TW202107647A - 封裝元件 - Google Patents
封裝元件 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202107647A TW202107647A TW108128158A TW108128158A TW202107647A TW 202107647 A TW202107647 A TW 202107647A TW 108128158 A TW108128158 A TW 108128158A TW 108128158 A TW108128158 A TW 108128158A TW 202107647 A TW202107647 A TW 202107647A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- filter structure
- sensing
- layer
- working
- Prior art date
Links
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 89
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 11
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 9
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 7
- 239000012812 sealant material Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/006—Anti-reflective coatings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/0271—Housings; Attachments or accessories for photometers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
- G01J5/041—Mountings in enclosures or in a particular environment
- G01J5/045—Sealings; Vacuum enclosures; Encapsulated packages; Wafer bonding structures; Getter arrangements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
- G01J5/048—Protective parts
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0801—Means for wavelength selection or discrimination
- G01J5/0802—Optical filters
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
- B29C2035/0827—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J2001/0276—Protection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Oral & Maxillofacial Surgery (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
Abstract
一種封裝元件包含一基底層、一感測層、一光固化膠、一封蓋層以及一第一濾光結構。光固化膠、感測層設於基底層上。感測層包含被光固化膠環繞之一感測單元。封蓋層設於感測層上。第一濾光結構面對光固化膠而設於封蓋層。第一濾光結構用於使對應於光固化膠之一工作光穿透,並反射對應於感測單元之一感測光,其中工作光之光波長與感測光之光波長相異。
Description
本發明是有關一種封裝元件,特別是一種適用光固化膠封裝的封裝元件。
電子封裝元件可採用紫外光固化環氧樹酯(UV curing epoxy)作為密封膠材,經紫外光照射密封膠材後,使密封膠材固化以與基板形成具有容置空間的封裝腔體,這是由於所需製程溫度較低且固化時間較短,可廣泛用於密閉腔體封裝製程。
然而封裝腔體內所配置的例如光電二極體等感光單元需要防止暴露於紫外光,以防止光電二極體裂化、故障。因此,在封裝元件表面需要配置具有抗紫外光特性之濾光層,但濾光層將導致紫外線透過率降低,反而使紫外光固化環氧樹脂無法完全固化,最終將導致電子封裝元件失效。
