TW202235674A - 用於傳遞氣體至製程腔室的設備及系統 - Google Patents

Abstract

本文描述的實施例大體而言係關於一種氣體組件，該氣體組件設置在主機門與製程腔室之間。該氣體組件提供進入處理體積的多區域氣體橫流分配。該等區域中的每個區域都是被獨立地控制的。該等區域各自包括單個噴嘴，該等區域各自包括與多個噴嘴流體耦接的氣室，或其組合。該等噴嘴，例如包括噴嘴的氣室，設置在該歧管內的該歧管的第一主表面與第二主表面之間。該等噴嘴的出口與該歧管的第二主表面流體連通，並與該製程腔室的體積流體連通。多個獨立受控的區域為流量敏感化學製程提供了質量流量可控性。該氣體組件包括適配器板，該適配器板被配置為耦接至真空主機機器人。

Description

用於傳遞氣體至製程腔室的設備及系統

本揭露案的實施例係關於用於傳遞氣體至製程腔室的設備及系統。

電子元件製造系統包括一或多個製程腔室，該一或多個製程腔室被配置為執行任意數量的基板製程，包括例如脫氣、預清潔或清洗、沉積（例如，化學氣相沉積、物理氣相沉積、及/或原子層沉積）、塗覆、氧化、硝化、蝕刻（例如，電漿蝕刻）等。基板包括半導體晶圓、玻璃板或面板、及/或用於製造電子元件或電路部件的其他工件。基板經由腔室埠組件（諸如具有狹縫閥的組件）在製程腔室與轉移腔室之間轉移。腔室埠組件在製程腔室與轉移腔室的腔室埠之間提供介面。在經由腔室埠組件轉移基板期間，來自腔室硬體的微粒物質可能遷移至基板。微粒物質影響基板的處理，諸如增加電子元件缺陷。

因此，需要用於在製程腔室內與製程腔室之間處理和轉移基板而不會將污染物引入基板或處理體積中的設備及系統。

在一個實施例中，提供了一種歧管，該歧管具有適配器板，該適配器板具有第一主表面；與該第一主表面相對的第二主表面；以及切口，該切口被限定為從第一主表面中的開口延伸至第二主表面中的開口。一或多個氣室設置在歧管內的第一主表面與第二主表面之間。該等氣室中的每個氣室包括一或多個噴嘴，該一或多個噴嘴與該開口的底表面和第二主表面的開口流體連通，該一或多個氣室中的每個氣室耦接至相應的流量控制閥。

在另一個實施例中，提供了一種製程系統，該製程系統具有製程腔室，在該製程系統中設置有基板支撐件。該製程系統包括氣體組件，該氣體組件具有歧管，該歧管具有第一主表面和第二主表面。一或多個氣體管線設置在歧管內的第一主表面與第二主表面之間，該等氣體管線中的每個氣體管線包括與製程腔室的處理體積流體連通的噴嘴。該歧管在第二主表面處耦接至製程腔室，並且主機門在第一主表面處耦接至歧管。

在另一個實施例中，提供了一種氣流系統，該氣流系統包括歧管，該歧管具有第一主表面、第二主表面、開口，該開口從第一主表面延伸至第二主表面。一或多個氣室設置在歧管內的第一主表面與第二主表面之間。該等氣室中的每個氣室包括一或多個噴嘴。該一或多個噴嘴與第二主表面流體連通，並且該一或多個氣體管線設置在歧管內。氣體管線中的至少兩個氣體管線相對於彼此被獨立地控制。氣體管線中的每個氣體管線包括在歧管的上表面上的氣體出口。轉移系統主機門耦接至第一主表面和包括狹槽的製程腔室。該狹槽與一或多個噴嘴流體連通。

本文所述的實施例大體而言係關於一種氣體組件，該氣體組件耦接至製程腔室。在可以與本文所述的其他實施例組合的一些實施例中，氣體組件設置在主機（例如，轉移腔室）與製程腔室之間。亦考慮了氣體組件的其他位置，諸如耦接至製程腔室並且與主機（例如，轉移腔室）位置分開的位置。氣體組件提供進入製程腔室的處理體積中的多區域氣體橫流分配。該等區域中的每個區域都是被獨立地控制的。該等區域各自包括單個噴嘴、流體耦接至多個噴嘴的氣室，或其組合。噴嘴及/或包括噴嘴的氣室設置在歧管內的該歧管的第一主表面與第二主表面之間。該等噴嘴的出口與該歧管的第二主表面流體連通，並與該製程腔室的處理體積流體連通。多個獨立受控的區域為流量敏感化學製程提供了質量流量可控性。該氣體組件包括適配器板，該適配器板被配置為耦接至真空主機門。

