TW201946167A - 具有均質非導電結構的再分佈系統及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種再分佈系統，包含：一基板；一均質介電結構，其在該基板上，包含複數再分佈層，其中：該等再分佈層包含一聚合物層及導電跡線；透過將該等再分佈層之一之該聚合物層內的聚合物分子交聯到該等再分佈層之一相鄰實例中的該聚合物層之該等聚合物分子，使該等再分佈層彼此直接鍵結；以及走線跡線，包含該等導電跡線，其嵌入該均質介電結構中。

Description

具有均質非導電結構的再分佈系統及其製造方法

本發明之具體實施例一般係關於一種再分佈系統。

現代消費者與工業電子產品、行動電話、行動裝置及運算系統正提供越來越多的功能以支持現代生活。現有技術方面的研究和開發可採取無數不同方向。

由於使用者隨著運算裝置發展而變得更有能力，新舊典範開始利用這種新的裝置空間。有許多技術解決方案可利用這種新的裝置功能及裝置小型化。然而，經由新的裝置進行晶圓可靠度測試已成為製造商關注的問題。

因此，本領域仍然需要一種經由裝置測試晶圓的再分佈系統。鑑於不斷增加的商業競爭壓力，以及日益成長的消費者期望和市場上有意義的產品差異化機會減少，找出這些問題的答案越來越重要。此外，降低成本、改良效率及性能並滿足競爭壓力的需求更對找出這些問題的答案的關鍵必要性增添更大的急迫性。

尋求這些問題的解決方案已經過很長的時間，但先前發展尚未教示或提出任何解決方案，因此，熟習此領域技術者長久以來一直對這些問題的解決方案感到困惑。

本發明之具體實施例提供一種再分佈系統，包含：一基板；一均質介電結構，其在該基板上，包含複數再分佈層，其中：該等再分佈層包含一聚合物層及導電跡線；透過將該等再分佈層之一之該聚合物層內的聚合物分子交聯到該等再分佈層之一相鄰實例中的該聚合物層之該等聚 合物分子，使該等再分佈層彼此直接鍵結；以及走線跡線，包含該等導電跡線，其嵌入該均質介電結構中。

本發明之具體實施例提供一種製造再分佈系統之方法，包含：提供一基板；在該基板上形成複數再分佈層，該等再分佈層包含一聚合物層及導電跡線；透過將該等再分佈層之一之該聚合物層內的聚合物分子交聯到該等再分佈層之一相鄰實例中的該聚合物層之該等聚合物分子以直接鍵結該等再分佈層之相鄰實例，形成一均質介電結構；以及從該等導電跡線形成嵌入該均質介電結構中的走線跡線。

除了以上所提及的步驟或要素之外或作為代替，本發明之某些具體實施例具有其他步驟或要素。對熟習此領域技術者而言，該等步驟或要素將從參照所附圖式時閱讀下列實施方式而變得顯而易見。

