TW202236477A - 具有在前置區上升之製程室底部的cvd反應器 - Google Patents
具有在前置區上升之製程室底部的cvd反應器 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202236477A TW202236477A TW111104480A TW111104480A TW202236477A TW 202236477 A TW202236477 A TW 202236477A TW 111104480 A TW111104480 A TW 111104480A TW 111104480 A TW111104480 A TW 111104480A TW 202236477 A TW202236477 A TW 202236477A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- gas inlet
- inlet member
- bottom section
- process chamber
- cvd reactor
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 110
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 title description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 41
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 140
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
- C23C16/45508—Radial flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45572—Cooled nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本發明係有關於一種CVD反應器，具有氣體入口構件(1)，氣體入口構件具有冷卻裝置(12、16、17)以及通入製程室(2)之氣體出口(14)，其中，製程室(2)具有直接鄰接氣體入口構件(1)之前置區(V)以及在自氣體出口(14)進入製程室(2)之製程氣體的流動方向(S)上設置在前置區之後的製程區(P)，一個或數個用於安置基板(6)的載位(4)佈置在製程區中，其中，前置區(V)具有直接鄰接氣體入口構件(1)之第一底部段(10)以及佈置在第一底部段(10)與製程區(P)之間的第二底部段(11)。為了在沉積例如碳化矽時防止前置區之起始處形成寄生覆層，本發明提出：第一底部段(10)沿流動方向(S)上升，以使得製程室高度最初自氣體入口構件開始減小。
Description
本發明係有關於一種CVD反應器，具有氣體入口構件，該氣體入口構件具有冷卻裝置以及通入製程室之氣體出口，其中，該製程室具有直接鄰接該氣體入口構件之前置區以及在自該等氣體出口進入該製程室之製程氣體的流動方向上設置在該前置區之後的製程區，一個或數個用於安置基板的載位佈置在該製程區中，其中，該前置區具有直接鄰接該氣體入口構件之第一底部段以及佈置在該第一底部段與該製程區之間的第二底部段。
本發明進一步係關於一種可用於CVD反應器之環形體。
DE 10 2014 104 218 A1描述一種同類型CVD反應器。在向外氣密性密封的殼體中設有製程室，該製程室向上由製程室頂部之底面限定，向下則由基板座之頂面限定。製程氣體由可佈置在製程室中心的氣體入口構件送入製程室。製程氣體較佳為第四主族之氫化物及/或氯化物。然而，製程氣體亦可為第五主族之氫化物及第三主族之有機金屬化合物，或者為第二及第六主族之元素。製程氣體由載氣(例如氫氣或氮氣，或惰性氣體)透過氣體入口構件之氣體出口送入製程室。氣體入口構件由冷卻劑、特別是液態冷卻劑冷卻，以避免製程氣體在氣體入口構件內部分解或相互反應。為此可如下設置：氣體入口構件的氣體出口壁具有通冷卻劑之冷卻通道。氣體入口構件之下段可具有用於將冷卻劑分配到冷卻通道中之冷卻劑分配室。氣體入口構件之下段可嵌設在基板座之凹陷部中。凹陷部亦可被環形物包圍，或者由環形件形成。環形物或環形件形成前置區之第一底部段，在製程氣體流經製程室的方向上，前置區之第二底部段設置於該第一底部段之後。第二底部段鄰接製程段，待塗佈之基板位於該製程段中。由石墨或其他導電及/或導熱材料製成的基板座由加熱裝置自下方加熱。藉由加熱裝置所提供的熱量，放置在基板載具上之基板被加熱至製程溫度。形成自基板座經製程室到製程室頂部之第一熱流，以及自製程區經前置區到被冷卻之氣體入口構件的第二熱流。由先前技術已知，藉由適當措施來影響前置區溫度，以免製程氣體之反應產物於該處形成寄生覆層。
本發明之目的在於提供能夠在前置區之上游區域中減少寄生覆層形成的措施。
