TW202029309A - 電子零件封裝的製造方法 - Google Patents

Abstract

一種電子零件封裝的製造方法，包括：第一步驟，準備可擴展膠帶及固定於該可擴展膠帶上的多個晶片；第二步驟，藉由對可擴展膠帶進行延伸而將固定於可擴展膠帶上的多個晶片的間隔加寬；第三步驟，保持經延伸的可擴展膠帶的張力；第四步驟，於載體或基板上設置具有多個開口部的遮罩，通過該遮罩的開口部而將多個晶片轉印至載體或基板；以及第五步驟，自多個晶片剝離可擴展膠帶，並且自載體或基板取下遮罩；並且所述電子零件封裝的製造方法中，遮罩具有於第四步驟中設置於載體或基板上的第一面及其相反側的第二面，多個開口部具有自第二面朝向第一面漸細的錐形狀。

Description

電子零件封裝的製造方法

本發明是有關於一種使用可擴展膠帶的電子零件封裝的製造方法。

近年來，隨著半導體裝置的小型化、高功能化、高積體化，半導體的多針腳化、高密度化、配線的窄間距化不斷發展。因此，伴隨以針腳或配線的微細化或低介電常數化為目的的低介電常數（low-K）層之類的脆弱層的應用，要求一種高可靠性化技術。於此種背景下，能夠實現高可靠性化、高生產化等的晶圓級封裝（Wafer Level Package：WLP）技術不斷發展。

WLP技術以於晶圓狀態下進行組裝並於其最終步驟中藉由切割來將晶圓單片化為特徵。由於以晶圓級成批地組裝（進行密封），故為能夠實現高生產性及高可靠性化的技術。

WLP中，例如有：於半導體晶片的電路面的絕緣膜上形成藉由聚醯亞胺及銅配線等形成再配線圖案的再配線層，並於所述再配線層上搭載金屬墊或焊料球，從而構成連接端子用凸塊的晶圓級晶片尺寸封裝（Wafer Level Chip Scale Package，WLCSP）、扇入型晶圓級封裝（Fan In Wafer Level Package，FI-WLP）。此種電子零件封裝中，小型化、薄型化急速發展，因此為了確保可靠性，以晶圓級進行密封來保護半導體晶片周邊後，對各封裝進行單片化，並進行之後的二次安裝等操作，藉此確保可靠性。於此種組裝中，藉由切割來將晶圓單片化後，由於所獲得的多個晶片彼此的間隔窄，因此需要將晶片再配置於載體或基板。

另外，分立半導體（discrete semiconductor）之類的單功能半導體的安裝領域亦是以減少操作時的半導體晶片的裂紋及施加至墊周邊部的應力（stress）為目的，以晶圓級進行密封來保護半導體晶片周邊後，對各封裝進行單片化並推進至下一步驟（表面安裝技術（Surface Mount Technology，SMT）製程等）。與系統LCI相比，分立半導體多為小型者，為了更高水準地保護半導體晶片，特別要求半導體晶片的5面或6面密封。為了對半導體晶片的側面進行密封，需要對晶圓進行單片化並製作半導體晶片後，將半導體晶片的間隔加寬，並於載體等上將晶片間隔加寬而進行再配置，從而進行包覆模制（over mold）。

發光二極體（Light Emitting Diode，LED）領域中，晶片尺寸的小型化亦不斷發展，於小型LED（200 μm以下）或微型LED（100 μm以下）的組裝中，於將LED晶圓切割後搭載於基板時，直流（Direct Current，DC）寬度小，需要將晶片間隔加寬來搭載。

專利文獻1中，作為將半導體晶片的間隔加寬的方法，提出有如下方法：將多個晶片固定於可擴展膠帶上，並對該可擴展膠帶進行延伸，藉此將半導體晶片的間隔加寬。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2018/216621號

[發明所欲解決之課題]

