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TW202016987A - 遮罩框架及遮罩組件 - Google Patents

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TW202016987A
TW202016987A TW108120183A TW108120183A TW202016987A TW 202016987 A TW202016987 A TW 202016987A TW 108120183 A TW108120183 A TW 108120183A TW 108120183 A TW108120183 A TW 108120183A TW 202016987 A TW202016987 A TW 202016987A
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TW
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frame
reinforcement
mask
reinforcement frame
reference frame
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TW108120183A
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English (en)
Inventor
曺生賢
金敏鍾
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
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Abstract

一種遮罩框架及一種遮罩組件，遮罩框架用以固定遮罩板且包括：左框架，設置於左側；右框架，設置於右側；上框架，連接左框架之上端部及右框架之上端部彼此；及下框架，連接左框架之下端部及右框架之下端部彼此。左框架包括左參考框架，在垂直方向中之其中心具有第一增強空間及以金屬材料製成；及左增強框架，插入第一增強空間中以耦接於左參考框架及以碳纖維強化塑膠材料製成；及上框架包括上參考框架，在水平方向中之其中心具有第三增強空間及以金屬材料製成；及上增強框架，插入第三增強空間中以耦接於上參考框架及以CFRP材料製成。如此一來，相較於習知技藝，應用具有較少重量及較高剛性之遮罩框架，及避免遮罩框架變形。

Description

遮罩框架及遮罩組件
本揭露之數個實施例係有關於一種遮罩框架及一種遮罩組件，及更特別是一種用以固定一遮罩板的遮罩框架及一種包括其之遮罩組件。遮罩板係讓一陽極、一陰極、一有機膜、一像素、或類似者形成於一基板的上方，此陽極、此陰極、此有機膜、此像素、或類似者之各者係形成一預定之圖案或形狀。
基板處理裝置係意指一裝置，用以執行沈積製程、蝕刻製程等來製造用於半導體製造之晶圓、用於液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)製造之基板、用於有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)製造之基板等，及可根據基板處理形式、基板處理條件等以數種方式構成。
在數種基板處理裝置中之沈積裝置係意指一裝置，用以利用化學氣相沈積(CVD)、物理氣相沈積(PVD)、蒸發製程等來形成薄膜於基板的上方。在用以沈積沈積材料於需用於OLED顯示器製造之基板的上方之製程中，有機材料、無機材料、金屬等係蒸發，使得薄膜係形成於基板的上方。
用以藉由蒸發沈積材料來形成薄膜之沈積裝置包括沈積腔室及源。用以沈積之基板係裝載於此沈積腔室中。此源係裝設在沈積腔室中，及加熱/蒸發沈積材料，使得沈積材料可蒸發於基板上，藉此沈積裝置係藉由利用已蒸發之沈積材料形成薄膜於基板的上方來執行基板處理。
另一方面，上述之基板處理可在遮罩放置於基板上之一狀態中達成，使得陽極、陰極、有機膜、像素等可形成於基板的上方。遮罩係形成，以僅曝露出沈積區域。陽極、陰極、有機膜、像素等之各者係具有預定之圖案或形狀。
遮罩一般係耦接於形成正方形的遮罩框架，及可能在遮罩係移動或使用時下垂。特別是，當較大尺寸之基板及較大尺寸之遮罩的數量係快速地增加時，遮罩之重量亦增加，使得傳送遮罩至所需的目的地係因遮罩之重量而有困難，且避免遮罩之下垂的需求係亦快速地增加。
本揭露之一目的係提供一遮罩框架及一遮罩組件，使得遮罩框架之變形及遮罩板之變形係避免，及遮罩板的下垂係亦避免，而在考慮結構穩定性下，應用改善之遮罩框架及遮罩組件。
根據本揭露之一方面，一種遮罩框架係裝配以固定一遮罩板。遮罩框架包括一左框架，設置於一左側上；一右框架，設置於一右側上；一上框架，連接左框架之一上端部及右框架之一上端部彼此；及一下框架，連接左框架之一下端部及右框架之一下端部彼此。左框架可包括一左參考框架，在一垂直方向中之左參考框架之一中心具有一第一增強空間及以一金屬材料製成；及一左增強框架，插入第一增強空間中以耦接於左參考框架及以一碳纖維強化塑膠(carbon fiber reinforced plastic，CFRP)材料製成；及上框架可包括一上參考框架，在一水平方向中之上參考框架之一中心具有一第三增強空間及以一金屬材料製成；及一上增強框架，插入第三增強空間中以耦接於上參考框架及以一CFRP材料製成。
左框架可更包括一左堆疊框架，堆疊於左增強框架上及耦接於左增強框架，且以銦鋼(Invar)(鐵鎳合金)或不鏽鋼製成，左堆疊框架係以與左參考框架之一相同材料製成，及耦接於左參考框架。上框架可更包括一上堆疊框架，堆疊於上增強框架上及耦接於上增強框架，且以銦鋼(鐵鎳合金)或不鏽鋼製成。上堆疊框架係以與上參考框架之一相同材料製成，及耦接於上參考框架。
當左參考框架之一寬度係為W1 及左參考框架之一厚度係為T1 時，左增強框架之一寬度W2 可在0.2 W1 至0.5 W1 之一範圍中，及左增強框架之一厚度T2 可在0.3 T1 至T1 之一範圍中。當上參考框架之一寬度係為W3 及上參考框架之一厚度係為T3 時，上增強框架之一寬度W4 可在0.2 W3 至0.5 W3 之一範圍中，及上增強框架之一厚度T4 可在0.3 T3 至1 T3 之一範圍中。
