TW202002350A - 顯示面板 - Google Patents
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Abstract
一種顯示面板，包括以下元件。至少一主動元件位於基底上。絕緣層位於至少一主動元件上。畫素定義層位於絕緣層上。至少一電致發光層的至少一部分位於畫素定義層之至少一容置部中，且電性連接至至少一主動元件以構成至少一畫素。至少一溝槽貫穿畫素定義層且鄰近於電致發光層。上電極位於至少一電致發光層上且其至少一部分填入至少一溝槽中。封裝層位於上電極上，且封裝層的至少一部分填入至少一溝槽中。
Description
本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種具有電致發光元件的顯示面板。
有機電致發光元件（organic electroluminescent device）是一種可將電能轉換成光能且具有高轉換效率的半導體元件，其常見的用途為指示燈以及顯示面板之發光元件等。由於有機電致發光元件具備如無視角問題與全彩化等特性，因此符合多媒體時代顯示器特性的要求，可望成為平面顯示器之主流。
然而，空氣中的氧氣及水分等成分會破壞有機電致發光元件中的有機電致發光層，進而影響有機電致發光元件的使用壽命。因此，如何提供一種有機電致發光元件的封裝技術，以增加有機電致發光元件的使用壽命將成為重要的一門課題。
本發明之一實施例提供一種顯示面板，其將封裝層的一部分填入鄰近電致發光元件的溝槽中，以增加顯示面板的側向之阻水氧能力，進而提升顯示面板的使用壽命。
本發明之一實施例提供一種顯示面板，包括基底、至少一主動元件、絕緣層、畫素定義層、至少一電致發光層、上電極以及封裝層。至少一主動元件位於基底上。絕緣層位於至少一主動元件上。畫素定義層位於絕緣層上。至少一電致發光層的至少一部分位於畫素定義層之至少一容置部中，且電性連接至至少一主動元件以構成至少一畫素。至少一溝槽貫穿畫素定義層且鄰近於至少一電致發光層。上電極位於至少一電致發光層上且其至少一部分填入至少一溝槽中。封裝層位於上電極上，且封裝層的至少一部分填入至少一溝槽中。
基於上述，本發明之一實施例將封裝層的一部分填入鄰近電致發光元件的溝槽中，以增加顯示面板的側向之阻水氧能力，進而提升顯示面板的使用壽命。本發明之另一實施例可在相鄰兩個畫素之間形成貫穿畫素定義層與絕緣層的多個開口，以增加顯示面板的可撓性。此外，封裝層的另一部分亦可填入多個開口中，以更進一步地增加顯示面板的阻水氧能力。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。圖式中的層與區域的厚度會為了清楚起見而放大。相同或相似之標號表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。
圖1是依照本發明的第一實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。
請參照圖1，本發明的第一實施例提供一種顯示面板10，其包括基底100、主動元件AD、層間絕緣層108、114、116、118、畫素定義層122、電致發光元件EL以及封裝層130。在一實施例中，基板100的材料可以是無機透明材料（例如玻璃、石英、其它適合材料及其組合）、有機透明材料（例如聚烯類、聚酼類、聚醇類、聚酯類、橡膠、熱塑性聚合物、熱固性聚合物、聚芳香烴類、聚甲基丙醯酸甲酯類、聚碳酸酯類、其它合適材料、上述之衍生物及其組合）或其組合。
如圖1所示，主動元件AD位於基底100上。主動元件AD包括主動層102、閘絕緣層104、閘極106、汲極110以及源極112，但本發明不以此為限。主動層102配置在基底100上。在一實施例中，主動層102的材料包括半導體材料。所述半導體材料包括（但不限於）矽基半導體材料（例如多晶矽）、氧化物基半導體材料（例如氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化銦鎵鋅等）或其組合。
閘絕緣層104配置在主動層102上，以覆蓋主動層102與基底100的表面。在一實施例中，閘絕緣層104的材料包括矽的氧化物（例如氧化矽）、矽的氮化物（例如氮化矽）或其組合。雖然圖1僅繪示出單一層的閘絕緣層104，但本發明不以此為限。在其他實施例中，閘絕緣層104可以是兩層結構或是更多層結構。在替代實施例中，當閘絕緣層104為兩層結構時，其可包括不同材料。
