TW201900285A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種基板處理裝置的控制裝置，其包括資訊獲取部、加熱執行部、記憶裝置、開度決定部、開度設定部以及處理液供給部。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明是有關於一種對基板進行處理的基板處理裝置及基板處理方法。在作為處理對象的基板中，例如，包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器（Field Emission Display，FED）用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。

在半導體裝置或液晶顯示裝置等的製造步驟中，會使用對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進行處理的基板處理裝置。

日本專利特開2016-152354號公報中，揭示了一種對基板一片片地進行處理的單片式基板處理裝置。所述基板處理裝置包括一面水平地保持基板一面使基板圍繞著通過基板的中央部的鉛垂的旋轉軸線旋轉的自旋夾頭（spin chuck）、朝向由自旋夾頭保持著的基板噴出處理液的噴嘴、對要供給至噴嘴的處理液進行加熱的多個加熱器。多個加熱器包括對進行循環的處理液進行加熱的上游加熱器、與在由上游加熱器進行了加熱的處理液從噴嘴噴出之前對所述處理液進行加熱的下游加熱器。

供給至基板的處理液通過由包括配管以及噴嘴的多個構件而形成的流路而從噴嘴噴出。從噴嘴噴出的處理液通過噴嘴與基板之間的空間而與基板碰撞。

在供給至基板的處理液由加熱器預先加熱的情況下，處理液的一部分熱放出至流路或空氣中。這種熱損失必然會發生，因此，稍低於加熱器的溫度的處理液被供給至基板。

在處理液的剛開始時與之後，處理液的熱損失量不同。因此，即使預想到熱損失而設定加熱器的溫度，從噴嘴噴出時的處理液的溫度也隨時間的經過而發生變化。為了抑制這種溫度的變化，考慮在途中變更加熱器的溫度設定，但加熱器以及處理液的溫度未必會立刻變化。

因此本發明的一個目的是提供一種能夠以更高的精度對從噴嘴噴出時的處理液的溫度進行控制的基板處理裝置以及基板處理方法。

本發明的實施形態提供一種基板處理裝置，其具備：至少一個加熱器，對處理液進行加熱；第1配管，對由所述至少一個加熱器進行了加熱的處理液進行引導；第1流量調整閥，對供給至所述第1配管的處理液的流量進行變更；第1噴嘴，將由所述第1配管引導的處理液朝向基板噴出；以及控制裝置，對所述至少一個加熱器與所述第1流量調整閥進行控制。

所述控制裝置包括：資訊獲取部，獲取表示由所述至少一個加熱器進行了加熱的處理液的溫度的目標值的加熱溫度、與從所述第1噴嘴噴出時的處理液的溫度的目標值，即比所述加熱溫度低的第1設定溫度；加熱執行部，使所述至少一個加熱器以所述加熱溫度對處理液進行加熱；記憶裝置，記憶第1開度決定資料，所述第1開度決定資料是對與在以所述加熱溫度被供給至所述第1配管的處理液以第1噴出溫度從所述第1噴嘴被噴出時被供給至所述第1配管的處理液的流量相對應的所述第1流量調整閥的開度進行規定的資料；第1開度決定部，基於所述記憶裝置中所記憶的所述第1開度決定資料、與所述資訊獲取部所獲取的所述加熱溫度以及第1設定溫度，決定與第1目標流量相對應的第1目標開度，所述第1目標流量使所述第1噴出溫度與所述第1設定溫度一致或接近；第1開度設定部，將所述第1流量調整閥的開度設定為所述第1目標開度；以及第1處理液供給部，經由所述第1配管將處理液供給至所述第1噴嘴。

根據所述構成，被加熱器以加熱溫度加熱了的處理液經由第1配管而被供給至第1噴嘴。表示從第1噴嘴噴出時的處理液的溫度的第1噴出溫度不僅相應於供給至第1配管的處理液的溫度而發生變化，也相應於供給至第1配管的處理液的流量而發生變化。即，當處理液的供給流量減少時，第1噴出溫度下降，當處理液的供給流量增加時，第1噴出溫度上升。這是因為：熱損失量與處理液的供給流量無關而大致固定，與此相對，處理液的熱容量相應於處理液的供給流量而發生變化。

即使加熱溫度相同，如果處理液的供給流量不同，則噴出溫度也不同。對這些關係進行規定的第1開度決定資料記憶於控制裝置的記憶裝置中。關於處理液的供給流量，是以第1噴出溫度與第1設定溫度一致或接近的方式基於第1開度決定資料而設定。即，對處理液的供給流量進行規定的第1流量調整閥的開度被設定為與使第1噴出溫度與第1設定溫度一致或接近的第1目標流量相對應的第1目標開度。在此狀態下，具有加熱溫度的處理液被供給至第1配管。由此，具有第1設定溫度或與所述第1設定溫度幾乎相同的溫度的處理液從第1噴嘴噴出。

如此，不僅恰當地對加熱器的溫度進行管理，而且相應於加熱溫度以及第1設定溫度而恰當地對供給至第1配管以及第1噴嘴的處理液的流量，即，處理液的熱容量進行設定，因此，能夠以更高的精度對從第1噴嘴噴出時的處理液的溫度進行控制。由此，能夠減少想要的溫度與供給至基板的處理液的實際的溫度之差。並且，如果改變第1流量調整閥的開度，則能夠不改變加熱器的溫度而變更供給至基板的處理液的溫度。因此，與改變加熱器的溫度的情況相比，能夠在短時間內變更處理液的溫度。

在所述實施形態中，也可將以下的特徵的至少一個添加至所述基板處理裝置。

所述基板處理裝置還具備：第2噴嘴，噴出處理液；第2配管，將處理液引導至所述第2噴嘴；以及第2流量調整閥，對供給至所述第2配管的處理液的流量進行變更，所述控制裝置的所述資訊獲取部還獲取從所述第2噴嘴噴出時的處理液的溫度的目標值，即比所述加熱溫度低的第2設定溫度，所述控制裝置的所述記憶裝置還記憶第2開度決定資料，所述第2開度決定資料是對與在以所述加熱溫度被供給至所述第2配管的處理液以第2噴出溫度從所述第2噴嘴被噴出時被供給至所述第2配管的處理液的流量相對應的所述第2流量調整閥的開度進行規定的資料，所述控制裝置還包括：第2開度決定部，基於所述記憶裝置中所記憶的所述第2開度決定資料、與由所述資訊獲取部所獲取的所述加熱溫度以及第2設定溫度，決定與第2目標流量相對應的第2目標開度，所述第2目標流量使所述第2噴出溫度與所述第2設定溫度一致或接近；第2開度設定部，將所述第2流量調整閥的開度設定為所述第2目標開度；以及第2處理液供給部，經由所述第2配管將處理液供給至所述第2噴嘴。

根據所述構成，與第1噴嘴同樣地，對供給至第2配管以及第2噴嘴的處理液的流量進行規定的第2流量調整閥的開度基於控制裝置的記憶裝置中所記憶的第2開度決定資料而被設定為與使第2噴出溫度與第2設定溫度一致或接近的第2目標流量相對應的第2目標開度。在此狀態下，具有加熱溫度的處理液被供給至第2配管。由此，具有第2設定溫度或與所述第2設定溫度幾乎相同的溫度的處理液從第2噴嘴噴出。

直至被供給至基板為止處理液所損失的熱量有時因流路而不同。這是因為：有時流路的長度或構成流路的構件不同。如前述那樣，如果對第1流量調整閥以及第2流量調整閥的開度進行個別設定，則即使在所述情況下，也能夠減少想要的溫度與供給至基板的處理液的實際的溫度之差。由此，能夠以更高的精度來對經處理的基板的品質進行控制。

第2設定溫度既可以是與第1設定溫度相等的值，也可以是與第1設定溫度不同的值。第2開度決定資料既可以是與第1開度決定資料不同的資料，也可以是與第1開度決定資料相同的資料。第2開度決定部既可以是第1開度決定部，也可以與第1開度決定部不同。第2開度設定部以及處理液供給部也與第2開度決定部一樣。至少一個加熱器既可以是對供給至第1噴嘴以及第2噴嘴這兩者的處理液進行加熱的一個加熱器，也可以包括對供給至第1噴嘴的處理液進行加熱的第1加熱器與對供給至第2噴嘴的處理液進行加熱的第2加熱器。

所述基板處理裝置還具備：第1基板保持機構，對利用從所述第1噴嘴噴出的處理液進行處理的基板進行保持；以及第2基板保持機構，對利用從所述第2噴嘴噴出的處理液進行處理的基板進行保持。

根據所述構成，從第1噴嘴噴出的處理液被供給至由第1基板保持機構所保持著的基板，從第2噴嘴噴出的處理液被供給至由與第1基板保持機構不同的第2基板保持機構所保持著的基板。即使在所述情況下，也能夠通過對第1流量調整閥以及第2流量調整閥的開度進行個別設定而使從第1噴嘴噴出時的處理液的實際的溫度與從第2噴嘴噴出時的處理液的實際的溫度一致或接近。由此，能夠減少利用從第1噴嘴噴出的處理液進行了處理的基板與利用從第2噴嘴噴出的處理液進行了處理的基板的品質之差。

所述基板處理裝置還具備基板保持機構，所述基板保持機構一面水平地保持利用從所述第1噴嘴以及第2噴嘴噴出的處理液進行處理的基板，一面使所述基板圍繞著通過所述基板的中央部的鉛垂的旋轉軸線旋轉，所述第1噴嘴朝向第1位置噴出處理液，所述第1位置是由所述基板保持機構所保持著的基板上的位置，所述第2噴嘴朝向第2位置噴出處理液，所述第2位置是由所述基板保持機構所保持著的基板上的位置，且是比所述第1位置靠外側的位置。

根據所述構成，從第1噴嘴噴出的處理液與從第2噴嘴噴出的處理液被供給至相同的基板。第1噴嘴朝向基板上的位置即第1位置噴出處理液，第2噴嘴朝向相同基板上的位置即第2位置噴出處理液。第2位置是在基板的徑向上比第1位置靠外側的位置。因此，從第2噴嘴噴出的處理液在從第1噴嘴噴出的處理液的外側附著於基板。

基板上的處理液的溫度有隨著遠離旋轉軸線而下降的傾向。如果對第1流量調整閥以及第2流量調整閥的開度進行個別設定，則能夠有意識地使從第2噴嘴噴出時的處理液的實際的溫度高於從第1噴嘴噴出時的處理液的實際的溫度。由此，能夠降低基板上的處理液的溫度的偏差，能夠提高處理的均勻性。當然，也可以從第1噴嘴以及第2噴嘴噴出相同或者幾乎相同的溫度的處理液。