左增強框架可在左增強框架之一縱向方向中具有一固定剖面，及可形成一圓形管形狀及一多邊形管形狀之任一者，圓形管形狀及多邊形管形狀之各者具有一第一中空部於其中。上增強框架可在上增強框架之一縱向方向中具有一固定剖面，及可形成一圓形管形狀及一多邊形管形狀之任一者，圓形管形狀及多邊形管形狀之各者具有一第三中空部於其中。
左增強框架可在左增強框架之數個上及下端之兩者連接於左參考框架，及經由左增強框架之數個左及右端的至少一者可連接於左參考框架。上增強框架可在上增強框架之數個左及右端之兩者連接於上參考框架，及經由上增強框架之數個上及下端的至少一者可連接於上參考框架。
右框架可水平地對稱於左框架，及下框架可垂直地對稱於上框架。
根據本揭露之另一方面，一種遮罩組件包括一遮罩板，形成一矩形形狀；以及一遮罩框架，裝配以固定遮罩板且包括一左框架、一右框架、一上框架、及一下框架，遮罩板之一左側係耦接於左框架，遮罩板之一右側係耦接於右框架，上框架連接左框架之一上端部及右框架之一上端部彼此，遮罩板之一上側係耦接於上框架，下框架連接左框架之一下端部及右框架之一下端部彼此，遮罩板之一下側係耦接於下框架。左框架可包括一左參考框架，在一垂直方向中之左參考框架之一中心具有一第一增強空間，及以一金屬材料製成；及一左增強框架，插入第一增強空間中以耦接於左參考框架，及以一碳纖維強化塑膠(carbon fiber reinforced plastic，CFRP)材料製成。上框架可包括一上參考框架，在一水平方向中之上參考框架之一中心具有一第三增強空間，及以一金屬材料製成；及一上增強框架，插入第三增強空間中以耦接於上參考框架，及以一CFRP材料製成。
左框架可更包括一左堆疊框架，堆疊於左增強框架上及耦接於左增強框架，且以銦鋼(Invar)(鐵鎳合金)或不鏽鋼製成，左堆疊框架係以與左參考框架之一相同材料製成，及耦接於左參考框架。上框架可更包括一上堆疊框架，堆疊於上增強框架上及耦接於上增強框架，且以銦鋼(鐵鎳合金)或不鏽鋼製成。上堆疊框架係以與上參考框架之一相同材料製成，及耦接於上參考框架。遮罩板可藉由銲接耦接於左堆疊框架及上堆疊框架。
左增強框架可在左增強框架之一縱向方向中具有一固定剖面，及形成一圓形管形狀及一多邊形管形狀之任一者，圓形管形狀及多邊形管形狀之各者具有一第一中空部於其中。上增強框架可在上增強框架之一縱向方向中具有一固定剖面，及形成一圓形管形狀及一多邊形管形狀之任一者，圓形管形狀及多邊形管形狀之各者具有一第三中空部於其中 。
左增強框架可在左增強框架之數個上及下端之兩者連接於左參考框架，及經由左增強框架之數個左及右端的至少一者可連接於左參考框架。上增強框架可在上增強框架之數個左及右端之兩者連接於上參考框架，及經由上增強框架之數個上及下端的至少一者可連接於上參考框架。右框架可水平地對稱於左框架，及下框架可垂直地對稱於上框架。
從上述說明清楚瞭解，相較於習知技藝，本揭露之實施例在同時減少一遮罩框架之一重量的情況下，可增加遮罩框架之剛性；可避免遮罩框架之變形；及可提供包括遮罩框架的一遮罩組件。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
詳細的參照現在將以本揭露之實施例達成，本揭露之實施例的數個例子係繪示於所附之圖式中。相同參考編號將在可行時於圖式中通篇使用，以意指相同或類似的部件。在下方說明中，可能混淆本揭露之本質(substance)的已知之功能及結構係不進行說明。在本揭露之下方說明中，將在反而可能使本揭露之標的含糊時省略合併於此之已知的功能或裝配的詳細說明。
第1(a)及1(b)圖繪示根據本揭露之兩個實施例之遮罩框架10的前視圖。第2圖繪示根據本揭露之另一實施例之遮罩組件1的前視圖。第3(a)至3(e)圖繪示根據本揭露之數個實施例的左框架100的剖面圖。第4(a)至4(e)圖繪示根據本揭露數個實施例之右框架200之剖面圖。第5(a)至5(e)圖繪示根據本揭露之數個實施例之上框架300的剖面圖。第6(a)至6(e)圖繪示根據本揭露之數個實施例之下框架400的剖面圖。第7圖繪示根據本揭露之一實施例之遮罩組件1的一些部件的透視圖。第8(a)至8(g)圖繪示根據本揭露數個實施例之遮罩框架10的數種剖面形狀的示意圖。第9(a)及9(b)圖繪示根據本揭露數個實施例之左增強框架120、右增強框架220、上增強框架320、及下增強框架420之剖面形狀的示意圖。第10圖繪示根據本揭露一實施例之遮罩框架10之一些部件及提供至遮罩框架10之部件的負載的示意圖。
在第7圖中，左增強框架120及上增強框架320係放大，及放大之左增強框架120及放大之上增強框架320之剖視圖係繪示出來。
為了便於說明根據本揭露之遮罩框架10及遮罩組件1的技術特徵，遮罩框架10、遮罩板20、及遮罩組件1係於所附之圖式中繪示及部份誇大。根據本揭露之遮罩框架10及遮罩組件1可具有於本揭露中說明之技術特徵，及可在不脫離本揭露之範疇或精神下亦應用於數種形狀、形式、說明等。
於用以製造半導體裝置、顯示面板等之製程中，為將處理之物體的晶圓或基板可固定及移動，及大面積基板可固定及傳送。此大面積基板特別是形成OLED顯示面板之大面積基板。
基板傳送裝置可在一基板處理方法中或在將處理之基板的上方準備此處理之一製程中以固定及傳送基板的方式裝配。此基板處理方法係對應於用以執行數種處理(舉例為蝕刻、CVD、濺射、離子佈植(ion implantation)、灰化(ashing)、及/或蒸發沈積等)之製程，及遮罩組件1可位於基板傳送裝置之一側。用以執行上述之處理的基板處理裝置可包括遮罩傳送裝置，用以固定及傳送遮罩組件1、上述之基板傳送裝置、處理腔室等。
基板傳送裝置與基板可一起從處理腔室向內或向外為可移動。或者，基板傳送裝置可在處理腔室中為可移動的。在此情況中，基板可在放置於水平或垂直狀態中為可移動的。
遮罩傳送裝置與遮罩組件1可一起從處理腔室向內或向外為可移動，或可在處理腔室中為可移動的。在此情況中，遮罩組件1可在放置於水平或垂直狀態中為可移動的，及可在水平狀態及在垂直狀態之間切換。當基板係在處理腔室中配置於水平狀態中時，遮罩組件1可亦配置於水平狀態中。當基板係在處理腔室中配置於垂直狀態中時，遮罩組件1可亦在有需要時配置於垂直狀態中。
