TW201909410A - 顯示裝置及顯示裝置的製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種顯示裝置,其包括:第一基板和第二基板,所述第一基板和所述第二基板層疊設置;複數第一發光元件,所述複數第一發光元件設置於所述第一基板;複數第二發光元件,所述複數第二發光元件設置於所述第二基板;所述第一發光元件和所述第二發光元件其中一者為有機發光二極體,另一者為微型發光二極體。本發明還提供一種顯示裝置的製造方法。本發明的顯示裝置能夠改善畫素衰減而導致顯示畫面不均的問題,保證顯示效果。
Description
本發明涉及一種顯示裝置及顯示裝置的製造方法,尤其涉及一種複合式的顯示裝置及其製造方法。
有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode, OLED)係當前流行的顯示技術,具備色域廣、輕薄、省電等優點,然,OLED存在的藍色子畫素衰減問題一直沒有被有效解決。現行的處理方式係增大藍色子畫素的面積,保證顯示效果並延長螢幕使用壽命。然,該方法中,藍色子畫素往往需要佔據較大面積,對畫素密度的提升有較大限制,影響顯示裝置的性能。
有鑑於此,有必要提供一種性能較好的顯示裝置。
一種顯示裝置,其包括:第一基板;第二基板;複數第一發光元件,所述複數第一發光元件相互間隔設置於所述第一基板;複數第二發光元件,所述複數第二發光元件相互間隔設置於所述第二基板;所述第一發光元件、所述第一基板、所述第二發光元件、所述第二基板為沿所述顯示裝置的厚度方向依次層疊排布;沿所述顯示裝置的厚度方向,所述複數第二發光元件與所述複數第一發光元件相互錯開;所述第一基板對應所述複數第二發光元件設置有透光區以使所述第二發光元件發出的光能夠穿過所述透光區;所述第一發光元件和所述第二發光元件其中一者為有機發光二極體,另一者為微型發光二極體。
本發明還提供一種顯示裝置的製造方法。
一種顯示裝置的製造方法,包括:提供一第一基板,在所述第一基板上形成相互間隔的複數第一發光元件,所述第一基板設置有透光區;提供一第二基板,在所述第二基板上形成相互間隔的複數第二發光元件,將所述第一基板層疊於所述第二基板上,使複數第一發光元件、所述第一基板、所述第二發光元件、所述第二基板為沿所述顯示裝置的厚度方向依次排布;沿所述顯示裝置的厚度方向,所述複數第二發光元件與所述複數第一發光元件相互錯開,所述第一基板對應所述複數第二發光元件設置有透光區以使所述第二發光元件發出的光能夠穿過所述透光區;所述第一發光元件和所述第二發光元件其中一者為有機發光二極體,另一者為微型發光二極體。
相較於習知技術,本發明的顯示裝置包括有機發光二極體和微型發光二極體,可無需犧牲畫素密度,便改善畫素衰減而導致顯示畫面不均的問題,保證顯示效果。
附圖中示出了本發明的實施例,本發明可藉由複數不同形式實現,而並不應解釋為僅局限於這裡所闡述的實施例。相反,提供該等實施例係為了使本發明更為全面和完整的公開,並使本領域的技術人員更充分地瞭解本發明的範圍。
可理解,儘管第一、第二等該等術語可在這裡使用來描述各種元件、區域、層和/或部分,然該等元件、區域、層和/或部分不應僅限於該等術語。該等術語只係被用來區分元件、區域、層和/或部分與另外的元件、區域、層和/或部分。因此,只要不脫離本發明的教導,下面所討論的第一元件、區域、層和/或部分可被稱為第二元件、區域、層和/或部分。
這裡參考剖面圖描述本發明的實施例,該等剖面圖係本發明理想化的實施例(和中間構造)的示意圖。因而,由於製造工藝和/或公差而導致的圖示的形狀不同係可預見的。因此,本發明的實施例不應解釋為限於這裡圖示的區域的特定形狀,而應包括例如由於製造而產生的形狀的偏差。圖中所示的區域本身僅係示意性的,它們的形狀並非用於圖示裝置的實際形狀,並且並非用於限制本發明的範圍。
除非另外定義,這裡所使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所述領域的普通技術人員所通常理解的含義相同的含義。還應當理解,比如在通用的辭典中所定義的那些的術語,應解釋為具有與它們在相關領域的環境中的含義相一致的含義,而不應以過度理想化或過度正式的含義來解釋,除非在本文中明確地定義。第一實施例
請參考圖1A~1E,圖1A~1E為製造本發明第一實施例的顯示裝置100的方法中不同步驟的剖面結構示意圖。在本實施例中,所述顯示裝置100包括有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode, OLED)和微型發光二極體(Micro-Light Emitting Diode, Micro-LED),為一種複合式的顯示裝置。在本實施例中,所述Micro-LED的尺寸小於50×50μm。所述顯示裝置100的製造方法包括:
步驟一:如圖1A所示,提供一第一基板11,在所述第一基板11上形成相互間隔的複數第一發光元件106,所述第一發光元件106為OLED。
在本實施例中,每一個第一發光元件106定義一個子畫素,所述複數第一發光元件106在第一基板11上定義了第一畫素陣列。
在本實施例中,所述第一畫素陣列包括複數第一子畫素131和複數第二子畫素132,所述第一子畫素131和所述第二子畫素132的發光顏色不同,例如分別發紅光和綠光。
