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TW202144183A - 電磁波遮蔽用積層片 - Google Patents

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TW202144183A
TW202144183A TW110115394A TW110115394A TW202144183A TW 202144183 A TW202144183 A TW 202144183A TW 110115394 A TW110115394 A TW 110115394A TW 110115394 A TW110115394 A TW 110115394A TW 202144183 A TW202144183 A TW 202144183A
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electromagnetic wave
absorbing layer
laminated sheet
wave absorbing
wave shielding
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TW110115394A
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伊藤彰
上野智永
日高貴志夫
上野光保
坂井篤
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日商松下電器產業股份有限公司
國立大學法人東海國立大學機構
日商日本瑞翁股份有限公司
國立大學法人山形大學
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Abstract

本揭示提供一種輕量卻可抑制電磁波之穿透與反射的電磁波遮蔽用積層片。電磁波遮蔽用積層片包含：電磁波吸收層，其具有基質與分散於基質中之奈米碳管，且總體密度為997kg/m3 以下；及金屬層，其與電磁波吸收層重疊。

Description

電磁波遮蔽用積層片
本揭示涉及一種電磁波遮蔽用積層片，詳細而言係涉及一種適用於遮蔽電磁波之用途的電磁波遮蔽用積層片。
專利文獻1中揭示了一種電磁波吸收體，其係具有依序積層由介電質構成之第1層、具有導電性之第2層、由介電質構成之第3層及具有導電性之第4層而成之積層結構者；其中第2層之薄片電阻為100Ω/□以上且300Ω/□以下；第4層為電磁波反射體。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2019-102665號公報
本揭示之課題在於提供一種雖輕量卻可抑制電磁波之穿透與反射的電磁波遮蔽用積層片。
本揭示一態樣之電磁波遮蔽用積層片包含：電磁波吸收層，其具有基質與分散於前述基質中之奈米碳管，且總體密度為997kg/m3 以下；及金屬層，其係與前述電磁波吸收層重疊。
說明本案發明人完成本揭示之原委的概略。 使用電子機器之資訊通訊中，從削減燃料消耗之觀點來看，搭載航空領域、宇宙領域及陸上所使用之電子機器的載具等之輕量化已成為必要課題。
在上述用途中，對於防止電子機器因雜訊所致之故障、控制電子機器間利用電磁波之通訊時之電磁波的行進路徑等，遮蔽由電子機器產生之電磁波很重要，而視情況不僅要抑制電磁波之穿透，還必須抑制電磁波之反射。
然而，至今尚未提供雖輕量卻可同時以高水準抑制電磁波之穿透與反射之實用性的材料。
因此，本案發明人為了提供一種雖輕量卻可抑制電磁波之穿透與反射的電磁波遮蔽用積層片，遂而完成本揭示。
以下，說明本揭示之一實施形態。此外，以下說明之實施形態僅為本揭示的各種實施形態之一。以下實施形態若可達成本揭示之目的，便可按設計做各種變更。