所述基板處理裝置還具備共用配管，將處理液供給至所述第1配管以及第2配管這兩者。

根據所述構成，在共同配管內流動的處理液被供給至第1配管以及第2配管這兩者。因此，至少成分相等的處理液從第1噴嘴以及第2噴嘴這兩者噴出。在從第1噴嘴以及第2噴嘴噴出的處理液被供給至不同的基板的情況下，能夠降低多枚基板間的處理的偏差。在從第1噴嘴以及第2噴嘴噴出的處理液被供給至相同的基板的情況下，能夠提高處理的均勻性。

所述基板處理裝置還具備共用配管，將處理液供給至所述第1配管以及第2配管這兩者，所述基板處理裝置通過將作為處理液的磷酸供給至露出氧化矽膜與氮化矽膜的基板，一面抑制所述氧化矽膜的蝕刻一面對所述氮化矽膜進行蝕刻。

根據所述構成，由加熱器進行了加熱的高溫的磷酸（例如，其濃度下的沸點的磷酸）從共用配管被供給至第1配管以及第2配管這兩者，並從第1噴嘴以及第2噴嘴這兩者噴出。噴出的磷酸被供給至露出氧化矽膜與氮化矽膜的基板。由此，進行一面抑制氧化矽膜的蝕刻一面對氮化矽膜進行蝕刻的選擇蝕刻。

尤其，如果以從第2噴嘴噴出時的磷酸的實際的溫度高於從第1噴嘴噴出時的磷酸的實際的溫度的方式對第1流量調整閥以及第2流量調整閥的開度進行個別設定，則能夠降低基板上的磷酸的溫度的偏差，能夠進一步提高蝕刻的均勻性。另外，因成分相等的磷酸從第1噴嘴以及第2噴嘴朝向相同的基板噴出，所以能夠抑制或防止選擇比（氮化矽膜的蝕刻量/氧化矽膜的蝕刻量）的均勻性下降。

所述第1開度設定部將所述第1流量調整閥的開度設定為比所述第1目標開度大的第1初始開度，之後，使所述第1流量調整閥的開度從所述第1初始開度減少至所述第1目標開度。

根據所述構成，控制裝置的第1開度設定部將第1流量調整閥的開度設定為比第1目標開度大的第1初始開度。在此狀態下，控制裝置的第1處理液供給部將處理液經由第1配管而供給至第1噴嘴。之後，控制裝置的第1開度設定部使第1流量調整閥的開度從第1初始開度減少至第1目標開度。在此狀態下，控制裝置的第1處理液供給部將處理液經由第1配管供給至第1噴嘴。

剛開始向第1配管以及第1噴嘴供給處理液時，第1配管以及第1噴嘴還處於冰冷狀態，因此熱損失量相對大。另一方面，當開始供給處理液後經過一定程度的時間時，第1配管以及第1噴嘴變暖，因此熱損失量減少。因此，當以相同的流量將相同溫度的處理液持續供給至第1配管以及第1噴嘴時，從第1噴嘴噴出時的處理液的溫度隨時間的經過而發生變化。

根據所述構成，使供給至第1配管以及第1噴嘴的處理液的流量隨時間的經過而減少。換句話說，處理液的供給開始時，以相對大的流量將處理液供給至第1配管以及第1噴嘴。然後，當第1配管以及第1噴嘴變暖時，則以相對小的流量將處理液供給至第1配管以及第1噴嘴。由此，能夠減少從第1噴嘴噴出時的處理液的溫度的變動量。

所述基板處理裝置還具備對處理液的溫度進行檢測的溫度感測器，當由所述溫度感測器所檢測出的處理液的溫度達到切換溫度時，所述第1開度設定部使所述第1流量調整閥的開度從所述第1初始開度減少至所述第1目標開度。

根據所述構成，由溫度感測器對供給至基板前的處理液或位於基板上的處理液的溫度進行檢測。當由溫度感測器所檢測出的處理液的溫度達到切換溫度時，即，當確認到第1配管以及第1噴嘴變暖時，控制裝置的第1開度設定部使第1流量調整閥的開度從第1初始開度減少至第1目標開度。因此，能夠防止儘管第1配管以及第1噴嘴變暖仍以相對大的流量將處理液持續供給至第1配管以及第1噴嘴這一情況。

溫度感測器既可以對供給至基板前的處理液的溫度進行檢測，也可以對基板上的處理液的溫度進行檢測，還可以在收容第1噴嘴的腔室（chamber）內對處理液的溫度進行檢測。在對供給至基板前的處理液的溫度進行檢測的情況下，溫度感測器既可以對第1配管內的處理液的溫度進行檢測，也可以對第1噴嘴內的處理液的溫度進行檢測。

本發明的另一其他實施形態提供一種基板處理方法，其是由基板處理裝置所執行的方法，所述基板處理裝置具備：至少一個加熱器，對處理液進行加熱；第1配管，對由所述至少一個加熱器進行了加熱的處理液進行引導；第1流量調整閥，對供給至所述第1配管的處理液的流量進行變更；第1噴嘴，將由所述第1配管引導的處理液朝向基板噴出；以及控制裝置，對所述至少一個加熱器與所述第1流量調整閥進行控制。

所述基板處理方法包括如下步驟：資訊獲取步驟，獲取表示由所述至少一個加熱器進行了加熱的處理液的溫度的目標值的加熱溫度、與從所述第1噴嘴噴出時的處理液的溫度的目標值，即比所述加熱溫度低的第1設定溫度；加熱執行步驟，使所述至少一個加熱器以所述加熱溫度對處理液進行加熱；第1開度決定步驟，基於第1開度決定資料、與由所述資訊獲取步驟所獲取的所述加熱溫度以及第1設定溫度，決定與第1目標流量相對應的第1目標開度，所述第1目標流量使所述第1噴出溫度與所述第1設定溫度一致或接近，所述第1開度決定資料是所述控制裝置的記憶裝置中所記憶的資料，且是對與在以所述加熱溫度被供給至所述第1配管的處理液以第1噴出溫度從所述第1噴嘴被噴出時被供給至所述第1配管的處理液的流量相對應的所述第1流量調整閥的開度進行規定的資料；第1開度設定步驟，將所述第1流量調整閥的開度設定為所述第1目標開度；以及第1處理液供給步驟，經由所述第1配管將處理液供給至所述第1噴嘴。根據所述構成，能夠起到與前述效果相同的效果。

在所述實施形態中，也可將以下的特徵的至少一個添加至所述基板處理方法。

所述基板處理裝置還具備：第2噴嘴，噴出處理液；第2配管，將處理液引導至所述第2噴嘴；以及第2流量調整閥，對供給至所述第2配管的處理液的流量進行變更，所述控制裝置的所述記憶裝置還記憶第2開度決定資料，所述第2開度決定資料是對與在以所述加熱溫度被供給至所述第2配管的處理液以第2噴出溫度從所述第2噴嘴被噴出時被供給至所述第2配管的處理液的流量相對應的所述第2流量調整閥的開度進行規定的資料，所述基板處理方法還包括如下步驟：第2開度決定步驟，基於所述記憶裝置中所記憶的所述第2開度決定資料、與所述資訊獲取部所獲取的所述加熱溫度以及第2設定溫度，決定與第2目標流量相對應的第2目標開度，所述第2目標流量使所述第2噴出溫度與所述第2設定溫度一致或接近；第2開度設定步驟，將所述第2流量調整閥的開度設定為所述第2目標開度；以及第2處理液供給步驟，經由所述第2配管將處理液供給至所述第2噴嘴。根據所述構成，能夠起到與前述效果相同的效果。

所述基板處理裝置還具備：第1基板保持機構，對利用從所述第1噴嘴噴出的處理液進行處理的基板進行保持；以及第2基板保持機構，對利用從所述第2噴嘴噴出的處理液進行處理的基板進行保持。根據所述構成，能夠起到與前述效果相同的效果。

所述基板處理裝置還具備基板保持機構，所述基板保持機構一面水平地保持利用從所述第1噴嘴以及第2噴嘴噴出的處理液進行處理的基板，一面使所述基板圍繞著通過所述基板的中央部的鉛垂的旋轉軸線旋轉，所述基板處理方法還包括：第1噴出步驟，使所述第1噴嘴朝向第1位置噴出處理液，所述第1位置是由所述基板保持機構所保持著的基板上的位置，第2噴出步驟，使所述第2噴嘴朝向第2位置噴出處理液，所述第2位置是由所述基板保持機構所保持著的基板上的位置，且是比所述第1位置靠外側的位置。根據所述構成，能夠起到與前述效果相同的效果。

所述基板處理裝置還具備共用配管，將處理液供給至所述第1配管以及第2配管這兩者。根據所述構成，能夠起到與前述效果相同的效果。

所述基板處理裝置還具備共用配管，將處理液供給至所述第1配管以及第2配管這兩者，所述基板處理方法通過將作為處理液的磷酸供給至露出氧化矽膜與氮化矽膜的基板，一面抑制所述氧化矽膜的蝕刻一面對所述氮化矽膜進行蝕刻。根據所述構成，能夠起到與前述效果相同的效果。

所述第1開度設定步驟將所述第1流量調整閥的開度設定為比所述第1目標開度大的第1初始開度，之後，使所述第1流量調整閥的開度從所述第1初始開度減少至所述第1目標開度。根據所述構成，能夠起到與前述效果相同的效果。

所述基板處理裝置還具備對處理液的溫度進行檢測的溫度感測器，當由所述溫度感測器所檢測出的處理液的溫度達到切換溫度時，所述第1開度設定步驟使所述第1流量調整閥的開度從所述第1初始開度減少至所述第1目標開度。根據所述構成，能夠起到與前述效果相同的效果。

本發明的進而另一實施形態提供一種基板處理裝置，其具備：加熱器，對處理液進行加熱；處理液配管，對由所述加熱器進行了加熱的處理液進行引導；基板保持機構，對基板進行保持；噴嘴，將經由所述處理液配管而被供給的處理液朝向由所述基板保持機構所保持著的基板噴出；閥，對流經所述處理液配管的處理液的流量進行調節；溫度感測器，對在所述處理液配管內流動的處理液的溫度進行檢測，資訊獲取機構，獲取設定溫度，所述設定溫度是從所述噴嘴噴出的處理液的溫度的目標值；以及控制裝置，基於由所述溫度感測器所檢測出的溫度與由所述資訊獲取機構所獲取的處理液的設定溫度，對所述閥的開度進行控制。根據所述構成，能夠通過簡易的構成來使從噴嘴噴出的處理液的溫度接近目標溫度。

