TW202147648A - 多孔壓力感測器的製造方法及其裝置 - Google Patents
多孔壓力感測器的製造方法及其裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202147648A TW202147648A TW109118407A TW109118407A TW202147648A TW 202147648 A TW202147648 A TW 202147648A TW 109118407 A TW109118407 A TW 109118407A TW 109118407 A TW109118407 A TW 109118407A TW 202147648 A TW202147648 A TW 202147648A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- porous pressure
- manufacturing
- porous
- piezoelectric film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 29
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910020698 PbZrO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010445 mica Substances 0.000 claims description 3
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000009189 diving Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
一種多孔壓力感測器的製造方法,其步驟包括提供一基板;形成一壓電薄膜於基板的上表面;對壓電薄膜進行多孔化處理,例如進行溼式蝕刻程序或熱處理程序以形成一多孔壓力感測層;以及分別形成一第一電極和一第二電極於該多孔壓力感測層的上表面的兩個相對的側邊。本發明亦針對以該多孔壓力感測器的製造方法所製得的壓力感測器。
Description
本發明屬於壓力感測器的領域,尤指一種多孔壓力感測器的製造方法及以該方法製得的裝置。
壓力感測器,乃是一種用於測量液體與氣體的壓力的傳感器,其能夠將施加於其上的壓力轉換成以壓力為函數的電信號。直至目前壓力感測器已經普遍應用在汽車、航空器、衛星、船舶、潛水裝置、氣象預報裝備上,用以測量大氣壓力、液體流量、潛水深度或飛行高度等。
然而,現行的壓力感測器,都有感測範圍狹窄和感測靈敏度不佳的缺點。現行的壓力感測器通常都是屬於壓電式壓力感測器,其係將壓電薄膜設置於一基板上作為壓力感測元件。當基板受外力作用而彎曲時,壓電薄膜亦會隨著該基材的彎曲而形變,並產生相對應的電信號,檢測人員即能根據該電訊號判斷受力大小。由於壓電薄膜與基材係相連作動,因此,若基板在受力後無法任意變形,或者壓電薄膜與基板之結合面的結合方式不佳,將導致壓電式壓力感測器的靈敏度下降和感測範圍狹窄,具有壓力檢測失準的問題。
職是之故,基於克服習用技術中所存在的缺點,發明人經過悉心試驗與研究,並一本鍥而不捨之精神,終發展出本發明的「多孔壓力感測器的製造方法及其裝置」,來克服上述先前技術之缺點,以下為本發明之簡要說明。
有鑑於此,本發明的主要目的,在於提供一種多孔壓力感測器的製造方法,其能夠提昇壓力感測器的靈敏度並增加壓力感測器的感測範圍。
本發明的另一目的,在於提供以本發明提出的多孔壓力感測器的製造方法所製得的多孔壓力感測器。
在本發明的一較佳實施態樣中,提出了一種多孔壓力感測器的製造方法,其包含下列步驟:(1)提供一基板;(2)形成一壓電薄膜於基板的上表面;(3)對壓電薄膜進行多孔化處理以形成一多孔壓力感測層;以及(4)分別形成一第一電極和一第二電極於多孔壓力感測層的上表面的兩個相對的側邊。
較佳者,基板係為矽晶圓、軟性高分子、金屬、玻璃或雲母所組成的一固態的軟性基板,且多孔壓力感測層係為一單層或多層的結構。
較佳者,形成一壓電薄膜於基板的上表面的步驟,係以一物理氣相沈積法,例如,濺鍍法或蒸鍍法,或一溶液法來完成。