100、200‧‧‧再分佈系統

102‧‧‧機械加固構件

104‧‧‧印刷電路板

106‧‧‧再分佈平台

108‧‧‧探針卡

110‧‧‧半導體晶圓

112‧‧‧半導體晶粒

114‧‧‧探針頭

120‧‧‧晶圓測試系統

210‧‧‧走線跡線

212‧‧‧均質介電結構

214‧‧‧腳距

314‧‧‧跡線平面部分

316‧‧‧跡線內連線部分

320‧‧‧再分佈層

322‧‧‧接觸墊

324‧‧‧再分佈層厚度

330‧‧‧基板

332‧‧‧通基板貫孔；通貫孔

340‧‧‧基板第一側

342‧‧‧基板第二側

550

660‧‧‧導電跡線

662‧‧‧平面部分厚度

664‧‧‧內連線部分厚度

670

770‧‧‧聚合物層

882‧‧‧介電層

912‧‧‧晶粒

916‧‧‧晶粒附接黏著劑

920‧‧‧電氣內連線

922‧‧‧半導體蓋

924

1000‧‧‧方法

1002-1008‧‧‧區塊

第一圖係再分佈系統之具體實施例之示意側視圖。

第二圖係再分佈系統之第一圖之再分佈平台之俯視圖。

第三圖係沿著第二圖之線2--2的第三圖之再分佈平台之剖面圖。

第四圖係該基板之俯視圖。

第五圖係沿著第四圖之線4--4的第四圖之基板之剖面圖。

第六圖係其上形成導電跡線的第四圖之基板。

第七圖係形成第四圖之該等再分佈層之一時第六圖之結構。

第八圖係形成第一圖之再分佈平台時第七圖之結構。

第九圖係在本發明之具體實施例中製造再分佈系統之方法之流程圖。

下列具體實施例經過詳細說明，足以讓熟習此領域技術者能夠做出和使用本發明。應可理解，基於本發明所揭示內容將顯而易見其他具體實施例，並且可能做出系統、程序或機械變更而不悖離本發明之具體實施例之範疇。

在下列說明中，給出眾多具體細節以提供對本發明之周密理 解。然而，將可顯而易見，可能實作本發明而沒有這些具體細節。為了避免模糊本發明之具體實施例，一些已習知電路、系統配置及程序步驟未詳細揭示。

顯示該系統之具體實施例的所附圖式係概略圖，且未按比例繪製，特別是，一些尺寸係為了清楚呈現而在所附圖式中放大顯示。同樣地，儘管所附圖式中的該等視圖為了易於說明通常會顯示同樣定向，但所附圖式中的這種描繪在大多數情況下為任意。一般來說，本發明可以任何定向進行操作。

指定和使用用語第一、第二、第三等係為了方便且清楚表示，並非意指限制特定次序。所說明的該等步驟或程序可以任何次序進行，以實行該所主張標的。

現在參照第一圖，其中顯示本發明之具體實施例中的再分佈系統100之示意側視圖。再分佈系統100係用於在裝置之間提供內連線的系統。舉例來說，再分佈系統100可以係晶圓測試系統120中的組件。晶圓測試系統100可包含一機械加固構件102、一印刷電路板104、一再分佈平台106及一探針卡108。機械加固構件102、印刷電路板104、再分佈平台106及探針卡108係用於測試半導體晶圓110的系統的組件。半導體晶圓110可以係具有如在其上所製造出的電路、積體電路、邏輯、積體邏輯或其組合等電子組件(未顯示)的已處理矽晶圓。

探針卡108係用於接觸半導體晶圓110、半導體晶粒112或其組合上的測試位置的界面。探針卡108可包含探針頭114，其用於接觸形成在半導體晶圓110、該晶粒或其組合之表面上的該等組件上的測試點或晶片連接墊(未顯示)。

再分佈平台106係用於在兩個裝置之間提供內連線的結構。舉例來說，再分佈平台106可以係空間變換器、用於積體電路封裝的封裝基板、用於多晶粒封裝的再分佈結構或其組合。為了例示性目的，將再分佈平台106顯示為可在晶圓測試系統120之探針卡108和印刷電路板104之間提供電氣連接性的組件。再分佈平台106可為了如晶圓測試、晶粒測試、封裝測試或封裝間測試等系統測試，而在半導體晶圓110、半導體晶 粒112或其組合之間提供電氣及功能連接性。

現在參照第二圖，其中顯示再分佈系統200之第一圖之再分佈平台106之俯視圖。再分佈平台106可包含走線跡線210及一均質介電結構212。

該等走線跡線210係延伸穿越再分佈平台106的一個或多個導電結構。可將該等一條或多條走線跡線210全部連接在一起以形成一條大型走線跡線210、部分連接在一起以形成分開但連接的走線跡線210，或可彼此隔離以形成與任何其他走線跡線210分開的個別且隔離的走線跡線210。

第一圖之再分佈平台106也可提供第一圖之印刷電路板104和第一圖之探針卡108之間的過渡區。舉例來說，該等走線跡線210可以係用於提供電氣連接的多層結構。作為具體範例，該等走線跡線210可提供第一圖之印刷電路板104上的該等較寬幾何形狀及連接點至該等探針卡108之該等較小幾何形狀及連接點之間的連接路徑。該過渡區可包含不同幾何形狀之電氣連接、不同密度、不同連接點、連接大小、數量之走線跡線210、信號設置、接地設置、功率設置或其組合。

