TW202230044A - 用於基板台之真空板接合夾具及可撓性之瘤節應用 - Google Patents

Abstract

本發明提供用於製造一基板台之系統、設備及方法。一實例方法可包括形成一真空板，該真空板包括複數個真空連接件及複數個凹槽，該複數個凹槽經組態以收納安置在一核心主體上之複數個瘤節，該複數個瘤節用於支撐諸如一晶圓之一物件。視情況，至少一個瘤節可由一溝槽部分地或全部地包圍。該實例方法可進一步包括使用該真空板以將該核心主體安裝至一靜電板，該靜電板包括經組態以收納該複數個瘤節之複數個孔隙。視情況，該實例方法可包括使用該真空板以將該核心主體安裝至該靜電板，使得該真空板之該複數個凹槽與該核心主體之該複數個瘤節及該靜電板之該複數個孔隙對齊。

Description

用於基板台之真空板接合夾具及可撓性之瘤節應用

本發明係關於基板台及用於在基板台表面上形成瘤節及奈米結構之方法。

微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，可互換地被稱作光罩或倍縮光罩之圖案化器件可用以產生待形成於所形成之IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(例如抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之相鄰目標部分之網路。傳統的微影設備包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束掃描圖案，同時平行或反平行於此掃描方向(例如，與此掃描方向相反)而同步地掃描目標部分來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。

隨著半導體製造程序持續進步，幾十年來，電路元件之尺寸已不斷地減小，而每器件的諸如電晶體之功能元件之量已在穩定地增加，此遵循通常稱作「莫耳定律(Moore's law)」的趨勢。為了跟上莫耳定律，半導體行業正追逐使能夠產生愈來愈小特徵之技術。為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定圖案化於基板上之特徵的最小大小。當前在使用中之典型波長為：深紫外線(DUV)輻射系統中之365 nm (i線)、248 nm及193 nm；及極紫外線(EUV)輻射系統中之13.5 nm。EUV輻射，例如具有約50奈米(nm)或更小之波長之電磁輻射(有時亦被稱作軟x射線)且包括處於約13.5 nm之波長的光，可用於微影設備中或與微影設備一起使用以在例如矽晶圓之基板中或上產生極小特徵。相比於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備，使用具有處於4 nm至20 nm之範圍內(例如，6.7 nm或13.5 nm)之波長之EUV輻射的微影設備可用以在基板上形成較小特徵。

可期望指示及維護基板台之表面上之摩擦特性(例如摩擦、硬度、佩戴)。在一些情況下，晶圓夾可安置於基板台之表面上。晶圓夾可為例如用於DUV輻射系統中之真空夾或用於EUV輻射系統中之靜電夾。基板台或附接至基板台之晶圓夾由於微影及度量衡程序之精度要求而具有可難以滿足之表面位準容許度。相較於表面區域之寬度(例如，寬度＞100.0 mm)，為相對薄(例如，厚度＜1.0毫米(mm))的晶圓(例如，半導體基板)對基板台之不均勻性特別敏感。另外，接觸的超平滑表面可能變得黏附在一起，當基板必須自基板台脫嚙時，此可呈現出問題。為了降低與晶圓介接之表面的平滑度，基板台或晶圓夾的表面可包括藉由對基板進行圖案化及蝕刻而形成的瘤節。然而，現有技術無法在300 mm直徑基板面積及大於該基板面積上將接合位置控制至次微米(微米)公差。

本發明描述用於製造且使用具有瘤節之基板台之系統、設備及方法的各個態樣，該等瘤節經組態以支撐DUV或EUV輻射系統中之基板。舉例而言，該基板台可包括用於EUV輻射系統中之核心主體及靜電板。

在一些態樣中，本發明提供使用真空板接合夾具，以將核心主體安裝至靜電板。在一些態樣中，真空板可包括安裝結構，諸如圍繞靜電板之每一孔的「圓環」。舉例而言，真空板可經組態以使得其可固持具有孔之靜電板，且該真空板可含有與靜電板孔對準之孔。真空板可進一步經組態以接受其上具有適配到孔中之瘤節之核心主體，使得孔之深度界定靜電板頂部與瘤節頂部之間的距離。

在一些態樣中，本發明運用側向硬度及真空累積調諧進一步在基板台(例如，包括具有可撓性之瘤節之核心主體之DUV晶圓台；包括安裝至具有可撓性之瘤節之核心主體之靜電板的EUV晶圓台)上提供「可撓性之瘤節」應用。在一些態樣中，本文中所使用之術語「可撓性之瘤節」係指由溝槽部分地或全部地包圍之瘤節。

在一些態樣中，本發明描述一種基板台。該基板台可包括核心主體，其包括複數個瘤節，該複數個瘤節用於支撐諸如晶圓之物件(例如，該等瘤節可面向晶圓安置於核心主體之頂部側面上)。該核心主體可進一步包括複數個溝槽。該複數個瘤節中之每一瘤節可由複數個溝槽中之各別溝槽包圍。在一些態樣中，該核心主體之至少一部分可由經矽化碳化矽(SiSiC)或碳化矽(SiC)形成。在一些態樣中，該複數個瘤節之至少一部分可由SiSiC、SiC、類金剛石碳(DLC)、氮化鋁(AIN)、氮化矽(SiN)或氮化鉻(CrN)形成。

在一些態樣中，該複數個瘤節中之至少一個瘤節可具有小於約10兆牛頓/米(科學記法中之10 ⁷Nm ^{- 1}；或1e7 N/m)之硬度。在一些態樣中，該複數個瘤節可包括具有朝向瘤節之頂部之第一錐角及朝向瘤節之底部之第二錐角的至少一個瘤節。在一些態樣中，該複數個瘤節可包括：(i)第一瘤節，其由第一溝槽包圍且安置於核心主體之第一區(例如，中心區)中；及(ii)第二瘤節，其由第二溝槽包圍且安置於核心主體之第二區(例如，周邊區)中。在此類態樣中，第一溝槽之深度可小於第二溝槽之深度，第二瘤節之長度可大於第一瘤節之長度，第二瘤節之硬度可小於第一瘤節之硬度，或其組合。

在一些態樣中，核心主體可進一步經組態以連接(例如，使用真空板)至包括經組態以收納核心主體之複數個瘤節之複數個孔隙的靜電板，使得核心主體之複數個瘤節與靜電板之複數個孔隙對齊。

在一些態樣中，本發明描述一種設備。該設備可包括真空板，該真空板包括複數個真空連接件及經組態以收納核心主體之複數個瘤節的複數個凹槽。在一些態樣中，真空板之至少一部分可由熔融矽石形成。在一些態樣中，真空板之硬度可小於核心主體之硬度。

在一些態樣中，真空板可經組態以將核心主體安裝至靜電板，該靜電板包含經組態以收納核心主體之複數個瘤節的複數個孔隙。在一些態樣中，真空板之複數個凹槽可經組態以與靜電板之複數個孔隙對齊。在一些態樣中，真空板之硬度可小於核心主體之硬度，且視情況，大於靜電板之硬度。

在一些態樣中，該真空板可經組態以回應於真空至真空板之複數個真空連接件之施加而將靜電板真空夾持至真空板。在一些態樣中，該真空板可包括具有一或多個電極之電極層。在一些態樣中，該真空板可經組態以回應於一或多個電壓至真空板之電極層中的一或多個電極中之一或多者之施加而將靜電板靜電夾持至真空板。在一些態樣中，真空板之電極層之至少一部分可由銅(Cu)或CrN形成。

在一些態樣中，該真空板可在真空板之面向靜電板之側面的至少一部分上(例如，至少在當靜電板經夾持至真空板時真空板與靜電板觸碰之區域中)包括塗層。在一些態樣中，此塗層之特性可經組態以使得實質上阻止真空板與靜電板之間的強或實質上永久的黏著性，例如光學接觸。在一些態樣中，此塗層之至少一部分可由CrN或DLC形成。

在一些態樣中，本發明描述一種用於製造一設備的方法。該方法可包括形成真空板，該真空板包括複數個真空連接件及經組態以收納核心主體之複數個瘤節的複數個凹槽。在一些態樣中，該方法可進一步包括使用真空板將靜電板安裝至核心主體，使得真空板之複數個凹槽與靜電板之複數個孔隙及核心主體之複數個瘤節對齊。

在一些態樣中，該方法可進一步包括形成核心主體，該核心主體包括複數個瘤節，該複數個瘤節用於支撐諸如晶圓之物件(例如，該等瘤節可面向晶圓安置於核心主體之頂部側面上)。在一些態樣中，該方法可包括圍繞該複數個瘤節中之至少一個瘤節形成溝槽。在一些態樣中，該方法可進一步包括形成靜電板，該靜電板包括經組態以收納複數個瘤節之複數個孔隙。

下文中參考隨附圖式來詳細地描述另外特徵以及各種態樣之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定態樣。本文中僅出於說明性目的而呈現此類態樣。基於本文中所含有之教示，額外態樣對於熟習相關技術者而言將為顯而易見。

本說明書揭示併有本發明之特徵的一或多個實施例。所揭示實施例僅描述本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明之廣度及範疇由隨附在此之申請專利範圍及其等效物界定。

所描述之實施例及本說明書中對「一個實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」等之參考指示所描述之實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等短語未必指代相同實施例。另外，在結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例實現此特徵、結構或特性在熟習此項技術者之認識範圍內。

諸如「底下」、「下方」、「下部」、「上方」、「在……上」、「上部」及類似者的空間相對術語在本文中出於易於描述而使用以描述如諸圖中所說明的一個元件或特徵與另一元件或特徵的關係。除了諸圖中所描繪的定向以外，空間相對術語亦意欲涵蓋器件在使用或操作中的不同定向。器件可按其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)且本文中所使用之空間相對描述詞同樣可相應地進行解譯。

如本文中所使用之術語「約」指示可基於特定技術變化之給定數量之值。基於特定技術，術語「約」可指示例如在值之10%至30%內(例如，值之±10%、±20%或±30%)變化之給定數量之值。

概述

在一個實例中，待由微影設備曝光之基板可由基板固持器(例如，直接支撐基板之結構)支撐，該基板固持器又可由基板台(例如，諸如鏡面區塊、載物台或台之結構，其經組態以支撐基板固持器且提供包圍該基板固持器之上部表面)支撐。在一個實例中，基板固持器可為在大小及形狀上對應於基板之平坦的剛性圓盤，但其可具有不同大小或形狀。在一些態樣中，基板固持器可具有被稱作瘤節或小突起之突出部的陣列，該等突出部自至少一個表面(例如，頂部表面、底部表面或兩者)突出。基板固持器可在兩個相對側上具有突出部之陣列。在此狀況下，當將基板固持器置放於基板台上時，基板固持器之主體可被固持在基板台上方一小段距離，而基板固持器之一側上之瘤節的端部處於基板台之表面上。類似地，當基板擱置於基板固持器之相對側上之瘤節之頂部上時，基板可與基板固持器之主體隔開。此配置之一個實例目的可為幫助防止可能存在於該基板台或基板固持器上之顆粒(例如，諸如塵粒之污染顆粒)使基板固持器或基板變形。由於瘤節之總表面積可為基板或基板固持器之總面積的僅一小部分，因此顆粒可能位於瘤節之間，且因而，其存在可能實質上沒有影響。在一些態樣中，基板固持器及基板可容納於基板台中之凹槽內，使得基板之上部表面與基板台之上部表面實質上共面。

由於由高通量微影設備中之基板經歷的高加速度，因此允許基板簡單地擱置於基板固持器之瘤節上可能並非足夠的；相反，可將基板夾持在適當位置。將基板夾持在適當位置之兩種方法包括但不限於真空夾持及靜電夾持。在真空夾持中，部分地抽空基板固持器與基板之間的空間及視情況基板台與基板固持器之間的空間，使得藉由基板上方之氣體或液體之較高壓力而將基板固持在適當位置。然而，可不使用真空夾持，其中接近基板或基板固持器之光束路徑及/或環境保持在低或極低壓力下，諸如為EUV輻射微影之狀況。在此狀況下，不可能產生橫跨基板(或基板固持器)之足夠大的壓力差以夾持基板(或基板固持器)。因此，可使用靜電夾持。在靜電夾持中，在基板或電鍍於其下部表面上之電極與提供於基板台及/或基板固持器上或中之電極之間建立電位差。該兩個電極表現為大電容器且可在合理電位差下產生相當大的夾持力。靜電配置可使單一電極對(一個電極在基板台上且一個電極在基板上)一起夾持基板台、基板固持器及基板之完整堆疊。在一個配置中，一或多個電極可提供於基板固持器上或中，使得將基板固持器夾持至基板台且將基板分離地夾持至基板固持器。

然而，需要可包括一或多個真空或靜電夾之DUV及EUV基板固持器分別將基板固持器(例如，圖案化器件(例如，光罩)固持器或晶圓固持器)夾持至基板台(例如，圖案化器件台或晶圓台)、將基板(例如，光罩或晶圓)夾持至基板固持器，或兩者。

真空板接合夾具

在一個實例中，僅當組件實質上為奈米級平坦時，用於實例基板台之實例接合夾具可在大於或等於300 mm之區域上將環氧樹脂接合位置控制至次微米級公差。因而，組件之非奈米級平坦度以及其硬度可為障礙，其在一些情況下無法克服且最終判定兩個經接合部分之位置的公差之下限。此外，在幾何形狀上複雜的組件可能極難以製成平坦的，且在一些狀況下，奈米級平坦度可能不能實現。換言之，需要一種技術及設計，其用於將組件接合在一起，其公差比其形狀平坦度更嚴格。

相比之下，本發明之一些態樣可提供真空板夾具，其經組態以利用真空來貼合另一較硬組件(例如，核心主體)之非平坦度。本發明之其他態樣可提供真空板夾具，其經組態以利用真空來將可撓性較強之組件(例如，靜電板)固持在準可撓性狀態中，從而使得彼組件能夠貼合較硬組件之非平坦度。在一些態樣中，所要間隙可經預先製造至經揭示真空板夾具中。在一些態樣中，真空板夾具可具有建置至其中之特定偏移以在接合期間使組件對準。可在接合中實現之公差可取決於真空板夾具製造公差。因此，在一些態樣中，實現越來越嚴格的公差變成了時間及精力問題。真空板夾具可使用不如較硬組件一樣硬且視情況比可撓性較強之組件硬的可撓性。另外或替代地，使用其中施加負載之可變形工具可實現所要公差。舉例而言，柔性或可變形層(例如，聚雙甲基矽氧烷(PDMS)或軟的低硬度聚合物，諸如硬度20A聚矽氧)可經添加至真空板夾具且用於藉由改變夾持重量來對間隙進行微調。

在一些態樣中，本發明提供製造包括真空板夾具之基板台。在一些態樣中，本發明提供形成核心主體(例如，SiSiC或SiC核心主體)，其包括用於支撐物件之複數個瘤節。舉例而言，瘤節可安置於核心主體之面向物件之頂部側面上，該物件可為晶圓或任何其他合適的物件。在一些態樣中，諸如在至少一個瘤節為可撓性之瘤節之情況下，本發明提供圍繞複數個瘤節中之至少一個瘤節形成溝槽。在一些態樣中，本發明提供形成真空板，該真空板包括複數個真空連接件及經組態以收納複數個瘤節之複數個凹槽。在一些態樣中，本發明提供將真空板安裝至核心主體，使得真空板之複數個凹槽與核心主體之複數個瘤節對齊。在一些態樣中，諸如在基板台將用於EUV輻射系統中之情況下，本發明提供形成靜電板，該靜電板包括經組態以收納複數個瘤節之複數個孔隙(例如，孔)。在一些態樣中，本發明提供將真空板安裝至靜電板及核心主體，使得真空板之複數個凹槽與靜電板之複數個孔隙及核心主體之複數個瘤節對齊。

本文中所揭示之系統、設備、方法及電腦程式產品存在許多例示性態樣。舉例而言，本發明之態樣提供用以實現次微米級接合公差之技術。由於本發明中所描述之技術，可在300 mm區域及更大的區域上將接合位置控制至四分之一微米公差。

用於 DUV 輻射系統中之可撓性之瘤節

在一個實例中，在DUV輻射系統中之曝光期間，基板可由基板台固持。基板可擱置於自基板台之表面突出的瘤節上。在一個實例中，瘤節可包括約30,000個瘤節，其中每一瘤節之高度介於約100微米與約200微米之間，且每一瘤節具有在約100微米與約500微米之間的頂部直徑。可在瘤節之間的體積中產生真空，使得藉由基板上方及下方之壓力差將基板推向基板台。

將基板裝載至基板台上可為動態程序，其中基板與瘤節之間的相互作用複雜，以及由於基板與基板台之間的局域地變化的距離(例如，體積改變)而造成的基板與基板台之間的時間相依氣壓。該晶圓可在裝載程序期間在平面內(例如，在水平方向上)變形，此可在裝載之後產生「晶圓負載柵格」(WLG)。如本文中所使用，WLG係指剩餘的平面內變形或應力，其取決於基板之初始形狀(例如，200微米傘形翹曲、200微米弓形翹曲)及在裝載期間及之後與瘤節的相互作用(例如，摩擦力及硬度)。WLG可產生疊對誤差，此係因為WLG之至少一部分可能不能再現，且因此可能不能完全校正；空間頻率可能太高而無法藉由每基板之有限數量的標記來量測，且掃描儀可能不具有足夠的校正能力。

在一個實例中，在WLG指紋之量值及空間頻率難以校正之情況下或當經歷WLG漂移時，DUV系統可能具有WLG問題。在一些情形中，WLG可取決於總瘤節硬度。總瘤節硬度可為一系列硬度：基板剪切力加上基板/瘤節接觸硬度加上瘤節幾何形狀。對於一些基板台瘤節幾何形狀，接觸硬度可小於其他硬度，且藉此可主導總瘤節硬度。此外，總瘤節硬度可對接觸硬度之變化敏感(例如，由於不同的晶圓背側、瘤節污染、不同的瘤節粗糙度磨損)。