第1圖圖示了根據一或多個實施例的電子元件製造系統100。電子元件製造系統100可被配置為同時處理多個基板。基板包括半導體晶圓、玻璃板或面板、及/或用於製造電子元件或電路部件的其他工件。電子元件製造系統100包括轉移腔室102、複數個製程腔室104、和一或多個裝載閘腔室106，該等裝載閘腔室中的每個裝載閘腔室可以在真空壓力下操作。轉移腔室102包括機器人（未圖示），該機器人被配置為將基板轉移至每個製程腔室104和每個裝載閘腔室106以及從每個製程腔室和每個裝載閘腔室轉移基板。

製程腔室104各自執行相同或不同的基板處理，包括例如沉積（例如，化學氣相沉積（chemical vapor deposition; CVD）、物理氣相沉積（physical vapor deposition; PVD）及/或原子層沉積）、氧化、硝化、塗覆、蝕刻（例如，電漿蝕刻）、拋光、清洗、電漿、脫氣等。其他基板製程可以另外或替代地由製程腔室104執行。在每個製程腔室104內，處理一或多個基板。在一些實施例中，製程腔室104是磊晶腔室或自由基氧化腔室，諸如原位蒸汽產生腔室。

裝載閘腔室106各自是分批型或單基板型裝載閘腔室。裝載閘腔室106可耦接至工廠介面108，並且可以在工廠介面108與轉移腔室102之間提供第一真空介面。

工廠介面108可以耦接至一或多個前開式晶圓傳送盒(front opening unified pod, FOUP) 110。每個FOUP 110是具有用於容納多個基板的固定盒的容器。每個FOUP 110具有前開口介面，該前開口介面被配置為與工廠介面108一起使用。在其他實施例中，可以使用任何合適類型的容器及/或裝載埠來代替FOUP 110。工廠介面108可以具有一或多個機器人（未圖示），該一或多個機器人被配置為經由FOUP 110與裝載閘腔室106之間的線性、旋轉及/或豎直移動以任何順序或方向轉移基板。電子元件製造系統100具有其他合適數量的FOUP 110。

控制器112控制基板在電子元件製造系統100中或穿過該電子元件製造系統100的處理和轉移中的一些或全部。控制器112可以是例如通用電腦，及/或可包括微處理器或其他合適的中央處理單元(central processing unit, CPU)、用於儲存控制電子元件製造系統100的軟體常式的記憶體、輸入/輸出周邊設備和支援電路（例如，電源、時鐘電路、用於驅動機器人的電路、快取及/或類似物）。

轉移腔室102在轉移腔室102與每個腔室（例如，製程腔室104、裝載閘腔室106）之間的每個介面處包括主機門114，諸如狹縫閥。歧管124設置在耦接至相應製程腔室的各主機114之間。或者，歧管124在與主機門114分開且不同的位置處耦接至每個製程腔室。主機門114使用任何合適的方式（諸如使用複數個緊固件）直接附接至歧管124。緊固件可以是帶螺紋的螺釘或螺栓。一或多個O形環設置在主機門114與歧管124之間，以及在歧管124與製程腔室104之間，以在它們之間提供氣密密封。氣密密封允許基板在腔室之間穿過，而任一腔室都不會失去其中的真空壓力。類似地，歧管124的第二側耦接至介面連接的製程腔室104的側壁。轉移腔室102、製程腔室104和裝載閘腔室106中的每一者都具有一或多個埠（未圖示）。埠是腔室側壁中的開口，該開口被配置為允許經由機器人或其他合適的機構使基本上水平定向的基板穿過該開口。腔室埠是細長的狹槽或狹縫，或者任何適於基板穿過的形狀。歧管124包括開口，該開口對應於與歧管124介面連接的腔室埠（例如，用於主機門的埠和用於製程腔室的埠）。開口是任何合適的形狀，諸如卵圓形、橢圓形、長方形、圓形、矩形。

