TW201907470A - 切晶帶、切晶黏晶膜、及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之課題在於提供一種於常溫擴展時及其後不易產生附黏晶膜之半導體晶片隆起的切晶帶及使用該切晶帶之切晶黏晶膜。 本發明之切晶帶具有基材、及積層於上述基材上之黏著劑層，至少一個方向之於23℃之溫度條件下進行30%延伸後1000秒後之應力緩和率為45%以上，且上述至少一個方向之於23℃之溫度條件下進行30%延伸後1000秒後之應力值為4 MPa以下。

Description

切晶帶、切晶黏晶膜、及半導體裝置之製造方法

本發明係關於一種切晶帶、切晶黏晶膜、及半導體裝置之製造方法。更詳細而言，本發明係關於一種切晶帶、使用該切晶帶之切晶黏晶膜、及使用該切晶黏晶膜之半導體裝置之製造方法。

先前，於半導體裝置之製造中，有使用切晶帶或切晶黏晶膜之情況。切晶帶具有於基材上設置有黏著劑層之形態，用於在黏著劑層上配置並固定半導體晶圓以使半導體晶圓之切割(切削)時單片化之半導體晶片不會飛散的用途(例如參照專利文獻1)。

切晶黏晶膜於切晶帶之黏著劑層上可剝離地設置有黏晶膜。於半導體裝置之製造中，於切晶黏晶膜之黏晶膜上保持半導體晶圓，切割半導體晶圓而製成單個之半導體晶片。其後，將半導體晶片與黏晶膜一起自切晶帶剝離，並將半導體晶片經由黏晶膜固著於引線框架等被接著體。

於使用切晶帶上積層有黏晶膜之切晶黏晶膜，在將半導體晶圓保持於黏晶膜之情況下進行切晶之情形時，必須將黏晶膜與半導體晶圓同時切斷。然而，於使用鑽石刀片之一般之切晶方法中，擔憂因切晶時所產生之熱之影響而導致黏晶膜與切晶帶黏連、因產生切削碎屑而導致半導體晶片彼此固著、及切削碎屑附著於半導體晶片側面等，故而必須延緩切斷速度，而導致成本上升。

於是，近年來，提出如下方法：藉由於半導體晶圓之正面形成槽，其後進行背面研削，從而獲得單個之半導體晶片(有時稱為「DBG(Dicing Before Grinding，先切割後研磨)」)(例如參照專利文獻2)；藉由對半導體晶圓上之分割預定線照射雷射光形成改質區域，從而可按分割預定線容易地分割半導體晶圓後，將該半導體晶圓貼附於切晶黏晶膜，其後，藉由於低溫下(例如-25～0℃)對切晶帶進行擴展(以下有時稱為「冷擴展」)而使半導體晶圓與黏晶膜一起被割斷，從而獲得單個之半導體晶片(附黏晶膜之半導體晶片)(例如參照專利文獻3)。此即稱為所謂隱形切割(註冊商標)之方法。又，於DBG中亦已知如下方法：將所獲得之單個之半導體晶片貼附於切晶黏晶膜，其後藉由對切晶帶進行冷擴展而割斷黏晶膜，從而獲得單個之附黏晶膜之半導體晶片。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2011-216563號公報 [專利文獻2]日本專利特開2003-007649號公報 [專利文獻3]日本專利特開2009-164556號公報

[發明所欲解決之問題]

於DBG或隱形切割等中，於割斷黏晶膜後，對切晶黏晶膜於常溫附近進行擴展(以下有時稱為「常溫擴展」)而擴大相鄰之單個之附黏晶膜之半導體晶片彼此之間隔，其後使半導體晶片之外周部分熱收縮(以下有時稱為「熱縮」)而將半導體晶片彼此之間隔於保持擴大之情況下進行固定，藉此可容易地拾取獲得之單個之附黏晶膜之半導體晶片。

近年來，由於半導體之高容量化之需求，電路層之多層化、或矽層之薄層化正不斷發展。然而，由於電路層之多層化，故而電路層之厚度(總厚度)增加，因此有電路層所包含之樹脂之比率增加之傾向，由此，多層化之電路層與薄層化之矽層之線膨脹率之差變明顯，半導體晶片容易翹曲。因此，特別是切晶後獲得之附黏晶膜之電路層經多層化之半導體晶片容易於切晶帶之黏著劑層與黏晶膜之界面在常溫擴展時及其後(例如至拾取前之間等)產生隆起(剝離)。

本發明係鑒於上述問題而成者，其目的在於提供一種常溫擴展時及其後不易產生附黏晶膜之半導體晶片之隆起的切晶帶、使用該切晶帶之切晶黏晶膜、及使用該切晶黏晶膜之半導體裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段]

本發明者等人為了達成上述目的而進行了銳意研究，結果發現：若使用常溫下進行30%延伸後經時後之應力緩和率為特定值以上，且上述經時後之應力值為特定值以下的切晶帶，則於常溫擴展時及其後，即便於使用電路層經多層化之半導體晶片之情形時，亦不易產生隆起。本發明係鑒於該等見解而完成者。

即，本發明提供一種切晶帶，其具有基材及積層於上述基材上之黏著劑層，至少一個方向之於23℃之溫度條件下進行30%延伸後1000秒後之應力緩和率為45%以上，且上述至少一個方向之於23℃之溫度條件下進行30%延伸後1000秒後之應力值為4 MPa以下。

於對切晶帶進行常溫擴展時，於切晶帶產生應力。產生之應力其後擴散並消失，但通常消失前花費長時間，故而長時間殘存於切晶帶中。本發明者等人獲得如下見解：因如此產生及殘存之應力施加於切晶帶上之經單片化之附黏晶膜之半導體晶片之底面(特別是其端部)，故而於常溫擴展時或其後會產生附黏晶膜之半導體晶片之隆起。特別是於電路層經多層化之半導體晶片之情形時，容易如上所述產生翹曲，故而電路層之比率越多越容易產生附黏晶膜之半導體晶片之隆起。

然而，本發明之切晶帶藉由使至少一個方向之於23℃之溫度條件下進行30%延伸後1000秒後之應力緩和率為45%以上，且使上述至少一個方向之於23℃之溫度條件下進行30%延伸後1000秒後之應力值為4 MPa以下，從而可將進行常溫擴展時產生之應力於早期減少至充分低之值，故而可於常溫擴展時及其後極力抑制施加於附黏晶膜之半導體晶片之底面之應力。藉此，未經多層化之半導體晶片自不待言，即便於使用電路層經多層化之半導體晶片之情形時，於常溫擴展時及其後亦不易產生隆起。

又，於本發明之切晶帶中，上述基材之厚度較佳為40～150 μm。藉由除了使切晶帶之應力緩和率及30%延伸1000秒後之應力值為特定之範圍內，亦使基材之厚度為上述範圍內，常溫擴展時應力容易均勻地施加於附黏晶膜之半導體晶片，應力不易偏移地產生及殘存，因此進一步不易於常溫擴展時及其後產生附黏晶膜之半導體晶片之隆起。

又，本發明之切晶帶於積層於上述切晶帶中之上述黏著劑層上的黏晶膜之初期彈性模數較高之情形時，上述至少一個方向之於23℃之溫度條件下進行30%延伸時之應力值較佳為5 MPa以上。於該情形時，於冷擴展時更容易割斷半導體晶圓或黏晶膜。

又，本發明之切晶帶於積層於上述切晶帶中之上述黏著劑層上的黏晶膜之初期彈性模數較高之情形時，上述至少一個方向之於23℃之溫度條件下進行30%延伸時之應力值與上述至少一個方向之於23℃之溫度條件下進行30%延伸後1000秒後之應力值之差較佳為5 MPa以上。於該情形時，進行常溫擴展時產生之應力於早期減少，因此可於常溫擴展時及其後極力抑制施加於附黏晶膜之半導體晶片之底面之應力，即便於使用電路層經多層化之半導體晶片之情形時，亦進一步不易於常溫擴展時及其後產生隆起。

又，本發明提供一種切晶黏晶膜，其具有上述切晶帶及積層於上述切晶帶中之上述黏著劑層上之黏晶膜，上述黏晶膜係藉由施加拉伸應力而割斷並使用。此種本發明之切晶黏晶膜可藉由冷擴展而割斷黏晶膜，且於常溫擴展時產生之應力於早期減少至充分低之值，因此可於常溫擴展時及其後極力抑制施加於附黏晶膜之半導體晶片之底面之應力。藉此，切晶黏晶膜可藉由冷擴展而割斷黏晶膜，且未經多層化之半導體晶片自不待言，即便於使用電路層經多層化之半導體晶片之情形時，於常溫擴展時及其後亦不易產生隆起。

又，本發明提供一種半導體裝置之製造方法，其包括：步驟A，其於上述切晶黏晶膜中之上述黏晶膜側貼附包含複數個半導體晶片之半導體晶圓之分割體、或可單片化成複數個半導體晶片之半導體晶圓；步驟B，其於相對低溫之條件下，對上述切晶黏晶膜中之上述切晶帶進行擴展，至少割斷上述黏晶膜而獲得附黏晶膜之半導體晶片；步驟C，其於相對高溫之條件下對上述切晶帶進行擴展，擴大上述附黏晶膜之半導體晶片彼此之間隔；及步驟D，其拾取上述附黏晶膜之半導體晶片。根據此種本發明之半導體裝置之製造方法，由於進行常溫擴展時產生之應力於早期減少至充分低之值，故而可於常溫擴展時及其後極力抑制施加於附黏晶膜之半導體晶片底面之應力。因此，可提供一種半導體裝置之製造方法，其可藉由冷擴展而割斷黏晶膜，且未經多層化之半導體晶片自不待言，即便於使用電路層經多層化之半導體晶片之情形時，於常溫擴展時及其後亦不易產生隆起。 [發明之效果]

本發明之切晶帶於常溫擴展時及其後不易產生附黏晶膜之半導體晶片之隆起。特別是即便於使用電路層經多層化之半導體晶片之情形時亦不易產生隆起。又，使用本發明之切晶帶的切晶黏晶膜於常溫擴展時及其後不易產生積層有半導體晶片之附黏晶膜之半導體晶片之隆起。

[切晶帶] 本發明之切晶帶具有基材及積層於上述基材上之黏著劑層。以下，對本發明之切晶帶(切晶片)之一實施形態進行說明。圖1係表示本發明之切晶帶之一實施形態之剖面模式圖。

如圖1所示，切晶帶1具備基材11及積層於基材11上之黏著劑層12。

切晶帶1如上所述，至少一個方向之於23℃之溫度條件下進行30%延伸後1000秒後之應力緩和率為45%以上，較佳為50%以上，更佳為55%以上，進而較佳為60%以上。藉由使上述應力緩和率為45%以上，進行常溫擴展時產生之應力於早期減少，故而可於常溫擴展時及其後極力抑制施加於附黏晶膜之半導體晶片之底面之應力。因此，即便於使用電路層經多層化之半導體晶片之情形時，於常溫擴展時及其後亦不易產生隆起。上述應力緩和率之上限並無特別限定，由於越大則殘存應力於早期越減少，故而越不易產生附黏晶膜之半導體晶片之隆起而較佳。再者，於本說明書中，有時將上述「至少一個方向之於23℃之溫度條件下進行30%延伸後1000秒後之應力緩和率」簡稱為「應力緩和率」。