該等走線跡線210可包含導電材料。舉例來說，該等走線跡線210可包含金屬，例如元素銅、銀或金，或金屬合金，例如銅合金、銀合金或金合金。

可將該等走線跡線210用於在整個再分佈平台106中傳輸電信號。舉例來說，在一個具體實施例中，該等走線跡線210可促進電信號從印刷電路板104到探針卡108之傳輸。該等走線跡線210也可透過圍繞用於信號傳輸的其他走線跡線210提供電信號之屏蔽，並為該等走線跡線210提供接地。舉例來說，該等走線跡線210可在小於或等於20微米的尺度範圍內，在再分佈平台106上達成腳距214。結果，經由該等一條或多條走線跡線210傳輸的該等電信號可彼此引起電磁干擾。腳距214指稱再分佈平台106之特徵(如該等走線跡線210)之間的中心距離之間的最短測量。

在一個具體實施例中，可將一條或多條走線跡線210用於提供接地並用作接地跡線，使得沿著傳輸信號的其他走線跡線210的該等信 號可受到屏蔽隔離干擾電磁信號，以便在整個再分佈平台106中提供改善的信號品質。

均質介電結構212係非導電材料，例如包住該等走線跡線210的介電材料。均質介電結構212可以係提供每條該等走線跡線210之間的絕緣的電氣絕緣材料。舉例來說，均質介電結構212可以係由聚合物材料形成的結構。均質介電結構212可以係透明或半透明，從而實現該等走線跡線210經由均質介電結構212之光學能見度。透明或半透明指稱允許可見波長光譜中的光通過。作為範例，可經由半透明材料至少部分目視看到物體。作為另一範例，經由透明材料可能清楚看到物體。以下將討論再分佈平台106之詳細資訊。

現在參照第三圖，其中顯示沿著第二圖之線2--2的第二圖之再分佈平台106之剖面圖。該剖面圖描繪出包含均質介電結構212、該等走線跡線210及一基板330的再分佈平台106。

基板330可以係用於再分佈系統200的剛性基礎或基底層。基板330可由電氣絕緣材料構成，例如陶瓷系或聚合物複合系材料。基板330可包含一基板第一側340及一基板第二側342。基板第一側340及基板第二側342可以係基板330背離彼此之該等相對表面。

基板330可包含通基板貫孔332。該等通基板貫孔332係從基板330之一個表面延伸到該基板之相對表面的結構。作為範例，該等通基板貫孔332可由包含金屬的導電性材料形成，例如元素銅、銀或金，或金屬合金，例如銅合金、銀合金或金合金。

均質介電結構212可由複數再分佈層320形成，如該等虛線所示。該等再分佈層320係已彼此化學鍵結的個別層。每個該等再分佈層320可包含嵌入其中的該等走線跡線210之一部分。

均質介電結構212係由單一材料形成的均勻結構。舉例來說，均質介電結構212可以係不包含任何填隙物質(如纖維強化)的均質聚合物結構。依據用於形成均質介電結構212的介電材料之該等性質，缺少填隙或嵌入物質使得均質介電結構212能夠為半透明或透明。由於均質介電結構212由單一材料形成，因此均質介電結構212可具有均勻結構與熱性 質，例如均勻熱膨脹係數。

該等走線跡線210可從基板330延伸穿越均質介電結構212。可在均質介電結構212背離基板330之表面處將該等走線跡線210之各部分連接到例如接觸墊322等組件。該組件可提供該等走線跡線210到包含如第一圖之探針卡108的測試裝置等其他裝置之間的電氣連接。可將該等走線跡線210與基板330之第一側上的該等通基板貫孔332電氣連接。

該等走線跡線210在該等再分佈層320之特定實例中之部分係該等走線跡線210之一層。該等走線跡線210之每層可包含一跡線平面部分214、一跡線內連線部分216或其一組合。跡線平面部分214係該等走線跡線210可沿著平行基板第一側340或基板第二側342的二維平面提供走線或再分佈之部分。

跡線內連線部分342係該等走線跡線210可在垂直基板第一側340或基板第二側342的方向上從跡線平面部分316延伸之部分。作為範例，跡線內連線部分316可提供到該等走線跡線210之該等其他層的連接。

