[go: up one dir, main page]

TW202106116A - 控制極紫外光源中的轉換效率 - Google Patents

控制極紫外光源中的轉換效率 Download PDF

Info

Publication number
TW202106116A
TW202106116A TW109110091A TW109110091A TW202106116A TW 202106116 A TW202106116 A TW 202106116A TW 109110091 A TW109110091 A TW 109110091A TW 109110091 A TW109110091 A TW 109110091A TW 202106116 A TW202106116 A TW 202106116A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
target
initial
light source
shape
euv light
Prior art date
Application number
TW109110091A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI892982B (zh
Inventor
王海寧
席爾多斯 威爾漢默斯 爵森
羅伯特 傑 拉法斯
亞歷山大 安東尼 夏夫根斯
迪特瑪 烏韋 赫伯特 翠斯
丹尼爾 約翰 威廉 布朗
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW202106116A publication Critical patent/TW202106116A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI892982B publication Critical patent/TWI892982B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
    • H05G2/0082—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation the energy-carrying beam being a laser beam
    • H05G2/0088—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation the energy-carrying beam being a laser beam for preconditioning the plasma generating material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
    • H05G2/0082—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation the energy-carrying beam being a laser beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/002—Supply of the plasma generating material
    • H05G2/0023—Constructional details of the ejection system
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
    • H05G2/0035—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state the material containing metals as principal radiation-generating components

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

一種極紫外(EUV)光源，其包括：一真空容器；一目標材料供應系統，其將目標供應至該真空容器之一內部，該等目標包括一初始目標區處之具有一初始形狀的一第一目標；一第一光學源，其經組態以將一第一光束提供至一第一目標區，該第一光束經組態以修改該初始目標之該初始形狀；及一第二光學源，其經組態以將一第二光束提供至一第二目標區，該第二目標區經組態以接收該經修改目標，該第二光束經組態以將該經修改目標中之目標材料中的一些轉換成發射EUV光之一電漿。該第一目標之該初始形狀受控制以藉此控制根據該第二光束與該經修改目標之間的相互作用而產生的電漿之一量。

