TW201905167A - 有機電致發光器件 - Google Patents
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Abstract
本申請屬於顯示技術領域,具體公開了一種有機電致發光器件。該有機電致發光器件具有第一電極、第二電極以及有機功能層,有機功能層包括發光層,發光層至少包括主體材料和客體材料,主體材料包括由供體分子和受體分子構成的激基複合物,其中供體分子和/或受體分子含有用於增大供體分子和受體分子分子間間距的大位阻取代基團X,可增強對客體材料分子的Föster能量傳遞,提高器件效率,抑制三線態-極化子湮滅(TPA),提高器件壽命。
Description
本申請屬於顯示技術領域,具體涉及一種有機電致發光器件。
有機電致發光器件(organic light-emitting diodes,OLED)由於超薄、重量輕、能耗低、主動發光、視角寬、響應快等優點,在顯示和照明領域有極大的應用前景,越來越受到人們的重視。
1987年,美國Eastman Kodak公司的鄧青雲(C.W.Tang)和Vanslyke首次報導了利用透明導電膜作陽極,Alq3作發光層,三芳胺類材料作空穴傳輸層,Mg/Ag合金作陰極,製成了雙層有機電致發光器件。傳統螢光材料易於合成,材料穩定,器件壽命較長,但是由於電子自旋禁阻的原因最多只能利用25%的單線態激子進行發光,75%的三線態激子被浪費掉,器件外量子效率往往低於5%,需要進一步提高。
能實現突破25%的內量子效率限制的螢光OLED器件主要採用熱活化延遲螢光(Thermally Activated Delayed Fluorescence,TADF)機制。TADF機制是利用具有較小單重態-三重態能級差(△EST)的有機小分子材料,其三重態激子在吸收環境熱能下可通過反向系間竄越(reverse intersystem crossing,RISC)這一過 程轉化為單重態激子,理論上其器件內量子效率能達到100%。但目前報導的TADF材料在高亮度下效率滾降(roll-off)較大,壽命較短,限制了其在全色顯示和白光照明中的應用。
因此,本申請要解決的技術問題在於克服激基複合物型熱活化延遲螢光(TADF)主體材料的單線態和三線態之間的能級差(△EST)較大、反向系間竄越速率kRISC較低,發光層中三線態-極化子湮滅(triplet-polaron annihilate,TPA)較為嚴重,器件效率、壽命等性能有待進一步提高的問題。
為此,本申請提供一種有機電致發光器件,具有第一電極、第二電極以及位於所述第一電極和所述第二電極之間的有機功能層,所述有機功能層包括發光層,所述發光層包括主體材料和客體材料,所述主體材料為供體分子和受體分子構成的激基複合物,所述供體分子和/或所述受體分子含有位阻基團。
可選地,所述供體分子為含咔唑基、三苯胺基、芳基中至少一種基團的化合物(具有空穴傳輸性質);所述受體分子為含有嘧啶基、三基、二唑基、吡啶基、咔唑基、芳基、氰基、吖啶基、二苯并噻吩基、三苯基膦醯基、三苯基硼烷基中至少一種基團的化合物(具有電子傳輸性質)。
可選地,所述供體分子採用以下結構中的任一種:
其中,上述分子結構上的X為氫或位阻基團、且至少一個X為位阻基團。
可選地,所述供體分子採用以下結構中的任一種:
可選地,所述受體分子為含有嘧啶基、三基、二唑基、吡啶基、咔唑基、芳基、氰基、吖啶基、二苯并噻吩基、三苯基膦醯基、三苯基硼烷基中至少一種基團的化合物。
可選地,所述受體分子採用以下結構中的任一種:
其中,上述分子結構上的X為氫或位阻基團、且至少一個X為位阻基團。
可選地,所述受體分子採用以下結構中的任一種:
可選地,所述位阻基團為彼此獨立的含有取代或未取代的烷基、環烷基、芳基、矽烷基、硼矽基的基團。
可選地,所述位阻基團選自:
可選地,所述供體分子或所述受體分子結構上位阻基團的個數小於等於6個。
可選地,所述激基複合物中,所述供體分子與所述受體分子的質量比為1:9~9:1。