較佳者,對壓電薄膜進行多孔化處理以形成一多孔壓力感測層的步驟,係以一溼式蝕刻程序來完成,其中該溼式蝕刻程序所使用的蝕刻溶液係為一種稀釋的酸/鹼溶液,例如鹽酸、硫酸、硝酸、醋酸、或氫氧化鈉(KOH)溶液所組成,且蝕刻溶液的濃度為0.1mM,蝕刻時間為一分鐘。
可選擇的是,對壓電薄膜進行多孔化處理以形成一多孔壓力感測層的步驟,係以一熱處理程序來完成,其中該熱處理程序係在一管狀爐或一箱式爐中進行,其加熱溫度為500-600℃,加熱時間為一小時。
較佳者,壓電薄膜的材質係為金屬氧化物、氮化物、聚偏二氟乙烯(PVDF)、鈦酸鋇BaTiO3、鈦酸鉛PbTiO3、鋯酸鉛PbZrO3、鋯鈦酸鉛PbZrTiO3(PZT)的其中之一。
較佳者,第一電極係由金、銀、鉑、銅的其中之一金屬所組成,而第二電極的係為由氧化銦錫(ITO)或氧化鋁鋅(AZO)所組成的一透明導電膜。或者是,第一電極係為由氧化銦錫(ITO)或氧化鋁鋅(AZO)的一透明導電膜,而第二電極係由金、銀、鉑、銅的其中之一金屬所組成。第一電極和第二電極作用為多孔壓力感測器的陽極/陰極或陰極/陽極。
此外,本發明的另一實施態樣為根據本發明的製造方法所製得的多孔壓力感測器。
下面結合附圖和實施例對本發明進一步詳細的說明。
100:多孔壓力感測器
10:基板
11:壓電薄膜
12:多孔壓力感測層
121:空孔
14:第一電極
15:第二電極
圖1(A)-圖1(D)圖例說明在本發明的一較佳實施例中,多孔壓力感測器的製造方法和以該方法製得的壓力感測器。
圖2顯示在本發明的一較佳實施例中,經過多孔化處理後的氧化鋅薄膜的表面型態圖。
為能進一步瞭解本發明之構成內容及其他特點,茲舉本發明較具體之實施例,並配合附圖詳細說明如以下所述。
請參見圖1(A)至圖1(D),其顯示本發明的一較佳實施例中,多孔壓力感測器的製造方法和以該方法製得的壓力感測器。如圖1(A)所示,本發明的多孔壓力感測器的製造方法的步驟包括,準備一基板10,其係為一固態的軟性基板,材質可為矽晶圓、軟性高分子、金屬、玻璃或雲母等。
接著,請參見圖1(B),在基板10上成長一層壓電薄膜11。在基板10上成長一層壓電薄膜11的步驟,可採用物理氣相沉積法(PVD)或溶液法合成的方式,成長一層壓電薄膜11於基板10上,其中物理氣相沉積法可包含,但不限於,濺鍍法或蒸鍍法。壓電薄膜11為一壓電材質所組成,其可為金屬氧化物(例如氧化鋅)、氮化物(例如氮化銦、氮化鎵)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、鈦酸鋇BaTiO3、鈦酸鉛PbTiO3、鋯酸鉛PbZrO3、鋯鈦酸鉛PbZrTiO3(PZT)等。
接著,請參見圖1(C),對壓電薄膜11,進行多孔化製程處理,以形成一多孔壓力感測層12,其包含複數個空孔121。在本發明的一較佳實施例中,多孔化製程可為一等向性的溼式蝕刻程序,例如使用調配稀釋的酸/鹼溶液,如鹽酸、硫酸、硝酸、醋酸、氫氧化鈉(KOH)等酸性溶液或鹼性溶液作為蝕刻溶液,並控制蝕刻溶液的濃度與蝕刻時間來對壓電薄膜11進行蝕刻,以便蝕刻出複數個空孔121而形成多孔壓力感測層12。在此實施例中,蝕刻溶液的濃度為0.1mM,蝕刻時間為一分鐘。
在本發明的另一個較佳實施例中,多孔化製程可為一熱處理程序(heat treatment process)。在本實施例中,可以採用利用加熱的方式,來移除反應氣體(reactant gas,例如氧氣)並讓壓電薄膜11結晶化,以便讓壓電薄膜11產生空孔121而形成多孔壓力感測層12。在本實施例中,熱處理乃是在管狀爐或箱式爐(皆未顯示)中進行,其加熱溫度為500-600℃,加熱時間為一小時。
接著,請參見圖1(D),在多孔壓力感測層12的兩個相對的側邊上,分別鍍上一第一電極14和一第二電極15,以形成一多孔壓力感測器100,如圖1(D)所示。多孔壓力感測層12可為一個單層的結構,也可以為一個多層的結
構。第一電極14和第二電極15,可分別為多孔壓力感測器100的陽極和陰極或陰極和陽極。多孔壓力感測器100由一基板10、一多孔壓力感測層12和一第一電極14連同一第二電極15所組成,其中第一電極14的材質為金、銀、鉑、銅等金屬,而第二電極15為氧化銦錫(ITO)或氧化鋁鋅(AZO)等所組成的透明導電膜。然而,第一電極14的材質和第二電極15的材質選擇並非可限制為此間實施例所揭露的精確形式。例如,第一電極14的可為氧化銦錫(ITO)或氧化鋁鋅(AZO)等所組成的透明導電膜,而第二電極15的材質可為金、銀、鉑、銅等金屬。
