TW201915203A - 鈷鉑錸基濺鍍靶材、其製法及磁記錄層 - Google Patents
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Abstract
本創作提供一種鈷鉑錸基濺鍍靶材、其製法及磁記錄層。該鈷鉑錸基濺鍍靶材及磁記錄層具有相類似的組成，其包含鈷、鉑及錸，錸含量係大於或等於0.2原子百分比且小於或等於3.5原子百分比，鉑含量相對於鈷與鉑之含量和的比值係大於或等於0.15且小於或等於0.3。藉由控制鈷鉑錸基濺鍍靶材及磁記錄層之組成，能有利於改善磁記錄層的飽和磁化量、磁晶異向性常數及晶粒尺寸均勻性，從而令包含磁記錄層的磁記錄媒體具有較高的磁記錄密度及較佳的記錄品質。
Description
本創作關於磁記錄媒體相關領域，尤指一種用於濺鍍形成磁記錄層的鈷鉑錸基濺鍍靶材、鈷鉑錸基濺鍍靶材之製法以及利用前述靶材所濺鍍而成之磁記錄層。
隨著人們對於磁記錄媒體之資料儲存容量的需求越來越高，如何提高磁記錄媒體的記錄密度一直是業者積極開發的研究課題。為滿足市場上對於高記錄密度的需求，現有技術多半係選用鈷鉑合金系統(Co-Pt-based alloy system)作為磁記錄層的主要成分，並於鈷鉑合金系統中添加鉻或釕等元素，以試圖提升磁記錄媒體之磁記錄密度。
然而，利用鉻或釕提升磁記錄媒體之磁記錄密度的效果相當有限，且此種合金系統的磁記錄層多半存在晶粒尺寸不均勻、飽和磁化量(saturated magnetization，Ms)及磁晶異向性常數(magnetocrystalline anisotropy，Ku)不足的問題，甚而劣化磁記錄媒體的記錄品質。
有鑑於現有技術存在之技術缺陷，本創作其中一目的在於改善磁記錄層的飽和磁化量及磁晶異向性常數，另一目的在於提升磁記錄層的晶粒尺寸均勻性，從而令包含磁記錄層的磁記錄媒體具有較高的磁記錄密度及較佳的記錄品質。
為達成前述目的，本創作提供一種用於濺鍍形成磁記錄層的鈷鉑錸基濺鍍靶材、一種鈷鉑錸基濺鍍靶材之製法以及一種可供應用於磁記錄媒體的磁記錄層。
鈷鉑錸基濺鍍靶材
本創作之鈷鉑錸基濺鍍靶材包含鈷、鉑及錸，以整體鈷鉑錸基濺鍍靶材之原子總數為基準，錸含量係大於或等於0.2 原子百分比(at%)且小於或等於3.5 at%，鉑含量相對於鈷與鉑之含量和的比值(Pt/(Co+Pt))係大於或等於0.15且小於或等於0.3。
依據本創作，藉由令鈷鉑錸基濺鍍靶材同時符合以下三者條件，能令鈷鉑錸基濺鍍靶材所濺鍍而成之膜層可適用於作為磁記錄媒體(例如：熱輔助磁記錄媒體)的磁記錄層，藉此令磁記錄層具有較高的磁記錄密度及較佳的記錄品質。 (1) 至少含有鈷、鉑、錸三種金屬成分； (2) Re之含量係大於或等於0.2 at%且小於或等於3.5 at%； (3) Pt/(Co+Pt)係大於或等於0.15且小於或等於0.3。
較佳的，以整體鈷鉑錸基濺鍍靶材之原子總數為基準，錸含量係大於或等於0.3 at%且小於或等於3 at%；更佳的，錸含量係大於或等於0.5 at%且小於或等於3 at%；再更佳的，錸含量係大於或等於0.6 at%且小於或等於2.5 at%。
較佳的，Pt/(Co+Pt)係大於或等於0.2且小於或等於0.25。