可選地,所述供體分子材料與所述受體分子材料的質量比為1:2~1:5,或者,所述供體分子材料與所述受體分子材料的質量比2:1~5:1。
可選地,所述客體材料為螢光材料或磷光材料。
可選地,所述主體材料與所述客體材料的質量比為1000:1~2:1。
可選地,所述主體材料與所述客體材料的質量比為200:1~5:1。
本申請技術方案,具有如下優點:
1.本申請提供的有機電致發光器件,具有第一電極、第二電極以及位於第一電極和第二電極之間的有機功能層,有機功能層包括發光層,發光層包括主體材料和客體材料,主體材料為供體分子和受體分子構成的激基複合物,其中供體分子和/或受體分子含有位阻基團X。
首先,通過增大供體分子和受體分子之間的距離,降低所形成激基複合物主體的HOMO(最高占據分子軌道)與LUMO(最低未占分子軌道)軌道重疊程度,減小單線態-三線態能級差△EST,從而提升激基複合物主體的反向系間竄越速率(kRISC),激子容易從三線態反系間竄躍回單線態,最終使得更多的激子從三線態通過反向系間竄越轉化為單線態,從而將三線態能量進行充分利用。
其次,如果極化子通過Dexter能量轉移將能量傳給激基複合物主體的三線態,將導致激基複合物主體三線態能量升高,進而引起激基複合物主體分子鍵斷裂,導致器件壽命降低。在供體分子和(或)受體分子上引入大位阻基團X,能夠增大激基複合物主體分子彼此之間的距離,降低了發光層中主體的三線態濃度,抑制了三線態-三線態湮滅(TTA)和三線態-極化子湮滅(TPA),有助於提高電致發光器件的壽命。
再者,主體材料向客體材料的單線態或三線態能量轉移過程含有兩種能量傳遞機制,分別為Förster能量傳遞機制和Dexter能量傳遞機制,如圖1所示。其中,相對於短程的Dexter能量傳遞機制,長程的Förster能量傳遞機制的能量傳遞距離較遠,因此,供體分子和(或)受體分子上大位阻基團X的引入增大了主體 材料和客體材料分子彼此之間的距離,使得激基複合物主體材料在向客體材料傳遞能量時,主要通過Förster能量傳遞機制來實現,從而抑制了Dexter能量傳遞,避免了因短距離的Dexter能量轉移方式所帶來的需要較高摻雜濃度的問題,從而也避免了因摻雜濃度高所引起的電致發光器件效率淬滅、滾降、成本較高等問題。
2.本申請提供的有機電致發光器件,發光層中供體分子和(或)受體分子通過引入結構式X-1~X-22中大位阻基團X,來增加供體分子和(或)受體分子的空間位阻,從而增加供體分子和受體分子之間的距離,降低HOMO與LUMO重疊程度,提升激基複合物主體的反向系間竄越速率(kRISC),增強Förster能量傳遞,提高器件效率;同時引入上述X-1~X-22中大位阻基團,降低了發光層中主體的三線態濃度,抑制TPA,提高器件壽命。
3.本申請提供的有機電致發光器件,當引入大位阻基團X的量較大時,分子量過高將導致供體分子和(或)受體分子的蒸鍍溫度很高,增加蒸鍍工藝的難度,因此在OLED器件的有機發光層中,供體分子或受體分子的分子結構上的X為氫或位阻基團、且至少一個X為位阻基團;供體分子、受體分子中至少一種分子中含有位阻基團,單個供體分子或受體分子結構上的位阻基團的個數小於等於6個,這樣既可以增加OLED器件的使用壽命,也可以控制蒸鍍工藝難度。供體分子或受體分子的分子結構上存在2個以上位阻基團時,各位阻基團的結構可以不同。
為了更清楚地說明本申請具體實施方式或現有技術中的技術方案,下面將對具體實施方式或現有技術描述中所需要使用的圖式作簡單地介紹。顯而易見地,下面描述中的附圖是本申請 的一些實施方式,對於本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
1‧‧‧第一電極
2‧‧‧第二電極
3‧‧‧有機功能層
31‧‧‧空穴注入層
32‧‧‧空穴傳輸層
33‧‧‧發光層
34‧‧‧電子傳輸層
35‧‧‧電子注入層
圖1為有機電致發光器件發光過程中能量轉移示意圖。
圖2為本申請實施例1中有機電致發光器件的結構示意圖。
圖3為本申請實施例1-4、對比例1-2電致發光器件中所使用的材料分子結構。