本實施形態之電磁波遮蔽用積層片1具備積層而成之複數層。複數層至少包含電磁波吸收層10與金屬層30。亦即，電磁波遮蔽用積層片1包含電磁波吸收層10及與電磁波吸收層10重疊之金屬層30。電磁波吸收層10具有基質與分散於基質中之奈米碳管，且總體密度為997kg/m3 以下。
根據本實施形態，電磁波吸收層10之總體密度為997kg/m3 以下，從而能實現電磁波遮蔽用積層片1之輕量化。又，當電磁波從電磁波吸收層10側朝金屬層30側之方向入射電磁波遮蔽用積層片1時，電磁波會被金屬層30遮蔽，而不易穿透電磁波遮蔽用積層片1。並且，被金屬層30反射之電磁波在電磁波遮蔽用積層片1內容易在金屬層30與電磁波吸收層10之間進行多重反射，故電磁波容易損耗。因此，電磁波不易從電磁波遮蔽用積層片1反射。
因此，在本實施形態中，可實現一種雖輕量卻可抑制電磁波之穿透與反射的電磁波遮蔽用積層片1。
更具體說明電磁波遮蔽用積層片1之構成。
電磁波遮蔽用積層片1如上述，具備積層而成之複數層，且複數層至少包含電磁波吸收層10與金屬層30。複數層亦可僅包含電磁波吸收層10與金屬層30，此時，亦可以電磁波吸收層10與金屬層30互相直接接觸之方式積層而成。複數層例如亦可包含絕緣層20，此時，絕緣層20亦可中介於電磁波吸收層10與金屬層30之間。亦即，亦可依序積層有電磁波吸收層10、絕緣層20及金屬層30。
金屬層30例如為金屬製之片材。金屬層30之材質例如為鋁或銅，但不僅限於該等。金屬層30例如可為用蒸鍍法等所製作之薄膜，亦可為金屬製之結構材。
金屬層30之厚度係以可獲得適當之電磁波遮蔽能之方式進行適當調整，例如為1nm以上。又，金屬層30之厚度例如為100mm以下，惟金屬層30之厚度亦可大於100mm。
電磁波吸收層10如上述，總體密度為997kg/m3 以下，從而可使電磁波遮蔽用積層片1輕量化。又，電磁波吸收層10如上述，具有基質與分散於基質中之奈米碳管，從而可使電磁波在金屬層30與電磁波吸收層10之間發生多重反射，藉此可損耗電磁波。此外，基質意指複合材料領域中之基質，藉由基質中分散有奈米碳管，基質與奈米碳管係呈複合化狀態。
電磁波吸收層10宜具有多孔質結構。此時，容易實現使電磁波吸收層10之總體密度為997kg/m3 以下。多孔質結構係指內部具有空隙之結構。多孔質結構可舉朝電磁波吸收層10之厚度方向呈長之空隙配列成蜂巢狀的結構。此時，電磁波吸收層10雖為多孔質，但朝厚度方向施加荷重時不易破損。此外，電磁波吸收層10之多孔質結構不僅限於此。
電磁波吸收層10之基質宜含有水溶性高分子。此時，如後述藉由以凍結乾燥法製作電磁波吸收層10，可輕易使電磁波吸收層10輕量化，而容易實現電磁波吸收層10之總體密度為997kg/m3 以下。電磁波吸收層10之總體密度較宜為500kg/m3 以下，更宜為100kg/m3 以下。
水溶性高分子在25℃下對水之溶解度宜為1mg/1g-H2 O以上。水溶性高分子可為天然高分子、半合成高分子及合成高分子中之任一者。水溶性高分子例如含有選自於由以下所構成群組中之至少一種：瓜爾膠、鹿角菜膠、褐藻酸鈉、玉米澱粉、黃原膠、硫酸軟骨素鈉、透明質酸鈉、羧甲基纖維素、羧甲基纖維素鈉、甲基纖維素、羥乙基纖維素、羥丙基甲基纖維素、陽離子瓜爾膠、羧乙烯聚合物、聚丙烯酸、聚乙烯吡咯啶酮及聚乙烯醇等。水溶性高分子宜含有羧甲基纖維素與羥丙基甲基纖維素之中至少一者。
基質宜更含有熱硬化性樹脂之硬化物。此時，在電磁波吸收層10接觸到水時，基質中之水溶性高分子會變得不易溶出。熱硬化性樹脂宜具有藉由分散於水中而形成水性乳液之性質。此時，以凍結乾燥法製作電磁波吸收層10時，容易使熱硬化性樹脂分散於電磁波吸收層10之基質中，因此可使基質中之水溶性高分子更不易溶出於水中。 熱硬化性樹脂宜含有環氧樹脂。熱硬化性樹脂含有環氧樹脂時，熱硬化性樹脂宜視需要更含有環氧樹脂之硬化劑。此時，在電磁波吸收層10接觸到水時，基質中之水溶性高分子變得更不易溶出。環氧樹脂、或環氧樹脂及硬化劑宜具有藉由分散於水中而形成水性乳液之性質。此時，以凍結乾燥法製作電磁波吸收層10時，容易使環氧樹脂分散於電磁波吸收層10之基質中，因此可使基質中之水溶性高分子更不易溶出於水中。