請參見圖2,其顯示在本發明的一較佳實施例中,經過多孔化處理後氧化鋅薄膜的表面型態圖。在此,壓電薄膜11的材質乃是以氧化鋅(ZnO)來代表。由圖2的掃描電子顯微鏡照片可以看出,在對壓電薄膜11進行諸如溼式蝕刻或熱處理的多孔化製程處理,便能夠對壓電薄膜11蝕刻出複數個空孔121,藉此形成一多孔壓力感測層12。在施加力量為0.5牛頓(0.5N)的條件下,本發明的多孔壓力感測層的感測壓力輸出值與習知非多孔壓力感測層的壓力感測輸出值的比較結果,如下表一所示:
由表一可以看出,本發明的多孔壓力感測層的壓力感測輸出值,幾乎是習知非多孔壓力感測層的壓力感測輸出值的兩倍。因此,本發明的壓力感測
層,由於是經過多孔化處理的壓電薄膜,會比習知技術的未經多孔化處理的壓電薄膜,在感測性質上會來得好。
此外,根據本發明的製造方法所製得的多孔壓力感測器,也能夠具有其他的用途,例如可以用來發電。由於壓電薄膜層11的材質須為一種壓電材質,當使用者施加力量到本發明的多孔壓力探測器時,便可以將其所受到的壓力轉換成電能輸出,達成發電的目的。
總和來說,本發明的多孔壓力感測器的製造方法,由於對壓電薄膜進行多孔化處理來形成一多孔壓力感測層,能夠提昇壓力感測器的壓電性質和壓力感測的效應。使用本發明的多孔壓力感測器的製造方法所製得的多孔壓力感測器,能夠具有較佳的感測靈敏度和較為寬廣的感測範圍,亦即壓力感測器能夠感測的範圍增大,使得微小的壓力也能感測。此外,本發明的多孔壓力感測器的製造方法所製得的多孔壓力感測器,能夠廣泛地應用在許多的技術領域上,例如可應用在醫療、個人穿戴裝置或車用裝置上。
綜上所述,本發明的結構新穎且實用,功能上遠勝習知者,具進步性及產業利用價值,符合發明專利要件,爰依法提出發明專利之申請。上述的具體實施例是用來詳細說明本發明的目的、特徵及功效,僅為本發明的部分實施例,當不能以此限定本發明的實施範圍,凡熟悉該項技藝者根據上述說明所作等效性的變換或修改,其本質未脫離出本發明的精神範疇者,皆應包含在本發明的專利權範圍。
100:多孔壓力感測器
10:基板
12:多孔壓力感測層
121:空孔
14:第一電極
15:第二電極
Claims (11)
- 一種多孔壓力感測器的製造方法,其包含:提供一基板;形成一壓電薄膜於該基板的一上表面;對該壓電薄膜進行多孔化處理以形成一多孔壓力感測層;以及分別形成一第一電極和一第二電極於該多孔壓力感測層的一上表面的兩個相對的側邊。
- 如請求項1所述之多孔壓力感測器的製造方法,其中該基板係為由矽晶圓、軟性高分子、金屬、玻璃或雲母所組成的一固態的軟性基板。
- 如請求項1所述之多孔壓力感測器的製造方法,其中該多孔壓力感測層係為一單層或多層的結構。
- 如請求項1所述之多孔壓力感測器的製造方法,其中該形成一壓電薄膜於該基板的一上表面的步驟,係以一物理氣相沈積法或一溶液法來完成。
- 如請求項4所述之多孔壓力感測器的製造方法,其中該物理氣相沈積法包含濺鍍法或蒸鍍法。
- 如請求項1所述之多孔壓力感測器的製造方法,其中該對該壓電薄膜進行多孔化處理以形成一多孔壓力感測層的步驟,係以一溼式蝕刻程序來完成,其中該溼式蝕刻程序所使用的一蝕刻溶液係為一稀釋的鹽酸、硝酸、醋酸、硫酸或氫氧化鈉(KOH)溶液所組成,且其中蝕刻溶液的濃度為0.1mM,蝕刻時間為一分鐘。
- 如請求項1所述之多孔壓力感測器的製造方法,其中該對該壓電薄膜進行多孔化處理以形成一多孔壓力感測層的步驟,係以一熱處理程序來完成,其中該熱處理程序係在一管狀爐或一箱式爐中進行,其加熱溫度為500-600℃,加熱時間為一小時。
- 如請求項1所述之多孔壓力感測器的製造方法,其中該壓電薄膜的材質係為金屬氧化物、氮化物、聚偏二氟乙烯(PVDF)、鈦酸鋇BaTiO3、鈦酸鉛PbTiO3、鋯酸鉛PbZrO3、鋯鈦酸鉛PbZrTiO3(PZT)的其中之一。
- 如請求項1所述之多孔壓力感測器的製造方法,其中該第一電極係由金、銀、鉑、銅的其中之一金屬所組成,而該第二電極的係為由氧化銦錫(ITO)或氧化鋁鋅(AZO)所組成的一透明導電膜。
- 如請求項1所述之多孔壓力感測器的製造方法,其中該第一電極係為由氧化銦錫(ITO)或氧化鋁鋅(AZO)的一透明導電膜,而該第二電極係由金、銀、鉑、銅的其中之一金屬所組成。
