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TW202106519A - 覆金屬之積層體的製造方法 - Google Patents

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TW202106519A
TW202106519A TW109120156A TW109120156A TW202106519A TW 202106519 A TW202106519 A TW 202106519A TW 109120156 A TW109120156 A TW 109120156A TW 109120156 A TW109120156 A TW 109120156A TW 202106519 A TW202106519 A TW 202106519A
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日商可樂麗股份有限公司
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Abstract

提供一種效率佳地製造經賦形處理的覆金屬之積層體的方法。在前述製造方法中,準備在熱塑性液晶聚合物薄膜的一面接著金屬層的長條狀的單面覆金屬之積層體(A)、及至少一表面為賦形面的長條狀的金屬賦形薄片(B),以前述單面覆金屬之積層體(A)的熱塑性液晶聚合物薄膜面和前述金屬賦形薄片(B)的賦形面接觸的方式配置,朝向一對加壓輥(r1 , r2 )導入以進行熱壓接,而製造覆金屬之積層體。

Description

覆金屬之積層體的製造方法
本發明係關於一種覆金屬之積層體(或剝離了另一面的金屬賦形薄片的覆金屬之積層體)的製造方法,該覆金屬之積層體係在包含可形成光學上異向性的熔融相的熱塑性聚合物(以下,有將其稱為熱塑性液晶聚合物的情形)的薄膜(以下,有將其稱為熱塑性液晶聚合物薄膜的情形)的一面積層金屬層,在另一面,積層前述熱塑性液晶聚合物薄膜側的表面為賦形面的金屬賦形薄片。
熱塑性液晶聚合物薄膜,係作為高耐熱性、低吸濕性、高頻特性等優異的材料而為人所知,近年來作為高速傳輸用電子電路材料而受到矚目。在用於電子電路基板用途的情況下,使用熱塑性液晶聚合物薄膜和金屬箔的覆金屬之積層體,但在電路加工步驟中的貼合加工中,有覆金屬之積層體所具備的熱塑性液晶聚合物薄膜和接合薄片(bonding sheet)的層間接著性並不充分的情況。以往,為了提高與接合薄片的層間接著性,而在熱塑性液晶聚合物薄膜的一面具備金屬層的單面覆金屬之積層體中,對另一面的熱塑性液晶聚合物薄膜的表面進行賦予凹凸形狀的賦形處理。
專利文獻1(日本特開2016-10967號公報)中揭示了如下的附有金屬箔的液晶聚合物薄膜的製造方法:具有依序重疊第1金屬箔、液晶聚合物薄膜、和第2金屬箔並進行加熱加壓的步驟,前述第2金屬箔的重疊於前述液晶聚合物薄膜的面為消光面,對前述消光面施加脫模處理。
又,專利文獻2(日本特開2006-179609號公報)中揭示了一種積層配線基板的製造法,並揭示了熱塑性樹脂為液晶聚合物,該積層配線基板的製造法的特徵為:以鹼混合溶液為藥液,對各個熱塑性樹脂層中的至少一面施加藥液粗化處理,將經施加前述處理的面重疊於其他單位基板的面而形成具有2個以上的層的積層板,將前述積層板進行加熱、加壓處理。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1:日本特開2016-10967號公報 專利文獻2:日本特開2006-179609號公報
[發明欲解決之課題]
又,在將覆金屬之積層體用於高速傳輸用電子電路的情況下,由於在成為傳輸線路的金屬層中產生表皮效應(skin effect),因此金屬層的高頻特性,即傳輸損失係依存於其表面粗糙度。因此,使用表面粗糙度小的低粗糙度的金屬層者,係傳輸損失變小,即高頻特性變佳,因此是較理想的。
然而,在如專利文獻1所示,藉由將第1金屬箔、液晶聚合物薄膜、和為了賦形處理而之後加以剝離的第2金屬箔重疊並進行加熱加壓,來一次性地使其積層一體化的情況下,若第1金屬箔使用低粗糙度者,則為了提高第1金屬箔和液晶聚合物薄膜的層間接著性而需要加熱至液晶聚合物薄膜的熔點附近(或熔點以上)。在該情況下,高溫的熱也籠罩在之後剝離的第2金屬箔和液晶聚合物薄膜的界面,即使欲對第2金屬箔施加脫模處理,也因由表面的凹凸所產生的錨定效果而層間接著性變高,因此變得很難剝離第2金屬箔。
再者,熱塑性液晶聚合物薄膜,係液晶聚合物分子因加熱加壓而容易進行配向,因此若在如上述的高溫下進行加熱加壓,則配向會大幅變化,所得到的覆金屬之積層體的翹曲變大,而且尺寸變化變大,從而形成電路基板變得困難。
又,在如專利文獻2施加藥液粗化處理的情況下,雖然能夠對熱塑性樹脂層的表面賦予微細的凹凸,但為了施加藥液處理而處理步驟變多,生產效率降低。再者,由於將附著於經施加藥液處理的表面的藥劑完全去除是困難的,因此有在所得到的電路基板中,因雜質的存在而發生不良狀況的情況。
由此,本發明的目的在於提供一種尺寸變化小且效率佳地製造經賦形處理的覆金屬之積層體的方法。 [用以解決課題之手段]
本發明的發明人等,為了達成上述目的而銳意檢討,結果發現:藉由各自獨立地進行單面覆金屬之積層體的製造和單面覆金屬之積層體的賦形處理,能夠在賦形處理之際避免高溫下的加熱加壓,因此能夠抑制覆金屬之積層體的尺寸變化。然後,發現準備在熱塑性液晶聚合物薄膜的一面接著金屬層的單面覆金屬之積層體,將單面覆金屬之積層體和金屬賦形薄片連續地進行熱壓接,從而能夠效率佳地進行賦形處理,進而完成本發明。
即,本發明可用以下的態樣構成。 [態樣1] 一種覆金屬之積層體的製造方法,其至少具備: 準備在熱塑性液晶聚合物薄膜的一面接著金屬層的長條狀的單面覆金屬之積層體(A)、及至少一表面為賦形面的長條狀的金屬賦形薄片(B)的步驟;和 以前述單面覆金屬之積層體(A)的熱塑性液晶聚合物薄膜面和前述金屬賦形薄片(B)的賦形面接觸的方式配置,朝向一對加壓輥(r1 , r2 )導入的熱壓接步驟。 [態樣2] 如態樣1記載的覆金屬之積層體的製造方法,其進一步具備: 在熱壓接步驟後,從前述單面覆金屬之積層體(A)的熱塑性液晶聚合物薄膜面剝離前述金屬賦形薄片(B)的剝離步驟。 [態樣3] 如態樣1或2記載的覆金屬之積層體的製造方法,其中在以前述熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點(Tm)而言的情況下,熱壓接溫度為(Tm-150)℃以上且小於(Tm)℃(較佳為(Tm-130)℃以上(Tm-5)℃以下,更佳為(Tm-110)℃以上(Tm-10)℃以下)。 [態樣4] 如態樣1至3中任一態樣記載的覆金屬之積層體的製造方法,其中前述單面覆金屬之積層體(A)和前述金屬賦形薄片(B)的剝離強度為0.5N/mm以下(較佳為0.2N/mm以下,更佳為0.1N/mm以下)。 [態樣5] 如態樣1至4中任一態樣記載的覆金屬之積層體的製造方法,其中前述金屬賦形薄片(B)的賦形面的表面粗糙度(Rz)為1.0~7.0μm(較佳為1.5~5.5μm,更佳為2.0~4.5μm)。 [態樣6] 如態樣1至5中任一態樣記載的覆金屬之積層體的製造方法,其中, 在準備步驟中,進一步準備長條狀的脫模緩衝材(C), 在熱壓接步驟中,在前述單面覆金屬之積層體(A)及前述金屬賦形薄片(B)的未接觸側中的至少一側配置前述脫模緩衝材(C),朝向一對加壓輥(r1 , r2 )導入。 [態樣7] 如態樣6記載的覆金屬之積層體的製造方法,其中前述脫模緩衝材(C)和前述單面覆金屬之積層體(A)或前述金屬賦形薄片(B)的剝離強度為0.1N/mm以下(較佳為0.05N/mm以下,更佳為0.03N/mm以下)。 [態樣8] 如態樣6或7記載的覆金屬之積層體的製造方法,其中前述脫模緩衝材(C)係從包含耐熱性樹脂薄膜、耐熱性複合薄膜、耐熱性不織布、及至少一面具備脫模層的金屬箔的群組選出。 [態樣9] 如態樣6至8中任一態樣記載的覆金屬之積層體的製造方法,其中前述脫模緩衝材(C)的至少一面的表面粗糙度(Rz)為2.0μm以下(較佳為1.8μm以下,更佳為1.5μm以下)。 [態樣10] 如態樣6至9中任一態樣記載的覆金屬之積層體的製造方法,其中在前述熱壓接步驟中,以成為(r1 )/(C)/(A)/(B)/(r2 )的順序的方式,將單面覆金屬之積層體(A)、金屬賦形薄片(B)及脫模緩衝材(C)重疊而導入於一對加壓輥(r1 , r2 )之間。 [態樣11] 如態樣10記載的覆金屬之積層體的製造方法,其中在前述熱壓接步驟中,加壓輥(r2 )係加熱溫度比加壓輥(r1 )高。 [態樣12] 如態樣1至11中任一態樣記載的覆金屬之積層體的製造方法,其中分別準備複數個長條狀的單面覆金屬之積層體(A)及長條狀的金屬賦形薄片(B),製造複數個覆金屬之積層體。 [態樣13] 如依附於態樣6至9中任一態樣的情況下的態樣11記載的覆金屬之積層體的製造方法,其中在前述熱壓接步驟中,將脫模緩衝材(C)重疊而導入於複數組的包含單面覆金屬之積層體(A)及金屬賦形薄片(B)的積層體之間。 [態樣14] 如態樣13記載的覆金屬之積層體的製造方法,其中在前述熱壓接步驟中,以成為(r1 )/(B)/(A)/(C)/(A)/(B)/(r2 )的順序的方式,將單面覆金屬之積層體(A)、金屬賦形薄片(B)及脫模緩衝材(C)重疊而導入於一對加壓輥(r1 , r2 )之間。 [態樣15] 如依附於態樣6至9中任一態樣的情況下的態樣11或態樣12記載的覆金屬之積層體的製造方法,其中在前述熱壓接步驟中,以與一對加壓輥(r1 , r2 )中的至少一個加壓輥相接的方式,將脫模緩衝材(C)重疊而導入。 [態樣16] 如態樣15記載的覆金屬之積層體的製造方法,其中在前述熱壓接步驟中,以成為(r1 )/(C)/(B)/(A)/(A)/(B)/(C)/(r2 )、或者是(r1 )/(C)/(A)/(B)/(B)/(A)/(C)/(r2 )的順序的方式,將單面覆金屬之積層體(A)、金屬賦形薄片(B)及脫模緩衝材(C)重疊而導入於一對加壓輥(r1 , r2 )之間。
此外,申請專利範圍及/或說明書及/或圖式中所揭示的至少兩個構成要素的任何組合也包含在本發明內。特別是,申請專利範圍中所記載的請求項的兩個以上的任何組合也包含在本發明內。 [發明之效果]
若根據本發明的話,則能夠藉由準備單面覆金屬之積層體及金屬賦形薄片,在以單面覆金屬之積層體的熱塑性液晶聚合物薄膜面和金屬賦形薄片的賦形面接觸的方式配置的狀態下,朝向一對加壓輥導入以進行熱壓接,來連續地進行賦形處理,因此能夠效率佳地製造尺寸變化受到抑制的覆金屬之積層體。
[用以實施發明的形態]
本發明的覆金屬之積層體的製造方法,能夠連續地製造使金屬賦形薄片積層在單面覆金屬之積層體的熱塑性液晶聚合物薄膜面的覆金屬之積層體、或經賦形處理的覆金屬之積層體。 此外,在本發明中,所謂的覆金屬之積層體,若為在熱塑性液晶聚合物薄膜的一面具備金屬層,且在另一面具備金屬賦形薄片的覆金屬之積層體、或在熱塑性液晶聚合物薄膜的一面具備金屬層,且另一面被賦形處理的覆金屬之積層體的話即可,也可以適宜具備其他附帶物(例如,脫模緩衝材)。
(熱塑性液晶聚合物薄膜) 本發明的製造方法所使用的熱塑性液晶聚合物薄膜係由能夠熔融成形的液晶性聚合物形成。此熱塑性液晶聚合物,係可形成光學上異向性的熔融相的聚合物,若為能夠熔融成形的液晶性聚合物的話,則對於其化學構成沒有特別的限定,但例如,能舉出:熱塑性液晶聚酯、或在其中導入醯胺鍵的熱塑性液晶聚酯醯胺等。
又,熱塑性液晶聚合物可以是在芳香族聚酯或芳香族聚酯醯胺中進一步導入醯亞胺鍵、碳酸酯鍵、碳二亞胺鍵、或三聚異氰酸酯鍵等的源自異氰酸酯的鍵等的聚合物。
作為本發明中所使用的熱塑性液晶聚合物的具體例,能舉出由分類成以下例示的(1)至(4)的化合物及其衍生物導出的公知的熱塑性液晶聚酯及熱塑性液晶聚酯醯胺。但是,為了形成可形成光學上異向性的熔融相的聚合物,各種原料化合物的組合有適當的範圍是不言而喻的。
(1)芳香族或脂肪族二醇(代表例參照表1) [表1]
Figure 02_image001
(2)芳香族或脂肪族二羧酸(代表例參照表2) [表2]
Figure 02_image003
芳香族羥基羧酸(代表例參照表3) [表3]
Figure 02_image005
(4)芳香族二胺、芳香族羥基胺或芳香族胺基羧酸(代表例參照表4) [表4]
Figure 02_image007
作為由這些原料化合物所得到的熱塑性液晶聚合物的代表例,能舉出具有表5及6所示的構造單元的共聚物。
[表5]
Figure 02_image009
[表6]
Figure 02_image011
這些共聚物之中,較佳為至少包含對羥基苯甲酸及/或6-羥基-2-萘甲酸作為重複單元的聚合物,特別是,較佳為(i)包含對羥基苯甲酸和6-羥基-2-萘甲酸的重複單元的共聚物、或(ii)包含從包含對羥基苯甲酸及6-羥基-2-萘甲酸的群組所選出的至少一種芳香族羥基羧酸、至少一種芳香族二醇、和至少一種芳香族二羧酸的重複單元的共聚物。
例如,在(i)的共聚物方面,在熱塑性液晶聚合物至少包含對羥基苯甲酸和6-羥基-2-萘甲酸的重複單元的情況下,重複單元(A)的對羥基苯甲酸和重複單元(B)的6-羥基-2-萘甲酸的莫耳比(A)/(B),在熱塑性液晶聚合物中理想的是(A)/(B)=10/90~90/10左右,更佳可為(A)/(B)=15/85~85/15左右,再更佳可為(A)/(B)=20/80~80/20左右。
又,在(ii)的共聚物的情況下,從包含對羥基苯甲酸及6-羥基-2-萘甲酸的群組所選出的至少一種芳香族羥基羧酸(C)、從包含4,4’-二羥基聯苯、氫醌、苯基氫醌、及4,4’-二羥基二苯基醚的群組所選出的至少一種芳香族二醇(D)、和從包含對苯二甲酸、間苯二甲酸及2,6-萘二甲酸的群組所選出的至少一種芳香族二羧酸(E)的熱塑性液晶聚合物中的各重複單元的莫耳比,可以是芳香族羥基羧酸(C):前述芳香族二醇(D):前述芳香族二羧酸(E)=(30~80):(35~10):(35~10)左右,更佳可為(C):(D):(E)=(35~75):(32.5~12.5):(32.5~12.5)左右,再更佳可為(C):(D):(E)=(40~70):(30~15):(30~15)左右。
又,芳香族羥基羧酸(C)之中源自6-羥基-2-萘甲酸的重複單元的莫耳比率,例如,可以是85莫耳%以上,較佳可為90莫耳%以上,更佳可為95莫耳%以上。芳香族二羧酸(E)之中源自2,6-萘二甲酸的重複單元的莫耳比率,例如,可以是85莫耳%以上,較佳可為90莫耳%以上,更佳可為95莫耳%以上。
