TW202006963A - 砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器 - Google Patents
砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202006963A TW202006963A TW107123461A TW107123461A TW202006963A TW 202006963 A TW202006963 A TW 202006963A TW 107123461 A TW107123461 A TW 107123461A TW 107123461 A TW107123461 A TW 107123461A TW 202006963 A TW202006963 A TW 202006963A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- gallium arsenide
- type
- infrared light
- doped high
- Prior art date
Links
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 101
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本發明有關於一種砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器，其包含有一基板，於基板上依序形成有一緩衝層、一n型砷化鎵層、一n型砷化鎵間隔層、一主動層、一p型摻雜高能量濾波層與一p+型砷化鎵歐姆接觸層；藉此，p型摻雜高能量濾波層能將其他波長的光線濾除，使本發明正確檢測到紅光與紅外光。
Description
本發明係有關於一種砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器，尤其係指一種以插入磊晶層之結構設計，使砷化鎵之光檢測器正確檢測出需要的波長範圍。
按，砷化鎵(GaAs)是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料，可用來製作發光二極體或是光檢測器等元件。光檢測器係用來偵測光訊號，其會接收光源之光線，利用光檢測器中各材料層具有之能隙，使得入射光之光子被吸收後，產生電子電洞對，將光子轉換成電子，也就是把光訊號轉換成電訊號，入射光愈強則產生的電子愈多，並由此電訊號檢測入射光。
習知技術中，以砷化鎵製作光檢測器之技術已經算是相當成熟，如第四圖所示，即為一種習知的光檢測器，係於砷化鎵基板(3)上依序形成有一砷化鎵緩衝層(31)、一n型砷化鎵層(32)、一砷化鎵主動層(33)、一p型砷化鎵層(34)與一砷化鎵歐姆接觸層(35)；或可例如中華民國發明專利公告號TW I244768「光檢測器」揭露之技術，其主要係由基板、n型Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體層、未摻雜Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體層、超晶格應力結構、透明導電層、p型電極以及n型電極所組成，透過透明導電層與超晶格應力結構的設置，使光檢測器有較好的歐姆接觸，以提升整體之特性。
然而，利用此種砷化鎵光檢測器去檢測紅光或紅外光時，需要搭配外加的光學薄膜或濾波結構，才能達到帶通紅光或紅外光之光檢測的目的，但此種額外搭配光學薄膜或濾波結構的方式，具有製作成本高、製程時間長、製作複雜度高、結構複雜及不易微小化等缺失，係仍有改善空間。爰此，如何提供一種不須搭配額外之製程以及結構，以達到檢測帶通紅光與紅外光之效果，此即本發明人所思及之方向。
今，發明人即是鑑於上述現有之光檢測器於實際實施使用時仍具有多處缺失，於是乃一本孜孜不倦之精神，並藉由其豐富專業知識及多年之實務經驗所輔佐，而加以改善，並據此研創出本發明。
本發明主要目的為提供一種砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器，其係以插入磊晶層之結構設計，使光檢測器不需要為了檢測紅光與紅外光額外增加其他結構，讓本光檢測器接收入射光之訊號時，能檢測出帶通紅光與紅外光。
為了達到上述實施目的，本發明一種砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器，其包含有一基板，於基板上依序形成有一緩衝層、一n型砷化鎵層、一n型砷化鎵間隔層、一主動層、一p型摻雜高能量濾波層與一p+型砷化鎵歐姆接觸層。
於本發明之一實施例中，基板為砷化鎵基板；緩衝層為砷化鎵緩衝層。
於本發明之一實施例中，主動層選自化學式為Alx
Iny
Ga1-x-y
As之材料，厚度範圍為1 μm~5 μm。
於本發明之一實施例中，p型摻雜高能量濾波層選自化學式為Ala
Inb
Ga1-a-b
As之材料，厚度範圍為100 nm~5 μm，摻雜範圍為1×1018
~5×1019
cm-3
。
於本發明之一實施例中，p型摻雜高能量濾波層之能隙大於主動層之能隙。