上述應力緩和率係相對於至少一個方向之於23℃之溫度條件下進行30%延伸之時點之應力值，進行30%延伸時起與1000秒後之應力值相差之減少量的比率。上述應力緩和率係藉由下述之應力緩和率之算出方法而求出。

＜應力緩和率之算出方法＞ 以基材11之至少一個方向作為長度方向，自切晶帶1切出長140 mm×寬20 mm而獲得短條狀試片。於23℃、50%RH之氛圍下，將初期夾頭間距離設為100 mm，以拉伸速度100 mm/分鐘利用拉伸試驗機使該短條狀試片延伸(伸長)至伸長率30%並停止，測定包括自停止起至1000秒後之範圍之應力值。並且，將30%延伸時之應力值(延伸停止時之應力值)設為A，將自延伸停止起1000秒後之應力值設為B，藉由下述式求出。 應力緩和率(%)＝(A－B)/A×100

切晶帶1如上所述，上述至少一個方向(即上述應力緩和率為45%以上之方向)之於23℃之溫度條件下進行30%延伸後1000秒後之應力值為4 MPa以下，較佳為3.8 MPa以下，更佳為3.5 MPa以下。上述應力值之下限為0 MPa，由於越低則殘存應力越小，更不易產生附黏晶膜之半導體晶片之隆起，故而較佳。上述應力值可於算出上述應力緩和率之過程中獲得。再者，於本說明書中，有時將至少一個方向之於23℃之溫度條件下進行30%延伸後1000秒後之應力值稱為「30%延伸1000秒後之應力值」。

再者，上述應力緩和率及上述30%延伸1000秒後之應力值只要於切晶帶1之至少一個方向上分別為上述範圍內即可。又，上述應力緩和率為上述範圍內之一個方向與上述30%延伸1000秒後之應力值為上述範圍內之一個方向係同一方向。上述至少一個方向較佳為MD(machine direction，縱向)方向。再者，切晶帶1之MD方向與基材11之MD方向為同一方向。

於後述之黏晶膜2之初期彈性模數較高之情形時，切晶帶1之上述至少一個方向(即上述應力緩和率為45%以上之方向)之於23℃之溫度條件下進行30%延伸時之應力值(上述30%延伸時之應力值)較佳為5 MPa以上，更佳為6.5 MPa以上，進而較佳為8 MPa以上，但並無特別限定。上述應力值之上限例如為30 MPa，較佳為20 MPa，更佳為15 MPa。若上述應力值為5 MPa以上，則冷擴展時更容易割斷半導體晶圓或黏晶膜。上述應力值可於算出上述應力緩和率之過程中獲得。再者，於黏晶膜2之初期彈性模數較低之情形時，上述30%延伸時之應力值亦可未達5 MPa。

於後述之黏晶膜2之初期彈性模數較高之情形，切晶帶1之上述至少一個方向(即上述應力緩和率為45%以上之方向)之上述30%延伸時之應力值與上述30%延伸1000秒後之應力值之差[(30%延伸時之應力值)－(30%延伸1000秒後之應力值)]較佳為5 MPa以上，更佳為5.5 MPa以上，進而較佳為6 MPa以上，但並無特別限定。若上述應力值之差為5 MPa以上，則進行常溫擴展時產生之應力於早期減少，故而可於常溫擴展時及其後極力抑制施加於附黏晶膜之半導體晶片底面之應力，即便於使用電路層經多層化之半導體晶片之情形時，亦更不易於常溫擴展時及其後產生隆起。上述應力值之差之上限並無特別限定，由於越大則殘存應力於早期越減少，故而越不易產生附黏晶膜之半導體晶片之隆起而較佳，例如可為20 MPa、15 MPa、10 MPa。再者，於黏晶膜2之初期彈性模數較低之情形時，上述應力值之差可未達5 MPa。

切晶帶1之至少一個方向(較佳為上述應力緩和率為45%以上之方向)之於0℃以下之至少1點之溫度條件下進行100%延伸時之拉伸強度較佳為10 N/10 mm以上，更佳為12 N/10 mm以上，但並無特別限定。若上述拉伸強度為10 N/10 mm以上，則冷擴展時施加之應力有效地傳遞至半導體晶圓之改質區域或黏晶膜被割斷之部分，割斷面容易變得更均勻，且可於常溫擴展時及其後更不易產生附黏晶膜之半導體晶片之隆起。

切晶帶1較佳為於至少一個方向(較佳為上述應力緩和率為45%以上之方向)具有熱收縮性，但並無特別限定。於切晶帶1具有熱收縮性之情形時，可於常溫擴展時使半導體晶圓之外周部分熱縮，藉此，可將經單片化之附黏晶膜之半導體晶片彼此之間隔於擴大之狀態下固定，故而可容易地進行半導體晶片之拾取。

(基材) 基材11係於切晶帶1或後述之切晶黏晶膜3中發揮作為支持體之功能之要素。上述基材11只要切晶帶1之上述應力緩和率及上述30%延伸1000秒後之應力值成為特定之範圍內，則並無特別限定。作為上述基材11，例如可列舉塑膠基材(特別是塑膠膜)。上述基材11可為單層，亦可為同種或異種基材之積層體。

作為構成上述塑膠基材之樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離子聚合物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等聚烯烴樹脂；聚胺基甲酸酯；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯；聚碳酸酯；聚醯亞胺；聚醚醚酮；聚醚醯亞胺；芳香族聚醯胺、全芳香族聚醯胺等聚醯胺；聚苯硫醚；氟樹脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；纖維素樹脂；聚矽氧樹脂等。上述樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。於黏著劑層12如下文所述為放射線硬化型之情形時，基材11較佳為具有放射線透過性。

於基材11為塑膠膜之情形時，上述塑膠膜可未經配向，亦可向至少一個方向(單軸方向、雙軸方向等)配向。於向至少一個方向配向之情形時，塑膠膜能夠向該至少一個方向熱收縮。若具有熱收縮性，則能夠使切晶帶1之半導體晶圓之外周部分熱縮，藉此可將單片化之附黏晶膜之半導體晶片彼此之間隔於擴大之狀態下固定，故而可容易地進行半導體晶片之拾取。為了使基材11及切晶帶1具有各向同性之熱收縮性，基材11較佳為雙軸配向膜。再者，上述向至少一個方向配向之塑膠膜可藉由對未經延伸之塑膠膜向該至少一個方向進行延伸(單軸延伸、雙軸延伸等)而獲得。基材11及切晶帶1之於加熱溫度100℃及加熱時間處理60秒之條件下進行之加熱處理試驗中之熱收縮率較佳為1～30%，更佳為2～25%，進而較佳為3～20%，尤佳為5～20%。上述熱收縮率較佳為MD方向及TD(tranverse direction，橫向)方向之至少一個方向之熱收縮率。

基材11之黏著劑層12側表面亦可以提高與黏著劑層12之密接性、保持性等為目的而實施例如電暈放電處理、電漿處理、磨砂加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、電離輻射處理等物理性處理；鉻酸處理等化學性處理；利用塗佈劑(底塗劑)之易接著處理等表面處理。又，為了賦予抗靜電能力，亦可將包含金屬、合金、該等之氧化物等之導電性蒸鍍層設置於基材11表面。

基材11之上述至少一個方向(即切晶帶1之應力緩和率為45%以上之方向)之於23℃之溫度條件下進行30%延伸後1000秒後之應力緩和率較佳為45%以上，更佳為50%以上，進而較佳為55%以上，尤佳為60%以上，但並無特別限定。若上述基材11之應力緩和率為45%以上，則容易將切晶帶1之應力緩和率設為45%以上，更不易於常溫擴展時及其後產生附黏晶膜之半導體晶片之隆起。上述基材11之應力緩和率之上限並無特別限定，由於越大則切晶帶1之殘存應力於早期越減少，故而更不易產生附黏晶膜之半導體晶片之隆起而較佳。再者，上述基材11之應力緩和率可以與上述切晶帶1之應力緩和率同樣之方式，使用基材11代替切晶帶1測定應力值而算出。

基材11之上述至少一個方向(即切晶帶1之應力緩和率為45%以上之方向)之於23℃之溫度條件下進行30%延伸後1000秒後之應力值較佳為4 MPa以下，更佳為3.8 MPa以下，進而較佳為3.5 MPa以下，但並無特別限定。若上述應力值為4 MPa以下，則容易將切晶帶1之30%延伸後之應力值設為4 MPa以下，更不易於常溫擴展時及其後產生附黏晶膜之半導體晶片之隆起。上述應力值之下限為0 MPa，由於越低則切晶帶1之殘存應力越小，越不易產生附黏晶膜之半導體晶片之隆起，故而較佳。上述應力值可於算出上述基材11之應力緩和率之過程中獲得。

於後述之黏晶膜2之初期彈性模數較高之情形時，基材11之上述至少一個方向(即切晶帶1之應力緩和率為45%以上之方向)之於23℃之溫度條件下進行30%延伸時之應力值(30%延伸時之應力值)較佳為5 MPa以上，更佳為6.5 MPa以上，進而較佳為8 MPa以上，但並無特別限定。上述應力值之上限例如為30 MPa，較佳為20 MPa，更佳為15 MPa。若上述應力值為5 MPa以上，則容易將切晶帶1之30%延伸時之應力值設為5 MPa以上，於冷擴展時更容易割斷半導體晶圓或黏晶膜。上述應力值可於算出上述基材11之應力緩和率之過程中獲得。再者，於黏晶膜2之初期彈性模數較低之情形時，上述應力值亦可未達5 MPa。

於後述之黏晶膜2之初期彈性模數較高之情形時，基材11之上述至少一個方向(即切晶帶1之應力緩和率為45%以上之方向)之上述基材11之30%延伸時之應力值與上述基材11之30%延伸1000秒後之應力值之差[(30%延伸時之應力值)－(30%延伸1000秒後之應力值)]較佳為5 MPa以上，更佳為5.5 MPa以上，進而較佳為6 MPa以上，但並無特別限定。若上述應力值之差為5 MPa以上，則容易將切晶帶1之上述應力值之差設為5 MPa以上，進行常溫擴展時產生之應力於早期減少，故而可於常溫擴展時及其後極力抑制施加於附黏晶膜之半導體晶片底面之應力，即便於使用電路層經多層化之半導體晶片之情形時，亦更不易於常溫擴展時及其後產生隆起。上述應力值之差之上限並無特別限定，由於越大則殘存應力於早期越減少，故而越不易產生附黏晶膜之半導體晶片之隆起而較佳，例如可為20 MPa、15 MPa、10 MPa。再者，於黏晶膜2之初期彈性模數較低之情形時，上述應力值之差亦可未達5 MPa。

基材11之厚度並無特別限定，例如為5 μm以上，較佳為40 μm以上，更佳為50 μm以上，進而較佳為55 μm以上，尤佳為60 μm以上。上述厚度之上限例如為200 μm，較佳為180 μm，更佳為150 μm。若除了切晶帶1之上述應力緩和率及上述30%延伸1000秒後之應力值為特定之範圍內，基材11之厚度亦為上述範圍內，則常溫擴展時應力容易均勻地施加於附黏晶膜之半導體晶片，應力不易偏移地產生及殘存，故而於常溫擴展時及其後更不易產生附黏晶膜之半導體晶片之隆起。

