TW201906195A - 波長轉換構件及發光裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可抑制螢光體層被過度加熱之波長轉換構件及使用其之發光裝置。 本發明之波長轉換構件10之特徵在於具備： 散熱基板11； 螢光體層12，其設置於散熱基板11之上；及 接合材料層13，其設置於散熱基板11與螢光體層12之間；且 接合材料層13具有導熱性多孔體14與接合材料15，且於導熱性多孔體14中含浸有接合材料15。

Description

波長轉換構件及發光裝置

本發明係關於一種投影機用螢光輪等波長轉換構件及使用其之發光裝置。

近年來，為了使投影機等之照明小型化，提出有使用LED(Light Emitting Diode，發光二極體)與螢光體之發光裝置。例如，於專利文獻1中揭示有使用具備發出紫外光之光源、及將來自光源之紫外光轉換成可見光之螢光體層之發光裝置的投影機。於專利文獻1中，使用藉由在環狀之可旋轉之透明基板之上設置環狀之螢光體層而製作之螢光輪。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2004-341105號公報

[發明所欲解決之問題]

然而，於使用高輸出之光源之情形時，因激發光之照射而由螢光體產生之熱增大，而螢光體層被過度加熱。若螢光體層被過度加熱，則可能會產生螢光強度顯著降低或視情形而螢光體層自基板剝離之問題。

本發明之目的在於提供一種可抑制螢光體層被過度加熱之波長轉換構件及使用其之發光裝置。 [解決問題之技術手段]

本發明之波長轉換構件之特徵在於具備：散熱基板；螢光體層，其設置於散熱基板之上；及接合材料層，其設置於散熱基板與螢光體層之間；接合材料層具有導熱性多孔體與接合材料，且於導熱性多孔體中含浸有接合材料。根據該構成，於接合材料層中藉由導熱性多孔體而三維地形成導熱通道，螢光體層所產生之熱高效率地傳導至散熱基板，進而自散熱基板釋放至外部，故而可抑制螢光體層被過度加熱。因此，可抑制因螢光體層被過度加熱而產生之螢光強度之顯著降低或螢光體層自基板之剝離等問題。再者，導熱性多孔體內部所存在之氣孔(空氣)會導致導熱性降低。於本發明之波長轉換構件中，藉由在導熱性多孔體中含浸有接合材料，可儘量減少導熱性多孔體內部所存在之氣孔，從而提高導熱性。又，藉由在導熱性多孔體中含浸有接合材料，與於導熱性多孔體中未含浸接合材料之情形相比，可提高接合力。

本發明之波長轉換構件較佳為接合材料層中之導熱性多孔體之體積率為20～90%。如此一來，可維持散熱基板與螢光體層之接合性，並且可使螢光體層所產生之熱高效率地傳導至散熱基板。

本發明之波長轉換構件較佳為導熱性多孔體包含無機粒子之燒結體。

本發明之波長轉換構件較佳為，無機粒子係自氮化硼、氮化鋁、氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦、氧化鈮、氧化鋯、氧化鋅及氧化矽中選擇之至少1種陶瓷粒子；玻璃粒子；或自鋁及銀中選擇之至少1種金屬粒子。

本發明之波長轉換構件較佳為接合材料為聚矽氧樹脂、環氧樹脂或丙烯酸系樹脂。

本發明之波長轉換構件較佳為螢光體層含有玻璃基質及分散於玻璃基質中之螢光體。

本發明之波長轉換構件較佳為散熱基板為金屬基板。

本發明之波長轉換構件較佳為金屬基板為鋁合金基板。

本發明之波長轉換構件亦可於螢光體層之與散熱基板對向之表面之上設置有反射膜。

本發明之波長轉換構件較佳為反射膜為金屬反射膜或介電多層膜。

本發明之波長轉換構件較佳為散熱基板及/或螢光體層與導熱性多孔體接觸。如此一來，螢光體層所產生之熱容易通過導熱性多孔體高效率地傳導至散熱基板。

本發明之波長轉換構件較佳為散熱基板為環狀。

本發明之波長轉換構件適合作為投影機用。

本發明之發光裝置之特徵在於具備：上述波長轉換構件；及光源，其對波長轉換構件之螢光體層照射激發光。 [發明之效果]

根據本發明，可提供一種可抑制螢光體層被過度加熱之波長轉換構件及使用其之發光裝置。

以下，對較佳之實施形態進行說明。但是，以下之實施形態僅為例示，本發明並不限定於以下之實施形態。又，於各圖式中，存在具有實質上相同功能之構件以相同之符號進行參照之情形。

