TW201904038A

TW201904038A - 封裝結構及其製程

Info

Publication number: TW201904038A
Application number: TW106118998A
Authority: TW
Inventors: 徐慶銘; 張文雄; 葉博偉; 葉昀鑫
Original assignee: 力成科技股份有限公司
Priority date: 2017-06-08
Filing date: 2017-06-08
Publication date: 2019-01-16

Abstract

一種封裝製程，其包括以下步驟。提供晶圓，晶圓包括陣列排列的多個晶片，多個晶片具有主動面、位於主動面上的感光部以及相對於主動面的背面。於晶圓上形成阻擋層，以覆蓋多個晶片的主動面。圖案化阻擋層以形成多個阻擋結構，其中多個阻擋結構環繞感光部。將多個濾光層貼合於多個阻擋結構上，其中多個濾光層覆蓋相對應的阻擋結構以及相對應的感光部。

Description

封裝結構及其製程

本發明是有關於一種半導體結構及其製程，且特別是有關於一種封裝結構及其製程。

近年來由於多媒體的蓬勃發展，數位影像使用愈趨頻繁，相對應許多影像處理裝置的需求也愈來愈多。現今許多數位影像產品，包括電腦網路攝影機(web camera)，數位照相機(digital camera)，甚至光學掃描器(scanner)及影像電話等，皆是藉由影像感測器(image sensor)來擷取影像。舉例來說，影像感測器包括了電荷耦合元件影像感測晶片(CCD image sensor chip)及互補式金氧半導體影像感測晶片(CMOS image sensor chip)等元件，使其可以靈敏地接收影物(scene)所發出之光線，並將此光線轉換為數位訊號。

然而，隨著電子產品不斷地出現，並朝向輕、薄、短、小的趨勢發展，影像感測器也朝向晶圓級晶片尺寸封裝（wafer level chip scale package, WLCSP）發展。因此，如何在減少封裝結構尺寸的同時還能提升影像感測器的光學成像品質，實為目前研發人員亟待解決的議題之一。

本發明提供一種封裝結構及其製程，其可提升影像感測器具的光學成像品質。

本發明的一實施例提供一種封裝製程，其包括以下步驟。提供晶圓，晶圓包括陣列排列的多個晶片，多個晶片具有主動面、位於主動面上的感光部以及相對於主動面的背面。於晶圓上形成阻擋層，以覆蓋多個晶片的主動面。圖案化阻擋層以形成多個阻擋結構，其中多個阻擋結構環繞感光部。將多個濾光層貼合於多個阻擋結構上，其中多個濾光層覆蓋相對應的阻擋結構以及相對應的感光部。

本發明的另一實施例提供一種封裝製程，其包括以下步驟。提供多個晶片，每一晶片具有主動面、位於主動面上的感光部以及相對於主動面的背面。將多個晶片設置於載板上。於載板上形成阻擋層，以覆蓋多個晶片。圖案化阻擋層以形成多個阻擋結構，其中多個阻擋結構分別環繞相對應的感光部。將多個濾光層貼合於多個阻擋結構上，其中多個濾光層覆蓋相對應的阻擋結構以及相對應的感光部。

本發明的一實施例提供一種封裝結構，其包括晶片、阻擋結構、濾光層以及防水膜。晶片包括基底與感光部。阻擋結構位於基底上且環繞感光部。濾光層貼合於阻擋結構上且覆蓋阻擋結構與感光部。防水膜位於阻擋結構的遠離感光部的側壁上與濾光層的側壁上。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。圖式中的層與區域的厚度會為了清楚起見而放大。相同或相似之參考號碼表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。

圖1A至圖1G為依照本發明一實施例的封裝製程的剖面示意圖。請參照圖1A，提供晶圓10。晶圓10包括多個陣列排列的晶片108以及位於相鄰的兩個晶片108之間的切割道102。晶片108具有主動面108a以及相對於主動面108a的背面108b。晶片108包括基底100、多個接墊104、介電層105以及感光部106。基底100包括半導體基底。半導體基底例如是摻雜矽基底、未摻雜矽基底或絕緣體上覆矽（SOI）基底。摻雜矽基底可以為P型摻雜、N型摻雜或其組合。在一些實施例中，基底100可包括多個主動元件，其可以形成於基底100上或是嵌入基底100中。主動元件可以是電荷耦合元件（CCD）、互補式金屬氧化物半導體（CMOS）電晶體、光電二極管或其組合。舉例來說，在主動元件為CMOS電晶體的情況下，晶片108可被視為CMOS影像感測器晶片。

