TW202016276A

TW202016276A - 移除抗蝕劑層的方法

Info

Publication number: TW202016276A
Application number: TW108120835A
Authority: TW
Inventors: 盼盼歐陽
Original assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date: 2018-10-30
Filing date: 2019-06-17
Publication date: 2020-05-01
Also published as: US20200133132A1; US20220229369A1; US20240288776A1; US12013645B2; US11307500B2; US12379665B2; CN111123664A

Abstract

提供一種移除抗蝕劑層的方法。以具有有機配體的金屬氧化物核心的材料來形成抗蝕劑層。全域地塗敷含氯化合物或含甲基化合物至抗蝕劑層上，以使含氯化合物或含甲基化合物與抗蝕劑層實行配體交換製程，從而透過昇華移除抗蝕劑層。

Description

移除抗蝕劑層的方法

本發明實施例是有關於一種移除抗蝕劑層的方法、一種形成圖案的方法以及一種製造封裝體的方法。

各種電子裝置（例如，手機及其他隨身電子設備）中所使用的半導體元件及積體電路一般是在單個半導體晶圓（wafer）上製造。晶圓的晶粒可以晶圓級（wafer level）來與其他半導體元件或晶粒一起進行處理及封裝，且已針對晶圓級封裝（wafer level packaging）開發了各種技術。舉例來說，圖案形成技術在晶圓級封裝中起著重要作用。如何確保形成品質及圖案化製程的簡易性已成為此領域中的挑戰）。

本發明實施例提供一種移除抗蝕劑層的方法，其至少包括以下步驟。以具有有機配體的金屬氧化物核心的材料來形成抗蝕劑層。全域地塗敷含氯化合物或含甲基化合物至抗蝕劑層上，以使含氯化合物或含甲基化合物與抗蝕劑層實行配體交換製程，從而透過昇華移除抗蝕劑層。

以下公開內容提供了許多不同的實施例或實施例，用於實現所提供主題的不同特徵。以下描述元件以及佈置的具體示例以簡化本公開。當然，這些僅僅是示例而非旨在進行限制。舉例來說，在下面的描述中將第一特徵形成在第二特徵“之上”或在第二特徵“上” 可包括其中第一特徵及第二特徵被形成為直接接觸的實施例，且也可包括其中第一特徵與第二特徵之間可形成有附加特徵，進而使得所述第一特徵與所述第二特徵可能不直接接觸的實施例。另外，本發明實施例可能在各種實例中重複使用參照編號及/或字母。此種重複使用是出於簡潔及清晰的目的，而不是自身表示所論述的各種實施例及/或配置之間的關係。

此外，為易於說明，本文中可能使用例如“在…下（beneath）”、“在…下方（below）”、“下部的（lower）”、“在…上（over）”、“在…上方（above）”、“上部的（upper）”等空間相對性用語來闡述圖中所示一個元件或特徵相對於另一（其他）元件或特徵的關係。所述空間相對性用語旨在除圖中所繪示的取向外還囊括裝置在使用或操作中的不同取向。設備可具有另外的取向（旋轉90度或處於其他取向），且本文中所使用的空間相對性描述語可同樣相應地進行解釋。

本公開中所闡述的先進微影製程、方法及材料可用於包括鰭型場效應電晶體（fin-type field effect transistor，FinFET）在內的諸多應用中。舉例來說，可對多個鰭進行圖案化以在特徵之間形成相對緊密的間隔，以下公開內容非常適合於所述間隔。另外，可根據以下公開內容對用於形成FinFET的多個鰭的多個間隙壁進行處理。

本公開也可包括其他特徵及製程。舉例來說，可包括測試結構，以說明對三維（three-dimensional，3D）封裝或三維積體電路（three-dimensional integrated circuit，3DIC）元件進行驗證測試。所述測試結構可包括例如在重佈線層中或在基底上形成的測試接墊，以使得能夠對三維封裝或三維積體電路進行測試、對探針和/或探針卡（probe card）進行使用等。可對中間結構以及最終結構實行驗證測試。另外，本文中所公開的結構及方法可結合包括對已知良好晶粒（known good die）進行中間驗證的測試方法來使用，以提高良率（yield）並降低成本。

圖1、圖2A、圖3、圖4A、圖5、圖6、圖7、圖8A及圖9示出根據本公開一些實施例的形成圖案的方法的示意性剖視圖。圖2B示出根據本公開一些實施例的適用于形成圖案的方法中的形成抗蝕劑層的抗蝕劑的可能組合物。圖4B示出根據本公開一些實施例的在形成圖案的方法中用於對抗蝕劑層進行圖案化的化學。圖8B到圖8E分別示出根據本公開一些替代實施例的在形成圖案的方法中移除抗蝕劑層的機制。圖10示出根據本公開一些實施例的形成圖案的方法的流程圖。圖11示出根據本公開一些實施例的對抗蝕劑層進行圖案化的方法的流程圖。圖12示出根據本公開一些實施例的移除抗蝕劑層的方法的流程圖。在一些實施例中，形成圖案的方法、對抗蝕劑層進行圖案化的方法以及移除抗蝕劑層的方法可為晶圓級封裝製程的部分，然而本公開並不限於此。在一些替代實施例中，形成圖案的方法、對抗蝕劑層進行圖案化的方法以及移除抗蝕劑層的方法中的至少一者或全部可不是晶圓級封裝製程的部分。實施例旨在提供進一步的闡釋，但並不用於限制本公開的範圍。

參照圖1，在一些實施例中，根據圖10的步驟S11，提供基礎層BL。在一些實施例中，基礎層可為導電層、半導體層或絕緣層。舉例來說，所述導電層可為由金屬或金屬合金形成的層。金屬或金屬合金的實例可為鎢（W）、鈷（Co）、銅（Cu）、鋁（Al）、鎳（Ni）、釕（Ru）、金（Au）、銀（Ag）、鉬（Mo）、錳（Mg）、鋯（Zr）、其他合適的材料和/或其組合，其中所述導電層可透過沉積（deposition）、電鍍（electroplating）、無電鍍覆（electroless plating）、其他合適的製程和/或其組合形成。

舉例來說，所述半導體層可為由半導體材料形成的層。半導體材料的實例可為矽（Si）、鍺（Ge）、碳化矽（SiC）、砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）、砷化銦（InAs）、砷磷化鎵（GaAsP）、砷化鋁銦（AlInAs）、砷化鋁鎵（AlGaAs）、砷化鎵銦（GaInAs）、磷化鎵銦（GaInP）、砷磷化鎵銦（GaInAsP）、銻化銦（InSb）、矽鍺（SiGe）和/或任何其他合適的半導體材料，其中所述半導體層可透過沉積形成。

舉例來說，所述絕緣層可為由介電材料形成的層。介電材料的實例可為氧化物，例如氧化矽或氮氧化矽；氮化物，氮化矽或碳氮化矽；聚合物系介電材料，例如聚醯亞胺（polyimide，PI）、環氧樹脂（epoxy resin）、丙烯酸樹脂（acrylic resin）、酚醛樹脂（phenol resin）、苯並環丁烯（benzocyclobutene，BCB）、聚苯並噁唑（polybenzoxazole，PBO）和/或任何其他合適的聚合物系介電材料，其中所述介電層可透過沉積形成。前述沉積製程可包括但可不限於例如化學氣相沉積（chemical vapor deposition，CVD）、電漿增強型化學氣相沉積（plasma-enhanced CVD，PECVD）、物理氣相沉積（physical vapor deposition，PVD）、原子層沉積（atomic layer deposition，ALD）、其他合適的製程和/或其組合。在一些替代實施例中，介電材料可包括金屬氧化物或金屬氮化物。金屬氧化物的實例包括ZrO₂ 、Gd₂ O₃ 、HfO₂ 、BaTiO₃ 、Al₂ O₃ 、LaO₂ 、TiO₂ 、Ta₂ O₅ 、Y₂ O₃ 、SrTiO₃ （STO）、BaTiO₃ （BTO）、BaZrO、HfZrO、HfLaO、HfTaO、HfTiO等。金屬氮化物的實例包括TiN、TaN、WN、TiAlN、TaCN等。在另一些替代實施例中，介電材料可包括矽酸鹽，例如HfSiO、HfSiON、LaSiO、AlSiO等。