所述第一基板11上還形成有複數第一薄膜電晶體12,所述複數第一薄膜電晶體12位於所述第一基板11和所述複數第一發光元件106的之間,所述複數第一薄膜電晶體12用於控制所述第一發光元件106。
在本實施例中,每一個第一子畫素131或者第二子畫素132對應兩個第一薄膜電晶體12,其中一個第一薄膜電晶體12作為驅動電晶體直接連接一個第一發光元件106以驅動所述第一發光元件106發光,另一個第一薄膜電晶體12作為開關電晶體連接對應的驅動電晶體以控制驅動電晶體的導通與關閉,其與掃描線(圖未示)和資料線(圖未示)電性連接。
在其他實施例中,每一個所述第一子畫素131或者所述第二子畫素132可對應至少兩個第一薄膜電晶體12,每一個所述第一子畫素131或者所述第二子畫素132由至少兩個第一薄膜電晶體12控制。
在本實施例中,所述第一基板11設置有透光區17,所述複數第一薄膜電晶體12、複數第一發光元件106以及或者其他設置在第一基板11上的元件避開所述透光區17設置,避免遮擋所述透光區17。在本實施例中,所述第一基板11的透光率並不受限制,所述第一基板11可為不透明的基板,可在第一基板11蝕刻形成開口以形成透光區17,在其他實施例中,所述第一基板11亦可本身為透光的。
在本實施例中,每一第一子畫素131和與其鄰近的一第二子畫素132定義為一組,每一個透光區17位於兩個相鄰的組之間。
所述第一發光元件106的結構並不受限制,其可為本領域習知的OLED。在本實施例中,所述第一發光元件106包括陰極電極103、陽極電極104,以及夾設於所述陰極電極103和陽極電極104之間的發光層108,所述發光層108為本領域常規的OLED發光層,具體可包括一個有機電致發光材料層(EML)(圖未示),所述發光層108還可包括位於有機電致發光材料層和陰極電極103之間的電子傳輸層(ETL)(圖未示)和電子注入層(EIL)(圖未示),位於有機電致發光材料層與陽極電極104之間空穴注入層(HIL)(圖未示)和空穴傳輸層(HTL)(圖未示)等其他結構。
步驟二:如圖1B所示,提供一第二基板14,在所述第二基板14上形成複數第二發光元件107,所述第二發光元件107為Micro-LED。
在本實施例中,每一個第二發光元件107定義一個子畫素,所述複數第二發光元件107在第二基板14上定義了第二畫素陣列。
所述第二畫素陣列包括複數第三子畫素133。在本實施例中,所述第三子畫素133發藍光。採用Micro-LED作為發藍光的子畫素,可改善發藍光的子畫素容易衰減的問題。
可理解的,所述第一子畫素131、第二子畫素132和第三子畫素的發光類型並不限制。在其他實施例中,所述第一子畫素131可發綠光或者藍光,所述第二子畫素可發紅光或者藍光,所述第三子畫素可發紅光或者綠光。
所述第二基板14上還形成有複數第二薄膜電晶體15,所述複數第二薄膜電晶體15用於控制所述第二發光元件107。在本實施例中,每一個第三子畫素133對應兩個第二薄膜電晶體15,其中一個第二薄膜電晶體15作為驅動電晶體直接連接一個第二發光元件107以驅動所述第二發光元件107發光,另一個第二薄膜電晶體15作為開關電晶體連接對應的驅動電晶體以控制驅動電晶體的導通與關閉,其與掃描線(圖未示)和資料線(圖未示)電性連接。
在其他實施例中,每一個第三子畫素133可對應至少兩個第二薄膜電晶體15,每一個第三子畫素133由至少兩個第二薄膜電晶體15控制。
在本實施例中,所述複數第三子畫素133相互獨立,相鄰的兩個第三子畫素133之間間隔的空間對應一組第一子畫素131和第二子畫素132。在一實施例中,相鄰的兩個第三子畫素133之間間隔的空間可小於一組第一子畫素131和第二子畫素132所佔用的空間,每一個第三子畫素133的面積大於所述透光區17的面積,避免後續組裝過程中,第一基板11與第二基板14的位置出現偏差,影響所述第三子畫素與透光區17的重疊面積。在另一實施例中,相鄰的兩個第三子畫素133之間間隔的空間與一組第一子畫素131和第二子畫素132所佔用的空間基本相當。
所述第二發光元件107的結構並不受限制,其可為本領域常規的Micro-LED。在本實施例中,所述第二發光元件107可包括依次層疊設置的P型摻雜的發光材料層(圖未示)、N型摻雜的發光材料層(圖未示)、以及位於所述P型摻雜的發光材料層和所述N型摻雜的發光材料層之間的活性層(圖未示),每一所述P型摻雜的發光材料層連接至一頂部電極(圖未示),每一所述N型摻雜的發光材料層連接至一底部電極,通過調整所述頂部電極和底部電極施加的電壓,以使所述第二發光元件107能夠發光。可理解的,所述P型摻雜的發光材料層和N型摻雜的發光材料層的位置可互換。
可理解的,在其他實施例中,所述第一發光元件106可為Micro-LED,所述第二發光元件107可為OLED。
步驟三:如圖1C所示,將所述第一基板11層疊於所述第二基板14上,使複數第一發光元件106、所述第一基板11、所述第二發光元件107、所述第二基板14為沿所述顯示裝置100的厚度方向依次排布;沿所述顯示裝置100的厚度方向,所述第二發光元件107與所述複數第一發光元件106相互錯開。
在本實施例中,所述第二發光元件107與第一基板11的透光區17在垂直於所述顯示裝置100的厚度方向上的投影至少部分重疊。
在本實施例中,所述第一基板11和所述第二基板14形成堆疊設置,且所述第一發光元件106位於所述第一基板11遠離第二基板14的一側,所述第二發光元件107位於所述第二基板14靠近第一基板11的一側。