圖4為本申請實施例2與對比例1外量子效率-亮度-功率效率圖譜。
圖5為本申請實施例2與對比例1的有機電致發光器件發光光譜。
下面將結合圖式對本申請的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本申請一部分實施例,而不是全部的實施例。基於本申請中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬於本申請保護的範圍。
在本申請的描述中,需要說明的是,術語「第一」、「第二」、「第三」僅用於描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性。
本申請可以以許多不同的形式實施,而不應該被理解為限於在此闡述的實施例。相反,提供這些實施例,使得本公開將是徹底和完整的,並且將把本申請的構思充分傳達給本領域技術人 員,本申請將僅由申請專利範圍來限定。在圖式中,為了清晰起見,會誇大層和區域的尺寸和相對尺寸。
本實施例提供一種有機電致發光器件,如圖2所示,具有第一電極1、第二電極2以及位於第一電極1和第二電極2之間的有機功能層3。第一電極1為陽極,第二電極2為陰極,有機功能層3包括層疊設置的空穴注入層31、空穴傳輸層32、發光層33、電子傳輸層34以及電子注入層35,即該有機電致發光器件的結構為:陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極。
發光層33由主體材料以及摻雜在主體材料中的客體材料構成。客體材料可為螢光材料或磷光材料。其中,激基複合物作為主體材料,主體材料與客體材料的質量比為1000:1~2:1,優選200:1~5:1。激基複合物由供體分子和受體分子構成,供體分子為具有空穴傳輸性質的含有咔唑基、三苯胺基、芳基中至少一種基團的化合物,受體分子為具有電子傳輸性質的含有嘧啶基、三基、二唑基、吡啶基、咔唑基、芳基、氰基、吖啶基、二苯并噻吩基、三苯基膦醯基、三苯基硼烷基中至少一種基團的化合物;供體分子或者受體分子中至少一種分子含有用於增大供體分子和受體分子間距的位阻基團X,位阻基團X為彼此獨立的含有取代或未取代的烷基、環烷基、芳基、矽烷基、硼矽基的取代基團。
本實施例中,選用由三苯胺基和咔唑基構成的化合物作為供體分子,其所選用的取代基團X為,具有如式(1-1) 所示結構:
選用由咔唑基和三基構成的化合物作為受體分子,其所選用的取代基團X為,具有式(2-34)結構:
本實施例中,有機電致發光器件中第一電極1選用ITO材料,空穴注入層31選用2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲(簡稱:HATCN),空穴傳輸層32選用空穴傳輸型材料N,N’-二苯基-N,N’-二(1-萘基)-1,1’-聯苯-4,4’-二胺(簡稱:NPB),電子傳輸層34選用電子傳輸型材料1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(簡稱:TPBi),電子注入層35選用電子注入材料LiF,第二電極2選用Al,其中,電子注入層35與第二電極2形成電子注入層/金屬層結構。
發光層33採用如下設計:如式(1-1)所示的供體分子和如式(2-34)所示的受體分子構成激基複合物主體,在該激基複合物中,如式(1-1)所示的供體分子和如式(2-34)所示的受體分子的質 量比為2:8。選用黃色螢光染料PPTPAD作為客體材料,所摻雜的黃色螢光材料PPTPAD占發光層材料質量的1%,使有機電致發光器件形成如下具體結構:ITO/HATCN(5nm)/NPB(40nm)/分子(1-1)(19.8wt%):分子(2-34)(79.2wt%):PPTPAD(1wt%)(20nm)/TPBi(40nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm);括號中為層厚,分子HATCN、分子NPB、分子PPTPAD、分子TPBi的分子式如圖3中所示。
