[go: up one dir, main page]

TW202046518A - 發光封裝結構 - Google Patents

發光封裝結構 Download PDF

Info

Publication number
TW202046518A
TW202046518A TW109119912A TW109119912A TW202046518A TW 202046518 A TW202046518 A TW 202046518A TW 109119912 A TW109119912 A TW 109119912A TW 109119912 A TW109119912 A TW 109119912A TW 202046518 A TW202046518 A TW 202046518A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
side wall
substrate
cover plate
package structure
Prior art date
Application number
TW109119912A
Other languages
English (en)
Inventor
蔡杰廷
邱國銘
鄭偉德
梁凱傑
Original Assignee
大陸商光寶光電(常州)有限公司
光寶科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商光寶光電(常州)有限公司, 光寶科技股份有限公司 filed Critical 大陸商光寶光電(常州)有限公司
Publication of TW202046518A publication Critical patent/TW202046518A/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • H10H20/853Encapsulations characterised by their shape
    • H10W90/00
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V31/00Gas-tight or water-tight arrangements
    • F21V31/005Sealing arrangements therefor
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/83Electrodes
    • H10H20/832Electrodes characterised by their material
    • H10H20/835Reflective materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/851Wavelength conversion means
    • H10H20/8511Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/851Wavelength conversion means
    • H10H20/8514Wavelength conversion means characterised by their shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • H10H20/854Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856Reflecting means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/857Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H10W20/40
    • H10W70/614
    • H10W70/685
    • H10W70/695
    • H10W72/536
    • H10W72/5363
    • H10W72/5473
    • H10W72/926
    • H10W74/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本發明公開一種發光封裝結構,其具有至少一發光元件設置於具有環繞側牆的基板上,一具有抗反射塗層的蓋板覆蓋於發光元件上,一保護層設置於蓋板遠離發光元件側,其中蓋板、側牆及基板包圍形成容置至少一發光元件的封閉空間。本發明的發光封裝結構有效提升出光效率,並可在長時間使用或高溫高濕的環境下,避免水氣入侵至封閉狀的容置空間內,可長時間維持優異的出光效率。

