微影塗佈、膠板印刷塗佈、或其組合，將該層沉積於該基板上。
6. 如請求項1所述的方法，其中將該至少一基質粒子引入該基礎混合物包括將包括至少一玻璃粒子的該至少一基礎混合物引入該基礎混合物。
7. 如請求項6所述的方法，其中將該至少一玻璃粒子引入該基礎混合物包括將具有100 nm至3微米的一直徑的該至少一玻璃粒子引入該基礎混合物。
8. 如請求項1所述的方法，其中將該極性添加劑引入該穩定溶液中包括將從由乙醇、多元醇、乙二醇、甘油、內消旋-赤藻糖醇、木糖醇、以及D-山梨糖醇、二甲基甲醯胺（DMF）、二甲基亞碸（DMSO）、二甲碸（DMSO ₂）、N-甲基-2-一氮五圜酮（NMP）、一離子液體、或其組合組成之群組選出的該極性添加劑引入該穩定溶液中。
9. 如請求項1所述的方法，其中將該層最終場發射材料前驅物沉積於該基板上包括將該層最終場發射材料前驅物沉積於包括一金屬、一不鏽鋼、一合金、一導電玻璃、或一陶瓷的該基板上。
10. 如請求項1所述的方法，其中活化該層場發射材料包括： 將一黏著性帶塗敷於該場發射材料的一表面；以及 從該表面除去該黏著性帶。
11. 如請求項1所述的方法，其中活化該層場發射材料包括： 將一可固化黏著劑塗敷於該場發射材料的一表面； 使該黏著劑暴露於一熱源或一紫外光，以固化該黏著劑並將該黏著劑製成一黏著劑膜；以及 從該表面除去該黏著劑膜。
12. 一種形成一場發射材料前驅物的方法，包括： 將複數個碳奈米管引入一液體介質中； 將一水穩定導電聚合物引入包括該複數個碳奈米管的該液體介質中，其中該複數個碳奈米管以與包括該液體介質及該聚合物的一溶液的一特定比例存在； 經由一功率大於1W/cm ²及一頻率約20-50 kHz的一超音波分散製程，混合該液體介質中的該複數個碳奈米管與該水穩定導電聚合物，以形成一基礎混合物； 將至少一基質粒子引入該基礎混合物中； 使包含該至少一基質粒子的該基礎混合物暴露於一功率小於1W/cm ²及一頻率大於50 kHz的一超音波分散製程，以形成一場發射材料前驅物的一穩定溶液；以及 將一極性添加劑引入該場發射材料前驅物的該穩定溶液中，以形成一最終場發射材料前驅物。
13. 如請求項12所述的方法，其中將該複數個碳奈米管引入該液體介質中包括將該複數個碳奈米管引入水中。
14. 如請求項12所述的方法，其中引入該水穩定導電聚合物包括將一聚(3,4-乙基二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)（PEDOT:PSS）聚合物引入該液體介質中。
15. 如請求項14所述的方法，其中混合該複數個碳奈米管與該溶液包括混合該複數個碳奈米管與該PEDOT:PSS溶液，使得碳奈米管與PEDOT:PSS溶液的該特定比例按重量計為從10:1至1:10。
16. 如請求項12所述的方法，其中將該至少一基質粒子引入該基礎混合物包括將包括至少一玻璃粒子的該至少一基質粒子引入該基礎混合物。
17. 如請求項12所述的方法，其中將該極性添加劑引入該穩定溶液中包括將從由乙醇、多元醇、乙二醇、甘油、內消旋-赤藻糖醇、木糖醇、以及D-山梨糖醇、二甲基甲醯胺（DMF）、二甲基亞碸（DMSO）、二甲碸（DMSO ₂）、N-甲基-2-一氮五圜酮（NMP）、一離子液體、或其組合組成之群組選出的該極性添加劑引入該穩定溶液中。
18. 一種形成一場發射陰極的方法，包括： 將如請求項12所述的該最終場發射材料前驅物沉積於一基板的至少一部分上； 在大氣壓下或在一真空下，在30⁰C至150⁰C的一溫度下，乾燥該最終場發射材料前驅物及該基板，使得該最終場發射材料前驅物於該基板上形成一層； 在一真空下，在500⁰C至1000⁰C的一溫度下，使該層及該基板退火，使得該層形成一場發射材料；以及 活化該場發射材料，以形成該場發射陰極。
19. 如請求項18所述的方法，其中將該最終場發射材料前驅物沉積於該基板的該至少一部分上包括將該最終場發射材料前驅物沉積於包括一金屬、一不鏽鋼、一合金、一導電玻璃、或一陶瓷的該基板的該至少一部分上。
20. 如請求項18所述的方法，其中將該最終場發射材料前驅物沉積於該基板的該至少一部分上包括：經由浸塗、旋轉塗佈、氣刀塗佈、凹版印刷塗佈、狹縫式塗佈、噴墨印刷、噴霧塗佈、繞線棒塗佈、微影塗佈、膠板印刷塗佈、或其組合，將該最終場發射材料前驅物沉積於該基板的該至少一部分上。
21. 如請求項18所述的方法，其中活化該場發射材料包括： 將一黏著性帶塗敷於該場發射材料的一表面；以及 從該場發射材料除去該黏著性帶。
22. 如請求項18所述的方法，其中活化該場發射材料包括： 將一可固化黏著劑塗敷於該場發射材料的一表面； 使該黏著劑暴露於一熱源或一紫外光，以固化該黏著劑並將該黏著劑製成一黏著劑膜；以及 從該表面除去該黏著劑膜。
23. 一種場發射陰極裝置，包括如請求項18至請求項22中任一項製造的一場發射陰極。

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