所述控制裝置也可將由所述資訊獲取機構所獲取的所述設定溫度與由所述溫度感測器所檢測出的處理液的溫度進行比較，在由所述溫度感測器所檢測出的處理液的溫度超過所述設定溫度的情況下，對所述閥的開度進行變更，以減少所述處理液的流量，在由所述溫度感測器所檢測出的處理液的溫度低於所述設定溫度的情況下，變更所述閥的開度，以增加所述處理液的流量。根據所述構成，能夠起到與前述效果相同的效果。

本發明中前述的或者進而另一目的、特徵以及效果通過接下來參照添附圖示進行敘述的實施形態的說明而明確。

圖1是從上方觀察本發明的第1實施形態的基板處理裝置1的示意圖。

基板處理裝置1是對半導體晶圓等圓板狀的基板W一片片地進行處理的單片式裝置。基板處理裝置1包括保持對基板W進行收容的多個載體C的多個裝載埠（load port）LP、利用處理液或處理氣體等處理流體對從多個裝載埠LP搬送來的基板W進行處理的多個處理單元2、與對基板處理裝置1進行控制的控制裝置3。

基板處理裝置1還包括在裝載埠LP與處理單元2之間搬送基板W的搬送機器人。搬送機器人包括索引機器人（indexer robot）IR及中心機器人（center robot）CR。索引機器人IR是在裝載埠LP與中心機器人CR之間搬送基板W。中心機器人CR是在索引機器人IR與處理單元2之間搬送基板W。索引機器人IR以及中心機器人CR包括支撐基板W的手部。

基板處理裝置1包含收容後述開閉閥25等流體設備的多個（四個）流體箱4。處理單元2及流體箱4配置在基板處理裝置1的外壁1a中，由基板處理裝置1的外壁1a覆蓋。收容後述藥液槽31等的多個（四個）藥液櫃體（cabinet）5配置在基板處理裝置1的外壁1a之外。藥液櫃體5也可以配置在基板處理裝置1的側方，還可以配置在設置基板處理裝置1的潔淨室（clean room）的下方（地下）。

多個處理單元2形成了俯視時以環繞中心機器人CR的方式而配置的四個塔。各塔包含上下層疊著的三個處理單元2。四個藥液櫃體5分別與四個塔相對應。四個流體箱4分別與四個藥液櫃體5相對應。藥液櫃體5內的藥液是經由相對應的流體箱4而供給至同一塔中所含的三個處理單元2。

圖2是水平地觀察處理單元2的內部的示意圖。

處理單元2包括具有內部空間的箱型的腔室6、在腔室6內一面水平地保持基板W一面使基板W圍繞著通過基板W的中央部的鉛垂的旋轉軸線A1旋轉的自旋夾頭（spin chuck）10、以及接住從基板W排出的處理液的筒狀的杯體（cup）14。自旋夾頭10是基板保持機構及基板保持單元的一例。

腔室6包括設置有基板W所經過的搬入搬出口的箱型的隔壁8、使搬入搬出口開閉的擋板（shutter）9、以及在腔室6內形成通過過濾器而過濾的空氣即潔淨空氣（clean air）的向下流（down flow）的風機過濾單元（fan filter unit，FFU）7。腔室6內的氣溫因由FFU 7送來的潔淨空氣而維持為固定。中心機器人CR通過搬入搬出口將基板W搬入至腔室6，並通過搬入搬出口從腔室6搬出基板W。

自旋夾頭10包括以水平姿勢而受到保持的圓板狀的自旋底座12、在自旋底座12的上方將基板W以水平姿勢加以保持的多個夾頭銷（chuck pin）11、以及通過使多個夾頭銷11旋轉而使基板W圍繞旋轉軸線A1旋轉的自旋馬達13。自旋夾頭10並不限於使多個夾頭銷11與基板W的外周面接觸的夾持式的夾頭，還可以是通過使非器件形成面即基板W的背面（下表面）吸附於自旋底座12的上表面而水平地保持基板W的真空（vacuum）式的夾頭。

杯體14包括朝向旋轉軸線A1向斜上方延伸的筒狀的傾斜部14a、從傾斜部14a的下端部（外端部）向下方延伸的圓筒狀的引導部14b、以及形成朝向上方敞開的環狀的溝槽的收液部14c。傾斜部14a包含具有大於基板W及自旋底座12的內徑的圓環狀的上端。傾斜部14a的上端相當於杯體14的上端。杯體14的上端在俯視時環繞著基板W及自旋底座12。

處理單元2包含使杯體14在上位置（圖2所示的位置）與下位置之間鉛垂地升降的杯體升降單元15，所述上位置是指杯體14的上端位於比自旋夾頭10保持基板W的保持位置更上方的位置，所述下位置是指杯體14的上端位於比保持位置更下方的位置。當將處理液供給至基板W時，杯體14配置在上位置。從基板W飛散至外側的處理液在被傾斜部14a接住之後，通過引導部14b而收集至收液部14c內。

處理單元2包括朝向由自旋夾頭10保持著的基板W的上表面向下方噴出藥液的藥液噴嘴21。藥液噴嘴21與插裝有開閉閥25的藥液配管22連接。處理單元2包括在處理位置與退避位置之間使藥液噴嘴21水平地移動的噴嘴移動單元27，在所述處理位置，將從藥液噴嘴21噴出的藥液供給至基板W的上表面，在所述退避位置，藥液噴嘴21在俯視時遠離基板W。噴嘴移動單元27例如是使藥液噴嘴21圍繞著在杯體14的周圍鉛垂地延伸的噴嘴轉動軸線A2水平移動的迴旋單元。

當打開開閉閥25時，將藥液從藥液配管22供給至藥液噴嘴21，並從藥液噴嘴21噴出。藥液例如是作為蝕刻液的一例的磷酸。藥液也可以是磷酸以外的液體。也可以將包含例如硫酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、磷酸、醋酸、氨水、過氧化氫水、有機酸（例如檸檬酸、草酸等）、有機鹼（例如，氫氧化四甲基銨（Tetramethyl Ammonium Hydroxide，TMAH）等）、表面活性劑及防腐劑中的至少一種的液體供給至藥液噴嘴21。

處理單元2包含朝向由自旋夾頭10保持著的基板W的上表面向下方噴出沖洗液的沖洗液噴嘴16。沖洗液噴嘴16與插裝有沖洗液閥18的沖洗液配管17連接。處理單元2也可以包括在處理位置與退避位置之間使沖洗液噴嘴16水平地移動的噴嘴移動單元，在所述處理位置，將從沖洗液噴嘴16噴出的沖洗液供給至基板W，在所述退避位置，沖洗液噴嘴16在俯視時遠離基板W。

當打開沖洗液閥18時，將沖洗液從沖洗液配管17供給至沖洗液噴嘴16，並從沖洗液噴嘴16噴出。沖洗液例如為純水（去離子水：Deionized water）。沖洗液並不限於純水，還可以是碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水及稀釋濃度（例如，10 ppm～100 ppm程度）的鹽酸水中的任一者。

圖3是表示本發明的第1實施形態的藥液供給系統的示意圖。圖3中，利用一點鏈線表示流體箱4，利用雙點鏈線表示藥液櫃體5。一點鏈線所圍繞的區域中配置的構件是配置在流體箱4內，雙點鏈線所圍繞的區域中配置的構件是配置在藥液櫃體5內。

基板處理裝置1包括分別對應於由多個處理單元2所形成的多個塔的多個藥液供給系統。藥液供給系統將藥液供給至相同的塔中所包括的所有的處理單元2。圖3示出了一個藥液供給系統、與對應於所述藥液供給系統的3個處理單元2。

藥液供給系統包括對供給至基板W的藥液進行貯存的藥液槽31、與形成使藥液槽31內的藥液循環的環狀的循環路徑的循環配管32。藥液供給系統還包括將藥液槽31內的藥液送至循環配管32的泵34、將顆粒（particle）等異物從藥液中除去的過濾器（filter）35、與通過對藥液進行加熱來對藥液槽31內的藥液的溫度進行調整的加熱器33。泵34、過濾器35、以及加熱器33插裝於循環配管32。

泵34始終將藥液槽31內的藥液送至循環配管32內。藥液供給系統也可以具備通過使藥液槽31內的氣壓上升而將藥液槽31內的藥液擠出至循環配管32的加壓裝置來代替泵34。泵34以及加壓裝置均是將藥液槽31內的藥液送至循環配管32的送液裝置的一例。

循環配管32的上游端以及下游端連接於藥液槽31。藥液被從藥液槽31送至循環配管32的上游端，並從循環配管32的下游端返回藥液槽31。由此，藥液槽31內的藥液在循環路徑中循環。在藥液在循環路徑中循環期間，藥液中所含的異物被過濾器35除去，並且藥液被加熱器33加熱。由此，藥液槽31內的藥液被維持在高於室溫的固定的溫度。

分別對應於相同的塔中所包括的三個處理單元2的三個藥液配管22連接於相同的循環配管32。因此，相同的藥液槽31內的藥液被供給至相同的塔所包括的三個處理單元2。流量計23、流量調整閥24、開閉閥25、以及溫度感測器26插裝於各自的藥液配管22。

經由藥液配管22而被供給至藥液噴嘴21的藥液的流量由流量調整閥24進行變更。對藥液噴嘴21的藥液的供給以及供給停止的切換由開閉閥25進行。當開閉閥25打開時，藥液以與流量調整閥24的開度相對應的流量供給至藥液噴嘴21。經由藥液配管22而被供給至藥液噴嘴21的藥液的流量由流量計23進行檢測。藥液配管22內的藥液的溫度由溫度感測器26進行檢測。流量計23以及溫度感測器26的檢測值被輸入至控制裝置3。

圖4是表示基板處理裝置1的電氣構成的框圖。

控制裝置3包括電腦本體41、以及連接於電腦本體41的周邊裝置44。電腦本體41包括執行各種命令的中央處理器（central processing unit，CPU）42（中央處理裝置）、以及記憶資訊的主記憶裝置43。周邊裝置44包括記憶程式P等資訊的輔助記憶裝置45、從可移動介質（removable media）M讀取資訊的讀取裝置46、以及與主機電腦HC等其他裝置進行通信的通信裝置47。

控制裝置3與輸入裝置48及顯示裝置49連接。輸入裝置48是在使用者或維護負責人等操作者將資訊輸入至基板處理裝置1時被操作。資訊顯示在顯示裝置49的畫面上。輸入裝置48既可以是鍵盤、指向裝置（pointing device）及觸控面板中的任一者，也可以是這些以外的裝置。也可以將兼作輸入裝置48及顯示裝置49的觸控面板顯示器設置在基板處理裝置1中。