該目的藉由申請專利範圍所界定之發明而達成，其中，附屬項不僅為請求項1中所提供之解決方案的有利改良方案，亦為能達成該目的之獨立解決方案。
在上述先前技術之CVD反應器中，氣體入口構件之具有冷卻劑室的區段伸入凹陷部中，該凹陷部形成台階狀邊緣。製程室底部在相同的水平上自直接鄰接氣體入口構件之徑向最內側區域延伸到製程區中，使得製程室高度在整個製程室中具有相同的值。
根據本發明，製程室底部在直接鄰接氣體入口構件之第一底部段中不應具有相同的水平，而是應沿著流動方向上升，且特別是自第一水平上升至第二水平，使得在第一區段之區域內，製程室高度隨著與氣體入口構件之距離的增加而減小。第一水平可由凹陷部底部或氣體入口構件之下端面的平面或台階的高度來定義。第二水平可由如下水平定義：朝向製程室的基板座表面或放置於基板座上之蓋板的表面或待塗佈之基板的表面在該水平中延伸。特別是如下設置：前置區自氣體入口構件延伸至用於容置基板之載位。因此，前置區之長度可由至少一個載位到氣體入口構件的距離來定義。沿流動方向上升之第一底部段的延伸長度可由第二水平之起點與氣體入口構件的距離來定義。沿流動方向上升的第一底部段可在形成銜接邊緣之情況下與第二底部段銜接。然而，第一底部段亦可平滑地與第二底部段銜接。第一底部段可呈中空狀或呈球狀延伸。然而，第一底部段亦可呈梯級狀上升。該底部段較佳為光滑地、平滑地延伸，以免在其上方流動的製程氣體形成渦流。在本發明之實施例中如下設置：第一底部段之截面呈直線延伸。第一底部段可自氣體入口構件直線上升至銜接區域，例如銜接邊緣。若氣體入口構件位於製程室中心，則第一底部段可由包圍氣體入口構件之錐面形成。在本發明的一些實施例中如下設置：第一底部段在前置區長度的至少10%、至少20%或30%+/-5%之範圍內延伸。前置區採用本發明之設計後，第一底部段之直接鄰接氣體入口構件的區域可以比製程室底部與凹陷部底部呈台階狀銜接之情形冷卻得更少。因此，本發明對第一底部段所做的斜切處理能減少分解產物對第一底部段之覆蓋。氣體入口構件之特別是在圓弧線上延伸的邊緣可與特別是傾斜延伸之第一底部段隔開一定距離，該邊緣由一隅角定義，在該隅角處，較佳呈柱面狀的氣體出口壁與氣體入口構件之朝下端面鄰接。該邊緣可在空間上與定義第一底部段之起點之台階的邊緣間隔開。此距離為第一底部段與氣體入口構件之間的最小距離。在截面圖中，台階與第一底部段銜接的點可位於由氣體入口構件之朝下端面所定義的水平下方。第一底部段隨著與氣體入口構件之距離的增加而連續上升，直至達到其最大高度。此高度較佳與基板載位所在之水平相對應。該水平位於氣體入口構件之朝下端面上方。傾斜的第一底部段相對於沿流動方向與其相接之第二底部段的角度可處於5度與20度之間的範圍，較佳可處於10度與25度之間或15度與20度之間的範圍。
製程室頂部之底面可在一個平面內平直延伸。此平面可平行於製程室之製程區的底部延伸，並與之隔開一定距離。製程室頂部之底面亦可與前置區之徑向外側的第二底部段平行延伸。前置區之第二底部段可與製程區中的製程室底部在同一個水平上延伸。在製程室之此等區段中，製程室具有恆定高度。在前置區之特別是傾斜延伸的第一底部段之區域上，製程室高度朝氣體入口構件方向連續或逐步增大。因此，在流動方向上，製程室高度在第一底部段之延伸長度上連續或逐步減小。氣體入口構件較佳佈置在可相對於氣體入口構件旋轉之基板座的中心。凹陷部底部可與氣體入口構件之底面相隔一定距離，從而使基板座可相對於氣體入口構件自由旋轉。第一底部段可形成圍繞氣體入口構件延伸之環形面，該環形面呈錐形延伸。第一底部段可由環形元件形成，該環形元件放置在基板座之基體上。基板座可由可經驅動而旋轉的軸體支撐。第一底部段亦可由牽引盤形成，基板座藉由該牽引盤被固定於軸體。此牽引盤可呈圓盤形。牽引盤可形成可供氣體入口構件伸入之中央凹陷部。凹陷部之邊緣形成第一底部段，並且可沿徑向向外傾斜上升。第一底部段可與在一個平面內延伸的第二底部段銜接。環形元件或盤形中央元件可被覆蓋元件包圍，該等覆蓋元件覆蓋在環形元件之徑向外緣或盤形中央元件與基板架之間延伸之基板座之基體的表面。基板架可佈置在基板座或覆蓋元件之凹槽中。氣體出口可通入凹槽底部，自該等氣體出口中可排出沖洗氣體，以使基板架保持懸浮狀態或驅動基板架繞其形狀軸(figure axis)旋轉。
氣體入口構件可由金屬、陶瓷、石英或其他合適的材料構成。氣體入口構件可形成柱面形氣體出口壁。可設置數個疊置的排氣區，該等排氣區分別透過氣體出口壁上的氣體出口與包圍氣體入口構件之製程室通流連接，使得不同的製程氣體可自不同的排氣區以不同之高度進入製程室。冷卻劑通道可分佈在氣體出口壁中以冷卻氣體出口壁。在較佳完全嵌設於凹陷部中之下部區域中可設有冷卻劑室，用於將經由輸送管線送入冷卻劑室的液態冷卻劑分配給冷卻通道。冷卻劑室可具有與氣體入口構件之底部平行延伸的上壁，該上壁將冷卻劑室與正上方之氣體入口區分開。將冷卻劑室與正上方之氣體入口區分開的分隔壁可與第二底部段或製程區底部的延伸水平處於同一個水平。冷卻劑室之底面或氣體入口構件之下壁或凹陷部底部可定義另一水平。在第一底部段中，製程室之底部自兩個水平中最低的水平以上升方式延伸至兩個水平中最高的水平。藉此增加氣體入口構件之外壁的下部區域(即特別是冷卻劑室之外壁)與第一底部段之朝向製程室之表面之間的距離。