- 一種根據請求項1的製造方法製得的多孔壓力感測器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW109118407A TWI788671B (zh) | 2020-06-02 | 2020-06-02 | 多孔壓力感測器的製造方法及其裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW109118407A TWI788671B (zh) | 2020-06-02 | 2020-06-02 | 多孔壓力感測器的製造方法及其裝置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202147648A true TW202147648A (zh) | 2021-12-16 |
| TWI788671B TWI788671B (zh) | 2023-01-01 |
Family
ID=80784028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109118407A TWI788671B (zh) | 2020-06-02 | 2020-06-02 | 多孔壓力感測器的製造方法及其裝置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI788671B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI877847B (zh) * | 2023-07-07 | 2025-03-21 | 國立成功大學 | 多維度應變感測裝置、藉由其的外部作用類型的感測方法以及三元值邏輯裝置的形成方法以及三元值邏輯系統 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4333883B2 (ja) * | 2007-01-24 | 2009-09-16 | ヤマハ株式会社 | モーションセンサ及びその製造方法 |
| US9588073B2 (en) * | 2012-12-19 | 2017-03-07 | Robert Bosch Gmbh | Resistive MEMS humidity sensor |
| US10107315B2 (en) * | 2013-04-30 | 2018-10-23 | Mks Instruments, Inc. | MEMS pressure sensors with integrated baffles |
| DE102014204664A1 (de) * | 2014-03-13 | 2015-09-17 | Robert Bosch Gmbh | Drucksensor und Verfahren zum Herstellen des Drucksensors |
| JP2017531163A (ja) * | 2014-07-22 | 2017-10-19 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 薄膜抵抗式センサ |
| KR101731173B1 (ko) * | 2015-09-02 | 2017-04-28 | 한국과학기술원 | 다공성 탄성중합체 유전층을 구비하는 정전용량형 압력센서 |
| IT201600109764A1 (it) * | 2016-10-31 | 2018-05-01 | St Microelectronics Srl | Sensore mems di tipo piezoelettrico, quale sensore di forza, sensore di pressione, sensore di deformazione o microfono, a sensibilita' migliorata |
| CN108225621B (zh) * | 2018-01-03 | 2020-05-22 | 电子科技大学 | 一种基于有机场效应管压力传感器及其制备方法 |
| CN108742541A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-11-06 | 清华大学 | 一种用于测试足底压力分布的鞋垫 |