(黏著劑層) 只要切晶帶1之上述應力緩和率及上述30%延伸1000秒後之應力值成為特定之範圍內，則黏著劑層12並無特別限定，可使用公知或慣用之黏著劑層。

黏著劑層12之23℃之溫度條件下之拉伸儲存彈性模數(有時稱為「拉伸儲存彈性模數(23℃)」)較佳為1～100 MPa，更佳為2～30 MPa，但並無特別限定。若上述拉伸儲存彈性模數為1 MPa以上，則於拾取時可更容易地拾取附黏晶膜之半導體晶片。若上述拉伸儲存彈性模數為100 MPa以下，則可於冷擴展之後至拾取之間使附黏晶膜之半導體晶片自切晶帶1之隆起更不易產生。

黏著劑層12之-15℃之溫度條件下之拉伸儲存彈性模數(有時稱為「拉伸儲存彈性模數(-15℃)」)較佳為5～500 MPa，更佳為10～200 MPa，但並無特別限定。若上述拉伸儲存彈性模數為5 MPa以上，則可於割斷半導體晶圓或黏晶膜時更有效率地將應力傳遞至黏晶膜。若上述拉伸儲存彈性模數為500 MPa以下，則於冷擴展時可使附黏晶膜之半導體晶片自切晶帶1之隆起更不易產生。

黏著劑層12之上述拉伸儲存彈性模數(23℃)與上述拉伸儲存彈性模數(-15℃)之比[(拉伸儲存彈性模數(-15℃))/(拉伸儲存彈性模數(23℃))]並無特別限定，較佳為2以上，更佳為4以上。若上述比為2以上，則可於冷擴展時進一步抑制黏晶膜自切晶帶1隆起，且於拾取時可更容易地自切晶帶1剝離附黏晶膜之半導體晶片。又，上述比越大越佳，但就拾取與割斷之容易性之平衡之觀點而言，例如為100以下。

上述拉伸儲存彈性模數(23℃)及上述拉伸儲存彈性模數(-15℃)可藉由下述拉伸儲存彈性模數之測定方法進行測定而獲得。 ＜拉伸儲存彈性模數之測定方法＞ 將厚度200 μm、長度40 mm(測定長度)、寬度10 mm之黏著劑層作為試片，使用固體黏彈性測定裝置，以頻率1 Hz、升溫速度10℃/分鐘、初期夾頭間距離22.5 mm之條件在包含23℃及-15℃之溫度範圍內測定拉伸儲存彈性模數。讀取此時23℃及-15℃下之值，分別設為拉伸儲存彈性模數(23℃)、拉伸儲存彈性模數(-15℃)。

作為形成黏著劑層12之黏著劑，可為能夠因放射線照射或加熱等來自外部之作用而有意地降低黏著力之黏著劑(黏著力降低型黏著劑)，亦可為黏著力幾乎或完全不因來自外部之作用而降低之黏著劑(黏著力非降低型黏著劑)，可根據使用切晶黏晶膜3而單片化之半導體晶圓之單片化之方法或條件等而適當選擇。

於使用黏著力降低型黏著劑作為上述黏著劑之情形時，於切晶黏晶膜3之製造過程或使用過程中，可將黏著劑層12顯示相對較高之黏著力之狀態與顯示相對較低之黏著力之狀態區分使用。例如，於切晶黏晶膜3之製造過程中將黏晶膜2貼合於切晶帶1之黏著劑層12時、或將切晶黏晶膜3用於切晶步驟時，能夠利用黏著劑層12顯示相對較高之黏著力之狀態抑制/防止黏晶膜2等被接著體自黏著劑層12隆起，另一方面，其後，於用以自切晶黏晶膜3之切晶帶1拾取附黏晶膜之半導體晶片之拾取步驟中，能夠藉由降低黏著劑層12之黏著力而容易地進行拾取。

作為此種黏著力降低型黏著劑，例如可列舉放射線硬化型黏著劑(具有放射線硬化性之黏著劑)、加熱發泡型黏著劑等。作為形成黏著劑層12之黏著劑，可使用一種黏著力降低型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力降低型黏著劑。又，可黏著劑層12之整體由黏著力降低型黏著劑形成，亦可一部分由黏著力降低型黏著劑形成。例如，於黏著劑層12具有單層構造之情形時，可黏著劑層12之整體由黏著力降低型黏著劑形成，亦可黏著劑層12中之特定之部位(例如作為半導體晶圓之貼附對象區域的中央區域)由黏著力降低型黏著劑形成且其他部位(例如晶圓環之貼附對象區域且位於中央區域之外側之區域)由黏著力非降低型黏著劑形成。

作為上述放射線硬化型黏著劑，例如可使用藉由電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、或X射線之照射而硬化之類型之黏著劑，可尤其良好地使用藉由紫外線照射而硬化之類型之黏著劑(紫外線硬化型黏著劑)。

作為上述放射線硬化型黏著劑，例如可列舉含有丙烯酸系聚合物等基礎聚合物、及具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分的添加型之放射線硬化型黏著劑。

上述丙烯酸系聚合物係包含源自丙烯酸系單體(分子中具有(甲基)丙烯醯基之單體成分)之單體單元作為聚合物之單體單元的聚合物。上述丙烯酸系聚合物較佳為包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元作為以質量比率計最多之主要單體單元的聚合物。再者，丙烯酸系聚合物可僅使用一種，亦可使用兩種以上。又，於本說明書中，「(甲基)丙烯酸系」表示「丙烯酸系」及/或「甲基丙烯酸系」(「丙烯酸系」及「甲基丙烯酸系」中之任一者或兩者)，其他亦相同。

作為上述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等含烴基之(甲基)丙烯酸酯。作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸之甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等。作為上述(甲基)丙烯酸環烷基酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸之環戊酯、環己酯等。作為上述(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸之苯酯、苄酯。作為用於丙烯酸系聚合物之主單體的(甲基)丙烯酸酯可僅使用一種，亦可使用兩種以上。為了於黏著劑層12中適當地表現利用(甲基)丙烯酸酯所得之黏著性等基本特性，作為用以形成丙烯酸系聚合物之總單體成分中之主單體的(甲基)丙烯酸酯之比率較佳為40質量%以上，更佳為60質量%以上。

上述丙烯酸系聚合物亦可以凝集力、耐熱性等之改質為目的而包含源自可與上述(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體成分之單體單元。作為上述其他單體成分，例如可列舉含羧基之單體、酸酐單體、含羥基之單體、含縮水甘油基之單體、含磺酸基之單體、含磷酸基之單體、丙烯醯胺、丙烯腈等含官能基之單體等。作為上述含羧基之單體，例如可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等。作為上述酸酐單體，例如可列舉順丁烯二酸酐、伊康酸酐等。作為上述含羥基之單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等。作為上述含縮水甘油基之單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯等。作為上述含磺酸基之單體，例如可列舉苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等。作為上述含磷酸基之單體，例如可列舉丙烯醯基磷酸2-羥基乙酯等。上述其他單體成分可僅使用一種，亦可使用兩種以上。為了於黏著劑層12中適當地表現利用(甲基)丙烯酸酯所得之黏著性等基本特性，用以形成丙烯酸系聚合物之總單體成分中之上述其他單體成分之比率較佳為60質量%以下，更佳為40質量%以下。

上述丙烯酸系聚合物亦可為了於其聚合物骨架中形成交聯結構而包含源自可與作為主單體之(甲基)丙烯酸酯等單體成分共聚之多官能性單體之單體單元。作為上述多官能性單體，例如可列舉己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯(例如聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯)、聚酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等於分子內具有(甲基)丙烯醯基與其他反應性官能基之單體等。上述多官能性單體可僅使用一種，亦可使用兩種以上。為了於黏著劑層12中適當地表現利用(甲基)丙烯酸酯所得之黏著性等基本特性，用以形成丙烯酸系聚合物之總單體成分中之上述多官能性單體之比率較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下。

上述丙烯酸系聚合物係藉由使包含丙烯酸系單體之一種以上之單體成分進行聚合而獲得。作為聚合方法，可列舉溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等。

黏著劑層12中之上述丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為10萬以上，更佳為20萬～300萬。若數量平均分子量為10萬以上，則有黏著劑層中之低分子量物質較少之傾向，可更為抑制對黏晶膜或半導體晶圓等之污染。

上述放射線硬化型黏著劑亦可含有交聯劑。例如，於將丙烯酸系聚合物用作基礎聚合物之情形時，可使丙烯酸系聚合物交聯而更為減少黏著劑層12中之低分子量物質。作為上述交聯劑，例如可列舉多異氰酸酯化合物、環氧化合物、多元醇化合物(多酚系化合物等)、氮丙啶化合物、三聚氰胺化合物等。於使用交聯劑之情形時，其使用量相對於基礎聚合物100質量份，較佳為5質量份左右以下，更佳為0.1～5質量份。

作為上述放射線聚合性之單體成分，例如可列舉(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作為上述放射線聚合性之低聚物成分，例如可列舉胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，較佳為分子量為100～30000左右者。形成黏著劑層12之放射線硬化型黏著劑中之上述放射線硬化性之單體成分及低聚物成分之含量相對於上述基礎聚合物100質量份，例如為5～500質量份，較佳為40～150質量份左右。又，作為添加型之放射線硬化型黏著劑，例如可使用日本專利特開昭60-196956號公報所揭示者。

作為上述放射線硬化型黏著劑，亦可列舉含有於聚合物側鏈、或聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之基礎聚合物的內包型之放射線硬化型黏著劑。若使用此種內包型之放射線硬化型黏著劑，則有可抑制起因於形成之黏著劑層12內之低分子量成分之遷移而導致黏著特性之未意料之經時變化的傾向。

作為上述內包型之放射線硬化型黏著劑中含有之基礎聚合物，較佳為丙烯酸系聚合物。作為內包型之放射線硬化型黏著劑中可含有之上述丙烯酸系聚合物，可採用上述作為添加型之放射線硬化型黏著劑中含有之丙烯酸系聚合物所說明之丙烯酸系聚合物。作為向丙烯酸系聚合物導入放射線聚合性之碳-碳雙鍵之方法，例如可列舉如下方法：使包含具有第1官能基之單體成分之原料單體聚合(共聚)而獲得丙烯酸系聚合物後，使具有可與上述第1官能基反應之第2官能基及放射線聚合性之碳-碳雙鍵之化合物在維持碳-碳雙鍵之放射線聚合性不變之條件下對丙烯酸系聚合物進行縮合反應或加成反應。

作為上述第1官能基與上述第2官能基之組合，例如可列舉羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸基、異氰酸基與羥基等。該等之中，就反應追蹤之容易性之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸基之組合、異氰酸基與羥基之組合。其中，製作具有反應性較高之異氰酸基之聚合物之技術難易度較高，另一方面，就具有羥基之丙烯酸系聚合物之製作及獲取之容易性之觀點而言，較佳為上述第1官能基為羥基且上述第2官能基為異氰酸基之組合。作為該情形時之具有異氰酸基及放射線聚合性之碳-碳雙鍵之化合物，例如可列舉甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。又，作為具有羥基之丙烯酸系聚合物，可列舉包含源自上述含羥基之單體、或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯醚等醚系化合物之單體單元者。

