TW202031856A

TW202031856A - 工件加工用片材

Info

Publication number: TW202031856A
Application number: TW108138577A
Authority: TW
Inventors: 高麗洋佑; 佐藤明徳
Original assignee: 日商琳得科股份有限公司
Priority date: 2018-11-12
Filing date: 2019-10-25
Publication date: 2020-09-01
Also published as: JP7382690B2; TWI882968B; KR20240110981A; CN113016055A; KR20210088525A; JPWO2020100491A1; WO2020100491A1; KR102819472B1; KR102680601B1

Abstract

本發明為工件加工用片材，為具有基材及黏著劑層的工件加工用片材，其中前述黏著劑層係由活性能量線硬化性黏著劑所構成；且在前述工件加工用片材對矽晶圓之黏著力為F0，由前述工件加工用片材貼合在矽晶圓上所構成之積層體在經過150℃下加熱1小時後，以活性能量線照射構成前述積層體的黏著劑層之後，前述工件加工用片材對矽晶圓的黏著力為F2時，黏著力F0為600mN/25mm以上、20000mN/25mm以下，黏著力F2對黏著力F0之比值（F2/F0）為0.66以下。根據該工件加工用片材，在工件加工之際對該工件可發揮充分之黏著力，並且在經過加熱處理之後，亦可良好地分離加工後之工件。

Description

工件加工用片材

本發明，係關於適於使用於切割（dicing）的工件加工用片材。

矽、砷化鎵等半導體晶圓及各種組件類（以下，此些有時總稱為「工件」），係先以大直徑之狀態製造，再將此切開分離（切割）為元件小片（以下，有稱為「晶片」）並同時各個分離（取晶（pickup））之後，再移往其後之步驟之黏片步驟。當中，半導體晶圓等工件，係以黏貼在包含基材及黏著劑層之工件加工用片材上之狀態，再進行切割、清洗、乾燥、擴片、取晶及黏片的各個步驟。此工件加工用片材，需要加工時將工件良好地保持在該片材上，亦需要有由該片材分離加工後之工件時可容易地分離之性能。

對於如上方式所得之晶片，亦有之後，再實施加熱處理之情況。例如，對晶片，施以蒸鍍、濺鍍、脫濕之烘烤等之處理。以及，預設晶片在高溫環境下使用之情況，而進行加熱試驗以証實在該環境下之信賴性。通常，此些加熱處理，係將獲得之晶片裝載在加熱托盤上之狀態操作。

近年來，在工件加工用片材上進行如上的晶片之加熱處理，已進行探討。亦即，探討在工件加工用片材上，切割工件之後，所得之晶片不需要轉移至加熱托盤，而裝載在工件加工用片材上直接對晶片進行加熱處理。該情形下，可以簡化步驟。

專利文獻1至3中，係揭示設定進行如上述之加熱處理的黏著片材。特別是，在專利文獻1中揭示之黏著片材，含有由基材層及放射線硬化型黏著劑構成之黏著劑層，該黏著劑層貼合後對SUS304之黏著力為0.5N/20mm以上，且至樹脂封裝步驟完成之時為止會受刺激而硬化，形成對組件之剝離力為2.0N/20mm以下之層。又，專利文獻2中揭示之黏著片材，黏著劑層，係由含有特定之黏著劑成分及特定之四唑化合物的黏著劑組合物所形成。又，專利文獻3中揭示之黏著片材，係在耐熱性基材上，形成有由含有特定之丙烯酸系聚合物、能量線聚合性寡聚物、特定之聚合起始劑及交聯劑的黏著劑層形成用材料所形成之黏著劑層。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特許第5144634號 [專利文獻2]日本特許第5555578號 [專利文獻3]日本特許第5565173號

[發明欲解決之課題]

然而，如上述情形之晶片之加熱處理，在以往之工件加工用片材上施行時，由於經過加熱，使工件加工用片材對晶片之黏著力提高的結果，會有加熱處理後，無法由該片材良好地撿取晶片的問題。此類問題，即使使用如專利文獻1至3所揭示，具有特定的耐熱性之黏著片材亦無法充分解決。

本發明，鑑於實際情況如此，因此目的欲提供即使在工件加工之時對該工件可發揮充分之黏著力，在經過加熱處理之後，加工後之工件亦可良好地分離之工件加工用片材。 [解決課題之手段]

為達成上述目的，本發明之第1種，係提供一種工件加工用片材，其係具有基材及積層在前述基材之一面上的黏著劑層之工件加工用片材，其特徵為前述黏著劑層，係由活性能量線硬化性黏著劑所構成；且在前述工件加工用片材對矽晶圓之黏著力為F0，而由前述工件加工用片材貼合在矽晶圓所構成之積層體在150℃下加熱1小時後，再以活性能量線照射構成前述積層體的前述黏著劑層之後，前述工件加工用片材對矽晶圓的黏著力為F2時，前述黏著力F0為600mN/25mm以上、20000mN/25mm以下，前述黏著力F2對前述黏著力F0之比值（F2/F0）為0.66以下（發明1）。

上述發明（發明1）之工件加工用片材，由於上述之黏著力F0係在上述範圍，因此在工件加工時，對該工件可發揮充分之黏著力。另一方面，由於黏著劑層係由活性能量線硬化性黏著劑所構成，同時上述黏著力之比值（F2/F0）又在上述範圍，因此即使是在加工後之工件為黏貼的狀態下加熱工件加工用片材之情況，經過之後照射活性能量線，亦可充分降低對加工後之工件的黏著力，因此使加工後之工件可以良好地分離。

上述發明（發明1）中，在前述工件加工用片材在150℃下加熱1小時後，前述黏著劑層在23℃下之楊氏係數（Young's modulus）為E1，而前述工件加工用片材在150℃下加熱1小時後，再以活性能量線照射構成前述工件加工用片材的前述黏著劑層之後，前述黏著劑層在23℃下之楊氏係數為E2時，前述楊氏係數E2對前述楊氏係數E1之比值（E2/E1），以13以上為佳（發明2）。

上述發明（發明1、2）中，前述工件加工用片材中前述黏著劑層在23℃下之楊氏係數為E0，而前述工件加工用片材在150℃下加熱1小時後，前述黏著劑層在23℃下之楊氏係數為E1時，前述楊氏係數E1相對前述楊氏係數E0之比值（E1/E0），以2.0以上為佳（發明3）。

本發明之第2種，係提供一種工件加工用片材，其係具有基材及積層在前述基材之一面上的黏著劑層之工件加工用片材，其特徵為前述黏著劑層，係由活性能量線硬化性黏著劑所構成；前述活性能量線硬化性黏著劑之玻璃轉變溫度為-50℃以上、10℃以下；且前述活性能量線硬化性黏著劑，為含有包含具極性基之單體作為構成單體的丙烯酸系共聚物（發明4）。