又,芳香族二醇(D)可以是源自從包含氫醌、4,4’-二羥基聯苯、苯基氫醌、及4,4’-二羥基二苯基醚的群組所選出的彼此不同的二種芳香族二醇的重複單元(D1)和(D2),在此情況下,二種芳香族二醇的莫耳比可以是(D1)/(D2)=23/77~77/23,更佳可為25/75~75/25,再更佳可為30/70~70/30。
又,源自芳香族二醇的重複構造單元和源自芳香族二羧酸的重複構造單元的莫耳比較佳為(D)/(E)=95/100~100/95。若偏離此範圍的話,則有聚合度不會提高而機械強度降低的傾向。
此外,本發明中所謂的可形成光學上異向性的熔融相,係能夠藉由例如將試料擺在高溫載台,在氮氣環境下升溫加熱,觀察試料的透射光來認定。
作為熱塑性液晶聚合物,較佳者為熔點(以下稱為Tm0 )例如在200~360℃的範圍內者,較佳為在240~350℃的範圍內者,再更佳為Tm0 為260~330℃者。此外,熔點能夠使用微差掃描熱卡計觀察熱塑性液晶聚合物樣品的熱行為來得到。即,將熱塑性液晶聚合物樣品以10℃/min的速度升溫而使其完全熔融後,將熔融物以10℃/min的速度冷卻至50℃,求出在再次以10℃/min的速度升溫後所出現的吸熱峰的位置,作為熱塑性液晶聚合物樣品的熔點。
又,熱塑性液晶聚合物,從熔融成形性的觀點來看,例如,可以具有在(Tm0 +20)℃的剪斷速度1000/s的熔融黏度30~120Pa.s,較佳為可具有熔融黏度50~100Pa.s。
在無損本發明的效果的範圍內,前述熱塑性液晶聚合物中可以添加聚對苯二甲酸乙二酯、改性聚對苯二甲酸乙二酯、聚烯烴、聚碳酸酯、聚芳香酯、聚醯胺、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚醚醚酮、氟樹脂等熱塑性聚合物、各種添加劑、填充劑等。
本發明的製造方法所使用的熱塑性液晶聚合物薄膜,係例如,將前述熱塑性液晶聚合物的熔融混練物進行擠出成形而得到。作為擠出成形法,可使用任意的方法,但公知的T模法、吹脹(inflation)法等在工業上是有利的。特別是在吹脹法方面,不僅對熱塑性液晶聚合物薄膜的機械軸方向(以下,簡稱為MD方向)施加應力,還對與其正交的方向(以下,簡稱為TD方向)施加應力,由於能夠在MD方向、TD方向上均勻地延伸,因此可得到控制了MD方向和TD方向上的分子配向性、介電特性等的熱塑性液晶聚合物薄膜。
例如,在利用T模法的擠出成形方面,可以將從T模擠出的熔融體薄片,並非僅對熱塑性液晶聚合物薄膜的MD方向而是對其和TD方向雙方同時延伸來製膜,或者可以將從T模擠出的熔融體薄片暫時在MD方向上延伸,接著在TD方向上延伸來製膜。
又,在利用吹脹法的擠出成形方面,可以對從環形模所熔融擠出的圓筒狀薄片以既定的拉延比(draw ratio)(相當於MD方向的延伸倍率)及吹脹比(blow ratio)(相當於TD方向的延伸倍率)進行延伸來製膜。
這樣的擠出成形的延伸倍率,作為MD方向的延伸倍率(或拉延比),例如,可以是1.0~10左右,較佳可為1.2~7左右,再更佳可為1.3~7左右。又,作為TD方向的延伸倍率(或吹脹比),例如,可以是1.5~20左右,較佳可為2~15左右,再更佳可為2.5~14左右。
又,可以根據需要進行公知或慣用的熱處理,調整熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點及/或熱膨脹係數。熱處理條件能夠根據目的適宜設定,例如,可以藉由在相對於熱塑性液晶聚合物的熔點(Tm0 ),為(Tm0 -10)℃以上(例如,(Tm0 -10)~(Tm0 +30)℃左右,較佳為(Tm0 )~(Tm0 +20)℃左右)下加熱數小時,來使熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點(Tm)上升。此外,熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點(Tm)能夠使用微差掃描熱卡計觀察熱塑性液晶聚合物薄膜樣品的熱行為來得到。即,求出在將熱塑性液晶聚合物薄膜樣品以10℃/min的速度升溫之際所出現的吸熱峰的位置,作為熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點(Tm)。
(單面覆金屬之積層體) 本發明的製造方法所使用的單面覆金屬之積層體,係在前述熱塑性液晶聚合物薄膜的一面配設金屬層者。此外,單面覆金屬之積層體可以使用市售品,但例如,單面覆金屬之積層體的製造方法,對於熱塑性液晶聚合物薄膜,可以藉由熱壓接來使金屬箔接著作為金屬層,也可以藉由濺鍍、蒸鍍、無電解鍍敷等來使金屬層形成。從生產效率及簡便性的觀點來看,較佳為對於熱塑性液晶聚合物薄膜,藉由熱壓接來使金屬箔接著的方法。
單面覆金屬之積層體可使用長條狀物。在此情況下,長條狀物可以是捲取於輥上的輥形狀,也可以是並非捲取於輥上的非輥形狀。長條狀物的長度只要能夠連續地搬送則沒有特別的限定,可以是100m以上(例如100~500m)。作為使金屬箔接著於熱塑性液晶聚合物薄膜的方法,較佳為藉由基於卷對卷方式的輥加壓或雙皮帶加壓(double belt press),來使熱塑性液晶聚合物薄膜和金屬箔重疊並連續地進行熱壓接的方法。
單面覆金屬之積層體的熱塑性液晶聚合物薄膜和金屬層的剝離強度,可以是0.6N/mm以上,較佳可為0.8N/mm以上,更佳可為1.0N/mm以上。又,單面覆金屬之積層體的熱塑性液晶聚合物薄膜和金屬層的剝離強度的上限沒有特別的限制,但例如,可以是2.0N/mm以下。此處,剝離強度係參考JIS C 5016-1994(90°方向撕下)所測定的剝離強度(撕下強度)。
本發明的製造方法,係獨立地進行單面覆金屬之積層體的準備(例如,利用熱塑性液晶聚合物薄膜及金屬箔的熱壓接之單面覆金屬之積層體的製造)和單面覆金屬之積層體的賦形處理(即,與金屬賦形薄片的熱壓接)。因此,能夠在賦形處理之際避免高溫下的加熱加壓,其結果,能夠抑制覆金屬之積層體的尺寸變化,同時能夠抑制因各材料的熱膨脹的差異所造成的皺摺的產生。
作為形成金屬層的金屬,沒有特別的限制,例如,可以是金、銀、銅、鐵、錫、鎳、鋁、鉻或它們的合金金屬等。在使金屬箔接著作為金屬層的情況下,例如,可以是以前述金屬所形成的金屬箔,從導電性、操作性、及成本等的觀點來看,較佳為銅箔、不銹鋼箔。作為銅箔,能夠使用藉由壓延法、電解法所製造者。又,對於金屬箔,可以在無損本發明的覆金屬之積層體的高頻特性的範圍內,進行通常所施加的粗化處理等的表面處理。
金屬層的厚度,能夠根據需要適宜設定,例如,可以是1~50μm左右,更佳可為9~35μm的範圍內。
(金屬賦形薄片) 本發明的製造方法所使用的金屬賦形薄片係以金屬所形成的薄片,至少一表面為賦形面。金屬賦形薄片可使用長條狀物。長條狀物可以是捲取於輥上的輥形狀,也可以是並非捲取於輥上的非輥形狀。長條狀物的長度只要能夠連續地搬送則沒有特別的限定,可以是100m以上(例如100~500m)。
金屬賦形薄片較佳為至少一表面具有賦形面的金屬箔。作為形成金屬賦形薄片的金屬,沒有特別的限制,例如,可以是金、銀、銅、鐵、錫、鎳、鋁、鉻或它們的合金金屬等。在使用金屬箔的情況下,例如,可以是以前述金屬所形成的金屬箔,從操作性、及成本等的觀點來看,較佳為銅箔、不銹鋼箔。作為這些金屬箔,能夠使用藉由壓延法、電解法所製造者,為了得到所要的賦形面可以進行粗化處理等的表面處理。
