TW202104947A - 複合材之分斷方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題在於提供一種複合材之分斷方法,該方法不會使脆性材料層之端面產生裂痕並且不會使樹脂層之端部之品質惡化。
本發明之解決手段係一種分斷脆性材料層與樹脂層積層而成之複合材之方法,該方法之特徵在於包含以下步驟:樹脂去除步驟,係沿複合材之分斷預定線對樹脂層照射從第1雷射光源振盪激發之雷射光,以形成沿於分斷預定線的加工溝;脆性材料去除步驟,係在樹脂去除步驟之後,沿分斷預定線對脆性材料層照射從超短脈衝雷射光源振盪激發之雷射光,以形成沿於分斷預定線的加工痕;及,脆性材料層分斷步驟,係在脆性材料去除步驟之後,從與樹脂層相反之側對脆性材料層照射從第2雷射光源振盪激發之雷射光,使脆性材料層產生熱應力,藉此分斷脆性材料層。
Description
本發明涉及分斷脆性材料層與樹脂層積層而成之複合材的方法。尤其,本發明涉及一種可分斷複合材而不使脆性材料層之端面產生裂痕並且不使樹脂層之端部之品質惡化的方法。
近年來,液晶面板之薄型化及高精細化持續進展,並且為使介面具有多樣性而於畫面上搭載有觸控感測機能的液晶面板亦漸被廣泛使用於行動電話至資訊顯示器等廣泛領域中。
搭載有觸控感測功能之液晶面板一般為以下液晶面板:將具有感測機能的薄膜或玻璃積層於偏光薄膜上,並透過用以填埋感測器表面之高低差的厚型黏著層(OCA,Optical Clear Adhesive),將稱為前面板的強化玻璃配置於最表面者。最近,出於薄型化及輕量化之觀點,已有具有內置型液晶單元之液晶面板的出現,該內置型液晶單元係將觸控感測器組入液晶單元之玻璃基板者。
另一方面,有使用以樹脂形成者作為前面板,並有在研討該樹脂製之前面板的高硬度化,但目前仍無法獲得充分的硬度。且樹脂製之前面板亦有耐加濕性差之問題。
因此,被稱為薄玻璃的薄膜狀玻璃作為配置於液晶面板之最表面的前面板持續受到矚目。薄玻璃可捲取成捲狀,且具有亦可適用於所謂捲對捲方式之製程的優點,而提出了一種與偏光薄膜一體化而成的玻璃偏光薄膜(例如參照專利文獻1)。
玻璃偏光薄膜只要貼合於內置型液晶單元即可獲得搭載有觸控感測機能的液晶面板,因此與使用了強化玻璃作為前面板的一般液晶面板相比,可大幅簡化製程。
而將由上述之玻璃等所形成之脆性材料層與由偏光薄膜等所形成之樹脂層積層而成的複合材按用途分斷成所期望之形狀、尺寸之方法,想出有對樹脂層進行雷射加工,並以機械工具對脆性材料層進行加工之方法(例如參照專利文獻2)。
但經過本發明人等之研討,已知若在對樹脂層進行雷射加工後以機械工具對脆性材料層進行加工,會有脆性材料層之端面產生裂痕之情形。
在此,已知有對玻璃等脆性材料照射從不同於前述雷射加工所使用之雷射光源的超短脈衝雷射光源振盪激發之雷射光(超短脈衝雷射光),藉此對脆性材料進行精密加工之技術(例如參照專利文獻3)。使用如專利文獻3記載之超短脈衝雷射光之加工技術的生產性優異,不會使加工後之端面產生裂痕而品質亦優異。
惟,使用超短脈衝雷射光之加工技術雖對玻璃等脆性材料單體有效,但用於將脆性材料層與樹脂層積層而成的複合材整個一起分斷則會招致分斷後之端面的品質降低,因此有困難。例如,即便從複合材之脆性材料層側照射超短脈衝雷射光,樹脂層之端部仍會因未被消耗於去除形成脆性材料層之脆性材料所透射之超短脈衝雷射光而熱劣化。
另,非專利文獻1中記載有在使用超短脈衝雷射光之加工技術中,利用超短脈衝雷射光之絲化(filamentation)現象一事、及將多焦點光學系統或貝索光束光學系統應用於超短脈衝雷射光源一事。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1:國際公開2013-175767號
專利文獻2:日本專利特開2011-178636號公報
專利文獻3:日本專利第6239461號公報
非專利文獻
非專利文獻1:John Lopez等人,“使用超短脈衝貝索光束進行之切割玻璃(GLASS CUTTING USING ULTRASHORT PULSED BESSEL BEAMS)”,[online],2015年10月,國際光電子與雷射應用會議(International Congress on Applications of Lasers & Electro-Optics(ICALEO)),[2019年7月8日檢索],網址(URL:https://www.researchgate.net/publication/284617626_GLASS_CUTTING_USING_ULTRASHORT_PULSED_BESSEL_BEAMS)
發明欲解決之課題
本發明是為了解決上述以往技術之問題點而成者,其課題在於提供一種複合材之分斷方法,該方法可分斷脆性材料層與樹脂層積層而成的複合材,而不會使脆性材料層之端面產生裂痕並且不會使樹脂層之端部之品質惡化。
用以解決課題之手段
為了解決前述課題,本發明人等研討以使用如前述專利文獻3所記載之超短脈衝雷射光對脆性材料層進行加工之方法,來取代前述專利文獻2所記載之技術中以機械工具對脆性材料層進行加工之方法。然後,檢討了於其之後對脆性材料層施加機械性外力來分斷之方法。
但得知在以與專利文獻2記載之方法相同方式對脆性材料層施加機械性外力來分斷時,會有於脆性材料層之端面產生裂痕之情況。
