TW202109203A

TW202109203A - 微影設備

Info

Publication number: TW202109203A
Application number: TW109122206A
Authority: TW
Inventors: 馬卡斯安德納斯范戴克豪夫; 薩帝許艾堅達; 喬漢斯哈博特喬瑟菲那莫斯; 凡丁葉弗真葉米希白尼; 史迪夫馬汀喬安詹森斯; 安得列倪祺佩洛
Original assignee: 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date: 2019-07-08
Filing date: 2020-07-01
Publication date: 2021-03-01
Also published as: US20220342315A1; KR20220030997A; CN114080566A; TWI883016B; KR102869655B1; WO2021004705A1; CN114080566B; US12117736B2

Abstract

一種微影設備，其包含：一夾持表面，其用於支撐一基板，其中該夾持表面之一屬性係由至少一個夾持表面參數界定，且其中該夾持表面之該屬性已經選擇為展現低磨損；一夾持設備，其用於在該夾持表面與該基板之間致動一夾持操作，其中該夾持操作係藉由該夾持表面與該基板之間的至少一個界面特性而至少部分地界定；及一處理站，其可操作以取決於該夾持表面參數及界定該基板之一第二屬性之至少一個基板表面參數對該基板之一第一屬性應用一調整，以最佳化一特定夾持操作之至少一個界面特性。

Description

微影設備

本發明係關於一種微影設備。特定言之，本發明係關於一種具有可操作以對基板應用調整之處理站的微影設備。

微影設備為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影設備可例如將圖案化裝置(例如光罩)處之圖案投影至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。

為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵之最小大小。當前在使用中之典型波長為365 nm (i線)、248 nm、193 nm及13.5 nm。相比於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備，使用具有在4 nm至20 nm之範圍內之波長(例如6.7 nm或13.5 nm)之極紫外線(EUV)輻射的微影設備可用以在基板上形成較小特徵。

通常藉由例如使用真空或使用靜電力將圖案化裝置及/或基板夾持至夾持表面而將圖案化裝置及/或基板固持於微影設備中之適當位置。夾持強度必須足以將圖案化裝置及/或基板固持於適當位置。已知夾持可造成圖案化裝置及/或基板變形。

可需要提供一種克服與夾持圖案化裝置或基板相關聯之缺點(無論是上文所提及抑或其他缺點)中之一者的用於改良之夾持操作的方法及設備。可需要提供用於夾持圖案化裝置或基板之替代方法或設備。

根據本發明之一第一態樣，提供一種微影設備，其包含：一夾持表面，其用於支撐一基板，其中該夾持表面之一屬性係由至少一個夾持表面參數界定；一夾持設備，其用於在該夾持表面與該基板之間致動一夾持操作，其中該夾持操作係藉由該夾持表面與該基板之間的至少一個界面特性而至少部分地界定；及一處理站，其可操作以取決於該夾持表面參數及界定該基板之一第二屬性之至少一個基板表面參數對該基板之一第一屬性應用一調整，以最佳化一特定夾持操作之至少一個界面特性。該夾持表面之該屬性可已經選擇為展現低磨損。

該基板可為例如一晶圓、一光罩、一倍縮光罩或一微影設備內之其他基板。最佳化界面特性的先前嘗試已在很大程度上聚焦於控制例如夾持表面參數，此係因為使用者具有關於其對用於夾持操作中之基板之選擇之相對自由的選擇。替代地已認識到，藉由對基板應用調整，與藉由僅考慮夾持表面相比可更有效地最佳化界面特性。

有益地，藉由對基板應用取決於夾持表面參數之調整，可最佳化界面特性，同時保留夾持表面之低磨損屬性。夾持表面展現低磨損(例如平滑度及/或剛度及/或硬度)所需之屬性趨向於導致其他界面特性係次佳的。藉由提供處理站以對基板應用調整，可在最佳化其他界面特性的同時保留低磨損夾持表面。取決於使用者要求，待最佳化之界面特性可為不同的。

最佳化界面特性可包含在裝載操作期間減少基板之變形。因而，最佳化界面特性可最小化基板之應力及/或變形，隨後減輕了諸如疊對問題之光學問題。可有益的是減輕光學問題以增加微影程序之品質及產出率。

最佳化界面特性可包含增加夾持操作之強度。舉例而言，在基板已被夾持至夾持表面之後，其可例如在微影設備中之掃描操作中被加速。在具有高加速度之應用中，可有益的是增加夾持強度例如以改良在掃描操作期間對基板之部位控制。

最佳化界面特性可包含增加卸載操作(亦即夾持表面釋放基板)之效率。

最佳化界面特性可包含進一步減少夾持表面上之磨損。因而，最佳化界面特性可增加夾持表面之壽命。通常每一基板與夾持表面相比經歷少得多的夾持操作(例如相對於每夾持表面大致一千萬次夾持操作，每基板大致100次夾持操作)。可有益的是增加夾持表面之壽命以減少成本、減少維護頻率且增加微影設備之可靠性。

不同最佳化之要求可為衝突的，例如夾持表面與基板之間的高摩擦力可有益於增加夾持強度，但不利於減少基板之變形及夾持表面上之磨損。另外，使用者之要求例如在不同微影程序期間可能改變。本說明書描述一種設備及方法，藉以可針對一系列要求最佳化界面特性，同時維持夾持表面之低磨損特性。

基板可為倍縮光罩、光罩或晶圓，例如與微影曝光相關聯之倍縮光罩或晶圓，或微影設備內之任何其他基板。基板之第一屬性及基板之第二屬性可為相同屬性。可量測基板表面參數，或其可為已知的。

微影設備可進一步包含一處理設備，該處理設備經配置以判定界定基板之第二屬性之基板表面參數。處理站可包含該處理設備。舉例而言，該處理設備可為度量衡設備。該處理設備可為任何量測裝置。

第一及/或第二屬性可選自由以下各者組成之群組：硬度、剛度、粗糙度、幾何形狀、功函數、化學表面狀態、表面能、表面電荷、濕度、疏水性、表面粒子密度及潤滑性。

調整可進一步基於至少部分地界定夾持操作之至少一個夾持參數。

舉例而言，夾持參數可為與夾持操作相關聯之速度、力或加速度。夾持參數可關於裝載操作(亦即，基板首先接觸夾持表面且被夾持在一起)、掃描加速(亦即，基板回應於夾持表面移動而移動，例如在與微影曝光相關聯之掃描移動中)或卸載操作(亦即，基板自夾持表面被釋放)。

不同夾持操作可具有不同夾持參數，例如有益地，其可具有不同速度。藉由鑒於夾持參數應用調整，可進一步最佳化基板與夾持表面之間的界面特性。

夾持表面之屬性可包含以下各者中之至少一者：大於20 GPa之硬度、大於200 GPa之剛度、小於3 nm RMS之表面粗糙度、低於25mJ/m² 之表面能。

有益地，夾持表面可為硬的及/或平滑的及/或剛性的及/或具有低表面能。可需要選擇夾持表面之屬性以與典型基板(例如矽基板)相比展現較低磨損。夾持表面之屬性可由夾持表面參數界定。可依據楊氏模數來量測剛度。