CPU 42執行輔助記憶裝置45中所記憶的程式P。輔助記憶裝置45內的程式P既可以預先安裝在控制裝置3中，也可以通過讀取裝置46從可移動介質M發送至輔助記憶裝置45，還可以從主機電腦HC等外部裝置通過通信裝置47發送至輔助記憶裝置45。

輔助記憶裝置45及可移動介質M是即使沒有被供電，也保持記憶的非揮發性記憶體。輔助記憶裝置45例如是硬碟驅動器等磁性記憶裝置。可移動介質M例如是密閉磁碟（compact disk）等光碟或記憶卡等半導體記憶體。可移動介質M是記錄有程式P的電腦可讀取的記錄介質的一例。

輔助記憶裝置45記憶有多個方案。方案是規定基板W的處理內容、處理條件及處理順序的資訊。方案中包含後述的設定溫度。多個方案在基板W的處理內容、處理條件及處理順序中的至少一者上互不相同。控制裝置3是以按照通過主機電腦HC而指定的方案（recipe）處理基板W的方式來控制基板處理裝置1。以下各步驟是通過由控制裝置3控制基板處理裝置1來執行。換句話說，控制裝置3被編寫成執行以下各步驟。

圖5是用以對由基板處理裝置1所執行的基板W的處理的一例進行說明的步驟圖。

基板W的處理的具體例是將磷酸供給至露出氮化矽膜與氧化矽膜的基板W（矽晶圓）的表面（器件形成面），並選擇性地對氮化矽膜進行蝕刻的選擇蝕刻。在此情況下，作為藥液的一例的磷酸（嚴格來說是磷酸水溶液）由加熱器33（參照圖3）維持在其濃度下的沸點。基板W的處理既可以是使用磷酸以外的蝕刻液的選擇蝕刻，也可以是清洗等選擇蝕刻以外的處理。

當利用基板處理裝置1處理基板W時，進行將基板W搬入至腔室6內的搬入步驟（圖5的步驟S1）。

具體來說，在藥液噴嘴21從基板W的上方退避，杯體14位於下位置的狀態下，中心機器人CR（參照圖1）一面利用手部支撐基板W，一面使手部進入至腔室6內。然後，中心機器人CR在基板W的表面朝向上方的狀態下將手部上的基板W放置在自旋夾頭10上。自旋馬達13在利用夾頭銷11握持基板W之後，使基板W開始旋轉。中心機器人CR在將基板W放置在自旋夾頭10上之後，使手部從腔室6的內部退避。

其次，進行藥液供給步驟，將作為藥液的一例的磷酸供給至基板W（圖5的步驟S2）。

具體來說，噴嘴移動單元27使藥液噴嘴21移動至處理位置，杯體升降單元15使杯體14上升至上位置為止。然後，打開開閉閥25，藥液噴嘴21開始噴出磷酸。在藥液噴嘴21噴出磷酸時，噴嘴移動單元27既可使藥液噴嘴21在中央處理位置與外周處理位置之間移動，也可以磷酸的著液位置位於基板W的上表面中央部的方式使藥液噴嘴21靜止，在所述中央處理位置，從藥液噴嘴21噴出的磷酸附著在基板W的上表面中央部，在所述外周處理位置，從藥液噴嘴21噴出的磷酸附著在基板W的上表面外周部。

從藥液噴嘴21噴出的磷酸附著在基板W的上表面之後，沿正在旋轉的基板W的上表面向外側流動。由此，形成覆蓋基板W的上表面整個區域的磷酸的液膜，對基板W的上表面整個區域供給磷酸。尤其是當噴嘴移動單元27使藥液噴嘴21在中央處理位置與外周處理位置之間移動時，會在磷酸的著液位置上對基板W的上表面整個區域進行掃描，因此將磷酸均勻地供給至基板W的上表面整個區域。由此，對基板W的上表面均勻地進行處理。當打開開閉閥25之後經過規定時間時，關閉開閉閥25。之後，噴嘴移動單元27使藥液噴嘴21移動至退避位置。

其次，進行沖洗液供給步驟，將作為沖洗液的一例的純水供給至基板W的上表面（圖5的步驟S3）。

具體來說，打開沖洗液閥18，沖洗液噴嘴16開始噴出純水。附著在基板W的上表面的純水沿正在旋轉的基板W的上表面向外側流動。基板W上的磷酸是利用從沖洗液噴嘴16噴出的純水來沖洗。由此，形成覆蓋基板W的上表面整個區域的純水的液膜。當打開沖洗液閥18之後經過規定時間時，關閉沖洗液閥18，停止噴出純水。

其次，進行乾燥步驟，通過基板W的旋轉而使基板W乾燥（圖5的步驟S4）。

具體來說，自旋馬達13使基板W沿旋轉方向加速，從而使基板W以大於藥液供給步驟及沖洗液供給步驟中的基板W的旋轉速度的高旋轉速度（例如數千rpm）旋轉。由此，將液體從基板W去除，使基板W乾燥。當基板W開始高速旋轉後經過規定時間時，自旋馬達13停止旋轉。由此，基板W停止旋轉。

其次，進行搬出步驟，從腔室6搬出基板W（圖5的步驟S5）。

具體來說，杯體升降單元15使杯體14下降至下位置為止。然後，中心機器人CR（參照圖1）使手部進入至腔室6內。中心機器人CR在多個夾頭銷11解除對基板W的握持之後，利用手部支撐自旋夾頭10上的基板W。之後，中心機器人CR一面利用手部支撐基板W，一面使手部從腔室6的內部退避。由此，從腔室6搬出處理完畢的基板W。

圖6是表示控制裝置3的功能塊的框圖。表1是表示控制裝置3中所記憶的開度決定資料的一例的表。圖6中所示的資訊獲取部51、加熱執行部52、開度決定部53、開度設定部54、以及處理液供給部55是通過由CPU 42執行安裝於控制裝置3中的程式P來實現的功能塊。

控制裝置3包括獲取輸入至基板處理裝置1中的資訊的資訊獲取部51。由資訊獲取部51所獲取的資訊既可以是從主機電腦HC等外部裝置輸入至基板處理裝置1的資訊，也可以是由操作者經由輸入裝置48而輸入至基板處理裝置1的資訊。資訊獲取部51所獲取的資訊中包含後述的加熱溫度以及設定溫度。

控制裝置3包括使加熱器33以加熱溫度對藥液進行加熱的加熱執行部52。加熱溫度是由加熱器進行了加熱的藥液的溫度的目標值。加熱溫度例如是在主機電腦HC指定方案之前輸入至基板處理裝置1。加熱執行部52例如從收容有應處理的基板W的載體C被搬送至基板處理裝置1之前，一直使加熱器33以加熱溫度對藥液進行加熱。因此，當載體C被搬送至基板處理裝置1，則能夠立刻開始基板W的搬送以及處理。

控制裝置3包括多組開度決定部53以及開度設定部54、與處理液供給部55。控制裝置3將多個開度決定資料記憶於輔助記憶裝置45中。多個開度決定資料分別與多個處理單元2相對應。同樣地，多組開度決定部53以及開度設定部54分別與多個處理單元2相對應。即，專用的開度設定資料、開度決定部53、以及開度設定部54針對每個處理單元2而設置。

開度決定資料是對加熱溫度、噴出溫度、以及供給流量的關係進行規定的資料。加熱溫度是由加熱器33進行了加熱的藥液的溫度的目標值。噴出溫度是從藥液噴嘴21噴出時的藥液的實際的溫度。供給流量是以加熱溫度被供給至藥液配管22的藥液以噴出溫度從藥液噴嘴21噴出時被供給至藥液配管22的藥液的實際的流量。流量調整閥24的開度與供給至藥液配管22的藥液的流量成正比例的關係。因此，開度決定資料也可以說是對加熱溫度、噴出溫度、以及開度的關係進行規定的資料。

從藥液噴嘴21噴出時的藥液的溫度的目標值，即設定溫度由資訊獲取部51獲取。流量調整閥24的開度的目標值，即，供給至藥液配管22的藥液的流量的目標值是基於開度決定資料、加熱溫度、與設定溫度而決定。將流量調整閥24的開度的目標值定義為目標開度。開度決定資料既可以是對加熱溫度、噴出溫度、以及目標開度的多個組合進行規定的矩陣（matrix），也可以是根據加熱溫度以及噴出溫度計算目標開度的計算式。

表1示出了開度決定資料為矩陣的示例。在表1中，Thx表示加熱溫度，Tdy表示噴出溫度，θxy表示目標開度（x以及y表示正整數）。左端的列包含多個加熱溫度。上端的行包含多個噴出溫度。當對加熱溫度以及噴出溫度各確定一個時，會確定出與它們相對應的一個目標開度。在左端的列中不包含資訊獲取部51所獲取的加熱溫度的情況下，從左端的列選擇最接近的值即可。同樣地，在上端的行中不包含資訊獲取部51所獲取的噴出溫度的情況下，從上端的行選擇最接近的值即可。 [表1] Thx：加熱溫度 Tdy：噴出溫度 θxy：目標開度 （x=1、2、3…） （y=1、2、3…）

開度決定部53基於開度決定資料與資訊獲取部51所獲取的加熱溫度以及設定溫度來決定與目標流量相對應的目標開度，所述目標流量使噴出溫度與設定溫度一致或接近。目標流量是供給至藥液配管22的藥液的流量的目標值。開度設定部54將流量調整閥24的開度設定為目標開度。處理液供給部55借助對開閉閥25進行開閉，在此狀態下將藥液供給至藥液噴嘴21。關於流量調整閥24的具體的動作將後述。

圖7是表示從開始對藥液加熱到將經加熱的藥液供給至基板W為止的流程的一例的步驟圖。

在開始加熱應供給至基板W的藥液時，由控制裝置3的資訊獲取部51獲取表示由加熱器33進行了加熱的藥液的溫度的目標值的加熱溫度（圖7的步驟S11）。之後，控制裝置3的加熱執行部52使加熱器33以加熱溫度對藥液進行加熱（圖7的步驟S12）。由此，開始藥液的加熱，藥液槽31內的藥液的溫度上升。當開始藥液的加熱後經過一定程度的時間時，藥液槽31內的藥液以加熱溫度或與所述加熱溫度幾乎相同的溫度得到穩定。

應由基板處理裝置1進行處理的基板W在被收容於載體C中的狀態下被搬送至裝載埠LP（圖7的步驟S13）。當載體C被搬送至裝載埠LP時，指定應適用於載體C內的基板W的方案的信號從主機電腦HC輸入至控制裝置3（圖7的步驟S14）。由此，由控制裝置3的資訊獲取部51獲取從藥液噴嘴21噴出時的藥液的溫度的目標值，即比加熱溫度低的設定溫度（圖7的步驟S15）。