且說，晶片的小型化不斷發展的過程中，根據本發明者等人的研究而明確：於可擴展膠帶的延伸後的晶片的位置精度方面有改善的餘地。

因此，本發明的目的在於提供一種能夠於可擴展膠帶的延伸後改善晶片的位置精度的電子零件封裝的製造方法。 [解決課題之手段]

本發明者等人進行了努力研究，結果發現，藉由以下的[1]～[5]中記載的發明，可解決所述課題。 [1] 一種電子零件封裝的製造方法，包括： 第一步驟，準備可擴展膠帶、及固定於該可擴展膠帶上的多個晶片； 第二步驟，藉由延伸可擴展膠帶而將固定於可擴展膠帶上的多個晶片的間隔加寬； 第三步驟，保持經延伸的可擴展膠帶的張力； 第四步驟，於載體或基板上設置具有多個開口部的遮罩，通過該遮罩的開口部而將多個晶片轉印至載體或基板；以及 第五步驟，自多個晶片剝離可擴展膠帶，並且自載體或基板取下遮罩；並且所述電子零件封裝的製造方法中， 遮罩具有於第四步驟中設置於載體或基板上的第一面及其相反側的第二面，多個開口部具有自第二面朝向第一面漸細的錐形狀。 [2] 如[1]所述的電子零件封裝的製造方法，其中於第二步驟中，可擴展膠帶於25℃以上的溫度下被延伸。 [3] 如[1]或[2]所述的電子零件封裝的製造方法，其中遮罩的開口部的錐度比為0.9～2。 [4] 如[1]至[3]中任一項所述的電子零件封裝的製造方法，其中形成遮罩的開口部的側面的傾斜角為54.7°。 [5] 如[1]至[4]中任一項所述的電子零件封裝的製造方法，其中遮罩由矽形成。 [發明的效果]

根據本發明，可提供一種能夠於可擴展膠帶的延伸後改善晶片的位置精度的電子零件封裝的製造方法。

以下，參照圖式並對本實施形態進行詳細說明。以下的說明中，對相同或相當部分標註相同的符號並省略重複的說明。另外，上下左右等位置關係只要無特別說明，則是指基於圖式所示的位置關係。進而，圖式的尺寸比率並不限於圖示的比率。

首先，基於圖1（a）～圖1（c）及圖2（a）～圖2（c）來對所述第一步驟～第五步驟進行說明。圖1（a）～圖1（c）是用以說明第一步驟～第三步驟的一實施形態的示意剖面圖，圖2（a）～圖2（c）是用以說明第四步驟及第五步驟的一實施形態的示意剖面圖。

首先，第一步驟中，準備可擴展膠帶1及固定於可擴展膠帶1上的多個晶片2。可擴展膠帶1具有黏著層1a與基材膜1b，黏著層1a與晶片2相接。另外，晶片2具有設有墊（電路）3的電路面。晶片2的與電路面為相反側的面可固定於可擴展膠帶1（圖1（a）），電路面可固定於可擴展膠帶1（未圖示）。再者，多個晶片2空開間隔地配置。 第二步驟中，藉由對可擴展膠帶1進行延伸而將固定於可擴展膠帶1上的多個晶片2的間隔加寬（圖1（b））。 第三步驟中，使用固定用夾具（jig）4將經延伸的可擴展膠帶1固定，藉此保持可擴展膠帶1的張力（圖1（c））。 第四步驟中，於載體5上設置具有多個開口部的遮罩6，通過該遮罩6的開口部6c（圖2（a））而將多個晶片2轉印至所述載體5（圖2（b））。 第五步驟中，自多個晶片2剝離可擴展膠帶1，並且自載體5取下遮罩6（圖2（c））。再者，於第四步驟及第五步驟中，載體5可為基板。 以下，對各步驟進行詳細說明。