本發明之一些態樣可提供藉由將可撓性之瘤節安置在基板台表面上、諸如安置在核心主體(例如，SiSiC或SiC核心主體)上來降低WLG影響，該等核心主體經組態以連接至本文中所揭示之真空板接合夾具。舉例而言，在DUV輻射系統中，本發明之一些態樣可提供對可撓性之瘤節之間的SiSiC平面高度(或SiC平面高度)進行調諧，以獲得隨時間推移累積的較佳真空壓力。

如本文中所使用，術語「可撓性之瘤節」係指由溝槽部分地或全部地包圍之瘤節。在一些態樣中，可撓性之瘤節可包括由溝槽部分地或全部地包圍之硬性瘤節(例如，具有或不具有導電瘤節頂部之DLC瘤節)。在一些態樣中，可修改(例如，增加、減小、擴寬、窄化)包圍可撓性之瘤節之溝槽的深度以實現所要的側向瘤節硬度及真空體積。在一些態樣中，本文中所揭示之可撓性之瘤節可包括以下各者中所描述之特徵、結構及技術之任一組合：2020年3月16日提交且名為「Object Holder, Tool and Method of Manufacturing an Object Holder」之歐洲專利申請案第20163373號，及2020年6月11日提交且名為「Object Holder, Electrostatic Sheet and Method for Making an Electrostatic Sheet」之歐洲專利申請案第20179524號，兩個歐洲專利申請案之全文以引用之方式併入本文中。

在一些態樣中，本發明提供一種用於藉由圍繞每一瘤節形成溝槽(例如，使用反應離子深蝕刻(DRIE)、雷射剝蝕、粉末噴砂、化學蝕刻或另一合適技術)而在一或多個基板台表面上製造可撓性之瘤節之技術，此降低瘤節側向硬度且將真空體積添加至基板與基板台之間的體積。在一些態樣中，本發明提供一種用於最佳化瘤節幾何形狀以用於在瘤節中較佳地分佈應力(例如，藉由界定兩個或多於兩個不同的錐角)之技術。在一些態樣中，本發明提供一種用於使橫跨核心主體表面之每瘤節的溝槽深度及硬度(例如，自中心至邊緣之梯度(例如，中心堅硬，邊緣柔順)；局域的每瘤節最佳化)變化之技術。

在一些態樣中，本發明提供製造基板台，該基板台包括用於DUV輻射系統中之可撓性之瘤節。在一些態樣中，本發明提供形成核心主體，該核心主體包括複數個瘤節，該複數個瘤節用於支撐諸如晶圓之物件(例如，該等瘤節可面向晶圓安置於核心主體之頂部側面上)。該核心主體可進一步包括複數個溝槽。該複數個瘤節中之每一瘤節可由複數個溝槽中之各別溝槽包圍。在一些態樣中，諸如在該基板台將用於EUV輻射系統中之情況下，核心主體可經組態以連接至包括經組態以收納核心主體之複數個瘤節的複數個孔隙之靜電板，使得核心主體之複數個瘤節與靜電板之複數個孔隙對齊。在一些態樣中，該核心主體可經組態以使用包括經組態以收納核心主體之複數個瘤節的複數個凹槽之真空板而連接至靜電板，使得核心主體之複數個瘤節與真空板之複數個凹槽進一步對齊。

本文中所揭示之系統、設備、方法及電腦程式產品存在許多例示性態樣。舉例而言，本發明之態樣提供降低側向瘤節硬度。因而，本發明之態樣提供：擴展平面內晶圓變形且使其較可校正；降低接觸硬度變化對總硬度之影響且藉此減小對瘤節磨損及晶圓背側差異之敏感度；及縮減熱滑動且藉此實現較高熱劑量、較低靜摩擦係數或兩者。

在另一實例中，本發明之態樣提供藉由使瘤節頂部與降低的平面高度(例如，其上安置有瘤節之表面)之間的距離同基板與基板台之間的總體積解除耦接或部分地解除耦接而不改變可撓性之瘤節之大體的表面上方幾何形狀(例如，瘤節頂部之高度、圖案及接觸面積)在晶圓負載期間(例如，當基板與基板台之間的距離局域地改變時)來最佳化亦被稱作「真空體積調適」之真空壓力瞬態之行為。藉由增加基板台底下之體積，建置真空之時間會增加，從而產生夾持力之較慢斜坡及較小的WLG。在無可撓性之瘤節之情況下，體積之增加可增加瘤節頂部與降低的平面高度之間的距離，從而使得更難以夾持翹曲的基板(例如，開始形成真空之初始距離較大)。由於本發明中所描述之技術(例如，藉由使用可撓性之瘤節以使該體積與瘤節頂部與降低的平面高度之間的距離解除耦接)，可更易於平衡夾持翹曲的基板與縮減WLG之間的取捨。

然而，在更詳細地描述此等態樣之前，呈現可供實施本發明之態樣的實例環境係具指導性的。

實例微影系統

圖1A及圖1B分別為可供實施本發明之態樣的微影設備100及微影設備100'之示意性說明。如圖1A及圖1B中所展示，自垂直於XZ平面(例如，X軸指向右側，Z軸指向上方，且Y軸指向遠離觀看者之頁)之視角(例如，側視圖)說明微影設備100及100'，同時自垂直於XY平面(例如，X軸指向右側，Y軸指向上方，且Z軸指向朝著觀看者的頁外)之額外視角(例如，俯視圖)呈現圖案化器件MA及基板W。

在一些態樣中，微影設備100及/或微影設備100'可包括以下結構中之一或多者：照明系統IL (例如，照明器)，其經組態以調節輻射光束B (例如，DUV輻射光束或EUV輻射光束)；支撐結構MT (例如，光罩台)，其經組態以支撐圖案化器件MA (例如，光罩、倍縮光罩或動態圖案化器件)且連接至經組態以準確地定位圖案化器件MA之第一定位器PM；及基板固持器，諸如基板台WT (例如，晶圓台)，其經組態以固持基板W (例如，抗蝕劑塗佈晶圓)且連接至經組態以準確地定位基板W之第二定位器PW。微影設備100及100'亦具有投影系統PS (例如，折射投影透鏡系統)，該投影系統經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒之部分)上。在微影設備100中，圖案化器件MA及投影系統PS為反射性的。在微影設備100'中，圖案化器件MA及投影系統PS為透射性的。

在一些態樣中，在操作中，照明系統IL可自輻射源SO接收輻射光束(例如，經由圖1B中所展示之光束遞送系統BD)。照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學結構，諸如折射、反射、反射折射、磁性、電磁、靜電及其他類型之光學組件，或其任何組合。在一些態樣中，照明系統IL可經組態以調節輻射光束B以在圖案化器件MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。

在一些態樣中，支撐結構MT可按取決於圖案化器件MA相對於參考框架之定向、微影設備100及100'中之至少一者的設計及諸如圖案化器件MA是否固持在真空環境中之其他條件的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。藉由使用感測器，支撐結構MT可確保圖案化器件MA (例如)相對於投影系統PS處於所要位置。

術語「圖案化器件」MA應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何器件。被賦予至輻射光束B之圖案可對應於產生於目標部分C中以形成積體電路之器件中的特定功能層。

在一些態樣中，圖案化器件MA可為透射的(如在圖1B之微影設備100'中)或反射的(如在圖1A之微影設備100中)。圖案化器件MA可包括各種結構，諸如倍縮光罩、光罩、可程式化鏡面陣列、可程式化LCD面板、其他合適結構或其組合。光罩可包括諸如二元、交替相移或衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。在一個實例中，可程式化鏡面陣列可包括小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面可在由小鏡面之矩陣反射的輻射光束B中賦予圖案。

術語「投影系統」PS應被廣泛地解譯且可涵蓋如適於正使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體(例如，在基板W上)之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、合成、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可將真空環境用於EUV或電子束輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射或電子。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。另外，在一些態樣中，術語「投影透鏡」在本文中之任何使用可解譯為與更一般術語「投影系統」PS同義。

在一些態樣中，微影設備100及/或微影設備100'可為具有兩個(例如，「雙載物台」)或多於兩個基板台WT及/或兩個或多於兩個光罩台的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可在一或多個台上進行預備步驟，而將一或多個其他基板台WT用於曝光。在一個實例中，可在位於基板台WT中之一者上的基板W上進行基板W之後續曝光的預備步驟，而位於基板台WT中之另一者上的另一基板W正用於在另一基板W上曝光圖案。在一些態樣中，額外台可能不為基板台WT。

在一些態樣中，除基板台WT以外，微影設備100及/或微影設備100'可包括量測載物台。量測載物台可經配置以固持感測器。感測器可經配置以量測投影系統PS之性質、輻射光束B之性質或其兩者。在一些態樣中，量測載物台可固持多個感測器。在一些態樣中，量測載物台可在基板台WT遠離投影系統PS時在投影系統PS之下移動。

在一些態樣中，微影設備100及/或微影設備100'亦可為基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋以便填充投影系統PS與基板W之間的空間的類型。亦可將浸潤液體施加至微影設備中之其他空間，例如在圖案化器件MA與投影系統PS之間的空間。浸潤技術用於增大投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。各種浸潤技術描述於2005年10月4日發佈且名為「LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD」之美國專利第6,952,253號中，該專利以全文引用的方式併入本文中。

參考圖1A及圖1B，照明系統IL自輻射源SO接收輻射光束B。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO及微影設備100或100'可為分離的物理實體。在此類狀況下，不認為輻射源SO形成微影設備100或100'之部分，且輻射光束B憑藉包括例如合適的引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD (例如，圖1B中所展示)而自輻射源SO傳遞至照明系統IL。在其他狀況下，例如當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影設備100或100'之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD (在需要時)可被稱作輻射系統。

在一些態樣中，照明系統IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作「σ外部」及「σ內部」)。另外，照明系統IL可包括各種其他組件，諸如積光器IN及輻射收集器CO (例如，聚光器或收集器光學件)。在一些態樣中，照明系統IL可用以將輻射光束B調節為在其橫截面中具有所要均勻性及強度分佈。

參考圖1A，在操作中，輻射光束B可入射於可固持於支撐結構MT (例如，光罩台)上之圖案化器件MA (例如，光罩、倍縮光罩、可程式化鏡面陣列、可程式化LCD面板、任何其他合適的結構或其組合)上，且可藉由存在於圖案化器件MA上的圖案(例如，設計佈局)圖案化。在微影設備100中，輻射光束B可自圖案化器件MA反射。在已橫穿圖案化器件MA之情況下(例如，在自圖案化器件反射之後)，輻射光束B可穿過投影系統PS，該投影系統可將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上或聚焦至配置於載物台處的感測器上。

在一些態樣中，憑藉第二定位器PW及位置感測器IFD2 (例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IFD1 (例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容式感測器)可用於相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件MA。

在一些態樣中，可使用光罩對準標記M1及M2以及基板對準標記P1及P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管圖1A及圖1B將基板對準標記P1及P2說明為佔據專用目標部分，但基板對準標記P1及P2可位於目標部分之間的空間中。當基板對準標記P1及P2位於目標部分C之間時，此等基板對準標記被稱為切割道對準標記。基板對準標記P1及P2亦可作為晶粒內標記配置於目標部分C區域中。此等晶粒內標記亦可用作例如用於疊對量測的度量衡標記。

在一些態樣中，出於說明而非限制性目的，本文中諸圖中之一或多者可利用笛卡爾座標系統。笛卡爾座標系統包括三條軸線：X軸；Y軸；及Z軸。三條軸線中之每一者與其他兩條軸線正交(例如，X軸與Y軸及Z軸正交，Y軸與X軸及Z軸正交，Z軸與X軸及Y軸正交)。圍繞X軸之旋轉稱作Rx旋轉。圍繞Y軸之旋轉稱為Ry旋轉。圍繞Z軸之旋轉稱為Rz旋轉。在一些態樣中，X軸及Y軸界定水平平面，而Z軸在豎直方向上。在一些態樣中，笛卡爾座標系統之定向可不同，例如使得Z軸具有沿著水平平面之分量。在一些態樣中，可使用另一座標系統，諸如圓柱座標系統。

參考圖1B，輻射光束B入射於被固持於支撐結構MT上之圖案化器件MA上，且藉由圖案化器件MA而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA之情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統將光束聚焦至基板W之目標部分C上。在一些態樣中，投影系統PS可具有與照明系統光瞳共軛之光瞳。在一些態樣中，輻射之部分可自照明系統光瞳處之強度分佈發散且橫穿光罩圖案而不受光罩圖案MP處的繞射影響，且產生照明系統光瞳處之強度分佈的影像。

投影系統PS將光罩圖案MP之影像MP'投影至塗佈於基板W上之抗蝕劑層上，其中影像MP'係由自光罩圖案MP藉由來自強度分佈之輻射而產生之繞射光束而形成。舉例而言，光罩圖案MP可包括線及空間之陣列。在該陣列處且不同於零階繞射的輻射之繞射產生轉向繞射光束，其在垂直於線之方向上具有方向改變。反射光(例如，零階繞射光束)在傳播方向無任何改變的情況下橫穿圖案。零階繞射光束橫穿投影系統PS之在投影系統PS之光瞳共軛物上游的上部透鏡或上部透鏡群組，以到達光瞳共軛物。在光瞳共軛物之平面中且與零階繞射光束相關聯的強度分佈之部分為照明系統IL之照明系統光瞳中之強度分佈的影像。在一些態樣中，光圈器件可安置於或實質上處於包括投影系統PS之光瞳共軛物的平面處。

投影系統PS經配置以藉助於透鏡或透鏡群組不僅捕獲零階繞射光束，而且捕獲一階或一階及更高階繞射光束(未圖示)。在一些態樣中，可使用用於使在垂直於線之方向上延伸之線圖案成像的偶極照明以利用偶極照明之解析度增強效應。舉例而言，一階繞射光束在基板W之位階處干涉對應的零階繞射光束，而以最高可能解析度及製程窗(例如，與可容許曝光劑量偏差結合之可用聚焦深度)產生光罩圖案MP之影像。在一些態樣中，可藉由在照明系統光瞳之相對象限中提供輻射極(未圖示)來縮減像散像差。此外，在一些態樣中，可藉由阻擋與相對象限中之輻射極相關聯的投影系統PS之光瞳共軛物中之零階光束來縮減像散像差。此更詳細描述於2009年3月31日發佈且名為「LITHOGRAPHIC PROJECTION APPARATUS AND A DEVICE MANUFACTURING METHOD」之美國專利第7,511,799號中，其以全文引用之方式併入本文中。

在一些態樣中，憑藉第二定位器PW及位置量測系統PMS (例如，包括位置感測器，諸如干涉量測器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中的聚焦且對準之位置處。類似地，可使用第一定位器PM及另一位置感測器(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容式感測器) (圖1B中未展示)相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件MA (例如，在自光罩庫機械擷取之後或在掃描期間)。可使用光罩對準標記M1及M2以及基板對準標記P1及P2來對準圖案化器件MA及基板W。

一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程定位器(粗略定位)及短衝程定位器(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程定位器及短衝程定位器來實現基板台WT之移動。在步進器之狀況下(相對於掃描器)，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1及M2以及基板對準標記P1及P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管基板對準標記(如所說明)佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(例如，切割道對準標記)。類似地，在多於一個晶粒設置於圖案化器件MA上之情形中，光罩對準標記M1及M2可位於該等晶粒之間。

支撐結構MT及圖案化器件MA可處於真空腔室V中，其中真空內機械臂可用以將諸如光罩之圖案化器件移入及移出真空腔室。替代地，當支撐結構MT及圖案化器件MA在真空腔室之外部時，與真空內機械臂類似，真空外機械臂可用於各種輸送操作。在一些情況下，需要校準真空內機械臂及真空外機械臂兩者以用於任何有效負載(例如光罩)平滑地轉移至轉移站之固定運動安裝台。

在一些態樣中，微影設備100及100'可用於以下模式中之至少一者中：

1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(例如，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，以使得可曝光不同目標部分C。

2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影於目標部分C上時，支撐結構MT及基板台WT經同步地掃描 (例如，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之(縮小)放大率及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT (例如，光罩台)之速度及方向。

3. 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，支撐結構MT保持實質上靜止以固持可程式化圖案化器件MA，且移動或掃描基板台WT。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件MA (諸如，可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

在一些態樣中，微影設備100及100'可採用上述使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。

在一些態樣中，如圖1A中所展示，微影設備100可包括經組態以產生用於EUV微影之EUV輻射光束B的EUV源。一般而言，EUV源可經組態於輻射源SO中，且對應照明系統IL可經組態以調節EUV源之EUV輻射光束B。

圖2更詳細地展示微影設備100，其包括輻射源SO (例如，源收集器設備)、照明系統IL及投影系統PS。如圖2中所展示，自垂直於XZ平面(例如，X軸指向右側且Z軸指向上方)之視角(例如，側視圖)說明微影設備100。

輻射源SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於圍封結構220中。輻射源SO包括源腔室211及收集器腔室212，且經組態以產生及傳輸EUV輻射。EUV輻射可由氣體或蒸氣產生，例如氙(Xe)氣體、鋰(Li)蒸氣或錫(Sn)蒸氣，其中產生EUV輻射發射電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。至少部分地電離之EUV輻射發射電漿210可藉由例如放電或雷射束產生。Xe氣體、Li蒸氣、Sn蒸氣或任何其他合適氣體或蒸氣之例如約10.0帕斯卡(Pa)的分壓可用於高效地產生輻射。在一些態樣中，提供受激錫之電漿以產生EUV輻射。

由EUV輻射發射電漿210發射之輻射經由定位於源腔室211中之開口中或後方的視情況選用之氣體障壁或污染物截留器230 (例如，在一些狀況下，亦被稱為污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染物截留器230亦可包括氣體障壁或氣體障壁與通道結構之組合。本文進一步所指示之污染物截留器230至少包括通道結構。