另，本發明又提供一種砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器，其包含有一基板，於基板上依序形成有一緩衝層、一p型砷化鎵層、一p型砷化鎵間隔層、一主動層、一n型摻雜高能量濾波層與一n+型砷化鎵歐姆接觸層。
於本發明另一實施例中，基板為砷化鎵基板；緩衝層為砷化鎵緩衝層。
於本發明另一實施例中，主動層選自化學式為Alx
Iny
Ga1-x-y
As之材料，厚度範圍為1 μm~5 μm。
於本發明另一實施例中，n型摻雜高能量濾波層選自化學式為Ala
Inb
Ga1-a-b
As之材料，厚度範圍為100 nm~5 μm，摻雜範圍為1×1018
~5×1019
cm-3
。
於本發明另一實施例中，n型摻雜高能量濾波層之能隙大於主動層之能隙。
本發明之目的及其結構功能上的優點，將依據以下圖面所示之結構，配合具體實施例予以說明，俾使審查委員能對本發明有更深入且具體之瞭解。
請參閱第一圖，本發明一種砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器，其包含有一砷化鎵之基板(1)，於基板(1)上依序形成有一砷化鎵之緩衝層(11)、一n型砷化鎵層(12)、一n型砷化鎵間隔層(13)、一主動層(14)、一p型摻雜高能量濾波層(15)與一p+型砷化鎵歐姆接觸層(16)，其中p型摻雜高能量濾波層(15)之能隙會大於主動層(14)之能隙，而主動層(14)係選自化學式為Alx
Iny
Ga1-x-y
As之材料，其厚度約為1 μm~5 μm，p型摻雜高能量濾波層(15)選自化學式為Ala
Inb
Ga1-a-b
As之材料，其厚度約為100 nm~5 μm，摻雜範圍為1×1018
~5×1019
cm-3
。
請參閱第二圖，本發明另一種砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器，其包含有一砷化鎵之基板(2)，於基板(2)上依序形成有一砷化鎵之緩衝層(21)、一p型砷化鎵層(22)、一p型砷化鎵間隔層(23)、一主動層(24)、一n型摻雜高能量濾波層(25)與一n+型砷化鎵歐姆接觸層(26)，其中n型摻雜高能量濾波層(25)之能隙會大於主動層(24)之能隙，而主動層(24)係選自化學式為Alx
Iny
Ga1-x-y
As之材料，其厚度約為1 μm~5 μm，n型摻雜高能量濾波層(25)選自化學式為Ala
Inb
Ga1-a-b
As之材料，其厚度約為100 nm~5 μm，摻雜範圍為1×1018
~5×1019
cm-3
。
此外，藉由下述具體實施例，可進一步證明本發明可實際應用之範圍，但不意欲以任何形式限制本發明之範圍。
請繼續參閱第一圖，本發明砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器係先取一砷化鎵之基板(1)，於此基板(1)上係先形成一砷化鎵之緩衝層(11)，緩衝層(11)上形成一n型砷化鎵層(12)，n型砷化鎵層(12)上形成一n型砷化鎵間隔層(13)，n型砷化鎵間隔層(13)上形成一主動層(14)，主動層(14)上形成一p型摻雜高能量濾波層(15)，p型摻雜高能量濾波層(15)上形成一p+型砷化鎵歐姆接觸層(16)，以完成本發明砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器之結構，而主動層(14)之厚度約為1 μm~5 μm，係選用化學式為Alx
Iny
Ga1-x-y
As之材料，p型摻雜高能量濾波層(15)之厚度約為100 nm~5 μm ，其摻雜範圍為1×1018
~5×1019
cm-3
，係選用化學式為Ala
Inb
Ga1-a-b
As之材料，而p型摻雜高能量濾波層(15)之能隙會大於主動層(14)之能隙；檢測時，入射光會從p+型砷化鎵歐姆接觸層(16)照入，其中n型砷化鎵間隔層(13)可以提高砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器的響應值，以及改善濾波的效果。
請參閱第二圖，本發明砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器係先取一砷化鎵之基板(2)，於此基板(2)上係先形成一砷化鎵之緩衝層(21)，緩衝層(21)上形成一p型砷化鎵層(22)，p型砷化鎵層(22)上形成一p型砷化鎵間隔層(23)，p型砷化鎵間隔層(23)上形成一主動層(24)，主動層(24)上形成一n型摻雜高能量濾波層(25)，n型摻雜高能量濾波層(25)上形成一n+型砷化鎵歐姆接觸層(26)，以完成本發明砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器之結構，而主動層(24)之厚度約為1 μm~5 μm，係選用化學式為Alx
Iny
Ga1-x-y
As之材料，n型摻雜高能量濾波層(25)之厚度約為100 nm~5 μm ，其摻雜範圍為1×1018
~5×1019
cm-3
，係選用化學式為Ala
Inb
Ga1-a-b
As之材料，而n型摻雜高能量濾波層(25)之能隙會大於主動層(24)之能隙；檢測時，入射光會從n+型砷化鎵歐姆接觸層(26)照入，其中p型砷化鎵間隔層(23)可以提高砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器的響應值，以及改善濾波的效果。