本發明之環形體可用於上述之CVD反應器中。環形體之內徑大於氣體入口構件之外徑。環形體之外徑小於包圍環形體之一件式或多件式覆蓋元件的內徑。較佳如下設置：環形體可被放置在基體的平直放置面上。中空錐面與環形體之徑向內緣鄰接。該中空錐面較佳源於在內柱面上延伸之徑向內壁。此壁之高度較佳小於環形體之材料厚度的50%。在環形體之徑向內緣與徑向外緣之間，在截面圖中形成截面之傾斜緣邊的中空錐面在形成銜接部之情況下與較佳平行於環形體底面延伸的平直表面銜接。
本發明進一步係關於此種環形體在CVD反應器中被用來減少前置區內之寄生覆層的用途。
圖中所示之CVD反應器基本上對應於DE 10 2014 104 218 A1中所揭露之CVD反應器或根據本申請所引用之文獻所揭露之CVD反應器。因此，此等文獻之內容將全文包含在本申請之揭露內容中，特別是為了將該等說明書的特徵一併納入本申請之申請專利範圍。圖中未示出的進一步之實施例在製程室的高寬比或前置區與製程區的長度比上有別於圖中所示之實施例。
根據本發明之類型的CVD反應器具有特別是由不鏽鋼製成的氣密性殼體，數條送氣管線通入該殼體中，且該殼體具有至少一條排氣管線。藉由圖中未示出之送氣管線可饋送諸如第四主族之氫化物、鹵化物或有機金屬化合物等製程氣體。然而，亦可將第三主族元素之氫化物及第五主族元素之有機金屬化合物送入氣體入口構件1。氣體入口構件具有數個疊置的氣體入口區15、15'、15''，製程氣體總是可隨載氣一同被送入該等氣體入口區。氣體入口區15、15'、15''被氣體出口壁13包圍，該氣體出口壁具有氣體出口14，製程氣體可經該等氣體出口流入包圍氣體入口構件的製程室2。製程氣體沿流動方向S流經製程室2，直至到達未圖示之氣體出口構件。
氣體入口構件1具有冷卻劑通道16，該冷卻劑通道與氣體入口構件1之最下段區域內的冷卻劑室12連接。冷卻劑室12之下分界壁24形成氣體入口構件1之下端面。冷卻劑室12形成冷卻劑分配器，以便將冷卻劑分配到氣體出口壁13之冷卻劑通道17中。藉由流經冷卻劑通道16、17及冷卻劑室12的液態冷卻劑，將氣體入口構件1冷卻至能避免製程氣體發生預分解之溫度。
基板座3之底板18位於氣體入口構件1下方。底板18在圖1及圖3中呈現為一件式。然而，該底板亦可為多件式，且特別是具有徑向嵌套式部件。基板座3圍繞中心Z延伸，其中，中心Z位於氣體入口構件1之中心。
基板座3可經驅動而繞中心Z旋轉。為此，基板座3可由軸體支撐，該軸體可經驅動而繞其軸線旋轉。
在中心Z區域，基板座3或者說一件式或多件式底板18具有包含凹陷部底部9'之凹陷部9。凹陷部底部9'與氣體入口構件1之平直底面或下壁24相隔距離c。
數個嵌套式環形體19、20位於基體18之包圍氣體入口構件的區域上。然而，氣體入口構件1亦可僅被一個環形體包圍。至少一個環形體19、20在氣體入口構件1周圍的徑向距離b上延伸。徑向距離b可為前置區V在流動方向S上所測得之長度。前置區V在製程室2的如下距離上延伸：該距離在氣體入口構件1與一個或數個用於安置待塗佈基板6之載位4之間延伸。載位4可由基板架5形成，該等基板架可以習知方式放置在氣墊上，並且可經氣流驅動而旋轉。
內環形體19可採用一體式設計，外環形體20則可採用一件式或多件式設計。外環形體20可具有在圓弧線上延伸的徑向內分界線。徑向外分界線可偏離於圓弧形，並且可例如至少部分地包括用於容置基板架5之凹槽。然而，亦可如下設置：內環形體19採用多件式設計，且特別是由形狀相同之元件組成，該等元件在周向上圍繞氣體入口構件1佈置。
內環19例如可鄰接一個或數個覆蓋元件20，該等覆蓋元件又與載位4或形成載位4之基板載具5鄰接。設有數個沿著圍繞中心之圓周線佈置的基板架5。
根據本發明，製程室2具有直接鄰接氣體入口構件1之區域10，該區域形成第一底部段，該第一底部段之徑向長度a至少相當於前置區V之徑向長度b的10%。徑向長度a較佳為前置區V之徑向長度的至少20%或至少30%。在本發明的一個尤佳具體例中，該徑向長度約為前置區V之徑向長度的30%。相對於水平面，第一底部段10之表面可傾斜10度至25度之角度。然而，亦可設置更小或更大的傾斜角。首選傾斜角為17.5度。
直接鄰接氣體入口構件1的區域10與製程室底部3'之徑向外側區域11的不同之處在於，外側區域11係在一個平面內延伸。直接鄰接氣體入口構件1之區域10則沿著流動方向S上升。在未圖示之實施例中，區域10可呈梯級狀、中空拱曲狀或球形拱曲狀上升。在實施例中，製程室2在底部段10區域內之底部在截面圖中係沿著一個傾斜於基板座3之旋轉平面的線條延伸，該線條較佳為直線。由於該傾斜區域，製程室2之高度具有緊鄰氣體入口構件1之第一高度H1，該第一高度大於製程室2在與第一底部段10相接之第二底部段11區域內所具有的第二高度H2。
