TW202021021A - 用於儲存及運輸半導體元件之設備 - Google Patents

Abstract

一種用於儲存及運輸半導體元件的設備，包括第一部分及第二部分。第一部分包括第一前側壁、第一後側壁、頂壁及從第一後側壁一體地延伸的至少一銷固持器。第二部分包括第二前側壁、第二後側壁、底壁、及與第二後側壁一體地耦接並從第二後側壁延伸的至少一樞軸銷結構。至少一樞軸銷結構包括軸、及與軸連接的頭部。至少一銷固持器界定空腔，空腔的尺寸及形狀設計成接納至少一樞軸銷結構的頭部。第一部分及第二部分可在開啟配置及關閉容器配置之間樞轉地移動。

Description

用於儲存及運輸半導體元件之設備

本揭露實施例係有關於一種用於用於儲存及運輸複數個半導體元件之設備及其形成方法。

在製造半導體裝置的製造製程中，例如晶圓的半導體基板在無塵室的條件下處理。為了不同目的(舉例來說，用於品質檢查)，需要在某個製造步驟之前或之後對半導體基板或其元件的樣品進行非現場分析(off-site analysis)。這些樣品通常包裝在容器中，以用於儲存、運輸及/或運送。因此，需要在容器內部提供無塵室環境以用於儲存半導體晶圓及用於將半導體晶圓運輸到各種處理地點。最佳地，容器應為緊密，且不應釋放任何污染物質(舉例來說微粒或氣體)。隨著晶圓尺寸變大而所得到的裝置縮小到更小尺寸，正在考慮使用新材料及容器來保護敏感半導體元件。

本揭露一些實施例提供一種用於儲存及運輸半導體元件之設備，包括：一第一部分、一第二部分以及一或多個溝槽托盤。第一部分包括一第一前側壁、一第一後側壁、與第一前側壁及第一後側壁一體地耦接之一頂壁、以及從第一後側壁一體地延伸之至少一銷固持器。第二部分包括一第二前側壁、一第二後側壁、與第二前側壁及第二後側壁一體地耦接之一底壁、以及與第二後側壁一體地耦接並從第二後側壁延伸之至少一樞軸銷結構。一或多個溝槽托盤包括設置在底壁上方之一凝膠材料，一或多個溝槽托盤配置以儲存複數個半導體元件。至少一樞軸銷結構包括與第二後側壁連接之一軸、以及與軸連接之一頭部。至少一銷固持器界定一空腔，空腔之尺寸及形狀設計成接納至少一樞軸銷結構之頭部，其中至少一樞軸銷結構之頭部設置在空腔內。第一部分及第二部分之尺寸及形狀設計成可在一開啟配置及一關閉容器配置之間樞轉地移動。

本揭露一些實施例提供一種用於儲存及運輸複數個半導體元件之設備，包括：一第一部分、一第二部分以及一或多個溝槽托盤。第一部分包括一第一前側壁、一第一後側壁、與第一前側壁及第一後側壁一體地耦接之一頂壁、以及從第一後側壁一體地延伸之兩個銷固持器。第二部分包括一第二前側壁、一第二後側壁、與第二前側壁及第二後側壁一體地耦接之一底壁、以及與第二後側壁一體地耦接並從第二後側壁延伸之兩個樞軸銷結構。一或多個溝槽托盤包括設置在底壁上方之一凝膠材料，一或多個溝槽托盤配置以儲存半導體元件。兩個樞軸銷結構中之每一者包括與第二後側壁連接之一軸，以及與軸連接之個別的一頭部，兩個樞軸銷結構沿相反方向對準。兩個銷固持器中之每一者界定個別的一空腔，空腔之尺寸及形狀設計成在對準時接納個別的頭部，其中個別的頭部設置在個別的空腔內。第一部分及第二部分之尺寸及形狀設計成可在一開啟配置及一關閉容器配置之間樞轉地移動。

本揭露一些實施例提供一種形成用於儲存及運輸複數個半導體元件之一設備之方法，包括：提供一第一部分，包括一第一前側壁、一第一後側壁、與第一前側壁及第一後側壁一體地耦接之一頂壁、以及從第一後側壁一體地延伸之至少一銷固持器，其中至少一銷固持器界定一空腔、提供一第二部分，包括一第二前側壁、一第二後側壁、與第二前側壁及第二後側壁一體地耦接之一底壁、以及與第二後側壁一體地耦接並從第二後側壁延伸之至少一樞軸銷結構，其中至少一樞軸銷結構包括與第二後側壁連接之一軸、以及與軸連接之一頭部、以及將至少一樞軸銷結構之頭部插入空腔中，使得第一部分及第二部分在一開啟配置及一關閉容器配置之間可樞轉地移動。