在本實施例中,每一組第一子畫素131、第二子畫素132與其相鄰的對應的一個第三子畫素133共同組成一個畫素單元13。亦即,在本實施例中,每一個畫素單元13包括三個分別發紅、綠、藍三種顏色的光的子畫素。
步驟四:如圖1D~1E所示,蝕刻所述第一基板11的透光區17,形成貫穿所述第一基板11的開口16以實現所述透光區17的透光。
在本實施例中,蝕刻所述第一基板11對應第二發光元件107的位置,形成複數貫穿所述第一基板11的開口16,使第二發光元件107發出的光能夠透過所述開口16。
在本實施例中,所述第一基板11為不透光的材質,可採用鐳射雷射在所述第一基板11遠離第二基板14的一側蝕刻所述第一基板11的透光區17,使所述第一基板11的透光區17形成能夠使光線透過的開口16。在其他實施例中,還可採用電漿蝕刻,然不限於此。由於OLED發光元件不宜觸碰到水,因此可採用合適的幹蝕刻法。
可理解的,在其他實施例中,可在步驟一中蝕刻所述第一基板11形成貫穿所述第一基板11的開口16,此時,可無需步驟四。
在本實施例中,所述顯示裝置100的製造方法還包括:形成保護層(圖未示),所述保護層覆蓋所述第一發光元件106和第二發光元件107。
通過上述步驟可制得本發明第一實施例的顯示裝置100。如圖1E所示,本發明第一實施例的顯示裝置100包括:第一基板11;第二基板14;複數第一發光元件106,所述複數第一發光元件106相互間隔設置於所述第一基板11;複數第二發光元件107,所述複數第二發光元件107相互間隔設置於所述第二基板14;所述第一發光元件106、所述第一基板11、所述第二發光元件107、所述第二基板14為沿所述顯示裝置100的厚度方向依次層疊排布;沿所述顯示裝置100的厚度方向,所述複數第二發光元件107與所述複數第一發光元件106相互錯開;所述第一基板11對應所述複數第二發光元件107設置有透光區17以使所述第二發光元件107發出的光能夠穿過所述透光區17;所述第一發光元件106和所述第二發光元件107其中一者為有機發光二極體,另一者為微型發光二極體。
在本實施例中,所述第一發光元件106為OLED,所述第二發光元件107為Micro-LED。所述第一基板11設置有貫穿所述第一基板11的開口16以形成所述透光區17。
可理解的,所述微型發光二極體為無機發光二極體。第二實施例
請參考圖2A~2C,圖2A~2C為製造本發明第二實施例的顯示裝置200的方法中不同步驟的剖面結構示意圖。在本實施例中,所述顯示裝置200包括OLED和Micro-LED,為一種複合式的顯示裝置。所述顯示裝置200的製造方法包括:
步驟一:如圖2A所示,提供一第一基板21,在所述第一基板21上形成相互間隔的複數第一發光元件206,所述第一發光元件206為OLED。
在本實施例中,每一個第一發光元件206定義一個子畫素,所述複數第一發光元件206在第一基板21上定義了第一畫素陣列。
在本實施例中,所述第一畫素陣列包括複數第一子畫素231和複數第二子畫素232,所述第一子畫素231和所述第二子畫素232的發光顏色不同,例如分別發紅光和綠光。
所述第一基板21上還形成有複數第一薄膜電晶體22,所述複數第一薄膜電晶體22位於所述第一基板21與所述複數第一發光元件206之間,所述複數第一薄膜電晶體22用於控制所述第一發光元件206。
在本實施例中,所述第一基板21為透明的基板,所述第一基板21的透光率滿足所述顯示裝置200顯示所需要的透光率。
在本實施例中,所述第一基板21定義有複數透光區27,所述複數第一薄膜電晶體22、複數第一發光元件206以及設置在第一基板21上的其他元件避開所述透光區27設置,避免遮擋所述透光區27。在本實施例中,所述第一基板21為透明的基板,所述透光區27不被第一薄膜電晶體22等其他不透光元件遮擋,能夠透光。
在本實施例中,每一第一子畫素231和與其臨近的第二子畫素232定義為一組,每一個透光區27位於兩個相鄰的組之間。
步驟二:如圖2B所示,提供一第二基板24,在所述第二基板24上形成相互間隔的複數第二發光元件207,所述第二發光元件207為Micro-LED。
在本實施例中,每一個第二發光元件207定義一個子畫素,所述複數第二發光元件207在第二基板24上定義了第二畫素陣列。所述第二畫素陣列包括複數第三子畫素233,所述第三子畫素233發藍光。
所述第二基板24上還形成有複數第二薄膜電晶體25,所述複數第二薄膜電晶體25位於所述第二基板24與所述複數第二發光元件207之間,所述複數第二薄膜電晶體25用於控制所述第二發光元件207。
在本實施例中,所述複數第三子畫素233相互獨立,相鄰的兩個第三子畫素233之間間隔的空間小於一組第一子畫素231和第二子畫素232所佔用的空間。在一實施例中,每一個第三子畫素233的面積大於所述透光區27的面積,避免後續組裝過程中,第一基板21與第二基板24的位置出現偏差,影響從所述第三子畫素與透光區27的重疊面積。在另一實施例中,相鄰的兩個第三子畫素233之間間隔的空間對應一組第一子畫素231和第二子畫素232,相鄰的兩個第三子畫素233之間間隔的空間可與一組第一子畫素231和第二子畫素232所佔用的空間基本相當。
可理解的,在其他實施例中,所述第一發光元件206可為Micro-LED,所述第二發光元件207可為OLED。