作為範例，可將該等再分佈層320形成為具有再分佈層厚度324。再分佈層厚度324可在10微米至60微米或更大的範圍內。更具體而言，再分佈層厚度324可在10微米至30微米的範圍內。每個該等再分佈層320可具有再分佈層厚度324之相同或相似值或再分佈層厚度324之不同值。可在垂直基板第一側340或基板第二側342的方向上測量該等再分佈層320之再分佈層厚度324。

基板330可為再分佈平台106提供額外剛性支撐。更具體而言，舉例來說，基板330可為均質介電結構212及該等走線跡線210提供結構支撐及剛性。為了到其他裝置(如第一圖之印刷電路板104)的電氣連接，可處理基板第二側342處的該等通基板貫孔332。

為了例示性目的，將再分佈平台106顯示為該等再分佈層320僅形成在基板第一側340上，然而，應可理解可將再分佈平台106進行不同配置。舉例來說，再分佈平台106可包含形成在基板第一側340及基板第二側342上的該等再分佈層320。

作為又一範例，基板330可以係先前所形成的均質介電結構212。在此範例中，可去除基板330，使得僅餘留均質介電結構212以及該等走線跡線210及與該等走線跡線210形成的結構，同時形成均質介電結構212之另一實例。均質介電結構212之該等多個實例可相同或不同。

現在參照第四圖，其中顯示基板330之俯視圖。可將基板330提供為用於形成再分佈平台106的預製結構。該俯視圖描繪出基板330之平坦或平面表面，例如第三圖之基板第一側340或基板第二側342。可將基板330之該平坦或平面表面用於附接、連接、安裝(或其組合)不同組件或材料。舉例來說，基板330可包含視需要的預形成組件(如基板330之該平坦或平面表面處所暴露出的金屬鍵結或該等接觸墊322)以促進電氣連接，例如到第二圖之該等走線跡線210的連接。為了例示性目的，將該等接觸墊322顯示為具有圓的或圓形形狀，然而應可理解該等接觸墊322可具有不同形狀。舉例來說，該等接觸墊322可具有矩形或橢圓形狀。

可將基板330提供為用於形成再分佈平台106的預製結構。基板330可由多種不同材料形成。舉例來說，基板330可由陶瓷系材料形成，例如高溫共燒陶瓷(High temperature co-fired ceramic，HTCC)或低溫共燒陶瓷(Low temperature co-fired ceramic，LTCC)。作為另一範例，基板330可由聚合物複合系材料形成，例如纖維強化聚合物。作為具體範例，該聚合物系複合材料可包含玻璃纖維強化環氧積層材料，例如阻燃劑-4(Flame Retardant-4，FR-4)等級印刷電路板。作為又一範例，基板330可以係與再分佈平台106相似的另一實例或設計。

為了例示性目的，該俯視圖描繪出基板330具有圓形或圓的形狀，然而應可理解基板330可具有不同形狀。舉例來說，基板330可具有橢圓形狀或多邊形狀，例如正方形、矩形或其他多邊形狀。

現在參照第五圖，其中顯示沿著第四圖之線4--4的第四圖之基板330之剖面圖。該剖面圖描繪出基板330具有該等通基板貫孔332之部分。

基板330可包含基板第一側340及一基板第二側342。基板第一側340及基板第二側342可以係基板330背離彼此之該等相對表面。 基板第一側340及基板第二側342實質上可彼此平行。一般來說，基板第一側340及基板第二側342之平面尺寸(如寬度或直徑)可大於可將其測量為基板第一側340和基板第二側342之間的距離的基板厚度。

基板330可包含該等通基板貫孔332。該等通基板貫孔332係從基板330之一個表面延伸到該基板之相對表面的結構。舉例來說，該等通基板貫孔332可在基板330之基板第一側340和基板第二側342之間延伸。

作為範例，該等通基板貫孔332可由包含金屬的導電性材料形成，例如元素銅、銀或金，或金屬合金，例如銅合金、銀合金或金合金。為了例示性目的，將該等通基板貫孔332顯示為連接到該等接觸墊322，然而，應可理解該等接觸墊322視需要而定，並可在基板第一側340、基板第二側342或其組合處直接暴露出該等通基板貫孔332。視需要，該等通基板貫孔332在基板第一側340、基板第二側342或其組合處所暴露出之部分可分別與基板第一側340或基板第二側342共面。