要理解的是，以上列出的材料僅是基礎層BL的示例性例示，且本公開並不限於基礎層BL的材料。在一些實施例中，除了選擇形成基礎層BL的材料之外，還可基於設計佈局及需求來選擇基礎層BL的厚度及形成製程，且因此本公開不受限於此。如圖1中所示，基礎層BL例如呈毯覆（blanket）層的形式；然而，本公開並不限於此。

參照圖2A，在一些實施例中，根據圖10的步驟S12，在基礎層BL上形成抗蝕劑層PR。如圖2A中所示，抗蝕劑層PR以毯覆層形式形成在基礎層BL上，以完全覆蓋基礎層BL。換句話說，基礎層BL不被抗蝕劑層PR以可觸及的方式顯露（accessibly reveal）出來。在一些實施例中，抗蝕劑層PR的厚度可介於約20 nm到約60 nm的範圍內，所述厚度是沿基礎層BL與抗蝕劑層PR的堆疊方向（例如，圖2A中所示的方向Z）測量的。

在一些實施例中，抗蝕劑層PR是用包括具有配體（ligand）的金屬氧化物核心及光活性化合物（photoactive compound）的材料形成。金屬氧化物核心的實例可包括但可不限於氧化鉿（HfO₂ ）、氧化鋯（ZrO₂ ）、氧化鈦（TiO₂ ）、氧化錫（SnO₂ ）或其他合適的金屬氧化物。配體的實例可包括但可不限於2-甲基丙烯酸（2-methylpropenoic acid）、甲基甲基丙烯酸（methylmathacrylic acid）、磺酸（sulfonic acid）、苯甲酸（benzoic acid）。在一些實施例中，配體的原子百分比對金屬氧化物核心的原子百分比的比率通常介於20%到50%的範圍內。在一些實施例中，金屬氧化物核心被配體環繞。

在一些實施例中，光活性化合物可包括光酸發生劑（photo acid generator）或光起始劑（photo-initiator）。光酸發生劑的實例可包括但可不限於N-羥基萘二甲醯亞胺三氟甲磺酸鹽（N-hydroxynaphthalimide trifluoromethanesulfonate）。光起始劑的實例可包括但可不限於2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮（2,2-Dimethoxy-2-phenylacetophenone）。以合計金屬氧化物核心及配體的100份重量計，光活性化合物的量通常介於1重量%到10重量%的範圍內。

在一些實施例中，抗蝕劑層PR的組合物包含作為配體的甲基丙烯酸、作為金屬氧化物核心的氧化鉿（一起由箭頭A指示）以及作為光活性化合物的N-羥基萘二甲醯亞胺三氟甲磺酸鹽（由箭頭B指示），參見圖2B。然而，本公開並不限於此。在替代實施例（未示出）中，抗蝕劑層PR的組合物可包含氧化鉿作為金屬氧化物核心、甲基丙烯酸作為配體以及2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮作為光活性化合物。

在一些實施例中，形成抗蝕劑層PR的材料可使用本領域中常用的任何混合方式（例如，使用混合器或分散器）被進一步混合到溶劑中以形成液體分散物（liquid dispersion）。對本公開的溶劑及其量沒有特別限制，只要所述溶劑可充分溶解金屬氧化物核心、配體及光活性化合物且將不會與這些組分相互作用即可。溶劑優選是揮發性的。舉例來說，對於合計具有約1重量%到約10重量%的金屬氧化物核心及配體的液體分散物來說，混合的旋轉速度可介於約200 rpm到約2000 rpm的範圍內。

溶劑的實例包括但不限於（1）烷二醇單烷基醚化合物（alkylene glycol monoalkyl ether compound）：乙二醇單甲醚（ethylene glycol monomethyl ether）、乙二醇單乙醚（ethylene glycol monoethyl ether）、二乙二醇單乙醚（diethylene glycol monoethyl ether）、二乙二醇單正丙基醚（diethylene glycol mono-n-propyl ether）、二乙二醇單正丁基醚（diethylene glycol mono-n-butyl ether）、三乙二醇單甲醚（triethylene glycol monomethyl ether）、三乙二醇單乙醚（triethylene glycol monoethyl ether）、丙二醇單甲醚（propylene glycol monomethyl ether）、丙二醇單乙醚（propylene glycol monoethyl ether）、二丙二醇單甲醚（dipropylene glycol monomethyl ether）、二丙二醇單乙醚（dipropylene glycol monoethyl ether）、二丙二醇單正丙基醚（dipropylene glycol mono-n-propyl ether）、二丙二醇單正丁基醚（dipropylene glycol mono-n-butyl ether）、三丙二醇單甲醚（tripropylene glycol monomethyl ether）、三丙二醇單乙醚等（tripropylene glycol monoethyl ether）；（2）烷二醇單烷基醚乙酸酯化合物（alkylene glycol monoalkyl ether acetate compound）：乙二醇單甲醚乙酸酯（ethylene glycol monomethyl ether acetate）、乙二醇單乙醚乙酸酯（ethylene glycol monoethyl ether acetate）、丙二醇單甲醚乙酸酯（propylene glycol monomethyl ether acetate）、丙二醇單乙醚乙酸酯（propylene glycol monoethyl ether acetate）等；（3）其他醚化合物（other ether compound）：二乙二醇二甲醚（diethylene glycol dimethyl ether）、二乙二醇甲乙醚（diethylene glycol methyl ethyl ether）、二乙二醇二乙醚（diethylene glycol diethyl ether）、四氫呋喃（tetrahydrofuran）等；（4）酮化合物（ketone compound）：甲乙酮（methyl ethyl ketone）、環己酮（cyclohexanone）、2-庚酮（2-heptanone）、3-庚酮（3-heptanone）、二丙酮醇（diacetone alcohol）等；（5）乳酸烷基酯化合物（alkyl lactate compound）：2-羥基丙酸甲酯（methyl 2-hydroxypropionate）、2-羥基丙酸乙酯（ethyl 2-hydroxypropionate）等；（6）其他酯化合物（other ester compound）：2-羥基-2-甲基丙酸甲酯（methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate）、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯（ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate）、3-甲氧基丙酸甲酯（methyl 3-methoxypropionate）、3-甲氧基丙酸乙酯（ethyl 3-methoxypropionate）、3-乙氧基丙酸甲酯（methyl 3-ethoxypropionate）、3-乙氧基丙酸乙酯（ethyl 3-ethoxypropionate）、乙氧基乙酸乙酯（ethyl ethoxyacetate）、羥基乙酸乙酯（ethyl hydroxyacetate）、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯（methyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate）、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯（3-methyl-3-methoxybutyl acetate）、3-甲基-3-甲氧基丁基丙酸酯（3-methyl-3-methoxybutyl propionate）、乙酸乙酯（ethyl acetate）、乙酸正丙酯（n-propyl acetate）、乙酸異丙酯（i-propyl acetate）、乙酸正丁酯（n-butyl acetate）、乙酸異丁酯（i-butyl acetate）、乙酸正戊酯（n-pentyl acetate）、乙酸異戊酯（i-pentyl acetate）、丙酸正丁酯（n-butyl propionate）、丁酸乙酯（ethyl butyrate）、丁酸正丙酯（n-propyl butyrate）、丁酸異丙酯（i-propyl butyrate）、丁酸正丁酯（n-butyl butyrate）、丙酮酸甲酯（methyl pyruvate）、丙酮酸乙酯（ethyl pyruvate）、丙酮酸正丙酯（n-propyl pyruvate）、乙醯乙酸甲酯（methyl acetoacetate）、乙醯乙酸乙酯（ethyl acetoacetate）、2-氧基丁酸乙酯（ethyl 2-oxybutyrate）等；（7）芳香烴化合物（aromatic hydrocarbon compound）：甲苯（toluene）、二甲苯（xylene）等；（8）羧酸胺化合物（carboxylic amine compound）：N-甲基吡咯烷酮（N-methylpyrrolidone）、N,N-二甲基甲醯胺（N,N-dimethylformamide）、N,N-二甲基乙醯胺（N,N-dimethylacetamide）等；以及（9）前述化合物（1）到化合物（8）的任何組合。溶劑的前述實例可單獨使用或以其組合使用。

