TW202009984A - 軟性基板及線路結構及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種軟性基板及線路結構的製造方法，其步驟如下。於載體上形成離形層。將至少一晶片配置在離形層上。注入高分子材料，以至少覆蓋至少一晶片的部分側壁。將高分子材料固化為高分子基板。分離高分子基板與離形層，其中至少一晶片嵌入高分子基板中。於高分子基板的第一表面上形成第一線路結構，第一線路結構與至少一晶片的第一接墊電性連接。
Description
本發明是有關於一種軟性基板及線路結構及其製造方法。
隨著半導體技術日益進步，發光二極體（light emitting diode，LED）的發光亮度與發光效率大幅地提升。因此，發光二極體顯示器已逐漸取代傳統的顯示器而成為新一代的照明元件，其廣泛地應用在例如家用照明裝置、汽車照明裝置、手持照明裝置、液晶面板背光源、交通號誌指示燈、指示或廣告看板等照明應用上。
然而，在一般發光二極體晶片打件時，容易因線路板不平整而造成晶片位移（shift）、晶片旋轉（rotate）的問題，或者是在一般發光二極體顯示器的轉置製程時容易發生晶片偏移問題。如何解決上述晶片位移、旋轉或是偏移問題將成為未來重要的一門課題。
本發明提供一種軟性基板及線路結構及其製造方法，其可製造出可撓性或具有拉伸性的線路基板結構，並解決晶片打件時因線路板不平整所造成的晶片位移、晶片旋轉的問題或改善一般發光二極體顯示器之轉置製程時的晶片偏移問題。
本發明提供一種軟性基板及線路結構的製造方法，其步驟如下。於載體上形成離形層。將至少一晶片配置在離形層上。注入高分子材料，以至少覆蓋至少一晶片的部分側壁。將高分子材料固化為高分子基板。分離高分子基板與離形層，其中至少一晶片嵌入高分子基板中。於高分子基板的第一表面上形成第一線路結構，第一線路結構與至少一晶片的第一接墊電性連接。
本發明提供一種軟性基板及線路結構，包括高分子基板、多個發光元件晶片以及第一線路結構。高分子基板具有相對的第一表面與第二表面。多個發光元件晶片嵌入高分子基板中。第一線路結構配置於高分子基板的第一表面上。各發光元件晶片中的第一接墊或第二接墊與高分子基板的第一表面共平面。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。圖式中的層與區域的厚度會為了清楚起見而放大。相同或相似之標號表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。
圖1A至圖1E是依照本發明的第一實施例的一種軟性基板及線路結構的製造流程的立體示意圖。本實施例提供一種軟性基板及線路結構的製造方法，其以晶片優先模封方式將晶片100嵌入高分子基板108中，詳細步驟如下。
請參照圖1A，首先，於載體102上形成離形層104。在一實施例中，載體102的材料可以是玻璃、石英、金屬、陶瓷或其它合適的材料。在一些實施例中，離形層104的材料可以是聚合物、有機材料、無機材料或其組合。在其他實施例中，離形層104可包括固態、液態或是凝膠態。
請參照圖1B，藉由轉置法將多個晶片100配置在離形層104上。在一實施例中，所述轉置法包括靜電方式、真空吸取方式、機械手臂取放（pick and place）方式、晶圓對晶圓接合（wafer to wafer bonding）方式或黏取方式。但本發明不以此為限，只要是能將晶片100配置在離形層104上的任何轉置方式皆為本發明的範疇。在一實施例中，晶片100可以是長、寬、高皆小於1毫米（mm）的微發光二極體。由於晶片100的體積小，在轉置時容易位移或旋轉，因此離形層104可用以將晶片100暫時固定或貼附在載體102上，而改善產生位移或旋轉的現象。在一些實施例中，離形層104的材料包括具有暫時固定特性的材料。另外，晶片100的數量、功能以及配置可依實際需求來進行調整。舉例來說，圖1B中的單一個晶片100可以是發出單色的發光二極體。另一方面，圖1B中的單一個晶片100可包括將紅色發光二極體、藍色發光二極體以及綠色發光二極體整合在一模組中。在一些實施例中，晶片100可例如是發光元件晶片、主動元件晶片、被動元件晶片或其組合。在替代實施例中，各個晶片100可以是具有相同功能的晶片或是具有不同功能的晶片。