收集器腔室212可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO (例如，聚光器或收集器光學件)。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿輻射收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱為中間焦點，且源收集器設備經配置成使得虛擬源點IF位於圍封結構220中之開口219處或附近。虛擬源點IF為EUV輻射發射電漿210之一影像。可使用光柵光譜濾光器240抑制紅外線(IR)輻射。

隨後，輻射橫穿照明系統IL，該照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件222及琢面化光瞳鏡面器件224，該琢面化場鏡面器件222及琢面化光瞳鏡面器件224經配置以提供在圖案化器件MA處輻射光束221之所期望角度分佈，以及在圖案化器件MA處之輻射強度之所期望均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處反射輻射光束221後，形成圖案化光束226，且由投影系統PS經由反射元件228、229將圖案化光束226成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。

照明系統IL及投影系統PS中通常可存在比所展示更多之元件。視情況，取決於微影設備之類型，可存在光柵光譜濾光器240。此外，可存在比圖2所展示之鏡面更多的鏡面。舉例而言，在投影系統PS中可存在比圖2中所展示之反射元件多一至六個的額外反射元件。

如圖2中所說明之輻射收集器CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之一實例。掠入射反射器253、254及255圍繞光軸O軸向對稱安置，且此類型之輻射收集器CO較佳地與放電產生電漿(DPP)源結合使用。

實例微影單元

圖3展示微影單元300，其有時亦被稱作微影製造單元(lithocell)或叢集。如圖3中所展示，自垂直於XY平面(例如，X軸指向右側且Y軸指向上方)之視角(例如，俯視圖)說明微影單元300。

微影設備100或100'可形成微影單元300之部分。微影單元300亦可包括一或多個設備以在基板上執行曝光前程序及曝光後程序。舉例而言，此等設備可包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器RO (例如，機械臂)自輸入/輸出埠I/O1及I/O2拾取基板，在不同處理設備之間移動基板，且將基板遞送至微影設備100或100'之裝載區LB。常常被集體地稱作track之此等器件係在track控制單元TCU之控制下，其自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU來控制微影設備。因此，不同設備可經操作以最大化產出率及處理效率。

實例基板載物台

圖4展示根據本發明之一些態樣的實例基板載物台400之示意性說明。在一些態樣中，實例基板載物台400可包括基板台402、支撐塊體404、一或多個感測器結構406、任何其他合適組件或其任何組合。在一些態樣中，基板台402可包括夾(例如，晶圓夾、十字夾、靜電夾)來固持基板408。在一些態樣中，一或多個感測器結構406中之每一者可包括透射影像感測器(TIS)板。TIS板為包括用於TIS感測系統中之一或多個感測器及/或標記之感測器單元，該TIS感測系統用於晶圓相對於微影設備(例如，參考圖1A、圖1B及圖2所描述之微影設備100及微影設備100')之投影系統(例如，參考圖1A、圖1B及圖2所描述之投影系統PS)及光罩(例如，參考圖1A、圖1B及圖2所描述之圖案化器件MA)之位置的準確定位。雖然此處為了說明而展示TIS板，但本文中之態樣不限於任何特定感測器。基板台402安置在支撐塊體404上。一或多個感測器結構406安置在支撐塊體404上。

在一些態樣中，當實例基板載物台400支撐基板408時，基板408可安置於基板台402上。

術語「扁平」、「扁平度」或類似者可在本文中用以描述相對於表面之大體平面之結構。舉例而言，彎曲或不水平之表面可為並不貼合扁平平面的表面。表面上之突起及凹陷亦可經特性化化為自「扁平」平面之偏差。

術語「平滑」、「粗糙度」或類似者可在本文中用以係指表面之局部變化、微觀偏差、粒度或紋理。舉例而言，術語「表面粗糙度」可指自中線或平面之表面輪廓之微觀偏差。通常將該等偏差量測(按長度單位計)為振幅參數，諸如均方根(RMS)或算術平均偏差(Ra) (例如1 nm RMS)。

在一些態樣中，上文所提及之基板台之表面(例如，圖1A及1B中之基板台WT、圖4中之基板台402)可為扁平的或有瘤節的。當基板台之表面係扁平的時，黏附於基板台與晶圓之間的任何微粒或污染物將會致使污染物透印晶圓，從而在其附近造成微影誤差。因此，污染物降低了器件良率並增大了生產成本。

在基板台上安置瘤節有助於減少扁平基板台之非所要的效應。當將晶圓夾持至有瘤節的基板台時，在晶圓不接觸基板台的區中可得到空的空間。該等空的空間充當污染物之囊袋以便防止印刷誤差。另一優點在於：位於瘤節上之污染物由於由該等瘤節引起的負荷增大而更可能變得破碎。破碎污染物亦有助於減輕透印誤差。在一些態樣中，瘤節之組合之表面區域可大致為基板台之表面區域的1%至5%。此處，瘤節之表面區域係指與晶圓接觸之表面(例如不包括側壁)；且基板台之表面區域係指瘤節駐存的基板台之表面之跨度(例如不包括基板台之側面或背面)。當將晶圓夾持至有瘤節的基板台上時，與扁平基板台相比，負荷增大100倍，其足以壓碎大部分污染物。雖然此處之實例使用基板台，但該實例並不意欲為限制性的。舉例而言，本發明之態樣可針對多種夾持結構(例如，靜電夾、夾持膜)且在多種微影系統(例如，DUV、EUV)中實施於倍縮光罩台上。

在一些態樣中，瘤節至晶圓之界面控管基板台之功能性效能。當基板台之表面係平滑的時，可在基板台之平滑表面與晶圓之平滑表面之間產生黏著力。兩個接觸之平滑表面黏附著在一起的現象被稱為緊貼。緊貼可由於晶圓中之高摩擦力及平面內應力而在器件製作中引起問題(例如，疊對問題) (最佳的係在對準期間使晶圓容易滑動)。

實例基板台

圖5為根據本發明之一些態樣之實例EUV基板台500的部分之示意性說明。應瞭解，可在EUV應用外部使用實例EUV基板台500之經說明部分。舉例而言，實例EUV基板台500之經說明部分可用於DUV應用中，且在一些態樣中，可省略或以其他方式不包括靜電板530。

如圖5中所展示，實例EUV基板台500可包括核心主體510及靜電板530。在一些態樣中，靜電板530可使用真空板520安裝至核心主體510。

圖6A、圖6B及圖6C為根據本發明之一些態樣之實例EUV基板台600的部分之橫截面說明。應瞭解，可在EUV應用外部使用實例EUV基板台600之經說明部分。舉例而言，實例EUV基板台600之經說明部分可用於DUV應用中，且在一些態樣中，可省略或以其他方式不包括靜電板630。

如圖6A中所展示，實例EUV基板台600可包括核心主體610及靜電板630。在一些態樣中，靜電板630可使用真空板620安裝至核心主體610。

在一些態樣中，核心主體610可包括複數個瘤節612 (例如，玻璃瘤節、硬性瘤節、可撓性之瘤節或任何其他合適的瘤節)。在一些態樣中，複數個瘤節612可經組態以支撐諸如晶圓之物件(例如，複數個瘤節612可面向晶圓安置於核心主體610之頂部側面上)。在一些態樣中，複數個瘤節612中之每一者之各別高度的差異可使得核心主體610具有如由瘤節頂部高度差異614及616所指示的非平坦度。在一些態樣中，真空板620可包括複數個真空連接件(未展示)及經組態以收納複數個瘤節612之複數個凹槽622。在一些態樣中，複數個凹槽622可具有在約8.00微米+/-0.25微米與約20.00微米+/-0.25微米之間的凹槽深度624。在一些態樣中，靜電板630可包括經組態以收納複數個瘤節612之複數個孔隙632。在一些態樣中，靜電板630可經組態以連接至真空板620，使得複數個孔隙632與複數個凹槽622對齊。

在一些態樣中，核心主體610之至少一部分可由SiSiC或SiC形成。在一些態樣中，複數個瘤節612之至少一部分可由SiSiC、SiC、DLC、AlN、SiN或CrN形成。在一些態樣中，真空板620之至少一部分可由熔融矽石形成。在一些態樣中，靜電板630之至少一部分可由硼矽酸玻璃形成。在一些態樣中，靜電板630之至少另一部分可由導電材料形成。在一些態樣中，靜電板630可包括包夾於兩個或多於兩個介電層(諸如兩個玻璃晶圓)之間的一或多個電極。在一些態樣中，核心主體610之硬度可大於真空板620之硬度，且真空板620之硬度可大於靜電板630之硬度。舉例而言，靜電板630、真空板620或兩者可具有足以貼合核心主體610之非平坦度的可撓性。

在一些態樣中，可藉由基於複數個瘤節612之圖案(例如，數量、間隔、位置等)、複數個孔隙632之圖案或兩者圖案化且蝕刻真空板620而形成複數個凹槽622。另外或替代地，在一些態樣中，可藉由將金屬(例如，Cu、CrN)之層沈積在真空板620上且接著基於複數個瘤節612之圖案、複數個孔隙632之圖案或兩者來圖案化且蝕刻經沈積金屬層而形成複數個凹槽622。在一些態樣中，可藉由基於複數個瘤節612、複數個凹槽622或兩者之圖案來圖案化且蝕刻靜電板630而形成複數個孔隙632。在一些態樣中，可藉由基於複數個瘤節612、複數個凹槽622或兩者之圖案對靜電板630進行鑽孔而形成複數個孔隙632。

在一些態樣中，如由箭頭692所指示，真空板620可經組態以回應於真空至真空板620之複數個真空連接件的施加而將靜電板630真空夾持至真空板620。另外或替代地，在一些態樣中，真空板620可包括電極層(例如，Cu或CrN)，該電極層包括一或多個電極，且真空板620可經組態以回應於一或多個電壓至真空板620之電極層的一或多個電極中之一或多者之施加而將靜電板630靜電夾持至真空板620。在一個實例中，當靜電板630之電極不接地時，實例EUV基板台500可包括用於將靜電板630靜電夾持至真空板620之兩個電極，一個電極處於負電壓且另一電極處於正電位。在另一實例中，當靜電板630之電極接地時，實例EUV基板台500可包括用於將靜電板630靜電夾持至真空板620之一個電極。

在一些態樣中，真空板620可包括塗層，其安置在真空板620之面向靜電板630的表面之至少一部分上(例如，至少在靜電板630經夾持至真空板620時真空板620與靜電板630觸碰之區域中)。在一些態樣中，此塗層之特性可經組態以實質上防止真空板620與靜電板630之間的光學接觸或其他強或實質上永久性的黏著性。在一些態樣中，此塗層之至少一部分可由CrN或DLC形成。

在一些態樣中，如由箭頭694所指示，真空板620可經組態以回應於真空至真空板620之複數個真空連接件之施加而將核心主體610真空夾持至靜電板630及真空板620。另外或替代地，在一些態樣中，靜電板630可經組態以使用黏著劑(例如，一或多個膠點)接合至核心主體610。

如圖6B中所展示，真空板620經連接至靜電板630，使得複數個孔隙632與複數個凹槽622對齊。在一些態樣中，真空板620可藉由複數個連接區623部分地或全部地連接至靜電板630，該等連接區可包括複數個真空腔室。

如圖6C中所展示，靜電板630及真空板620經連接至核心主體610，使得真空板620及靜電板630貼合核心主體610之非平坦度。在一些態樣中，一旦完成製造程序，則可自核心主體610及靜電板630移除真空板720。

圖7為根據本發明之一些態樣之實例EUV基板台製造系統700的部分之橫截面說明。應瞭解，實例EUV基板台製造系統700可用於除EUV以外之應用中。在一些態樣中，實例EUV基板台701可包括核心主體710、真空板720及靜電板730。在一些態樣中，核心主體710可使用真空板720安裝至靜電板730。在一些態樣中，實例EUV基板台701可置放於柔性層740上，該柔性層安置在台750上。在一些態樣中，實例EUV基板台701可置放在複數個重體780 (例如，置於核心主體710上之鋼板；或，在一些態樣中，機電力)下方，該等重體經組態以將核心主體710保持壓入至柔性層740中。在一些態樣中，一旦完成製造程序，可自實例EUV基板台701移除複數個重體780，且可自真空板720及柔性層740移除實例EUV基板台701。

在一些態樣中，核心主體710可包括複數個瘤節712 (例如，玻璃瘤節、硬性瘤節、可撓性之瘤節或任何其他合適的瘤節)，該等瘤節經組態以與真空板720連接。在一些態樣中，複數個瘤節712可經組態以支撐諸如晶圓之物件(例如，複數個瘤節712可安置於核心主體710之頂部側面上，且經組態以在微影設備之操作期間面向晶圓)。在一些態樣中，核心主體710可進一步包括複數個瘤節713 (例如，玻璃瘤節、硬性瘤節、可撓性之瘤節或任何其他合適的瘤節)，該等瘤節經組態以支撐基板(例如，經加重基板)。在一些態樣中，真空板720可包括複數個真空連接件723及經組態以收納複數個瘤節712之複數個凹槽(例如，藉由在每一瘤節位置處將圓環形環721蝕刻至在約8.00微米+/-0.25微米與約20.00微米+/-0.25微米之間的深度而形成)。在一些態樣中，複數個凹槽可具有在約8.00微米+/-0.25微米與約20.00微米+/-0.25微米之間的凹槽深度。在一些態樣中，靜電板730可包括經組態以收納複數個瘤節712之複數個孔隙。在一些態樣中，靜電板730可經組態以連接至真空板720，使得靜電板730之複數個孔隙與真空板720之複數個凹槽對齊。

在一些態樣中，核心主體710之至少一部分可由SiSiC或SiC形成。在一些態樣中，複數個瘤節712之至少一部分可由SiSiC、SiC、DLC、AlN、SiN或CrN形成。在一些態樣中，複數個瘤節713之至少一部分可由SiSiC、SiC、DLC、AlN、SiN或CrN形成。在一些態樣中，真空板720之至少一部分可由熔融矽石形成。在一些態樣中，靜電板730之至少一部分可由硼矽酸玻璃形成。在一些態樣中，靜電板730之至少另一部分可由導電材料形成。在一些態樣中，靜電板730可包括包夾於兩個或多於兩個介電層(諸如兩個玻璃晶圓)之間的一或多個電極。在一些態樣中，柔性層740可為或包括可撓性支撐結構，該可撓性支撐結構由以下各者形成：PDMS；軟的低硬度聚合物，諸如硬度20A聚矽氧；任何其他合適的材料；或其任何組合。

在一些態樣中，核心主體710之硬度可大於真空板720之硬度，且真空板720之硬度可大於靜電板730之硬度。舉例而言，靜電板730、真空板720或兩者可具有足以貼合核心主體710之非平坦度的可撓性。

在一些態樣中，柔性層740及台750可包括一或多個孔隙(例如，孔)，其供對準系統(例如，視覺對準系統760a、視覺對準系統760b)查看以檢視安置在核心主體710上之對準標記725a及安置在靜電板730上之對準標記725b (例如，對其進行成像、捕獲)。

在一些態樣中，可藉由基於複數個瘤節712之圖案(例如，數量、間隔、位置等)、靜電板730之複數個孔隙之圖案或兩者圖案化且蝕刻真空板720而形成真空板720之複數個凹槽。另外或替代地，在一些態樣中，可藉由將金屬(例如，Cu、CrN)之層沈積在真空板720上且接著基於複數個瘤節712之圖案、靜電板730之複數個孔隙之圖案或兩者來圖案化且蝕刻經沈積金屬層而形成真空板720之複數個凹槽。

在一些態樣中，可藉由基於複數個瘤節712之圖案、真空板720之複數個凹槽之圖案或兩者來圖案化且蝕刻靜電板730而形成靜電板730之複數個孔隙。在一些態樣中，可藉由基於複數個瘤節712之圖案、真空板720之複數個凹槽之圖案或兩者來對靜電板730進行鑽孔而形成靜電板730之複數個孔隙。

在一些態樣中，靜電板730可經組態以使用複數個黏著結構734 (例如，施加至靜電板730之複數個膠點)接合至核心主體710。

在一些態樣中，真空板720可經組態以回應於真空至真空板720之複數個真空連接件723之施加而將靜電板730、核心主體710或兩者真空夾持至真空板720。另外或替代地，在一些態樣中，真空板720可包括電極層(例如，Cu或CrN)，且真空板720可經組態以回應於電壓至真空板720之電極層之施加而將靜電板730、核心主體710或兩者靜電夾持至真空板720。在一些態樣中，靜電板730及真空板720可連接至核心主體710，使得真空板720及靜電板730貼合核心主體710之非平坦度。

在一些態樣中，真空板720可連接至靜電板730及核心主體710，使得靜電板730之複數個孔隙及核心主體710之複數個瘤節712與真空板720之複數個凹槽對齊。在一些態樣中，真空板720、靜電板730或兩者可包括經組態以收納複數個電子銷釘770之複數個電子銷釘孔。在一些態樣中，真空板720可進一步連接至靜電板730及核心主體710，使得複數個電子銷釘孔之子集與複數個電子銷釘770對齊。

圖8為根據本發明之一些態樣之另一實例EUV基板台製造系統800的部分之橫截面說明。應瞭解，實例EUV基板台製造系統800可用於除EUV以外之應用中。在一些態樣中，實例EUV基板台801可包括核心主體810及靜電板830。在一些態樣中，核心主體810可使用金屬層820安裝至靜電板830，該金屬層形成於柔性層740上，該柔性層形成於基板851上。在一些態樣中，實例EUV基板台801可置放在複數個重體880 (例如，置於核心主體710上之鋼板；或，在一些態樣中，機電力)下方，該等重體經組態以將核心主體810保持壓入至柔性層840中。在一些態樣中，藉由複數個重體880施加之力可經調節以修改金屬層820之高度。在一些態樣中，一旦完成製造程序，可自實例EUV基板台801移除複數個重體880。