有益地，大於20 GPa之硬度可減少夾持表面之磨損。該硬度可替代地大於40 GPa。舉例而言，可使用維氏硬度標度來量測硬度。有益地，大於200 GPa之楊氏模數可減少夾持表面之磨損。楊氏模數可替代地大於250 GPa。舉例而言，氮化硼可具有為48 GPa之硬度及為865 GPa之楊氏模數。硼-碳-氮三元化合物可具有在30 GPa至76 GPa之範圍內之硬度及在200 GPa至700 GPa之範圍內之楊氏模數。金剛石可具有介於70 GPa至150 GPa之間的硬度及為1220 GPa之楊氏模數。

夾持表面可包含第一隆脊陣列。

隆脊可至少部分地界定夾持表面之幾何形狀。有益地，包含該等第一隆脊之夾持表面可減小夾持表面之有效表面積。減小之有效表面積可減小夾持表面與基板之間的黏著力。減小之有效表面積與經選擇為展現低磨損之夾持表面組合可進一步減少夾持表面上之磨損。

隆脊可為狹長的，例如在夾持表面之平面內狹長。隆脊可大體上彼此平行。隆脊可規則地配置，例如每一隆脊可與其相鄰隆脊中之每一者大致等距。隆脊可包含夾持表面之表面上之波狀圖案。

夾持表面可包含形成表面之總體全局幾何形狀之基底，及與該基底鄰近之經圖案化結構，其中當收納基板時，該經圖案化結構在該基板近端。隆脊可包含該經圖案化結構。

隆脊可具有一寬度。該寬度可自基底近端之最大寬度減小至基底遠端之最小寬度。該寬度可自最大寬度線性地改變至最小寬度。該寬度可自最大寬度非線性地改變至最小寬度。亦即，結構可具有彎曲輪廓。有益地，此等寬度輪廓可允許有效表面積取決於施加壓力而改變。舉例而言，當基板由具有低壓之夾持表面收納時，僅隆脊之遠端部分可與該基板接觸。當基板由具有高壓(例如具有沉重負荷，或諸如靜電之高的所施加力)之夾持表面收納時，隆脊及/或基板可(例如彈性地)變形使得隆脊被壓縮且接觸面積增加。接觸面積可在零至一最大值之範圍內，其中該最大值指示隆脊及/或基板完全變形。

處理站可進一步包含該圖案化設備。

該圖案化設備可包含可操作以將一圖案施加至基板之任何設備。該圖案可包含表面紋理。該圖案可包含粗糙度。該圖案可貢獻於基板之幾何形狀。圖案化設備可包含離子束。圖案化設備可包含化學處理設備。圖案化設備可包含蝕刻設備。

處理站可操作以在基板上形成第二隆脊陣列。

隆脊可形成於基板之近端表面上。隆脊可至少部分地界定基板之幾何形狀。有益地，包含該等第二隆脊之基板可減小基板之有效表面積。減小之有效表面積可減小夾持表面與基板之間的黏著力。減小之有效表面積與經選擇為展現低磨損之夾持表面組合可進一步減少夾持表面上之磨損。

有益地，包含該等第二隆脊之基板可減小針對給定夾持力之基板之有效表面積。減小之有效表面積可減小夾持表面與基板之間的黏著力。有益地，隆脊亦可允許例如經由夾持力增加而控制基板之有效區域。

隆脊可包含基板之表面上之波狀圖案。在經調整之後，基板可包含形成基板之總體全局幾何形狀之基底，及與該基底鄰近之經圖案化結構，其中當由夾持表面收納時，該經圖案化結構在該夾持表面近端。隆脊可包含該經圖案化結構。

隆脊可具有一寬度。該寬度可自基底近端之最大寬度減小至基底遠端之最小寬度。該寬度可自最大寬度線性地改變至最小寬度。該寬度可自最大寬度非線性地改變至最小寬度。亦即，結構可具有彎曲輪廓。有益地，此等寬度輪廓可允許有效表面積取決於施加壓力而改變。舉例而言，當基板由具有低壓之夾持表面收納時，僅隆脊之遠端部分可與該夾持表面接觸。當基板由具有高壓(例如具有沉重負荷，或諸如靜電之高的所施加力)之夾持表面收納時，隆脊可(例如彈性地)變形使得隆脊被壓縮且接觸面積增加。接觸面積可在零至一最大值之範圍內，其中該最大值指示隆脊完全變形。

夾持設備可進一步可操作以在夾持操作中配置基板及夾持表面使得第一隆脊及第二隆脊合作以形成柵格。

夾持設備可操作以配置基板及夾持表面使得當在夾持操作中時，第二隆脊相對於第一隆脊以非零角度對準。第一隆脊及第二隆脊合作以形成柵格可在基板與夾持表面之間產生多個離散接觸點。多個離散接觸點可減小基板與夾持表面之間的接觸面積。

第一隆脊與第二隆脊可為大體上垂直的。垂直應被理解為：第一及第二隆脊在同一平面(亦即基板之平面)內狹長但在彼平面內大體上垂直地對準。以此方式使該等隆脊對準會提供大體上正方形柵格形狀。有益地，以此方式使該等隆脊對準會最小化夾持表面與基板之間的接觸面積。

處理站可進一步包含用以自基板移除粒子之清潔設備。

清潔設備可操作以清潔基板。清潔設備可操作以自基板移除粒子。亦即，處理站可操作以應用調整，其中該調整包含自基板移除粒子。

有益地，清潔基板可減少夾持表面及基板之磨損。有益地，清潔基板可減低在夾持操作期間基板之變形。清潔設備可包含超音波射流清潔器、CO₂ 乾冰清潔器或靜電刷洗清潔器。可有益的是移除大粒子(例如1微米及更大)以便減少局部變形。可有益的是保留較小粒子(例如小於1微米)。保留較小粒子例如針對潤滑性及/或疏水性可為有益的。

處理站可進一步包含除濕器。

除濕器可操作以減少基板及/或基板附近之濕度。有益地，減少基板之濕度可減少夾持表面之磨損。減少濕度可減少在夾持表面與基板之間的界面處發生氧化反應之發生率。

除濕器可包含例如紅外加熱器、紫外線輻射源、主動熱調節系統、電漿曝光系統或任何其他合適設備。

處理站可進一步包含用以將膜施加至基板之設備。

一膜可作為基板與夾持表面之間的中間層與夾持表面接觸。該膜之硬度可低於夾持表面及基板之硬度。有益地，該膜可減少夾持表面之磨損。有益地，該膜可減少基板之磨損。有益地，該膜可在壓力下磨損或變形。該膜可經選擇為以致於在壓力下不產生鬆散的碎屑。該膜可包含金屬氧化物。可使用單個膜或(具有可相當或不同硬度之)多層膜。

膜可增加夾持表面與基板之間的潤滑性。膜可包含分子物質(例如烷烴及/或酒精、矽烷、六甲基二矽氮烷(HDMS))或箔片。膜可包含碳，例如薄(幾奈米)碳隔膜或碳奈米管隔膜。

膜可減小或增加表面之粗糙度。舉例而言，可施加平滑膜以減小表面之粗糙度。

膜可改變基板之表面化學反應。膜可終止表面上之鬆散結合。膜可包含分子之表面層。可施加分子之表面層。有益地，終止表面上之鬆散結合可減小夾持表面與基板之間的黏著力。分子之表面層可包含例如氫或氟。