因此,本發明人等積極檢討後發現,在使用超短脈衝雷射光對脆性材料層加工後,對脆性材料層賦予熱使脆性材料層產生熱應力,藉此可分斷(割斷)脆性材料層而不使脆性材料層之端面產生裂痕。且,發現此時不從樹脂層側進行熱傳導,而從脆性材料層側對脆性材料層賦予熱,藉此可不使樹脂層之端部之品質惡化(樹脂層之伴隨熱劣化而產生之變色少)。
本發明係鑑於上述本發明人等之見解而完成之發明。
亦即,為了解決前述課題,本發明提供一種複合材之分斷方法,其係分斷脆性材料層與樹脂層積層而成之複合材之方法,該方法之特徵在於包含以下步驟:樹脂去除步驟,係沿前述複合材之分斷預定線對前述樹脂層照射從第1雷射光源振盪激發之雷射光,以去除形成前述樹脂層之樹脂,藉此形成沿於前述分斷預定線的加工溝;脆性材料去除步驟,係在前述樹脂去除步驟之後,沿前述分斷預定線對前述脆性材料層照射從超短脈衝雷射光源振盪激發之雷射光,以去除形成前述脆性材料層之脆性材料,藉此形成沿於前述分斷預定線的加工痕;及,脆性材料層分斷步驟,係在前述脆性材料去除步驟之後,沿前述分斷預定線從與前述樹脂層相反之側對前述脆性材料層賦予熱,使前述脆性材料層產生熱應力,藉此分斷前述脆性材料層。
根據本發明之方法,係在樹脂去除步驟中去除形成樹脂層之樹脂,藉此形成沿於分斷預定線的加工溝後,在脆性材料去除步驟中去除形成脆性材料層之脆性材料,藉此形成沿於相同分斷預定線的加工痕。之後,在脆性材料層分斷步驟中,沿相同分斷預定線從與樹脂層相反之側(脆性材料層及樹脂層之中的脆性材料層側)對脆性材料層賦予熱使脆性材料層產生熱應力,藉此可一如前述本發明人等之見解,可將脆性材料層分斷而不使脆性材料層之端面產生裂痕,同時亦不會使樹脂層之端部之品質惡化。
另,當在樹脂去除步驟中去除形成樹脂層之樹脂而形成之加工溝底部沒有樹脂殘渣殘留時,僅實行樹脂去除步驟、脆性材料去除步驟及脆性材料層分斷步驟,便可分斷複合材。
當在加工溝底部有樹脂殘渣殘留時,在實行樹脂去除步驟、脆性材料去除步驟及脆性材料層分斷步驟後,為了分斷樹脂殘渣,例如可藉由對樹脂層施加機械性外力來分斷複合材。即便對樹脂層乃至脆性材料層施加機械性外力,在此時間點,脆性材料層早已藉由脆性材料層分斷步驟被分斷,因此不會於脆性材料層之端面產生裂痕。
另,本發明之方法中所謂「沿前述複合材之分斷預定線對前述樹脂層照射雷射光」意指從複合材之厚度方向(脆性材料層與樹脂層之積層方向)觀看,沿分斷預定線將雷射光照射至樹脂層。又,本發明之方法中所謂「沿前述分斷預定線對前述脆性材料層照射雷射光」意指從複合材之厚度方向(脆性材料層與樹脂層之積層方向)觀看,沿分斷預定線將雷射光照射至脆性材料層。
又,本發明之方法中在樹脂去除步驟中所使用之第1雷射光源的種類只要為可以振盪激發之雷射光去除形成樹脂層之樹脂者即無特別限定。惟,由可提高雷射光對複合材之相對移動速度(加工速度)之觀點來看,宜使用可振盪激發紅外線區域之波長之雷射光的CO2
雷射光源或CO雷射光源。
本發明之方法中,在脆性材料去除步驟中形成之加工痕例如可例示沿於分斷預定線的虛線狀貫通孔。此時,在脆性材料層分斷步驟中,於脆性材料層產生之熱應力會造成龜裂以連接虛線狀貫通孔之方式沿分斷預定線進展,使脆性材料層被分斷(割斷)。
惟,在脆性材料去除步驟中形成的加工痕並不限於虛線狀貫通孔。只要在脆性材料去除步驟中,將從超短脈衝雷射光源振盪激發之雷射光與沿脆性材料層之分斷預定線的相對移動速度設定得較小,或將超短脈衝雷射光源的脈衝振盪之重複頻率設定得較大,便可形成沿分斷預定線連接成一體的貫通孔(長孔)作為加工痕。即便於此情況下,藉由實行脆性材料層分斷步驟仍可確實分斷脆性材料層。
較佳為在前述脆性材料層分斷步驟中,藉由從與前述樹脂層相反之側對前述脆性材料層照射從第2雷射光源振盪激發的雷射光,使前述脆性材料層產生熱應力。
根據上述較佳之方法,脆性材料層之兩面中,從第2雷射光源振盪激發的雷射光所照射之側的面的溫度會相對變高,而與雷射光所照射之側相反之側的面的溫度會相對變低。藉此,於雷射光所照射之側的面會產生壓縮應力,而於與雷射光所照射之側相反之側的面會產生拉伸應力。藉由該應力差,龜裂會以加工痕為起點進展,從而脆性材料層會被分斷(割斷)。
此外,上述較佳之方法中,脆性材料層分斷步驟中所用第2雷射光源之種類只要可以藉由振盪激發的雷射光產生之熱應力來分斷脆性材料層即無特別限定。第2雷射光源與第1雷射光源同樣地,可使用可振盪激發紅外線區域之波長之雷射光的CO2
雷射光源或CO雷射光源。
此外,脆性材料層分斷步驟中使脆性材料層產生熱應力之方法並不限於將從第2雷射光源振盪激發的雷射光照射至脆性材料層之方法,亦可採用使脆性材料層達高溫後再冷卻之方法。具體而言亦可採用以下方法:先使用乾燥機之溫風等將脆性材料層加溫至數百℃,並在溫度下降前對脆性材料層噴吹水滴或冷風,利用冷卻時之溫度差來使熱應力產生。
較佳為在前述脆性材料層分斷步驟中,從前述第2雷射光源振盪激發的雷射光照射至前述脆性材料層之照射位置的點徑為2mm以下。
根據上述較佳的方法,因從第2雷射光源振盪激發的雷射光的點徑不會過度變大,故可縮小熱傳導對樹脂層之影響。
較佳為在前述脆性材料層分斷步驟中,從前述第2雷射光源振盪激發的雷射光照射至前述脆性材料層之照射位置的點徑為400μm以上。
根據上述較佳的方法,因從第2雷射光源振盪激發的雷射光的點徑不會過度變小,故具有可易將從第2雷射光源振盪激發的雷射光沿分斷預定線照射之優點。
較佳為在前述脆性材料層分斷步驟中,從前述第2雷射光源振盪激發的雷射光照射至前述脆性材料層之照射位置的能量密度為78W/mm2
以下。
根據上述較佳的方法,因從第2雷射光源振盪激發的雷射光的能量密度(=雷射光的輸出/雷射光的點面積)不會過度變大,故可縮小熱傳導對樹脂層之影響。
