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TW201903087A - 接著膜、半導體晶圓加工用帶、半導體封裝及其製造方法 - Google Patents

接著膜、半導體晶圓加工用帶、半導體封裝及其製造方法 Download PDF

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TW201903087A
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Abstract

本發明係一種接著膜、半導體晶圓加工用帶、半導體封裝及其製造方法，該接著膜係由含有熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂及導熱填料之接著劑層所構成者，且上述導熱填料之導熱率為12W/m．K以上且於上述接著劑層中之含量為30~50體積%，上述熱塑性樹脂含有至少一種苯氧基樹脂，且關於硬化後之接著劑層，由下述數學式(1)算出之可靠性係數S1為50~220(×10-6GPa)，由下述數學式(2)算出之可靠性係數S2為10~120(×10-8GPa)，導熱率為0.5W/m．K以上。
S1=(Tg-25[℃])×(CTEα1[ppm/K])×(儲存彈性模數E'[GPa]260℃下)…(1)
S2=S1×(飽和吸水率WA[質量%])…(2)
於數學式(1)、(2)中，S1、S2、Tg、CTEα1、儲存彈性模數E'及飽和吸水率WA係針對硬化後之接著劑層者。Tg為玻璃轉移溫度，CTEα1為在該玻璃轉移溫度以下之線膨脹係數，儲存彈性模數E'為260℃下測得之值。另外，[ ]內表示單位。

Description

接著膜、半導體晶圓加工用帶、半導體封裝及其製造方法
本發明係關於一種接著膜、半導體晶圓加工用帶、半導體封裝及其製造方法。
近年來，在電子機器之小型化及高功能化、多功能化發展之進程中，搭載於其內部之半導體封裝亦於高功能化、多功能化方面發展，正在進行半導體晶圓配線規則之微細化。隨著高功能化、多功能化，而正普及將半導體晶片進行多段積層而實現高容量化之堆疊MCP(Multi Chip Package)。關於半導體晶片之構裝，有直接搭載於基板或半導體晶片上之方法[FOD(Film on Device)構裝]；與將已構裝於基板上之半導體晶片或導線嵌入而搭載之方法[FOW(Film on Wire)構裝]。導線嵌入型半導體封裝(FOW構裝)係於連接有導線之半導體晶片壓接高流動性接著劑並利用接著劑覆蓋導線而成之半導體封裝，且搭載於行動電話、可攜式影音設備用之記憶體封裝等。
如上所述般，隨著半導體裝置之資料處理之高速化發展，來自半導體晶片之發熱量增大，而具有散熱性之半導體裝置之設計之重要性不斷增大。熱對半導體裝置本身產生不良影響自不必說，而且對組裝有其之電子機器本身亦產生各種不良影響。作為用以散熱之封裝對策，考慮有多種方法，但最重要的是介隔印刷基板或引線框架等基板之散熱。
因此，先前存在於基板與半導體晶片之接著時使用具有高導熱性之接著劑之情況。作為此種接著劑，已知有導熱率相對較高之銀漿、或最近 提出之片狀之接著膜(黏晶膜)(例如參照專利文獻1)。
其中，片狀之接著膜雖然能夠抑制晶片之破裂、接著劑之流入、晶片之傾斜，但與銀漿相比導熱性較低。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-218571號公報
於半導體封裝或半導體裝置中，高頻設備(RF設備)之發熱量尤其較多，從而散熱性成為問題。另一方面，對於高頻設備等半導體封裝或半導體裝置，要求滿足吸濕回焊試驗(半導體耐熱性試驗)之濕敏等級(MSL，Moisture Sensitivity Levels)1等之可靠性。
此外，MSL1係由IPC/JEDEC(美國共同電子機器技術委員會)所規定之等級規格。
然而，習知之接著膜對引線框架之密接性不高，存在在接著膜與引線框架之間發生剝離之情況，關於如上所述之半導體封裝之可靠性，重要的是更高等級化。
因此，本發明係鑒於上述狀況而成者，且課題在於提供一種散熱性較高且半導體封裝之可靠性非常優異之接著膜，此外還提供一種半導體之加工性優異之半導體晶圓加工用帶、使用該接著膜或半導體晶圓加工用帶之半導體封裝及其製造方法。
本發明人等反覆進行了努力研究，結果發現：除使用導熱率12W/m．K以上之導熱填料、熱硬化性樹脂以外，還使用熱塑性樹脂之苯氧基樹脂，使硬化後之接著劑層在玻璃轉移溫度以下之線膨脹係數、260℃下之儲存彈性模數E'、此外尤其包含飽和吸水率在內滿足特定關係，藉此可解決上述課題。
即，可知上述課題係藉由下述構成而達成。
(1)一種接著膜，其由含有熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂及導熱填料之接著劑層所構成，其特徵在於：上述導熱填料之導熱率為12W/m．K以上且於上述接著劑層中之含量為30~50體積%，上述熱塑性樹脂含有至少一種苯氧基樹脂，且硬化後之接著劑層之由下述數學式(1)算出之可靠性係數S1為50~220(×10-6GPa)，由下述數學式(2)算出之可靠性係數S2為10~120(×10-8GPa)，導熱率為0.5W/m．K以上，S1=(Tg-25[℃])×(CTEα1[ppm/K])×(儲存彈性模數E'[GPa]260℃下)…(1)
S2=S1×(飽和吸水率WA[質量%])…(2)
於數學式(1)、(2)中，S1、S2、Tg、CTEα1、儲存彈性模數E'及飽和吸水率WA係針對硬化後之接著劑層者；Tg為玻璃轉移溫度，CTEα1為在該玻璃轉移溫度以下之線膨脹係數，儲存彈性模數E'為260℃下測得之值；另外，[]內表示單位。
(2)如(1)所述之接著膜，其中，上述苯氧基樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)為-50~50℃，且質量平均分子量為10,000~100,000。
(3)如(1)或(2)所述之接著膜，其中，上述苯氧基樹脂具有下述通式(I)所表示之重複單位，
通式(I)中，La表示單鍵或二價連結基，Ra1及Ra2分別獨立表示取代基；ma及na分別獨立表示0~4之整數；X表示伸烷基，nb表示1~10之整數。
(4)如(1)至(3)中任一項所述之接著膜，其中，上述熱硬化性樹脂為環氧樹脂。
(5)如(1)至(4)中任一項所述之接著膜，其中，上述導熱填料為選自氧化鋁及氮化鋁中之至少一種。
(6)如(1)至(5)中任一項所述之接著膜，其含有酚系樹脂作為硬化劑。
(7)如(1)至(6)中任一項所述之接著膜，其含有鏻鹽化合物作為硬化促進劑。
(8)一種半導體晶圓加工用帶，其特徵在於：於基材膜上具有黏著劑層，於該黏著劑層上具有(1)至(7)中任一項所述之接著膜。
(9)一種半導體封裝，其特徵在於使用上述(1)至(7)中任一項所述之接著膜。
(10)一種半導體封裝之製造方法，其特徵在於包括下述步驟：第1步驟，其係於表面形成有至少1個半導體電路之半導體晶片之背面貼合(1)至(7)中任一項所述之接著膜之接著劑層而獲得附接著劑層之半導體晶 片，將所獲得之附接著劑層之半導體晶片與配線基板經由該接著劑層進行熱壓接；及第2步驟，其係對上述接著劑層進行熱硬化。
根據本發明，可提供一種散熱性較高且半導體封裝之可靠性非常優異之接著膜、半導體晶圓加工用帶、使用該接著膜或半導體晶圓加工用帶之半導體封裝及其製造方法。
另外，本發明之半導體晶圓加工用帶具有散熱性較高且半導體封裝之可靠性非常優異之接著膜，除該等性能以外，半導體之加工性亦優異。
本發明之上述及其他特徵以及優點根據下述記載應更加明確。
<<接著膜>>
本發明之接著膜係由至少含有熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂及導熱填料之接著劑層所構成，且硬化後之接著劑層滿足特定之可靠性係數之範圍，導熱率為0.5W/m．K以上。
此外，於本發明中，所謂接著膜係指膜狀之接著劑(以下，亦簡稱為接著劑或接著劑層)，可為僅由該接著劑層構成之膜，亦可為於脫模膜上具有接著劑層之膜。
<接著劑層之成分>
本發明之接著膜(接著劑層)至少含有熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂及導熱 填料，尤佳為含有硬化劑、硬化促進劑。
(熱塑性樹脂)
作為熱塑性樹脂，可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯或聚對苯二甲酸丁二酯等聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂或氟樹脂等。該等熱塑性樹脂可單獨使用或將兩種以上組合而使用。