膜可減少在夾持操作或一般而言設備維護期間至基板之表面的材料轉移。膜可包含分子之表面層。表面層可被吸附至表面。可選擇表面層以具有足夠蒸氣壓使得其在真空下不會離開表面，例如長鏈烴或黏著基團烴。表面層可包含例如水、烴、HDMS、酒精或油。

膜可增加基板之疏水性。舉例而言，膜可包含分子之表面層，例如烷烴、醇、長鏈碳分子、疏水性矽烷、自組裝單層，例如HDMS。亦可使用電漿曝光來調整疏水性。舉例而言，藉由改變在電漿曝光期間所使用之氣體類型(例如四氟化碳(CF₄ )、四氟化矽(SiF₄ ))，可改變基板之疏水性。

處理站可進一步包含充電設備。

充電設備可為可操作以將電荷施加至基板之任何設備。有益地，將電荷施加至基板可減少夾持表面之磨損。施加電荷可減少在夾持表面與基板之間的界面處發生氧化反應之發生率。電荷可為正或負或零。所施加電荷可減少基板上之淨電荷。充電設備可包含例如離子槍、電子槍、離化器及/或偏置對立電極及/或任何其他合適設備。

根據一第二態樣，提供一種用於最佳化一基板與一夾持表面之間的一夾持操作之至少一個界面特性之方法，該方法包含：取決於界定該夾持表面之屬性之一夾持表面參數及界定該基板之一第二屬性之一基板表面參數來調整該基板之一第一屬性。該夾持表面之該屬性可已經選擇為展現低磨損。

該夾持操作係由該至少一個界面特性至少部分地界定。

最佳化界面特性的先前嘗試已在很大程度上聚焦於控制例如夾持表面參數，此係因為使用者具有關於其對用於夾持操作中之基板之選擇之相對自由的選擇。替代地已認識到，藉由對基板應用調整，與藉由僅考慮夾持表面相比可更有效地最佳化界面特性。

基板可為倍縮光罩、光罩或晶圓，例如與微影曝光相關聯之倍縮光罩或晶圓，或微影設備內之任何其他基板。可基於基板表面參數而判定調整。判定基板表面參數可包含例如使用度量衡設備量測基板之屬性。

夾持表面參數可包含選自由以下各者組成之群組之至少一個夾持表面參數：硬度、剛度、粗糙度、幾何形狀、功函數、化學表面狀態、表面能、表面電荷、濕度、疏水性、表面粒子密度及潤滑性。

夾持表面參數可被認為係與夾持表面相關聯之一組摩擦參數。夾持表面參數可例如數值上界定夾持表面之屬性。

基板可由一組對應基板表面參數界定。基板表面參數可例如數值上界定基板之屬性。

夾持表面與基板之間的界面特性可由夾持表面參數與對應基板表面參數之間的關係界定。

可取決於至少部分地界定夾持操作之至少一個夾持參數來調整基板之第一屬性。

不同夾持操作可具有不同夾持參數，例如有益地，其可具有不同速度。藉由鑒於夾持參數應用調整，可進一步最佳化夾持操作。

該調整可包含以下各操作中之至少一者：在該基板上形成一隆脊陣列；自該基板移除粒子；將一表面紋理施加至該基板；將一軟膜施加至該基板；將一電荷施加至該基板；及減少該基板之濕度。

隆脊可在基板之平面內係狹長的。隆脊可平行。隆脊可形成陣列。有益地，包含該等隆脊之基板可減小基板之有效表面積。減小之有效表面積可減小夾持表面與基板之間的黏著力。

隆脊可包含基板之表面上之波狀圖案。在經調整之後，基板可包含形成基板之總體全局幾何形狀之基底，及與該基底鄰近之經圖案化結構，其中當由夾持表面收納時，該經圖案化結構在該夾持表面近端。

有益地，基板可經配置成使得當由具有第一隆脊陣列之夾持表面收納時，第二隆脊與第一隆脊大體上垂直地對準。第一隆脊與第二隆脊之正交表面幾何形狀可在基板與夾持表面之間產生多個離散接觸點。多個離散接觸點可減小基板與夾持表面之間的接觸面積。

有益地，清潔基板可減少夾持表面及基板之磨損。有益地，清潔基板可減低在夾持操作期間基板之變形。清潔設備可包含超音波射流清潔器、CO₂ 乾冰清潔器或靜電刷洗清潔器。可有益的是移除大粒子(例如1微米及更大)以便減少局部變形。可有益的是保留較小粒子(例如小於1微米)。保留較小粒子例如針對潤滑性、疏水性可為有益的。

將表面紋理施加至基板可提供高的局部粗糙度。有益地，高的局部粗糙度可表示比夾持表面之粗糙度更高的局部粗糙度，藉此減少夾持表面之磨損。高的局部粗糙度可增加夾持表面與基板之間的黏著力，藉此增加夾持強度。局部粗糙度可例如大於3 nm RMS。局部粗糙度可為例如5 nm RMS。

可依據振幅(與平均輪廓之偏差，例如以RMS量測)及頻率(與每一偏差之大小相關，例如以反向距離量測)來量測粗糙度。每一偏差可被認為係粗糙度特徵。大於大致10^- ⁷ m^- ¹ 之平均頻率可為有益的。大於大致10^- ⁷ m^- ¹ 之平均頻率可允許橫越表面之相似夾持行為。大於大致10^- ⁷ m^- ¹ 之平均頻率可產生較高局部摩擦力。大於大致10^- ⁷ m^- ¹ 之平均頻率可減小基板之變形。

頻率可為均一的(亦即每一粗糙度特徵具有一相似頻率)或不規則的(亦即鄰近粗糙度特徵可具有不同頻率)。均一頻率及不規則頻率兩者可具有相同的平均頻率。均一頻率可導致較高變形及/或較高磨損。均一頻率對於低壓裝載可為有益的。不規則頻率可導致較低變形及/或減少之磨損。不規則頻率與均一頻率之間的折衷可為期望的。

有益地，將電荷施加至基板可減少夾持表面之磨損。施加電荷可減少在夾持表面與基板之間的界面處發生氧化反應之發生率。電荷可為正或負或零。所施加電荷可減少基板上之淨電荷。可藉由離子化移除電荷。可使用離子槍、電子槍、離化器及/或偏置對立電極及/或任何其他合適方法來施加電荷。

有益地，減少基板之濕度可減少夾持表面之磨損。減少濕度可減少在夾持表面與基板之間的界面處發生氧化反應之發生率。可藉由例如紅外加熱、紫外線輻照、主動熱調節(例如在低於所要操作溫度下將基板引入至系統且接著將基板帶至正確且均一之操作溫度)及/或電漿曝光或任何其他合適方法來移除濕度。

該方法可進一步包含：接收該夾持表面參數；接收該基板表面參數；及鑒於該夾持表面參數及該基板表面參數判定該調整。

根據本發明之一第三態樣，提供一種電腦可讀媒體，其包含在由一電腦執行時致使一基板處理設備執行以上方法中之任一者的指令。

在本發明之文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如具有為365 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)及極紫外輻射(EUV，例如具有在約5 nm至100 nm之範圍內之波長)。