從第1雷射光源振盪激發之雷射光係在樹脂去除步驟中用於形成沿於分斷預定線的加工溝,因此為了避免加工溝之寬度過大,需將點徑縮小至某種程度。相對於此,從第2雷射光源振盪激發之雷射光則係在脆性材料層分斷步驟中用於對脆性材料層賦予熱使熱應力產生,因此不需將點徑縮小至如形成加工溝時之程度。即,因各雷射光之用途不同,故從第1雷射光源振盪激發的雷射光的點徑宜較從第2雷射光源放射出的雷射光的點徑更小。
具體而言,前述樹脂去除步驟中,從前述第1雷射光源振盪激發的雷射光照射至前述樹脂層之照射位置的點徑宜為300μm以下。
應用本發明方法之前述脆性材料層的厚度可例示30~150μm,而前述樹脂層的厚度可例示50~300μm。
較佳為在前述脆性材料層分斷步驟中,使前述脆性材料層產生熱應力後,沿前述分斷預定線對前述脆性材料層施加機械性外力。
且,較佳為在前述脆性材料層分斷步驟中,使前述脆性材料層產生熱應力後,沿前述分斷預定線從前述加工溝側對前述脆性材料層噴吹空氣。
根據上述較佳的方法,除了使脆性材料層產生熱應力,還對脆性材料層施加機械性外力或對脆性材料層噴吹空氣,故可確實分斷脆性材料層。
本發明方法例如可適宜用於前述脆性材料層包含玻璃且前述樹脂層包含偏光薄膜之情形。
利用本發明之方法,可使前述脆性材料層分斷步驟之後的前述樹脂層伴隨熱劣化產生之變色區域為經分斷之前述脆性材料層之端面起算小於1000μm之區域。
發明效果
利用本發明,可分斷脆性材料層與樹脂層積層而成之複合材而不使脆性材料層之端面產生裂痕並且不使樹脂層之端部之品質惡化。
以下邊參照添附之圖式,就本發明一實施形態之複合材之分斷方法予以說明。
圖1~圖3係示意說明本發明一實施形態之複合材之分斷方法之程序的說明圖。
圖1(a)係顯示本實施形態分斷方法之樹脂去除步驟的截面圖,圖1(b)係顯示本實施形態分斷方法之脆性材料去除步驟的截面圖。
圖2(a)及(b)係顯示本實施形態分斷方法之脆性材料分斷步驟的截面圖。
圖3(a)係顯示本實施形態分斷方法之脆性材料去除步驟的俯視圖(從脆性材料層側觀看之圖),圖3(b)係顯示本實施形態分斷方法之脆性材料去除步驟的立體圖。
此外,圖3中係省略超短脈衝雷射光源30之圖示。
本實施形態之分斷方法係將脆性材料層1與樹脂層2積層而成之複合材10沿厚度方向(脆性材料層1與樹脂層2之積層方向、圖1之上下方向、Z方向)分斷之方法。
脆性材料層1與樹脂層2係藉由任意適當之方法積層。例如脆性材料層1與樹脂層2可藉由所謂捲對捲之方式積層。亦即可一邊將長條脆性材料層1與長條樹脂層2之本體(在本實施形態中為構成樹脂層2之偏光薄膜21、黏著劑22及剝離襯材23)沿長邊方向輸送,一邊使雙方之長邊方向對齊並透過接著劑24互相貼合,藉此將脆性材料層1與樹脂層2積層。又,亦可將脆性材料層1與樹脂層2之本體分別裁切成預定形狀後再積層。
形成脆性材料層1之脆性材料可例示玻璃及單晶或多晶矽。較佳可使用玻璃。
玻璃依組成來分類,可例示鈉鈣玻璃、硼酸玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、石英玻璃及藍寶石玻璃。又,根據鹼性成分來分類可例示無鹼玻璃、低鹼玻璃。玻璃之鹼金屬成分(例如Na2
O、K2
O、Li2
O)的含量宜為15重量%以下,更宜為10重量%以下。
脆性材料層1之厚度宜為150μm以下,且宜為120μm以下,更宜為100μm以下。另一方面,脆性材料層1之厚度宜為30μm以上,更宜為80μm以上。只要脆性材料層1之厚度在所述範圍,便可藉由捲對捲與樹脂層2積層。
形成脆性材料層1之脆性材料為玻璃時,脆性材料層1在波長550nm下之透光率宜為85%以上。形成脆性材料層1之脆性材料為玻璃時,脆性材料層1在波長550nm下之折射率宜為1.4~1.65。形成脆性材料層1之脆性材料為玻璃時,脆性材料層1之密度宜為2.3g/cm3
~3.0g/cm3
,更宜為2.3g/cm3
~2.7g/cm3
。
形成脆性材料層1之脆性材料為玻璃時,脆性材料層1可直接使用市售之玻璃板,亦可將市售之玻璃板研磨成所期望之厚度後使用。市售之玻璃板可舉例如康寧公司製「7059」、「1737」或「EAGLE2000」、AGC公司製「AN100」、NH Techno Glass公司製「NA-35」、Nippon Electric Glass公司製「OA-10G」、SCHOTT公司製「D263」或「AF45」。
樹脂層2之本體可例示以聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等丙烯酸樹脂、環狀烯烴聚合物(COP)、環狀烯烴均聚物(COC)、聚碳酸酯(PC)、胺甲酸酯樹脂、聚乙烯醇(PVA)、聚醯亞胺(PI)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、三醋酸纖維素(TAC)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、乙烯-乙酸乙烯酯(EVA)、聚醯胺(PA)、聚矽氧樹脂、環氧樹脂、液晶聚合物、各種樹脂製發泡體等塑膠材料形成之單層薄膜、或由多層構成之積層薄膜。
樹脂層2之本體為由多層構成之積層薄膜時,亦可於層間存在丙烯酸黏著劑、胺甲酸酯黏著劑、聚矽氧黏著劑等各種黏著劑或接著劑。
又,亦可於樹脂層2之本體表面形成有氧化銦錫(ITO)、Ag、Au、Cu等導電性無機膜。