在一些態樣中，核心主體810可包括經組態以與柔性層840連接之複數個瘤節812 (例如，玻璃瘤節、硬性瘤節、可撓性之瘤節或任何其他合適的瘤節)。在一些態樣中，複數個瘤節812可經組態以支撐諸如晶圓之物件(例如，複數個瘤節812可安置於核心主體810之頂部側面上，且經組態以在微影設備之操作期間面向晶圓)。在一些態樣中，核心主體810可進一步包括複數個瘤節813 (例如，玻璃瘤節、硬性瘤節、可撓性之瘤節或任何其他合適的瘤節)，該等瘤節經組態以支撐基板(例如，經加重基板)。

在一些態樣中，基板851可包括複數個真空連接件823 (例如，藉由圖案化及蝕刻或任何其他合適的技術或技術之組合而形成)。在一些態樣中，柔性層840可包括經組態以與基板851之複數個真空連接件823對齊之複數個真空連接件(例如，藉由圖案化及蝕刻或任何其他合適的技術或技術之組合而形成)。

在一些態樣中，金屬層820可包括經組態以收納複數個瘤節812之複數個孔隙(例如，藉由圖案化金屬層820以形成複數個圓環形金屬環而形成，其中每一圓環形金屬環包圍各別瘤節且具有在約8.00微米+/-0.25微米與約20.00微米+/-0.25微米之間的高度)。在一些態樣中，可藉由將金屬(例如，Cu、CrN)之層沈積在柔性層840上且接著基於複數個瘤節812之圖案(例如，數量、間隔、位置等)、靜電板830之複數個孔隙之圖案或兩者來圖案化且蝕刻經沈積金屬層而形成金屬層820之複數個孔隙。

在一些態樣中，靜電板830可包括經組態以收納複數個瘤節812之複數個孔隙。在一些態樣中，靜電板830可經組態以連接至金屬層820，使得靜電板830之複數個孔隙與金屬層820之複數個孔隙對齊。在一些態樣中，可藉由基於複數個瘤節812之圖案、金屬層820之複數個孔隙之圖案或兩者來圖案化且蝕刻靜電板830而形成靜電板830之複數個孔隙。在一些態樣中，可藉由基於複數個瘤節812之圖案、金屬層820之複數個孔隙之圖案或兩者來對靜電板830進行鑽孔而形成靜電板830之複數個孔隙。

在一些態樣中，核心主體810之至少一部分可由SiSiC形成。在一些態樣中，複數個瘤節812之至少一部分可由DLC、AlN、SiN或CrN形成。在一些態樣中，複數個瘤節813之至少一部分可由DLC、AlN、SiN或CrN形成。在一些態樣中，金屬層820之至少一部分可由Cu或CrN形成。在一些態樣中，靜電板830之至少一部分可由硼矽酸玻璃形成。在一些態樣中，靜電板830之至少另一部分可由導電材料形成。在一些態樣中，靜電板830可包括包夾於兩個或多於兩個介電層(諸如兩個玻璃晶圓)之間的一或多個電極。在一些態樣中，柔性層840可為或包括可撓性支撐結構，該可撓性支撐結構由以下各者形成：PDMS；軟的低硬度聚合物，諸如硬度20A聚矽氧；任何其他合適的材料；或其任何組合。在一些態樣中，基板851之至少一部分可由熔融矽石形成。在一些態樣中，基板851可為任一合適的基板，諸如玻璃晶圓。

在一些態樣中，核心主體810之硬度可大於靜電板830之硬度。在一些態樣中，核心主體810之硬度可大於柔性層840之硬度。舉例而言，靜電板830、柔性層840或兩者可具有足以貼合核心主體810之非平坦度的可撓性。在一些態樣中，靜電板830可經組態以使用複數個黏著結構834 (例如，施加至靜電板830之複數個膠點)接合至核心主體810。

在一些態樣中，基板851可經組態以回應於真空至基板851之複數個真空連接件823之施加而將靜電板830、核心主體810或兩者真空夾持至金屬層820、柔性層840及基板851。另外或替代地，在一些態樣中，金屬層820可經組態以回應於電壓至金屬層820之施加而將靜電板830、核心主體810或兩者靜電夾持至金屬層820、柔性層840及基板851。在一些態樣中，靜電板830、金屬層820、柔性層840及基板851可連接至核心主體810，使得柔性層840及靜電板830貼合核心主體810之非平坦度。

在一些態樣中，金屬層820及柔性層840可連接至靜電板830及核心主體810，使得靜電板830之複數個孔隙及核心主體810之複數個瘤節812與金屬層820之複數個孔隙對齊。在一些態樣中，靜電板830、柔性層840、基板851或其組合可包括經組態以收納複數個電子銷釘870之複數個銷釘孔。在一些態樣中，金屬層820及柔性層840可進一步連接至靜電板830及核心主體810，使得複數個電子銷釘孔之子集與複數個電子銷釘870對齊。

由溝槽包圍之實例瘤節

圖9A、圖9B、圖9C、圖9D、圖9E、圖9F及圖9G為根據本發明之一些態樣之由實例溝槽包圍的在本文中被稱作「可撓性之瘤節」之實例瘤節的橫截面說明。在一些態樣中，圖9A、圖9B、圖9C、圖9D、圖9E、圖9F及圖9G中所展示之實例可撓性之瘤節可併入至本文中所揭示之實例基板台中之任一者中，諸如併入在實例核心主體之頂部表面、底部表面或兩者上。

如圖9A中所展示，在一些態樣中，實例可撓性之瘤節900可包括由形成於核心主體906中之溝槽904包圍的瘤節902。在一些態樣中，可使用例如反應離子深蝕刻(DRIE)、雷射剝蝕、粉末噴砂、化學蝕刻或另一合適的技術圍繞瘤節902形成溝槽904。在一些態樣中，溝槽904可直接經蝕刻至核心主體906中、經蝕刻至安置在核心主體906上之一或多個層中，或其組合。在一些態樣中，瘤節902之一或多個部分可由SiSiC、SiC、DLC、AlN、SiN或CrN形成。在一些態樣中，瘤節902可具有約100微米至約500微米之頂部直徑。舉例而言，瘤節902可具有約210微米之頂部直徑。在一些態樣中，瘤節902可具有小於約10 ⁷Nm ^{- 1}之硬度。

如圖9B中所展示，在一些態樣中，實例可撓性之瘤節920可包括由形成於核心主體926中之溝槽924包圍的瘤節922。在一些態樣中，瘤節922之頂部可安置於約高度水平A處，核心主體926之非瘤節表面可安置於約高度水平B處，且溝槽924之底部可安置於約高度水平C處。在一些態樣中，瘤節922可具有隨高度 z而變之剖面 f ( z )，其可針對硬度及穩定性最佳化，同時滿足對瘤節頂部接觸面積及體積佔據面積之要求。在一些態樣中，剖面 f ( z )可使瘤節寬度朝向瘤節922之底部(例如，高度水平C)增加，且使瘤節寬度朝向瘤節922之頂部(例如，高度水平A)減小。在一個說明性且非限制性實例中，瘤節922可具有朝向瘤節922之頂部之第一錐角α ₁及朝向瘤節922之底部之第二錐角α ₂，其中第一錐角α ₁不同於第二錐角α ₂。在一些態樣中，瘤節922之一或多個部分可具有剖面 f ( z )，其包括一或多個離散階梯(例如，而非連續的錐角)。

在一些態樣中，基板至基板台距離A-B可在約10.0微米至大於1.0 mm之範圍內。在一些態樣中，瘤節922之長度(例如，距離A-C)可在約10.0微米至大於1.0 mm (例如，自約100微米至約2.5 mm)之範圍內。在一些態樣中，溝槽944之深度(例如，距離B-C)可在約50.0微米至大於1.0 mm (例如，自約100微米至約2.5 mm)之範圍內。在一個說明性且非限制性實例中，基板至基板台距離A-B可為約10微米，瘤節922之高度(例如，距離A-C)可為約100微米，且溝槽924之深度(例如，距離B-C)可為約90微米。

如圖9C中所展示，在一些態樣中，實例可撓性之瘤節940可包括由形成於核心主體946中之溝槽944包圍的瘤節942。在一些態樣中，溝槽944之深度、寬度、形狀或其組合可經定製以產生所要側向瘤節硬度及真空體積。舉例而言，圖9C展示高度水平A處之基板與高度水平B處之基板台之間的真空體積(亦即，白色區域)之設計自由度的代表性、未按比例繪製說明，且不改變瘤節942之硬度。在一些態樣中，可獲得不同的基板至基板台距離A-B (例如，自約10.0微米至大於1.0 mm)，同時使真空體積保持實質上相同。舉例而言，第一基板至基板台距離A-B ₁可提供實質上相同的真空體積作為第二基板至基板台距離A-B ₂，其中當與高度水平B ₁相關聯時溝槽944之寬度大於當與高度水平B ₂相關聯時溝槽944之寬度。

圖10A為實例曲線圖1000，其針對具有200微米弓形變形之實例300 mm直徑晶圓展示隨以毫米(mm)為單位之半徑而變的不同的摩擦係數(CoF)及硬度(以N/m為單位之 σ)的以奈米(nm)為單位之實例基板平面內變形增量。圖10B為實例曲線圖1020，其針對具有200微米傘形變形之另一實例300 mm直徑晶圓展示隨半徑而變之不同摩擦係數及硬度的實例基板平面內變形增量。

現參考圖9D、圖9E、圖9F及圖9G，在一些態樣中，為了實現具有高豎直硬度(例如，豎直硬度與側向硬度之比率為1000x)之側向柔性瘤節，可使用細長桿形狀而非錐體。然而，在一些態樣中，此細長的桿可能無法承受可施加在瘤節上之外部力。在一些態樣中，「行程末端」(例如，形成包圍瘤節之溝槽之外部環形區的核心主體之部分)可用於防止瘤節彎曲太遠，從而使瘤節斷裂。在一些態樣中，行程末端可用以使側向柔性瘤節相對於外部力(例如，拋光、清潔、操縱等)穩固。

在一些態樣中，瘤節與核心主體之行程末端之間的間隙可經選擇使得瘤節在晶圓負載期間將不觸碰行程末端。在一些態樣中，最大位移可在傘形晶圓之負載期間發生。在一些態樣中，最後的瘤節上之位移可為每100 μm翹曲大約0.5 μm。因而，瘤節與行程末端之間的間隙可為至少若干微米。在一些態樣中，可如下文之等式1中所展示來判定細長的桿之最大偏轉：

其中𝜎表示屈服應力且𝐸表示楊氏模數。對於細長的桿，可如下文之等式2中所展示使用歐拉-柏努利梁理論針對懸臂樑界定豎直硬度 C _𝑧 與側向硬度 𝐶 _𝑙𝑎𝑡 之比率：

根據等式2之此實例，由此得出，只要比率𝐿/𝑑大約等於13.7，即可自由選擇細長的桿之尺寸。

如圖9D中所展示，在一些態樣中，實例基板台960之一部分之透視圖可包括由形成於核心主體966中之溝槽964包圍的瘤節962 (例如，15個瘤節)。在一些態樣中，瘤節962中之每一者之長度 L可為約1500 μm，瘤節962中之每一者之直徑 d可為約110 μm，且瘤節962中之每一者與核心主體966之每一行程末端965之間的間隙可為約9 μm。在一些態樣中，每一瘤節可具有約7e5 N/m之豎直硬度及約7e2 N/m之側向硬度，從而產生約1000:1之豎直與側向硬度比率。在一些態樣中，瘤節962可具有約1e4 N/m之組合的側向硬度及約1e7 N/m之組合的豎直硬度。

如圖9E中所展示，在一些態樣中，實例可撓性之瘤節970可包括由形成於核心主體976中之溝槽974 (例如，深、窄溝槽)包圍的瘤節972。在一些態樣中，瘤節972之長度 L(例如，距離A-C)可為約1500 μm，瘤節972中之每一者之直徑 d可為約110 μm，且瘤節972與核心主體976之行程末端975之間的間隙可為約9 μm。在一些態樣中，瘤節972可具有約7e5 N/m之豎直硬度及約7e2 N/m之側向硬度，從而產生約1000:1之豎直與側向硬度比率。

如圖9F中所展示，在一些態樣中，實例可撓性之瘤節980可包括由形成於核心主體986中之溝槽984 (例如，接近表面B ₂之淺、窄溝槽，接著為深、寬溝槽)包圍的瘤節982。在一些態樣中，瘤節982與核心主體986之行程末端985之間的間隙接近瘤節982之頂部可為約9 μm (例如，對應於距離B ₂-B ₁)，且接近瘤節982之中部及底部可為較寬的(例如，對應於距離B ₁-C)。

如圖9G中所展示，在一些態樣中，實例可撓性之瘤節990可包括由形成於核心主體996中之長絲994 (例如，非線性彈性長絲)包圍的瘤節992。在一些態樣中，可藉由(i)圍繞瘤節992以低公差產生寬溝槽；及(ii)用彈性長絲填充溝槽來形成實例可撓性之瘤節990。在一些態樣中，在第一微米的行程上，長絲994可具有低硬度。當使瘤節彎曲時，長絲994可變得經壓縮，此可增加長絲994之硬度。在一些態樣中，長絲994可具有足以防止瘤節992斷裂之非線性彈性。

在一些態樣中，圖10A及圖10B展示加載至實例EUV晶圓夾上之動態晶圓的一維(1D)模擬結果。經標繪平面內變形可為摩擦係數為零(例如，CoF = 0)之增量，且展示對於可撓性較強之瘤節(例如， σ= 1e6 N/m)，WLG具有較低空間頻率，同時量值類似於較硬瘤節(例如， σ= 1e7 N/m)。因而，相比於較硬瘤節，可撓性較強之瘤節之WLG可好地校正。在一些態樣中，該等結果亦展示對CoF之較低依賴性。

圖11A及圖11B為根據本發明之一些態樣之包括由實例溝槽包圍的實例瘤節之實例基板台表面之平面及橫截面說明。圖11A展示實例基板台1100之一部分之平面視圖(例如，俯視圖)。圖11B展示貫穿自核心主體1110之中心至邊緣(例如，0 ≤ r≤ 150 mm)的實例基板台1100之一部分的橫截面。

如圖11A及圖11B中所展示，實例基板台1100可包括複數個可撓性之瘤節，其形成於核心主體1110 (例如，具有約300 mm直徑之核心主體之頂部或底部表面)中或上。複數個可撓性之瘤節可包括例如30,000個可撓性之瘤節。在一些態樣中，每一可撓性之瘤節可為約175微米高且具有約210微米之頂部直徑。在一些態樣中，可撓性之瘤節之間的間距可為約1.5 mm。

在一些態樣中，核心主體1110之表面與複數個瘤節中之每一者之頂部之間的高度差(例如，基板至基板台距離A-B)可橫跨核心主體1110為實質上恆定的，而複數個溝槽中之每一者之底部與複數個瘤節中之每一者之頂部之間的高度差可橫跨核心主體1110變化。舉例而言，溝槽深度B-C可隨著距離 r自核心主體1110之中心增加而增加。因而，在一些態樣中，複數個瘤節中之每一者之長度及硬度可橫跨核心主體1110變化，且不更改核心主體1110之表面上方的複數個瘤節之頂部之高度。舉例而言，隨著距離 r自核心主體1110之中心增加，瘤節長度A-C可增加且瘤節硬度可減小。換言之，安置於核心主體1110之周邊區中的瘤節相比於安置於核心主體1110之中心區中的瘤節可具有更大長度及更低硬度。在一些態樣中，接近核心主體1110之周邊安置的瘤節可具有較低硬度，使得其可使用較少力移位，從而更易於遵循由於熱負載而導致的基板之擴展表面。

在一些態樣中，複數個可撓性之瘤節可在第一區I (例如，中心區)中包括由溝槽之第一子集包圍的可撓性之瘤節之第一子集，諸如由溝槽1104包圍之瘤節1102。在一些態樣中，複數個可撓性之瘤節可在第二區II (例如，中間區)中包括由溝槽之第二子集包圍的瘤節之第二子集，諸如由溝槽1124包圍之瘤節1122。在一些態樣中，複數個可撓性之瘤節可在第三區III (例如，周邊區)中包括由溝槽之第三子集包圍的瘤節之第三子集，諸如由溝槽1144包圍之瘤節1142。

在一些態樣中，第一區I中的溝槽之第一子集中之每一者的深度可小於第二區II中的溝槽之第二子集中之每一者的深度。在一些態樣中，第二區II中的溝槽之第二子集中之每一者的深度可小於第三區III中的溝槽之第三子集中之每一者的深度。舉例而言，第一區I中的溝槽1104之深度1105 (例如，距離B-C ₁)可小於第二區II中的溝槽1124之深度1125 (例如，距離B-C ₂)，且第二區II中的溝槽1124之深度1125可小於第三區III中之溝槽1144之深度1145 (例如，距離B-C ₃)。

在一些態樣中，第一區I中的瘤節之第一子集中之每一者的長度可大於第二區II中的瘤節之第二子集中之每一者的長度。在一些態樣中，第二區II中的瘤節之第二子集中之每一者的長度可大於第三區III中的瘤節之第三子集中之每一者的長度。舉例而言，第一區I中的瘤節1102之長度1103 (例如，距離A-C ₁)可大於第二區II中的瘤節1122之長度1123 (例如，距離A-C ₂)，且第二區II中的瘤節1122之長度1123可大於第三區III中的瘤節1142之長度1143 (例如，距離A-C ₃)。

在一些態樣中，第一區I中的瘤節之第一子集中之每一者的硬度可大於第二區II中的瘤節之第二子集中之每一者的硬度。在一些態樣中，第二區II中的瘤節之第二子集中之每一者的硬度可大於第三區III中的瘤節之第三子集中之每一者的硬度。舉例而言，第一區I中的瘤節1102之硬度可大於第二區II中的瘤節1122之硬度，且第二區II中的瘤節1122之硬度可大於第三區III中的瘤節1142之硬度。

