TW201942211A - 聚金屬氧烷、組成物、硬化膜、構件、電子零件、纖維、陶瓷成型用黏合劑、硬化膜的製造方法以及纖維的製造方法 - Google Patents
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Abstract
作為本發明的一態樣的聚金屬氧烷具有下述通式(1)所表示的構成單元。於通式(1)中,R1為氫原子或碳數1~10的烷基;R2及R3分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基;R2及R3可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構;a為0或1的整數;M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子;m為表示金屬原子M的價數的整數;b為1~(m-2)的整數。
Description
本發明是有關於一種聚金屬氧烷、組成物、硬化膜、構件、電子零件、纖維、陶瓷成型用黏合劑、硬化膜的製造方法以及纖維的製造方法。
期待包含金屬氧化物的膜具有高耐熱、高折射率等特性,並顯示對於各種用途有用的特性。作為此種膜的形成方法,已知有藉由化學氣相沈積(Chemical vapor deposition,CVD)等氣相法來形成氧化鈦或氧化鋯的膜的方法等。然而,關於CVD等氣相法,膜形成速度慢,難以獲得可於工業上使用的膜厚。
另一方面,提出有如下方法:藉由塗佈主鏈具有金屬-氧-金屬原子鍵的聚金屬氧烷的溶液並使其硬化來獲得高折射率的薄膜。此種聚金屬氧烷可藉由如下方式來獲得:對金屬醇鹽進行水解並使其縮聚。然而,通常而言,若對金屬醇鹽進行水解,則其水解體凝聚而不溶於溶媒。因此,謀求於溶液中以均勻的狀態穩定地存在且可形成均質的硬化膜的聚金屬氧烷。
過去的文獻中,報告有藉由於特殊的條件下非常小心地實施水解來防止由水解體的凝聚引起的析出或膠化的技術(例如,參照專利文獻1~專利文獻2)。另外,報告有藉由於聚合物的側鏈導入特定取代基而於溶液中以均勻的狀態穩定地存在的聚金屬氧烷(例如,參照專利文獻3)。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平1-129032號公報
[專利文獻2]日本專利特開2015-3896號公報
[專利文獻3]國際公開第2017/090512號
[專利文獻2]日本專利特開2015-3896號公報
[專利文獻3]國際公開第2017/090512號
[發明所欲解決之課題]
然而,作為於溶媒中對金屬醇鹽進行水解的方法,專利文獻1中所記載的方法中,存在如下問題:若於未滿70℃的溫度下添加水、或增加水的添加量,則因水解體的凝聚而產生析出。另外,由於水解率低,因此所獲得的聚鈦氧烷的烷氧基大量殘留,於塗膜形成時因空氣中的水分而產生烷氧基的水解並脫離。因此,所述聚鈦氧烷中,存在如下問題:產生龜裂而無法形成均質的膜。
然而,作為於溶媒中對金屬醇鹽進行水解的方法,專利文獻1中所記載的方法中,存在如下問題:若於未滿70℃的溫度下添加水、或增加水的添加量,則因水解體的凝聚而產生析出。另外,由於水解率低,因此所獲得的聚鈦氧烷的烷氧基大量殘留,於塗膜形成時因空氣中的水分而產生烷氧基的水解並脫離。因此,所述聚鈦氧烷中,存在如下問題:產生龜裂而無法形成均質的膜。
於專利文獻2中所記載的方法中,亦存在如下問題:若增加水的添加量,則因水解體的凝聚而產生析出,因此無法獲得高分子量的聚金屬氧烷,且於塗膜形成時產生龜裂而無法形成均質的硬化膜。
專利文獻3中所記載的方法中,藉由將例如三烷基矽烷氧基之類的特定基設為側鏈而獲得可於溶液中以均勻的狀態穩定地存在的聚金屬氧烷。此種聚金屬矽氧烷例如可藉由將使三烷基矽醇與金屬醇鹽反應而得的化合物用作原料來獲得。然而,由於三烷基矽醇昂貴,因此存在對於聚金屬氧烷的工業性穩定供給而言花費巨大成本的課題。
本發明是鑒於所述課題而成,其目的在於提供一種可於溶媒中以均勻的狀態穩定地存在且可於工業上穩定供給的高分子量的聚金屬氧烷。
[解決課題之手段]
[解決課題之手段]
為了解決所述課題並達成目的,本發明的聚金屬氧烷的特徵在於具有下述通式(1)所表示的構成單元。
[化1]
(於通式(1)中,R1 為氫原子或碳數1~10的烷基;R2 及R3 分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基;R2 及R3 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構;整數a為0或1的整數;金屬原子M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子;整數m為表示所述金屬原子M的價數的整數;整數b為1~(m-2)的整數)
(於通式(1)中,R1 為氫原子或碳數1~10的烷基;R2 及R3 分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基;R2 及R3 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構;整數a為0或1的整數;金屬原子M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子;整數m為表示所述金屬原子M的價數的整數;整數b為1~(m-2)的整數)
另外,本發明的聚金屬氧烷的特徵在於,於所述發明中,所述通式(1)所表示的構成單元為下述通式(2)所表示的構成單元。
[化2]
(於通式(2)中,R4 為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基;R5 獨立於R4 而為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基或碳數6~30的芳香族基;R4 及R5 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構)
(於通式(2)中,R4 為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基;R5 獨立於R4 而為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基或碳數6~30的芳香族基;R4 及R5 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構)
另外,本發明的聚金屬氧烷的特徵在於,於所述發明中,所述通式(1)所表示的構成單元為下述通式(3)所表示的構成單元。
[化3]
(於通式(3)中,R6 及R7 分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基;R6 及R7 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構)
(於通式(3)中,R6 及R7 分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基;R6 及R7 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構)
另外,本發明的聚金屬氧烷的特徵在於,於所述發明中,所述整數a為1。
另外,本發明的聚金屬氧烷的特徵在於,於所述發明中,所述金屬原子M包含一種以上的選自由Al、Ti、Zr及Sn所組成的群組中的金屬原子。
另外,本發明的組成物的特徵在於包含如所述發明中的任一項所記載的聚金屬氧烷。
另外,本發明的組成物的特徵在於,於所述發明中,進而包含含金屬元素的化合物。
另外,本發明的硬化膜的特徵在於含有如所述發明中的任一項所記載的聚金屬氧烷。
另外,本發明的硬化膜的特徵在於含有如所述發明中的任一項所記載的組成物。
另外,本發明的硬化膜的製造方法的特徵在於包括對如所述發明中的任一項所記載的聚金屬氧烷或組成物進行加熱的加熱步驟。
另外,本發明的構件的特徵在於包括如所述發明中的任一項所記載的硬化膜。
另外,本發明的電子零件的特徵在於包括如所述發明中所記載的構件。
另外,本發明的纖維的特徵在於含有如所述發明中的任一項所記載的聚金屬氧烷。
另外,本發明的纖維的特徵在於含有如所述發明中的任一項所記載的組成物。
另外,本發明的纖維的製造方法的特徵在於包括對如所述發明中的任一項所記載的聚金屬氧烷或組成物進行紡絲而獲得纖維的紡絲步驟。
另外,本發明的纖維的製造方法的特徵在於,於所述發明中,包括對藉由所述紡絲步驟而獲得的所述纖維進行煆燒的煆燒步驟。
另外,本發明的陶瓷成型用黏合劑的特徵在於含有如所述發明中的任一項所記載的聚金屬氧烷。
[發明的效果]
[發明的效果]
根據本發明,起到如下效果:可提供一種可於溶媒中以均勻的狀態穩定地存在且可於工業上穩定供給的聚金屬氧烷。另外,根據本發明的聚金屬氧烷,起到如下效果:可提供一種具有高折射率的硬化膜。
以下,對用以實施本發明的形態進行詳細說明。其中,本發明並不限定於以下實施形態,可根據目的或用途進行各種變更來實施。
(聚金屬氧烷)
本發明的實施形態的聚金屬氧烷具有下述通式(1)所表示的構成單元。
本發明的實施形態的聚金屬氧烷具有下述通式(1)所表示的構成單元。
[化4]
於通式(1)中,R1
為氫原子或碳數1~10的烷基。R2
及R3
分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基。R2
及R3
可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構。整數a為0或1的整數。金屬原子M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子。整數m為表示該金屬原子M的價數的整數。整數b為1~(m-2)的整數。
作為碳數1~12的烷基,可列舉:甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、十一基、十二基等。
作為碳數5~12的脂環式烷基,可列舉:環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基等。
作為碳數6~30的芳香族基,可列舉:苯基、苯氧基、苄基、苯基乙基、萘基等。
作為碳數1~12的醯基,可列舉:甲醯基、乙醯基、三氟乙醯基、苯基乙醯基、丙醯基、苯甲醯基等。
作為R2
及R3
經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成的環結構,例如可列舉:吡咯啶結構、哌啶結構、內醯胺結構、琥珀醯亞胺結構、鄰苯二甲醯亞胺結構、馬來醯亞胺結構等。
具有通式(1)所表示的構成單元的聚金屬氧烷藉由具有R2
R3
N(O)a
基而與其他成分的相容性顯著提高。因此,該聚金屬氧烷於溶媒中穩定地存在。另外,具有通式(1)所表示的構成單元的聚金屬氧烷具有R2
R3
N(O)a
基,藉此於後述的形成硬化膜的步驟中,由加熱引起的聚金屬氧烷的縮合應力得以緩和。因此,藉由使用該聚金屬氧烷,可獲得不易產生龜裂且均質的硬化膜。
作為R2
R3
N(O)a
基的具體例,可列舉:二甲基胺基、二乙基胺基、二丙基胺基、二異丙基胺基、二丁基胺基、二異丁基胺基、二-第二丁基胺基、二-第三丁基胺基、二環己基胺基、二苯基胺基、甲基苯基胺基、乙基苯基胺基、丙基苯基胺基、二萘基胺基、甲基萘基胺基、乙基萘基胺基、丙基萘基胺基、吡咯啶基、哌啶基、2,2,6,6-四甲基哌啶基等。
另外,作為R2
R3
N(O)a
基的具體例,可列舉:二乙基胺基氧基、二苄基胺基氧基、2-氮雜金剛烷基氧基;甲醯胺基、甲醯胺苯基、乙醯胺基、乙醯胺苯基、三氟乙醯胺基、2,2,2,2-三氟乙醯胺苯基、苯甲醯胺基、苯甲醯胺苯基、吡咯啶酮基、哌啶酮基;N-乙醯胺基氧基、N-辛烷醯胺基氧基、N-苯甲醯胺基氧基、N-苯甲醯基-N-苯基胺基氧基、N-萘-1-羧基醯胺基氧基、N-水楊基醯胺基氧基、α-(對丁氧基苯基)-N-乙醯胺基氧基等。
另外,作為R2
R3
N(O)a