凹陷部底部9'可定義第一水平，該第一水平比製程室底部之第二水平更遠離由製程室頂部7之底面7'之延伸所定義的對比水平，前置區V之徑向外側區域或者說製程區P在該第二水平中延伸。第二水平大體可在最低氣體入口區15與冷卻劑室12之間之分隔壁23的高度上延伸。第一底部段10之上升區域的起點可由一個小台階形成，凹陷部底部9'以該小台階與上升的底部段10銜接。如此選擇第一底部段10之傾斜面相對於由第二底部段11所形成之包圍第一底部段10之平面的角度，使得第一底部段10與第二底部段11之間的銜接邊緣22處不會形成渦流。因此，底部段10較佳傾斜於第二底部段11延伸而使得底部段10及11上形成層流。
在圖3所示之實施例中，傾斜的第一底部段10之上升開始於氣體入口構件1之朝下端面的水平上，即大體在下壁24區域內。傾斜的底部段10延伸至更高的水平，該更高水平位於分隔壁23下方，即在冷卻劑室12區域內。然而，此水平亦可位於分隔冷卻劑室12與氣體入口區15''之分隔壁23的水平上。在一個較佳具體例中，環形體19係與被建構為牽引板21的基體18同質地形成。如圖4所示，牽引板21之外側區段可自下方與覆蓋元件20接合。牽引元件卡設於牽引板21之中心，並且向下朝軸體方向對牽引板21施力。
本發明之裝置特別適合用於沉積SiC，特別是摻雜SiC。在此製程中，前置區V對摻雜劑之安放有關鍵性影響。由於增加了距離，特別是第一底部段10到氣體入口構件1之距離，有效減少了製程區上游之製程氣體分解產物的沉積。儘管在設計反應器時，人們通常努力使製程室在其整個延伸範圍上具有恆定高度，但事實出人意料地表明，在直接鄰接氣體入口構件1之區域中減小製程室高度，會減少預沉積所引起的氣相耗竭。
前述實施係用於說明本申請整體所包含之發明，該等發明至少透過以下特徵組合分別獨立構成相對於先前技術之改良方案，其中，此等特徵組合中的兩個、數個或所有特徵組合亦可相互組合，即：
一種CVD反應器，其特徵在於：第一底部段10沿流動方向S上升。
一種CVD反應器，其特徵在於：第一底部段10在第一底部段10之延伸長度a上自第一水平上升至第二水平且/或以10至25度之角度上升，該延伸長度為前置區V之長度b的至少10%、至少20%或30%+/-5%，供氣體入口構件1伸入之凹陷部9的凹陷部底部9'位於該第一水平中，或者氣體入口構件1之下壁24位於該第一水平中，第二底部段11位於該第二水平中。
一種CVD反應器，其特徵在於：製程室頂部7之平直底面7'具有以流動方向觀之到第一底部段10之起點的第一間隔高度H1以及到第一底部段之終點或是到第二底部段11之起點的第二間隔高度H2，且/或與基板載具5之朝向製程室2的頂面平行延伸，並且/或者，在第一底部段10之延伸長度a上，隨著與氣體入口構件1之距離的增加，製程室頂部7之間距自第一間隔高度H1到第二間隔高度H2連續或逐步減小。
一種CVD反應器，其特徵在於：氣體入口構件1佈置在製程室2之中心Z，數個基板載具5以呈環形圍繞氣體入口構件1之方式佈置在製程區P中，並且第一底部段10形成包圍氣體入口構件1之環形面。
一種CVD反應器，其特徵在於：第一底部段10之朝向製程室2的表面為光滑延伸且/或除了僅一個銜接邊緣22外皆為平滑延伸。
一種CVD反應器，其特徵在於：第一底部段10由圍繞氣體入口構件1佈置的內環19形成，該內環放置在基板座3之基體18上，並且/或者，形成第一底部段10之內環19被一個或數個覆蓋元件20包圍，該等覆蓋元件20鄰接載位4。
一種CVD反應器，其特徵在於：第一底部段10由盤形中央元件21形成，該中央元件同質地形成凹陷部9，氣體入口構件1伸入該凹陷部中。
一種CVD反應器，其特徵在於：氣體入口構件1具有數個疊置的氣體入口區15、15'，該等氣體入口區各自具有佈置於圓柱面上之氣體出口14，並且/或者，氣體出口14佈置在氣體入口構件1之具有一個或數個冷卻劑通道17的氣體出口壁13上，並且/或者，冷卻劑室12佈置在氣體入口構件1之一個或數個氣體入口區15、15'、15''下方，其中，氣體入口構件1之設有冷卻劑室12的區段完全或絕大部分地佈置在凹陷部9中，並且/或者，第二水平與第一水平之差大於冷卻劑室12在相對於製程室2之中心Z的軸線方向上所測得之高度。
一種CVD反應器，其特徵在於：基板座3可經驅動而繞中心Z旋轉，並且/或者，圓盤形基板載具5可經驅動而繞各自之中心Z旋轉。
一種環形體，其特徵在於：在中空錐面上延伸之表面段10與環形體19之徑向內緣鄰接，該表面段在形成銜接部22之情況下與延伸至環形體19之徑向外緣的平直表面11銜接。
一種環形體，其特徵在於：銜接部22為銜接邊緣，該銜接邊緣與環形體19之徑向內緣的距離相當於環形體19之寬度的40%至60%，並且/或者，環形體19具有在內柱面上延伸之徑向內壁25，該徑向內壁之高度小於平直表面11與環形體19之平直底面26之距離的50%。
所有已揭露特徵(作為單項特徵或特徵組合)皆為發明本質所在。故本申請之揭露內容亦包含相關/所附優先權檔案(前案副本)所揭露之全部內容，該等檔案所述特徵亦一併納入本申請之申請專利範圍。附屬項以其特徵對本發明針對先前技術之改良方案的特徵予以說明，其目的主要在於在該等請求項基礎上進行分案申請。每個請求項中所界定的發明可進一步具有前述說明中給出的、特別是以符號標示且/或在符號說明中給出的特徵中之一或數項。本發明亦有關於如下設計形式：前述說明中所述及之個別特徵不實現，特別是對於具體用途而言為非必需的或者可被技術上具有相同功效的其他構件所替代之特徵。