第2圖圖示了根據一實施例的製程系統的示意性橫截面側視圖。歧管124設置在主機門114與製程腔室104之間。基板經由主機門114中的埠、經由歧管124的開口220、並且經由製程腔室104的埠從轉移腔室102轉移。開口220從歧管124的第一主表面210延伸穿過歧管124至第二主表面212。在可以與本文所述的其他實施例組合的一些實施例中，歧管124包括與主機門114介面連接的第一主表面210和與製程腔室104介面連接的第二主表面212。提供了複數個氣體通道222，該複數個氣體通道在y方向（例如，豎直方向）上從歧管的第三表面214延伸至歧管的開口220的下表面218。儘管氣體通道222被描繪為從歧管124的底表面（例如，第三表面214）延伸至歧管124的開口220的下表面218，但是亦可設想其他定向，諸如從歧管124的頂表面216延伸至歧管的開口220的上表面219，或者從歧管124的與主機門114介面連接的一側延伸。在可以與本文所述的其他實施例組合的一些實施例中，歧管從第一主表面至第二主表面的寬度為約0.5吋至約1吋，諸如約0.7吋。在一個實例中，歧管124很容易改裝到現有系統中，該等現有系統最初被設計或構造成使得製程腔室104直接耦接至主機門114或轉移腔室102。主機凹槽215形成在主機門114的第一主表面中，環繞主機門114的埠。主機門114的凹槽215與歧管124的第一主表面210介面連接。凹槽215被配置為接收密封件，諸如O形環，以在主機門114與歧管124之間提供氣密密封。歧管凹槽217形成在歧管124的與製程腔室104介面連接的第二側212中。凹槽217環繞開口220，並被配置為接收密封件，諸如O形環，以在歧管124與製程腔室104之間提供氣密密封。

第3A圖圖示了根據一實施例的每區域具有單個噴嘴的多區域氣體組件300A的示意性橫截面前視圖。第3A圖中描繪的氣體組件300A包括複數個區域，每個區域包括單個噴嘴304。該等區域中的每個區域（例如，噴嘴304）被彼此獨立地控制。每個區域包括獨立受控的質量流量控制閥306。質量流量控制閥306耦接至氣體源308。氣體源308包括任何氣體，諸如氮氣、氫氣、氧氣，或其組合。在可以與本文所述的其他實施例組合的一些實施例中，歧管124包括約2至約9個氣流區域。該等噴嘴中的每個噴嘴都是被獨立控制的（例如，每個區域一個噴嘴）。基於所需的額外控制量，每個區域的寬度相等，或者至少兩個區域的寬度不相等。與具有較大寬度的較少區域相比，具有較小寬度的較大數量的區域提供了更多的可調諧性。在可以與本文所述的其他實施例組合的一些實施例中，提供在邊緣處的額外區域，以用於在基板的邊緣處的額外可調諧性。換言之，相對於歧管124的中心區域，歧管124的橫向向外邊緣處每單位長度的區域數量（例如，區域密度）可以更大。偏轉器302提供了防護罩（例如，擱板），該防護罩基本上平行於開口220的下表面和上表面（例如，垂直於氣流的直接方向）。偏轉器至少部分地延伸至開口中，並被配置為將氣流從噴嘴304偏轉至處理體積中。不受理論的束縛，據信偏轉器提供了碰撞點，該碰撞點限制從噴嘴304提供的超音速氣體流動至處理體積。所得的氣流與獨立受控的區域的使用一起提供了從氣體組件至處理體積的可定製流（例如，均勻或非均勻的流），以及提高的跨製程可重複性。

第3B圖圖示了根據一實施例的每區域具有多個噴嘴的多區域氣體組件300B的示意性橫截面前視圖。第3B圖中描繪的氣體組件300B提供了約2至約9個區域，每個區域包括具有複數個噴嘴304的氣室310，諸如每氣室310約4至約6個噴嘴。每個氣室310耦接至氣體管線312，該氣體管線經由相應的質量流量閥306獨立控制。一或多個氣體通道313形成在歧管124中。該一或多個氣體通道313中的每個氣體通道從歧管124的第三表面314延伸至一或多個氣室310。氣體通道中的每個氣體通道被配置為接納氣體管線，或者與氣體管線流體連通。氣室310的寬度相等，或者替代地基於所需的質量流量控制量而改變寬度。每個氣室具有每氣室相同數量的噴嘴，或者替代地至少一個氣室的噴嘴數量多於至少一個其他氣室的噴嘴數量。用於容納緊固件的複數個緊固件開口320設置在歧管124上。用於容納緊固件的複數個緊固件開口320設置為圍繞歧管124的周邊從第一主表面至第二主表面。