Description

控制極紫外光源中的轉換效率
本發明係關於控制極紫外(EUV)光源中之轉換效率(CE)。
極紫外(「EUV」)光，例如具有為100奈米(nanometer; nm)或更小(有時亦被稱作軟x射線)之波長且包括處於例如20 nm或更小、介於5 nm與20 nm之間或介於13 nm與14 nm之間的波長的光之電磁輻射可用於光微影程序中，以藉由在抗蝕劑層中起始聚合而在基板(例如矽晶圓)中產生極小特徵。
用以產生EUV光之方法包括但未必限於：當在電漿狀態中時運用在EUV範圍內之發射譜線來轉換包括例如氙、鋰或錫之元素之材料。在常常被稱為雷射產生電漿(「LPP」)之一個此類方法中，可藉由運用可被稱作驅動雷射之經放大光束來輻照例如呈材料小滴、板、帶、串流或叢集之形式的目標材料而產生所需電漿。對於此程序，通常在例如真空腔室之密封容器中產生電漿，且使用各種類型之度量衡設備來監測電漿。
在一個態樣中，一種極紫外(EUV)光源包括：一真空容器；一目標材料供應系統，其經組態以將目標供應至該真空容器之一內部，該等目標包括至少一第一目標，該第一目標在該真空容器中之一初始目標區處具有一初始形狀；一第一光學源，其經組態以將一第一光束提供至該真空容器中之一第一目標區，該第一光束經組態以修改該初始目標之該初始形狀以形成一經修改目標；及一第二光學源，其經組態以將一第二光束提供至該真空容器中之一第二目標區，該第二目標區經組態以接收該經修改目標，該第二光束經組態以與該經修改目標相互作用且將該經修改目標中之目標材料中的至少一些轉換成發射EUV光之一電漿。該第一目標之該初始形狀受控制以藉此控制根據該第二光束與該經修改目標之間的該相互作用而產生的電漿之一量。
實施方案可包括以下特徵中之一或多者。該目標材料可包括一熔融金屬，且該供應系統可包括：一儲集器，其經組態以固持該目標材料；一噴嘴，其經組態以流體地耦接至該儲集器且將該等目標發射至該真空容器之該內部中；及一致動器，其機械地連接至該噴嘴。該初始目標區處之該第一目標之該初始形狀可藉由致使該致動器以多於一個頻率使該噴嘴振動來控制。該第一目標與一第二目標之間的一間距可藉由調整施加至該儲集器中之該目標材料之一壓力來控制，且該第二目標可在該第一目標之前由該目標供應系統供應。該第一目標之該初始形狀可基於該第一目標與一第二目標之間的該受控間距。
在一些實施中，該EUV光源亦包括經組態以將一第三光束提供至一第三目標區之一第三光學源。在此等實施中，該第三目標區經組態以接收該第一目標，且該初始目標區處之該第一目標之該初始形狀係藉由使該第一目標與該第三光束相互作用而控制。該第三目標區可能比該第一目標區及該第二目標區更接近該目標材料供應系統。
該初始目標區處之該第一目標之該初始形狀可為熔融金屬之一扁圓球，該扁圓球具有沿著一第一方向之一第一範圍及沿著垂直於該第一方向之一第二方向之一第二範圍，且該第一範圍對該第二範圍之比率係可介於0.6與0.8之間。
該初始目標區處之該第一目標之該初始形狀可為熔融金屬之一扁圓球，該扁圓球具有沿著一第一方向之一第一範圍及沿著垂直於該第一方向之一第二方向之一第二範圍，且該第一範圍對該第二範圍之比率係可介於0.75與0.9之間。
該初始目標區處之該第一目標之該初始形狀可為熔融金屬之一扁圓球，該扁圓球具有沿著一第一方向之一第一範圍及沿著垂直於該第一方向之一第二方向之一第二範圍，且該第一範圍對該第二範圍之比率係可約為0.8。
該經修改目標可具有藉由該初始目標區處之該第一目標之該初始形狀判定之一形態，該形態描述在三維中該目標之一形狀及/或一目標材料密度。該經修改目標可包括在該三維中之一者中的一側向範圍，該側向範圍可取決於該第一目標區與該第二目標區之間的一距離。
該第一目標材料小滴之該初始形狀受控制以藉此控制根據該第二光束與該經修改目標之間的該相互作用而產生之電漿之一量可包括：該第一目標材料之該初始形狀受控制以藉此控制該EUV光源之一轉換效率(CE)，該CE為供應至該經修改目標之能量對作為EUV光自該電漿發射之能量的一比率。
該初始目標區可介於該目標材料供應系統與該第一目標區之間。
在另一通用態樣中，一種控制一極紫外(EUV)光源中之轉換效率(CE)之方法包括：藉由控制該EUV光源之一組件來判定一初始目標之一初始形狀；致使一預脈衝光束與該初始目標相互作用以形成一經修改目標；及致使一主光學脈衝與該經修改目標相互作用以產生發射EUV光之一電漿。該經修改目標與該主光學脈衝之間的該相互作用係與一轉換效率(CE)相關聯，該CE為供應至該經修改目標之能量對作為EUV光自該電漿發射之能量的一比率，且該CE係基於該初始目標之該經判定初始形狀而控制。
實施方案可包括以下特徵中之一或多者。該EUV光源之該組件可包括作為一目標材料供應系統之一部分的一儲集器，且判定該初始目標之該初始形狀可包括在由該目標供應系統產生該初始目標之前控制該儲集器中之熔融目標材料上的一壓力量。控制該儲集器中之該熔融目標材料上的該壓力量可控制該初始目標與另一目標之間的一間距，且該初始目標之該初始形狀可基於該間距。
該EUV光源之該組件可為耦接至一目標材料供應系統之一毛細管之一致動器，且判定該初始目標之該初始形狀可包括控制該致動器使得該致動器以多於一個頻率使該管振動。控制該致動器使得該致動器以多於一個頻率使該管振動可自一目標材料射流產生一聚結目標串流，且該方法亦可包括調整該多於一個頻率中之一者使得該等聚結目標中之兩者合併成一合併目標，且該初始目標係該合併目標。
該EUV光源之該組件可包括經組態以供應該初始目標及至少一第二目標之一目標材料供應系統，且判定該初始目標之該初始形狀可包括控制該目標材料供應系統使得調整該初始目標與該第二目標之間的一間距，該第二目標在該初始目標之前由該目標供應系統供應。
該EUV光源之該組件可包括經組態以提供一初始光束之一初始光源，且判定該初始目標之該初始形狀可包括控制該初始光源使得該初始光束與該初始目標相互作用，且該初始目標之該初始形狀可藉由使該初始目標與該初始光束相互作用而至少部分地判定。
上文所描述之技術中之任一者的實施可包括EUV光源、系統、方法、程序、器件或裝置。以下隨附圖式及描述中闡述一或多個實施之細節。其他特徵將自描述及圖式及自申請專利範圍而顯而易見。
參看圖1，展示極紫外(EUV)光源100之方塊圖。該EUV光源100為EUV微影系統101之一部分，該EUV微影系統101包括輸出裝置199 (諸如微影裝置)，該輸出裝置199接收由EUV光源100產生之曝光光束198。目標串流121係由目標供應系統110產生且朝向目標區124_2行進。串流121中之每一目標皆包括在電漿狀態中發射EUV光的目標材料。揭示了用於藉由控制初始目標形狀來控制光源100之轉換效率(CE)之技術。初始目標形狀為在與光脈衝104_2 (其亦被稱作預脈衝)相互作用之前的串流121中之目標之形狀。
在圖1中所展示之實例中，初始目標121p (其為串流121中之目標中之一者)係在目標區124_2中。光脈衝104_2與初始目標121p相互作用以形成經修改目標121m。舉例而言，經修改目標121m可為與目標121p相比在x-y平面中具有更大範圍且與初始目標121p相比沿著z軸具有更小範圍的目標材料之圓盤形分佈。經修改目標121m可為在三維中與初始目標121p相比具有更大體積的粒子雲狀物或霧狀物。經修改目標121m與光脈衝104_1 (亦被稱作主脈衝)相互作用以形成發射光197 (其包括EUV光193)之電漿196。經修改目標121m具有判定或影響經修改目標121m中之多少目標材料轉換成電漿196的形態或形態特性。轉換效率(CE)為由光脈衝104_1供應至經修改目標121m之能量對作為EUV光193自電漿196發射的能量之量之比率。因為經修改目標121m之形態影響轉換成電漿196之目標材料之量，所以經修改目標121m之形態影響所產生之EUV光193之量且因此亦影響CE。
EUV光源100包括控制系統150，該控制系統控制初始目標形狀以藉此控制經修改目標121m之形態且因此控制CE。在以下論述中，最終目標為用於產生電漿196之目標。在圖1之實例中，經修改目標121m為最終目標。最終目標之形態描述例如在至少一個維度中最終目標中之目標材料的空間配置或形狀及/或最終目標中之目標材料的密度。在一些實施中，最終目標之形態描述最終目標在三維中之密度。
初始目標121p為串流121中的在目標區124_2中但尚未與光脈衝104_2相互作用的目標。初始目標之形狀亦被稱為初始目標形狀。初始目標121p在真空腔室中所處之部位可被稱作初始目標區。在圖1之實例中，初始目標121p之形狀為初始目標形狀，且初始目標區為初始目標121p恰好在與光脈衝104_2相互作用之前的區。串流121中之各種目標可具有不同的形狀。舉例而言，串流121中之一些目標可為大體上球形小滴且初始目標121p可具有非球形形狀。因此，即使串流121中之一些目標為球形小滴，初始目標形狀亦可能為非球形。
控制系統150藉由控制初始目標形狀來控制最終目標之形態。控制系統150藉由例如以下操作來控制初始目標形狀：調整施加至儲集器118中之目標材料之壓力p；控制機械地耦接至目標供應系統110之調變器132振動之頻率以藉此在串流121中之個別目標之間引入相對運動，使得該等目標在到達目標區124_2之前合併以形成具有特定形狀之較大目標；及/或使初始目標與第三光脈衝(諸如圖2之光脈衝204_3)相互作用。在更詳細地論述此等各種技術之前提供對EUV光源100之綜述。
串流121中之目標彼此空間上分離且彼此空間上相異。在光源100之預期操作條件下，串流121中之目標一次一個地進入目標區124_2。目標區124_2亦接收光脈衝104_2。光脈衝104_2與初始目標121p之間的相互作用形成經修改目標121m。光脈衝104_2與初始目標121p之間的相互作用可增強經修改目標121m吸收光脈衝104_1的能力。舉例而言，光脈衝104_2與初始目標121p之間的相互作用可改變目標材料之分佈之形狀、體積及/或大小及/或可縮減目標材料沿著主脈衝104_1之傳播方向之密度梯度。空間特性之改變亦可造成實體特性改變。舉例而言，若經修改目標121m在至少一個維度中大於初始目標121p，則目標材料在彼維度中散開，且在彼維度中目標材料之密度與初始目標121p沿著同一維度之密度相比較低。
目標區124_2係介於目標供應系統110與目標區124_1之間。經修改目標121m大體上沿著x方向漂移至目標區124_1且由光脈衝104_1輻照。經修改目標121m與光脈衝104_1之間的相互作用將經修改目標121m中之目標材料中的至少一些轉換成發射光197之電漿196。經由經修改目標121m與光束104_1之間的相互作用產生電漿196被稱作電漿產生事件。
光197包括具有對應於目標材料之發射譜線之波長的EUV光193。EUV範圍可包括具有例如5奈米(nm)、5 nm至20 nm、10 nm至120 nm或小於50 nm之波長的光。光197亦可包括不在EUV範圍內之波長。處於不在EUV範圍內之波長的光被稱作帶外光。舉例而言，目標材料可包括錫。在此等實施中，光197包括EUV光且亦包括帶外光，諸如深紫外(DUV)光、可見光、近紅外(NIR)光、中間波長紅外(MWIR)光，及/或長波長紅外(LWIR)光。DUV光可包括具有在約120 nm至300 nm之間的波長的光，可見光可包括具有在約390 nm至750 nm之間的波長的光，NIR光可包括具有在約750 nm至2500 nm之間的波長的光，MWIR光可具有在約3000 nm至5000 nm之間的波長的光，且LWIR光可具有在約8000 nm至12000 nm之間的波長的光。
EUV光源100包括真空腔室109中之光學元件113。光學元件113經定位成收集光193中的至少一些以形成曝光光束198。光學元件113可為例如具有面向目標區124_1之反射表面116的彎曲鏡面。光學元件113亦可包括允許光脈衝(諸如光脈衝104_1)到達目標區124_1的孔隙(圖中未繪示)。反射表面116接收及反射光193中之至少一些以形成曝光光束198。反射表面116具有塗層或其他光學機構使得光學元件113反射在EUV範圍內之波長但不反射光197之帶外分量，或僅反射光197之標稱量的帶外分量。以此方式，曝光光束198主要包括EUV光且包括很少或不包括帶外光。微影裝置199使用EUV曝光光束198以曝光基板195 (例如矽晶圓)，以藉此在基板195上形成電子特徵。
