TW201907402A

TW201907402A - 電阻式記憶體裝置及其電阻式記憶胞的設定方法

Info

Publication number: TW201907402A
Application number: TW106122189A
Authority: TW
Inventors: 王炳琨; 廖紹憬; 林銘哲; 魏敏芝; 何家驊; 吳健民
Original assignee: 華邦電子股份有限公司
Priority date: 2017-07-03
Filing date: 2017-07-03
Publication date: 2019-02-16
Also published as: TWI627630B

Abstract

電阻式記憶體裝置及其電阻式記憶胞的設定方法。電阻式記憶胞的設定方法包括：對電阻式記憶胞執行第一設定操作，並在第一設定操作完成後對電阻式記憶胞執行第一驗證操作；依據第一驗證操作的驗證結果以決定是否對電阻式記憶胞執行第一重置操作，並在決定執行該第一重置操作並執行完成後對該電阻式記憶胞執行一第二驗證操作；以及，依據第二驗證操作的驗證結果，以決定是否對電阻式記憶胞執行第二重置操作，並在決定執行第二重置操作並執行完成後對電阻式記憶胞執行第三驗證操作。

Description

電阻式記憶體裝置及其電阻式記憶胞的設定方法

本發明是有關於一種電阻式記憶體裝置及其電阻式記憶胞的設定方法，且特別是有關於一種可防止高溫資料維持漏失的電阻式記憶體裝置及其電阻式記憶胞的設定方法。

在電阻式記憶體中，為回復因設定操作中所產生的電阻式記憶胞的氧空缺區並提升其切換穩定性，習知技術提出一種利用設定作後無條件進行重置操作的電阻式記憶胞的設定機制。然而，這種習知的設定機制，是針對所有進行設定操作的電阻式記憶胞，都無條件的執行設定以及重置操作。如此一來，可能產生如圖1A以及圖1B所示的習知技藝所可能產生的兩種設定操作的問題。

在圖1A中，對於正常的電阻式記憶胞，程度過強的重置操作可能使鈦層110中的氧離子OX被大量的推擠到氧空缺區120中，透過氧空缺區120與氧離子OX的復合作用，氧空缺區120與鈦層110接觸的面積會被窄化，產生高溫資料保持漏失的問題。

在圖1B中，程度過弱的重置操作則無法使可能氧離子OX被推離氧空缺區110，透過氧空缺區110與氧離子OX的復合作用，氧空缺區120則可能弱化，也會造成高溫資料保持漏失的問題。

本發明提供多種電阻式記憶體裝置及其電阻式記憶胞的設定方法，有效改善其高溫資料保存失效的問題。

本發明的電阻式記憶胞的設定方法包括：對電阻式記憶胞執行第一設定操作，並在第一設定操作完成後對電阻式記憶胞執行第一驗證操作；依據第一驗證操作的驗證結果以決定是否對電阻式記憶胞執行第一重置操作，並在決定執行該第一重置操作並執行完成後對該電阻式記憶胞執行一第二驗證操作；以及，依據第二驗證操作的驗證結果，以決定是否對電阻式記憶胞執行第二重置操作，並在決定執行第二重置操作並執行完成後對電阻式記憶胞執行第三驗證操作。

本發明的另一電阻式記憶胞的設定方法包括：對電阻式記憶胞執行第一設定操作，並在第一設定操作完成後對電阻式記憶胞執行第一驗證操作；依據第一驗證操作的驗證結果，以決定是否對電阻式記憶胞執行第二設定操作，並在決定執行第二設定操作並執行完成後對電阻式記憶胞執行第二驗證操作；依據第二驗證操作的驗證結果，以決定是否對電阻式記憶胞執行第一重置操作，並在決定執行第一重置操作並執行完成後對電阻式記憶胞執行第三驗證操作；依據第三驗證操作的驗證結果，以決定是否對電阻式記憶胞執行第二重置操作，並在決定執行第二重置操作並執行完成後對電阻式記憶胞執行第四驗證操作；以及，依據第四驗證操作的驗證結果，以決定是否對電阻式記憶胞執行第三重置操作。