Description

發光封裝結構
本發明涉及一種發光封裝結構,特別是涉及一種可在長時間使用下或者高溫高濕環境下維持良好發光效率的發光封裝結構。
現有發光元件的封裝技術中,常使用石英作為蓋板的材料,然而,石英材質會吸收約10% mW的出光效率,因而降低發光元件的出光效率,而為了提高發光效率,現有技術是使用塗佈抗反射塗層增加出光效率。然而,在高溫高濕環境下,抗反射塗層容易產生剝離(peeling)的缺陷,並造成出光效率降低,不僅如此,在長時間的使用下,抗反射塗層也難以持續維持優異的出光效率。
鑒於上述原因,如何通過結構設計以及材料選用的改良,克服前述缺陷,維持或提高出光效率,已成為本領域需要解決的重要課題之一。
本發明所要解決的技術問題在於,針對現有技術的不足提供一種可在長時間使用下或者高溫高濕環境下維持良好發光效率的發光封裝結構。
為了解決上述的技術問題,本發明所採用的其中一技術方案是,提供一種發光封裝結構,包括:基板、至少一發光元件、側牆、蓋板、抗反射塗層以及保護層。其中,所述至少一發光元件設置於所述基板上,所述側牆設置於所述基板上,且圍繞所述至少一發光元件;所述蓋板設置於所述側牆上,且所述蓋板、所述側牆及所述基板包圍形成容置所述至少一發光元件的封閉空間;所述抗反射塗層設置於所述蓋板的一表面,所述保護層設置於所述蓋板遠離發光元件的一側。
本發明的其中一有益效果在於,本發明所提供的發光封裝結構,能通過“抗反射塗層,設置於所述蓋板的一表面”以及“保護層,設置於所述蓋板遠離發光元件的一側”的技術方案,以有效提升出光效率,並可在長時間使用或高溫高濕的環境下,避免水氣入侵至封閉狀的容置空間內,可長時間維持優異的出光效率。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容,請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式,然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明,並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“發光封裝結構”的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用,本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用,在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外,本發明的附圖僅為簡單示意說明,並非依實際尺寸的描繪,事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容,但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外,本文中所使用的術語“或”,應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
參閱圖1及圖2,本發明提供一種發光封裝結構,其包括:基板1、至少一發光元件2、側牆3、蓋板4、第一抗反射塗層51以及保護層6。蓋板4設置於側牆3上,且基板1、側牆3以及蓋板4包圍形成容置至少一發光元件2的封閉空間。
具體來說,基板1可以是導電基板或絕緣基板,如陶瓷基板、鋁基板、矽基板、碳化矽基板、氧化鋁基板或氮化鋁基板等,優選地,基板1可以是經過鎳/金或鎳/鈀/金處理的AIN基板,或可以選用銅基板。實際應用時,基板1上可形成有導電結構(如導電墊及導通孔),以作為發光元件2的連接介面及信號傳輸路徑。
本發明的至少一發光元件2是紫外光發光晶片,發出的光波長範圍是介於200 nm至400 nm,特別是針對UVC(200 nm-280 nm)的光波長範圍。
在本發明的一個具體實施例中,基板1與側牆3可為一體成型結構,或者側牆3可通過黏著層設置於基板1上。在本發明的另一個具體實施例中,側牆3與蓋板4可為一體成型結構,或者蓋板4可通過黏著層設置於側牆3上。換句話說,基板1與側牆3、側牆3與蓋板4分別為一體成型結構,或是基板1與蓋板4可為分別由黏著層與側牆3接合。然而,使用黏著層的時候,則可能會產生異質接面,因此,本發明進一步提供了保護層6覆蓋該接合處,通過此避免水氣侵入,而影響封閉空間。
除此之外,如圖1及圖2所示,側牆3可為金屬材質,例如銅,但不以此為限;並且,側牆3可以電鍍方式依序堆疊、沉積在基板1上,進而形成具有階梯狀外型的多層結構;舉例來說,如圖1及圖2所示,在形成側牆3的過程中,先在基板1上形成第一層的底部層31,接著在第一層的底部層31上形成第二層的中間層32,而後,在第二層的中間層32上形成第三層的頂部層33,依此形成方式在基板1上依序堆疊、沉積形成多層結構的側牆3,例如在本實施例中,以側牆3包括底部層31、中間層32以及頂部層33作為示例,但本發明的側牆3不以此為限。更進一步的說,底部層31可以跟基板1上的第一電極層11在同一製程被定義出因而形成基板1表面預設電路(例如金屬輪廓),且發光元件2可通過PN電極固定於基板1的第一電極層11上,第一電極層11可通過貫穿孔而連接基板1相反側的第二電極層12,但本發明不以此為限。本發明的側牆3也可為非金屬材質,或者側牆3也可呈中空柱狀的結構(如圖3A至圖5C所示)。並且,側牆3相對於發光元件2的表面上可形成有反射層,以提高出光效率,反射層的材料可以是具有高反射率的材料,可以選自鋁加抗氧化層、鐵氟龍、光子晶體薄膜。現有技術中,常使用金、三氧化二鋁(Al2 O3 )作為反射層。