圖1係表示本發明之第1實施形態之波長轉換構件之投影機用螢光輪之立體圖。圖2係沿著圖1所示之A-A線(垂直方向)之剖視圖。如圖1及圖2所示，螢光輪(波長轉換構件)10具有環狀之形狀。螢光輪10具備：環狀之散熱基板11；環狀之螢光體層12，其設置於散熱基板11之上；及接合材料層13，其設置於散熱基板11與螢光體層12之間，且將散熱基板11與螢光體層12接合。

圖3係將圖2之螢光輪10中之螢光體層12之附近放大表示之局部剖視圖。接合材料層13具有導熱性多孔體14、及含浸於導熱性多孔體14中之接合材料15。於本實施形態中，導熱性多孔體14係由無機粒子16之燒結體構成。

較佳為於接合材料層13之主面13a，導熱性多孔體14與散熱基板11接觸，且較佳為於接合材料層13之主面13b，導熱性多孔體14與螢光體層12接觸。如此一來，螢光體層12所產生之熱容易通過導熱性多孔體14向散熱基板11側傳導。但是，未必必須於接合材料層13之主面13a及主面13b之兩者，使導熱性多孔體14分別與散熱基板11及螢光體層12接觸。例如，可僅於接合材料層13之主面13a及主面13b中之任一者，使導熱性多孔體14與散熱基板11或螢光體層12接觸，亦可於接合材料層13之兩主面，使導熱性多孔體14不與散熱基板11或螢光體層12接觸。再者，即便於導熱性多孔體14與散熱基板11或螢光體層12接觸之情形時，接合材料15亦會於接合材料層13之主面13a及主面13b之一部分露出至外部而與散熱基板11及螢光體層12接觸。藉此，確保散熱基板11及螢光體層12之接合性。

導熱性多孔體14藉由適當選擇構成之無機粒子16之材質，亦可作為反射層發揮功能。該情形時之反射層係利用無機粒子16所產生之漫反射者。再者，若使用如下所述之金屬基板等具有光反射功能之基板作為散熱基板11，則可藉由無機粒子16所產生之漫反射與散熱基板11所產生之反射之組合而獲得良好之反射特性。

以下，對各構成要件中之每一個詳細地進行說明。

作為散熱基板11，可列舉金屬基板、碳基板、陶瓷基板、或由陶瓷與金屬之複合體構成之基板等。於本實施形態中，使用金屬基板作為散熱基板11，不僅承擔散熱之作用，亦承擔光反射之作用。具體而言，金屬基板使入射至螢光體層12之激發光、及藉由激發光之入射而自螢光體出射之螢光反射。金屬基板亦可由金屬或合金形成，並實施表面處理。作為金屬基板，較佳為反射率較高者，例如，可列舉表面形成有包含金屬氧化物等之增強反射膜之鋁基板。作為此種金屬基板，可列舉德國安鋁(Alanod)公司製造之Miro(註冊商標)及Miro-Silver(註冊商標)等。

螢光體層12係由玻璃基質及分散於其中之螢光體構成。於本實施形態中，使用無機螢光體之粒子作為螢光體。

玻璃基質只要為可用作螢光體之分散介質者，則並無特別限定。例如可使用硼矽酸鹽系玻璃、磷酸鹽系玻璃等。玻璃基質之軟化點較佳為250～1000℃，更佳為300～850℃。若玻璃基質之軟化點過低，則存在螢光體層12之機械強度或化學耐久性降低之情形。又，由於玻璃基質本身之耐熱性變低，故而存在因螢光體所產生之熱而導致軟化變形之情形。另一方面，若玻璃基質之軟化點過高，則存在因製造時之焙燒步驟而導致螢光體劣化，從而螢光體層12之發光強度降低之情形。

螢光體只要為藉由激發光之入射而出射螢光者，則並無特別限定。作為螢光體之具體例，例如可列舉自氧化物螢光體、氮化物螢光體、氮氧化物螢光體、氯化物螢光體、氧氯化物螢光體、硫化物螢光體、氧硫化物螢光體、鹵化物螢光體、硫屬化物螢光體、鋁酸鹽螢光體、鹵磷酸氯化物螢光體、及石榴石系化合物螢光體中選擇之1種以上。於使用藍色光作為激發光之情形時，例如可使用出射綠色光或黃色光作為螢光之螢光體。