本文中所使用之術語「倍縮光罩」、「光罩」或「圖案化裝置」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化裝置，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案。在此內容背景中，亦可使用術語「光閥」。除經典光罩(透射或反射、二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化裝置之實例包括可程式化鏡面陣列及可程式化LCD陣列。

圖1示意性地描繪微影設備LA。該微影設備LA包括：照明系統(亦被稱作照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；光罩支撐件(例如光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如光罩) MA且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化裝置MA之第一定位器PM；基板支撐件(例如晶圓台) WT，其經建構以支撐基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板支撐件之第二定位器PW；及投影系統(例如折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如包含一或多個晶粒)上。

為闡明本發明，使用笛卡爾(Cartesian)座標系。笛卡爾座標系具有三個軸，亦即，x軸、y軸及z軸。三個軸中之每一者與其他兩個軸正交。x軸及y軸界定水平平面，而z軸在豎直方向上。笛卡爾座標系不限制本發明，而僅用於說明。實情為，另一座標系，諸如圓柱形座標系可用以闡明本發明。笛卡爾座標系之定向可不同，例如，使得z軸具有沿著水平平面之分量。

在操作中，照明系統IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束。照明系統IL可包括用於導向、塑形及/或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件，或其任何組合。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在圖案化裝置MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。

本文所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」PS同義。

微影設備LA可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統PS與基板W之間的空間-此亦被稱作浸潤微影。以引用方式併入本文中之US6952253中給出關於浸潤技術之更多資訊。

微影設備LA亦可屬於具有兩個或多於兩個基板支撐件WT (亦稱為「雙載物台」)之類型。在此「多載物台」機器中，可並行地使用基板支撐件WT，及/或可對位於基板支撐件WT中之一者上的基板W進行準備基板W之後續曝光的步驟，同時將另一基板支撐件WT上之另一基板W用於在該另一基板W上曝光圖案。

除了基板支撐件WT以外，微影設備LA亦可包含量測載物台。量測載物台經配置以固持感測器及/或清潔裝置。感測器可經配置以量測投影系統PS之屬性或輻射光束B之屬性。量測載物台可固持多個感測器。清潔裝置可經配置以清潔微影設備之部分，例如投影系統PS之部分或提供浸潤液體之系統之部分。量測載物台可在基板支撐件WT遠離投影系統PS時在投影系統PS下方移動。

微影設備LA亦可包含可操作以對基板W或光罩MA應用調整之處理站P。該調整可改變基板W或光罩MA之一或多個屬性，例如表面屬性，例如表面電荷或潤滑。該調整可在微影程序或微影程序之一部分之前最佳化基板W或光罩MA。

在操作中，輻射光束B入射於圖案化裝置(例如被支撐於光罩支撐件MT上之光罩MA)上，且係由存在於圖案化裝置MA上之圖案(設計佈局)而圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置量測系統IF，可準確地移動基板支撐件WT，例如以便使不同目標部分C在輻射光束B之路徑中定位於經聚焦且對準之位置處。相似地，第一定位器PM及可能另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中。當基板對準標記P1、P2位於目標部分C之間時，此等基板對準標記P1、P2被稱為切割道對準標記。

光罩MA可藉由夾持固持於光罩支撐件MT上。基板W可藉由夾持固持於基板支撐件WT上。可使用任何合適類型之夾持，例如靜電夾持或真空夾持。可藉由夾持設備致動夾持。夾持可被稱作夾持操作。

可至少部分地藉由一或多個夾持參數界定夾持操作。舉例而言，夾持參數可為與夾持操作相關聯之速度、力或加速度。

在以下之一些實施例中，可關於將基板W夾持至基板支撐件WT來論述夾持。在以下之一些實施例中，可關於將光罩MA夾持至光罩支撐件MT來論述夾持。應理解，本文中所描述之設備及程序亦應用至將任何物品夾持至微影設備或相似設備之一部分。

將一物品夾持至另一物品之程序可被稱作夾持操作。微影設備LA之處理站P可用以對基板W或光罩MA (或對待夾持之另一物品)應用調整以啟用或改良夾持操作。處理站P可視情況包含一或多個定位系統(例如包含可操作以將基板W或光罩MA移至或移向作用區域之定位器，且視情況包含用以監測基板W或光罩MA之部位之位置監測系統)。處理站P可包含一或多個處理機構/設備(例如清潔設備、加熱器、離化器等)且視情況包含一或多個度量衡及/或量測系統。下文更詳細地描述實例處理機構/設備。

夾持可被認為包含將物品固定於適當位置。舉例而言，可藉由夾持將光罩MA相對於光罩支撐件MT固定於適當位置。亦即，在給出圖1中之笛卡爾座標系的情況下，光罩支撐件MT可在z方向上支撐光罩MA，而夾持可相對於光罩支撐件MT在x方向及y方向上固定光罩MA。在其他系統組態中，夾持亦可在z方向上固定光罩MA。應注意，當光罩M被夾持至光罩支撐件MT時，可藉由移動光罩支撐件MT之至少一部分而在x方向、y方向及z方向內移動該光罩。

圖2展示微影設備之一部分之示意性實例，其中光罩MA待被夾持至光罩支撐件MT。在操作中，力(例如靜電或真空)可致使光罩MA及光罩支撐件MT接觸。可操作以在夾持操作期間接觸光罩MA之一部分的光罩支撐件MT之部分可被稱作夾持表面20。應注意，雖然圖2中夾持表面20及光罩支撐件MT係整體的，但其可替代地為單獨元件。可操作以接觸光罩支撐件MT之一部分的光罩MA之部分可被稱作近端表面22，亦即，其為光罩MA在夾持表面20近端的表面。近端表面22可被稱作基板表面。

在夾持操作期間，在夾持表面20與近端表面22之間存在相互作用。該相互作用可被稱作界面相互作用或表面相互作用。該相互作用可至少部分地藉由一或多個界面特性界定。界面特性可取決於夾持表面20及近端表面22之屬性，如下文更詳細地描述。可由使用者根據需要最佳化界面特性，如下文更詳細地進一步描述。可最佳化單個界面特性或可最佳化多個界面特性。

夾持表面20可為扁平的，或替代地其可包含額外結構，例如如圖2中所描繪之突起部24。可提供突起部24以在某些夾持條件(例如相對較弱夾持)下減小夾持表面20與近端表面20之間的接觸面積。突起部24可為任何形狀，例如但不限於圓頂形、波形狀或方錐形。突起部24亦可被稱作瘤節或銷釘。

夾持表面20可被認為具有基底部分及經圖案化部分或經圖案化結構。該基底部分界定夾持表面20之通用全局幾何形狀(其在圖2中係扁平的，但其可採取其他形式，諸如波狀)。經圖案化部分界定基底部分上之較小尺度特徵或較小尺度幾何形狀(諸如圖2中之瘤節24)。在圖2中，瘤節24係單獨的但與基底部分相連。然而，應理解，夾持表面20可形成為使得瘤節24與基底部分係整體的，例如藉由產生模製或經蝕刻表面。