本實施形態之分斷方法尤其可適宜用於樹脂層2之本體為可用於顯示器之偏光薄膜或相位差薄膜等各種光學薄膜之情形。
樹脂層2本體之厚度宜為20~500μm,更宜為50~300μm。
此外圖1所示之例中,樹脂層2之本體係圖示為偏光薄膜21與剝離襯材23透過黏著劑22積層而成之積層薄膜之例。樹脂層2之本體係透過接著劑24與脆性材料層1積層。本實施形態中,將樹脂層2之本體(偏光薄膜21、黏著劑22及剝離襯材23)與接著劑24之組合稱為樹脂層2。
偏光薄膜21具有偏光件及配置在偏光件之至少一面的保護薄膜。偏光件的厚度並無特別限制,可根據目的採用適當的厚度。偏光件的厚度代表上為1~80μm左右。在一態樣中,偏光件之厚度宜為30μm以下。偏光件為碘系偏光件。更詳細來說,上述偏光件可由含碘的聚乙烯醇系樹脂薄膜構成。
構成上述偏光薄膜21之偏光件的製造方法可舉例如以下之方法1、2等。
(1)方法1:將聚乙烯醇系樹脂薄膜單體延伸、染色之方法。
(2)方法2:將具有樹脂基材與聚乙烯醇系樹脂層之積層體(i)延伸、染色之方法。
方法1為本業界中眾所皆知的慣用方法,故省略詳細說明。
方法2宜包含以下步驟:將具有樹脂基材與形成於該樹脂基材之單側的聚乙烯醇系樹脂層的積層體(i)延伸、染色,而於前述樹脂基材上製作偏光件。積層體(i)可在樹脂基材上塗佈包含聚乙烯醇系樹脂的塗佈液並乾燥而形成。且,積層體(i)也可將聚乙烯醇系樹脂膜轉印到樹脂基材上來形成。方法2之詳細內容例如已記載於日本特開2012-73580號公報中,而本說明書即援用該公報作為參考。
構成上述偏光薄膜21之保護薄膜係配置於偏光件之一面或兩面。保護薄膜亦可使用三醋酸纖維素系薄膜、丙烯酸系薄膜、環烯烴系薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯系薄膜等。此外,偏光薄膜21亦可適當地更具備有相位差薄膜。相位差薄膜可因應目的具有任意適當之光學特性及/或機械特性。
接著劑24可使用例如聚酯系接著劑、聚胺甲酸酯系接著劑、聚乙烯醇系接著劑、環氧系接著劑。尤其,以可獲得良好的密著性之觀點來看,宜使用環氧系接著劑。
當接著劑24為熱硬化型接著劑時,藉由加熱使其硬化(固化)可發揮剝離抵抗力。又,當接著劑24為紫外線硬化型等光硬化型接著劑時,藉由照射紫外線等光使其硬化可發揮剝離抵抗力。並且,當接著劑24為濕氣硬化型接著劑時,由於其可與氣體環境中的水分等反應而硬化,因此僅將其放置亦會硬化而可發揮剝離抵抗力。
接著劑24例如可使用市售之接著劑,亦可將各種硬化型樹脂溶解或分散於溶劑中,而調製出接著劑溶液(或分散液)。
接著劑24的厚度宜為10μm以下,且宜為1~10μm,更宜為1~8μm,尤宜為1~6μm。
本實施形態之分斷方法包含有樹脂去除步驟、脆性材料去除步驟及脆性材料層分斷步驟。以下依序對各步驟作說明。
<樹脂去除步驟>
如圖1(a)所示,在樹脂去除步驟中,係沿複合材10之分斷預定線對樹脂層2照射從第1雷射光源20a振盪激發之雷射光L1,以去除形成樹脂層2之樹脂。藉此形成沿於分斷預定線的加工溝25。
在圖1~圖3所示例中,為求方便,係圖示出複合材10之面內(XY2維平面內)正交之2方向(X方向及Y方向)之中,沿Y方向延伸之直線DL為分斷預定線時之情形,但本發明不限於此,可設定各種分斷預定線例如將多條沿X方向延伸之直線DL與多條沿Y方向延伸之直線DL設定成格子狀之分斷預定線等。以下,稱該直線DL為「分斷預定線DL」。
分斷預定線DL可以可在視覺上辨識之標示實際繪於複合材10上,亦可於用以控制雷射光L1與複合材10在XY2維平面上之相對位置關係的控制裝置(未圖示)中預先輸入其座標。圖1~圖3所示分斷預定線DL係其座標已被預先輸入至控制裝置中而未被實際繪於複合材10上的假想線。此外,分斷預定線DL不限於直線,亦可為曲線。藉由因應複合材10之用途來決定分斷預定線DL,可將複合材10因應用途分斷成任意形狀、尺寸。
本實施形態中,第1雷射光源20a係使用振盪激發之雷射光L1之波長為紅外線區域之9~11μm的CO2
雷射光源。
但本發明不限於此,第1雷射光源20a亦可使用振盪激發之雷射光L1之波長為5μm的CO雷射光源。
且,第1雷射光源20a亦可使用可見光及紫外線(UV)脈衝雷射光源。可見光及UV脈衝雷射光源可例示振盪激發之雷射光L1之波長為532nm、355nm、349nm或266nm(以Nd:YAG、Nd:YLF或YVO4為介質之固態雷射光源之高次諧波)者、振盪激發之雷射光L1之波長為351nm、248nm、222nm、193nm或157nm的準分子雷射光源、振盪激發之雷射光L1之波長為157nm的F2雷射光源。
又,第1雷射光源20a還可使用振盪激發之雷射光L1之波長為紫外線區域外並且脈寬為飛秒或皮秒等級之脈衝雷射光源。只要使用從該脈衝雷射光源振盪激發之雷射光L1,便可誘發建基於多光子吸收過程的燒蝕加工。
並且,第1雷射光源20a亦可使用振盪激發之雷射光L1之波長為紅外線區域之半導體雷射光源或光纖雷射光源。
將雷射光L1沿複合材10之分斷預定線照射的態樣(掃描雷射光L1之態樣)可想到例如將單片狀複合材10載置於XY2軸台(未圖示)並固定(例如吸附固定),再藉由來自控制裝置之控制訊號驅動XY2軸台,藉此變更複合材10在XY2維平面上相對於雷射光L1的相對位置。又,還想到固定複合材10之位置,並使用藉由來自控制裝置之控制訊號驅動的檢流計鏡及多角鏡來使從第1雷射光源20a振盪激發之雷射光L1偏向,藉此變更照射在複合材10上之雷射光L1在XY2維平面上之位置。進而,亦可將上述使用了XY2軸台的複合材10之掃描與使用了檢流計鏡等的雷射光L1之掃描雙方併用。