需理解的是，以上列出的材料僅是在形成抗蝕劑層PR的材料中所使用的組分的示例性例示。基於設計佈局及需求，本公開並不限於這些材料。在一些實施例中，抗蝕劑層PR的形成包括例如旋轉塗布（spin-on coating）方法等。另外，如果需要，則可對塗布在基礎層BL上的抗蝕劑層PR實行預烘烤製程，從而透過移除過量溶劑來形成膜。

在一些實施例中，抗蝕劑層PR例如包括正型抗蝕劑層或負型抗蝕劑層，所述正型抗蝕劑層或負型抗蝕劑層適用於隨後的圖案化製程，例如罩幕微影製程（例如，極紫外（extreme ultraviolet，EUV）微影）或無罩幕微影製程（例如，電子束（electron-beam，e-beam）寫入或離子束（ion-beam）寫入）。在本公開中，抗蝕劑層PR可被稱為光阻層。

參照圖3到圖6，在一些實施例中，根據圖10的步驟S13（例如，圖10的步驟S13，其至少涉及圖11的步驟S21到S24），對抗蝕劑層PR進行圖案化以形成圖案化抗蝕劑層PR'。舉例來說，出於例示目的，在本公開中在對抗蝕劑層PR進行圖案化的製程期間採用EUV微影，然而本公開並不限於此。

在一些實施例中，如圖3中所示，根據圖11的步驟S21，提供光罩PM並將光罩PM放置在抗蝕劑層PR上。舉例來說，光罩PM具有帶有多個開口O1的預定靶心圖表案，所述多個開口O1暴露出光罩PM下面的抗蝕劑層PR。包括在光罩PM中的預定靶心圖表案的形狀並不限於本公開，而是基於設計佈局及需求來選擇及指定。因此，與包括在光罩PM中的預定靶心圖表案對應的開口O1（或者說凹部）的數目及形狀並不限於本公開。

在一些實施例中，如圖4A中所示，根據圖11的步驟S22，對抗蝕劑層PR實行曝光製程E，其中包括在光罩PM中的預定靶心圖表案被轉移到抗蝕劑層PR上。舉例來說，在圖4A中，曝光製程E包括實行EUV微影製程。在一些實施例中，透過經由光罩PM，向抗蝕劑層PR上輻照EUV光（涉及EUV曝光製程）來實行EUV微影製程，以將包括在光罩PM中的預定靶心圖表案轉移到抗蝕劑層PR。在一些實施例中，在EUV微影製程之後，可對抗蝕劑層PR實行後烘烤製程。根據抗蝕劑層PR的材料或類型而定，在輻照EUV光及後烘烤時，抗蝕劑層PR的聚合物可經歷不同的反應/機制來進行圖案轉移。舉一個實例來說，與未暴露於EUV光的正型抗蝕劑層PR的一部分相比，暴露於EUV光的正型抗蝕劑層PR的部分可輕易地透過顯影劑（development agent）來移除。舉另一實例來說，另一方面，與未暴露於EUV光的負型抗蝕劑層PR的一部分相比，暴露於EUV光的負型抗蝕劑層PR的部分難以透過顯影劑移除。在一些實施例中，當抗蝕劑層PR經由光罩PM暴露于EUV光時，光活性化合物（例如，N-羥基萘二甲醯亞胺三氟甲磺酸鹽）被解離（dissociate），並相較於金屬氧化物核心（例如，氧化鉿）周圍的配體（例如，甲基丙烯酸），釋放出對金屬氧化物核心（例如，氧化鉿）具有非常高的結合親和力的強光酸（strong photo acid）（例如，磺酸（如三氟磺酸）），從而使得強光酸至少部分地或完全替代配體且優先與金屬氧化物核心結合，此會改變金屬氧化物核心的表面化學性質，參見圖4B。

在一些實施例中，如圖5中所示，根據圖11的步驟S23，從抗蝕劑層PR的頂部移除光罩PM。換句話說，自光罩PM移除抗蝕劑層PR。

在一些實施例中，如圖6中所示，根據圖11的步驟S24，由於抗蝕劑層PR的表面化學性質的改變，透過對應的顯影劑來將抗蝕劑層PR顯影，以移除部分的抗蝕劑層PR，從而形成圖案化抗蝕劑層PR'。舉例來說，在顯影製程中，以顯影劑來移除抗蝕劑層PR的暴露於EUV光或未暴露於EUV光的部分（根據抗蝕劑層PR的材料或類型而定）。舉例來說，在圖6中，抗蝕劑層PR是正型抗蝕劑層，且以正型抗蝕劑的顯影劑來移除抗蝕劑層PR的暴露於EUV光的部分以形成具有多個凹部O2的圖案，凹部O2對應於包括在光罩PM的預定靶心圖表案中的開口O1。然而，本公開並不限於此；在替代實施例中，抗蝕劑層PR是例如負型抗蝕劑層，以負型抗蝕劑的顯影劑來移除抗蝕劑層PR的未暴露於EUV光的部分以形成具有凹部的圖案，所述凹部對應於包括在光罩PM的預定靶心圖表案中的非開口。可基於抗蝕劑層PR的類型以及製程需要來選擇顯影劑。在一些實施例中，顯影製程可包括但可不限於浸漬浴製程（dipping bath process）或噴塗製程（spray process），本公開並不限於此。

在一些實施例中，如上所述，在本公開中在用於對抗蝕劑層PR進行圖案化的EUV曝光製程的步驟期間，光活性化合物（例如光酸發生劑（如N-羥基萘二甲醯亞胺三氟甲磺酸鹽））從EUV光接收能量以釋放出強光酸，例如磺酸，參見圖4B（示出圖案化抗蝕劑層PR'的可能組合物）。另一方面，在其他實施例中，在本公開中在用於對抗蝕劑層PR進行圖案化的EUV曝光製程的步驟期間，光活性化合物（例如光起始劑（如2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮））透過從EUV光接收能量來解離以釋放強光酸，例如苯甲酸。在一些實施例中，用前述強酸中的一者（例如，圖4B中所示的磺酸（如三氟磺酸））來置換環繞抗蝕劑層PR中的金屬氧化物核心的配體；且接著透過實行圖6中的顯影製程來形成圖案化抗蝕劑層PR'。在本公開中，圖案化抗蝕劑層PR'的材料包括具有配體的金屬氧化物核心。包括在圖案化抗蝕劑層PR'中的金屬氧化物核心的實例可包括但可不限於氧化鉿（HfO₂ ）、氧化鋯（ZrO₂ ）、氧化鈦（TiO₂ ）、氧化錫（SnO₂ ）或其他合適的金屬氧化物。在特定實施例中，配體是有機配體。有機配體的實例可包括但可不限於苯甲酸或磺酸。在一些實施例中，有機配體還可包括甲基丙烯酸。在一些實施例中，有機配體的原子百分比對金屬氧化物核心的原子百分比的比率通常介於10%到50%的範圍內。在一些實施例中，金屬氧化物核心被有機配體環繞。如圖6中所示，圖案化抗蝕劑層PR'形成在基礎層BL上，其中部分的基礎層BL以可觸及地的方式被圖案化抗蝕劑層PR'顯露出來。