蓋板4視發光元件的需求可使用不同形式,例如可以是平面式透光蓋板、球罩式透光蓋板、中空式的球罩式透光蓋板或中空式的方形透光蓋板(ㄇ字型),其中蓋板材料為折射係數較佳為1.4,例如石英玻璃。
具體來說,第一抗反射塗層51設置於蓋板4上,抗反射塗層可設置於蓋板4的其中一面、或雙面以提高出光效率,也就是說,可進一步包括一第二抗反射塗層52設置於相對於第一抗反射塗層51的面。詳細來說,設置第一抗反射塗層51增加了3% mW至4% mW的發光效率,設置雙面的抗反射塗層可增加約6% mW至9% mW的發光效率。第一抗反射塗層51或第二抗反射塗層52可以是塗佈完整表面,或可是僅塗佈部分出光表面。進一步的說,蓋板的折射係數須高於保護層與抗反射塗層的折射係數,藉由高低折射係數材料與其厚度的搭配組合,有效提高出光效率。
第一抗反射塗層51或第二抗反射塗層52的厚度是介於30 nm至120 nm之間,優選地是介於60 nm至90 nm之間。第一抗反射塗層51及第二抗反射塗層52的材料可以是選自二氧化矽搭配氧化物,如SiO2 搭配HfO2 或SiO2 搭配Ta2O5,其中抗反射塗層為折射係數較佳為1.35,與保護層的折射係數相近。
具體來說,保護層6設置於第一抗反射塗層51上,保護層6的厚度是介於30 nm至120 nm之間,優選地是介於60 nm至90 nm之間,且符合公式:保護層的厚度(T)= 發光元件的發光波長(λ)/4。
更詳細來說,保護層6是於波長265 nm至285 nm的穿透率大於90%的氟系聚合物、氟化鎂或二氧化矽。舉例來說,保護層6可以為非晶質氟化物,具有羥基的氟系聚合物於波長265 nm至285 nm的穿透率大於90%,於波長275 nm的折射率為1.35。具有羥基的氟系聚合物是非結晶高透明的含氟聚合物(perfluoro(1-butenyl vinyl ether)polymer),並具有COOH的末端官能基,如以下結構:COOH-(CF2 =CFCF2 CF2 -O-CF=CF2 )m -COOH;其中,m為介於18至1.5*105 的正整數。詳細來說,具有羥基的氟系聚合物對水的接觸角是112度左右,具有優異的疏水性能和低滲透性能。
除此之外,抗反射塗層搭配保護層提供了在長時間後仍可保持優異發光效率的優點,如下表1所示(環境溫度/濕度為60℃/RH90%):
表1
時間 504hr 672hr 840hr 1000hr 1500hr 2000hr
抗反射塗層(與初始亮度的出光率百分數) 87% 86% 85% 85% 80% 75%
抗反射塗層搭配保護層(與初始亮度的出光率百分數) 89% 90% 89% 89% 89% 89%
更進一步地,以下通過第一實施例至第三實施例進一步說明本發明的發光封裝結構實施方式。
[第一實施例]
參閱圖3A至圖3D所示,本發明第一實施例提供一種發光封裝結構的剖面示意圖,包括:基板1、至少一發光元件2、側牆3、蓋板4、第一抗反射塗層51以及保護層6。發光元件2設置於基板1上,發光元件2的數量為至少一個但可視需求增加,側牆3設置於基板1上且與基板1為一體成型,側牆3圍繞發光元件2,蓋板4包括相對的第一表面41以及第二表面42,並以第二表面42設置於側牆3上,且蓋板4、側牆3及基板1包圍形成容置至少一發光元件2的封閉空間A。更進一步地,第一抗反射塗層51設置於蓋板4的第一表面41,保護層6設置於第一抗反射塗層51上。
參閱圖3B,側牆3與蓋板4的連接處設置有黏著層,意即第一黏著層71,第一黏著層71可以是環繞側牆3,通過第一黏著層71的設置,可以將蓋板4固定於側牆3上,並且封閉上述容置空間A。更進一步地,保護層6延伸覆蓋超過第一黏著層71的設置位置,也就是說,保護層6包括本體部61以及連接於本體部61的延伸部62,本體部61位於第一抗反射塗層51上,延伸部62於本體部61側邊朝側牆3延伸覆蓋第一抗反射塗層51、蓋板4、第一黏著層71以及側牆3的部分側邊,藉以避免水氣入侵至上述封閉空間A內。此外,如圖3C所示,保護層6也可分別設置在蓋板4的第一表面41上以及單獨環繞第一黏著層71的位置,並向上延伸遮蔽部份蓋板4,以及向下延伸遮蔽部份側牆3。
進一步地,參閱圖3D,本發明的發光封裝結構還包括第二抗反射塗層52,設置於蓋板4的第二表面42,第二抗反射塗層52可以是全覆蓋或是部分覆蓋第二表面42。設置第一抗反射塗層51於蓋板4可增加3% mW至4% mW的出光效率,同時設置第一抗反射塗層51以及第二抗反射塗層52約可增加6% mW至9% mW的出光效率。除此之外,本發明的保護層6可以如同圖3A中僅覆蓋第一抗反射塗層51的上表面,也可如同圖3D中向下延伸覆蓋至第一抗反射塗層51、蓋板4、第二抗反射塗層52、第一黏著層71以及部分側牆3,以保護抗反射塗層不受水氣侵蝕。更者,保護層6於側邊延伸覆蓋第一黏著層71至側牆3的外側部分,更可避免水氣入侵至上述封閉空間A內。