又,從抑制因在熱壓接時的熱膨脹所造成的翹曲的觀點來看,形成金屬賦形薄片的金屬較佳為具有與形成單面覆金屬之積層體的金屬層的金屬相同程度的熱膨脹係數的材質(例如,相同種類的金屬)。特別是,較佳為金屬層及金屬賦形薄片皆為銅箔。
金屬賦形薄片的賦形面,從使電路加工中的與接合薄片的層間接著性提高的觀點來看,例如,表面粗糙度(Rz)可以是1.0~7.0μm。本發明的製造方法,可以轉印金屬賦形薄片的賦形面的表面粗糙度(Rz),在熱塑性液晶聚合物薄膜的表面形成與金屬賦形薄片相同的表面粗糙度(Rz)的凹凸。又,金屬賦形薄片的賦形面的表面粗糙度(Rz)較佳可為1.5~5.5μm,更佳可為2.0~4.5μm。此處,在本發明中,所謂的表面粗糙度(Rz),係使用接觸式表面粗糙度計,顯示參考JIS B 0601-1994測定的十點平均粗糙度,在基準長度的粗糙度曲線中,表示從最高的山頂起依序到第5高為止的山高的平均、和從最深的谷底起依序到第5深為止的谷深的平均的和。
從在熱壓接後使金屬賦形薄片的剝離變得容易的觀點來看,可以對金屬賦形薄片的賦形面施加脫模處理。作為脫模處理的方法,例如,可以是在金屬賦形薄片的賦形面塗布脫模劑以設置脫模層的方法。作為脫模劑,例如,可舉出:矽氧系樹脂、氟系樹脂等。
金屬賦形薄片的厚度能夠根據需要適宜設定,例如,可以是5~50μm左右,更佳可為9~35μm的範圍內。
(脫模緩衝材) 就本發明的製造方法而言,可以根據需要而使用脫模緩衝材。脫模緩衝材可以使用長條狀物。長條狀物可以是捲取於輥上的輥形狀,也可以是並非捲取於輥上的非輥形狀。長條狀物的長度只要能夠連續地搬送則沒有特別的限定,可以是100m以上(例如100~500m)。
作為脫模緩衝材,只要能夠在熱壓接後從鄰接的被接著體剝離,具有耐熱性,具有緩衝性則沒有特別的限定,可舉出:非熱塑性的聚醯亞胺薄膜、聚芳醯胺薄膜、Teflon(註冊商標)薄膜等的耐熱性樹脂薄膜;耐熱性複合薄膜(例如,包含複數個耐熱性樹脂薄膜的複合薄膜、包含金屬箔和耐熱性樹脂薄膜的複合薄膜);以耐熱性纖維(例如,耐熱性樹脂纖維、金屬纖維)所構成的耐熱性不織布;及在至少一面具備脫模層(例如,矽氧系樹脂、氟系樹脂等的脫模劑的塗布層)的金屬箔(例如,鋁箔、不銹鋼箔等)等。這些脫模緩衝材可以單獨使用或組合二種以上使用。此外,從使熱壓接後的與被接著體的剝離變得容易的觀點來看,可以對脫模緩衝材(例如,耐熱性樹脂薄膜、耐熱性複合薄膜、或耐熱性不織布)施加脫模處理。作為脫模處理的方法,可舉出上述的方法。 這些脫模緩衝材之中,從耐熱性及緩衝性(彈回彈性)優異的觀點來看,較佳為耐熱性樹脂薄膜、耐熱性複合薄膜、及耐熱性不織布。
脫模緩衝材的厚度能夠根據需要適宜設定,例如,可以是5~300μm左右,較佳可為10~150μm,更佳可為25~75μm的範圍內。
脫模緩衝材的至少一面的表面粗糙度(Rz),從使熱壓接後的與被接著體(單面覆金屬之積層體或金屬賦形薄片)的剝離變得容易的觀點來看,可以是2.0μm以下,較佳可為1.8μm以下,更佳可為1.5μm以下。又,脫模緩衝材的至少一面的表面粗糙度(Rz)的下限沒有特別的限定,例如,可以是0.05μm以上,較佳可為0.10μm以上,更佳可為0.15μm以上。
(覆金屬之積層體的製造方法) 本發明的覆金屬之積層體的製造方法,至少具備: 準備在熱塑性液晶聚合物薄膜的一面接著金屬層的長條狀的單面覆金屬之積層體(A)、及至少一表面為賦形面的長條狀的金屬賦形薄片(B)的步驟;和 以前述單面覆金屬之積層體(A)的熱塑性液晶聚合物薄膜面和前述金屬賦形薄片(B)的賦形面接觸的方式配置,朝向一對加壓輥(r1 , r2 )導入的熱壓接步驟。
單面覆金屬之積層體(A)及金屬賦形薄片(B),只要能夠以長條狀物的形式導入至加壓輥則沒有特別的限定,例如,可以直接搬送在熱壓接步驟的上游製造的長條狀物來使用,也可以準備捲出輥。 在直接使用在上游製造的長條狀物的情況下,例如,可以將熱塑性液晶聚合物薄膜和金屬箔重疊並連續地進行熱壓接來製造單面覆金屬之積層體(A),不進行捲取地,直接在搬送方向的下游,與另外準備的金屬賦形薄片(B)重疊。在此情況下,以單面覆金屬之積層體(A)的熱塑性液晶聚合物薄膜面和金屬賦形薄片(B)的賦形面接觸的方式進行配置來重疊。 在準備捲出輥的情況下,各捲出輥,係以如下的方向配置:單面覆金屬之積層體(A)和金屬賦形薄片(B)鄰接,且單面覆金屬之積層體(A)的熱塑性液晶聚合物薄膜面和金屬賦形薄片(B)的賦形面接觸。
本發明的覆金屬之積層體的製造方法, 可以在準備步驟中,進一步準備長條狀的脫模緩衝材(C), 在熱壓接步驟中,在前述單面覆金屬之積層體(A)及前述金屬賦形薄片(B)的未接觸側中的至少一側配置前述脫模緩衝材(C),朝向一對加壓輥(r1 , r2 )導入。
藉由使用脫模緩衝材(C),由於脫模緩衝材(C)發揮緩衝的作用,因此能夠在單面覆金屬之積層體(A)和金屬賦形薄片(B)的熱壓接中分散來自加壓輥的壓力,能夠提高金屬賦形薄片(B)的賦形面對熱塑性液晶聚合物薄膜的表面的轉印性。例如,在加壓輥(r1 , r2 )的加熱溫度高的情況、或加壓壓力低的情況、加壓時間短的情況下,藉由脫模緩衝材(C)的存在,使壓力的均勻性提高的效果高。
在使用脫模緩衝材(C)的情況下,在單面覆金屬之積層體(A)及金屬賦形薄片(B)的未接觸的面中,脫模緩衝材(C)可以以與單面覆金屬之積層體(A)及/或金屬賦形薄片(B)鄰接的方式配置。
例如,可以將脫模緩衝材(C)以與單面覆金屬之積層體(A)的金屬層鄰接的方式配置,覆金屬之積層體係以至少(C)/(A)/(B)的順序形成的方式進行熱壓接。藉由使脫模緩衝材(C)與單面覆金屬之積層體(A)的金屬層側鄰接,脫模緩衝材(C)發揮抑制熱從單面覆金屬之積層體(A)側傳來的隔熱材的作用,因此能夠防止熱塑性液晶聚合物薄膜被從金屬層側無謂地加熱,抑制液晶聚合物分子會容易進行配向的情形。
又,在熱壓接步驟中,加壓輥(r1 , r2 )中的至少一者係經加熱的加壓輥(hr),可以以成為從該經加熱的加壓輥(hr)起(hr)/(B)/(A)的順序,或者是,在使用脫模緩衝材(C)的情況下,(hr)/(B)/(A)/(C)或者(hr)/(C)/(B)/(A)的順序的方式予以導入。藉由從金屬賦形薄片(B)側加熱單面覆金屬之積層體(A),能夠效率佳地將熱傳遞至單面覆金屬之積層體(A)的施加賦形處理的熱塑性液晶聚合物薄膜面,因此能夠調整成防止熱塑性液晶聚合物薄膜被無謂地加熱的加熱加壓條件,能夠有效率地進行賦形處理。
本發明的覆金屬之積層體的製造方法,可以分別準備複數個長條狀的單面覆金屬之積層體(A)及長條狀的金屬賦形薄片(B),製造複數個覆金屬之積層體。
在製造複數個覆金屬之積層體的情況下,可以在熱壓接步驟中,將脫模緩衝材(C)重疊而導入於複數組的包含單面覆金屬之積層體(A)及金屬賦形薄片(B)的積層體之間。
又,在製造複數個覆金屬之積層體的情況下,可以在熱壓接步驟中,以與一對加壓輥(r1 , r2 )中的至少一個加壓輥相接的方式,將脫模緩衝材(C)重疊而導入。
此處,複數個單面覆金屬之積層體(A)可以相同也可以不同。又,複數個金屬賦形薄片(B)可以相同也可以不同。
又,進一步地,所得到的複數個覆金屬之積層體可以相同也可以不同。