＜第一步驟＞ 準備可擴展膠帶及固定於可擴展膠帶上的多個晶片的方法並無特別限制。例如，可藉由如下方式來製作：將晶圓層壓於切割膠帶等後，利用刀片或雷射器進行切割而獲得多個經單片化的晶片後，將該些轉印至可擴展膠帶。 切割可藉由利用雷射器形成脆弱層並加以擴展來進行。另外，就省略所述轉印而提高生產性的觀點而言，可將半導體晶圓直接層壓於可擴展膠帶，並利用所述方法對半導體晶圓進行切割來製作。

就生產性、低成本化的觀點而言，初期的晶片間隔（第二步驟前的晶片的間隔）以窄為宜，較佳為100 μm以下，更佳為80 μm以下，進而佳為60 μm以下。關於藉由切割的晶圓的切削，所述晶片間隔越寬越浪費晶圓，因此就低成本化的觀點而言，如所述般以窄為宜。於將晶片間隔加寬時，為了不會對晶片施加應力，初期的晶片的間隔較佳為10 μm以上。若小於10 μm，則多個晶片之間的可擴展膠帶區域少，因此難以變寬。

所述晶片可為半導體晶片，亦可為其他晶片。作為半導體晶片，例如可列舉：矽、鍺等元素半導體；砷化鎵、銦磷等化合物半導體等。作為其他晶片，可列舉氮化鎵、藍寶石等。

關於晶片的電路面上的墊的種類，若為可形成於晶片的電路面上者，則並無特別限定，可為銅凸塊、焊料凸塊等凸塊（突起電極），亦可為Ni/Au鍍敷墊等較平坦的金屬墊。

＜第二步驟＞ 藉由對可擴展膠帶進行延伸而將多個晶片的間隔加寬。

作為可擴展膠帶的延伸方法，例如有上推方式與拉伸方式。上推方式是藉由將可擴展膠帶固定後，呈規定的形態的平台上昇而使得可擴展膠帶被拉長。拉伸方式是藉由將可擴展膠帶固定後，與所設置的可擴展膠帶面平行地朝規定的方向拉伸來使得可擴展膠帶被拉長的方式。就使晶片的間隔均勻地拉長的方面及所需的（所佔有的）裝置面積小而緊湊的方面而言，較佳為上推方式。

延伸條件只要對應於可擴展膠帶的特性來適宜設定即可。例如，採用上推方式時的上推量（拉伸量）較佳為10 mm～500 mm，更佳為10 mm～300 mm。若為10 mm以上，則多個晶片的間隔容易變寬，若為500 mm以下，則不易引起晶片的飛散及位置偏移。 溫度亦只要對應於可擴展膠帶特性來適宜設定即可，例如可為10℃～200℃，亦可為10℃～150℃、20℃～100℃。若溫度為10℃以上，則可擴展膠帶容易延伸，若溫度為200℃以下，則不易引起由可擴展膠帶的熱膨脹及低彈性化帶來的應變或鬆弛導致的晶片的位置偏移（晶片自可擴展膠帶的剝離）、晶片的飛散等。 上推速度亦只要對應於可擴展膠帶特性來適宜設定即可，例如可為0.1 mm/sec～500 mm/sec，亦可為0.1 mm/sec～300 mm/sec、0.1 mm/sec～200 mm/sec。若為0.1 mm/sec以上，則生產性提高。若為500 mm/sec以下，則不易於晶片與可擴展膠帶間產生剝離。

就更確實地密封晶片的側面的觀點而言，第二步驟後的多個晶片的間隔較佳為300 μm以上。就處理性的觀點而言，第二步驟後的多個晶片的間隔更佳為500 μm以上，進而佳為1 mm以上。上限並無特別限制，可設為5 mm以下。

＜第三步驟＞ 保持可擴展膠帶的張力，以防止經延伸的可擴展膠帶恢復至原來的狀態。

保持可擴展膠帶的張力的方法只要保持張力並不使晶片的間隔復原，則並無特別限制。例如可列舉：使用夾環（grip ring）（創見科技（Technovision）股份有限公司製造）等固定用夾具進行固定或對可擴展膠帶的外周部進行加熱使其收縮（熱收縮（heat shrink））來保持張力的方法等。