於本發明中，使用該等熱塑性樹脂中之至少一種苯氧基樹脂。苯氧基樹脂之耐熱性高，飽和吸水率小，從為了確保半導體封裝之可靠性而言亦較佳。另外，苯氧基樹脂由於結構與環氧樹脂類似，故而相容性較佳，樹脂熔融黏度亦較低，接著性亦較佳。
苯氧基樹脂可藉由雙酚或聯苯酚化合物與表氯醇之類的表鹵醇之反應、液狀環氧樹脂與雙酚或聯苯酚化合物之反應而獲得。
於任一反應中，作為雙酚或聯苯酚化合物，均較佳為下述通式(A)所表示之化合物。
通式(A)中，La表示單鍵或二價連結基，Ra1及Ra2分別獨立表示取代基。ma及na分別獨立表示0~4之整數。
關於La，二價連結基較佳為伸烷基、伸苯基、-O-、-S-、-SO-、-SO2-或由伸烷基與伸苯基組合而成之基。
伸烷基較佳為碳數為1~10，更佳為1~6，進而較佳為1~3，尤佳為1或 2，最佳為1。
伸烷基較佳為-C(Rα)(Rβ)-，此處，Rα及Rβ分別獨立表示氫原子、烷基、芳基。Rα與Rβ可相互鍵結而形成環。Rα及Rβ分別獨立，較佳為氫原子或烷基(例如甲基、乙基、異丙基、正丙基、正丁基、異丁基、己基、辛基、2-乙基己基)。其中，伸烷基較佳為-CH2-、-CH(CH3)、-C(CH3)2-，更佳為-CH2-、-CH(CH3)，進而較佳為-CH2-。
伸苯基較佳為碳數為6~12，更佳為6~8，進而較佳為6。伸苯基例如可列舉對伸苯基、間伸苯基、鄰伸苯基，較佳為對伸苯基、間伸苯基。
作為由伸烷基與伸苯基組合而成之基，較佳為伸烷基-伸苯基-伸烷基，更佳為-C(Rα)(Rβ)-伸苯基-C(Rα)(Rβ)-。
Rα與Rβ鍵結而形成之環較佳為5或6員環，更佳為環戊烷環、環己烷環，進而較佳為環己烷環。
La較佳為單鍵或伸烷基、-O-、-SO2-，更佳為伸烷基。
於Ra1及Ra2中，取代基較佳為烷基、芳基、烷氧基、烷硫基、鹵素原子，更佳為烷基、芳基、鹵素原子，進而較佳為烷基。
ma及na較佳為0~2，更佳為0或1，進而較佳為0。
關於雙酚或聯苯酚化合物，例如可列舉：雙酚A、雙酚AD、雙酚AP、雙酚AF、雙酚B、雙酚BP、雙酚C、雙酚E、雙酚F、雙酚G、雙酚M、雙酚S、雙酚P、雙酚PH、雙酚TMC、雙酚Z、或4,4'-聯苯酚、2,2'-二甲基-4,4'-聯苯酚、2,2',6,6'-四甲基-4,4'-聯苯酚等，較佳為雙酚A、雙酚AD、雙酚C、雙酚E、雙酚F、4,4'-聯苯酚，更佳為雙酚A、雙酚E、雙酚F，尤佳為雙酚F。
另一方面，作為液狀環氧樹脂，較佳為脂肪族二醇化合物之二縮水甘油醚，更佳為下述通式(B)所表示之化合物。
通式(B)
通式(B)中，X表示伸烷基，nb表示1~10之整數。
伸烷基較佳為碳數為2~10，更佳為2~8，進而較佳為3~8，尤佳為4~6，最佳為6。
例如可列舉：伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸辛基，較佳為伸乙基、三亞甲基、四亞甲基、五亞甲基、七亞甲基、六亞甲基、八亞甲基。
nb較佳為1~6，更佳為1~3，進而較佳為1。
此處，於nb為2~10之情形時，X較佳為伸乙基或伸丙基，進而較佳為伸乙基。
作為二縮水甘油醚中之脂肪族二醇化合物，可列舉：乙二醇、1,2-丙二醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-庚二醇、1,6-己二醇、1,7-戊二醇、1,8-辛二醇。
於上述反應中，雙酚或聯苯酚化合物或者脂肪族二醇化合物各自可為單獨進行反應而獲得之苯氧基樹脂，亦可為混合兩種以上進行反應而獲得之苯氧基樹脂。例如可列舉1,6-己二醇之二縮水甘油醚、與雙酚A和雙酚F之混合物之反應。
於本發明中，苯氧基樹脂較佳為藉由液狀環氧樹脂與雙酚或聯苯酚化合物之反應所獲得之苯氧基樹脂，更佳為具有下述通式(I)所表示之重複單位之苯氧基樹脂。
通式(I)中，La、Ra1、Ra2、ma及na與通式(A)中之La、Ra1、Ra2、ma及na含義相同，較佳之範圍亦相同。X及nb與通式(B)中之X及nb含義相同，較佳之範圍亦相同。
於本發明中，該等中較佳為雙酚F與1,6-己二醇之二縮水甘油醚之聚合物。
苯氧基樹脂之質量平均分子量較佳為10,000以上，更佳為10,000~100,000。
另外，殘存有少量環氧基，環氧當量較佳為5,000g/eq以上。
此處，質量平均分子量係藉由GPC[凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography)]所獲得之以聚苯乙烯換算而求出之值。
苯氧基樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為未達100℃，更佳為未達80℃，於本發明中，尤佳為-50℃~50℃，最佳為-50℃~30℃。
苯氧基樹脂可藉由如上所述之方法而合成，又亦可使用市售品。作為市售品，例如可列舉：YX7180(商品名：雙酚F+1,6-己二醇二縮水甘油醚型苯氧基樹脂，三菱化學(股份有限公司)製造)、1256(商品名：雙酚A型苯氧基樹脂，三菱化學(股份有限公司)製造)、YP-70(商品名：雙酚A/F型苯氧基樹脂，新日化Epoxy製造(股份有限公司)製造)、FX-316(商品名：雙酚F型苯氧基樹脂，新日化Epoxy製造(股份有限公司)製造)、及FX-280S(商品名：Cardo骨架型苯氧基樹脂，新日化Epoxy製造(股份有限公司)製造)、4250(商品名：雙酚A/雙酚F混合型苯氧基樹脂，三菱化學(股份有限公司)製造)等。
熱塑性樹脂之含量相對於熱硬化性樹脂(尤其是環氧樹脂)100質量份較佳為10~500質量份，更佳為30~450質量份，進而較佳為60~400質量份。藉由將含量設為此種範圍，可調整硬化前之接著膜之剛性與柔軟性。
(熱硬化性樹脂)
作為熱硬化性樹脂，已知有環氧樹脂、酚系樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、矽樹脂、聚胺酯樹脂(polyurethane resin)，於本發明中，尤佳為環氧樹脂。
環氧樹脂可為液體、固體或半固體之任一者。於本發明中，所謂液體係指軟化點未達50℃，所謂固體係指軟化點為60℃以上，所謂半固體係指軟化點處於上述液體之軟化點與固體之軟化點之間(50℃以上且未達60℃)。作為本發明中所使用之環氧樹脂，就獲得能夠於適宜之溫度範圍(例如60~120℃)內達到低熔融黏度之黏著劑層之觀點而言，軟化點較佳為100℃以下。此外，於本發明中，所謂軟化點係指藉由軟化點試驗(環球法)法(測定條件：依據JIS-2817)所測得之值。
於本發明所使用之環氧樹脂中，硬化體之交聯密度變高，結果就藉由所摻合之填料彼此之接觸概率較高且接觸面積變廣而獲得更高之導熱率之觀點而言，環氧當量較佳為600g/eq以下，更佳為150~550g/eq，進而較佳為150~450g/eq，尤佳為150~300g/eq，最佳為150~200g/eq。此外，於本發明中，所謂環氧當量係指含有1克當量之環氧基的樹脂之克數(g/eq)。
環氧樹脂之分子量或質量平均分子量較佳為未達3,000，更佳為150以上且未達3,000，進而較佳為200~2,000，尤佳為200~1,000，最佳為300~600。
此處，質量平均分子量係藉由GPC[凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography)]所獲得之以聚苯乙烯換算而求出之值。
作為環氧樹脂之骨架，可列舉：苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、甲酚酚醛清漆型、二環戊二烯型、聯苯型、茀雙酚型、三型、萘酚 型、萘二醇型、三苯甲烷型、四苯基型、雙酚A型、雙酚F型、雙酚AD型、雙酚S型、三羥甲基甲烷型、二聚酸酯型等。其中，就樹脂之結晶性較低而可獲得具有良好之外觀之接著劑層之觀點而言，較佳為三苯甲烷型、雙酚A型、雙酚F型、甲酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型，更佳為三苯甲烷型、雙酚A型、雙酚F型，其中較佳為三苯甲烷型、雙酚A型。
環氧樹脂可單獨使用一種或將兩種以上組合而使用。
相對於構成接著膜之成分之總質量100質量份，環氧樹脂之含量較佳為1~20質量份，更佳為4~10質量份。藉由設為此種範圍，而於硬化時交聯密度成為較佳之範圍，可抑制導熱率難以提高之交聯密度較高之樹脂成分之生成，並且抑制溫度稍微變化而膜狀態(膜觸黏性等)便容易發生變化之低聚物成分之生成。
(硬化劑及硬化促進劑)
於本發明中，為了對環氧樹脂進行熱硬化，尤佳為使用硬化劑或硬化促進劑。