基的具體例,可列舉:琥珀醯亞胺基、2-乙基-2-甲基琥珀醯亞胺基、1,2-環己烷二羧基醯亞胺基、順式-4-環己烯-1,2-二羧基醯亞胺基、1,8-萘二甲醯亞胺基、鄰苯二甲醯亞胺基、4-胺基鄰苯二甲醯亞胺基、4-溴代鄰苯二甲醯亞胺基、4-硝基鄰苯二甲醯亞胺基、3,4,5,6-四氯鄰苯二甲醯亞胺基、1,2,3,4-環丁烷四羧酸二醯亞胺基、1,4,5,8-萘四羧酸二醯亞胺基、均苯四甲酸二醯亞胺基、3,3-四亞甲基戊二醯亞胺基、戊二醯亞胺基、馬來醯亞胺基、3,3-二甲基戊二醯亞胺基、3-乙基-3-甲基戊二醯亞胺基、雙-三氟乙醯胺基等。
進而,作為R2
R3
N(O)a
基的具體例,可列舉:N-琥珀醯亞胺基氧基、N-鄰苯二甲醯亞胺基氧基、N-(4-硝基鄰苯二甲醯亞胺基)氧基、N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基、N-氧基硫代琥珀醯亞胺鈉基、N-(N'-羥基均苯四甲醯亞胺基)氧基、N-(1,8-萘二甲醯亞胺基)氧基、N-(N'-羥基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二醯亞胺基)氧基等。
另外,於本發明的實施形態的聚金屬氧烷中,通式(1)所表示的構成單元較佳為下述通式(2)所表示的構成單元。
[化5]
於通式(2)中,R4
為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基。R5
獨立於R4
而為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基或碳數6~30的芳香族基。R4
及R5
可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構。
具有通式(2)所表示的構成單元的聚金屬氧烷藉由具有羰基而使聚金屬氧烷中的羥基穩定化。因此,聚金屬氧烷對於溶媒的相容性或穩定性進一步提高。
另外,於本發明的實施形態的聚金屬氧烷中,通式(1)所表示的構成單元更佳為下述通式(3)所表示的構成單元。
[化6]
於通式(3)中,R6
及R7
分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基。R6
及R7
可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構。
具有通式(3)所表示的構成單元的聚金屬氧烷與具有通式(2)所表示的構成單元的聚金屬氧烷相比,具有更多的羰基,藉此使聚金屬氧烷中的羥基進一步穩定化。因此,聚金屬氧烷對於溶媒的相容性或穩定性進一步提高。
就聚金屬氧烷的製造中的水解及縮聚時的穩定性的觀點而言,R6
及R7
較佳為經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構。
就聚金屬氧烷對於溶媒的溶解性的觀點而言,通式(1)中的整數a較佳為1。即,作為較佳的R2
R3
N(O)a
基,可列舉:N-琥珀醯亞胺基氧基、N-鄰苯二甲醯亞胺基氧基、N-(4-硝基鄰苯二甲醯亞胺基)氧基、N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基、N-氧基硫代琥珀醯亞胺鈉基、N-(N'-羥基均苯四甲醯亞胺基)氧基、N-(1,8-萘二甲醯亞胺基)氧基、N-(N'-羥基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二醯亞胺基)氧基等。
通式(1)中,關於R2
R3
N(O)a
基的含量,於以聚金屬氧烷的氮原子(N)的莫耳數相對於金屬原子M的莫耳數的比率(氮原子的莫耳數/金屬原子M的莫耳數)來表示的情況下,較佳為1莫耳%以上、250莫耳%以下,更佳為10莫耳%以上、200莫耳%以下。藉由將聚金屬氧烷中的R2
R3
N(O)a
基的含量設為所述範圍,該聚金屬氧烷與其他成分的相容性進一步提高。因此,該聚金屬氧烷於溶媒中更進一步穩定地存在。
聚金屬氧烷中的R2
R3
N(O)a
基的含量可利用以下方法來求出。該方法中,首先,將聚金屬氧烷填充於核磁共振(Nuclear Magnetic Resonance,NMR)管中,使用核磁共振裝置(NMR)來進行與金屬原子M對應的NMR測定。藉此,求出金屬原子M的莫耳濃度。例如,若金屬原子M為鈦原子(Ti),則藉由49
Ti-NMR測定來求出鈦原子的莫耳濃度。繼而,藉由進行15
N-NMR測定,並根據與N(O)a
M對應的峰值來求出R2
R3
N(O)a
基的氮原子的莫耳濃度。藉由所獲得的氮原子的莫耳濃度除以金屬原子M的莫耳濃度,可求出聚金屬氧烷中的R2
R3
N(O)a
基的含量。
本發明的實施形態的聚金屬氧烷藉由具有通式(1)所表示的構成單元而可製成以主鏈具有電子密度高的金屬原子的樹脂為主體的硬化膜。因此,可提高該硬化膜中的金屬原子的密度,藉此可容易獲得該硬化膜的高折射率。另外,本發明的實施形態的聚金屬氧烷藉由具有通式(1)所表示的構成單元而成為不具有自由電子的介電體,因此可獲得高耐熱性。
通式(1)中,金屬原子M較佳為包含一種以上的選自由Al、Ti、Zr及Sn所組成的群組中的金屬原子。藉由使用該些金屬原子,聚金屬氧烷可設為具有高折射率者。作為金屬原子M,進而佳為Ti或Zr。另外,通式(1)中,整數m較佳為3以上、5以下。
關於聚金屬氧烷的重量平均分子量,作為下限,較佳為500以上,更佳為1,000以上,進而佳為10,000以上。關於該重量平均分子量,作為上限,較佳為3,000,000以下,更佳為1,500,000以下,進而佳為1,000,000以下。藉由將該重量平均分子量設為所述範圍,聚金屬氧烷的塗佈特性良好。另外,藉由該重量平均分子量為下限值以上,後述的硬化膜的物性提高,可獲得抗龜裂性尤其優異的硬化膜。
本發明中的重量平均分子量是指利用凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography,GPC)測定而得的聚苯乙烯換算值。聚金屬氧烷的重量平均分子量可藉由以下方法來求出。該方法中,首先,使聚金屬氧烷以成為0.2 wt%的方式溶解於展開溶媒中而製成試樣溶液。繼而,將該試樣溶液注入至填充有多孔質凝膠及展開溶媒的管柱中。利用示差折射率檢測器來檢測管柱溶出物,並分析溶出時間,藉此可求出聚金屬氧烷的重量平均分子量。再者,作為展開溶媒,可選擇可使聚金屬氧烷以0.2 wt%的濃度溶解者。尤其是,於將聚金屬氧烷溶解於0.02 mol/dm3
的氯化鋰與N-甲基-2-吡咯啶酮的溶液中的情況下,使用所述溶液作為展開溶媒。
(聚金屬氧烷的製造方法)
繼而,對本發明的實施形態的聚金屬氧烷的製造方法進行說明。於本發明中,具有通式(1)所表示的構成單元的聚金屬氧烷的製造方法並無特別限制。該製造方法中,較佳為藉由對下述通式(4)所表示的金屬醇鹽進行水解並加以部分縮合及聚合來製造聚金屬氧烷。此處,所謂部分縮合,並非使水解物的M-OH全部縮合,而是指使所獲得的聚金屬氧烷中殘留一部分M-OH。若為後述的通常的縮合條件,則通常為殘留有一部分M-OH。所殘留的M-OH的量並無特別限制。
繼而,對本發明的實施形態的聚金屬氧烷的製造方法進行說明。於本發明中,具有通式(1)所表示的構成單元的聚金屬氧烷的製造方法並無特別限制。該製造方法中,較佳為藉由對下述通式(4)所表示的金屬醇鹽進行水解並加以部分縮合及聚合來製造聚金屬氧烷。此處,所謂部分縮合,並非使水解物的M-OH全部縮合,而是指使所獲得的聚金屬氧烷中殘留一部分M-OH。若為後述的通常的縮合條件,則通常為殘留有一部分M-OH。所殘留的M-OH的量並無特別限制。
[化7]
於通式(4)中,R8
表示R2
R3
N(O)a
基。R9
為碳數1~10的烷基。R8
及R9
於存在多個的情況下,分別可相同,亦可不同。金屬原子M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子。整數m為表示金屬原子M的價數的整數。整數n為1~(m-1)的整數。
通常而言,當於金屬醇鹽中添加水時,由於烷氧基的水解性高,因此生成分子中的全部烷氧基經水解的金屬氫氧化物。該金屬氫氧化物於溶液中凝聚而不溶於溶媒,因此產生析出。
另一方面,通式(4)所表示的金屬醇鹽為R2
R3
N(O)a
基的水解性相對低於烷氧基者。因此,可藉由對該金屬醇鹽添加水而選擇性地對烷氧基進行水解。所獲得的水解體藉由R2
R3
N(O)a
基的立體阻礙或分子內氫鍵而穩定化,因此不會於溶液中凝聚。其結果,可獲得該水解體的均勻的溶液。因此,與現有技術相比,可提高金屬醇鹽的水解率。因此,藉由對通式(4)所表示的金屬醇鹽進行水解及縮聚,可獲得高分子量的聚金屬氧烷、尤其是重量平均分子量超過10,000的聚金屬氧烷。
於本發明中,具有R8
的金屬醇鹽並不特別限定於通式(4)所表示者。例如,於金屬原子M為Ti的情況下,作為具有一個R8
的金屬醇鹽,可列舉:三甲氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦、三乙氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦、三丙氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦、三異丙氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦、三丁氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦、三異丁氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦、三-第二丁氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦、三-第三丁氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦、三環己氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦、三苯氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦等。
另外,作為具有一個R8
的金屬醇鹽,可列舉所述各醇鹽中的N-琥珀醯亞胺基氧基被N-鄰苯二甲醯亞胺基氧基取代者、例如三異丙氧基(N-鄰苯二甲醯亞胺基氧基)鈦、三丁氧基(N-鄰苯二甲醯亞胺基氧基)鈦等。
另外,作為具有一個R8
的金屬醇鹽,可列舉所述各醇鹽中的N-琥珀醯亞胺基氧基被N-(4-硝基鄰苯二甲醯亞胺基)氧基取代者、例如三異丙氧基(N-(4-硝基鄰苯二甲醯亞胺基)氧基)鈦、三丁氧基(N-(4-硝基鄰苯二甲醯亞胺基)氧基)鈦等。
另外,作為具有一個R8
的金屬醇鹽,可列舉所述各醇鹽中的N-琥珀醯亞胺基氧基被N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基取代者、例如三異丙氧基(N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基)鈦、三丁氧基(N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基)鈦等。
另外,作為具有一個R8
的金屬醇鹽,可列舉所述各醇鹽中的N-琥珀醯亞胺基氧基被N-(1,8-萘二甲醯亞胺基)氧基取代者、例如三異丙氧基(N-(1,8-萘二甲醯亞胺基)氧基)鈦、三丁氧基(N-(1,8-萘二甲醯亞胺基)氧基)鈦等。
另外,作為具有兩個R8