上述發明（發明4）中，前述丙烯酸系共聚物，以在側鏈上導入具有活性能量線硬化性之官能基為佳（發明5）。

上述發明（發明1至5）中，以係切割片材為佳（發明6）。發明之效果

本發明之工件加工用片材，不但在工件加工時對該工件可發揮充分之黏著力，而且經過加熱處理後，亦可良好地分離加工後之工件。

以下，針對本發明之實施形態加以說明。本實施形態之工件加工用片材，包含基材及積層在基材之一面上的黏著劑層。而且，該黏著劑層，係由活性能量線硬化性黏著劑所構成。

1.工件加工用片材之性質（1）黏著力本實施形態之工件加工用片材，在工件加工用片材對矽晶圓之黏著力為F0時，黏著力F0，以600mN/25mm以上為佳，特別以900mN/25mm以上更佳，1200mN/25mm以上再更佳。又，黏著力F0，以20000mN/25mm以下為佳，特別以5000mN/25mm以下更佳，3000mN/25mm以下再更佳。其中，上述黏著力F0，係指針對未經後述之加熱或活性能量線照射處理的工件加工用片材測定之初始之黏著力。

本實施形態之工件加工用片材，由於黏著力F0在上述範圍，因此工件可以良好地保持在工件加工用片材上。因此，在工件加工時，即使發生如因加工導致的衝擊之情況，亦可良好地抑制加工後之工件之移動或脫落。特別是，在黏著力F0為600mN/25mm以上時，加工時可容易良好地保持工件。另一方面，由於黏著力F0為20000mN/25mm以下，對工件加工用片材進行後述之活性能量線照射時，可容易地充分降低對加工後之工件的黏著力，因此，可容易地由工件加工用片材分離加工後之工件。

本實施形態之工件加工用片材，在工件加工用片材貼合在矽晶圓所構成之積層體在經過150℃下加熱1小時後，再以活性能量線照射構成此積層體的黏著劑層之後，工件加工用片材對矽晶圓的黏著力為F2時，黏著力F2對上述黏著力F0之比值（F2/F0），以0.66以下為佳，特別以0.2以下更佳，0.15以下再更佳。該比值（F2/F0）為0.66以下時，可容易地良好地兼具在加工時保持工件、及可在照射活性能量線後分離加工後的工件。特別是，即使在加工後之工件黏貼在工件加工用片材上之狀態，使該工件加工用片材曝露在加熱處理下之情形時，亦可容易地由工件加工用片材良好地分離加工後之工件。又，上述比值（F2/F0）之下限值方面並無特別之限定，例如可為0.01以上。

本實施形態之工件加工用片材，上述之黏著力F2，以1000mN/25mm以下為佳，特別以500mN/25mm以下更佳，150mN/25mm以下再更佳。又，黏著力F2，以30mN/25mm以上為佳。黏著力F2在上述範圍時，可容易地調整比值（F2/F0）在上述範圍。

本實施形態之工件加工用片材，在工件加工用片材黏貼在矽晶圓所構成之積層體在150℃下加熱1小時後之工件加工用片材對矽晶圓的黏著力為F1時，黏著力F1，以1000mN/25mm以上為佳，特別以2300mN/25mm以上更佳。又，黏著力F1，以5000mN/25mm以下為佳。黏著力F1在上述範圍時，可容易地調整比值（F2/F0）在上述範圍。

又，上述之黏著力F0、F1及F2之各測定方法，詳細地如後述之試驗例中之記載。

（2）楊氏係數本實施形態之工件加工用片材，在工件加工用片材經過150℃下加熱1小時後，黏著劑層在23℃下之楊氏係數為E1，而工件加工用片材經過150℃下加熱1小時後，再以活性能量線照射構成該工件加工用片材的黏著劑層之後，該黏著劑層在23℃下之楊氏係數為E2時，上述楊氏係數E2對上述楊氏係數E1之比值（E2/E1），以13以上為佳，特別以15以上更佳，18以上再更佳。

如前述之情形，本實施形態中之黏著劑層，係由活性能量線硬化性黏著劑所構成。一般，存在活性能量線硬化性黏著劑中用於達成活性能量線硬化性的成分，係藉由加熱進行特定之反應，藉此進行黏著劑之硬化。例如，在上述成分為丙烯醯基（acryloyl）之情形時，會有藉由加熱使該丙烯醯基中的碳-碳雙鍵裂解，而進行聚合反應之情形。該情形下，在因加熱使上述成分進行反應之情形，之後即使再照射活性能量線，亦無法再良好地使黏著劑層進一步硬化。然而，在本實施形態之工件加工用片材中，在比值（E2/E1）在上述範圍時，即使在進行加熱處理後，亦可容易地以照射活性能量線，良好地降低黏著力。如此，可有效地抑制在照射活性能量線前，加工後之工件預料外之脫落等。

又，上述比值（E2/E1）之上限值方面並無特別之限定，例如可為25以下。

本實施形態之工件加工用片材，在工件加工用片材中之黏著劑層在23℃下之楊氏係數為E0時，上述楊氏係數E1對該楊氏係數E0之比值（E1/E0），以2.0以上為佳，特別以2.3以上更佳，2.6以上再更佳。又，上述楊氏係數E0，意指針對未經加熱或活性能量線照射之處理的黏著劑層所測定之初始之楊氏係數。

一般而言，黏著劑經過加熱會軟化，而有增加對接著體之密貼性的傾向。然而，本實施形態之工件加工用片材中，由於比值（E1/E0）在上述範圍，因此不易發生因加熱使黏著劑軟化，而可以有效地抑制過度提高由加熱處理所致之密貼性。結果，可容易地在對黏著劑層照射活性能量線後，良好地分離加工後之工件。

又，上述比值（E1/E0）之上限值方面並無特別之限定，例如可為3.5以下。

本實施形態之工件加工用片材，上述楊氏係數E0，以2.0MPa以上為佳，特別以2.3MPa以上更佳，2.5MPa以上再更佳。又，楊氏係數E0，以15MPa以下為佳，特別以10MPa以下更佳，5MPa以下再更佳。楊氏係數E0在上述範圍時，可容易地調整比值（E1/E0）在上述範圍。

本實施形態之工件加工用片材，上述楊氏係數E1，以5.0MPa以上為佳，特別以6.0MPa以上更佳，7.0MPa以上再更佳。又，楊氏係數E1，以100MPa以下為佳，特別以50MPa以下更佳，10MPa以下再更佳。楊氏係數E1在上述範圍時，可容易地調整各比值（E2/E1）及比值（E1/E0）在上述範圍。

本實施形態之工件加工用片材，上述楊氏係數E2，以100MPa以上為佳，特別以130MPa以上更佳，140MPa以上再更佳。又，楊氏係數E2，以300MPa以下為佳，特別以250MPa以下更佳，200MPa以下再更佳。楊氏係數E2在上述範圍時，可容易地調整比值（E2/E1）在上述範圍。

又，上述之楊氏係數E0、E1及E2之各測定方法，詳細地如後述之試驗例中之記載。

2.工件加工用片材之構成組件（1）基材本實施形態之工件加工用片材中，基材，只要在使用工件加工用片材之步驟中可發揮所期望的機能，而最好對黏著劑層之硬化所照射之活性能量線可發揮良好的透光性，同時具有特定的耐熱性即可，並無特別之限定。