本發明之部分實施例提供一種封裝元件,其主要是利用一濾光結構對應於密封膠材的位置而設置於封蓋層表面,使適於固化密封膠材之工作光可穿透周緣的濾光結構而照射密封膠材,同時反射自周緣入射的可見光,從而降低中央處的感光單元照射到的反射光線強度,減輕眩光現象。
本發明一實施例之封裝元件包含一基底層、一感測層、一光固化膠、一封蓋層以及一第一濾光結構。感測層、光固化膠設於基底層上。感測層包含被光固化膠環繞之一感測單元。封蓋層設於感測層上。第一濾光結構面對光固化膠而設於封蓋層表面。第一濾光結構用於供對應於光固化膠之一工作光穿透,並反射對應於感測單元之一感測光,其中工作光之光波長與感測光之光波長相異。
以下藉由具體實施例配合所附的圖式詳加說明,當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。
以下將詳述本發明之各實施例,並配合圖式作為例示。在說明書的描述中,為了使讀者對本發明有較完整的瞭解,提供了許多特定細節;然而,本發明可能在省略部分或全部特定細節的前提下仍可實施。圖式中相同或類似之元件將以相同或類似符號來表示。特別注意的是,圖式僅為示意之用,並非代表元件實際之尺寸或數量,有些細節可能未完全繪出,以求圖式之簡潔。
請參照圖1,本發明之一實施例之封裝元件包含一基底層1、一感測層2、一光固化膠21、一封蓋層3以及一第一濾光結構41。基底層1可為積體電路(IC)基板、矽基板、PCB基板或電性適當之載板,例如但不限於:陶瓷、高分子聚合物、半導體或金屬等材質之基板。感測層2包含一感測單元22,其中光固化膠21、感測單元22設於基底層1上,且光固化膠21環繞感測單元22而設於基底層1上,舉例而言:透過封裝的固晶製程(Die bonding)將感測單元22固著於基底層1上之中央處,再透過點膠製程或塗佈製程將光固化膠21設於基底層1上且與環繞感測單元22相距適當距離之周緣位置。
於一實施例中,感測單元22可為但不限於光電感測器或熱型感測器,例如:光電感測器可為互補式金屬氧化物半導體(CMOS)、光電二極體(photo diode)或感光耦合元件(CCD),熱型感測器可再細分為熱敏阻型 (bolometer)、熱電堆(thermopile)、以及焦電元(pyroelectric detector),但不以上述為限。
封蓋層3設於感測層2上。封蓋層3透過光固化膠21密接於基底層1,從而形成封裝腔體,藉此容置感測單元22。於一實施例中,封蓋層3為玻璃基板或具有透光材質之基板,如圖1所示,封蓋層3具有接收工作光L1及感測光L2之一入光面以及朝向基底層1之一出光面,其中入光面與出光面係相對配置可選擇性供光線通過或反射。舉例而言:紫外光(即工作光L1)以及可見光(即感測光L2),對於未做任何表面塗佈或鍍膜處理的封蓋層3,均可自封蓋層3之入光面穿透並由出光面離開,以照射感測層2的感測單元22,其中紫外光(即工作光L1)之光波長與可見光(即感測光L2)之光波長相異。然而,發明人認識到,感測單元22受紫外光(即工作光L1)照射容易產生裂化或失效(failure),致減損工作壽命,因此提出如下部分實施例之改良結構。
請一併參照圖1及圖2,於本實施例中,第一濾光結構41對應於光固化膠21而設於封蓋層3之入光面。舉例而言,第一濾光結構41可透過例如但不限於蒸鍍製程,形成環狀的鍍膜層於封蓋層3之入光面周緣,但不以此為限。易言之,第一濾光結構41設於封蓋層3之周緣,光固化膠21設於基底層1之周緣,且第一濾光結構41之正投影與光固化膠21之正投影位置相互重疊或至少部分重疊,藉此,第一濾光結構41可允許工作光L1通過封蓋層3大致上正向地照射光固化膠21,例如:紫外光(即工作光L1)穿透第一濾光結構41及封蓋層3之入光面,並自封蓋層3之出光面射出至紫外光固化環氧樹酯,使其固化以密接封蓋層3及基底層1,以形成穩固的封裝腔體,降低日後裂開或損壞的可能性。
具體而言,第一濾光結構41可供工作光L1穿透,讓用於光固化膠21之工作光L1可大致上正向地通過周緣的第一濾光結構41並照射光固化膠21,其中工作光L1之光波長(或光頻率)對應於光固化膠21之操作範圍(process window),亦即光固化膠21受工作光L1照射後即開始固化,由流體態逐漸轉為固態,當光固化膠21經充分照射後即完全固化,藉以穩固連接基底層1及封蓋層3,而形成密閉的封裝腔體,如所前述。於一實施例中,光固化膠21為一紫外光固化膠,對應地,工作光L1的光波長位於紫外光(UV light)波段。請參照圖2,於本實施例中,位於紫外光波段的工作光L1對於第一濾光結構41之穿透率高於90% (參圖2所示上方細線),因此,工作光L1通過第一濾光結構41並照射光固化膠21,足使光固化膠21穩固接著於基底層1及封蓋層3之間,並形成穩固的封裝腔體,以保護其內感測單元22之物理結構。