為了例示性目的而顯示該等通基板貫孔332之數量、圖案、位置、腳距、直徑及大小，且未按比例繪製。舉例來說，基板330可包含該等通貫孔332，其具有在10至數百微米尺度範圍內的腳距。作為另一範例，可以數十微米之尺度測量該等通貫孔332之直徑。

現在參照第六圖，其中顯示其上形成導電跡線660的第四圖之基板330。該等導電跡線660係電氣走線系統之一部分。更具體而言，該等導電跡線660可以係第二圖之走線跡線210之單層。舉例來說，該等導電跡線660可以係較大型電氣走線系統之單層。作為具體範例，該等導電跡線660可以係形成為單層的走線跡線210之一部分。

可經由可以係多階段製程以圖案化和形成該等導電跡線660的跡線形成製程形成該等導電跡線660。舉例來說，該跡線形成製程可包含一遮罩階段、一播晶種階段、一沉積階段、一平面化階段及一圖罩去除階段。

該等導電跡線660可由可包含金屬的導電材料形成，例如元素銅、銀或金，或金屬合金，例如銅合金、銀合金或金合金。作為具體範 例，該等導電跡線660可由與該等通基板貫孔332之材料相同或相似的材料構成。

一般來說，可將該等導電跡線660形成在二維平面上，例如平行基板第一側340、基板第二側342或其組合的平面或表面。

可將該等導電跡線660形成為包含跡線平面部分314、跡線內連線部分316或其一組合。舉例來說，可實行該跡線形成製程之第一實作以形成跡線平面部分314，並可實行該跡線形成製程之後續實作以在跡線平面部分314上形成跡線內連線部分316。

跡線平面部分314可包含一平面部分厚度662。跡線內連線部分316可包含一內連線部分厚度664。平面部分厚度662及內連線部分厚度664皆可以係垂直基板第一側340或基板第二側342的線性尺寸。一般來說，平面部分厚度662可大於內連線部分厚度664。平面部分厚度662及內連線部分厚度664之總和可以係該導電跡線之厚度，其可與用於再分佈層320之對應實例的第三圖之再分佈層厚度324相同或相似。

可將該等導電跡線660形成在基板330上。舉例來說，可將該等導電跡線660直接形成在基板第一側340或基板第二側342上。可將該等導電跡線660形成為與該等通基板貫孔332電氣連接。可透過多種不同製程形成該等導電跡線660。舉例來說，可透過電解沉積製程形成該等導電跡線660。可將每個該等導電跡線660形成為具有不同幾何圖案及尺寸，如第二圖中所例示。

為了例示性目的，在所附圖式中說明用於將該等導電跡線660直接形成在基板330之表面上的跡線形成製程。然而，應可理解，可實行文中所說明的跡線形成製程以在其他表面(如第三圖之該等再分佈層320之表面)上形成該等導電跡線660。

現在參照第七圖，其中顯示形成該等再分佈層320之一時第六圖之結構。該等再分佈層320可包含該等導電跡線660及一聚合物層770。該等聚合物層770係形成為覆蓋該等導電跡線660的聚合物材料層。作為具體範例，聚合物層770可以係可覆蓋該等導電跡線660之各部分並電絕緣該等導電跡線660之每個實例的電氣絕緣材料。

該等再分佈層320可由第六圖之結構形成。一般來說，可經由聚合物形成製程形成每個該等聚合物層770。作為範例，該聚合物形成製程可包含一施加階段、一固化階段及一去除階段。在該聚合物增長製程之施加階段中，可透過施加液態介電前驅物材料(未顯示)覆蓋該等導電跡線660之全部或一部分。

該液態介電前驅物材料可以係有機溶液或有機懸浮液。舉例來說，該液態介電材料可以係懸浮或溶解在溶劑中用於聚合物的單體或寡聚物分子之溶液。該液態介電前驅物材料可以係包含單體或寡聚物分子作為用於多種不同聚合物材料之一的前驅物的溶液。舉例來說，該液態介電前驅物材料可以係用於聚醯亞胺系聚合物、環氧系聚合物或其他類型聚合物的前驅物。作為具體範例，該液態介電前驅物材料可包含能夠經由濃縮反應聚合的單體或寡聚物分子。在又一具體範例中，該液態介電前驅物材料可包含可在後續固化階段中參與交聯的交聯或端帽單體單元。