較佳的，該鈷鉑錸基濺鍍靶材含有添加成分，該添加成分為鉻、釕或其組合。以整體鈷鉑錸基濺鍍靶材之原子總數為基準，添加成分之含量係大於0 at%且小於或等於4.5 at%。具體而言，當添加成分為鉻或釕時，鉻含量或釕含量係大於0 at%且小於或等於4.5 at%；當添加成分為鉻和釕之組合時，鉻含量與釕含量之和係大於0 at%且小於或等於4.5 at%。
較佳的，以整體鈷鉑錸基濺鍍靶材之原子總數為基準，添加成分之含量係大於或等於1 at%且小於或等於2 at%。
較佳的，該鈷鉑錸基濺鍍靶材含有氧化物，該氧化物包含矽氧化物、鈦氧化物、鉻氧化物、鈷氧化物、硼氧化物或其組合，以整體鈷鉑錸基濺鍍靶材之莫耳數總數為基準，氧化物之含量係大於0 mol%且小於或等於30 mol%。所述矽氧化物例如二氧化矽(SiO2
)，鈦氧化物例如二氧化鈦(TiO2
)，鉻氧化物例如三氧化二鉻(Cr2
O3
)，鈷氧化物例如三氧化二鈷(Co2
O3
)、一氧化鈷(CoO)，硼氧化物例如三氧化二硼(B2
O3
)，但並非僅限於此。
具體而言，當鈷鉑錸基濺鍍靶材中的氧化物為單一種類的氧化物時，該氧化物之個別含量係大於0 mol%且小於或等於30 mol%；當鈷鉑錸基濺鍍靶材中的氧化物為多種氧化物的組合時，該氧化物之總含量(即，各種氧化物之含量的和)係大於0 mol%且小於或等於30 mol%。
較佳的，以整體鈷鉑錸基濺鍍靶材之原子總數為基準，氧化物之含量係大於或等於15 mol%且小於或等於30 mol%。
依據本創作，所述鈷鉑錸基濺鍍靶材可為鈷鉑錸基合金靶材或鈷鉑錸基氧化物靶材。即，所述鈷鉑錸基濺鍍靶材可為由多種金屬成分所構成之鈷鉑錸基合金靶材，例如：Co-Pt-Re合金靶材、Co-Pt-Re-Cr合金靶材、Co-Pt-Re-Ru合金靶材、Co-Pt-Re-Cr-Ru合金靶材，但並非僅限於此；或者所述鈷鉑錸基濺鍍靶材可為由多種金屬成分摻混有氧化物所構成之鈷鉑錸基氧化物靶材，例如：Co-Pt-Re-Co2
O3
氧化物靶材、Co-Pt-Re-Cr2
O3
氧化物靶材、Co-Pt-Re-Cr-Co2
O3
氧化物靶材、Co-Pt-Re-Cr-Cr2
O3
氧化物靶材、Co-Pt-Re-Ru-Co2
O3
氧化物靶材、Co-Pt-Re-Ru-Cr2
O3
氧化物靶材，但並非僅限於此。
鈷鉑錸基濺鍍靶材之製法
本創作之鈷鉑錸基濺鍍靶材之製法，其係包括使用熔煉法(例如：真空感應熔煉法(vacuum induction melting，VIM))或粉末冶金法(powder metallurgy，PM)製備如前所述之鈷鉑錸基濺鍍靶材，該鈷鉑錸基濺鍍靶材具有如前所述之組成。
於其中一實施態樣中，當使用熔煉法製備鈷鉑錸基濺鍍靶材，其係將金屬原料置於0.01至0.001托耳之真空環境，以高於澆溫5°C至100°C之條件進行持溫後，再以1200°C至1700°C之溫度將前述金屬原料進行澆鑄熔煉，獲得該鈷鉑錸基濺鍍靶材。於此，所述金屬原料包含鈷、鉑及錸，以整體金屬原料之原子總數為基準，錸含量係大於或等於0.2 at%且小於或等於3.5 at%，鉑含量相對於鈷與鉑之含量和的比值係大於或等於0.15且小於或等於0.3。
較佳的，以整體金屬原料之原子總數為基準，錸含量係大於或等於0.3 at%且小於或等於3 at%；更佳的，錸含量係大於或等於0.5 at%且小於或等於3 at%；再更佳的，錸含量係大於或等於0.6 at%且小於或等於2.5 at%。
較佳的，於前述金屬原料中，Pt/(Co+Pt)係大於或等於0.2且小於或等於0.25。