環氧樹脂所含化合物可視電磁波吸收層10之製造方法等適當選擇。例如，環氧樹脂含有稱為水系環氧樹脂之乳液型環氧樹脂、或可溶於有機溶劑之環氧樹脂。 乳液型環氧樹脂宜含有選自於由雙酚A型環氧樹脂及雙酚F型環氧樹脂等所構成群組中之至少一種。 可溶於有機溶劑之環氧樹脂例如宜含有可用於積層板用途之環氧樹脂，具體上例如宜含有選自於由雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂及甲酚酚醛型環氧樹脂等所構成群組中之至少一種。 硬化劑可為用於環氧樹脂之一般硬化劑，例如含有選自於由酚系硬化劑、胺系硬化劑及酸酐系硬化劑所構成群組中之至少一種。
熱硬化性樹脂相對於電磁波吸收層10之比率宜為5質量%以上且90質量%以下。又，熱硬化性樹脂含有環氧樹脂、或含有環氧樹脂及硬化劑時，環氧樹脂、或環氧樹脂及硬化劑相對於電磁波吸收層10之比率宜為5質量%以上且90質量%以下。該等之比率若在5質量%以上，便可使基質中之水溶性高分子更不易溶出於水中。又，若該等之比率在90質量%以下，熱硬化性樹脂便不易阻礙電磁波吸收層10之輕量化。
說明電磁波吸收層10中之奈米碳管。
藉由電磁波吸收層10含有奈米碳管，可在電磁波遮蔽用積層片1內良好地損耗電磁波，尤其可有效率地損耗毫米波波段及微波波段之電磁波。
奈米碳管(以下亦稱CNT)例如包含單層奈米碳管與多層奈米碳管中之至少一者。
CNT之拉曼光譜中的G/D比係一般評估CNT之品質所使用的指標。在藉由拉曼分光裝置測定之CNT的拉曼光譜中能觀測到稱為G譜帶(1600cm-1 附近)與D譜帶(1350cm-1 附近)之振動模式。G譜帶係源自為CNT之圓筒面的石墨的六方晶格結構之振動模式，D譜帶係源自非晶處之振動模式。因此，G譜帶與D譜帶之波峰強度比(G/D比)越高，越能評估為結晶性高之CNT。G/D高者，CNT多具有導電性石墨結構且導電性高。因此，可用較少之CNT的添加量來提升電磁波遮蔽用積層片1在高頻率區域中之電磁波吸收能，由成本觀點來看乃有利。並且，因較少之CNT的添加量即可，故可獲得成形性亦優異之電磁波遮蔽用積層片1。G/D比宜為3以上。
又，CNT宜包含從單層至5層之奈米碳管，較宜包含單層奈米碳管。CNT若為單層奈米碳管，便可以較多層奈米碳管更少之添加量提升電磁波遮蔽用積層片1在高頻率區域中之電磁波吸收能。
CNT之平均直徑(Av)宜為0.5nm以上，更宜為1nm以上，且宜為15nm以下，更宜為10nm以下。CNT之平均直徑(Av)若為0.5nm以上，便可更提高電磁波遮蔽用積層片1在高頻率區域中之電磁波吸收能。又，若為15nm以下，因其柔軟，故即使在撓曲電磁波遮蔽用積層片1之情況下，仍可維持電磁波吸收能。
此外，平均直徑(Av)可使用穿透式電子顯微鏡測定CNT而求得。平均直徑(Av)可藉由變更CNT之製造方法或製造條件來調整，亦可藉由組合複數種以不同製法而得之CNT來調整。
CNT之BET比表面積宜為600m2 /g以上，較宜為800m2 /g以上，且宜為2500m2 /g以下，較宜為1200m2 /g以下。BET比表面積若為600m2 /g以上，便可更提高電磁波遮蔽用積層片1在高頻率區域中之電磁波吸收能。BET比表面積若為2500m2 /g以下，便可提高電磁波吸收層10之成形性。
此外，在本說明書中，「BET比表面積」意指使用BET法測定之氮吸附比表面積。