上述放射線硬化型黏著劑較佳為含有光聚合起始劑。作為上述光聚合起始劑，例如可列舉α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫𠮿系化合物、樟腦醌、鹵代酮、醯基膦氧化物、醯基膦酸酯等。作為上述α-酮醇系化合物，例如可列舉4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等。作為上述苯乙酮系化合物，例如可列舉甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等。作為上述安息香醚系化合物，例如可列舉安息香乙醚、安息香異丙醚、大茴香偶姻甲醚等。作為上述縮酮系化合物，例如可列舉苯偶醯二甲基縮酮等。作為上述芳香族磺醯氯系化合物，例如可列舉2-萘磺醯氯等。作為上述光活性肟系化合物，例如可列舉1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等。作為上述二苯甲酮系化合物，例如可列舉二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等。作為上述9-氧硫系化合物，例如可列舉9-氧硫、2-氯9-氧硫𠮿、2-甲基9-氧硫𠮿、2,4-二甲基9-氧硫𠮿、異丙基9-氧硫𠮿、2,4-二氯9-氧硫𠮿、2,4-二乙基9-氧硫𠮿、2,4-二異丙基9-氧硫𠮿等。放射線硬化型黏著劑中之光聚合起始劑之含量相對於基礎聚合物100質量份，例如為0.05～20質量份。

上述加熱發泡型黏著劑係含有藉由加熱而發泡或膨脹之成分(發泡劑、熱膨脹性微球等)之黏著劑。作為上述發泡劑，可列舉各種無機系發泡劑或有機系發泡劑。作為上述無機系發泡劑，例如可列舉碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、亞硝酸銨、硼氫化鈉、疊氮類等。作為上述有機系發泡劑，例如可列舉三氯單氟甲烷、二氯單氟甲烷等氟氯化烷烴；偶氮雙異丁腈、偶氮二甲醯胺、偶氮二羧酸鋇等偶氮系化合物；對甲苯磺醯肼、二苯基碸-3,3'-二磺醯肼、4,4'-氧基雙(苯磺醯肼)、烯丙基雙(磺醯肼)等肼系化合物；對甲苯磺醯胺脲、4,4'-氧基雙(苯磺醯胺脲)等胺脲系化合物；5-嗎啉基-1,2,3,4-噻三唑等三唑系化合物；N,N'-二亞硝基五亞甲基四胺、N,N'-二甲基-N,N'-二亞硝基對苯二甲醯胺等N-亞硝基系化合物等。作為上述熱膨脹性微球，例如可列舉於殼內封入有利用加熱而容易地氣化並膨脹之物質之構成之微球。作為上述利用加熱而容易地氣化並膨脹之物質，例如可列舉異丁烷、丙烷、戊烷等。藉由將利用加熱而容易地氣化並膨脹之物質利用凝聚法或界面聚合法等封入至殼形成物質內，可製作熱膨脹性微球。作為上述殼形成物質，可使用表現出熱熔融性之物質、或可藉由封入物質之熱膨脹之作用而破裂之物質。作為此種物質，例如可列舉偏二氯乙烯・丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚碸等。

作為上述黏著力非降低型黏著劑，例如可列舉使關於黏著力降低型黏著劑於上文所述之放射線硬化型黏著劑預先藉由放射線照射而硬化之形態之黏著劑、或感壓型黏著劑等。作為形成黏著劑層12之黏著劑，可使用一種黏著力非降低型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力非降低型黏著劑。又，可黏著劑層12之整體由黏著力非降低型黏著劑形成，亦可一部分由黏著力非降低型黏著劑形成。例如，於黏著劑層12具有單層構造之情形時，可黏著劑層12之整體由黏著力非降低型黏著劑形成，亦可黏著劑層12中之特定之部位(例如晶圓環之貼附對象區域且位於中央區域之外側之區域)由黏著力非降低型黏著劑形成且其他部位(例如作為半導體晶圓之貼附對象區域之中央區域)由黏著力降低型黏著劑形成。又，於黏著劑層12具有積層構造之情形時，可積層構造中之全部黏著劑層由黏著力非降低型黏著劑形成，亦可積層構造中之一部分黏著層由黏著力非降低型黏著劑形成。

使放射線硬化型黏著劑預先藉由放射線照射而硬化之形態之黏著劑(經放射線照射之放射線硬化型黏著劑)即便黏著力因放射線照射而降低，亦表現出起因於含有之聚合物成分之黏著性，於切晶步驟等中能夠發揮切晶帶之黏著劑層最低限度地需要之黏著力。於使用經放射線照射之放射線硬化型黏著劑之情形時，於黏著劑層12之平面方向中，可黏著劑層12之整體由經放射線照射之放射線硬化型黏著劑形成，亦可黏著劑層12之一部分由經放射線照射之放射線硬化型黏著劑形成且其他部分由未照射放射線之放射線硬化型黏著劑形成。

作為上述感壓型黏著劑，可使用公知或慣用之感壓型之黏著劑，可良好地使用以丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑或橡膠系黏著劑。於黏著劑層12含有丙烯酸系聚合物作為感壓型黏著劑之情形時，該丙烯酸系聚合物較佳為包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元作為以質量比率計最多之主要單體單元之聚合物。作為上述丙烯酸系聚合物，例如可採用上述作為添加型之放射線硬化型黏著劑中含有之丙烯酸系聚合物而說明之丙烯酸系聚合物。

黏著劑層12或形成黏著劑層12之黏著劑除上述各成分以外，亦可調配交聯促進劑、黏著賦予劑、防老化劑、著色劑(顏料、染料等)等公知或慣用之用於黏著劑層之添加劑。作為上述著色劑，例如可列舉藉由照射放射線而著色之化合物。於含有藉由照射放射線而著色之化合物之情形時，能夠僅使經放射線照射之部分著色。上述藉由照射放射線而著色之化合物係於放射線照射前為無色或淺色，但藉由照射放射線而成為有色之化合物，例如可列舉隱色染料等。上述藉由照射放射線而著色之化合物之使用量並無特別限定，可適當選擇。

黏著劑層12之厚度並無特別限定，就防止半導體晶片切斷面之缺損與保持黏晶膜之固定之兼具性等觀點而言，較佳為1～50 μm左右，更佳為2～30 μm，進而較佳為5～25 μm。

本發明之切晶帶之一實施形態之切晶帶1例如係以如下方式製造。首先，基材11可藉由公知或慣用之製膜方法進行製膜而獲得。作為上述製膜方法，例如可列舉壓延製膜法、有機溶劑中之流延法、密閉系統中之吹脹擠出法、T模擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。

其次，可於基材11上塗佈包含形成黏著劑層12之黏著劑及溶劑等之形成黏著劑層之組合物(黏著劑組合物)而形成塗佈膜後，視需要藉由脫溶劑或硬化等使該塗佈膜固化而形成黏著劑層12。作為上述塗佈之方法，例如可列舉輥塗、絲網塗佈、凹版塗佈等公知或慣用之塗佈方法。又，作為脫溶劑條件，例如可於溫度80～150℃、時間0.5～5分鐘之範圍內進行。又，亦可於隔離膜上塗佈黏著劑組合物而形成塗佈膜後，於上述之脫溶劑條件下使塗佈膜固化而形成黏著劑層12。其後，將黏著劑層12與隔離膜一起貼合於基材11上。

於黏著劑層12為由上述放射線硬化型黏著劑形成之黏著劑層(放射線硬化型黏著劑層)之情形時，亦可於積層後述之黏晶膜2後，對黏著劑層12照射紫外線等放射線。藉由如此照射放射線，可於黏著劑層12設置由黏著力非降低型黏著劑(使放射線硬化型黏著劑預先藉由照射放射線而硬化所得之黏著劑)形成之部分。

[切晶黏晶膜] 藉由於本發明之切晶帶中之黏著劑層上積層黏晶膜，可獲得具有本發明之切晶帶與積層於本發明之切晶帶中之黏著劑層上之黏晶膜的切晶黏晶膜(有時稱為「本發明之切晶黏晶膜」)。再者，本發明之切晶黏晶膜中之黏晶膜能夠藉由施加拉伸應力而割斷，較佳為藉由施加拉伸應力而割斷並使用。

以下對本發明之切晶黏晶膜之一實施形態進行說明。圖2係表示本發明之切晶黏晶膜之一實施形態之剖面模式圖。

如圖2所示，切晶黏晶膜3具備：切晶帶1、及積層於切晶帶1中之黏著劑層12上之黏晶膜2。再者，圖2所示之黏著劑層12係放射線硬化型黏著劑層。黏著劑層12之與半導體晶圓貼附部分對應之部分12a係由黏著力非降低型黏著劑形成之區域(藉由放射線照射而增大交聯度且其黏著力降低之區域)，從而設置與其他部分12b之黏著力之差。藉此，可藉由上述部分12b經由黏晶膜2將切晶前之半導體晶圓充分地密接固定，且由於上述部分12a之密接力降低，故而黏晶膜之割斷後可容易地拾取附黏晶膜之半導體晶片。

於黏著劑層12中，上述部分12b係由黏著力降低型黏著劑形成之區域，與黏晶膜2密接而可確保切晶時之保持力。如此，放射線硬化型黏著劑層可使密接與剝離兩者之平衡良好地支持用以將半導體晶片黏晶於基板等被接著體之黏晶膜2。於圖2所示之切晶黏晶膜3之黏著劑層12中，可將晶圓環固定於上述部分12b。上述部分12a可如圖2所示設置成較黏晶膜2略小之面積，亦可設置於與黏晶膜2密接之全部區域。

再者，於本實施形態中，對切晶帶1上存在未由黏晶膜2覆蓋之上述部分12b之情形進行了說明，但本發明之切晶黏晶膜並不限定於該例，黏晶膜亦可以覆蓋切晶帶整體之方式積層於切晶帶。又，雖然切晶黏晶膜3中之黏著劑層12上設置有由經放射線照射之上述部分12a及未經放射線照射之上述部分12b，但本發明之切晶黏晶膜並不限定於該例，黏著劑層亦可未經放射線照射，或者亦可黏著劑層之所有區域經放射線照射。於對黏著劑層12進行放射線照射之情形時，放射線照射可於黏晶膜2之積層前進行，亦可於積層後進行。於切晶黏晶膜3中黏著劑層12經放射線照射之情形時，於半導體晶圓之切晶後拾取附黏晶膜之半導體晶片時，無需進行放射線照射，於半導體晶片製造時能夠削減進行放射線照射之步驟。

(黏晶膜) 黏晶膜2具有可發揮作為黏晶用之顯示熱硬化性之接著劑之功能的構成。於本實施形態中，黏晶膜2及構成黏晶膜2之接著劑可包含熱硬化性樹脂與例如作為黏合劑成分之熱塑性樹脂，亦可包含具有可與硬化劑反應而產生鍵結之熱硬化性官能基之熱塑性樹脂。於構成黏晶膜2之接著劑包含具有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之情形時，該黏著劑無需包含熱硬化性樹脂(環氧樹脂等)。黏晶膜2可具有單層構造，亦可具有多層構造。

於黏晶膜2包含熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之情形時，作為該熱硬化性樹脂，例如可列舉環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。上述熱硬化性樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。出於可能成為黏晶對象之半導體晶片之腐食原因的離子性雜質等之含量有較少之傾向之理由，作為上述熱硬化性樹脂，較佳為環氧樹脂。又，作為環氧樹脂之硬化劑，較佳為酚樹脂。