以下的揭露內容描述許多不同的示例性的實施例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以界定。例如，若是本揭露書敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例，亦可能包含了有額外特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使上述第一特徵與第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外，以下揭露書不同範例可能重複使用相同的參考符號及/或標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的，並非用以界定所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。

此外，本文中所使用的與空間相關用詞，例如“在…下方”、“下方”、“較低的”、“上方”、“較高的” 及類似的用詞，係為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外，這些空間相關用詞意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。設備可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，則在此使用的空間相關詞也可依此相同解釋。

在本揭露中，除非內文清楚地另有指示，單數形式“一”、“一個”及“該”包括複數關係，且提及的具體數值至少包括此具體值。因此，舉例來說，提及“一側壁”是意涵一或多個這樣的結構及本領域中具有通常知識者已知的其均等物等等。當使用先行詞“約”將值表示為近似值時，將理解此特定值形成另一個實施例。如本文所用的“約X”(其中X是數值)較佳是指所引述值的±10%(含)。舉例來說，語句“約8”較佳地是指7.2(含)至8.8(含)的值；作為另一個範例，語句“約8%”較佳(但不總是)是指7.2%(含)至8.8%(含)的值。當呈現時，所有範圍都是包含性且可組合的。舉例來說，當引述“1至5”的範圍時，所引述範圍應被解釋為包括“1至4”、“1至3”、“1-2”、“1-2及4-5”、“1-3及5”、“2-5”等的範圍。如本文所討論的，語句“實質上相同”或“稍大”可指具有在基礎尺寸的±10%內的變化的尺寸。意圖是，在申請專利範圍中可明確地排除在本文中正面敘述的任何組件、元件、特性或步驟，無論這些組件、元件、特性或步驟是作為替代物而列舉還是它們是單獨列舉。

本揭露提供了一種設備及其製造方法。設備用於儲存及運輸半導體元件。下面對“設備”的提及將被理解為包括容器、輸送單元、組件、其系統等。下面對“半導體元件”的提及將被理解為包括任何基於半導體的樣品或產品，包括但不限於晶圓、晶圓的部分及半導體裝置。

在所有的附圖中，相似的物品都用相似的參考符號表示，且為了簡潔，在上面參考前面的附圖所提供的結構地描述不再重複。參考第1圖至第11圖中描述的結構而描述在第12圖中所描述的方法。

參照第1圖、第2圖、第3A圖至第3D圖及第4圖，繪示有示例性設備100。示例性設備100包括兩個主體部分，包括第一部分(或第一主體部分)110及第二部分(或第二主體部分)120。第一部分110包括頂壁111、第一前側壁112-1、第一後側壁112-2及兩個額外側壁112-3及112-4。頂壁111與第一前側壁112-1、第一後側壁112-2及額外側壁112-3及112-4一體地耦接。

第一部分110還包括從第一後側壁112-2一體地延伸的至少一銷固持器116。在一些實施例中，第一部分110為示例性設備100的頂部或蓋。在一些實施例中，第一部分110為整體成形件。

第二部分120包括底壁121、第二前側壁122-1、第二後側壁122-2、及與第二前側壁122-1一體地連接的兩個額外側壁122-3及122-4。底壁121與第二前側壁122-1、第二後側壁122-2及另外兩個額外側壁122-3及122-4一體耦​​接(第1圖及第3D圖)。在一些實施例中，第二部分120為示例性設備100的底部。在一些實施例中，第二部分120為整體成形件。

第二部分120還包括至少一樞軸銷結構126，其與第二後側壁122-2一體地耦接並從第二後側壁122-2延伸。

參照第1圖及第3A圖到第3C圖，在一些實施例中，第一部分110還包括閂鎖(latch)114，閂鎖114界定凹口114-1(或孔)並與第一前側壁112-1一體地連接。第二部分120更包括鉤補結構(catch structure)124，鉤補結構124在第二前側壁122-1上具有突起124-1。突起124-1配置以在關閉容器配置中(第3A圖)設置在凹口114-1中，以可釋放地固定閂鎖114。在一些實施例中，閂鎖114配置以朝向第二前側壁122-1的表面移動，使得突起124-1定位在閂鎖114的凹口114-1中，並將設備100固定在關閉容器配置。在一些實施例中，鉤補結構124包括開放傾斜梯形形狀，其中突起124-1具有傾斜的頂表面及平坦的底表面。傾斜的頂表面向下，平坦的底表面面朝下。