所得到的覆金屬之積層體(在熱塑性液晶聚合物薄膜的一面積層金屬層,在另一面具備金屬賦形薄片的覆金屬之積層體),係熱塑性液晶聚合物薄膜和金屬賦形薄片之間的剝離強度(P1)可以是0.5N/mm以下,較佳可為0.2N/mm以下,更佳可為0.1N/mm以下。 又,所得到的覆金屬之積層體,係熱塑性液晶聚合物薄膜和金屬層之間的剝離強度(P2),例如,可以是0.6N/mm以上,較佳可為0.8N/mm以上,更佳可為1.0N/mm以上。又,熱塑性液晶聚合物薄膜和金屬層的剝離強度的上限沒有特別的限制,可以是2.0N/mm以下。 又,所得到的覆金屬之積層體,係將熱塑性液晶聚合物薄膜和金屬賦形薄片之間的剝離強度(P1)除以熱塑性液晶聚合物薄膜和金屬層之間的剝離強度(P2)的值(P1/P2)可以是0.6以下,較佳可為0.4以下,更佳可為0.2以下。
又,所得到的覆金屬之積層體,係將熱塑性液晶聚合物薄膜的厚度方向之中金屬層側的配向度f(f1)除以金屬賦形薄片側(或賦形處理面側)的配向度f(f2)的值(f1/f2)可以是1.05~1.40,較佳可為1.10~1.35,更佳可為1.15~1.30。在本發明中,在單面覆金屬之積層體(A)和金屬賦形薄片(B)的熱壓接步驟中,也許由於能夠避免在無謂的高溫(例如,熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點以上)下進行加熱加壓,從而能夠抑制金屬賦形薄片側的分子配向變化,因此能夠將熱塑性液晶聚合物薄膜的厚度方向的配向度設為特定的關係。此處,熱塑性液晶聚合物薄膜的厚度方向之中所謂的金屬層側的配向度,係指在將熱塑性液晶聚合物薄膜在厚度方向上分成兩等分的情況下的與金屬層相接的側的部分的配向度,熱塑性液晶聚合物薄膜的厚度方向之中所謂的金屬賦形薄片側(賦形處理面側)的配向度,係指在將熱塑性液晶聚合物薄膜在厚度方向上分成兩等分的情況下的與金屬賦形薄片相接的側(經賦形處理的面側)的部分的配向度。
此處,所謂的配向度f,係指提供高分子的結晶區域的配向程度的指標,依以下的方式算出。配向度f,能夠使用理學電機製旋轉對陰極X線繞射裝置Ru-200,X線輸出使用電壓40kV、電流100mA、靶材CuKα(λ=1.5405A)並依以下的方式進行測定。結晶配向的變化能夠藉由廣角X線照片來求出。首先,在MD方向上切出將覆金屬之積層體的金屬賦形薄片剝離,將金屬層進行蝕刻處理以去除所得到的薄膜,安裝於樣品支架,使X線從Edge方向入射,將繞射圖像曝光於成像板。然後,能夠將所得到的繞射圖像轉換為配向分布曲線,從繞射強度對圓周方向β角的曲線的波峰的半高寬H,由以下的公式(1)算出簡便的配向度f。 f=(180-H)/180   (1) 式中,H為半高寬。 在熱塑性液晶聚合物薄膜中的金屬層側和金屬賦形薄片側(賦形處理面側)兩處,進行配向度f的測定。 又,半高寬H,可以是將基於廣角X線繞射測定的繞射角2θ=15°~30°(例如,約20°附近((110)面))進行圓環積分所得到的強度分布的波峰的半高寬。
以下,一邊參照圖式一邊說明具體的實施形態。圖1係供說明基於第1實施形態的覆金屬之積層體的製造方法用的側面示意圖。 如圖1所示,第1實施形態中,係在一對加壓輥(r1 , r2 )的上游側,準備:將單面覆金屬之積層體(A)捲出的單面覆金屬之積層體捲出輥11、及將金屬賦形薄片(B)捲出的金屬賦形薄片捲出輥12。
此處,第1實施形態中,係以單面覆金屬之積層體(A)及金屬賦形薄片(B)在一對加壓輥(r1 , r2 )間成為(r1 )/(A)/(B)/(r2 )的順序的方式,配置各捲出輥。
具體而言,在一對加壓輥(r1 , r2 )的上游側,以單面覆金屬之積層體(A)的熱塑性液晶聚合物薄膜面和金屬賦形薄片(B)的賦形面接觸的方式,配置單面覆金屬之積層體捲出輥11及金屬賦形薄片捲出輥12。
如圖1所示,相對於一對加壓輥(r1 , r2 ),配置各捲出輥後,如箭頭方向所示,從各捲出輥捲出單面覆金屬之積層體(A)、及金屬賦形薄片(B),相對於一對加壓輥(r1 , r2 ),導入於由箭頭所示的MD方向(或層疊方向)上,在一對加壓輥(r1 , r2 )中予以熱壓接,形成覆金屬之積層體(D)((A)/(B))。
在一對加壓輥(r1 , r2 )中,將單面覆金屬之積層體(A)、及金屬賦形薄片(B)依此順序重疊而導入,在既定的加熱溫度下,施加壓力。本發明的製造方法中,係直接使用所準備的單面覆金屬之積層體(A)來製造,因此能夠在與金屬賦形薄片(B)的熱壓接步驟中,避免在無謂的高溫(例如,熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點以上)下進行加熱加壓。其結果,能夠抑制覆金屬之積層體的尺寸變化,同時能夠抑制因各材料的熱膨脹的差異所造成的皺摺的產生,進一步地,能夠使單面覆金屬之積層體(A)的熱塑性液晶聚合物薄膜面和金屬賦形薄片(B)的賦形面的剝離性提高。
作為加壓輥,能夠使用公知的加熱加壓裝置,例如,可舉出:金屬輥、橡膠輥、樹脂被覆金屬輥等。一對加壓輥(r1 , r2 )係彼此可以使用相同者,也可以使用不同者。例如,從提高加熱的效率的觀點來看,加壓輥(r1 )可以是金屬輥,又,加壓輥(r2 )可以與加壓輥(r1 )一樣而為金屬輥,也可以是橡膠輥或樹脂被覆金屬輥。
又,一對加壓輥(r1 , r2 )可以僅加熱其中一個,也可以雙方都加熱。在雙方都加熱的情況下,加壓輥(r1 , r2 )的各加熱溫度彼此可以相同也可以不同。例如,較佳為配設在金屬賦形薄片(B)側的加壓輥係溫度高者,在如圖1所示的第1實施形態的情況下,配設在金屬賦形薄片(B)側的加壓輥(r2 )係加熱溫度可以比加壓輥(r1 )高。在該情況下,例如,藉由金屬賦形薄片(B)所相接的加壓輥(r2 )的加熱溫度較高,能夠將熱從金屬賦形薄片(B)朝向單面覆金屬之積層體(A)的熱塑性液晶聚合物薄膜面(施加賦形處理的面)側傳遞,因此可以實現有效率地施加賦形處理,同時能夠抑制覆金屬之積層體的尺寸變化。在加壓輥(r2 )係加熱溫度比加壓輥(r1 )高的情況下,例如,加壓輥(r2 )的加熱溫度和加壓輥(r1 )的加熱溫度的溫度差可以是20~200℃,較佳可為25~150℃,更佳可為30~100℃。
又,關於熱壓接溫度、加壓輥的壓力條件,沒有特別的限制,但從使金屬賦形薄片(B)的賦形面的凹凸的轉印性提高的觀點來看,例如,相對於熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點(Tm),熱壓接溫度,例如,可以是(Tm-150)℃以上,較佳可為(Tm-130)℃以上(例如,(Tm-100)℃以上),更佳可為(Tm-110)℃以上(例如,(Tm-90)℃以上)。又,從金屬賦形薄片(B)的剝離性的提高、及抑制尺寸變化及皺摺的產生的觀點來看,可以小於(Tm)℃,較佳可為(Tm-5)℃以下,更佳可為(Tm-10)℃以下。此外,熱壓接溫度,可以是加壓輥(r1 , r2 )的加熱溫度,在一對加壓輥(r1 , r2 )的加熱溫度係彼此不同的情況下,加壓輥(r1 , r2 )的加熱溫度之中任一較高的加熱溫度可以是熱壓接溫度。 又,加壓壓力可以是16.0t/m(156.8kN/m)以下,較佳可為8.0t/m(78.4kN/m)以下的範圍內。加壓壓力的下限沒有特別的限制,可以是0.5t/m(4.9kN/m)以上。此外,加壓壓力係將賦予加壓輥的力(壓接荷重)除以通過加壓輥間的材料之中的最大寬度的值。