的金屬醇鹽,可列舉:二甲氧基雙(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦、二乙氧基雙(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦、二丙氧基雙(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦、二異丙氧基雙(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦、二丁氧基雙(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦、二異丁氧基雙(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦、二-第二丁氧基雙(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦、二-第三丁氧基雙(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦、二環己氧基雙(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦、二苯氧基雙(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦等。
另外,作為具有兩個R8
的金屬醇鹽,可列舉所述各基中的N-琥珀醯亞胺基氧基被N-鄰苯二甲醯亞胺基氧基取代者、例如二異丙氧基雙(N-鄰苯二甲醯亞胺基氧基)鈦、二丁氧基雙(N-鄰苯二甲醯亞胺基氧基)鈦等。
另外,作為具有兩個R8
的金屬醇鹽,可列舉所述各基中的N-琥珀醯亞胺基氧基被N-(4-硝基鄰苯二甲醯亞胺基)氧基取代者、例如二異丙氧基雙(N-(4-硝基鄰苯二甲醯亞胺基)氧基)鈦、二丁氧基雙(N-(4-硝基鄰苯二甲醯亞胺基)氧基)鈦等。
另外,作為具有兩個R8
的金屬醇鹽,可列舉所述各基中的N-琥珀醯亞胺基氧基被N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基取代者、例如二異丙氧基雙(N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基)鈦、二丁氧基雙(N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基)鈦等。
另外,作為具有兩個R8
的金屬醇鹽,可列舉所述各基中的N-琥珀醯亞胺基氧基被N-(1,8-萘二甲醯亞胺基)氧基取代者、例如二異丙氧基雙(N-(1,8-萘二甲醯亞胺基)氧基)鈦、二丁氧基雙(N-(1,8-萘二甲醯亞胺基)氧基)鈦等。
另一方面,於金屬原子M為Zr的情況下,作為具有R8
的金屬醇鹽,可列舉所述各醇鹽中的鈦被鋯取代者、例如三正丙氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鋯、三正丙氧基(N-鄰苯二甲醯亞胺基氧基)鋯、三正丙氧基(N-(4-硝基鄰苯二甲醯亞胺基)氧基)鋯、三正丙氧基(N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基)鋯、三正丙氧基(N-(1,8-萘二甲醯亞胺基)氧基)鋯、二正丙氧基雙(N-琥珀醯亞胺基氧基)鋯、二正丙氧基雙(N-鄰苯二甲醯亞胺基氧基)鋯、二正丙氧基雙(N-(4-硝基鄰苯二甲醯亞胺基)氧基)鋯、二正丙氧基雙(N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基)鋯、二正丙氧基雙(N-(1,8-萘二甲醯亞胺基)氧基)鋯等。
另一方面,於金屬原子M為Al的情況下,作為具有R8
的金屬醇鹽,可列舉:二甲氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鋁、二乙氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鋁、二丙氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鋁、二異丙氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鋁、二丁氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鋁、二異丁氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鋁、二-第二丁氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鋁、二-第三丁氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鋁、二環己氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鋁、二苯氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鋁等。
另外,作為具有R8
的金屬醇鹽,可列舉所述各醇鹽中的N-琥珀醯亞胺基氧基被N-鄰苯二甲醯亞胺基氧基取代者、例如二-第二丁氧基(N-鄰苯二甲醯亞胺基氧基)鋁等。
另外,作為具有R8
的金屬醇鹽,可列舉所述各醇鹽中的N-琥珀醯亞胺基氧基被N-(4-硝基鄰苯二甲醯亞胺基)氧基取代者、例如二-第二丁氧基(N-(4-硝基鄰苯二甲醯亞胺基)氧基)鋁等。
另外,作為具有R8
的金屬醇鹽,可列舉所述各醇鹽中的N-琥珀醯亞胺基氧基被N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基取代者、例如二-第二丁氧基(N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基)鋁等。
另外,作為具有R8
的金屬醇鹽,可列舉所述各醇鹽中的N-琥珀醯亞胺基氧基被N-(1,8-萘二甲醯亞胺基)氧基取代者、例如二-第二丁氧基(N-(1,8-萘二甲醯亞胺基)氧基)鋁等。
金屬醇鹽的水解以及部分縮合及聚合可使用通常的方法。例如,作為水解的反應條件,較佳為於溶媒中歷時1分鐘~180分鐘將水添加於金屬醇鹽中,然後於室溫~110℃下反應1分鐘~180分鐘。藉由於此種反應條件下進行水解,可抑制該水解的急劇反應。另外,水解的反應溫度較佳為30℃~150℃。另外,於金屬醇鹽的水解中,可視需要添加觸媒。
另外,作為金屬醇鹽的部分縮合及聚合的反應條件,較佳為於藉由金屬醇鹽的水解反應而獲得金屬氫氧化物後,將反應液直接於50℃~180℃下加熱1小時~100小時。另外,為了提高聚金屬氧烷的聚合度,可對該反應液進行再加熱,亦可於該反應液中添加觸媒。另外,亦可視需要於金屬醇鹽的水解反應後,藉由加熱及減壓的至少一者而將生成醇等適量蒸餾出並去除,其後添加任意溶媒。
作為溶媒,並無特別限定,可較佳地使用醯胺系溶媒、酯系溶媒、醇系溶媒、醚系溶媒、酮系溶媒、二甲基亞碸等。
作為醯胺系溶媒的具體例,可列舉:N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基異丁酸醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、N,N-二甲基伸丙基脲等。
作為酯系溶媒的具體例,可列舉:γ-丁內酯、δ-戊內酯、碳酸伸丙酯、乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、3-甲氧基-1-丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基-1-丁基乙酸酯、乙醯乙酸乙酯、環己醇乙酸酯等。
作為醇系溶媒的具體例,可列舉:甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、第三丁醇、3-羥基-3-甲基-2-丁酮、5-羥基-2-戊酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮(二丙酮醇)、乳酸乙酯、乳酸丁酯、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單正丙醚、丙二醇單正丁醚、丙二醇單第三丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二丙二醇單甲醚、3-甲氧基-1-丁醇、3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇、乙二醇、丙二醇等。
作為醚系溶媒的具體例,可列舉:二乙醚、二異丙醚、二正丁醚、二苯醚、二乙二醇乙基甲基醚、二乙二醇二甲醚、1,2-二甲氧基乙烷、1,2-二乙氧基乙烷、二丙二醇二甲醚等。
作為酮系溶媒的具體例,可列舉:甲基異丁基酮、二異丙基酮、二異丁基酮、乙醯丙酮、環戊酮、環己酮、環庚酮、二環己基酮等。
更佳的溶媒為非質子性極性溶媒。藉由使用非質子性極性溶媒,可獲得於溶媒中穩定且分子量更高的聚金屬氧烷。非質子性極性溶劑中,更佳為N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基異丁酸醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、N,N-二甲基伸丙基脲、γ-丁內酯、δ-戊內酯、碳酸伸丙酯、二甲基亞碸等。
另外,藉由對金屬醇鹽的水解反應中所使用的水的添加量進行調整,可調整金屬醇鹽的水解率。該水的添加量較佳為相對於烷氧基1莫耳而為0.1莫耳~2莫耳。
另外,作為金屬醇鹽的水解反應等時視需要而添加的觸媒,並無特別限制,可較佳地使用酸觸媒或鹼觸媒。作為酸觸媒的具體例,可列舉:鹽酸、硝酸、硫酸、氫氟酸、磷酸、乙酸、二氟乙酸、甲酸、多元羧酸或其酸酐、離子交換樹脂等。作為鹼觸媒的具體例,可列舉:二乙基胺、二丙基胺、二丁基胺、二戊基胺、二己基胺、二庚基胺、二辛基胺、三乙基胺、三丙基胺、三丁基胺、三異丁基胺、三戊基胺、三己基胺、三庚基胺、三辛基胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二環己基胺、二環己基甲基胺、2,2,6,6-四甲基哌啶、氫氧化鈉、氫氧化鉀、具有胺基的烷氧基矽烷、離子交換樹脂等。
更佳的觸媒為鹼觸媒。藉由使用鹼觸媒,可獲得分子量尤其高的聚金屬氧烷。鹼觸媒中,尤佳為二乙基胺、二丙基胺、二丁基胺、二戊基胺、二己基胺、二庚基胺、二辛基胺、三乙基胺、三丙基胺、三丁基胺、三異丁基胺、三戊基胺、三己基胺、三庚基胺、三辛基胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二環己基胺、二環己基甲基胺、2,2,6,6-四甲基哌啶。
另外,就組成物的貯存穩定性的觀點而言,較佳為水解、部分縮合及聚合後的聚金屬氧烷溶液不包含所述觸媒,可視需要進行觸媒的去除。作為觸媒的去除方法,並無特別限制,就操作的簡便性與去除性的觀點而言,較佳為水清洗及離子交換樹脂的處理中的至少一者。所謂水清洗是利用如下方式的觸媒的去除方法:利用適當的疏水性溶媒將聚金屬氧烷溶液稀釋後,利用水進行多次清洗,並利用蒸發器等對所獲得的有機層進行濃縮。所謂利用離子交換樹脂的處理是利用如下方式的觸媒的去除方法:使聚金屬氧烷溶液與適當的離子交換樹脂接觸。
(聚金屬氧烷的組成物)
本發明的實施形態的聚金屬氧烷可與溶媒或其他必要的成分混合而製成組成物。即,本發明的實施形態的組成物至少包含所述聚金屬氧烷。
本發明的實施形態的聚金屬氧烷可與溶媒或其他必要的成分混合而製成組成物。即,本發明的實施形態的組成物至少包含所述聚金屬氧烷。
於本發明中,關於聚金屬氧烷,於製成組成物的情況下,較佳為利用溶媒進行稀釋來調整固體成分濃度。作為該溶媒,並無特別限制,較佳為使用與聚金屬氧烷的合成中所使用的溶媒相同者。含有聚金屬氧烷的溶液的固體成分濃度較佳為設為0.1 wt%~50 wt%。藉由將該固體成分濃度設為該範圍,聚金屬氧烷的塗佈膜的膜厚控制良好。
於調整聚金屬氧烷溶液的固體成分濃度時,於該溶液中可添加其他成分。作為其他成分,可列舉:含金屬元素的化合物、界面活性劑、矽烷偶合劑等。即,本發明的實施形態的組成物較佳為除所述聚金屬氧烷以外,進而包含含金屬元素的化合物等其他成分。
為了提高硬化膜的耐化學品性,較佳為使用含金屬元素的化合物。因含金屬元素的化合物而聚金屬氧烷彼此形成交聯結構。因此,可獲得聚金屬氧烷及其組成物的更緻密的硬化膜。含金屬元素的化合物可殘留於該硬化膜中。