步驟三:如圖2C所示,將所述第一基板21層疊於所述第二基板24上,使複數第一發光元件206、所述第一基板21、所述第二發光元件207、所述第二基板24為沿所述顯示裝置200的厚度方向依次排布,沿所述顯示裝置200的厚度方向,所述第二發光元件207與所述複數第一發光元件206相互錯開。
在本實施例中,所述第二發光元件207與第一基板21的透光區27在垂直於所述顯示裝置200的厚度方向上的投影至少部分重疊。
在本實施例中,所述第一基板21為透明基板,因此層疊設置後的第一基板21的透光區27並不會遮擋第二基板24上的第三子畫素233發出的光,無需蝕刻所述第一基板21。
通過上述步驟可制得本發明第二實施例的顯示裝置200。如圖2C所示,本發明第二實施例的顯示裝置200包括:第一基板21;第二基板24;複數第一發光元件206,所述複數第一發光元件206相互間隔設置於所述第一基板21;複數第二發光元件207,所述複數第二發光元件207相互間隔設置於所述第二基板24;所述第一發光元件206、所述第一基板21、所述第二發光元件207、所述第二基板24為沿所述顯示裝置200的厚度方向依次層疊排布;沿所述顯示裝置200的厚度方向,所述複數第二發光元件207與所述複數第一發光元件206相互錯開;所述第一基板21對應所述複數第二發光元件207設置有透光區27以使所述第二發光元件207發出的光能夠穿過所述透光區27;所述第一發光元件206和所述第二發光元件207其中一者為有機發光二極體,另一者為微型發光二極體。
在本實施例中,所述第一發光元件206為OLED,所述第二發光元件207為Micro-LED。所述第一基板21為透明的基板。第三實施例
請參考圖3A~3C,圖3A~3C為製造本發明第三實施例的顯示裝置300的方法中不同步驟的剖面結構示意圖。在本實施例中,所述顯示裝置300包括OLED和Micro-LED,為一種複合式的顯示裝置。所述顯示裝置300的製造方法包括:
步驟一:如圖3A所示,提供一第一基板31,在所述第一基板31上形成相互間隔的複數第一發光元件306,所述第一發光元件306為Micro-LED。
在本實施例中,每一個第一發光元件306定義一個子畫素,所述複數第一發光元件306在第一基板31上定義了第一畫素陣列。
在本實施例中,所述第一畫素陣列包括複數第一子畫素331和複數第二子畫素332,所述第一子畫素331和所述第二子畫素332的發光顏色不同,例如分別發綠光和藍光。
所述第一基板31上還形成有複數第一薄膜電晶體32,所述複數第一薄膜電晶體32位於所述第一基板31與所述複數第一發光元件306之間,所述複數第一薄膜電晶體32用於控制所述第一發光元件306。
在本實施例中,所述第一基板31為透明的基板,所述第一基板31的透光率滿足所述顯示裝置300顯示所需要的透光率。
在本實施例中,所述第一基板31定義有複數透光區37,所述複數第一薄膜電晶體32、複數第一發光元件306以及設置在第一基板31上的其他元件避開所述透光區37設置,避免遮擋所述透光區37。在本實施例中,所述第一基板31為透明的基板,所述透光區37不被第一薄膜電晶體32等其他不透光元件遮擋,能夠透光。
在本實施例中,每一第一子畫素331和與其鄰近的第二子畫素332定義為一組,每一個透光區37位於兩個相鄰的組之間。
步驟二:如圖3B所示,提供一第二基板34,在所述第二基板34上形成相互間隔的複數第二發光元件307,所述第二發光元件307為OLED。
在本實施例中,每一個第二發光元件307定義一個子畫素,所述複數第二發光元件307在第二基板34上定義了第二畫素陣列。
在本實施例中,所述第二畫素陣列包括複數第三子畫素333。
所述第二基板34上還形成有複數第二薄膜電晶體35,所述複數第二薄膜電晶體35位於所述第二基板34與所述複數第二發光元件307之間,所述複數第二薄膜電晶體35用於控制所述第二發光元件307。
每一個第二發光元件307包括一個發光層308及設置於所述發光層308的相對兩側的陰極電極303和陽極電極304。至少兩個第二發光元件307的發光層308共用一連續的母發光層302。在本實施例中,所有的第二發光元件307的發光層308共用一連續的母發光層302。至少兩個第二發光元件307的陰極電極303和陽極電極304中的一者共用一連續的導電層;所述至少兩個第二發光元件307的陰極電極303和陽極電極304中的另一者包括間隔排布的複數子電極;每一個子電極、沿所述顯示裝置300的厚度方向上與其重疊的一部分導電層和一部分的母發光層302構成一個第二發光元件307。在本實施例中,所有的第二發光元件307的陰極電極303共用一連續的導電層,所有的第二發光元件307的陽極電極304包括間隔排布的複數子電極。所述複數第二薄膜電晶體35僅驅動所述母發光層302的作為發光層308的部分發光。
在本實施例中,所述第三子畫素333發紅光。
步驟三:如圖3C所示,將所述第一基板31層疊於所述第二基板34上,使複數第一發光元件306、所述第一基板31、所述第二發光元件307、所述第二基板34為沿所述顯示裝置300的厚度方向依次排布,沿所述顯示裝置300的厚度方向,所述第二發光元件307與所述複數第一發光元件306相互錯開。
在本實施例中,所述第二發光元件307與第一基板31的透光區37在垂直於所述顯示裝置300的厚度方向上的投影至少部分重疊。