例如，基材，係以主材為樹脂系之材料的樹脂薄膜為佳，作為具體例，可舉如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜；乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物薄膜、其他之乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜等之乙烯系共聚物薄膜；聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯-降莰烯共聚物薄膜、降莰烯樹脂薄膜、環烯烴樹脂薄膜等之聚烯烴系薄膜；聚氯化乙烯薄膜、氯化乙烯共聚物薄膜等之聚氯化乙烯系薄膜；聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、聚對苯二甲酸環己烷二甲酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯系薄膜；(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜；聚胺酯薄膜；聚醯亞胺薄膜；聚苯乙烯薄膜；聚碳酸酯薄膜；氟樹脂薄膜；聚苯硫醚（polyphenylene sulfide）薄膜等。聚乙烯薄膜之例，可舉如低密度聚乙烯（LDPE）薄膜、直鏈低密度聚乙烯（LLDPE）薄膜、高密度聚乙烯（HDPE）薄膜等。又，亦可使用此等物之交聯薄膜、離子聚合物薄膜之改質薄膜。又，基材，亦可為以複數積層上述薄膜而成之積層薄膜。此類積層薄膜中，構成各層之材料可為相同種類，亦可為不同種類。作為基材，上述薄膜中，由活性能量線之透光性及耐熱性良好之觀點而言，以使用經退火處理過之聚酯系薄膜、具有耐熱性之聚酯系薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚苯硫醚薄膜、環烯烴樹脂薄膜較佳。再者，本案說明書中之「(甲基)丙烯酸」，係指丙烯酸及甲基丙烯酸之雙方。其它類似之用語亦相同。

基材，亦可含有抗燃劑、塑形劑、防帶電劑、潤滑劑、抗氧化劑、著色劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、離子螯合劑等之各種添加劑。此些添加劑之含量，並無特別之限定，而以在基材中可以發揮期望之機能之範圍為佳。

在基材積層黏著劑層之表面上，為提高與黏著劑層之密貼性，亦可施以塗底處理、電暈處理、電漿處理等之表面處理。

基材之厚度，可視使用工件加工用片材之方法適當地設定，通常，以20μm以上為佳，特別以25μm以上更佳。又，該厚度，通常，以450μm以下為佳，特別以300μm以下更佳。

（2）黏著劑層本實施形態之工件加工用片材中，黏著劑層，係由活性能量線硬化性黏著劑所構成。由於由活性能量線硬化性黏著劑構成黏著劑層，可以照射活性能量線使黏著劑層硬化，而降低對工件加工用片材之接著體的黏著力。此情形下，可容易地由工件加工用片材分離加工後之工件。

又，本實施形態中之黏著劑層，以可達成前述之黏著力為佳。由該觀點言之，本實施形態中之黏著劑層，以構成該黏著劑層之活性能量線硬化性黏著劑的玻璃轉變溫度，為-50℃以上、10℃以下，同時活性能量線硬化性黏著劑，含有包含具極性基之單體作為構成單體的丙烯酸系共聚物較佳。具有以此類活性能量線硬化性黏著劑構成之黏著劑層，可容易地使工件加工用片材達成前述之黏著力。

由工件加工用片材可更容易地達成前述黏著力之觀點言之，上述玻璃轉變溫度，特別以-20℃以上為佳，-15℃以上更佳。又，在同樣之觀點上，上述玻璃轉變溫度，又特別以5℃以下為佳，3℃以下更佳。再者，上述玻璃轉變溫度之測定方法，詳細地如後述之試驗例中之記載。

構成黏著劑層的活性能量線硬化性黏著劑，可以具活性能量線硬化性的聚合物作為主成分，亦可以活性能量線非硬化性聚合物（即不具活性能量線硬化性的聚合物）與含至少1種以上之具活性能量線硬化性基的單體及/或寡聚物之混合物作為主成分。

以下首先，對活性能量線硬化性黏著劑，以具活性能量線硬化性的聚合物作為主成分之情形加以說明。

具活性能量線硬化性的聚合物，以側鏈上導入含活性能量線硬化性的官能基（活性能量線硬化性基）之(甲基)丙烯酸酯（共）聚合物（A）（以下有時稱為「活性能量線硬化性聚合物（A）」）為佳。此類活性能量線硬化性聚合物（A），以由含有含官能基的單體單位之丙烯酸系共聚物（a1）與含有與該官能基鍵結的官能基之含不飽合基化合物（a2）反應而獲得為佳。

作為上述含官能基的單體，以分子內含：聚合性的雙鍵及羥基、羧基、胺基、醯胺基、苯甲基、環氧丙基等之官能基的單體為佳，其中，以使用含官能基為羥基的單體（含羥基單體）較佳。

作為上述含羥基單體，可舉如：(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯等，其中，以使用丙烯酸-2-羥基乙酯較佳。又，此些可單獨或以2種以上組合使用。

作為上述含羧基單體，可舉如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸、順丁烯二酸、依康酸、檸康酸等乙烯性不飽和羧酸。此些可單獨使用，亦可以2種以上組合使用。

作為上述含胺基單體或含醯胺基單體，可舉如：(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸正丁基胺基乙酯等。此些可單獨使用，亦可以2種以上組合使用。

上述丙烯酸系共聚物（a1），由含上述官能基之單體所衍生之構成單位，以含量1質量%以上為佳，特別是含量5質量%以上更佳，含量10質量%以上再更佳。又，丙烯酸系共聚物（a1），由含上述官能基之單體所衍生之構成單位，以含量35質量%以下為佳，特別是含量30質量%以下更佳。丙烯酸系共聚物（a1）所含之含官能基之單體在上述範圍時，可容易地形成所期望之活性能量線硬化性聚合物（A）。

丙烯酸系共聚物（a1），如前所述，作為構成聚合物之單體單位，以含有含極性基之單體（含極性基單體）為佳。此情形時，可以提高所得之活性能量線硬化性黏著劑的極性，因此可容易地達成前述之黏著力。

作為含極性基單體之例，可舉如：丙烯醯基嗎福啉、丙烯酸異莰酯、甲基丙烯酸甲酯、乙酸乙烯酯、丙烯酸苯甲酯、甲基丙烯酸環氧丙酯等，其中，特別以使用丙烯醯基嗎福啉或丙烯酸異莰酯較佳。

丙烯酸系共聚物（a1），由上述含極性基之單體所衍生之構成單位，以含量3.0質量%以上為佳，特別是含量5.0質量%以上更佳，含量8.0質量%以上再更佳。又，丙烯酸系共聚物（a1），由上述含極性基之單體所衍生之構成單位，以含量12.0質量%以下為佳。丙烯酸系共聚物（a1）在含有在上述範圍之上述含極性基單體時，可以有效地提高所得之活性能量線硬化性黏著劑的極性，因此可容易地達成前述之黏著力。

又，丙烯酸系共聚物（a1），作為構成聚合物之單體單位，以含有用以調整活性能量線硬化性黏著劑之玻璃轉變溫度（Tg）的單體（Tg調整單體）為佳。此情形下，可使所得之活性能量線硬化性黏著劑，容易地具有前述之玻璃轉變溫度（Tg）。作為兼具Tg調整單體的較佳之單體之例，可舉如前述含極性基單體所舉之例，其中，特別以使用丙烯醯基嗎福啉或丙烯酸異莰酯較佳。

上述Tg調整單體的玻璃轉變溫度，以30℃以上為佳，特別以50℃以上更佳，90℃以上又更佳。又，Tg調整單體的玻璃轉變溫度，以200℃以下為佳，特別以180℃以下更佳，150℃以下又更佳。使用具有此些範圍之玻璃轉變溫度的Tg調整單體時，可容易地調整活性能量線硬化性黏著劑之玻璃轉變溫度在前述之範圍。又，本案說明書中，對於單體之玻璃轉變溫度，係指以單由該單體所構成之同質聚合物所測定之玻璃轉變溫度。