用於製造設備之實例程序

圖12為用於製造根據本發明之一些態樣之設備或其部分的實例方法1200。參考實例方法1200所描述之操作可藉由或根據本文中所描述之系統、設備、組件、技術或其組合中之任一者來執行，諸如參考上文圖1至圖11及下文圖13至圖17所描述之彼等系統、設備、組件、技術或其組合。

在操作1202處，該方法可包括形成核心主體(例如，核心主體510、610、710、810、906、1110)。在一些態樣中，形成核心主體可包括由SiSiC或SiC形成核心主體之至少一部分。在一些態樣中，形成核心主體可包括在核心主體之表面上形成複數個瘤節。在一些態樣中，該複數個瘤節可經組態以支撐諸如晶圓之物件。舉例而言，該複數個瘤節可形成於核心主體之頂部側面上且經組態以在微影設備之操作期間面向晶圓。在一些態樣中，形成該複數個瘤節可包括由DLC、AlN、SiN或CrN形成該複數個瘤節之至少一部分。在一些態樣中，形成該複數個瘤節可包括形成該複數個瘤節中之具有小於約10 ⁷Nm ^{- 1}之硬度的至少一個瘤節。在一些態樣中，形成該複數個瘤節可包括：在核心主體之中心區中形成第一瘤節；在核心主體之周邊區中形成第二瘤節；形成包圍第一瘤節之第一溝槽；及形成包圍第二瘤節之第二溝槽，其中第二瘤節之長度大於第一瘤節之長度，其中第一溝槽之深度小於第二溝槽之深度，且其中第二瘤節之硬度小於第一瘤節之硬度。在一些態樣中，形成核心主體可包括圍繞該複數個瘤節中之至少一個瘤節形成溝槽。在一些態樣中，形成核心主體可包括形成具有大於真空板之硬度且視情況大於靜電板之硬度的硬度之核心主體。在一些態樣中，該核心主體可經組態以連接至真空板及靜電板，使得核心主體之複數個瘤節與真空板之複數個凹槽及靜電板之複數個孔隙對齊。在一些態樣中，形成核心主體可使用合適的機械或其他方法來實現，且包括根據參考以上圖1至圖11及以下圖13至圖17所描述之任一態樣或態樣之組合來形成核心主體。

在操作1204處，該方法可包括形成真空板(例如，真空板520、620、720；金屬層820、柔性層840及基板851之組合結構)。在一些態樣中，形成真空板可包括由熔融矽石形成真空板之至少一部分。在一些態樣中，形成真空板可包括在真空板中形成複數個真空連接件。在一些態樣中，形成真空板可包括在真空板之表面中形成複數個凹槽，該等凹槽經組態以收納核心主體之複數個瘤節。在一些態樣中，形成真空板可包括在真空板之表面上形成包括一或多個電極之電極層。在一些態樣中，形成真空板之電極層可包括由Cu或CrN形成真空板之電極層之至少一部分。在一些態樣中，形成真空板可包括形成具有小於核心主體之硬度且視情況大於靜電板之硬度的硬度之真空板。在一些態樣中，該真空板可經組態以將核心主體連接至靜電板，使得真空板之複數個凹槽與核心主體之複數個瘤節及靜電板之複數個孔隙對齊。在一些態樣中，該真空板可經組態以回應於真空至真空板之複數個真空連接件之施加而將靜電板真空夾持至真空板。在一些態樣中，在真空板包括電極層之情況下，該真空板可經組態以回應於電壓至真空板之電極層之施加而將靜電板靜電夾持至真空板。在一些態樣中，形成真空板可使用合適的機械或其他方法來實現，且包括根據參考以上圖1至圖11及以下圖13至圖17所描述之任一態樣或態樣之組合來形成真空板。

在操作1206處，該方法可包括形成靜電板(例如，靜電板530、630、730、830)。在一些態樣中，形成靜電板可包括由導電材料(例如，一或多個電極)形成靜電板之至少第一部分及由介電材料形成靜電板之至少第二部分。舉例而言，形成靜電板可包括形成包括包夾於兩個或多於兩個介電層之間的一或多個電極之靜電板。在一些態樣中，形成靜電板可包括在靜電板中形成複數個孔隙，該等孔隙經組態以收納核心主體之複數個瘤節。在一些態樣中，形成靜電板可包括形成具有小於核心主體之硬度且小於真空板之硬度的硬度之靜電板。在一些態樣中，該靜電板可經組態以使用真空板連接至核心主體，使得靜電板之複數個孔隙與核心主體之複數個瘤節及真空板之複數個凹槽對齊。在一些態樣中，形成靜電板可使用合適的機械或其他方法來實現，且包括根據參考以上圖1至圖11及以下圖13至圖17所描述之任一態樣或態樣之組合來形成靜電板。

在操作1208處，該方法可包括將靜電板安裝至真空板。在一些態樣中，將靜電板安裝至真空板可包括將真空施加至真空板之複數個真空連接件以將靜電板真空夾持至真空板。在一些態樣中，在真空板包括電極層之情況下，將靜電板安裝至真空板可包括將電壓施加至真空板之電極層以將靜電板靜電夾持至真空板。在一些態樣中，將靜電板安裝至真空板可使用合適的機械或其他方法來實現，且包括根據參考以上圖1至圖11及以下圖13至圖17所描述之任一態樣或態樣之組合來將靜電板安裝至真空板。

在操作1210處，該方法可包括使用真空板將靜電板安裝至核心主體。在一些態樣中，將靜電板安裝至核心主體可包括將真空施加至真空板之複數個真空連接件以將核心主體真空夾持至靜電板。在一些態樣中，在真空板包括電極層之情況下，將靜電板安裝至核心主體可包括將電壓施加至真空板之電極層以將核心主體靜電夾持至靜電板。在一些態樣中，將靜電板安裝至核心主體可包括將黏著材料施加至核心主體之一或多個部分、靜電板或其組合，以將核心主體附連至靜電板。在一些態樣中，將靜電板安裝至核心主體可使用合適的機械或其他方法來實現，且包括根據參考以上圖1至圖11及以下圖13至圖17所描述之任一態樣或態樣之組合使用真空板將靜電板安裝至核心主體。

實例真空總成

提供用於使用包括真空板、具有瘤節之柔性層及歧管之真空總成製造基板台之系統、設備及方法。實例方法可包括形成具有瘤節、第一真空連接件及第一大氣壓力連接件之柔性層，該等瘤節經組態以支撐真空板。視情況，每一瘤節可由溝槽部分地或全部地包圍。該實例方法可進一步包括形成歧管，該歧管具有經組態以與第一真空連接件對齊之第二真空連接件及經組態以與第一大氣壓力連接件對齊之第二大氣壓力連接件。該實例方法可進一步包括將柔性層安裝至歧管及將真空板安裝至柔性層。視情況，該實例方法可進一步包括使用真空總成將基板台之核心主體安裝至靜電板。

如本文中所描述，本發明描述用於製造且使用基板台之系統、設備及方法之各種態樣，該基板台具有用於EUV輻射系統中之核心主體及彈性板。在一些態樣中，彈性板可使用真空總成而安裝至核心主體，該真空總成包括真空板、柔性層及歧管，其中柔性層包括用於支撐真空板之瘤節。

在一些態樣中，本發明描述一種系統。該系統可包括真空總成，其包括柔性層。該柔性層可包括經組態以支撐真空板之複數個瘤節。該柔性層可進一步包括複數個真空連接件。

在一些態樣中，該複數個瘤節之至少一部分可由彈性材料形成。在一些態樣中，該複數個瘤節中之至少一個瘤節可具有小於約10兆牛頓/米(10 ⁷Nm ^{- 1})之硬度。在一些態樣中，該複數個瘤節可包括第一瘤節，其具有朝向第一瘤節之頂部的第一錐角及朝向第一瘤節之底部的第二錐角。

在一些態樣中，該複數個瘤節可包括安置於柔性層之第一區中的瘤節之第一子集及安置於柔性層之第二區中的瘤節之第二子集，且該第一複數個瘤節之第一瘤節間間隔可小於瘤節之第二子集之第二瘤節間間隔。在一些態樣中，該複數個瘤節可為第一複數個瘤節，且該第一複數個瘤節之第一圖案可對應於第二複數個瘤節之第二圖案，該第二複數個瘤節安置在核心主體上，該核心主體經組態以附接至真空板。

在一些態樣中，複數個真空連接件可為第一複數個真空連接件，且該真空總成可進一步包括歧管，該歧管包括經組態以與第一複數個真空連接件對齊之第二複數個真空連接件。在一些態樣中，該柔性層可進一步包括第一大氣壓力連接件，該歧管可進一步包括經組態以與第一大氣壓力連接件對齊之第二大氣壓力連接件。

在一些態樣中，柔性層可進一步包括複數個溝槽，且該複數個瘤節中之每一瘤節可由複數個溝槽中之各別溝槽包圍。在一些態樣中，該複數個瘤節可包括安置於柔性層之第一區中的第一瘤節及安置於柔性層之第二區中的第二瘤節，且第一瘤節之第一長度可小於第二瘤節之第二長度。在一些態樣中，該複數個溝槽可包括包圍第一瘤節之第一溝槽及包圍第二瘤節之第二溝槽，且第一溝槽之第一深度可小於第二溝槽之第二深度。在一些態樣中，第一瘤節之第一硬度可小於第二瘤節之第二硬度。

在一些態樣中，本發明描述一種諸如真空總成之設備。該設備可包括柔性層，該柔性層包括經組態以支撐真空板之複數個瘤節、第一複數個真空連接件及第一大氣壓力連接件。該設備可進一步包括歧管，該歧管經組態以安裝至柔性層且包括經組態以與第一複數個真空連接件對齊之第二複數個真空連接件及經組態以與第一大氣壓力連接件對齊之第二大氣壓力連接件。在一些態樣中，該設備可進一步包括真空板。

在一些態樣中，該複數個瘤節之至少一部分可由彈性材料形成。在一些態樣中，該複數個瘤節可包括安置於柔性層之第一區中的瘤節之第一子集及安置於柔性層之第二區中的瘤節之第二子集，且該第一複數個瘤節之第一瘤節間間隔可小於瘤節之第二子集之第二瘤節間間隔。在一些態樣中，該複數個瘤節可為第一複數個瘤節，且該第一複數個瘤節之第一圖案可對應於第二複數個瘤節之第二圖案，該第二複數個瘤節安置在核心主體上，該核心主體經組態以接觸真空板。

在一些態樣中，該複數個瘤節可包括第一瘤節，其具有朝向第一瘤節之頂部的第一錐角及朝向第一瘤節之底部的第二錐角。在一些態樣中，柔性層可進一步包括複數個溝槽，且該複數個瘤節中之每一瘤節可由複數個溝槽中之各別溝槽包圍。

在一些態樣中，本發明描述一種用於製造真空總成之方法。該方法可包括形成柔性層，該柔性層包括經組態以支撐真空板之複數個瘤節、第一複數個真空連接件及第一大氣壓力連接件。在一些態樣中，至少一個瘤節可由溝槽包圍。該方法可進一步包括形成歧管，該歧管包括經組態以與第一複數個真空連接件對齊之第二複數個真空連接件，及經組態以與第一大氣壓力連接件對齊之第二大氣壓力連接件。該方法可進一步包括將柔性層安裝至歧管。在一些態樣中，該方法可進一步包括將真空板安裝至柔性層。

在一些態樣中，當製造實例基板台時，將真空板加載至柔性層上可為動態程序，其中真空板與柔性層之瘤節之間的相互作用複雜，以及由於真空板與柔性層之間的局域地變化的距離(例如，體積改變)而造成的真空板與柔性層之間的時間相依氣壓。本發明之態樣提供藉由使瘤節頂部與降低的平面高度(例如，其上安置有瘤節之表面)之間的距離同真空板與柔性層之間的總體積解除耦接或部分地解除耦接而不改變可撓性之瘤節之大體的表面上方幾何形狀(例如，瘤節頂部之高度、圖案及接觸面積)在基板台製造期間(例如，當真空板與柔性層之間的距離局域地改變時)來最佳化真空壓力瞬態之行為。藉由增加柔性層之表面底下的體積，建置真空之時間會增加，從而產生夾持力之較慢斜坡及真空板中之較小橫向加載(例如，彎曲)。在無可撓性之瘤節之情況下，體積之增加可增加瘤節頂部與降低的平面高度之間的距離，從而使得更難以夾持翹曲的真空板(例如，開始形成真空之初始距離較大)。由於本發明中所描述之技術(例如，藉由使用可撓性之瘤節以將體積與瘤節頂部與降低的平面高度之間的距離解除耦接)，柔性層可變得更具柔性，使得在製造期間施加之力可較充分地使真空板貼合基板台，同時縮減真空板中之橫向加載。

在一些態樣中，真空總成之柔性層可具有經圖案化結構(例如，瘤節圖案)，其提供核心主體之不同功能區中之硬度的微調。在一些態樣中，柔性層瘤節圖案可經調諧以最小化真空板中之橫向加載(例如，彎曲)。在一些態樣中，可藉由雷射剝蝕來形成柔性層瘤節圖案。在一些態樣中，柔性層可充當歧管與真空板之間的真空饋通件。在一些態樣中，瘤節間空間可通向大氣。

在一些態樣中，可使用諸如雷射剝蝕之消減製造程序來製造彈性柔性層之頂部表面上的瘤節。

在一個實例中，用彈性材料產生三維(3D)結構，諸如真空總成之柔性層之表面上的瘤節，可涉及將該材料射出模製或壓縮模製進入具有所要幾何形狀之一空腔內。然而，模具中之機械加工誤差會導致最終部分幾何形狀之誤差。舉例而言，底部平坦且頂部具有瘤節結構之一部分將需要模具，其具有經由電腦數值控制(CNC)機器鑽孔之平底孔。界定瘤節頂部之平面的孔之底部表面的剖面公差係藉由CNC機器如何可重複地鑽孔至Z軸中之某一位置來決定。此外，模製技術對材料流入模具之特徵中的能力敏感，且因此可僅用於製造有限數目個幾何形狀。

在另一實例中，用彈性材料產生3D結構可涉及3D印刷某些類型的橡膠。然而，3D印刷具有極有限的材料選擇，其極大地限制了橡膠部分之設計自由度。

在又另一實例中，用彈性材料產生3D結構可涉及研磨，其需要材料具有極堅硬的硬度且在處理期間被液態氮浸沒。然而，用於一些實例柔性層之橡膠材料可能太軟而不能被研磨。

相比之下，本發明揭示用於經由諸如雷射剝蝕之消減製造程序來最佳化彈性材料之平坦度及並行性的技術。此類消減製造技術可最佳化彈性材料之坯料的製造程序，同時能夠逆向地移除材料以高精度地形成尖銳、複雜的特徵。此外，此類消減製造技術可利用除可流動通過射出模具或可經研磨且不僅僅限於可經由壓縮或射出模製或研磨製造的幾何形狀之材料以外的材料。另外，此類消減製造技術可自彈性材料薄片切割柔性層，該彈性材料薄片已經以最佳化平坦度及並行性之方式來製造。

本文中所揭示之系統、設備、方法及電腦程式產品存在許多例示性態樣。舉例而言，本發明之態樣提供諸如雷射剝蝕技術之用於製造柔性層之消減製造技術，其不需要模具且因此在製造零件時不會強加偶生性的工具成本或模具製造前置時間。由於本發明中所描述之技術，設計循環回饋迴路會被大幅度縮短且變得較不昂貴。

圖13A及圖13B為根據本發明之一些態樣之實例EUV基板台製造系統1300的部分之橫截面說明。應瞭解，實例EUV基板台製造系統1300可用於除EUV以外之應用中。

如圖13A中所展示，在一些態樣中，實例EUV基板台製造系統1300可包括實例EUV基板台1301，其包括核心主體1310及靜電板1330。在一些態樣中，實例EUV基板台製造系統1300可進一步包括真空總成1302，其包括真空板1320、柔性層1340及歧管1351。

在一些態樣中，核心主體1310可使用真空總成1302安裝至靜電板1330。在一些態樣中，實例EUV基板台1301可置放於真空總成1302上，且重體1380 (例如，置於核心主體1310上之鋼板；或在一些態樣中，機電力)可置放於實例EUV基板台1301上，以將核心主體1310壓入至柔性層1340中，同時經由真空連接件1323將真空夾持力施加至真空板1320。在一些態樣中，一旦完成製造程序，則可自實例EUV基板台1301移除重體1380，且可自真空總成1302移除實例EUV基板台1301。

在一些態樣中，核心主體1310可包括經組態以與真空板1320連接之瘤節1312 (例如，玻璃瘤節、硬性瘤節、可撓性之瘤節或任何其他合適的瘤節)。在一些態樣中，瘤節1312可經組態以支撐諸如晶圓之物件(例如，瘤節1312可安置於核心主體1310之頂部側面上且經組態以在微影設備之操作期間面向晶圓)。在一些態樣中，核心主體1310可進一步包括瘤節1313 (例如，玻璃瘤節、硬性瘤節、可撓性之瘤節或任何其他合適的瘤節)，該等瘤節經組態以支撐基板(例如，經加重基板)。在一些態樣中，真空板1320、柔性層1340及歧管1351可包括真空連接件1323。在一些態樣中，柔性層1340及歧管1351可包括一或多個大氣壓力連接件1371，其經組態以將瘤節1372之間的瘤節間空間通向大氣。在一些態樣中，真空板1320可進一步包括凹槽(例如，藉由在每一瘤節位置處將圓環形環1321蝕刻至在約14.00微米+/-0.25微米與約20.00微米+/-0.25微米之間的深度而形成)，該等凹槽經組態以收納瘤節1312。在一些態樣中，凹槽可具有在約14.00微米+/-0.25微米與約20.00微米+/-0.25微米之間的凹槽深度。在一些態樣中，靜電板1330可包括經組態以收納瘤節1312之孔隙。在一些態樣中，靜電板1330可經組態以連接至真空板1320，使得靜電板1330之孔隙與真空板1320之凹槽對齊。