作為上述環氧樹脂，例如可列舉雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型、乙內醯脲型、異氰尿酸三縮水甘油酯型、縮水甘油胺型環氧樹脂等。其中，就富有與作為硬化劑之酚樹脂之反應性且耐熱性優異而言，較佳為酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂。

作為可用作環氧樹脂之硬化劑之酚樹脂，例如可列舉酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。作為酚醛清漆型酚樹脂，例如可列舉苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等。上述酚樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。其中，就用作作為黏晶用接著劑之環氧樹脂之硬化劑之情形時有提高該接著劑之連接可靠性之傾向之觀點而言，較佳為苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。

於黏晶膜2中，就使環氧樹脂與酚樹脂之硬化反應充分地進行之觀點而言，酚樹脂係以相對於環氧樹脂成分中之環氧基每1當量，該酚樹脂中之羥基較佳成為0.5～2.0當量、更佳成為0.8～1.2當量之量含有。

於黏晶膜2包含熱硬化性樹脂之情形時，上述熱硬化性樹脂之含有比率就於黏晶膜2中適當地表現作為熱硬化型接著劑之功能之觀點而言，相對於黏晶膜2之總質量，較佳為5～60質量%，更佳為10～50質量%。

作為上述熱塑性樹脂，例如可列舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)或PBT(polybutylene terephthalate，聚對苯二甲酸丁二酯)等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂等。上述熱塑性樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。作為上述熱塑性樹脂，出於因離子性雜質較少且耐熱性較高故而容易確保利用黏晶膜2所得之接合可靠性之理由，較佳為丙烯酸系樹脂。

上述丙烯酸系樹脂較佳為包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元作為以質量比率計最多之主要單體單元之聚合物。作為該(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉上述作為形成添加型之放射線硬化型黏著劑中可含有之丙烯酸系聚合物之(甲基)丙烯酸酯而例示的(甲基)丙烯酸酯。上述丙烯酸系樹脂亦可包含源自可與(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體成分之單體單元。作為上述其他單體成分，例如可列舉含羧基之單體、酸酐單體、含羥基之單體、含縮水甘油基之單體、含磺酸基之單體、含磷酸基之單體、丙烯醯胺、丙烯腈等含官能基之單體、或各種多官能性單體等，具體而言，可使用上述作為構成黏著劑層12形成用之放射線硬化型黏著劑中可含有之丙烯酸系聚合物之其他單體成分而例示者。就於黏晶膜2中實現較高之凝集力之觀點而言，上述丙烯酸系樹脂較佳為(甲基)丙烯酸酯(特別是烷基之碳數為4以下之(甲基)丙烯酸烷基酯)、含羧基之單體、含氮原子之單體、及多官能性單體(特別是聚縮水甘油系多官能單體)之共聚物，更佳為丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯腈、及聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯之共聚物。

於黏晶膜2包含具有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之情形時，作為該熱塑性樹脂，例如可使用含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂。該含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之丙烯酸系樹脂較佳為包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元作為以質量比率計最多之主要單體單元。作為該(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉上述作為形成添加型之放射線硬化型黏著劑中可含有之丙烯酸系聚合物之(甲基)丙烯酸酯所例示的(甲基)丙烯酸酯。另一方面，作為含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基，例如可列舉縮水甘油基、羧基、羥基、異氰酸基等。其中，較佳為縮水甘油基、羧基。即，作為含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂，尤佳為含縮水甘油基之丙烯酸系樹脂、含羧基之丙烯酸系樹脂。又，較佳為包含含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂以及硬化劑，作為該硬化劑，例如可列舉上述作為黏著劑層12形成用之放射線硬化型黏著劑中可含有之交聯劑所例示者。於含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基為縮水甘油基之情形時，作為硬化劑，較佳為使用多酚系化合物，例如可使用上述各種酚樹脂。

關於為了黏晶而進行硬化前之黏晶膜2，為了實現某種程度之交聯度，例如較佳為將可與黏晶膜2中可包含之上述樹脂之分子鏈末端之官能基等反應而鍵結之多官能性化合物作為交聯成分預先調配於黏晶膜形成用樹脂組合物中。此種構成就可對黏晶膜2提高高溫下之接著特性之觀點、以及謀求耐熱性之改善之觀點而言較佳。作為上述交聯成分，例如可列舉多異氰酸酯化合物。作為多異氰酸酯化合物，例如可列舉甲伸苯基二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯之加成物等。黏晶膜形成用樹脂組合物中之交聯成分之含量相對於具有可與該交聯成分反應而鍵結之上述官能基之樹脂100質量份，就提高形成之黏晶膜2之凝集力之觀點而言，較佳為0.05質量份以上，就提高形成之黏晶膜2之接著力之觀點而言，較佳為7質量份以下。又，作為上述交聯成分，亦可將環氧樹脂等其他多官能性化合物與多異氰酸酯化合物併用。

黏晶膜2亦可含有填料。藉由向黏晶膜2中調配填料，可調整黏晶膜2之導電性、或導熱性、彈性模數等物性。作為填料，可列舉無機填料及有機填料，尤佳為無機填料。作為無機填料，例如可列舉氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、晶質二氧化矽、非晶質二氧化矽，此外可列舉鋁、金、銀、銅、鎳等金屬單質、或合金、非晶碳黑、石墨等。填料可具有球狀、針狀、鱗片狀等各種形狀。作為上述填料，可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

上述填料之平均粒徑較佳為0.005～10 μm，更佳為0.005～1 μm。若上述平均粒徑為0.005 μm以上，則對半導體晶圓等被接著體之潤濕性、接著性更為提高。若上述平均粒徑為10 μm以下，則可使為了賦予上述各特性而添加之填料之效果變充分，並且確保耐熱性。再者，填料之平均粒徑例如可使用光度式之粒度分佈計(例如商品名「LA-910」，堀場製作所股份有限公司製造)求出。

黏晶膜2亦可視需要包含其他成分。作為上述其他成分，例如可列舉阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑等。作為上述阻燃劑，例如可列舉三氧化二銻、五氧化二銻、溴化環氧樹脂等。作為上述矽烷偶合劑，例如可列舉β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。作為上述離子捕捉劑，例如可列舉水滑石類、氫氧化鉍、含水氧化銻(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-300」)、特定結構之磷酸鋯(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-100」)、矽酸鎂(例如協和化學工業股份有限公司製造之「KYOWAAD 600」)、矽酸鋁(例如協和化學工業股份有限公司製造之「KYOWAAD 700」)等。能夠與金屬離子之間形成錯合物之化合物亦可用作離子捕捉劑。作為此種化合物，例如可列舉三唑系化合物、四唑系化合物、聯吡啶系化合物。該等之中，就與金屬離子之間形成之錯合物之穩定性之觀點而言，較佳為三唑系化合物。作為此種三唑系化合物，例如可列舉1,2,3-苯并三唑、1-{N,N-雙(2-乙基己基)胺基甲基}苯并三唑、羧基苯并三唑、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3-第三丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)苯并三唑、6-(2-苯并三唑基)-4-第三辛基-6'-第三丁基-4'-甲基-2,2'-亞甲基雙苯酚、1-(2',3'-羥基丙基)苯并三唑、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并三唑、1-(2-乙基己基胺基甲基)苯并三唑、2,4-二第三戊基-6-{(H-苯并三唑-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羥基-5-第三丁基苯基)-2H-苯并三唑、C7-C9-烷基-3-[3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-(1,1-二甲基乙基)-4-羥基苯基]丙醚、3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸辛酯、3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸2-乙基己酯、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-第三丁基苯酚、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)-苯并三唑、2-(3-第三丁基-2-羥基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三丁基苯基)-5-氯-苯并三唑、2-[2-羥基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、2,2'-亞甲基雙[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、2-[2-羥基-3,5-雙(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、3-[3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-第三丁基-4-羥基苯基]丙酸甲酯等。又，氫醌化合物、或羥基蒽醌化合物、多酚化合物等特定之含羥基之化合物亦可用作離子捕捉劑。作為此種含羥基之化合物，具體而言可列舉1,2-苯二酚、茜素、蒽絳酚、單寧、沒食子酸、沒食子酸甲酯、鄰苯三酚等。上述其他添加劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。

黏晶膜2之厚度(積層體之情形時為總厚度)並無特別限定，例如為1～200 μm。上限較佳為100 μm，更佳為80 μm。下限較佳為3 μm，更佳為5 μm。

黏晶膜2之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為0℃以上，更佳為10℃以上。若上述玻璃轉移溫度為0℃以上，則可藉由冷擴展容易地割斷黏晶膜2。黏晶膜2之玻璃轉移溫度之上限例如為100℃。

黏晶膜2之拉伸儲存彈性模數(23℃)較佳為5～3000 MPa，更佳為10～1000 MPa，但並無特別限定。若上述拉伸儲存彈性模數為5 MPa以上，則於拾取時可更容易地拾取附黏晶膜2之半導體晶片。若上述拉伸儲存彈性模數為3000 MPa以下，則於冷擴展後至拾取之間可使黏晶膜2自切晶帶1之隆起更不易產生。

黏晶膜2之拉伸儲存彈性模數(-15℃)較佳為1～10 GPa，更佳為2～5 GPa，但並無特別限定。若上述拉伸儲存彈性模數為1 GPa以上，則可藉由冷擴展更容易地割斷黏晶膜2。若上述拉伸儲存彈性模數為10 GPa以下，則冷擴展時更不易產生黏晶膜2自切晶帶1之隆起。

黏晶膜2之上述拉伸儲存彈性模數(23℃)與上述拉伸儲存彈性模數 (-15℃)之比[(拉伸儲存彈性模數(-15℃))/(拉伸儲存彈性模數(23℃))]並無特別限定，較佳為2以上，更佳為30以上。若上述比為2以上，則於冷擴展時可更為抑制黏晶膜2自切晶帶1隆起，且於拾取時可更容易地自切晶帶1剝離附黏晶膜2之半導體晶片。又，上述比雖然越大越佳，但就拾取與割斷之容易性之平衡之觀點而言，例如為300以下。

再者，黏晶膜2之上述拉伸儲存彈性模數(23℃)及上述拉伸儲存彈性模數(-15℃)例如可除使用黏晶膜代替黏著劑層以外，以與上述黏著劑層12之拉伸儲存彈性模數(23℃)及拉伸儲存彈性模數(-15℃)相同之方式進行測定。

黏晶膜2可列舉如圖2所示由單層之黏晶膜構成者。再者，於本說明書中，所謂單層，係指由同一組成構成之層，包含積層複數層由同一組成構成之層之形態者。但本發明之切晶黏晶膜中之黏晶膜並不限定於該例，例如亦可為積層組成不同之兩種以上之接著膜之形態之多層構造。

切晶黏晶膜3之黏著劑層12與黏晶膜2之間於0℃下之剝離力較佳為0.15～5 N/100 mm，更佳為0.20～1 N/100 mm，但並無特別限定。若上述剝離力為0.15 N/100 mm以上，則冷擴展時可使黏晶膜2與黏著劑層12之界面上之剝離更不易產生，結果可更為抑制割斷不良、或割斷之半導體元件飛散之不良情況之產生。若上述剝離力為5 N/100 mm以下，則可更為抑制由剝離力過高所導致之割斷不良之產生。再者，於黏著劑層12為放射線硬化型黏著劑層之情形時，較佳為放射線照射後(即由黏著力非降低型黏著劑形成之區域)之上述剝離力(例如上述部分12a中之黏著劑層12與黏晶膜2之間於0℃下之剝離力)為上述範圍內。