又，上述之Tg調整單體的溶解參數（SP值），以9.8以上為佳，特別以9.9以上更佳，10.0以上又更佳。Tg調整單體的SP值在9.8以上時，可容易地調整工件加工用片材之黏著力在前述之範圍，特別可容易地調整初始黏著力F0在前述之範圍。因此，在加工時可容易地保持工件在工件加工用片材上。又，溶解參數（SP值）之上限值方面並無特別之限定，例如可為11以下。

丙烯酸系共聚物（a1），由上述Tg調整單體所衍生之構成單位，以含量3.0質量%以上為佳，特別是含量5.0質量%以上更佳，含量8.0質量%以上再更佳。又，丙烯酸系共聚物（a1），由上述Tg調整單體所衍生之構成單位，以含量12.0質量%以下為佳。丙烯酸系共聚物（a1）在含有上述範圍之Tg調整單體時，可容易地調整所得之活性能量線硬化性黏著劑的玻璃轉變溫度在前述之範圍。

丙烯酸系共聚物（a1），作為構成聚合物之單體單位，以使用烷基之碳數為1至20之(甲基)丙烯酸烷基酯單體為佳。作為此類(甲基)丙烯酸烷基酯單體，特別以烷基之碳數為1至18之(甲基)丙烯酸烷基酯單體更佳。又，由可容易地獲得耐熱性良好之黏著劑之觀點言之，以烷基之碳數為8以上之(甲基)丙烯酸烷基酯單體較佳。作為烷基之碳數為1至20之(甲基)丙烯酸烷基酯單體之較佳之例，可舉如：甲基丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯等。此些可以1種單獨使用，亦可以2種以上組合使用。

丙烯酸系共聚物（a1），由上述之烷基之碳數為1至20之(甲基)丙烯酸烷基酯單體所衍生之構成單位，以含量50質量%以上為佳，特別是含量60質量%以上更佳，含量70質量%以上再更佳。又，丙烯酸系共聚物（a1），由上述之烷基之碳數為1至20之(甲基)丙烯酸烷基酯單體所衍生之構成單位，以含量99質量%以下為佳，特別是含量95質量%以下更佳，含量90質量%以下再更佳。

丙烯酸系共聚物（a1），以由以上說明之單體或其衍生物以常法共聚而獲得為佳，此類單體之外，亦可以分子內含脂環構造之單體（含脂環構造單體）、二甲基丙烯醯胺、甲酸乙烯酯、苯乙烯等共聚。

作為上述含脂環構造單體之例，可舉如：(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯(dicyclopentanyl (meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯(dicyclopentenyloxyethyl (meth)acrylate)等。此些可以1種單獨使用，亦可以2種以上組合使用。

以上述含有含官能基的單體單位之丙烯酸系共聚物（a1）與含有與該官能基鍵結的官能基之含不飽合基化合物（a2）反應，即可獲得活性能量線硬化性聚合物（A）。

含不飽合基化合物（a2）所含的官能基，可視丙烯酸系共聚物（a1）所含的含官能基的單體單位之官能基的種類，適當地選擇。例如，在丙烯酸系共聚物（a1）所含的官能基為羥基、胺基或醯胺基之情形，含不飽合基化合物（a2）所含的官能基以異氰酸酯基或環氧基為佳；在丙烯酸系共聚物（a1）所含的官能基為環氧丙基之情形，含不飽合基化合物（a2）所含的官能基以胺基、羧基或吖丙啶基(aziridinyl)為佳。

再者上述含不飽合基化合物（a2）中，活性能量線聚合性之碳-碳雙鍵，以1分子中至少含有1個，以含有1至6個為佳，含有1至4個再更佳。作為此類含不飽合基化合物（a2）之具體例，可舉如：異氰酸-2-甲基丙烯醯氧基乙酯、異氰酸甲基異丙烯基-α,α-二甲基苯甲酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸烯丙酯、異氰酸-1,1-(二丙烯醯氧基甲基)乙酯；以二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯反應所得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與多元醇化合物及(甲基)丙烯酸羥基乙酯反應所得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸環氧丙酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸-2-(1-吖丙啶基)乙酯、2-乙烯基-2-噁唑啉、2-異丙烯基-2-噁唑啉等。

上述含不飽合基化合物（a2），以使用相對上述丙烯酸系共聚物（a1）之含官能基單體的莫耳數，為50莫耳%以上為佳，特別是60莫耳%以上更佳，70莫耳%以上再更佳。又，上述含不飽合基化合物（a2），以使用相對上述丙烯酸系共聚物（a1）之含官能基單體的莫耳數，為95莫耳%以下為佳，特別是93莫耳%以下更佳，90莫耳%以下再更佳。

丙烯酸系共聚物（a1）與含不飽合基化合物（a2）之反應中，可視丙烯酸系共聚物（a1）所含之官能基與含不飽合基化合物（a2）所含之官能基的組合，適當選擇反應之溫度、壓力、溶劑、時間、催化劑之有無、催化劑之種類。此情形下，存在於丙烯酸系共聚物（a1）中之官能基會與含不飽合基化合物（a2）中之官能基反應，使不飽合基導入丙烯酸系共聚物（a1）中之側鏈，獲得活性能量線硬化性聚合物（A）。

此情形下獲得之活性能量線硬化性聚合物（A）的重量平均分子量（Mw），以1萬以上為佳，特別以15萬以上更佳，20萬以上再更佳。又，該重量平均分子量（Mw），以150萬以下為佳，特別以100萬以下更佳。再者，本案說明書中之重量平均分子量（Mw），係以膠體過濾層析法（GPC法）測定後再換算為標準聚苯乙烯之值。

活性能量線硬化性黏著劑，即使主成分為活性能量線硬化性聚合物（A）之具活性能量線硬化性的聚合物，活性能量線硬化性黏著劑，亦可再含有活性能量線硬化性之單體及/或寡聚物（B）。

作為活性能量線硬化性之單體及/或寡聚物（B），可使用如：多元醇與(甲基)丙烯酸之酯等。

作為該活性能量線硬化性之單體及/或寡聚物（B），可舉如：(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異莰酯等之單官能性丙烯酸酯類；三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯等之多官能性丙烯酸酯類；聚酯寡聚(甲基)丙烯酸酯、聚脲烷寡聚(甲基)丙烯酸酯等。

在對活性能量線硬化性聚合物（A），調製活性能量線硬化性之單體及/或寡聚物（B）之情形，活性能量線硬化性黏著劑中活性能量線硬化性之單體及/或寡聚物（B）之含量，以相對活性能量線硬化性聚合物（A）100質量份，超過0質量份為佳，特別以60質量份以上更佳。又，該含量，以相對活性能量線硬化性聚合物（A）100質量份，為250質量份以下為佳，特別以200質量份以下更佳。

其中，在使活性能量線硬化性黏著劑硬化所使用之活性能量線為紫外線之情形時，以再添加光聚合起始劑（C）為佳，在使用該光聚合起始劑（C）時，可減少聚合硬化時間及光線照射量。

本實施形態中之光聚合起始劑（C），以5%重量損失溫度為200℃以上為佳，特別以210℃以上更佳，220℃以上再更佳。在使用顯示5%重量損失溫度為200℃以上的光聚合起始劑（C）時，可容易地調整工件加工用片材的黏著力在前述範圍，特別是，可容易地調整經過加熱及照射活性能量線後之黏著力F2在前述範圍。此情形下，即使在進行加熱處理之情形下，亦可容易地由工件加工用片材分離加工後之工件。又，5%重量損失溫度之上限值，並無特別之限定，例如以300℃以下為佳，特別以280℃以下更佳，250℃以下再更佳。再者，上述5%重量損失溫度之測定方法，詳細地如後述之實施例中之記載。