控制裝置3的開度決定部53基於控制裝置3中所記憶的開度決定資料與資訊獲取部51所獲取的加熱溫度以及設定溫度來決定與目標流量相對應的目標開度，所述目標流量使噴出溫度與設定溫度一致或接近（圖7的步驟S16）。之後，開度設定部54將流量調整閥24的開度設定為目標開度（圖7的步驟S17）。處理液供給部55在此狀態下經由藥液配管22將藥液供給至藥液噴嘴21（圖7的步驟S18）。對藥液噴嘴21的藥液的供給，既可以是在將流量調整閥24的開度設定為目標開度之後開始，也可以在此之前開始。圖8以及圖9示出了後者。

圖8是表示供給至藥液噴嘴21的藥液的流量以及溫度的時間性變化的一例的圖表。圖9是表示供給至藥液噴嘴21的藥液的流量以及溫度的時間性變化的另一例的圖表。

在開始從藥液噴嘴21噴出藥液時，控制裝置3使流量調整閥24的開度增加至與由方案所指定的指定流量相對應的開度。與指定流量相對應的流量調整閥24的開度是比目標開度大的初始開度的一例。在將流量調整閥24的開度設定為與指定流量相對應的大小之後，控制裝置3打開開閉閥25，使藥液噴嘴21開始噴出藥液。

在藥液的噴出開始之後，以使藥液以由方案所指定的指定流量從藥液噴嘴21噴出的方式，進行基於流量計23的檢測值來變更流量調整閥24的開度的流量回饋（feedback）控制。具體來說，控制裝置3基於流量計23的檢測值使流量調整閥24的開度增加以及減少。

如圖8所示，從藥液噴嘴21噴出的藥液的流量，即噴出流量自開閉閥25打開之後急劇增加，達到指定流量附近。之後，通過流量回饋控制噴出流量以指定流量或在指定流量附近得到穩定。另一方面，從藥液噴嘴21噴出時的藥液的溫度，即噴出溫度比流量的增加稍微延遲後開始急劇增加。

控制裝置3對基於溫度感測器26的檢測值而計算出的檢測溫度進行監視。當檢測溫度達到切換溫度時，控制裝置3以將檢測溫度限制於包含設定溫度的設定溫度範圍內的方式，進行基於溫度感測器26的檢測值來變更流量調整閥24的開度的溫度回饋控制。設定溫度例如是設定溫度範圍的中央值。只要是設定溫度範圍內的值，則設定溫度也可以不為設定溫度範圍的中央值。

當開始溫度回饋控制時，控制裝置3使表示供給至藥液噴嘴21的藥液的流量的目標值的設定流量從指定流量減少至目標流量。具體來說，控制裝置3事先基於開度設定資料、加熱溫度與設定溫度，決定與目標流量相對應的目標開度，所述目標流量使噴出溫度與設定溫度一致或接近。當開始溫度回饋控制時，控制裝置3使流量調整閥24的開度減少並接近目標開度。之後，控制裝置3基於溫度感測器26的檢測值而使流量調整閥24的開度增減。

圖8示出了如下示例，即當檢測溫度達到切換溫度時使噴出流量急劇減少，之後使噴出流量增加以及減少。檢測溫度在溫度回饋控制開始後限制於設定溫度範圍內。在溫度回饋控制的執行過程中，檢測溫度雖然在設定溫度範圍內增加以及減少，但其變動量隨時間的經過而減少。當開始溫度回饋控制後經過一定程度的時間時，檢測溫度以設定溫度範圍的中央值或在所述中央值的附近得到穩定。由此，與設定溫度相等或大致相等的溫度的藥液從藥液噴嘴21噴出。

圖8所示的示例中，對執行溫度回饋控制的情況進行了說明，但如圖9所示，控制裝置3也可以不執行溫度回饋控制。在圖9所示的示例中，與圖8所示的示例同樣地，最初將設定流量設定為指定流量，將流量調整閥24的開度設定為與指定流量相對應的值。之後，控制裝置3將流量調整閥24的開度變更為目標開度。將流量調整閥24的開度變更為目標開度的時機（timing）既可以是檢測溫度達到切換溫度時，也可以是從打開開閉閥25之後經過規定的時間時。在後者的情況下，在控制裝置3中配備計時器（timer）。在此情況下，不需要溫度感測器26。

從藥液槽31開始到藥液噴嘴21為止的流路的長度有時因多個藥液噴嘴21而不同。在此情況下，直至供給至基板W為止所損失的藥液的熱量，因流路而不同。開度決定資料是針對每個藥液噴嘴21而設，流量調整閥24的開度的設定是針對每個藥液噴嘴21來執行。即，使噴出溫度與設定溫度一致或接近的控制是針對每個藥液噴嘴21來執行。由此，能夠減輕多個藥液噴嘴21中噴出溫度的偏差，能夠降低利用不同的處理單元2所處理的多枚基板W間的處理品質之差。

如上所述在第1實施形態中，由加熱器33以加熱溫度進行了加熱的藥液經由藥液配管22而被供給至藥液噴嘴21。表示從藥液噴嘴21噴出時的藥液的溫度的噴出溫度不僅相應於供給至藥液配管22的藥液的溫度而發生變化，也相應於供給至藥液配管22的藥液的流量而發生變化。即，當藥液的供給流量減少時，噴出溫度下降，當藥液的供給流量增加時，噴出溫度上升。這是因為：熱損失量與藥液的供給流量無關而大致固定，與此相對，藥液的熱容量相應於藥液的供給流量而發生變化。

即使加熱溫度相同，如果藥液的供給流量不同，則噴出溫度也不同。對這些關係進行規定的開度決定資料記憶於控制裝置3中。關於藥液的供給流量，是以噴出溫度與設定溫度一致或接近的方式基於開度決定資料而設定。即，對藥液的供給流量進行規定的流量調整閥24的開度被設定為與使噴出溫度與設定溫度一致或接近的目標流量相對應的目標開度。在此狀態下，具有加熱溫度的藥液被供給至藥液配管22。由此，具有設定溫度或與所述設定溫度幾乎相同的溫度的藥液從藥液噴嘴21噴出。

如此，不僅恰當地對加熱器33的溫度進行管理，而且相應於加熱溫度以及設定溫度而恰當地對供給至藥液配管22以及藥液噴嘴21的藥液的流量，即，藥液的熱容量進行設定，因此，能夠以更高的精度對從藥液噴嘴21噴出時的藥液的溫度進行控制。由此，能夠減少想要的溫度與供給至基板W的藥液的實際的溫度之差。並且，如果改變流量調整閥24的開度，則能夠不改變加熱器33的溫度而變更供給至基板W的藥液的溫度。因此，與改變加熱器33的溫度的情況相比，能夠在短時間內變更藥液的溫度。

在第1實施形態中，在作為共用配管的一例的循環配管32內流動的藥液被供給至多個藥液配管22。因此，至少成分相等的藥液從多個藥液噴嘴21噴出。從多個藥液噴嘴21噴出的藥液被供給至不同的基板W。因此能夠將至少成分相等的藥液供給至不同的基板W，能夠降低多枚基板W間的處理的偏差。

在第1實施形態中，控制裝置3的開度設定部54將流量調整閥24的開度設定為比目標開度大的初始開度。具體來說，控制裝置3的開度設定部54將流量調整閥24的開度設定為與由方案所指定的指定流量相對應的開度。在此狀態下，控制裝置3的處理液供給部55經由藥液配管22而將藥液供給至藥液噴嘴21。之後，控制裝置3的開度設定部54使流量調整閥24的開度從初始開度減少至目標開度。在此狀態下，控制裝置3的處理液供給部55經由藥液配管22而將藥液供給至藥液噴嘴21。

剛開始向藥液配管22以及藥液噴嘴21供給藥液時，藥液配管22以及藥液噴嘴21還處於冰冷狀態，因此熱損失量相對大。另一方面，當開始供給藥液後經過一定程度的時間時，藥液配管22以及藥液噴嘴21變暖，因此熱損失量減少。因此，當以相同的流量將相同溫度的藥液持續供給至藥液配管22以及藥液噴嘴21時，從藥液噴嘴21噴出時的藥液的溫度隨時間的經過而發生變化。

在第1實施形態中，使供給至藥液配管22以及藥液噴嘴21的藥液的流量隨時間的經過而減少。換句話說，藥液的供給開始時，以相對大的流量將藥液供給至藥液配管22以及藥液噴嘴21。然後，當藥液配管22以及藥液噴嘴21變暖時，則以相對小的流量將藥液供給至藥液配管22以及藥液噴嘴21。由此，能夠減少從藥液噴嘴21噴出時的藥液的溫度的變動量。

在第1實施形態中，由溫度感測器26檢測供給至基板W前的藥液的溫度。當由溫度感測器26所檢測出的藥液的溫度達到切換溫度時，即，當確認到藥液配管22以及藥液噴嘴21變暖時，控制裝置3的開度設定部54使流量調整閥24的開度減少至目標開度。因此，能夠防止儘管藥液配管22以及藥液噴嘴21變暖仍以相對大的流量將藥液持續供給至藥液配管22以及藥液噴嘴21這一情況。

其次，對本發明的第2實施形態進行說明。

第2實施形態相對於第1實施形態主要的不同點在於：將朝向相同的基板W噴出同種的處理液的多個噴嘴設於相同的處理單元2。

以下的圖10～圖15中，對與前述圖1～圖9中所示的構成相同的構成標注與圖1等相同的參照符號並省略其說明。

圖10是水平地觀察本發明的第2實施形態的第1藥液噴嘴61以及第2藥液噴嘴62的示意圖。圖11是第1藥液噴嘴61以及第2藥液噴嘴62的示意性的平面圖。圖12是從圖10所示的箭頭XIII的方向觀察第1藥液噴嘴61以及第2藥液噴嘴62的示意圖。圖10～圖12示出了將第1藥液噴嘴61以及第2藥液噴嘴62配置於處理位置的狀態。

如圖10所示，處理單元2包括：第1藥液噴嘴61，設有朝向基板W的上表面噴出藥液的第1噴出口61a；以及第2藥液噴嘴62，設有朝向基板W的上表面噴出藥液的多個第2噴出口62a。第1藥液噴嘴61以及第2藥液噴嘴62保持於噴嘴保持架（holder）60上。噴嘴移動單元通過使噴嘴保持架60移動而使第1藥液噴嘴61以及第2藥液噴嘴62在處理位置與退避位置之間移動。

第1藥液噴嘴61包括：水平部61d，朝遠離噴嘴保持架60的方向水平延伸；垂下部61c，從水平部61d向下方延伸；以及噴出部61b，從垂下部61c向下方延伸，且比垂下部61c細。第2藥液噴嘴62包括：上水平部62d，朝遠離噴嘴保持架60的方向水平延伸；垂下部62c，從上水平部62d向下方延伸；以及下水平部62b，從垂下部62c向噴嘴轉動軸線A2水平延伸。