螢光體之平均粒徑較佳為1～50 μm，更佳為5～25 μm。若螢光體之平均粒徑過小，則存在發光強度降低之情形。另一方面，若螢光體之平均粒徑過大，則存在發光色變得不均勻之情形。

螢光體層12中之螢光體之含量較佳為5～80體積%之範圍內，更佳為10～75體積%之範圍內，進而較佳為20～70體積%之範圍內。若螢光體之含量過少，則難以獲得具有所需之發光強度之螢光。另一方面，若螢光體之含量過多，則螢光體層12之機械強度容易降低。

螢光體層12之厚度於能由螢光體確實地吸收激發光般之厚度範圍內越薄越佳。其原因在於，若螢光體層12過厚，則存在螢光體層12中之光之散射或吸收變得過大而螢光之出射效率變低之情形。具體而言，螢光體層12之厚度較佳為1 mm以下，更佳為0.5 mm以下，進而較佳為0.3 mm以下。螢光體層12之厚度之下限值通常為0.03 mm左右。

螢光體層12除上述者以外，亦可使用由陶瓷螢光體構成者。

導熱性多孔體14係由導熱率高於螢光體層12(尤其是構成螢光體層12之玻璃基質)之材質構成。作為構成導熱性多孔體14之無機粒子16之具體例，可列舉：氮化硼、氮化鋁、氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦、氧化鈮、氧化鋯、氧化鋅及氧化矽等陶瓷粒子；氧化物玻璃等玻璃粒子；鋁、銀等金屬粒子之燒結體等。其中，氧化鋁或氧化鎂由於導熱性或燒結性優異，故而較佳。又，於使導熱性多孔體14作為反射層發揮功能之情形時，氧化鋁或氧化鈦亦具有反射特性優異之優點。再者，於兼顧導熱性與反射特性之情形時，亦可將反射特性優異之氧化鈦混合至導熱性優異之氧化鋁或氧化鎂中。

無機粒子16之平均粒徑(D₅₀ )較佳為0.01～50 μm之範圍內，更佳為0.05～10 μm之範圍內。若無機粒子16之平均粒徑過小，則孔徑變小而難以使接合材料15含浸。另一方面，若無機粒子16之平均粒徑過大，則燒結性變得不充分而導熱性多孔體14之機械強度容易降低。

接合材料層13中之導熱性多孔體14之體積率較佳為20～90%之範圍，更佳為30～80%之範圍，進而較佳為40～70%之範圍。若導熱性多孔體14之體積率過小，則無法充分地確保接合材料層13中之導熱通道，故而難以使螢光體層12所產生之熱充分地向散熱基板11傳導。另一方面，若導熱性多孔體14之體積率過大，則存在接合材料層13中之接合材料15之比率變少而散熱基板11與螢光體層12之接合力降低之情形。此處，「導熱性多孔體之體積率」係指構成導熱性多孔體之材料(例如無機粒子)所占之體積率，不包含導熱性多孔體之內部所含之氣孔或接合材料之體積率。

導熱性多孔體14之氣孔率較佳為10～80%之範圍，更佳為20～70%之範圍，進而較佳為30～60%之範圍。若導熱性多孔體14之氣孔率過小，則存在接合材料層13中之接合材料15之比率減少而散熱基板11與螢光體層12之接合力降低之情形。另一方面，若導熱性多孔體14之氣孔率過大，則無法充分地確保接合材料層13中之導熱通道，故而難以使螢光體層12所產生之熱充分地向散熱基板11傳導。

接合材料15較佳為透明。藉此，可使螢光或激發光高效率地透過，從而提高發光效率。作為此種透明之接合材料15之具體例，可列舉：聚矽氧樹脂、丙烯酸系樹脂及環氧樹脂等。但是，接合材料15並不限定於透明者，亦可使用不透明者。

作為丙烯酸系樹脂或環氧樹脂，可使用市售者。為了於硬化時降低與散熱基板11或螢光體層12之熱膨脹差，較佳為使用雙液型之常溫硬化型樹脂。為了容易含浸於導熱性多孔體14中，黏度較佳為1500 cP以下、1000 cP以下、尤其是500 cP以下。作為聚矽氧樹脂，可使用通常之具有矽氧烷鍵之聚矽氧樹脂，尤其可較佳地使用耐熱性較高之倍半矽氧烷。倍半矽氧烷係主鏈骨架包含Si-O-Si鍵之矽氧烷系之化合物，且係藉由使3官能性矽烷水解而獲得之具有(RSiO_1.5 )_n 之結構之網狀聚合物或多面體簇。