如本揭露的圖式中所示，第一部分110及第二部分120的每個壁可為正方形或矩形形狀。然而，這些圖式僅用於說明。第一部分110及第二部分120的每個壁可為任何其他合適的形狀。在一些實施例中，兩個額外側壁112-3、112-4、122-3及122-4可為選擇性的。舉例來說，在一些實施例中，前側壁112-1及122-1以及後側壁112-2及122-2可為彎曲的並直接連接在一起。在一些實施例中，當第一部分110及第二部分120的每個壁為正方形、矩形或彎曲形狀時，示例性設備100的每個彎角可具有平滑的曲率。

第一部分110及第二部分120的每個壁可為任何尺寸或大小。舉例來說，如第1圖及第4圖的圖式中所示的，在一些實施例中，第一部分110的第一前側壁112-1可為狹窄條狀。

參照第5A圖到第5C圖，在一些實施例中，第一部分110中的至少一銷固持器116界定空腔117。在一些實施例中，至少一銷固持器116包括兩個銷固持器116，兩個銷固持器116相對地設置並從第一後側壁112-2與額外側壁112-3、112-4相接處的彎角延伸。在一些實施例中，至少一銷固持器116可在兩個彎角處從第一後側壁112-2外推。

參照第6A圖到第6C圖，在一些實施例中，第二部分120中的至少一樞軸銷結構126包括與第二後側壁122-2連接的軸126-1、以及從軸126-1延伸的頭部126-2。

空腔117的尺寸及形狀設計成在對準時收容至少一樞軸銷結構126的頭部126-2。如第6B圖所示，至少一樞軸銷結構126的頭部126-2設置在空腔117內。

第一部分110及第二部分120的尺寸及形狀設計成在關閉容器配置(第1圖)及開啟配置(第2圖、第7圖及第9圖)之間可樞轉地移動。

參照第5A圖到第5C圖及第6A圖到第6C圖，在一些實施例中，至少一銷固持器116包括溝槽引入表面或平面116-1(第5B圖到第5C圖)，以便於將至少一樞軸銷結構126的頭部126-2插入到空腔117中。至少一銷固持器116中的空腔117可具有非圓形剖面形狀，非圓形剖面形狀與至少一樞軸銷結構126的頭部126-2的非圓形剖面形狀匹配且具有實質上相同的尺寸。在一些實施例中，至少一樞軸銷結構126中的頭部126-2及軸126-1彼此正交，並形成斧形結構。

參照第2圖及第9圖，在一些實施例中，至少一銷固持器116配置成可圍繞至少一樞軸銷結構126的頭部126-2旋轉，使得第一部分110相對於第二部分120可樞轉地移動180度而從關閉容器配置到開啟配置。在開啟配置中，第一部分110的頂壁111與第二部分120的底壁121共面，且第一及第二後側壁112-2、122-2面朝彼此。在一些實施例中，除非設備100處於平坦開啟位置(其中第一部分110及第二部分120彼此成180度定向)，否則不能分開第一部分110及第二部分120。

參照第7圖，在一些實施例中，至少一銷固持器116包括兩個樞軸銷固持器。第二部分120中的至少一樞軸銷結構126包括兩個樞軸銷結構。每個個別的樞軸銷結構126與個別的銷固持器116接合。兩個樞軸銷結構126具有相同的尺寸並彼此相對地對準。兩個銷固持器116面朝彼此。樞軸銷結構126隱藏在銷固持器116內。

參照第7圖及第8A圖到第8D圖，在一些實施例中，示例性設備100更包括用於固持無線通訊裝置(舉例來說，射頻識別(radio-frequency identification，RFID)裝置)的儲存媒介130，其可位於處於關閉容器配置的設備100內。

用於無線通訊的儲存媒介130可包括用於儲存資訊(例如示例性設備100內的樣品的識別、數量、重量及歷史記錄)的天線訊號處理器。射頻識別使用電磁場來自動識別及追蹤附接到示例性設備100的標籤或裝置。這種射頻識別裝置包含電子儲存資訊。被動標籤(passive tags)或裝置收集來自附近的射頻識別閱讀器詢問(interrogating)無線電波的能量。主動標籤(active tags)具有例如電池的區域電源(local power)，且可在距射頻識別讀取器數百公尺處操作。例如電腦的接收器可用於記錄及追蹤從儲存媒介130發送的用於固持無線通訊裝置的資訊。在一些實施例中，讀取裝置可用於讀出儲存媒介130中的資訊，以進行無線通訊。舉例來說，例如GDE裝備(GDE equipment)的讀取裝置可從台灣的家登精密工業股份有限公司(Gudeng Equipment Co., Ltd)獲得。