此外,本發明的製造方法可以根據需要而在加壓輥的下游側設置冷卻輥。冷卻輥較佳為設置在加壓輥與第1剝離輥之間。冷卻輥可以以一對輥構成,也可以以一個單獨輥構成。
本發明的製造方法中,可以進一步具備:在熱壓接步驟後,從單面覆金屬之積層體(A)的熱塑性液晶聚合物薄膜面剝離金屬賦形薄片(B)的剝離步驟。剝離步驟中,例如,可以在通過一對加壓輥(r1 , r2 )後,使用該一對加壓輥(r1 , r2 )作為剝離輥,立刻從單面覆金屬之積層體(A)剝離金屬賦形薄片(B),也可以使用與加壓輥分開配設的至少一個剝離輥,從單面覆金屬之積層體(A)剝離金屬賦形薄片(B)。
例如,在圖1所示的第1實施形態中,藉由上述熱壓接步驟所得到的覆金屬之積層體(D)((A)/(B)),係藉由通過剝離輥21、21,而在(A)/(B)間剝離,製造覆金屬之積層體(E),捲取於覆金屬之積層體捲取輥31。藉由金屬賦形薄片(B)的剝離所得到的覆金屬之積層體(E),係以金屬層/熱塑性液晶聚合物薄膜的順序積層,金屬賦形薄片(B)的賦形面的凹凸被轉印於熱塑性液晶聚合物薄膜的未接著金屬層的側的表面。即,覆金屬之積層體(E)的熱塑性液晶聚合物薄膜的未接著金屬層的側的表面粗糙度(Rz)可以是1.0~7.0μm,較佳可為1.5~5.5μm,更佳可為2.0~4.5μm。
本發明的製造方法中,只要能夠進行剝離步驟,則單面覆金屬之積層體(A)和金屬賦形薄片(B)之間的剝離強度可以適宜設定。例如,單面覆金屬之積層體(A)和金屬賦形薄片(B)之間的剝離強度較佳為0.5N/mm以下,更佳為0.2N/mm以下,再更佳為0.1N/mm以下。下限沒有特別的限制,可以是0N/mm。本發明的製造方法,在熱壓接步驟中,藉由較低溫下的加熱加壓,能夠直接在單面覆金屬之積層體(A)和金屬賦形薄片(B)的層間接著性低的狀態下施加賦形處理。
被剝離的金屬賦形薄片(B)係由金屬賦形薄片捲取輥32捲取。本發明的製造方法中,被剝離的金屬賦形薄片(B)可以根據需要而再利用。
又,圖2係供說明基於第2實施形態的覆金屬之積層體的製造方法用的側面示意圖。對於具有與圖1相同的作用的構件,給予相同的符號,省略說明。如圖2所示,第2實施形態中,係在一對加壓輥(r1 , r2 )的上游側,準備:將單面覆金屬之積層體(A)捲出的單面覆金屬之積層體捲出輥11、將金屬賦形薄片(B)捲出的金屬賦形薄片捲出輥12、及將脫模緩衝材(C)捲出的脫模緩衝材捲出輥13。
此處,第2實施形態中,係以單面覆金屬之積層體(A)、金屬賦形薄片(B)及脫模緩衝材(C)在一對加壓輥(r1 , r2 )間成為(r1 )/(C)/(A)/(B)/(r2 )的順序的方式,配置各捲出輥。
具體而言,在一對加壓輥(r1 , r2 )的上游側,以單面覆金屬之積層體(A)的熱塑性液晶聚合物薄膜面和金屬賦形薄片(B)的賦形面接觸的方式,配置單面覆金屬之積層體捲出輥11及金屬賦形薄片捲出輥12,進一步地,以單面覆金屬之積層體(A)的金屬層面和脫模緩衝材(C)接觸的方式,配置脫模緩衝材捲出輥13。
如圖2所示,相對於一對加壓輥(r1 , r2 ),配置各捲出輥後,如箭頭方向所示,從各捲出輥捲出單面覆金屬之積層體(A)、金屬賦形薄片(B)、及脫模緩衝材(C),相對於一對加壓輥(r1 , r2 ),導入於由箭頭所示的MD方向(或層疊方向)上,在一對加壓輥(r1 , r2 )中予以熱壓接,形成覆金屬之積層體(F)((C)/(A)/(B))。
如圖2所示,在第2實施形態中,由於使用脫模緩衝材(C),因此能夠藉由其緩衝性使來自一對加壓輥(r1 , r2 )的壓力分散,能夠使金屬賦形薄片(B)的賦形面的凹凸形狀對熱塑性液晶聚合物薄膜的轉印性提高。再者,由於將脫模緩衝材(C)重疊在單面覆金屬之積層體(A)的金屬層側,因此脫模緩衝材(C)也發揮將來自加壓輥(r1 )的熱加以隔熱的作用,能夠抑制熱無謂地傳遞至熱塑性液晶聚合物薄膜的金屬層側的表面,能夠抑制尺寸變化。特別是,在加壓輥(r1 , r2 )的加熱溫度高的情況、或加壓壓力低的情況、加壓時間短的情況下,施加的壓力容易發生不均,因此藉由使用脫模緩衝材(C)來使壓力的均勻性提高的效果高。
本發明的製造方法中,可以藉由至少一個剝離輥,從由熱壓接步驟所得到的覆金屬之積層體(具備單面覆金屬之積層體(A)和金屬賦形薄片(B)的覆金屬之積層體、或單面覆金屬之積層體(A)的熱塑性液晶聚合物薄膜面被賦形處理的覆金屬之積層體的具備脫模緩衝材(C)的覆金屬之積層體)剝離脫模緩衝材(C)。例如,可以在通過一對加壓輥(r1 , r2 )後,使用該一對加壓輥(r1 , r2 )作為剝離輥,立刻從覆金屬之積層體剝離脫模緩衝材(C),也可以使用與加壓輥分開配設的至少一個剝離輥,從覆金屬之積層體剝離脫模緩衝材(C)。
在本發明的製造方法中,金屬賦形薄片(B)的剝離、及脫模緩衝材(C)的剝離順序能夠根據覆金屬之積層體的態樣適宜設定。
例如,在圖2所示的第2實施形態中,由上述熱壓接步驟所得到的覆金屬之積層體(F)((C)/(A)/(B)),係藉由通過第1剝離輥21、21來在(C)/(A)間剝離,而製造覆金屬之積層體(D)。藉由脫模緩衝材(C)的剝離所得到的覆金屬之積層體(D),係以單面覆金屬之積層體(A)的金屬層/單面覆金屬之積層體(A)的熱塑性液晶聚合物薄膜/金屬賦形薄片(B)的順序積層。
本發明的製造方法中,只要能夠進行剝離步驟,則脫模緩衝材(C)和單面覆金屬之積層體(A)或金屬賦形薄片(B)之間的剝離強度可以適宜設定。
例如,脫模緩衝材(C)和單面覆金屬之積層體(A)或金屬賦形薄片(B)之間的剝離強度較佳為0.1N/mm以下,更佳為0.05N/mm以下,再更佳為0.03N/mm以下。下限沒有特別的限制,可以是0N/mm。
被剝離的脫模緩衝材(C)係由脫模緩衝材捲取輥33捲取。本發明的製造方法中,被剝離的脫模緩衝材(C)能夠根據需要而再利用。
剝離了脫模緩衝材(C)的覆金屬之積層體(D),係藉由通過第2剝離輥22、22來在(A)/(B)間剝離,而製造覆金屬之積層體(E),捲取於覆金屬之積層體捲取輥31。
又,圖3係供說明基於第3實施形態的覆金屬之積層體的製造方法用的側面示意圖。如圖3所示,第3實施形態中,係以單面覆金屬之積層體(A)、金屬賦形薄片(B)及脫模緩衝材(C)在一對加壓輥(r1 , r2 )間成為(r1 )/(C)/(A)/(B)/(C)/(r2 )的順序的方式,配置各捲出輥。此處,對於具有與圖2相同的作用的構件,給予相同的符號,省略說明。
在圖3所示的第3實施形態中,以在一對加壓輥(r1 , r2 )間成為(C)/(A)/(B)/(C)的方式所重疊的覆金屬之積層體(F),係在(C)/(A)間及(B)/(C)間剝離脫模緩衝材(C),而製造覆金屬之積層體(D),之後,從覆金屬之積層體(D)剝離金屬賦形薄片(B),而製造覆金屬之積層體(E)。
又,在圖3所示的第3實施形態中,一對加壓輥(r1 , r2 )的各加熱溫度彼此可以相同也可以不同,例如,與第1實施形態同樣地,金屬賦形薄片(B)側的加壓輥(r2 )係加熱溫度可以比加壓輥(r1 )高。藉由與和金屬賦形薄片(B)鄰接的脫模緩衝材(C)相接的加壓輥(r2 )的加熱溫度較高,能夠有效率地將熱從金屬賦形薄片(B)朝向單面覆金屬之積層體(A)的熱塑性液晶聚合物薄膜面(施加賦形處理的面)側傳遞。