較佳的，所述金屬原料可進一步摻混有添加成分，添加成分為鉻、釕或其組合，以整體金屬原料之原子總數為基準，添加成分之含量係大於0 at%且小於或等於4.5 at%。
於另一實施態樣中，當使用粉末冶金法製備鈷鉑錸基濺鍍靶材，其係將原料粉末於400°C至800°C之溫度下進行氫氣還原，得到一還原粉末；再將還原粉末施以2000磅/平方英寸(psi)至6000psi之壓力進行預成型，獲得該鈷鉑錸基濺鍍靶材。於此，所述原料粉末包含鈷粉末、鉑粉末及錸粉末，以整體原料粉末之原子總數為基準，錸粉末之含量係大於或等於0.2 at%且小於或等於3.5 at%，鉑粉末之含量相對於鈷粉末與鉑粉末之含量和的比值係大於或等於0.15且小於或等於0.3。
較佳的，以整體原料粉末之原子總數為基準，錸粉末之含量係大於或等於0.3 at%且小於或等於3 at%；更佳的，錸粉末之含量係大於或等於0.5 at%且小於或等於3 at%；再更佳的，錸粉末之含量係大於或等於0.6 at%且小於或等於2.5 at%。
較佳的，所述原料粉末可進一步摻混有添加成分，添加成分為鉻粉末、釕粉末或其組合，以整體原料粉末之原子總數為基準，添加成分之含量係大於0 at%且小於或等於4.5 at%。
較佳的，該原料粉末可進一步含有氧化物，該氧化物包含矽氧化物、鈦氧化物、鉻氧化物、鈷氧化物、硼氧化物或其組合，以整體原料粉末之莫耳數總數為基準，氧化物之含量係大於0 mol%且小於或等於30 mol%。
磁記錄層
本創作之磁記錄層可由如前所述之鈷鉑錸基濺鍍靶材所濺鍍而成，該磁記錄層可具有如鈷鉑錸基濺鍍靶材之組成。所述磁記錄層包含鈷、鉑及錸，以整體磁記錄層之原子總數為基準，錸含量係大於或等於0.2 at%且小於或等於3.5 at%，鉑含量相對於鈷與鉑之含量和的比值(Pt/(Co+Pt))係大於或等於0.15且小於或等於0.3。
依據本創作，由於磁記錄層之組成也能同時兼具前述(1)至(3)條件，故能具體改善磁記錄層的飽和磁化量、磁晶異向性常數及晶粒尺寸均勻性，使該磁記錄層能同時兼具以下三者特性： (A) Ku超過8.0Í106
erg/cc； (B) Ms超過800 emu/cc；以及 (C) 粒徑尺寸均勻性低於30%。 是以，本創作之磁記錄層能適用於各種磁記錄媒體(例如：熱輔助磁記錄媒體)中，並且有利於提升磁記錄媒體的磁記錄密度及記錄品質。
較佳的，以整體磁記錄層之原子總數為基準，錸含量係大於或等於0.3 at%且小於或等於3 at%；更佳的，錸含量係大於或等於0.5 at%且小於或等於3 at%；再更佳的，錸含量係大於或等於0.6 at%且小於或等於2.5 at%。
較佳的，該磁記錄層含有添加成分，該添加成分為鉻、釕或其組合。以整體磁記錄層之原子總數為基準，添加成分之含量係大於0 at%且小於或等於4.5 at%。具體而言，當添加成分為鉻或釕時，鉻含量或釕含量係大於0 且小於或等於4.5 at%；當添加成分為鉻和釕之組合時，鉻含量與釕含量之和係大於0 at%且小於或等於4.5 at%。較佳的，以整體磁記錄層之原子總數為基準，添加成分之含量係大於或等於1 at%且小於或等於2 at%。