閘極106配置在閘絕緣層104上，使得閘絕緣層104位於主動層102與閘極106之間。在一實施例中，閘極106可包括金屬材料，例如是鉬、鋁、鉻、金、鈦、鎳、銅及其合金。
層間絕緣層108配置在閘極106上，以覆蓋閘極106與閘絕緣層104的表面。在一實施例中，層間絕緣層108的材料包括無機介電材料，其包括矽的氧化物（例如氧化矽）、矽的氮化物（例如氮化矽）或其組合。
汲極110與源極112分別配置在層間絕緣層108上。汲極110與源極112藉由層間絕緣層108與閘絕緣層104中的接觸洞（未標示）分別與主動層102電性連接。在一實施例中，汲極110與源極112的材料包括導電材料，其包括金屬、金屬氧化物或其組合。所述金屬可例如是鉬、鋁、鉻、金、鈦、鎳、銅及其合金。所述金屬氧化物可例如是銦錫氧化物（ITO）、銦鋅氧化物（IZO）或其組合。在其他實施例中，汲極110與源極112可以是相同的導電材料。在替代實施例中，汲極110與源極112亦可以是不同的導電材料。
如圖1所示，層間絕緣層114、116、118依序配置在汲極110與源極112上。在一實施例中，依序堆疊的層間絕緣層114、116、118可視為一絕緣層。舉例而言，層間絕緣層114覆蓋汲極110、源極112以及層間絕緣層108的表面上。層間絕緣層116位於層間絕緣層114、118之間。在一實施例中，層間絕緣層114的材料包括無機介電材料，其包括矽的氧化物（例如氧化矽）、矽的氮化物（例如氮化矽）或其組合。在替代實施例中，層間絕緣層108的材料與層間絕緣層114的材料相同。在其他實施例中，層間絕緣層108的材料與層間絕緣層114的材料不同。舉例來說，層間絕緣層108可以是氧化矽；層間絕緣層114可以是氮化矽。
在一實施例中，層間絕緣層116的材料包括無機介電材料，其包括矽的氧化物（例如氧化矽）、矽的氮化物（例如氮化矽）或其組合。在其他實施例中，層間絕緣層118的材料包括有機介電材料，其可例如是光阻材料、丙烯酸類樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂或其組合。但本發明不以此為限，在其他實施例中，層間絕緣層116亦可以是有機介電材料；而層間絕緣層118亦可以是無機介電材料。
如圖1所示，電致發光元件EL配置在層間絕緣層118上，並電性連接至主動元件AD以構成畫素P。電致發光元件EL包括下電極120、電致發光層124以及上電極126，但本發明不以此為限。下電極120配置在層間絕緣層118上，且藉由層間絕緣層118、116、114中的接觸洞（未標示）電性連接於汲極110。
畫素定義層122配置在下電極120上。如圖1所示，畫素定義層122具有對應於下電極120的容置部123。在一實施例中，畫素定義層122包括有機介電材料、無機介電材料或其組合。所述有機介電材料可例如是光阻材料、丙烯酸類樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂或其組合。所述無機介電材料包括矽的氧化物（例如氧化矽）、矽的氮化物（例如氮化矽）或其組合。
電致發光層124之至少一部分配置在容置部123中。在一實施例中，電致發光層124可包括依序堆疊的電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層以及電子注入層。但本發明不以此為限，在其他實施例中可依據設計來調整或更動電致發光層124的配置。上電極126配置在電致發光層124上且延伸覆蓋畫素定義層122的頂面。
畫素定義層122更包括溝槽125，其鄰近於電致發光元件EL。舉例而言，溝槽125貫穿畫素定義層122與層間絕緣層118，以暴露出層間絕緣層116的頂面。雖然剖面圖1繪示出兩個溝槽125分別位於電致發光元件EL的兩側，但本發明不以此為限。請參照圖1，上電極126的一部分填入溝槽125中，舉例而言，上電極126自電致發光層124的頂面，經由畫素定義層122的頂面，延伸且覆蓋溝槽125的表面。在一實施例中，上電極126可以是透明電極。