＜第四步驟＞ 於載體或基板上設置具有多個開口部的遮罩，通過該遮罩的開口部而將多個晶片轉印（層壓）至載體或基板。遮罩具有設置於載體或基板上的第一面及其相反側的第二面，多個開口部具有自第二面朝向第一面漸細的錐形狀。

於第四步驟中，多個晶片通過第二面側的較寬的開口部而被引導至第一面側的較窄的開口部，因此即便於第三步驟中產生晶片的位置偏移，亦可校正晶片的位置。藉此，晶片的位置精度提高。

以下，基於圖3及圖4來對第四步驟的一實施形態中所使用的遮罩進行說明。圖3是將圖2的遮罩6的一部分放大的示意剖面圖，圖4是遮罩6整體的俯視圖。

圖3及圖4的遮罩6具有第一面6a及第二面6b，並且具有自第一面6a朝向第二面6b貫穿遮罩6的多個開口部6c。圖3及圖4中的開口部6c的形狀為正方形。開口部6c的形狀可根據晶片的形狀來適宜設定。例如，於晶片的形狀為四邊形的情況下，較佳為將開口部6c的形狀設為正方形或長方形。

圖3中，「A」表示第二面6b中的開口部的端部間的長度，「B」表示第一面6a中的開口部的端部間的長度，「a」表示自於自第二面6b中的開口部的端部朝向第一面6a垂下垂線時與第一面6a交叉的點起至對應的第一面6a中的開口部的端部為止的長度。特別是，於開口部的形狀為正方形的情況下，「A」及「B」分別是指第二面6b及第一面6a的開口部的一邊的長度。

A與B的差相當於a的2倍（A-B=2a）。使用該值，將遮罩的開口部（由第一面6a、第二面6b及開口部6c的側面形成的空間）的錐度比（以下簡稱為「錐度比」）規定為「2a/L」（L為遮罩的厚度）。另外，將遮罩的形成開口部的側面與第一面所形成的角度設為遮罩的形成開口部的側面的傾斜角θ（以下簡稱為「傾斜角θ」）。

所述A及B的長度可對應於晶片的尺寸來適宜設定，但所述B的長度需要設為與晶片的尺寸相同或其以上的長度。於所述B的長度與晶片的尺寸大致相同的情況下，位置精度最高，但亦有如下擔憂：於轉印時，晶片破損。因此，所述B的長度只要根據所製造的封裝來適宜調整即可，就提高位置精度的觀點而言，較佳為於晶片的尺寸+5%以內的範圍內進行調整。

錐度比及傾斜角θ只要根據晶片彼此的間隔來適宜設定即可，傾斜角θ越小，越容易校正擴展後所產生的應變及位置偏移。就兼顧位置偏移校正的精度提高與生產性提高的觀點而言，錐度比較佳為0.9～2。就相同的觀點而言，傾斜角θ較佳為45°～65°，更佳為50°～60°，進而佳為53°～57°，特佳為54.7°。