光脈衝104_1為作為光束106_1之一部分的單一光脈衝。光束106_1為一脈衝列，該等脈衝中之每一者在時間上與鄰近脈衝分離。脈衝104_1具有有限時距，被稱作脈衝持續時間。脈衝持續時間可為在此期間光脈衝104_1具有非零光功率的總時間。其他度量可用以描述脈衝持續時間。舉例而言，脈衝持續時間可小於期間光脈衝104_1具有非零功率的時間，諸如脈衝104_1之半高全寬(FWHM)。光束106_1係由光學源108_1形成且由光束遞送系統105_1遞送至目標區124_1。
光脈衝104_2為光束106_2中之單一光脈衝，其包括在時間上分離的脈衝列。光脈衝104_2具有有限時距。光脈衝104_2係由光學源108_2形成、沿著光束路徑107_2傳播，且經由光束遞送系統105_2遞送至目標區124_2。
光學源108_1及108_2為光學系統或光產生模組108之部分。舉例而言，光學源108_1及108_2可為兩個雷射。舉例而言，光學源108_1、108_2可為兩個二氧化碳(CO2 )雷射。在其他實施中，光學源108_1、108_2可為不同類型之雷射。舉例而言，光學源108_2可為固態雷射，且光學源108_1可為CO2 雷射。第一光束106_1及第二光束106_2可具有不同波長。舉例而言，在光學源108_1、108_2包括兩個CO2 雷射之實施中，第一光束106_1之波長可為約10.26微米(µm)且第二光束106_2之波長可介於10.18 µm與10.26 µm之間。第二光束106_2之波長可為約10.59 µm。在此等實施中，自CO2 雷射之不同線產生光束106_1、106_2，從而導致該等光束106_1、106_2具有不同波長，儘管兩個光束皆自同一類型之源產生。
光脈衝104_2可具有1皮秒(ps)至100奈秒(ns)之持續時間，舉例而言，脈衝104_2可具有1 ns至100 ns之持續時間及約1 µm或10.6 µm之波長。在一些實施中，脈衝104_2為具有約1 mJ至100 mJ之能量、約1 ns至70 ns之脈衝持續時間及約1 µm至10.6 µm之波長的雷射脈衝。在此等實施中，經修改目標121m可為大體上圓盤形目標。在一些實施中，脈衝104_2具有小於1 ns之持續時間及1 µm之波長。舉例而言，脈衝104_2可具有300 ps或更小、100 ps或更小、100 ps至300 ps之間或10 ps至100 ps之間的持續時間。在此等實施中，經修改目標121m可為目標材料之粒子雲狀物或霧狀物。
光束遞送系統105_1、105_2包括各別光學系統112_1、112_2。光學系統112_1、112_2包括能夠與各別光束106_1、106_2相互作用的一或多個光學元件或組件。舉例而言，光學組件元件或組件可包括被動光學器件，諸如鏡面、透鏡及/或稜鏡，及任何相關聯機械安裝器件及/或電子驅動器。此等組件可轉向及/或聚焦光束106_1。另外，光學元件或組件可包括修改光束之一或多個屬性以形成及/或修改光脈衝的組件。舉例而言，光學組件可包括能夠改變光束106_1或光束106_2之時間量變曲線以分別形成光脈衝104_1或光脈衝104_2的主動光學器件，諸如聲光調變器及/或電光調變器。在圖1之實例中，光束106_1及光束106_2分別與單獨光束遞送系統105_1、105_2相互作用且分別在單獨光學路徑107_1、107_2上行進。然而，在其他實施中，光束106_1及106_2共用同一光學路徑之全部或部分且亦可共用同一光束遞送系統。
EUV光源100亦包括將目標串流121發射至真空腔室109中之目標供應系統110。目標供應系統110包括目標形成結構117，該目標形成結構包括界定孔口119之噴嘴。在操作使用中，孔口119在壓力p下流體地耦接至含有目標混合物111之儲集器118。目標供應系統110亦包括壓力系統170。舉例而言，壓力系統170包括泵、氣體供應器、閥，及/或能夠增大、減低或維持施加至儲集器118中之目標混合物111之壓力p的其他器件。
目標混合物111包括目標材料，其為剛處於電漿狀態中時具有在EUV範圍內之發射譜線的任何材料。舉例而言，目標材料可為錫、鋰或氙。其他材料可用作目標材料。舉例而言，元素錫可用作純錫(Sn)；用作錫化合物，例如SnBr4 、SnBr2 、SnH4 ；用作錫合金，例如錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金或此等合金之任何組合。目標混合物亦可包括雜質，諸如非目標粒子或夾雜粒子，例如氧化錫(SnO2 )粒子或鎢(W)粒子。
在圖1中所展示之實施中，結構117包括大體上沿著x方向延伸至孔口119之毛細管114。孔口119處於毛細管114之末端處且在真空腔室109中。毛細管114可由例如呈熔融矽石或石英之形式的玻璃製成。目標混合物111呈能夠流動之形式。舉例而言，在目標混合物111包括在室溫下為固體的金屬(諸如錫)之實施中，金屬被加熱至處於或高於該金屬之熔點之溫度且維持處於該溫度使得目標混合物111中之目標呈液體形式。因此，目標混合物111流動通過毛細管114且經由孔口119噴射至腔室109中。拉普拉斯(Laplace)壓力為形成氣體區與液體區之間的邊界之彎曲表面之內部與外部之間的壓力差。該壓力差係由液體與氣體之間的界面之表面張力造成。當壓力p大於拉普拉斯壓力時，目標混合物111作為連續射流125射出孔口119。
射流125根據液體射流之瑞立-高原(Rayleigh-Plateau)不穩定性分解成個別目標。在圖1之實施中，毛細管114之側壁115機械地耦接至致動器132。舉例而言，致動器132可為回應於所施加電壓信號而擴展及收縮以藉此造成側壁115之變形的壓電致動器。藉由使側壁115變形，在供應系統110中之目標混合物111中形成壓力波，且調變供應系統110中之目標混合物111之壓力。壓力調變控制射流125分解成小滴，使得個別小滴聚結成較大小滴，該等較大小滴以所要速率且具有某些特性而到達目標區124_2。舉例而言，可以特定方式控制致動器132之動作以控制串流121中之目標之初始形狀，如關於圖3及圖5更詳細論述。
在圖1及圖2中，虛線指示包括資料及資訊之電信號流動所沿著的通信路徑或資料鏈路。該等通信路徑或資料鏈路屬於能夠傳輸資料之任何類型之連接。舉例而言，資料鏈路或通信路徑可為經組態以傳輸包括資料及/或資訊之電子信號及命令的有線及/或無線連接。目標供應系統110經由資料鏈路152耦接至控制系統150。控制系統150經組態以藉由經由資料鏈路152將命令信號129發送至目標供應系統110而控制目標供應系統110之各種組件。
舉例而言，在一些實施中，致動器132經由資料鏈路152耦接至控制系統150。在此等實施中，控制系統150產生被提供至致動器132之命令信號129。當將命令信號129施加至致動器132或施加至與致動器132相關聯之元件時，致動器132以藉由命令信號129之內容控管之方式移動。舉例而言，致動器132可為基於施加電壓來改變形狀的壓電陶瓷材料。在此等實施中，控制系統150產生經遞送至致動器132之電壓波形。施加至致動器132之波形之量值及/或極性係基於來自控制系統150之信號。歸因於毛細管114與致動器132之間的機械耦接，當致動器132移動或振動時，側壁115變形，且毛細管114中之目標混合物111之壓力經調變。
在一些實施中，控制系統150由資料鏈路152耦接至壓力系統170。控制系統150藉由將命令信號129發送至壓力系統170來控制壓力p。此外，控制系統150可耦接至致動器132及壓力系統170兩者及/或供應系統110內之耦接至致動器132及壓力系統170之組件，使得控制系統150經組態以控制致動器132及壓力系統170。
控制系統150包括電子處理器模組154、電子儲存器156及I/O介面158。電子處理器模組154包括適合於執行電腦程式之一或多個處理器，諸如通用或專用微處理器，及任何種類之數位電腦之任一或多個處理器。通常，電子處理器自唯讀記憶體、隨機存取記憶體(RAM)或此兩者接收指令及資料。電子處理器模組154可包括任何類型之電子處理器。電子處理器模組154之電子處理器中之一或多者執行儲存於電子儲存器156上之命令信號指令。命令信號指令管控命令信號129之形成。
電子儲存器156可為諸如RAM之揮發性記憶體，或非揮發性記憶體。在一些實施中，且電子儲存器156包括非揮發性及揮發性部分或組件。電子儲存器156可儲存用於控制系統150之操作的資料及資訊。舉例而言，電子儲存器156可儲存使初始目標形狀與最終目標之形態相關的資訊。
電子儲存器156亦可儲存諸如命令信號指令之指令作為指令或電腦程式之集合，該等指令或該電腦程式在經執行時致使電子處理器模組154產生命令信號129且與供應系統110通信。在另一實例中，電子儲存器156可儲存在經執行時致使控制系統150與單獨機器相互作用之指令。舉例而言，控制系統150可與位於同一工場或設施中之其他EUV光源相互作用。
I/O介面158為允許控制系統150與操作員、光學源108_1、光學源108_1之一或多個組件、微影裝置199及/或執行於另一電子器件上之自動處理程序交換資料及信號的任何種類之介面。I/O介面158可包括視覺顯示器、鍵盤及諸如平行埠、通用串列匯流排(USB)連接之通信介面及/或諸如(例如)乙太網路之任何類型之網路介面中的一或多者。I/O介面158亦可允許在無實體接觸的情況下經由例如IEEE 802.11、藍芽或近場通信(NFC)連接進行通信。
EUV光源100亦可包括感測器系統130，該感測器系統將包括與光197或EUV光193相關之資料之信號157提供至控制系統150。感測器系統130包括能夠偵測光197之一或多個波長之感測器135。感測器135可為能夠偵測或感測光197中之波長中之任一者之存在的感測器。因此，感測器135可為能夠偵測EUV光之感測器或能夠偵測帶外光之一或多個波長之感測器。在包括感測器系統130之實施中，儲存於電子儲存器156上之指令可包括在經執行時分析來自感測器系統130之信號157且使用關於光197之資訊以告知對串流121中之目標之初始形狀之調整的指令。
圖2為作為EUV微影系統201之一部分的EUV光源200之方塊圖。該EUV光源200為EUV光源之另一實例。該EUV光源200與EUV光源100 (圖1)相同，惟該EUV光源200使用第三光脈衝204_3以控制初始目標121p之初始形狀除外。
第三光脈衝204_3為由光學源208_3產生且由光束遞送系統205_3引導至目標區224_3的光束206_3之一部分。光束遞送系統205_3與光束遞送系統105_1及105_2相似，惟光束遞送系統205_3之光學元件具有允許與光束206_3相互作用之光譜特徵除外。目標區224_3係介於目標區124_2與孔口119之間。第三光脈衝204_3與目標221i之間的相互作用會修改在與光脈衝104_2相互作用之前的目標221i之幾何屬性。目標221i為串流121 (圖1)中之目標。在與脈衝204_3相互作用之後，目標221i與串流121中之其他目標一起朝向目標區124_2漂移。因此，第三光脈衝204_3用以控制或修改串流121中之目標之初始目標形狀。
可藉由控制光束206_3之特性來控制初始目標形狀。舉例而言，可藉由控制與目標221i相互作用之光脈衝204_3之強度及/或時距來控制初始目標形狀。控制系統150耦接至光學源208_3及/或光束遞送系統205_3，且控制系統150可藉由控制光學源208_3及/或光束遞送系統205_3來控制光脈衝204_3之特性(例如光脈衝204_3之依據時間而變化的強度)。亦可藉由控制光脈衝204_3與目標221i之間的位置重疊來控制初始目標形狀，舉例而言，光脈衝204_3可經引導為撞擊目標221i之一側而非撞擊目標221i之中心。
光脈衝204-3之波長可為例如約200 nm至約10 µm。光束遞送系統205_3相似於光束遞送系統205_1及205_2。光學源208_3相似於光學源208_2。
參看圖3，展示用以控制EUV光源中之CE之實例程序300的流程圖。該程序300可藉由EUV光源100 (圖1)或EUV光源200 (圖2)來執行。
藉由控制EUV光源之組件來判定初始目標之初始形狀(310)。初始目標形狀為當目標在與光脈衝104_2相互作用之前在目標區124_2中時的目標之形狀。為了控制初始目標形狀，控制系統150可控制EUV光源100或EUV光源200中之目標供應系統110。控制系統150亦可控制EUV光源200之光學源208_3及/或遞送系統205_3。此等途徑在下文中依次論述。