射頻識別裝置可為電容性的或電感性的。在一些實施例中，射頻識別裝置為電感性的。

在一些實施例中，第二部分120更包括在第二後側壁122-2及第二前側壁122-1之間的第三壁128。第三壁比第二前側壁122-1更靠近第二後側壁122-2。第二後側壁122-2及第三壁128與側壁一起界定用於容納儲存媒介130的隔間129，儲存媒介130用於固持無線通訊裝置。隔間129的尺寸相同於或略大於用於無線通訊裝置的儲存媒介130的尺寸，無線通訊裝置設置並固定在第二部分120內的隔間129中，且在第三壁128及第二後側壁122-2之間。

用於無線通訊的儲存媒介130可具有例如圓筒形或棒狀的形狀的細長形狀。隔間129的尺寸可小於用於無線通訊的儲存媒介130的直徑。需要一股力來將用於無線通訊的儲存媒介130推入隔間129中，且用於無線通訊的儲存媒介130被固定在設備100內。

參照第8B圖到第8D圖，在一些實施例中，第二後側壁122-2或底壁121或二者可具有一或多個小開口131，使得用於無線通訊的儲存媒介130的至少一部分被暴露，且當設備100處於關閉容器配置時，可從設備100外部看到儲存媒介130的至少一部分。小開口131可與設備的內部連接，以便例如在洗滌之後良好地排出內部的可能的冷凝物或液體。

參照第9圖及第10圖，在一些實施例中，示例性設備100更包括至少一快速響應(quick response，QR)圖碼140，其刻在第一部分110及第二部分120中的至少一個的外表面上。快速響應圖碼140包括二維條碼，其可使用掃描裝置或智慧手機掃描。可使用雷射在第一部分110及/或第二部分120上刻快速響應圖碼140。

參照第11圖，在一些實施例中，示例性設備100更包括一或多個托盤160，托盤160包括設置在底壁121上方的凝膠材料，凝膠材料配置以儲存半導體元件。托盤160可具有用於儲存半導體元件的溝槽或溝渠162。托盤160可由塑膠或例如矽樹脂的橡膠材料所製成，且可包含一個、兩個、三個或更多個溝槽或溝渠162。

根據一些實施例，用於運輸半導體元件的設備100包括第一部分110及第二部分120。第一部分110包括第一前側壁112-1、第一後側壁112-2、頂壁111、及從第一後側壁112-2一體地延伸的兩個銷固持器116。第二部分120包括第二前側壁122-1、第二後側壁122-2、底壁121、以及與第二後側壁一體地耦接並從第二後側壁延伸的兩個樞軸銷結構126。

在一些實施例中，兩個樞軸銷結構126的每一個包括與第二後側壁122-2連接的軸126-1，及與軸126-1連接的個別的頭部126-2。兩個樞軸銷結構126沿相反方向對準。兩個銷固持器中的每一個界定個別的空腔，空腔的尺寸及形狀設計成在對準時接納個別的頭部。個別的頭部設置在個別的空腔內。第一部分110及第二部分120的尺寸及形狀設計成可在開啟配置及關閉容器配置之間樞轉地移動。在一些實施例中，設備還包括用於無線通訊的儲存媒介130，其設置在第三壁128及第二後側壁122-2之間。

在一些實施例中，每一個第一部分110及第二部分120及其部件可為一整體成形件。第一部分110及第二部分120可由相同或不同的材料成形，其可為塑膠、塑性彈性體、彈性體、複合材料、或任何其他含聚合物的材料。材料可包括合適的聚合物，包括但不限於，聚碳酸酯、聚酯(例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET))、聚烯烴、或其任何組合。材料可包括導電填料，例如金屬或導電聚合物，以提供抗靜電性能。材料具有光滑表面，且還具有高強度、硬度及抗衝擊性。所得到的設備在受到機械衝擊時不會破裂。這種材料可為半透明的、透明的或不透明的。在一些實施例中，使用抗紫外線(UV)半透明材料。此材料還耐受例如酸、鹼及有機溶劑的化學物質，且可在使用後清洗。此材料也可承受高達一定限制的溫度，例如，100^o C，120^o C，或150^o C。在一些實施例中，此材料的連續溫度額定值高達120^o C。