1:氣體入口構件
2:製程室
3:基板座
3':製程室底部
4:載位
5:基板載具
6:基板
7:製程室頂部
7':底面
8:加熱裝置
9:凹陷部
9':凹陷部底部
10:第一底部段
11:第二底部段
12:冷卻劑室
13:氣體出口壁
14:氣體出口
15:氣體入口區
15':氣體入口區
15'':氣體入口區
16:冷卻劑通道
17:冷卻劑通道
18:基體
19:內環
20:覆蓋元件
21:中央元件
22:銜接邊緣
23:分隔壁
24:下壁
25:壁
26:底面
H1:製程室高度
H2:製程室高度
P:製程區
S:流動方向
V:前置區
Z:中心
a:第一底部段之延伸長度
b:前置區之延伸長度
c:凹陷部底部與氣體入口構件之底面之間的距離
下面將參照所附圖式對本發明之實施例進行闡述。其中：
圖1為第一實施例之CVD反應器之限定製程室2的元件之示意剖面圖，
圖2為沿圖1中II-II線所截取之剖面圖，
圖3為圖1中III部分之放大圖，
圖4為第二實施例之類似於圖3的視圖。
1:氣體入口構件
2:製程室
3:基板座
3':製程室底部
4:載位
5:基板載具
6:基板
7:製程室頂部
7':底面
8:加熱裝置
9:凹陷部
9':凹陷部底部
10:第一底部段
11:第二底部段
12:冷卻劑室
13:氣體出口壁
14:氣體出口
15:氣體入口區
15':氣體入口區
15":氣體入口區
16:冷卻劑通道
17:冷卻劑通道
18:基體
19:內環
20:覆蓋元件
22:銜接邊緣
23:分隔壁
24:下壁
25:壁
26:底面
H1:製程室高度
H2:製程室高度
S:流動方向
a:第一底部段之延伸長度
b:前置區之延伸長度
c:凹陷部底部與氣體入口構件之底面之間的距離
Claims (15)
- 一種CVD反應器，其具有氣體入口構件(1)，該氣體入口構件具有冷卻裝置(12、16、17)以及通入製程室(2)之氣體出口(14)，其中，該製程室(2)具有直接鄰接該氣體入口構件(1)之前置區(V)以及在自該等氣體出口(14)進入該製程室(2)之製程氣體的流動方向(S)上設置在該前置區之後的製程區(P)，一個或數個用於安置基板(6)的載位(4)佈置在該製程區中，其中，該前置區(V)具有直接鄰接該氣體入口構件(1)之第一底部段(10)以及佈置在該第一底部段(10)與該製程區(P)之間的第二底部段(11)，其特徵在於：該第一底部段(10)沿該流動方向(S)上升。
- 如請求項1之CVD反應器，其中，該第一底部段(10)在該第一底部段(10)之延伸長度(a)上自第一水平上升至第二水平且/或以10至25度之角度上升，該延伸長度為該前置區(V)之長度(b)的至少10%、至少20%或30%+/-5%，供該氣體入口構件(1)伸入之凹陷部(9)的凹陷部底部(9')位於該第一水平中，或者該氣體入口構件(1)之下壁(24)位於該第一水平中，該第二底部段(11)位於該第二水平中。
- 如請求項1之CVD反應器，其中，製程室頂部(7)之平直底面(7')具有以該流動方向觀之到該第一底部段(10)之起點的第一間隔高度(H1)以及到該第一底部段之終點或是到該第二底部段(11)之起點的第二間隔高度(H2)。
- 如請求項1之CVD反應器，其中，製程室頂部(7)之平直底面(7')與基板載具(5)之朝向該製程室(2)的頂面平行延伸。
- 如請求項3之CVD反應器，其中，在該第一底部段(10)之延伸長度(a)上，隨著與該氣體入口構件(1)之距離的增加，該製程室頂部(7)之間距自此第一間隔高度(H1)到該第二間隔高度(H2)連續或逐步減小。
- 如請求項1之CVD反應器，其中，該氣體入口構件(1)佈置在該製程室(2)之中心(Z)，數個基板載具(5)以呈環形圍繞該氣體入口構件(1)之方式佈置在該製程區(P)中，並且該第一底部段(10)形成包圍該氣體入口構件(1)之環形面。
- 如請求項1之CVD反應器，其中，該第一底部段(10)之朝向該製程室(2)的表面為光滑延伸且/或除了僅一個銜接邊緣(22)外皆為平滑延伸。
- 如請求項1之CVD反應器，其中，該第一底部段(10)由圍繞該氣體入口構件(1)佈置的內環(19)形成，該內環放置在基板座(3)之基體(18)上。
- 如請求項1之CVD反應器，其中，形成該第一底部段(10)之內環(19)被一個或數個覆蓋元件(20)包圍，該等覆蓋元件(20)鄰接載位(4)。
- 如請求項1之CVD反應器，其中，該第一底部段(10)由盤形中央元件(21)形成，該中央元件同質地形成凹陷部(9)，該氣體入口構件(1)伸入該凹陷部中。