第1藥液噴嘴61的水平部61d與第2藥液噴嘴62的上水平部62d彼此平行，且沿水平的長度方向D3延伸。第1藥液噴嘴61在長度方向D3上比第2藥液噴嘴62短。如圖11所示，在第2藥液噴嘴62配置在處理位置時，第2藥液噴嘴62的垂下部62c在俯視時與基板W的中央部重疊，第2藥液噴嘴62的下水平部62b的外端部在俯視時與基板W的外周部重疊。

第2藥液噴嘴62的上水平部62d配置於第2藥液噴嘴62的下水平部62b的上方，在俯視時與下水平部62b重疊。如圖10所示，下水平部62b經由從上水平部62d向下方延伸的支架（bracket）63而支撐於上水平部62d。多個第2噴出口62a設於第2藥液噴嘴62的下水平部62b。多個第2噴出口62a沿與長度方向D3一致的下水平部62b的軸向排列。在第2藥液噴嘴62配置於處理位置時，最內側的第2噴出口62a位於比設於第1藥液噴嘴61的噴出部61b處的第1噴出口61a靠內側，即旋轉軸線A1側，最外側的第2噴出口62a位於比第1噴出口61a靠外側。

在第1藥液噴嘴61配置於處理位置時，第1藥液噴嘴61朝向基板W的上表面中央部噴出藥液。在第2藥液噴嘴62配置於處理位置時，第2藥液噴嘴62朝向除中央部之外的基板W的上表面上的多個著液位置噴出藥液。多個著液位置與旋轉軸線A1的距離互不相同。只要與旋轉軸線A1的距離互不相同，則多個著液位置也可在基板W的圓周方向（基板W的旋轉方向）上錯開。

如圖10以及圖12所示，第1噴出口61a沿第1噴出方向D1噴出藥液，所述第1噴出方向D1是從第1噴出口61a朝向基板W的上表面中央部的方向。第2噴出口62a沿第2噴出方向D2噴出藥液，所述第2噴出方向D2是從第2噴出口62a朝向基板W的上表面的方向。第1噴出方向D1是相對於基板W的上表面沿基板W的徑向傾斜的斜方向。第2噴出方向D2是相對於基板W的上表面沿基板W的圓周方向傾斜的斜方向。第1噴出方向D1以及第2噴出方向D2的至少一者也可以是相對於基板W的上表面垂直的鉛垂方向。

在自旋夾頭10使基板W旋轉時，從第1藥液噴嘴61的第1噴出口61a噴出的藥液附著於基板W的上表面中央部，並沿基板W的上表面流向外側。從第2藥液噴嘴62的多個第2噴出口62a噴出的藥液附著於基板W的上表面上的多個著液位置，並沿基板W的上表面流向外側。由此，形成覆蓋基板W的上表面整個區域的藥液的液膜，將藥液均勻地供給至基板W的上表面的各部。

圖13是表示本發明的第2實施形態的藥液供給系統的示意圖。

第1藥液噴嘴61連接於第1藥液配管64，第2藥液噴嘴62連接於第2藥液配管68。第1藥液配管64以及第2藥液配管68連接於循環配管32。因此，相同的藥液槽31內的藥液被供給至第1藥液噴嘴61以及第2藥液噴嘴62。第1流量計65、第1電動閥66以及第1溫度感測器67插裝於第1藥液配管64。同樣地，第2流量計69、第2電動閥70以及第2溫度感測器71插裝於第2藥液配管68。

第1電動閥66以及第2電動閥70均是進行液體的供給以及供給停止的切換與液體的供給流量的變更的電動閥。電動閥包括形成流路的閥體（valve body）、配置於流路內的閥元件（valve element）、與使閥元件移動的電動致動器（actuator）。閥元件可在全閉位置與全開位置之間移動，在所述全閉位置，電動閥通過閥元件與閥座的接觸而關閉，在所述全開位置，電動閥的開度最大。控制裝置3通過控制電動致動器來使閥元件位於從全閉位置到全開位置的範圍內的任意位置。

處理單元2也可以具備開閉閥25與流量調整閥24來代替第1電動閥66。同樣地，處理單元2也可以具備開閉閥25與流量調整閥24來代替第2電動閥70。開閉閥25是會完全關閉的閥，流量調整閥24是不會完全關閉的閥。開閉閥25的閥元件可在閥元件接觸閥座的全閉位置與閥元件離開閥座的全開位置之間移動。流量調整閥24的閥元件可在閥元件離開閥座的低流量位置與閥元件離開閥座的高流量位置之間移動。閥元件配置於低流量位置時的流量調整閥24的開度小於閥元件配置於高流量位置時的流量調整閥24的開度。

第1溫度感測器67配置於第1流量計65以及第1電動閥66的下游。即，第1溫度感測器67相對於第1流量計65以及第1電動閥66配置於第1藥液噴嘴61側。同樣地，第2溫度感測器71相對於第2流量計69以及第2電動閥70配置於第2藥液噴嘴62側。第1溫度感測器67以及第2溫度感測器71配置於腔室6之中。圖10以及圖11示出了將第1溫度感測器67以及第2溫度感測器71配置於噴嘴保持架60上的示例。

第1溫度感測器67的溫度檢測位置靠近第1藥液噴嘴61，因此能夠使基於第1溫度感測器67的檢測值而計算出的第1檢測溫度接近從第1藥液噴嘴61噴出時的藥液的實際的溫度。同樣地，第2溫度感測器71的溫度檢測位置靠近第2藥液噴嘴62，因此能夠使基於第2溫度感測器71的檢測值而計算出的第2檢測溫度接近從第2藥液噴嘴62噴出時的藥液的實際的溫度。由此，能夠以更高的精度對從第1藥液噴嘴61以及第2藥液噴嘴62噴出時的藥液的實際的溫度進行監視。

圖14是表示供給至第1藥液噴嘴61以及第2藥液噴嘴62的藥液的流量的時間性變化的一例的圖表。圖15是表示供給至第1藥液噴嘴61以及第2藥液噴嘴62的藥液的溫度的時間性變化的一例的圖表。

控制裝置3的輔助記憶裝置45記憶有多個方案與多個開度決定資料（參照圖4）。多個開度決定資料中包含對應於第1藥液噴嘴61的第1開度決定資料與對應於第2藥液噴嘴62的第2開度決定資料。方案中包含表示從第1藥液噴嘴61噴出的藥液的流量的目標值的第1指定流量、與表示從第2藥液噴嘴62噴出的藥液的流量的目標值的第2指定流量。並且，方案中包含表示從第1藥液噴嘴61噴出的藥液的溫度的目標值的第1設定溫度、與表示從第2藥液噴嘴62噴出的藥液的溫度的目標值的第2設定溫度。

第1指定流量是比第1目標開度大的第1初始開度的一例，第2指定流量是比第2目標開度大的第2初始開度的一例。第1指定流量以及第2指定流量既可以是彼此相等的值，也可以是互不相同的值。第1設定溫度以及第2設定溫度也一樣。圖14示出了第1指定流量少於第2指定流量的示例。圖15示出了第1設定溫度低於第2設定溫度的示例。

在開始向第1藥液噴嘴61以及第2藥液噴嘴62供給藥液時，控制裝置3使第1電動閥66的開度增加至與第1指定流量相對應的開度。同樣地，控制裝置3使第2電動閥70的開度增加至與第2指定流量相對應的開度。在第2實施形態中，第1電動閥66以及第2電動閥70兼作開閉閥25，因此當第1電動閥66以及第2電動閥70打開時，藥液開始從第1藥液噴嘴61以及第2藥液噴嘴62噴出。圖14中示出了第1藥液噴嘴61以及第2藥液噴嘴62同時開始噴出藥液的示例。但是，第1藥液噴嘴61以及第2藥液噴嘴62也可以在互不相同的時期開始噴出藥液。

如圖15所示，當第1電動閥66以及第2電動閥70打開時，第1檢測溫度以及第2檢測溫度急劇增加。當第1檢測溫度達到第1切換溫度時，控制裝置3開始溫度回饋控制，使第1電動閥66的開度接近第1目標開度。同樣地，當第2檢測溫度達到第2切換溫度時，控制裝置3開始溫度回饋控制，使第2電動閥70的開度接近第2目標開度。第1目標開度是基於第1開度決定資料、加熱溫度與第1設定溫度而決定的值。第2目標開度是基於第2開度決定資料、加熱溫度與第2設定溫度而決定的值。第1目標溫度低於第2目標溫度。

當開始溫度回饋控制時，控制裝置3基於第1溫度感測器67的檢測值而使第1電動閥66的開度增減。同樣地，控制裝置3基於第2溫度感測器71的檢測值而使第2電動閥70的開度增減。當開始溫度回饋控制後經過一定程度的時間時，第1檢測溫度限制於包含第1設定溫度的第1設定溫度範圍內，第2檢測溫度限制於包含第2設定溫度的第2設定溫度範圍內。由此，與第1設定溫度以及第2設定溫度相等或大致相等的溫度的藥液從第1藥液噴嘴61以及第2藥液噴嘴62噴出。

如上所述在第2實施形態中，從第1藥液噴嘴61噴出的藥液與從第2藥液噴嘴62噴出的藥液被供給至相同的基板W。第1藥液噴嘴61朝向基板W的上表面中央部噴出藥液，第2藥液噴嘴62朝向基板W的上表面上的多個著液位置噴出藥液。多個著液位置是在基板W的徑向上比基板W的上表面中央部靠外側的位置。因此，從第2藥液噴嘴62噴出的藥液在從第1藥液噴嘴61噴出的藥液的外側附著於基板W上。

基板W上的藥液的溫度存在隨著遠離旋轉軸線A1而下降的傾向。如果對第1電動閥66以及第2電動閥70的開度進行個別設定，則可有意識地使從第2藥液噴嘴62噴出時的藥液的實際的溫度高於從第1藥液噴嘴61噴出時的藥液的實際溫度。由此，能夠降低基板W上的藥液的溫度的偏差，並能夠提高處理的均勻性。當然也能夠從第1藥液噴嘴61以及第2藥液噴嘴62噴出相同溫度或幾乎相同溫度的藥液。

其次，對本發明的第3實施形態進行說明。

第3實施形態與第1實施形態以及第2實施形態主要的不同點在於：在第3實施形態中，流量調整閥24以及電動閥66、電動閥70的設定開度基於溫度感測器26、溫度感測器67、溫度感測器71所輸出的藥液配管22中的藥液的檢測溫度、與資訊獲取部所獲取的設定溫度而動態變更。下述內容可應用於第1實施形態以及第2實施形態中的任一者，但以下，以第1實施形態的構成為例進行說明。