繪示於第1(a)及1(b)及2圖中之遮罩框架10及遮罩組件1將在下文參照平行於Y軸方向之垂直方向及平行於X軸方向之水平方向作說明。也就是說，基於遮罩框架10及遮罩組件1係垂直直立之狀態，可決定出垂直方向或水平方向。然而，本揭露之範疇或精神係不以此為限，及應理解的是，遮罩組件1及遮罩框架10並非永遠垂直直立。
遮罩組件1可包括形成預定之圖案或形狀的數個通孔21，可在處理腔室中之一方向為可移動的，及可位於基板的前方。既然於處理腔室中蒸發之沈積材料可在通過遮罩組件1(遮罩板20)的通孔21之後定位(或遺留)在基板上，陽極、陰極、有機膜、像素等可形成於基板的上方。陽極、陰極、有機膜、像素等之各者係具有預定之圖案或形狀。
根據本揭露之遮罩組件1可包括遮罩框架10及遮罩板20。
遮罩板20之各者可形成以包括通孔21，及可形成薄金屬板材形狀。或者，遮罩板20之各者可以金屬薄膜製成。遮罩板20之各者可形成以具有從數公釐(mm)至數十公釐(mm)之範圍的一厚度，或可形成以具有從數微米(μm)至數百微米(μm)之範圍的一厚度。特別是，遮罩板20之各者可形成以具有200 μm的厚度，或可形成以具有18 μm之厚度。根據所需之條件，遮罩板20之通孔21可形成數種尺寸及形狀等。
遮罩板20之各者可為典型之精密金屬遮罩(fine metal mask，FMM)，及各遮罩板20可於一方向中形成長條形狀。在此情況中，此些遮罩板20可平行於彼此配置，及雙端(上及下端)可固定地耦接於遮罩框架10。
遮罩板20之各者可形成典型之通用金屬遮罩(common metal mask，CMM)。遮罩板20可形成典型之開放遮罩形狀，及可形成矩形形狀(見第2圖)。在此情況中，各遮罩板20之四個邊緣部份可分別地固定於左框架100、右框架200、上框架300、及下框架400。
當如第2圖中所示之遮罩板20之四個邊緣係耦接於遮罩框架10時，根據本揭露之遮罩框架10及遮罩組件1可視為更適當。
遮罩框架10可以一材料形成，此材料具有較大於遮罩板20之強度或剛性。遮罩框架10可以金屬製成。遮罩框架10可以銦鋼(Invar)(鐵鎳合金)、不鏽鋼、或其之組合形成。
此處，於本揭露中將說明之「銦鋼」可為INVAR36，及「不鏽鋼」可為SUS430。
遮罩框架10可包括左框架100、右框架200、上框架300、及下框架400，及可整體形成正方形框架。
左框架100可形成以構成遮罩框架10之左側，可形成垂直(Y軸方向)長直線形狀，及可整個形成直線形狀。
左框架100可包括左參考框架110及左增強框架120。此外，左框架100可更包括左堆疊框架130。
左參考框架110可於垂直方向中之左參考框架110之中心部份包括第一增強空間111，及左增強框架120可插入第一增強空間111中及耦接於第一增強空間111。
第一增強空間111可形成凹入溝槽形狀。也就是說，排除第一增強空間111之左參考框架110可整個形成完整互連形狀。特別是，左參考框架110可包括第一外部110a、第一內部110b、及第一連接部110c。第一連接部110c用以互連第一外部110a及第一內部110b(見第3(b)圖及第3(c)圖)。
相較之下，第一增強空間111可形成溝槽形狀，在前後方向(平行於Z軸方向)中穿透。也就是說，左參考框架110可基於第一增強空間111以左參考框架110之左部及右部係彼此分離之方式裝配。更詳細來說，左參考框架110可包括第一外部110a及第一內部110b，及第一連接部110c可排除於左參考框架110外(見第3(a)圖)。
左參考框架110之剖面形狀可有利地使用，以在減少框架的重量的情況下，改善框架之強度。
左參考框架110可以銦鋼(Invar)(鐵鎳合金)、不鏽鋼、或其之組合形成，及可讓左框架100穩定地及固定地耦接於上框架300及下框架400。
左增強框架120可插入左參考框架110之第一增強空間111中，使得左增強框架120與左參考框架110可一起形成左框架100。左增強框架120之上及下側的端部可耦接於左參考框架110。或者，左增強框架120之上及下側的端部可分別地耦接於上框架300及下框架400。
左增強框架120可以碳纖維強化塑膠(carbon fiber reinforced plastic，CFRP)材料形成。既然左增強框架120可以CFRP材料形成，左增強框架120具有較少的重量及優越之結構強度。如此一來，遮罩框架10及遮罩組件1可大大地減少重量，及CFRP材料及不鏽鋼及銦鋼之各者之間的熱膨脹係數的差異小，使得甚至在高溫環境中因熱膨脹所導致之損害及分解(breakdown)可避免。當左增強框架120係以CFRP材料形成時，左增強框架120可包括碳纖維123a及123b及浸漬樹酯(impregnated resin)125。遮罩框架10及遮罩組件1係暴露於高溫環境，使得浸漬樹酯125可較佳地為高度抗高溫之聚醯亞胺(polyimide)。
當左增強框架120係以CFRP材料形成時，包含在左增強框架120中之碳纖維123a之縱向方向可平行於左增強框架120之縱向方向(垂直方向)配置。此外，當左增強框架120係以CFRP形成時，包含於左增強框架120中的碳纖維123a及123b之一些部份(舉例為碳纖維123a)的縱向方向可平行於左增強框架120之縱向方向(垂直方向，也就是Y軸方向)配置，及一些其他部份(舉例為碳纖維123b)的縱向方向可垂直於左增強框架120之縱向方向(垂直方向，也就是Y軸方向)配置。也就是說，碳纖維123a及123b係在堆疊時相互交叉，碳纖維之一些部份(舉例為碳纖維 123a)可平行於垂直方向配置，及一些其他部份(舉例為碳纖維 123b)可平行於水平方向或在前後方向中配置，而致使具有最小熱變形及優良之強度的左增強框架120的形成。
在根據本揭露之遮罩框架10及遮罩組件1中，當左參考框架110之寬度係以W1 表示及左參考框架110之厚度係以T1 表示時，左增強框架120之寬度W2 可形成以具有從0.2W1 至0.5W1 之範圍的任意尺寸，及左增強框架120之厚度T2 可形成以具有0.3T1 至1T1 之範圍的任意尺寸。
左增強框架120可在左增強框架之縱向方向(Y軸方向)中具有固定剖面，及可形成板材形狀、圓柱形狀、多邊形柱形狀、或類似者。此外，左增強框架120可形成圓管形狀、多邊形管形狀、或類似者。左增強框架120之剖面可形成L形、U形、或H形等。左增強框架120的剖面形狀可有效地及有利地使用，以在減少框架之重量時增加框架的強度。