請參照圖1C與圖1D，在將晶片100配置在離形層104上之後，注入高分子材料106，以覆蓋晶片100。在一實施例中，高分子材料106包括聚二甲基矽氧烷（Polydimethylsiloxane，PDMS）、聚氨酯（Polyurethane，PU）、熱可塑性聚氨酯（Thermoplastic Urethane，TPU）、聚亞醯胺（Polyimide，PI）或其組合。
請參照圖1D，將高分子材料106固化為高分子基板108。此時，高分子基板108的第一表面108a朝向且接觸離形層104。在一實施例中，所述固化步驟例如採用加溫成膜處理，舉例來說藉由將高分子材料106加熱至60℃至220℃之間，以使高分子材料106固化或成膜。但本發明不以此為限，在其他實施例中，依據高分子材料106的種類不同，所述固化的方式或溫度也有所不同。
請參照圖1D與圖1E，分離高分子基板108與離形層104。具體來說，可藉由物理性脫模（mechanical debond）、雷射脫模（laser debond）或變溫脫模（heating or cooling debond）的方式將高分子基板108與離形層104（或載體102）分開或分離。在此情況下，可將高分子基板108上下翻轉，使得高分子基板108的第一表面108a朝上，如圖1E所示，晶片100嵌入於高分子基板108中，且晶片100的至少一接墊（如圖2B所示的接墊208、210）外露於高分子基板108。某種程度來說，各個晶片100的所述至少一接墊可視為共平面，其便於進行後續網印步驟（screen printing）110，以更進一步地提高軟性基板及線路結構的良率。
接著，進行網印步驟110，以將第一線路結構112（如圖2F所示）形成在高分子基板108的表面上。在一實施例中，網印步驟110使用可拉伸性的導電銀膠與絕緣膠間隔設置，來印刷出所需多層不同輸入訊號的導電線路，但本發明不以此為限。在本實施例中，將晶片100嵌入至高分子基板108之後再形成第一線路結構112的步驟可固定晶片100的位置，並使得晶片100的所述至少一接墊共平面，以利於網印步驟110。詳細地說，在本實施例中，將晶片100轉置至離形層104上，再注入高分子材料106的步驟可減少高分子基板108與嵌入高分子基板108中的晶片100之間的高度差，進而解決因晶片表面或擺放不平整使得後續線路結構與晶片產生電性連接偏移的問題。也就是說，以本實施例的製造方法所製造的軟性基板及線路結構的良率可獲得改善。
此外，在分離高分子基板108與離形層104之後且進行網印步驟110之前，可選擇性地清除殘留在高分子基板108上的離形層104。在一實施例中，可藉由離子轟擊的方式或是溶液（例如是酒精、丙酮或甲苯）清洗的方式來清除殘留在高分子基板108上的離形層104，以使高分子基板108上的離形層104減少殘留。
圖2A至圖2F是依照本發明的第二實施例的一種軟性基板及線路結構的製造流程的剖面示意圖。
請參照圖2A與圖2B，第二實施例的軟性基板及線路結構的製造流程與第一實施例的軟性基板及線路結構的製造流程基本上相似，也就是說，圖2A與圖1A相同且已於上述段落說明過，於此便不再贅述。第二實施例的軟性基板及線路結構的製造流程是以發光元件晶片200為例來進行說明。在本實施例中，發光元件晶片200可以是水平式發光二極體。如圖2B的放大圖所示，發光元件晶片200包括第一半導體層202、發光層204、第二半導體層206、第一接墊208以及第二接墊210。發光層204形成於第一半導體層202上。第二半導體層206形成於發光層204上。第一接墊208形成於第一半導體層202上。第二接墊210形成於第二半導體層206上。另外，還包括絕緣材料（未繪示）環繞發光元件晶片200的外緣來保護發光元件晶片200。