換句話說,本發明的發光封裝結構,也可為包括基板1、至少一發光元件2以及蓋板4。至少一發光元件2設置於基板1上。蓋板4與基板1接合,並形成封閉容置空間A而容納至少一發光元件2。其中,蓋板4的第一表面41更包含第一抗反射塗層51以及設置於第一抗反射塗層51上的保護層6。其中,蓋板4的第二表面42更可包含第二抗反射塗層52。
進一步地,蓋板4與基板1的連接處設置有至少一個黏著層;其中,蓋板4的保護層6具有覆蓋至少一個黏著層的延伸部62。進一步地,基板1更可包含側牆3,側牆3與蓋板4的連接處設置有第一黏著層71,且第一黏著層71被保護層6的延伸部62所遮蔽。
[第二實施例]
參閱圖4A至圖4D所示,本發明第二實施例提供另一種發光封裝結構的剖面示意圖,包括:基板1、至少一發光元件2、側牆3、蓋板4、第一抗反射塗層51以及保護層6。發光元件2設置於基板1上,發光元件2的數量為至少一個但可視需求增加,側牆3設置於基板1上,側牆3圍繞發光元件2,蓋板4設置於側牆3上並與側牆3為一體成型,蓋板4包括相對的第一表面41以及第二表面42,並以第二表面42連接側牆3,且蓋板4、側牆3及基板1包圍形成容置至少一發光元件2的一封閉空間A。更進一步地,第一抗反射塗層51設置於蓋板4的第一表面41,保護層6設置於第一抗反射塗層51上。
參閱圖4B及4C,側牆3與基板1的連接處設置有黏著層,意即第二黏著層72,通過第二黏著層72的設置,可以將側牆3固定於基板1上,並且封閉上述封閉空間A。更進一步地,保護層6延伸覆蓋超過第二黏著層72的設置位置,也就是說,保護層6包括本體部61以及連接於本體部61的延伸部62,本體部61位於第一抗反射塗層51上,延伸部62於本體部61側邊朝基板1延伸覆蓋第一抗反射塗層51、蓋板4、側牆3、第二黏著層72以及基板1的部分側邊,藉以避免水氣入侵至上述封閉空間A內。
進一步地,參閱圖4C,本發明的發光封裝結構還包括第二抗反射塗層52,設置於蓋板4的第二表面42,第二抗反射塗層52可以是全覆蓋或是部分覆蓋第二表面42。設置第一抗反射塗層51於蓋板4可增加3% mW至4% mW的出光效率,同時設置第一抗反射塗層51以及第二抗反射塗層52約可增加6% mW至9% mW的出光效率。
此外,如圖4D所示,保護層6也可分別設置在蓋板4的第一表面41上以及單獨環繞第二黏著層72的位置,並向上延伸遮蔽部份側牆3,以及向下延伸遮蔽部份基板1。
除此之外,如圖4B至圖4D所示,本發明的發光封裝結構進一步包括阻擋結構8,阻擋結構8設置於所述基板1上,以提供側牆3與至少一發光元件至少一發光元件2之間的預定設置距離。換句話說,阻擋結構8是限位裝置,設置於基板1上,使得設置側牆3的位置時可依照預定地距離、位置設置。阻擋結構8可以與基板1一體成型,也可以與基板1是分體結構。另外,阻擋結構8的材質可以與基板1相同,例如是陶瓷、鋁、矽、碳化矽、氧化鋁或氮化鋁等,也可以是其他耐紫外光的材質,如此,阻擋結構8設置於至少一發光元件2與第二黏著層72之間,可阻擋至少一發光元件2發出的紫外光,避免其直接照射至第二黏著層72上,導致其老化。此外,阻擋結構8也可為金屬材質,例如銅,但不以此為限;並且,阻擋結構8可以電鍍方式在基板1上依序堆疊呈多層結構,阻擋結構8的形成方式可類似前述側牆3的形成方式,例如,如圖4B至圖4D所示,阻擋結構8可包括基部81以及頂部82,但本發明的阻擋結構8不以此為限。並且,阻擋結構8與階梯狀外型的側牆3可同時形成在基板1上,也可側牆3或阻擋結構8先形成,另一者再形成。
換句話說,本發明的發光封裝結構,也可為包括基板1、至少一發光元件2以及蓋板4。至少一發光元件2設置於基板1上。蓋板4與基板1接合,並形成封閉容置空間A而容納至少一發光元件2。其中,蓋板4的第一表面41更包含一第一抗反射塗層51以及設置於第一抗反射塗層51上的保護層6。其中,蓋板4的第二表面42更可包含第二抗反射塗層52。
進一步地,蓋板4與基板1的連接處設置有至少一個黏著層;其中,蓋板4的保護層6具有覆蓋至少一個黏著層的延伸部62。進一步地,蓋板4更可包含側牆3,側牆3與基板1的連接處設置有第二黏著層72,且第二黏著層72被保護層6的延伸部62所遮蔽。
[第三實施例]
參閱圖5A至圖5C所示,本發明第三實施例提供再一種發光封裝結構的剖面示意圖,包括:基板1、至少一發光元件2、側牆3、蓋板4、第一抗反射塗層51以及保護層6。發光元件2設置於基板1上,發光元件2的數量為至少一個但可視需求增加,側牆3設置於基板1上,側牆3圍繞發光元件2;其中,側牆3的側面外型可呈階梯狀、豎直狀(垂直於基板1)或呈傾斜狀,在本實施例中,以傾斜狀作為示例,但不以此為限。蓋板4設置於側牆3上並與側牆3為一體成型,蓋板4包括相對的第一表面41以及第二表面42,並以第二表面42連接側牆3,且蓋板4、側牆3及基板1包圍形成容置至少一發光元件2的封閉空間A。更進一步地,第一抗反射塗層51設置於蓋板4的第一表面41,保護層6設置於第一抗反射塗層51上。