第4A圖圖示了根據一實施例的製程系統的示意性橫截面俯視圖。主機門114耦接至歧管124的第一主表面。圖示了複數個氣體管線出口304，諸如參照第3A圖和第3B圖描述的噴嘴出口。舉例而言，第4A圖描繪了三個獨立受控的區域410A、410B、410C。區域410A和410C包括3個噴嘴，並且區域410B包括4個噴嘴。來自噴嘴的氣體被經由製程腔室側壁內的狹槽（例如，狹縫閥開口）作為交叉流提供至處理體積的側面中。可以提供偏轉器302（如第3A圖所示）來促進氣體的橫向流動。氣體流過基板支撐件406及/或設置在基板支撐件406上的基板的表面。

第4B圖圖示了根據一實施例的製程系統的示意性俯視圖。第4B圖提供了歧管124，該歧管具有適配器板414，該適配器板圍繞及/或支撐偏轉器402。適配器板414具有靠近主機門114的第一部分414A和靠近製程腔室104的第二部分414B。

第5A圖至第5D圖圖示了具有適配器板414和偏轉器402的氣體組件500的示意性橫截面側視圖。適配器板414藉由緊固件516耦接至製程腔室104和主機門114，該緊固件從製程腔室104延伸穿過適配器板414的孔隙至主機門114。在可以與本文所述的其他實施例組合的一些實施例中，偏轉器402是可移除的偏轉器，諸如可移除的插件。儘管附圖將適配器板414和偏轉器402描繪為兩個獨立的零件，但是亦可設想與偏轉器402成一體的適配器板414。偏轉器402包括防護罩502、氣室504、噴嘴出口506、以及支撐防護罩502的背板510。噴嘴出口506與防護罩502之間的距離508為約0.5 mm至約3 mm，諸如約1 mm至約2 mm。在防護罩502與開口220的頂表面之間亦設置有間隙512。在可以與本文所述的其他實施例組合的一些實施例中，間隙512的高度等於開口220的高度，如第5A圖所示。或者，防護罩502延伸至開口220中，使得間隙512的高度小於開口220的高度，如第5B圖所示。噴嘴出口506與開口220的下表面218基本上共面。來自主機設備的第二氣流可以經由間隙引入。在可以與本文所述的其他實施例組合的一些實施例中，偏轉器402是經由主機門的埠安裝在適配器板內的可移除插件。偏轉器402使用擋板514緊固在適當位置，該擋板經由適配器板414中的孔隙插入。適配器板414的孔隙的底部與偏轉器表面的頂表面共面，或者適配在偏轉器的孔隙中。在可以與本文所述的其他實施例組合的一些實施例中，適配器板414的孔隙的底部與開口220的底部共面。在可以與本文所述的其他實施例組合的一些實施例中，偏轉器402從包括一或多個噴嘴的出口506的可移除插件的表面415延伸至適配器板414的開口的底表面417，並且一或多個噴嘴朝向偏轉器402定向。在可以與本文所述的其他實施例組合的一些實施例中，偏轉器與適配器板414成一體，並且從包括一或多個噴嘴的出口506的適配器板414的表面415延伸至適配器板414的開口的底表面417，並且其中一或多個噴嘴朝向偏轉器定向。

返回參考第4B圖，偏轉器402的防護罩502在x方向上從靠近主機門114的位置延伸至靠近製程腔室104的位置。複數個間隙408設置在防護罩502的前沿與適配器板414的靠近製程腔室104的部分之間。間隙408為氣體從噴嘴出口流入製程腔室的處理體積提供了通道。每個間隙對應於氣室或用於使氣體離開的噴嘴。偏轉器402進一步包括複數個鰭片404。每個鰭片404分隔相鄰的間隙408。每個鰭片從具有一或多個噴嘴506的出口的可移除插件的表面延伸至防護罩502。

鰭片404垂直於偏轉器402的縱向軸線（例如，x方向），或者鰭片404相對於第二主表面的平面成銳角或鈍角。

在可以與本文所述的其他實施例組合的一些實施例中，偏轉器402不包括防護罩，如第5C圖和第5D圖所示。第5C圖描繪了偏轉器，諸如可移除偏轉器，該偏轉器具有帶噴嘴出口506的頂表面，該頂表面與歧管開口220的下表面218基本上共面。噴嘴出口506向上定向並且垂直於開口的下表面218。或者，噴嘴出口506朝向製程腔室104定向，如第5D圖所示。噴嘴出口506相對於水平軸線成約0度至約90度的角度定向。