在本實施例中,所述第一基板31為透明基板,因此層疊設置後的第一基板31的透光區37並不會遮擋第二基板34上的第二發光元件307發出的光,無需蝕刻所述第一基板31。
在一實施例中,相鄰的兩個發光層308之間間隔的空間可小於一組第一子畫素131和第二子畫素132所佔用的空間,每一個發光層308的面積大於所述透光區27的面積。在另一實施例中,相鄰的兩個發光層308之間間隔的空間與一組第一子畫素331和第二子畫素332所佔用的空間基本相當。
通過上述步驟可制得本發明第三實施例的顯示裝置300。如圖3C所示,本發明第三實施例的顯示裝置300包括:第一基板31;第二基板34;複數第一發光元件306,所述複數第一發光元件306相互間隔設置於所述第一基板31;複數第二發光元件307,所述複數第二發光元件307相互間隔設置於所述第二基板34;所述第一發光元件306、所述第一基板31、所述第二發光元件307、所述第二基板34為沿所述顯示裝置300的厚度方向依次層疊排布;沿所述顯示裝置300的厚度方向,所述複數第二發光元件307與所述複數第一發光元件306相互錯開;所述第一基板31對應所述複數第二發光元件307設置有透光區37以使所述第二發光元件307發出的光能夠穿過所述透光區37;所述第一發光元件306和所述第二發光元件307其中一者為有機發光二極體,另一者為微型發光二極體。
在本實施例中,所述第一發光元件306為Micro-LED,所述第二發光元件307為OLED。每一個第二發光元件307包括一個發光層308及設置於所述發光層308的相對兩側的陰極電極303和陽極電極304;至少兩個第二發光元件307的發光層308共用一連續的母發光層302;至少兩個第二發光元件307的陰極電極30.和陽極電極304中的一者共用一連續的導電層;所述至少兩個第二發光元件307的陰極電極303和陽極電極304中的另一者包括間隔排布的複數子電極;每一個子電極、沿所述顯示裝置300的厚度方向上與其重疊的一部分導電層和一部分母發光層302構成一個第二發光元件307。第四實施例
請參考圖4A~4F,圖4A~4F為製造本發明第四實施例的顯示裝置400的方法中不同步驟的剖面結構示意圖。在本實施例中,所述顯示裝置400包括OLED和Micro-LED,為一種複合式的顯示裝置。所述顯示裝置400的製造方法包括:
步驟一:如圖4A所示,提供第一承載基板48及第一基板41,以所述第一承載基板48支撐所述第一基板41,在所述第一基板41上形成相互間隔的複數第一發光元件406,所述第一發光元件406為OLED。
在本實施例中,每一個第一發光元件406定義一個子畫素,所述複數第一發光元件406在第一基板41上定義了第一畫素陣列。
在本實施例中,所述第一畫素陣列包括複數第一子畫素431和複數第二子畫素432,所述第一子畫素431和所述第二子畫素432的發光顏色不同,例如分別發紅光和綠光。
所述第一基板41上還形成有複數第一薄膜電晶體42,所述複數第一薄膜電晶體42位於所述第一基板41與所述複數第一發光元件406之間,所述複數第一薄膜電晶體42用於控制所述第一發光元件406。
在本實施例中,所述第一基板41為柔性基板,所述第一承載基板48為硬質基板,所述第一承載基板48用於支撐所述第一基板41。
在本實施例中,所述第一基板41定義有透光區47,所述複數第一薄膜電晶體42、複數第一發光元件406以及或者其他設置在第一基板41上的元件避開所述透光區47設置,避免遮擋所述透光區47。所述第一基板41的透光率並不受限制。
在本實施例中,每一第一子畫素431和與其鄰近的第二子畫素432定義為一組,每一個透光區47位於兩個相鄰的組之間。
步驟二:如圖4B所示,提供第二承載基板49及第二基板44,在所述第二基板44上形成相互間隔的複數第二發光元件407,所述第二發光元件407為Micro-LED。
在本實施例中,所述第二基板44為柔性基板,所述第二承載基板49為硬質基板,所述第二承載基板49用於支撐所述第二基板44。
在本實施例中,所述第一基板41和所述第二基板44為聚醯亞胺薄膜(PI film),所述第一承載基板48和所述第二承載基板49的材料為玻璃(glass)。
在本實施例中,每一個第二發光元件407定義一個子畫素,所述複數第二發光元件407在第二基板14上定義了第二畫素陣列。
在本實施例中,所述第二畫素陣列包括複數第三子畫素433,所述第三子畫素433發藍光。
所述第二基板44上還形成有複數第二薄膜電晶體45,所述複數第二薄膜電晶體45位於所述第二基板44與所述複數第二發光元件407之間,所述複數第二薄膜電晶體45用於控制所述第二發光元件407。
在本實施例中,所述複數第三子畫素433相互獨立。在一實施例中,相鄰的兩個第三子畫素433之間間隔的空間小於一組第一子畫素431和第二子畫素432所佔用的空間,每一個第三子畫素433的面積大於所述透光區47的面積,避免後續組裝過程中,第一基板41與第二基板44的位置出現偏差,影響從所述第三子畫素與透光區47的重疊面積。在另一實施例中,相鄰的兩個第三子畫素433之間間隔的空間對應一組第一子畫素431和第二子畫素432,相鄰的兩個第三子畫素433之間間隔的空間可與一組第一子畫素431和第二子畫素432所佔用的空間基本相當。
可理解的,在其他實施例中,所述第一發光元件406可為Micro-LED,所述第二發光元件407可為OLED。
步驟三:如圖4C所示,剝離(lift off)所述第一承載基板48。