同時,位於封蓋層3之第一濾光結構41可反射來自周緣的感測光L2,並阻擋或減少周緣感測光L2以斜向角度照射位於中央處之感測單元22,進而減輕眩光現象。於本實施例中,第一濾光結構41可反射一感測光L2,感測光L2之光波長(或光頻率)對應於感測單元22之操作範圍(process window),舉例而言:感測光L2的光波長位於可見光(visible light)波段,且感測單元22為感光耦合元件,其用於擷取位於封裝元件外部之影像。於一實施例中,感光耦合元件受可見光照射後即產生電訊號,藉此感測影像,但不以此限。請參照圖2,於本實施例中,位於可見光波段的感測光L2對於第一濾光結構41之反射率高於90% (參圖2所示下方粗線),因此,感測光L2將無法或僅微量通過第一濾光結構41以避免斜向照射感測單元22,可減少或消除眩光。
依據上述結構,在封蓋層3的適當位置設置第一濾光結構41,所謂適當位置是指使第一濾光結構41與光固化膠21二者的正投影位置大致上或至少部分重疊,可供工作光L1穿透封蓋層3以使光固化膠21充分地固化,避免因固化品質不佳而導致裂開或壽命降低。同時,第一濾光結構41反射感測光L2,以避免或減少感測光L2以斜向角度照射到位於中央處之感測單元22,以避免或減輕感測單元22之眩光問題。
以下例示說明相關之衍生實施例。請參照圖3,於本實施例中,第一濾光結構41對應於光固化膠21而設於封蓋層3之出光面,亦即,第一濾光結構41夾設於封蓋層3與基底層1之間。舉例而言,第一濾光結構41可透過例如但不限於蒸鍍製程,形成環狀的鍍膜層於封蓋層3之出光面周緣,但不以此為限。易言之,第一濾光結構41設於封蓋層3之周緣,光固化膠21設於基底層1之周緣,且第一濾光結構41之正投影位置與光固化膠21之正投影位置大致上或至少部分重疊,藉此,第一濾光結構41可允許工作光L1通過封蓋層3大致上正向地照射光固化膠21,例如:紫外光(即工作光L1)垂直入射封蓋層3未做表面處理之入光面並自具有第一濾光結構41之出光面出射至紫外光固化環氧樹酯,使其固化以連接封蓋層3及基底層1,以形成穩固的封裝腔體,降低日後裂開或損壞的可能性。其中第一濾光結構41對於工作光L1及感測光L2之相關光學特性、功效及優點已如前述,於此不再贅述。
請參照圖4,於本發明一實施例之封裝元件包含一基底層1、一感測層2、一光固化膠21、一封蓋層3、一第一濾光結構41以及一第二濾光結構42。其中,基底層1、感測層2、光固化膠21、封蓋層3以及第一濾光結構41等各構件之結構特徵、彼此間連接關係、技術功效、優點及相關實施例已如前述。第二濾光結構42對應於感測單元22而設於封蓋層3表面,第二濾光結構42用於供對應於感測單元22之感測光L2穿透,並反射對應於光固化膠21之工作光L1,詳述如下。
於本實施例中,第二濾光結構42對應於感測單元22而設於封蓋層3之入光面中央處,且第二濾光結構42被第一濾光結構41環繞,因此,第二濾光結構42之正投影不重疊於第一濾光結構41之正投影。舉例而言,第二濾光結構42可透過例如但不限於蒸鍍製程,形成位於感測單元22上方之鍍膜層於封蓋層3之入光面中央處,而第一濾光結構41設於封蓋層3之入光面周緣,但不以此為限。易言之,第二濾光結構42設於封蓋層3之入光面中央處,感測單元22設於光固化膠21所環繞形成之空腔的中央區域,且第二濾光結構42之正投影與感測單元22之正投影位置相互重疊或至少部分重疊,藉此,第二濾光結構42可允許感測光L2通過封蓋層3大致上正向地照射感測單元22,例如:第二濾光結構42為廣波域抗反射鍍膜(BBAR)、近紅外線抗反射塗層(NIR ARC)或帶通濾光片(Band pass filter),可見光(即感測光L2)垂直入射封蓋層3之入光面並自出光面之第二濾光結構42出射,照射感光耦合元件(即感測單元22)以產生電訊號,藉此擷取封裝元件外部之可見光影像或熱影像;同時,與可見光波長相異之紫外光(即工作光L1)經第二濾光結構42反射至封裝元件外部,以避免或減少紫外光入射至封裝元件內部之感光耦合元件,致損害感光耦合元件。
具體而言,感測單元22可為一感光耦合元件,對應地,感測光L2的光波長位於可見光(visible light)波段,不同於工作光L1所對應之紫外光波段。具體而言,設於封蓋層3入光面之第二濾光結構42可供感測光L2穿透,使關聯於外部影像光或熱源之感測光L2可大致上正向地通過封蓋層3入光面中央處的第二濾光結構42並照射感測單元22,其中感測光L2之光波長(或光頻率)對應於感測單元22之操作範圍(process window),亦即感測單元22接受感測光L2照射後將產生電訊號,以擷取外部的感測影像,例如但不限於:可見光影像、紅外光影像、熱影像等。同時,位於封蓋層3之第二濾光結構42可反射特定波長的光線,舉例而言,當感測單元22為感光耦合元件,則第二濾光結構42可反射紫外光以阻擋或減少正向入射至感測單元22之紫外光,避免感測單元22降解(degradation)。
請參照圖5,本實施例與圖4所例示實施例之結構差異在於,第一濾光結構41以及第二濾光結構42均設於封蓋層3之出光面,亦即,第一濾光結構41以及第二濾光結構42均夾設於封蓋層3與基底層1之間。