本發明的電阻式記憶體裝置包括多數個電阻式記憶胞、控制器以及電流驗證器。電阻式記憶胞耦接至源極線以及位元線，控制器耦接至源極線以及位元線，電流驗證器則耦接位元線。其中，控制器用以執行上述的電阻式記憶胞的設定方法的多個步驟。

基於上述，本發明的電阻式記憶胞的設定方法透過在電阻式記憶胞執行設定操作後進行驗證操作，並依據驗證操作的驗證結果來判定是否進行後續的重置操作。如此一來，本發明針對不同特性的電阻式記憶胞進行設定方法時，可針對選中電阻式記憶胞的特性進行適應性的設定動作的調整，可有效降低電阻式記憶胞在高溫時產生資料漏失的的機率，維持電阻式記憶體裝置的良率。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

請參照圖2，圖2繪示本發明實施例的電阻式記憶胞的設定方法的流程圖。其中，當針對電阻式記憶胞進行設定（set）操作時，先透過執行步驟S210以對電阻式記憶胞執行第一設定操作，並在第一設定操作完成後對電阻式記憶胞執行第一驗證操作；接著，在當第一驗證操作完成後，透過執行步驟S220以依據第一驗證操作的驗證結果以決定是否對電阻式記憶胞執行第一重置操作，並在決定執行第一重置操作並執行完成後對電阻式記憶胞執行第二驗證操作。接著，在步驟S130中，依據第二驗證操作的驗證結果，以決定是否對電阻式記憶胞執行第二重置操作，並在決定執行第二重置操作並執行完成後對電阻式記憶胞執行第三驗證操作。

依據上述的說明可以得知，本發明實施例的電阻式記憶胞的設定方法中，在當電阻式記憶胞完成第一設定操作後，並不會無條件的針對電阻式記憶胞進行第一重置操作。相對的，在本發明實施例中，會先針對完成第一次設定操作後的電阻式記憶胞進行第一驗證操作，並依據第一驗證操作所產生的驗證結果來決定是否對電阻式記憶胞進行第一重置操作。具體來說明，第一驗證操作可針對完成第一次設定操作後的電阻式記憶胞的電阻值進行驗證，並且，當第一驗證操作驗證出電阻式記憶胞的電阻值被設定為小於一預設臨界值時，表示此電阻式記憶胞的設定操作已經完成，不需要進行後續的第一重置操作。相對的，若第一驗證操作驗證出電阻式記憶胞的電阻值被設定為不小於上述的預設臨界值時，表示此電阻式記憶胞的設定操作尚未完成，需要進行後續的第一重置操作。並且，本發明實施例並在第一重置操作完成後透過執行第二驗證操作，來決定需執行進一步的第二重置操作。

關於動作細節，在針對電阻式記憶胞進行第一設定操作時，可提供第一設定電壓跨接在電阻式記憶胞的兩端點間，並藉以調低電阻式記憶胞的電阻值，接著，針對電阻式記憶胞進行驗證操作。在執行電阻式記憶胞的第一驗證操作時，並提供驗證電壓跨接在電阻式記憶胞的兩端，並量測電阻式記憶胞依據驗證電壓所產生的驗證電流，並使驗證電流的電流值與一個預設值進行比較。當驗證電流的電流值大於預設值時，表示電阻式記憶胞的動作已完成，相對的，當驗證電流的電流值不大於預設值時，表示電阻式記憶胞的動作未完成。

當第一驗證操作的驗證結果指示電阻式記憶胞的設定動作未完成時，可提供第一重置電壓至電阻式記憶胞的兩端，並針對電阻式記憶胞進行第一重置操作。而在當第二驗證操作的驗證結果指示電阻式記憶胞的設定動作未完成時，則可對電阻式記憶胞進行再一次的第二重置操作以執行對電阻式記憶胞的設定操作。