CNT例如可根據後述之超速成長法(Super Growth method)，以在表面具有奈米碳管成長用觸媒層之基材上於與基材大致垂直之方向上定向之CNT集合體(定向集合體)之形式而得。此時的定向集合體之質量密度宜為0.002g/cm3 以上且0.2g/cm3 以下。質量密度若為0.2g/cm3 以下，便可使CNT均質分散，而可更提高電磁波遮蔽用積層片1在高頻率區域中之電磁波吸收能。此外，質量密度若為0.002g/cm3 以上，便可抑制CNT分散，因而變得容易處理。
CNT以從吸附等溫線獲得之t-曲線呈向上凸之形狀為佳。其中，以未施行CNT之開口處理且t-曲線呈向上凸之形狀較佳。此時，可更提高電磁波遮蔽用積層片1在高頻率區域中之電磁波吸收能。
此外，「t-曲線」可藉由將利用氮氣吸附法測定之相對壓力轉換成氮氣吸附層之平均厚度「t」(nm)來獲得。亦即，可從將氮氣吸附層之平均厚度「t」相對於相對壓力P/P0繪製而成之已知的標準等溫線，求出對應相對壓力之氮氣吸附層的平均厚度「t」並進行上述轉換，藉此來獲得(de Boer提出之t-曲線法)。
在此，以表面具有細孔的物質來說，氮氣吸附層之成長可被分類為以下(1)~(3)之過程。並且，依下述(1)~(3)之過程，t-曲線之斜率會發生變化。 (1)往整個表面形成氮分子之單分子吸附層之過程。 (2)形成多分子吸附層與伴隨此之在細孔內發生毛細管凝聚充填之過程。 (3)表觀上細孔被氮填滿之往非多孔性表面形成多分子吸附層之過程。 而呈向上凸之形狀的t-曲線在氮氣吸附層之平均厚度「t」小之區域中，曲線位於通過原點之直線上，相對此，「t」若變大，曲線便會變成從該直線往下偏移之位置。具有該t-曲線形狀之結構體其內部比表面積相對於總比表面積之比率大，且呈現CNT上形成有多個開口。
此外，CNT之t-曲線的撓曲點宜在滿足0.2≦t(nm)≦1.5之範圍內，較宜在0.45≦t(nm)≦1.5之範圍內，更宜在0.55≦t(nm)≦1.0之範圍內。
此外，「撓曲點之位置」係前述(1)之過程的近似直線A與前述(3)之過程的近似直線B之交點。
以CNT來說，可從t-曲線獲得之內部比表面積S2相對於總比表面積S1之比(S2/S1)宜為0.05以上且0.30以下。
又，CNT之總比表面積S1及內部比表面積S2無特別限定，個別上，S1宜為600m2 /g以上且在1400m2 /g以下，較宜為800m2 /g以上且1200m2 /g以下。另一方面，S2宜為30m2 /g以上且540m2 /g以下。
在此，CNT之總比表面積S1及內部比表面積S2可從CNT之t-曲線求得。具體上，首先可分別從(1)之過程的近似直線之斜率求出總比表面積S1，並從(3)之過程的近似直線之斜率求出外部比表面積S3。然後，從總比表面積S1減去外部比表面積S3，藉此可算出內部比表面積S2。
另外，CNT之等溫吸附線之測定、t-曲線之製作及根據t-曲線之解析的總比表面積S1與內部比表面積S2之計算，例如可使用市售測定裝置之「BELSORP(註冊商標)-mini」(日本BEL(股)製)來進行。
具有上述性狀之CNT例如可依循以下方法來有效率地製造：於表面具有奈米碳管製造用觸媒層之基材上供給原料化合物及載體氣體，並利用化學氣相沉積法(CVD法)合成CNT時，使系統內存在微量的氧化劑(觸媒活化物質)，藉此來飛躍性地提升觸媒層之觸媒活性(超速成長法；參照國際公開第2006/011655號)。往前述基材表面形成觸媒層宜藉由濕式製程來進行。此外，以下有將利用超速成長法獲得之奈米碳管稱為「SGCNT」之情形。
此外，利用超速成長法製造之CNT可僅由SGCNT構成，亦可由SGCNT與非圓筒形狀之碳奈米結構體構成。具體而言，CNT可包含有在整個全長上具有內壁彼此接近或接著之帶狀部分的單層或多層扁平筒狀碳奈米結構體(以下有稱為「石墨烯奈米帶(GNT)」之情形)。 本揭示中「在整個全長上具有帶狀部分」係指「在整個長邊方向之長度(全長)的60%以上、宜為80%以上、較宜為100%上具有連續或間斷之帶狀部分」。 GNT之形狀為扁平筒狀且GNT中存在內壁彼此接近或接著之帶狀部分的情形例如可由以下來確認：將GNT與富勒烯(C60)密封於石英管中，並用穿透型電子顯微鏡(TEM)觀察在減壓下經加熱處理(富勒烯插入處理)而得之插入有富勒烯之GNT時，發現GNT中存在未插入富勒烯之部分(帶狀部分)。