於本實施例中,第二濾光結構42對應於感測單元22而設於封蓋層3之出光面中央處,且第二濾光結構42被第一濾光結構41環繞,因此,第二濾光結構42之正投影不重疊於第一濾光結構41之正投影,且第一濾光結構41以及第二濾光結構42均設於封裝腔體內部。關於第一濾光結構41以及第二濾光結構42之各該構件特徵、彼此間之連結關係、優點功效及衍生實施例已如前述。
依據圖4及圖5所例示封裝元件結構,在封蓋層3的適當位置設置第二濾光結構42,所謂適當位置是指使第二濾光結構42與感測單元22二者的正投影位置大致上重疊,可供感測光L2 (如可見光)穿透封蓋層3入射至感測單元22,並反射與感測光L2波長相異之工作光L1 (如紫外光)。亦即,第二濾光結構42反射工作光L1,以避免感測單元22受工作光L1照射而受損,具有延長封裝元件壽命之優點功效。
需說明者,第一濾光結構41以及第二濾光結構42並未限定於共平面,在適當條件下,可在封蓋層3之入光面及出光面分設第一濾光結構41以及第二濾光結構42於封蓋層3之相異二側,仍允許如紫外光的工作光L1照射光固化膠21,以形成穩固的封裝腔體,降低日後崩裂或損壞的可能性,具有通常知識者當可理解上述衍生實施態樣,但不以此為限。
綜合上述,本發明之部分實施例提供一種封裝元件,其主要是利用一第一濾光結構對應於密封膠材的位置而設置於封蓋層表面,使適於固化密封膠材之工作光可穿透周緣的第一濾光結構而照射密封膠材,降低日後崩裂或損壞的可能性,同時第一濾光結構反射自周緣入射的可見光,從而減輕斜向入射或反射光線對位於中央處的感光單元造成的眩光現象,其中工作光之光波長與感測光之光波長相異。此外,在封蓋層的適當位置設置第二濾光結構,可供感測光入射至感測單元,並反射工作光(如紫外光),以避免感測單元受工作光照射而受損,故第一濾光結構以及第二濾光結構具有延長封裝元件壽命、提高產品可靠度之優點功效。
以上所述之實施例僅是為說明本發明之技術思想及特點,其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施,當不能以此限定本發明之專利範圍,即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾,仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。
L1:工作光
L2:感測光
1:基底層
2:感測層
21:光固化膠
22:感測單元
3:封蓋層
41:第一濾光結構
42:第二濾光結構
圖1為一示意圖,顯示本發明一實施例之封裝元件。
圖2為一示意圖,顯示本發明一實施例之第一濾光結構之光學特性。
圖3為一示意圖,顯示本發明一實施例之封裝元件。
圖4為一示意圖,顯示本發明一實施例之封裝元件。
圖5為一示意圖,顯示本發明一實施例之封裝元件。
L1:工作光
L2:感測光
1:基底層
2:感測層
21:光固化膠
22:感測單元
3:封蓋層
41:第一濾光結構
Claims (10)
- 一種封裝元件,包含: 一基底層; 一光固化膠,設於該基底層上; 一感測層,設於該基底層上,該感測層包含被該光固化膠環繞之一感測單元; 一封蓋層,設於該感測層上;以及 一第一濾光結構,對應於該光固化膠而設於該封蓋層表面,該第一濾光結構用於供對應於該光固化膠之一工作光穿透,並反射對應於該感測單元之一感測光,其中該工作光之光波長與該感測光之光波長相異。
- 如請求項1所述之封裝元件,其中該光固化膠為一紫外光固化膠,且該工作光為一紫外光。
- 如請求項1所述之封裝元件,其中該工作光對於該第一濾光結構之穿透率高於90%。
- 如請求項1所述之封裝元件,其中該感測光對於該第一濾光結構之反射率高於90%。
- 如請求項1所述之封裝元件,其中該感測光為一可見光。
- 如請求項1所述之封裝元件,更包含: 一第二濾光結構,對應於該感測單元而設於該封蓋層表面,該第二濾光結構用於供對應於該感測單元之該感測光穿透,並反射對應於該光固化膠之該工作光。
- 如請求項6所述之封裝元件,其中該第二濾光結構被該第一濾光結構環繞。
- 如請求項6所述之封裝元件,其中該第二濾光結構之正投影不重疊於該第一濾光結構之正投影。
- 如請求項6所述之封裝元件,其中該第二濾光結構為廣波域抗反射鍍膜(BBAR)、近紅外線抗反射塗層(NIR ARC)或帶通濾光片(Band pass filter)。
- 如請求項1所述之封裝元件,其中該封蓋層為一玻璃基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW108128158A TWI692068B (zh) | 2019-08-07 | 2019-08-07 | 封裝元件 |