在本實施例中,剝離的方式可採用機械式剝離,亦可採用鐳射剝離(Laser lift-off,LLO),從第一承載基板48側使鐳射穿透至第一承載基板48與第一基板41的介面,使介面處的材料處於熔融狀態,第一承載基板48將更容易被剝離。
步驟四:如圖4D所示,將所述第一基板41層疊於所述第二基板44上,使複數第一發光元件406、所述第一基板41、所述第二發光元件407、所述第二基板44為沿所述第一基板41和第二基板44的厚度方向依次排布;沿所述顯示裝置400的厚度方向,所述第二發光元件407與所述複數第一發光元件406相互錯開。
在本實施例中,所述第二發光元件407與第一基板41的透光區47在垂直於所述顯示裝置400的厚度方向上的投影至少部分重疊。
步驟五:如圖4E所示,蝕刻所述第一基板41的透光區47,形成貫穿所述第一基板41的開口46以實現所述透光區47的透光。
在本實施例中,蝕刻所述第一基板41對應第二發光元件407的位置,形成複數貫穿所述第一基板11的開口46,使第二發光元件407發出的光能夠透過所述開口46。
步驟六:如圖4F所示,剝離所述第二承載基板49。
在本實施例中,上述步驟,在製程中以硬質的第一承載基板48和第二承載基板49支撐柔性的所述第一基板41和第二基板44,之後再移除第一承載基板48和第二承載基板49,從而得到柔性的顯示裝置400。
如圖4F所示,本發明第四實施例的顯示裝置400包括:第一基板41;第二基板44;複數第一發光元件406,所述複數第一發光元件406相互間隔設置於所述第一基板41;複數第二發光元件407,所述複數第二發光元件407相互間隔設置於所述第二基板44;所述第一發光元件406、所述第一基板41、所述第二發光元件407、所述第二基板44為沿所述顯示裝置400的厚度方向依次層疊排布;沿所述顯示裝置400的厚度方向,所述複數第二發光元件407與所述複數第一發光元件406相互錯開;所述第一基板41對應所述複數第二發光元件407設置有透光區47以使所述第二發光元件407發出的光能夠穿過所述透光區47;所述第一發光元件406和所述第二發光元件407其中一者為有機發光二極體,另一者為微型發光二極體。
在本實施例中,所述第一發光元件406為OLED,所述第二發光元件407為Micro-LED。所述第一基板41設置有貫穿所述第一基板11的開口46以形成所述透光區47,所述第一基板41和所述第二基板44均為柔性的基板。
以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非限制,儘管參照較佳實施對本發明進行了詳細說明,本領域的普通技術人員應當理解,可對本發明的技術方案進行修改或等同替換,而不脫離本發明技術方案的精神和範圍。
100、200、300、400‧‧‧顯示裝置
11、21、31、41‧‧‧第一基板
12、22、32、42‧‧‧第一薄膜電晶體
106、206、306、406‧‧‧第一發光元件
13‧‧‧畫素單元
131、231、331、431‧‧‧第一子畫素
132、232、332、432‧‧‧第二子畫素
17、27、37、47‧‧‧透光區
14、24、34、44‧‧‧第二基板
15、25、35、45‧‧‧第二薄膜電晶體
107、207、307、407‧‧‧第二發光元件
133、233、333、433‧‧‧第三子畫素
302‧‧‧母發光層
103、303‧‧‧陰極電極
104、304‧‧‧陽極電極
108、308‧‧‧發光層
48‧‧‧第一承載基板
49‧‧‧第二承載基板
圖1A~1E為製造本發明第一實施例的顯示裝置的方法中不同步驟的剖面結構示意圖。
圖2A~2C為製造本發明第二實施例的顯示裝置的方法中不同步驟的剖面結構示意圖。
圖3A~3C為製造本發明第三實施例的顯示裝置的方法中不同步驟的剖面結構示意圖。
圖4A~4F為製造本發明第四實施例的顯示裝置的方法中不同步驟的剖面結構示意圖。
Claims (10)
- 一種顯示裝置,其包括: 第一基板; 第二基板; 複數第一發光元件,其相互間隔設置於所述第一基板; 複數第二發光元件,其相互間隔設置於所述第二基板; 其改良在於: 所述第一發光元件、所述第一基板、所述第二發光元件、所述第二基板為沿所述顯示裝置的厚度方向依次層疊排布;沿所述顯示裝置的厚度方向,所述複數第二發光元件與所述複數第一發光元件相互錯開;所述第一基板對應所述複數第二發光元件設置有透光區以使所述第二發光元件發出的光能夠穿過所述透光區; 所述第一發光元件和所述第二發光元件其中一者為有機發光二極體,另一者為微型發光二極體。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中:所述第一基板設置有貫穿所述第一基板的開口以形成所述透光區。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中:所述第一基板為透明的基板以形成所述透光區。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中:所述第二發光元件為有機發光二極體,每一個第二發光元件包括一個發光層及設置於所述發光層的相對兩側的陰極電極和陽極電極; 至少兩個第二發光元件的發光層共用一連續的母發光層; 至少兩個第二發光元件的陰極電極和陽極電極中的一者共用一連續的導電層; 所述至少兩個第二發光元件的陰極電極和陽極電極中的另一者包括間隔排布的複數子電極; 每一個子電極、沿所述顯示裝置的厚度方向上與其重疊的一部分導電層和一部分母發光層構成一個第二發光元件。