在一些態樣中，核心主體1310之至少一部分可由SiSiC或SiC形成。在一些態樣中，瘤節1312之至少一部分可由SiSiC、SiC、DLC、AlN、SiN或CrN形成。在一些態樣中，瘤節1313之至少一部分可由SiSiC、SiC、DLC、AlN、SiN或CrN形成。在一些態樣中，真空板1320之至少一部分可由熔融矽石形成。在一些態樣中，靜電板1330之至少一部分可由硼矽酸玻璃形成。在一些態樣中，靜電板1330之至少另一部分可由導電材料形成。在一些態樣中，靜電板1330可包括包夾於兩個或多於兩個介電層(諸如兩個玻璃晶圓)之間的一或多個電極。在一些態樣中，柔性層1340可為或包括彈性支撐結構，其由以下各者形成：彈性材料，諸如聚矽氧(例如，硬度20A聚矽氧或另一軟的低硬度聚合物)；PDMS (例如，使用25:1彈性基體與彈性固化劑混合比率形成)；氟彈性材料(例如，經氟化之烴橡膠)；任何其他合適的材料；或其任何組合。

在一些態樣中，真空板1320可包括真空連接件1323之上部部分。在一些態樣中，柔性層1340可包括經組態以支撐真空板1320之瘤節1372、真空連接件1323之中間部分及一或多個大氣壓力連接件1371之上部部分。在一些態樣中，歧管1351可包括真空連接件1323之下部部分及一或多個大氣壓力連接件1371之下部部分。在一些態樣中，包括於柔性層1340中之真空連接件1323之中間部分可分別與包括於真空板1320及歧管1351中之真空連接件1323之上部部分及下部部分對準(例如，對齊)。在一些態樣中，包括於柔性層1340中之一或多個大氣壓力連接件1371之上部部分可與包括於歧管1351中之一或多個大氣壓力連接件1371之下部部分對準。

在一些態樣中，核心主體1310之硬度可大於真空板1320之硬度，且真空板1320之硬度可大於靜電板1330之硬度及柔性層1340之硬度。舉例而言，柔性層1340、靜電板1330及真空板1320可具有足以貼合核心主體1310之非平坦度的可撓性。在一些態樣中，柔性層1340之瘤節1372之圖案可經調諧以最小化真空板1320中之橫向加載(例如，彎曲)。

在一些態樣中，柔性層1340、歧管1351及台1350可包括一或多個孔隙(例如，孔)，其供對準系統(例如，視覺對準系統1360a、視覺對準系統1360b)查看以檢視安置在核心主體1310上之對準標記1325a及安置在靜電板1330上之對準標記1325b (例如，對其進行成像、捕獲)。

在一些態樣中，可藉由基於瘤節1312之圖案(例如，數量、間隔、位置等)、靜電板1330之孔隙之圖案或兩者圖案化且蝕刻真空板1320來形成真空板1320之凹槽。另外或替代地，在一些態樣中，可藉由將金屬(例如，Cu、CrN)之層沈積在真空板1320上且接著基於瘤節1312之圖案、靜電板1330之孔隙之圖案或兩者來圖案化且蝕刻經沈積金屬層而形成真空板1320之凹槽。

在一些態樣中，可藉由基於瘤節1312之圖案、真空板1320之凹槽之圖案或兩者圖案化且蝕刻靜電板1330而形成靜電板1330之孔隙。在一些態樣中，可藉由基於瘤節1312之圖案、真空板1320之凹槽之圖案或兩者對靜電板1330進行鑽孔而形成靜電板1330之孔隙。

在一些態樣中，靜電板1330可經組態以使用黏著結構1334 (例如，施加至靜電板1330之膠點)接合至核心主體1310。

在一些態樣中，真空板1320可經組態以回應於真空至真空板1320之真空連接件1323、柔性層1340及歧管1351之施加而將靜電板1330、核心主體1310或兩者真空夾持至真空板1320。另外或替代地，在一些態樣中，真空板1320可包括電極層(例如，Cu或CrN)，且真空板1320可經組態以回應於電壓至真空板1320之電極層的施加而將靜電板1330、核心主體1310或兩者靜電夾持至真空板1320。在一些態樣中，靜電板1330及真空板1320可連接至核心主體1310，使得真空板1320及靜電板1330貼合核心主體1310之非平坦度。

在一些態樣中，真空板1320可連接至靜電板1330及核心主體1310，使得靜電板1330之孔隙及核心主體1310之瘤節1312與真空板1320之凹槽對齊。在一些態樣中，真空板1320、靜電板1330或兩者可包括經組態以收納電子銷釘1370之電子銷釘孔。在一些態樣中，真空板1320可進一步連接至靜電板1330及核心主體1310，使得電子銷釘孔之子集與電子銷釘1370對齊。

圖13B說明柔性層1340之一些實例特徵。如圖13B中所展示，柔性層1340可包括形成於柔性層1340上之瘤節1372。在一些態樣中，瘤節1372可經組態以支撐真空板1320。舉例而言，瘤節1372可形成於柔性層1340之頂部側面上且經組態以面向真空板之底側。在一些態樣中，瘤節1372可由諸如聚矽氧之彈性材料、PDMS、氟彈性材料、任何其他合適的材料或其任何組合形成。在一些態樣中，可藉由雷射剝蝕柔性層1340之頂部表面(或使用另一合適的消減製造程序)來形成瘤節1372。在一些態樣中，瘤節1372可具有小於約10 ⁷Nm ^{- 1}之硬度。在一些態樣中，可根據對應於安置在核心主體1310上之瘤節1312的圖案形成瘤節1372。

在一些態樣中，瘤節1372之第一子集1372a可在柔性層1340之中心區VI中具有第一瘤節間間隔，瘤節1372之第二子集1372b可在柔性層1340之接近中間區VII中具有第二瘤節間間隔，瘤節1372之第三子集1372c可在柔性層1340之遠離中間區VIII中具有第三瘤節間間隔，瘤節1372之第四子集1372d (或替代地，無瘤節)可在柔性層1340之周邊區IX中具有第四瘤節間間隔，其中「第一瘤節間間隔＜第二瘤節間間隔＜第三瘤節間間隔＜第四瘤節間間隔」，使得瘤節1372接近柔性層1340之中心較緻密且接近柔性層1340之周邊較稀疏。替代地，在一些態樣中，柔性層1340在周邊區IX中可具有極少瘤節或無瘤節。

在一些態樣中，如本文中所描述，瘤節1372中之一或多者可為可撓性之瘤節、經錐形化或兩者。在一些態樣中，瘤節1372之間的瘤節間空間可藉由一或多個大氣壓力連接件1371而通向大氣。

圖14為根據本發明之一些態樣之另一實例EUV基板台製造系統1400的部分之橫截面說明。應瞭解，實例EUV基板台製造系統1400可用於除EUV以外的應用中。

在一些態樣中，實例EUV基板台製造系統1400可包括實例EUV基板台1401，其包括核心主體1410及靜電板1430。在一些態樣中，實例EUV基板台製造系統1400可進一步包括真空總成1402，其包括金屬層1420，該金屬層形成於柔性層1440上，該柔性層安裝在歧管1451上。

在一些態樣中，核心主體1410可使用真空總成1402安裝至靜電板1430。在一些態樣中，實例EUV基板台1401可置放於真空總成1402上，且重體1480 (例如，置於核心主體1410上之鋼板；或在一些態樣中，機電力)可置放於實例EUV基板台1401上以將核心主體1410壓入至柔性層1440中，同時經由真空連接件1423將真空夾持力施加至金屬層1420。在一些態樣中，藉由重體1480施加之力可經調節以修改金屬層1420之高度。在一些態樣中，一旦完成製造程序，則可自實例EUV基板台1401移除重體1480，且可自真空總成1402移除實例EUV基板台1401。

在一些態樣中，核心主體1410可包括瘤節1412 (例如，玻璃瘤節、硬性瘤節、可撓性之瘤節或任何其他合適的瘤節)，該等瘤節經組態以與柔性層1440連接。在一些態樣中，瘤節1412可經組態以支撐諸如晶圓之物件(例如，瘤節1412可安置於核心主體1410之頂部側面上且經組態以在微影設備之操作期間面向晶圓)。在一些態樣中，核心主體1410可進一步包括瘤節1413 (例如，玻璃瘤節、硬性瘤節、可撓性之瘤節或任何其他合適的瘤節)，該等瘤節經組態以支撐基板(例如，經加重基板)。

在一些態樣中，歧管1451可包括真空連接件1423 (例如，藉由圖案化及蝕刻或任何其他合適的技術或技術之組合而形成)之下部部分。在一些態樣中，柔性層1440可包括真空連接件1423 (例如，藉由圖案化及蝕刻或任何其他合適的技術或技術之組合而形成)之上部部分，該等上部部分經組態以與歧管1451之真空連接件1423之下部部分對齊。

在一些態樣中，金屬層1420可包括孔隙(例如，藉由圖案化金屬層1420以形成圓環形金屬環而形成，其中每一圓環形金屬環包圍各別瘤節且具有在約14.00微米+/-0.25微米與約20.00微米+/-0.25微米之間的高度)，該等孔隙經組態以收納瘤節1412。在一些態樣中，可藉由將金屬(例如，Cu、CrN)之層沈積在柔性層1440上且接著基於瘤節1412之圖案(例如，數量、間隔、位置等)、靜電板1430之孔隙之圖案或兩者來圖案化且蝕刻經沈積金屬層而形成金屬層1420之孔隙。

在一些態樣中，靜電板1430可包括經組態以收納瘤節1412之孔隙。在一些態樣中，靜電板1430可經組態以連接至金屬層1420，使得靜電板1430之孔隙與金屬層1420之孔隙對齊。在一些態樣中，可藉由基於瘤節1412之圖案、金屬層1420之孔隙之圖案或兩者圖案化且蝕刻靜電板1430而形成靜電板1430之孔隙。在一些態樣中，可藉由基於瘤節1412之圖案、金屬層1420之孔隙之圖案或兩者對靜電板1430進行鑽孔而形成靜電板1430之孔隙。

在一些態樣中，核心主體1410之至少一部分可由SiSiC形成。在一些態樣中，瘤節1412之至少一部分可由DLC、AlN、SiN或CrN形成。在一些態樣中，瘤節1413之至少一部分可由DLC、AlN、SiN或CrN形成。在一些態樣中，金屬層1420之至少一部分可由Cu或CrN形成。在一些態樣中，靜電板1430之至少一部分可由硼矽酸玻璃形成。在一些態樣中，靜電板1430之至少另一部分可由導電材料形成。在一些態樣中，靜電板1430可包括包夾於兩個或多於兩個介電層(諸如兩個玻璃晶圓)之間的一或多個電極。在一些態樣中，柔性層1440可為或包括彈性支撐結構，該彈性支撐結構由諸如聚矽氧之彈性材料、PDMS、氟彈性材料、任何其他合適的材料或其任何組合形成。在一些態樣中，歧管1451之至少一部分可由熔融矽石形成。在一些態樣中，歧管1451可為任一合適的基板，諸如玻璃晶圓。

在一些態樣中，核心主體1410之硬度可大於靜電板1430之硬度。在一些態樣中，核心主體1410之硬度可大於柔性層1440之硬度。舉例而言，靜電板1430、柔性層1440或兩者可具有足以貼合核心主體1410之非平坦度的可撓性。在一些態樣中，靜電板1430可經組態以使用黏著結構1434 (例如，施加至靜電板1430之膠點)接合至核心主體1410。

在一些態樣中，歧管1451可經組態以回應於真空至歧管1451之真空連接件1423之施加而將靜電板1430、核心主體1410或兩者真空夾持至金屬層1420、柔性層1440及歧管1451。另外或替代地，在一些態樣中，金屬層1420可經組態以回應於電壓至金屬層1420之施加而將靜電板1430、核心主體1410或兩者靜電夾持至金屬層1420、柔性層1440及歧管1451。在一些態樣中，靜電板1430、金屬層1420、柔性層1440及歧管1451可連接至核心主體1410，使得柔性層1440及靜電板1430貼合核心主體1410之非平坦度。

在一些態樣中，金屬層1420及柔性層1440可連接至靜電板1430及核心主體1410，使得靜電板1430之孔隙及核心主體1410之瘤節1412與金屬層1420之孔隙對齊。在一些態樣中，靜電板1430、柔性層1440、歧管1451或其組合可包括經組態以收納電子銷釘1470之電子銷釘孔。在一些態樣中，金屬層1420及柔性層1440可進一步連接至靜電板1430及核心主體1410，使得電子銷釘孔之子集與電子銷釘1470對齊。

圖15A、圖15B及圖15C為根據本發明之一些態樣之由實例溝槽包圍的在本文中被稱作「可撓性之瘤節」的實例瘤節之橫截面說明。在一些態樣中，圖15A、圖15B及圖15C中所展示之實例可撓性之瘤節可併入至本文中所揭示之實例基板台中之任一者中，諸如併入在實例柔性層之頂部表面上。

如圖15A中所展示，在一些態樣中，實例可撓性之瘤節1500可包括由形成於柔性層1506中之溝槽1504包圍的瘤節1502。在一些態樣中，可使用例如反應離子深蝕刻(DRIE)、雷射剝蝕、粉末噴砂、化學蝕刻或另一合適的技術圍繞瘤節1502形成溝槽1504。在一些態樣中，溝槽1504可直接經蝕刻至柔性層1506中，直接經蝕刻至安置在柔性層1506上之一或多個層中，或其組合。在一些態樣中，可由以下各者形成瘤節1502之一或多個部分：諸如聚矽氧之彈性材料(例如，硬度20A聚矽氧或另一軟的低硬度聚合物)；PDMS (例如，使用25:1彈性基體與彈性固化劑混合比率形成)；氟彈性材料(例如，經氟化烴橡膠)；任何其他合適的材料；或其任何組合。在一些態樣中，瘤節1502可具有約100微米至約500微米之頂部直徑。舉例而言，瘤節1502可具有約210微米之頂部直徑。在一些態樣中，瘤節1502可具有小於約10 ⁷Nm ^{- 1}之硬度。

如圖15B中所展示，在一些態樣中，實例可撓性之瘤節1520可包括由形成於柔性層1526中之溝槽1524包圍的瘤節1522。在一些態樣中，瘤節1522之頂部可安置於約高度水平A處，柔性層1526之非瘤節表面可安置於約高度水平B處，且溝槽1524之底部可安置於約高度水平C處。在一些態樣中，瘤節1522可具有隨高度 z而變之剖面 f ( z )，其可針對硬度及穩定性最佳化，同時滿足對瘤節頂部接觸面積及體積佔據面積之要求。在一些態樣中，剖面 f ( z )可使瘤節寬度朝向瘤節1522之底部(例如，高度水平C)增加，且使瘤節寬度朝向瘤節1522之頂部(例如，高度水平A)減小。在一個說明性且非限制性實例中，瘤節1522可具有朝向瘤節1522之頂部之第一錐角α ₁及朝向瘤節1522之底部之第二錐角α ₂，其中第一錐角α ₁不同於第二錐角α ₂。在一些態樣中，瘤節1522之一或多個部分可具有剖面 f ( z )，其包括一或多個離散階梯(例如，而非連續的錐角)。

在一些態樣中，真空板至柔性層距離A-B可在約10.0微米至大於1.0 mm之範圍內。在一些態樣中，瘤節1522之長度(例如，距離A-C)可在約10.0微米至大於1.0 mm (例如，自約100微米至約2.5 mm)之範圍內。在一些態樣中，溝槽1544之深度(例如，距離B-C)可在約50.0微米至大於1.0 mm (例如，自約100微米至約2.5 mm)之範圍內。在一個說明性且非限制性實例中，真空板至柔性層距離A-B可為約10微米，瘤節1522之高度(例如，距離A-C)可為約100微米，且溝槽1524之深度(例如，距離B-C)可為約150微米。

如圖15C中所展示，實例可撓性之瘤節1540可包括由形成於柔性層1546中之溝槽1544包圍的瘤節1542。在一些態樣中，溝槽1544之深度、寬度、形狀或其組合可經定製以產生所要側向瘤節硬度及真空體積。舉例而言，圖15C展示高度水平A處之基板與高度水平B處之基板台之間的真空體積(亦即，白色區域)之設計自由度的代表性、未按比例繪製說明，且不改變瘤節1542之硬度。在一些態樣中，可獲得不同的真空板至柔性層距離A-B (例如，自約10.0微米至大於1.0 mm)，同時使真空體積保持實質上相同的。舉例而言，第一真空板至柔性層距離A-B ₁可提供實質上相同的真空體積作為第二真空板至柔性層距離A-B ₂，其中當與高度水平B ₁相關聯時溝槽1544之寬度大於當與高度水平B ₂相關聯時溝槽1544之寬度。

圖16A及圖16B為根據本發明之一些態樣之包括由實例溝槽包圍的實例瘤節之實例基板台表面之平面及橫截面說明。圖16A展示實例真空總成1600之一部分之平面視圖(例如，俯視圖)。圖16B展示貫穿自柔性層1610之中心至邊緣(例如，0 ≤ r≤ 150 mm)的實例真空總成1600之一部分的橫截面。

如圖16A及圖16B中所展示，實例真空總成1600可包括形成於柔性層1610 (例如，諸如參考圖13A及圖13B所描述之柔性層1340的柔性層之頂部或底部表面)中或上之可撓性之瘤節。可撓性之瘤節可包括例如30,000個可撓性之瘤節。在一些態樣中，每一可撓性之瘤節可為約175微米高且具有約210微米之頂部直徑。在一些態樣中，可撓性之瘤節之間的間距可為約1.5 mm。