接合材料層13之厚度較佳為20～500 μm，更佳為50～300 μm。若接合材料層13之厚度過小，則存在散熱基板11與螢光體層12之接合強度較差之情形。另一方面，若接合材料層13之厚度過大，則存在螢光體層12所產生之熱難以向散熱基板11散熱之情形。

圖4係表示本發明之第2實施形態之投影機用螢光輪之剖視圖。於本實施形態中，於螢光體層12之與散熱基板11對向之表面之上(即，螢光體層12與接合材料層13之間)設置有反射膜16。

作為反射膜16，可列舉包含銀、鋁、鉑等之金屬反射膜或介電多層膜等。介電多層膜係由高折射率膜與低折射率膜之積層體構成之膜，可選擇性地使特定波長之光反射。作為介電多層膜，可列舉將由氧化鈮、氧化鈦、氧化鑭、氧化鉭、氧化釔、氧化釓、氧化鎢、氧化鉿、氧化鋁、氮化矽等構成之高折射率膜與由氧化矽等構成之低折射率膜交替地積層而成之膜。

作為反射膜16之形成方法，可列舉鍍覆法、或者作為物理氣相沈積法之真空蒸鍍法、離子鍍法、濺鍍法等。

反射膜16之厚度較佳為0.01～100 μm，更佳為0.03～10 μm。若反射膜16之厚度過小，則存在無法獲得充分之反射特性之情形。另一方面，若反射膜16之厚度過大，則存在因反射膜16與螢光體層12之熱膨脹係數差而導致反射膜16破損之情形。

再者，亦可於螢光體層12與反射膜16之間設置透明材料層(未圖示)。藉由設置透明材料層，螢光體層12之主面12b變得平滑，而可提高反射膜16之平滑性。藉此，可提高反射膜16之反射特性。作為透明材料層，可列舉玻璃層或樹脂層。

透明材料層之厚度較佳為1～100 μm，更佳為10～50 μm。若透明材料層之厚度過小，則難以使螢光體層12之主面12b平滑，而反射膜16難以變得平滑。另一方面，若透明材料層之厚度過大，則存在光於透明材料層之內部傳播後光自透明材料層之端部漏出之情形，其結果，有發光強度降低之虞。

於本實施形態中，反射膜16承擔反射激發光或螢光之作用。因此，散熱基板11亦可未必具有光反射特性。又，導熱性多孔體14及接合材料15亦未必要求透明性。

以下，對螢光輪10之製作方法之一例進行說明。

首先，例如利用以下之方法製作螢光體層12。將包含成為玻璃基質之玻璃粒子、螢光體、及黏合劑樹脂或溶劑等有機成分之漿料利用刮刀法等塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯等樹脂膜上並進行加熱乾燥，藉此製作螢光體層12形成用之坯片。藉由在玻璃粒子之軟化點附近(例如軟化點±100℃)對坯片進行焙燒而獲得螢光體層12。

繼而，利用以下之方法製作導熱性多孔體14。將包含作為陶瓷粒子之薰製二氧化鈦(Evonic公司製造之Aeroxide)及氧化鋁與黏合劑樹脂或溶劑等有機成分之漿料利用刮刀法等塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯等樹脂膜上並進行加熱乾燥，藉此製作導熱性多孔體14形成用之坯片。藉由對坯片進行焙燒(例如1000～1500℃)而獲得導熱性多孔體14。

繼而，將導熱性多孔體14浸漬於充滿容器之液體狀之接合材料15中，藉此獲得使接合材料15含浸於導熱性多孔體14而成之接合材料層用構件。該接合材料層用構件於導熱性多孔體14中含浸有接合材料15，並且導熱性多孔體14之表面由接合材料15塗覆。於將該接合材料層用構件夾持於上述所獲得之散熱基板11與螢光體層12之間之狀態下使接合材料15硬化，藉此可將散熱基板11與螢光體層12接合。以此方式，可製作散熱基板11與螢光體層12由接合材料層13接合而成之螢光輪10。

圖5係表示使用本發明之第1實施形態之投影機用發光輪之投影機用發光裝置之模式性側視圖。本實施形態之投影機用發光裝置30具備螢光輪10、光源20、及用以使螢光輪10旋轉之馬達21。環狀之螢光輪10係以將旋轉軸22之中心軸C作為旋轉中心而沿圓周方向旋轉之方式安裝於馬達21之旋轉軸22。