- 如請求項1之CVD反應器，其中，該氣體入口構件(1)具有數個疊置的氣體入口區(15、15')，該等氣體入口區各自具有佈置於圓柱面上之氣體出口(14)，或者，該等氣體出口(14)佈置在該氣體入口構件(1)之具有一個或數個冷卻劑通道(17)的氣體出口壁(13)上，或者，冷卻劑室(12)佈置在該氣體入口構件(1)之一個或數個氣體入口區(15、15'、15'')下方，其中，該氣體入口構件(1)之設有該冷卻劑室(12)的區段完全或絕大部分地佈置在該凹陷部(9)中，或者，該第二水平與該第一水平之差大於該冷卻劑室(12)在相對於該製程室(2)之該中心(Z)的軸線方向上所測得之高度。
- 如請求項6之CVD反應器，其中，該基板座(3)可經驅動而繞該中心(Z)旋轉，並且/或者，該等圓盤形基板載具(5)可經驅動而繞各自之中心(Z)旋轉。
- 一種可用於CVD反應器之環形體，該環形體(19)之內徑大於氣體入口構件(1)之外徑，該環形體之外徑小於一件式或多件式覆蓋元件(20)之內徑，且該環形體可被放置在基體(18)之包圍該氣體入口構件(1)的區段上，其特徵在於：在中空錐面上延伸之表面段(10)與該環形體(19)之徑向內緣鄰接，該表面段在形成銜接部(22)之情況下與延伸至該環形體(19)之徑向外緣的平直表面(11)銜接。
- 如請求項13之環形體，其中，該銜接部(22)為銜接邊緣，該銜接邊緣與該環形體(19)之該徑向內緣的距離相當於該環形體(19)之寬度的40%至60%。
- 如請求項13之環形體，其中，該環形體(19)具有在內柱面上延伸之徑向內壁(25)，該徑向內壁之高度小於該平直表面(11)與該環形體(19)之平直底面(26)之距離的50%。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102021103245.8 | 2021-02-11 | ||
| DE102021103245.8A DE102021103245A1 (de) | 2021-02-11 | 2021-02-11 | CVD-Reaktor mit einem in einer Vorlaufzone ansteigenden Prozesskammerboden |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202236477A true TW202236477A (zh) | 2022-09-16 |
Family
ID=80735483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111104480A TW202236477A (zh) | 2021-02-11 | 2022-02-08 | 具有在前置區上升之製程室底部的cvd反應器 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240102164A1 (zh) |
| EP (1) | EP4291688A1 (zh) |
| KR (1) | KR20230141861A (zh) |
| CN (1) | CN116888299A (zh) |
| DE (1) | DE102021103245A1 (zh) |
| TW (1) | TW202236477A (zh) |
| WO (1) | WO2022171529A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118621302A (zh) * | 2023-12-01 | 2024-09-10 | 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 | 一种改善晶圆侧面成膜的装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102019131794A1 (de) * | 2019-11-25 | 2021-05-27 | Aixtron Se | Wandgekühltes Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor |
| DE102023107111A1 (de) | 2022-12-09 | 2024-06-20 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Abscheiden von SiC-Schichten auf einem Substrat mit einem verstellbaren Gasaustrittselement |
| WO2024121230A1 (de) | 2022-12-09 | 2024-06-13 | Aixtron Se | VORRICHTUNG ZUM ABSCHEIDEN VON SiC-SCHICHTEN AUF EINEM SUBSTRAT MIT EINEM VERSTELLBAREN GASAUSTRITTSELEMENT |