詳細地說，發光元件晶片200（以下簡稱為晶片200）的製造方法如下。首先，於磊晶基板（未繪示）上依序形成第一半導體層202、發光層204以及第二半導體層206。在一實施例中，第一半導體層202的導電型與第二半導體層206的導電型不同。舉例來說，第一半導體層202可以是N型半導體材料，第二半導體層206可以是P型半導體材料；反之亦然。在一些實施例中，發光層204的材料可例如是多重量子井發光材料。然後，移除部分第二半導體層206與部分發光層204，以暴露出第一半導體層202的部分表面。接著，將第一接墊208形成在第一半導體層202的部分表面上，並將第二接墊210形成在第二半導體層206的表面上。在一實施例中，第一接墊208與第二接墊210可以是相同材料，例如是導電材料。在本實施例中，第二接墊210高於第一接墊208，且第一接墊208的頂面208t與第二接墊210的頂面210t之間具有一高度差H1。在一實施例中，高度差H1約為1微米（μm），但不以此為限。
如圖2B所示，藉由轉置法將多個晶片200配置在離形層104上。詳細地說，先將晶片200上下翻轉，使得第一接墊208的頂面208t與第二接墊210的頂面210t朝向離形層104。在一實施例中，第二接墊210的頂面210t抵靠或接觸離形層104，而第一接墊208的頂面208t與離形層104相隔一距離。上述步驟可視為是以接墊朝下（pad-down）的方式來配置晶片200於離形層104上。雖然圖2B僅繪示出3個晶片200，但本發明不以此為限。在其他實施例中，晶片200數量與配置可依需求來調整。在替代實施例中，晶片200可排列成陣列。
請參照圖2C，在將晶片200配置在離形層104上之後，注入高分子材料106，以包覆晶片200的表面。具體來說，由於高分子材料106為可流動性材料，因此，高分子材料106不僅覆蓋晶片200的側壁200s與上表面200t，還填入第一接墊208的頂面208t與離形層104之間的空間105中。
請參照圖2C與圖2D，將高分子材料106固化為高分子基板108，且分離高分子基板108與離形層104。在此情況下，如圖2D所示，將高分子基板108上下翻轉，使得第一接墊208的頂面208t與第二接墊210的頂面210t朝上。晶片200嵌入於高分子基板108中，且第二接墊210的頂面210t外露於高分子基板108的第一表面108a。在本實施例中，晶片200的第二接墊210的頂面210t與高分子基板108的第一表面108a共平面。在一實施例中，高分子基板108的厚度H2可以是1微米至2000微米。相較於高分子基板108的厚度H2，第一接墊208的頂面208t與第二接墊210的頂面210t之間約為1微米的高度差H1可視為共平面。在替代實施例中，第一接墊208的頂面208t與第二接墊210的頂面210t皆與高分子基板108的第一表面108a共平面。
請參照圖2D與圖2E，移除高分子基板108的一部分，以形成開口109。開口109自高分子基板108的第一表面108a向下延伸，並暴露出晶片200的第一接墊208的頂面208t。在一實施例中，形成開口109的方式可包括（但不限於）微影製程與蝕刻製程。
請參照圖2E與圖2F，接著，進行網印步驟，以於高分子基板108的第一表面108a上形成第一線路結構112。具體來說，第一線路結構112包括導電層114、118、120與絕緣層116。導電層114形成於第二接墊210的頂面210t上，以與第二接墊210電性連接。導電層118形成於導電層114上方。絕緣層116形成於導電層114、118之間，以電性絕緣導電層114、118。導電層120填入開口109中且延伸覆蓋配置高分子基板108的部分第一表面108a，以與第一接墊208電性連接。在一實施例中，導電層114與導電層120可依序形成，而導電層118與導電層120可同時形成。形成第一線路結構112之後，本實施例之內嵌晶片200的軟性基板及線路結構便已製造完成。在一些實施例中，內嵌晶片200的軟性基板及線路結構可視為一種發光二極體顯示器，例如是交通號誌指示燈、透明可撓面板、指示或廣告看板等。