參照圖7，在一些實施例中，根據圖10的步驟S14，透過使用圖案化抗蝕劑層PR'作為罩幕，對基礎層BL進行圖案化以形成圖案化基礎層BL'。在一些實施例中，圖案化製程包括但不限於實行幹式刻蝕製程、濕式刻蝕製程或其組合。舉例來說，在圖7中，在移除基礎層BL的一部分的幹式刻蝕製程中，使用圖案化抗蝕劑層PR'作為刻蝕罩幕，以形成具有多個凹部O3的圖案化基礎層BL'，凹部O3對應於包括在圖案化抗蝕劑層PR'中的凹部O2。本公開並不限於此。

參照圖8A及圖9，在一些實施例中，根據圖10的步驟S15（其涉及圖12的步驟S33，且還可涉及圖12的步驟S31到S32中的至少一者），從圖案化基礎層BL'移除圖案化抗蝕劑層PR'。舉例來說，出於例示目的，在本公開中採用金屬氧化物核心HfO₂ 及有機配體磺酸作為圖案化抗蝕劑層PR'的材料的組分，然而本公開並不限於此。

在一些實施例中，如圖8A及圖9中所示，根據圖8B到圖8E以及圖12的步驟S33，全域地塗敷含氯化合物或含甲基化合物至圖案化抗蝕劑層PR'上，以使含氯化合物或含甲基化合物與圖案化抗蝕劑層PR'實行配體交換製程，從而透過昇華（sublimation）移除圖案化抗蝕劑層PR'。在一些實施例中，含氯化合物包括但不限於四氯矽烷（tetrachlorosilane（SiCl₄ ），氣相）。在一些實施例中，含甲基化合物包括但不限於三甲基鋁（trimethylaluminum（C₆ H₁₈ Al₂ ），氣相）或二甲基乙醯胺（dimethylacetamide（C₄ H₉ NO），氣相）。然而，需理解的是，以上列出的材料僅是示例性例示，且本公開並不限於此。在一些實施例中，透過噴塗製程（如圖8A中所示的SP所指示），全域地塗敷含氯化合物或含甲基化合物至圖案化抗蝕劑層PR'上。在一些實施例中，在配體交換製程期間，可工作溫度（workable temperature）介於約100℃到約500℃的範圍內且可工作壓力（workable perssure）介於約10毫托到約100毫托的範圍內。在替代實施例中，可透過旋轉塗布，全域地塗敷含氯化合物或含甲基化合物至圖案化抗蝕劑層PR'上，且本公開並不限於此。

舉例來說，如圖8A及圖8B中所示，在實行配體交換製程期間，以由含氯化合物（例如，SiCl₄ ）提供的氯基置換環繞金屬氧化物核心（例如，HfO₂ ）中的金屬原子中的每一者的氧原子，從而產生揮發性生成物（例如，HfCl₄ ），其中相較於氧原子，氯基各自對金屬原子（例如，鉿）具有非常高的結合親和力，使得氯基替代氧原子並優先地與金屬原子結合。換句話說，例如透過配體交換製程，使圖案化抗蝕劑層PR'的生成物揮發，由此透過昇華從圖案化基礎層BL'移除圖案化抗蝕劑層PR'，如圖9中所示。由於這種配體交換反應/製程，（在EUV曝光之後）施行圖案化抗蝕劑層PR'的清潔性移除（clean removal），其中圖案化抗蝕劑層PR'是透過昇華而不是直接刻蝕（例如，濕式刻蝕製程、幹式刻蝕製程或其組合）來移除，且因此實現較低的製造成本及環境友好的技術。

在一些實施例中，在實行配體交換反應/製程之前以及在對基礎層BL進行圖案化之後，根據圖8C、圖8E以及圖12的步驟S32，可對圖案化抗蝕劑層PR'進一步實行氟化製程（fluorination process）。舉例來說，圖案化抗蝕劑層PR'的材料中的金屬氧化物核心與含氟化合物反應以進行氟化製程，由此形成金屬氟化物核心。換句話說，以氟原子置換環繞金屬氧化物核心中的金屬原子中的每一者的氧原子以形成金屬氟化物核心。注意的是，相較於氧原子，氟原子各自對金屬原子（例如，鉿）具有非常高的結合親和力，使得氟原子替代氧原子並優先地與金屬原子結合。含氟化合物的實例可包括但可不限於氫氟酸。舉例來說，圖案化抗蝕劑層PR'的材料中以有機配體（例如磺酸）環繞的金屬氧化物核心（例如，HfO₂ ）與含氟化合物反應以形成不被有機配體（例如，磺酸）環繞的金屬氟化物核心（例如，HfF₄ ）、被有機配體（例如，磺酸）環繞的金屬氟化物核心（例如，HfF₄ ）和/或其組合。透過這種氟化製程，配體交換製程增效並得到促進。詳細來說，在氟化製程之後，環繞金屬氧化物核心的金屬原子中的每一者的氧原子可被氟原子置換，這有利於昇華，因為在配體交換製程（例如，步驟S33）中，可易於以氯原子或甲基置換氟原子，且生成物是揮發性的並可易於透過昇華來移除。在一些實施例中，透過噴塗製程或浸漬浴製程，全域地塗敷含氟化合物至圖案化抗蝕劑層PR'上。在一些實施例中，在氟化製程期間，可工作溫度介於約100℃到約500℃的範圍內，且可工作壓力介於約10毫托到約100毫托的範圍內。

在替代實施例中，在實行配體交換反應/製程之前以及在對基礎層BL進行圖案化之後，根據圖8D、圖8E以及圖12的步驟S31，可對圖案化抗蝕劑層PR'進一步實行有機配體移除製程。舉例來說，透過有機配體移除製程移除環繞圖案化抗蝕劑層PR'的材料中的金屬氧化物核心（例如，HfO₂ ）的有機配體（例如，磺酸）。換句話說，至少部分地移除或完全地移除環繞圖案化抗蝕劑層PR'的材料中的金屬氧化物核心（例如，HfO₂ ）的有機配體（例如，磺酸）。有機配體移除製程的實例可包括但可不限於臭氧電漿製程（ozone plasma process）、氧電漿製程（oxygen plasma process）或遠程氧電漿製程（remote oxygen plasma process）。透過有機配體移除製程，可大大減少並抑制圖案化基礎層BL'上停留的圖案化抗蝕劑層PR'的最終殘留物的量。