自光源20出射之激發光1入射至螢光輪10之螢光體層12。入射至螢光體層12之激發光1激發螢光體而自螢光體出射螢光2。出射至散熱基板11側之螢光2於散熱基板11之表面反射而朝螢光體層12側出射。作為光源20之具體例，可列舉LED光源或雷射光源等。

於將發出藍色光作為激發光之光源用作光源20之情形時，例如可使用被藍色光激發而發出黃色光或綠色光之螢光體作為螢光體層12之螢光體。自螢光體層12出射之光可視需要藉由濾波器僅提取具有所需波長之光。亦可將環狀之濾波器安裝於旋轉軸22，使濾波器與螢光輪10同步地旋轉，從而對出射光進行濾波。

於本實施形態中，螢光輪10沿圓周方向旋轉。如上所述，自螢光體傳導至散熱基板11之熱自散熱基板11釋放至外部。藉由使螢光輪10沿圓周方向旋轉，可進一步促進熱自散熱基板11向外部釋放。

於上述實施形態之螢光輪10中，遍及螢光體層12之整面而含有相同種類之螢光體。然而，本發明並不限定於此種態樣。亦可如以下要說明之實施形態般，螢光體層12沿圓周方向被分割成複數個區域，且各區域包含種類互不相同之螢光體。

圖6係表示本發明之第3實施形態之投影機用螢光輪之立體圖。圖6所示之螢光輪10具有兩組第1區域12a、第2區域12b、及第3區域12c。如圖6所示，該等區域沿圓周方向分割地設置。可使該等區域與例如發出紅色、綠色或藍色之光作為螢光之區域對應，而將螢光輪10用作色輪。於該情形時，藉由使接合材料層13具有導熱性多孔體14，亦可抑制螢光體層12被過度加熱。再者，亦可將第1區域12a、第2區域12b、及第3區域12c之任一者設為不設置螢光體層12(進而接合材料層13)之區域。

以上，作為波長轉換構件，對投影機用螢光輪之例進行了說明，但本發明之波長轉換構件並不限定於此。例如，亦可為使用環狀以外之矩形或圓形等之散熱基板之波長轉換構件。於該情形時，亦可享有如上所述之本發明之效果。 [實施例]

以下，基於實施例對本發明詳細地進行說明，但本發明並不限定於以下之實施例。

(實施例) (1)螢光體層之製作 將硼矽酸玻璃用原料於1300℃下熔融，並利用輥壓機成形為膜狀。利用使用f30 mm之氧化鋯球之球磨機將膜狀玻璃乾式粉碎後，進而利用使用f5 mm之氧化鋯球之球磨機進行濕式粉碎，藉此獲得平均粒徑(D₅₀ )為2 μm之玻璃粉末(軟化點780℃)。

對所獲得之玻璃粉末添加YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔鋁石榴石)螢光體、黏合劑樹脂或溶劑等有機成分並混練24小時，藉此獲得漿料。將漿料利用刮刀法塗佈於PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜上並進行乾燥，藉此製作螢光體層形成用之坯片。利用模具將所獲得之坯片沖切成環狀，並於840℃下進行焙燒，藉此獲得厚度0.13 mm之螢光體層。

(2)導熱性多孔體之製作 向無機粒子(平均粒徑8 μm之MgO)中添加黏合劑樹脂或溶劑等有機成分並混練24小時，藉此製作漿料。將所獲得之漿料利用刮刀法塗佈於PET膜上並進行乾燥，藉此製作導熱性多孔體形成用之坯片。將所獲得之坯片於1300℃下進行焙燒，藉此獲得厚度160 μm之導熱性多孔體。

(3)螢光輪之製作 將導熱性多孔體浸漬於充滿容器之液體狀之接合材料(環氧樹脂)中，藉此獲得使接合材料15含浸於導熱性多孔體而成之接合材料層用構件。該接合材料層用構件於導熱性多孔體中含浸有接合材料，並且導熱性多孔體之表面由接合材料塗覆。於將該接合材料層用構件夾持於散熱基板(厚度0.5 mm之鋁基板)與上述所獲得之螢光體層之間之狀態下使接合材料硬化，藉此將散熱基板與螢光體層接合。此時，覆蓋導熱性多孔體之表面之多餘之接合材料於夾持散熱基板與螢光體層時自導熱性多孔體之側面滲出至外部，其結果，導熱性多孔體之一部分與散熱基板及螢光體直接接觸。以如上方式，製作散熱基板與螢光體層由接合材料層接合而成之波長轉換構件。