一般砷化鎵能隙之吸收係數α約為8×103
cm-1
；針對p型摻雜高能量濾波層(15)與n型摻雜高能量濾波層(25)試算，假設有N0
個光子數目入射p型摻雜高能量濾波層(15)或n型摻雜高能量濾波層(25)，N(d)則為可穿透p型摻雜高能量濾波層(15)或n型摻雜高能量濾波層(25)的光子數目，兩個參數之比例為可穿透p型摻雜高能量濾波層(15)或n型摻雜高能量濾波層(25)光子數目之比例，如下公式一所示；
公式一
其中d為p型摻雜高能量濾波層(15)或n型摻雜高能量濾波層(25)之厚度，不同的厚度，可穿透p型摻雜高能量濾波層(15)或n型摻雜高能量濾波層(25)光子數目之比例也會不同；
當d = 100 nm時，可穿透p型摻雜高能量濾波層(15)或n型摻雜高能量濾波層(25)光子數目比例為92.3%；
當d = 500 nm時，可穿透p型摻雜高能量濾波層(15)或n型摻雜高能量濾波層(25)光子數目比例為67.0%；
當d = 1500 nm時，可穿透p型摻雜高能量濾波層(15)或n型摻雜高能量濾波層(25)光子數目比例為30.1%；
當d = 2500 nm時，可穿透p型摻雜高能量濾波層(15)或n型摻雜高能量濾波層(25)光子數目比例為13.5%；
當d = 3500 nm時，可穿透p型摻雜高能量濾波層(15)或n型摻雜高能量濾波層(25)光子數目比例為6.1%；
當d = 5000 nm時，可穿透p型摻雜高能量濾波層(15)或n型摻雜高能量濾波層(25)光子數目比例為1.8%。
可知，當p型摻雜高能量濾波層(15)或n型摻雜高能量濾波層(25)之厚度越厚時，可穿透p型摻雜高能量濾波層(15)或n型摻雜高能量濾波層(25)光子數目比例也越低；以下則使用能隙1.5487 eV、波長800 nm、摻雜濃度5×1018
cm-3
、厚度2.5 μm，且以 Al0.1
Ga0.9
As材料製成之p型摻雜高能量濾波層(15)，以及能隙1.424 eV、波長870 nm、厚度2 μm，且以GaAs材料製成之主動層(14)作為本發明之實施例，使入射光由p+型砷化鎵歐姆接觸層(16)照入，p型摻雜高能量濾波層(15)則會將入射光中非紅外光的波長濾除，使主動層(14)僅接收到紅外光的光訊號，而檢測出之波長分佈如第三圖所示，由圖中可知，檢測結果係對於波長約800 nm~870 nm的範圍皆有良好響應，此範圍則是帶通紅外光之波長範圍。
由上述之實施說明可知，本發明與現有技術相較之下，本發明具有以下優點：
1.本發明砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器係插入一層p型摻雜高能量濾波層或n型摻雜高能量濾波層，於光檢測器之結構中形成可濾除其他非紅光與紅外光之波長的之磊晶層，使本發明能正確檢測到入射光之紅光與紅外光。
2.本發明砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器的p型摻雜高能量濾波層與n型摻雜高能量濾波層係選用適當的厚度，以決定濾除的光子數目比例，以製作出適合檢測紅光與紅外光的光檢測器。
綜上所述，本發明之砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器，的確能藉由上述所揭露之實施例，達到所預期之使用功效，且本發明亦未曾公開於申請前，誠已完全符合專利法之規定與要求。爰依法提出發明專利之申請，懇請惠予審查，並賜准專利，則實感德便。
惟，上述所揭之圖示及說明，僅為本發明之較佳實施例，非為限定本發明之保護範圍；大凡熟悉該項技藝之人士，其所依本發明之特徵範疇，所作之其它等效變化或修飾，皆應視為不脫離本發明之設計範疇。
(1)‧‧‧基板
(11)‧‧‧緩衝層
(12)‧‧‧n型砷化鎵層
(13)‧‧‧n型砷化鎵間隔層
(14)‧‧‧主動層
(15)‧‧‧p型摻雜高能量濾波層
(16)‧‧‧p+型砷化鎵歐姆接觸層
(2)‧‧‧基板
(21)‧‧‧緩衝層
(22)‧‧‧p型砷化鎵層
(23)‧‧‧p型砷化鎵間隔層
(24)‧‧‧主動層
(25)‧‧‧n型摻雜高能量濾波層
(26)‧‧‧n+型砷化鎵歐姆接觸層
習知技術
(3)‧‧‧砷化鎵基板
(31)‧‧‧砷化鎵緩衝層
(32)‧‧‧n型砷化鎵層
(33)‧‧‧砷化鎵主動層
(34)‧‧‧p型砷化鎵層
(35)‧‧‧砷化鎵歐姆接觸層
第一圖：本發明其一實施例之結構截面圖。
第二圖：本發明另一實施例之結構截面圖。
第三圖：本發明其較佳實施例之響應曲線圖。
第四圖：習知技術之結構截面圖。
(1)‧‧‧基板
(11)‧‧‧緩衝層
(12)‧‧‧n型砷化鎵層
(13)‧‧‧n型砷化鎵間隔層
(14)‧‧‧主動層
(15)‧‧‧p型摻雜高能量濾波層
(16)‧‧‧p+型砷化鎵歐姆接觸層
Claims (10)
- 一種砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器，其包含有一基板，於該基板上依序形成有一緩衝層、一n型砷化鎵層、一n型砷化鎵間隔層、一主動層、一p型摻雜高能量濾波層與一p+型砷化鎵歐姆接觸層。