又,圖4係供說明基於第4實施形態的覆金屬之積層體的製造方法用的側面示意圖。如圖4所示,第4實施形態中,係以單面覆金屬之積層體(A)、金屬賦形薄片(B)及脫模緩衝材(C)在一對加壓輥(r1 , r2 )間成為(r1 )/(B)/(A)/(C)/(A)/ (B)/(r2 )的順序的方式,配置各捲出輥。此處,對於具有與圖2相同的作用的構件,給予相同的符號,省略說明。
在圖4所示的第4實施形態中,以在一對加壓輥(r1 , r2 )間成為(B)/(A)/(C)/(A)/(B)的方式所重疊的覆金屬之積層體(F),係剝離脫模緩衝材(C),而製造2個覆金屬之積層體(D),之後,從覆金屬之積層體(D)剝離金屬賦形薄片(B),而製造2個覆金屬之積層體(E)。
在圖4所示的第4實施形態中,能夠製造複數個覆金屬之積層體,生產效率佳。2個覆金屬之積層體(D)彼此可以相同也可以不同。同樣地,2個覆金屬之積層體(E)亦彼此可以相同也可以不同。
在圖4所示的第4實施形態中,脫模緩衝材(C)係在兩面上,與單面覆金屬之積層體(A)重疊,因此較佳為在兩面配設脫模層。
又,在圖4所示的第4實施形態中,在得到相同的覆金屬之積層體的情況下,從在熱壓接步驟抑制因熱膨脹的差異所造成的皺摺的產生的觀點來看,一對加壓輥(r1 , r2 )可以相同,加熱溫度可以相同。
再者,圖5係供說明基於第5實施形態的覆金屬之積層體的製造方法用的側面示意圖。如圖5所示,第5實施形態中,係以單面覆金屬之積層體(A)、金屬賦形薄片(B)及脫模緩衝材(C)在一對加壓輥(r1 , r2 )間成為(r1 )/(C)/(B)/(A)/(A)/(B) /(C)/(r2 )的順序的方式,配置各捲出輥。此處,對於具有與圖2相同的作用的構件,給予相同的符號,省略說明。
在圖5所示的第5實施形態中,以在一對加壓輥(r1 , r2 )間成為(C)/(B)/(A)/(A)/(B)/(C)的方式所重疊的覆金屬之積層體(F),係剝離脫模緩衝材(C),而製造2個覆金屬之積層體(D),之後,從覆金屬之積層體(D)剝離金屬賦形薄片(B),而製造2個覆金屬之積層體(E)。
在圖5所示的第5實施形態中,能夠製造複數個覆金屬之積層體,生產效率佳。2個覆金屬之積層體(D)彼此可以相同也可以不同。同樣地,2個覆金屬之積層體(E)亦彼此可以相同也可以不同。
再者,圖6係供說明基於第6實施形態的覆金屬之積層體的製造方法用的側面示意圖。如圖6所示,第6實施形態中,係以單面覆金屬之積層體(A)、金屬賦形薄片(B)及脫模緩衝材(C)在一對加壓輥(r1 , r2 )間成為(r1 )/(C)/(A)/(B)/(B)/ (A)/(C)/(r2 )的順序的方式,配置各捲出輥。此處,對於具有與圖2相同的作用的構件,給予相同的符號,省略說明。
在圖6所示的第6實施形態中,以在一對加壓輥(r1 , r2 )間成為(C)/(A)/(B)/(B)/(A)/(C)的方式所重疊的覆金屬之積層體(F),係剝離脫模緩衝材(C),而製造2個覆金屬之積層體(D),之後,從覆金屬之積層體(D)剝離金屬賦形薄片(B),而製造2個覆金屬之積層體(E)。
在圖6所示的第6實施形態中,能夠製造複數個覆金屬之積層體,生產效率佳。2個覆金屬之積層體(D)彼此可以相同也可以不同。同樣地,2個覆金屬之積層體(E)亦彼此可以相同也可以不同。 [實施例]
以下,藉由實施例更詳細地說明本發明,但本實施例對本發明不構成任何限定。此外,在以下的實施例及比較例中,藉由下述的方法評價剝離性、及翹曲。
[剝離強度] 在實施例1及2中,分別得到在熱壓接後、剝離聚醯亞胺薄膜(C)及金屬賦形薄片(B)前的覆金屬之積層體,從該覆金屬之積層體製作3mm寬的剝離試驗片,根據JIS C 6471,藉由90°法,以50mm/min的速度,測定分別在單面覆金屬之積層體(E)與金屬賦形薄片(B)的界面、及單面覆金屬之積層體(E)與聚醯亞胺薄膜(C)的界面進行剝離時的強度(N/mm)。
[剝離性評價] 連續地將單面覆金屬之積層體與金屬賦形薄片間進行剝離,將在長度20m以上中,觀察不到皺摺、變形、剝離不良、材料破壞者評價為A,將觀察到者評價為B。
[翹曲測定] 由單面覆金屬之積層體採取寬度250mm、長度250mm的樣品,將樣品置於水平的桌台上,以刻度尺測定樣品的4個角落之中自桌台浮得最高的部分的高度,將其作為翹曲。將翹曲小於5mm者評價為A,將確認有5mm以上的翹曲者評價為B。
(製造例1) 在熱塑性液晶聚合物薄膜(Kuraray股份有限公司製「Bextor」(註冊商標),熔點310℃,厚度50μm)的單面,重疊銅箔(福田金屬箔粉工業股份有限公司製,「CF-H9A-DS-HD2」,厚度12μm),使用直徑為300mm的金屬輥,將金屬輥的表面溫度設定為260℃,將加壓壓力設定為8t/m,以速度3.0m/min使其通過而進行熱壓接,製作熱塑性液晶聚合物薄膜/銅箔的構成的單面覆金屬之積層體(A)。
(實施例1) 以捲出輥的形式,分別準備:在製造例1所得到的單面覆金屬之積層體(A)、作為金屬賦形薄片(B)的電解銅箔(JX金屬股份有限公司製「JX-EFL-V2」,厚度12μm,賦形面的表面粗糙度(Rz)2.0μm)、及作為保護材(C)的聚醯亞胺薄膜(Kaneka股份有限公司製「Apical NPI」,厚度75μm),以在一對加壓輥(r1 , r2 )間成為r1 /C/A/B/r2 的順序的方式導入。分別使用直徑為300mm的金屬輥作為一對加壓輥(r1 , r2 ),將金屬輥的表面溫度設定為200℃,將加壓壓力設定為8t/m,以速度3.0m/min使其通過一對加壓輥(r1 , r2 )而進行熱壓接。
熱壓接後,如圖2所示,通過一對加壓輥(r1 , r2 )後,使用一對剝離輥(21)來將聚醯亞胺薄膜(C)分離,然後藉由一對剝離輥(22)來將單面覆金屬之積層體(E)和金屬賦形薄片(B)分離,得到金屬賦形薄片(B)的表面形狀被轉印於熱塑性液晶聚合物薄膜面的單面覆金屬之積層體(E)。將金屬賦形薄片(B)的剝離性、及所得到的單面覆金屬之積層體(E)的翹曲測定結果顯示於表7。單面覆金屬之積層體(E)和金屬賦形薄片(B)之間的剝離強度為0.05N/mm以下。又,單面覆金屬之積層體(E)和聚醯亞胺薄膜(C)之間的剝離強度,係完全沒有接著而無法測定。
(實施例2) 除了將金屬輥的表面溫度設定為240℃外,與實施例1同樣地製作單面覆金屬之積層體(E)。將金屬賦形薄片(B)的剝離性、及所得到的單面覆金屬之積層體(E)的翹曲測定結果顯示於表7。單面覆金屬之積層體(E)和金屬賦形薄片(B)之間的剝離強度為0.08N/mm以下。又,單面覆金屬之積層體(E)和聚醯亞胺薄膜(C)之間的剝離強度,係完全沒有接著而無法測定。
(比較例1) 若除了使用熱塑性液晶聚合物薄膜(L)(Kuraray股份有限公司製「Bextor」(註冊商標),熔點310℃,厚度50μm)和銅箔(M)(福田金屬箔粉工業股份有限公司製「CF-H9A-DS-HD2」,厚度12μm),來取代單面覆金屬之積層體(A)外,與實施例1同樣地,和金屬賦形薄片(B)及保護材(C)一起,以在一對加壓輥(r1 , r2 )間成為r1 /C/M/L/B/r2 的順序的方式導入,製作單面覆金屬之積層體(E),則認為熱塑性液晶聚合物薄膜(L)和銅箔(M)間的剝離強度低,在剝離金屬賦形薄片(B)之際,連在熱塑性液晶聚合物薄膜(L)和銅箔(M)間也會局部地發生剝離。