如圖1所示，封裝層130配置在上電極126上。封裝層130包括但不限於封裝材料132、134、136。封裝材料132全面性地形成在基底100上，且填入（或填滿）溝槽125中。封裝材料134配置在封裝材料132、136之間。在一實施例中，封裝材料132、136的材料包括無機材料，例如是氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、其組合或其他合適的無機材料。封裝材料134包括有機材料，例如是丙烯酸酯（acrylate）、丙烯酸甲酯（methacrylate）、丙烯酸（acrylic acid）、六甲基二矽氧烷（hexamethyldisiloxane，HMDSO）、其組合或其他合適的有機材料。雖然圖1所繪示出的封裝層130僅包括3層封裝材料132、134、136，但本發明不以此為限。在其他實施例中，封裝層130可包括多個無機材料與多個有機材料所構成的堆疊層。
在本實施例中，封裝層130的封裝材料132填入鄰近電致發光元件EL的溝槽125中，其可增加顯示面板10的側向之阻水氧能力，進而提升顯示面板10的使用壽命。另外，多個畫素P所在的顯示區（未標示）內因設置了溝槽125來作為阻水氧結構之一部分，故不須額外在顯示面板10之週邊區設置阻水氧結構或不須將位於週邊區之封裝層130設計為具有足夠大的寬度用以阻水氧，故本實施例亦可達到窄邊框的效果。
另外，本實施例的顯示面板10亦可選擇性地包括緩衝層101。緩衝層101配置在基底100與主動元件AD之間。在一實施例中，緩衝層101的材料可包括氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或其組合。
圖2是依照本發明的第二實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。
請參照圖2，第二實施例的顯示面板20與第一實施例的顯示面板10基本上相似，相似的構件的材料與配置已於上述段落說明過，於此便不再贅述。上述兩者不同之處在於：第二實施例的顯示面板20的溝槽225貫穿畫素定義層122、層間絕緣層118、116、114、108、閘絕緣層104以及緩衝層101，以暴露出基底100的頂面。上電極126的一部分填入溝槽225中。封裝層130的封裝材料132的一部分亦填入（或填滿）溝槽225中。
在本實施例中，以填入溝槽225的封裝材料132當作阻水氧結構，其不僅可側向保護電致發光元件EL，還可進一步地側向保護主動元件AD，以達到更全面性的封裝。
另外，顯示面板20更包括線路結構210、212、214配置在基底100的下方。舉例來說，線路結構210配置在基底100的底面100b上，線路結構210藉由基底100、緩衝層101、閘絕緣層104以及層間絕緣層108中的接觸洞（未標示）電性連接於汲極110。線路結構212配置在基底100的底面100b上，線路結構212藉由基底100、緩衝層101、閘絕緣層104以及層間絕緣層108中的接觸洞（未標示）電性連接於源極112。線路結構214配置在底面100b上，線路結構214藉由基底100以及緩衝層101中的接觸洞（未標示）電性連接於主動層102。
圖3是依照本發明的第三實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。
請參照圖3，第三實施例的顯示面板30與第一實施例的顯示面板10基本上相似，相似的構件的材料與配置已於上述段落說明過，於此便不再贅述。上述兩者不同之處在於：顯示面板30之封裝材料134的一部分亦填入（或填滿）溝槽325中。也就是說，填入溝槽325的封裝材料132、134可用以當作阻水氧結構，以側向保護電致發光元件EL。
圖4是依照本發明的第四實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。
請參照圖4，第四實施例的顯示面板40與第二實施例的顯示面板20基本上相似，相似的構件的材料與配置已於上述段落說明過，於此便不再贅述。上述兩者不同之處在於：顯示面板40之封裝材料134的一部分亦填入（或填滿）溝槽425中。也就是說，填入溝槽425的封裝材料132、134可用以當作阻水氧結構，以側向保護電致發光元件EL與主動元件AD。
圖5是依照本發明的第五實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。