參閱圖5B和5C,側牆3與蓋板4的連接處設置有第一黏著層71,側牆3與基板1的連接處設置有第二黏著層72,第一黏著層71、第二黏著層72可以是環繞側牆3,第一黏著層71將蓋板4固定於側牆3上,第二黏著層72將側牆3固定於基板1上,並且封閉上述封閉空間A。更進一步地,保護層6延伸覆蓋超過第二黏著層72的設置位置,也就是說,保護層6包括本體部61以及連接於本體部61的延伸部62,本體部61位於第一抗反射塗層51上,延伸部62於本體部61側邊朝基板1延伸而依序覆蓋第一抗反射塗層51、蓋板4、第二抗反射塗層52(可選擇性)、第一黏著層71、側牆3、第二黏著層72以及基板1的部分側邊,覆蓋所有非一體成型的接縫,藉以避免水氣入侵至上述封閉空間A內。
進一步地,參閱圖5C,本發明的發光封裝結構還包括第二抗反射塗層52,設置於蓋板4的第二表面42,第二抗反射塗層52可以是全覆蓋或是部分覆蓋第二表面42。設置第一抗反射塗層51於蓋板4可增加3% mW至4% mW的出光效率,同時設置第一抗反射塗層51以及第二抗反射塗層52約可增加6% mW至9% mW的出光效率。
除此之外,如圖5B及圖5C所示,本發明的發光封裝結構進一步包括阻擋結構8,阻擋結構8設置於所述基板1上,以提供側牆3與至少一發光元件2之間的預定設置距離。換句話說,阻擋結構8是限位裝置,設置於基板1上,使得設置側牆3位置時可依照預定地距離、位置設置。阻擋結構8可以與基板1一體成型,也可以與基板1是分體結構。另外,阻擋結構8的材質可以與基板1相同,例如是陶瓷、鋁、矽、碳化矽、氧化鋁或氮化鋁等,也可以是其他耐紫外光的材質,如此,阻擋結構8設置於至少一發光元件2與第二黏著層72之間,可阻擋至少一發光元件2發出的紫外光,避免其直接照射至第二黏著層72上,導致其老化。此外,阻擋結構8也可為金屬材質,例如銅,但不以此為限;並且,阻擋結構8可以電鍍方式在基板1上依序堆疊呈多層結構,阻擋結構8的形成方式可類似前述側牆3的形成方式,例如,如圖5B及圖5C所示,阻擋結構8可包括基部81以及頂部82,但本發明的阻擋結構8不以此為限。並且,阻擋結構8與階梯狀外型的側牆3可同時形成在基板1上,也可側牆3或阻擋結構8先形成,另一者再形成。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於,本發明所提供的發光封裝結構,能通過“抗反射塗層51,52,設置於所述蓋板4表面”以及“保護層,設置於所述蓋板遠離發光元件的一側”的技術方案,以有效提升發光效率,並可長時間維持出光效率。
具體來說,通過設置第一抗反射塗層51或第二抗反射塗層52於蓋板4可增加3% mW至4% mW的出光效率,同時設置第一抗反射塗層51以及第二抗反射塗層52約可增加6% mW至9% mW的出光效率。藉由本發明的高低折射係數發光封裝結構,使得發光元件所發出的光可因同相位構成建設性干涉,因而增加出光效率。
更進一步地,保護層6於側邊依序延伸覆蓋第一抗反射塗層51、蓋板4,並視結構態樣進一步延伸覆蓋至第一黏著層71(以及第二抗反射塗層52)、側牆3以及第二黏著層72至基板1的部分,有效地覆蓋非一體成型的異質接面以及接縫,藉以在長時間使用或高溫高濕的環境下,避免水氣入侵至封閉空間A內。
除此之外,本發明所提供的發光封裝結構還包括一阻擋結構8設置於所述基板1上,以提供側牆3與至少一發光元件2之間的預定設置距離。換句話說,阻擋結構8是限位裝置,設置於基板1上,使得設置側牆3位置時可依照預定地距離、位置設置。另外,阻擋結構8的材質是耐紫外光的材質,如此,阻擋結構8設置於至少一發光元件2與第二黏著層72之間,可阻擋至少一發光元件2發出的紫外光,避免其直接照射至第二黏著層72上,導致其老化。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例,並非因此侷限本發明的申請專利範圍,所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化,均包含於本發明的申請專利範圍內。
1:基板 11:第一電極層 12:第二電極層 2:發光元件 3:側牆 31:底部層 32:中間層 33:頂部層 4:蓋板 41:第一表面 42:第二表面 51:第一抗反射塗層 52:第二抗反射塗層 6:保護層 61:本體部 62:延伸部 71:第一黏著層 72:第二黏著層 8:阻擋結構 81:基部 82:頂部 A:封閉空間
圖1為本發明的發光封裝結構的俯視示意圖。
圖2為本發明第一實施例的一實施方式的剖面示意圖。
圖3A為本發明第一實施例的一實施方式的剖面示意圖。
圖3B為本發明第一實施例的另一實施方式的剖面示意圖。
圖3C為本發明第一實施例的又一實施方式的剖面示意圖。
圖3D為本發明第一實施例的再一實施方式的剖面示意圖。
圖4A為本發明第二實施例的一實施方式的剖面示意圖。
圖4B為本發明第二實施例的另一實施方式的剖面示意圖。
圖4C為本發明第二實施例的又一實施方式的剖面示意圖。
圖4D為本發明第二實施例的再一實施方式的剖面示意圖。
圖5A為本發明第三實施例的一實施方式的剖面示意圖。
圖5B為本發明第三實施例的另一實施方式的剖面示意圖。
圖5C為本發明第三實施例的又一實施方式的剖面示意圖。
1:基板
11:第一電極層
2:發光元件
3:側牆
4:蓋板
51:第一抗反射塗層
6:保護層