需注意的是，可視需要從移除圖案化抗蝕劑層PR'的方法中省略有機配體移除製程（例如，步驟S31）和/或氟化製程（例如，步驟S32）。在一個實施例中，透過依序實行有機配體移除製程（例如，步驟S31）、氟化製程（例如，步驟S32）及配體交換反應/製程（例如，步驟S33）來移除圖案化抗蝕劑層PR'，參見圖8E。舉例來說，根據圖8E及圖12的步驟S31到S33，在對基礎層BL進行圖案化之後，可首先對圖案化抗蝕劑層PR'實行有機配體移除製程，以透過氧灰化來移除環繞金屬氧化物核心（例如，HfO₂ ）的有機配體（例如，磺酸）；接著，可對圖案化抗蝕劑層PR'實行氟化製程，以透過用由氫氟酸（例如，HF）提供的氟原子置換環繞金屬氧化物核心（例如，HfO₂ ）中的金屬原子中的每一者的氧原子來形成金屬氟化物核心（例如，HfF₄ ）；且最後，對包含金屬氟化物核心的圖案化抗蝕劑層PR'實行配體交換反應/製程，以用由含氯化合物（例如，SiCl₄ ）提供的氯基置換環繞金屬原子中的每一者的氟原子以形成揮發性生成物（例如，HfCl₄ ），由此透過昇華來移除圖案化抗蝕劑層PR'。在替代實施例中，透過依序實行有機配體移除製程（例如，步驟S31）及配體交換反應/製程（例如，步驟S33）來移除圖案化抗蝕劑層PR'，參見圖8D。舉例來說，根據圖8D以及圖12的步驟S31及S33，在對基礎層BL進行圖案化之後，可首先對圖案化抗蝕劑層PR'實行有機配體移除製程，以移除環繞金屬氧化物核心（例如，HfO₂ ）的有機配體（例如，磺酸），且接著對包含金屬氧化物核心（例如，HfO₂ ）的圖案化抗蝕劑層PR'實行配體交換反應/製程，以用由含氯化合物（例如，SiCl₄ ）提供的氯基置換環繞金屬原子中的每一者的氧原子以形成揮發性生成物（例如，HfCl₄ ），由此透過昇華來移除圖案化抗蝕劑層PR'。在另一替代實施例中，透過依序實行氟化製程（例如，步驟S32）及配體交換反應/製程（例如，步驟S33）來移除圖案化抗蝕劑層PR'，參見圖8C。舉例來說，根據圖8C以及圖12的步驟S32及S33，在對基礎層BL進行圖案化之後，可首先對圖案化抗蝕劑層PR'實行氟化製程，以透過用由氫氟酸（例如，HF）提供的氟原子置換環繞金屬氧化物核心（例如，HfO₂ ）中的金屬原子中的每一者的氧原子來形成金屬氟化物核心（例如，HfF₄ ），且接著，對包含金屬氟化物核心（例如，HfF₄ ）的圖案化抗蝕劑層PR'實行配體交換反應/製程，以用由含氯化合物（例如，SiCl₄ ）提供的氯基置換環繞金屬原子中的每一者的氟原子來形成揮發性生成物（例如，HfCl₄ ），由此透過昇華來移除圖案化抗蝕劑層PR'。在再一替代實施例中，透過僅實行配體交換反應/製程（例如，步驟S33）來移除圖案化抗蝕劑層PR'，參見圖8B。舉例來說，根據圖8B以及圖12的步驟S33，在對基礎層BL進行圖案化之後，直接對包含金屬氧化物核心（例如，HfO₂ ）以及周圍的有機配體（例如，磺酸）的圖案化抗蝕劑層PR'實行配體交換反應/製程，以用由含氯化合物（例如，SiCl₄ ）提供的氯基置換環繞金屬原子中的每一者的氧原子以形成揮發性生成物（例如，HfCl₄ ），由此透過昇華來移除圖案化抗蝕劑層PR'。本公開並不限於此。

在一些實施例中，圖1到圖10中所示的圖案形成方法（所述圖案形成方法涉及圖11中所示的抗蝕劑層圖案化方法以及圖12中所示（圖案化）抗蝕劑層移除方法）可適用于各種應用。舉例來說，涉及抗蝕劑層圖案化方法以及（圖案化）抗蝕劑層移除方法的圖案形成方法可適用于形成電子元件中的導電柱/通孔、晶種層、佈線層、介電層、阻擋層、襯墊層等。

在一些實施例中，涉及抗蝕劑層圖案化方法以及（圖案化）抗蝕劑層移除方法的圖案形成方法可用于形成封裝結構中的導電特徵和/或介電特徵。舉例來說，可透過涉及抗蝕劑層圖案化方法以及（圖案化）抗蝕劑層移除方法的圖案形成方法來形成封裝體的半導體晶粒/晶片內的內連線結構中的導電圖案及介電圖案或者封裝體的重佈線路結構中的導電圖案及介電圖案。

作為另外一種選擇，涉及抗蝕劑層圖案化方法以及（圖案化）抗蝕劑層移除方法的圖案形成方法來還可用于形成場效應電晶體（field effect transistor，FET）中的半導體特徵、導電特徵和/或介電特徵。舉例來說，可透過涉及包括抗蝕劑層圖案化方法以及抗蝕劑層移除方法的圖案形成方法來形成FET的多晶閘極（poly gate）、金屬閘極、閘極介電層、間隙壁、閘極接觸件。

應注意，以上列出的元件僅用作示例性例示，且本公開並不限於此。以上所示的涉及抗蝕劑層圖案化方法以及（圖案化）抗蝕劑層移除方法的圖案形成方法也可適用于形成任何其他圖案。以下進一步例示出在封裝體中適用涉及抗蝕劑層圖案化方法以及（圖案化）抗蝕劑層移除方法的前述圖案形成方法，但不以此為限。

圖13到圖30示出根據本公開一些實施例的製造封裝體的製程的中間階段的示意性剖視圖。在一些實施例中，製造方法是晶圓級封裝製程的部分。應注意，本文中所述的製程步驟涵蓋用於製作封裝結構的製造製程的一部分。實施例旨在提供進一步的闡釋，但不用於限制本公開的範圍。舉例來說，在圖13到圖30中，示出一個半導體晶粒以表示晶圓的多個半導體晶粒，且示出封裝結構10以表示遵循所述製造方法獲得的封裝結構。在其他實施例中，示出兩個晶片或半導體晶粒以表示晶圓的多個晶片或半導體晶粒，且示出一個或多個封裝結構以表示遵循所述（半導體）製造方法獲得的多個（半導體）封裝結構，本公開並不限於此。

參照圖13，在一些實施例中，提供載板C，在載板C上堆疊有剝離層DB及介電層100。在一些實施例中，剝離層DB形成在載板C的上表面上，且剝離層DB位於載板C與介電層100之間。舉例來說，載板C可為玻璃基底且剝離層DB可為形成在玻璃基底上的光熱轉換（light-to-heat conversion，LTHC）釋放層。然而，本公開並不限於此，其他合適的材料亦可適用於載板C及剝離層DB。在一些實施例中，介電層100的材料包括聚醯亞胺（PI）、環氧樹脂、丙烯酸樹脂、酚醛樹脂、苯並環丁烯（BCB）、聚苯並噁唑（PBO）或任何其他合適的聚合物系介電材料。介電層100例如可透過合適的製作技術（例如，旋轉塗布、CVD、PECVD等）來形成。在一些實施例中，介電層100可具有粘附特性以粘附隨後形成的元件。

參照圖14，在一些實施例中，在介電層100上形成多個導電結構200及半導體晶粒300。在一些實施例中，半導體晶粒300被拾取及放置（picked and placed）到介電層100上。半導體晶粒300例如包括半導體基底310、多個導電接墊320、鈍化層330、後鈍化層340、多個金屬柱350及保護層360。在一些實施例中，導電接墊320安置在半導體基底310上。鈍化層330形成在半導體基底310上且具有多個接觸開口部分地暴露出導電接墊320。半導體基底310可為矽基底，所述矽基底包括形成在其中的主動元件（例如，電晶體、記憶體等）及被動元件（例如，電阻器、電容器、電感器等）。導電接墊320可為鋁接墊、銅接墊或其他合適的金屬接墊。鈍化層330可為氧化矽層、氮化矽層、氮氧化矽層或由其他合適的介電材料形成的介電層。此外，後鈍化層340形成在鈍化層330上。後鈍化層340覆蓋鈍化層330且具有多個接觸開口。導電接墊320透過後鈍化層340的接觸開口而被部分地暴露出。後鈍化層340可為PI層、PBO層或由其他合適的聚合物形成的介電層。另外，金屬柱350形成在導電接墊320上。在一些實施例中，金屬柱350被鍍覆在導電接墊320上。保護層360形成在後鈍化層340上以覆蓋金屬柱350以提供保護，此避免了在運輸過程或拾取及放置製程期間，半導體晶粒300的金屬柱350被損壞。

如圖14中所示，半導體晶粒300具有後表面300a及與後表面300a相對的前表面300b。在一些實施例中，半導體晶粒300的後表面300a透過連接膜（connecting film）（未示出）貼合（或粘附）到介電層100。在一些實施例中，連接膜可為例如半導體晶粒貼合膜（semiconductor die attach film）、由粘合劑或環氧樹酯等製成的層、或類似物。另一方面，半導體晶粒300的前表面300b朝上且被暴露出。儘管在圖14中示出一個半導體晶粒300，然而其並不對本公開進行限制。在一些替代實施例中，多於一個半導體晶粒300可被拾取及放置到介電層100上。