在夾持操作中可存在多個階段。圖3描繪夾持操作30，其包含裝載操作32、掃描操作34及卸載操作36。光罩MA可經歷裝載操作32，其中例如藉由施加力使得光罩MA黏著至夾持表面20而將光罩MA裝載至夾持表面20上。光罩MA可接著經歷掃描操作34，例如藉由移動光罩支撐件MT使得光罩MA被移動。掃描操作可為與如上文及參看圖1所描述之微影曝光組合之微影掃描操作。掃描操作可包含例如在x方向及y方向上之加速及減速。光罩MA可接著經歷卸載操作36，其中將光罩MA自夾持表面20釋放。此等階段中之每一者可具有關於夾持表面20與近端表面22之間的界面特性之不同的要求。

界面特性可取決於光罩MA(亦即近端表面22)之屬性及夾持表面20該屬性。該等屬性可被稱作表面屬性或表面特性。該等屬性可由表面參數界定。亦即，每一屬性可由一對應參數界定。該等屬性可表示表面之一組物理屬性，包括但不限於：硬度、剛度、粗糙度、幾何形狀、功函數、化學表面狀態、表面能、表面電荷、濕度、疏水性、表面粒子密度及潤滑性。

界面特性亦可取決於夾持操作之屬性。亦即，夾持操作可由夾持參數至少部分地界定。夾持參數可關於裝載操作(亦即，基板首先接觸夾持表面且被夾持在一起)、掃描加速(亦即，基板回應於夾持表面移動而移動，例如在與微影曝光相關聯之掃描移動中)或卸載操作(亦即，基板自夾持表面被釋放)。

夾持表面20可具有由一或多個夾持表面參數θ界定之一或多個屬性。近端表面22可具有由一或多個基板表面參數Φ界定之一或多個屬性。夾持表面20與近端表面22之間的相互作用(亦即界面特性)至少部分地取決於夾持表面之屬性(及夾持表面參數θ)與基板之屬性(及該基板表面參數Φ)之間的關係。夾持表面20與近端表面22之間的界面特性可由一組摩擦屬性，例如磨損、黏著力及摩擦力來描述。

夾持表面20及近端表面22之此等屬性可以多種方式影響界面特性。可有益的是調整一或多個屬性以變更界面特性。在下文列出表面參數可影響界面特性的一些方式：

硬度 -若兩個表面具有不同硬度，則較硬表面可致使較軟表面隨著在該兩個表面之間重複接觸而磨損及/或平滑。此可減少較軟表面之壽命。在一些狀況下，較軟表面在由較硬表面接觸時產生鬆散的碎屑(亦即，較軟表面之一些小的部分可自該較軟表面被移除)。微影設備中之碎屑可降低微影設備之影像品質，或需要更多的規則維護來清潔設備。可參考硬度標度，例如維氏硬度標度來量測硬度。

剛度 -若在夾持操作中涉及剛性表面，則其在被另一表面接觸時有可能斷裂。可有益的是減小夾持表面之剛度。舉例而言，可參考楊氏模數來量測剛度。

粗糙度 -粗糙度(或表面粗糙度)為表面之小尺度紋理之量度。小尺度可被認為大約數奈米至數微米。粗糙表面可包含表面上之自表面突出的多個小特徵。可依據振幅(亦即粗糙度特徵之豎直偏差)及頻率(與每一粗糙度特徵之大小相關)來量測粗糙度。大的平均振幅可表示高粗糙度。高粗糙度可導致兩個表面之間的摩擦力較高。高粗糙度可導致粗糙表面之磨損較高。粗糙度亦可影響兩個表面之間的接觸面積，亦即，與第二表面接觸之第一表面之面積。減小之接觸面積可導致磨損增加及/或摩擦力減小。應注意，接觸面積可取決於將兩個表面推在一起之外加負荷(例如力)。接觸面積可取決於該等表面中之一者或兩者之變形(參看上文之剛度)。

幾何形狀 -與粗糙度相比，幾何形狀(或表面幾何形狀)可被認為係大尺度屬性。幾何形狀量測表面之較大尺度結構，亦即大約數微米及更大。夾持表面可具有小尺度幾何形狀，例如表面特徵，及較大尺度幾何形狀，例如瘤節24及光罩MA之通用形狀。幾何形狀可影響兩個表面之間的接觸面積，亦即與第二表面接觸之第一表面之面積。減小之接觸面積可導致磨損增加及/或摩擦力減小。應注意，接觸面積可取決於將兩個表面推在一起之外加負荷(例如力)。接觸面積可取決於該等表面中之一者或兩者之變形(參看上文之剛度)。

功函數 -若兩個表面具有不同的功函數，則在該兩個表面之間可存在電荷轉移。可有益的是減少兩個表面之間的功函數之差以便最小化或避免充電。表面電荷可影響表面之磨損。舉例而言，表面電荷可抑制或促進氧化還原反應。諸如此等氧化還原反應之反應可使夾持表面降解且增加夾持表面之磨損。

化學表面狀態或表面能 -化學表面狀態可取決於表面之表面能(或相對應地兩個表面之間的界面能)。表面能可取決於化學相互作用，例如表面處之自由原子鍵(亦即原子上之不飽和價數，亦被稱作懸空鍵或未終止鍵)。表面能可影響兩個表面之間的黏著力。表面之化學組成亦可影響該表面之表面能。

表面電荷 -表面電荷可影響表面之磨損。舉例而言，表面電荷可抑制或促進氧化還原反應。諸如此等氧化還原反應之反應可使表面降解。

濕度 -濕度可影響表面之磨損。舉例而言，濕度可促進氧化還原反應。諸如此等氧化還原反應之反應可使表面降解。

疏水性 -疏水性可減少表面之表面能(或相對應地兩個表面之間的界面能)。表面能可影響兩個表面之間的黏著力。

表面粒子密度 -表面上之大的粒子可在該表面與另一表面相互作用時造成該表面變形。變形可導致光學像差，其可降低成像品質及/或產出率。變形可減少疊對控制。然而，表面粒子亦可藉由減少有效接觸面積而減低兩個表面之間的黏著力。減低兩個表面之間的黏著力可有益於減少摩擦。表面粒子可被認為係污染物。

潤滑性 -潤滑性可減少兩個表面之間的摩擦力。

進一步參看圖3，可有益的是在裝載操作32期間在表面20、22之間具有低摩擦力。在裝載操作期間之低摩擦力可使光罩MA之變形最小化。然而，可有益的是在掃描操作34期間在表面20、22之間具有高摩擦力。在掃描操作34期間，光罩MA被加速且歸因於其速度改變而經受力。為了在光罩MA加速時具有對光罩MA之較大部位控制，可有益的是增加表面20、22之間的相互作用強度，例如藉由在表面20、22之間具有高摩擦力。

界定表面20、22之間的相互作用之所要界面特性在夾持操作30之不同階段之間可不同，從而導致對選擇夾持表面參數θ及基板表面參數Φ之潛在衝突要求。

此外，可有益的是減少夾持表面之磨損。使用者可選擇複數個基板或光罩中之任一者以用於夾持操作。舉例而言，使用者可使用具有不同基板表面參數Φ之基板/光罩。使用者可使用來自多個不同供應商之基板/光罩，其中供應商可能並非微影設備之製造商。結果，最佳化相互作用的先前嘗試已聚焦於控制夾持表面之屬性，尤其選擇適合於與廣泛範圍之基板/光罩一起使用之夾持表面參數。