圖3A至圖3E是依照本發明的第三實施例的一種軟性基板及線路結構的製造流程的剖面示意圖。
請參照圖3A與圖3B，第三實施例的軟性基板及線路結構的製造流程與第一實施例的軟性基板及線路結構的製造流程基本上相似，也就是說，圖3A與圖1A相同且已於上述段落說明過，於此便不再贅述。第三實施例的軟性基板及線路結構的製造流程是以發光元件晶片200為例來進行說明。在本實施例中，發光元件晶片200可以是水平式發光二極體。
詳細地說，如圖3B所示，藉由轉置法將晶片200配置在離形層104上的步驟包括：使得第一接墊208的頂面208t與第二接墊210的頂面210t背離離形層104。在一實施例中，晶片200的第一半導體層202的背面202b抵靠或接觸離形層104。上述步驟可視為是以接墊朝上（pad-up）的方式來配置晶片200於離形層104上。
請參照圖3C，在將晶片200配置在離形層104上之後，注入高分子材料106，以覆蓋晶片200的部分側壁200s。在一實施例中，高分子材料106的厚度T1小於或等於晶片200的厚度T2。在替代實施例中，高分子材料106至少覆蓋晶片200的側壁200s的高度的三分之一。也就是說，高分子材料106的厚度T1可大於或等於晶片200的厚度T2的三分之一。在此情況下，如圖3C所示，第一接墊208的頂面208t與第二接墊210的頂面210t外露於高分子材料106。
請參照圖3C與圖3D，將高分子材料106固化為高分子基板108，且分離高分子基板108與離形層104。此情況下，如圖3D所示，晶片200嵌入高分子基板108中，且第一接墊208的頂面208t與第二接墊210的頂面210t外露於高分子基板108的第一表面108a。在一實施例中，晶片200的第一半導體層202的背面202b與高分子基板108的第二表面108b共平面。在替代實施例中，晶片200的第一接墊208的頂面208t與高分子基板108的第一表面108a共平面。
請參照圖3D與圖3E，進行網印步驟，以於高分子基板108的第一表面108a上形成第一線路結構212。舉例來說，第一線路結構212包括導電層214、218、220與絕緣層216。導電層214形成於第一接墊208的頂面208t上，以與第一接墊208電性連接。導電層218形成於導電層214上方。絕緣層216形成於導電層214、218之間，以電性絕緣導電層214、218。導電層220形成第二接墊210的頂面210t上，以與第二接墊210電性連接。在一實施例中，導電層214與導電層220可依序形成，而導電層218與導電層220可同時形成。
圖4是依照本發明的第四實施例的一種軟性基板及線路結構的剖面示意圖。
請參照圖4，第四實施例的軟性基板及線路結構與第三實施例的軟性基板及線路結構基本上相似。上述兩者不同之處在於，第四實施例的軟性基板及線路結構所內嵌的晶片300為垂直式發光二極體。具體來說，發光元件晶片300包括第一半導體層202、發光層204、第二半導體層206、第一接墊208以及第二接墊210。發光層204形成於第一半導體層202與第二半導體層206之間。第一接墊208形成於第一半導體層202上，遠離發光層204的一側。第二接墊210形成於第二半導體層206上，遠離發光層204的另一側。在本實施例中，第一接墊208的頂面208t朝上，第二接墊210的頂面210t朝下。
高分子基板108環繞發光元件晶片300的側壁300s，第一接墊208的頂面208t外露於高分子基板108的第一表面108a，而第二接墊210的頂面210t外露於高分子基板108的第二表面108b。在一實施例中，高分子基板108的第一表面108a與第二表面108b彼此相對。雖然圖4中的第一接墊208的頂面208t高於高分子基板108的第一表面108a，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一接墊208的頂面208t與高分子基板108的第一表面108a可實質上共平面。相似地，第二接墊210的頂面210t與高分子基板108的第二表面108b亦可實質上共平面。