| CN111256883B (zh) * | 2019-08-06 | 2020-10-30 | 清华大学 | 基于碳黑无尘纸的柔性压力传感装置及其制造方法 |
-
2020
- 2020-06-02 TW TW109118407A patent/TWI788671B/zh active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI877847B (zh) * | 2023-07-07 | 2025-03-21 | 國立成功大學 | 多維度應變感測裝置、藉由其的外部作用類型的感測方法以及三元值邏輯裝置的形成方法以及三元值邏輯系統 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI788671B (zh) | 2023-01-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103557967B (zh) | 一种硅微谐振式压力传感器芯体及制作方法 | |
| CN104931163B (zh) | 一种双soi结构mems压力传感器芯片及其制备方法 | |
| TWI260940B (en) | Method for producing polymeric capacitive ultrasonic transducer | |
| CN105841852B (zh) | 一种基于掺杂硅烯的mems压阻式压力传感器及其制造方法 | |
| CN103604538A (zh) | 基于soi技术的mems压力传感器芯片及其制造方法 | |
| CN105486435A (zh) | 一种mems多晶硅纳米膜压力传感器芯片及其制作方法 | |
| GB2603905A (en) | A method for the manufacture of an improved graphene substrate and applications therefor | |
| CN111725384B (zh) | 压电传感器及其制造方法、检测装置 | |
| CN105070823A (zh) | 一种压力传感器件及其制造方法 | |
| CN108183163A (zh) | 一种超声波传感器的制造方法 | |
| WO2021243546A1 (zh) | 多孔压力传感器的制造方法及其装置 | |
| CN206225372U (zh) | 选择性多晶硅薄膜的钝化接触结构 | |
| Zhang et al. | Controlled spalling and flexible integration of PZT film based on LaNiO3 buffer layer | |
| TWI788671B (zh) | 多孔壓力感測器的製造方法及其裝置 | |
| CN102645294A (zh) | 基于ZnO纳米线阵列的压力传感器芯片及其制备方法 | |
| CN110407153A (zh) | 一种mems结构及其制造方法 | |
| CN204855051U (zh) | 一种双soi结构mems压力传感器芯片 | |
| EP3091586B1 (en) | High temperature flexural mode piezoelectric dynamic pressure sensor and method of forming the same | |
| WO2025113190A1 (zh) | 一种mems压力传感器及其制备方法、电子装置 | |
| CN114804007B (zh) | 一种基于多孔硅隔热层的mems真空计及其制备方法 | |
| CN208111486U (zh) | 一种超声波传感器 | |
| CN110031133A (zh) | 一种谐振式压力传感器及制作工艺 | |
| CN111170263B (zh) | 半导体器件与其制作方法 | |
| CN120112152B (zh) | 一种压电薄膜压力传感器及其自组装制备方法 | |
| CN112271248A (zh) | 基于氧化物纳米线的压力传感器结构及其制备方法 |