在一些實施中，控制系統150藉由調整施加至儲集器118中之目標混合物111之壓力p來控制目標供應系統110。圖4展示控制系統150調整壓力p之實施。圖4為恰好在脈衝404_2 (其為光束106_2之脈衝)與初始目標421p相互作用之前及在形成EUV光發射之電漿496之電漿產生事件期間或不久之後的EUV光源400的方塊圖。在圖4之實例中，串流121包括目標421_a、421_b及初始目標421p。目標421_a、421_b及421p在大體上在x方向上之軌跡上自孔口119行進至目標區124_2。
如上文所論述，目標混合物111作為射流125自孔口釋放，且該射流125分解成個別目標，該等個別目標各自沿著行進方向(此實例中之x方向)與鄰近目標分離距離423。距離423影響串流121中之目標之初始形狀。EUV光源100定期產生曝光光束198使得可快速曝光基板195。因此，在EUV光源之操作期間規則地發生電漿產生事件。電漿496及/或由電漿496形成或與電漿496相關聯的其他物質係在真空腔室109中，而串流121中之目標朝向目標區124_2行進。電漿196及/或其他物質與串流121中之目標相互作用且可改變該等目標之初始形狀。由電漿496形成或與電漿496相關聯的其他物質可包括例如自電漿496發射之離子、由電漿496發射之光學光，及散射光(諸如來自主脈衝104_1及/或預脈衝104_2之散射光)。
電漿496及/或其他物質之間的相互作用之強度取決於待塑形之目標與目標區124_1之間的距離及自電漿產生事件以來已經過之時間量。因此，增加距離423會縮減藉由與電漿496相互作用所造成的塑形之量，且減低距離423會增加藉由與電漿196相互作用所造成的塑形之量。增加壓力p會增加串流121中之目標之速度且增加距離423。減低壓力p會減低串流121中之目標之速度且減低距離423。按簡化形式且不考慮噴嘴處之壓降，以方程式(1)展示壓力p與距離423之間的關係：
Figure 02_image001
方程式(1)； 其中d為目標之間的距離(圖4之實例中之距離423)，T為EUV光193之產生週期(EUV光之脈衝經提供至輸出裝置199之頻率之逆)，p為施加至儲集器118之壓力，且ρ為目標材料111之密度。
為了控制壓力p，控制系統150產生經提供至壓力系統170之命令信號129。在此等實施中，控制系統150產生經提供至壓力控制器170以控制壓力p之命令信號129。舉例而言，命令信號129指示所要壓力p'且將一命令提供至壓力系統170，該命令致使該壓力系統將所要壓力p'施加至儲集器118中之目標材料111。所要壓力p'可為壓力p之相對較小改變。舉例而言，所要壓力p'可為壓力p之0.1%或更小的百分比改變。
所要壓力p'可基於例如儲存於電子儲存器156上之查找表或資料庫而判定。查找表可包括與正使用EUV光源100所根據之條件相關的資訊。對應於最佳CE之初始目標形狀取決於經修改目標121m之特性(諸如形狀及密度)。舉例而言，在脈衝404_2具有約1 µm之波長及約10 ns至100 ns之時距的實施中，經修改目標121m為大體上圓盤形，在x-y平面中具有最大空間範圍。在脈衝404_2具有約1 µm之波長及約10 ps至100 ps之時距的實施中，經修改目標121m為粒子及其他物質之雲狀物或霧狀物。因此，經修改目標121m之形狀及密度取決於脈衝404_2之特性。最佳初始目標形狀取決於脈衝404_2之特性及最終目標之所要形態而變化。因此，查找表可儲存使脈衝404_2之特性(諸如時距)與初始目標形狀及為達成彼初始形狀之對應距離423相關的資訊。可與脈衝404_2之特性、用於彼等特性之對應初始目標形狀及距離423相關聯地儲存所要壓力p'。
回應於接收到命令信號129，壓力系統170啟動泵、閥及其他器件以將壓力p改變為所請求值。在一些實施中，壓力系統170包括量測壓力p之值之壓力感測器，且在控制系統150提供命令信號129之前將該經量測壓力p與所要壓力進行比較。舉例而言，壓力系統170可經由資料鏈路152將經施加壓力p之值(或經施加壓力p之值的指示)提供至控制系統150，或控制系統150可自壓力系統170擷取壓力p之值。
因此，可藉由控制作為EUV光源100之組件的壓力系統170來判定初始目標形狀。
在一些實施中，藉由控制致動器132來判定初始目標形狀。致動器132為目標供應系統110之一部分且因此亦為EUV光源100之組件。圖5為EUV光源500之方塊圖。該EUV光源500為EUV光源100之實例實施，在該EUV光源中，控制系統150經由資料鏈路152耦接至致動器132。控制系統150控制致動器132以判定初始目標形狀。
如上文所論述，致動器132之運動在目標混合物111中產生壓力波且致使射流125分解成構成串流121之目標。使致動器132振動或以其他方式致動之一或多個頻率判定串流121中之目標之各種特性。舉例而言，致動器132之振動可用以判定串流121中之目標到達目標區124_2之速率以及目標之形狀。
為了藉由控制致動器132判定目標之初始形狀，控制系統150將調變命令信號129提供至致動器132。致動器132之運動用以控制串流121中之目標之特性。如上文所論述，致動器132之運動會調變目標供應系統110中之目標材料111使得射流125分解成個別目標。致動器132振動之頻率判定串流121中之目標之特性，包括目標之初始形狀。
控制系統150將命令信號129提供至致動器132。命令信號包括使具有至少在第一頻率及第二頻率下之分量的致動信號被施加至致動器132之資訊。致動器132可為例如壓電致動器。在此等實施中，命令信號129為包括在兩個不同頻率下之分量之電壓信號，或使與致動器132相關聯之器件產生在兩個不同頻率下之電壓且將彼等電壓施加至致動器132之資訊。回應於施加電壓信號，致動器132在第一及第二頻率下振動。控制系統150可包括一函數產生器，該函數產生器產生具有一振幅之電壓波形，該振幅在被施加至調變器132時足以使調變器132移動。電壓波形之頻率係由操作員經由I/O介面158控制及/或由儲存於電子儲存器156上之指令控制。
第一頻率為高於第二頻率的頻率。在第一頻率下使毛細管114振動致使射流125分解成所要大小及速度的相對較小目標。第二頻率用以調變串流中之目標之速度且促進小滴聚結使得形成較大目標，其各自由複數個相對較小目標形成。在目標之任何給定群組中，各種目標以不同速度行進。具有較高速度之目標可與具有較低速度之目標聚結以形成構成串流121的較大聚結目標。此等較大目標與非聚結小滴相比彼此分離更大距離(諸如圖4之距離423)。在聚結之後，串流121中之目標大致為球形且大小為約30微米(µm)。
可將額外頻率施加至致動器132。將額外頻譜分量引入至致動信號中會允許較佳控制聚結程序且可用以判定初始目標形狀。舉例而言，除了第一及第二頻率以外，亦可將具有例如30 kHz至100 kHz、40 kHz至60 kHz或50 kHz之頻率的正弦波施加至致動器132，及/或可將第一頻率或第二頻率中之一者調整為不同頻率及/或波形形狀使得將額外頻率分量施加至致動器132。施加額外頻譜分量會引入兩個鄰近聚結目標之間的相對運動使得該兩個鄰近目標在朝向目標區124_2行進時彼此接近。該兩個鄰近目標合併以形成未必具有球形之新的較大目標。以此方式，串流121中之到達目標區124_2的目標之初始形狀可藉由控制致動器132予以判定。
因此，可藉由控制致動器132來判定初始目標形狀。
亦參看圖2，亦可藉由控制光學源208_3及/或遞送系統205_3來判定初始目標形狀。如上文所論述，目標221i與脈衝204_3之間的相互作用可塑形該目標221i。舉例而言，遞送系統205_3可包括電光調變器(EOM)，該電光調變器可控制以調整脈衝204_3之時距以控制目標221p在x-y平面中及/或在y-z平面中之範圍。在另一實例中，遞送系統205_3可包括使脈衝204_3相對於目標區224_3轉向之光學元件，諸如(例如)鏡面。在此等實例中，藉由將脈衝204_3引導至目標221i之特定部分來判定初始目標形狀。舉例而言，可將脈衝204_3引導至相對於目標221i之中心在X或-X方向上位移的目標221i之一部分。
在判定初始目標形狀之後，形成最終目標(320)。最終目標為與脈衝104_1相互作用以形成電漿196的目標材料集合。在圖1之實例中，最終目標為經修改目標121m。藉由使初始目標(具有初始目標形狀之目標)與預脈衝相互作用而形成最終目標，該預脈衝為光束106_2中之脈衝(例如圖1之脈衝104_2)。預脈衝與初始目標之間的相互作用會改變目標121p中之目標材料之幾何配置以形成經修改目標121m。
起始電漿產生事件(330)。當主脈衝(例如圖1之脈衝104_1)與最終目標(諸如經修改目標121m)相互作用時發生電漿產生事件且電漿產生事件形成電漿196。電漿196發射光197。與電漿產生事件相關聯之CE取決於由主脈衝遞送至最終目標之能量之量及自電漿196發射之EUV光之量，此取決於轉換成電漿196的目標材料之部分。最終目標之形態影響目標材料之轉換效率，且最終目標之形態係藉由判定初始目標形狀來控制，如在(310)中所論述。因此，藉由控制EUV光源100或EUV光源200之組件判定初始目標形狀會控制CE。
圖6A至圖6D展示與初始目標形狀相關之實驗資料。
圖6A為使最終目標形態與不同初始目標形狀相關的21個不同陰影圖之矩陣。在圖6A中所展示之實例中，預脈衝具有2 mJ至3 mJ之能量、1.064 µm之波長及10 ns之持續時間。
該等陰影圖以行A至G配置，其中該等行A至G中之每一者在列1至3中之每一者中包括一個陰影圖。每一陰影圖在左下方部分中展示初始目標形狀以及最終目標。初始目標形狀經特性化為沿著x方向之範圍對沿著z方向之範圍之比率。初始目標形狀在行A至G中之每一者中係不同的。行A中之陰影圖係藉由比率約為0.6的初始目標形狀產生。初始目標形狀之比率自行A至行G增大。行G中之陰影圖係使用比率為1.8的初始目標形狀產生。初始目標形狀在行A中係大體上扁球形(在x方向上)且在行G中係長球形(在x方向上)。圖6A及圖6B中之x方向及z方向與在圖1中之x方向及z方向相同。列1至3中在行A至G中之每一者中的三個陰影圖具有相同的初始目標形狀且展示在三個不同時間收集之資料。
如藉由逐行比較資料所展示，最終目標之形態隨著初始目標形狀改變而改變。此外，如藉由比較一行內之陰影圖而顯而易見，由具有特定初始目標形狀之初始目標形成的最終目標之形態相當一致。圖6A中所展示之資料指示最終目標之形態取決於初始目標形狀。
圖6B為展示關於相似實驗之結果的陰影圖矩陣，其中預脈衝具有2 mJ至3 mJ之能量、1.064 µm之波長及12 ps之持續時間。結果再次展示出，自特定目標形狀產生之最終目標之形態相當一致，此指示最終目標之形態取決於初始目標形狀。
圖6C展示作為針對具有5個不同基座能量之主脈衝的x範圍與z範圍之比率之函數的經量測CE(%)。基座為在時間上在主脈衝之初級部分之前但仍為主脈衝之部分的主脈衝之一部分。圖6C中所展示之CE資料係用於藉由運用具有1 ns至100 ns持續時間之1 µm預脈衝輻照最終目標而起始的電漿產生事件。
圖6C中所展示之資料包括表示針對分別為0毫焦耳(mJ)、0.5 mJ、1 mJ、1.5 mJ及2 mJ之基座能量作為初始目標形狀比率之函數的CE (%)的標繪圖681、682、683、684、695。一起檢閱標繪圖681至685揭露出作為初始目標形狀比率之函數的CE針對所有基座能量具有相似的量變曲線。此指示CE受初始目標形狀影響，而無基座能量無關。標繪圖681至685指示對於經測試條件，不論基座能量如何，約為1之比率皆產生最佳CE。
圖6D展示作為針對六個不同初始目標形狀之初始目標大小(µm)之函數的經量測CE (%)。在圖6D中，六個不同初始目標形狀為六個不同初始目標形狀比率，且CE (%)被標繪為初始目標在目標行進之方向(例如圖1之X方向)上之大小的函數。
CE係用於藉由運用具有12 ps持續時間之1.064 µm預脈衝輻照最終目標而起始的電漿產生事件。圖6D包括表示針對自分別具有0.6、0.8、1.0、1.2、1.4及1.6之初始目標形狀比率之初始目標所產生的最終目標之CE的標繪圖691、692、693、694、695、696。具有為1.0之目標形狀比率的初始目標為大體上球形之目標且因此為未失真目標，或初始形狀並未由諸如程序300之程序控制的目標。如圖6D中所展示，CE取決於初始目標形狀。特定言之，對於相對較大目標(例如大於約650 µm)，未失真初始目標並不產生最高CD。因此，藉由以程序300判定初始目標形狀，可達成效能改良。