在一些實施例中，第一部分110及第二部分120包括包含聚碳酸酯的聚合物組合物。聚合物組合物具有在10¹¹ 歐姆至10¹⁶ 歐姆的範圍中的表面阻抗。聚合物組合物可為聚碳酸酯或聚碳酸酯共混物，其具有良好的光學透明性、耐熱性、抗衝擊性及阻燃性、以及高折射率及機械性能。舉例來說，在一些實施例中，即使沒有添加劑，基於聚碳酸酯的聚合物組合物仍通過UL94V-0火焰測試。聚合物組合物也可具有低達-40^o C的低溫度等級，且還耐化學物質。聚合物組合物具有良好的純度，且不釋放微粒污染半導體部件。

在一些實施例中，聚碳酸酯為聚(4,4'-異丙基二烯二酚碳酸酯)( poly(4,4'-isopropylidendiphenyl carbonate))。也可使用其他變化。在一些實施例中，聚合物組合物包含聚碳酸酯及例如抗靜電劑的添加劑。在這種組合物中，聚碳酸酯的存在量為組合物重量的約55%至約99%的範圍中，且添加劑的存在量為組合物重量的約1%至約35%的範圍中。舉例來說，聚碳酸酯的含量可為55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、99%、或任何其他百分比。添加劑的含量可為45%、40%、35%、30%、25%、20%、15%、10%、1%、或任何其他百分比。在一些實施例中，添加劑可為球形的導電微粒。聚合物組合物可在單螺桿或雙螺桿擠壓機中配製。

在一些實施例中，添加劑可為一種或多種抗靜電劑。所得的設備具有良好的抗靜電性能。聚合物組合物提供具有均勻外觀的非常光滑的表面。在掃描電子顯微鏡下，沒有觀察到雜質或相(phase)分離。共混物可為分子級共混物。這種外觀可描述為“霧化(atomization)”。一些現有設備在施加高電壓時可能變得模糊。即使在施加高電壓時，設備100也是透明的。設備100用於儲存及運輸半導體元件，沒有任何來自外部的污染或來自化學品、機械衝擊、熱、或紫外線的任何損壞。

示例性設備100可為任何合適的尺寸，舉例來說，16毫米×42毫米×42毫米、19毫米×64毫米×64毫米、20毫米×110毫米×90毫米、或20毫米×165毫米x165毫米(高x長x寬)。

參照第12圖，繪示用於形成示例性設備100的示例性方法500。

在步驟502中，提供如本文所描述的第一部分110。第一部分110包括第一前側壁112-1、第一後側壁112-2、頂壁111及至少一銷固持器116。頂壁111與第一前側壁112-1及第一後側壁112-2一體地耦接。至少一銷固持器116從第一後側壁112-2一體地延伸。至少一銷固持器116界定空腔117。

在步驟504中，提供如本文所描述的第二部分120。第二部分120包括第二前側壁122-1、第二後側壁122-2、額外側壁122-3及122-4、與側壁一體地耦接的底壁121、以及至少一樞軸銷結構126。至少一樞軸銷結構126與第二後側壁122-2一體地耦接並從第二後側壁122-2延伸。至少一樞軸銷結構126包括與第二後側壁122-2連接的軸126-1、以及與軸126-1連接的頭部126-2。

第一部分110及第二部分120可藉由注射本文所描述的材料而成形。第13A圖到第13C圖繪示根據一些實施例的用於成形示例性設備100的第一部分110及/或第二部分120的示例性流道系統構造。在第13A圖到第13C圖中，線172表示流道，且圓170表示注入點。這些流道系統可用於平衡注射期間的壓力，並使產品一致。

在步驟506中，至少一樞軸銷結構126的頭部126-2插入到空腔，使得第一部分110及第二部分120可如本文所描述的在開啟配置及關閉容器配置之間樞轉地移動。

在一些實施例中，第二部分120更包括第三壁128，其位於第二後側壁122-2及第二前側壁122-1之間，且如上面所描述的靠近第二後側壁122-2。

在步驟508中，一種用於無線通訊的儲存媒介130安裝在第二部分120內，且在第三壁128及第二後側壁122-2之間的小腔室中。

此方法可包括提供及安裝如上面所描述的其它結構元件的其他步驟。

設備100也可可逆地拆卸。用於拆卸設備100的方法包括開啟設備100的步驟：藉由拉動閂鎖114的端部並將第一部分110及第二部分120相對於彼此旋轉180度，然後將至少一樞軸銷結構126的頭部126-2拉出空腔117，以便分開第一部分110及第二部分120。