請參照圖5，第五實施例的顯示面板50與第一實施例的顯示面板10基本上相似，相似的構件的材料與配置已於上述段落說明過，於此便不再贅述。上述兩者不同之處在於：顯示面板50包括兩個畫素P配置在基底100上，而開口505配置在相鄰兩個畫素P之間。舉例來說，開口505貫穿畫素定義層122、層間絕緣層118、116、114、108、閘絕緣層104以及緩衝層101，以暴露基底100的頂面。在一實施例中，開口505、容置部123以及溝槽125可同時形成。但本發明不以此為限，在其他實施例中，開口505、容置部123以及溝槽125亦可分別形成。在形成開口505之後，可在基底100上全面性地形成上電極126，並在上電極126上依序形成封裝材料132、134。在上電極126與封裝材料132、134填入開口505中之後，移除封裝材料134的一部分，以暴露出封裝材料132的表面。在此情況下，如圖5所示，封裝材料134被分成兩個部分134a、134b，以分別配置在畫素P上。在形成封裝材料134a、134b之後，在基底100上全面性地形成封裝材料136。如圖5所示，封裝材料136共形地覆蓋封裝材料134a、134b的頂面與側壁。
值得注意的是，如圖5所示，開口505的寬度大於溝槽125的寬度。開口505可以是上寬下窄的開口。也就是說，開口505具有上部505a與下部505b，上部505a的寬度大於下部505b的寬度。但本發明不以此為限，在其他實施例中，上部505a的寬度可等於下部505b的寬度，以形成寬度一致的開口。另外，開口505的深度大於溝槽125的深度。但本發明不以此為限，在其他實施例中，開口505的深度亦可等於溝槽225（如圖2所示）的深度。
在本實施例中，溝槽125位於畫素P（或電致發光元件EL）與開口505之間。某種程度來說，填入溝槽125的封裝層130可用以當作第一阻水氧結構；而填入開口505的封裝層130可用以當作第二阻水氧結構。在此情況下，如圖5所示，此雙重阻水氧結構可進一步增加顯示面板50的側向之阻水氧能力，進而提升顯示面板50的使用壽命。另一方面，若顯示面板50應用於透明顯示器時，開口505的設置亦有增加顯示面板50的透明度的優點。
圖6是依照本發明的第六實施例的一種顯示面板的上視示意圖。為了圖式清楚起見，圖6僅繪示出畫素定義層122、溝槽125、畫素P1、P2（或電致發光元件EL1、EL2）以及開口605，其他構件的配置關係請參照剖面圖5。
請參照圖6，第六實施例的顯示面板60的溝槽125可以是單一個環狀溝槽，其環繞單一個畫素P1或電致發光元件EL1。另外，溝槽125可以是兩個環狀溝槽125a、125b，其環繞單一個畫素P1或電致發光元件EL1。但本發明不以此為限，溝槽125的數量與配置可依據實際需求來進行調整。在其他實施例中，環狀溝槽125可環繞由多個畫素P2（或電致發光元件EL2）所構成的陣列。在替代實施例中，兩個環狀溝槽125a、125b亦可環繞由多個畫素P2（或電致發光元件EL2）所構成的陣列。雖然圖6僅繪示出3×3的畫素陣列，但本發明不以此為限。畫素P2（或電致發光元件EL2）的數量與排列方式可依據實際需求來進行調整。
值得注意的是，顯示面板60的開口605可以是環狀開口或是網格狀開口，其環繞溝槽125。由於開口605中的畫素定義層122、層間絕緣層118、116、114、108、閘絕緣層104以及緩衝層101已被移除，因此，整個顯示面板60的可撓性可隨之增加。另外，填入溝槽125的封裝層130與填入開口505的封裝層130可用以當作雙重阻水氧結構，以增加顯示面板60的側向之阻水氧能力，進而提升顯示面板60的使用壽命。
圖7是依照本發明的第七實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。
請參照圖7，第七實施例的顯示面板70與第五實施例的顯示面板50基本上相似，相似的構件的材料與配置已於上述段落說明過，於此便不再贅述。上述兩者不同之處在於：顯示面板70的開口705中填滿封裝材料134，以更進一步地增加顯示面板70的側向之阻水氧能力。
圖8是依照本發明的第八實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。
請參照圖8，第八實施例的顯示面板80與第五實施例的顯示面板50基本上相似，相似的構件的材料與配置已於上述段落說明過，於此便不再贅述。上述兩者不同之處在於：顯示面板80的封裝材料136、132的一部分以及上電極126的一部分被進一步地移除，開口805進一步暴露出基底100的頂面。在此情況下，如圖8所示，開口805包括上部805a、下部805b以及上述兩者之間的中間部805c。上部805a的寬度大於中間部805c的寬度；而中間部805c的寬度大於下部805b的寬度。但本發明不以此為限，在其他實施例中，開口805可具有一致的寬度。
圖9是依照本發明的第九實施例的一種顯示面板的上視示意圖。