(比較例2) 若除了將金屬輥的表面溫度設定為320℃外,與比較例1同樣地製作單面覆金屬之積層體(E),則認為雖然熱塑性液晶聚合物薄膜(L)和銅箔(M)間的剝離強度充分變高,但熱塑性液晶聚合物薄膜(L)和金屬賦形薄片(B)之間的剝離強度也變高,因此在剝離熱塑性液晶聚合物薄膜(L)和金屬賦形薄片(B)之際,連續地發生皺摺、變形、剝離不良、及薄膜的材料破壞中的任一者,又,認為有翹曲也變大的傾向。
[表7]
  輥表面溫度[℃] 剝離性 翹曲[mm]
實施例1 200 A A(0)
實施例2 240 A A(1.5)
如表7所示,在實施例1及2方面,由於預先製造單面覆金屬之積層體(A),因此能夠將金屬輥表面溫度設定為較低的溫度,藉此,單面覆金屬之積層體與金屬賦形薄片間不會牢固地緊貼著,又,熱塑性液晶聚合物薄膜的分子配向也不會變化,剝離性、翹曲皆為良好的結果。 [產業上利用之可能性]
若根據本發明的製造方法的話,則能夠效率佳地製造經賦形處理的覆金屬之積層體,所得到的覆金屬之積層體,由於轉印有凹凸,因此與接合薄片的層間接著性優異,電路加工性良好。因此,所得到的覆金屬之積層體能夠有效地用作在電氣.電子領域、或事務機器.精密機器領域、功率半導體領域等中所使用的零件,例如,電路基板(特別是毫米波雷達用基板)。
如上所述,一邊參照圖式,一邊說明了本發明的合適的實施形態,但若為該業者的話,則看了本件說明書,便可以在顯而易見的範圍內輕易推測出各種變更及修正。由此,這樣的變更及修正係解釋為由申請專利範圍所決定的發明的範圍內者。
11:單面覆金屬之積層體捲出輥 12:金屬賦形薄片捲出輥 13:脫模緩衝材捲出輥 21,22:剝離輥 31:覆金屬之積層體捲取輥 32:金屬賦形薄片捲取輥 33:脫模緩衝材捲取輥 r1 ,r2 :加壓輥 A:單面覆金屬之積層體 B:金屬賦形薄片 C:脫模緩衝材 D,E,F:覆金屬之積層體
此發明可以由參考添附圖式的以下的合適實施形態的說明而更加清楚地理解。然而,實施形態及圖式係僅僅用於圖示及說明者,不該被用來決定此發明的範圍。此發明的範圍係由添附的申請專利範圍決定。圖式未必是以一定的比例尺表示,在表現出本發明的原理上進行了誇大。 圖1係供說明基於本發明的第1實施形態的覆金屬之積層體的製造方法用的側面示意圖。 圖2係供說明基於本發明的第2實施形態的覆金屬之積層體的製造方法用的側面示意圖。 圖3係供說明基於本發明的第3實施形態的覆金屬之積層體的製造方法用的側面示意圖。 圖4係供說明基於本發明的第4實施形態的覆金屬之積層體的製造方法用的側面示意圖。 圖5係供說明基於本發明的第5實施形態的覆金屬之積層體的製造方法用的側面示意圖。 圖6係供說明基於本發明的第6實施形態的覆金屬之積層體的製造方法用的側面示意圖。
11:單面覆金屬之積層體捲出輥
12:金屬賦形薄片捲出輥
21:剝離輥
31:覆金屬之積層體捲取輥
32:金屬賦形薄片捲取輥
r1,r2:加壓輥
A:單面覆金屬之積層體
B:金屬賦形薄片
D,E:覆金屬之積層體

Claims (16)

  1. 一種覆金屬之積層體的製造方法,其至少具備: 準備在熱塑性液晶聚合物薄膜的一面接著金屬層的長條狀的單面覆金屬之積層體(A)、及至少一表面為賦形面的長條狀的金屬賦形薄片(B)的步驟;和 以該單面覆金屬之積層體(A)的熱塑性液晶聚合物薄膜面和該金屬賦形薄片(B)的賦形面接觸的方式配置,朝向一對加壓輥(r1 , r2 )導入的熱壓接步驟。
  2. 如請求項1的覆金屬之積層體的製造方法,其進一步具備: 在熱壓接步驟後,從該單面覆金屬之積層體(A)的熱塑性液晶聚合物薄膜面剝離該金屬賦形薄片(B)的剝離步驟。
  3. 如請求項1或2的覆金屬之積層體的製造方法,其中在以該熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點(Tm)而言的情況下,熱壓接溫度為(Tm-150)℃以上且小於(Tm)℃。
  4. 如請求項1至3中任一項的覆金屬之積層體的製造方法,其中該單面覆金屬之積層體(A)和該金屬賦形薄片(B)的剝離強度為0.5N/mm以下。
  5. 如請求項1至4中任一項的覆金屬之積層體的製造方法,其中該金屬賦形薄片(B)的賦形面的表面粗糙度(Rz)為1.0~7.0μm。
  6. 如請求項1至5中任一項的覆金屬之積層體的製造方法,其中, 在準備步驟中,進一步準備長條狀的脫模緩衝材(C), 在熱壓接步驟中,在該單面覆金屬之積層體(A)及該金屬賦形薄片(B)的未接觸側中的至少一側配置該脫模緩衝材(C),朝向一對加壓輥(r1 , r2 )導入。
  7. 如請求項6的覆金屬之積層體的製造方法,其中該脫模緩衝材(C)和該單面覆金屬之積層體(A)或該金屬賦形薄片(B)的剝離強度為0.1N/mm以下。
  8. 如請求項6或7的覆金屬之積層體的製造方法,其中該脫模緩衝材(C)係從包含耐熱性樹脂薄膜、耐熱性複合薄膜、耐熱性不織布、及至少一面具備脫模層的金屬箔的群組選出。
  9. 如請求項6至8中任一項的覆金屬之積層體的製造方法,其中該脫模緩衝材(C)的至少一面的表面粗糙度(Rz)為2.0μm以下。
  10. 如請求項6至9中任一項的覆金屬之積層體的製造方法,其中在該熱壓接步驟中,以成為(r1 )/(C)/(A)/(B)/(r2 )的順序的方式,將單面覆金屬之積層體(A)、金屬賦形薄片(B)及脫模緩衝材(C)重疊而導入於一對加壓輥(r1 , r2 )之間。
  11. 如請求項10的覆金屬之積層體的製造方法,其中在該熱壓接步驟中,加壓輥(r2 )係加熱溫度比加壓輥(r1 )高。
  12. 如請求項1至11中任一項的覆金屬之積層體的製造方法,其中分別準備複數個長條狀的單面覆金屬之積層體(A)及長條狀的金屬賦形薄片(B),製造複數個覆金屬之積層體。
  13. 如依附於請求項6至9中任一項的情況下的請求項11的覆金屬之積層體的製造方法,其中在該熱壓接步驟中,將脫模緩衝材(C)重疊而導入於複數組的包含單面覆金屬之積層體(A)及金屬賦形薄片(B)的積層體之間。
  14. 如請求項13的覆金屬之積層體的製造方法,其中在該熱壓接步驟中,以成為(r1 )/(B)/(A)/(C)/(A)/(B)/(r2 )的順序的方式,將單面覆金屬之積層體(A)、金屬賦形薄片(B)及脫模緩衝材(C)重疊而導入於一對加壓輥(r1 , r2 )之間。
  15. 如依附於請求項6至9中任一項的情況下的請求項11或請求項12的覆金屬之積層體的製造方法,其中在該熱壓接步驟中,以與一對加壓輥(r1 , r2 )中的至少一個加壓輥相接的方式,將脫模緩衝材(C)重疊而導入。
  16. 如請求項15的覆金屬之積層體的製造方法,其中在該熱壓接步驟中,以成為(r1 )/(C)/(B)/(A)/(A)/(B)/ (C)/(r2 )、或者是(r1 )/(C)/(A)/(B)/(B)/(A)/(C)/(r2 )的順序的方式,將單面覆金屬之積層體(A)、金屬賦形薄片(B)及脫模緩衝材(C)重疊而導入於一對加壓輥(r1 , r2 )之間。
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