作為含金屬元素的化合物的例子,較佳為有機金屬錯合物。具體而言,作為該有機金屬錯合物,可列舉:單-第二丁氧基二異丙醇鋁、第二丁酸鋁、乙醯乙酸乙酯二異丙醇鋁、雙(乙酸乙酯)鋁、烷基乙醯二異丙醇鋁、單乙醯丙酮酸雙(乙醯乙酸乙酯)鋁、雙(乙醯丙酮酸)鋁、三(乙醯乙酸酯)鋁、雙(乙醯乙酸酯)鋯、雙(乙醯乙酸乙酯)鋯、雙(乙醯乙酸酯)鈦、雙(乙醯乙酸乙酯)鈦、四正丁氧基鈦、四正丁氧基鈦的縮合物(寡聚物)、四異丙氧基鈦的縮合物(寡聚物)等。
另外,相對於聚金屬氧烷100重量份,組成物中的含金屬元素的化合物的含量以合計量計較佳為0.1重量份以上、50重量份以下,進而佳為1重量份以上、20重量份以下。
為了提高塗佈聚金屬氧烷及其組成物時的膜厚的均勻性,較佳為使用界面活性劑。界面活性劑可殘留於該硬化膜中。
界面活性劑的種類並無特別限制。作為界面活性劑,例如可使用「美佳法(Megafac)(註冊商標)」F142D、「美佳法(Megafac)」F172、「美佳法(Megafac)」F173、「美佳法(Megafac)」F183、「美佳法(Megafac)」F445、「美佳法(Megafac)」F470、「美佳法(Megafac)」F475、「美佳法(Megafac)」F477(以上,大日本油墨化學工業公司製造)、NBX-15、FTX-218、DFX-18(奈奧斯(NEOS)公司製造)等氟系界面活性劑、畢克(BYK)-333、畢克(BYK)-301、畢克(BYK)-331、畢克(BYK)-345、畢克(BYK)-307(日本畢克化學(BYK-Chemie Japan)公司製造)等矽酮系界面活性劑、聚環氧烷系界面活性劑、聚(甲基)丙烯酸酯系界面活性劑等。作為界面活性劑,可使用兩種以上的該些界面活性劑。
另外,相對於聚金屬氧烷100重量份,組成物中的界面活性劑的含量較佳為0.001重量份以上、10重量份以下,進而佳為0.01重量份以上、1重量份以下。
為了提高與基板的密接性,較佳為使用矽烷偶合劑。矽烷偶合劑並無特別限制。作為矽烷偶合劑,例如可使用乙烯基二甲氧基矽烷、乙烯基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基二甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基二甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基二甲氧基矽烷、3-胺基丙基二甲氧基矽烷、3-胺基丙基二乙氧基矽烷、3-二乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙基胺、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基二甲氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基二乙氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二甲基矽醇、二苯基矽烷二醇等。
另外,相對於聚金屬氧烷100重量份,組成物中的矽烷偶合劑的含量較佳為0.1重量份以上、50重量份以下,進而佳為1重量份以上、20重量份以下。
(硬化膜及其製造方法)
本發明的實施形態的硬化膜含有所述聚金屬氧烷或含有所述聚金屬氧烷的組成物。於本發明的實施形態的硬化膜的製造方法中,所述聚金屬氧烷或包含其的組成物可藉由塗佈於基板上並加以加熱而製成硬化膜。即,該硬化膜的製造方法至少包括對所述聚金屬氧烷或其組成物進行加熱的加熱步驟。以所述方式獲得的硬化膜成為以主鏈具有電子密度高的金屬原子的樹脂為主體的硬化膜,因此可提高硬化膜中的金屬原子的密度,並可容易獲得高折射率。另外,該硬化膜成為不具有自由電子的介電體,因此可獲得高耐熱性。
本發明的實施形態的硬化膜含有所述聚金屬氧烷或含有所述聚金屬氧烷的組成物。於本發明的實施形態的硬化膜的製造方法中,所述聚金屬氧烷或包含其的組成物可藉由塗佈於基板上並加以加熱而製成硬化膜。即,該硬化膜的製造方法至少包括對所述聚金屬氧烷或其組成物進行加熱的加熱步驟。以所述方式獲得的硬化膜成為以主鏈具有電子密度高的金屬原子的樹脂為主體的硬化膜,因此可提高硬化膜中的金屬原子的密度,並可容易獲得高折射率。另外,該硬化膜成為不具有自由電子的介電體,因此可獲得高耐熱性。
作為供聚金屬氧烷或其組成物塗佈的基板,並無特別限制,可列舉:矽晶圓或藍寶石晶圓、玻璃、光學膜等。作為玻璃,例如可列舉:鹼玻璃、無鹼玻璃、熱強化玻璃或化學強化玻璃。作為光學膜,例如可列舉包含丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚碸、聚丙烯、聚乙烯、聚醯亞胺或環烯烴聚合物的膜。
詳細而言,本發明的實施形態的硬化膜的製造方法包括:將所述聚金屬氧烷或其組成物塗佈於基板上的塗佈步驟;以及所述加熱步驟。於該塗佈步驟中,將所述聚金屬氧烷或其組成物塗佈於基板上時的塗佈方法可使用公知的方法。作為塗佈中所使用的裝置,可列舉:旋轉塗佈、浸漬塗佈、簾幕流動塗佈、噴霧塗佈或狹縫塗佈等整面塗佈裝置或網版印刷、輥塗佈、微凹版塗佈或噴墨等印刷裝置。
另外,於該塗佈步驟中,將聚金屬氧烷或其組成物塗佈於基板上後,視需要,亦可使用加熱板、烘箱等加熱裝置來進行加熱(預烘烤)。預烘烤較佳為於50℃~150℃的溫度範圍內進行30秒~30分鐘而將基板上的塗佈膜製成預烘烤膜。藉由進行預烘烤,該塗佈膜可製成膜厚均勻性良好者。該塗佈膜的預烘烤後的膜厚較佳為0.1 μm以上、15 μm以下。
於進行所述塗佈步驟後,實施對基板上的聚金屬氧烷或其組成物進行加熱而獲得硬化膜的加熱步驟。該加熱步驟中,使用加熱板或烘箱等加熱裝置,於150℃~450℃的溫度範圍內對利用所述塗佈步驟形成的塗佈膜或預烘烤膜進行30秒~2小時左右的加熱(固化(cure))。藉此,可獲得含有聚金屬氧烷或其組成物的硬化膜。該硬化膜的膜厚較佳為0.1 μm以上、15 μm以下。
以所述方式獲得的硬化膜較佳為波長550 nm下的折射率為1.58以上、2.20以下者,更佳為該折射率為1.65以上、2.10以下者。
硬化膜的折射率可利用以下方法來測定。例如,該折射率的測定方法中,使用分光橢圓偏光儀(Ellipsometer),測定來自硬化膜及基板的反射光的偏光狀態變化,從而獲得與入射光的相位差及振幅反射率的光譜。藉由以接近所獲得的光譜的方式擬合計算模型的介電函數而獲得折射率光譜。藉由自所獲得的折射率光譜讀取波長550 nm下的折射率值而獲得硬化膜的折射率。
(硬化膜的用途)
本發明的實施形態的硬化膜的折射率或絕緣性優異,因此可較佳地用作固體攝像元件、顯示器等電子零件的構件。所謂構件是指組裝電子零件的零部件。即,本發明的實施形態的構件具備含有所述聚金屬氧烷或其組成物的硬化膜。本發明的實施形態的電子零件具備此種硬化膜。作為固體攝像元件的構件,例如可列舉:聚光用透鏡、或連接聚光用透鏡與光感測器部的光波導、抗反射膜等。作為顯示器的構件,可列舉:折射率匹配材、平坦化材、絕緣保護材等。
本發明的實施形態的硬化膜的折射率或絕緣性優異,因此可較佳地用作固體攝像元件、顯示器等電子零件的構件。所謂構件是指組裝電子零件的零部件。即,本發明的實施形態的構件具備含有所述聚金屬氧烷或其組成物的硬化膜。本發明的實施形態的電子零件具備此種硬化膜。作為固體攝像元件的構件,例如可列舉:聚光用透鏡、或連接聚光用透鏡與光感測器部的光波導、抗反射膜等。作為顯示器的構件,可列舉:折射率匹配材、平坦化材、絕緣保護材等。
(纖維用途)
藉由對本發明的實施形態的聚金屬氧烷或其組成物的溶液進行紡絲,可製成纖維。即,本發明的實施形態的纖維為含有所述聚金屬氧烷者或含有所述聚金屬氧烷的組成物者。以所述方式獲得的纖維可藉由煆燒而製成金屬氧化物纖維。
藉由對本發明的實施形態的聚金屬氧烷或其組成物的溶液進行紡絲,可製成纖維。即,本發明的實施形態的纖維為含有所述聚金屬氧烷者或含有所述聚金屬氧烷的組成物者。以所述方式獲得的纖維可藉由煆燒而製成金屬氧化物纖維。
期待包含金屬氧化物的纖維具有高耐熱、高強度、表面活性等特性,並具有對於各種用途有用的特性。此種纖維(金屬氧化物纖維)通常藉由熔融纖維化法來製造。該方法如以下般。例如,該方法中,首先,將金屬氧化物原料與氧化矽等低熔點化合物混合。繼而,利用高溫爐使該混合物熔融後,將熔融物以細流的形式取出。藉由對該細流吹附高壓空氣或施加離心力而進行急速冷卻,從而製成金屬氧化物纖維。然而,熔融纖維化法中,若金屬氧化物原料的濃度變高,則熔融溫度變高,因此難以獲得高濃度的含有金屬氧化物的金屬氧化物纖維(以下,適宜簡記為高濃度的金屬氧化物纖維)。
作為獲得高濃度的金屬氧化物纖維的方法,通常而言,已知有如下方法:使用包含金屬氧化物原料與增黏劑的紡絲液來製作纖維狀的前驅物,並對其進行加熱紡絲。然而,此種方法中,存在如下問題:於增黏劑在煆燒過程中燒毀時,產生空孔或龜裂,其結果,所獲得的金屬氧化物纖維的強度不足。
本發明的實施形態的聚金屬氧烷或其組成物可以溶液狀態操作,因此可無需於所述熔融纖維化法中實施的熔融步驟而進行紡絲。另外,所述聚金屬氧烷及其組成物於進行紡絲時無需增黏劑,因此可獲得緻密的金屬氧化物纖維。因此,可容易獲得具有高耐熱、高強度、表面活性等特性的金屬氧化物纖維。
(纖維的製造方法)
本發明的實施形態的纖維的製造方法至少包括對所述聚金屬氧烷或其組成物進行紡絲而獲得纖維的紡絲步驟。於該紡絲步驟中,作為對聚金屬氧烷或其組成物的溶液進行紡絲的方法,可使用公知的方法。作為該紡絲的方法,例如可列舉:乾式紡絲法、濕式紡絲法、乾濕式紡絲法、靜電紡絲法。以下,將「聚金屬氧烷或其組成物」適宜簡記為「組成物等」。
本發明的實施形態的纖維的製造方法至少包括對所述聚金屬氧烷或其組成物進行紡絲而獲得纖維的紡絲步驟。於該紡絲步驟中,作為對聚金屬氧烷或其組成物的溶液進行紡絲的方法,可使用公知的方法。作為該紡絲的方法,例如可列舉:乾式紡絲法、濕式紡絲法、乾濕式紡絲法、靜電紡絲法。以下,將「聚金屬氧烷或其組成物」適宜簡記為「組成物等」。
所謂乾式紡絲法為如下方法:填充組成物等,藉由負荷而自具有細孔的模口擠出至環境中,使有機溶劑蒸發而製成絲狀物。該方法中,於在填充後對組成物等進行加熱並擠出時,可使黏度減低。另外,亦可將組成物等擠出至加熱環境中來控制有機溶劑的蒸發速度。擠出組成物等後,亦可藉由使絲狀物旋轉的輥或高速空氣流來加以延伸。
所謂濕式紡絲法為如下方法:藉由負荷而將組成物等自具有細孔的模口擠出至凝固浴中,將有機溶劑去除而製成絲狀物。作為凝固浴,可較佳地使用水或極性溶劑。另外,所謂乾濕式紡絲法為如下方法:將組成物等擠出至環境中,其後,浸漬於凝固浴中,將有機溶劑去除而製成絲狀物。
所謂靜電紡絲法為如下方法:藉由對填充有組成物等的噴嘴施加高電壓,電荷蓄積於噴嘴前端的液滴中,所述電荷相互排斥,藉此液滴擴展而溶液流得以延伸,藉此進行紡絲。該方法中,可獲得細徑的絲狀物。因此,當利用靜電紡絲法時,可獲得幾十nm~幾μm的細徑的絲狀物。
該些中,作為本發明中的紡絲步驟中的紡絲方法,可尤佳地使用乾式紡絲法或靜電紡絲法。
於本發明的紡絲步驟中,藉由紡絲而獲得的纖維可於進行煆燒前,視需要進行乾燥處理、水蒸氣處理、熱水處理或組合該些的處理。
對藉由所述紡絲步驟中的紡絲而獲得的纖維進行煆燒,藉此進行交聯反應,並且將有機基等有機成分去除,從而可獲得強度優異的金屬氧化物纖維。即,於製造金屬氧化物纖維的情況下,本發明的實施形態的纖維的製造方法包括:所述紡絲步驟;以及對藉由所述紡絲步驟而獲得的纖維進行煆燒的煆燒步驟。於該煆燒步驟中,煆燒溫度並無特別限制,較佳為200℃以上、2000℃以下,進而佳為400℃以上、1500℃以下。煆燒方法並無特別限制。作為煆燒方法,例如可列舉於空氣環境中進行煆燒的方法或於氮氣、氬氣等惰性環境中進行煆燒的方法或於真空中進行煆燒的方法等。
另外,本發明中的煆燒步驟中,進而亦可於氫氣之類的還原環境中對所獲得的金屬氧化物纖維進行煆燒。另外,該煆燒步驟中,可一邊對藉由紡絲而獲得的纖維或金屬氧化物纖維施加張力一邊進行煆燒。
藉由此種方法,可獲得平均纖維徑為0.01 μm以上、1000 μm以下的連續且緻密的金屬氧化物纖維。金屬氧化物纖維的平均纖維徑較佳為0.01 μm以上、1000 μm以下,進而佳為0.10 μm以上、200 μm以下。藉由平均纖維徑為所述範圍,金屬氧化物纖維可製成無龜裂且均質的纖維。