以下請參照圖3，圖3繪示本發明實施例的電阻式記憶胞的設定動作的波形式示意圖。其中，在階段S1時，透過提供設定電壓VS1以跨接在電阻式記憶胞的兩端並執行設定操作，接著，在設定操作完成後（階段S1之後）針對電阻式記憶胞進行驗證操作VFY1。然後，若驗證操作VFY1的驗證結果指示電阻式記憶胞的設定動作未完成，則可在階段R1時，透過提供重置電壓VR1以跨接在電阻式記憶胞的兩端並執行重置操作。值得注意的，重置電壓VR1與設定電壓VS1的極性是相反的，且在本實施例中，重置電壓VR1的電壓絕對值小於設定電壓VS1的電壓絕對值。

在另一方面，在本發明實施例中，當重置操作完成後（階段R1之後），會針對電阻式記憶胞進行再一次的驗證操作VFY2，並藉以驗證電阻式記憶胞的設定動作是否已完成。若驗證出電阻式記憶胞的設定動作已完成，可中止此電阻式記憶胞的設定動作，相對的，若驗證出電阻式記憶胞的設定動作未完成，可針對電阻式記憶胞於階段R2進行再一次的重置操作，並在階段R2後進行驗證操作VFY3。其中，階段R2中所施加的重置電壓VR2的電壓絕對值，可以大於階段R1中所施加的重置電壓VR1的電壓絕對值。

若驗證操作VFY3的驗證結果仍指示電阻式記憶胞的設定動作未完成，則在本發明實施例中，可在階段S2透過提供設定電壓VS2以跨接在電阻式記憶胞的兩端，並藉此執行再一次的設定操作。其中，設定電壓VS2的電壓值大於設定電壓VS1的電壓值。並且，在完成設定操作後（階段S2以後），針對電阻式記憶胞執行驗證操作VFY4。

此外，在驗證操作VFY4之後可針對電阻式記憶胞進行一次或多次的重置操作以及驗證操作的循環動作，並藉此完成電阻式記憶胞的設定動作。在圖3中，階段R3、R4分別進行不同程度的重置操作，其中，階段R3的重置操作所提供的重置電壓VR2的電壓絕對值小於階段R4的重置操作所提供的重置電壓VR3的電壓絕對值，且驗證操作VFY4及VFY5分別緊接在階段R3、R4後發生。其中，階段R2中所施加的重置電壓VR2的電壓絕對值，可小於階段R4中所施加的重置電壓VR3的電壓絕對值。

値得一提的，本發明實施例中的驗證操作VFY1-VFY5可透過提供正或負值的驗證電壓至電阻式記憶胞上，透過讀取電阻式記憶胞所產生的讀取電流來執行。

以下請參照圖4，圖4繪示本發明另一實施例的電阻式記憶胞的設定方法的流程圖。在步驟S410中，提供電壓絕對值例如介於4.5V-1.5V的設定電壓VS1至電阻式記憶胞，並藉以進行設定操作。接著，步驟S420執行驗證操作，並判斷電阻式記憶胞依據驗證電壓所產生的驗證電流是否大於預設值（例如17uA）。若驗證電流大於17uA，則表示設定動作完成（步驟S421），相對的，若驗證電流不大於17uA，則進行步驟S422。

步驟S422則提供電壓絕對值（例如介於3.6V-0.6V間）的重置電壓VR1至電阻式記憶胞，並藉以進行重置操作。接著，在步驟S423中對電阻式記憶胞執行驗證操作，並判斷驗證電流是否大於預設值（例如17uA）。若驗證電流大於17uA，則表示設定動作完成（步驟S424），相對的，若驗證電流不大於17uA，則進行步驟S425。