然而，使用於遮罩框架10及遮罩組件1中的左增強框架120在縱向方向(垂直方向，也就是Y軸方向)中可具有固定剖面，及形成圓形管形狀或多邊形管形狀(特別是方形管形狀)之左增強框架120為較佳地，使得框架之變形可有效地避免。在此情況中，左增強框架120可包括第一中空部121，配置於縱向方向中。
當左增強框架120在插入於第一增強空間111中之後耦接於左參考框架110時，左參考框架110可不只耦接於左增強框架120之上及下側的兩端，但亦耦接於左增強框架120之左及右端。
相較之下，左增強框架120之上及下側的兩端係耦接於左參考框架110，及左增強框架120之左及右端可與左參考框架110分離。也就是說，在整個長度排除左增強框架之上及下端的左增強框架120可與左參考框架110分離。
左堆疊框架130可堆疊於左增強框架120之外表面的上方及耦接於左增強框架120之外表面，及可以銦鋼(鐵鎳合金)或不鏽鋼形成。此外，左堆疊框架130可以與左參考框架110之相同材料(同質材料(homogeneous material))製成，使得左堆疊框架130可耦接於左參考框架110。
左堆疊框架130可形成板材形狀，板材形狀於垂直方向中具有固定剖面，使得左堆疊框架130可耦接於左增強框架120。
左堆疊框架130可利用黏膠接合於左增強框架120。為了互連左堆疊框架130及左增強框架120，可使用黏膠(舉例為環氧樹酯(epoxy)、聚醯亞胺等)，或亦可使用結構黏膠。
此外，為了互連左堆疊框架130及左增強框架120，可使用摩擦攪拌焊接(Friction Stir Welding，FSW)，或可使用雷射焊接或類似者。
耦接於左增強框架120之左堆疊框架130可如同在左參考框架110中以金屬形成。此外，左堆疊框架130可以與左參考框架110(以及上參考框架310及下參考框架410)之相同材料(均質材料)製成，使得左堆疊框架130可輕易地銲接及可亦穩定地耦接於左參考框架110。如此一來，可維持包括左增強框架120之遮罩組件1的穩定結構。
根據本揭露之用於遮罩框架10及遮罩組件1中的左堆疊框架130可在圍繞左增強框架120之整個外表面的情況下耦接於左增強框架120。在此情況中，左增強框架120可在需要時不由左堆疊框架130曝露(見第9(a)及9(b)圖)。
因此，左框架100可包括設置於其中的左增強框架120及左堆疊框架130。左堆疊框架130係在圍繞左增強框架120時耦接於左增強框架120。在此情況中，左增強框架120可以與上參考框架310、下參考框架410、及左參考框架110之不同材料(異質材料(heterogeneous materials))製成，及左堆疊框架130可以與上參考框架310、下參考框架410、及左參考框架110中之相同材料(同質材料)製成。
舉例來說，當上參考框架310及下參考框架410可以鐵鎳合金(銦鋼)、不鏽鋼、或其之組合形成，左堆疊框架130可以與上參考框架310及下參考框架410中之相同材料(同質材料)形成，及左增強框架120可以CFRP材料形成。
因此，左框架100之整體重量可減少及左框架100之剛性可增加，及左增強框架120可經由左堆疊框架130銲接於上框架300及下框架400，使得遮罩框架10之較簡單及更穩定之耦接可維持。此外，左增強框架120係不由左堆疊框架130曝露，使得在清洗步驟中，以CFRP材料形成之左增強框架120可避免與清洗溶液化學作用，或左增強框架120之腐蝕可亦避免。
右框架200可僅包括一個框架(也就是單一材料或單一結構)(見第1(a)圖)，或可在形狀及結構中相同於左框架100(見第1(b)圖)。
當右框架200僅由一個框架組成時，右框架200可互連上框架300及下框架400，及可在垂直方向(Y軸方向)中形成直線形狀。右框架200可在垂直方向中具有固定剖面，及可形成圓柱形狀、多邊形柱形狀等。此外，右框架200可形成圓管形狀、多邊形管形狀、或類似者，及右框架之剖面可形成L形、U形、H形、或類似者。右框架200的剖面形狀可有效地及有利地使用，以增加框架的強度及減少框架之重量。
右框架200可以與左框架100的相同材料形成。
右框架200可包括右參考框架210及右增強框架220。此外，右框架200可更包括右堆疊框架230。在此情況中，右框架200可形成，以具有與左框架100相同之結構、形狀、材料、及尺寸。
也就是說，右參考框架210可以相同於上述之左參考框架110的方式構成，及右增強框架220可以相同於上述之左增強框架120的方式構成，及右堆疊框架230可以相同於上述之左堆疊框架130的方式構成。
右參考框架210可在垂直方向中之右參考框架之中心包括第二增強空間211，及右增強框架220可插入於第二增強空間211中及耦接於第二增強空間211。右增強框架220可在縱向方向中包括第二中空部221形成於其中。
右參考框架210可包括第二外部210a及第二內部210b，及可更包括第二連接部210c。第二連接部210c用以互連第二外部210a及第二內部210b。
根據本揭露之遮罩框架10可形成垂直或水平對稱形狀，使得右框架200及左框架100可彼此對稱配置。
上框架300可互連左框架100之上端及右框架200之上端，及可固定於左框架100及右框架200。
上框架300可包括上參考框架310及上增強框架320。此外，上框架300可更包括上堆疊框架330。
上參考框架310可互連左框架100及右框架200，及可整體在水平方向(X軸方向)中形成直線形狀。上參考框架310可在水平方向(X軸方向)中具有固定剖面。
上參考框架310可於水平方向中之上參考框架310之中心部包括第三增強空間311，及上增強框架320可插入第三增強空間311中及耦接於第三增強空間311。
第三增強空間311可形成凹入溝槽形狀。也就是說，排除第三增強空間311之上參考框架310可整個形成完整互連形狀。特別是，上參考框架310可包括第三外部310a、第三內部310b、及第三連接部310c。第三連接部310c用以互連第三外部310a及第三內部310b。
相較之下，第三增強空間311可形成溝槽形狀，在前後方向穿透。也就是說，上參考框架310可基於第三增強空間311以上參考框架310之上部及下部係彼此分離之方式裝配。更詳細來說，上參考框架310可包括第三外部310a及第三內部310b，及第三連接部310c可排除於上參考框架310外。