| US16/729,842 US10804413B1 (en) | 2019-08-07 | 2019-12-30 | Package component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW108128158A TWI692068B (zh) | 2019-08-07 | 2019-08-07 | 封裝元件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI692068B TWI692068B (zh) | 2020-04-21 |
| TW202107647A true TW202107647A (zh) | 2021-02-16 |
Family
ID=71134506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108128158A TWI692068B (zh) | 2019-08-07 | 2019-08-07 | 封裝元件 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10804413B1 (zh) |
| TW (1) | TWI692068B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI782830B (zh) * | 2021-12-21 | 2022-11-01 | 勝麗國際股份有限公司 | 感測器封裝結構 |
| TWI785663B (zh) * | 2020-07-03 | 2022-12-01 | 張菊華 | 感測模組之結構及其製造方法 |
| US11894473B2 (en) | 2021-09-09 | 2024-02-06 | Chu Hua Chang | Sensing module and manufacturing method thereof |
| TWI880400B (zh) * | 2022-10-21 | 2025-04-11 | 同欣電子工業股份有限公司 | 晶片封裝結構及製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6569709B2 (en) * | 2001-10-15 | 2003-05-27 | Micron Technology, Inc. | Assemblies including stacked semiconductor devices separated a distance defined by adhesive material interposed therebetween, packages including the assemblies, and methods |
| US6879319B2 (en) * | 2002-10-25 | 2005-04-12 | Eastman Kodak Company | Integrated OLED display and touch screen |
| KR20060059873A (ko) * | 2003-08-22 | 2006-06-02 | 코니카 미놀타 옵토 인코포레이티드 | 고체 촬상 장치 및 상기 고체 촬상 장치를 구비한 촬상장치 및 고체 촬상 장치의 마이크로렌즈 어레이 제조 방법 |
| CN101405872B (zh) * | 2006-03-22 | 2011-04-20 | 株式会社村田制作所 | 红外传感器及其制造方法 |
| TWI425597B (zh) * | 2009-12-31 | 2014-02-01 | 勝開科技股份有限公司 | 具有黑色膠體之影像感測器封裝結構 |
| US9891098B2 (en) * | 2010-12-30 | 2018-02-13 | Apple Inc. | Diffuser and filter structures for light sensors |
| US8872293B2 (en) * | 2011-02-15 | 2014-10-28 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same and electronic apparatus |
| JP6039789B2 (ja) * | 2013-02-14 | 2016-12-07 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線センサ及びその製造方法 |
| JP2014168746A (ja) * | 2013-03-04 | 2014-09-18 | Ricoh Co Ltd | 粘性材料の塗布装置、粘性材料の塗布方法、及び固体撮像装置の製造方法 |