第1雷射光源20a之振盪形態可為脈衝振盪亦可為連續振盪。雷射光L1的空間強度分布可為高斯分布,而亦可為了抑制非雷射光L1之去除對象的脆性材料層1之熱損傷,使用繞射光學元件(未圖示)等來整形成平頂分布。雷射光L1之偏光狀態無限制,可為直線偏光、圓偏光及隨機偏光任一種。
藉由沿複合材10之分斷預定線DL對樹脂層2照射雷射光L1,而用來形成樹脂層2的樹脂之中,被雷射光L1照射之樹脂會因吸收紅外線而發生局部性溫度上升而該樹脂會飛散,從而該樹脂會從該複合材10被去除,而於複合材10形成加工溝25。欲抑制從複合材10去除的樹脂之飛散物再附著至複合材10,宜於分斷預定線DL附近設置集塵機構。欲抑制加工溝25之溝寬變得過大,宜將雷射光L1聚光成對樹脂層2之照射位置的點徑Da(參照圖1(a))成為300μm以下,且將雷射光L1聚光成點徑Da成為200μm以下更佳。
另,根據本發明人等之見解,在採用以被雷射光L1照射之樹脂會因吸收紅外線而發生局部性溫度上升為原理的樹脂去除方法時,無論樹脂之種類或樹脂層2之層結構為何,皆可依樹脂層2之厚度來大致推算出形成加工溝25所需投入的能量。具體而言係可根據樹脂層2之厚度,利用以下式(2)推算出形成加工溝25所需之以下式(1)所示投入能量。
投入能量[mJ/mm]=雷射光L1之平均功率[mW]/加工速度[mm/秒]・・・(1)
投入能量[mJ/mm]=0.5×樹脂層2之厚度[μm]・・・(2)
實際設定之投入能量宜設定成以上述式(2)推算出之投入能量的20~180%,且設定成50~150%更佳。之所以如所述般對推算出之投入能量設置裕度,係因考量到形成加工溝25所需投入能量會因形成樹脂層2之樹脂的光吸收率(雷射光L1之波長下的光吸收率)、樹脂之熔點、分解點等熱物性之不同而產生差異之故。具體上例如可準備要應用本實施形態之分斷方法的複合材10之試樣,進行預備試驗、即以上述適宜範圍內的多個投入能量來於該試樣之樹脂層2形成加工溝25,從而決定適當之投入能量即可。
另,在本實施形態之樹脂去除步驟中,係不在分斷預定線DL相交之區域照射多次從第1雷射光源20a振盪激發之雷射光L1。具體而言係如同前述,分斷預定線DL之座標已被預先輸入至控制裝置中,故控制裝置可辨識分斷預定線DL相交之區域的座標。因此,控制裝置可在雷射光L1要掃描分斷預定線DL的相交區域第2次時,將照射相交區域的雷射光L1的輸出控制在0%。而在雷射光L1要掃描相交區域3次以上時亦同。藉此,從第1雷射光源20a振盪激發之雷射光L1便不會在分斷預定線DL相交之區域照射多次。
如同上述,不在分斷預定線DL相交之區域照射多次雷射光L1,藉此可減少對脆性材料層1賦予之熱損傷。藉此,便可獲得在後述之脆性材料去除步驟中形成加工痕時,不易於脆性材料層1之端面(分斷預定線DL之相交區域附近的端面)產生裂痕之優點。
另,控制雷射光L1之輸出的方法可使用例如對第1雷射光源20a之激發源進行脈衝控制之方法、以機械快門進行開/關之方法。
在本實施形態中,在樹脂去除步驟中,係採用不在分斷預定線DL相交之區域照射多次從第1雷射光源20a振盪激發之雷射光L1的態樣,但本發明不限於此,亦可採用使雷射光L1之照射量在分斷預定線DL相交之區域變得較分斷預定線DL相交之區域以外之區域更低的態樣。具體上例如亦可在雷射光L1掃描分斷預定線DL的相交區域第2次以後時,將雷射光L1之輸出控制成較掃描相交區域第1次時之輸出更低(在分斷預定線DL相交之區域以外之區域則不使其降低)。
又,本實施形態之樹脂去除步驟之特徵在於將形成樹脂層2之樹脂以其一部分以殘渣形式殘留在加工溝25之底部的方式來去除。殘渣的厚度宜為1~30μm。圖1(a)中係圖示僅有接著劑24以殘渣形式殘留之例,但亦可為除了接著劑24之外偏光薄膜21的一部分亦以殘渣形式殘留之態樣。
如此一來,相較於沿分斷預定線DL來完全去除形成樹脂層2之樹脂之情況,藉由使加工溝25之底部有殘渣殘留的方式來去除樹脂,可獲得對脆性材料層1賦予之熱損傷會依殘渣殘留之程度而更進一步減少,從而脆性材料層1之端面更不容易產生裂痕之優點。
<脆性材料去除步驟>
如圖1(b)及圖3所示,在脆性材料去除步驟中,係在樹脂去除步驟之後,沿分斷預定線DL對脆性材料層1照射從超短脈衝雷射光源30振盪激發(脈衝振盪)之雷射光(超短脈衝雷射光)L2,以去除形成脆性材料層1之脆性材料,藉此形成沿於分斷預定線DL的加工痕11。
將雷射光L2沿分斷預定線DL照射之態樣(以相對方式掃描雷射光L2之態樣)可採用與前述將雷射光L1沿分斷預定線DL照射之態樣相同之態樣,因此在此省略詳細說明。
形成脆性材料層1之脆性材料係利用從超短脈衝雷射光源30振盪激發之雷射光L2之絲化現象或藉由將多焦點光學系統(未圖示)或貝索光束光學系統(未圖示)應用於超短脈衝雷射光源30來去除。
另,有關利用超短脈衝雷射光之絲化現象一事及將多焦點光學系統或貝索光束光學系統應用於超短脈衝雷射光源一事,係記載於前述非專利文獻1。又,德國的Trumpf公司有販賣與將多焦點光學系統應用於超短脈衝雷射光源之玻璃加工相關的製品。如同上述,有關利用超短脈衝雷射光之絲化現象一事及將多焦點光學系統或貝索光束光學系統應用於超短脈衝雷射光源一事係屬公知,因此在此省略詳細說明。
在本實施形態之脆性材料去除步驟中形成之加工痕11係沿於分斷預定線DL的虛線狀貫通孔。貫通孔的間距P係藉由脈衝振盪之重複頻率與雷射光L2對複合材10之相對移動速度(加工速度)來決定。為了簡便且穩定進行後述脆性材料層分斷步驟,貫通孔之間距P宜設定為10μm以下。更宜設定為5μm以下。貫通孔之直徑大多以5μm以下來形成。