上參考框架310之剖面形狀可有利地使用，以在減少框架的重量的情況下，改善框架之強度。
上參考框架310可以與左參考框架110及右參考框架210之相同材料(也就是同質材料)形成，可以銦鋼(鐵鎳合金)、不鏽鋼、或其之組合形成，及可讓上框架300穩定地及固定地耦接於左框架100及右框架200。
上增強框架320可插入上參考框架310之第三增強空間311中，使得上增強框架320與上參考框架310可一起形成上框架300。上增強框架320之左及右側的端部可耦接於上參考框架310。或者，上增強框架320之左側的端部及上增強框架320之右側的端部可分別地耦接於左框架100及右框架200。
上增強框架320可以CFRP材料形成。既然上增強框架320可以CFRP材料形成，上增強框架320具有較少的重量及優越之結構強度。如此一來，遮罩框架10及遮罩組件1可大大地減少重量，及CFRP材料及不鏽鋼及銦鋼之各者之間的熱膨脹係數的差異小，使得甚至在高溫環境中因熱膨脹所導致之損害及分解(breakdown)可避免。當上增強框架320係以CFRP材料形成時，上增強框架320可包括碳纖維323a及323b及浸漬樹酯325。遮罩框架10及遮罩組件1係暴露於高溫環境，使得浸漬樹酯325可較佳地為高度抗高溫之聚醯亞胺。
當上增強框架320係以CFRP材料形成時，包含在上增強框架320中之碳纖維323a之縱向方向可平行於上增強框架320之縱向方向(水平方向)配置。此外，當上增強框架320係以CFRP形成時，包含於上增強框架320中的碳纖維323a及323b之一些部份(舉例為碳纖維323a)的縱向方向可平行於上增強框架320之縱向方向(水平方向，也就是X軸方向)配置，及一些其他部份(舉例為碳纖維323b)的縱向方向可垂直於上增強框架320之縱向方向(水平方向，也就是X軸方向)配置。也就是說，碳纖維323a及323b係在堆疊時相互交叉，碳纖維之一些部份(舉例為碳纖維 323a)可平行於水平方向配置，及一些其他部份(舉例為碳纖維 323b)可平行於垂直方向或在前後方向中配置，而致使具有最小熱變形及優良之強度的上增強框架320的形成。
在根據本揭露之遮罩框架10及遮罩組件1中，當上參考框架310之寬度係以W3 表示及上參考框架310之厚度係以T3 表示時，上增強框架320之寬度W4 可形成以具有從0.2W3 至0.5W3 之範圍的任意尺寸，及上增強框架320之厚度T4 可形成以具有0.3T3 至1 T3 之範圍的任意尺寸。
上增強框架320可在上增強框架之縱向方向(X軸方向)中具有固定剖面，及可形成板材形狀、圓柱形狀、多邊形柱形狀、或類似者。此外，上增強框架320可形成圓管形狀、多邊形管形狀、或類似者。上增強框架320之剖面可形成L形、U形、或H形等。上增強框架320的剖面形狀可有效地及有利地使用，以在減少框架之重量時增加框架的強度。
然而，使用於遮罩框架10及遮罩組件1中的上增強框架320在縱向方向(X軸方向)中可具有固定剖面，及形成圓形管形狀或多邊形管形狀(特別是方形管形狀)之上增強框架320為較佳地，使得框架之變形可有效地避免。在此情況中，上增強框架320可包括第三中空部321，配置於縱向方向中
第三中空部321可連通於第一中空部121及第二中空部221之至少一者，或可不連通於第一中空部121及第二中空部221之至少一者。
當上增強框架320在插入於第三增強空間311中之後耦接於上參考框架310時，上參考框架310可不只耦接於上增強框架320之左及右側的兩端，但亦耦接於上增強框架320之上及下端。
相較之下，上增強框架320之左及右側的兩端係耦接於上參考框架310，及上增強框架320之上及下端可與上參考框架310分離。也就是說，在整個長度排除上增強框架之左及右端的上增強框架320可與上參考框架310分離。
上堆疊框架330可堆疊於上增強框架320之外表面的上方及耦接於上增強框架320之外表面，及可以銦鋼(鐵鎳合金)或不鏽鋼形成。此外，上堆疊框架330可以與上參考框架310之相同材料(同質材料)製成，使得上堆疊框架330可耦接於上參考框架310。
上堆疊框架330可形成板材形狀，板材形狀於水平方向中具有固定剖面，使得上堆疊框架330可耦接於上增強框架320。
上堆疊框架330可利用黏膠接合於上增強框架320。為了互連上堆疊框架330及上增強框架320，可使用黏膠(舉例為環氧樹酯、聚醯亞胺等)，或亦可使用結構黏膠。
此外，為了互連上堆疊框架330及上增強框架320，可使用摩擦攪拌焊接(FSW)，或可使用雷射焊接或類似者。
耦接於上增強框架320之上堆疊框架330可如同在上參考框架310中以金屬形成。此外，上堆疊框架330可以與上參考框架310(以及左參考框架110及右參考框架210)之相同材料(均質材料)製成，使得上堆疊框架330可輕易地銲接及可亦穩定地耦接於上參考框架310。如此一來，可維持包括上增強框架320之遮罩組件1的穩定結構。
用於遮罩框架10及遮罩組件1中的上堆疊框架330可在圍繞上增強框架320之整個外表面的情況下耦接於上增強框架320。在此情況中，上增強框架320可在需要時不由上堆疊框架330曝露(見第9(a)及9(b)圖)。
因此，上框架300可包括設置於其中的上增強框架320及上堆疊框架330。上堆疊框架330係在圍繞上增強框架320時耦接於上增強框架320。在此情況中，上增強框架320可以與左參考框架110、右參考框架210、及上參考框架310之不同材料(異質材料)製成，及上堆疊框架330可以與左參考框架110、右參考框架210、及上參考框架310中之相同材料(同質材料)製成。
舉例來說，當左參考框架110及右參考框架210可以鐵鎳合金(銦鋼)、不鏽鋼、或其之組合形成，上堆疊框架330可以與左參考框架110及右參考框架210中之相同材料(同質材料)形成，及上增強框架320可以CFRP材料形成。
因此，上框架300之整體重量可減少及上框架300之剛性可增加，及上增強框架320可經由上堆疊框架330銲接於左框架100及右框架200，使得遮罩框架10之較簡單及更穩定之耦接可維持。此外，上增強框架320係不由上堆疊框架330曝露，使得在清洗步驟中，以CFRP材料形成之上增強框架320可避免與清洗溶液化學作用，或上增強框架320之腐蝕可亦避免。