圖16是表示本發明的第3實施形態的控制裝置103的功能塊的框圖。表2是表示控制裝置103中所記憶的開度決定資料d的一例的表。圖16所示的資訊獲取部151、開度決定部153、以及開度設定部154是通過CPU 42執行安裝於控制裝置103中的程式P來實現的功能塊。開度決定部153以及開度設定部154針對每個藥液噴嘴21而設。資訊獲取部151是資訊獲取機構的一例。

基板處理方案中規定有從藥液噴嘴21噴出的藥液的設定溫度以及藥液噴出時間。資訊獲取部151從所述方案獲取藥液的設定溫度。溫度感測器26探測流經各處理單元2的藥液配管22的藥液的溫度並將其輸出至資訊獲取部151。資訊獲取部151獲取藥液的檢測溫度、設定溫度以及開度設定資料d，並將其輸出至開度決定部153。開度決定部153基於從資訊獲取部151輸出的資訊來決定設定開度。開度設定部154以使各流量調整閥24成為由開度決定部153所決定的設定開度的方式對所述各流量調整閥24進行控制。

表2是表示第3實施形態中開度決定資料d的一例的表，所述表中記憶有3等級的開度設定資料。最小開度p1對應於流量調整閥24的最小開度，最大開度p3對應於流量調整閥24的最大開度。中間開度p2是能夠使如下中間流量流過的流量調整閥24的開度，所述中間流量是設定為最小開度p1時流經流量調整閥24的流量與設定為最大開度p3時流經流量調整閥24的流量的中間流量。開度設定資料d也可以因方案以及流量調整閥24而不同。 [表2]

圖17是表示第3實施形態中流量調整閥24的調整的步驟圖。在開始圖17的步驟的時間點，藥液被加熱且在循環配管32（參照圖2）中循環，藥液的溫度以設定溫度而得到穩定。另外，處理單元2的自旋底座12上保持有基板W。

首先，指定要由處理單元2執行的方案（步驟S114）。其次，資訊獲取部151從經指定的方案中獲取藥液的設定溫度與藥液的噴出時間。另外，資訊獲取部151獲取與經指定的方案相對應的開度決定資料d（步驟S115）。資訊獲取部151參照步驟S115中所獲取的開度決定資料d而獲取中間開度p2（步驟S116）。開度設定部154以使流量調整閥24成為中間開度p2的方式對所述流量調整閥24進行調整（步驟S117）。處理液供給部55在此狀態下經由藥液配管22將藥液供給至藥液噴嘴21（步驟S118）。由此，藥液以中間流量從藥液噴嘴21朝向基板W噴出。藥液的噴出開始後，資訊獲取部151獲取由溫度感測器26獲取的藥液的檢測溫度（步驟S119）。

其次，開度決定部153基於在步驟S119中所獲取的檢測溫度與設定溫度的大小關係來決定新的開度（步驟S120）。

即，在檢測溫度超過設定溫度的情況下，為了使藥液的流量減少，而將比現在的設定開度稍小且不低於最小開度p1的開度決定為最新開度。在檢測溫度低於設定溫度的情況下，為了使藥液的流量增加，而將比現在的設定開度稍大且不超過最大開度p3的開度決定為最新開度。在檢測溫度與設定溫度相同的情況下，將現在的設定開度維持為最新開度。

之後，開度設定部154以使流量調整閥24成為在步驟S120中所決定的設定開度的方式對所述流量調整閥24進行控制（步驟S121）。

之後，開度設定部154判斷是否經過了方案中所規定的藥液噴出時間（步驟S122）。

當開度設定部154判斷為經過了規定的藥液噴出時間時，轉移至步驟S123，處理液供給部55停止對藥液噴嘴21的藥液供給。另一方面，當開度設定部154判斷為未經過藥液噴出時間時，回到步驟S119，再次執行所述步驟S119至步驟S122的處理循環（cycle）。

其他實施形態

本發明不限於所述實施形態的內容，可進行各種變更。

例如，在所述實施形態中，對通過流量的設定來控制藥液的溫度的情況進行了說明，但也可以通過流量的設定來對藥液以外的液體的溫度進行控制。

也可以針對每個藥液噴嘴21來設置藥液槽31與加熱器33。

對在開始向藥液噴嘴21供給藥液時，使流量調整閥24的開度增加至與由方案所指定的指定流量相對應的開度（初始開度），之後使所述流量調整閥24的開度減少至目標開度的情況進行了說明，但只要比目標開度大，則初始開度也可以是不同於與指定流量相對應的開度的開度。

設於第1藥液噴嘴61的第1噴出口61a的數量也可以是兩個以上。與此相反，設於第2藥液噴嘴62的第2噴出口62a的數量，也可以是一個。

基板處理裝置1並不限於對圓板狀的基板W進行處理的裝置，也可以是對多邊形的基板W進行處理的裝置。

也可以對前述所有的構成的兩個以上進行組合。也可以對前述所有的步驟的兩個以上進行組合。

另外，能夠在申請專利範圍中所記載的事項的範圍內實施各種設計變更。

1‧‧‧基板處理裝置

1a‧‧‧外壁

2‧‧‧處理單元

3、103‧‧‧控制裝置

4‧‧‧流體箱

5‧‧‧藥液櫃體

6‧‧‧腔室

7‧‧‧FFU

8‧‧‧隔壁

9‧‧‧擋板

10‧‧‧自旋夾頭

11‧‧‧夾頭銷

12‧‧‧自旋底座

13‧‧‧自旋馬達

14‧‧‧杯體

14a‧‧‧傾斜部

14b‧‧‧引導部

14c‧‧‧收液部

15‧‧‧杯體升降單元

16‧‧‧沖洗液噴嘴

17‧‧‧沖洗液配管

18‧‧‧沖洗液閥

21‧‧‧藥液噴嘴

22‧‧‧藥液配管

23‧‧‧流量計

24‧‧‧流量調整閥

25‧‧‧開閉閥

26‧‧‧溫度感測器

27‧‧‧噴嘴移動單元

31‧‧‧藥液槽

32‧‧‧循環配管

33‧‧‧加熱器

34‧‧‧泵

35‧‧‧過濾器

41‧‧‧電腦本體

42‧‧‧CPU

43‧‧‧主記憶裝置

44‧‧‧周邊裝置

45‧‧‧輔助記憶裝置

46‧‧‧讀取裝置

47‧‧‧通信裝置

48‧‧‧輸入裝置

49‧‧‧顯示裝置

51、151‧‧‧資訊獲取部

52‧‧‧加熱執行部

53、153‧‧‧開度決定部

54、154‧‧‧開度設定部

55‧‧‧處理液供給部

60‧‧‧噴嘴保持架

61‧‧‧第1藥液噴嘴

61a‧‧‧第1噴出口

61b‧‧‧噴出部

61c‧‧‧垂下部

61d‧‧‧水平部

62‧‧‧第2藥液噴嘴

62a‧‧‧第2噴出口

62b‧‧‧下水平部

62c‧‧‧垂下部

62d‧‧‧上水平部

63‧‧‧支架

64‧‧‧第1藥液配管

65‧‧‧第1流量計

66‧‧‧第1電動閥/電動閥

67‧‧‧第1溫度感測器/溫度感測器

68‧‧‧第2藥液配管

69‧‧‧第2流量計

70‧‧‧第2電動閥/電動閥

71‧‧‧第2溫度感測器/溫度感測器

A1‧‧‧旋轉軸線

A2‧‧‧噴嘴轉動軸線

C‧‧‧載體

CR‧‧‧中心機器人

D1‧‧‧第1噴出方向

D2‧‧‧第2噴出方向

D3‧‧‧長度方向

d‧‧‧開度決定資料/開度設定資料

HC‧‧‧主機電腦

IR‧‧‧索引機器人

LP‧‧‧裝載埠

M‧‧‧可移動介質

P‧‧‧程式

S1~S5、S11~S18、S114~S123‧‧‧步驟

W‧‧‧基板

圖1是從上方觀察本發明的第1實施形態的基板處理裝置的示意圖。

圖2是水平地觀察處理單元的內部的示意圖。

圖3是表示本發明的第1實施形態的藥液供給系統的示意圖。

圖4是表示基板處理裝置的電氣構成的框圖。

圖5是用以對由基板處理裝置所執行的基板的處理的一例進行說明的步驟圖。

圖6是表示控制裝置的功能塊的框圖。

圖7是表示從開始對藥液加熱到將經加熱的藥液供給至基板為止的流程的一例的步驟圖。

圖8是表示供給至藥液噴嘴的藥液的流量以及溫度的時間性變化的一例的圖表。

圖9是表示供給至藥液噴嘴的藥液的流量以及溫度的時間性變化的另一例的圖表。

圖10是表示水平地觀察本發明的第2實施形態的第1藥液噴嘴以及第2藥液噴嘴的示意圖。

圖11是第1藥液噴嘴以及第2藥液噴嘴的示意性的平面圖。

圖12是從圖10所示的箭頭XIII的方向觀察第1藥液噴嘴以及第2藥液噴嘴的示意圖。

圖13是表示本發明的第2實施形態的藥液供給系統的示意圖。

圖14是表示供給至第1藥液噴嘴以及第2藥液噴嘴的藥液的流量的時間性變化的一例的圖表。

圖15是表示供給至第1藥液噴嘴以及第2藥液噴嘴的藥液的溫度的時間性變化的一例的圖表。

圖16是表示本發明的第3實施形態的控制裝置的功能塊的框圖。

圖17是表示從方案（recipe）的獲取開始到停止經加熱的藥液的供給為止的處理的流程的一例的步驟圖。

Claims (18)