作為用以對環氧樹脂進行熱硬化之硬化劑或硬化促進劑，例如可列舉：二氰二胺系樹脂、三氟化硼錯合物、有機醯肼化合物、胺類、聚醯胺樹脂、咪唑化合物、脲或硫脲化合物、聚硫醇化合物、於末端具有巰基之多硫化物樹脂、酸酐、硬化觸媒複合系多元酚類等酚系樹脂、光/紫外線硬化劑、磷-硼系硬化促進劑(鏻鹽化合物等)。
其中，作為三氟化硼錯合物，可列舉與各種胺化合物(較佳為一級胺化合物)之三氟化硼-胺錯合物，作為有機醯肼化合物，可列舉間苯二甲酸二醯肼。
作為胺類，可列舉：鏈狀脂肪族胺化合物(二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、六亞甲基二胺、N,N-二甲基丙基胺、二甲基苄胺、2-(二甲胺基)苯酚、2,4,6-三(二甲胺基甲基)苯酚、間苯二甲胺等)、環狀脂肪族胺化合物 (N-胺基乙基哌、雙(3-甲基-4-胺基環己基)甲烷、雙(4-胺基環己基)甲烷、薄荷烷二胺、異佛酮二胺、1,3-雙(胺基甲基)環己烷等)、雜環胺化合物(哌、N,N-二甲基哌、三伸乙基二胺、三聚氰胺、胍胺等)、芳香族胺化合物(間苯二胺、4,4'-二胺基二苯基甲烷、二胺基、4,4'-二胺基二苯基碸等)、聚醯胺樹脂(較佳為聚醯胺胺，二聚酸與聚胺之縮合物)。
作為咪唑化合物，可列舉：2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-甲基咪唑、2,4-二甲基咪唑、2-正十七烷基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑鎓-偏苯三酸酯、環氧-咪唑加成物、咪唑化合物與芳香族多元羧酸化合物之複合化合物等。
作為脲或硫脲化合物，可列舉：N,N-二烷基脲化合物、N,N-二烷基硫脲化合物等。
作為酸酐，可列舉：四氫鄰苯二甲酸酐、鄰苯二甲酸酐、偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸二酐等。
作為硬化觸媒複合系多元酚類，可列舉：酚醛清漆型酚樹脂、苯酚芳烷基型酚樹脂、聚乙烯型酚樹脂、甲酚型酚樹脂。
作為光/紫外線硬化劑，可列舉：二苯基碘鎓六氟磷酸鹽、三苯基鋶鎓六氟磷酸鹽等。
作為磷-硼系硬化促進劑，可列舉：四苯基鏻四苯基硼酸鹽(商品名：TPP-K)、四苯基鏻四對甲苯基硼酸鹽(商品名：TPP-MK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名：TPP-S)等磷-硼系硬化促進劑(均為北興化學工業(股份有限公司)製造)。其中，就潛伏性優異故而在室溫下之保存穩定性良好之方面而言，較佳為四苯基鏻四苯基硼酸鹽、四苯基鏻四對甲苯基硼酸鹽。
於本發明中，作為硬化劑，較佳為硬化觸媒複合系多元酚類，羥基當量較佳為100~150g/eq。
此外，於本發明中，所謂羥基當量係指含有1克當量之羥基的樹脂之克數(g/eq)。
在硬化觸媒複合系多元酚類中，於本發明中較佳為酚醛清漆型酚樹脂，更佳為甲酚酚醛清漆型酚樹脂。
另外，作為硬化促進劑，就潛伏性優異，可長期保持接著膜之可靠性之觀點而言，較佳為磷-硼系硬化觸媒、或經膠囊化之咪唑。
於本發明中，硬化促進劑尤佳為磷-硼系硬化促進劑，最佳為四苯基鏻四苯基硼酸鹽。
硬化劑或硬化促進劑在接著劑層中之含量並無特別限定，最佳之含量根據硬化劑或硬化促進劑之種類而有所不同。
相對於環氧樹脂100質量份，硬化劑之含量較佳為0.5~80質量份，更佳為1~70質量份。
硬化促進劑之含量較佳為少於硬化劑之含量，相對於硬化劑100質量份較佳為0.1~50質量份，更佳為0.5~20質量份，進而較佳為1~15質量份。
(導熱填料)
於本發明中，在接著劑層中含有導熱率為12W/m．K以上之至少一種導熱填料。
若導熱填料之導熱率未達12W/m．K，則為了獲得目標導熱率而要摻合更多之導熱填料，結果導致接著膜之熔融黏度上升，於壓接於構裝基板時無法覆蓋基板之凹凸，而密接性降低。
關於導熱率為12W/m．K以上之導熱填料，較佳為選自由氧化鋁粒子(導熱率：36W/m．K)、氮化鋁粒子(導熱率：150~290W/m．K)、氮化硼粒子(導熱率：60W/m．K)、氧化鋅粒子(導熱率：54W/m．K)、氮化矽填料(導熱率：27W/m．K)、碳化矽粒子(導熱率：200W/m． K)及氧化鎂粒子(導熱率：59W/m．K)所組成之群中之至少一種填料。尤其是氧化鋁粒子具有高導熱率，就分散性、獲得容易性之方面而言較佳。另外，氮化鋁粒子或氮化硼粒子較佳為具有較氧化鋁粒子更高之導熱率。於本發明中，其中較佳為氧化鋁粒子與氮化鋁粒子。
氮化鋁粒子對高導熱化、線膨脹係數之降低做出貢獻。
氮化鋁粒子雖然在粉末狀態下因與水之接觸導致表面水解，而容易生成銨離子，但藉由環氧樹脂之硬化劑中使用吸濕率較小之酚樹脂，可抑制水解。
導熱填料亦可進行表面處理或表面改質，作為此種表面處理或表面改質，可列舉：矽烷偶合劑或者磷酸或磷酸化合物、界面活性劑。
例如，作為藉由矽烷偶合劑對導熱填料進行處理之方法，並無特別限定，可列舉：於溶劑中混合導熱填料與矽烷偶合劑之濕式法、於氣相中對導熱性粒子與矽烷偶合劑進行處理之乾式法、預先於作為黏合劑樹脂之熱塑性樹脂中混合矽烷偶合劑之整體混合法(integral method)等。
於氮化鋁粒子之情形時，為了抑制水解，較佳為進行表面改質。作為氮化鋁之表面改質方法，尤佳為於表面層設置氧化鋁之氧化物層而提高耐水性，藉由磷酸或磷酸化合物進行表面處理而提高與樹脂之親和性之方法。
作為對包含氮化鋁之導熱填料進行表面處理時所使用之磷酸，可列舉：正磷酸(H3PO4)、焦磷酸(H4P2O7)、偏磷酸((HPO3)n，n為表示縮合度之整數)或該等之金屬鹽。作為磷酸化合物，可列舉：烷基膦酸、芳基膦酸、烷基磷酸、芳基磷酸等有機磷酸(例如甲基膦酸、乙基膦酸、己基膦酸、乙烯基膦酸、苯基膦酸、甲基磷酸、乙基磷酸、己基磷酸)。
亦較佳為使用矽烷偶合劑對導熱填料之表面進行表面處理。
另外，亦較佳為進而併用離子捕捉劑。
矽烷偶合劑係在矽原子上鍵結有至少1個烷氧基、芳氧基之類的水解性基而成者，除此以外，亦可鍵結烷基、烯基、芳基。烷基較佳為經胺基、烷氧基、環氧基、(甲基)丙烯醯氧基取代而成者，更佳為經胺基(較佳為苯基胺基)、烷氧基(較佳為縮水甘油氧基)、(甲基)丙烯醯氧基取代而成者。
關於矽烷偶合劑，例如可列舉：2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等。
界面活性劑(分散劑)可為陰離子性、陽離子性或非離子性之任一者，另外，亦可為高分子化合物。
於本發明中，較佳為陰離子性界面活性劑，更佳為磷酸酯系界面活性劑。
磷酸酯系界面活性劑可使用市售之東邦化學(股份有限公司)製造之Phosphanol系列。例如可列舉：Phosphanol RS-410、610、710、Phosphanol RL-310、Phosphanol RA-600、Phosphanol ML-200、220、240、Phosphanol GF-199(均為商品名)。
矽烷偶合劑或界面活性劑較佳為相對於導熱填料100質量份含有0.1~2.0質量份。
導熱填料之形狀並無特別限定，例如可使用薄片狀、針狀、長絲狀、球狀、鱗片狀者，但就可使導熱性粒子與樹脂之接觸面積變小，可提高 120℃~130℃下之流動性之方面而言，較佳為球狀粒子。
另外，平均粒徑較佳為0.01~5μm，更佳為0.1~5μm。藉由將平均粒徑設為此種範圍，而於填料間不發生凝集，於設置黏著劑層時不產生不均或條紋，從而保持接著劑層之膜厚之均一性。
此外，於本發明中，所謂平均粒徑係指於在粒度分佈中將粒子之總體積設為100%時累積50%時之粒徑，可基於藉由雷射繞射-散射法(測定條件：分散介質-六偏磷酸鈉，雷射波長：780nm，測定裝置：Microtrac MT3300EX)所測得之粒徑分佈之粒徑之體積百分率之累積曲線而求出。另外，於本發明中，所謂球狀係指真球或實質上無稜角之有弧度之大致真球。
於本發明中，導熱填料之含量相對於接著劑層之總體積為30~50體積%。藉由設為此種範圍，而使用接著膜所製造之半導體封裝不僅散熱性優異，並且應力緩和性優異，能夠於熱變化時緩和半導體封裝所產生之內部應力，可使自被接著體之剝離變得不易發生。
此外，若導熱填料之含量未達30體積%，則接著劑層之導熱率變低，來自半導體封裝之熱之散熱效果減弱。若導熱填料之含量超過50體積%，則應力緩和性差，而難以於熱變化時緩和半導體封裝所產生之內部應力，變得容易發生自被接著體之剝離。
導熱填料之含量之下限較佳為35體積%以上，更佳為40體積%以上。相對於接著劑層之總體積之導熱填料之含量係基於構成接著劑層之各成分之添加量與比重而算出。
(其他添加物)