該等端帽單體單元係可停止或結束特定分子之聚合反應的分子。更具體而言，一旦一線性聚合物分子之每個端部或不包含分支成多個聚合物鏈的聚合物分子已與該等端帽單體分子之一反應，該聚合物分子就無法再與另一個非端帽單體或寡聚物分子反應。換言之，一旦該聚合物分子之每個端部已與端帽分子反應，該聚合物分子就無法再在交聯反應之外增加分子量，這將在以下進行詳細討論。

可以多種方式施加該液態介電前驅物材料。舉例來說，可經由旋轉塗佈製程施加該液態介電前驅物材料以覆蓋基板330、該等導電跡線660或其組合。作為另一範例，可經由可在整個基板330上提供該液態介電前驅物材料之均勻分佈及厚度的方法施加該液態介電前驅物材料。

在該施加階段後，該聚合物形成製程可前進至該固化階段。在該固化階段中，可加熱該液態介電前驅物材料以形成該等聚合物層770之實例。一般來說，可將該液態介電前驅物材料加熱至聚合溫度，並持續一段時間促使從該等單體或寡聚物分子增長聚合物分子鏈。然而，該聚合溫度與交聯溫度(其係該端帽或交聯單體分子之間發生交聯時的溫度)不同。更具體而言，該聚合溫度可以係低於端帽或交聯單體分子之交聯溫度 的溫度。可將聚合物層770之該等聚合物分子形成為具有在統計上與該液態介電前驅物材料中的單體單元及該等端帽單元之數量成正比的長度或分子量。

視需要，該固化階段可包含一揮發性去除或脫氣階段，以去除該液態介電前驅物材料中的揮發性成分。作為範例，該等揮發性成分可包含蒸發溶劑分子或在該液態介電前驅物材料之聚合期間所形成的分子。該視需要揮發性去除階段可包含一逐漸溫度增加至或溫度維持接近該液態介電前驅物材料之溶劑之沸點。該視需要揮發性去除階段可包含經由振動(如超音波振動)攪拌該液態介電前驅物材料，以促進去除揮發性成分。該揮發性去除階段可防止由於陷在該等聚合物層770中及該等導電跡線660和該等聚合物層770之間界面處的氣體的孔隙形成。

在該去除階段中，可去除聚合物層770之一部分以形成再分佈層320之實例。更具體而言，可去除聚合物層770背離基板330之各部分以暴露出該等導電跡線660背離基板330之該等部分。可去除該等聚合物層770之該等部分以透過多種不同製程暴露出該等導電跡線660。舉例來說，該去除製程可包含化學拋光、化學研磨、機械拋光、機械研磨或其一組合。可將聚合物層770背離基板330之表面處理為與從介電層882暴露出且背離基板330的該等導電跡線660之該等部分共面。作為範例，可將該等再分佈層320形成為具有10微米至60微米或更大範圍的厚度。在第七圖中所例示的範例中，可從基板330和該等再分佈層320之實例之間的界面(如基板第一側340)到該等再分佈層320之實例背離基板330之表面測量該等再分佈層320之厚度。

依據用於形成聚合物層770的液態介電前驅物材料之該等固化性質，聚合物層770可為透明或半透明。舉例來說，聚合物層770之透明或半透明性質使得能夠經由該聚合物層看到和觀察到聚合物層770內的結構及物體(如該等再分佈層320之該等導電跡線660)。作為又一範例，該透明或半透明性質可使得能夠經由聚合物層770查看以看到或目視觀察聚合物層770下面或後面的物體，例如基板330或先前所形成的該等再分佈層320之實例。

現在參照第八圖，其中顯示形成第一圖之再分佈平台106時第七圖之結構。該剖面圖描繪出在順序形成複數該等再分佈層320後所形成的再分佈平台106。舉例來說，可將該等導電跡線660之又一實例直接形成在第七圖之聚合物層770之表面上。為了繼續該範例，可形成聚合物層770之又一實例以覆蓋該等導電跡線660之又一實例及該先前所形成的該等再分佈層320之實例。可重複該製程以形成如第八圖中所描繪出的複數該等再分佈層320。