示例性設備100具有良好的抗靜電性能及耐久性。在一些實施例中，設備100的材料為基於聚碳酸酯的。聚合物組合物的薄膜(0.25毫米厚)在60^o C/相對濕度RH90%中放置三週後維持約10¹² 歐姆的表面電阻率。薄膜被水及超音波洗滌，然後在70^o C下乾燥1小時。然後表面電阻率約為10¹³ 歐姆。第14圖表示用超音波振盪洗滌後的這種薄膜樣品的表面阻抗。第15圖表示在使用一段時間後的這種薄膜樣品的表面阻抗。

本揭露提供一種設備及其製造方法。此設備用於儲存及運輸半導體元件。

根據一些實施例，這樣的設備包括兩個主體部分，主體部分包括第一部分(或第一主體部分)及第二部分(或第二主體部分)。第一部分包括第一前側壁、第一後側壁、及與第一前側壁及第一後側壁一體地耦接的頂壁。第一部分還包括從第一後側壁一體地延伸的至少一銷固持器。

第二部分包括第二前側壁、第二後側壁、底壁、及至少一樞軸銷結構。底壁與第二前側壁及第二後側壁一體地耦接。至少一樞軸銷結構與第二後側壁一體地連接並從第二後側壁延伸。

在一些實施例中，此設備更包括一或多個溝槽托盤，溝槽托盤包括設置在底壁上凝膠材料，溝槽托盤配置以儲存半導體元件。

在一些實施例中，至少一樞軸銷結構包括與第二後側壁連接的軸、以及與軸連接的頭部。至少一銷固持器界定空腔，空腔的尺寸及形狀設計成在對準時接納至少一樞軸銷結構的頭部。至少一樞軸銷結構的頭部設置在空腔內。

第一部分及第二部分的尺寸及形狀設計成在開啟配置及關閉容器配置之間可樞轉地移動。在一些實施例中，至少一樞軸銷結構配置成可圍繞頭部旋轉，使得第一部分相對於第二部分從關閉容器配置可樞轉地移動180度到開啟配置。在一些實施例中，在開啟配置中，第一部分的頂壁與第二部分的底壁共面，且第一後側壁及第二後側壁彼此面對。

在一些實施例中，至少一銷固持器包括溝槽引入平面，以便於將至少一樞軸銷結構的頭部的安裝到空腔中。在一些實施例中，至少一銷固持器中的空腔可具有非圓形剖面形狀，非圓形剖面形狀與至少一樞軸銷結構的頭部的非圓形剖面形狀匹配且具有實質上相同的尺寸。在一些實施例中，至少一樞軸銷結構中的頭部及軸彼此正交，且具有斧形結構。

在一些實施例中，第一部分更包括閂鎖，閂鎖界定凹口且與第一前側壁一體地連接。第二部分更包括鉤補結構，鉤補結構具有在第二前側壁上的突起，且突起配置以在關閉容器配置中設置在凹口中，以可釋放地將閂鎖固定。

在一些實施例中，至少一樞軸銷結構包括兩個樞軸銷結構。第一部分中的至少一銷固持器包括兩個銷固持器。每一個個別的樞軸銷結構與個別的銷固持器接合。在一些實施例中，兩個樞軸銷結構具有相同的尺寸並在彼此平行的相反方向上對準(設置成面對彼此)。

在一些實施例中，此設備還包括用於固持無線通訊裝置的儲存媒介，舉例來說，射頻識別(radio-frequency identification，RFID)裝置，儲存媒介可在處於關閉容器配置的設備內。在一些實施例中，第二部分更包括在第二後側壁及第二前側壁之間的第三壁。第三壁靠近第二後側壁。第二後側壁及第三壁與側壁一起界定用於容納用於無線通訊的儲存媒介的隔間。用於無線通訊的儲存媒介設置在第二部分內，且設置在第三壁及第二後側壁之間。