作為可替換的實施方式,式(1-1)所示的供體分子和如式(2-34)所示的受體分子的質量比也可以選擇為1:2~1:5範圍內的其它數值,或者2:1~5:1範圍內的其它數值,或者1:9~9:1範圍內的其它數值,均能夠實現本申請的目的,屬於本申請的保護範圍。
作為可替換的實施方式,摻雜的黃色螢光材料PPTPAD占發光層材料質量分數還可以選擇200:1~5:1範圍內的其它數值,或者1000:1~2:1範圍內的其它數值,均能夠實現本申請的目的,屬於本申請的保護範圍。
作為可替換的實施方式,構成激基複合物的供體分子和受體分子不僅限於如式(1-1)所示的分子結構和如式(2-34)所示的分子結構:上述提供的任一種供體分子結構被上述任一種位阻基團X取代後與上述提供的任一種未被位阻基團X取代的受體分子形成激基複合物;上述提供的任一種未被位阻基團X取代的供體分子與上述提供的任一種受體分子結構被上述任一種位阻基團X取代後形成激 基複合物;上述提供的任一種供體分子結構被上述任一種位阻基團X取代後與上述提供的任一種受體分子結構被上述任一種位阻基團X取代後形成激基複合物。
在實施例2中,OLED器件可以設計為如下有機電致發光器件,該有機電致發光器件的結構包括陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機發光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極。本實施例中,選用由三苯胺基和咔唑基構成的化合物作為供體分子,其所選用的取代基團X為,具有如式(1-1)所示結構:
選用由咔唑基和三基構成的化合物作為受體分子,具有式(A)結構,與實施例1中使用的分子(2-34)區別在於沒有大位阻取代基團第三丁基。式(A)分子結構:
如式(1-1)所示的供體分子和如式(A)所示的受體分子構成激基複合物,在該激基複合物中,如式(1-1)所示的供體分子和如式(A)所示的受體分子的質量比為2:8。
實施例2僅有機發光層與實施例1不同,即受體分子不含大位阻基團,採用如下設計:ITO/HATCN(5nm)/NPB(40nm)/分子(1-1)(19.8wt%):分子(A)(79.2wt%):PPTPAD(1wt%)(20nm)/TPBi(40nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm),選用螢光染料PPTPAD作為摻雜材料,其中所摻雜的黃色螢光材料PPTPAD占發光層材料質量的1%。
在對比例1中,OLED器件可以設計為如下有機電致發光器件,該有機電致發光器件的結構包括陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機發光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極。本對比例中,選用由三苯胺基和咔唑基構成的化合物作為供體分子,具有如式(B)所示結構,與實施例1中使用的供體分子(1-1)區別在於沒有大位阻取代基團第三丁基。式(B)分子結構:
選用由咔唑基和三基構成的化合物作為受體分子,具有式(A)結構,與實施例1中使用的分子(2-34)區別在於沒有大位阻取代基團第三丁基。
如式(B)所示的供體分子和如式(A)所示的受體分子構成激基複合物,在該激基複合物中,如式(B)所示的供體分子和如式(A)所示的受體分子的質量比為2:8。
對比例1僅有機發光層與實施例1和實施例2不同,對比例1中,供體分子和受體分子上均不含大位阻基團,採用如下設計:ITO/HATCN(5nm)/NPB(40nm)/分子(B)(19.8wt%):分子(A)(79.2wt%):PPTPAD(1wt%)(20nm)/TPBi(40nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm),選用螢光染料PPTPAD作為摻雜材料,其中所摻雜的黃色螢光材料PPTPAD占發光層材料質量的1%。