切晶黏晶膜3之黏著劑層12與黏晶膜2之間於23℃下之剝離力較佳為0.05～2.5 N/100 mm，更佳為0.10～1 N/100 mm，但並無特別限定。若上述剝離力為0.05 N/100 mm以上，則搬送時可使附黏晶膜之半導體晶片之隆起更不易產生。若上述剝離力為2.5 N/100 mm以下，則由於近年來薄型化之半導體晶片變得容易破裂，故而即便為此種半導體晶圓，亦可發揮良好之輕剝離性而容易地進行拾取。再者，於黏著劑層12為放射線硬化型黏著劑層之情形時，較佳為放射線照射後(即由黏著力非降低型黏著劑形成之區域)之上述剝離力(例如上述部分12a中之黏著劑層12與黏晶膜2之間於23℃下之剝離力)為上述範圍內。

本發明之切晶黏晶膜之一實施形態之切晶黏晶膜3例如係以如下方式製造。首先，製作包含樹脂、交聯劑、填料、溶劑等之形成黏晶膜2之組合物(接著劑組合物)。

其次，於隔離膜上塗佈接著劑組合物而形成塗佈膜後，視需要藉由脫溶劑或硬化等使該塗佈膜固化而形成黏晶膜2。作為塗佈方法，並無特別限定，例如可列舉輥塗、絲網塗佈、凹版塗佈等公知或慣用之塗佈方法。又，作為脫溶劑條件，例如可於溫度70～160℃、時間1～5分鐘之範圍內進行。

繼而，自切晶帶1及黏晶膜2分別剝離隔離膜，使黏晶膜2與黏著劑層12成為貼合面將兩者貼合。貼合例如可藉由壓接而進行。此時，層壓溫度並無特別限定，例如較佳為30～50℃，更佳為35～45℃。又，線壓並無特別限定，例如較佳為0.1～20 kgf/cm，更佳為1～10 kgf/cm。

如上所述，於黏著劑層12為放射線硬化型黏著劑層之情形時，於較黏晶膜2之貼合後對黏著劑層12照射紫外線等放射線時，例如自基材11側對黏著劑層12進行放射線照射，其照射量例如為50～500 mJ，較佳為100～300 mJ。

放射線照射通常係對黏著劑層12之相當於上述部分12a之部分進行。於局部地進行放射線照射而形成上述部分12a之情形時，可隔著形成了對應於上述部分12b之圖案的光罩進行。又，亦可列舉點狀地照射放射線而形成上述部分12a之方法。

可以如上所述之方式製作例如圖2所示之切晶黏晶膜3。於切晶黏晶膜3中，亦可於黏晶膜2側以至少被覆黏晶膜2之形態設置隔離膜(省略圖示)。於黏晶膜2之尺寸較切晶帶1之黏著劑層12小而於黏著劑層12中存在未被黏晶膜2貼合之區域之情形時，例如亦可以至少被覆黏晶膜2及黏著劑層12之形態設置隔離膜。隔離膜係用於以至少使黏晶膜2(例如黏晶膜2及黏著劑層12)不露出之方式進行保護之要素，於使用切晶黏晶膜3時自該膜剝。作為隔離膜，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、藉由氟系剝離劑或丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑經表面塗佈之塑膠膜或紙類等。

[半導體裝置之製造方法] 可使用本發明之切晶黏晶膜製造半導體裝置。具體而言，可藉由包含如下步驟之製造方法製造半導體裝置：於本發明之切晶黏晶膜中之上述黏晶膜側貼附包含複數個半導體晶片之半導體晶圓之分割體、或可單片化成複數個半導體晶片之半導體晶圓的步驟(有時稱為「步驟A」)；於相對低溫之條件下，擴展本發明之切晶黏晶膜中之本發明之切晶帶，至少割斷上述黏晶膜而獲得附黏晶膜之半導體晶片之步驟(有時稱為「步驟B」)；於相對高溫之條件下，擴展上述切晶帶而擴大上述附黏晶膜之半導體晶片彼此之間隔之步驟(有時稱為「步驟C」)；及拾取上述附黏晶膜之半導體晶片之步驟(有時稱為「步驟D」)。再者，有時將上述包含步驟A～D之半導體裝置之製造方法稱為「本發明之製造方法」。

(步驟A) 於步驟A中，於切晶黏晶膜3中之黏晶膜2側貼附包含複數個半導體晶片之半導體晶圓之分割體、或可單片化成複數個半導體晶片之半導體晶圓。步驟A中使用之上述包含複數個半導體晶片之半導體晶圓之分割體例如可於半導體晶圓之表面(電路層形成面或其未形成電路層之面)形成槽，其後進行背面研削(背面研磨)直至於背面出現槽而獲得。

步驟A中之一實施形態中使用之上述包含複數個半導體晶片之半導體晶圓之分割體、或可單片化成複數個半導體晶片之半導體晶圓可利用以下方式獲得。首先，如圖3(a)及圖3(b)所示，於半導體晶圓W形成分割槽30a(分割槽形成步驟)。半導體晶圓W具有第1面Wa及第2面Wb。於半導體晶圓W中之第1面Wa側已製作有各種半導體元件(省略圖示)，且該半導體元件所必需之配線構造等(省略圖示)已形成於第1面Wa上。並且，於將具有黏著面T1a之晶圓加工用膠帶T1貼合於半導體晶圓W之第2面Wb側後，於將半導體晶圓W保持於晶圓加工用膠帶T1之狀態下，使用切晶裝置等之旋轉刀片於半導體晶圓W之第1面Wa側形成特定深度之分割槽30a。分割槽30a係用以將半導體晶圓W分離成半導體晶片單位之空隙(於圖3～5中模式性地以粗線表示分割槽30a)。

其次，如圖3(c)所示，將具有黏著面T2a之晶圓加工用膠帶T2貼合於半導體晶圓W之第1面Wa側，且自半導體晶圓W剝離晶圓加工用膠帶T1。

其次，如圖3(d)所示，於將半導體晶圓W保持於晶圓加工用膠帶T2之狀態下，藉由自第2面Wb進行研削加工而將半導體晶圓W薄化至特定之厚度(晶圓薄化步驟)。研削加工可使用具備研削磨石之研削加工裝置進行。藉由該晶圓薄化步驟，於本實施形態中形成可單片化成複數個半導體晶片31之半導體晶圓30A。半導體晶圓30A具體而言，具有將該晶圓中將要單片化成複數個半導體晶片31之部位於第2面Wb側連結之部位(連結部)。半導體晶圓30A中之連結部之厚度、即半導體晶圓30A之第2面Wb與分割槽30a之第2面Wb側前端之間之距離例如為1～30 μm，較佳為3～20 μm。

其次，如圖4(a)所示，將保持於晶圓加工用膠帶T2之半導體晶圓30A貼合於切晶黏晶膜3之黏晶膜2。其後，如圖4(b)所示，自半導體晶圓30A剝離晶圓加工用膠帶T2。於切晶黏晶膜3中之黏著劑層12為放射線硬化型黏著劑層之情形時，亦可於將半導體晶圓30A貼合於黏晶膜2後，自基材11側對黏著劑層12照射紫外線等放射線而代替切晶黏晶膜3之製造過程中之上述放射線照射。照射量例如為50～500 mJ，較佳為100～300 mJ。於切晶黏晶膜3中進行作為黏著劑層12之黏著力降低措施之照射之區域(圖1所示之部分12a)例如係黏著劑層12中之黏晶膜2貼合區域內之除其周緣部以外之區域。

(步驟B) 於步驟B中，於相對低溫之條件下擴展切晶黏晶膜3中之切晶帶1，至少割斷黏晶膜2而獲得附黏晶膜之半導體晶片。

於步驟B中之一實施形態中，首先，將環狀框41貼附於切晶黏晶膜3中之切晶帶1之黏著劑層12上後，如圖5(a)所示，將附有半導體晶圓30A之該切晶黏晶膜3固定於擴展裝置之保持具42上。

其次，如圖5(b)所示進行相對低溫之條件下之第1擴展步驟(冷擴展步驟)，將半導體晶圓30A單片化成複數個半導體晶片31，並且將切晶黏晶膜3之黏晶膜2割斷成小片之黏晶膜21，獲得附黏晶膜之半導體晶片31。於冷擴展步驟中，使擴展裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶黏晶膜3之圖中下側抵接於切晶帶1並上升，使貼合有半導體晶圓30A之切晶黏晶膜3之切晶帶1以向包含半導體晶圓30A之徑向及周向之二維方向拉伸之方式擴展。該擴展係於在切晶帶1中產生15～32 MPa、較佳為20～32 MPa之範圍內之拉伸應力之條件下進行。冷擴展步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～-5℃，更佳為-15℃。冷擴展步驟中之擴展速度(使頂起構件43上升之速度)較佳為0.1～100 mm/秒。又，冷擴展步驟中之擴展量較佳為3～16 mm。

於步驟B中，於使用可單片化成複數個半導體晶片之半導體晶圓30A之情形時，於半導體晶圓30A中在薄壁而容易破裂之部位產生割斷而單片化成半導體晶片31。與此同時，於步驟B中，與被擴展之切晶帶1之黏著劑層12密接之黏晶膜2中，各半導體晶片31所密接之各區域中變形得到抑制，另一方面，於位於半導體晶片31間之分割槽之圖中垂直方向的部位，於不產生此種變形抑制作用之狀態下，產生於切晶帶1之拉伸應力發揮作用。其結果為，於黏晶膜2中位於半導體晶片31間之分割槽之垂直方向的部位被割斷。於利用擴展進行之割斷後，如圖5(c)所示，使頂起構件43下降而解除切晶帶1之擴展狀態。

(步驟C) 於步驟C中，於相對高溫之條件下，使上述切晶帶1擴展而擴大上述附黏晶膜之半導體晶片彼此之間隔。

於步驟C中之一實施形態中，首先如圖6(a)所示進行相對高溫之條件下之第2擴展步驟(常溫擴展步驟)，擴大附黏晶膜之半導體晶片31間之距離(分隔距離)。於步驟C中，使擴展裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43再次上升而使切晶黏晶膜3之切晶帶1擴展。第2擴展步驟中之溫度條件例如為10℃以上，較佳為15～30℃。第2擴展步驟中之擴展速度(使頂起構件43上升之速度)例如為0.1～10 mm/秒，較佳為0.3～1 mm/秒。又，第2擴展步驟中之擴展量例如為3～16 mm。於步驟C中將附黏晶膜之半導體晶片31之分隔距離擴大至在後述之拾取步驟中可自切晶帶1適當地拾取附黏晶膜之半導體晶片31之程度。藉由擴展而擴大分隔距離後，如圖6(b)所示，使頂起構件43下降而解除切晶帶1之擴展狀態。就抑制於擴展狀態解除後切晶帶1上之附黏晶膜之半導體晶片31之分隔距離縮窄之觀點而言，較佳為於較解除擴展狀態前，對切晶帶1中之較半導體晶片31保持區域外側之部分進行加熱而使其收縮。