在一些實施例中，本文中所述的半導體晶粒300可被稱為晶片或積體電路（integrated circuit，IC）。在一些實施例中，半導體晶粒300包括至少一個無線及射頻（radio frequency，RF）晶片。在一些實施例中，半導體晶粒300可還包括相同類型或不同類型的附加晶片。舉例來說，在替代實施例中，提供多於一個半導體晶粒300，且除了包括至少一個無線及RF晶片之外，半導體晶粒300還可包括從數位晶片、類比晶片或混合信號晶片、應用專用積體電路（“application-specific integrated circuit，ASIC”）晶片、感測器晶片、記憶體晶片、邏輯晶片或電壓調節器晶片選擇的相同或不同類型的晶片。在替代實施例中，半導體晶粒300可被稱為組合類型的晶片或IC，且半導體晶粒300可為同時包括RF晶片及數位晶片兩者的WiFi晶片。本公開並不限於此。

如圖14中所示，舉例來說，導電結構200被形成為環繞半導體晶粒300。在一些實施例中，形成導電結構200的方法包括以下步驟。首先，在介電層100上形成晶種材料層（未示出）。在一些實施例中，晶種材料層包括透過濺鍍製程形成的鈦/銅複合物層。隨後，透過圖11中所示的方法在晶種材料層上形成具有多個開口的光阻層（未示出），因此此處不再對其予以贅述。光阻層的開口暴露出隨後形成的導電結構200的多個預期位置。之後，實行鍍覆製程以在被光阻層的開口暴露出的晶種材料層上形成金屬材料層（例如，銅層）。透過圖12中所示的方法移除光阻層，因此此處不再對其予以贅述。接著，移除下伏於被移除的光阻層的晶種材料層以形成導電結構200。然而，本公開並不限於此。在一些替代實施例中，可透過將預製（pre-fabricated）的導電結構拾取及放置到介電層100上來形成導電結構200。在一個實施例中，半導體晶粒300的高度高於導電結構200的高度。然而，本公開並不限於此。在替代實施例中，半導體晶粒300的高度可低於（圖14）或實質上等於導電結構200的高度。

參照圖15，在一些實施例中，在介電層100上形成包封材料400'以包封導電結構200及半導體晶粒300。導電結構200及半導體晶粒300的保護層360被包封材料400'包封。換句話說，導電結構200及半導體晶粒300的保護層360不被可觸及地顯露出而是被包封材料400'很好地保護住。在一些實施例中，包封材料400'為模塑化合物（molding compound）、模塑底部填充膠（molding underfill）、樹脂（例如，環氧樹脂）等。包封材料400'可透過模塑製程（例如，壓縮模塑製程（compression molding process））來形成。在一些實施例中，包封材料400'還可包括無機填料或無機化合物（例如，二氧化矽、粘土（clay）等），所述無機填料或無機化合物可被添加到包封材料400'中以最佳化包封材料400'的熱膨脹係數（coefficient of thermal expansion，CTE）。本公開並不限於此。

參照圖15及圖16，在一些實施例中，對包封材料400'及半導體晶粒300的保護層360進行平坦化直到暴露出金屬柱350的頂表面。在對包封材料400'進行平坦化之後，在介電層100上形成包封體400以包封半導體晶粒300及導電結構200。在一些實施例中，包封材料400'透過機械研磨（mechanical grinding）製程和/或化學機械拋光（chemical mechanical polishing，CMP）製程來進行平坦化。在一些實施例中，在包封材料400'的平坦化製程期間，對保護層360進行平坦化以可觸及的方式顯露出金屬柱350。在一些實施例中，部分金屬柱350及部分導電結構200也被輕微地平坦化。

舉例來說，在平坦化之後，半導體晶粒300具有主動表面300c及與主動表面300c相對的後表面300a，如圖16中所示。金屬柱350被暴露出的部分位於半導體晶粒300的主動表面300c上。包封體400包封半導體晶粒300的側壁，且包封體400被導電結構200穿透。換句話說，半導體晶粒300及導電結構200嵌置在包封體400中。要注意的是，導電結構200的頂表面、保護層360的頂表面及金屬柱350的頂表面與包封體400的頂表面實質上共面（coplanar）。換句話說，導電結構200的頂表面、保護層360的頂表面及金屬柱350的頂表面與包封體400的頂表面實質上齊平（level）。在一些實施例中，在平坦化製程之後，可視需要實行清潔步驟以清潔並移除從平坦化製程產生的殘留物。

參照圖17，在一些實施例中，在包封體400上形成晶種材料層SL。晶種材料層SL可透過例如濺鍍製程、PVD製程等形成。在一些實施例中，晶種材料層SL可包含例如銅、鈦-銅合金或其他合適的材料選擇。在一些實施例中，晶種材料層SL被共形地形成為直接接觸包封體400、半導體晶粒300的金屬柱350及保護層360以及導電結構200。之後，在晶種材料層SL上形成光阻層PR1，其中光阻層PR1透過圖10中所示方法的步驟S12到步驟S13以及圖11中所示方法形成，因此此處不再對其予以贅述。如圖17中所示，光阻層PR1具有帶有暴露出晶種材料層SL的至少一部分的多個開口OP1的圖案。在一些實施例中，開口OP1對應於金屬柱350及導電結構200的位置。

參照圖17及圖18，在一些實施例中，在晶種材料層SL上形成多個導電圖案512a。在一些實施例中，將導電材料（未示出）填充到形成在光阻層PR1中的開口OP1中。之後，移除光阻層PR1以獲得導電圖案512a。在某一些實施例中，透過圖10中所示方法的步驟S15以及圖12中所示方法來移除光阻層PR1，因此此處不再對其予以贅述。在移除光阻層PR1後，晶種材料層SL的未被導電圖案512a覆蓋的部分被暴露出。在一些實施例中，導電材料可透過鍍覆製程形成。鍍覆製程是例如電鍍、無電鍍覆、浸鍍（immersion plating）等。在一些實施例中，導電材料包括例如銅、銅合金等。

參照圖19，在一些實施例中，在晶種材料層SL及導電圖案512a上形成光阻層PR2。在一些實施例中，光阻層PR2可透過圖10中所示方法的步驟S12到S13以及圖11中所示方法來形成，因此此處不再對其予以贅述。如圖19中所示，光阻層PR2具有帶有暴露出導電圖案512a的至少一部分的多個開口OP2的圖案。

參照圖19及圖20，在一些實施例中，在導電圖案512a上形成多個導電圖案516。在一些實施例中，將導電材料（未示出）填充到形成在光阻層PR2中的開口OP2中。之後，移除光阻層PR2以獲得導電圖案516。在某一些實施例中，透過圖10中所示方法的步驟S15以及圖12中所示方法來移除光阻層PR2，因此此處不再對其予以贅述。在一些實施例中，導電材料可透過鍍覆製程形成。鍍覆製程是例如電鍍、無電鍍覆、浸鍍等。在一些實施例中，導電材料包括例如銅、銅合金等。在一些實施例中，導電圖案516的鍍覆製程與導電圖案512a的鍍覆製程共用同一晶種層。也就是說，晶種材料層SL可用作鍍覆導電圖案516及導電圖案512a兩者的晶種層。

參照圖20及圖21，在一些實施例中，移除未被導電圖案512a覆蓋的晶種材料層SL，以形成晶種層圖案512b。晶種材料層SL被暴露出的部分可透過刻蝕製程來移除。在一些實施例中，導電圖案512a及晶種層圖案512b可被統稱為導電圖案512。在一些實施例中，導電圖案512可被稱為第一佈線圖案而導電圖案516可被稱為導電通孔。

參照圖22，在一些實施例中，在包封體400及半導體晶粒300上形成介電層514以包封導電圖案512及導電圖案516。在一些實施例中，介電層514可透過合適的製作技術（例如，旋轉塗布、CVD、PECVD等）形成。在一些實施例中，導電圖案512、導電圖案516及介電層514可被統稱為第一子層。第一子層的數目可為一個或多於一個，本公開並不限於此。第一子層的數目可基於設計佈局及需求來指定。