在一些態樣中，柔性層1610之表面與瘤節中之每一者之頂部之間的高度差(例如，真空板至柔性層距離A-B)可橫跨柔性層1610實質上為恆定的，而溝槽中之每一者之底部與瘤節中之每一者之頂部之間的高度差可橫跨柔性層1610變化。舉例而言，溝槽深度B-C可隨距離 r自柔性層1610之中心增加而增加。因而，在一些態樣中，瘤節中之每一者之長度及硬度可橫跨柔性層1610變化，且不更改柔性層1610之表面上方的瘤節之頂部之高度。舉例而言，隨著距離 r自柔性層1610之中心增加，瘤節長度A-C可增加且瘤節硬度可減小。換言之，相比於安置於柔性層1610之中心區中的瘤節，安置於柔性層1610之周邊區中的瘤節可具有更大長度及更低硬度。在一些態樣中，接近柔性層1610之周邊安置的瘤節可具有較低硬度，使得其可使用較少力移位，從而更易於遵循由於熱負載而導致的基板之擴展表面。

在一些態樣中，可撓性之瘤節可在中心區XI中包括由溝槽之第一子集包圍的可撓性之瘤節之第一子集，諸如由溝槽1604包圍之瘤節1602。在一些態樣中，可撓性之瘤節可在中間區XII中包括由溝槽之第二子集包圍的瘤節之第二子集，諸如由溝槽1624包圍之瘤節1622。在一些態樣中，可撓性之瘤節可在周邊區XIII中包括由溝槽之第三子集包圍的瘤節之第三子集，諸如由溝槽1644包圍之瘤節1642。

在一些態樣中，中心區XI中的溝槽之第一子集中之每一者之深度可小於中間區XII中的溝槽之第二子集中之每一者之深度。在一些態樣中，中間區XII中的溝槽之第二子集中之每一者的深度可小於周邊區XIII中的溝槽之第三子集中之每一者的深度。舉例而言，中心區XI中之溝槽1604的深度1605 (例如，距離B-C ₁)可小於中間區XII中之溝槽1624的深度1625 (例如，距離B-C ₂)，且中間區XII中之溝槽1624的深度1625可小於周邊區XIII中之溝槽1644的深度1645 (例如，距離B-C ₃)。

在一些態樣中，中心區XI中的瘤節之第一子集中之每一者的長度可大於中間區XII中的瘤節之第二子集中之每一者的長度。在一些態樣中，中間區XII中的瘤節之第二子集中之每一者的長度可大於周邊區XIII中的瘤節之第三子集中之每一者的長度。舉例而言，中心區XI中之瘤節1602的長度1603 (例如，距離A-C ₁)可大於中間區XII中之瘤節1622的長度1623 (例如，距離A-C ₂)，且中間區XII中之瘤節1622的長度1623可大於周邊區XIII中之瘤節1642的長度1643 (例如，距離A-C ₃)。

在一些態樣中，中心區XI中的瘤節之第一子集中之每一者的硬度可大於中間區XII中的瘤節之第二子集中之每一者的硬度。在一些態樣中，中間區XII中的瘤節之第二子集中之每一者的硬度可大於周邊區XIII中的瘤節之第三子集中之每一者的硬度。舉例而言，中心區XI中之瘤節1602的硬度可大於中間區XII中之瘤節1622的硬度，且中間區XII中之瘤節1622的硬度可大於周邊區XIII中之瘤節1642的硬度。

用於製造設備之實例程序

圖17為用於製造根據本發明之一些態樣之設備或其部分的實例方法1700。參考實例方法1700所描述之操作可藉由或根據本文中所描述之系統、設備、組件、技術或其組合中之任一者來執行，諸如參考上文圖1至圖16所描述之彼等系統、設備、組件、技術或其組合。

在操作1702處，該方法可包括形成核心主體(例如，核心主體1310、1410)。在一些態樣中，形成核心主體可使用合適的機械或其他方法來實現，且包括根據參考以上圖1至圖16所描述之任一態樣或態樣之組合來形成核心主體。

在一些態樣中，形成核心主體可包括由SiSiC或SiC形成核心主體之至少一部分。在一些態樣中，形成核心主體可包括在核心主體之表面上形成瘤節(例如，瘤節1312、1313、1412、1413、1500、1502、1520、1522、1540、1542、1602、1622、1642)。在一些態樣中，該等瘤節可經組態以支撐諸如晶圓之物件。舉例而言，該等瘤節可形成於核心主體之頂部側面上，且經組態以在微影設備之操作期間面向晶圓。在一些態樣中，形成該等瘤節可包括由DLC、AlN、SiN或CrN形成該等瘤節之至少一部分。在一些態樣中，形成該等瘤節可包括形成具有小於約10 ⁷Nm ^{- 1}的硬度之至少一個瘤節。

在一些態樣中，形成核心主體可包括圍繞至少一個瘤節形成溝槽(例如，溝槽1504、1524、1544、1604、1624、1644)。在一些態樣中，形成該等瘤節可包括：在核心主體之中心區(例如，圖16A及圖16B中所展示之中心區XI)中形成第一瘤節；在核心主體之周邊區(例如，圖16A及圖16B中所展示之中間區XIII)中形成第二瘤節；形成包圍第一瘤節之第一溝槽；及形成包圍第二瘤節之第二溝槽，其中第二瘤節之長度大於第一瘤節之長度，其中第一溝槽之深度小於第二溝槽之深度，且其中第二瘤節之硬度小於第一瘤節之硬度。在一些態樣中，形成核心主體可包括形成具有大於真空板之硬度且視情況大於靜電板之硬度的硬度之核心主體。在一些態樣中，該核心主體可經組態以連接至真空板及靜電板，使得核心主體之瘤節與真空板之凹槽及靜電板之孔隙對齊。

在操作1704處，該方法可包括形成真空總成(例如，真空總成1302、1402)，該真空總成包括真空板(例如，真空板1320；或金屬層1420)、柔性層(例如，柔性層1340、1440、1506、1526、1546、1610)及歧管(例如，歧管1351、1451)。在一些態樣中，形成真空總成可使用合適的機械或其他方法來實現，且包括根據參考以上圖1至圖16所描述之任一態樣或態樣之組合來形成真空總成。

在一些態樣中，形成真空總成之真空板可包括由熔融矽石形成真空板之至少一部分。在一些態樣中，形成真空板可包括在真空板中形成真空連接件。在一些態樣中，形成真空板可包括在真空板之表面中形成凹槽，該等凹槽經組態以收納核心主體之瘤節。在一些態樣中，形成真空板可包括在真空板之表面上形成包括一或多個電極之電極層。在一些態樣中，形成真空板之電極層可包括由Cu或CrN形成真空板之電極層之至少一部分。在一些態樣中，形成真空板可包括形成具有小於核心主體之硬度且視情況大於靜電板之硬度的硬度之真空板。在一些態樣中，該真空板可經組態以將核心主體連接至靜電板，使得真空板之凹槽與核心主體之瘤節及靜電板之孔隙對齊。在一些態樣中，該真空板可經組態以回應於真空至真空板之真空連接件之施加而將靜電板真空夾持至真空板。在一些態樣中，在真空板包括電極層之情況下，該真空板可經組態以回應於電壓至真空板之電極層之施加而將靜電板靜電夾持至真空板。

在一些態樣中，形成真空總成之柔性層可包括由諸如聚矽氧之彈性材料、PDMS、氟彈性材料、任何其他合適的材料或其任何組合形成柔性層。在一些態樣中，形成柔性層可包括在柔性層之表面上形成瘤節(例如，瘤節1372、1500、1502、1520、1522、1540、1542、1602、1622、1642)。在一些態樣中，該等瘤節可經組態以支撐真空板。舉例而言，該等瘤節可形成於柔性層之頂部側面上，且經組態以面向真空板之底側。在一些態樣中，形成該等瘤節可包括由諸如聚矽氧之彈性材料、PDMS、氟彈性材料、任何其他合適的材料或其任何組合形成瘤節之至少一部分。在一些態樣中，形成該等瘤節可包括藉由雷射剝蝕柔性層之頂部表面而形成瘤節之至少一部分。在一些態樣中，形成該等瘤節可包括形成具有小於約10 ⁷Nm ^{- 1}的硬度之至少一個瘤節。在一些態樣中，形成該等瘤節可包括根據對應於安置在核心主體上之瘤節(例如，瘤節1312)之圖案形成瘤節。在一些態樣中，形成該等瘤節可包括：在柔性層之第一區(例如，圖13B中所展示之中心區VI；圖16A及圖16B中所展示之中心區XI)中形成具有第一瘤節間間隔之瘤節之第一子集；在柔性層之第二區(例如，圖13B中所展示之周邊區IX；圖16A及圖16B中所展示之周邊區XIII)中形成具有第二瘤節間間隔之瘤節之第二子集，其中第一複數個瘤節之第一瘤節間間隔小於瘤節之第二子集之第二瘤節間間隔(例如，該等瘤節在中心區中較緻密且在周邊區中較稀疏)。

在一些態樣中，形成柔性層可包括圍繞至少一個瘤節形成(例如，藉由雷射剝蝕)溝槽(例如，溝槽1504、1524、1544、1604、1624、1644)。在一些態樣中，形成瘤節可包括形成至少一個瘤節，該至少一個瘤節具有朝向瘤節之頂部之第一錐角(例如，朝向瘤節1522之頂部之第一錐角α ₁)及朝向瘤節之底部之第二錐角(例如，朝向瘤節1522之底部之第二錐角α ₂)。在一些態樣中，形成該等瘤節可包括：在柔性層之中心區(例如，圖13B中所展示之中心區VI；圖16A及圖16B中所展示之中心區XI)中形成第一瘤節；在柔性層之周邊區(例如，圖13B中所展示之周邊區IX；圖16A及圖16B中所展示之周邊區XIII)中形成第二瘤節；形成包圍第一瘤節之第一溝槽；及形成包圍第二瘤節之第二溝槽，其中第二瘤節之長度大於第一瘤節之長度，其中第一溝槽之深度小於第二溝槽之深度，且其中第二瘤節之硬度小於第一瘤節之硬度。

在一些態樣中，形成柔性層可進一步包括形成(例如，藉由雷射剝蝕)穿過柔性層之第一複數個真空連接件(例如，真空連接件1323、1423之上部部分)。在一些態樣中，形成柔性層可進一步包括形成(例如，藉由雷射剝蝕)穿過柔性層之第一大氣壓力連接件(例如，一或多個大氣壓力連接件1371之上部部分)。

在一些態樣中，形成真空總成之歧管可包括由任何合適的材料(諸如本文中所揭示之材料中之一或多者)形成歧管。在一些態樣中，形成歧管可進一步包括形成(例如，藉由雷射剝蝕)穿過歧管之第二複數個真空連接件(例如，真空連接件1323、1423之下部部分)。在一些態樣中，形成歧管可進一步包括形成(例如，藉由雷射剝蝕)穿過歧管之第二大氣壓力連接件(例如，一或多個大氣壓力連接件1371之下部部分)。

在操作1706處，該方法可包括形成靜電板(例如，靜電板1330、1430)。在一些態樣中，形成靜電板可包括由導電材料(例如，一或多個電極)形成靜電板之至少第一部分及由介電材料形成靜電板之至少第二部分。舉例而言，形成靜電板可包括形成包括包夾於兩個或多於兩個介電層之間的一或多個電極之靜電板。在一些態樣中，形成靜電板可包括在靜電板中形成孔隙，該等孔隙經組態以收納核心主體之瘤節。在一些態樣中，形成靜電板可包括形成具有小於核心主體之硬度及小於真空板之硬度及柔性層之硬度的硬度之靜電板。在一些態樣中，該靜電板可經組態以使用真空總成連接至核心主體，使得靜電板之孔隙與核心主體之瘤節及真空板之凹槽對齊。在一些態樣中，形成靜電板可使用合適的機械或其他方法來實現，且包括根據參考以上圖1至圖16所描述之任一態樣或態樣之組合來形成靜電板。

在操作1708處，該方法可包括將靜電板安裝至真空總成之真空板。在一些態樣中，將靜電板安裝至真空板可包括將真空施加至真空總成之真空連接件，以將靜電板真空夾持至真空板。在一些態樣中，在真空板包括電極層之情況下，將靜電板安裝至真空板可包括將電壓施加至真空板之電極層以將靜電板靜電夾持至真空板。在一些態樣中，將靜電板安裝至真空板可使用合適的機械或其他方法來實現，且包括根據參考以上圖1至圖16所描述之任一態樣或態樣之組合來將靜電板安裝至真空板。

在操作1710處，該方法可包括使用真空總成將靜電板安裝至核心主體。在一些態樣中，將靜電板安裝至核心主體可包括將真空施加至真空總成之真空連接件以將核心主體真空夾持至靜電板。在一些態樣中，在真空總成之真空板包括電極層之情況下，將靜電板安裝至核心主體可包括將電壓施加至真空板之電極層，以將核心主體靜電夾持至靜電板。在一些態樣中，將靜電板安裝至核心主體可包括將黏著材料施加至核心主體之一或多個部分、靜電板或其組合，以將核心主體附連至靜電板。在一些態樣中，將靜電板安裝至核心主體可使用合適的機械或其他方法來實現，且包括根據參考以上圖1至圖16所描述之任一態樣或態樣之組合使用真空總成將靜電板安裝至核心主體。

可使用以下條項進一步描述實施例： 1.     一種基板台，其包含： 一核心主體，其包含： 複數個瘤節，其用於支撐一物件；及 複數個溝槽， 其中該複數個瘤節中之每一瘤節係由該複數個溝槽中之一各別溝槽包圍。 2.     如條項1之基板台，其中該核心主體之至少一部分係由經矽化碳化矽(SiSiC)或碳化矽(SiC)形成。 3.     如條項1之基板台，其中該複數個瘤節之至少一部分係由類金剛石碳(DLC)、氮化鋁(AIN)、氮化矽(SiN)或氮化鉻(CrN)形成。 4.     如條項1之基板台，其中該複數個瘤節中之至少一個瘤節具有小於約10兆牛頓/米(10 ⁷Nm ^{- 1})之一硬度。 5.     如條項1之基板台，其中： 該複數個瘤節包含： 一第一瘤節，其安置於該核心主體之一第一區中；及 一第二瘤節，其安置於該核心主體之一第二區中；且 該第二瘤節之一長度大於該第一瘤節之一長度。 6.     如條項5之基板台，其中： 該複數個溝槽包含： 一第一溝槽，其包圍該第一瘤節；及 一第二溝槽，其包圍該第二瘤節；且 該第一溝槽之一深度小於該第二溝槽之一深度。 7.     如條項5之基板台，其中： 該第二瘤節之一硬度小於該第一瘤節之一硬度。 8.     如條項1之基板台，其中： 該複數個瘤節包含一第一瘤節；且 該第一瘤節具有： 朝向該第一瘤節之一頂部之一第一錐角；及 朝向該第一瘤節之一底部之一第二錐角。 9.     如條項1之基板台，其中該核心主體進一步經組態以連接至包含經組態以收納該核心主體之該複數個瘤節的複數個孔隙之一靜電板，使得該核心主體之該複數個瘤節與該靜電板之該複數個孔隙對齊。 10.   一種設備，其包含： 一真空板，其包含： 複數個真空連接件；及 複數個凹槽，其經組態以收納一核心主體之複數個瘤節。 11.   如條項10之設備，其中該真空板之至少一部分係由熔融矽石形成。 12.   如條項10之設備，其中該真空板之一硬度小於該核心主體之一硬度。 13.   如條項10之設備，其中該真空板經組態以： 將該核心主體安裝至一靜電板，該靜電板包含經組態以收納該核心主體之該複數個瘤節之複數個孔隙， 其中該真空板之該複數個凹槽經組態以與該靜電板之該複數個孔隙對齊。 14.   如條項13之設備，其中該真空板經組態以回應於一真空至該真空板之該複數個真空連接件之一施加而將該靜電板真空夾持至該真空板。 15.   如條項13之設備，其中： 該真空板之一硬度小於該核心主體之一硬度；且 該真空板之該硬度大於該靜電板之一硬度。 16.   如條項13之設備，其中： 該真空板包含一電極層，該電極層包含一或多個電極；且 該真空板經組態以回應於一或多個電壓至該真空板之該電極層中的該一或多個電極中之一或多者之一施加而靜電地將該靜電板夾持至該真空板。 17.   如條項13之設備，其中該真空板包含一塗層，該塗層安置在該真空板之面向該靜電板的一表面之至少一部分上。 18.   一種用於製造一設備之方法，其包含： 形成一真空板，該真空板包含： 複數個真空連接件；及 複數個凹槽，其經組態以收納一核心主體之複數個瘤節；及 使用該真空板將該核心主體安裝至一靜電板， 其中該靜電板包含經組態以收納該複數個瘤節之複數個孔隙。 19.   如條項18之方法，其進一步包含： 使用該真空板將該核心主體安裝至該靜電板，使得該靜電板之該複數個孔隙與該真空板之該複數個凹槽及該核心主體之該複數個對齊。 20.   如條項18之方法，其中： 該複數個瘤節經組態以支撐一物件；且 該核心主體之該複數個瘤節中之至少一個瘤節由一溝槽包圍。 21.   一種系統，其包含： 一真空總成，其包含一柔性層，其中該柔性層包含： 複數個瘤節，其經組態以支撐一真空板；及 複數個真空連接件。 22.   如條項21之系統，其中該複數個瘤節之至少一部分係由一彈性材料形成。 23.   如條項21之系統，其中該複數個瘤節中之至少一個瘤節具有小於約10兆牛頓/米(10 ⁷Nm ^{- 1})之一硬度。 24.   如條項21之系統，其中： 該複數個瘤節包含： 瘤節之一第一子集，其安置於該柔性層之一第一區中；及 瘤節之一第二子集，其安置於該柔性層之一第二區中；且 第一複數個瘤節之一第一瘤節間間隔小於瘤節之該第二子集之一第二瘤節間間隔。 25.   如條項21之系統，其中： 該複數個瘤節為一第一複數個瘤節；且 該第一複數個瘤節之一第一圖案對應於一第二複數個瘤節之一第二圖案，該第二複數個瘤節安置在一核心主體上，該核心主體經組態以附接至該真空板。 26.   如條項21之系統，其中： 該複數個真空連接件為一第一複數個真空連接件； 該真空總成進一步包含一歧管； 該歧管包含一第二複數個真空連接件；且 該第二複數個真空連接件經組態以與該第一複數個真空連接件對齊。 27.   如條項26之系統，其中： 該柔性層進一步包含一第一大氣壓力連接件； 該歧管進一步包含一第二大氣壓力連接件；且 該第二大氣壓力連接件經組態以與該第一大氣壓力連接件對齊。 28.   如條項21之系統，其中： 該複數個瘤節包含一第一瘤節；且 該第一瘤節具有： 朝向該第一瘤節之一頂部之一第一錐角；及 朝向該第一瘤節之一底部之一第二錐角。 29.   如條項21之系統，其中： 該柔性層進一步包含複數個溝槽；且 該複數個瘤節中之每一瘤節係由該複數個溝槽中之一各別溝槽包圍。 30.   如條項29之系統，其中： 該複數個瘤節包含： 一第一瘤節，其安置於該柔性層之一第一區中；及 一第二瘤節，其安置於該柔性層之一第二區中；且 該第一瘤節之一第一長度小於該第二瘤節之一第二長度。 31.   如條項30之系統，其中： 該複數個溝槽包含： 一第一溝槽，其包圍該第一瘤節；及 一第二溝槽，其包圍該第二瘤節；且 該第一溝槽之一第一深度小於該第二溝槽之一第二深度。 32.   如條項30之系統，其中： 該第一瘤節之一第一硬度小於該第二瘤節之一第二硬度。 33.   一種設備，其包含： 一柔性層，其包含： 複數個瘤節，其經組態以支撐一真空板， 一第一複數個真空連接件，及 一第一大氣壓力連接件；及 一歧管，其經組態以安裝至該柔性層且包含： 一第二複數個真空連接件，其經組態以與該第一複數個真空連接件對齊，及 一第二大氣壓力連接件，其經組態以與該第一大氣壓力連接件對齊。 34.   如條項33之設備，其中該複數個瘤節之至少一部分係由一彈性材料形成。 35.   如條項33之設備，其中： 該複數個瘤節包含： 瘤節之一第一子集，其安置於該柔性層之一第一區中；及 瘤節之一第二子集，其安置於該柔性層之一第二區中；且 第一複數個瘤節之一第一瘤節間間隔小於瘤節之該第二子集之一第二瘤節間間隔。 36.   如條項33之設備，其中： 該複數個瘤節為一第一複數個瘤節；且 該第一複數個瘤節之一第一圖案對應於一第二複數個瘤節之一第二圖案，該第二複數個瘤節安置在一核心主體上，該核心主體經組態以附接至該真空板。 37.   如條項33之設備，其中： 該複數個瘤節包含一第一瘤節；且 該第一瘤節具有： 朝向該第一瘤節之一頂部之一第一錐角；及 朝向該第一瘤節之一底部之一第二錐角。 38.   如條項33之設備，其中： 該柔性層進一步包含複數個溝槽；且 該複數個瘤節中之每一瘤節係由該複數個溝槽中之一各別溝槽包圍。 39.   一種用於製造一真空總成之方法，其包含： 形成一柔性層，該柔性層包含： 複數個瘤節，其經組態以支撐一真空板， 一第一複數個真空連接件，及 一第一大氣壓力連接件； 形成一歧管，該歧管包含： 一第二複數個真空連接件，其經組態以與該第一複數個真空連接件對齊，及 一第二大氣壓力連接件，其經組態以與該第一大氣壓力連接件對齊；及 將該柔性層安裝至該歧管。 40.   如條項39之方法，其中該複數個瘤節中之至少一個瘤節係由一溝槽包圍。