圖7A為包括源收集器模組SO之微影系統700的方塊圖。微影系統700為微影系統101之實例。微影系統700亦包括：經組態以調節輻射光束B之照明系統IL。輻射光束B可為自源收集器模組SO發射之EUV光束。微影系統700亦包括經建構以支撐圖案化器件MA之支撐結構MT。支撐結構MT可為例如光罩台，且圖案化器件MA可為例如光罩或倍縮光罩。當輻射光束B與圖案化器件MA相互作用時，與圖案化器件MA相關聯之空間圖案被賦予至輻射光束B上。支撐結構MT耦接至經組態以定位圖案化器件MA之第一定位器PM。另外，系統700包括其經建構以固持基板W之基板台WT，該基板W可例如為抗蝕劑塗佈晶圓。基板台WT連接至經組態以定位基板W之第二定位器PW。系統700亦包括經組態以將經圖案化輻射光束E (亦被稱作曝光光E或曝光光束E)投影至基板W之目標部分C上之投影系統PS。目標部分C可為基板W之任何部分。在圖7A之實例中，基板W包括複數個晶粒D，且目標部分C包括晶粒D中之多於一者。
照明系統IL包括用於引導、塑形及/或控制輻射光束B及曝光光E的光學組件。該等光學組件可包括折射、反射、磁性、電磁、靜電或任何其他類型之光學組件。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影系統700之設計及/或其他條件(諸如(例如)圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電及/或其他夾持技術以固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化器件MA (例如)相對於投影系統PS處於所要位置。
圖案化器件MA為可用以將圖案賦予至輻射光束B上之任何器件。圖案化器件MA可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。在圖案化器件MA為光罩之實施中，圖案化器件MA可為例如二元光罩、交變相移光罩，或衰減式相移或混合光罩類型。在圖案化器件MA為可程式化鏡面陣列之實施中，圖案化器件MA包括鏡面之矩陣配置，該等鏡面中之每一者可個別地傾斜使得該等鏡面中之每一者能夠在不同方向上反射輻射光束B，該方向並不取決於輻射光束B由該矩陣中之其他鏡面反射之方向。被賦予至入射光上之圖案係藉由矩陣中之各個鏡面之位置予以判定。該圖案可對應於基板W之目標部分C中所產生之器件中的特定功能層。舉例而言，該圖案可對應於一起形成積體電路之電子特徵。
投影系統PS包括將曝光光E引導至目標部分C之光學組件。投影系統PS之光學組件可為折射的、反射的、磁性的、電磁的、靜電的，及/或適於正使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的其他類型之光學組件。此外，可需要將真空用於EUV輻射，此係因為氣體可能吸收EUV輻射。因此可憑藉真空壁及真空泵提供真空環境。
在圖7A及圖7B之實例中，系統700為包括反射光學組件及反射圖案化器件MA之反射類型。微影系統700可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台(及/或兩個或多於兩個圖案化器件台)之類型。在此等多載物台機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
照明系統IL自源收集器模組SO接收極紫外輻射光束B。EUV光源100 (圖1)、200A (圖2A)及200B (圖2B)及800 (圖8)為源收集器模組SO之實例。
照明系統IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明系統IL可包括各種其他組件，諸如琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明系統IL可用以調節輻射光束B，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B與圖案化器件MA相互作用使得圖案被賦予至輻射光束B上。輻射光束B自圖案化器件MA反射，其具有被賦予為曝光光E之圖案。曝光光E穿過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及第二位置感測器PS2，可準確地移動基板台WT，例如以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如光罩) MA。定位感測器PS1及PS2可為例如干涉器件、線性編碼器及/或電容式感測器。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。
微影系統700可在以下模式中之至少一者中使用：(1)步進模式、(2)掃描模式或(3)第三或其他模式。在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位使得可曝光不同目標部分C。在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT (亦即單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在第三或其他模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。亦可使用此等三個使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖7B更詳細地展示包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS之微影系統700的實施。源收集器模組SO包括真空環境。系統IL及PS中之每一者亦包括真空環境。EUV輻射發射電漿形成於源收集器模組SO內。源收集器模組SO使自電漿發射之EUV輻射聚焦至中間焦點IF，使得輻射光束B (760)被提供至照明系統IL。
輻射光束B橫穿照明系統IL，照明系統IL在圖7B之實例中包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24。此等器件形成所謂的「蠅眼」照明器，其經配置以提供在圖案化器件MA處輻射光束21之所要角度分佈且維持圖案化器件MA處之輻射強度之均一性。在圖案化器件MA處光束B之反射後，形成曝光光E (經圖案化光束B)，且曝光光E (26)係由投影系統PS經由反射元件28、30而成像至基板W上。另外，曝光光E與對曝光光E塑形之隙縫相互作用，使得曝光光E在垂直於傳播方向之平面中具有矩形橫截面。為了曝光基板W上之目標部分C，源收集器模組SO產生輻射脈衝以形成輻射光束B，同時基板台WT及圖案化器件台MT執行同步移動以經由矩形曝光光E掃描圖案化器件MA上之圖案。
每一系統IL及PS配置於其自有真空或近真空環境內，該環境係由圍封結構界定。比所展示元件更多之元件通常可存在於照明系統IL及投影系統PS中。另外，可存在比所展示鏡面更多的鏡面。舉例而言，除了圖7B所展示之反射元件以外，在照明系統IL及/或投影系統PS中亦可存在一至六個額外反射元件。
用於源收集器模組及微影系統700整體上之操作的眾多額外組件存在於典型裝置中，但在此處未予以說明。此等組件包括用於縮減或減輕經圍封真空內之污染效應之配置，例如，以防止燃料材料之沈積物損害或削弱收集器3及其他光學件之效能。存在但未予以詳細地描述之其他特徵為在控制微影系統700之各種組件及子系統時涉及之所有感測器、控制器及致動器。
參看圖8，展示LPP EUV光源800之實施。光源800可用作微影系統700中之源收集器模組SO。此外，圖1及圖2之光學源108_2可為驅動雷射815之部分。
藉由運用經放大光束810輻照電漿形成區805處之目標混合物814而形成LPP EUV光源800，該經放大光束810沿著朝向目標混合物814之光束路徑行進。串流121中之目標之目標材料可為或包括目標混合物814。電漿形成區805係在真空腔室830之內部807內。當經放大光束810撞擊目標混合物814時，該目標混合物814內之目標材料轉換成具有在EUV範圍內之發射譜線之元素的電漿狀態。所產生電漿具有取決於目標混合物814內之目標材料之成份的某些特性。此等特性可包括由電漿產生之EUV光之波長，以及自電漿釋放之碎屑之類型及量。
光源800包括驅動雷射系統815，驅動雷射系統815歸因於雷射系統815之一或若干增益介質內之粒子數反轉而產生經放大光束810。光源800包括雷射系統815與電漿形成區805之間的光束遞送系統，該光束遞送系統包括光束傳送系統820及聚焦總成822。光束傳送系統820自雷射系統815接收經放大光束810，且視需要轉向及修改經放大光束810且將經放大光束810輸出至聚焦總成822。聚焦總成822接收經放大光束810且將光束810聚焦至電漿形成區805。
在一些實施中，雷射系統815可包括用於提供一或多個主脈衝且在一些狀況下提供一或多個預脈衝之一或多個光學放大器、雷射及/或燈。每一光學放大器包括能夠以高增益光學地放大所要波長之增益介質、激發源及內部光學件。光學放大器可具有或可不具有形成雷射空腔之雷射鏡面或其他回饋器件。因此，雷射系統815即使在不存在雷射空腔的情況下歸因於雷射放大器之增益介質中之粒子數反轉亦會產生經放大光束810。此外，雷射系統815可在存在雷射空腔以將足夠回饋提供至雷射系統815的情況下產生作為相干雷射光束之經放大光束810。術語「經放大光束」涵蓋如下各者中之一或多者：來自雷射系統815之僅僅經放大但未必為相干雷射振盪的光，及來自雷射系統815之經放大且亦為相干雷射振盪的光。
雷射系統815中之光學放大器可包括填充氣體(包括CO2 )作為增益介質，且可以大於或等於800倍之增益放大在約9100 nm與約11000 nm之間的波長下，且尤其在約10600 nm下的光。供用於雷射系統815中之合適放大器及雷射可包括脈衝式雷射器件，例如脈衝式氣體放電CO2 雷射器件，該脈衝式氣體放電CO2 雷射器件例如運用以相對較高功率(例如10 kW或高於10 kW)及高脈衝重複率(例如40 kHz或大於40 kHz)操作的DC或RF激發產生處於約9300 nm或約10600 nm之輻射。脈衝重複率可為例如50 kHz。雷射系統815中之光學放大器亦可包括可在較高功率下操作雷射系統815時使用的冷卻系統，諸如水。
光源800包括收集器鏡面835，該收集器鏡面具有孔隙840以允許經放大光束810穿過且到達電漿形成區805。收集器鏡面835可為例如在電漿形成區805處具有主焦點且在中間部位845處具有次級焦點(亦被稱為中間焦點)的橢球形鏡面，其中可自光源800輸出EUV光且可將該EUV光輸入至例如積體電路微影工具(圖中未繪示)。光源800亦可包括開端式中空圓錐形護罩850 (例如氣體錐體)，該圓錐形護罩自收集器鏡面835朝向電漿形成區805漸狹以縮減進入聚焦總成822及/或光束傳送系統820的電漿產生之碎屑之量，同時允許經放大光束810到達電漿形成區805。出於此目的，可將氣流提供於護罩中，該氣流經引導朝向電漿形成區805。
光源800亦可包括主控控制器855，該主控控制器連接至小滴位置偵測回饋系統856、雷射控制系統857及光束控制系統858。光源800可包括一或多個目標或小滴成像器860，該一或多個目標或小滴成像器提供指示小滴例如相對於電漿形成區805之位置之輸出且將此輸出提供至小滴位置偵測回饋系統856，該小滴位置偵測回饋系統可例如計算小滴位置及軌跡，自該小滴位置及軌跡可基於逐小滴地或平均地計算出小滴位置誤差。小滴位置偵測回饋系統856因此將小滴位置誤差作為輸入提供至主控控制器855。主控控制器855因此可將例如雷射位置、方向及時序校正信號提供至可用以例如控制雷射時序電路之雷射控制系統857及/或提供至光束控制系統858，以控制經放大光束位置及光束傳送系統820之塑形從而改變腔室830內之光束焦斑之部位及/或焦度。
供應系統825包括目標材料遞送控制系統826，該目標材料遞送控制系統可操作以回應於來自例如主控控制器855之信號而修改由目標材料供應裝置827釋放之小滴之釋放點，以校正到達所要電漿形成區805的小滴之誤差。