本發明較佳為於接著劑層中除含有熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂、導熱填料以外亦含有硬化劑及硬化促進劑，除該等以外，亦可於不妨礙本發明之效果之範圍內進而含有黏度調整劑、抗氧化劑、難燃劑、著色劑、丁二烯系橡膠或聚 矽氧橡膠等應力緩和劑等添加劑。
(樹脂成分之含量)
於本發明中，至少含有熱塑性樹脂與熱硬化性樹脂，包含該等在內之樹脂成分在接著劑層中之含量較佳為50體積%以上。樹脂成分在接著劑層中之含量上限較佳為70體積%以下，更佳為65體積%以下，進而較佳為60體積%以下。
另外，相對於熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之合計量之100質量份，作為熱硬化性樹脂之摻合比率，只要為在特定條件下進行加熱時接著膜(接著劑層)發揮作為熱硬化型之功能之程度則無特別限定，就可提高120℃~130℃下之流動性之方面而言，較佳為10~80質量份之範圍，更佳為20~70質量份之範圍。
另一方面，作為熱塑性樹脂之摻合比率，就可提高120℃~130℃下之流動性之方面而言，相對於熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之合計量之100質量份較佳為20~90質量份之範圍，更佳為30~80質量份之範圍。
(接著膜(接著劑層)之厚度)
接著膜之厚度較佳為5~200μm，就能夠將配線基板、半導體晶片表面之凹凸更充分地覆蓋之觀點而言，更佳為10~40μm。藉由將厚度設為上述範圍，可將配線基板、半導體晶片表面之凹凸充分地覆蓋，而確保充分之密接性，並且容易去除有機溶劑，殘存溶劑量較少，從而亦不產生如觸黏性變強之問題。
<脫模膜>
脫模膜係經脫模處理之膜，其作為接著膜(接著劑層)之覆蓋膜發揮作用，且於將作為接著膜之接著劑層貼附於被接著體時剝離，且其用於使接著膜之操作性提高。
脫模處理可為任何處理，具有代表性之處理為聚矽氧處理。
作為脫模膜，例如可列舉：聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、 聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚胺酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、離子聚合物樹脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜、氟樹脂膜等經脫模處理之膜。另外，亦可使用該等之交聯膜。進而，亦可為該等之積層膜。
該等中，較佳為經脫模處理之聚乙烯、經脫模處理之聚丙烯、經脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯，其中較佳為經脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯。
脫模膜之表面張力較佳為40mN/m以下，更佳為35mN/m以下。
脫模膜之膜厚通常為5~300μm，較佳為10~200μm，尤佳為20~150μm左右。
<接著膜(接著劑層)之特性>
本發明之接著膜(接著劑層)於熱硬化後(以後，亦簡稱為硬化後)之接著劑層、即硬化物顯示以下特性。
此外，接著劑層之硬化物之測定係針對已在180℃下加熱處理1小時之硬化物求得。
(可靠性係數)
於本發明中，硬化後之接著劑層之由下述數學式(1)算出之可靠性係數S1為50~220(×10-6GPa)，由下述數學式(2)算出之可靠性係數S2為10~120(×10-8GPa)。
S1=(Tg-25[℃])×(CTEα1[ppm/K])×(儲存彈性模數E'[GPa]260℃下)…(1)
S2=S1×(飽和吸水率WA[質量%])…(2)
於數學式(1)、(2)中，S1、S2、Tg、CTEα1、儲存彈性模數E'及飽和吸水率WA係針對硬化後之接著劑層者。Tg為玻璃轉移溫度，CTEα1為在該玻璃轉移溫度以下之線膨脹係數，儲存彈性模數E'為260℃下測得之值。另外，[]內表示單位。
此處，可靠性係數S1及S2包括模擬吸濕步驟與回焊步驟之260℃加熱步驟，且係對是否發生由溫度變化引起之變形或由水分蒸發引起之半導體封裝之晶片與基板間之剝離進行評價。
於硬化後之接著劑層之玻璃轉移溫度(Tg)以下時，因溫度變化而發生變形，產生應變。由溫度變化引起之變形量係藉由上述數學式(1)之(Tg-25[℃])×(CTEα1[ppm/K])而計算。
於玻璃轉移溫度(Tg)以上時，由於為橡膠狀態故而可緩和變形。
另外，若260℃下之儲存彈性模數E'較小，則藉由內部應力來緩和自常溫(25℃)至260℃所蓄積之應變的緩和能力優異。
可靠性係數S1係考慮以上內容而獲得之關係式。
另一方面，可靠性係數S2係進而考慮如下內容而獲得之關係式，即，若飽和吸水量較多，則因260℃之加熱步驟中之水分之蒸發而於半導體封裝之內部容易發生各接著劑層界面處之剝離。
(飽和吸水率WA)
於本發明中，硬化後之接著劑層之飽和吸水率WA較佳為1.0質量%以下，更佳為0.7質量%以下。若飽和吸水率WA超過1.0質量%，則於包括吸濕步驟之可靠性試驗中，存在如下傾向：於藉由回焊方式對半導體封裝進行焊接時因接著膜內部之水分之爆發性氣化而容易產生封裝龜裂。此外，飽和吸水率WA可使用恆溫恆濕器對熱硬化後之接著膜之吸水前之質量、與在溫度85℃、相對濕度85%之條件下使之吸濕至飽和後之質量進行測定而算出。
飽和吸水率WA可藉由變更樹脂成分與導熱填料之含有比率及樹脂成分之種類與含量而進行調節。
(硬化後之接著劑層之玻璃轉移溫度(Tg))
於本發明中，硬化後之接著劑層之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為80℃以上。
若玻璃轉移溫度(Tg)為80℃以上，則可抑制半導體封裝於通常之使用溫度範圍及熱循環可靠性試驗之溫度範圍中之急遽之物性變化，另外，可抑制飽和吸水率WA變高。硬化後之接著劑層之玻璃轉移溫度(Tg)更佳為85℃以上，進而較佳為100℃以上。另一方面，硬化後之接著劑層之玻璃轉移溫度(Tg)之上限較佳為200℃以下。若為200℃以下，則可抑制因溫度變化而產生之應變。硬化後之接著劑層之玻璃轉移溫度(Tg)之上限更佳為180℃以下，進而較佳為150℃以下。
硬化後之接著劑層之玻璃轉移溫度(Tg)可藉由變更樹脂成分之種類與含量及硬化條件而進行調節。
(儲存彈性模數E')
於本發明中，硬化後之接著劑層在260℃下之儲存彈性模數E'較佳為1GPa以下。若在260℃下之儲存彈性模數E'為1GPa以下，則應力緩和性優異，能夠於熱變化時緩和半導體裝置所產生之內部應力，可使自被接著體之剝離變得不易產生。260℃下之儲存彈性模數E'之下限較佳為1MPa以上。若260℃下之儲存彈性模數E'為1MPa以上，則不易引起高溫下之凝集破壞，耐回焊性優異。260℃下之儲存彈性模數E'更佳為0.01GPa以上。
儲存彈性模數E'可藉由變更樹脂成分與導熱填料之含有比率及樹脂成分之種類與含量而進行調節。
(在玻璃轉移溫度(Tg)以下之線膨脹係數CTEα1)
於本發明中，硬化後之接著劑層在玻璃轉移溫度(Tg)以下之線膨脹係數 CTEα1較佳為40ppm/K以下。若在玻璃轉移溫度(Tg)以下之線膨脹係數CTEα1為40ppm/K以下，則於接著劑層與被接著體之接著界面，可防止由熱時產生之剝離應力引起之接著劑層之凝集破壞。在玻璃轉移溫度(Tg)以下之線膨脹係數CTEα1之下限較佳為5ppm/K以上。若在玻璃轉移溫度(Tg)以下之線膨脹係數CTEα1為5ppm/K以上，則於接著劑層與被接著體之接著界面，接著劑層可緩和並吸收熱時所產生之剝離應力，而防止接著界面之剝離。
在玻璃轉移溫度(Tg)以下之線膨脹係數CTEα1可藉由變更樹脂成分之種類與含量而進行調節。
(硬化後之接著劑層之導熱率)
於本發明中，硬化後之接著劑層之導熱率為0.5W/m．K以上，較佳為1.2W/m．K以上，更佳為1.5W/m．K以上。若硬化後之接著劑層之導熱率為0.5W/m．K以上，則使用接著膜所製造之半導體封裝之散熱性優異。此外，硬化後之接著劑層之導熱率雖然越高越佳，但上限實際上例如為20W/m．K以下。
硬化後之接著劑層之導熱率可藉由變更樹脂成分之種類與含量、導熱填料之種類與含量等而進行調節。
玻璃轉移溫度(Tg)、在玻璃轉移溫度(Tg)以下之線膨脹係數CTEα1、260℃下之儲存彈性模數E'、飽和吸水率WA及硬化後之接著劑層之導熱率均可藉由實施例中所記載之方法而測定。
<<半導體晶圓加工用帶及其製造方法>>
本發明之接著膜可以本發明之接著膜單獨之形式使用，亦可以於基材膜上具有黏著劑層且於該黏著劑層上具有作為本發明之接著膜之接著劑層(以下簡稱為接著劑層)的半導體晶圓加工用帶(切晶-黏晶膜)之形式使用。