從超短脈衝雷射光源30振盪激發之雷射光L2之波長,宜為在形成脆性材料層1之脆性材料為玻璃時可展現高透光率之500nm~2500nm。為了有效產生非線形光學現象(多光子吸收),雷射光L2之脈寬宜為100皮秒以下,更宜為50皮秒以下。雷射光L2之振盪形態可為單脈衝振盪,亦可為叢發模之多脈衝振盪。
本實施形態之脆性材料去除步驟中,係從與在樹脂去除步驟中形成之加工溝25相反之側對脆性材料層1照射從超短脈衝雷射光源30振盪激發的雷射光L2。在圖1(a)、(b)所示例中,係以與樹脂層2相對向之方式將第1雷射光源20a相對於複合材10配置於Z方向下側,並以與脆性材料層1相對向之方式將超短脈衝雷射光源30相對於複合材10配置於Z方向上側。並且,在樹脂去除步驟中以從第1雷射光源20a振盪激發之雷射光L1形成加工溝25後,停止雷射光L1之振盪,並在脆性材料去除步驟中以從超短脈衝雷射光源30振盪激發之雷射光L2來形成加工痕11。
惟,本發明不限於此,亦可採用以下方法:將第1雷射光源20a及超短脈衝雷射光源30皆相對於複合材10配置於相同側(Z方向上側或下側),並使用公知之反轉機構使複合材10上下反轉,以使其在樹脂去除步驟中為樹脂層2與第1雷射光源20a相對向,而在脆性材料去除步驟中為脆性材料層1與超短脈衝雷射光源30相對向。
只要將從超短脈衝雷射光源30振盪激發之雷射光L2從與加工溝25相反之側照射,即便加工溝25底部有樹脂殘渣殘留,仍可不受殘渣影響而於脆性材料層1形成適當之加工痕11。
惟,本發明不限於此,亦可更包含有清理步驟,該步驟係在脆性材料去除步驟之前對在樹脂去除步驟中形成之加工溝25應用各種濕式或乾式清理,藉此去除形成樹脂層2之樹脂的殘渣。並且,亦可在脆性材料去除步驟中從加工溝25側對脆性材料層1照射從超短脈衝雷射光源30振盪激發之雷射光L2來形成加工痕11。只要在清理步驟中去除形成樹脂層2之樹脂的殘渣,即便在脆性材料去除步驟中從加工溝25側對脆性材料層1照射從超短脈衝雷射光源30振盪激發之雷射光L2,雷射光L2仍可不受樹脂殘渣影響而於脆性材料層1形成適當之加工痕11。
<脆性材料層分斷步驟>
如圖2(a)所示,在脆性材料層分斷步驟中,係在脆性材料去除步驟後,沿分斷預定線DL從與樹脂層2相反之側對脆性材料層1賦予熱使脆性材料層1產生熱應力,藉此分斷脆性材料層1。具體而言,係從與樹脂層2相反之側對脆性材料層1照射從第2雷射光源20b振盪激發的雷射光L3,使脆性材料層1產生熱應力,藉此分斷脆性材料層1。
將雷射光L3沿分斷預定線DL照射之態樣(以相對方式掃描雷射光L3之態樣)可採用與前述將雷射光L1或雷射光L2沿分斷預定線DL照射之態樣相同之態樣,因此在此省略詳細說明。
並且,在脆性材料層分斷步驟中,亦可視需求在使脆性材料層1產生熱應力後,如圖2(b)所示沿分斷預定線DL對脆性材料層1施加機械性外力,藉此確實分斷脆性材料層1乃至複合材10。在要藉由機械性破裂(凸折)來分斷複合材10時,宜以脆性材料層1為凸側(以樹脂層2為凹側)施加外力以使拉伸應力作用於脆性材料層1。又,亦可在使脆性材料層1產生熱應力後,沿分斷預定線DL從加工溝25側對脆性材料層1噴吹空氣,藉此確實分斷脆性材料層1乃至複合材10。空氣可為常溫的風亦可為暖風。
依以上方式分斷脆性材料層1乃至複合材10。圖2(b)所示之例中,複合材10係分斷成複合材片10a、10b。
本實施形態中,第2雷射光源20b係使用振盪激發之雷射光L3之波長為紅外線區域之9~11μm的CO2
雷射光源。
但本發明不限於此,可與第1雷射光源20a同樣地,第2雷射光源20b亦可使用振盪激發之雷射光L3之波長為5μm的CO雷射光源等其他雷射光源。
又,第2雷射光源20b之振盪形態或振盪激發之雷射光L3之空間強度分布亦可設為與第1雷射光源20a相同。
惟,藉由變更或調整用於第2雷射光源20b之聚光光學系統等,從第2雷射光源20b振盪激發之雷射光L3對脆性材料層1之照射位置的點徑Db(參照圖2(a))係設定成較從第1雷射光源20a振盪激發之雷射光L1對樹脂層2之照射位置的點徑Da更大。具體而言係將雷射光L3聚光成點徑Db成為2mm以下。藉此,可縮小熱傳導對樹脂層2之影響。由熱傳導對樹脂層2之影響的觀點來看,點徑Db宜設為1.2mm以下,更宜設為1mm以下,且設為0.9mm以下更佳。又,將雷射光L3聚光成點徑Db成為400μm以上。藉此,具有易將雷射光L3沿分斷預定線DL照射之優點。由易將雷射光L3沿分斷預定線DL照射之觀點來看,點徑Db宜設為0.6mm以上。並且,雷射光L3照射至脆性材料層1之照射位置的能量密度設定為78W/mm2
以下。藉此,可縮小熱傳導對樹脂層2之影響。
本實施形態之脆性材料分斷步驟中,如前述,係從與樹脂層2相反之側對脆性材料層1照射從第2雷射光源20b振盪激發的雷射光L3。在圖2(a)所示例中,係與超短脈衝雷射光源30同樣以與脆性材料層1相對向之方式將第2雷射光源20b相對於複合材10配置於Z方向上側。並且,在脆性材料去除步驟中以從超短脈衝光源30振盪激發之雷射光L2形成加工痕11後,停止雷射光L2之振盪,並在脆性材料分斷步驟中以從第2雷射光源20b振盪激發之雷射光L3來分斷脆性材料層1。
惟,本發明不限於此,亦可採用以下方法:將第2雷射光源20b相對於複合材10配置於Z方向下側,並在脆性材料層分斷步驟中使用公知之反轉機構使在脆性材料去除步驟中形成加工痕11後的複合材10(參照圖1(b))上下反轉。