電磁波吸收層10之薄片電阻宜為0.01Ω/sq.以上且100Ω/sq.以下。此時，電磁波特別容易在電磁波吸收層10內損耗。
電磁波吸收層10中之奈米碳管的比率可考量電磁波吸收層10之電阻率等來適當設定，例如相對於電磁波吸收層10為5質量%以上且60質量%以下。該比率若為10質量%以上便較佳，若為20質量%以上便更佳。又，該比率若為50質量%以下便較佳，若為40質量%以下便更佳。
電磁波吸收層10亦可含有碳黑、乙炔黑等非晶碳。此時，可藉由非晶碳來調整電磁波吸收層10之薄片電阻。非晶碳之比率例如相對於電磁波吸收層10為10質量%以上且50質量%以下。
電磁波吸收層10可含有纖維素奈米纖維。此時，可在不損及電磁波吸收層10之結構或強度下調整電磁波吸收層10之薄片電阻。纖維素奈米纖維之比率相對於電磁波吸收層10為5質量%以上且60質量%以下。該比率若為5質量%以上，便可調整電磁波吸收層10之薄片電阻，若為60質量%以下便不易阻礙電磁波吸收層10之輕量化。
電磁波吸收層10之厚度可視電磁波遮蔽用積層片1須遮蔽之電磁波波長等適當設定。電磁波吸收層10之厚度若為電磁波遮蔽用積層片1須遮蔽之電磁波波長的1/4左右，電磁波遮蔽用積層片1便可有效率地遮蔽電磁波。又，即便如上述，電磁波吸收層10之厚度受電磁波波長限制，但藉由電磁波吸收層10的總體密度為997kg/m3 以下，能輕易實現電磁波遮蔽用積層片1之輕量化。電磁波吸收層10之厚度宜為0.1mm以上且100mm以下，較宜為0.5mm以上且10mm以下，更宜為1mm以上且5mm以下。
電磁波吸收層10例如可藉由將包含電磁波吸收層10之原料的水分散液凍結乾燥來製作。此時，係使電磁波吸收層10多孔質化而易縮小總體密度。 例如，電磁波吸收層10係藉由將含有奈米碳管與水溶性高分子之水分散液凍結乾燥而形成之凍結乾燥體。水分散液係例如藉由混合水溶性高分子、奈米碳纖維及水來調製。水分散液中之水的比率係視對電磁波吸收層10所要求之強度及總體密度等適當設定，例如為80重量%以上且99.9重量%以下。凍結乾燥之條件係適當設定，例如使水分散液在-80℃~-60℃之溫度下凍結後，在溫度-50℃以上且-40℃以下、絕對壓力5Pa以上且50Pa以下之條件下乾燥，藉此可製作出電磁波吸收層10。
欲使水分散液凍結時，亦可在將水分散液放入容器且以絕熱材覆蓋該容器之側面與底面之狀態下使水分散液凍結。此時，可使容器內之水分散液依序從上部往下部凍結。如此一來，水溶性樹脂之分子便容易於上下方向定向，因此電磁波吸收層10容易具有朝厚度方向呈長之空隙配列成蜂巢狀的多孔質結構。 電磁波吸收層10之基質含有熱硬化性樹脂之硬化物時，電磁波吸收層10係例如藉由將含有奈米碳管、水溶性高分子及熱硬化性樹脂之水分散液凍結乾燥而形成之凍結乾燥體。水分散液係例如藉由將水溶性高分子、碳奈米纖維、熱硬化性樹脂之水性乳液及水混合來調製。藉由將該水分散液以與上述相同方法進行凍結乾燥，可製作屬凍結乾燥體之電磁波吸收層10。在該方法中，熱硬化性樹脂含有環氧樹脂時，環氧樹脂宜含有上述稱為水系環氧樹脂之乳液型環氧樹脂。 電磁波吸收層10之基質含有熱硬化性樹脂之硬化物時，電磁波吸收層10例如亦可使熱硬化性樹脂浸潤至藉由將含有奈米碳管與水溶性高分子之水分散液凍結乾燥而形成之凍結乾燥體中後，使熱硬化性樹脂硬化而形成。此時，凍結乾燥體可以與製作不含熱硬化性樹脂之電磁波吸收層10時相同之方法製作。使熱硬化性樹脂浸潤至凍結乾燥體時，例如係使熱硬化性樹脂浸潤至甲基乙基酮等有機溶劑中，藉此調製含有熱硬化性樹脂之清漆。藉由使該清漆浸潤至凍結乾燥體中，可使熱硬化性樹脂浸潤至凍結乾燥體中。接著，藉由使浸潤有清漆之凍結乾燥體乾燥，以使清漆中之有機溶劑揮發。接著，藉由將凍結乾燥體加熱，使熱硬化性樹脂硬化。用以加熱凍結乾燥體之條件係視熱硬化性樹脂之組成，設定成可進行熱硬化性樹脂之硬化反應的適當條件。藉此，可製作電磁波吸收層10。在該方法中，熱硬化性樹脂含有環氧樹脂時，環氧樹脂宜含有上述可溶於有機溶劑的環氧樹脂。