結論

儘管在本文中可特定地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用，諸如整合式光學系統之製造、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、LCD、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)track單元(通常將抗蝕劑層施加至基板且使經曝光抗蝕劑顯影之工具)、度量衡單元及/或檢驗單元中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已含有多個經處理層之基板。

應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措詞待由熟習相關技術者按照本文中之教示予以解譯。

如本文中所使用之術語「基板」描述材料層經添加至其上之材料。在一些態樣中，可圖案化基板自身，且亦可圖案化添加於基板之頂部上之材料，或添加於基板之頂部上之材料可保持不圖案化。

本文中所揭示之實例說明而非限制本發明之實施例。通常在該領域中遇到且對熟習相關技術者將顯而易見的多種條件及參數的其他適合修改及調適在本發明之精神及範疇內。

雖然上文已描述本發明之特定態樣，但應瞭解，可按與如所描述之方式不同的其他方式來實踐該等態樣。描述不意欲限制本發明之實施例。

應瞭解，實施方式章節而非先前技術、發明內容及發明摘要章節意欲用於解譯申請專利範圍。發明內容及發明摘要章節可闡述如由發明人預期的一或多個但並非所有實例實施例，且因此，並不意欲以任何方式限制本發明實施例及所附申請專利範圍。

上文已憑藉說明指定功能及該等功能之關係之實施的功能建置區塊來描述本發明之一些態樣。為了便於描述，本文已任意地界定此等功能建置組塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。

對本發明之特定態樣之前述描述將如此充分地揭露態樣之一般性質而使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內的知識、針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定態樣，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示態樣之等效者的涵義及範圍內。

本發明之廣度及範疇不應受上文所描述之實例態樣或實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效物來界定。

100:微影設備 100':微影設備 210:EUV輻射發射電漿 211:源腔室 212:收集器腔室 219:開口 220:圍封結構 221:輻射光束 222:琢面化場鏡面器件 224:琢面化光瞳鏡面器件 226:圖案化光束 228:反射元件 229:反射元件 230:氣體障壁或污染物截留器 240:光柵光譜濾光器 251:上游輻射收集器側 252:下游輻射收集器側 253:掠入射反射器 254:掠入射反射器 255:掠入射反射器 300:微影單元 400:實例基板載物台 402:基板台 404:支撐塊體 406:感測器結構 408:基板 500:實例EUV基板台 510:核心主體 520:真空板 530:靜電板 600:實例EUV基板台 610:核心主體 612:瘤節 614:瘤節頂部高度差異 616:瘤節頂部高度差異 620:真空板 622:凹槽 623:連接區 624:凹槽深度 630:靜電板 632:孔隙 692:箭頭 694:箭頭 700:實例EUV基板台製造系統 701:實例EUV基板台 710:核心主體 712:瘤節 713:瘤節 720:真空板 721:圓環形環 723:真空連接件 725a:對準標記 725b:對準標記 730:靜電板 734:黏著結構 740:柔性層 750:台 760a:視覺對準系統 760b:視覺對準系統 770:電子銷釘 780:重體 800:另一實例EUV基板台製造系統 801:實例EUV基板台 810:核心主體 812:瘤節 813:瘤節 820:金屬層 823:真空連接件 830:靜電板 834:黏著結構 840:柔性層 851:基板 870:電子銷釘 880:重體 900:實例可撓性之瘤節 902:瘤節 904:溝槽 906:核心主體 920:實例可撓性之瘤節 922:瘤節 924:溝槽 926:核心主體 940:實例可撓性之瘤節 942:瘤節 944:溝槽 946:核心主體 960:實例基板台 962:瘤節 964:溝槽 965:行程末端 966:核心主體 970:實例可撓性之瘤節 972:瘤節 974:溝槽 975:行程末端 976:核心主體 980:實例可撓性之瘤節 982:瘤節 984:溝槽 985:行程末端 986:核心主體 990:實例可撓性之瘤節 992:瘤節 994:長絲 996:核心主體 1000:實例曲線圖 1020:實例曲線圖 1100:實例基板台 1102:瘤節 1103:長度 1104:溝槽 1105:深度 1110:核心主體 1122:瘤節 1123:長度 1124:溝槽 1125:深度 1142:瘤節 1143:長度 1144:溝槽 1145:深度 1200:實例方法 1202:操作 1204:操作 1206:操作 1208:操作 1210:操作 1300:實例EUV基板台製造系統 1301:實例EUV基板台 1302:真空總成 1310:核心主體 1312:瘤節 1313:瘤節 1320:真空板 1321:圓環形環 1323:真空連接件 1325a:對準標記 1325b:對準標記 1330:靜電板 1334:黏著結構 1340:柔性層 1350:台 1351:歧管 1360a:視覺對準系統 1360b:視覺對準系統 1370:電子銷釘 1371:大氣壓力連接件 1372:瘤節 1372a:第一子集 1372b:第二子集 1372c:第三子集 1372d:第四子集 1380:重體 1400:另一實例EUV基板台製造系統 1401:實例EUV基板台 1402:真空總成 1410:核心主體 1412:瘤節 1413:瘤節 1420:金屬層 1423:真空連接件 1430:靜電板 1434:黏著結構 1440:柔性層 1451:歧管 1470:電子銷釘 1480:重體 1500:實例可撓性之瘤節 1502:瘤節 1504:溝槽 1506:柔性層 1520:實例可撓性之瘤節 1522:瘤節 1524:溝槽 1526:柔性層 1540:實例可撓性之瘤節 1542:瘤節 1544:溝槽 1546:柔性層 1600:實例真空總成 1602:瘤節 1603:長度 1604:溝槽 1605:深度 1610:柔性層 1622:瘤節 1623:長度 1624:溝槽 1625:深度 1642:瘤節 1643:長度 1644:溝槽 1645:深度 1700:實例方法 1702:操作 1704:操作 1706:操作 1708:操作 1710:操作 A:高度水平 AD:調整器 B:輻射光束/高度水平 BK:烘烤板 BD:光束遞送系統 B ₁:高度水平 B ₂:高度水平 C:目標部分/高度水平 CH:冷卻板 CO:輻射收集器 d:直徑 DE:顯影器 I:第一區 II:第二區 III:第三區 IFD1:另一位置感測器 IFD2:位置感測器 IF:虛擬源點 IL:照明系統 IN:積光器 I/O1:輸入/輸出埠 I/O2:輸入/輸出埠 IX:周邊區 LACU:微影控制單元 LB:裝載匣 M1:光罩對準標記 M2:光罩對準標記 MA:圖案化器件 MP:光罩圖案 MP':影像 MT:支撐結構 O:光軸 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一定位器 PMS:位置量測系統 PS:投影系統 PW:第二定位器 r:距離 RO:基板處置器 SC:旋塗器 SO:輻射源 TCU:track控制單元 V:真空腔室 VI:中心區 VII:接近中間區 VIII:遠離中間區 W:基板 WT:基板台 XI:中心區 XII:中間區 XIII:周邊區 α ₁:第一錐角 α ₂:第二錐角

併入本文中且形成本說明書之一部分的隨附圖式說明本發明，且連同描述一起進一步用以解釋本發明之態樣的原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用本發明之態樣。

圖1A為根據本發明之一些態樣的實例反射微影設備之示意性說明。

圖1B為根據本發明之一些態樣的實例透射微影設備之示意性說明。

圖2為根據本發明之一些態樣的圖1A中所展示之反射微影設備之更詳細的示意性說明。

圖3為根據本發明之一些態樣的實例微影單元之示意性說明。

圖4為根據本發明之一些態樣的實例基板載物台之示意性說明。

圖5為根據本發明之一些態樣之實例EUV基板台的部分之示意性說明。

圖6A、圖6B及圖6C為根據本發明之一些態樣之實例EUV基板台的部分之橫截面說明。

圖7為根據本發明之一些態樣之實例EUV基板台製造系統的區之橫截面說明。

圖8為根據本發明之一些態樣之另一實例EUV基板台製造系統的區之橫截面說明。

圖9A、圖9B、圖9C、圖9D、圖9E、圖9F及圖9G為根據本發明之一些態樣之由實例溝槽包圍的實例瘤節之橫截面說明。

圖10A及圖10B為根據本發明之一些態樣之分別展示隨實例弓形及傘形基板之半徑而變的實例基板平面內變形增量之實例圖。

圖11A及圖11B為根據本發明之一些態樣之包括由實例溝槽包圍的實例瘤節之實例基板台表面之平面及橫截面說明。

圖12為用於製造根據本發明之一些態樣之設備或其部分的實例方法。

圖13A及圖13B為根據本發明之一些態樣之實例EUV基板台製造系統的區之橫截面說明。

圖14為根據本發明之一些態樣之另一實例EUV基板台製造系統的區之橫截面說明。

圖15A、圖15B及圖15C為根據本發明之一些態樣之包括由實例溝槽包圍的實例瘤節之實例柔性層表面之橫截面說明。

圖16A及圖16B為根據本發明之一些態樣之包括由實例溝槽包圍之實例瘤節之實例柔性層表面的平面及橫截面說明。

圖17為用於製造根據本發明之一些態樣之設備或其部分的實例方法。

根據下文結合圖式所闡述之具體描述，本發明之特徵及優勢將變得更顯而易見，在該等圖式中相似參考字符始終標識對應元件。在該等圖式中，除非另外指示，否則相同參考標號通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。另外，通常，參考標號之最左側數字識別首次出現該參考標號之圖式。除非另有指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應被解譯為按比例圖式。

1300:實例EUV基板台製造系統

1301:實例EUV基板台

1302:真空總成

1310:核心主體

1312:瘤節

1313:瘤節

1320:真空板

1321:圓環形環

1323:真空連接件

1325a:對準標記

1325b:對準標記

1330:靜電板

1334:黏著結構

1340:柔性層

1350:台

1351:歧管

1360a:視覺對準系統

1360b:視覺對準系統

1370:電子銷釘

1371:大氣壓力連接件

1372:瘤節

1380:重體

Claims (15)

1. 一種基板台，其包含： 一核心主體，其包含： 複數個瘤節，其用於支撐一物件；及 複數個溝槽， 其中該複數個瘤節中之每一瘤節係由該複數個溝槽中之一各別溝槽包圍。
2. 如請求項1之基板台，其中： 該核心主體之至少一部分係由經矽化碳化矽(SiSiC)或碳化矽(SiC)形成； 該複數個瘤節之至少一部分係由類金剛石碳(DLC)、氮化鋁(AlN)、氮化矽(SiN)或氮化鉻(CrN)形成；及/或 該複數個瘤節中之至少一個瘤節具有小於約10兆牛頓/米(10 ⁷Nm ^{- 1})之一硬度。
3. 如請求項1之基板台，其中： 該複數個瘤節包含： 一第一瘤節，其安置於該核心主體之一第一區中；及 一第二瘤節，其安置於該核心主體之一第二區中，其中該第二瘤節之一長度大於該第一瘤節之一長度，且其中該第二瘤節之一硬度小於該第一瘤節之一硬度； 該複數個溝槽包含： 一第一溝槽，其包圍該第一瘤節；及 一第二溝槽，其包圍該第二瘤節，其中該第一溝槽之一深度小於該第二溝槽之一深度。
4. 如請求項1之基板台，其中： 該複數個瘤節包含一第一瘤節； 該第一瘤節具有： 朝向該第一瘤節之一頂部之一第一錐角；及 朝向該第一瘤節之一底部之一第二錐角；及/或 該核心主體進一步經組態以連接至包含經組態以收納該核心主體之該複數個瘤節的複數個孔隙之一靜電板，使得該核心主體之該複數個瘤節與該靜電板之該複數個孔隙對齊。
5. 一種設備，其包含： 一真空板，其包含： 複數個真空連接件；及 複數個凹槽，其經組態以收納一核心主體之複數個瘤節。
6. 如請求項5之設備，其中該真空板之至少一部分係由熔融矽石形成，及/或其中該真空板之一硬度小於該核心主體之一硬度。
7. 如請求項5之設備，其中該真空板經組態以： 將該核心主體安裝至一靜電板，該靜電板包含經組態以收納該核心主體之該複數個瘤節之複數個孔隙， 其中該真空板之該複數個凹槽經組態以與該靜電板之該複數個孔隙對齊。
8. 如請求項7之設備，其中該真空板經組態以回應於一真空至該真空板之該複數個真空連接件之一施加而將該靜電板真空夾持至該真空板。
9. 如請求項7之設備，其中： 該真空板之一硬度小於該核心主體之一硬度； 該真空板之該硬度大於該靜電板之一硬度，及/或 該真空板包含一塗層，該塗層安置在該真空板之面向該靜電板之一表面的至少一部分上。
10. 如請求項7之設備，其中： 該真空板包含一電極層，該電極層包含一或多個電極；且 該真空板經組態以回應於一或多個電壓至該真空板之該電極層中的該一或多個電極中之一或多者之一施加而靜電地將該靜電板夾持至該真空板。
11. 一種系統，其包含： 一真空總成，其包含一柔性層，其中該柔性層包含： 複數個瘤節，其經組態以支撐一真空板；及 複數個真空連接件。
12. 如請求項11之系統，其中： 該複數個瘤節包含： 瘤節之一第一子集，其安置於該柔性層之一第一區中；及 瘤節之一第二子集，其安置於該柔性層之一第二區中，其中瘤節之該第一子集之一第一瘤節間間隔小於瘤節之該第二子集之一第二瘤節間間隔。
13. 如請求項11之系統，其中： 該複數個瘤節為一第一複數個瘤節；且 該第一複數個瘤節之一第一圖案對應於一第二複數個瘤節之一第二圖案，該第二複數個瘤節安置在一核心主體上，該核心主體經組態以附接至該真空板。
14. 如請求項11之系統，其中： 該複數個真空連接件為一第一複數個真空連接件； 該真空總成進一步包含一歧管； 該歧管包含一第二複數個真空連接件；且 該第二複數個真空連接件經組態以與該第一複數個真空連接件對齊。
15. 如請求項14之系統，其中： 該柔性層進一步包含一第一大氣壓力連接件； 該歧管進一步包含一第二大氣壓力連接件；且 該第二大氣壓力連接件經組態以與該第一大氣壓力連接件對齊。

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