根據以上說明之本實施形態之分斷方法,係在樹脂去除步驟中去除形成樹脂層2之樹脂,藉此形成沿於分斷預定線DL的加工溝25後,在脆性材料去除步驟中去除形成脆性材料層1之脆性材料,藉此形成沿於相同分斷預定線DL的加工痕11。之後,在脆性材料層分斷步驟中,沿相同分斷預定線DL從與樹脂層2相反之側以從第2雷射光源20b振盪激發之雷射光L3對脆性材料層1賦予熱,使脆性材料層1產生熱應力。藉此可分斷脆性材料層1而不使脆性材料層1之端面(沿於分斷預定線DL之端面)產生裂痕,同時亦不會使樹脂層之端部(沿於分斷預定線DL之端部)之品質惡化。
以下,針對進行使用本實施形態之分斷方法(實施例1~11)及參考例之分斷方法來分斷複合材10之試驗的結果一例進行說明。
圖4係顯示實施例1~11及參考例之試驗的條件及評估結果。
<實施例1>
實施例1中,首先將聚乙烯醇系薄膜以碘或二色性染料等二色性物質染色並進行單軸延伸而獲得偏光件。偏光件之厚度為28μm。
接著,於偏光件之一面貼合丙烯酸系保護薄膜(厚度:40μm),並於另一面貼合三醋酸纖維素系保護薄膜(厚度:30μm)而獲得偏光薄膜21。然後,透過作為黏著劑22之丙烯酸系黏著劑(厚度:30μm)貼合作為剝離襯材23之聚對苯二甲酸乙二酯脫模薄膜(厚度:38μm)與偏光薄膜21,而獲得樹脂層2之本體。
另一方面,脆性材料層1係準備了玻璃薄膜(日本電器硝子公司製,商品名「OA-10G」,厚度:100μm)。
且接著劑24係準備了摻混CELLOXIDE 2021P(Daicel化學工業公司製)70重量份、EHPE3150 5重量份、ARON OXETANE OXT-221(東亞合成公司製)19重量份、KBM-403(信越化學工業公司製)4重量份、CPI101A(San-Apro公司製)2重量份而成之環氧系接著劑。
接著,透過上述接著劑24貼合上述脆性材料層1與上述樹脂層2之本體。此時,樹脂層2之本體係配置成丙烯酸系保護薄膜成為脆性材料層1側。接著,以高壓水銀燈對接著劑24照射紫外線(500mJ/cm2
)使接著劑24硬化而獲得複合材10。硬化後之接著劑24的厚度為5μm。
將依上述方式獲得之複合材10單片化後,實行樹脂去除步驟。具體而言係使用武井電機公司製之TLSU系列(振盪波長9.4μm,雷射光L1之功率250W)作為具備控制第1雷射光源20a及雷射光L1之掃描的光學系統及控制裝置的雷射加工裝置,將從第1雷射光源20a振盪激發之雷射光L1之輸出設為20W,並使用聚光鏡聚光成點徑100μm,沿複合材10之分斷預定線(多條設定成格子狀之分斷預定線)DL照射至樹脂層2。雷射光L1對複合材10之相對移動速度(加工速度)設為500mm/秒。藉此去除形成樹脂層2之樹脂而形成沿於分斷預定線DL的加工溝25。此時係以使形成樹脂層2之樹脂的一部分以殘渣(厚度:10~20μm)形式殘留在加工溝25之底部的方式來去除樹脂。且,在雷射光L1要在分斷預定線DL相交之區域掃描第2次時,將雷射光L1的輸出控制為0%,不在分斷預定線DL相交之區域IS照射多次雷射光L1。
於上述樹脂去除步驟後,實行脆性材料去除步驟。具體而言係使用振盪波長1064nm、雷射光L2之脈衝寬度10皮秒、脈衝振盪之重複頻率50kHz 、平均功率10W者作為超短脈衝雷射光源30,將從超短脈衝雷射光源30振盪激發之雷射光L2透過多焦點光學系統從與樹脂層2相反之側(脆性材料層1側)照射至複合材10之脆性材料層1。在將雷射光L2對複合材10之相對移動速度(加工速度)設為100mm/秒而沿分斷預定線DL掃描雷射光L2後,形成間距為2μm的虛線狀貫通孔(直徑1~2μm左右)作為加工痕11。
於上述脆性材料去除步驟後,實行脆性材料分斷步驟。具體而言係使用KEYENCE公司製之MLG-9300(振盪波長10.6μm,雷射光L3之功率30W)作為具備控制第2雷射光源20b及雷射光L3之掃描的光學系統及控制裝置的雷射加工裝置,將從第2雷射光源20b振盪激發之雷射光L3之輸出設為80%(亦即將輸出設為24W),並使用聚光鏡聚光成點徑0.7mm(此時之能量密度為62W/m2
),而沿複合材10之分斷預定線DL從與樹脂層2相反之側照射至脆性材料層1。此時,將雷射光L3對複合材10之相對移動速度設為500mm/秒。
最後,對複合材10施加機械性外力,將樹脂去除步驟後殘留於加工溝25之底部的樹脂殘渣分斷,而分斷複合材10。
<實施例2~11>
實施例2~11中,如圖4所示,使第2雷射光源20b之輸出、雷射光L3之點徑Db及雷射光L3之相對移動速度中至少一參數與實施例1不同,其餘則以與實施例1相同條件來分斷複合材10。
<參考例>
參考例中,從樹脂層2側對脆性材料層1照射從第2雷射光源20b振盪激發的雷射光L3,除此之外以與實施例1相同條件來分斷複合材10。
<評估內容及評估結果>
以肉眼觀察以實施例1~11及參考例之分斷方法所分斷之複合材10(複合材片)之脆性材料層1的端面,評估有無裂痕。
圖4之「脆性材料層之分斷狀況」之欄中記載之「A」及「B」分別表示以下結果。
A:脆性材料層1可無問題地分斷(割斷),無產生裂痕。
B:脆性材料層1可無問題地分斷(割斷),但有產生以製品來說無問題之程度之些微的裂痕。
又,以顯微鏡(KEYENCE公司製VHX-2000)觀察經實施例1~11及參考例之分斷方法所分斷之複合材(複合材片)的樹脂層2之端部,評估樹脂層2(偏光薄膜21)伴隨熱劣化產生之變色區域(亦稱為黃帶)的範圍。