遮罩的材質較佳為矽。矽可藉由各向異性蝕刻而以低成本進行加工，可簡單且高精度地製作具有所述傾斜角的遮罩。

關於遮罩的厚度，就處理性的觀點而言，可適宜設定厚度。特別是，就具有充分的強度且容易製作的觀點而言，遮罩的材質為矽時的遮罩的厚度較佳為100 μm～775 μm。

於第四步驟中，層壓方法並無特別限制，可採用輥層壓機、隔膜（diaphragm）式層壓機、真空輥層壓機、真空隔膜式層壓機等。暫時層壓後，亦可使用壓接機來進行壓接。

層壓條件只要根據可擴展膠帶、晶片、載體及基板的物性以及特性來適宜設定即可。例如，若為輥層壓機，則可為室溫（25℃）～200℃，較佳為室溫（25℃）～150℃，更佳為室溫（25℃）～100℃。若為室溫以上，則容易將半導體晶片轉印（層壓）至載體，若為200℃以下，則不易引起由可擴展膠帶的熱膨脹或低彈性化帶來的應變或鬆弛導致的半導體晶片的位置偏移（可擴展膠帶與半導體晶片間的剝離）、半導體晶片的飛散等。若為隔膜式的層壓機，則關於溫度條件，與所述的輥式層壓機相同。壓接時間可為5秒～300秒，較佳為5秒～200秒，更佳為5秒～100秒。若為5秒以上，則容易將半導體晶片轉印（層壓）至載體，若為300秒以下，則生產性提高。壓力可為0.1 MPa～3 MPa，較佳為0.1 MPa～2 MPa，更佳為0.1 MPa～1 MPa。若為0.1 MPa以上，則容易將半導體晶片轉印（層壓）至載體，若為2 MPa以下，則可減輕對半導體晶片的損傷。

＜第五步驟＞ 自多個晶片剝離（去除）可擴展膠帶，並且自載體或基板取下遮罩。

於剝離可擴展膠帶時，若於載體或基板上具有遮罩，則不易產生晶片的位置偏移。

於剝離可擴展膠帶時，需要適宜設定可擴展膠帶與載體、可擴展膠帶與晶片、晶片與載體的密接力，以不使轉印至載體上的晶片發生位置偏移、或自載體剝離。例如較佳為可擴展膠帶與晶片的密接力和晶片與載體的密接力相同或較其小。

可設定為對可擴展膠帶或載體面賦予UV硬化功能並照射UV，藉此密接力（接著力）上昇及下降。該情況下，於UV照射後（追加UV照射步驟）去除可擴展膠帶。例如，可於第三步驟後照射UV而降低可擴展膠帶的密接力（接著力）後，層壓於載體，將可擴展膠帶自晶片剝離。藉此，可減輕對晶片的應力，並無位置偏移地順暢地進行轉印。

晶片的尺寸並無特別限制，尺寸越小，本實施形態的製造方法與現有的方法相比，高生產化價值越高。就該觀點而言，晶片的尺寸較佳為10 mm以下，更佳為5 mm以下。

其次，對各步驟中所使用的材料進行說明。

（可擴展膠帶） 可擴展膠帶只要具有可將固定於該可擴展膠帶上的多個晶片的間隔加寬的延伸性，則並無特別限制。較佳為第二步驟後（將晶片的間隔加寬後）的MD與TD的晶片間隔均勻。

可擴展膠帶亦可為大幅有助於延伸性的基材膜（基材層）、控制黏著力的黏著層等多個層結構。

基材膜只要具有延伸性、於第三步驟後保持晶片間隔的穩定性，則並無特別限制。

基材膜亦可為聚對苯二甲酸乙二酯膜等聚酯系膜；聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚乙酸乙烯酯膜、及包含聚-4-甲基戊烯-1等α-烯烴的均聚物及該些的共聚物、以及所述均聚物或所述共聚物的離子聚合物的聚烯烴系膜；聚氯乙烯膜；及聚醯亞胺膜；胺基甲酸酯樹脂膜等各種塑膠膜。所述基材膜並不限於單層膜，亦可為將兩種以上的所述塑膠膜或者兩個以上的同種的塑膠膜組合而獲得的多層膜。

就延伸性的觀點而言，所述基材膜較佳為聚烯烴膜、胺基甲酸酯樹脂膜。基材膜視需要亦可包含抗黏連劑等各種添加劑。

所述基材膜的厚度只要視需要適宜設定即可，較佳為50 μm～500 μm。若較50 μm薄，則延伸性下降，若大於500 μm，則產生容易發生應變或操作性下降等不良情況。