在形成該等再分佈層320之最後實例後，可進一步處理該等複數聚合物層770以形成均質介電結構212。舉例來說，均質介電結構212可以係不包含任何填隙物質(如纖維強化)的均質聚合物結構。依據用於形成均質介電結構212的介電材料之該等性質，缺少填隙或嵌入物質使得均質介電結構212能夠為半透明或透明。

可經由該等再分佈層320之該等相鄰實例之聚合物層770之間的交聯形成均質介電結構212。更具體而言，可透過將聚合物層770加熱至交聯溫度形成均質介電結構212，或加熱至促進或促使整個聚合物層770中的該等端帽之間及聚合物層770之相鄰實例之間的界面處形成化學鍵結的溫度以形成單一連續結構。該交聯溫度可與如第七圖中所說明形成聚合物層770之該等聚合物分子的溫度不同。一般來說，該交聯溫度高於第七圖之液態介電前驅物材料之聚合溫度。該交聯溫度可基於用於形成該等聚合物分子之間的該等交聯鍵結的端帽單元而異。

已查明透過該等再分佈層320之間的聚合物分子之交聯形成的均質介電結構212無需介於其間的鍵結材料。更具體而言，在聚合物層770之該等相鄰實例中的該等聚合物分子之間形成該等交聯化學鍵結無需黏著劑或鍵結材料，即可形成均質介電結構212。

可從均質介電結構212背離基板330之表面暴露出該等走線跡線210。可進一步處理該等走線跡線210之該等所暴露出的部分(如透過形成第三圖之該等接觸墊332)，以提供到其他測試裝置(如第一圖之探針卡108)的電氣連接。該等走線跡線210可延伸穿越均質介電結構212，並與基板330之第一側上的該等通貫孔332連接。

嵌入均質介電結構212內的該等走線跡線210可提供聯鎖功能。可將該等走線跡線210和均質介電結構212之間的聯鎖功能形成為實體特徵。舉例來說，在第七圖之聚合物層770的第七圖之施加階段期間，該液態介電前驅物材料可填充該等導電跡線660之圖案化周圍及之間的該等空間，如第二圖中所例示。在第七圖之固化階段期間，該液態介電材料可在該等導電跡線660周圍形成固態結構，其將該等導電跡線660鎖定在聚合物層770內適當位置，並為均質介電結構212形成積體聯鎖結構。

基板330可為再分佈平台106提供額外剛性支撐。更具體而言，基板330可為均質介電結構212及該等走線跡線210提供結構支撐及剛性。為了到其他裝置(如第一圖之印刷電路板104)的電氣連接，可處理基板第二側342處的該等通基板貫孔332。

現在參照第九圖，其中顯示又一具體實施例中的第二圖之再分佈系統100之示意側視圖。可將再分佈系統100實行為該又一具體實施例中的封裝基板。在此範例中，再分佈系統100可包含第一圖之再分佈平台106、一晶粒912、一晶粒附接黏著劑916、電氣內連線920及一半導體蓋922。

在此範例中，晶粒922可以係半導體晶粒、積體電路、光學裝置或其組合。可使用晶粒附接黏著劑916將晶粒912直接附接到半導體蓋922。在此範例中，半導體蓋912可以係散熱座、氣密式密封的封裝材料、無線電頻率屏蔽或其組合。

電氣內連線920可透過提供製造在晶粒912上的電氣組件(如再分佈平台106之一側上的電路、積體電路、邏輯、積體邏輯及電氣連接)之間的電氣連接，提供晶粒912和再分佈平台106之間的電氣連接。作為範例，該等電氣內連線920可以係焊料球或焊料凸塊。

可將電氣內連線920放置在再分佈平台106之第二側上，並提供再分佈平台106和外部裝置(如第一圖之探針卡108、第一圖之印刷電路板104或其組合)之間的電氣連接。