(比較例1) 於實施例中，利用接合材料將散熱基板與螢光體層接合，藉此製作波長轉換構件。再者，接合材料層之厚度設為10 μm。

(比較例2) 於實施例中，利用接合材料將散熱基板與螢光體層接合，藉此製作波長轉換構件。再者，接合材料層之厚度設為160 μm。

＜評估＞ 將上述所獲得之各波長轉換構件固定於馬達之旋轉軸。準備可自30個1 W級別之雷射元件整齊排列而成之雷射單元利用聚光透鏡聚光成f1 mm之尺寸之光源作為激發光源。該光源之光輸出為30 W，波長為440 nm。一面使波長轉換構件以7000 RPM旋轉，一面照射激發光，使所獲得之螢光通過光纖並利用小型分光器(USB-4000，Ocean Optics公司製造)接收光，獲得發光光譜。根據發光光譜求出螢光強度。將結果示於表1。再者，螢光強度係以將比較例1之螢光強度設為100之情形時之相對值表示。

[表1]

如表1所示，可知實施例之波長轉換構件與比較例之波長轉換構件相比，螢光強度較高。

1‧‧‧激發光

2‧‧‧螢光

10‧‧‧螢光輪

11‧‧‧散熱基板

12‧‧‧螢光體層

12a‧‧‧第1區域

12b‧‧‧第2區域

12c‧‧‧第3區域

13‧‧‧接合材料層

13a‧‧‧主面

13b‧‧‧主面

14‧‧‧導熱性多孔體

15‧‧‧接合材料

16‧‧‧反射膜

20‧‧‧光源

21‧‧‧馬達

22‧‧‧旋轉軸

30‧‧‧投影機用發光裝置

C‧‧‧中心軸

圖1係表示本發明之第1實施形態之投影機用螢光輪之立體圖。 圖2係沿著圖1所示之A-A線之剖視圖。 圖3係將本發明之第1實施形態之投影機用螢光輪中之螢光體層之附近放大表示之局部剖視圖。 圖4係表示本發明之第2實施形態之投影機用螢光輪之剖視圖。 圖5係表示使用本發明之第1實施形態之投影機用發光輪之投影機用螢光裝置之側視圖。 圖6係表示本發明之第3實施形態之投影機用螢光輪之立體圖。

Claims (14)

1. 一種波長轉換構件，其特徵在於具備： 散熱基板； 螢光體層，其設置於上述散熱基板之上；及 接合材料層，其設置於上述散熱基板與上述螢光體層之間；且 上述接合材料層具有導熱性多孔體與接合材料，且於上述導熱性多孔體中含浸有上述接合材料。
2. 如請求項1之波長轉換構件，其中上述接合材料層中之上述導熱性多孔體之體積率為20～90%。
3. 如請求項1或2之波長轉換構件，其中上述導熱性多孔體包含無機粒子之燒結體。
4. 如請求項3之波長轉換構件，其中上述無機粒子係自氮化硼、氮化鋁、氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦、氧化鈮、氧化鋯、氧化鋅及氧化矽中選擇之至少1種陶瓷粒子；玻璃粒子；或自鋁及銀中選擇之至少1種金屬粒子。
5. 如請求項1或2之波長轉換構件，其中上述接合材料為聚矽氧樹脂、環氧樹脂或丙烯酸系樹脂。
6. 如請求項1或2之波長轉換構件，其中上述螢光體層含有玻璃基質、及分散於上述玻璃基質中之螢光體。
7. 如請求項1或2之波長轉換構件，其中上述散熱基板為金屬基板。
8. 如請求項7之波長轉換構件，其中上述金屬基板為鋁合金基板。
9. 如請求項1或2之波長轉換構件，其中於上述螢光體層之與上述散熱基板對向之表面之上設置有反射膜。
10. 如請求項9之波長轉換構件，其中上述反射膜為金屬反射膜或介電多層膜。
11. 如請求項1或2之波長轉換構件，其中上述散熱基板及/或上述螢光體層與上述導熱性多孔體接觸。
12. 如請求項1或2之波長轉換構件，其中上述散熱基板為環狀。
13. 如請求項1或2之波長轉換構件，其係投影機用。
14. 一種發光裝置，其特徵在於具備： 如請求項1至13中任一項之波長轉換構件；及 光源，其對上述波長轉換構件之上述螢光體層照射激發光。