在一些實施例中，此設備更包括至少一快速響應(quick response，QR)圖碼，其刻在第一部分及第二部分中的至少一個的外表面上。

在一些實施例中，第一部分及第二部分包括包含聚碳酸酯的聚合物組合物，且聚合物組合物具有在10¹¹ 歐姆至10¹⁶ 歐姆的範圍中的表面阻抗。

根據一些實施例，一種用於運輸半導體元件的設備包括第一部分、第二部分以及一或多個溝槽托盤。第一部分包括第一前側壁、第一後側壁、與第一前側壁及第一後側壁一體地耦接的頂壁、以及從第一後側壁一體地延伸的兩個銷固持器。第二部分包括第二前側壁、第二後側壁、與第二前側壁及第二後側壁一體地耦接的底壁、以及與第二後側壁一體地耦接並從第二後側壁延伸的兩個樞軸銷結構。一或多個溝槽托盤包括設置在底壁上方之一凝膠材料，一或多個溝槽托盤配置以儲存半導體元件。

在一些實施例中，兩個樞軸銷結構的每一個包括與第二後側壁連接的軸、以及與軸連接的個別的頭部。兩個樞軸銷結構沿相反方向對準。兩個銷固持器的每一個界定個別的空腔，空腔的尺寸及形狀設計成在對準時接納個別的頭部。個別的頭部設置在個別的空腔內。第一部分及第二部分的尺寸及形狀設計成可在開啟配置及關閉容器配置之間樞轉地移動。

在一些實施例中，此設備還包括設置在第二部分中的第三壁及第二後側壁之間的用於無線通訊的儲存媒介。

在一些實施例中，用於儲存及運輸複數個半導體元件之設備更包括刻在第一部分及第二部分中之至少一者之一外表面上之至少一快速響應圖碼。

在另一方面，本揭露提供一種形成如本文所描述的設備的方法。這種方法包括提供第一部分及提供第二部分。第一部分包括第一前側壁、第一後側壁、頂壁及至少一銷固持器。頂壁與第一前側壁及第一後側壁一體地耦接。至少一銷固持器從第一後側壁一體地延伸。至少一銷固持器界定空腔。

第二部分包括第二前側壁、第二後側壁、底壁及至少一樞軸銷結構。底壁與第二前側壁及第二後側壁一體地耦接。至少一樞軸銷結構與第二後側壁一體地耦接並從第二後側壁延伸。至少一樞軸銷結構包括與第二後側壁連接的軸、以及與軸連接的頭部。

這樣的方法更包括將至少一樞軸銷結構的頭部插入空腔中，使得第一部分及第二部分在開啟配置及關閉容器配置之間可樞轉地移動。

在一些實施例中，第二部分更包括在第二後側壁及第二前側壁之間的如上面所描述的第三壁。在一些實施例中，此方法更包括將用於固持無線通訊裝置的儲存媒介安裝在第三壁及第二後側壁之間的第二部分內。

此方法可包括提供及安裝如上面所描述的其它結構元件的其他步驟。舉例來說，此方法包括提供包括凝膠材料的一或多個溝槽托盤，並將一或多個溝槽托盤放置在底壁上方，溝槽托盤配置以儲存半導體元件。

本揭露提供了一種用於儲存及運輸半導體元件的設備，具有易於識別、增強的性能、及較少的污染。本發明提供一種新穎的ESD保護凝膠裸晶托盤結構、以及用於儲存及運輸半導體元件的相關設備。

此外，本揭露一些實施例提供一或多個以下優點：靜電損傷識別、樣品識別辨認、增加樣品儲備、更堅固及穩定的旋轉樞軸、增強的脫水功能、增強的抗靜電性能、改善耐熱性、改善耐化學性、改善裸晶托盤壽命、減少殼體損壞、以及減少或消除微粒污染。

前述內文概述了許多實施例的特徵，使本技術領域中具有通常知識者可以從各個方面更佳地了解本揭露。本技術領域中具有通常知識者應可理解，且可輕易地以本揭露為基礎來設計或修飾其他製程及結構，並以此達到相同的目的及/或達到與在此介紹的實施例等相同之優點。本技術領域中具有通常知識者也應了解這些相等的結構並未背離本揭露的發明精神與範圍。在不背離本揭露的發明精神與範圍之前提下，可對本揭露進行各種改變、置換或修改。

100:設備 110:第一部分 111:頂壁 112-1:(第一)前側壁 112-2:(第一)後側壁 112-3、112-4、122-3、122-4:側壁 114:閂鎖 114-1:凹口 116:銷固持器 116-1:溝槽引入表面/平面 117:空腔 120:第二部分 121:底壁 122-1:(第二)前側壁 122-2:(第二)後側壁 124:鉤補結構 124-1:突起 126:樞軸銷結構 126-1:軸 126-2:頭部 128:第三壁 129:隔間 130:儲存媒介 131:小開口 140:快速響應圖碼 160:托盤 162:溝槽/溝渠 170:圓 172:線 500:方法 502、504、506、508:步驟