第一線路結構312a形成於高分子基板108的第一表面108a上，且與第一接墊208電性連接。第一線路結構312b形成於高分子基板108的第二表面108b上，且與第二接墊210電性連接。
雖然上述實施例僅繪示水平式發光二極體晶片與垂直式發光二極體晶片，但本發明不以此為限。在其他實施例中，內嵌在軟性基板及線路結構中的晶片亦可以是倒置（flip chip）發光二極體晶片、主動元件晶片、被動元件晶片或其組合。
綜上所述，本發明藉由晶片優先模封方式（chip first molding），將至少一晶片嵌入高分子基板中。接著，藉由網印法在高分子基板的第一表面上形成第一線路結構，使得第一線路結構與至少一晶片的第一接墊電性連接。因此，本發明的製造方法可製造出可撓性或具有拉伸性的線路板結構，並解決晶片因表面或擺放不平整所造成的晶片位移或晶片旋轉的問題，而導致後續驅動線路與晶片電性連接偏移的問題。此外，相較於傳統的印刷線路板的製造方法，本發明的軟性基板及線路結構的製造方法具有製程簡單、快速生產以及製造成本較低等優勢，以使產品具有商業競爭力。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、200、300‧‧‧晶片102‧‧‧載體104‧‧‧離形層106‧‧‧高分子材料108‧‧‧高分子基板108a‧‧‧第一表面108b‧‧‧第二表面109‧‧‧開口110‧‧‧網印步驟112、212、312a‧‧‧第一線路結構312b‧‧‧第二線路結構114、118、120、214、218、220‧‧‧導電層116、216‧‧‧絕緣層200s、300s‧‧‧晶片的側壁202‧‧‧第一半導體層204‧‧‧發光層206‧‧‧第二半導體層208‧‧‧第一接墊208t‧‧‧第一接墊的頂面210‧‧‧第二接墊210t‧‧‧第二接墊的頂面H1‧‧‧高度差H2‧‧‧高分子基板的厚度T1‧‧‧高分子材料的厚度T2‧‧‧晶片的厚度
圖1A至圖1E是依照本發明的第一實施例的一種軟性基板及線路結構的製造流程的立體示意圖。 圖2A至圖2F是依照本發明的第二實施例的一種軟性基板及線路結構的製造流程的剖面示意圖。 圖3A至圖3E是依照本發明的第三實施例的一種軟性基板及線路結構的製造流程的剖面示意圖。 圖4是依照本發明的第四實施例的一種軟性基板及線路結構的剖面示意圖。
200‧‧‧晶片
108‧‧‧高分子基板
108a‧‧‧第一表面
112‧‧‧第一線路結構
114、118、120‧‧‧導電層
116‧‧‧絕緣層
208‧‧‧第一接墊
210‧‧‧第二接墊
Claims (20)
- 一種軟性基板及線路結構的製造方法，包括： 於載體上形成離形層； 將至少一晶片配置在所述離形層上； 注入高分子材料，以至少覆蓋所述至少一晶片的部分側壁； 將所述高分子材料固化為高分子基板； 分離所述高分子基板與所述離形層，其中所述至少一晶片嵌入所述高分子基板中；以及 於所述高分子基板的第一表面上形成第一線路結構，所述第一線路結構與所述至少一晶片的第一接墊電性連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的軟性基板及線路結構的製造方法，其中所述至少一晶片包括發光元件晶片、主動元件晶片、被動元件晶片或其組合。
- 如申請專利範圍第1項所述的軟性基板及線路結構的製造方法，其中所述至少一晶片包括發光元件晶片，所述發光元件晶片包括發光二極體，其包括： 第一半導體層； 發光層，形成於所述第一半導體層上； 第二半導體層，形成於所述發光層上； 所述第一接墊，形成於所述第一半導體層上；以及 第二接墊，形成於所述第二半導體層上。
- 如申請專利範圍第3項所述的軟性基板及線路結構的製造方法，其中將所述至少一晶片配置在所述離形層上的步驟包括：將所述至少一晶片的所述第一接墊與所述第二接墊朝向所述離形層，且所述第一接墊與所述第二接墊中的至少一者抵靠所述離形層。
- 如申請專利範圍第3項所述的軟性基板及線路結構的製造方法，其中於所述高分子基板的表面上形成所述第一線路結構之前，更包括移除所述高分子基板的一部分，以暴露出所述至少一晶片的所述第一接墊與所述第二接墊。
