TW201919166A - 薄膜覆晶封裝結構 - Google Patents

Abstract

一種薄膜覆晶封裝結構，用以封裝晶片。薄膜覆晶封裝結構包含可撓性基板、導電層、電鍍層及防焊層。導電層形成於可撓性基板上。電鍍層形成於導電層上且具有一開口區。防焊層形成於電鍍層上並透過開口區與導電層相連。防焊層為單層結構。薄膜覆晶封裝結構定義有彎折區。彎折區涵蓋於開口區內且彎折區小於或等於開口區。當薄膜覆晶封裝結構的彎折區進行彎折時，彎折區內無任何電鍍層存在，致使彎折區的耐彎折特性獲得提升。

Description

薄膜覆晶封裝結構

本發明係與晶片封裝有關，尤其是關於一種薄膜覆晶(Chip on film,COF)封裝結構。

請參照圖1，圖1繪示傳統的薄膜覆晶封裝結構的示意圖。如圖1所示，於傳統的薄膜覆晶封裝結構1中，對應於彎折區BA的疊層結構由下往上依序是可撓性基板10、導電層12、電鍍層14及防焊層16。

然而，當傳統的薄膜覆晶封裝結構1的彎折區BA進行彎折時，由於可撓性基板10具有一定的厚度，再加上導電層12上鍍有電鍍層14，均會造成傳統的薄膜覆晶封裝結構1的彎折區BA的耐彎折特性不夠理想，仍有相當大的改善空間。

有鑑於此，本發明提出一種薄膜覆晶封裝結構，以有效解決先前技術所遭遇到之上述種種問題。

根據本發明之一具體實施例為一種薄膜覆晶封裝結構。於此實施例中，薄膜覆晶封裝結構用以封裝晶片。薄膜覆晶封裝結構包含可撓性基板、導電層、電鍍層及防焊層。導電層形成於可撓性基板之第一面上。電鍍層形成於導電層上且具有一開口區。防焊層形成於電鍍 層上並透過開口區與導電層相連。防焊層為單層結構。薄膜覆晶封裝結構定義有一彎折區。彎折區涵蓋於開口區內且彎折區小於或等於開口區。當薄膜覆晶封裝結構的彎折區進行彎折時，彎折區內無任何電鍍層存在，致使彎折區的耐彎折特性獲得提升。

於一實施例中，可撓性基板係由聚亞醯胺(polyimide,PI)或其他可撓性材料構成。

於一實施例中，導電層係由銅(Copper)或其他導電材料構成。

於一實施例中，電鍍層係由錫(Tin)或其他電鍍材料構成。

於一實施例中，可撓性基板具有一第一厚度，位於彎折區內的可撓性基板形成有一應力釋放部，至少一部分的應力釋放部具有一第二厚度，且第二厚度小於第一厚度，致使彎折區的耐彎折特性獲得提升。

於一實施例中，應力釋放部係形成於可撓性基板之第二面上，且第二面與第一面彼此相對。

於一實施例中，應力釋放部係透過雷射切斷或濕式蝕刻之方式形成。

於一實施例中，位於彎折區內的導電層所形成的線路包含至少一非直線圖樣。

於一實施例中，該至少一非直線圖樣為蛇形圖樣或鑽石形圖樣。

根據本發明之另一具體實施例為一種薄膜覆晶封裝結 構。於此實施例中，薄膜覆晶封裝結構用以封裝晶片。薄膜覆晶封裝結構包含可撓性基板、導電層、電鍍層及防焊層。可撓性基板具有第一厚度。導電層形成於可撓性基板之第一面上。電鍍層形成於導電層上。防焊層形成於電鍍層上。薄膜覆晶封裝結構定義有一彎折區。位於彎折區內的可撓性基板形成有一應力釋放部，至少一部分的應力釋放部具有一第二厚度，且第二厚度小於第一厚度，致使彎折區的耐彎折特性獲得提升。