步驟S425提供具較高電壓絕對值（例如介於3.8V-0.8V間）的重置電壓VR2（大於重置電壓VR1），以進行再一次的重置操作。並且，在接續的步驟S426中，對電阻式記憶胞執行驗證操作，並判斷驗證電流是否大於預設值（例如17uA）。若驗證電流大於17uA，則表示設定動作完成（步驟S427），相對的，若驗證電流不大於17uA，則進行步驟S430。

步驟S430執行電阻式記憶胞的再一次的設定操作。其中，步驟S430中，透過提供電壓絕對值例如介於5.0V-2.0V的設定電壓VS2以對電阻式記憶胞進行設定操作。值得一提的，步驟S430中的設定電壓VS2的電壓絕對值大於步驟S410中的設定電壓VS1的電壓絕對值。

在接續步驟S430的步驟S440中，對電阻式記憶胞執行驗證操作，並判斷驗證電流是否大於預設值（例如17uA）。若驗證電流大於17uA，則表示設定動作完成（步驟S441），相對的，若驗證電流不大於17uA，則進行步驟S450。

步驟S450藉由提供電壓絕對值例如介於3.8V-0.8V的重置電壓VR3以對電阻式記憶胞執行重置操作，並在步驟S460對電阻式記憶胞執行驗證操作，並判斷驗證電流是否大於預設值（例如17uA）。若驗證電流大於17uA，則表示設定動作完成（步驟S461），相對的，若驗證電流不大於17uA，則進行步驟S470。

步驟S470藉由提供電壓絕對值例如介於4.0V-1.0V的重置電壓VR4以對電阻式記憶胞執行重置操作，並在重置操作完成後進行資料輸出。在此，步驟S470提供的重置電壓VR4的電壓絕對值可大於步驟S450提供的重置電壓VR3的電壓絕對值。並且，在步驟S470完成後可執行資料輸出的動作。

上述關於設定電壓VS1-VS2、重置電壓VR1-VR4以及驗證電流的數值大小，可以依據電阻式記憶胞實際的電氣特性來進行適度的調整，本發明施例中所提出的數值僅只是一個示範性的範例，不用以限縮本發明的範疇。

以下請參照圖5A至圖5C，圖5A至圖5C繪示本發明實施的電阻式記憶胞的設定方法的多種實施方式的示意圖。在圖5A中，設定操作S511後可接續多個重置操作R511、R512，並在多個重置操作R511、R512後，可針對電阻式記憶胞執行再一次的設定操作S512，並在設定操作S512後執行多個重置操作R513、R514。當然，在各個設定操作S511、S512以及重置操作R511-R514後，需分別進行驗證操作V51-V55，並依據驗證操作V51-V55的驗證結果來判斷是否需進行後續的操作。

值得一提的，在圖5A中，依序發生的設定操作S511、S512的設定電壓的絕對值可以依序被提升，同樣的，依序發生的重置操作R511-R514的重置電壓的絕對值也可以依序被提升。

另外，在圖5B中，可以先針對電阻式記憶胞進行多次的設定操作S521、S522，再針對電阻式記憶胞進行多次的重置操作R521-R523。其中，依序發生的設定操作S521、S522的設定電壓的絕對值可以依序被提升，同樣的，依序發生的重置操作R521-R523的重置電壓的絕對值也可以依序被提升。當然，在各個設定操作S521、S522以及重置操作R521-R523後，需分別進行驗證操作V51-V54，並依據驗證操作V51-V54的驗證結果來判斷是否需進行後續的操作。

在圖5C中，則可先針對電阻式記憶胞進行一次性的設定操作S531，再針對電阻式記憶胞進行多次的重置操作R531-R534。其中，依序發生的重置操作R521-R523的重置電壓的絕對值可以依序被提升，且在設定操作S531以及重置操作R531-R534後，需分別進行驗證操作V51-V54，並依據驗證操作V51-V54的驗證結果來判斷是否需進行後續的操作。