另外，光源800可包括光源偵測器865及870，該等光源偵測器量測一或多個EUV光參數，包括但不限於脈衝能量、依據波長而變化的能量分佈、特定波長帶內之能量、特定波長帶之外之能量，及EUV強度之角度分佈及/或平均功率。光源偵測器865產生回饋信號以供主控控制器855使用。回饋信號可(例如)指示為了有效及高效EUV光產生而在適當地點及時間恰當地截取小滴的雷射脈衝之參數(諸如，時序及焦點)之誤差。
光源800亦可包括導引雷射875，該導引雷射可用以對準光源800之各個區段或輔助將經放大光束810轉向至電漿形成區705。結合導引雷射875，光源800包括度量衡系統824，該度量衡系統被置放於聚焦總成822內以對來自導引雷射875之光之一部分及經放大光束810進行取樣。在其他實施中，度量衡系統824被置放於光束傳送系統820內。度量衡系統824可包括對光之子集進行取樣或重新引導之光學元件，此光學元件係由可耐受導引雷射光束及經放大光束810之功率的任何材料製成。光束分析系統係由度量衡系統824及主控控制器855形成，此係由於主控控制器855分析自導引雷射875取樣之光且使用此資訊以經由光束控制系統858調整聚焦總成822內之組件。
因此，概言之，光源800產生經放大光束810，該經放大光束沿著光束路徑經引導以輻照電漿形成區805處之目標混合物814，以將混合物814內之目標材料轉換成發射在EUV範圍內之光之電漿。經放大光束810在基於雷射系統815之設計及屬性而判定之特定波長(其亦被稱作驅動雷射波長)下操作。另外，當目標材料將足夠回饋提供回至雷射系統815中以產生相干雷射光時或在驅動雷射系統815包括合適光學回饋以形成雷射空腔的情況下，經放大光束810可為雷射光束。
其他實施方案係在申請專利範圍之範疇內。
在以下編號條項中闡明本發明之其他態樣。 1.   一種極紫外(EUV)光源，其包含： 一真空容器； 一目標材料供應系統，其經組態以將目標供應至該真空容器之一內部，該等目標包含至少一第一目標，其中該第一目標在該真空容器中之一初始目標區處具有一初始形狀； 一第一光學源，其經組態以將一第一光束提供至該真空容器中之一第一目標區，該第一光束經組態以修改該初始目標之該初始形狀以形成一經修改目標；及 一第二光學源，其經組態以將一第二光束提供至該真空容器中之一第二目標區，該第二目標區經組態以接收該經修改目標，該第二光束經組態以與該經修改目標相互作用且將該經修改目標中之目標材料中的至少一些轉換成發射EUV光之一電漿，其中 該第一目標之該初始形狀受控制以藉此控制根據該第二光束與該經修改目標之間的該相互作用而產生的電漿之一量。 2.   如條項1之EUV光源，其中該目標材料包含一熔融金屬，且該供應系統包含： 一儲集器，其經組態以固持該目標材料； 一噴嘴，其經組態以流體地耦接至該儲集器且將該等目標發射至該真空容器之該內部中；及 一致動器，其機械地連接至該噴嘴。 3.   如條項2之EUV光源，其中該初始目標區處之該第一目標之該初始形狀係藉由致使該致動器以多於一個頻率使該噴嘴振動來控制。 4.   如條項2之EUV光源，其中該第一目標與一第二目標之間的一間距係藉由調整施加至該儲集器中之該目標材料之一壓力來控制，且該第二目標在該第一目標之前由該目標供應系統供應。 5.   如條項4之EUV光源，其中該第一目標之該初始形狀係基於該第一目標與一第二目標之間的該受控間距。 6.   如條項1之EUV光源，其進一步包含經組態以將一第三光束提供至一第三目標區之一第三光學源，且其中該第三目標區經組態以接收該第一目標，且該初始目標區處之該第一目標之該初始形狀係藉由使該第一目標與該第三光束相互作用而控制。 7.   如條項6之EUV光源，其中該第三目標區比該第一目標區及該第二目標區更接近該目標材料供應系統。 8.   如條項1之EUV光源，其中該初始目標區處之該第一目標之該初始形狀包含熔融金屬之一扁圓球，該扁圓球具有沿著一第一方向之一第一範圍及沿著垂直於該第一方向之一第二方向之一第二範圍，且該第一範圍對該第二範圍之比率係介於0.6與0.8之間。 9.   如條項1之EUV光源，其中該初始目標區處之該第一目標之該初始形狀包含熔融金屬之一扁圓球，該扁圓球具有沿著一第一方向之一第一範圍及沿著垂直於該第一方向之一第二方向之一第二範圍，且該第一範圍對該第二範圍之比率係介於0.75與0.9之間。 10.  如條項1之EUV光源，其中該初始目標區處之該第一目標之該初始形狀包含熔融金屬之一扁圓球，該扁圓球具有沿著一第一方向之一第一範圍及沿著垂直於該第一方向之一第二方向之一第二範圍，且該第一範圍對該第二範圍之比率約為0.8。 11.  如條項1之EUV光源，其中該經修改目標具有藉由該初始目標區處之該第一目標之該初始形狀判定之一形態，該形態描述在三維中該目標之一形狀及/或一目標材料密度。 12.  如條項11之EUV光源，其中該經修改目標包含在該三維中之一者中的一側向範圍，該側向範圍取決於該第一目標區與該第二目標區之間的一距離。 13.  如條項1之EUV光源，其中該第一目標材料小滴之該初始形狀受控制以藉此控制根據該第二光束與該經修改目標之間的該相互作用而產生之電漿之一量包含：該第一目標材料之該初始形狀受控制以藉此控制該EUV光源之一轉換效率(CE)，該CE為供應至該經修改目標之能量對作為EUV光自該電漿發射之能量的一比率。 14.  如條項1之EUV光源，其中該初始目標區係介於該目標材料供應系統與該第一目標區之間。 15.  一種控制一極紫外(EUV)光源中之轉換效率(CE)之方法，該方法包含： 藉由控制該EUV光源之一組件來判定一初始目標之一初始形狀； 致使一預脈衝光束與該初始目標相互作用以形成一經修改目標；及 致使一主光學脈衝與該經修改目標相互作用以產生發射EUV光之一電漿，其中該經修改目標與該主光學脈衝之間的該相互作用係與一轉換效率(CE)相關聯，該CE為供應至該經修改目標之能量對作為EUV光自該電漿發射之能量的一比率，且該CE係基於該初始目標之該經判定初始形狀而控制。 16.  如條項15之方法，其中該EUV光源之該組件包含作為一目標材料供應系統之一部分的一儲集器，且 判定該初始目標之該初始形狀包含在由該目標供應系統產生該初始目標之前控制該儲集器中之熔融目標材料上的一壓力量。 17.  如條項16之方法，其中控制該儲集器中之該熔融目標材料上的該壓力量會控制該初始目標與另一目標之間的一間距，且該初始目標之該初始形狀係基於該間距。 18.  如條項15之方法，其中該EUV光源之該組件包含耦接至一目標材料供應系統之一毛細管之一致動器，且 判定該初始目標之該初始形狀包含控制該致動器使得該致動器以多於一個頻率使該管振動。 19.  如條項18之方法，其中控制該致動器使得該致動器以多於一個頻率使該管振動會自一目標材料射流產生一聚結目標串流，且該方法進一步包含調整該多於一個頻率中之一者使得該等聚結目標中之兩者合併成一合併目標，且該初始目標係該合併目標。 20.  如條項15之方法，其中該EUV光源之組件包含經組態以供應該初始目標及至少一第二目標之一目標材料供應系統，且 判定該初始目標之該初始形狀包含控制該目標材料供應系統使得調整該初始目標與該第二目標之間的一間距，該第二目標在該初始目標之前由該目標供應系統供應。 21.  如條項15之方法，其中該EUV光源之該組件包含經組態以提供一初始光束之一初始光源，且 判定該初始目標之該初始形狀包含控制該初始光源使得該初始光束與該初始目標相互作用，且其中該初始目標之該初始形狀藉由使該初始目標與該初始光束相互作用而至少部分地判定。
1:列 2:列 3:列 21:輻射光束 22:琢面化場鏡面器件 24:琢面化光瞳鏡面器件 26:曝光光E 28:反射元件 30:反射元件 100:極紫外(EUV)光源 101:極紫外(EUV)微影系統 104_1:光脈衝/主脈衝 104_2:光脈衝 105_1:光束遞送系統 105_2:光束遞送系統 106_1:第一光束 106_2:第二光束 107_1:光學路徑 107_2:光束路徑/光學路徑 108:光學系統或光產生模組 108_1:光學源 108_2:光學源 109:真空腔室 110:目標供應系統 111:目標混合物 112_1:光學系統 112_2:光學系統 113:光學元件 114:毛細管 115:側壁 116:反射表面 117:目標形成結構 118:儲集器 119:孔口 121:目標串流 121m:經修改目標 121p:初始目標 124_1:目標區 124_2:目標區 125:連續射流 129:命令信號 130:感測器系統 132:調變器/致動器 135:感測器 150:控制系統 152:資料鏈路 154:電子處理器模組 156:電子儲存器 157:信號 158:I/O介面 170:壓力系統 193:極紫外(EUV)光 195:基板 196:電漿 197:光 198:極紫外(EUV)曝光光束 199:輸出裝置/微影裝置 200:極紫外(EUV)光源 201:極紫外(EUV)微影系統 204_3:第三光脈衝 205_3:光束遞送系統 206_3:光束 208_3:光學源 221i:目標 224_3:目標區 300:程序 310:步驟 320:步驟 330:步驟 400:極紫外(EUV)光源 404_2:脈衝 421_a:目標 421_b:目標 421p:初始目標 423:距離 496:電漿 500:極紫外(EUV)光源 681:標繪圖 682:標繪圖 683:標繪圖 684:標繪圖 685:標繪圖 691:標繪圖 692:標繪圖 693:標繪圖 694:標繪圖 695:標繪圖 696:標繪圖 700:微影系統 760:輻射光束B 800:雷射產生電漿(LPP)極紫外(EUV)光源 805:電漿形成區 807:內部 810:經放大光束 814:目標混合物 815:驅動雷射/驅動雷射系統 820:光束傳送系統 822:聚焦總成 825:供應系統 826:目標材料遞送控制系統 827:目標材料供應裝置 830:真空腔室 835:收集器鏡面 840:孔隙 845:中間部位 850:開端式中空圓錐形護罩 855:主控控制器 856:小滴位置偵測回饋系統 857:雷射控制系統 858:光束控制系統 860:目標或小滴成像器 865:光源偵測器 870:光源偵測器 875:導引雷射 A:行 B:行/輻射光束 C:行/目標部分 D:行 E:行 F:行 G:行 IF:中間焦點 IL:照明系統 M1:圖案化器件對準標記 M2:圖案化器件對準標記 MA:圖案化器件 MT:支撐結構 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一定位器 PS:投影系統 PS1:位置感測器/定位感測器 PS2:第二位置感測器/定位感測器 PW:第二定位器 p:壓力 SO:源收集器模組 W:基板 WT:基板台
圖1為極紫外(EUV)光源之方塊圖。
圖2為另一極紫外(EUV)光源之方塊圖。
圖3為用以控制EUV光源中之轉換效率(CE)之實例程序的流程圖。
圖4為另一極紫外(EUV)光源之方塊圖。
圖5為另一極紫外(EUV)光源之方塊圖。
圖6A至圖6D為實驗資料之實例。
圖7A及圖7B為微影系統之方塊圖。
圖8為另一極紫外(EUV)光源之方塊圖。
100:極紫外(EUV)光源
101:極紫外(EUV)微影系統
104_1:光脈衝/主脈衝
104_2:光脈衝
105_1:光束遞送系統
105_2:光束遞送系統
106_1:第一光束
106_2:第二光束
107_1:光學路徑
107_2:光束路徑/光學路徑
108:光學系統或光產生模組
108_1:光學源
108_2:光學源
109:真空腔室
110:目標供應系統
111:目標混合物
112_1:光學系統
112_2:光學系統
113:光學元件
114:毛細管
115:側壁
116:反射表面
117:目標形成結構
118:儲集器
119:孔口
121:目標串流
121m:經修改目標
121p:初始目標
124_1:目標區
124_2:目標區
125:連續射流
129:命令信號
130:感測器系統
132:調變器/致動器
135:感測器
150:控制系統
152:資料鏈路
154:電子處理器模組
156:電子儲存器
157:信號
158:I/O介面
170:壓力系統
193:極紫外(EUV)光
195:基板
196:電漿
197:光
198:極紫外(EUV)曝光光束
199:輸出裝置/微影裝置
p:壓力