Claims (10)

  1. 一種發光封裝結構,其包括: 一基板; 至少一發光元件,設置於所述基板上; 一側牆,設置於所述基板上,且圍繞至少一所述發光元件; 一蓋板,包括相對的一第一表面以及一第二表面,並以所述第二表面設置於所述側牆上,且所述蓋板、所述側牆及所述基板包圍形成容置至少一所述發光元件的封閉空間; 一第一抗反射塗層,設置於所述蓋板的所述第一表面;以及 一保護層,設置於所述第一抗反射塗層上。
  2. 如請求項1所述的發光封裝結構,其中,所述側牆與所述基板和/或所述蓋板的連接處設置有至少一個黏著層,且至少一所述黏著層被所述保護層所遮蔽。
  3. 如請求項2所述的發光封裝結構,其中,所述側牆與所述蓋板為一體成型,所述側牆與所述基板的連接處設置有一第一黏著層,且所述第一黏著層被所述保護層所遮蔽。
  4. 如請求項2所述的發光封裝結構,其中,所述側牆與所述基板為一體成型,所述側牆與所述蓋板的連接處設置有一第二黏著層,且所述第二黏著層被所述保護層所遮蔽。
  5. 如請求項2所述的發光封裝結構,其中,所述側牆與所述蓋板連接處設置有一第一黏著層,以及所述側牆與所述基板的連接處設置有一第二黏著層,且所述第一黏著層與所述第二黏著層被所述保護層所遮蔽。
  6. 如請求項2所述的發光封裝結構,進一步包括一阻擋結構,所述阻擋結構設置於所述基板上,以提供所述側牆與至少一所述發光元件之間的一預定設置距離。
  7. 如請求項1至6中任一項所述的發光封裝結構,其中,所述發光封裝結構還包括一第二抗反射塗層,所述第二抗反射塗層設置於所述蓋板的所述第二表面。
  8. 如請求項1至6中任一項所述的發光封裝結構,其中,述保護層的厚度是介於30 nm至120 nm,且符合以下關係式: 保護層的厚度(T)= 發光元件的發光波長(λ)/4。
  9. 如請求項1至6中任一項所述的發光封裝結構,其中,所述保護層是選自波長範圍265 nm至285 nm的穿透率大於90%的氟系聚合物、氟化鎂或二氧化矽。
  10. 如請求項1至6中任一項所述的發光封裝結構,其中,所述第一抗反射塗層的厚度是介於30 nm至120 nm之間,且材料可以是選自二氧化矽搭配氧化物。
TW109119912A 2019-06-13 2020-06-12 發光封裝結構 TW202046518A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962860883P 2019-06-13 2019-06-13
US62/860,883 2019-06-13
CN202010384406.X 2020-05-07
CN202010384406.XA CN112086549A (zh) 2019-06-13 2020-05-07 发光二极管封装结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202046518A true TW202046518A (zh) 2020-12-16