請參照圖9，第九實施例的顯示面板90與第六實施例的顯示面板60基本上相似，相似的構件的材料與配置已於上述段落說明過，於此便不再贅述。上述兩者不同之處在於：顯示面板90的溝槽925可以是直條狀溝槽925a、925b。舉例來說，直條狀溝槽925a位於單一個畫素P1或電致發光元件EL1的兩側。也就是說，單一個畫素P1或電致發光元件EL1位於直條狀溝槽925a之間。另外，直條狀溝槽925b位於多個畫素P2（或電致發光元件EL2）所構成的陣列的兩側。也就是說，多個畫素P2（或電致發光元件EL2）所構成的陣列位於直條狀溝槽925b之間。雖然圖9的畫素P1、P2的單一側僅繪示出兩個直條狀溝槽925a、925b，但本發明不以此為限。直條狀溝槽925a、925b的數量與配置可依據實際需求來進行調整。
此外，由於顯示面板90的溝槽925為直條狀溝槽，因此，顯示面板90的開口905亦為直條狀開口，其位於溝槽925旁。具體來說，如圖9所示，開口905位於畫素P1與多個畫素P2所構成的陣列之間。直條狀溝槽925a則是位於開口905與畫素P1之間；而直條狀溝槽925b則是位於開口905與多個畫素P2所構成的陣列之間。
圖10是依照本發明的第十實施例的一種顯示面板的上視示意圖。
請參照圖10，第十實施例的顯示面板90’與第九實施例的顯示面板90基本上相似，相似的構件的材料與配置已於上述段落說明過，於此便不再贅述。上述兩者不同之處在於：顯示面板90’的直條狀溝槽925a為非連續性的直條狀溝槽，其分成兩個直條狀子溝槽925a1、925a2。直條狀子溝槽925a1位於畫素P1a的兩側；直條狀子溝槽925a2位於畫素P1b的兩側。直條狀子溝槽925a1、925a2之間是斷開的。也就是說，畫素定義層122配置在直條狀子溝槽925a1、925a2之間，以分隔上述兩者。相似地，直條狀溝槽925b也是非連續性的直條狀溝槽，其分成兩個直條狀子溝槽925b1、925b2。直條狀子溝槽925b1位於多個畫素P2a所構成的陣列的兩側；直條狀子溝槽925b2位於多個畫素P2b所構成的陣列的兩側。直條狀子溝槽925b1、925b2之間是斷開的。在其他實施例中，相鄰之直條狀子溝槽925a1、925a2可彼此連接，相鄰之直條狀子溝槽925b1、925b2可彼此連接，但本發明不以此為限。
綜上所述，本發明之一實施例將封裝層的一部分填入鄰近電致發光元件的溝槽中，以增加顯示面板的側向之阻水氧能力，進而提升顯示面板的使用壽命。本發明之另一實施例可在主動區中形成貫穿畫素定義層與絕緣層的多個開口，以增加顯示面板的可撓性。此外，封裝層的另一部分亦可填入多個開口中，以更進一步地增加顯示面板的阻水氧能力。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、20、30、40、50、60、70、80、90、90’‧‧‧顯示面板100‧‧‧基底100b‧‧‧基底的底面101‧‧‧緩衝層102‧‧‧主動層104‧‧‧閘絕緣層106‧‧‧閘極108、114、116、118‧‧‧層間絕緣層110‧‧‧汲極112‧‧‧源極120‧‧‧下電極122‧‧‧畫素定義層123‧‧‧容置部124‧‧‧電致發光層125、225、325、425、925‧‧‧溝槽125a、125b‧‧‧環狀溝槽126‧‧‧上電極130‧‧‧封裝層132、134、134a、134b、136‧‧‧封裝材料210、212、214‧‧‧線路結構505、605、705、805、905‧‧‧開口505a、805a‧‧‧開口的上部505b、805b‧‧‧開口的下部805c‧‧‧開口的中間部925a、925b‧‧‧直條狀溝槽925a1、925a2、925b1、925b2‧‧‧直條狀子溝槽AD‧‧‧主動元件EL、EL1、EL2‧‧‧電致發光元件P、P1、P1a、P1b、P2、P2a、P2b‧‧‧畫素
圖1是依照本發明的第一實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。 圖2是依照本發明的第二實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。 圖3是依照本發明的第三實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。 圖4是依照本發明的第四實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。 圖5是依照本發明的第五實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。 圖6是依照本發明的第六實施例的一種顯示面板的上視示意圖。 圖7是依照本發明的第七實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。 圖8是依照本發明的第八實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。 圖9是依照本發明的第九實施例的一種顯示面板的上視示意圖。 圖10是依照本發明的第十實施例的一種顯示面板的上視示意圖。