現在參照第十圖，其中顯示在本發明之具體實施例中製造再分佈系統100之方法1000之流程圖。方法1000包含：在一區塊1002中提 供一基板；在一區塊1004中在該基板上形成複數再分佈層，該等再分佈層包含一聚合物層及導電跡線；在一區塊1006中透過將該等再分佈層之一之該聚合物層內的聚合物分子交聯到該等再分佈層之一相鄰實例中的該聚合物層之該等聚合物分子以直接鍵結該等再分佈層之相鄰實例，形成一均質介電結構；以及在一區塊1008中從該等導電跡線形成嵌入該均質介電結構中的走線跡線。

該所得到的方法、製程、設備、裝置、產品及/或系統簡單、符合成本效益、不複雜、高度通用、準確、靈敏且有效，並可透過針對就緒、有效且經濟的製造、施加和利用調適已知組件實行。本發明之具體實施例之另一重要態樣在於有價值支持和維護降低成本、簡化系統及提高性能之歷史趨勢。

因此，本發明之具體實施例之這些及其他有價值態樣使該技術之狀態進一步提升到至少下一個層級。

儘管已搭配具體最佳模式說明本發明，但應可理解對熟習此領域技術者而言，根據該前述說明將顯而易見許多替代例、修飾例及變化例。據此，旨在涵蓋落於所包含的諸申請專利範圍之範疇內的所有這樣的替代例、修飾例及變化例。即將以例示性且非限制性意義解譯文中所闡述或所附圖式中所顯示的所有內容。

Claims (15)

1. 一種再分佈系統，包括：一基板；一均質介電結構，其在該基板上，包含複數再分佈層，其中：該等再分佈層包含一聚合物層及導電跡線；透過將該等再分佈層之一之該聚合物層內的聚合物分子交聯到該等再分佈層之一相鄰實例中的該聚合物層之該等聚合物分子，使該等再分佈層彼此直接鍵結；以及走線跡線，包含該等導電跡線，其嵌入該均質介電結構中。
2. 如申請專利範圍第1項之再分佈系統，其中該等走線跡線提供具有該均質介電結構的一聯鎖功能。
3. 如申請專利範圍第1項之再分佈系統，其中：聚合物層內的該等聚合物分子包含端帽；並且將該等聚合物分子之該等端帽與該等聚合物分子之其他實例之該等端帽交聯。
4. 如申請專利範圍第1項之再分佈系統，其中該聚合物層係一聚醯亞胺系聚合物材料。
5. 如申請專利範圍第1項之再分佈系統，其中該聚合物層係一環氧系聚合物材料。
6. 如申請專利範圍第1項之再分佈系統，其中該均質介電結構在該等再分佈層之間不包含一黏著劑材料。
7. 如申請專利範圍第1項之再分佈系統，其中該等走線跡線從該基板延伸到背離該基板的該均質介電結構之一表面。
8. 如申請專利範圍第1項之再分佈系統，其中該基板包含一通基板貫孔，其在該基板中並連接到該等走線跡線。
9. 如申請專利範圍第1項之再分佈系統，其中該基板係一陶瓷基板。
10. 如申請專利範圍第1項之再分佈系統，其中該基板係一聚合物複合基板。
11. 一種製造再分佈系統之方法，包括： 提供一基板；在該基板上形成複數再分佈層，該等再分佈層包含一聚合物層及導電跡線；透過將該等再分佈層之一之該聚合物層內的聚合物分子交聯到該等再分佈層之一相鄰實例中的該聚合物層之該等聚合物分子以直接鍵結該等再分佈層之相鄰實例，形成一均質介電結構；以及從該等導電跡線形成嵌入該均質介電結構中的走線跡線。
12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中形成該等走線跡線包含與該均質介電結構形成一聯鎖功能。
13. 如申請專利範圍第11項之方法，透過交聯該聚合物層內的該等聚合物分子形成一均質介電結構包含該等聚合物分子之端帽與該等聚合物分子之其他實例之該等端帽之間的交聯。
14. 如申請專利範圍第11項之方法，其中形成該等再分佈層包含以該聚合物層作為一聚醯亞胺系聚合物材料形成該等再分佈層。
15. 如申請專利範圍第11項之方法，其中形成該等再分佈層包含以該聚合物層作為一環氧系聚合物材料形成該等再分佈層。