所獲得的金屬氧化物纖維的平均纖維徑可藉由以下方法來求出。例如,將接著膠帶貼於台紙,使要測定纖維徑的單纖維水平地接著於所述接著膠帶上,將其設為單纖維試驗片。利用電子顯微鏡自上面觀察該單纖維試驗片,將圖像的寬度設為纖維徑。纖維徑設為如下值:沿長度方向測定3次並加以平均而得的值。針對隨機選擇的20根單纖維進行該操作,並將所獲得的纖維徑加以平均而設為平均纖維徑。
金屬氧化物纖維等纖維可用作光觸媒、隔熱材、放熱材、纖維強化塑膠(Fiber Reinforced Plastic,FRP)等複合材料,所述金屬氧化物纖維等纖維是對本發明的實施形態的聚金屬氧烷或其組成物的溶液進行紡絲,並對利用該紡絲形成的纖維進行煆燒而獲得。例如,作為光觸媒,可用於水、大氣淨化用過濾器等中。作為隔熱材或放熱材,可用於電爐、核燃料棒鞘或航空器的引擎渦輪、熱交換器等中。
(陶瓷成型用黏合劑用途)
本發明的實施形態的聚金屬氧烷可較佳地用作陶瓷成型用黏合劑。即,本發明的實施形態的陶瓷成型用黏合劑含有所述聚金屬氧烷。所謂陶瓷成型用黏合劑是用以將包含金屬氧化物粒子或燒結助劑的陶瓷原料粉末製成可成型的糊狀的黏合劑。將本發明的實施形態的陶瓷成型用黏合劑中的聚金屬氧烷用作黏結劑而製造的陶瓷可用作電子構件。更具體而言,該陶瓷成型用黏合劑中的聚金屬氧烷可用作印刷電路基板(green sheet)製造用的無機黏結劑。利用此種方法而製造的印刷電路基板可較佳地用於製造積層電容器或陶瓷基板等的電子構件。
本發明的實施形態的聚金屬氧烷可較佳地用作陶瓷成型用黏合劑。即,本發明的實施形態的陶瓷成型用黏合劑含有所述聚金屬氧烷。所謂陶瓷成型用黏合劑是用以將包含金屬氧化物粒子或燒結助劑的陶瓷原料粉末製成可成型的糊狀的黏合劑。將本發明的實施形態的陶瓷成型用黏合劑中的聚金屬氧烷用作黏結劑而製造的陶瓷可用作電子構件。更具體而言,該陶瓷成型用黏合劑中的聚金屬氧烷可用作印刷電路基板(green sheet)製造用的無機黏結劑。利用此種方法而製造的印刷電路基板可較佳地用於製造積層電容器或陶瓷基板等的電子構件。
通常而言,印刷電路基板是藉由如下方式來獲得:將包含陶瓷原料粉末、黏結劑及溶媒的糊狀組成物呈紙或板狀成形並加以乾燥。藉由對該印刷電路基板進行加工、燒結而可製造大量的電子構件。
但是,於製造印刷電路基板時的黏結劑為有機聚合物的情況下,存在因燒結時的殘留灰分而電子構件的電特性降低等課題。另外,存在如下課題:因燒結時的有機成分的分解而印刷電路基板的體積收縮率變大,其結果,於印刷電路基板產生裂紋或翹曲等。
相對於此,本發明的實施形態的聚金屬氧烷為主鏈具有金屬原子-氧原子-金屬原子的鍵的無機聚合物。因此,藉由將該聚金屬氧烷用作黏結劑,可大幅減低燒結時的殘留灰分。另外,該聚金屬氧烷於燒結後成為金屬氧化物,因此可抑制印刷電路基板的體積收縮。
[實施例]
[實施例]
以下,列舉實施例來對本發明進行更具體說明,但本發明並不受下述實施例等限定。
於下述各合成例及實施例等中,利用傅立葉轉換型紅外分光(以下,略記為FT-IR)的分析是藉由以下方法來進行。首先,使用傅立葉轉換型紅外分光計(島津製作所公司製造的FT720)對經片劑化的溴化鉀進行測定,將其設為基準。繼而,使試樣溶液真空乾燥,以相對於溴化鉀粉末而為約0.5 wt%的方式混合固體殘渣並加以片劑化,藉此製成試樣。根據測定試樣的吸光度與基準的吸光度的差來算出聚金屬氧烷的吸光度,並讀取吸收峰值。
(合成例1)
對合成例1的鈦化合物(T-1)的合成方法進行說明。鈦化合物(T-1)的合成方法中,於容量500 mL的三口燒瓶中,裝入四異丙氧基鈦(28.4 g(0.1 mol)),將該三口燒瓶浸漬於40℃的油浴中並攪拌30分鐘。其後,使用滴液漏斗,歷時1小時將使N-羥基琥珀醯亞胺(11.5 g(0.1 mol))溶解於50 g的N-甲基-2-吡咯啶酮(以下,略記為NMP)中而成的溶液添加於該三口燒瓶內。添加後,進而攪拌1小時。其後,藉由減壓蒸餾去除而將作為副產物的異丙醇去除,其結果,獲得82.1 g的合成例1的鈦化合物溶液即鈦化合物(T-1)的NMP溶液。
對合成例1的鈦化合物(T-1)的合成方法進行說明。鈦化合物(T-1)的合成方法中,於容量500 mL的三口燒瓶中,裝入四異丙氧基鈦(28.4 g(0.1 mol)),將該三口燒瓶浸漬於40℃的油浴中並攪拌30分鐘。其後,使用滴液漏斗,歷時1小時將使N-羥基琥珀醯亞胺(11.5 g(0.1 mol))溶解於50 g的N-甲基-2-吡咯啶酮(以下,略記為NMP)中而成的溶液添加於該三口燒瓶內。添加後,進而攪拌1小時。其後,藉由減壓蒸餾去除而將作為副產物的異丙醇去除,其結果,獲得82.1 g的合成例1的鈦化合物溶液即鈦化合物(T-1)的NMP溶液。
當利用FT-IR對該鈦化合物溶液進行分析時,確認到Ti-O-N的吸收峰值(1107 cm-1
)及醯亞胺的C=O的吸收峰值(1712 cm-1
)。據此,推定所獲得的鈦化合物(T-1)為三異丙氧基(N-琥珀醯亞胺基氧基)鈦。
(合成例2)
對合成例2的鈦化合物(T-2)的合成方法進行說明。鈦化合物(T-2)的合成方法中,將合成例1的N-羥基琥珀醯亞胺(11.5 g(0.1 mol))替換為N-羥基-5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺(17.9 g(0.1 mol)),除此以外,與合成例1同樣地合成。其結果,獲得88.5 g的合成例2的鈦化合物溶液即鈦化合物(T-2)的NMP溶液。
對合成例2的鈦化合物(T-2)的合成方法進行說明。鈦化合物(T-2)的合成方法中,將合成例1的N-羥基琥珀醯亞胺(11.5 g(0.1 mol))替換為N-羥基-5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺(17.9 g(0.1 mol)),除此以外,與合成例1同樣地合成。其結果,獲得88.5 g的合成例2的鈦化合物溶液即鈦化合物(T-2)的NMP溶液。
當利用FT-IR對該鈦化合物溶液進行分析時,確認到Ti-O-N的吸收峰值(1107 cm-1
)及醯亞胺的C=O的吸收峰值(1712 cm-1
)。據此,推定所獲得的鈦化合物(T-2)為三異丙氧基(N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基)鈦。
(合成例3)
對合成例3的鈦化合物(T-3)的合成方法進行說明。鈦化合物(T-3)的合成方法中,將合成例1的N-羥基琥珀醯亞胺(11.5 g(0.1 mol))替換為N-羥基鄰苯二甲醯亞胺(16.3 g(0.1 mol)),除此以外,與合成例1同樣地合成。其結果,獲得87.1 g的合成例3的鈦化合物溶液即鈦化合物(T-3)的NMP溶液。
對合成例3的鈦化合物(T-3)的合成方法進行說明。鈦化合物(T-3)的合成方法中,將合成例1的N-羥基琥珀醯亞胺(11.5 g(0.1 mol))替換為N-羥基鄰苯二甲醯亞胺(16.3 g(0.1 mol)),除此以外,與合成例1同樣地合成。其結果,獲得87.1 g的合成例3的鈦化合物溶液即鈦化合物(T-3)的NMP溶液。
當利用FT-IR對該鈦化合物溶液進行分析時,確認到Ti-O-N的吸收峰值(1107 cm-1
)及醯亞胺的C=O的吸收峰值(1711 cm-1
)。據此,推定所獲得的鈦化合物(T-3)為三異丙氧基(N-鄰苯二甲醯亞胺基氧基)鈦。
(合成例4)
對合成例4的鋯化合物(Z-1)的合成方法進行說明。鋯化合物(Z-1)的合成方法中,將合成例2的四異丙氧基鈦(28.4 g(0.1 mol))替換為四正丙氧基鋯(32.7 g(0.1 mol)),並藉由減壓蒸餾去除而將作為副產物的正丙醇去除,除此以外,與合成例2同樣地合成。其結果,獲得92.1 g的合成例4的鋯化合物溶液即鋯化合物(Z-1)的NMP溶液。
對合成例4的鋯化合物(Z-1)的合成方法進行說明。鋯化合物(Z-1)的合成方法中,將合成例2的四異丙氧基鈦(28.4 g(0.1 mol))替換為四正丙氧基鋯(32.7 g(0.1 mol)),並藉由減壓蒸餾去除而將作為副產物的正丙醇去除,除此以外,與合成例2同樣地合成。其結果,獲得92.1 g的合成例4的鋯化合物溶液即鋯化合物(Z-1)的NMP溶液。
當利用FT-IR對該鋯化合物溶液進行分析時,確認到Zr-O-N的吸收峰值(1263 cm-1
)及醯亞胺的C=O的吸收峰值(1631 cm-1
)。據此,推定所獲得的鋯化合物(Z-1)為三正丙氧基(N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基)鋯。
(合成例5)
對合成例5的鋁化合物(A-1)的合成方法進行說明。鋁化合物(A-1)的合成方法中,將合成例2的四異丙氧基鈦(28.4 g(0.1 mol))替換為三-第二丁氧基鋁(24.6 g(0.1 mol)),並藉由減壓蒸餾去除而將作為副產物的第二丁醇去除,除此以外,與合成例2同樣地合成。其結果,獲得83.1 g的合成例5的鋁化合物溶液即鋁化合物(A-1)的NMP溶液。
對合成例5的鋁化合物(A-1)的合成方法進行說明。鋁化合物(A-1)的合成方法中,將合成例2的四異丙氧基鈦(28.4 g(0.1 mol))替換為三-第二丁氧基鋁(24.6 g(0.1 mol)),並藉由減壓蒸餾去除而將作為副產物的第二丁醇去除,除此以外,與合成例2同樣地合成。其結果,獲得83.1 g的合成例5的鋁化合物溶液即鋁化合物(A-1)的NMP溶液。
當利用FT-IR對該鋁化合物溶液進行分析時,確認到Al-O-N的吸收峰值(1133 cm-1
)及醯亞胺的C=O的吸收峰值(1670 cm-1
)。據此,推定所獲得的鋁化合物(A-1)為二-第二丁氧基(N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基)鋁。
關於所述合成例1~合成例5,匯總記載於表1中。
[表1]
(表1)
(表1)
以下,於各實施例及各比較例中,聚金屬氧烷溶液的固體成分濃度是藉由以下方法來求出。具體而言,秤取1.0 g的聚金屬氧烷溶液至鋁杯中,使用加熱板,於250℃下加熱30分鐘,使溶液成分蒸發,並秤量加熱後的鋁杯中所殘留的固體成分,藉此求出聚金屬氧烷溶液的固體成分濃度。
另外,重量平均分子量(Mw)是藉由以下方法來求出。具體而言,作為展開溶媒,將氯化鋰溶解於NMP中,製作0.02 M氯化鋰-NMP溶液。將聚金屬氧烷以成為0.2 wt%的方式溶解於展開溶媒中,將其設為試樣溶液。將展開溶媒以流速0.5 mL/min填充於多孔質凝膠管柱(東曹公司製造的TSKgel(α-M、α-3000各一根)),於其中注入試樣溶液(0.2 mL)。利用示差折射率檢測器(昭和電工公司製造的RI-201型)來檢測管柱溶出物,並分析溶出時間,藉此求出重量平均分子量(Mw)。
(實施例1)
實施例1中,進行聚金屬氧烷(TP-1)的合成。該聚金屬氧烷(TP-1)的合成方法中,將合成例1中所合成的鈦化合物(T-1)的NMP溶液(82.1 g)設為溶液1。該量的溶液1相當於鈦化合物(T-1)的0.1 mol的莫耳量。另外,將水(5.4 g(0.30 mol))、作為水稀釋溶媒的NMP(15.0 g)及作為聚合觸媒的三丙基胺(1.4 g(0.01 mol))混合,將該混合液設為溶液2。
實施例1中,進行聚金屬氧烷(TP-1)的合成。該聚金屬氧烷(TP-1)的合成方法中,將合成例1中所合成的鈦化合物(T-1)的NMP溶液(82.1 g)設為溶液1。該量的溶液1相當於鈦化合物(T-1)的0.1 mol的莫耳量。另外,將水(5.4 g(0.30 mol))、作為水稀釋溶媒的NMP(15.0 g)及作為聚合觸媒的三丙基胺(1.4 g(0.01 mol))混合,將該混合液設為溶液2。
繼而,於容量500 ml的三口燒瓶中,裝入溶液1的總量,將該三口燒瓶浸漬於40℃的油浴中並攪拌30分鐘。其後,將以水解為目的的溶液2的總量填充於滴液漏斗中,歷時1小時添加於該三口燒瓶內。於溶液2的添加過程中,於該三口燒瓶內的溶液中不會產生析出,該溶液為均勻的溶液。於添加溶液2後,進而將該溶液攪拌1小時,並將該溶液中的鈦化合物(T-1)設為含羥基的金屬化合物。其後,以縮聚為目的,歷時30分鐘將油浴升溫至140℃。升溫開始1小時後,該溶液的內溫達到100℃,其後加熱攪拌2小時(內溫為100℃~130℃)。於反應過程中,蒸餾出作為副產物的異丙醇(Isopropanol,IPA)及水。於加熱攪拌過程中,於該三口燒瓶內的溶液中不會產生析出,該溶液為均勻的溶液。於加熱結束後,將該三口燒瓶內的溶液冷卻至室溫,從而獲得聚金屬氧烷溶液。求出所獲得的聚金屬氧烷溶液的固體成分濃度,其後,以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入NMP,從而製成聚金屬氧烷(TP-1)溶液。