| US10157943B2 (en) * | 2016-01-22 | 2018-12-18 | Omnivision Technologies, Inc. | Trenched-bonding-dam device and manufacturing method for same |
| TWI612281B (zh) * | 2016-09-26 | 2018-01-21 | 財團法人工業技術研究院 | 干涉分光元件封裝裝置 |
-
2019
- 2019-08-07 TW TW108128158A patent/TWI692068B/zh active
- 2019-12-30 US US16/729,842 patent/US10804413B1/en active Active
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI785663B (zh) * | 2020-07-03 | 2022-12-01 | 張菊華 | 感測模組之結構及其製造方法 |
| US11894473B2 (en) | 2021-09-09 | 2024-02-06 | Chu Hua Chang | Sensing module and manufacturing method thereof |
| TWI782830B (zh) * | 2021-12-21 | 2022-11-01 | 勝麗國際股份有限公司 | 感測器封裝結構 |
| TWI880400B (zh) * | 2022-10-21 | 2025-04-11 | 同欣電子工業股份有限公司 | 晶片封裝結構及製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI692068B (zh) | 2020-04-21 |
| US10804413B1 (en) | 2020-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI692068B (zh) | 封裝元件 | |
| JP5198394B2 (ja) | 近接照度センサおよびその製造方法 | |
| US20100033607A1 (en) | Solid state imaging device and method for manufacturing the same | |
| TW201426081A (zh) | 影像感測器模組及取像模組 | |
| CN110648981A (zh) | 一种影像传感芯片封装结构及其封装方法 | |
| CN101109837A (zh) | 镜头模块 | |
| CN109273474A (zh) | 一种感光芯片封装结构及其封装方法 | |
| US20120256284A1 (en) | Imaging device and camera module | |
| CN201440413U (zh) | 封装结构 | |
| US10319767B2 (en) | Electronic component including an optical member fixed with adhesive | |
| US20130083493A1 (en) | Electronic component, electronic module, and method for manufacturing the same | |
| JP2001345391A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| TW201839661A (zh) | 取像模組以及電子裝置 | |
| JP6477355B2 (ja) | 半導体装置 | |
| WO2024135636A1 (ja) | パルスオキシメーター用プローブ | |
| TWI640089B (zh) | 封裝結構及封裝方法 | |
| JP4324633B2 (ja) | 固体撮像装置、その製造方法およびその固体撮像装置を備える撮影装置 | |
| CN106125153A (zh) | 光学装置的封装结构 | |
| JP2009171065A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、およびその固体撮像装置を用いた撮影装置 | |
| JP2016072266A (ja) | 撮像素子パッケージおよび撮像装置 | |
| CN206742222U (zh) | 光学式指纹感测封装结构 | |
| CN106876422B (zh) | 一种图像传感器的封盖工艺 | |
| US12302656B2 (en) | Imaging device | |
| TW201409672A (zh) | 半導體器件 | |
| CN110109128B (zh) | 一种红外发射和探测集成芯片 |