總之，具有多個獨立受控的淨化區域的氣體組件被提供為設置在主機門與製程腔室之間。氣體組件提供進入處理體積中的均勻的（及/或非均勻的）、可定製的、可控的、交叉流動的分配。氣體組件可用於任何製程腔室，諸如橫流製程腔室，諸如磊晶、自由基氧化、原位蒸汽產生(in situ steam generation, ISSG)、半導體反應器。藉由將製程腔室移動遠離相鄰腔室（諸如轉移腔室）的主機門，並放置氣體組件，氣體組件可以改裝到現有的製程腔室中。

儘管前面針對本揭示案的實施例，但是在不脫離本揭示案的基本範疇的情況下可以設計本揭示案的其他和進一步實施例，並且本揭示案的範疇由所附申請專利範圍確定。

如本文所用，術語「約」係指相對於標稱值+/-10%的變化。應當理解的是，此種變化可以包括在本文提供的任何值中。

100:電子元件製造系統 102:轉移腔室 104:製程腔室 106:裝載閘腔室 108:工廠介面 110:前開式晶圓傳送盒(FOUP) 112:控制器 114:主機門 124:歧管 210:第一主表面 212:第二主表面 214:第三表面 215:主機凹槽 216:頂表面 217:歧管凹槽 218:下表面 219:上表面 220:開口 222:氣體通道 300A:多區域氣體組件 300B:多區域氣體組件 302:偏轉器 304:噴嘴 306:流量控制閥 308:氣體源 310:氣室 312:氣體管線 313:氣體通道 314:第三表面 320:緊固件開口 402:偏轉器 404:鰭片 406:基板支撐件 408:間隙 410A:區域 410B:區域 410C:區域 414:適配器板 414A:第一部分 414B:第二部分 415:表面 417:底表面 500:氣體組件 502:防護罩 504:氣室 506:噴嘴出口 508:距離 510:背板 512:間隙 514:擋板 516:緊固件

為了能夠詳細理解本揭示案的上述特徵，可以參考實施例對以上簡要概述的本揭露案進行更特別的描述，實施例中的一些實施例在附圖中圖示。然而，應當注意的是，附圖僅圖示了示例性實施例，並且因此不應被視為是對其範疇的限制，因為本揭露案可以允許其他同等有效的實施例。

第1圖圖示了根據一實施例的製程系統的示意性平面圖。

第2圖圖示了根據一實施例的製程系統的示意性橫截面局部側視圖。

第3A圖圖示了根據一實施例的每多區域氣體組件的單個噴嘴的示意性橫截面正視圖。

第3B圖圖示了根據一實施例的每多區域氣體組件的多噴嘴的示意性橫截面正視圖。

第4A圖圖示了根據一實施例的製程系統的示意性橫截面局部俯視圖。

第4B圖圖示了根據一實施例的製程系統的示意性橫截面局部俯視圖。

第5A圖至第5D圖圖示了根據一些實施例的適配器板和偏轉器插件的示意性橫截面側視圖。

為了促進理解，在可能的情況下，使用相同的附圖標記來表示附圖中共用的元件。預期一個實施例的元件和特徵可以有益地結合到其他實施例中，而無需進一步敘述。

104:製程腔室

114:主機門

210:第一主表面

212:第二主表面

215:主機凹槽

217:歧管凹槽

402:偏轉器

414:適配器板

415:表面

500:氣體組件

502:防護罩

504:氣室

506:噴嘴出口

508:距離

510:背板

512:間隙

514:擋板

516:緊固件

Claims (20)