10‧‧‧顯示面板
100‧‧‧基底
101‧‧‧緩衝層
102‧‧‧主動層
104‧‧‧閘絕緣層
106‧‧‧閘極
108、114、116、118‧‧‧層間絕緣層
110‧‧‧汲極
112‧‧‧源極
120‧‧‧下電極
122‧‧‧畫素定義層
123‧‧‧容置部
124‧‧‧電致發光層
125‧‧‧溝槽
130‧‧‧封裝層
132、134、136‧‧‧封裝材料
AD‧‧‧主動元件
EL‧‧‧電致發光元件
P‧‧‧畫素
Claims (15)
- 一種顯示面板，包括： 至少一主動元件，位於一基底上； 一絕緣層，位於該至少一主動元件上； 一畫素定義層，位於該絕緣層上； 至少一電致發光層，其至少一部分位於該畫素定義層之至少一容置部中，且電性連接至該至少一主動元件以構成至少一畫素，其中至少一溝槽貫穿該畫素定義層且鄰近於該至少一電致發光層； 一上電極，位於該至少一電致發光層上且至少一部分填入該至少一溝槽中；以及 一封裝層，位於該上電極上，且該封裝層的至少一部分填入該至少一溝槽中。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該至少一溝槽實質上環繞該至少一電致發光層。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該至少一電致發光層的數量為多個，該至少一溝槽實質上環繞多個電致發光層。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該至少一溝槽為直條狀且其數量為多個，該至少一電致發光層位於該些溝槽之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該至少一溝槽更貫穿該絕緣層。
- 如申請專利範圍第5項所述的顯示面板，更包括一緩衝層位於該基底與該至少一主動元件之間，該至少一溝槽更貫穿該緩衝層。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括一線路結構位於該基底的下方且電性連接至該至少一主動元件。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該封裝層包括至少一無機材料與至少一有機材料所構成的堆疊層。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括至少一下電極位於該絕緣層與該至少一電致發光層之間，其與該至少一電致發光層以及該上電極構成至少一電致發光元件。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括至少一開口貫穿該畫素定義層與該絕緣層，該上電極與該封裝層填入該至少一開口中，其中該至少一開口之寬度大於該至少一溝槽之寬度。
- 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該至少一開口環繞該至少一溝槽。
- 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該至少一開口為直條狀且位於該至少一溝槽旁。
- 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該至少一開口暴露出該基底的頂面。
- 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該至少一溝槽的深度小於或等於該至少一開口的深度。
- 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該至少一溝槽位於該至少一畫素與該至少一開口之間。
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