相較於先前技術，根據本發明之薄膜覆晶封裝結構針對其彎折區內的疊層結構進行改善，使得彎折區內無任何電鍍層存在及/或彎折區內至少一部分的可撓性基板的厚度變薄，均可有效提升薄膜覆晶封裝結構的彎折區的耐彎折特性。此外，位於彎折區內的導電層所形成的線路包含非直線圖樣，亦可增加彎折區的耐彎折性。

關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。

1~6‧‧‧薄膜覆晶封裝結構

10、20、30、40、50、60‧‧‧可撓性基板

12、22、32、42、52、62‧‧‧導電層

14、24、34、44、54、64‧‧‧電鍍層

16、26、36、46、56、66‧‧‧防焊層

18、28、38、48、58、68‧‧‧連接端子

19、29、39、49、59、69‧‧‧封裝層

IC‧‧‧晶片

BA‧‧‧彎折區

OP‧‧‧開口區

D1‧‧‧第一厚度

D2‧‧‧第二厚度

300、400、500、600‧‧‧應力釋放部

7A‧‧‧直線圖樣

7B‧‧‧蛇形圖樣

7C‧‧‧鑽石形圖樣

圖1繪示傳統的薄膜覆晶封裝結構的示意圖。

圖2至圖6分別繪示根據本發明之不同具體實施例中之薄膜覆晶封裝結構的示意圖。

圖7A至圖7C分別繪示位於彎折區內的導電層所形成的線路包含直線圖樣、蛇形圖樣及鑽石形圖樣的示意圖。

根據本發明之一具體實施例為一種薄膜覆晶封裝結 構。於此實施例中，薄膜覆晶封裝結構係用以將晶片封裝於可撓性基板，但不以此為限。

請參照圖2，圖2繪示根據此實施例中之薄膜覆晶封裝結構的示意圖。如圖2所示，薄膜覆晶封裝結構2用以封裝晶片IC。薄膜覆晶封裝結構2包含可撓性基板20、導電層22、電鍍層24、防焊層26、連接端子28及封裝層29。實際上，可撓性基板可由聚亞醯胺(polyimide,PI)或其他可撓性材料構成；導電層可由銅(Copper)或其他導電材料構成；電鍍層可由錫(Tin)或其他電鍍材料構成，但均不以此為限。

導電層22形成於可撓性基板20上。電鍍層24形成於導電層22上且具有一開口區OP。防焊層26形成於電鍍層24上並透過開口區OP與導電層22相連。防焊層26為單層結構。晶片IC透過連接端子28設置於電鍍層24上。封裝層29填充於晶片IC與可撓性基板20之間以及可撓性基板20防焊層26之間。

薄膜覆晶封裝結構2定義有彎折區BA，用以透過彎折區BA來對薄膜覆晶封裝結構2進行彎折。彎折區BA涵蓋於開口區OP內且彎折區BA小於或等於開口區OP。當薄膜覆晶封裝結構2的彎折區BA進行彎折時，彎折區BA內無任何電鍍層24存在，致使彎折區BA的耐彎折特性獲得提升。此外，由於此實施例中之防焊層26為單層結構，故僅需單次的防焊層塗佈製程即可達成。

然後，請參照圖3，於另一實施例中，薄膜覆晶封裝結構3包含可撓性基板30、導電層32、電鍍層34、防焊層36、連接 端子38及封裝層39。

薄膜覆晶封裝結構3與前述薄膜覆晶封裝結構2不同之處在於：可撓性基板30具有第一厚度D1，而位於彎折區BA內的可撓性基板30形成有應力釋放部300。

實際上，應力釋放部300係形成於可撓性基板30之第二面上，且設置應力釋放部300的第二面與設置導電層32的第一面彼此相對。應力釋放部300可透過雷射切斷或濕式蝕刻之方式形成，但不以此為限。至於應力釋放部300的形狀與大小亦可視實際需求而設計，只要能讓位於彎折區BA內的可撓性基板30至少有一部分的厚度變薄即可，並不以此為限。