較佳的，該磁記錄層含有氧化物，該氧化物包含矽氧化物、鈦氧化物、鉻氧化物、鈷氧化物、硼氧化物或其組合，以整體磁記錄層之莫耳數總數為基準，氧化物之含量係大於0 mol%且小於或等於30 mol%。具體而言，當磁記錄層中所含的氧化物為單一種類的氧化物時，該氧化物之個別含量係大於0 mol%且小於或等於30 mol%；當磁記錄層中所含的氧化物為多種氧化物的組合時，該氧化物之總含量(即，各種氧化物之含量的和)係大於0 mol%且小於或等於30 mol%。較佳的，以整體磁記錄層之莫耳數總數為基準，氧化物之含量係大於或等於15 mol%且小於或等於30 mol%。
以下，將藉由下列具體實施例詳細說明本發明的實施方式，所屬技術領域具有通常知識者可經由本說明書之內容輕易地了解本發明所能達成之優點與功效，並且於不悖離本發明之精神下進行各種修飾與變更，以施行或應用本發明之內容。
實施例
1
至
15
及比較例
1
至
6
實施例1至15與比較例2至6之鈷鉑錸基濺鍍靶材及比較例1之鈷鉑濺鍍靶材係大致上採用如下所述之真空熔煉法所製得：
根據下表1所示之濺鍍靶材的組成，於氧化鋁坩堝中置入適量的鈷(Co，純度99.95%(3N5))、鉑(Pt，純度3N5)、錸(Re，純度3N5)、鉻(Cr，純度3N5)、釕(Ru，純度3N5)，並置於反應腔體中；接著，利用真空熔煉的方式，於5×10-2
托耳之真空環境，以高於澆溫100°C之條件進行持溫後，再以1500°C至1750°C之溫度將前述金屬原料進行澆鑄，獲得合金鑄錠；最後以電腦數值控制(computer numerical control, CNC)車床加工，獲得直徑2吋、厚度3毫米之濺鍍靶材。
如下表1所示，實施例1至15及比較例1至6的差異主要在於濺鍍靶材中各金屬成分的含量。於實施例1至15之鈷鉑錸基濺鍍靶材中，鈷鉑錸基濺鍍靶材之組成皆同時符合以下條件： (1) 至少含有鈷、鉑、錸三種金屬成分； (2) Re之含量係大於或等於0.2 at%且小於或等於3.5 at%； (3) Pt/(Co+Pt)係大於或等於0.15且小於或等於0.3。
相較之下，比較例1之鈷鉑濺鍍靶材則未摻混有錸成分，故其並未滿足前述(1)及(2)的條件。比較例2至4之鈷鉑錸基濺鍍靶材雖同時含有鈷、鉑、錸三種金屬成分，並且適度控制鉑與鈷的含量，但其錸的含量卻已超出0.2 at%至3.5 at%之範圍內，故也未能滿足前述(2)的條件。而比較例5及6之鈷鉑錸基濺鍍靶材雖同時含有鈷、鉑、錸三種金屬成分，並且適度控制錸的含量，但卻未適度控制鉑與鈷的含量，致使其組成中Pt/(Co+Pt)也已超出0.15至0.3的範圍，故也未能滿足前述(3)的條件。
實施例
16
及
17
實施例16及17之鈷鉑錸基濺鍍靶材係大致上採用如下所述之粉末冶金法所製得：
根據下表1所示之濺鍍靶材的組成，將適量的鈷粉末(Co，純度3N5)、鉑粉末(Pt，純度3N5)、錸粉末(Re，純度3N5)及氧化物均勻混合並且球磨後，於650°C之溫度且760 bar之壓力條件下進行氫氣還原2小時，得到一還原粉末。接著，令該還原粉末於經高速研磨機研磨2小時後，均勻填充於一石墨模具中，並以壓力約1500 psi之油壓機進行預成型，以形成一初胚；再將該初胚與該石墨模具一同放入一熱壓爐中進行燒結，以1100°C之燒結溫度及422巴(bar)之燒結壓力持續熱壓燒結3小時；最後以CNC車床加工，獲得直徑2吋、厚度3毫米之濺鍍靶材。
相較於實施例1至15之鈷鉑錸基濺鍍靶材，實施例16及17之鈷鉑錸基濺鍍靶材除了金屬成分外更包含有特定種類的氧化物，其中實施例16之鈷鉑錸基濺鍍靶材中含有矽、鉻與硼之氧化物，以整體鈷鉑錸基濺鍍靶材之莫耳數總數為基準，SiO2
的含量為6 mol%，Cr2
O3
的含量為4 mol%，B2
O3
的含量為5 mol%；實施例17之鈷鉑錸基濺鍍靶材中則含有鈦、矽與鈷之氧化物，以整體鈷鉑錸基濺鍍靶材之莫耳數總數為基準，SiO2
的含量為12 mol%，TiO2
的含量為8 mol%，CoO的含量為10 mol%。如下表1所示，實施例16及17之鈷鉑錸基濺鍍靶材也同時符合上述(1)至(3)之條件。
實施例
1A
至
17A
、比較例
1A
至
6A
取用上述實施例1至17之鈷鉑錸基濺鍍靶材、比較例1之鈷鉑濺鍍靶材及比較例2至6之鈷鉑錸基濺鍍靶材，依相同的製程參數，採用磁控濺鍍法分別濺鍍形成實施例1A至17A與比較例1A至6A之磁記錄層。詳細濺鍍方法說明如后。
首先，將各濺鍍靶材置入磁控濺鍍機台(廠牌：高敦)中，先以200瓦(W)之功率、3毫托(mtorr)之壓力及通有30標準狀態毫升/分鐘(sccm)之氬氣的濺鍍環境中持續濺鍍600秒，進行預濺鍍製程，以清除表面髒汙；再以50至100 W之功率、10-2
至10-3
torr之壓力持續濺鍍15至30分鐘，於基板上濺鍍形成膜厚50奈米之Ru中間層；最後，以50至100 W之功率、10-2
至10-3
torr之壓力持續濺鍍15至30分鐘，於基板上濺鍍形成膜厚18奈米之磁記錄層，得到該複合膜層。
於此，經由前述濺鍍製程，實施例1A至17A、比較例1A至6A之複合膜層中磁記錄層之組成係大致上與下表1所示之實施例1A至17A、比較例1A至6A之濺鍍靶材的組成雷同。
試驗例
1
：飽和磁化量與磁晶異向性常數
本試驗例取用實施例1A至17A與比較例1A至6A之複合膜層為待測樣品，使用振動樣品磁力計(vibrating sample magnetometer，VSM)，於室溫、-12000至+12000奥(Oe)之外加磁場下，量測實施例1A至17A與比較例1A至6A之複合膜層於室溫下之飽和磁化量(單位為emu/cc)及磁晶異向性常數(單位為erg/cc)，其結果如下表1所示。
試驗例
2
：晶粒尺寸均勻性
本試驗例取用實施例1A至17A與比較例1A至6A之複合膜層為待測樣品，以穿透式電子顯微鏡觀察各待測樣品表面上的磁記錄層，並由各待測樣品的磁記錄層之穿透式電子顯微鏡影像圖中量測得到其晶粒尺寸。
於此，將標準差除以平均晶粒粒徑尺寸所計算而得之百分比表示代表正歸化之晶粒粒徑均勻度(normalized uniformity of grain size)，即下表1中所示之晶粒尺寸均勻性，單位為百分比(%)。於下表1中，晶粒尺寸均勻性的百分比越小，代表晶粒粒徑尺寸的均勻性越好。
實驗結果討論
如下表1所示，實施例1至17之鈷鉑錸基濺鍍靶材因同時符合(1) 至少含有鈷、鉑、錸三種金屬成分；(2) Re之含量係大於或等於0.2 at%且小於或等於3.5 at%；(3) Pt/(Co+Pt)係大於或等於0.15且小於或等於0.3等條件，故利用前述鈷鉑錸基濺鍍靶材所濺鍍而成之磁記錄層(即，實施例1A至17A之磁記錄層)能同時兼具以下三者優異效果： (A) Ku超過8.0Í106
erg/cc； (B) Ms超過800 emu/cc；以及 (C) 粒徑尺寸均勻性低於30%。
因此，當實施例1至17之鈷鉑錸基濺鍍靶材所濺鍍而成之磁記錄層應用於水平式磁記錄媒體、垂直式磁記錄媒體或熱輔助磁記錄媒體，能有助於提升磁記錄媒體的磁記錄密度及記錄品質，從而符合現今的市場需求。
反觀比較例1之鈷鉑濺鍍靶材，由於其組成中僅含有鈷和鉑而未摻混有錸，故利用前述鈷鉑濺鍍靶材所濺鍍而成之磁記錄層(即，比較例1A之磁記錄層)仍存在晶粒尺寸不均勻之缺點，而無法獲得上述效果(C)。再觀比較例2及3之鈷鉑錸基濺鍍靶材，其雖含有錸成分及適量的鈷及鉑成分，但鈷鉑錸基濺鍍靶材中錸含量低於0.2 at%，致使利用前述鈷鉑濺鍍靶材所濺鍍而成之磁記錄層(即，比較例2A及3A之磁記錄層)仍存在晶粒尺寸不均勻之缺點，而無法獲得上述效果(C)。此外，比較例4之鈷鉑錸基濺鍍靶材則因錸含量超過3.5 at%，而難以提升利用前述鈷鉑濺鍍靶材所濺鍍而成之磁記錄層(即，比較例4A之磁記錄層)的Ｍs及Ku，從而無法獲得上述效果(A)及(B)。
再觀比較例5之鈷鉑錸基濺鍍靶材，其雖含有適量的錸成分，但其Pt/(Co+Pt)的比值卻低於0.15，致使利用前述鈷鉑濺鍍靶材所濺鍍而成之磁記錄層(即，比較例5A之磁記錄層)仍存在低Ku之缺點，而無法獲得上述效果(A)。此外，比較例6之鈷鉑錸基濺鍍靶材則因Pt/(Co+Pt)的比值超過0.3，致使利用前述鈷鉑濺鍍靶材所濺鍍而成之磁記錄層(即，比較例6A之磁記錄層)仍存在低Ms之缺點，而無法獲得上述效果(B)。
由此可見，由於比較例1之鈷鉑濺鍍靶材及比較例2至6之鈷鉑錸基濺鍍靶材皆未能同時符合(1) 至少含有鈷、鉑、錸三種金屬成分；(2) Re之含量係大於或等於0.2 at%且小於或等於3.5 at%；(3) Pt/(Co+Pt)係大於或等於0.15且小於或等於0.3等條件，故利用前述濺鍍靶材所濺鍍而成之磁記錄層也無法同時兼具(A) Ku超過8.0Í106
erg/cc；(B) Ms超過800 emu/cc；以及(C) 粒徑尺寸均勻性低於30%等特性及效果，當然無法實現改善磁記錄媒體之記錄密度及記錄品質之目的。
進一步細究實施例3、4、6、7、10、11、13至15之鈷鉑錸基濺鍍靶材之組成可見，當鈷鉑錸基濺鍍靶材除了鈷、鉑、錸成分另含有鉻或釕成分時，進一步將鉻或釕成分的含量控制在大於0 at%且小於或等於4.5 at%，能確保利用前述鈷鉑錸基濺鍍靶材所濺鍍而成之磁記錄層(即實施例3A、4A、6A、7A、10A、11A、13A至15A之磁記錄層)同時兼具上述優異效果(A)至(C)。
再細究實施例16、17之鈷鉑錸基濺鍍靶材之組成可見，當鈷鉑錸基濺鍍靶材另添加有30 mol%以下的氧化物時，亦能確保利用前述鈷鉑錸基濺鍍靶材所濺鍍而成之磁記錄層(即實施例16A、17A之磁記錄層)同時兼具上述優異效果(A)至(C)。
進一步將實施例5及9之鈷鉑錸基濺鍍靶材與實施例1至4、6至8、10至17之鈷鉑錸基濺鍍靶材做比較，可發現當鈷鉑錸基濺鍍靶材中Re之含量控制在大於或等於0.3 at%且小於或等於3 at%時，能進一步提升鈷鉑錸基濺鍍靶材所濺鍍而成之磁記錄層的粒徑尺寸均勻性，使粒徑尺寸均勻性再降低至26%以下。此外，進一步將實施例5至7、9及10之鈷鉑錸基濺鍍靶材與實施例1至4、8、11至17之鈷鉑錸基濺鍍靶材做比較，可發現當鈷鉑錸基濺鍍靶材中Re之含量控制在大於或等於0.6 at%且小於或等於2.5 at%時，更能進一步確保鈷鉑錸基濺鍍靶材所濺鍍而成之磁記錄層的粒徑尺寸均勻性降低至23%以下。
綜上所述，本創作藉由控制鈷鉑錸基濺鍍靶材之組成，能使鈷鉑錸基濺鍍靶材所濺鍍而成之膜層能同時兼具高飽和磁化量、高磁晶異向性常數及均勻的晶粒粒徑尺寸之特性，使此種膜層能適用於磁記錄媒體的磁記錄層，從而令包含磁記錄層的磁記錄媒體具有較高的磁記錄密度及較佳的記錄品質。 表1：實施例1至17之鈷鉑錸基濺鍍靶材、比較例1之鈷鉑濺鍍靶材及比較例2至6之鈷鉑錸基濺鍍靶材之組成以及利用前述濺鍍靶材分別濺鍍而成實施例1A至17A、比較例1A至6A之磁記錄層的特性。
無。
無。
無。
Claims (13)
- 一種鈷鉑錸基濺鍍靶材，其包含鈷、鉑及錸，以整體鈷鉑錸基濺鍍靶材之原子總數為基準，錸含量係大於或等於0.2原子百分比且小於或等於3.5原子百分比，鉑含量相對於鈷與鉑之含量和的比值係大於或等於0.15且小於或等於0.3。
- 如請求項1所述之鈷鉑錸基濺鍍靶材，其中以整體鈷鉑錸基濺鍍靶材之原子總數為基準，錸含量係大於或等於0.3原子百分比且小於或等於3原子百分比。
- 如請求項2所述之鈷鉑錸基濺鍍靶材，其中以整體鈷鉑錸基濺鍍靶材之原子總數為基準，錸含量係大於或等於0.6原子百分比且小於或等於2.5原子百分比。
- 如請求項1至3中任一項所述之鈷鉑錸基濺鍍靶材，其中該鈷鉑錸基濺鍍靶材含有添加成分，該添加成分為鉻、釕或其組合，以整體鈷鉑錸基濺鍍靶材之原子總數為基準，添加成分之含量係大於0原子百分比且小於或等於4.5原子百分比。
- 如請求項1至3中任一項所述之鈷鉑錸基濺鍍靶材，其中該鈷鉑錸基濺鍍靶材含有氧化物，該氧化物包含矽氧化物、鈦氧化物、鉻氧化物、鈷氧化物、硼氧化物或其組合，以整體鈷鉑錸基濺鍍靶材之莫耳數總數為基準，氧化物之含量係大於0莫耳百分比且小於或等於30莫耳百分比。
- 如請求項4所述之鈷鉑錸基濺鍍靶材，其中該鈷鉑錸基濺鍍靶材含有氧化物，該氧化物包含矽氧化物、鈦氧化物、鉻氧化物、鈷氧化物、硼氧化物或其組合，以整體鈷鉑錸基濺鍍靶材之莫耳數總數為基準，氧化物之含量係大於0莫耳百分比且小於或等於30莫耳百分比。
- 一種鈷鉑錸基濺鍍靶材之製法，其係包括使用熔煉法或粉末冶金法製備如請求項1至6中任一項所述之鈷鉑錸基濺鍍靶材。
- 一種磁記錄層，其包含鈷、鉑及錸，以整體磁記錄層之原子總數為基準，錸含量係大於或等於0.2原子百分比且小於或等於3.5原子百分比，鉑含量相對於鈷與鉑之含量和的比值係大於或等於0.15且小於或等於0.3。
- 如請求項8所述之磁記錄層，其中以整體磁記錄層之原子總數為基準，錸含量係大於或等於0.3原子百分比且小於或等於3原子百分比。
- 如請求項9所述之磁記錄層，其中以整體磁記錄層之原子總數為基準，錸含量係大於或等於0.6原子百分比且小於或等於2.5原子百分比。
- 如請求項8至10中任一項所述之磁記錄層，其中該磁記錄層含有添加成分，該添加成分為鉻、釕或其組合，以整體磁記錄層之莫耳數總數為基準，添加成分之含量係大於0原子百分比且小於或等於4.5原子百分比。
- 如請求項8至10中任一項所述之磁記錄層，其中該磁記錄層含有氧化物，該氧化物包含矽氧化物、鈦氧化物、鉻氧化物、鈷氧化物、硼氧化物或其組合，以整體磁記錄層之莫耳數總數為基準，氧化物之含量係大於0莫耳百分比且小於或等於30莫耳百分比。
- 如請求項11所述之磁記錄層，其中該磁記錄層含有氧化物，該氧化物包含矽氧化物、鈦氧化物、鉻氧化物、鈷氧化物、硼氧化物或其組合，以整體磁記錄層之原子總數為基準，氧化物之含量係大於0莫耳百分比且小於或等於30莫耳百分比。
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