參照圖23，在一些實施例中，在第一子層上形成多個導電圖案522a及多個晶種層圖案522b。在一些實施例中，導電圖案522a及晶種層圖案522b的材料及形成方法可分別類似於導電圖案512a及晶種層圖案512b，因此此處不再對其予以贅述。在一些實施例中，導電圖案522a及晶種層圖案522b可被統稱為導電圖案522。如圖23中所示，導電圖案522被形成為直接接觸導電圖案516。在一些實施例中，導電圖案522可被稱為第二佈線圖案。

參照圖24，在一些實施例中，在第一子層及導電圖案522上形成介電層DL。舉例來說，介電層DL被堆疊在介電層514上。在一些實施例中，介電層DL的材料包括聚醯亞胺、環氧樹脂、丙烯酸樹脂、酚醛樹脂、BCB、PBO或任何其他合適的聚合物系介電材料。在一個實施例中，介電層DL的材料可與介電層514的材料相同。在替代實施例中，介電層DL的材料可不同於介電層514的材料。介電層DL可透過圖10中所示方法的步驟S11來形成，因此此處不再對其予以贅述。

參照圖25，在一些實施例中，在介電層DL上形成光阻層PR3。在一些實施例中，光阻層PR3可透過圖10中所示方法的步驟S12到S13及圖11中所示方法形成，因此此處不再對其予以贅述。如圖25中所示，光阻層PR3具有帶有暴露出介電層DL的至少一部分的多個開口OP3的圖案。

參照圖25及圖26，在一些實施例中，對介電層DL進行圖案化以形成介電層524，且接著移除光阻層PR3。在某一些實施例中，可透過圖10中所示方法的步驟S14形成介電層524，因此此處不再對其予以贅述。在一些實施例中，光阻層PR3是透過圖10中所示方法的步驟S15及圖12中所示方法來移除，因此此處不再對其予以贅述。舉例來說，介電層524具有多個開口OP4。在一些實施例中，形成在介電層524中的開口OP4部分地暴露出導電圖案522。

參照圖27，在一些實施例中，在導電圖案522上形成多個導電圖案532以獲得重佈線路結構500。在一些實施例中，導電圖案532包括多個晶種層圖案532b及多個導電圖案532a。在一些實施例中，導電圖案532可透過以下步驟形成。首先，可在介電層524上形成延伸到開口OP4中的晶種材料層（未示出）。晶種材料層可透過例如濺鍍製程、PVD製程等形成。在一些實施例中，晶種材料層可包含例如銅、鈦-銅合金或其他合適的材料選擇。接著，可透過圖11中所示方法在晶種材料層上形成光阻圖案/層（未示出），因此此處不再對其予以贅述。光阻圖案/層具有暴露出位於開口OP4內的晶種材料層的多個開口。在一些實施例中，光阻圖案/層的開口還暴露出在開口OP4附近的晶種材料層的部分。之後，透過電鍍或沉積將導電材料（未示出）填充到形成在光阻圖案/層中的開口及形成在介電層524中的開口OP4中來形成導電圖案532a。接著，移除光阻圖案/層以及位於光阻圖案/層下面的晶種材料層來形成晶種層圖案532b，以獲得導電圖案532。舉例來說，光阻圖案/層是透過圖12中所示方法來移除，因此此處不再對其予以贅述。在一些實施例中，晶種材料層是透過刻蝕製程（例如濕式刻蝕、幹式刻蝕及其組合）來移除。

在一些實施例中，導電圖案532可被稱為球下金屬（under-ball metallurgy，UBM）圖案。在一些實施例中，導電圖案522、導電圖案532及介電層524可被統稱為第二子層。在一些實施例中，重佈線路結構500是由第一子層及第二子層構成。應注意，儘管重佈線路結構500在圖27中被示出具有兩個子層，但本公開並不限於此。在一些替代實施例中，重佈線路結構500可根據電路設計而由更多或更少的子層構成，且可透過控制第一子層的數目而進行調整。在一些實施例中，重佈線路結構500可被稱為超高密度（ultra-high density，UHD）重佈線路結構。如圖27中所示，在一些實施例中，重佈線路結構500電連接到導電結構200及半導體晶粒300。舉例來說，導電結構200透過重佈線路結構500電連接到半導體晶粒300。

參照圖28，在一些實施例中，在形成重佈線路結構500之後，將多個導電端子600放置在重佈線路結構500的導電圖案532（例如，UBM圖案）上。在一些實施例中，導電端子600電連接到重佈線路結構500。在一些實施例中，導電端子600包括焊料球或球柵陣列（ball grid array，BGA）球。在一些實施例中，導電端子600可透過植球製程或者回流製程（reflow process）被放置在UBM圖案上。導電端子600的數目並不限於本公開，而是可透過基於設計佈局及需求，控制開口OP4及導電圖案532的數目進行調整。

參照圖29，在一些實施例中，將形成在包封體400的底表面上的介電層100從剝離層DB剝離，以使介電層100與載板C分離。也就是說，移除載板C。在一些實施例中，剝離層DB（例如，LTHC釋放層）可被紫外（ultraviolet，UV）雷射輻照以使介電層100從載板C剝落。如圖29中所示，接著，對介電層100進行圖案化以在介電層100中形成多個開口OP5從而部分地暴露出導電結構200。在一些實施例中，形成在介電層100中的開口OP5是透過雷射鑽孔製程、機械鑽孔製程或其他合適的製程形成。

參照圖29及圖30，在一些實施例中，在介電層100中形成開口OP5之後，在被開口OP5暴露的導電結構200的底表面上分別形成多個導電端子700。並且，導電端子700可例如被回流以與導電結構200的底表面結合。如圖30中所示，在形成導電端子600及導電端子700之後，實現形成具有雙側端子（dual-side terminals）的封裝體10。在本公開中，封裝體10可被稱為積體扇出型（integrated fan-out，InFO）封裝體。

在形成導電端子700之前，採用固持元件（holding device）（未示出）來固定封裝體10，其中導電端子600由固持元件固持。舉例來說，固持元件可為膠帶（adhesive tape）、載板膜或抽吸墊（suction pad）。在形成導電端子700之後，從固持元件釋放導電端子600以形成封裝體10。在一些實施例中，在從固持元件釋放導電端子600之前，實行切割製程（dicing process）以將彼此內連的封裝體10切割成單獨並分開的封裝體10。在一個實施例中，切割製程是包括機械刀片鋸切或雷射切割的晶圓切割製程。

在一些實施例中，透過重佈線路結構500，導電端子600中的一些導電端子600電連接到半導體晶粒300。在一些實施例中，透過重佈線路結構500及導電結構200，導電端子700中的一些導電端子700電連接到半導體晶粒300。在一些實施例中，透過重佈線路結構500及導電結構200，導電端子700中的一些導電端子700電連接到導電端子600中的一些導電端子600。在特定實施例中，導電端子600中的一些導電端子600和/或導電端子700中的一些導電端子700可為電浮動的或接地的，本公開並不限於此。

在替代實施例中，可提供額外的（半導體）封裝體（未示出）。在一些實施例中，額外的（半導體）封裝體例如可包括記憶體元件，本公開並不限於此。在其他實施例中，額外的（半導體）封裝體例如可包括有機基底或印刷電路板（printed circuit board，PCB）。在特定實施例中，額外的（半導體）封裝體可透過導電端子600和/或導電端子700堆疊在圖30中所繪示的封裝體10上且電連接到封裝體10以製作層疊式封裝（package-on-package，POP）結構。

根據本公開的一些實施例，一種移除抗蝕劑層的方法包括至少以下步驟。以具有有機配體的金屬氧化物核心的材料來形成抗蝕劑層。全域地塗敷含氯化合物或含甲基化合物至所述抗蝕劑層上，以使所述含氯化合物或所述含甲基化合物與所述抗蝕劑層實行配體交換製程，從而透過昇華移除所述抗蝕劑層。