所述基材膜的厚度可於不損及作業性的範圍內適宜選擇。其中，於使用高能量線（其中為紫外線）硬化性黏著劑作為構成黏著層的黏著劑的情況下，需要設為不阻礙所述高能量線的透過的厚度。就此種觀點而言，基材膜的厚度通常可為10 μm～500 μm，較佳為50 μm～400 μm，更佳為70 μm～300 μm。 於由多個基材膜構成基材層的情況下，較佳為以基材層整體的厚度成為所述範圍內的方式調整。為了提高與黏著層的密接性，基材膜視需要亦可為以化學方式或物理方式實施表面處理而成者。作為所述表面處理，例如可列舉：電暈處理、鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等。

黏著層只要可控制黏著力（設定為於各步驟不會產生晶片的位置偏移、飛散），則並無特別限制。

黏著層較佳為包含在室溫下具有黏著力且對於晶片具有密接力的黏著劑成分。作為構成黏著層的黏著劑成分的基礎樹脂的一例，可列舉：丙烯酸系樹脂、合成橡膠、天然橡膠、聚醯亞胺樹脂等。 就減少黏著劑成分的殘糊的觀點而言，所述基礎樹脂較佳為具有可與其他添加劑反應的官能基（羥基、羧基等）。作為黏著劑成分，亦可使用藉由紫外線、放射線等高能量線或熱而硬化的樹脂。於使用此種硬化性樹脂的情況下，可藉由使樹脂進行硬化來使黏著力下降。另外，為了調整黏著力，所述黏著劑成分亦可包含可與所述基礎樹脂的官能基進行交聯反應的交聯劑。交聯劑較佳為具有選自由環氧基、異氰酸酯基、氮丙啶基、及黑色素基所組成的群組中的至少一種官能基。該些交聯劑可單獨使用，亦可併用兩種以上。 另外，於反應速度慢的情況下，視需要亦可使用胺或錫等觸媒。此外，為了調整黏著特性，所述黏著劑成分亦可適宜含有松香系或萜烯樹脂等增黏劑、及各種界面活性劑等任意成分。

黏著層的厚度通常為1 μm～100 μm，較佳為2 μm～50 μm，更佳為5 μm～40 μm。藉由將黏著層的厚度設為1 μm以上，可確保與晶片的充分的黏著力，因此於第二步驟時（將晶片間隔加寬時）容易抑制半導體晶片的飛散。另一方面，即便設為超過100 μm的厚度，特性中亦無優點而不經濟。

若黏著層為10 μm以上，則即便不使用切割膠帶，於可擴展膠帶上切割半導體晶圓，亦不會於基材膜產生損傷（切口等），因此第一步驟中，可省略於切割膠帶上切割半導體晶圓並轉印至（貼附於）可擴展膠帶的步驟。即，能夠於可擴展膠帶上進行切割。

（可擴展膠帶的製作方法） 可擴展膠帶可根據該技術領域中眾所周知的技術來製造。例如，可依據以下的方法來製造。於保護膜上利用刮刀塗佈法、輥塗佈法、噴霧塗佈法、凹版塗佈法、棒塗佈法、簾幕式塗佈法等進行塗敷，並去除溶媒，藉此形成黏著層。具體而言，較佳為於50℃～200℃下進行0.1分鐘～90分鐘的加熱。只要不對各步驟中的空隙產生及黏度調整造成影響，則較佳為設為有機溶媒揮發至1.5%以下為止的條件。 於常溫～60℃的溫度條件下以黏著層與基材膜對向的方式積層所製作的帶黏著層的保護膜與基材膜。

可擴展膠帶（基材膜或基材膜+黏著層）是將保護膜剝離而使用。

作為保護膜，例如可列舉：A-63（帝人杜邦薄膜股份有限公司製造，脫模處理劑：改質矽酮系）、A-31（帝人杜邦薄膜股份有限公司製造，脫模處理劑：Pt系矽酮系）等。 保護膜的厚度可於不損及作業性的範圍內適宜選擇，通常就經濟的觀點而言，較佳為100 μm以下。所述保護膜的厚度較佳為10 μm～75 μm，更佳為25 μm～50 μm。若所述保護膜的厚度為10 μm以上，則於可擴展膠帶的製作時不易產生膜破裂等不良情況。另外，若所述保護膜的厚度為75 μm以下，則可於可擴展膠帶的使用時容易地剝離保護膜。