在實施例3中,OLED器件可以設計為如下有機電致 發光器件,該有機電致發光器件的結構包括陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機發光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極。本實施例中,選用由三苯胺基和咔唑基構成的化合物作為供體分子,其所選用的位阻基團X為,具有如式(1-10)所示結構:
選用由吡啶基和三基構成的化合物作為受體分子,其所選用的位阻基團X為,具有式(2-19)結構:
實施例3中,有機電致發光器件中第一電極,即陽極,選用ITO材料;空穴注入層選用2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲(簡稱:HATCN);空穴傳輸層選用空穴傳輸型材料N,N’-二苯基-N,N’-二(1-萘基)-1,1’-聯苯-4,4’-二胺(簡 稱:NPB);電子傳輸層選用電子傳輸型材料1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(簡稱:TPBi);選用電子注入材料LiF和陰極材料Al,形成電子注入層/金屬層結構。
發光層33採用如下設計:如式(1-10)所示的供體分子和如式(2-19)所示的受體分子構成激基複合物,在該激基複合物中,如式(1-10)所示的供體分子和如式(2-19)所示的受體分子的質量比為1:1。選用紅色磷光染料Ir(piq)3作為摻雜材料,其中所摻雜的紅色磷光材料Ir(piq)3占發光層材料質量的1%。使有機致電發光器件形成如下具體結構:ITO/HATCN(5nm)/NPB(40nm)/分子(1-10):(49.5wt%)分子(2-19)(49.5wt%):1wt%Ir(piq)3(20nm)/TPBi(40nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm),紅色磷光材料Ir(piq)3分子結構見圖3。
在實施例4中,OLED器件可以設計為如下有機電致發光器件,該有機電致發光器件的結構包括陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機發光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極。本實施例中,選用由三苯胺基和咔唑基構成的化合物作為供體分子,其所選用的位阻基團X為,具有如式(1-10)所示結構:
選用由吡啶基和三基構成的化合物作為受體分子,具有式(C)結構,與實施例3中的受體分子(2-19)區別為沒有大位阻基團第三丁基,具有如式(C)結構式:
如式(1-10)所示的供體分子和如式(C)所示的受體分子構成激基複合物,在該激基複合物中,如式(1-10)所示的供體分子和如式(C)所示的受體分子的質量比為1:1。
實施例4僅有機發光層與實施例3不同,其受體分子上不含有大位阻基團,採用如下設計:ITO/HATCN(5nm)/NPB(40nm)/分子(1-10)(49.5wt%):分子(C)(49.5wt%):1wt%Ir(piq)3(20nm)/TPBi(40nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm),選用紅色磷光染料Ir(piq)3作為摻雜材料,其中所摻雜的紅色磷光材料Ir(piq)3占發光層材料質量的1%。
在對比例2中,OLED器件可以設計為如下有機電致發光器件,該有機電致發光器件的結構包括陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機發光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極。本實施例中,選用由三苯胺基和咔唑基構成的化合物作為供體分子,具有如式(B)所示結構:
選用由吡啶基和三基構成的化合物作為受體分子,具有式(C)結構,與實施例3中的受體分子(2-19)區別為沒有大位阻基團第三丁基。