當結合附圖閱讀時，可從以下詳細描述中最佳地理解本揭露的各形式。應注意的是，根據工業上的標準實踐，各種特徵未按比例繪製。實際上，為了清楚起見，可任意增加或減少各種特徵的尺寸。在整個說明書及附圖中，相同的參考符號表示相同的特徵。 第1圖為繪示根據一些實施例的處於關閉容器配置的示例性設備的上視立體圖。 第2圖繪示處於開啟配置的第1圖的示例性設備的側視平面圖。 第3A圖繪示處於關閉容器配置的第1圖的示例性設備的前視平面圖。 第3B圖繪示處於關閉容器配置的第1圖的示例性設備的前視平面圖，其中閂鎖結構(latch structure)開啟。 第3C圖繪示處於關閉容器配置的第1圖的示例性設備的側視平面圖。 第3D圖為第1圖的示例性設備的底視立體圖。 第4圖繪示處於開啟配置的第1圖的示例性設備的立體圖。 第5A圖繪示根據一些實施例的第1圖的示例性設備的示例性第一部分的立體圖。 第5B圖為根據一些實施例的第5A圖的示例性第一部分的局部立體圖。 第5C圖為根據一些實施例的第5A圖的示例性第一部分的局部平面圖。 第6A圖至第6B圖為根據一些實施例的分別繪示第一部分中的一示例性銷固持器及一示例性樞軸銷結構在其一起耦接之前及之後的局部剖視圖及立體圖。 第6C圖為繪示根據一些實施例的示例性銷固持器及示例性樞軸銷結構一起耦接的剖視圖。 第7圖繪示處於開啟配置的第1圖的示例性設備的立體圖。 第8A圖為如第7圖中所示的示例性設備的局部剖視圖及局部立體圖。 第8B圖為如第7圖中所示的示例性設備的局部立體圖。 第8C圖為第1圖中的示例性設備的底視平面圖。 第8D圖為第1圖中的示例性設備的後視平面圖。 第9圖為繪示根據一些實施例的處於開啟配置的第1圖的示例性設備的第一部分及第二部分的側視平面圖，其中第一部分及第二部分配置以相對於彼此在0度至180度之間的角度移動。 第10圖為如第9圖中所示的示例性設備的局部側視平面圖。 第11圖為繪示根據一些實施例的設置在設備壁內部的凝膠墊的局部及立體圖。 第12圖為繪示根據一些實施例的用於形成設備的示例性方法的流程圖。 第13A圖至第13C圖繪示根據一些實施例的用於成形示例性設備的第一部分及/或第二部分的示例性流道(runner)系統構造。 第14圖表示以超音波振盪洗滌後的用於示例性設備的聚合物組合物製成的薄膜的表面阻抗。 第15圖表示在使用一段時間後的用於示例性設備的聚合物組合物製成的薄膜的表面阻抗。

100:設備

110:第一部分

111:頂壁

112-1:(第一)前側壁

112-2:(第一)後側壁

112-3、112-4、122-3、122-4:側壁

114:閂鎖

120:第二部分

122-1:(第二前)側壁

124:鉤補結構

140:快速響應圖碼

Claims (1)

1. 一種用於儲存及運輸半導體元件之設備，包括： 一第一部分，包括一第一前側壁、一第一後側壁、與該第一前側壁及該第一後側壁一體地耦接之一頂壁、以及從該第一後側壁一體地延伸之至少一銷固持器； 一第二部分，包括一第二前側壁、一第二後側壁、與該第二前側壁及該第二後側壁一體地耦接之一底壁、以及與該第二後側壁一體地耦接並從該第二後側壁延伸之至少一樞軸銷結構；以及 一或多個溝槽托盤，包括設置在該底壁上方之一凝膠材料，該一或多個溝槽托盤配置以儲存複數個半導體元件； 其中該至少一樞軸銷結構包括與該第二後側壁連接之一軸、以及與該軸連接之一頭部； 該至少一銷固持器界定一空腔，該空腔之尺寸及形狀設計成接納該至少一樞軸銷結構之該頭部，其中該至少一樞軸銷結構之該頭部設置在該空腔內；以及 該第一部分及該第二部分之尺寸及形狀設計成可在一開啟配置及一關閉容器配置之間樞轉地移動。

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