於步驟C之後，可視需要具有將附有附黏晶膜之半導體晶片31之切晶帶1中之半導體晶片31側使用水等洗淨液進行洗淨之清潔步驟。

(步驟D) 於步驟D(拾取步驟)中，拾取經單片化之附黏晶膜之半導體晶片。於步驟D中之一實施形態中，視需要經過上述清潔步驟後，如圖7所示，自切晶帶1拾取附黏晶膜之半導體晶片31。例如，於切晶帶1之圖中下側使拾取機構之針構件44上升而隔著切晶帶1將拾取對象之附黏晶膜之半導體晶片31頂起後，藉由吸附治具45將其吸附保持。於拾取步驟中，針構件44之頂起速度例如為1～100 mm/秒，針構件44之頂起量例如為100～500 μm。

上述半導體裝置之製造方法亦可包含步驟A～D以外之其他步驟。例如，於一實施形態中，如圖8(a)所示，將拾取之附黏晶膜之半導體晶片31經由黏晶膜21而暫時接著於被接著體51(暫時接著步驟)。作為被接著體51，例如可列舉引線框架、TAB(Tape Automated Bonding，捲帶式自動接合)膜、配線基板、另行製作之半導體晶片等。黏晶膜21之暫時接著時之25℃下之剪切接著力相對於被接著體51較佳為0.2 MPa以上，更佳為0.2～10 MPa。黏晶膜21之上述剪切接著力為0.2 MPa以上之構成可於後述之打線接合步驟中，抑制因超音波振動或加熱而於黏晶膜21與半導體晶片31或被接著體51之接著面產生剪切變形，從而適當地進行打線接合。又，黏晶膜21之暫時接著時之175℃下之剪切接著力相對於被接著體51較佳為0.01 MPa以上，更佳為0.01～5 MPa。

其次，如圖8(b)所示，將半導體晶片31之電極墊(省略圖示)與被接著體51所具有之端子部(省略圖示)經由接合線52而電性連接(打線接合步驟)。半導體晶片31之電極墊或被接著體51之端子部與接合線52之接線可藉由伴隨加熱之超音波焊接而實現，以不使黏晶膜21熱硬化之方式進行。作為接合線52，例如可使用金線、鋁線、銅線等。打線接合中之線加熱溫度例如為80～250℃，較佳為80～220℃。又，其加熱時間為數秒～數分鐘。

其次，如圖8(c)所示，藉由用以保護被接著體51上之半導體晶片31或接合線52之密封樹脂53將半導體晶片31密封(密封步驟)。於密封步驟中，進行黏晶膜21之熱硬化。於密封步驟中，例如藉由使用模具進行之轉注成形技術形成密封樹脂53。作為密封樹脂53之構成材料，例如可使用環氧系樹脂。於密封步驟中，用以形成密封樹脂53之加熱溫度例如為165～185℃，加熱時間例如為60秒～數分鐘。於密封步驟中密封樹脂53之硬化未充分進行之情形時，於密封步驟之後進行用以使密封樹脂53完全硬化之後硬化步驟。即便於密封步驟中黏晶膜21未完全熱硬化之情形時，亦可於後硬化步驟中使黏晶膜21與密封樹脂53一起完全熱硬化。於後硬化步驟中，加熱溫度例如為165～185℃，加熱時間例如為0.5～8小時。

於上述實施形態中，如上所述，使附黏晶膜之半導體晶片31暫時接著於被接著體51後，不使黏晶膜21完全地熱硬化而進行打線接合步驟。代替此種構成，於上述半導體裝置之製造方法中，亦可使附黏晶膜之半導體晶片31暫時接著於被接著體51後，使黏晶膜21熱硬化，然後進行打線接合步驟。

於上述半導體裝置之製造方法中，作為其他實施形態，亦可代替參照圖3(d)於上文所述之晶圓薄化步驟，進行圖9所示之晶圓薄化步驟。經過參照圖3(c)於上文所述之過程後，於圖9所示之晶圓薄化步驟中，於將半導體晶圓W保持於晶圓加工用膠帶T2之狀態下，藉由自第2面Wb進行研削加工而將該晶圓薄化至特定之厚度，形成包含複數個半導體晶片31且被保持於晶圓加工用膠帶T2之半導體晶圓分割體30B。於上述晶圓薄化步驟中，可採用研削晶圓直至分割槽30a露出第2面Wb側之方法(第1方法)，亦可採用自第2面Wb側研削晶圓直至到達分割槽30a前，其後，藉由自旋轉磨石向晶圓之按壓力之作用於分割槽30a與第2面Wb之間產生裂痕而形成半導體晶圓分割體30B之方法(第2方法)。根據採用之方法，適當地決定參照圖3(a)及圖3(b)如上文所述形成之分割槽30a之距第1面Wa之深度。於圖9中，經過第1方法後之分割槽30a、或經過第2方法之分割槽30a及與其相連之裂痕係模式性地以粗線表示。於上述半導體裝置之製造方法中，於步驟A中，亦可使用作為半導體晶圓分割體之以上述方式製作之半導體晶圓分割體30B代替半導體晶圓30A，參照圖4至圖8進行上文所述之各步驟。

圖10(a)及圖10(b)表示該實施形態中之步驟B、即於將半導體晶圓分割體30B貼合於切晶黏晶膜3後進行之第1擴展步驟(冷擴展步驟)。該實施形態中之步驟B中，使擴展裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶黏晶膜3之圖中下側抵接於切晶帶1並上升，使貼合有半導體晶圓分割體30B之切晶黏晶膜3之切晶帶1以向包含半導體晶圓分割體30B之徑向及周向之二維方向拉伸之方式擴展。該擴展係於在切晶帶1中產生15～32 MPa、較佳為20～32 MPa之範圍內之拉伸應力之條件下進行。冷擴展步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～-5℃，更佳為-15℃。冷擴展步驟中之擴展速度(使頂起構件43上升之速度)較佳為1～400 mm/秒。又，冷擴展步驟中之擴展量較佳為1～300 mm。藉由此種冷擴展步驟，而將切晶黏晶膜3之黏晶膜2割斷成小片之黏晶膜21，獲得附黏晶膜之半導體晶片31。具體而言，於冷擴展步驟中，與被擴展之切晶帶1之黏著劑層12密接之黏晶膜2中，半導體晶圓分割體30B之各半導體晶片31所密接之各區域中變形得到抑制，另一方面，於位於半導體晶片31間之分割槽30a之圖中垂直方向的部位，於不產生此種變形抑制作用之狀態下，產生於切晶帶1之拉伸應力發揮作用。其結果為，於黏晶膜2中位於半導體晶片31間之分割槽30a之圖中垂直方向的部位被割斷。

於上述半導體裝置之製造方法中，作為進而其他之實施形態，亦可使用利用以下方式所製作之半導體晶圓30C代替步驟A中使用之半導體晶圓30A或半導體晶圓分割體30B。

於該實施形態中，如圖11(a)及圖11(b)所示，首先，於半導體晶圓W形成改質區域30b。半導體晶圓W具有第1面Wa及第2面Wb。於半導體晶圓W中之第1面Wa側已製作有各種半導體元件(省略圖示)，且該半導體元件所必需之配線構造等(省略圖示)已形成於第1面Wa上。並且，於將具有黏著面T3a之晶圓加工用膠帶T3貼合於半導體晶圓W之第1面Wa側後，於將半導體晶圓W保持於晶圓加工用膠帶T3之狀態下，使聚光點對準了晶圓內部之雷射光自與晶圓加工用膠帶T3相反側對半導體晶圓W沿著分割預定線進行照射，藉由利用多光子吸收之剝蝕而於半導體晶圓W內形成改質區域30b。改質區域30b係用以使半導體晶圓W分離成半導體晶片單位之脆弱化區域。關於在半導體晶圓中藉由雷射光照射而於分割預定線上形成改質區域30b之方法，例如已於日本專利特開2002-192370號公報中進行了詳細說明，但該實施形態中之雷射光照射條件係於例如以下之條件之範圍內進行適當調整。 ＜雷射光照射條件＞ (A)雷射光 雷射光源 半導體雷射激發Nd：YAG雷射 波長 1064 nm 雷射光點截面積 3.14×10^-8 cm² 振盪形態 Q開關脈衝 重複頻率 100 kHz以下 脈衝寬度 1 μs以下 輸出 1 mJ以下 雷射光品質 TEM00 偏光特性 直線偏光 (B)聚光用透鏡 倍率 100倍以下 NA 0.55 對雷射光波長之透過率 100%以下 (C)載置半導體基板之載置台之移動速度 280 mm/秒以下 再者，關於照射雷射光L而於分割預定線上形成改質區域4L之方法，已於日本專利特開2002-192370號公報等中進行了詳細說明，因此，省略此處之詳細說明。

其次，如圖11(c)所示，於將半導體晶圓W保持於晶圓加工用膠帶T3之狀態下，藉由自第2面Wb進行研削加工而將半導體晶圓W薄化至特定之厚度，藉此形成可單片化成複數個半導體晶片31之半導體晶圓30C(晶圓薄化步驟)。於上述半導體裝置之製造方法中，於步驟A中，亦可使用作為可單片化之半導體晶圓之以上述方式製作之半導體晶圓30C代替半導體晶圓30A，參照圖4至圖8進行上文所述之各步驟。

作為具體例，圖12(a)及圖12(b)表示該實施形態中之步驟B、即於將半導體晶圓30C貼合於切晶黏晶膜3後進行之第1擴展步驟(冷擴展步驟)。於冷擴展步驟中，使擴展裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶黏晶膜3之圖中下側抵接於切晶帶1並上升，將貼合有半導體晶圓30C之切晶黏晶膜3之切晶帶1以向包含半導體晶圓30C之徑向及周向之二維方向拉伸之方式擴展。該擴展係於切晶帶1中產生5～28 MPa、較佳為8～25 MPa之範圍內之拉伸應力之條件下進行。冷擴展步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～-5℃，更佳為-15℃。冷擴展步驟中之擴展速度(使頂起構件43上升之速度)較佳為1～400 mm/秒。又，冷擴展步驟中之擴展量較佳為1～300 mm。藉由此種冷擴展步驟而將切晶黏晶膜3之黏晶膜2割斷成小片之黏晶膜21，獲得附黏晶膜之半導體晶片31。具體而言，於冷擴展步驟中，於半導體晶圓30C中在脆弱之改質區域30b形成裂痕而單片化成半導體晶片31。與此同時，於冷擴展步驟中，與被擴展之切晶帶1之黏著劑層12密接之黏晶膜2中，半導體晶圓30C之各半導體晶片31所密接之各區域中變形得到抑制，另一方面，於位於晶圓之裂痕形成部位之圖中垂直方向的部位，於未產生此種變形抑制作用之狀態下，產生於切晶帶1之拉伸應力發揮作用。其結果為，於黏晶膜2中位於半導體晶片31間之裂痕形成部位之圖中垂直方向的部位被割斷。

又，於上述半導體裝置之製造方法中，切晶黏晶膜3可如上所述用於獲得附黏晶膜之半導體晶片之用途，但亦可用於用以獲得將複數個半導體晶片積層而進行三維安裝之情形時之附黏晶膜之半導體晶片的用途。於此種三維安裝中之半導體晶片31間可與黏晶膜21一起介存有間隔片，亦可不介存間隔片。 [實施例]