如式(B)所示的供體分子和如式(C)所示的受體分子構成激基複合物,在該激基複合物中,如式(B)所示的供體分子和如式(C)所示的受體分子的質量比為1:1。
對比例2僅有機發光層與實施例3和實施例4不同,對比例2中,其供體分子和受體分子上均不含大位阻基團,採用如下設計: ITO/HATCN(5nm)/NPB(40nm)/分子(B)(49.5wt%):分子(C)(49.5wt%):1wt%Ir(piq)3(20nm)/TPBi(40nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm),選用紅色磷光染料Ir(piq)3作為摻雜材料,其中所摻雜的紅色磷光材料Ir(piq)3占發光層材料質量的1%。
本實施例與實施例1的不同在於:供體分子具有式(1-7)所示結構,所述供體分子與所述受體分子的質量比為1:9,主體材料與所述客體材料的質量比為200:1。器件在5000cd/m2亮度下,外量子效率為12.6%,CIE色坐標(0.32,0.59)。
本實施例與實施例1的不同在於:供體分子中具有式(1-10)所示結構,所述供體分子材料與所述受體分子材料的質量比為1:2,主體材料與所述客體材料的質量比為200:1。所得器件在5000cd/m2亮度下,外量子效率為14.1%,CIE色坐標(0.32,0.59)。
本實施例與實施例1的不同在於:供體分子中具有式(1-13)所示結構,所述供體分子材料與所述受體分子材料的質量比1:1,主體材料與所述客體材料的質量比為5:1。所得器件在5000cd/m2亮度下,外量子效率為12.4%,CIE色坐標(0.32,0.59)。
本實施例與實施例1的不同在於:供體分子中具有式(1-16)所示結構,所述供體分子與所述受體分子的質量比為2:3,主體材料與所述客體材料的質量比為2:1。所得器件在5000cd/m2亮度下,外量子效率為13.6%,CIE色坐標(0.32,0.59)。
本實施例與實施例2的不同在於:供體分子中具有式(1-18)所示結構,所述供體分子與所述受體分子的質量比為1:3,主體材料與所述客體材料的質量比為100:1。所得器件在5000cd/m2亮度下,外量子效率為14.6%,CIE色坐標(0.32,0.59)。
本實施例與實施例2的不同在於:供體分子中具有式(1-25)所示結構,所述供體分子與所述受體分子的質量比為1:4,主體材料與所述客體材料的質量比為150:1。器件在5000cd/m2亮度下,外量子效率為15.1%,CIE色坐標(0.33,0.59)。
本實施例與實施例2的不同在於:供體分子中具有式(1-26)所示結構,所述供體分子與所述受體分子的質量比為1:4,主體材料與所述客體材料的質量比為150:1。所得器件在5000cd/m2亮度下,外量子效率為13.8%,CIE色坐標(0.33,0.59)。
本實施例與實施例3的不同在於:受體分子中具有式(2-5)所示結構,所述供體分子與所述受體分子的質量比為2:1,主體材料與所述客體材料的質量比為500:1。所得器件在5000cd/m2亮度下,外量子效率為14.2%,CIE色坐標(0.67,0.33)。
本實施例與實施例3的不同在於:受體分子中具有式(2-16)所示結構,所述供體分子與所述受體分子的質量比為1:1,主體材料與所述客體材料的質量比為150:1。器件在5000cd/m2亮度 下,外量子效率為17.1%,CIE色坐標(0.67,0.33)。
本實施例與實施例4的不同在於:受體分子中具有式(2-17)所示結構,所述供體分子與所述受體分子的質量比為1:1,主體材料與所述客體材料的質量比為150:1。器件在5000cd/m2亮度下,外量子效率為17.7%,CIE色坐標(0.67,0.33)。
本實施例與實施例1的不同在於:受體分子中具有式(2-20)所示結構,所述供體分子與所述受體分子的質量比為6:4,主體材料與所述客體材料的質量比為90:1。器件在5000cd/m2亮度下,外量子效率為13.9%,CIE色坐標(0.33,0.59)。