當利用FT-IR對所獲得的聚金屬氧烷(TP-1)進行分析時,確認到Ti-O-N的吸收峰值(1107 cm-1
)及醯亞胺的C=O的吸收峰值(1712 cm-1
)。據此,確認到聚金屬氧烷(TP-1)為具有N-琥珀醯亞胺基氧基的聚金屬氧烷。聚金屬氧烷(TP-1)的重量平均分子量(Mw)於聚苯乙烯換算中為310,000。
(實施例2)
實施例2中,進行聚金屬氧烷(TP-2)的合成。該聚金屬氧烷(TP-2)的合成方法中,代替實施例1的鈦化合物(T-1)的NMP溶液(82.1 g)而將合成例2中所合成的鈦化合物(T-2)的NMP溶液(88.5 g:相當於鈦化合物(T-2)的0.1 mol)設為溶液1,除此以外,與實施例1同樣地合成,從而獲得實施例2的聚金屬氧烷溶液。求出該所獲得的聚金屬氧烷溶液的固體成分濃度,其後,以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入NMP,從而製成聚金屬氧烷(TP-2)溶液。
實施例2中,進行聚金屬氧烷(TP-2)的合成。該聚金屬氧烷(TP-2)的合成方法中,代替實施例1的鈦化合物(T-1)的NMP溶液(82.1 g)而將合成例2中所合成的鈦化合物(T-2)的NMP溶液(88.5 g:相當於鈦化合物(T-2)的0.1 mol)設為溶液1,除此以外,與實施例1同樣地合成,從而獲得實施例2的聚金屬氧烷溶液。求出該所獲得的聚金屬氧烷溶液的固體成分濃度,其後,以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入NMP,從而製成聚金屬氧烷(TP-2)溶液。
當利用FT-IR對所獲得的聚金屬氧烷(TP-2)進行分析時,確認到Ti-O-N的吸收峰值(1107 cm-1
)及醯亞胺的C=O的吸收峰值(1712 cm-1
)。據此,確認到聚金屬氧烷(TP-2)為具有N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基的聚金屬氧烷。聚金屬氧烷(TP-2)的重量平均分子量(Mw)於聚苯乙烯換算中為42,000。
(實施例3)
實施例3中,進行聚金屬氧烷(TP-3)的合成。該聚金屬氧烷(TP-3)的合成方法中,代替實施例1的鈦化合物(T-1)的NMP溶液(82.1 g)而將合成例3中所合成的鈦化合物(T-3)的NMP溶液(87.1 g:相當於鈦化合物(T-3)的0.1 mol)設為溶液1,除此以外,與實施例1同樣地合成,從而獲得實施例3的聚金屬氧烷溶液。求出該所獲得的聚金屬氧烷溶液的固體成分濃度,其後,以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入NMP,從而製成聚金屬氧烷(TP-3)溶液。
實施例3中,進行聚金屬氧烷(TP-3)的合成。該聚金屬氧烷(TP-3)的合成方法中,代替實施例1的鈦化合物(T-1)的NMP溶液(82.1 g)而將合成例3中所合成的鈦化合物(T-3)的NMP溶液(87.1 g:相當於鈦化合物(T-3)的0.1 mol)設為溶液1,除此以外,與實施例1同樣地合成,從而獲得實施例3的聚金屬氧烷溶液。求出該所獲得的聚金屬氧烷溶液的固體成分濃度,其後,以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入NMP,從而製成聚金屬氧烷(TP-3)溶液。
當利用FT-IR對所獲得的聚金屬氧烷(TP-3)進行分析時,確認到Ti-O-N的吸收峰值(1107 cm-1
)及醯亞胺的C=O的吸收峰值(1711 cm-1
)。據此,確認到聚金屬氧烷(TP-3)為具有N-鄰苯二甲醯亞胺基氧基的聚金屬氧烷。聚金屬氧烷(TP-3)的重量平均分子量(Mw)於聚苯乙烯換算中為350,000。
(實施例4)
實施例4中,進行聚金屬氧烷(ZP-1)的合成。該聚金屬氧烷(ZP-1)的合成方法中,代替實施例1的鈦化合物(T-1)的NMP溶液(82.1 g)而將合成例4中所合成的鋯化合物(Z-1)的NMP溶液(92.1 g:相當於鋯化合物(Z-1)的0.1 mol)設為溶液1,除此以外,與實施例1同樣地合成,從而獲得實施例4的聚金屬氧烷溶液。實施例4中,於反應過程中,蒸餾出作為副產物的正丙醇及水。求出實施例4中所獲得的聚金屬氧烷溶液的固體成分濃度,其後,以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入NMP,從而製成聚金屬氧烷(ZP-1)溶液。
實施例4中,進行聚金屬氧烷(ZP-1)的合成。該聚金屬氧烷(ZP-1)的合成方法中,代替實施例1的鈦化合物(T-1)的NMP溶液(82.1 g)而將合成例4中所合成的鋯化合物(Z-1)的NMP溶液(92.1 g:相當於鋯化合物(Z-1)的0.1 mol)設為溶液1,除此以外,與實施例1同樣地合成,從而獲得實施例4的聚金屬氧烷溶液。實施例4中,於反應過程中,蒸餾出作為副產物的正丙醇及水。求出實施例4中所獲得的聚金屬氧烷溶液的固體成分濃度,其後,以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入NMP,從而製成聚金屬氧烷(ZP-1)溶液。
當利用FT-IR對所獲得的聚金屬氧烷(ZP-1)進行分析時,確認到Zr-O-N的吸收峰值(1263 cm-1
)及醯亞胺的C=O的吸收峰值(1631 cm-1
)。據此,確認到聚金屬氧烷(ZP-1)為具有N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基的聚金屬氧烷。聚金屬氧烷(ZP-1)的重量平均分子量(Mw)於聚苯乙烯換算中為450,000。
(實施例5)
實施例5中,進行聚金屬氧烷(ZAP-1)的合成。該聚金屬氧烷(ZAP-1)的合成方法中,代替實施例1的鈦化合物(T-1)的NMP溶液(82.1 g)而將合成例4中所合成的鋯化合物(Z-1)的NMP溶液(46.0 g:相當於鋯化合物(Z-1)的0.05 mol)及合成例5中所合成的鋁化合物(A-1)的NMP溶液(41.6 g:相當於鋁化合物(A-1)的0.05 mol)設為溶液1,除此以外,與實施例1同樣地合成,從而獲得實施例5的聚金屬氧烷溶液。實施例5中,於反應過程中,蒸餾出作為副產物的正丙醇、第二丁醇及水。求出實施例5中所獲得的聚金屬氧烷溶液的固體成分濃度,其後,以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入NMP,從而製成聚金屬氧烷(ZAP-1)溶液。
實施例5中,進行聚金屬氧烷(ZAP-1)的合成。該聚金屬氧烷(ZAP-1)的合成方法中,代替實施例1的鈦化合物(T-1)的NMP溶液(82.1 g)而將合成例4中所合成的鋯化合物(Z-1)的NMP溶液(46.0 g:相當於鋯化合物(Z-1)的0.05 mol)及合成例5中所合成的鋁化合物(A-1)的NMP溶液(41.6 g:相當於鋁化合物(A-1)的0.05 mol)設為溶液1,除此以外,與實施例1同樣地合成,從而獲得實施例5的聚金屬氧烷溶液。實施例5中,於反應過程中,蒸餾出作為副產物的正丙醇、第二丁醇及水。求出實施例5中所獲得的聚金屬氧烷溶液的固體成分濃度,其後,以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入NMP,從而製成聚金屬氧烷(ZAP-1)溶液。
當利用FT-IR對所獲得的聚金屬氧烷(ZAP-1)進行分析時,確認到Zr-O-N的吸收峰值(1263 cm-1
)、Al-O-N的吸收峰值(1133 cm-1
)及醯亞胺的C=O的吸收峰值(1631 cm-1
)。據此,確認到聚金屬氧烷(ZAP-1)為具有N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基的聚金屬氧烷。聚金屬氧烷(ZAP-1)的重量平均分子量(Mw)於聚苯乙烯換算中為270,000。
(實施例6)
實施例6中,進行聚金屬氧烷(TAP-1)的合成。該聚金屬氧烷(TAP-1)的合成方法中,代替實施例1的鈦化合物(T-1)的NMP溶液(82.1 g)而將合成例2中所合成的鈦化合物(T-2)的NMP溶液(44.2 g:相當於鈦化合物(T-2)的0.05 mol)及合成例5中所合成的鋁化合物(A-1)的NMP溶液(41.6 g:相當於鋁化合物(A-1)的0.05 mol)設為溶液1,除此以外,與實施例1同樣地合成,從而獲得實施例6的聚金屬氧烷溶液。實施例6中,於反應過程中,蒸餾出作為副產物的IPA、第二丁醇及水。求出實施例6中所獲得的聚金屬氧烷溶液的固體成分濃度,其後,以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入NMP,從而製成聚金屬氧烷(TAP-1)溶液。
實施例6中,進行聚金屬氧烷(TAP-1)的合成。該聚金屬氧烷(TAP-1)的合成方法中,代替實施例1的鈦化合物(T-1)的NMP溶液(82.1 g)而將合成例2中所合成的鈦化合物(T-2)的NMP溶液(44.2 g:相當於鈦化合物(T-2)的0.05 mol)及合成例5中所合成的鋁化合物(A-1)的NMP溶液(41.6 g:相當於鋁化合物(A-1)的0.05 mol)設為溶液1,除此以外,與實施例1同樣地合成,從而獲得實施例6的聚金屬氧烷溶液。實施例6中,於反應過程中,蒸餾出作為副產物的IPA、第二丁醇及水。求出實施例6中所獲得的聚金屬氧烷溶液的固體成分濃度,其後,以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入NMP,從而製成聚金屬氧烷(TAP-1)溶液。
當利用FT-IR對所獲得的聚金屬氧烷(TAP-1)進行分析時,確認到Ti-O-N的吸收峰值(1107 cm-1
)、Al-O-N的吸收峰值(1133 cm-1
)及醯亞胺的C=O的吸收峰值(1712 cm-1
)。據此,確認到聚金屬氧烷(TAP-1)為具有N-(5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺基)氧基的聚金屬氧烷。聚金屬氧烷(TAP-1)的重量平均分子量(Mw)於聚苯乙烯換算中為180,000。
(比較合成例1)
比較合成例1中,進行聚金屬氧烷(TP-4)的合成。該聚金屬氧烷(TP-4)的合成方法中,於容量500 mL的三口燒瓶中,裝入四丁氧基鈦(34.0 g(0.1 mol)),將該三口燒瓶浸漬於75℃的油浴中並攪拌30分鐘(內溫為70℃)。其後,利用滴液漏斗,歷時1小時將以水解為目的的水(3.1 g(0.17 mol))與丁醇(50 g)的混合溶液添加於該三口燒瓶內。其後,將油浴升溫為90℃並保持1小時攪拌而使反應熟化。
比較合成例1中,進行聚金屬氧烷(TP-4)的合成。該聚金屬氧烷(TP-4)的合成方法中,於容量500 mL的三口燒瓶中,裝入四丁氧基鈦(34.0 g(0.1 mol)),將該三口燒瓶浸漬於75℃的油浴中並攪拌30分鐘(內溫為70℃)。其後,利用滴液漏斗,歷時1小時將以水解為目的的水(3.1 g(0.17 mol))與丁醇(50 g)的混合溶液添加於該三口燒瓶內。其後,將油浴升溫為90℃並保持1小時攪拌而使反應熟化。
將該三口燒瓶的內容物移至200 mL的茄型燒瓶中,將所生成的丁醇減壓蒸餾去除,藉此獲得白色固體的聚金屬氧烷(TP-4)。另外,求出比較合成例1中所獲得的聚金屬氧烷溶液的固體成分濃度,其後,以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入NMP,從而獲得聚金屬氧烷(TP-4)溶液。聚金屬氧烷(TP-4)的重量平均分子量(Mw)於聚苯乙烯換算中為1,500。
(比較合成例2)