1. 一種歧管，包括： 一適配器板，該適配器板包括一第一主表面、與該第一主表面相對的一第二主表面，以及一開口，該開口從該第一主表面延伸穿過該適配器板至該第二主表面； 一或多個氣室，該一或多個氣室設置在該適配器板內，該一或多個氣室形成在該適配器板中的該第一主表面與該第二主表面之間，該一或多個氣室藉由一或多個噴嘴流體耦接至該開口； 一或多個氣體通道，該一或多個氣體通道形成在該適配器板中，該一或多個氣體通道中的每一個氣體通道從該適配器板的一第三表面延伸至該一或多個氣室；以及 一凹槽，該凹槽形成在該第一主表面中，該凹槽形成在該第一主表面中並環繞該開口。
2. 如請求項1所述之歧管，其中該適配器板包括用於容納緊固件的複數個緊固件開口，該複數個緊固件開口設置為圍繞該適配器板的一周邊從該第一主表面至該第二主表面。
3. 如請求項1所述之歧管，其中該一或多個氣室包括約2至約9個氣室，其中每個氣室包括1至8個噴嘴。
4. 如請求項1所述之歧管，其中該歧管包括： 一可移除插件，該可移除插件設置在該適配器板內，其中該可移除插件包括該一或多個氣室和該一或多個噴嘴。
5. 如請求項1所述之歧管，進一步包括一偏轉器，該偏轉器從包括該一或多個噴嘴的一出口的該適配器板的一表面延伸至該適配器板的該開口的一底表面，並且其中該一或多個噴嘴朝向該偏轉器定向。
6. 如請求項5所述之歧管，其中該偏轉器包括一防護罩，該防護罩延伸至該適配器板的該開口中，其中包括該一或多個噴嘴的該出口的該適配器板的該表面基本上與該開口的該底表面共面。
7. 如請求項5所述之歧管，其中該開口是矩形的，並且其中該偏轉器包括一防護罩，該防護罩與該開口的一底表面基本上平行且共面。
8. 如請求項7所述之歧管，進一步包括在該防護罩的一前沿之間的一間隙，該間隙小於在該適配器板的該第一主表面與該適配器板的該第二主表面之間的一距離。
9. 如請求項1所述之歧管，進一步包括該適配器板的一表面，該表面包括一或多個噴嘴出口，其中該表面與該適配器板的該開口的一底表面基本上共面。
10. 如請求項1所述之歧管，進一步包括一或多個流量控制閥，其中該一或多個流量控制閥中的每個流量控制閥流耦接至該一或多個氣室的一相應氣室，並且其中每個流量控制閥被獨立地控制。
11. 如請求項1所述之歧管，其中該一或多個氣室中的每個氣室都具有設置在其中的不同數量的噴嘴。
12. 一種製程系統，包括： 一製程腔室，該製程腔室包括一基板支撐件； 一氣體組件，該氣體組件包括： 一歧管，該歧管具有一第一主表面和與該第一主表面相對的一第二主表面，以及一開口，該開口從該第一主表面延伸穿過該歧管至該第二主表面； 一或多個氣體通道，該一或多個氣體通道形成在該歧管中並與該製程腔室的一處理體積流體連通，其中該歧管在該第二主表面處耦接至該製程腔室；以及 主機門，該主機門在該第一主表面處耦接至該歧管。
13. 如請求項12所述之製程系統，進一步包括一或多個流量控制閥，其中該一或多個流量控制閥中的每個流量控制閥流體耦接至一相應的氣體管線，其中該一或多個流量控制閥中的至少兩個流量控制閥被獨立地控制。
14. 如請求項12所述之製程系統，其中該歧管進一步包括一或多個氣室，該一或多個氣室設置在該歧管內，該一或多個氣室形成在該歧管中的該第一主表面與該第二主表面之間，該一或多個氣室藉由一或多個噴嘴流體耦接至該開口。
15. 如請求項12所述之製程系統，其中該氣體組件進一步包括一偏轉器，該偏轉器被配置為將來自每個噴嘴的氣體重定向至該處理體積中。
16. 如請求項15所述之製程系統，其中該偏轉器進一步包括一防護罩，其中該防護罩被設置成距離每個噴嘴約1至約3 mm。
17. 如請求項16所述之製程系統，其中該偏轉器形成一開口，該開口流體耦接至該製程腔室的一開口。
18. 如請求項12所述之製程系統，其中該製程腔室是一磊晶腔室或一自由基氧化腔室。
19. 如請求項12所述之製程系統，進一步包括一氣體源，該氣體源流體耦接至該等氣體通道中的每個氣體通道。
20. 一種氣流系統，包括： 一歧管，該歧管包括一第一主表面；一第二主表面；一開口，該開口從該第一主表面延伸至該第二主表面；以及一或多個氣室，該一或多個氣室設置在該歧管內的該第一主表面與該第二主表面之間，該等氣室中的每個氣室包括一或多個噴嘴，該一或多個噴嘴與該第二主表面流體連通；以及一或多個氣體管線，該一或多個氣體管線從該歧管的一第三表面延伸至該一或多個氣室，其中該等氣體管線中的至少兩個氣體管線被獨立地控制； 一傳送系統主機門，該傳送系統主機門耦接至該第一主表面；以及 一製程腔室，該製程腔室包括一腔室開口，其中該腔室開口與該一或多個噴嘴流體連通。

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