本實施例與實施例1的不同在於:受體分子中具有式(2-25)所示結構,所述供體分子與所述受體分子的質量比為3:7,主體材料與所述客體材料的質量比為60:1。器件在5000cd/m2亮度下,外量子效率為14.8%,CIE色坐標(0.33,0.59)。
本實施例與實施例2的不同在於:受體分子中具有式(2-26)所示結構,所述供體分子與所述受體分子的質量比為4:6,主體材料與所述客體材料的質量比為40:1。器件在5000cd/m2亮度下,外量子效率為15.8%,CIE色坐標(0.33,0.59)。
本實施例與實施例3的不同在於:受體分子中具有式(2-31)所示結構,所述供體分子與所述受體分子的質量比為1:8,主 體材料與所述客體材料的質量比為100:1。器件在5000cd/m2亮度下,外量子效率為18.1%,CIE色坐標(0.67,0.33)。
本實施例與實施例3的不同在於:受體分子中具有式(2-32)所示結構,所述供體分子與所述受體分子的質量比為1:7,主體材料與所述客體材料的質量比為180:1。器件在5000cd/m2亮度下,外量子效率為17.9%,CIE色坐標(0.67,0.33)。
本實施例與實施例4的不同在於:受體分子中具有式(2-35)所示結構,所述供體分子與所述受體分子的質量比為1:6,主體材料與所述客體材料的質量比為80:1。器件在5000cd/m2亮度下,外量子效率為16.9%,CIE色坐標(0.67,0.33)。
本實施例與實施例4的不同在於:受體分子中具有式(2-36)所示結構,所述供體分子與所述受體分子的質量比為1:1,主體材料與所述客體材料的質量比為60:1。器件在5000cd/m2亮度下,外量子效率為18.0%,CIE色坐標(0.67,0.33)。
以上實施例中,供體分子可選用的結構式以及位阻基團X的可取代位置如式(D-1)~式(D-9)任一項所示;受體分子可選用的結構式以及位阻基團X的可取代位置如式(A-1)~式(A-12)任一項所示。以上實施例中,供體分子或受體分子的分子結構上的X為氫或位阻基團、且至少一個X為位阻基團;供體分子、受體分子中至少一種分子中含有位阻基團,單個供體分子或受體分子結構上的位阻基團的個數小於等於6個,供體分子或受體分子的分子結構上存 在2個以上位阻基團時,各位阻基團的結構可以不同。
以上實施例中位阻基團X可選自如式(X-1)~式(X-22)所示結構中的一種或多種。
以上實施例中供體分子結構可採用如式(1-1)~式(1-27)所示結構中的任一種。
以上實施例中受體分子結構可採用如式(2-1)~式(2-36)所示結構中的任一種。
以上實施例中,在激基複合物中,供體分子和受體分子的質量比為1:9~9:1;優選地,供體分子材料與受體分子材料的質量比為1:2~1:5;或者,供體分子材料與受體分子材料的質量比為2:1~5:1。
將實施例1-4和對比例1-2器件的電流、電壓、亮度、發光光譜等特性採用PR 650光譜掃描亮度計和Keithley K 2400數字源表系統同步測試。
一、對實施例1、實施例2、對比例1的OLED器件的性能進行測試,測試結果如下表1所示:
從表1可以看出,在採用實施例1、實施例2以及對 比例1提供的材料製備的OLED器件中,客體材料均為1%摻雜的螢光材料PPTPAD。在相同亮度下,實施例1和實施例2的OLED器件的外量子效率和功率效率與對比例1的OLED器件相比較高;其中,實施例1 OLED器件的外量子效率和功率效率高於實施例2 OLED器件,這是由於實施例1提供的供體分子和受體分子都含有大位阻基團,進一步說明含大空間位阻基團的供體和/或受體材料能夠通過增大供體分子和受體分子的分子間距離,降低所形成激基複合物主體的HOMO與LUMO軌道重疊程度,減小單線態-三線態能級差△EST,從而提升激基複合物主體的反向系間竄越速率(kRISC),增強對客體分子的Föster能量傳遞,提高有機電致發光器件的效率。