1. 一種基板處理裝置，其具備： 至少一個加熱器，對處理液進行加熱； 第1配管，對由所述至少一個加熱器進行了加熱的所述處理液進行引導； 第1流量調整閥，對供給至所述第1配管的所述處理液的流量進行變更； 第1噴嘴，將由所述第1配管引導的所述處理液朝向基板噴出；以及 控制裝置，對所述至少一個加熱器與所述第1流量調整閥進行控制；並且 所述控制裝置包括： 資訊獲取部，獲取表示由所述至少一個加熱器進行了加熱的所述處理液的溫度的目標值的加熱溫度、與從所述第1噴嘴噴出時的所述處理液的溫度的目標值，即比所述加熱溫度低的第1設定溫度； 加熱執行部，使所述至少一個加熱器以所述加熱溫度對所述處理液進行加熱； 記憶裝置，記憶第1開度決定資料，所述第1開度決定資料是對與在以所述加熱溫度被供給至所述第1配管的所述處理液以第1噴出溫度從所述第1噴嘴被噴出時被供給至所述第1配管的所述處理液的流量相對應的所述第1流量調整閥的開度進行規定的資料； 第1開度決定部，基於所述記憶裝置中所記憶的所述第1開度決定資料、與所述資訊獲取部所獲取的所述加熱溫度以及第1設定溫度，決定與第1目標流量相對應的第1目標開度，所述第1目標流量使所述第1噴出溫度與所述第1設定溫度一致或接近； 第1開度設定部，將所述第1流量調整閥的開度設定為所述第1目標開度；以及 第1處理液供給部，經由所述第1配管將所述處理液供給至所述第1噴嘴。
2. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中 所述基板處理裝置還具備：第2噴嘴，噴出處理液；第2配管，將所述處理液引導至所述第2噴嘴；以及第2流量調整閥，對供給至所述第2配管的所述處理液的流量進行變更， 所述控制裝置的所述資訊獲取部還獲取從所述第2噴嘴噴出時的所述處理液的溫度的目標值，即比所述加熱溫度低的第2設定溫度， 所述控制裝置的所述記憶裝置還記憶第2開度決定資料，所述第2開度決定資料是對與在以所述加熱溫度被供給至所述第2配管的所述處理液以第2噴出溫度從所述第2噴嘴被噴出時被供給至所述第2配管的所述處理液的流量相對應的所述第2流量調整閥的開度進行規定的資料， 所述控制裝置還包括： 第2開度決定部，基於所述記憶裝置中所記憶的所述第2開度決定資料、與所述資訊獲取部所獲取的所述加熱溫度以及第2設定溫度，決定與第2目標流量相對應的第2目標開度，所述第2目標流量使所述第2噴出溫度與所述第2設定溫度一致或接近； 第2開度設定部，將所述第2流量調整閥的開度設定為所述第2目標開度；以及 第2處理液供給部，經由所述第2配管將所述處理液供給至所述第2噴嘴。
3. 如申請專利範圍第2項所述的基板處理裝置，其中所述基板處理裝置還具備：第1基板保持機構，對利用從所述第1噴嘴噴出的所述處理液進行處理的基板進行保持；以及第2基板保持機構，對利用從所述第2噴嘴噴出的所述處理液進行處理的基板進行保持。
4. 如申請專利範圍第2項所述的基板處理裝置，其中所述基板處理裝置還具備基板保持機構，所述基板保持機構一面水平地保持利用從所述第1噴嘴以及所述第2噴嘴噴出的所述處理液進行處理的基板，一面使所述基板圍繞著通過所述基板的中央部的鉛垂的旋轉軸線旋轉， 所述第1噴嘴朝向第1位置噴出所述處理液，所述第1位置是由所述基板保持機構所保持著的所述基板上的位置， 所述第2噴嘴朝向第2位置噴出所述處理液，所述第2位置是由所述基板保持機構所保持著的所述基板上的位置，且是比所述第1位置靠外側的位置。
5. 如申請專利範圍第3項或第4項所述的基板處理裝置，其中所述基板處理裝置還具備共用配管，將所述處理液供給至所述第1配管以及所述第2配管這兩者。
6. 如申請專利範圍第4項所述的基板處理裝置，其中所述基板處理裝置還具備共用配管，將所述處理液供給至所述第1配管以及所述第2配管這兩者， 所述基板處理裝置通過將作為所述處理液的磷酸供給至露出氧化矽膜與氮化矽膜的所述基板，一面抑制所述氧化矽膜的蝕刻一面對所述氮化矽膜進行蝕刻。
7. 如申請專利範圍第1項、第2項、第3項、第4項以及第6項中任一項所述的基板處理裝置，其中所述第1開度設定部將所述第1流量調整閥的開度設定為比所述第1目標開度大的第1初始開度，之後，使所述第1流量調整閥的開度從所述第1初始開度減少至所述第1目標開度。
8. 如申請專利範圍第7項所述的基板處理裝置，其中所述基板處理裝置還具備對所述處理液的溫度進行檢測的溫度感測器， 當由所述溫度感測器所檢測出的所述處理液的溫度達到切換溫度時，所述第1開度設定部使所述第1流量調整閥的開度從所述第1初始開度減少至所述第1目標開度。
9. 一種基板處理方法，其是由基板處理裝置所執行的方法，所述基板處理裝置具備：至少一個加熱器，對處理液進行加熱；第1配管，對由所述至少一個加熱器進行了加熱的所述處理液進行引導；第1流量調整閥，對供給至所述第1配管的所述處理液的流量進行變更；第1噴嘴，將由所述第1配管引導的所述處理液朝向基板噴出；以及控制裝置，對所述至少一個加熱器與所述第1流量調整閥進行控制， 所述基板處理方法包括如下步驟： 資訊獲取步驟，獲取表示由所述至少一個加熱器進行了加熱的所述處理液的溫度的目標值的加熱溫度、與從所述第1噴嘴噴出時的所述處理液的溫度的目標值，即比所述加熱溫度低的第1設定溫度； 加熱執行步驟，使所述至少一個加熱器以所述加熱溫度對所述處理液進行加熱； 第1開度決定步驟，基於第1開度決定資料、與由所述資訊獲取步驟所獲取的所述加熱溫度以及第1設定溫度，決定與第1目標流量相對應的第1目標開度，所述第1目標流量使第1噴出溫度與所述第1設定溫度一致或接近，所述第1開度決定資料是所述控制裝置的記憶裝置中所記憶的資料，且是對與在以所述加熱溫度被供給至所述第1配管的所述處理液以所述第1噴出溫度從所述第1噴嘴被噴出時被供給至所述第1配管的所述處理液的流量相對應的所述第1流量調整閥的開度進行規定的資料； 第1開度設定步驟，將所述第1流量調整閥的開度設定為所述第1目標開度；以及 第1處理液供給步驟，經由所述第1配管將所述處理液供給至所述第1噴嘴。
10. 如申請專利範圍第9項所述的基板處理方法，其中所述基板處理裝置還具備：第2噴嘴，噴出處理液；第2配管，將所述處理液引導至所述第2噴嘴；以及第2流量調整閥，對供給至所述第2配管的所述處理液的流量進行變更， 所述控制裝置的所述記憶裝置還記憶第2開度決定資料，所述第2開度決定資料是對與在以所述加熱溫度被供給至所述第2配管的所述處理液以第2噴出溫度從所述第2噴嘴被噴出時被供給至所述第2配管的所述處理液的流量相對應的所述第2流量調整閥的開度進行規定的資料， 所述基板處理方法還包括如下步驟： 第2開度決定步驟，基於所述記憶裝置中所記憶的所述第2開度決定資料、與所述資訊獲取部所獲取的所述加熱溫度以及第2設定溫度，決定與第2目標流量相對應的第2目標開度，所述第2目標流量使所述第2噴出溫度與所述第2設定溫度一致或接近； 第2開度設定步驟，將所述第2流量調整閥的開度設定為所述第2目標開度；以及 第2處理液供給步驟，經由所述第2配管將所述處理液供給至所述第2噴嘴。
11. 如申請專利範圍第10項所述的基板處理方法，其中所述基板處理裝置還具備：第1基板保持機構，對利用從所述第1噴嘴噴出的所述處理液進行處理的基板進行保持；以及第2基板保持機構，對利用從所述第2噴嘴噴出的所述處理液進行處理的基板進行保持。
12. 如申請專利範圍第10項所述的基板處理方法，其中所述基板處理裝置還具備基板保持機構，所述基板保持機構一面水平地保持利用從所述第1噴嘴以及所述第2噴嘴噴出的所述處理液進行處理的基板，一面使所述基板圍繞著通過所述基板的中央部的鉛垂的旋轉軸線旋轉， 所述基板處理方法還包括： 第1噴出步驟，使所述第1噴嘴朝向第1位置噴出所述處理液，所述第1位置是由所述基板保持機構所保持著的所述基板上的位置；以及 第2噴出步驟，使所述第2噴嘴朝向第2位置噴出所述處理液，所述第2位置是由所述基板保持機構所保持著的所述基板上的位置，且是比所述第1位置靠外側的位置。
13. 如申請專利範圍第10項或第11項所述的基板處理方法，其中所述基板處理裝置還具備共用配管，將所述處理液供給至所述第1配管以及所述第2配管這兩者。
14. 如申請專利範圍第11項所述的基板處理方法，其中所述基板處理裝置還具備共用配管，將所述處理液供給至所述第1配管以及所述第2配管這兩者， 所述基板處理方法通過將作為所述處理液的磷酸供給至露出氧化矽膜與氮化矽膜的所述基板，一面抑制所述氧化矽膜的蝕刻一面對所述氮化矽膜進行蝕刻。
15. 如申請專利範圍第9項、第10項、第11項、第12項以及第14項中任一項所述的基板處理方法，其中所述第1開度設定步驟將所述第1流量調整閥的開度設定為比所述第1目標開度大的第1初始開度，之後，使所述第1流量調整閥的開度從所述第1初始開度減少至所述第1目標開度。
16. 如申請專利範圍第15項所述的基板處理方法，其中所述基板處理裝置還具備對所述處理液的溫度進行檢測的溫度感測器， 當由所述溫度感測器所檢測出的所述處理液的溫度達到切換溫度時，所述第1開度設定步驟使所述第1流量調整閥的開度從所述第1初始開度減少至所述第1目標開度。
17. 一種基板處理裝置，其具備：加熱器，對處理液進行加熱；處理液配管，對由所述加熱器進行了加熱的所述處理液進行引導；基板保持機構，對基板進行保持；噴嘴，將經由所述處理液配管而被供給的所述處理液朝向由所述基板保持機構所保持著的所述基板噴出；閥，對流經所述處理液配管的所述處理液的流量進行調節；溫度感測器，對在所述處理液配管內流動的所述處理液的溫度進行檢測；資訊獲取機構，獲取設定溫度，所述設定溫度是從所述噴嘴噴出的所述處理液的溫度的目標值；以及控制裝置，基於由所述溫度感測器所檢測出的溫度與由所述資訊獲取機構所獲取的所述處理液的設定溫度，對所述閥的開度進行控制。
18. 如申請專利範圍第17項所述的基板處理裝置，其中所述控制裝置將由所述資訊獲取機構所獲取的所述設定溫度與由所述溫度感測器所檢測出的所述處理液的溫度進行比較，在由所述溫度感測器所檢測出的所述處理液的溫度超過所述設定溫度的情況下，對所述閥的開度進行變更，以減少所述處理液的流量，在由所述溫度感測器所檢測出的所述處理液的溫度低於所述設定溫度的情況下，變更所述閥的開度，以增加所述處理液的流量。