以下，對半導體晶圓加工用帶進行說明。
(基材膜)
基材膜之材質通常可使用半導體晶圓加工用之黏著帶中所使用者，例如可列舉：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離子聚合物等α-烯烴之均聚物或共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等工程塑膠、聚胺酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物等熱塑性彈性體，亦可為將選自該等之群中之兩種以上進行混合而成者。
於本發明中，就切晶時之接著膜及半導體晶片之保持、與拾取時之半導體晶片之均一擴張性之觀點而言，較佳為交聯性樹脂，例如較佳為將乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸利用金屬離子交聯而成之離子聚合物。
基材膜可為單層之膜，亦可為由2層以上之膜積層而成之基材膜。
基材膜之厚度較佳為50~200μm。
(黏著劑層)
作為形成黏著劑層之黏著劑，並無特別限制，例如可為丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等普通之感壓性黏著劑、或藉由紫外線之照射而硬化之放射線硬化型黏著劑之任一者。半導體晶圓之加工中所使用之感壓性黏著劑通常為丙烯酸系黏著劑且較佳。
於本發明中，放射線硬化型黏著劑比感壓性黏著劑更佳。
放射線硬化型黏著劑只要為具有碳-碳雙鍵等放射線硬化性官能基且顯示黏著性者，則可為任意者。
例如，可列舉如下放射線硬化型黏著劑，其係於丙烯酸系黏著劑等通常之感壓性黏著劑中摻合放射線硬化性單體成分或低聚物成分而製成放射線硬化型黏著劑或基礎聚合物，且於聚合物之側鏈、主鏈或主鏈末端具有碳-碳雙鍵。基 礎聚合物具有碳-碳雙鍵之放射線硬化型黏著劑(以下將具有碳-碳雙鍵之聚合物稱為放射線硬化性聚合物)由於無需含有作為低分子成分之低聚物成分等，即便含有該等成分亦所含不多，故而低聚物成分等不會經時性地於黏著劑層中移動，而可形成穩定之層結構之黏著劑層，因此較佳。
於在丙烯酸系黏著劑等通常之感壓性黏著劑中摻合放射線硬化性單體成分或低聚物成分而成之放射線硬化型黏著劑之情形時，作為放射線硬化性單體成分，例如可列舉：胺酯低聚物、(甲基)丙烯酸胺酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，作為放射線硬化性低聚物成分，可列舉：胺酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物。該等之分子量通常為100~30,000，且相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份含有5~500質量份。
於基礎聚合物具有碳-碳雙鍵之放射線硬化型黏著劑時，於放射線硬化性聚合物中，作為藉由放射線之照射而進行聚合並硬化之碳-碳雙鍵(以下稱為乙烯性不飽和基)，可列舉：乙烯基、烯丙基、苯乙烯基、(甲基)丙烯醯氧基、(甲基)丙烯醯基胺基等。
放射線硬化性聚合物並無特別限制，例如可列舉(甲基)丙烯酸共聚物、聚酯、乙烯或苯乙烯共聚物、聚胺酯，較佳為(甲基)丙烯酸共聚物。
此外，(甲基)丙烯酸共聚物中之(甲基)丙烯酸包括丙烯酸或甲基丙烯酸，可為任一者，亦可為該等兩者。
作為放射線硬化性聚合物之合成方法，例如有(a)於具有乙烯性不飽和基之聚合物之情形時，使具有乙烯性不飽和基之化合物與聚合物反應，而獲得導入有乙烯性不飽和基之聚合物之方法；及(b)使用具有乙烯性 不飽和基之低聚物[例如作為交聯劑之一種之(甲基)丙烯酸胺酯低聚物等]之方法；該等方法簡便且容易，故而較佳，其中較佳為上述(a)方法。
於上述(a)方法中，作為具有乙烯性不飽和基之化合物，使用具有反應性與該乙烯性不飽和基不同之基(稱為反應性基α)之結構之化合物，作為被導入乙烯性不飽和基之聚合物，使用含有與具有該乙烯性不飽和基之化合物之反應性基α進行反應之反應性基β的結構之聚合物(以下稱為「具有反應性基β之聚合物」)，而使反應性基α與β反應。
此種反應性基α、β較佳為設為例如一者為進行親核攻擊之基，另一者為受到親核攻擊之基或受到加成反應之基。作為此種反應性基，例如可列舉：羥基、胺基、巰基、羧基、環氧基、氧雜環丁基、異氰酸基、形成環狀酸酐之基、鹵素原子、烷氧基或芳氧基羰基等。
此處，於反應性基α及β之任一者為羥基、胺基、巰基、羧基之情形時，另一反應性基可設為環氧基、氧雜環丁基、異氰酸基、形成環狀酸酐之基、鹵素原子、烷氧基或芳氧基羰基。
具有乙烯性不飽和基之化合物所具有之反應性基α較佳為受到親核攻擊之基或受到加成反應之基，例如較佳為環氧基、氧雜環丁基、異氰酸基、形成環狀酸酐之基、鹵素原子、烷氧基或芳氧基羰基，更佳為環氧基、氧雜環丁基、異氰酸基或形成環狀酸酐之基，進而較佳為環氧基、氧雜環丁基或異氰酸基，其中較佳為異氰酸基。
另一方面，被導入乙烯性不飽和基之聚合物所具有之反應性基β較佳為進行親核攻擊之基，例如較佳為羥基、胺基、巰基或羧基，更佳為羥基、胺基或巰基，進而較佳為羥基、胺基或羧基，進而較佳為羥基或羧基，其中較佳為羥基。
作為具有乙烯性不飽和基與反應性基α之化合物、或用於合成具 有反應性基β之聚合物之具有反應性基β之單體，可列舉以下化合物。
-反應性基為羧基之化合物-
(甲基)丙烯酸、桂皮酸、衣康酸、反丁烯二酸等
-反應性基為羥基之化合物-
於醇部具有羥基之(甲基)丙烯酸羥基烷基酯[例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、三羥甲基丙烷單(甲基)丙烯酸酯、乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇單(甲基)丙烯酸酯]、於胺部具有羥基之烷基胺即N-(羥烷基)烷基(甲基)丙烯醯胺[例如N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-雙羥甲基(甲基)丙烯醯胺]、烯丙醇等
-反應性基為胺基之化合物-
於醇部具有胺基之(甲基)丙烯酸胺基烷基酯[例如(甲基)丙烯酸2-(烷基胺基)乙酯、(甲基)丙烯酸3-(烷基胺基)丙酯]、(甲基)丙烯醯胺等
-反應性基為環狀酸酐之化合物-
順丁烯二酸酐、衣康酸酐、反丁烯二酸酐、鄰苯二甲酸酐等
-反應性基為環氧基或氧雜環丁基之化合物-
(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、烯丙基縮水甘油醚、3-乙基-3-羥基甲基氧雜環丁烷等
-反應性基為異氰酸基之化合物-
異氰酸(甲基)丙烯醯氧基烷基酯[例如異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯、異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基丙酯]、利用具有羥基或羧基與乙烯性不飽和基之化合物將多元異氰酸酯化合物之異氰酸基之一部分進行胺酯化而成者[例如2~10個官能基之(甲基)丙烯酸之丙烯酸胺酯低聚物]等
此外，作為上述丙烯酸胺酯低聚物，例如較佳為使(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯等在醇部 具有羥基之(甲基)丙烯酸羥基烷基酯、與甲苯二異氰酸酯、亞甲基聯苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、萘二異氰酸酯、亞甲基雙環己基異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯等二異氰酸酯或3官能基以上之異氰酸酯反應而獲得之具有至少1個異氰酸基之低聚物。另外，亦可為除(甲基)丙烯酸羥基烷基酯與多元異氰酸酯以外亦使多元醇化合物、聚醚二醇化合物或聚酯二醇化合物進行反應而獲得之低聚物。
-反應性基為鹵素原子之化合物-
2,4,6-三氯-1,3,5-三、2,4-二氯-6-甲氧基-1,3,5-三等鹵化三等
作為上述具有乙烯性不飽和基與反應性基α之化合物，較佳為上述反應性基為異氰酸基之化合物，另一方面，作為用於合成具有反應性基β之聚合物之單體，較佳為上述反應性基為羧基之化合物或反應性基為羥基之化合物，更佳為反應性基為羥基之化合物。
其中，於本發明中，較佳為異氰酸(甲基)丙烯醯氧基烷基酯，尤佳為異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯。