（載體） 載體只要對轉印時的溫度及壓力具有耐性（晶片不會破損、晶片間隔不會改變），則並無特別限制。例如，為了防止晶片的位置偏移等不良情況，載體的熱膨脹係數較佳為100 ppm/℃以下，更佳為50 ppm/℃以下，進而佳為20 ppm/℃以下。另外，若熱膨脹係數小於晶片，則產生應變及翹曲，因此載體的熱膨脹係數較佳為3 ppm/℃以上。

載體的材質並無特別限制，可列舉：矽（晶圓）、玻璃、SUS、鐵、Cu等的板、玻璃環氧基板等。

載體的厚度可為100 μm～5000 μm，較佳為100 μm～4000 μm，更佳為100 μm～3000 μm。若為100 μm以上，則操作性提高。即便厚亦不會預見特別的操作性提高，自經濟方面考慮，只要為5000 μm以下即可。

載體亦可包含多層。除包含所述材質的層以外，就賦予密接力控制的觀點而言，亦有將黏著層、暫時固定材等層壓而成的層。密接力只要考慮晶片及可擴展膠帶的密接力來適宜設定即可。將黏著層、暫時固定材等層壓而成的層的厚度並無特別限制，例如可為1 μm～300 μm，較佳為1 μm～200 μm。藉由設為1 μm以上，可確保與晶片的充分的黏著力。另一方面，即便設為超過300 μm的厚度，特性中亦無優點而不經濟。

1:可擴展膠帶 1a:黏著層 1b:基材膜 2:晶片 3:墊（電路） 4:固定用夾具 5:載體 6:遮罩 6a:第一面 6b:第二面 6c:開口部 A、B、a:長度 L:厚度 θ:傾斜角

圖1（a）～圖1（c）是用以說明第一步驟～第三步驟的一實施形態的示意剖面圖。 圖2（a）～圖2（c）是用以說明第四步驟～第五步驟的一實施形態的示意剖面圖。 圖3是第四步驟的一實施形態中所使用的遮罩的示意剖面圖。 圖4是第四步驟的一實施形態中所使用的遮罩的俯視圖。

1:可擴展膠帶

2:晶片

3:墊(電路)

5:載體

6:遮罩

6c:開口部

Claims (5)

1. 一種電子零件封裝的製造方法，包括： 第一步驟，準備可擴展膠帶、及固定於所述可擴展膠帶上的多個晶片； 第二步驟，藉由延伸所述可擴展膠帶而將固定於所述可擴展膠帶上的多個所述晶片的間隔加寬； 第三步驟，保持經延伸的所述可擴展膠帶的張力； 第四步驟，於載體或基板上設置具有多個開口部的遮罩，通過所述遮罩的開口部而將所述多個晶片轉印至所述載體或基板；以及 第五步驟，自所述多個晶片剝離所述可擴展膠帶，並且自所述載體或基板取下所述遮罩；並且所述電子零件封裝的製造方法中， 所述遮罩具有於所述第四步驟中設置於所述載體或基板上的第一面及其相反側的第二面，所述多個開口部具有自第二面朝向第一面漸細的錐形狀。
2. 如請求項1所述的電子零件封裝的製造方法，其中於所述第二步驟中，所述可擴展膠帶於25℃以上的溫度下被延伸。
3. 如請求項1或請求項2所述的電子零件封裝的製造方法，其中所述遮罩的開口部的錐度比為0.9～2。
4. 如請求項1至請求項3中任一項所述的電子零件封裝的製造方法，其中形成所述遮罩的開口部的側面的傾斜角為54.7°。
5. 如請求項1至請求項4中任一項所述的電子零件封裝的製造方法，其中所述遮罩由矽形成。

Images