- 一種顯示裝置的製造方法,包括: 提供一第一基板,在所述第一基板上形成相互間隔的複數第一發光元件,所述第一基板設置有透光區; 提供一第二基板,在所述第二基板上形成相互間隔的複數第二發光元件, 將所述第一基板層疊於所述第二基板上,使複數第一發光元件、所述第一基板、所述第二發光元件、所述第二基板為沿所述顯示裝置的厚度方向依次排布;沿所述顯示裝置的厚度方向,所述複數第二發光元件與所述複數第一發光元件相互錯開,所述第一基板對應所述複數第二發光元件設置有透光區以使所述第二發光元件發出的光能夠穿過所述透光區; 所述第一發光元件和所述第二發光元件其中一者為有機發光二極體,另一者為微型發光二極體。
- 如請求項5所述的顯示裝置的製造方法,其中:所述的顯示裝置的製造方法還包括:蝕刻所述第一基板形成貫穿所述第一基板的開口以形成所述透光區。
- 如請求項5所述的顯示裝置的製造方法,其中:所述第一基板為透明的基板以形成所述透光區。
- 如請求項5所述的顯示裝置的製造方法,其中:所述第二發光元件為有機發光二極體,每一個第二發光元件包括一個發光層及設置於所述發光層的相對兩側的陰極電極和陽極電極; 至少兩個第二發光元件的發光層共用一連續的母發光層; 至少兩個第二發光元件的陰極電極和陽極電極中的一者共用一連續的導電層; 所述至少兩個第二發光元件的陰極電極和陽極電極中的另一者包括間隔排布的複數子電極; 每一個子電極、沿所述顯示裝置的厚度方向上與其重疊的一部分導電層和一部分母發光層構成一個第二發光元件。
- 如請求項5所述的顯示裝置的製造方法,其中:所述第一基板和所述第二基板均為柔性的基板,所述的顯示裝置的製造方法還包括:提供第一承載基板和第二承載基板,所述第一承載基板支撐所述第一基板,所述第二承載基板支撐所述第二基板;在將所述第一基板層疊於所述第二基板上之前,剝離所述第一承載基板,之後再剝離所述第二承載基板。
- 如請求項9所述的顯示裝置的製造方法,其中:所述剝離的方式為機械式剝離或者鐳射剝離。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201762529002P | 2017-07-06 | 2017-07-06 | |
| US62/529002 | 2017-07-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201909410A true TW201909410A (zh) | 2019-03-01 |
| TWI672811B TWI672811B (zh) | 2019-09-21 |
Family
ID=64903441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107122706A TWI672811B (zh) | 2017-07-06 | 2018-06-29 | 顯示裝置及顯示裝置的製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10424622B2 (zh) |
| CN (1) | CN109216418A (zh) |
| TW (1) | TWI672811B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI709794B (zh) * | 2019-07-13 | 2020-11-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108054286B (zh) * | 2017-12-13 | 2020-03-06 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种电致发光器件、显示装置及其制作方法 |
| US11296150B2 (en) * | 2018-10-23 | 2022-04-05 | Nanosys, Inc. | Display devices with different light sources in pixel structures |
| KR102701975B1 (ko) * | 2018-12-31 | 2024-09-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 패널 및 무기 발광 다이오드를 포함하는 조명장치 |
| US11552163B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-01-10 | Vuereal Inc. | Staggered and tile stacked microdevice integration and driving |
| CN109979981B (zh) * | 2019-03-29 | 2021-05-14 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN109859646B (zh) * | 2019-03-29 | 2021-12-24 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 |