下框架400可連接左框架100之下端於右框架200之下端，及可固定於左框架100及右框架200。
下框架400可僅包括一個框架(也就是單一材料或單一結構)(見第1(a)圖)，或可在形狀及結構中相同於上框架300(見第1(b)圖)。
當下框架400僅由一個框架組成時，下框架400可互連左框架100及右框架200，及可在水平方向中形成直線形狀。下框架400可在水平方向中具有固定剖面，及可形成圓柱形狀、多邊形柱形狀等。此外，下框架400可形成圓管形狀、多邊形管形狀等，及可形成L形、U形、H形、或類似者。下框架400的剖面形狀可有效地及有利地使用，以增加框架的強度及減少框架之重量。
下框架400可以與左框架100、右框架200、及上框架300之相同材料形成。
下框架400可包括下參考框架410及下增強框架420。此外，下框架400可更包括下堆疊框架430。在此情況中，下框架400可形成，以具有與上框架300相同之結構、形狀、材料、及尺寸。
也就是說，下參考框架410可以相同於上述之上參考框架310的方式構成，及下增強框架420可以相同於上述之上增強框架320的方式構成，及下堆疊框架430可以相同於上述之上堆疊框架330的方式構成。
下參考框架410可於水平方向中之下參考框架之中心包括第四增強空間411，及下增強框架420可插入第四增強空間411中及耦接於第四增強空間411。下增強框架420可在縱向方向中包括第四中空部421形成於其中。
第四中空部421可連通於第一中空部121及第二中空部221之至少一者，或可不連通於第一中空部121及第二中空部221之至少一者。
下參考框架410可包括第四外部410a及第四內部410b，及可更包括第四連接部410c，用以互連第四外部410a及第四內部410b(見第6(a)至6(e)圖)。
根據本揭露之遮罩框架10可形成垂直或水平對稱形狀，使得上框架300及下框架400可彼此對稱配置。
當使用於遮罩組件1中之遮罩板20耦接於遮罩框架10時，遮罩板20在足夠緊繃(taut)狀態中耦接於遮罩組件1係有必要的。當遮罩板20係耦接於遮罩框架10時，遮罩板20可銲接於遮罩框架10，或可藉由固定裝置耦接於遮罩框架10。固定裝置例如是螺釘、鉚釘、或類似者。
當使用於遮罩組件1中之遮罩板20係固定於左框架100時，遮罩板20之左端可從左框架100中耦接於左參考框架110。
相較之下，當使用於遮罩組件1中之遮罩板20係固定於左框架100，遮罩板20之左端可耦接於左框架100中之左增強框架120，而不耦接於左參考框架110。再者，遮罩板20之左端可在與左參考框架110分離之下耦接於左增強框架120。
此外，當左框架100包括左堆疊框架130時，遮罩板20之左端可經由左堆疊框架130耦接於左增強框架120。
此外，使用於遮罩組件1中之遮罩板20之右端可固定於右框架200。
此外，當遮罩組件1之遮罩板20係固定於右框架200及右框架200包括右參考框架210及右增強框架220時，遮罩板20之右端可耦接於右框架200中之右參考框架210。
或者，遮罩板20之右端可耦接於右框架200中之右增強框架220，而不耦接於右參考框架210。再者，遮罩板20之右端可在與右參考框架210分離時耦接於右增強框架220。
此外，當右框架200包括右堆疊框架230時，遮罩板20之右端可經由右堆疊框架230耦接於右增強框架220。
當使用於根據本揭露之遮罩組件1中之遮罩板20係固定於上框架300時，遮罩板20之上端可耦接於上框架300中之上參考框架310。
相較之下，當使用於根據本揭露之遮罩組件1中之遮罩板20係固定於上框架300，遮罩板20之上端可耦接於上框架300中之上增強框架320，而不耦接於上參考框架310。再者，遮罩板20之上端可耦接於上增強框架320，及可與上參考框架310分離。
此外，當上框架300包括上堆疊框架330時，遮罩板20之上端可經由上堆疊框架330耦接於上增強框架320。
此外，使用於根據本揭露的遮罩組件1中之遮罩板20之下端可固定於下框架400。
此外，當使用於遮罩組件1中之遮罩板20係固定於下框架400及下框架400包括下參考框架410及下增強框架420時，遮罩板20之下端可耦接於下框架400中之下參考框架410。
相較之下，遮罩板20之下端可耦接於下框架400中之下增強框架420，而不耦接於下參考框架410。再者，遮罩板20之下端可耦接於下增強框架420，及可與下參考框架410分離。
此外，當下框架400包括下堆疊框架430時，遮罩板20之下端可經由下堆疊框架430耦接於下增強框架420。
用以耦接遮罩框架10於遮罩板20的方法將基於上框架300於下文詳細說明。
如上所述，遮罩板20之上端可固定地耦接於上增強框架320。
負載F3可在特定位置藉由遮罩板20於向下方向中施予上增強框架320，特定位置對應於遮罩板20的耦接位置，使得負載F3可在向下方向中提供至上增強框架320的整個長度。既然上增強框架320係以CFRP材料製成，遮罩框架的變形可比傳統之遮罩框架大量地減少。
此外，既然上增強框架320係插入第三增強空間311中，上參考框架310之第三外部310a係設置於上增強框架320之上方及上參考框架310之第三內部310b係設置上增強框架320的下方。既然如上所述之上增強框架320係插入上參考框架310之中心中，可確保高抵抗施予之負載之較大彎曲剛性，及可避免遮罩框架10之變形及遮罩板20的下垂。
如上所述，當根據本揭露之遮罩框架10係形成垂直對稱形狀時，遮罩板20之下端係固定地耦接於下增強框架420，負載可在垂直方向中施予下增強框架420的整個長度。如此一來，既然下增強框架420係以CFRP材料製成，根據本揭露之遮罩框架10的變形可比傳統之遮罩框架大量地減少，及下框架400之變形可亦以相同於上框架300之方式避免，使得遮罩框架10的形狀可穩定地維持。
此外，有關於施予左框架100之負載F1及施予右框架200之負載F2，上述之操作及效應可亦在左框架100及右框架200中達成，及遮罩框架10的變形及遮罩板20之下垂可有效地避免 。