- 如申請專利範圍第1項所述之砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器，其中該基板為砷化鎵基板；該緩衝層為砷化鎵緩衝層。
- 如申請專利範圍第1項所述之砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器，其中該主動層選自化學式為Alx Iny Ga1-x-y As之材料，厚度範圍為1 μm~5 μm。
- 如申請專利範圍第1項所述之砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器，其中該p型摻雜高能量濾波層選自化學式為Ala Inb Ga1-a-b As之材料，厚度範圍為100 nm~5 μm，摻雜範圍為1×1018 ~5×1019 cm-3 。
- 如申請專利範圍第1項所述之砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器，其中該p型摻雜高能量濾波層之能隙大於該主動層之能隙。
- 一種砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器，其包含有一基板，於該基板上依序形成有一緩衝層、一p型砷化鎵層、一p型砷化鎵間隔層、一主動層、一n型摻雜高能量濾波層與一n+型砷化鎵歐姆接觸層。
- 如申請專利範圍第6項所述之砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器，其中該基板為砷化鎵基板；該緩衝層為砷化鎵緩衝層。
- 如申請專利範圍第6項所述之砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器，其中該主動層選自化學式為Alx Iny Ga1-x-y As之材料，厚度範圍為1 μm~5 μm。
- 如申請專利範圍第6項所述之砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器，其中該n型摻雜高能量濾波層選自化學式為Ala Inb Ga1-a-b As之材料，厚度範圍為100 nm~5 μm，摻雜範圍為1×1018 ~5×1019 cm-3 。
- 如申請專利範圍第6項所述之砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器，其中該n型摻雜高能量濾波層之能隙大於該主動層之能隙。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW107123461A TWI661571B (zh) | 2018-07-06 | 2018-07-06 | 砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW107123461A TWI661571B (zh) | 2018-07-06 | 2018-07-06 | 砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI661571B TWI661571B (zh) | 2019-06-01 |
| TW202006963A true TW202006963A (zh) | 2020-02-01 |
Family
ID=67764372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107123461A TWI661571B (zh) | 2018-07-06 | 2018-07-06 | 砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI661571B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI862271B (zh) * | 2023-11-10 | 2024-11-11 | 特崴光波導股份有限公司 | 光檢測器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI820822B (zh) * | 2021-08-23 | 2023-11-01 | 天光材料科技股份有限公司 | 光二極體之結構 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100762772B1 (ko) * | 2003-09-09 | 2007-10-02 | 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤 | 적외선 센서 ｉｃ, 적외선 센서 및 그 제조 방법 |
| CN101916792B (zh) * | 2009-11-17 | 2011-08-31 | 中国科学院半导体研究所 | 具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器 |
| US9082637B2 (en) * | 2012-08-17 | 2015-07-14 | The University Of Connecticut | Optoelectronic integrated circuit |