電磁波吸收層10與金屬層30如前述可直接接觸，而電磁波吸收層10與金屬層30之間亦可中介有絕緣層20。絕緣層20係具有電絕緣性之層。
電磁波遮蔽用積層片1具有絕緣層20時，絕緣層20之相對介電常數宜低於電磁波吸收層10之相對介電常數。此時，在電磁波遮蔽用積層片1內特別容易發生電磁波之多重反射，而電磁波遮蔽用積層片1內更容易損耗電磁波。因此，特別能抑制電磁波遮蔽用積層片1所致之電磁波之反射。電磁波吸收層10在25℃下之相對介電常數與絕緣層20在25℃下之相對介電常數的比宜為1以上且50以下。
絕緣層20例如可由具有電絕緣性之樹脂製作。具有電絕緣性之樹脂尤宜含有聚四氟乙烯等氟樹脂。此時，容易將絕緣層20低介電常數化。
絕緣層20亦可更含有由樹脂粒子與陶瓷粒子中之至少一者構成的填料。此時，可藉由填料來調整絕緣層20之硬度及線膨脹係數等物性。此時，例如可藉由將具有電絕緣性之樹脂與填料捏合而得之捏合物成形為片狀，來製作絕緣層20。
絕緣層20亦可含有環氧樹脂系接著劑等接著劑。此時，可藉由絕緣層20接著電磁波吸收層10與金屬層30。
絕緣層20亦可含有聚矽氧橡膠。此時，絕緣層20不易阻礙電磁波遮蔽用積層片1之柔軟性，因此即使電磁波遮蔽用積層片1撓曲亦可不易使其破損。
絕緣層20之材質不限於上述，絕緣層20可含有聚碳酸酯等具有電絕緣性之適當的樹脂。
絕緣層20之絕緣耐壓亦宜為5V/µm以上。此時，即使是在例如5G基地台的周邊使用電磁波遮蔽用積層片1之情況等之下，仍不易產生絕緣層20之絕緣擊穿。
本實施形態之電磁波遮蔽用積層片1根據上述構成，雖輕量卻可抑制電磁波之穿透與反射，尤其可有效率地抑制從微波波段到毫米波波段之電磁波的穿透與反射。因此，電磁波遮蔽用積層片1可應用於例如抑制人工衛星機內超寬頻(UWB)無線電通訊之通訊頻率為3GHz至10GHz的電磁波、或是5G通訊之通訊頻率周邊之頻率為28GHz頻段或39GHz頻段等之電磁波的穿透與反射。可實現使在該等情況下之電磁波穿透電磁波遮蔽用積層片1時之損耗量及電磁波在電磁波遮蔽用積層片1之損耗量在-10dB以下，亦可實現在-20dB以下。
例如將電磁波遮蔽用積層片1應用於人工衛星用途，可利用於為了遮蔽由無線電用線圈產生的雜訊、或為了輕量化而使電子機器間之通訊以無線而非有線進行時，控制信號波之傳送路徑。
實施例 以下，提出本實施形態之具體實施例。此外，本實施形態不僅受下述實施例所限。
1.電磁波吸收層之製作(實施例1~16) 對將表1~4所示材料加入蒸餾水而得之混合物，使用超音波喇叭(horn)以輸出135W施加超音波3分鐘3次，藉此調製出固體成分比率5質量%之水分散液。將該水分散液倒入俯視180mm×180mm、深度10mm之尺寸的模具中，在冷凍庫以-80℃冷卻2小時，藉此使水分散液凍結。接著，使用凍結乾燥機將已凍結之水分散液(以下稱為凍結物)凍結乾燥。此時，將凍結物周圍之氣體環境的絕對氣壓調整在10Pa至20Pa之範圍、溫度調整在-45℃至-50℃之範圍內，並將冷阱溫度設定成-45℃，耗時24小時使凍結物凍結乾燥。接著，在實施例13~16之情況，為了使樹脂組成物A中之環氧樹脂硬化，將凍結物進一步在80℃下加熱3小時。藉此製作出電磁波吸收層。從模具取出該電磁波吸收層。 2.電磁波吸收層之製作(實施例17~20) 以與實施例2之電磁波吸收層之製作條件相同的條件，製作出與實施例2之電磁波吸收層相同結構的基材。 將基材浸漬於經以甲基乙基酮稀釋樹脂組成物B而得之清漆中，藉此使清漆浸潤至基材中。接著，將浸潤有清漆之基材在100℃下加熱30分鐘使其乾燥後，在180℃下加熱2小時使其硬化，而製作出電磁波吸收層。此外，表5所示材料之比率係表示用以製作電磁波吸收層而使用之基材之材料與樹脂組成物B之質量比率。