根據一些實施例，其中所述金屬氧化物核心包括氧化鉿、氧化鈦、氧化錫或氧化鋯。根據一些實施例，其中所述有機配體包括苯甲酸或磺酸。根據一些實施例，其中所述有機配體還包括甲基丙烯酸。根據一些實施例，其中所述含氯化合物包括四氯矽烷，且所述含甲基化合物包括三甲基鋁或二甲基乙醯胺。根據一些實施例，其中實行所述配體交換製程包括以由所述含氯化合物提供的氯基或由所述含甲基化合物提供的甲基來置換所述有機配體，以將其生成物轉變成揮發物。根據一些實施例，其中在全域地塗敷含氯化合物或含甲基化合物至抗蝕劑層上之前，所述方法還包括：實行氟化製程以使所述金屬氧化物核心與含氟化合物反應以形成金屬氟化物核心。根據一些實施例，其中所述含氟化合物包括氫氟酸。根據一些實施例，其中在實行所述氟化製程之前，所述方法還包括：實行配體移除製程以移除所述有機配體。根據一些實施例，其中實行所述配體移除製程包括實行臭氧電漿製程、氧電漿製程或遠程氧電漿製程。

根據本公開的一些實施例，一種形成圖案的方法包括至少以下步驟。在基礎層上形成抗蝕劑層。對所述抗蝕劑層進行圖案化以形成圖案化抗蝕劑層，所述圖案化抗蝕劑層具有暴露出所述基礎層的多個部分的多個開口，且所述圖案化抗蝕劑層的材料包括具有有機配體的金屬氧化物核心。使用所述圖案化抗蝕劑層作為罩幕來對所述基礎層進行圖案化以形成圖案。移除所述圖案化抗蝕劑層，其中移除所述圖案化抗蝕劑層包括全域地塗敷含氯化合物或含甲基化合物至所述所述圖案化抗蝕劑層上，以使所述含氯化合物或所述含甲基化合物與所述圖案化抗蝕劑層實行配體交換製程，從而透過昇華移除所述圖案化抗蝕劑層。

根據一些實施例，其中所述基礎層包括導電層、半導體層或絕緣層。根據一些實施例，其中對所述抗蝕劑層進行圖案化包括：在所述抗蝕劑層上提供光罩；透過所述光罩以電磁輻射來全域地輻照所述抗蝕劑層，以使所述抗蝕劑層的部分成為於所述電磁輻射的暴露部分，且所述抗蝕劑層的其餘部分成為於所述電磁輻射的未暴露部分，其中所述電磁輻射包括極紫外曝光；以及透過顯影劑來移除所述抗蝕劑層的所述暴露部分或所述未暴露部分，以形成具有所述多個開口的所述圖案化抗蝕劑層，所述多個開口暴露出所述基礎層的所述多個部分。根據一些實施例，其中實行所述配體交換製程包括以由所述含氯化合物提供的氯基或由所述含甲基化合物提供的甲基來置換所述有機配體，以將其生成物轉變成揮發物。根據一些實施例，其中在全域地塗敷含氯化合物或含甲基化合物至所述所述圖案化抗蝕劑層上之前，移除所述圖案化抗蝕劑層還包括實行氟化製程以使所述金屬氧化物核心與含氟化合物反應以形成金屬氟化物核心，其中所述含氟化合物包括氫氟酸。根據一些實施例，其中在全域地塗敷含氯化合物或含甲基化合物至所述所述圖案化抗蝕劑層上之前，移除所述圖案化抗蝕劑層還包括實行配體移除製程以移除所述有機配體，其中實行所述配體移除製程包括實行臭氧電漿製程、氧電漿製程或遠程氧電漿製程。

根據本公開的一些實施例，一種封裝體的製造方法包括至少以下步驟。提供半導體晶粒，其中所述半導體晶粒包括多個金屬柱。透過絕緣包封體來包封所述半導體晶粒。在所述半導體晶粒及所述絕緣包封體上形成重佈線路結構，且形成所述重佈線路結構包括：在所述絕緣包封體上形成帶有具有多個開口的圖案的抗蝕劑層，所述抗蝕劑層的材料包括具有有機配體的金屬氧化物核心；在所述絕緣包封體上形成對應於所述抗蝕劑層且電連接到所述多個金屬柱的金屬化層；以及全域地塗敷含氯化合物或含甲基化合物至所述抗蝕劑層上，以使所述含氯化合物或所述含甲基化合物與所述抗蝕劑層實行配體交換製程，從而透過昇華移除所述抗蝕劑層。

根據一些實施例，其中實行所述配體交換製程包括以由所述含氯化合物提供的氯基或由所述含甲基化合物提供的甲基來置換所述有機配體，以將其生成物轉變成揮發物。根據一些實施例，其中在全域地塗敷含氯化合物或含甲基化合物至所述抗蝕劑層上之前，所述方法還包括實行氟化製程以使所述金屬氧化物核心與含氟化合物反應以形成金屬氟化物核心，其中所述含氟化合物包括氫氟酸。根據一些實施例，其中在全域地塗敷含氯化合物或含甲基化合物至所述抗蝕劑層上之前，所述方法還包括實行配體移除製程以移除所述有機配體，其中實行所述配體移除製程包括實行臭氧電漿製程、氧電漿製程或遠程氧電漿製程。

雖然本發明實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明實施例的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10:封裝體 100、514、524、DL:介電層 200:導電結構 300:半導體晶粒 300a:後表面 300b:前表面 300c:主動表面 310:半導體基底 320:導電接墊 330:鈍化層 340:後鈍化層 350:金屬柱 360:保護層 400:包封體 400':包封材料 500:重佈線路結構 512、512a、516、522、522a、532、532a:導電圖案 512b、522b、532b:晶種層圖案 600、700:導電端子 A、B:箭頭 BL:基礎層 BL':圖案化基礎層 C:載板 DB:剝離層 E:曝光製程 O1、OP1、OP2、OP3、OP4、OP5:開口 O2、O3:凹部 PM:光罩 PR:抗蝕劑層 PR':圖案化抗蝕劑層 PR1、PR2、PR3:光阻層 S11、S12、S13、S14、S15、S21、S22、S23、S24、S31、S32、S33:步驟 SL:晶種材料層 SP:噴塗製程 Z:方向

結合附圖閱讀以下實施方式，會最佳地理解本發明實施例之態樣。應注意，根據本行業中的標準慣例，各種特徵並非按比例繪製。實際上，為了清楚起見，可以任意增加或減少各種特徵的尺寸。圖1、圖2A、圖3、圖4A、圖5、圖6、圖7、圖8A及圖9示出根據本公開一些實施例的形成圖案的方法的示意性剖視圖。圖2B示出根據本公開一些實施例的適用于形成圖案的方法中的形成抗蝕劑層的抗蝕劑的可能組合物。圖4B示出根據本公開一些實施例的在形成圖案的方法中用於對抗蝕劑層進行圖案化的化學（chemistry）。圖8B示出根據本公開一些實施例的在形成圖案的方法中用於移除抗蝕劑層的機制。圖8C示出根據本公開一些替代實施例的在形成圖案的方法中用於移除抗蝕劑層的機制。圖8D示出根據本公開一些替代實施例的在形成圖案的方法中用於移除抗蝕劑層的機制。圖8E示出根據本公開一些替代實施例的在形成圖案的方法中用於移除抗蝕劑層的機制。圖10示出根據本公開一些實施例的形成圖案的方法的流程圖。圖11示出根據本公開一些實施例的對抗蝕劑層進行圖案化的方法的流程圖。圖12示出根據本公開一些實施例的移除抗蝕劑層的方法的流程圖。圖13至圖30示出根據本公開一些實施例的製造封裝體的製程的中間階段的示意性剖視圖。

S31、S32、S33:步驟

Claims

一種移除抗蝕劑層的方法，包括：以具有有機配體的金屬氧化物核心的材料來形成抗蝕劑層；以及全域地塗敷含氯化合物或含甲基化合物至所述抗蝕劑層上，以使所述含氯化合物或所述含甲基化合物與所述抗蝕劑層實行配體交換製程，從而透過昇華移除所述抗蝕劑層。