然而吾人預期，夾持表面20在其壽命期間可在大量夾持循環(可能大約一千萬或更多)中使用。本文中所描述之實例配置提供夾持表面之增加之壽命，藉此減少成本、減少維護頻率且增加微影設備之可靠性。在本文中所描述之一些實例配置中，鑒於可經選擇以改良例如磨損之預定夾持表面參數θ來控制或調整基板之屬性。以此方式，與藉由僅考慮夾持表面參數相比，可更有效地最佳化界面特性。特定言之，可藉由取決於夾持表面參數θ及基板表面參數對基板應用調整來最佳化相互作用。最佳化相互作用可包含最佳化一或多個界面特性。可使用處理站(看見圖1)來應用調整。

如先前所提及，衝突要求可導致顯著的設計折衷。舉例而言，最佳化夾持表面20與近端表面22之間的相互作用的先前嘗試已聚焦於將可能導致磨損增加的摩擦要求優先排序。特定言之，此可導致夾持表面20之磨損增加。

在本文中所論述之實例配置中，夾持表面20經最佳化以實現低磨損(亦即，使得其展現低磨損)。低磨損可包含在夾持操作期間或經由重複夾持操作之損壞、劣化腐蝕及/或破壞減少。

藉由最佳化夾持表面20以實現低磨損，夾持表面20與近端表面22之間的相互作用針對一給定夾持操作可為次佳的(在一些狀況下，該夾持操作可並不可能的)。在本文中所描述之實例配置中，鑒於夾持表面20屬性對近端表面22作出調整，以藉此針對給定夾持操作最佳化夾持表面20與近端表面22之間的相互作用特性。在此情況下可採取相互作用特性之最佳化來表示給定夾持操作之有效性改良。

有益地，可製造或處理夾持表面20以展現低磨損且因此增加其壽命。可製造或處理展現低磨損之夾持表面20以具有對應於低磨損之屬性。對應於低磨損之屬性可由對應於低磨損之夾持表面參數θ界定。舉例而言，夾持表面20可為大體上硬的(例如具有＞20 GPa或＞40 GPa之硬度)、大體上剛性的(例如具有＞200 GPa或＞250 GPa之楊氏模數)、大體上平滑的(例如具有＜3 nm RMS之粗糙度振幅)且具有相對較低表面能(＜25 mJ/m² )。夾持表面20與可被夾持至其之典型本體(例如基板W)相比可被選擇為具有相對較低表面能。

大於20 GPa之硬度可減少夾持表面之磨損。該硬度可替代地大於40 GPa。舉例而言，可使用維氏硬度標度來量測硬度。有益地，大於200 GPa之楊氏模數可減少夾持表面之磨損。楊氏模數可替代地大於250 GPa。舉例而言，氮化硼可具有為48 GPa之硬度及為865 GPa之楊氏模數。硼-碳-氮三元化合物可具有在30 GPa至76 GPa之範圍內之硬度及在200 GPa至700 GPa之範圍內之楊氏模數。金剛石可具有介於70 GPa至150 GPa之間的硬度及為1220 GPa之楊氏模數。此材料清單不應被視為限制性的且可使用任一或多種合適之材料。

替代地，夾持表面20之屬性與近端表面22之屬性相比可提供顯著較低磨損。亦即，夾持表面參數θ界定相對於基板表面參數Φ展現顯著較低磨損之表面。舉例而言，典型基板W可具有大致10 GPa之硬度、大致140 GPa之楊氏模數、大於5 nm RMS之表面粗糙度。典型基板W可具有高達約100 mJ/m² 之表面能。

有益地，藉由提供處理站P及/或藉由對基板W或光罩MA應用調整，可使用低磨損夾持表面20，同時仍允許相對於夾持操作之其他元件最佳化界面特性，例如摩擦力及黏著力。

圖4說明用於判定調整A且對基板W應用調整A的實例方法40。另外或替代地，方法40及調整A可應用至光罩MA或相似者。該方法40包含：判定41基板W之至少一個基板表面參數Φ；接收42該基板表面參數Φ；接收44至少一個夾持表面參數θ；基於該基板表面參數Φ及該夾持表面參數θ判定46調整A；及處理48基板W以調整基板表面參數Φ。

判定41基板W之至少一個基板表面參數Φ可包含例如使用處理設備量測一或多個基板表面參數Φ。處理設備可為度量衡設備。處理設備可形成處理站之部分。在一項實例中，可使用原子力顯微鏡以判定基板W之粗糙度。在另一實例中，可使用維氏硬度測試以判定基板W之硬度。

接收42至少一個基板表面參數Φ及接收44至少一個夾持表面參數θ可包含藉由處理設備之一部分(例如電腦)接收一或多個參數。可例如以與以上所描述之用於判定41基板表面參數Φ之方式相似之方式量測夾持表面參數θ。替代地，可例如由製造商或使用者指定夾持表面參數θ且隨後可將其提供至處理設備。

處理設備接著判定46調整A。該調整A係取決於夾持表面之至少一個屬性及基板之至少一個屬性。依賴於所接收之夾持表面參數θ及基板表面參數Φ來判定該調整。調整A通常可包含對基板之變更以便將初始基板表面參數Φ_i 改變成經調整之基板表面參數Φ_f 。假定初始基板表面參數Φ_i 與夾持表面參數θ之間的關係不同於經調整之基板表面參數Φ_f 與夾持表面參數θ之間的關係，則夾持表面20與近端表面22之間的界面特性將藉由調整A來改變。應瞭解，調整A可採取多種可能形式中的任一者且在下文更詳細地進一步描述多個實例調整A。

可使用處理站判定調整A，該處理站可例如包含電腦。可使用模型判定調整A。模型可使表面相互作用模型化。舉例而言，可使用一模型，藉以一或多個夾持表面參數θ固定且一或多個基板表面參數Φ已改變或擬合。模型可尋求在給出一組預定限定的情況下最佳化相互作用特性。

最後，處理站應用48調整A，亦即，在給出調整A的情況下處理基板W。應用48調整A可包含處理基板W(例如對基板W作出物理或化學改變)以便將基板表面參數自初始基板表面參數Φ_i 改變為經更新基板表面參數Φ_f 。處理站可包含可操作以應用多次調整之多個元件。處理站可包含以下各者中之一或多者：圖案化設備、清潔設備、除濕器、用以施加膜之設備、充電設備或能夠對基板W應用調整之任何其他設備。下文更詳細地描述一些實例處理技術。

應注意，可離線地或在處理站外部執行判定41基板表面參數、接收42基板表面參數、接收44夾持表面參數及/或判定46調整A之步驟。因而，在一些配置中，設備接收經預計算調整且應用調整48，而不運用圖4中所說明之前述步驟。

下文參看特定基板表面參數Φ及夾持表面參數θ來描述特定調整A及處理技術。以下之清單不應被視為限制性的，且可在不偏離申請專利範圍之範疇的情況下作出調整基板之一或多個屬性的其他調整。可使用硬體，例如如參看圖1所描述之處理站P來執行此等處理技術。應理解，不同處理技術並非彼此獨佔式的，且可對同一基板W執行多種不同的處理技術。