Family

ID=73734631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109119912A TW202046518A (zh) 2019-06-13 2020-06-12 發光封裝結構

Country Status (3)

Country Link
US (3) US11296064B2 (zh)
CN (3) CN112086547A (zh)
TW (1) TW202046518A (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWD204008S (zh) * 2019-03-22 2020-04-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置之部分
US11349048B2 (en) * 2019-11-04 2022-05-31 Harvatek Corporation UV LED package structure for improving light extraction
TWI810639B (zh) * 2021-08-31 2023-08-01 達擎股份有限公司 口腔成像裝置
CN114883467B (zh) * 2022-04-11 2025-08-19 厦门普为光电科技有限公司 具高气密性的发光二极管及其制造方法
TWI824677B (zh) 2022-08-25 2023-12-01 同欣電子工業股份有限公司 晶片封裝結構及其製造方法
KR20250128533A (ko) * 2024-02-21 2025-08-28 엘지디스플레이 주식회사 입체 영상 표시 장치
USD1102268S1 (en) * 2024-06-12 2025-11-18 Creeled, Inc. Light-emitting diode package
CN119546012A (zh) * 2024-11-12 2025-02-28 厦门大学 一种深紫外led封装结构及其制备方法

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2396325C (en) * 2001-09-06 2010-03-30 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Zn1-xmgxsyse1-y pin photodiode and zn1-xmgxsyse1-y avalanche-photodiode
CN100459084C (zh) * 2006-03-15 2009-02-04 日月光半导体制造股份有限公司 内埋元件的基板制造方法
TW200814362A (en) * 2006-09-13 2008-03-16 Bright Led Electronics Corp Light-emitting diode device with high heat dissipation property
CN201103846Y (zh) * 2007-09-14 2008-08-20 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管
WO2010074038A1 (ja) * 2008-12-24 2010-07-01 旭硝子株式会社 発光素子モジュールおよびその製造方法
JP2011042762A (ja) * 2009-08-24 2011-03-03 Daicel Chemical Industries Ltd 透明封止材用組成物
JP5758082B2 (ja) * 2010-03-24 2015-08-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102010028776A1 (de) * 2010-05-07 2011-11-10 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement
KR101679758B1 (ko) * 2010-08-04 2016-11-25 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
CN102110764A (zh) * 2010-12-17 2011-06-29 深圳雷曼光电科技股份有限公司 一种led及led支架
TWI446464B (zh) * 2011-05-20 2014-07-21 旭德科技股份有限公司 封裝結構及其製作方法
KR20130022595A (ko) * 2011-08-25 2013-03-07 서울옵토디바이스주식회사 고전류 구동용 발광 소자
JP2013235987A (ja) * 2012-05-09 2013-11-21 Seiko Epson Corp 発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクター
KR20140017249A (ko) * 2012-07-31 2014-02-11 일진엘이디(주) 반사 방지층을 포함하는 반도체 발광소자 패키지
CN104540676B (zh) * 2012-08-08 2017-03-01 3M创新有限公司 用于阻挡膜的涂层及制备和使用其的方法
CN103579380A (zh) * 2012-08-09 2014-02-12 索尼公司 受光或者发光元件、太阳能电池、光传感器、发光二极管
KR102029795B1 (ko) * 2012-11-05 2019-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20140098523A (ko) * 2013-01-31 2014-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
CN104813492B (zh) * 2013-04-30 2016-05-04 创光科学株式会社 紫外线发光装置
CN103354255A (zh) * 2013-06-18 2013-10-16 大连中盛紫光科技有限责任公司 一种低蓝光led光源
KR102062289B1 (ko) * 2013-08-02 2020-01-06 삼성디스플레이 주식회사 와이드 그리드 편광자 및 이를 구비한 액정표시장치
US9887324B2 (en) * 2013-09-16 2018-02-06 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
JP6465113B2 (ja) * 2014-07-15 2019-02-06 Agc株式会社 紫外線発光装置用接着剤および紫外線発光装置
TWI553792B (zh) * 2014-12-02 2016-10-11 旭德科技股份有限公司 封裝結構及其製作方法
TWI517321B (zh) * 2014-12-08 2016-01-11 旭德科技股份有限公司 封裝結構及其製作方法
WO2016158406A1 (ja) * 2015-03-27 2016-10-06 東レ株式会社 薄膜トランジスタ用感光性樹脂組成物、硬化膜、薄膜トランジスタ、液晶表示装置または有機電界発光表示装置、硬化膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法および液晶表示装置または有機電界発光表示装置の製造方法
JP6581653B2 (ja) * 2015-05-11 2019-09-25 株式会社ニコン・エシロール 眼鏡レンズ
TW201705539A (zh) 2015-07-23 2017-02-01 新世紀光電股份有限公司 發光封裝體及其製造方法
TWM530478U (zh) 2016-05-23 2016-10-11 聯京光電股份有限公司 紫外光發光二極體的封裝結構
CN109314166A (zh) * 2016-06-03 2019-02-05 创光科学株式会社 氮化物半导体紫外线发光装置及其制造方法
TWI686966B (zh) 2016-06-06 2020-03-01 行政院原子能委員會核能研究所 紫外線發光二極體元件之封裝結構
CN109314167A (zh) * 2016-07-01 2019-02-05 创光科学株式会社 紫外线发光装置及其制造方法
WO2018113922A1 (en) * 2016-12-20 2018-06-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light emitting element with an optoelectronic semiconductor chip
JP6491635B2 (ja) * 2016-12-28 2019-03-27 Dowaエレクトロニクス株式会社 反射防止膜および深紫外発光デバイス
CN106531858B (zh) 2016-12-30 2019-03-05 青岛杰生电气有限公司 紫外led封装方法
CN108807636B (zh) * 2017-04-28 2020-07-03 光宝光电(常州)有限公司 紫外光发光二极管封装结构、紫外光发光单元及其制造方法
JP6329709B1 (ja) * 2017-08-24 2018-05-23 創光科学株式会社 窒化物半導体紫外線発光素子の製造方法及び窒化物半導体紫外線発光素子
JP6799627B2 (ja) * 2018-02-26 2020-12-16 山東捷潤弘光電科技有限公司 Rgb−ledパッケージモジュール及びそのディスプレイ
IT201900006736A1 (it) * 2019-05-10 2020-11-10 Applied Materials Inc Procedimenti di fabbricazione di package