| TWI517438B (zh) * | 2013-03-29 | 2016-01-11 | 南臺科技大學 | 可防止電子溢流之ⅲ－ⅴ族發光二極體 |
| CN103247638B (zh) * | 2013-04-27 | 2015-08-05 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 红外探测器及其制作方法 |
| CN103247637B (zh) * | 2013-04-27 | 2015-08-05 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 红外探测器及其制作方法 |
| JP6750996B2 (ja) * | 2016-10-05 | 2020-09-02 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線センサ |
-
2018
- 2018-07-06 TW TW107123461A patent/TWI661571B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI862271B (zh) * | 2023-11-10 | 2024-11-11 | 特崴光波導股份有限公司 | 光檢測器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI661571B (zh) | 2019-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109285911B (zh) | 一种短波/中波/长波三波段红外探测器及其制备方法 | |
| CN106711249B (zh) | 一种基于铟砷锑（InAsSb）材料的双色红外探测器的制备方法 | |
| CN103050498B (zh) | 一种微纳米线阵列结构紫外雪崩光电探测器及其制备方法 | |
| CN108305911B (zh) | 吸收、倍增层分离结构的ⅲ族氮化物半导体雪崩光电探测器 | |
| CN108376716A (zh) | 一种新型氧化镓基pin结构紫外光电探测器及其制备方法 | |
| CN108022985A (zh) | 延伸波长台面型雪崩光电二极管及其制备方法 | |
| CN106684200B (zh) | 一种三色红外探测器的制备方法 | |
| CN102800717A (zh) | 一种pin结构紫外雪崩光电探测器及其制备方法 | |
| CN106206832B (zh) | 一种单级阻挡结构窄带通紫外探测器 | |
| CN105097964B (zh) | 一种有源区高斯掺杂型pπn紫外探测器 | |
| CN102790100B (zh) | 一种基于中间能带的InSb量子点多色红外探测器 | |
| CN107403848A (zh) | 一种背照式级联倍增雪崩光电二极管 | |
| CN105261668B (zh) | 异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管及其制备方法 | |
| CN105590971B (zh) | AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器及其制备方法 | |
| TW202006963A (zh) | 砷化鎵之帶通型紅光與紅外光檢測器 | |
| CN114267747B (zh) | 具有金属栅结构的Ga2O3/AlGaN/GaN日盲紫外探测器及其制备方法 | |
| CN205582956U (zh) | 一种pin结构紫外光电探测器 | |
| Hwang et al. | High-performance solar-blind p-NiO/n-ZnO/p-Si ultraviolet heterojunction bipolar phototransistors with high optical gain | |
| CN105609582B (zh) | 一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法 | |
| CN1632957A (zh) | 采用砷化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及制作方法 | |
| CN119421529A (zh) | 一种Ga2O3/MgO/Si雪崩异质结设计 | |
| CN116093181A (zh) | 一种基于堆叠式pn结的多光谱光电探测器 | |
| CN101101935A (zh) | 提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器及制作方法 | |
| CN211150598U (zh) | 一种基于钙钛矿的高灵敏度光电探测器 | |
| CN115036378A (zh) | AlInGaN基单pn结多色探测器及信号检测方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |