TW201903872A - 元件晶片之製造方法 - Google Patents

Abstract

[課題] 提供一種可以低成本製造黏貼有晶粒黏附膜的元件晶片的元件晶片之製造方法。 　　[解決手段] 本發明之元件晶片之製造方法係將在表面側形成有鈍化膜的晶圓進行加工來製造元件晶片的元件晶片之製造方法，其包含：鈍化膜去除步驟，其係沿著分割預定線，將鈍化膜去除；晶圓支持步驟，其係透過黏貼在晶圓背面的晶粒黏附膜而使晶圓支持在切割帶；分割步驟，其係將鈍化膜作為遮罩，由晶圓的表面側施行使用氟系氣體的電漿蝕刻，且將晶圓沿著分割預定線進行分割；及晶粒黏附膜去除步驟，其係將鈍化膜作為遮罩，由晶圓的表面側施行使用氧系氣體的電漿蝕刻，將晶粒黏附膜之沿著分割預定線的一部分或全部去除。

Description

元件晶片之製造方法

本發明係關於將在表面側具有複數元件的晶圓進行加工，來製造對應各元件的複數元件晶片的元件晶片之製造方法。

當製造被組入在各種電子機器的元件晶片時，首先，在藉由複數分割預定線(切割道(street))被區劃的晶圓的各區域形成IC(Integrated Circuit，積體電路)等元件。將該晶圓，例如藉由切削裝置或雷射加工裝置等沿著分割預定線進行切斷，藉此獲得對應各元件的複數元件晶片。

但是，在上述使用切削裝置的元件晶片之製造方法中，一邊以進行旋轉的切削刀將晶圓粉碎一邊進行切斷，因此在元件晶片容易發生破片(碎屑)等破損，其抗折強度亦往往不足。此外，必須使切削刀切入至複數分割預定線的各個，因此至加工完成為止，需要相對較長的時間。

相對於此，在使用雷射加工裝置的元件晶片之製造方法中，無須將晶圓機械式削取來進行切斷，因此可抑制破片等發生，提高抗折強度，且亦減小(縮窄)切斷所需寬幅(餘白部分)。但是，在該製造方法中，由於鄰接晶片的間隔變窄，因此在搬送等時，晶片彼此相接觸，有使破片等破損發生的情形。

近年來亦已提出一種利用電漿蝕刻來切斷晶圓的製造方法(參照例如專利文獻1、2)。在該製造方法中，係可藉由電漿蝕刻將晶圓全體一次加工，因此即使晶圓直徑變大、或元件(元件晶片)的尺寸變小，加工所需時間亦不需延長即可。此外，由於並非將晶圓機械式削取，因此亦可抑制破片等發生，提高抗折強度。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特開2006-114825號公報 　　[專利文獻2] 日本特開2009-187975號公報

(發明所欲解決之課題)

但是，在上述利用電漿蝕刻來切斷晶圓的製造方法中，係必須在晶圓形成用以保護元件晶片免於受到電漿影響的阻劑遮罩。在形成阻劑遮罩時，係使用容易耗費成本的光微影等方法，因此以該製造方法，並無法將元件晶片的價格抑制為十分低。

此外，在使用上述製造方法中被大多採用的氟系氣體的電漿蝕刻中，並無法將被使用在晶粒接合的晶粒黏附膜(DAF：Die Attach Film)進行加工。因此，若晶粒黏附膜被黏貼在晶圓，必須以切削裝置或雷射加工裝置另外去除重疊在分割預定線的晶粒黏附膜。

本發明係鑑於該問題點而完成者，其目的在提供一種可以低成本製造黏貼有晶粒黏附膜的元件晶片的元件晶片之製造方法。 (解決課題之手段)

藉由本發明之一態樣，提供一種元件晶片之製造方法，其係將在藉由被設定為格子狀的分割預定線予以區劃的表面側的各區域具有元件且在該表面側形成有覆蓋該元件的鈍化膜的晶圓進行加工，來製造對應該元件的複數元件晶片的元件晶片之製造方法，其特徵為：具備有：鈍化膜去除步驟，其係沿著該分割預定線，將該鈍化膜去除；晶圓支持步驟，其係在晶圓的背面黏貼晶粒黏附膜，並且透過該晶粒黏附膜而使該晶圓支持在被裝設在環狀框架的切割帶；晶圓分割步驟，其係在實施該鈍化膜去除步驟與該晶圓支持步驟之後，將該鈍化膜作為遮罩，由該晶圓的該表面側施行使用氟系氣體的電漿蝕刻，且將該晶圓沿著該分割預定線分割成各個元件晶片，並且沿著該分割預定線而使該晶粒黏附膜露出；及晶粒黏附膜去除步驟，其係在實施該晶圓分割步驟之後，將該鈍化膜作為遮罩，由該晶圓的該表面側施行使用氧系氣體的電漿蝕刻，將該晶粒黏附膜之沿著該分割預定線的一部分或全部去除。

在上述之本發明之一態樣中，亦可在該鈍化膜去除步驟中，對該晶圓沿著該分割預定線照射具吸收性的波長的雷射光束，在該晶圓的該表面側形成溝槽，藉此沿著該分割預定線將該鈍化膜去除。

此外，在上述之本發明之一態樣中，亦可在該鈍化膜去除步驟中，使切削刀沿著該分割預定線切入，在該晶圓的該表面側形成溝槽，藉此沿著該分割預定線將該鈍化膜去除。

此外，在上述之本發明之一態樣中，亦可該切割帶係具有伸張性，另外具備有：晶粒黏附膜破斷步驟，其係在實施該晶粒黏附膜去除步驟之後，將該切割帶伸張，藉此將該晶粒黏附膜沿著該分割預定線進行破斷。 (發明之效果)

在本發明之一態樣之元件晶片之製造方法中，將晶圓的表面側的鈍化膜沿著分割預定線去除，在晶圓的背面黏貼晶粒黏附膜之後，將該鈍化膜作為遮罩而由表面側施行使用氟系氣體的電漿蝕刻，且另外將鈍化膜作為遮罩而由表面側施行使用氧系氣體的電漿蝕刻，因此不需要如習知方法般形成阻劑遮罩。

此外，以使用氟系氣體的電漿蝕刻，將晶圓沿著分割預定線去除，以使用氧系氣體的電漿蝕刻，將晶粒黏附膜的一部分沿著分割預定線去除，因此亦不需要將重疊在分割預定線的晶粒黏附膜以其他方法去除。因此，藉由本發明之一態樣之元件晶片之製造方法，可以低成本製造黏貼有晶粒黏附膜的元件晶片。

參照所附圖示，說明本發明之一態樣之實施形態。在本實施形態之元件晶片之製造方法中，係將在藉由分割預定線所區劃的表面側的各區域具有元件的晶圓進行加工，而製造對應各元件的元件晶片。其中，在該晶圓的表面側係設有覆蓋元件的鈍化膜，各元件係藉由該鈍化膜予以保護。

具體而言，首先，將覆蓋元件的鈍化膜沿著分割預定線而由晶圓去除(鈍化膜去除步驟)。此外，在晶圓的背面黏貼晶粒黏附膜，並且透過晶粒黏附膜而使晶圓支持在被裝設在環狀框架的切割帶(晶圓支持步驟)。

之後，將鈍化膜作為遮罩，由晶圓的表面側施行使用氟系氣體的電漿蝕刻，且將晶圓沿著分割預定線分割成各個元件晶片，並且沿著分割預定線而使晶粒黏附膜露出(晶圓分割步驟)。

此外，將鈍化膜作為遮罩，由晶圓的表面側施行使用氧系氣體的電漿蝕刻，將晶粒黏附膜之沿著分割預定線的一部分或全部去除(晶粒黏附膜去除步驟)。以下詳述本實施形態之元件晶片之製造方法。

在本實施形態之元件晶片之製造方法中，首先，進行將覆蓋元件的鈍化膜沿著分割預定線由晶圓去除的鈍化膜去除步驟。圖1(A)係以模式顯示鈍化膜去除步驟之後的晶圓11的斜視圖，圖1(B)係以模式顯示鈍化膜去除步驟之後的晶圓11的剖面圖。

如圖1(A)及圖1(B)所示，晶圓11係例如以矽(Si)等材料而形成為圓盤狀。該晶圓11的表面11a側係以設定為格子狀的分割預定線(切割道(street))13而被區劃成複數區域，在各區域係設有IC(Integrated Circuit，積體電路)等元件15。

此外，在晶圓11的表面11a側係形成有覆蓋元件15的鈍化膜17。鈍化膜17係使用例如對使用氟系氣體的電漿蝕刻與使用氧系氣體的電漿蝕刻具一定程度的耐性的氧化矽(SiO₂ )、氮化矽(SiN)、氮氧化矽(SiO_ｘ N_ｙ )等材料所形成。

該鈍化膜17的一部分係沿著分割預定線13被去除。亦即，在晶圓11的表面11a側係存在有覆蓋各元件15的複數鈍化膜17a。圖2(A)係用以說明沿著分割預定線13將鈍化膜17去除的鈍化膜去除步驟的第1態樣的剖面圖。

如圖2(A)所示，在第1態樣中，由被配置在晶圓11的表面11a側的雷射照射單元2對晶圓11照射具吸收性的波長的雷射光束2a(燒蝕加工)。更具體而言，沿著分割預定線13照射雷射光束2a，在晶圓11的表面11a側形成溝槽11c。藉此，沿著分割預定線13的鈍化膜17的一部分17b被去除，留下覆蓋各元件15的複數鈍化膜17a。

圖2(B)係用以說明沿著分割預定線13將鈍化膜17去除的鈍化膜去除步驟的第2態樣的剖面圖。如圖2(B)所示，在第2態樣中，使作旋轉的切削刀4沿著分割預定線13切入，在晶圓11的表面11a側形成溝槽11c。藉此，沿著分割預定線13的鈍化膜17的一部分17b被去除，留下覆蓋各元件15的複數鈍化膜17a。

其中，在本實施形態中，係使用以矽等材料而形成為圓盤狀的晶圓11，但是晶圓11的材質、形狀、構造、大小等並無限制。晶圓11若構成為至少可藉由使用氟系氣體的電漿蝕刻來進行加工即可。

此外，鈍化膜17的材質、構造、厚度等亦無限制。鈍化膜17係若至少對使用氟系氣體的電漿蝕刻與使用氧系氣體的電漿蝕刻具有耐性即可。同樣地，元件15的種類、數量、形狀、構造、大小、配置等亦無限制。

在鈍化膜去除步驟之後，進行使晶圓支持在被裝設在環狀框架的切割帶的晶圓支持步驟。圖3(A)係用以說明晶圓支持步驟的斜視圖，圖3(B)係用以說明晶圓支持步驟的剖面圖。

在晶圓支持步驟中，首先，在晶圓11的背面11b黏貼晶粒黏附膜(DAF：Die Attach Film)19。晶粒黏附膜19係例如直徑稍微大於晶圓11的圓形薄膜，具有預定的接著力。該晶粒黏附膜19係主要使用聚醯亞胺系樹脂或環氧系樹脂所形成。但是，晶粒黏附膜19的材質、形狀、構造、大小等並無限制。

之後，將直徑大於設在晶圓11的背面11b側的晶粒黏附膜19的圓形切割帶21的中央部分黏貼在該晶粒黏附膜19。同時，將切割帶21的外周部分黏貼在包圍晶圓11及晶粒黏附膜19的環狀框架23。

亦即，透過晶粒黏附膜19，使晶圓11支持在裝設在環狀框架23的切割帶21。其中，在本實施形態中，係在鈍化膜去除步驟之後進行晶圓支持步驟，但是亦可在鈍化膜去除步驟之前進行晶圓支持步驟。

在鈍化膜去除步驟及晶圓支持步驟之後，係進行藉由使用氟系氣體的電漿蝕刻，將晶圓11沿著分割預定線13分割成各個元件晶片的晶圓分割步驟。圖4係以模式顯示電漿蝕刻所使用的電漿蝕刻裝置6的構成例的部分剖面圖，圖5(A)係用以說明晶圓分割步驟的剖面圖。其中，在圖4中，係以功能區塊來顯示一部分的構成要素。

如圖4所示，電漿蝕刻裝置6係具備有形成處理空間8的真空腔室10。真空腔室10係形成為包含：底壁10a、上壁10b、第1側壁10c、第2側壁10d、第3側壁10e、及第4側壁(未圖示)的直方體狀，在第2側壁10d係設有用以搬入、搬出晶圓11的開口12。

在開口12的外側係設有用以將開口12開閉的閘門14。該閘門14係藉由配置在其下方的開閉機構16上下移動。開閉機構16係包含有：空氣汽缸18、及活塞桿20。空氣汽缸18係透過托架22而被固定真空腔室10的底壁10a，活塞桿20的前端係連結於閘門14的下部。

藉由以開閉機構16打開閘門14，可通過開口12將晶圓11搬入至真空腔室10的處理空間8，或將晶圓11由真空腔室10的處理空間8搬出。在真空腔室10的底壁10a係形成有排氣口24。該排氣口24係連接於真空泵等排氣單元26。

在真空腔室10的處理空間8係以下部電極28與上部電極30相對向的方式作配置。下部電極28係由導電性材料所形成，包含：圓盤狀的保持部32、及由保持部32的下面中央朝下方延伸的圓柱狀的支持部34。

支持部34係被通至形成在真空腔室10的底壁10a的開口36。在開口36內，在底壁10a與支持部34之間係配置有環狀的絕緣構件38，真空腔室10與下部電極28係呈絕緣。下部電極28係在真空腔室10的外部連接於高頻電源40。

在保持部32的上面係形成有凹部，在該凹部係設有用以保持晶圓11的絕緣性的平台42。在平台42係形成有吸引路42a，該吸引路42a係透過形成在下部電極28的內部的吸引路44等而與吸引源46相連接。

在平台42的內部係被埋入有複數電極42b。例如，藉由對該電極42b供給電力，使電氣的力(具代表性為靜電引力)作用於各電極42b與晶圓11之間，可吸附、保持晶圓11。若真空腔室10的處理空間8被減壓，因吸引源46的負壓而變得無法保持晶圓11。因此，使用該電氣的力來保持晶圓11。

此外，在保持部32的內部係形成有冷卻流路48。冷卻流路48的一端係透過形成在支持部34的冷媒導入路50而連接在冷媒循環單元52，冷卻流路48的另一端係透過形成在支持部34的冷媒排出路54而連接在冷媒循環單元52。若使該冷媒循環單元52進行作動，冷媒係依冷媒導入路50、冷卻流路48、冷媒排出路54的順序流動，將下部電極28冷卻。

上部電極30係由導電性材料所形成，包含：圓盤狀的氣體噴出部56、及由氣體噴出部56的上面中央朝上方延伸的圓柱狀的支持部58。支持部58係通至形成在真空腔室10的上壁10b的開口60。在開口60內，在上壁10b與支持部58之間係配置有環狀的絕緣構件62，真空腔室10與上部電極30係呈絕緣。

上部電極30係在真空腔室10的外部連接於高頻電源64。此外，在支持部56的上端部係安裝有被連結在升降機構66的支持臂68，藉由該升降機構66及支持臂68，上部電極30係以上下移動。

在氣體噴出部56的下面係設有複數噴出口70。該噴出口70係透過形成在氣體噴出部56的氣體流路72及形成在支持部58的氣體流路74，連接於SF₆ (氟系氣體)供給源76、C₄ F₈ 供給源78、及O₂ (氧系氣體)供給源80。藉由該SF₆ 供給源76、C₄ F₈ 供給源78、O₂ 供給源80、氣體流路72、74、及噴出口70，構成將氣體導入至真空腔室10內的氣體導入部。

開閉機構16、排氣單元26、高頻電源40、吸引源46、冷媒循環單元52、高頻電源64、升降機構66、SF₆ 供給源76、C₄ F₈ 供給源78、O₂ 供給源80等係連接於控制單元82。

在控制單元82係例如由排氣單元26被通知關於處理空間8的壓力的資訊。此外，在控制單元82係由冷媒循環單元52被通知關於冷媒溫度的資訊(亦即關於下部電極28的溫度的資訊)。

此外，在控制單元82係由SF₆ 供給源76、C₄ F₈ 供給源78、O₂ 供給源80被通知關於各氣體流量的資訊。控制單元82係根據該等資訊、或由使用者被輸入的其他資訊等，輸出用以控制上述各構成要素的控制訊號。

在晶圓分割步驟中，首先，以開閉機構16使閘門14下降。接著，通過開口12，將被支持在切割帶21的晶圓11搬入至真空腔室10的處理空間8，且載置於下部電極28的平台42。具體而言，以將表面11a側定位在上方的方式將晶圓11載置於平台42之上。

其中，晶圓11搬入時，係以升降機構66使上部電極30上升。之後，使其作用吸引源46的負壓。同時，對電極42b供給電力。藉此，晶圓11係被固定在平台42之上。其中，在將晶圓11固定在平台42之後，亦可將吸引源46的負壓遮斷。

此外，以開閉機構16使閘門14上升，而將處理空間8密閉。此外，以上部電極30與下部電極28成為適於電漿蝕刻的預定的位置關係的方式，以升降機構66使上部電極30下降。接著，使排氣單元26作動，將處理空間8減壓。

在該狀態下，若一邊以預定的流量供給蝕刻用氣體，一邊對下部電極28及上部電極30供給預定的高頻電力時，在下部電極28及上部電極30之間發生含有自由基或離子的電漿。結果，未以作為遮罩來發揮功能的鈍化膜17a予以覆蓋的晶圓11的表面11a側曝露在該電漿。

在本實施形態之晶圓分割步驟中，反覆進行蝕刻、保護膜形成、及清洗等3個步驟，如圖5(A)所示，沿著分割預定線13形成由晶圓11的表面11a達至背面11b的刻口(切口)11d。

在蝕刻的步驟中，一邊由SF₆ 供給源76以預定的流量(例如1000sccm)供給SF₆ (氟系氣體)，一邊對下部電極28及上部電極30供予預定的高頻電力(例如對下部電極28供予100W、對上部電極30供予2600W)。此外，將處理空間8的壓力保持為大概一定(例如180mTorr)。

藉此，可將晶圓11之未被鈍化膜17a覆蓋的區域，曝露在以SF₆ 為原料的自由基或離子等電漿來加以去除。其中，蝕刻的時間(曝露在電漿的時間)係形成為刻口11d的側壁不會被過於去除的程度。例如若形成為6.0秒左右即可。

在保護膜形成的步驟中，一邊由C₄ F₈ 供給源78以預定的流量(例如700sccm)供給C₄ F₈ ，一邊對下部電極28及上部電極30供予預定的高頻電力(例如對下部電極28供予50W、對上部電極30供予2600W)。此外，將處理空間8的壓力保持為大概一定(例如60mTorr)。

藉此，可使氟系材料堆積在刻口11d而形成保護膜。由該氟系材料所成之保護膜係對使用SF₆ 等的電漿蝕刻具有一定程度的耐性。其中，保護膜形成時間(堆積時間)並沒有特別限制，惟若使保護膜過厚，在清洗工程中無法完成去除形成在刻口11d之底的保護膜。因此，堆積時間若形成為例如2.0秒左右即可。

在清洗的步驟中，係一邊由SF₆ 供給源76以預定的流量(例如1000sccm)供給SF₆ ，一邊對下部電極28及上部電極30供予預定的高頻電力(例如對下部電極28供予250W、對上部電極30供予2600W)。此外，將處理空間8的壓力保持為大概一定(例如180mTorr)。

若加大被供給至下部電極28的電力，電漿蝕刻的異向性被提高。藉此，藉由以SF₆ 為原料的自由基或離子等電漿，將形成在刻口11d之底的保護膜去除，可使保護膜僅殘留在側壁。結果，在蝕刻步驟中可將刻口11d以深度方向進行加工。其中，清洗的時間係依保護膜的厚度等來作設定，例如若設為1.5秒左右即可。

晶圓11沿著分割預定線13被分割成各個元件晶片25，若晶粒黏附膜19的上面19a露出於刻口11d之底，晶圓分割步驟即結束。其中，在該晶圓分割步驟中，係使用SF6等氟系氣體而使電漿發生，因此晶粒黏附膜19幾乎未被加工。

因此，在晶圓分割步驟之後，係進行藉由使用氧系氣體的電漿蝕刻，將晶粒黏附膜19之沿著分割預定線13的一部分或全部去除的晶粒黏附膜去除步驟。圖5(B)係用以說明晶粒黏附膜去除步驟的剖面圖。

在晶粒黏附膜去除步驟中，係一邊由O₂ 供給源70以預定的流量(例如200sccm)供給O₂ (氧系氣體)，一邊對下部電極28及上部電極30供予預定的高頻電力(例如對下部電極28供予0W、對上部電極30供予3500W)。此外，將處理空間8的壓力保持為大概一定(例如5mTorr)。

藉此，將露出於刻口11d的底部的晶粒黏附膜19，曝露於含有臭氧(O₃ )的電漿，可將其一部分或全部去除。亦可在該晶粒黏附膜去除步驟中，將露出於刻口11d的底部的晶粒黏附膜19的全部去除，將晶粒黏附膜19分斷，亦可如圖5(B)所示，將晶粒黏附膜19的一部分去除而形成凹部19b。

若在晶粒黏附膜去除步驟中在晶粒黏附膜19形成有凹部19b，接著進行將切割帶21伸張，而將晶粒黏附膜19沿著分割預定線13進行破斷的晶粒黏附膜破斷步驟即可。但是，此時，必須使用具伸張性的切割帶21。

圖5(C)係用以說明晶粒黏附膜破斷步驟的剖面圖。在該晶粒黏附膜破斷步驟中，係將切割帶21沿著晶圓11的徑方向進行伸張(擴張)，而對晶粒黏附膜19施加晶圓11的徑方向的力。

如上所述，在本實施形態中，在晶粒黏附膜19形成有凹部19b。因此，若將切割帶21伸張而對晶粒黏附膜19施加徑方向的力時，晶粒黏附膜19係以凹部19b為起點而被破斷。亦即，晶粒黏附膜19係沿著分割預定線13而分割成對應各元件晶片25的晶粒黏附膜27。藉此，黏貼有晶粒黏附膜27的元件晶片25即完成。

其中，在晶圓分割步驟及晶粒黏附膜去除步驟中被使用作為遮罩的鈍化膜17a係直接殘留在元件晶片25，保護元件15。亦即，在本實施形態中，成為元件晶片25的一部分的鈍化膜17a被使用作為晶圓分割步驟及晶粒黏附膜去除步驟的遮罩。

如以上所示，在本實施形態之元件晶片之製造方法中，將晶圓11的表面11a側的鈍化膜17沿著分割預定線13去除，在晶圓11的背面11b貼上晶粒黏附膜19之後，將該鈍化膜17作為遮罩而由表面11a側施行使用氟系氣體的電漿蝕刻，另外將鈍化膜17作為遮罩而由表面11a側施行使用氧系氣體的電漿蝕刻，因此不需要如習知方法般形成阻劑遮罩。

此外，以使用氟系氣體的電漿蝕刻，將晶圓11沿著分割預定線13去除，以使用氧系氣體的電漿蝕刻，將晶粒黏附膜19的一部分沿著分割預定線13去除，因此亦不需要以其他方法將重疊在分割預定線13的晶粒黏附膜19去除。因此，藉由本發明之一態樣之元件晶片之製造方法，可以低成本製造黏貼有晶粒黏附膜27的元件晶片25。

其中，本發明並非受限於上述實施形態的記載而可作各種變更來實施。例如，亦可在晶圓支持步驟之前，以研削等方法將晶圓11變薄。此時，可形成薄層元件晶片25，亦更加縮短晶圓分割步驟所需時間。

此外，在上述實施形態的晶圓分割步驟中，係反覆進行蝕刻、保護膜形成、及清洗等3個步驟，但是在本發明之晶圓分割步驟中，若可至少藉由使用氟系氣體的電漿蝕刻，將晶圓11沿著分割預定線13分割即可。

此外，上述實施形態之構造、方法等只要未脫離本發明之目的的範圍，即可適當變更來實施。

11‧‧‧晶圓

11a‧‧‧表面

11b‧‧‧背面

11c‧‧‧溝槽

11d‧‧‧刻口(切口)

13‧‧‧分割預定線(切割道)

15‧‧‧元件

17‧‧‧鈍化膜

17a‧‧‧鈍化膜

17b‧‧‧一部分

19‧‧‧晶粒黏附膜

21‧‧‧切割帶

23‧‧‧框架

25‧‧‧元件晶片

27‧‧‧晶粒黏附膜

2‧‧‧雷射照射單元

2a‧‧‧雷射光束

4‧‧‧切削刀

6‧‧‧電漿蝕刻裝置

8‧‧‧處理空間

10‧‧‧真空腔室

10a‧‧‧底壁

10b‧‧‧上壁

10c‧‧‧第1側壁

10d‧‧‧第2側壁

10e‧‧‧第3側壁

12‧‧‧開口

14‧‧‧閘門

16‧‧‧開閉機構

18‧‧‧空氣汽缸

20‧‧‧活塞桿

22‧‧‧托架

24‧‧‧排氣口

26‧‧‧排氣單元

28‧‧‧下部電極

30‧‧‧上部電極

32‧‧‧保持部

34‧‧‧支持部

36‧‧‧開口

38‧‧‧絕緣構件

40‧‧‧高頻電源

42‧‧‧平台

42a‧‧‧吸引路

42b‧‧‧電極

44‧‧‧吸引路

46‧‧‧吸引源

48‧‧‧冷卻流路

50‧‧‧冷媒導入路

52‧‧‧冷媒循環單元

54‧‧‧冷媒排出路

56‧‧‧氣體噴出部

58‧‧‧支持部

60‧‧‧開口

62‧‧‧絕緣構件

64‧‧‧高頻電源

66‧‧‧升降機構

68‧‧‧支持臂

70‧‧‧噴出口

72‧‧‧氣體流路

74‧‧‧氣體流路

76‧‧‧SF₆供給源

78‧‧‧C₄F₈供給源

80‧‧‧O₂供給源

82‧‧‧控制單元

圖1(A)係以模式顯示鈍化膜去除步驟之後的晶圓之例的斜視圖，圖1(B)係以模式顯示鈍化膜去除步驟之後的晶圓之例的剖面圖。 　　圖2(A)係用以說明鈍化膜去除步驟之第1態樣的剖面圖，圖2(B)係用以說明鈍化膜去除步驟之第2態樣的剖面圖。 　　圖3(A)係用以說明晶圓支持步驟的斜視圖，圖3(B)係用以說明晶圓支持步驟的剖面圖。 　　圖4係以模式顯示電漿蝕刻所使用的電漿蝕刻裝置的構成例的部分剖面圖。 　　圖5(A)係用以說明晶圓分割步驟的剖面圖，圖5(B)係用以說明晶粒黏附膜去除步驟的剖面圖，圖5(C)係用以說明晶粒黏附膜破斷步驟的剖面圖。

Claims (4)

1. 一種元件晶片之製造方法，其係將在藉由被設定為格子狀的分割預定線予以區劃的表面側的各區域具有元件且在該表面側形成有覆蓋該元件的鈍化膜的晶圓進行加工，來製造對應該元件的複數元件晶片的元件晶片之製造方法，其特徵為： 　　具備有： 　　鈍化膜去除步驟，其係沿著該分割預定線，將該鈍化膜去除； 　　晶圓支持步驟，其係在晶圓的背面黏貼晶粒黏附膜，並且透過該晶粒黏附膜而使該晶圓支持在被裝設在環狀框架的切割帶； 　　晶圓分割步驟，其係在實施該鈍化膜去除步驟與該晶圓支持步驟之後，將該鈍化膜作為遮罩，由該晶圓的該表面側施行使用氟系氣體的電漿蝕刻，且將該晶圓沿著該分割預定線分割成各個元件晶片，並且沿著該分割預定線而使該晶粒黏附膜露出；及 　　晶粒黏附膜去除步驟，其係在實施該晶圓分割步驟之後，將該鈍化膜作為遮罩，由該晶圓的該表面側施行使用氧系氣體的電漿蝕刻，將該晶粒黏附膜之沿著該分割預定線的一部分或全部去除。
2. 如申請專利範圍第1項之元件晶片之製造方法，其中，在該鈍化膜去除步驟中，對該晶圓沿著該分割預定線照射具吸收性的波長的雷射光束，在該晶圓的該表面側形成溝槽，藉此沿著該分割預定線將該鈍化膜去除。
3. 如申請專利範圍第1項之元件晶片之製造方法，其中，在該鈍化膜去除步驟中，使切削刀沿著該分割預定線切入，在該晶圓的該表面側形成溝槽，藉此沿著該分割預定線將該鈍化膜去除。
4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之元件晶片之製造方法，其中，該切割帶係具有伸張性， 　　另外具備有：晶粒黏附膜破斷步驟，其係在實施該晶粒黏附膜去除步驟之後，將該切割帶伸張，藉此將該晶粒黏附膜沿著該分割預定線進行破斷。