在前文中，在本揭露之特定實施例係已經針對說明之目的解說的情況下，本揭露之範疇或精神係不以此為限，本技術領域中具有通常知識者將理解，數種改變及調整可在不脫離本揭露之精神及範疇下應用於其他實施例。因此，本揭露之範疇係受限於揭露之實施例，但應由申請專利範圍中所提供的技術理念決定。雖然本揭露已經參照實施例說明，本技術領域中具有通常知識者可完成數種改變或調整。因此，將理解的是，此些改變及調整係在本發明之範疇中。根據本揭露的技術精神或展望，不應單獨地理解此些調整。綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1:遮罩組件 10:遮罩框架 20:遮罩板 21:通孔 100:左框架 110:左參考框架 110a:第一外部 110b:第一內部 110c:第一連接部 111:第一增強空間 120:左增強框架 121:第一中空部 123a、123b、323a、323b:碳纖維 125、325:浸漬樹酯 130:左堆疊框架 200:右框架 210:右參考框架 210a:第二外部 210b:第二內部 210c:第二連接部 211:第二增強空間 220:右增強框架 221:第二中空部 230:右堆疊框架 300:上框架 310:上參考框架 310a:第三外部 310b:第三內部 310c:第三連接部 311:第三增強空間 320:上增強框架 321:第三中空部 330:上堆疊框架 400:下框架 410:下參考框架 410a:第四外部 410b:第四內部 410c:第四連接部 411:第四增強空間 420:下增強框架 421:第四中空部 430:下堆疊框架 F1、F2、F3:負載 T1、T2、T3、T4:厚度 W1、W2、W3、W4:寬度
當結合所附之圖式閱讀時，本發明之前述及其它目的、特徵、及優點，以及實施例之下方詳細說明將較佳地理解。針對說明本發明之目的，目前較佳之範例實施例係繪示於圖式中，然而，將理解的是，本發明係不意欲受限於所繪示的細節，因為數種調整及結構改變可在不脫離本發明之精神下於其中達成，及含括在申請專利範圍之等效範疇及範圍中。在不同圖式中之相同的參考編號或符號之使用係表示類似或相同的項目。 第1(a)及1(b)圖繪示本揭露之兩個實施例之遮罩框架的前視圖。 第2圖繪示本揭露另一實施例之遮罩組件的前視圖。 第3(a)至3(e)圖繪示根據本揭露數個實施例之左框架的剖面圖。 第4(a)至4(e)圖繪示根據本揭露數個實施例之右框架的剖面圖。 第5(a)至5(e)圖繪示根據本揭露數個實施例之上框架的剖面圖。 第6(a)至6(e)圖繪示根據本揭露數個實施例之下框架的剖面圖。 第7圖繪示根據本揭露一實施例之遮罩組件之一些部件的透視圖。 第8(a)至8(g)圖繪示根據本揭露之數個實施例之遮罩框架的數種剖面形狀的示意圖。 第9(a)及9(b)圖繪示根據本揭露數個實施例之左增強框架、右增強框架、上增強框架、及下增強框架的剖面形狀的示意圖。 第10圖繪示根據本揭露一實施例之遮罩框架的一些部件及提供至遮罩框架之部件的負載的示意圖。
1:遮罩組件
10:遮罩框架
100:左框架
110:左參考框架
110a:第一外部
110b:第一內部
120:左增強框架
200:右框架
300:上框架
310:上參考框架
310a:第三外部
310b:第三內部
320:上增強框架
400:下框架

Claims (18)

  1. 一種遮罩框架，裝配以固定一遮罩板，該遮罩框架包括： 一左框架，設置於一左側上； 一右框架，設置於一右側上； 一上框架，連接該左框架之一上端部及該右框架之一上端部彼此；以及 一下框架，連接該左框架之一下端部及該右框架之一下端部彼此； 其中該左框架包括： 一左參考框架，在一垂直方向中之該左參考框架之一中心具有一第一增強空間，及以一金屬材料製成；及 一左增強框架，插入該第一增強空間中以耦接於該左參考框架，及以一碳纖維強化塑膠(carbon fiber reinforced plastic，CFRP) 材料製成；及 其中該上框架包括： 一上參考框架，在一水平方向中之該上參考框架之一中心具有一第三增強空間，及以一金屬材料製成；及 一上增強框架，插入該第三增強空間中以耦接於該上參考框架，及以一CFRP材料製成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩框架，其中： 該左框架更包括一左堆疊框架，堆疊於該左增強框架上及耦接於該左增強框架，且以銦鋼(Invar)(鐵鎳合金)或不鏽鋼製成，該左堆疊框架係以與該左參考框架之一相同材料製成，及耦接於該左參考框架；以及 該上框架更包括一上堆疊框架，堆疊於該上增強框架上及耦接於該上增強框架，且以銦鋼(鐵鎳合金)或不鏽鋼製成，該上堆疊框架係以與該上參考框架之一相同材料製成，及耦接於該上參考框架。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩框架，其中： 當該左參考框架之一寬度係為W1 及該左參考框架之一厚度係為T1 時，該左增強框架之一寬度W2 係在0.2 W1 至0.5 W1 之一範圍中，及該左增強框架之一厚度T2 係在0.3 T1 至1 T1 之一範圍中；及 當該上參考框架之一寬度係為W3 及該上參考框架之一厚度係為T3 時，該上增強框架之一寬度W4 係在0.2 W3 至0.5 W3 之一範圍中，及該上增強框架之一厚度T4 係在0.3 T3 至1 T3 之一範圍中。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之遮罩框架，其中： 當該左參考框架之一寬度係為W1 及該左參考框架之一厚度係為T1 時，該左增強框架之一寬度W2 係在0.2 W1 至0.5 W1 之一範圍中，及該左增強框架之一厚度T2 係在0.3 T1 至1 T1 之一範圍中；及 當該上參考框架之一寬度係為W3 及該上參考框架之一厚度係為T3 時，該上增強框架之一寬度W4 係在0.2 W3 至0.5 W3 之一範圍中，及該上增強框架之一厚度T4 係在0.3 T3 至1 T3 之一範圍中。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩框架，其中： 該左增強框架係在該左增強框架之一縱向方向中具有一固定剖面，及該左增強框架係形成具有一第一中空部於其中之圓形管形狀或多邊形管形狀；及 該上增強框架係在該上增強框架之一縱向方向中具有一固定剖面，及該上增強框架係形成具有一第三中空部於其中之圓形管形狀或多邊形管形狀。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之遮罩框架，其中： 該左增強框架係在該左增強框架之一縱向方向中具有一固定剖面，及該左增強框架係形成具有一第一中空部於其中之圓形管形狀或多邊形管形狀；及 該上增強框架係在該上增強框架之一縱向方向中具有一固定剖面，及該上增強框架係形成具有一第三中空部於其中之圓形管形狀或多邊形管形狀。