至少一部分的應力釋放部300具有第二厚度D2，且第二厚度D2小於第一厚度D1。於此實施例中，位於彎折區BA內的可撓性基板30的厚度均為較薄的第二厚度D2，當薄膜覆晶封裝結構3的彎折區BA進行彎折時，會比傳統的薄膜覆晶封裝結構1容易彎折，致使彎折區BA的耐彎折特性獲得提升。

接著，請參照圖4，於另一實施例中，薄膜覆晶封裝結構4包含可撓性基板40、導電層42、電鍍層44、防焊層46、連接端子48及封裝層49。

薄膜覆晶封裝結構4與前述薄膜覆晶封裝結構3不同之處在於：位於彎折區BA內的可撓性基板40形成有應力釋放部400，致使位於彎折區BA內的可撓性基板40一部分具有較薄的第二厚度D2，另一部分則仍具有第一厚度D1。

當薄膜覆晶封裝結構4的彎折區BA進行彎折時，仍會比傳統的薄膜覆晶封裝結構1容易彎折，致使彎折區BA的耐彎折特性獲得提升。至於應力釋放部400的形狀與大小亦可視實際需求而設計，只要能讓位於彎折區BA內的可撓性基板40至少有一部分的厚度變薄即可，並不以此為限。

然後，請參照圖5，於另一實施例中，薄膜覆晶封裝結構5包含可撓性基板50、導電層52、電鍍層54、防焊層56、連接端子58及封裝層59。

薄膜覆晶封裝結構5結合了前述薄膜覆晶封裝結構2與薄膜覆晶封裝結構3的優點，薄膜覆晶封裝結構5的彎折區BA涵蓋於電鍍層54的開口區OP內且彎折區BA小於或等於開口區OP，並且位於彎折區BA內的可撓性基板50形成有應力釋放部500，致使位於彎折區BA內的可撓性基板50的厚度均為較薄的第二厚度D2。

因此，當薄膜覆晶封裝結構5的彎折區BA進行彎折時，彎折區BA內無任何電鍍層54存在且其厚度變薄，致使彎折區BA的耐彎折特性獲得提升。此外，由於此實施例中之防焊層56為單層結構，故僅需單次的防焊層塗佈製程即可達成。至於應力釋放部500的形狀與大小亦可視實際需求而設計，只要能讓位於彎折區BA內的可撓性基板50至少有一部分的厚度變薄即可，並不以此為限。

接著，請參照圖6，於另一實施例中，薄膜覆晶封裝 結構6包含可撓性基板60、導電層62、電鍍層64、防焊層66、連接端子68及封裝層69。

薄膜覆晶封裝結構6結合了前述薄膜覆晶封裝結構2與薄膜覆晶封裝結構4的優點，薄膜覆晶封裝結構6的彎折區BA涵蓋於電鍍層64的開口區OP內且彎折區BA小於或等於開口區OP，並且位於彎折區BA內的可撓性基板60形成有應力釋放部600，致使位於彎折區BA內的可撓性基板60一部分具有較薄的第二厚度D2，另一部分則仍具有第一厚度D1。

因此，當薄膜覆晶封裝結構6的彎折區BA進行彎折時，彎折區BA內無任何電鍍層64存在且其部分區域的厚度變薄，致使彎折區BA的耐彎折特性獲得提升。此外，由於此實施例中之防焊層66為單層結構，故僅需單次的防焊層塗佈製程即可達成。至於應力釋放部600的形狀與大小亦可視實際需求而設計，只要能讓位於彎折區BA內的可撓性基板60至少有一部分的厚度變薄即可，並不以此為限。

此外，亦請參照圖7A至圖7C，位於彎折區BA內的導電層所形成的線路，除了可包含圖7A所示之傳統的直線圖樣7A之外，亦可包含非直線圖樣，例如圖7B所示的蛇形圖樣7B或圖7C所示的鑽石形圖樣7C，藉以增加位於彎折區BA內的導電層所形成的線路之耐彎折性，但不以此為限。