光聚合起始劑（C）之具體例，可舉如：二苯酮、苯乙酮、安息香(benzoin)、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香異丙基醚、安息香異丁基醚、安息香苯甲酸(benzoin benzoic acid)、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲縮酮、2,4-二乙基硫雜蒽銅、1-羥基環己基苯基酮、苯甲基二苯基硫(benzyldiphenyl sulfide)、單硫化四甲基硫蘭(tetramethylthiuram monosulfide)、偶氮二異丁腈、苯甲基-(benzyl)、二苯甲基-(dibenzyl)、二乙醯基-(diacetyl)、β-綠蒽醌、氧化(2,4,6-三甲基苯甲基二苯基)膦((2,4,6-trimethyl benzyl diphenyl) phosphine oxide)、2-苯并噻唑-N,N-二乙基二硫胺甲酸酯(2-benzothiazole-N, N-diethyldithiocarbamate)、寡聚{2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}(oligo{2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(1-propenyl)phenyl] propanone})、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苯甲基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮等。其中，以使用2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苯甲基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮較佳。此些可單獨使用，亦可以2種以上併用。

光聚合起始劑（C），使用之量以相對活性能量線硬化性聚合物（A）（在調製活性能量線硬化性之單體及/或寡聚物（B）之情形，為活性能量線硬化性聚合物（A）與活性能量線硬化性之單體及/或寡聚物（B）之合計量100質量份）100質量份，為0.1質量份以上為佳，特別以0.5質量份以上更佳。又，光聚合起始劑（C），使用之量以相對活性能量線硬化性聚合物（A）（在調製活性能量線硬化性之單體及/或寡聚物（B）之情形，為活性能量線硬化性聚合物（A）與活性能量線硬化性之單體及/或寡聚物（B）之合計量100質量份）100質量份，為10質量份以下為佳，特別以6質量份以下更佳。

活性能量線硬化性黏著劑中，除上述成分以外，亦可再適當調製其他之成分。作為其他之成分，可舉如：活性能量線非硬化性聚合物成分或寡聚物成分（D）、交聯劑（E）等。

作為活性能量線非硬化性聚合物成分或寡聚物成分（D），可舉如：聚丙烯酸酯、聚酯、聚胺酯、聚碳酸酯、聚烯烴等，以重量平均分子量（Mw）為3000至250萬之聚合物或寡聚物為佳。在活性能量線硬化性黏著劑中調製該成分（D）時，可改善硬化前之黏著性及剝離性、硬化後之強度、與其他層之接著性、保存安定性等。該成分（D）之調製量並無特別之限定，相對活性能量線硬化性聚合物（A）100質量份，可在超過0質量份、50質量份以下之範圍中適當地決定。

作為交聯劑（E），可使用具有與活性能量線硬化性聚合物（A）等所含之官能基的反應性之多官能性化合物。作為此類多官能性化合物之例，可舉如：異氰酸酯化合物、環氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、吖丙烷化合物、聯胺化合物、醛化合物、噁唑啉化合物、金屬醇鹽化合物、金屬螯合化合物、金屬鹽、銨鹽、反應性苯酚樹脂等。

交聯劑（E）之調製量，以相對活性能量線硬化性聚合物（A）100質量份，為0.01質量份以上為佳，特別以1質量份以上更佳。又，交聯劑（E）之調製量，以相對活性能量線硬化性聚合物（A）100質量份，為20質量份以下為佳，特別以17質量份以下更佳。

其次，以下再對活性能量線硬化性黏著劑，主成分為活性能量線非硬化性聚合物成分與含至少1種以上之活性能量線硬化性基的單體及/或寡聚物之混合物之情形，加以說明。

作為活性能量線非硬化性聚合物成分，可使用如前述之丙烯酸系共聚物（a1）之相同之成分。

含至少1種以上之活性能量線硬化性基的單體及/或寡聚物，可選擇前述之成分（B）之相同之物。活性能量線非硬化性聚合物成分及含至少1種以上之活性能量線硬化性基的單體及/或寡聚物之調製比例，相對活性能量線非硬化性聚合物成分100質量份，含至少1種以上之活性能量線硬化性基的單體及/或寡聚物以1質量份以上為佳，特別以60質量份以上更佳。又，該調製比例，相對於活性能量線非硬化性聚合物成分100質量份，含至少1種以上之活性能量線硬化性基的單體及/或寡聚物，以200質量份以下為佳，特別以160質量份以下更佳。

該情形下，如同上述，可適當調製光聚合起始劑（C）或交聯劑（E）。

黏著劑層之厚度，以1μm以上為佳，5μm以上更佳。又，該厚度，以50μm以下為佳，40μm以下更佳。黏著劑層之厚度在上述範圍時，可容易地達成前述之黏著力。

（3）剝離片材本實施形態之工件加工用片材，至以黏著劑層中與基材相反側之面（以下，有時稱為「黏著面」）黏貼在工件上為止之間，為保護該表面之目的，亦可在該表面上積層剝離片材。剝離片材可為任意之構成，例如可以塑膠薄膜經過剝離劑等加以剝離處理。作為塑膠薄膜之具體例，可舉如：聚乙烯對苯二甲酸酯、聚丁烯對苯二甲酸酯、聚乙烯對萘二甲酸酯等之聚酯薄膜；及聚丙烯或聚乙烯等之聚烯烴薄膜。剝離劑，可使用：矽氧烷系、氟素系、長鏈烷系等，其中，以低價且可得到安定之性能之矽氧烷系較佳。剝離片材之厚度並無特別之限定，通常可為20μm以上、250μm以下。

（4）其他之組件本實施形態之工件加工用片材，亦可在黏著劑層中之黏著面上積層接著劑層。該情形下，本實施形態之工件加工用片材，在具有如上述之接著劑層時，即可使用為切割/黏晶片材。此類工件加工用片材，在將工件黏貼在接著劑層中之與黏著劑層相反側之面上，以同時切割該工件及接著劑層時，即可獲得片材個別化而積層接著劑層之晶片。該晶片，藉由該經過片材個別化之接著劑層，使該晶片可以容易地對承載之對象固定。作為構成上述接著劑層之材料，以使用含熱塑性樹脂及低分子量之熱硬化性接著成分者、或含B階段（B stage）（半硬化狀）的熱硬化型接著成分等為佳。

又，本實施形態之工件加工用片材之中，黏著劑層中之黏著面亦可積層保護膜形成層。該情形下，本實施形態之工件加工用片材，可使用作為保護膜形成兼切割用片材。此類工件加工用片材，係在保護膜形成層中與黏著劑層相反側之面上黏貼工件，因此同時切割該工件及保護膜形成層，所獲得的晶片即會積層經過片材個別化之保護膜形成層。作為該片材，以使用在其一面上形成電路者為佳，該情形下，通常，在與形成該電路之面的相反側之面上會積層保護膜形成層。經過片材個別化之保護膜形成層，以預定之切割硬化，因而可在晶片上形成具有充分之耐久性的保護膜。保護膜形成層，以由未硬化之硬化性接著劑構成為佳。