| DE102023128850A1 (de) | 2023-03-21 | 2024-09-26 | Aixtron Se | Vorrichtung zum gleichzeitigen Abscheiden einer Schicht auf mehreren Substraten |
| WO2025108923A1 (de) * | 2023-11-22 | 2025-05-30 | Aixtron Se | VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM ABSCHEIDEN n-DOTIERTEM SiC |
| DE102023136517A1 (de) * | 2023-11-22 | 2025-05-22 | Aixtron Se | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden n-dotiertem SiC |
| WO2025172419A2 (de) | 2024-02-16 | 2025-08-21 | Aixtron Se | Verfahren und vorrichtung zum abscheiden von n-dotiertem sic |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4542860B2 (ja) | 2004-10-04 | 2010-09-15 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
| DE102005056320A1 (de) * | 2005-11-25 | 2007-06-06 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit einem Gaseinlassorgan |
| KR100966370B1 (ko) * | 2007-12-05 | 2010-06-28 | 삼성엘이디 주식회사 | 화학 기상 증착 장치 |
| US8298338B2 (en) | 2007-12-26 | 2012-10-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
| JP5139105B2 (ja) * | 2008-02-08 | 2013-02-06 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
| KR101004822B1 (ko) | 2008-04-18 | 2010-12-28 | 삼성엘이디 주식회사 | 화학 기상 증착 장치 |
| US20110247556A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-13 | Soraa, Inc. | Tapered Horizontal Growth Chamber |
| US8821641B2 (en) * | 2011-09-30 | 2014-09-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nozzle unit, and apparatus and method for treating substrate with the same |
| DE102014104218A1 (de) | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Aixtron Se | CVD-Reaktor mit Vorlaufzonen-Temperaturregelung |
| DE102017100725A1 (de) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | Aixtron Se | CVD-Reaktor und Verfahren zum Reinigen eines CVD-Reaktors |
| DE102018130139A1 (de) * | 2018-11-28 | 2020-05-28 | Aixtron Se | Gaseinlassvorrichtung für einen CVD-Reaktor |
| JP7493516B2 (ja) * | 2019-01-15 | 2024-05-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板処理チャンバ用ペデスタル |
| CN111364022B (zh) * | 2020-03-10 | 2023-02-10 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室 |
-
2021
- 2021-02-11 DE DE102021103245.8A patent/DE102021103245A1/de active Pending
-
2022