Also Published As

Publication number Publication date
US20200395517A1 (en) 2020-12-17
US11264370B2 (en) 2022-03-01
US11462524B2 (en) 2022-10-04
US20200395515A1 (en) 2020-12-17
US11296064B2 (en) 2022-04-05
CN112086549A (zh) 2020-12-15
CN112086405A (zh) 2020-12-15
CN112086405B (zh) 2022-09-06
US20200395349A1 (en) 2020-12-17
CN112086547A (zh) 2020-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202046518A (zh) 發光封裝結構
US10276753B2 (en) LED flip-chip package substrate and LED package structure
KR101366449B1 (ko) 광 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN110491980B (zh) 一种紫外led芯片及其制备方法
KR102612253B1 (ko) 플립칩 발광다이오드
TW200412675A (en) Semiconductor light emitting device with fluoropolymer lens
CN104678461B (zh) 渐变折射率材料制备方法
RU2530484C2 (ru) Подложка органического светоизлучающего диода, состоящая из прозрачного проводящего оксида (тсо) и антирадужного промежуточного слоя
US8853937B2 (en) Wavelength conversion structure, manufacturing method thereof, and light-emitting device comprising the wavelength conversion structure
CN104956501B (zh) 用ald层封装的光电子半导体芯片和相应的制造方法
CN108878674A (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
WO2015158092A1 (zh) 有机电致发光显示面板及显示装置
CN103996697B (zh) 一种像素单元及其制作方法、显示装置
TW201306342A (zh) 有機發光元件及其製造方法及使用其之照明裝置
CN108807636B (zh) 紫外光发光二极管封装结构、紫外光发光单元及其制造方法
CN103022310B (zh) Led发光芯片的光提取层及led装置
CN110335961A (zh) 发光面板及显示装置
CN113036054B (zh) Oled显示基板及其制作方法、显示装置
WO2022032572A1 (zh) 一种半导体发光元件和发光装置
US9960384B2 (en) Organic light emitting diode packaging method and packaging structure and device having the same
US10879495B2 (en) Organic light emitting device and array substrate
CN111211209B (zh) 紫外光发光二极管及其制作方法
WO2021238770A1 (zh) 封装结构及封装方法、电致发光器件、显示设备
CN111710766A (zh) 一种具有折射率可调的复合增透膜的可见光led芯片
TW201840018A (zh) 紫外光發光二極體封裝結構、紫外光發光單元、及紫外光發光單元的製造方法