此外，表中所示材料之詳細內容如下。 -單層奈米碳管1：Zeon Nano Technology公司製。品名ZEONANO(註冊商標) SG101。BET比表面積1,050m2 /g。G/D比3.7。使用穿透型電子顯微鏡測定隨機選出之100支單層奈米碳管1的粒子直徑，從該結果所得平均直徑(Av)為3.3nm。從吸附等溫線所得之t-曲線呈向上凸之形狀。 -單層奈米碳管2：名城Nano Carbon公司製，型號EC2.0。BET比表面積500m2 /g。G/D比37。使用穿透型電子顯微鏡測定隨機選出之100支單層奈米碳管2的粒子直徑，從該結果所得平均直徑(Av)為2.0nm。 -纖維素奈米纖維：第一工業製藥公司製，品名REHOCRYSTA I-2SX。 -羧甲基纖維素鈉：富士薄膜和光純藥公司製。 -乙炔黑：Denka公司製，品名DENKA BLACK。 -樹脂組成物A：以100：53之質量比混合Mitsubishi Chemical公司製的水系環氧樹脂(品名1155R55)與Mitsubishi Chemical公司製的水系環氧用硬化劑(品名WD11M60)而成之混合物。 -樹脂組成物B：以100：3之質量比混合DIC公司製的溴化雙酚A型環氧樹脂之甲基乙基酮溶解物(品名153-60M)與NIPPON CARBIDE INDUSTRIES公司製的環氧硬化劑(品名二氰二胺)而成之混合物。
於表中列出電磁波吸收層之總體密度、厚度方向之體積電阻率、薄片電阻及相對介電常數。
此外，總體密度係由電磁波吸收層之外形尺寸的測定結果與電磁波吸收層之質量的測定結果算出。
在測定厚度方向之體積電阻率及薄片電阻時，當電磁波吸收層之電阻值為104Ω以上且1013Ω以下時，係使用利用雙環電極法之高電阻率計(三菱化學Analytech公司製，「Hiresta(註冊商標)MCP-HT800」，探針：URS探針)，依循JIS K 6911測定在室溫下之電阻值(Ω)。又，當電磁波吸收層之電阻值為10-2 Ω以上且小於104 Ω時，係使用利用四探針法之低電阻率計(三菱化學Analytech公司製，「Loresta(註冊商標)MCP-610T」，探針：ASP探針)，依循JIS K 7194測定在室溫下之電阻值(Ω)。又，進行測定時，從電磁波吸收層裁切出3個100mm×100mm之正方形狀試驗片做成測定試樣，並將探針壓抵於各測定試樣之中心位置來測定電阻值(Ω)。測定3個測定試樣之電阻值(Ω)，並將其平均值作為電磁波吸收材料之電阻值(Ω)。依常規方法從所得電阻值(Ω)與試樣尺寸算出體積電阻率(Ω・cm)及薄片電阻(Ω/sq.)。
相對介電常數係利用同軸管法進行測定。
2.電磁波遮蔽用積層片之製作 以表1~5所示組合來積層電磁波吸收層及金屬層、或電磁波吸收層、絕緣層及金屬層，藉此製作出電磁波遮蔽用積層片。
此外，絕緣層與金屬層各自之厚度方向的體積電阻率及薄片電阻、以及絕緣層之相對介電常數係以與電磁波吸收層之情況相同之方法來測定。
3.評估試驗 (1)密度 將電磁波遮蔽用積層片之密度的測定結果列於表中。
(2)柔軟性 對電磁波遮蔽用積層片實施使用半徑10mm心軸之圓筒形心軸法進行之180°彎折試驗。結果，將電磁波遮蔽用積層片可捲附於心軸上且電磁波遮蔽用積層片無發生破損之情況評估為「良」；而將電磁波遮蔽用積層片雖可捲附於心軸上但電磁波遮蔽用積層片有破損之情況、或電磁波遮蔽用積層片無法捲附於心軸上之情況評估為「不良」。 (3)耐水性 將電磁波遮蔽用積層片浸漬於23℃±5℃之純化水中30分鐘後取出。結果，將電磁波遮蔽用積層片皆無發生溶解及破損之情況評估為「良」，而確認有溶解及破損中之至少一者之情況評估為「不良」。 (4)耐濕性 將電磁波遮蔽用積層片以電磁波吸收層與容器底面相接之方式放入平底之不鏽鋼製容器內。將裝有電磁波遮蔽用積層片之容器放置於經保持在85℃85%RH之恆溫恆濕槽內500小時。接著，從恆溫恆濕槽內取出容器，並將電磁波遮蔽用積層片從不鏽鋼製容器之底面拿起後，將電磁波遮蔽用積層片未破損之情況評估為「良」，而將電磁波遮蔽用積層片貼附於容器之底面而破損之情況評估為「不良」。