硬度 -調整A可減小基板W之硬度。舉例而言，基板W之硬度可減小使得其低於夾持表面20之硬度。有益地，此可減少夾持表面20之磨損。可減小基板之硬度之處理技術之實例為將材料層施加於基板W之表面上，例如施加於近端表面22上。材料層可被稱作膜。該膜之硬度可低於夾持表面20之硬度。可施加單層膜或多層膜。較佳地，該膜經選擇使得其在使用期間並不產生鬆散的粒子碎屑。該膜可為有機材料或氧化物。有益地，此有機材料或氧化物可比夾持表面軟，且不產生鬆散粒子碎屑。

剛度 -調整A可減小基板W之剛度。有益地，基板W之減小之剛度可在基板W與展現低磨損之夾持表面20接觸時減少基板W之損壞。有益地，基板W之減小之剛度可減小基板W斷裂之風險。可減小基板之剛度之處理技術為將合金元素添加至近端表面22。

粗糙度 -調整A可增加基板W之粗糙度振幅。有益地，增加之粗糙度振幅可增加表面20、22之間的摩擦力，此在掃描操作期間可增加夾持強度且因此增加部位準確度。調整A可包含將基板W之粗糙度振幅增加至大於夾持表面20之粗糙度振幅之粗糙度。將粗糙度振幅增加至大於夾持表面20之粗糙度的粗糙度可增加夾持表面之壽命，此係因為較粗糙表面可比較平滑表面經歷更高磨損，亦即，磨損係針對基板W。粗糙度振幅小於3 nm RMS之夾持表面20及粗糙度振幅介於2 nm RMS至5 nm RMS之間(且大於夾持表面20之粗糙度振幅)的近端表面22可為有益的。

調整A可增加基板W上之高頻粗糙度特徵之數目。有益地，高頻粗糙度特徵可減小兩個表面20、22之間的接觸面積。在裝載及卸載操作期間，減小之接觸面積可為有益的，此係因為減小之接觸面積可減少兩個表面之間的摩擦力及/或黏著力。已發現，超過10^- ⁷ m^- ¹ 之高頻特徵可為有益的。

用以調整粗糙度之處理技術可將以某一粗糙度將膜施加至基板W。

用以調整粗糙度之另一處理技術可將使用微影，例如離子束微影，以將紋理施加至基板W。替代地，可使用化學處理以增加基板W之粗糙度。

幾何形狀 -調整A可變更基板W之幾何形狀。變更基板W之幾何形狀可減小基板W與夾持表面20之間的接觸面積。

在一實例中，調整A可將波狀結構施加至近端表面22，如圖5中所說明。該結構包含自近端表面22垂直延伸之一系列隆脊50。在此情況下，該等隆脊50係線性及平行的。隆脊50可具有大約數奈米之深度52 (垂直於近端表面所量測)。鄰近隆脊50之間的距離54可為大約數微米。將隆脊施加至近端表面22可在近端表面22與夾持表面20之間形成有限數目個接觸區，從而在該兩個表面20、22之間提供有限的接觸面積。

夾持表面20可具備對應波狀結構，其中夾持表面隆脊相似於近端表面隆脊50。可收納近端表面22使得夾持表面隆脊以與近端表面隆脊50成非零角度而定向。在此定向中，隆脊形成柵格。在此定向中，在兩個表面20、22之間提供有限數目個接觸點，從而在該兩個表面之間提供進一步有限的接觸面積。隆脊可經配置成使得近端表面隆脊50大體上垂直於夾持表面隆脊。在此定向中，柵格以大體上正方形柵格形式形成接觸點陣列。

隆脊50可為可變形的使得當應用裝載時，其壓縮。壓縮隆脊50可因此增加兩個表面20、22之間的接觸面積。以此方式，在夾持操作期間可控制接觸面積之範圍以控制表面20、22之間的摩擦量。舉例而言，可藉由施加較大夾持力來達成接觸面積之增加及摩擦力之對應增加。

在一替代實例中，可收納近端表面使得夾持表面隆脊平行於近端表面隆脊50而定向。在此定向中，隆脊可相互交錯。相互交錯隆脊可提供兩個表面之間的增加之接觸面積。相互交錯隆脊可增加兩個表面20、22之間的界面強度。相互交錯隆脊可增加兩個表面20、22之間的黏著力。

可使用可操作以致動夾持操作之夾持設備來變更夾持表面20及近端表面22之定向。

應理解，隆脊可為除了所描繪形狀之外的另一形狀，例如具有三角形或盒狀橫截面。

用以施加隆脊50之實例處理技術係借助於離子束微影。該離子束可以非零及非垂直角被導向至近端表面22以形成波狀結構。用以施加隆脊50之替代實例處理技術係借助於將抗蝕劑施加至基板W且在該抗蝕劑中產生干涉圖案，藉此在蝕刻步驟之後產生所要結構。用以施加隆脊50之另一替代實例處理技術為使用雷射來蝕刻結構。

功函數 -調整A可將變更近端表面22之功函數使得其較接近於夾持表面20之功函數或與夾持表面20之功函數相當。此可減少或避免兩個表面20、22之間的電荷轉移。可應用此調整A之處理技術為使表面氧化或還原。可應用此調整A之另一處理技術為施加具有不同功函數之表面層，例如吸附物層、頂部層或膜。

化學表面狀態或表面能 -調整A可將減少近端表面22之表面能。調整A可將改變近端表面22之表面能使得其較接近於夾持表面20之表面能或與夾持表面20之表面能相當。相似表面能可減小兩個表面20、22之間的黏著力。調整可替代地將增加兩個表面20、22之表面能之差。此調整可增加至夾持表面22之黏著力，且因此增加了夾持強度。

用以應用此調整A之處理技術將為施加分子之表面層。舉例而言，將氟施加至兩個表面20、22或將氫施加至兩個表面20、22可減小兩個表面20、22之間的黏著力。替代地，將氟施加至一個表面(例如夾持表面20)且將氫施加至另一表面(例如近端表面22)可增加兩個表面20、22之間的黏著力。

表面電荷 -調整A可將自近端表面22移除電荷中之至少一些。有益地，移除電荷可減少夾持表面20之磨損。可用以應用此調整A之實例處理技術為使用離化器、離子槍、電子槍或結合偏置對立電極之離化器。

濕度 -調整A可將減少或去除來自近端表面22之濕度。可用以應用此調整A之實例處理技術為使用紅外線加熱、紫外線輻射或電漿曝光。可組合使用該等處理技術。該等處理技術可與基板W之主動熱調節組合使用，藉以基板W在低於所要操作溫度之溫度下被引入至微影設備中，且接著達到正確且均一之操作溫度。處理站可包含除濕器。

疏水性 -調整A可將增加近端表面22之疏水性。可用以應用此調整A之實例處理技術係使用電漿曝光(例如四氟化碳(CF₄ )、四氟化矽(SiF₄ ))、曝光至烷烴及/或醇(視情況具有長碳鏈分子，其可為有益的，此係因為長碳鏈分子在真空中穩定)、曝光至疏水性矽烷，或添加自組裝單層(例如六甲基二矽氮烷(HMDS))。