請參照圖6，圖6繪示本發明一實施例的電阻式記憶體裝置的示意圖。電阻式記憶體裝置600包括電阻式記憶胞RC1-RC3、控制器620以及電流驗證器630。電阻式記憶胞RC1-RC3可形成記憶胞區塊610並耦接至源極線SL1以及位元線BL1。控制器620耦接至源極線SL1以及位元線BL1。電流驗證器630則耦接至位元線BL1。其中，控制器620可透過位址解碼動作以選擇電阻式記憶胞RC1-RC3中一個或多個的選中電阻式記憶胞，並透過提供設定電壓、重置電壓或驗證電壓至選中電阻式記憶胞以執行設定操作、重置操作或驗證操作。其中，在執行設定操作時控制器620可提供設定電壓以跨接在源極線SL1以及位元線BL1間來設定選中電阻式記憶胞。在執行設定操作時控制器620可提供重置電壓以跨接在源極線SL1以及位元線BL1間來設定選中電阻式記憶胞。其中，重置電壓的極性與設定電壓的極性可以是相反的。在執行驗證操作時，控制器620可提供驗證電壓至源極線上，電流驗證器630可透過位元線BL1來獲得選中電阻式記憶胞依據驗證電壓所產生的驗證電流。電流驗證器630透過使驗證電流的電流值與預設值進行比較，並在當驗證電流的電流值是否大於預設值判定選中電阻式記憶胞的設定動作是否完成。

關於控制器620以及電流驗證器630的實施細節，在前述的實施方式中已有詳盡的說明，在此不多贅述。

綜上所述，本發明所提供的電阻式記憶胞的設定動作，在設定操作後增加驗證操作，並依據驗證操作來決定是否針對電阻式記憶胞執行重置操作。如此一來，可針對不同特性的電阻式記憶胞執行不同流程的設定動作，降低電阻式記憶胞產生高溫資料資持露失的機率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

110‧‧‧鈦層

OX‧‧‧氧離子

120‧‧‧氧空缺區

S210-S220、S410-S470‧‧‧電阻式記憶胞的設定步驟

VFY1-VFY5‧‧‧驗證操作

R1-R4、S1-S2‧‧‧階段

VS1、VS2‧‧‧設定電壓

VR1-VR4‧‧‧重置電壓

R511、R512、R521-R523、R531-R534‧‧‧重置操作

S511、S512、S521、S522、S531‧‧‧設定操作

V51-V55‧‧‧驗證操作

600‧‧‧電阻式記憶體裝置

RC1-RC3‧‧‧電阻式記憶胞

620‧‧‧控制器

630‧‧‧電流驗證器

SL1‧‧‧源極線

BL1‧‧‧位元線

圖1A以及圖1B繪示的習知技藝所可能產生的兩種設定操作的問題。圖2繪示本發明實施例的電阻式記憶胞的設定方法的流程圖。圖3繪示本發明實施例的電阻式記憶胞的設定動作的波形式示意圖。圖4繪示本發明另一實施例的電阻式記憶胞的設定方法的流程圖。圖5A至圖5C繪示本發明實施的電阻式記憶胞的設定方法的多種實施方式的示意圖。圖6繪示本發明一實施例的電阻式記憶體裝置的示意圖。