  7. 如申請專利範圍第3項所述之遮罩框架，其中： 該左增強框架係在該左增強框架之一縱向方向中具有一固定剖面，及該左增強框架係形成具有一第一中空部於其中之圓形管形狀或多邊形管形狀；及 該上增強框架係在該上增強框架之一縱向方向中具有一固定剖面，及該上增強框架係形成具有一第三中空部於其中之圓形管形狀或多邊形管形狀。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之遮罩框架，其中： 該左增強框架在該左增強框架之複數個上及下端之兩者連接於該左參考框架，及經由該左增強框架之複數個左及右端的至少一者連接於該左參考框架；以及 該上增強框架在該上增強框架之複數個左及右端之兩者連接於該上參考框架，及經由該上增強框架之複數個上及下端的至少一者連接於該上參考框架。
  9. 如申請專利範圍第2項所述之遮罩框架，其中： 該左增強框架在該左增強框架之複數個上及下端之兩者連接於該左參考框架，及經由該左增強框架之複數個左及右端的至少一者連接於該左參考框架；以及 該上增強框架在該上增強框架之複數個左及右端之兩者連接於該上參考框架，及經由該上增強框架之複數個上及下端的至少一者連接於該上參考框架。
  10. 如申請專利範圍第3項所述之遮罩框架，其中： 該左增強框架在該左增強框架之複數個上及下端之兩者連接於該左參考框架，及經由該左增強框架之複數個左及右端的至少一者連接於該左參考框架；以及 該上增強框架在該上增強框架之複數個左及右端之兩者連接於該上參考框架，及經由該上增強框架之複數個上及下端的至少一者連接於該上參考框架。
  11. 如申請專利範圍第5項所述之遮罩框架，其中： 該左增強框架在該左增強框架之複數個上及下端之兩者連接於該左參考框架，及經由該左增強框架之複數個左及右端的至少一者連接於該左參考框架；以及 該上增強框架在該上增強框架之複數個左及右端之兩者連接於該上參考框架，及經由該上增強框架之複數個上及下端的至少一者連接於該上參考框架。
  12. 如申請專利範圍第1至11項之任一者所述之遮罩框架，其中： 該右框架係水平地對稱於該左框架；及 該下框架係垂直地對稱於該上框架。
  13. 一種遮罩組件，包括： 一遮罩板，形成一矩形形狀；以及 一遮罩框架，裝配以固定一遮罩板且包括一左框架、一右框架、一上框架、及一下框架，該遮罩板之一左側係耦接於該左框架，該遮罩板之一右側係耦接於該右框架，該上框架連接該左框架之一上端部及該右框架之一上端部彼此，該遮罩板之一上側係耦接於該上框架，該下框架連接該左框架之一下端部及該右框架之一下端部彼此，該遮罩板之一下側係耦接於該下框架； 其中該左框架包括： 一左參考框架，在一垂直方向中之該左參考框架之一中心具有一第一增強空間，及以一金屬材料製成；及 一左增強框架，插入該第一增強空間中以耦接於該左參考框架，及以一碳纖維強化塑膠(carbon fiber reinforced plastic，CFRP) 材料製成；及 其中該上框架包括： 一上參考框架，在一水平方向中之該上參考框架之一中心具有一第三增強空間，及以一金屬材料製成；及 一上增強框架，插入該第三增強空間中以耦接於該上參考框架，及以一CFRP材料製成。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之遮罩組件，其中： 該左框架更包括一左堆疊框架，堆疊於該左增強框架上及耦接於該左增強框架，且以銦鋼(Invar)(鐵鎳合金)或不鏽鋼製成，該左堆疊框架係以與該左參考框架之一相同材料製成，及耦接於該左參考框架； 該上框架更包括一上堆疊框架，堆疊於該上增強框架上及耦接於該上增強框架，且以銦鋼(鐵鎳合金)或不鏽鋼製成，該上堆疊框架係以與該上參考框架之一相同材料製成，及耦接於該上參考框架；以及 該遮罩板係經由銲接來耦接於該左堆疊框架及該上堆疊框架。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之遮罩組件，其中： 該左增強框架係在該左增強框架之一縱向方向中具有一固定剖面，及該左增強框架係形成具有一第一中空部於其中之圓形管形狀或多邊形管形狀；及 該上增強框架係在該上增強框架之一縱向方向中具有一固定剖面，及該上增強框架係形成具有一第三中空部於其中之圓形管形狀或多邊形管形狀。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之遮罩組件，其中： 該左增強框架在該左增強框架之複數個上及下端之兩者連接於該左參考框架，及經由該左增強框架之複數個左及右端的至少一者連接於該左參考框架； 該上增強框架在該上增強框架之複數個左及右端之兩者連接於該上參考框架，及經由該上增強框架之複數個上及下端的至少一者連接於該上參考框架； 該右框架係水平地對稱於該左框架；及 該下框架係垂直地對稱於該上框架。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之遮罩組件，其中： 該左增強框架在該左增強框架之複數個上及下端之兩者連接於該左參考框架，及經由該左增強框架之複數個左及右端的至少一者連接於該左參考框架； 該上增強框架在該上增強框架之複數個左及右端之兩者連接於該上參考框架，及經由該上增強框架之複數個上及下端的至少一者連接於該上參考框架； 該右框架係水平地對稱於該左框架；及 該下框架係垂直地對稱於該上框架。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之遮罩組件，其中： 該左增強框架在該左增強框架之複數個上及下端之兩者連接於該左參考框架，及經由該左增強框架之複數個左及右端的至少一者連接於該左參考框架； 該上增強框架在該上增強框架之複數個左及右端之兩者連接於該上參考框架，及經由該上增強框架之複數個上及下端的至少一者連接於該上參考框架； 該右框架係水平地對稱於該左框架；及 該下框架係垂直地對稱於該上框架。
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