表面粒子密度 -調整A可將減少近端表面22上之大粒子(例如＞1微米)之數目。移除大粒子可有益於在基板W與夾持表面20接觸時減小基板W之變形。用以應用此調整之實例處理技術為超音波射流清潔、二氧化碳乾冰清潔、非接觸式靜電移除或靜電刷洗。可有益的是移除大粒子中的至少一些，但並不移除較小粒子(例如因為較小粒子可形成潤滑層及/或形成障壁以抑制在兩個表面20、22之間強鍵形成，此可藉此增加黏著力及/或磨損)。可最佳化處理技術以優先移除近端表面22上之大粒子且保留小粒子。可用以優先移除大粒子且保留小粒子之方法係使用二氧化碳乾冰清潔及選擇適當大小之乾冰粒。

潤滑性 -調整A可將增加近端表面22與夾持表面20之間的潤滑性。此可隨後減小表面20、22之間的摩擦。用以應用此調整A之處理技術可將材料層施加於近端表面22上。舉例而言，可施加如此薄膜。可施加多個層或單層。該層可包含例如至烷烴及/或醇(視情況具有長碳鏈分子，其可為有益的，此係因為長碳鏈分子在真空中穩定)、疏水性矽烷、單層(例如六甲基二矽氮烷(HDMS))、碳隔膜或碳奈米管隔膜。

亦可取決於至少一個夾持參數以及至少一個基板表面參數及至少一個夾持表面參數來判定調整A。舉例而言，可鑒於施加之夾持力或掃描速度來判定調整A。

儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影設備之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。

儘管可在本文中特定地參考在微影設備之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備中。本發明之實施例可形成光罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化裝置)之物件之任何設備之部分。此等設備通常可被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。

儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，在內容背景允許之情況下，本發明不限於光學微影且可用於其他應用(例如壓印微影)中。

在內容背景允許之情況下，可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如計算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包含唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電形式、光形式、聲形式或其他形式之傳播信號(例如載波、紅外線信號、數位信號等)，及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅係出於方便起見，且此等動作事實上起因於計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等且在執行此操作時可使致動器或其他裝置與實體世界相互作用之其他裝置。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

20:夾持表面 22:近端表面 24:突起部/瘤節 30:夾持操作 32:裝載操作 34:掃描操作 36:卸載操作 40:方法 41:判定 42:接收 44:接收 46:判定 48:處理/應用調整 50:近端表面隆脊 52:深度 54:距離 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 C:目標部分 IL:照明系統/照明器 LA:微影設備 M₁ :光罩對準標記 M₂ :光罩對準標記 MA:圖案化裝置/光罩 MT:光罩支撐件 P:處理站 PM:第一定位器 PS:投影系統 PW:第二定位器 SO:輻射源 W:基板 WT:基板支撐件

現在將僅作為實例參看隨附示意性圖式來描述本發明之實施例，在該等圖式中： - 圖1示意性地描繪包含微影設備及輻射源之微影系統； - 圖2示意性地描繪光罩及光罩支撐件； - 圖3說明實例夾持操作之程序； - 圖4說明用以對基板應用調整之實例方法的程序； - 圖5示意性地描繪在調整之後之基板。

22:近端表面

50:近端表面隆脊

52:深度

54:距離

W:基板

Claims

一種微影設備，其包含：一夾持表面，其用於支撐一基板，其中該夾持表面之一屬性係由至少一個夾持表面參數界定，且其中該夾持表面之該屬性已經選擇為展現低磨損；一夾持設備，其用於在該夾持表面與該基板之間致動一夾持操作，其中該夾持操作係藉由該夾持表面與該基板之間的至少一個界面特性而至少部分地界定；及一處理站，其可操作以取決於該夾持表面參數及界定該基板之一第二屬性之至少一個基板表面參數對該基板之一第一屬性應用一調整，以最佳化一特定夾持操作之至少一個界面特性。
如請求項1之微影設備，其進一步包含一處理設備，該處理設備經配置以判定界定該基板之該第二屬性之該基板表面參數。
如請求項1或2之微影設備，其中該第一及/或第二屬性係選自由以下各者組成之群組：硬度、剛度、粗糙度、幾何形狀、功函數、化學表面狀態、表面能、表面電荷、濕度、疏水性、表面粒子密度及潤滑性。
如請求項1或2之微影設備，其中該調整係進一步基於至少部分地界定該夾持操作之至少一個夾持參數。
如請求項1或2之微影設備，其中該夾持表面之該屬性包含以下各者中之至少一者：大於20 GPa之一硬度、大於200 GPa之一剛度、小於3 nm RMS之一表面粗糙度、低於25mJ/m² 之一表面能。
如請求項1或2之微影設備，其中該夾持表面包含一第一隆脊陣列。
如請求項1或2之微影設備，其中該處理站進一步包含一圖案化設備。
如請求項7之微影設備，其中該處理站可操作以在該基板上形成一第二隆脊陣列。
如請求項8之微影設備，其中該夾持設備可進一步操作以在一夾持操作中配置該基板及該夾持表面使得該第一隆脊及該第二隆脊合作以形成一柵格。
如請求項9之微影設備，其中該第一隆脊及該第二隆脊係大體上垂直的。
如請求項1或2之微影設備，其中該處理站進一步包含用以自該基板移除粒子之一清潔設備。
如請求項1或2之微影設備，其中該處理站進一步包含一除濕器。
如請求項1或2之微影設備，其中該處理站進一步包含用以將一膜施加至該基板之一設備。
如請求項1或2之微影設備，其中該處理站進一步包含一充電設備。
一種用於最佳化一基板與一夾持表面之間的一夾持操作之至少一個界面特性之方法，其中該夾持表面之一屬性已經選擇為展現低磨損，該方法包含：取決於界定該夾持表面之該屬性之一夾持表面參數及界定該基板之一第二屬性之一基板表面參數來調整該基板之一第一屬性。
如請求項15之方法，其中該夾持表面參數包含選自由以下各者組成之群組之至少一個夾持表面參數：硬度、剛度、粗糙度、幾何形狀、功函數、化學表面狀態、表面能、表面電荷、濕度、疏水性、表面粒子密度及潤滑性。
如請求項15或16之方法，其中該第一及/或第二屬性係選自由以下各者組成之群組：硬度、剛度、粗糙度、幾何形狀、功函數、化學表面狀態、表面能、表面電荷、濕度、疏水性、表面粒子密度及潤滑性。
如請求項15或16之方法，其中取決於至少部分地界定該夾持操作之至少一個夾持參數來調整該基板之該第一屬性。
如請求項15或16之方法，其中該調整包含以下各操作中之至少一者：在該基板上形成一隆脊陣列；自該基板移除粒子；將一表面紋理施加至該基板；將一軟膜施加至該基板；將一電荷施加至該基板；及減少該基板之濕度。
如請求項15或16之方法，其進一步包含：接收該夾持表面參數；接收該基板表面參數；及鑒於該夾持表面參數及該基板表面參數判定該調整。
一種電腦可讀媒體，其包含在由一電腦執行時致使一基板處理設備執行如請求項15至20中任一項之方法的指令。