又，本實施形態之工件加工用片材，黏著力方面以滿足前述之條件為佳，在對黏著劑層積層上述之接著劑層或保護膜形成層之情形時，黏著劑層在積層此些層之前，以滿足前述之黏著力為佳。

3.工件加工用片材之製造方法本實施形態之工件加工用片材的製造方法並無特別之限定，本實施形態之工件加工用片材，以在基材之一面上積層黏著劑層而製造為佳。

將黏著劑層積層在基材之一面上，可以一般已知之方法實施。例如，以將在剝離片材上形成之黏著劑層，轉塗在基材之一面上為佳。該情形時，先調配含有構成黏著劑層之黏著劑組合物、及另外視其需要之溶劑或分散溶劑的塗佈液，剝離片材經過剝離處理之面（以下有時稱為「剝離面」）上，再以模具塗佈機、淋幕式塗佈機、噴塗塗佈機、狹縫塗佈機、刮刀塗佈機等塗佈該塗佈液形成塗膜，該塗膜經過乾燥，即可形成黏著劑層。塗佈液，只要可以塗佈即可，性質形態上並無特別之限定，在含有用以形成黏著劑層的成分作為溶質之情形，有時亦可以含有分散溶質。該積層體中之剝離片材可以視為工程材料予以剝離，亦可在至工件加工用片材黏貼在工件上為止之間，也可使用以保護黏著劑層的黏著面。

在用以形成黏著劑層的塗佈液含有交聯劑之情形時，可以改變上述之乾燥條件（溫度、時間等）、或以另外設置之加熱處理，使塗膜內之活性能量線硬化性聚合物（A）或活性能量線非硬化性聚合物與交聯劑進行交聯反應，以在黏著劑層內形成為期望之存在密度而形成交聯構造。為使該交聯反應可以充分進行，在以上述方法等將黏著劑層積層在基材上之後，亦可以將所得之工件加工用片材，以如靜置於23℃、相對濕度50%之環境數日進行熟成。

代替如上述將剝離片材上形成之黏著劑層轉塗在基材之一面上，亦可直接在基材上形成黏著劑層。該情形下，係將用以形成前述之黏著劑層的塗佈液塗佈在基材之一面上以形成塗膜，再經過乾燥該塗膜，形成黏著劑層。

4.工件加工用片材之使用方法本實施形態之工件加工用片材，可使用以加工工件。亦即，以本實施形態之工件加工用片材之黏著面黏貼在工件之後，可以在工件加工用片材上進行工件之加工。根據該加工，本實施形態之工件加工用片材，可使用為背面研磨片材、切割片材、擴片片材、取晶片材。其中，工件之例如：半導體晶圓、半導體封裝體等半導體組件；玻璃板等玻璃組件。

又，本實施形態之工件加工用片材，在具備前述之接著劑層之情形時，該工件加工用片材，可作為切割/黏晶片材使用。又，本實施形態之工件加工用片材，在具備前述之保護膜形成層之情形時，該工件加工用片材，可作為保護膜形成兼切割用片材使用。

在本實施形態之工件加工用片材上工件之加工完成，由加工後之工件分離工件加工用片材之情形時，以在該分離前對工件加工用片材中之黏著劑層照射活性能量線為佳。此情形下，可使黏著劑層硬化，因此良好地降低工件加工用片材對加工後之工件的黏著力，可容易地使加工後之工件分離。

作為上述之活性能量線，可使用如電磁波或帶電粒子束之中具有能量量子者，具體地，可使用紫外線、電子束等。特別是，以容易操作之紫外線較佳。照射紫外線，可以高壓汞燈、氙氣燈、LED等作業，紫外線的照射量，照度以50mW/cm² 以上、1000mW/cm² 以下為佳。又，照光量以50mJ/cm² 以上為佳，特別以80mJ/cm² 以上更佳，200mJ/cm² 以上再更佳。又，照光量以10000mJ/cm² 以下為佳，特別以5000mJ/cm² 以下更佳，2000mJ/cm² 以下再更佳。另一方面，照射電子束，可以電子束加速器等作業，電子束之照射量，以10krad以上、1000krad以下為佳。

本實施形態之工件加工用片材，在使黏著力F0在前述範圍時，在工件之加工時，可對該工件發揮充分之黏著力，亦可良好地抑制工件或加工後之工件之移動/脫落之不良情況。又，在黏著劑層由活性能量線硬化性黏著劑構成，同時黏著力之比值F2/F0在前述範圍時，即使是在黏貼加工後之工件之狀態下加熱工件加工用片材之情形，之後經過照射活性能量線，亦可充分降低對加工後之工件的黏著力，因此可良好地撿取加工後之工件。因此，本實施形態之工件加工用片材，可適於使用於在工件或加工後之工件黏貼在工件加工用片材上之狀態下，在高溫環境下曝露工件加工用片材之類的用途。特別是，本實施形態之工件加工用片材，適於使用於在工件加工用片材上進行矽晶圓等之切割，以對所得之晶片，在工件加工用片材上進行加熱處理之類的用途。

以使用本實施形態之工件加工用片材為切割片材，同時使用在切割後，以晶片黏貼在工件加工用片材上且接進行加熱處理之用途時，作為其加熱條件方面，加熱溫度例如以40℃以上為佳，特別以80℃以上更佳，100℃以上再更佳。又，該加熱溫度，以150℃以下為佳，特別以130℃以下更佳，120℃以下再更佳。再者，加熱時間例如以3分鐘以上為佳，特別以10分鐘以上更佳，30分鐘以上再更佳。又，該加熱時間，以60分鐘以下為佳，特別以50分鐘以下更佳，40分鐘以下再更佳。本實施形態之工件加工用片材，即使在以如上之條件加熱之情形時，亦可良好地分離晶片。

以上說明之實施形態，係以容易理解本發明而敘述，但本發明並不為敘述所限定。因此，上述實施形態所揭示之各部分，其宗旨亦包含屬本發明技術範圍之全部設計上之變更及同等者。

例如，在基材與黏著劑層之間、或在與基材之黏著劑層相反側之面上，亦可設置其他之層。實施例

以下，以實施例等進一步具體說明本發明，惟本發明之範圍並不限定於此些實施例等。

[實施例1] （1）黏著劑組合物之調配先以丙烯酸-2-乙基己酯70質量份、丙烯醯基嗎福啉10質量份及丙烯酸-2-羥基乙酯20質量份共聚所得之丙烯酸系共聚物，與相對該丙烯酸系共聚物之丙烯酸-2-羥基乙酯之莫耳數為90莫耳%的甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯（MOI）反應，可獲得活性能量線硬化性聚合物。此活性能量線硬化性聚合物之重量平均分子量（Mw）在以後述之方法測定時，為83萬。

以所得之活性能量線硬化性聚合物100質量份（換算為固形成分，以下相同）與交聯劑之含六亞甲基二異氰酸酯的脂族系異氰酸酯（日本聚胺酯工業公司製造，製品名為「Coronate HX」）1.2質量份、光聚合起始劑之2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苯甲基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮（BASF公司製造，製品名為「Omnirad 127」，5%重量損失溫度：220℃）1.2質量份於溶劑中混合，可得黏著劑組合物。再者，光聚合起始劑之5%重量損失溫度，係使用示差熱-熱重量同時分析裝置（SHIMADZU公司製造，製品名為「DTG-60」），以昇溫速度5℃/分鐘由室溫加熱至300℃測定。