| CN110459563A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及电子设备 |
| CN110783363B (zh) * | 2019-10-31 | 2022-03-01 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示装置及电子设备 |
| CN114038874B (zh) * | 2021-07-27 | 2023-03-24 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 显示面板及显示屏 |
| CN115692396A (zh) * | 2022-11-14 | 2023-02-03 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07114350A (ja) * | 1993-10-14 | 1995-05-02 | Pioneer Electron Corp | エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置 |
| JP2003036973A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-02-07 | Pioneer Electronic Corp | カラーディスプレイパネル |
| TWI223900B (en) * | 2003-07-31 | 2004-11-11 | United Epitaxy Co Ltd | ESD protection configuration and method for light emitting diodes |
| TWI237414B (en) * | 2004-01-15 | 2005-08-01 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Electronic light emitting device and manufacture method thereof |
| JP5408842B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| JP2014072332A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 発光ダイオード実装基板の製造方法および回路基板 |
| KR20140050927A (ko) * | 2012-10-22 | 2014-04-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| CN103682159B (zh) * | 2013-12-12 | 2018-05-01 | 固安翌光科技有限公司 | 一种有机发光照明装置及其制备方法 |
| KR102175811B1 (ko) * | 2014-09-17 | 2020-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102372773B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2022-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법 |
| US9818804B2 (en) * | 2015-09-18 | 2017-11-14 | Universal Display Corporation | Hybrid display |
| CN105334624A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-02-17 | 友达光电股份有限公司 | 一种电湿润显示面板 |
-
2018
- 2018-06-26 CN CN201810672282.8A patent/CN109216418A/zh active Pending
- 2018-06-29 TW TW107122706A patent/TWI672811B/zh active
- 2018-07-04 US US16/027,325 patent/US10424622B2/en active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI709794B (zh) * | 2019-07-13 | 2020-11-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI672811B (zh) | 2019-09-21 |
| US10424622B2 (en) | 2019-09-24 |
| CN109216418A (zh) | 2019-01-15 |
| US20190013365A1 (en) | 2019-01-10 |
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