如圖4所示,縱坐標為外量子效率和功率效率,橫坐標為亮度,實施例2的OLED器件在相同亮度下的電致發光性能要優於對比例1的OLED器件,這說明,在激基複合物主體材料中含大空間位阻基團X(第三丁基)時,比不含有大空間位阻基團時器件性能好,表現在外量子效率、功率效率高;如圖5所示,實施例2與對比例1的有機電致發光器件發光光譜。
在恆定亮度5000cd/m2下測試實施例1、實施例2與對比例1的壽命LT90,定義對比例1為標準器件,其壽命為1當量。從表1可以看出,實施例1和實施例2的OLED器件壽命相比對比例1的OLED器件均有提升,實施例1的OLED器件壽命最長。因此,大位阻基團的引入能夠有效降低發光層中的三線態濃度,抑制三線態-極化子湮滅(TPA),提高器件壽命。
二、對實施例3、實施例4、對比例2的OLED器件 的性能進行測試,測試結果如下表2所示:
從表2可以看出,在採用實施例3、實施例4以及對比例2提供的材料製備的OLED器件中,客體發光材料均為1%摻雜的磷光材料Ir(piq)3。在相同亮度下,實施例3和實施例4的OLED器件外量子效率和功率效率優於對比例2的OLED器件,這說明,供體和/或受體分子含有大位阻取代基團能夠降低所形成激基複合物主體的HOMO與LUMO軌道重疊程度,減小單線態-三線態能級差△EST,從而提升激基複合物主體的反向系間竄越速率(kRISC),增強對客體分子的Föster能量傳遞,提高有機電致發光器件的效率,使得磷光發光器件性能更優良。其中,實施例3的OLED器件由於供體分子和受體分子上都存在大位阻基團X,故性能最佳。而且,客體材料摻雜濃度僅為1%,摻雜濃度低,降低器件成本。
在恆定亮度5000cd/m2下測試實施例3、實施例4和對比例1的壽命LT90,定義對比例2為標準器件,其壽命為1當量。從表2可以看出,實施例3和實施例4的OLED器件壽命(LT90在恆定亮度5000cd/m2下測試)相比對比例2的OLED器件均有所提升,說明大位阻基團的引入能夠有效降低發光層中的三線態濃度,抑制三線態-極化子湮滅(TPA),提高器件壽命。
顯然,上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例,而並非對實施方式的限定。對於所屬領域的普通技術人員來說,在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這裡無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處於本申請創造的保護範圍之中。
Claims (10)
- 一種有機電致發光器件,其中,有機電致發光器件中的有機功能層包括發光層,所述發光層包括主體材料和客體材料,所述主體材料為供體分子和受體分子構成的激基複合物,所述供體分子和/或所述受體分子含有位阻基團。
- 如請求項1之有機電致發光器件,其中,所述供體分子為含咔唑基、三苯胺基、芳基中至少一種基團的化合物。
- 如請求項2之有機電致發光器件,其中,所述供體分子採用以下結構中的任一種:
其中,上述分子結構上的X為氫或位阻基團、且至少一個X為位阻基團。 - 如請求項3之有機電致發光器件,其中,所述供體分子採用以下結構中的任一種:
- 如請求項1之有機電致發光器件,其中,所述受體分子為含有嘧啶基、三 基、 二唑基、吡啶基、咔唑基、芳基、氰基、吖啶基、二苯并噻吩基、三苯基膦醯基、三苯基硼烷基中至少一種基團的化合物。
- 如請求項5之有機電致發光器件,其中,所述受體分子採用以下結構中的任一種:
其中,上述分子結構上的X為氫或位阻基團、且至少一個X為位阻基團。 - 如請求項6之有機電致發光器件,其中,所述受體分子採用以下結構中的任一種:
- 如請求項1至7中任一項之有機電致發光器件,其中,位阻基團為彼此獨立的含有取代或未取代的烷基、環烷基、芳基、矽烷基、硼矽基的基團。
- 如請求項8之有機電致發光器件,其中,位阻基團選自如下所示結構中的一種或多種:
- 如請求項1至7中任一項之有機電致發光器件,其中,所述供體分子或所述受體分子結構上位阻基團的個數小於等於6個。
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