（2）黏著劑層之形成對於在厚度38μm之聚乙烯對苯二甲酸酯薄膜之一面上形成矽氧烷系之剝離劑層的剝離片材（LINTEC公司製造，製品名為「SP-PET381031」）之剝離面上，塗佈上述黏著劑組合物，經過加熱而乾燥之後，再於23℃、50%RH之條件下熟成7日，可在剝離片材上形成厚度5μm之黏著劑層。

（3）工件加工用片材之製作以上述步驟（2）中形成之黏著劑層之剝離片材的相反側之面，與作為基材的厚度75μm之具耐熱性之聚酯系薄膜（Kurabo公司製造，製品名為「Torcena」）的一面貼合，可得到工件加工用片材。

其中，前述之重量平均分子量（Mw），為使用膠體過濾層析（GPC）測定（GPC測定）再換算為標準聚苯乙烯之重量平均分子量。

[實施例2至8及比較例1至4] 除變更丙烯酸系共聚物的組成及重量平均分子量如表1所示，同時變更黏著劑組合物之組成如表2所示以外，如同實施例1製造工件加工用片材。

[試驗例1]（黏著劑之玻璃轉變溫度的測定）積層多層以實施例及比較例中所製造之工件加工用片材的黏著劑層，製作厚度800μm之黏著劑層的積層體。然後，以該黏著劑層的積層體切出直徑10mm之圓形，獲得測定用之試樣。再對該測定用之試樣，使用動態黏彈性測定裝置（TA Instruments公司製造，製品名為「ARES」），以頻率1Hz、測定溫度範圍-50至150℃、昇溫速度3℃/min之條件測定tanδ，以其最高波峰之溫度為Tg。其結果如表3所示。

[試驗例2]（黏著力的測定）以實施例及比較例中所製造之工件加工用片材，裁切成寬度25mm之條狀。然後由所得之條狀的工件加工用片材剝離剝離片材，以露出之黏著劑層的黏著面，面對經過鏡面加工之矽晶圓之該鏡面，在溫度23℃、相對濕度50%之環境下，以2kg橡膠滾筒黏貼，經過靜置20分鐘後，作為測定用試樣。

然後再對所得之測定用試樣，使用萬能拉力試驗機（ORIENTEC公司製造，製品名為「TENSILON UTM-4-100」），由矽晶圓，以剝離速度300mm/min、剝離角度180°剝離工件加工用片材，再以依據JIS Z0237：2009之180°拉力剝離法，測定對矽晶圓的黏著力（mN/25mm）。並以此獲得之黏著力為黏著力F0，其結果如表3所示。

之後，以如上述所獲得之測定用試樣，以烘箱在150℃下加熱1小時。對該經過加熱後之測定用試樣，如上測定對矽晶圓的黏著力（mN/25mm）。以如此獲得之黏著力為黏著力F1，其結果如表3所示。

然後，以如上述所獲得之測定用試樣，以烘箱在150℃下加熱1小時。並且，對黏著劑層，隔著基材，以以下之條件進行紫外線照射。對該測定用試樣，如上測定對矽晶圓的黏著力（mN/25mm）。以如此獲得之黏著力為黏著力F2，其結果如表3所示。 >紫外線照射條件> ・使用高壓汞燈・照度230mW/cm² 、照光量190mJ/cm² ・UV照度/照光量計使用EYE GRAPHICS公司製造之「UVPF-A1」

同時，再以如上所得之3種黏著力，分別計算黏著力F2對黏著力F0之比值（F2/F0）、及黏著力F0對黏著力F1之比值（F0/F1）。其結果如表3所示。

[試驗例3]（黏著劑之楊氏係數的測定）針對各實施例及比較例，準備複數個以如實施例1之上述步驟（2）製作的黏著劑層與剝離片材之積層體。然後，在該積層體中積層預定數目之黏著劑層，製作成由厚度為200μm之黏著劑層所構成的測定用黏著劑層試樣。

該所得之測定用黏著劑層試樣，使用萬能拉力試驗機（島津製作所公司製造，製品名為「AUTOGRAPH AG-1S」），以23℃環境下、夾頭間距離30mm、速度200mm/分鐘拉伸，之後由所得之應力-形變曲線求出楊氏係數（MPa）。以如此所得之結果為楊氏係數E0，其結果如表3所示。

又，以上述所得之測定用黏著劑層試樣，以烘箱在150℃下加熱1小時。對該加熱後之測定用黏著劑層試樣，如上述求出楊氏係數（MPa）。以如此所得之結果為楊氏係數E1，其結果如表3所示。

並且，以如上述所得之測定用黏著劑層試樣，以烘箱在150℃下加熱1小時。同時，對該加熱後之測定用黏著劑層試樣，以以下之條件進行紫外線照射。對該測定用黏著劑層試樣，如上述求出楊氏係數（MPa）。以如此所得之結果為楊氏係數E2，其結果如表3所示。 >紫外線照射條件> ・使用高壓汞燈・照度230mW/cm² 、照光量580mJ/cm² ・UV照度/照光量計使用EYE GRAPHICS公司製造之「UVPF-A1」

再者，以如上所得之3種楊氏係數，分別計算楊氏係數E1對楊氏係數E0之比值（E1/E0）、及楊氏係數E2對楊氏係數E1之比值（E2/E1）。其結果如表3所示。

[試驗例4]（初始黏著性之評量）自實施例及比較例中製造之工件加工用片材剝離剝離片材，再對露出之黏著劑層的露出面，使用膠帶黏貼機（LINTEC公司製造，製品名為「Adwill RAD 2500m/12」），黏貼於經過#2000研磨之6吋矽晶圓（厚度：350 μm）之研磨面上。然後，再使用切割機（DISCO公司製造，製品名為「DFD-6362」），以以下之切割條件下，進行在切開面供給流水下並由6吋矽晶圓側切開的切割。

>切割條件> ・切割機：DISCO公司製造，DFD-6362 ・刀片：DISCO公司製造，NBC-2H 2050 27HECC ・刀片寬度：0.025至0.030mm ・刀尖露出量：0.640至0.760mm ・刀片轉速：50000rpm ・切削速度：20mm/sec ・切割深度：由工件加工用片材中黏著劑層側的表面相對於基材為20μm ・流水供給量：1.0L/min ・流水溫度：室溫・切割尺寸：2mm×2mm

之後，再以目視觀察經過切割步驟獲得之晶片貼著之工件加工用片材，計算切割步驟中由工件加工用片材脫落之晶片之個數，該個數除以切割步驟中之切割數目，可求出晶片脫離率（單位：%）。基於該計算之結果，依照以下之基準，評量初始黏著性。評量之結果如表3所示。○ ：晶片脫離率，未達10%。 ╳：晶片脫離率，為10%以上。

[試驗例5]（取晶合適性之評量）使用實施例及比較例中製造之工件加工用片材，除變更切割尺寸為10mm×10mm以外，如試驗例4進行切割。

在切割完了後，將承載晶片狀態之工件加工用片材放入烘箱。於150℃下加熱1小時。然後，對工件加工用片材中之黏著劑層，隔著基材，以以下之條件進行紫外線照射。 >紫外線照射條件> ・使用高壓汞燈・照度230mW/cm² 、照光量190mJ/cm² ・UV照度/照光量計使用EYE GRAPHICS公司製造之「UVPF-A1」