上述(b)方法係使用上述(甲基)丙烯酸胺酯低聚物者(該低聚物如後所述般亦為交聯劑之一種)，可使(甲基)丙烯酸共聚物與(甲基)丙烯酸胺酯低聚物共存而構成紫外線硬化性黏著劑層。作為(甲基)丙烯酸共聚物，較佳為使(甲基)丙烯酸與(甲基)丙烯酸酯聚合而獲得者。構成(甲基)丙烯酸共聚物之(甲基)丙烯酸酯成分之較佳形態與作為下述具有反應性基β之聚合物中之共聚合成分而說明者相同。
用於合成具有反應性基β之聚合物之具有反應性基β之單體較佳為於醇部具有羥基之(甲基)丙烯酸羥基烷基酯或(甲基)丙烯酸。
於在醇部具有羥基之(甲基)丙烯酸羥基烷基酯之情形時，上述具有反應性基β之單體成分在構成上述具有反應性基β之聚合物之總單體成分中所占的比率 較佳為5~50莫耳%，更佳為20~40莫耳%，進而較佳為20~35莫耳%。
另一方面，於(甲基)丙烯酸之情形時，丙烯酸或甲基丙烯酸在總單體成分中所占之比率較佳為0.1~3莫耳%，更佳為0.5~2.5，進而較佳為0.5~2。
另外，於使具有乙烯性不飽和基與反應性基α之化合物、與具有反應性基β之聚合物進行反應而向具有反應性基β之聚合物中導入乙烯性不飽和基時，較佳為相對於具有反應性基β之聚合物100質量份，使具有反應性基α之化合物反應5~40質量份，更佳為反應10~30質量份，進而較佳為反應10~20質量份。
於上述反應性基α與β之反應後殘留未反應之反應性基β，故而可利用下述交聯劑等調節樹脂特性。
上述具有反應性基β之聚合物較佳為具有上述具有反應性基β之單體成分作為其構成成分，並且具有(甲基)丙烯酸酯成分作為共聚合成分。
作為(甲基)丙烯酸酯，較佳為一種或兩種以上之(甲基)丙烯酸烷基酯。(甲基)丙烯酸酯之醇部不具有上述反應性基β。較佳為上述(甲基)丙烯酸酯之醇部未經取代。
作為此種(甲基)丙烯酸酯，醇部之碳數較佳為1~12。醇部之碳數更佳為1~10，進而較佳為4~10，其中較佳為醇部為分支烷基者，尤佳為(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。
另外，於上述放射線硬化性聚合物含有多種(甲基)丙烯酸酯成分作為構成成分之情形時，在(甲基)丙烯酸酯成分中較佳為含有醇部之碳數為1~8之(甲基)丙烯酸酯成分，其中，較佳為含有(甲基)丙烯酸甲酯成分或(甲基)丙烯酸丁酯成分。
以下，列舉作為上述共聚合成分而加入聚合物中之單體之具體例。
-(甲基)丙烯酸之烷基酯-
作為(甲基)丙烯酸之烷基酯，較佳為醇部之碳數為1~12者，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸異癸酯等。該等可單獨使用，亦可將兩種以上混合使用。藉由併用兩種以上，可發揮作為黏著劑之各種功能，進而可兼顧對半導體晶圓表面之階差之追隨性及包含防止糊劑殘留在內之非污染性。
-(甲基)丙烯酸之烷基酯以外之單體-
作為(甲基)丙烯酸之烷基酯以外之單體，可列舉：乙酸乙烯酯、苯乙烯或(甲基)丙烯醯胺、例如N,N-二乙基丙烯醯胺、N,N-二乙基丙烯醯胺、N-異丙基丙烯醯胺、N-丙烯醯啉等。該等可單獨使用，亦可將兩種以上混合使用。
於本發明中，作為與具有反應性基β之單體進行組合之共聚合成分之單體，較佳為(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸。
上述共聚合成分在構成上述具有反應性基β之聚合物之所有聚合物成分中所占的比率較佳為5~85莫耳%，更佳為20~80莫耳%，進而較佳為55~75莫耳%，尤佳為60~75莫耳%。
此外，放射線硬化性聚合物中所殘存之反應性基β之量雖然亦取決於具有反應性基α之化合物之摻合量，但亦可藉由下述交聯劑之種類及摻合量進行調節。
放射線硬化性聚合物之羥值較佳為5~70mgKOH/g，酸值較佳為0~10mgKOH/g，玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-40~-10℃，質量平均分子量較佳為15萬~130萬。
此外，酸值係基於JIS K5601-2-1：1999所測得者，羥值係基於JIS K 0070所測得者。
此處，玻璃轉移溫度係指以升溫速度0.1℃/分鐘藉由DSC(示差掃描熱量計)所測得之玻璃轉移溫度。
另外，質量平均分子量係藉由如下方式而算出，即，將溶解於四氫呋喃中而獲得之1%溶液藉由凝膠滲透層析儀(Waters公司製造，商品名：150-C ALC/GPC)進行測定，並以聚苯乙烯換算之質量平均分子量算出所測得之值。
(光聚合起始劑)
放射線硬化型黏著劑尤佳為含有光聚合起始劑。藉由調整黏著劑中之光聚合起始劑之摻合量而可控制交聯後之黏著力。作為此種光聚合起始劑，具體而言，可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、苄基二苯硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、聯苄、雙乙醯、β-氯蒽醌、二苯甲酮、米其勒酮、氯9-氧硫、聯苯醯縮二甲醇、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。該等可單獨使用，另外，亦可併用。
光聚合起始劑通常相對於放射線硬化性聚合物(具有乙烯性不飽和基之聚合物)及具有乙烯性不飽和基之化合物之總量100質量份以0.1~10質量份之比率使用。另外，相對於構成黏著劑之基質樹脂100質量份，較佳為0.1~10質量份，更佳為1~6質量份。
藉由對如此形成之放射線硬化型黏著劑層照射紫外線等放射線，可大幅降低接著力，而可容易地自接著劑層剝離黏著帶。
(交聯劑)
本發明較佳為於黏著劑中含有交聯劑。交聯劑之交聯性基即反應性基較佳為與具有反應性基β之聚合物之反應性基β進行反應之交聯劑。
例如於具有反應性基β之樹脂之反應性基β為羧基或羥基之情形時，交聯劑之交聯性基即反應性基較佳為環狀酸酐、異氰酸基、環氧基、鹵素原子，更佳為異氰酸基或環氧基。
藉由使用此種交聯劑，可藉由其摻合量調節具有反應性基β之聚合物之反應性基β之殘存量，亦可控制觸黏力。
另外，藉由使用交聯劑，亦可控制黏著劑(黏著劑層)之凝集力。
作為上述交聯劑，可列舉：多元異氰酸酯化合物、多元環氧化合物、多元氮丙啶化合物、螯合化合物等。作為多元異氰酸酯化合物，具體而言，可列舉：甲苯基二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯及該等之加成物型等。
作為多元環氧化合物，可列舉：乙二醇二縮水甘油醚、對苯二甲酸二縮水甘油酯丙烯酸酯等。作為多元氮丙啶化合物，可列舉：三-2,4,6-(1-氮丙啶基)-1,3,5-三、三[1-(2-甲基)-氮丙啶基]氧化膦、六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷三等。另外，作為螯合化合物，可列舉：乙醯乙酸乙基鋁二異丙酯、鋁三(乙醯乙酸乙酯)等。
另外，於黏著劑中，亦可使用在分子內具有至少2個以上乙烯性不飽和基之交聯劑、較佳為低聚物或聚合物之交聯劑，將交聯劑本身用作放射線硬化性樹脂。
作為在分子內具有至少2個以上之乙烯性不飽和基之低分子化合物，例如可列舉：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、寡酯丙烯酸酯等。
除此以外，亦可使用丙烯酸胺酯低聚物，具體而言，可廣泛地應用如下者，即，其係使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物、與多元異氰酸酯化合物[例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷4,4-二異氰酸酯等]反應而獲得末端 異氰酸酯胺酯預聚物，使該末端異氰酸酯胺酯預聚物與具有羥基之(甲基)丙烯酸酯[例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯]進行反應而獲得。
交聯劑之含量只要以黏著劑之黏著力、觸黏力成為所需之範圍之方式進行調整即可，相對於上述基質樹脂100質量份，較佳為0.01~10質量份，更佳為0.1~5質量份，進而較佳為0.6~5質量份，尤佳為0.7~3質量份。
(添加劑)
黏著劑除含有上述以外亦可含有添加劑。
作為此種添加劑，例如作為用以防止潤濕或提高滑移性之添加劑，可列舉聚矽氧丙烯酸酯(例如聚矽氧二丙烯酸酯、聚矽氧六丙烯酸酯)、放射線硬化促進劑。另外，亦可含有作為防水劑之胺基丙烯酸酯作為添加劑。另外，亦可含有塑化劑作為添加劑。另外，亦可含有在聚合物之聚合時使用之界面活性劑。
(黏著劑層之厚度)
黏著劑層之厚度並無特別限定，較佳為3~300μm，更佳為3~100μm，進而較佳為5~50μm。
(其他層)