- 如申請專利範圍第3項所述的軟性基板及線路結構的製造方法，其中將所述至少一晶片配置在所述離形層上的步驟包括：將所述至少一晶片的所述第一接墊與所述第二接墊背離所述離形層。
- 如申請專利範圍第1項所述的軟性基板及線路結構的製造方法，其中在注入所述高分子材料的步驟中，所述高分子材料的厚度小於或等於所述至少一晶片的厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述的軟性基板及線路結構的製造方法，其中在注入所述高分子材料的步驟中，所述高分子材料至少覆蓋所述至少一晶片的側壁的高度的三分之一。
- 如申請專利範圍第1項所述的軟性基板及線路結構的製造方法，其中所述高分子材料包括聚二甲基矽氧烷、聚氨酯、熱可塑性聚氨酯、聚亞醯胺或其組合。
- 如申請專利範圍第1項所述的軟性基板及線路結構的製造方法，其中將所述高分子材料固化為所述高分子基板的步驟包括加熱至60℃至220℃之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的軟性基板及線路結構的製造方法，其中將所述至少一晶片配置在所述離形層上的方法包括轉置法，所述轉置法包括靜電方式、真空吸取方式、機械手臂取放方式、晶圓對晶圓接合方式或黏取方式。
- 如申請專利範圍第1項所述的軟性基板及線路結構的製造方法，其中所述離形層的材料包括具有暫時固定特性的材料，其用以暫時固定所述至少一晶片。
- 如申請專利範圍第1項所述的軟性基板及線路結構的製造方法，更包括於所述高分子基板的第二表面上形成第二線路結構，所述第二線路結構與所述至少一晶片的第二接墊電性連接，其中所述高分子基板的所述第二表面相對於所述高分子基板的所述第一表面。
- 一種軟性基板及線路結構，包括： 高分子基板，具有相對的第一表面與第二表面； 多個發光元件晶片，嵌入所述高分子基板中；以及 第一線路結構，配置於所述高分子基板的所述第一表面上，其中各所述發光元件晶片中的第一接墊或第二接墊與所述高分子基板的所述第一表面共平面。
- 如申請專利範圍第14項所述的軟性基板及線路結構，其中所述發光元件晶片包括多個發光二極體，各所述發光二極體包括： 第一半導體層； 第二半導體層； 發光層，位於所述第一半導體層與所述第二半導體層之間； 所述第一接墊，與所述第一半導體層相連接；以及 所述第二接墊，與所述第二半導體層相連接，其中所述第二接墊高於所述第一接墊，且所述第二接墊的頂面與所述高分子基板的所述第一表面共平面。
- 如申請專利範圍第14項所述的軟性基板及線路結構，其中所述發光元件晶片包括多個發光二極體，各所述發光二極體包括： 第一半導體層； 第二半導體層； 發光層，位於所述第一半導體層與所述第二半導體層之間； 所述第一接墊，與所述第一半導體層相連接；以及 所述第二接墊，與所述第二半導體層相連接，其中所述第二接墊高於所述第一接墊，且所述第一接墊的頂面與所述高分子基板的所述第一表面共平面。
- 如申請專利範圍第16項所述的軟性基板及線路結構，其中各所述發光二極體的所述第一半導體層與所述第一接墊相對的一背面與所述高分子基板的所述第二表面共平面。
- 如申請專利範圍第14項所述的軟性基板及線路結構，其中所述發光元件晶片包括多個發光二極體，各所述發光二極體包括： 發光層，位於第一半導體層與第二半導體層之間； 所述第一接墊，位於所述第一半導體層上且外露於所述高分子基板的所述第一表面；以及 所述第二接墊，位於所述第二半導體層上且外露於所述高分子基板的所述第二表面。
- 如申請專利範圍第18項所述的軟性基板及線路結構，其中所述第一接墊的頂面與所述高分子基板的所述第一表面共平面，且所述第二接墊的頂面與所述高分子基板的所述第二表面共平面。
- 如申請專利範圍第18項所述的軟性基板及線路結構，更包括第二線路結構配置於所述高分子基板的所述第二表面上，且所述第二線路結構與所述第二接墊電性連接。
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