相較於先前技術，根據本發明之薄膜覆晶封裝結構針對其彎折區內的疊層結構進行改善，使得彎折區內無任何電鍍 層存在及/或彎折區內至少一部分的可撓性基板的厚度變薄，均可有效提升薄膜覆晶封裝結構的彎折區的耐彎折特性。此外，位於彎折區內的導電層所形成的線路包含非直線圖樣，亦可增加彎折區的耐彎折性。

由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。

Claims (17)

1. 一種薄膜覆晶封裝結構，用以封裝一晶片，該薄膜覆晶封裝結構包含：一可撓性基板；一導電層，形成於該可撓性基板之一第一面上；一電鍍層，形成於該導電層上且具有一開口區；以及一防焊層，形成於該電鍍層上並透過該開口區與該導電層相連，該防焊層為單層結構；其中，該薄膜覆晶封裝結構定義有一彎折區，該彎折區涵蓋於該開口區內且該彎折區小於或等於該開口區，當該薄膜覆晶封裝結構的該彎折區進行彎折時，該彎折區內無任何該電鍍層存在，致使該彎折區的耐彎折特性獲得提升。
2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝結構，其中該可撓性基板係由聚亞醯胺(polyimide,PI)或其他可撓性材料構成。
3. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝結構，其中該導電層係由銅(Copper)或其他導電材料構成。
4. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝結構，其中該電鍍層係由錫(Tin)或其他電鍍材料構成。
5. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝結構，其中該可撓性基板具有一第一厚度，位於該彎折區內的該可撓性基板形成有一應力釋放部，至少一部分的該應力釋放部具有一第二厚度，且該第二厚度小於該第一厚度，致使該彎折區的耐彎折特性獲得提升。
6. 如申請專利範圍第5項所述之薄膜覆晶封裝結構，其中該應力釋放部係形成於該可撓性基板之一第二面上，且該第二面與該第一面彼此相對。
7. 如申請專利範圍第5項所述之薄膜覆晶封裝結構，其中該應力釋放部係透過雷射切斷或濕式蝕刻之方式形成。
8. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝結構，其中位於該彎折區內的該導電層所形成的線路包含至少一非直線圖樣。
9. 如申請專利範圍第8項所述之薄膜覆晶封裝結構，其中該至少一非直線圖樣為蛇形圖樣或鑽石形圖樣。
10. 一種薄膜覆晶封裝結構，用以封裝一晶片，該薄膜覆晶封裝結構包含：一可撓性基板，具有一第一厚度；一導電層，形成於該可撓性基板之一第一面上；一電鍍層，形成於該導電層上；以及一防焊層，形成於該電鍍層上；其中，該薄膜覆晶封裝結構定義有一彎折區，位於該彎折區內的該可撓性基板形成有一應力釋放部，至少一部分的該應力釋放部具有一第二厚度，且該第二厚度小於該第一厚度，致使該彎折區的耐彎折特性獲得提升。
11. 如申請專利範圍第10項所述之薄膜覆晶封裝結構，其中該可撓性基板係由聚亞醯胺或其他可撓性材料構成。
12. 如申請專利範圍第10項所述之薄膜覆晶封裝結構，其中該導電層係由銅(Copper)或其他導電材料構成。
13. 如申請專利範圍第10項所述之薄膜覆晶封裝結構，其中該電鍍層係由錫(Tin)或其他電鍍材料構成。
14. 如申請專利範圍第10項所述之薄膜覆晶封裝結構，其中該應力釋放部係形成於該可撓性基板之一第二面上，且該第二面與該第一 面彼此相對。
15. 如申請專利範圍第10項所述之薄膜覆晶封裝結構，其中該應力釋放部係透過雷射切斷或濕式蝕刻之方式形成。
16. 如申請專利範圍第10項所述之薄膜覆晶封裝結構，其中位於該彎折區內的該導電層所形成的線路包含至少一非直線圖樣。
17. 如申請專利範圍第16項所述之薄膜覆晶封裝結構，其中該至少一非直線圖樣為蛇形圖樣或鑽石形圖樣。