以下列舉實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不受該等實施例任何限定。

實施例1 (切晶帶之製作) 於具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計、及攪拌裝置之反應容器中放入丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)100質量份、丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)19質量份、過氧化苯甲醯0.4質量份、及甲苯80質量份，於氮氣氣流中在60℃下進行10小時聚合，獲得包含丙烯酸系聚合物A之溶液。 於該包含丙烯酸系聚合物A之溶液中添加異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)1.2質量份，於空氣氣流中在50℃下進行60小時加成反應，獲得包含丙烯酸系聚合物A'之溶液。 其次，相對於丙烯酸系聚合物A' 100質量份，添加多異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」、東曹股份有限公司製造)1.3質量份、及光聚合起始劑(商品名「Irgacure 184」、BASF公司製造)3質量份，製作黏著劑組合物A。 將獲得之黏著劑組合物A塗佈於PET系隔離膜之實施過聚矽氧處理之面上，以120℃加熱固化2分鐘，形成厚度10 μm之黏著劑層A。其次，於黏著劑層A之露出面貼合作為基材之聚氯乙烯膜(商品名「V9K」、Achilles股份有限公司製造、厚度100 μm)，於23℃下保存72小時，製作切晶帶A。

(黏晶膜之製作) 將下述(a)～(e)溶解於甲基乙基酮，獲得固形物成分濃度20質量%之接著劑組合物A。 (a)丙烯酸系樹脂(商品名「SG-70L」、Nagase ChemteX股份有限公司製造、玻璃轉移溫度4℃)：100質量份(固形物成分) (b)環氧樹脂(商品名「N-655-EXP-S」、DIC股份有限公司製造)：13質量份 (c)環氧樹脂(商品名「JER828」、三菱化學股份有限公司製造)：13質量份 (d)酚樹脂(商品名「MEH-7851ss」、明和化成股份有限公司製造)：119質量份 (e)球狀二氧化矽(商品名「SO-25R」、Admatechs股份有限公司製造)：222質量份

將獲得之接著劑組合物A塗佈於PET系隔離膜之實施過聚矽氧處理之面上後，以130℃加熱固化2分鐘，製作厚度(平均厚度)10 μm之黏晶膜A。

(切晶黏晶膜之製作) 自切晶帶A剝離PET系隔離膜，於露出之黏著劑層貼合黏晶膜A。貼合係使用手壓輥。其次，自切晶帶側照射300 mJ之紫外線，製作切晶黏晶膜A。

比較例1 (切晶帶之製作) 除使用EVA系膜(商品名「NED#125」、郡是股份有限公司製造、厚度125 μm)作為基材以外，以與實施例1相同之方式獲得切晶帶B。

(切晶黏晶膜之製作) 除使用切晶帶B代替切晶帶A以外，以與實施例1相同之方式製作切晶黏晶膜B。

比較例2 (切晶帶之製作) 除使用具有聚乙烯/聚丙烯/聚乙烯之3層構成之塑膠基材(商品名「DDZ」、郡是股份有限公司製造、厚度90 μm)作為基材以外，以與實施例1相同之方式獲得切晶帶C。

(切晶黏晶膜之製作) 除使用切晶帶C代替切晶帶A以外，以與實施例1相同之方式製作切晶黏晶膜C。

比較例3 (切晶帶之製作) 除使用EVA系膜(商品名「RB0104」、倉敷紡織股份有限公司製造、厚度130 μm)作為基材以外，以與實施例1相同之方式獲得切晶帶D。

(切晶黏晶膜之製作) 除使用切晶帶D代替切晶帶A以外，以與實施例1相同之方式製作切晶黏晶膜D。

＜評價＞ 對實施例及比較例中獲得之切晶帶及切晶黏晶膜進行以下之評價。將結果示於表1。

(切晶帶之拉伸應力及應力緩和率) 自實施例及比較例中獲得之切晶帶以基材之MD方向作為長度方向切出長度140 mm×寬度20 mm而獲得短條狀試片。將該短條狀試片於23℃、50%RH之氛圍下，將初期夾頭間距離設為100 mm，以拉伸速度100 mm/分鐘使用拉伸試驗機(商品名「AFX-50NX」、島津製作所股份有限公司製造)延伸(伸長)至伸長率30%後停止，測定2000秒應力值。並且，獲得延伸後停止時之應力值作為「30%延伸時之應力值」，獲得延伸停止後經過1000秒時之應力值作為「30%延伸1000秒後之應力值」。然後，將30%延伸時之應力值設為A、將30%延伸1000秒後之應力值設為B，藉由下述式求出於23℃之溫度條件下進行30%延伸後1000秒後之應力緩和率。 應力緩和率(%)＝(A－B)/A×100

(附黏晶膜之半導體晶片之隆起) 使用商品名「ML300-Integration」(東京精密股份有限公司製造)作為雷射加工裝置，使聚光點對準12英吋之半導體晶圓之內部，沿著格子狀(10 mm×10 mm)之分割預定線照射雷射光，於半導體晶圓之內部形成改質區域。雷射光之照射係於下述之條件下進行。 (A)雷射光 雷射光源 半導體雷射激發Nd：YAG雷射 波長 1064 nm 雷射光點截面積 3.14×10^-8 cm² 振盪形態 Q開關脈衝 重複頻率 100 kHz 脈衝寬度 30 ns 輸出 20 μJ/脈衝 雷射光品質 TEM00 40 偏光特性 直線偏光 (B)聚光用透鏡 倍率 50倍 NA 0.55 對雷射光波長之透過率 60% (C)載置半導體基板之載置台之移動速度 100 mm/秒

於在半導體晶圓內部形成改質區域後，於半導體晶圓之正面貼附背面研磨用保護膠帶，使用背面研磨機(商品名「DGP8760」、DISCO股份有限公司製造)以半導體晶圓之厚度成為30 μm之方式對背面進行研削。

於實施例及比較例中獲得之切晶黏晶膜貼合形成有改質區域之半導體晶圓與切晶環。然後，使用晶圓分割機(die separator)(商品名「DDS2300」、DISCO股份有限公司製造)，進行半導體晶圓及黏晶膜之割斷。具體而言，首先利用冷擴展單元，於溫度-15℃、特定之速度、特定之擴展量之條件下進行冷擴展而割斷半導體晶圓。再者，關於冷擴展時之速度(擴展速度)，實施例1為0.5 mm/秒、比較例1～3為1 mm/秒，關於擴展量，實施例1為3 mm、比較例1及2為8 mm、比較例3為4 mm。再者，冷擴展之較佳之條件(擴展速度、擴展量等)視切晶帶之種類而不同，因此於實施例及各比較例中最佳之條件下進行冷擴展。冷擴展後確認割斷及附黏晶膜之半導體晶片之隆起無問題。

於半導體晶圓及黏晶膜之割斷後，直接使用上述冷擴展單元，於室溫、擴展速度0.3 mm/秒、擴展量8 mm之條件下進行常溫擴展。然後，利用顯微鏡觀察黏晶膜自切晶帶隆起之部分之面積(將黏晶膜整體之面積設為100%時隆起之附黏晶膜之半導體晶片之面積之比率)。若無隆起或為容許範圍內，則評價為○，將明顯具有隆起之情形評價為×。將結果示於表1。再者，常溫擴展之較佳之條件(擴展速度、擴展量等)視切晶帶之種類而不同，故而於實施例及各比較例中最佳之條件下進行常溫擴展並進行評價。

[表1] (表1)

1‧‧‧切晶帶

2‧‧‧黏晶膜

3‧‧‧切晶黏晶膜

11‧‧‧基材

12‧‧‧黏著劑層

12a‧‧‧與半導體晶圓貼附部分對應之部分

12b‧‧‧其他部分

21‧‧‧黏晶膜

30a‧‧‧分割槽

30A‧‧‧半導體晶圓

30b‧‧‧改質區域

30B‧‧‧半導體晶圓分割體

30C‧‧‧半導體晶圓

31‧‧‧半導體晶片

41‧‧‧環狀框

42‧‧‧保持具

43‧‧‧頂起構件

44‧‧‧針構件

45‧‧‧吸附治具

51‧‧‧被接著體

52‧‧‧接合線

53‧‧‧密封樹脂

T1‧‧‧晶圓加工用膠帶

T1a‧‧‧黏著面

T2‧‧‧晶圓加工用膠帶

T2a‧‧‧黏著面

T3‧‧‧晶圓加工用膠帶

T3a‧‧‧黏著面

W‧‧‧半導體晶圓

Wa‧‧‧第1面

Wb‧‧‧第2面

圖1係表示本發明之切晶帶之一實施形態之剖面模式圖。 圖2係表示本發明之切晶黏晶膜之一實施形態之剖面模式圖。 圖3(a)～(d)表示使用本發明之切晶黏晶膜的半導體裝置之製造方法中之一部分步驟。 圖4(a)、(b)表示使用本發明之切晶黏晶膜的半導體裝置之製造方法中之一部分步驟。 圖5(a)～(c)表示使用本發明之切晶黏晶膜的半導體裝置之製造方法中之一部分步驟。 圖6(a)、(b)表示使用本發明之切晶黏晶膜的半導體裝置之製造方法中之一部分步驟。 圖7表示使用本發明之切晶黏晶膜的半導體裝置之製造方法中之一部分步驟。 圖8(a)～(c)表示使用本發明之切晶黏晶膜的半導體裝置之製造方法中之一部分步驟。 圖9表示使用本發明之切晶黏晶膜的半導體裝置之製造方法之變化例中之一部分步驟。 圖10(a)、(b)表示使用本發明之切晶黏晶膜的半導體裝置之製造方法之變化例中之一部分步驟。 圖11(a)～(c)表示使用本發明之切晶黏晶膜的半導體裝置之製造方法之變化例中之一部分步驟。 圖12(a)、(b)表示使用本發明之切晶黏晶膜的半導體裝置之製造方法之變化例中之一部分步驟。

Claims (6)

1. 一種切晶帶，其具有基材、及積層於上述基材上之黏著劑層， 至少一個方向之於23℃之溫度條件下進行30%延伸後1000秒後之應力緩和率為45%以上，且 上述至少一個方向之於23℃之溫度條件下進行30%延伸後1000秒後之應力值為4 MPa以下。
2. 如請求項1之切晶帶，其中上述基材之厚度為40～150 μm。
3. 如請求項1或2之切晶帶，其中上述至少一個方向之於23℃之溫度條件下進行30%延伸時之應力值為5 MPa以上。
4. 如請求項1或2之切晶帶，其中上述至少一個方向之於23℃之溫度條件下進行30%延伸時之應力值與上述至少一個方向之於23℃之溫度條件下進行30%延伸後1000秒後之應力值的差為5 MPa以上。
5. 一種切晶黏晶膜，其具有如請求項1或2之切晶帶、及積層於上述切晶帶中之上述黏著劑層上之黏晶膜，且 上述黏晶膜係藉由施加拉伸應力而割斷並使用。
6. 一種半導體裝置之製造方法，其包括： 步驟A，其於如請求項5之切晶黏晶膜中之上述黏晶膜側貼附包含複數個半導體晶片之半導體晶圓之分割體、或可單片化成複數個半導體晶片之半導體晶圓； 步驟B，其於相對低溫之條件下，擴展上述切晶黏晶膜中之上述切晶帶，至少割斷上述黏晶膜而獲得附黏晶膜之半導體晶片； 步驟C，其於相對高溫之條件下，擴展上述切晶帶而擴大上述附黏晶膜之半導體晶片彼此之間隔；及 步驟D，其拾取上述附黏晶膜之半導體晶片。