於本發明中，亦可於黏著劑層上視需要設置底塗層等中間層。
<<接著膜、半導體晶圓加工用帶之用途>>
本發明之接著膜、半導體晶圓加工用帶較佳為用於經FOD構裝之半導體封裝之製造等。另外，亦適於將配線基板與半導體晶片之接著劑設為與如先前之多段積層之半導體晶片間之接著劑相同之接著劑而非不同之接著劑，來製造半導體封裝。
<<半導體封裝及其製造方法>>
於本發明中，半導體封裝較佳為藉由如下製造方法進行製造，該製造方法至少包括：第1步驟，其係於表面形成有至少1個半導體電路之半導體晶片之背面貼合本發明之接著膜之接著劑層而獲得附接著劑層之半導體晶片，將所獲得之附接著劑層之半導體晶片與配線基板經由該接著劑層進行熱壓接；及第2步驟，其係對該接著劑層進行熱硬化。
作為半導體晶圓，可適宜地使用表面形成有至少1個半導體電路之半導體晶圓，例如可列舉：矽晶圓、SiC晶圓、GaS晶圓。作為將此種半導體晶圓加工用帶之接著劑層設置於半導體晶圓之背面時所使用之裝置，並無特別限制，例如可適宜地使用滾筒貼合機、手動貼合機之類的公知之裝置。
於使用半導體晶圓加工用帶之情形時，首先，將本發明之半導體晶圓加工用帶於接著劑層側熱壓接至表面形成有至少1個半導體電路之半導體晶圓之背面而設置。作為將此種半導體晶圓加工用帶之接著劑層設置於半導體晶圓之背面時所使用之裝置，並無特別限制，例如可適宜地使用滾筒貼合機、手動貼合機之類的公知之裝置。
其次，藉由將半導體晶圓與接著劑層同時進行切晶，而獲得具備半導體晶圓與接著劑層之附接著劑層之半導體晶片。切晶所使用之裝置並無特別限制，可適宜地使用公知之切晶裝置。
其次，自接著劑層使切晶帶(基材膜上具有黏著劑層之部分)脫離，將附接著劑層之半導體晶片與配線基板經由接著劑層進行熱壓接，而將附接著劑層之半導體晶片構裝於配線基板。作為配線基板，可適宜地使用表面形成有半導體電路之基板，例如可列舉：印刷電路基板(PCB)、各種引線框架、及基板表面搭載有電阻元件或電容器等電子零件之基板。
作為於此種配線基板構裝附接著劑層之半導體晶片之方法，並無特別限制，可適宜地採用能夠利用接著劑層將附接著劑層之半導體晶片接著 於配線基板或配線基板之表面上所搭載之電子零件的習知之方法。作為此種構裝方法，可列舉：採用使用具有自上部之加熱功能之倒裝晶片接合機之構裝技術的方法、使用具有僅自下部之加熱功能之黏晶機之方法、使用貼合機之方法等先前公知之加熱、加壓方法。
藉由如此般經由本發明之接著膜之接著劑層將附接著劑層之半導體晶片構裝於配線基板上，可使接著劑層追隨於電子零件產生之配線基板上之凹凸，因此可使半導體晶片與配線基板密接而固定。
其次，使接著劑層熱硬化。作為熱硬化之溫度，只要為接著劑層之熱硬化起始溫度以上則並無特別限制，且根據所使用之樹脂之種類而有所不同，並非一概而論，例如較佳為100~180℃，就以更高溫度下進行硬化時可於短時間內硬化之觀點而言，更佳為140~180℃。若溫度未達熱硬化起始溫度，則有熱硬化未充分進行，而接著劑層之強度降低之傾向，另一方面，若超過上述上限，則有在硬化過程中接著劑層中之環氧樹脂、硬化劑或添加劑等揮發而變得容易發泡之傾向。另外，硬化處理之時間例如較佳為10~120分鐘。於本發明中，藉由以高溫使膜狀接著劑熱硬化，而即便以高溫進行硬化亦不產生空隙，從而可獲得使配線基板與半導體晶片牢固地接著而成之半導體封裝。
其次，較佳為將配線基板與附接著劑層之半導體晶片經由接合線進行連接。作為此種連接方法，並無特別限制，可適宜地採用先前公知之方法、例如打線接合方式之方法、TAB(Tape Automated Bonding，捲帶式自動接合)方式之方法等。
另外，亦可藉由於所搭載之半導體晶片之表面將其他半導體晶片進行熱壓接、熱硬化並再次藉由打線接合方式與配線基板連接，而積層多層。例如，有將半導體晶片錯開積層之方法、或藉由使第2層接著劑層變厚而一面將接合線嵌入一面進行積層之方法等。
於本發明中，較佳為藉由密封樹脂將配線基板與附接著劑層之半導體晶片進行密封，藉此可獲得半導體封裝。作為密封樹脂，並無特別限制，可適當地使用能夠用於製造半導體封裝之公知之密封樹脂。另外，使用密封樹脂進行之密封方法亦無特別限制，可適當地採用公知之方法。
[實施例]
以下，基於實施例及比較例對本發明進行更具體說明，但本發明並不限於以下實施例。
所使用之材料為以下素材。
[熱塑性樹脂]
．苯氧基樹脂A1：YP-70
新日化Epoxy製造(股份有限公司)製造 商品名，雙酚A/雙酚F共聚合型，質量平均分子量約5.5萬，玻璃轉移溫度(Tg)60℃
．苯氧基樹脂A2：YX7180
三菱化學(股份有限公司)製造 商品名，雙酚F+1,6-己二醇二縮水甘油醚型苯氧基樹脂，質量平均分子量約5.5萬，玻璃轉移溫度(Tg)15℃
[熱硬化性樹脂]
．環氧樹脂B1：RE-310S
日本化藥(股份有限公司)製造 商品名，雙酚A型液狀環氧樹脂(雙酚A之二縮水甘油醚)、環氧當量185g/eq
．環氧樹脂B2：EPPN-501H
日本化藥(股份有限公司)製造 商品名，三苯甲烷型環氧樹脂(三(4-羥基苯基)甲烷之三縮水甘油醚)，環氧當量164g/eq
．環氧樹脂B3：JER871
三菱化學(股份有限公司)製造 商品名，二聚酸酯型環氧樹脂(二聚酸二 縮水甘油酯)，環氧當量390~470g/eq
[硬化劑]
．二氰二胺系樹脂：DICY-7
三菱化學(股份有限公司)製造 商品名，NH2-C(=NH)-NH-CN
．酚系樹脂：PSM-4271
群榮化學工業(股份有限公司)製造 商品名，甲酚酚醛清漆硬化劑，羥基當量106g/eq
[硬化促進劑]
．鏻鹽：TPP-K
北興化學工業(股份有限公司)製造 商品名，四苯基鏻四苯基硼酸鹽
[應力緩和劑]
．環氧改質聚丁二烯：E-1800-6.5
日本石油化學(股份有限公司)製造 商品名，數量平均分子量1,800，環氧當量250g/eq
[導熱填料]
．氧化鋁：導熱率36W/m．K，平均粒徑2~3μm之球狀粒子
．氮化鋁：導熱率150W/m．K，平均粒徑1.0~1.5μm之球狀粒子
實施例1
1.接著膜之製作
將苯氧基樹脂A2(三菱化學(股份有限公司)製造YX7180)以70質量份、環氧樹脂B1(日本化藥(股份有限公司)製造RE-31OS)以18質量份、酚系硬化劑(群榮化學工業(股份有限公司)製造PSM-4271)以11質量份、硬化促進劑(北興化學工業(股份有限公司)製造TPP-K)以1.0質量份、及導熱填料(氧化鋁)以329質量份之比率混合於環戊酮30mL中而製備接著劑組成物 清漆，將該接著劑組成物清漆塗佈於厚度38μm之經脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯膜(PET膜)上，進行加熱乾燥(以130℃保持10分鐘)使環戊酮揮發，而製成接著劑層之厚度為20μm之接著膜。
實施例2~7及比較例1~9
於實施例1中，將熱塑性樹脂、環氧樹脂、硬化劑、硬化促進劑、應力緩和劑及導熱填料按照下述表1及2進行變更，除此以外，藉由與實施例1相同之方式製作實施例2~7及比較例1~9之各接著膜。
[接著膜之性能評價]
使用實施例1~7及比較例1~9中所製作之接著膜，測定熱硬化後之導熱率、萃取水之氯離子濃度、玻璃轉移點、260℃之儲存彈性模數、在玻璃轉移溫度以下之線膨脹係數及飽和吸水率。
另外，使用所獲得之玻璃轉移溫度、260℃之儲存彈性模數、在玻璃轉移溫度以下之線膨脹係數及飽和吸水率，藉由上述數學式(1)、(2)算出可靠係數S1及S2。
進而，將上述所製作之各接著膜與半導體封裝之可靠性試驗(MSL)及半導體加工用帶[(古河電氣工業(股份有限公司)製造]於室溫下進行貼合，製成切晶-黏晶膜，從而進行半導體晶圓加工性(切晶性及拾取性)之評價。
(導熱率之測定)
自上述所製作之各接著膜藉由成形加工製作12mm×12mm×2mm之試片，使該試片於180℃下加熱硬化1小時而獲得測定試樣。藉由雷射閃光法[LFA447，Netch(股份有限公司)製造，25℃]測定該試片之熱擴散率，進而根據該熱擴散率、及藉由示差掃描熱測定裝置[Pyris 1，PerkinElmer(股份有限公司)製造]所獲得之比熱容與藉由阿基米德法所獲得之比重之乘積，而算出25℃ 下之導熱率(W/m．K)。
(萃取水之氯離子濃度之測定)
切取熱硬化前之各接著膜約10g，使用熱風烘箱於溫度180℃下進行1小時熱處理，而製成熱硬化後之樣品。將熱硬化後之樣品2g與純水50mL放入容器中，於溫度121℃下進行20小時熱處理，藉由離子層析儀[HIC-SP，島津製作所(股份有限公司)製造]測定所獲得之萃取水之氯離子濃度。
(玻璃轉移點之測定及260℃之儲存彈性模數之測定)