Claims (21)

  1. 一種極紫外(EUV)光源，其包含： 一真空容器； 一目標材料供應系統，其經組態以將目標供應至該真空容器之一內部，該等目標包含至少一第一目標，其中該第一目標在該真空容器中之一初始目標區處具有一初始形狀； 一第一光學源，其經組態以將一第一光束提供至該真空容器中之一第一目標區，該第一光束經組態以修改該初始目標之該初始形狀以形成一經修改目標；及 一第二光學源，其經組態以將一第二光束提供至該真空容器中之一第二目標區，該第二目標區經組態以接收該經修改目標，該第二光束經組態以與該經修改目標相互作用且將該經修改目標中之目標材料中的至少一些轉換成發射EUV光之一電漿，其中 該第一目標之該初始形狀受控制以藉此控制根據該第二光束與該經修改目標之間的該相互作用而產生的電漿之一量。
  2. 如請求項1之EUV光源，其中該目標材料包含一熔融金屬，且該供應系統包含： 一儲集器，其經組態以固持該目標材料； 一噴嘴，其經組態以流體地耦接至該儲集器且將該等目標發射至該真空容器之該內部中；及 一致動器，其機械地連接至該噴嘴。
  3. 如請求項2之EUV光源，其中該初始目標區處之該第一目標之該初始形狀係藉由致使該致動器以多於一個頻率使該噴嘴振動來控制。
  4. 如請求項2之EUV光源，其中該第一目標與一第二目標之間的一間距係藉由調整施加至該儲集器中之該目標材料之一壓力來控制，且該第二目標在該第一目標之前由該目標供應系統供應。
  5. 如請求項4之EUV光源，其中該第一目標之該初始形狀係基於該第一目標與一第二目標之間的該受控間距。
  6. 如請求項1之EUV光源，其進一步包含經組態以將一第三光束提供至一第三目標區之一第三光學源，且其中該第三目標區經組態以接收該第一目標，且該初始目標區處之該第一目標之該初始形狀係藉由使該第一目標與該第三光束相互作用而控制。
  7. 如請求項6之EUV光源，其中該第三目標區比該第一目標區及該第二目標區更接近該目標材料供應系統。
  8. 如請求項1之EUV光源，其中該初始目標區處之該第一目標之該初始形狀包含熔融金屬之一扁圓球，該扁圓球具有沿著一第一方向之一第一範圍及沿著垂直於該第一方向之一第二方向之一第二範圍，且該第一範圍對該第二範圍之比率係介於0.6與0.8之間。
  9. 如請求項1之EUV光源，其中該初始目標區處之該第一目標之該初始形狀包含熔融金屬之一扁圓球，該扁圓球具有沿著一第一方向之一第一範圍及沿著垂直於該第一方向之一第二方向之一第二範圍，且該第一範圍對該第二範圍之比率係介於0.75與0.9之間。
  10. 如請求項1之EUV光源，其中該初始目標區處之該第一目標之該初始形狀包含熔融金屬之一扁圓球，該扁圓球具有沿著一第一方向之一第一範圍及沿著垂直於該第一方向之一第二方向之一第二範圍，且該第一範圍對該第二範圍之比率約為0.8。
  11. 如請求項1之EUV光源，其中該經修改目標具有藉由該初始目標區處之該第一目標之該初始形狀判定之一形態，該形態描述在三維中該目標之一形狀及/或一目標材料密度。
  12. 如請求項11之EUV光源，其中該經修改目標包含在該三維中之一者中的一側向範圍，該側向範圍取決於該第一目標區與該第二目標區之間的一距離。
  13. 如請求項1之EUV光源，其中該第一目標材料小滴之該初始形狀受控制以藉此控制根據該第二光束與該經修改目標之間的該相互作用而產生之電漿之一量包含：該第一目標材料之該初始形狀受控制以藉此控制該EUV光源之一轉換效率(CE)，該CE為供應至該經修改目標之能量對作為EUV光自該電漿發射之能量的一比率。
  14. 如請求項1之EUV光源，其中該初始目標區係介於該目標材料供應系統與該第一目標區之間。
  15. 一種控制一極紫外(EUV)光源中之轉換效率(CE)之方法，該方法包含： 藉由控制該EUV光源之一組件來判定一初始目標之一初始形狀； 致使一預脈衝光束與該初始目標相互作用以形成一經修改目標；及 致使一主光學脈衝與該經修改目標相互作用以產生發射EUV光之一電漿，其中該經修改目標與該主光學脈衝之間的該相互作用係與一轉換效率(CE)相關聯，該CE為供應至該經修改目標之能量對作為EUV光自該電漿發射之能量的一比率，且該CE係基於該初始目標之該經判定初始形狀而控制。
  16. 如請求項15之方法，其中該EUV光源之該組件包含作為一目標材料供應系統之一部分的一儲集器，且 判定該初始目標之該初始形狀包含在由該目標供應系統產生該初始目標之前控制該儲集器中之熔融目標材料上的一壓力量。
  17. 如請求項16之方法，其中控制該儲集器中之該熔融目標材料上的該壓力量會控制該初始目標與另一目標之間的一間距，且該初始目標之該初始形狀係基於該間距。
  18. 如請求項15之方法，其中該EUV光源之該組件包含耦接至一目標材料供應系統之一毛細管之一致動器，且 判定該初始目標之該初始形狀包含控制該致動器使得該致動器以多於一個頻率使該管振動。
  19. 如請求項18之方法，其中控制該致動器使得該致動器以多於一個頻率使該管振動會自一目標材料射流產生一聚結目標串流，且該方法進一步包含調整該多於一個頻率中之一者使得該等聚結目標中之兩者合併成一合併目標，且該初始目標係該合併目標。
  20. 如請求項15之方法，其中該EUV光源之組件包含經組態以供應該初始目標及至少一第二目標之一目標材料供應系統，且 判定該初始目標之該初始形狀包含控制該目標材料供應系統使得調整該初始目標與該第二目標之間的一間距，該第二目標在該初始目標之前由該目標供應系統供應。
  21. 如請求項15之方法，其中該EUV光源之該組件包含經組態以提供一初始光束之一初始光源，且 判定該初始目標之該初始形狀包含控制該初始光源使得該初始光束與該初始目標相互作用，且其中該初始目標之該初始形狀藉由使該初始目標與該初始光束相互作用而至少部分地判定。
TW109110091A 2019-04-01 2020-03-25 極紫外（ｅｕｖ）光源、目標供應系統、及控制ｅｕｖ光源中轉換效率的方法 TWI892982B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962827521P 2019-04-01 2019-04-01
US62/827,521 2019-04-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202106116A true TW202106116A (zh) 2021-02-01
TWI892982B TWI892982B (zh) 2025-08-11