(5)反射波之損耗特性 將電磁波遮蔽用積層片固定於丙烯酸樹脂製夾具上而製作出試驗物。又，僅將金屬層固定於丙烯酸樹脂製夾具上而製作出參照物。
利用自由空間(Free Space)法測定針對頻率1~18GHz之電磁波，試驗物在二埠之S(散射；Scattering)參數(S21sample )。測定系統係採用向量網路分析器(Agilent Technologies公司製，「8720ES」)、發射天線(SCHWARZBECK公司製，「BBHA9120-B」)及接收天線(SCHWARZBECK公司製，「BBHA9120-B」，與發射天線相同型號)。測定時，將從發射天線發射之水平極化波的電磁波朝試驗物以45度的入射角入射，並用接收天線接收相對於入射方向朝90度之方向反射之反射波。
參照物在二埠之S(Scattering)參數(S21reference )亦以相同方式測定。
將參照物之測定值與試驗物之測定值的差值視為電磁波遮蔽用積層片所致之回波損耗量，並依下述式(1)算出電磁波遮蔽用積層片之反射波之損耗量(dB)。
回波損耗量(dB)=20log｜S21sample ｜-20log｜S21reference ｜・・・(1) 將在頻率1~18GHz中顯示反射波之損耗量之峰值的頻率與對應其之損耗量列於表中。
[表1]
Figure 02_image001
[表2]
Figure 02_image003
[表3]
Figure 02_image005
[表4]
Figure 02_image007
[表5]
Figure 02_image009
1:電磁波遮蔽用積層片 10:電磁波吸收層 20:絕緣層 30:金屬層
圖1係本揭示一實施形態之電磁波遮蔽用積層片的概略截面圖。 圖2係使用掃描型電子顯微鏡拍攝實施例2之電磁波吸收層而得之影像。
1:電磁波遮蔽用積層片
10:電磁波吸收層
20:絕緣層
30:金屬層

Claims (9)

  1. 一種電磁波遮蔽用積層片，包含： 電磁波吸收層，其具有基質與分散於前述基質中之奈米碳管，且總體密度為997kg/m3 以下；及 金屬層，其與前述電磁波吸收層重疊。
  2. 如請求項1之電磁波遮蔽用積層片，其中前述基質含有水溶性高分子。
  3. 如請求項1或2之電磁波遮蔽用積層片，其於前述電磁波吸收層與前述金屬層之間更包含絕緣層。
  4. 如請求項3之電磁波遮蔽用積層片，其中前述絕緣層之相對介電常數低於前述電磁波吸收層之相對介電常數。
  5. 如請求項1或2之電磁波遮蔽用積層片，其中前述電磁波吸收層為多孔質。
  6. 如請求項1或2之電磁波遮蔽用積層片，其中前述電磁波吸收層係藉由將含有前述奈米碳管與水溶性高分子之水分散液凍結乾燥而形成之凍結乾燥體。
  7. 如請求項1或2之電磁波遮蔽用積層片，其中前述基質更含有熱硬化性樹脂之硬化物。
  8. 如請求項7之電磁波遮蔽用積層片，其中前述電磁波吸收層係使藉由將含有前述奈米碳管、水溶性高分子及前述熱硬化性樹脂之水分散液凍結乾燥而形成之凍結乾燥體中的前述熱硬化性樹脂硬化而形成。
  9. 如請求項7之電磁波遮蔽用積層片，其中前述電磁波吸收層係使前述硬化性樹脂浸潤至藉由將含有前述奈米碳管與水溶性高分子之水分散液凍結乾燥而形成之凍結乾燥體中，並使前述熱硬化性樹脂硬化而形成。
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