由紫外線照射後之工件加工用片材，撿取100個晶片，依照以下之基準，評量取晶之合適性。其結果如表3所示。 ◎：100個之中，可良好取晶之晶片個數，為95個以上。○ ： 100個之中，可良好取晶之晶片個數，未達95個、80個以上。 ╳： 100個之中，可良好取晶之晶片個數，未達80個。

再者，表1及表2中記載之簡稱等詳細如下。〔活性能量線硬化性聚合物之組成〕 2EHA：丙烯酸-2-乙基己酯 BA：丙烯酸丁酯 ACMO：丙烯醯基嗎福啉（SP值：10.1，玻璃轉變溫度：145℃） MMA：甲基丙烯酸甲酯（SP值：9.5，玻璃轉變溫度：105℃） IBXA：丙烯酸異莰酯（SP值：10.2，玻璃轉變溫度：94℃） HEA：丙烯酸-2-羥基乙酯 MOI：甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯〔光聚合起始劑〕 Omnirad 127：2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苯甲基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮（BASF公司製造，製品名為「Omnirad 127」，5%重量損失溫度：220℃） Omnirad TPO：氧化-2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基膦（BASF公司製造，製品名為「Omnirad TPO」，5%重量損失溫度：225℃）

[表1]

	活性能量線硬化性聚合物之組成	活性能量線硬化性聚合物之重量平均分子量
丙烯酸系共聚物之組成（質量份）	MOI（相對HEA 莫耳數之莫耳%）
2EHA	BA	ACMO	MMA	IBXA	HEA
實施例1	70	─	10	─	─	20	90	83萬
實施例2	80	─	10	─	─	10	90	95萬
實施例3	60	─	10	─	─	30	70	86萬
實施例4	60	─	10	─	─	30	80	85萬
實施例5	60	─	10	─	─	30	90	80萬
實施例6	60	─	─	10	─	30	90	82萬
實施例7	60	─	─	─	10	30	90	83萬
實施例8	70	─	10	─	─	20	90	83萬
比較例1	─	90	─	─	─	10	90	80萬
比較例2	─	70	─	─	─	30	90	80萬
比較例3	70	─	─	─	─	30	90	90萬
比較例4	90	─	─	─	─	10	90	100萬

[表2]

	黏著劑組合物之組成（質量份,固形成分換算值）
活性能量線硬化性聚合物	交聯劑	光聚合起始劑
種類	含量
實施例1	100	1.2	Omnirad 127	1.2
實施例2	100	0.6	Omnirad 127	1.2
實施例3	100	5.5	Omnirad 127	1.2
實施例4	100	3.7	Omnirad 127	1.2
實施例5	100	1.8	Omnirad 127	1.2
實施例6	100	1.8	Omnirad 127	1.2
實施例7	100	1.8	Omnirad 127	1.2
實施例8	100	1.2	Omnirad TPO	1.2
比較例1	100	0.6	Omnirad 127	1.2
比較例2	100	1.7	Omnirad 127	1.2
比較例3	100	1.7	Omnirad 127	1.2
比較例4	100	0.6	Omnirad 127	1.2

[表3]

	黏著劑之Tg（℃）	黏著力（mN/25mm）	黏著力比值	楊氏係數（MPa）	楊氏係數比值	初始黏著性之評量	取晶合適性之評量
F0	F1	F2	F2/F0	F0/F1	E0	E1	E2	E1/E0	E2/E1
實施例1	-9	1570	3600	110	0.07	2.3	3.5	5.0	90.0	1.43	18.00	○	○
實施例2	-9	1400	2400	100	0.07	1.7	3.1	3.2	13.1	1.03	4.05	○	○
實施例3	-9	950	3000	120	0.13	3.2	12.6	15.0	130.0	1.19	8.67	○	○
實施例4	-9	1200	3400	90	0.08	2.8	7.3	10.0	140.0	1.37	14.00	○	○
實施例5	-9	2100	3600	75	0.04	1.7	2.9	7.8	150.0	2.67	19.20	○	◎
實施例6	-11	670	1200	75	0.11	1.8	2.8	7.4	148.5	2.64	20.07	○	◎
實施例7	1	1700	3000	75	0.04	1.8	2.7	7.1	145.5	2.63	20.49	○	◎
實施例8	-9	1590	3500	120	0.08	2.2	3.6	4.8	85.0	1.33	17.71	○	◎
比較例1	-10	400	2200	750	1.88	5.5	1.6	1.2	14.3	0.71	12.25	╳	╳
比較例2	-10	350	2000	700	2.00	5.7	2.2	5.3	68.0	2.41	12.83	╳	╳
比較例3	-11	450	1000	430	0.96	2.2	2.0	5.2	129.3	2.56	25.06	╳	╳
比較例4	-11	400	600	500	1.25	1.5	1.4	1.3	17.0	0.93	12.81	╳	╳

由表3可知，實施例中所得之工件加工用片材，初始黏著性優良，在工件加工時可良好地將工件保持在片材上。又，實施例中所得之工件加工用片材，取晶之合適性優良，亦即，在取晶時，顯示對加工後之工件可良好地降低黏著力。 [產業上利用之可能性]

因此，本發明之工件加工用片材，可適於使用在切割上。

無。

Claims

一種工件加工用片材，其具有基材及積層在前述基材之一面上的黏著劑層之工件加工用片材，其特徵為：前述黏著劑層，係由活性能量線硬化性黏著劑所構成，前述工件加工用片材對矽晶圓之黏著力為F0，由前述工件加工用片材貼合在矽晶圓所構成之積層體在經過150℃下加熱1小時後，再以活性能量線照射構成前述積層體的前述黏著劑層之後，前述工件加工用片材對矽晶圓的黏著力為F2時，前述黏著力F0為600mN/25mm以上、20000mN/25mm以下，前述黏著力F2對前述黏著力F0之比值（F2/F0）為0.66以下。
如請求項1所述之工件加工用片材，其中在前述工件加工用片材經過150℃下加熱1小時後，前述黏著劑層在23℃下之楊氏係數為E1，前述工件加工用片材經過150℃下加熱1小時後，再以活性能量線照射構成前述工件加工用片材的前述黏著劑層之後，前述黏著劑層在23℃下之楊氏係數為E2時，前述楊氏係數E2對前述楊氏係數E1之比值（E2/E1）為13以上。
如請求項1所述之工件加工用片材，其中前述工件加工用片材中前述黏著劑層在23℃下之楊氏係數為E0，前述工件加工用片材在150℃下加熱1小時後，前述黏著劑層在23℃下之楊氏係數為E1時，前述楊氏係數E1相對前述楊氏係數E0之比值（E1/E0）為2.0以上。
一種工件加工用片材，其具有基材及積層在前述基材之一面上的黏著劑層之工件加工用片材，其特徵為：前述黏著劑層，係由活性能量線硬化性黏著劑所構成，前述活性能量線硬化性黏著劑之玻璃轉變溫度為-50℃以上、10℃以下，前述活性能量線硬化性黏著劑，為含有包含具極性基之單體作為構成單體的丙烯酸系共聚物。
如請求項4所述之工件加工用片材，其中前述丙烯酸系共聚物，在側鏈上導入具有活性能量線硬化性之官能基。
如請求項1至5中任一項所述之工件加工用片材，其係切割片材。