Claims

一種電阻式記憶胞的設定方法，包括：對該電阻式記憶胞執行一第一設定操作，並在該第一設定操作完成後對該電阻式記憶胞執行一第一驗證操作；依據該第一驗證操作的驗證結果，以決定是否對該電阻式記憶胞執行一第一重置操作，並在決定執行該第一重置操作並執行完成後對該電阻式記憶胞執行一第二驗證操作；以及依據該第二驗證操作的驗證結果，以決定是否對該電阻式記憶胞執行一第二重置操作，並在決定執行該第二重置操作並執行完成後對該電阻式記憶胞執行一第三驗證操作。
如申請專利範圍第1項所述的電阻式記憶胞的設定方法，其中更包括：依據該第三驗證操作的驗證結果以決定是否對該電阻式記憶胞執行一第二設定操作，並在決定執行該第二設定操作執行完成後對該電阻式記憶胞執行一第四驗證操作。
如申請專利範圍第2項所述的電阻式記憶胞的設定方法，其中對該電阻式記憶胞執行該第二設定操作的步驟包括：提供一第二設定電壓以跨接在該電阻式記憶胞的兩端，並對該電阻式記憶胞執行該第二設定操作，其中，該第二設定電壓的電壓值大於該第一設定電壓的電壓值。
如申請專利範圍第1項所述的電阻式記憶胞的設定方法，其中對該電阻式記憶胞執行該第一驗證操作的步驟包括：提供一驗證電壓跨接在該電阻式記憶胞的兩端，並量測該電阻式記憶胞依據該驗證電壓所產生的一驗證電流；以及判斷該驗證電流是否大於一預設值以產生該第一驗證操作的驗證結果，其中依據該第一驗證操作的驗證結果以決定是否對該電阻式記憶胞執行該第一重置操作的步驟包括：當該驗證電流是不大於該預設值時，提供一第一重置電壓跨接在該電阻式記憶胞的兩端以對該電阻式記憶胞執行該第一重置操作。
如申請專利範圍第1項所述的電阻式記憶胞的設定方法，其中更包括：依據該第三驗證操作的驗證結果以決定是否對該電阻式記憶胞執行一第三重置操作，並在決定執行該第三重置操作並執行完成後對該電阻式記憶胞執行一第四驗證操作；以及依據該第四驗證操作的驗證結果以決定是否對該電阻式記憶胞執行一第四重置操作。
如申請專利範圍第1項所述的電阻式記憶胞的設定方法，其中執行該第二重置操作的步驟包括：提供一第二重置電壓跨接在該電阻式記憶胞的兩端以對該電阻式記憶胞執行該第二重置操作，其中該第二重置電壓的電壓值大於該第一重置電壓的電壓值。
如申請專利範圍第2項所述的電阻式記憶胞的設定方法，其中更包括：依據該第四驗證操作的驗證結果以決定是否執行一第三重置操作，並在決定執行該第三重置操作並執行完成後對該電阻式記憶胞執行一第五驗證操作；以及依據該第五驗證操作的驗證結果以決定是否對該電阻式記憶胞執行一第四重置操作。
一種電阻式記憶胞的設定方法，包括：對該電阻式記憶胞執行一第一設定操作，並在該第一設定操作完成後對該電阻式記憶胞執行一第一驗證操作；依據該第一驗證操作的驗證結果，以決定是否對該電阻式記憶胞執行一第二設定操作，並在決定執行該第二設定操作並執行完成後對該電阻式記憶胞執行一第二驗證操作；以及依據該第二驗證操作的驗證結果，以決定是否對該電阻式記憶胞執行一第一重置操作，並在決定執行該第一重置操作並執行完成後對該電阻式記憶胞執行一第三驗證操作；依據該第三驗證操作的驗證結果，以決定是否對該電阻式記憶胞執行一第二重置操作，並在決定執行該第二重置操作並執行完成後對該電阻式記憶胞執行一第四驗證操作；以及依據該第四驗證操作的驗證結果，以決定是否對該電阻式記憶胞執行一第三重置操作。