將PET膜自上述製作之各接著膜剝離，積層接著劑層而形成厚度1000μm之積層體。將積層體於180℃下加熱1小時而使之硬化後，自硬化物切出長度20mm×寬度5mm之測定試樣。關於該熱硬化後之樣品，使用固體黏彈性測定裝置[Rheogel-E4000，UBM(股份有限公司)製造]測定25℃~300℃下之儲存彈性模數及損失彈性模數。測定條件設為頻率10Hz、升溫速度5℃/分鐘。進而，算出tanδ[E"(損失彈性模數)/E'(儲存彈性模數)]之值，藉此獲得玻璃轉移點(Tg)。
(線膨脹係數之測定)
自上述製作之各接著膜藉由成形加工製作5mm角柱，將該角柱於180℃下加熱1小時而使之硬化，從而獲得測定試樣。將測定試樣安放於熱機械分析裝置[TMA7100，Hitachi High-Tech Science(股份有限公司)製造]之測定用治具後，於-50℃~300℃之溫度區域內以壓入荷重0.02N、探針直徑3mmΦ、升溫速度7℃/分鐘之條件下測定膨脹率，算出在玻璃轉移溫度(Tg)以下之線膨脹係數(CTEα1)。
(飽和吸水率之測定)
將PET膜自上述製作之各接著膜剝離，成型加工為直徑50mm、厚度3mm之圓盤狀，使用熱風烘箱於溫度180℃下進行1小時加熱處理，而製成加熱硬化 後之試片。於測定該試片之吸水前之質量(W1)後，使用恆溫恆濕器(商品名：SH-222，ESPEC(股份有限公司)製造)於溫度85℃、相對濕度85%下使之吸水，將確認到吸水後之試片之質量即便在測定後再次於溫度85℃、相對濕度85%下使之吸水24小時以上而其質量之增加率亦為10質量%以下之時間點設為吸水後之質量(W2)，並藉由下述式求出飽和吸水率。
飽和吸水率WA(質量%)={(W2-W1)/W1}×100
(半導體晶圓加工性：切晶性、拾取性)
1)切晶性
將所製作之各接著膜於室溫下貼合於以離子聚合物樹脂作為基材膜並設置有丙烯酸系黏著劑層之切晶帶，而製成切晶-黏晶膜。其次，在溫度70℃之條件下貼合於切削研磨成厚度50μm之矽晶圓之研磨面(粗糙度：#2,000)，藉由切晶而製成橫8mm、縱9mm之附接著膜之半導體晶片。將此時所切割之晶片在切晶過程中自加工用帶剝離並飛散之現象稱為「晶片飛濺」，另外，將利用顯微鏡觀察切晶後之晶片切斷面時角缺損之現象稱為「碎裂」，關於晶片飛濺，若產生數量為所有晶片數量(140~160個)之10%以下則設為「合格」，將10%以上之情況設為「不合格」。關於碎裂，隨機地選取切晶後之晶片20個，若在顯微鏡觀察下缺損之最大高度相對於晶片厚度為50%以下(即25μm以下)則設為「合格」，50%以上之情形時設為「不合格」。
2)拾取性
於拾取上述1)中所切割之切晶-黏晶膜時，將接著膜與加工用帶之界面未能剝離而黏晶裝置停止之現象稱為「拾取失誤」，將在拾取後接著膜之一部分仍殘留於加工用帶上之現象稱為「DAF殘留」，將相對於所拾取之所有晶片數量(72~96個)產生數量均為10%以上之情況設為「合格」，將10%以下之情 況設為「不合格」。
(可靠性試驗：MSL)
藉由以下方式評價焊料耐熱性試驗MSL(Moisture Sensitivity Level)(耐濕回焊性)。
將上述所製作之附切晶-黏晶膜之半導體晶片經由接著膜接合於有機基板。接合條件設為溫度140℃、壓力0.1MPa、1秒。其次，將接合有半導體晶片之引線框架利用乾燥機以120℃熱處理1小時，以150℃熱處理1小時，進而以180℃熱處理1小時。其後利用密封樹脂進行封裝，藉此獲得半導體封裝。密封條件設為加熱溫度175℃、120秒。其後，以125℃使之乾燥24小時後，於85℃、相對濕度85%、168小時之條件下進行吸濕，進而於設定為以260℃以上保持10秒鐘之IR回焊爐中載置半導體封裝，將該回焊試驗(以260℃以上保持10秒鐘)進行3次。其後，利用超音波顯微鏡觀察半導體封裝，確認於接著膜與有機基板之交界有無剝離。確認係針對8個半導體晶片進行，將發生剝離之半導體晶片為0個之情況設為「合格」，將1個以上之情況設為「不合格」。
此外，表1及2中記載之MSL1係由IPC/JEDEC(美國共同電子機器技術委員會)所規定之等級規格。
將所獲得之結果彙總示於下述表1及2。
此外，比較例9由於導熱率為0.4W/m．K，未滿足規定之0.5W/m．K以上，故而雖然進行了半導體晶圓加工性之評價，但未進行其餘之評價。
此處，表示素材之摻合量之數字為質量份。另外，表中之「-」表示未使用。另外，半導體晶圓加工性以「半導體加工性」表示。
根據上述表1及2可知以下內容。
本發明之實施例1~7係硬化後之接著膜(接著劑層)之導熱率較高，散熱 性優異，並且焊料耐熱性之可靠性試驗(MSL)亦優異。另外，除此以外，半導體之加工性亦優異。
此處，如比較例9般，若導熱填料之含量未達30體積%，則硬化後之接著膜(接著劑層)之導熱率未達0.5W/m．K，而散熱性降低。
若導熱填料之含量為30體積%以上，則導熱率成為0.5W/m．K以上。
然而，如比較例1~8般，只要可靠性係數S1未滿足50~220×10-6GPa、可靠性係數S2未滿足10~120×10-8GPa之範圍，則於焊料耐熱性之可靠性試驗(MSL)中在接著膜與有機基板之交界處發生剝離。
此外，於導熱填料之含量超過70體積%之情形時，若可靠性係數S1及S2之任一者不滿足本發明中所規定之上述範圍，則半導體之加工性惡化之情況較多。此處，於比較例1中，由於所使用之苯氧基樹脂為具有通式(I)所表示之重複單位之苯氧基樹脂、尤其是雙酚F與1,6-己二醇之二縮水甘油醚之聚合物，故而認為半導體之加工性優異。
已將本發明與其實施態樣一併進行了說明，但認為只要本發明人不作特別指定，則不對本發明人之發明限定於說明之任何細節上，應在不違反隨附之申請專利範圍中所示之發明之精神與範圍之情況下範圍廣泛地詮釋。
本申請案係主張基於2017年5月1日在日本提出專利申請之日本特願2017-091351之優先權，其係作為參照並將其內容以本說明書之記載內容之一部分之形式併入本文中。

Claims (10)

  1. 一種接著膜，其由含有熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂及導熱填料之接著劑層所構成，其特徵在於：上述導熱填料之導熱率為12W/m．K以上且於上述接著劑層中之含量為30~50體積%，上述熱塑性樹脂含有至少一種苯氧基樹脂，且關於硬化後之接著劑層，由下述數學式(1)算出之可靠性係數S1為50~220(×10 -6GPa)，由下述數學式(2)算出之可靠性係數S2為10~120(×10 -8GPa)，導熱率為0.5W/m．K以上；S1=(Tg-25[℃])×(CTEα1[ppm/K])×(儲存彈性模數E'[GPa]260℃下)…(1) S2=S1×(飽和吸水率WA[質量%])…(2)於數學式(1)、(2)中，S1、S2、Tg、CTEα1、儲存彈性模數E'及飽和吸水率WA係針對硬化後之接著劑層者；Tg為玻璃轉移溫度，CTEα1為在該玻璃轉移溫度以下之線膨脹係數，儲存彈性模數E'為260℃下測得之值；另外，[ ]內表示單位。
  2. 如請求項1所述之接著膜，其中，上述苯氧基樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)為-50~50℃，且質量平均分子量為10,000~100,000。
  3. 如請求項1或2所述之接著膜，其中，上述苯氧基樹脂具有下述通式(I)所表示之重複單位； 通式(I)中，L a表示單鍵或二價連結基，R a1及R a2分別獨立表示取代基；ma及na分別獨立表示0~4之整數；X表示伸烷基，nb表示1~10之整數。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之接著膜，其中，上述熱硬化性樹脂為環氧樹脂。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之接著膜，其中，上述導熱填料為選自氧化鋁及氮化鋁中之至少一種。
  6. 如請求項1至5中任一項所述之接著膜，其含有酚系樹脂作為硬化劑。
  7. 如請求項1至6中任一項所述之接著膜，其含有鏻鹽化合物作為硬化促進劑。
  8. 一種半導體晶圓加工用帶，其於基材膜上具有黏著劑層，且於該黏著劑層上具有請求項1至7中任一項所述之接著膜。
  9. 一種半導體封裝，其使用請求項1至7中任一項所述之接著膜。
  10. 一種半導體封裝之製造方法，其包括下述步驟：第1步驟，其係於表面形成有至少1個半導體電路之半導體晶片之背面貼合請求項1至7中任一項所述之接著膜之接著劑層而獲得附接著劑層之半導體晶片，將所獲得之附接著劑層之半導體晶片與配線基板經由該接著劑層進行熱壓接；及第2步驟，其係對上述接著劑層進行熱硬化。
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