比較合成例2中,進行聚金屬氧烷(TP-5)的合成。該聚金屬氧烷(TP-5)的合成方法中,於容量500 mL的三口燒瓶中,裝入四丁氧基鈦(34.0 g(0.1 mol))與作為溶媒的乙醇(100 g),將該三口燒瓶浸漬於40℃的油浴中並攪拌30分鐘。其後,將以水解為目的的水(2.7 g(0.15 mol))、第三丁基肼鹽酸鹽(0.25 g(0.002莫耳))及乙醇(50 g)的混合溶液填充於滴液漏斗中,歷時1小時添加於該三口燒瓶內。於添加該混合溶液後,加入NMP(50 g),進而攪拌1小時。其後,以縮聚為目的,歷時30分鐘將油浴升溫至140℃。升溫開始1小時後,溶液的內溫達到100℃,其後加熱攪拌2小時(內溫為100℃~130℃)。比較合成例2中,於反應過程中,蒸餾出作為副產物的丁醇及水。
比較合成例2中,進行聚金屬氧烷(TP-5)的合成。該聚金屬氧烷(TP-5)的合成方法中,於容量500 mL的三口燒瓶中,裝入四丁氧基鈦(34.0 g(0.1 mol))與作為溶媒的乙醇(100 g),將該三口燒瓶浸漬於40℃的油浴中並攪拌30分鐘。其後,將以水解為目的的水(2.7 g(0.15 mol))、第三丁基肼鹽酸鹽(0.25 g(0.002莫耳))及乙醇(50 g)的混合溶液填充於滴液漏斗中,歷時1小時添加於該三口燒瓶內。於添加該混合溶液後,加入NMP(50 g),進而攪拌1小時。其後,以縮聚為目的,歷時30分鐘將油浴升溫至140℃。升溫開始1小時後,溶液的內溫達到100℃,其後加熱攪拌2小時(內溫為100℃~130℃)。比較合成例2中,於反應過程中,蒸餾出作為副產物的丁醇及水。
求出比較合成例2中所獲得的聚金屬氧烷溶液的固體成分濃度,其後,以固體成分濃度成為20 wt%的方式加入NMP,從而獲得聚金屬氧烷(TP-5)溶液。聚金屬氧烷(TP-5)的重量平均分子量(Mw)於聚苯乙烯換算中為7,800。
關於所述實施例1~實施例6及比較合成例1、比較合成例2,匯總記載於表2-1~表2-3中。
[表2-1]
(表2-1)
(表2-1)
[表2-2]
(表2-2)
(表2-2)
[表2-3]
(表2-3)
(表2-3)
(實施例7)
(第1項目:硬化膜的製作)
實施例7的第1項目中,對硬化膜的製作方法進行說明。該方法中,使用旋轉塗佈機(米卡薩(Mikasa)公司製造的1H-360S)分別將聚金屬氧烷(TP-1)溶液旋轉塗佈於兩片4吋矽晶圓,其後,使用加熱板(大日本網屏製造公司製造的SCW-636),於100℃下加熱3分鐘而製作預烘烤膜。其後,使用加熱板,於300℃下固化5分鐘,從而製作膜厚0.3 μm的硬化膜與膜厚0.5 μm的硬化膜。再者,膜厚是使用光干涉式膜厚計(大日本網屏製造公司製造的蘭姆達艾斯(Lambda Ace)STM602)來進行測定。
(第1項目:硬化膜的製作)
實施例7的第1項目中,對硬化膜的製作方法進行說明。該方法中,使用旋轉塗佈機(米卡薩(Mikasa)公司製造的1H-360S)分別將聚金屬氧烷(TP-1)溶液旋轉塗佈於兩片4吋矽晶圓,其後,使用加熱板(大日本網屏製造公司製造的SCW-636),於100℃下加熱3分鐘而製作預烘烤膜。其後,使用加熱板,於300℃下固化5分鐘,從而製作膜厚0.3 μm的硬化膜與膜厚0.5 μm的硬化膜。再者,膜厚是使用光干涉式膜厚計(大日本網屏製造公司製造的蘭姆達艾斯(Lambda Ace)STM602)來進行測定。
(第2項目:硬化膜的抗龜裂性評價)
實施例7的第2項目中,對硬化膜的抗龜裂性評價進行說明。該評價中,針對利用所述第1項目的方法而獲得的兩種硬化膜的抗龜裂性,分別以如下述般定義的5階段的水準進行評價。關於硬化膜的抗龜裂性評價,將水準為4以上的情況設為合格。
5:於光學顯微鏡觀察(倍率:5倍)中未觀察到龜裂
4:於光學顯微鏡觀察(倍率:5倍)中稍微觀察到龜裂
3:於光學顯微鏡觀察(倍率:5倍)中明顯觀察到龜裂
2:藉由通常的目視稍微觀察到龜裂
1:藉由通常的目視明顯觀察到龜裂
實施例7的第2項目中,對硬化膜的抗龜裂性評價進行說明。該評價中,針對利用所述第1項目的方法而獲得的兩種硬化膜的抗龜裂性,分別以如下述般定義的5階段的水準進行評價。關於硬化膜的抗龜裂性評價,將水準為4以上的情況設為合格。
5:於光學顯微鏡觀察(倍率:5倍)中未觀察到龜裂
4:於光學顯微鏡觀察(倍率:5倍)中稍微觀察到龜裂
3:於光學顯微鏡觀察(倍率:5倍)中明顯觀察到龜裂
2:藉由通常的目視稍微觀察到龜裂
1:藉由通常的目視明顯觀察到龜裂
(第3項目:硬化膜的折射率測定)
實施例7的第3項目中,對硬化膜的折射率的測定進行說明。該測定中,針對利用所述第1項目的方法而獲得的膜厚0.3 μm的硬化膜,使用分光橢圓偏光儀(大塚電子公司製造的FE5000),測定來自硬化膜的反射光的偏光狀態變化,從而獲得與入射光的相位差及振幅反射率的光譜。測定時的溫度設為22℃。藉由以接近所獲得的光譜的方式擬合計算模型的介電函數而獲得折射率光譜。自該折射率光譜讀取波長550 nm下的折射率值,將該折射率值設為作為對象的硬化膜的折射率。將實施例7中的硬化膜的測定及評價的結果示於後述的表3中。
實施例7的第3項目中,對硬化膜的折射率的測定進行說明。該測定中,針對利用所述第1項目的方法而獲得的膜厚0.3 μm的硬化膜,使用分光橢圓偏光儀(大塚電子公司製造的FE5000),測定來自硬化膜的反射光的偏光狀態變化,從而獲得與入射光的相位差及振幅反射率的光譜。測定時的溫度設為22℃。藉由以接近所獲得的光譜的方式擬合計算模型的介電函數而獲得折射率光譜。自該折射率光譜讀取波長550 nm下的折射率值,將該折射率值設為作為對象的硬化膜的折射率。將實施例7中的硬化膜的測定及評價的結果示於後述的表3中。
(實施例8~實施例12及比較例1、比較例2)
實施例8~實施例12及比較例1、比較例2中,分別針對表3所示的聚金屬氧烷溶液,與實施例7同樣地進行利用所述第1項目的方法的硬化膜的製作、所述第2項目的硬化膜的抗龜裂性評價及所述第3項目的硬化膜的折射率測定。將實施例8~實施例12及比較例1、比較例2的測定及評價的各結果示於表3中。
實施例8~實施例12及比較例1、比較例2中,分別針對表3所示的聚金屬氧烷溶液,與實施例7同樣地進行利用所述第1項目的方法的硬化膜的製作、所述第2項目的硬化膜的抗龜裂性評價及所述第3項目的硬化膜的折射率測定。將實施例8~實施例12及比較例1、比較例2的測定及評價的各結果示於表3中。
關於比較例1及比較例2,當分別製作硬化膜時,於所製作的硬化膜中觀察到龜裂的產生,而無法獲得均質的硬化膜。比較例1及比較例2中,由於為殘留有大量的烷氧基的聚金屬氧烷,因此認為於塗膜形成時因空氣中的水分而產生烷氧基的水解,並進行脫離,因此硬化膜的收縮應力變大,其結果,於硬化膜中產生龜裂。
[表3]
(表3)
(表3)
(實施例13)
(第4項目:硬化膜的耐化學品性評價)
實施例13的第4項目中,對硬化膜的耐化學品性評價進行說明。該評價中,使用旋轉塗佈機(米卡薩(Mikasa)公司製造的1H-360S)分別將聚金屬氧烷(TP-2)溶液旋轉塗佈於兩片4吋矽晶圓,其後,使用加熱板(大日本網屏製造公司製造的SCW-636),於100℃下加熱3分鐘而製作預烘烤膜。其後,使用加熱板,將其中一片於230℃下固化5分鐘而製作膜厚0.3 μm的硬化膜,另外,將另一片於300℃下固化5分鐘而製作0.3 μm的硬化膜。
(第4項目:硬化膜的耐化學品性評價)
實施例13的第4項目中,對硬化膜的耐化學品性評價進行說明。該評價中,使用旋轉塗佈機(米卡薩(Mikasa)公司製造的1H-360S)分別將聚金屬氧烷(TP-2)溶液旋轉塗佈於兩片4吋矽晶圓,其後,使用加熱板(大日本網屏製造公司製造的SCW-636),於100℃下加熱3分鐘而製作預烘烤膜。其後,使用加熱板,將其中一片於230℃下固化5分鐘而製作膜厚0.3 μm的硬化膜,另外,將另一片於300℃下固化5分鐘而製作0.3 μm的硬化膜。
繼而,將以所述方式製作的聚金屬氧烷(TP-2)的兩種硬化膜分別於加熱為70℃的剝離液(商品名「106」,東京應化工業公司製造)中浸漬10分鐘。其後,利用純水淋洗5分鐘,藉由壓縮空氣來使矽晶圓表面乾燥。將以上的處理設為耐化學品性處理。藉由該耐化學品性處理的前後的硬化膜的膜厚變化率來進行該些兩種硬化膜的耐化學品性評價。關於該耐化學品性評價,若膜厚變化率未滿5%,則設為合格,若膜厚變化率為5%以上,則設為不合格。再者,膜厚變化率是藉由下式來算出。將實施例13的評價結果示於後述的表4中。
硬化膜的膜厚變化率(%)=(耐化學品性處理前後的硬化膜的膜厚差)/(耐化學品性處理前的硬化膜的膜厚)×100
硬化膜的膜厚變化率(%)=(耐化學品性處理前後的硬化膜的膜厚差)/(耐化學品性處理前的硬化膜的膜厚)×100
(實施例14)
實施例14中,將實施例13的聚金屬氧烷(TP-2)溶液替換為如下組成物,除此以外,與實施例13同樣地進行硬化膜的耐化學品性評價,所述組成物是將作為含金屬元素的化合物的鋁螯合物A(W)(製品名,三(乙醯乙酸酯)鋁,川研精細化學(Fine Chemical)公司製造)以相對於聚金屬氧烷溶液的固體成分而為1質量%的方式加入於聚金屬氧烷(TP-2)溶液中而成。將實施例14的評價結果示於表4中。
實施例14中,將實施例13的聚金屬氧烷(TP-2)溶液替換為如下組成物,除此以外,與實施例13同樣地進行硬化膜的耐化學品性評價,所述組成物是將作為含金屬元素的化合物的鋁螯合物A(W)(製品名,三(乙醯乙酸酯)鋁,川研精細化學(Fine Chemical)公司製造)以相對於聚金屬氧烷溶液的固體成分而為1質量%的方式加入於聚金屬氧烷(TP-2)溶液中而成。將實施例14的評價結果示於表4中。
(實施例15)
實施例15中,將實施例14的鋁螯合物A(W)替換為B-10(製品名,四正丁氧基鈦的縮合物(寡聚物),日本曹達公司製造),除此以外,與實施例14同樣地進行硬化膜的耐化學品性評價。將實施例15的評價結果示於表4中。
實施例15中,將實施例14的鋁螯合物A(W)替換為B-10(製品名,四正丁氧基鈦的縮合物(寡聚物),日本曹達公司製造),除此以外,與實施例14同樣地進行硬化膜的耐化學品性評價。將實施例15的評價結果示於表4中。
[表4]
(表4)
(表4)
(實施例16)
實施例16中,對實施例1中所合成的聚金屬氧烷(TP-1)溶液於減壓下進行濃縮,直至固體成分濃度成為40%為止。濃縮後的聚金屬氧烷(TP-1)溶液的黏度為2000 P。
實施例16中,對實施例1中所合成的聚金屬氧烷(TP-1)溶液於減壓下進行濃縮,直至固體成分濃度成為40%為止。濃縮後的聚金屬氧烷(TP-1)溶液的黏度為2000 P。
繼而,將濃縮後的聚金屬氧烷(TP-1)溶液填充於10 mL的分配器用針筒(武藏工程學(Engineering)公司製造)中,於該針筒安裝作為模口的分配器用塑膠針(內徑0.20 mm,武藏工程學(Engineering)公司製造),並安裝接管(Adapter tube)(武藏工程學(Engineering)公司製造)。將接管與壓縮空氣線路連接,於0.4 MPa的壓力下,將填充物擠出至25℃的空氣環境中而獲得絲狀物。
利用以下方法來測定所獲得的絲狀物的平均纖維徑。首先,將接著膠帶(SEM用碳兩面膠帶(鋁基材),日新EM公司製造)貼於台紙,使作為纖維徑的測定對象的絲狀物或金屬氧化物纖維水平地接著於所述接著膠帶上,將其設為單纖維試驗片。利用電子顯微鏡自上面觀察該單纖維試驗片,將圖像的寬度設為纖維徑。纖維徑設為如下值:沿長度方向測定3次並加以平均而得的值。針對隨機選擇的20根絲狀物或金屬氧化物纖維進行該操作,並將所獲得的纖維徑的平均值設為平均纖維徑。所獲得的絲狀物的平均纖維徑為60 μm。
另外,將所獲得的絲狀物於25℃下乾燥24小時,繼而,使用電灼爐(艾德邦泰克(ADVANTEC)公司製造,FUW263PA),於空氣環境下、以升溫速度10℃/min、600℃煆燒60分鐘,從而獲得纖維。藉由與所述絲狀物相同的方法來測定煆燒後的纖維的平均纖維徑。其結果,該纖維的平均纖維徑為40 μm。
於實施例16中,煆燒後的纖維的定性分析是利用以下的廣角X射線繞射法(以下,略記為XRD)來進行。具體而言,使用X射線繞射裝置(布魯克(Bruker)AXS公司製造,D8 ADVANCE),將測定範圍(2θ)設為10°~80°而獲得繞射圖案後,與標準資料進行對比並加以鑒定。其結果,煆燒後的纖維為銳鈦礦型二氧化鈦,且未確認到銳鈦礦以外的峰值。據此,確認到該煆燒後的纖維為金屬氧化物纖維。