圖4之「熱變色寬度」之欄中記載之「A」、「B」及「C」分別表示以下結果。另,所謂「熱變色寬度」係如圖5所示,意指在複合材10之截面,以經分斷之脆性材料層1之端面為基準,到樹脂層2中有產生變色(帶黃色之變色)之區域(圖5中施有影線之區域)的最內側之點為止之距離YB。
A:變色寬度YB小於200μm(極良好)
B:變色寬度YB小於500μm(良好)
C:變色寬度YB小於1000μm(佳)
D:變色寬度YB在1000μm以上(不佳)
如圖4所示,實施例1~11及參考例之分斷方法中,「脆性材料層之分斷狀況」皆為「A」或「B」,脆性材料層1之分斷無產生問題。
此外,吾等認為以實施例5、6之分斷方法而「脆性材料層之分斷狀況」得「B」係因點徑Db小、及/或雷射光L3之能量密度小之故。若點徑Db變小,點部分的能量便高,而一旦偏離點部分,能量便會急遽變低,因此當能量照射位置偏離分斷預定線DL時便會難以分斷。
吾等認為以實施例7、11之分斷方法而「脆性材料層之分斷狀況」得「B」係因雷射光L3之能量密度小之故。
又,實施例1~11之分斷方法中,「熱變色寬度」皆為「A」、「B」或「C」,樹脂層2之端部品質無產生問題。此外,吾等認為以實施例11之分斷方法而「熱變色寬度」得「C」係因為雖雷射光L3之能量密度小(0.95W/mm2
),但雷射光L3對複合材10之相對移動速度亦小(25mm/秒),故產生了從脆性材料層1側對樹脂層2側之熱傳導的影響。
另一方面,參考例之分斷方法中,「熱變色寬度」為「D」,樹脂層2之端部品質有產生問題。推測參考例之分斷方法中,係因從第2雷射光源20b振盪激發之雷射光L3直接照射至樹脂層2,故伴隨熱劣化產生變色之區域變廣。
1:脆性材料層
2:樹脂層
10:複合材
10a,10b:複合材片
11:加工痕
20a:第1雷射光源
20b:第2雷射光源
21:偏光薄膜
22:黏著劑
23:剝離襯材
24:接著劑
25:加工溝
30:超短脈衝雷射光源
Da,Db:點徑
DL:分斷預定線
L1,L2,L3:雷射光
P:間距
YB:變色寬度
X,Y,Z:方向
圖1係示意說明本發明一實施形態之複合材之分斷方法之程序的說明圖。
圖2係示意說明本發明一實施形態之複合材之分斷方法之程序的說明圖。
圖3係示意說明本發明一實施形態之複合材之分斷方法之程序的說明圖。
圖4係顯示實施例1~11及參考例之試驗的條件及評估結果。
圖5係說明熱變色寬度的說明圖。
1:脆性材料層
2:樹脂層
10:複合材
10a,10b:複合材片
11:加工痕
20b:第2雷射光源
21:偏光薄膜
22:黏著劑
23:剝離襯材
24:接著劑
25:加工溝
Db:點徑
DL:分斷預定線
L3:雷射光
Claims (12)
- 一種複合材之分斷方法,係分斷脆性材料層與樹脂層積層而成之複合材之方法,該方法之特徵在於包含以下步驟: 樹脂去除步驟,係沿前述複合材之分斷預定線對前述樹脂層照射從第1雷射光源振盪激發之雷射光,以去除形成前述樹脂層之樹脂,藉此形成沿於前述分斷預定線的加工溝; 脆性材料去除步驟,係在前述樹脂去除步驟之後,沿前述分斷預定線對前述脆性材料層照射從超短脈衝雷射光源振盪激發之雷射光,以去除形成前述脆性材料層之脆性材料,藉此形成沿於前述分斷預定線的加工痕;及 脆性材料層分斷步驟,係在前述脆性材料去除步驟之後,沿前述分斷預定線從與前述樹脂層相反之側對前述脆性材料層賦予熱,使前述脆性材料層產生熱應力,藉此分斷前述脆性材料層。
- 如請求項1之複合材之分斷方法,其中前述脆性材料層分斷步驟中,係從與前述樹脂層相反之側對前述脆性材料層照射從第2雷射光源振盪激發的雷射光,使前述脆性材料層產生熱應力。
- 如請求項2之複合材之分斷方法,其中前述脆性材料層分斷步驟所用之前述第2雷射光源係CO2 雷射光源。
- 如請求項2或3之複合材之分斷方法,其中前述脆性材料層分斷步驟中,從前述第2雷射光源振盪激發的雷射光照射至前述脆性材料層之照射位置的點徑為2mm以下。
- 如請求項2或3之複合材之分斷方法,其中前述脆性材料層分斷步驟中,從前述第2雷射光源振盪激發的雷射光照射至前述脆性材料層之照射位置的點徑為400μm以上。
- 如請求項2或3之複合材之分斷方法,其中前述脆性材料層分斷步驟中,從前述第2雷射光源振盪激發的雷射光照射至前述脆性材料層之照射位置的能量密度為78W/mm2 以下。
- 如請求1至3中任一項之複合材之分斷方法,其中前述樹脂去除步驟中,從前述第1雷射光源振盪激發的雷射光照射至前述樹脂層之照射位置的點徑為300μm以下。
- 如請求1至3中任一項之複合材之分斷方法,其中前述脆性材料層之厚度為30~150μm,前述樹脂層之厚度為50~300μm。
- 如請求1至3中任一項之複合材之分斷方法,其中前述脆性材料層分斷步驟中,係使前述脆性材料層產生熱應力後,沿前述分斷預定線對前述脆性材料層施加機械性外力。
- 如請求1至3中任一項之複合材之分斷方法,其中前述脆性材料層分斷步驟中,係使前述脆性材料層產生熱應力後,沿前述分斷預定線從前述加工溝側對前述脆性材料層噴吹空氣。
- 如請求1至3中任一項之複合材之分斷方法,其中前述脆性材料層包含玻璃,前述樹脂層包含偏光薄膜。
- 如請求項1至3中任一項之複合材之分斷方法,其中前述脆性材料層分斷步驟之後的前述樹脂層伴隨熱劣化產生之變色區域為經分斷之前述脆性材料層之端面起算小於1000μm之區域。
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