- 2022-02-04 US US18/275,764 patent/US20240102164A1/en active Pending
- 2022-02-04 WO PCT/EP2022/052660 patent/WO2022171529A1/de not_active Ceased
- 2022-02-04 EP EP22709603.9A patent/EP4291688A1/de active Pending
- 2022-02-04 KR KR1020237030377A patent/KR20230141861A/ko active Pending
- 2022-02-04 CN CN202280014007.1A patent/CN116888299A/zh active Pending
- 2022-02-08 TW TW111104480A patent/TW202236477A/zh unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118621302A (zh) * | 2023-12-01 | 2024-09-10 | 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 | 一种改善晶圆侧面成膜的装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP4291688A1 (de) | 2023-12-20 |
| DE102021103245A1 (de) | 2022-08-11 |
| WO2022171529A1 (de) | 2022-08-18 |
| KR20230141861A (ko) | 2023-10-10 |
| US20240102164A1 (en) | 2024-03-28 |
| CN116888299A (zh) | 2023-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW202236477A (zh) | 具有在前置區上升之製程室底部的cvd反應器 | |
| US9447500B2 (en) | CVD reactor having a substrate holder resting on a gas cushion comprising a plurality of zones | |
| JP7136945B2 (ja) | エピタキシャル成長装置用のチャンバ構成要素 | |
| US8152924B2 (en) | CVD reactor comprising a gas inlet member | |
| US10240235B2 (en) | Method and apparatus for depositing a material layer originating from process gas on a substrate wafer | |
| EP2215282B1 (en) | Chemical vapor deposition reactor | |
| CN113383110B (zh) | Cvd反应器的基座 | |
| US20050011436A1 (en) | Chemical vapor deposition reactor | |
| CN105765113A (zh) | 外延晶片生长装置 | |
| KR20110138382A (ko) | 위치적으로 상이하게 열 소산 부재에 커플링된 실링 패널을 갖는 ｍｏｃｖｄ 반응기 | |
| CN112424394A (zh) | 用于覆盖用于SiC层沉积的装置的基座的指向过程室的侧面的盖板 | |
| US20210381128A1 (en) | Vapor phase growth apparatus | |
| TW202434757A (zh) | 用於將SiC層沉積在基板上的方法及裝置 | |
| TW202026459A (zh) | 用於ｃｖｄ反應器之罩板 | |
| CN218812237U (zh) | 一种提高成膜质量的进气结构 | |
| JP7729038B2 (ja) | ウェハ保持具、化学気相成長装置及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法 | |
| US20240392441A1 (en) | Cvd reactor with a supporting ring, and supporting ring for a substrate | |
| KR102919837B1 (ko) | 차폐 플레이트 어레인지먼트에 의해 덮인 가스 유입 부재를 구비한 cvd-반응기 | |
| TW202122624A (zh) | Cvd反應器之出氣元件 | |
| TW202414658A (zh) | 具有改良之均溫性之晶圓載具總成 |