另外,煆燒後的纖維的拉伸強度是藉由以下方法來測定。具體而言,使用滕喜龍(Tensilon)萬能拉伸試驗機(奧利恩泰克(ORIENTEC)公司製造,RTM-100),以測定長25 mm、拉伸速度1 mm/min拉伸作為測定對象的纖維,將該纖維發生斷裂的強度設為拉伸強度。再者,拉伸強度的測定值設為隨機選擇的20根纖維的拉伸強度的平均值。於實施例16中,煆燒後的纖維的拉伸強度為1.2 GPa。
(實施例17)
實施例17中,代替聚金屬氧烷(TP-1)溶液而對如下化合物於減壓下進行濃縮,直至固體成分濃度成為40%為止,除此以外,與實施例16同樣地製作煆燒後的纖維,所述化合物是將B-10(含金屬元素的化合物)以相對於聚金屬氧烷溶液的固體成分而為10質量%的方式加入於聚金屬氧烷(TP-1)溶液中而成。實施例17中的煆燒後的纖維的平均纖維徑為40 μm,該纖維的拉伸強度為1.5 GPa。
實施例17中,代替聚金屬氧烷(TP-1)溶液而對如下化合物於減壓下進行濃縮,直至固體成分濃度成為40%為止,除此以外,與實施例16同樣地製作煆燒後的纖維,所述化合物是將B-10(含金屬元素的化合物)以相對於聚金屬氧烷溶液的固體成分而為10質量%的方式加入於聚金屬氧烷(TP-1)溶液中而成。實施例17中的煆燒後的纖維的平均纖維徑為40 μm,該纖維的拉伸強度為1.5 GPa。
(實施例18)
實施例18中,代替聚金屬氧烷(TP-1)溶液而使用聚金屬氧烷(ZAP-1)溶液,除此以外,與實施例16同樣地製作煆燒後的纖維。實施例18中的煆燒後的纖維的平均纖維徑為45 μm,該纖維的拉伸強度為1.5 GPa。
[產業上的可利用性]
實施例18中,代替聚金屬氧烷(TP-1)溶液而使用聚金屬氧烷(ZAP-1)溶液,除此以外,與實施例16同樣地製作煆燒後的纖維。實施例18中的煆燒後的纖維的平均纖維徑為45 μm,該纖維的拉伸強度為1.5 GPa。
[產業上的可利用性]
如上所述,本發明的聚金屬氧烷、組成物、硬化膜、構件、電子零件、纖維、陶瓷成型用黏合劑、硬化膜的製造方法以及纖維的製造方法可於溶媒中以均勻的狀態穩定地存在,且適合於可於工業上穩定供給的聚金屬氧烷以及使用其的組成物、硬化膜、構件、電子零件、纖維、陶瓷成型用黏合劑。
無
無
Claims (17)
- 一種聚金屬氧烷,其特徵在於, 具有下述通式(1)所表示的構成單元; 於通式(1)中,R1 為氫原子或碳數1~10的烷基;R2 及R3 分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基;R2 及R3 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構;整數a為0或1的整數;金屬原子M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子;整數m為表示所述金屬原子M的價數的整數;整數b為1~(m-2)的整數。
- 如申請專利範圍第1項所述的聚金屬氧烷,其中, 所述通式(1)所表示的構成單元為下述通式(2)所表示的構成單元; 於通式(2)中,R4 為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基;R5 獨立於R4 而為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基或碳數6~30的芳香族基;R4 及R5 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構。
- 如申請專利範圍第1項所述的聚金屬氧烷,其中, 所述通式(1)所表示的構成單元為下述通式(3)所表示的構成單元; 於通式(3)中,R6 及R7 分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基;R6 及R7 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構。
- 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的聚金屬氧烷,其中, 所述整數a為1。
- 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的聚金屬氧烷,其中, 所述金屬原子M包含一種以上的選自由Al、Ti、Zr及Sn所組成的群組中的金屬原子。
- 一種組成物,其特徵在於, 包含具有下述通式(1)所表示的構成單元的聚金屬氧烷; 於通式(1)中,R1 為氫原子或碳數1~10的烷基;R2 及R3 分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基;R2 及R3 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構;整數a為0或1的整數;金屬原子M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子;整數m為表示所述金屬原子M的價數的整數;整數b為1~(m-2)的整數。
- 如申請專利範圍第6項所述的組成物,其中, 進而包含含金屬元素的化合物。
- 一種硬化膜,其特徵在於, 含有具有下述通式(1)所表示的構成單元的聚金屬氧烷; 於通式(1)中,R1 為氫原子或碳數1~10的烷基;R2 及R3 分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基;R2 及R3 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構;整數a為0或1的整數;金屬原子M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子;整數m為表示所述金屬原子M的價數的整數;整數b為1~(m-2)的整數。
- 一種硬化膜,其特徵在於, 含有具有下述通式(1)所表示的構成單元的聚金屬氧烷的組成物; 於通式(1)中,R1 為氫原子或碳數1~10的烷基;R2 及R3 分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基;R2 及R3 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構;整數a為0或1的整數;金屬原子M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子;整數m為表示所述金屬原子M的價數的整數;整數b為1~(m-2)的整數。
- 一種硬化膜的製造方法,其特徵在於, 包括對具有下述通式(1)所表示的構成單元的聚金屬氧烷或所述聚金屬氧烷的組成物進行加熱的加熱步驟; 於通式(1)中,R1 為氫原子或碳數1~10的烷基;R2 及R3 分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基;R2 及R3 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構;整數a為0或1的整數;金屬原子M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子;整數m為表示所述金屬原子M的價數的整數;整數b為1~(m-2)的整數。
- 一種構件,其特徵在於, 包括含有具有下述通式(1)所表示的構成單元的聚金屬氧烷或所述聚金屬氧烷的組成物的硬化膜; 於通式(1)中,R1 為氫原子或碳數1~10的烷基;R2 及R3 分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基;R2 及R3 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構;整數a為0或1的整數;金屬原子M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子;整數m為表示所述金屬原子M的價數的整數;整數b為1~(m-2)的整數。
- 一種電子零件,其特徵在於, 包括具有硬化膜的構件,並且 所述硬化膜含有具有下述通式(1)所表示的構成單元的聚金屬氧烷或所述聚金屬氧烷的組成物; 於通式(1)中,R1 為氫原子或碳數1~10的烷基;R2 及R3 分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基;R2 及R3 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構;整數a為0或1的整數;金屬原子M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子;整數m為表示所述金屬原子M的價數的整數;整數b為1~(m-2)的整數。
- 一種纖維,其特徵在於, 含有具有下述通式(1)所表示的構成單元的聚金屬氧烷; 於通式(1)中,R1 為氫原子或碳數1~10的烷基;R2 及R3 分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基;R2 及R3 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構;整數a為0或1的整數;金屬原子M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子;整數m為表示所述金屬原子M的價數的整數;整數b為1~(m-2)的整數。
- 一種纖維,其特徵在於, 含有具有下述通式(1)所表示的構成單元的聚金屬氧烷的組成物; 於通式(1)中,R1 為氫原子或碳數1~10的烷基;R2 及R3 分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基;R2 及R3 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構;整數a為0或1的整數;金屬原子M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子;整數m為表示所述金屬原子M的價數的整數;整數b為1~(m-2)的整數。
- 一種纖維的製造方法,其特徵在於, 包括對具有下述通式(1)所表示的構成單元的聚金屬氧烷或所述聚金屬氧烷的組成物進行紡絲而獲得纖維的紡絲步驟; 於通式(1)中,R1 為氫原子或碳數1~10的烷基;R2 及R3 分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基;R2 及R3 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構;整數a為0或1的整數;金屬原子M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子;整數m為表示所述金屬原子M的價數的整數;整數b為1~(m-2)的整數。
- 如申請專利範圍第15項所述的纖維的製造方法,其中, 包括對藉由所述紡絲步驟而獲得的所述纖維進行煆燒的煆燒步驟。
- 一種陶瓷成型用黏合劑,其特徵在於, 含有具有下述通式(1)所表示的構成單元的聚金屬氧烷; 於通式(1)中,R1 為氫原子或碳數1~10的烷基;R2 及R3 分別獨立地為氫原子、碳數1~12的烷基、碳數5~12的脂環式烷基、碳數6~30的芳香族基或碳數1~12的醯基;R2 及R3 可經由碳-碳飽和鍵或碳-碳不飽和鍵連結而形成環結構;整數a為0或1的整數;金屬原子M表示選自由Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl及Bi所組成的群組中的金屬原子;整數m為表示所述金屬原子M的價數的整數;整數b為1~(m-2)的整數。
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