一種電阻式記憶體裝置，包括：多數個電阻式記憶胞，耦接至一源極線以及一位元線；一控制器，耦接該源極線以及該位元線；以及一電流驗證器，耦接該位元線，其中，該控制器用以：對一選中電阻式記憶胞執行一第一設定操作，並在該第一設定操作完成後使該電流驗證器對該選中電阻式記憶胞執行一第一驗證操作；依據該第一驗證操作的驗證結果以決定是否對該選中電阻式記憶胞執行一第一重置操作，並在決定執行該第一重置操作並執行完成後對該選中電阻式記憶胞執行一第二驗證操作；以及依據該第二驗證操作的驗證結果，以決定是否對該選中電阻式記憶胞執行一第二重置操作，並在決定執行該第二重置操作並執行完成後對該選中電阻式記憶胞執行一第三驗證操作。
如申請專利範圍第9項所述的電阻式記憶體裝置，其中該控制器依據該第三驗證操作的驗證結果以決定是否對該選中電阻式記憶胞執行一第二設定操作，並在決定執行該第二設定操作執行完成後對該選中電阻式記憶胞執行一第四驗證操作。
如申請專利範圍第10項所述的電阻式記憶體裝置，其中該控制器提供一第二設定電壓以跨接在該選中電阻式記憶胞的兩端，並對該選中電阻式記憶胞執行該第二設定操作，其中，該第二設定電壓的電壓值大於該第一設定電壓的電壓值。
如申請專利範圍第9項所述的電阻式記憶體裝置，其中該控制器提供一驗證電壓跨接在該選中電阻式記憶胞的兩端，該電流驗證器並量測該選中電阻式記憶胞依據該驗證電壓所產生的一驗證電流，並判斷該驗證電流是否大於一預設值以產生該第一驗證操作的驗證結果，其中，當該電流驗證器判斷驗證電流是不大於該預設值時，該控制器提供一第一重置電壓跨接在該選中電阻式記憶胞的兩端以對該選中電阻式記憶胞執行該第一重置操作。
如申請專利範圍第9項所述的電阻式記憶體裝置，其中該控制器更用以：依據該第三驗證操作的驗證結果以決定是否對該選中電阻式記憶胞執行一第三重置操作，並在決定執行該第三重置操作並執行完成後對該選中電阻式記憶胞執行一第四驗證操作；以及依據該第四驗證操作的驗證結果以決定是否對該選中電阻式記憶胞執行一第四重置操作。
如申請專利範圍第9項所述的電阻式記憶體裝置，其中該控制器提供一第二重置電壓跨接在該選中電阻式記憶胞的兩端以對該選中電阻式記憶胞執行該第二重置操作，其中該第二重置電壓的電壓值大於該第一重置電壓的電壓值。
如申請專利範圍第10項所述的電阻式記憶體裝置，其中該控制器更用以依據該第四驗證操作的驗證結果以決定是否執行一第三重置操作，並在決定執行該第三重置操作並執行完成後對該選中電阻式記憶胞執行一第五驗證操作；以及依據該第五驗證操作的驗證結果以決定是否對該選中電阻式記憶胞執行一第四重置操作。
一種電阻式記憶體裝置，包括：多數個電阻式記憶胞，耦接至一源極線以及一位元線；一控制器，耦接該源極線以及該位元線；以及一電流驗證器，耦接該位元線，其中，該控制器用以：對一選中電阻式記憶胞執行一第一設定操作，並在該第一設定操作完成後對該選中電阻式記憶胞執行一第一驗證操作；依據該第一驗證操作的驗證結果，以決定是否對該選中電阻式記憶胞執行一第二設定操作，並在決定執行該第二設定操作並執行完成後對該選中電阻式記憶胞執行一第二驗證操作；以及依據該第二驗證操作的驗證結果，以決定是否對該選中電阻式記憶胞執行一第一重置操作，並在決定執行該第一重置操作並執行完成後對該選中電阻式記憶胞執行一第三驗證操作；依據該第三驗證操作的驗證結果，以決定是否對該選中電阻式記憶胞執行一第二重置操作，並在決定執行該第二重置操作並執行完成後對該選中電阻式記憶胞執行一第四驗證操作；以及依據該第四驗證操作的驗證結果，以決定是否對該選中電阻式記憶胞執行一第三重置操作。