Family

ID=70483168

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109110091A TWI892982B (zh) 2019-04-01 2020-03-25 極紫外（ｅｕｖ）光源、目標供應系統、及控制ｅｕｖ光源中轉換效率的方法

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP3949692A1 (zh)
KR (1) KR20210141483A (zh)
CN (1) CN113661789A (zh)
NL (1) NL2025231A (zh)
TW (1) TWI892982B (zh)
WO (1) WO2020205883A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114355735A (zh) * 2022-01-20 2022-04-15 广东省智能机器人研究院 极紫外光产生方法和系统
CN114675502A (zh) * 2022-03-25 2022-06-28 广东省智能机器人研究院 极紫外光产生方法和系统

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3759066B2 (ja) * 2002-04-11 2006-03-22 孝晏 望月 レーザプラズマ発生方法およびその装置
JP4337648B2 (ja) * 2004-06-24 2009-09-30 株式会社ニコン Ｅｕｖ光源、ｅｕｖ露光装置、及び半導体デバイスの製造方法
US7449703B2 (en) * 2005-02-25 2008-11-11 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery target material handling
US8530871B2 (en) * 2007-07-13 2013-09-10 Cymer, Llc Laser produced plasma EUV light source
US8173985B2 (en) * 2009-12-15 2012-05-08 Cymer, Inc. Beam transport system for extreme ultraviolet light source
JP5709084B2 (ja) * 2010-07-08 2015-04-30 株式会社Ihi Ｌｐｐ方式のｅｕｖ光源とその発生方法
CN103064259B (zh) * 2012-12-10 2014-11-12 华中科技大学 一种极紫外激光等离子体光源碎屑的隔离方法及系统
CN103079327B (zh) * 2013-01-05 2015-09-09 中国科学院微电子研究所 一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置
US9632411B2 (en) * 2013-03-14 2017-04-25 Applied Materials, Inc. Vapor deposition deposited photoresist, and manufacturing and lithography systems therefor
US8791440B1 (en) * 2013-03-14 2014-07-29 Asml Netherlands B.V. Target for extreme ultraviolet light source
CN103592822B (zh) * 2013-10-29 2015-06-10 华中科技大学 一种提高极紫外辐射转换效率的方法及装置
US9338870B2 (en) * 2013-12-30 2016-05-10 Asml Netherlands B.V. Extreme ultraviolet light source
US9357625B2 (en) * 2014-07-07 2016-05-31 Asml Netherlands B.V. Extreme ultraviolet light source
DE102014222674B3 (de) * 2014-11-06 2016-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lithographiesystem
US9713240B2 (en) * 2015-08-12 2017-07-18 Asml Netherlands B.V. Stabilizing EUV light power in an extreme ultraviolet light source
TWI739755B (zh) * 2015-08-12 2021-09-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 極紫外線光源中之目標擴張率控制
JP6715332B2 (ja) * 2016-09-02 2020-07-01 ギガフォトン株式会社 ターゲット生成装置及び極端紫外光生成装置
US10310380B2 (en) * 2016-12-07 2019-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High-brightness light source

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210141483A (ko) 2021-11-23
EP3949692A1 (en) 2022-02-09
WO2020205883A1 (en) 2020-10-08
TWI892982B (zh) 2025-08-11
CN113661789A (zh) 2021-11-16
NL2025231A (en) 2020-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI863954B (zh) 目標傳遞系統
JP6263196B2 (ja) 液滴ジェネレータ、ｅｕｖ放射源、リソグラフィ装置、液滴を生成する方法及びデバイス製造方法
TWI820102B (zh) 用於一極紫外線（ｅｕｖ）光源之系統及形成用於一ｅｕｖ光源之一目標之方法
US12332571B2 (en) Target control in extreme ultraviolet lithography systems using aberration of reflection image
CN111566563A (zh) 用于监测等离子体的系统
TWI892982B (zh) 極紫外（ｅｕｖ）光源、目標供應系統、及控制ｅｕｖ光源中轉換效率的方法
CN112930714B (zh) 监测光发射
TWI853024B (zh) 用於極紫外線光（ｅｕｖ）源之目標遞送系統及用於保護目標材料遞送系統之孔口之方法
CN115669232A (zh) 极紫外光源的对准
TW202534426A (zh) 用於極紫外線光源之極紫外線光產生序列