介電層105位於基底100上，其表面可為晶片108的主動面108a。介電層105的材料例如是介電材料。介電材料例如是氧化矽、四乙氧基矽氧烷（TEOS）氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、無摻雜矽玻璃（USG）、硼磷矽玻璃（BPSG）、磷矽玻璃（PSG）、介電常數低於4的低介電常數材料或其組合。低介電常數材料例如是氟摻雜矽玻璃（FSG）、矽倍半氧化物、芳香族碳氫化合物（Aromatic hydrocarbon）、有機矽酸鹽玻璃、聚對二甲苯（Parylene）、氟化聚合物（Fluoro-Polymer）、聚芳醚（Poly（arylethers））、多孔聚合物（Porous polymer）或其組合。介電層105的形成方法例如是熱氧化法、原子層沉積法（ALD）、化學氣相沉積法（CVD）、旋轉塗佈法（SOG）或其組合。

感光部106位於介電層105上（即晶片108的主動面108a上）。感光部106例如是可以偵測光學訊號（例如光線）或是圖像數據的元件。在一些實施例中，感光部106可以是由紅色濾光片、綠色濾光片以及藍色濾光片所形成的彩色濾光片陣列。接墊104位於介電層105中以及感光部106的周圍。接墊104的材料例如是導體材料。導體材料例如是金屬、金屬合金、金屬氮化物、金屬矽化物或其組合。在一些示範實施例中，金屬與金屬合金例如Cu、Al、Ti、Ta、W、Pt、Cr、Mo或其合金。金屬氮化物例如是氮化鈦、氮化鎢、氮化鉭、氮化矽鉭、氮化矽鈦、氮化矽鎢或其組合。金屬矽化物例如是矽化鎢、矽化鈦、矽化鈷、矽化鋯、矽化鉑、矽化鉬、矽化銅、矽化鎳或其組合。前述導體材料的形成方法例如是ALD、CVD、PVD或其組合。在一些實施例中，接墊104作為使電壓（電源和/或接地）能傳送到感光部106和基底100中的主動元件的電極。

請同時參照圖1B及圖1C，於晶圓10上形成阻擋層109，以覆蓋晶片108的主動面108a。阻擋層109的材料可以是感光材料，例如曝光後會裂解的正型感光材料或是曝光後會鍵結的負型感光材料。阻擋層109的形成方法例如是SOG，但本發明不以此為限。接著，圖案化阻擋層109以形成多個阻擋結構109a，其中阻擋結構109a環繞感光部106，且阻擋結構109a暴露出感光部106。圖案化阻擋層109的方法例如是先於阻擋層109上形成圖案化罩幕層，並對圖案化罩幕層所暴露的阻擋層109進行曝光，之後對曝光後的阻擋層109進行顯影，以形成阻擋結構109a。另外，在一些實施例中，阻擋結構109a也可以藉由網印的方式形成於晶圓10上。也就是說，阻擋結構109a也可透過非感光材料來製造。舉例來說，阻擋結構109a的材料也可以是環氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、矽氧樹脂、矽氧烷、聚醯亞胺、苯並環丁烯（BCB）或其組合。

請參照圖1D，將多個濾光層110貼合於阻擋結構109a上，以覆蓋相對應的阻擋結構109a以及感光部106，使得濾光層110、阻擋結構109a與晶片108之間形成一密閉空間。如此一來，濾光層110可用來保護晶片108，以避免後續製程中環境或機台內的微粒掉落至感光部106上而造成缺陷，故可提高封裝製程的良率。承上所述，由於濾光層110可用來保護晶片108，故不需額外於阻擋結構109a上形成用來保護晶片108的玻璃（cover glass, CG），不僅減少了光穿透率的損失以提升光學成像的品質，且封裝結構的尺寸亦能達到微型化設計。在一些實施例中，濾光層110為單層結構且直接接觸於阻擋結構109a。在一些實施例中，濾光層110可以是紅外線截止濾光片（IR cut filter, IRCF），其可阻擋波長大於700 nm的光線（例如紅外線），而只讓波長小於700 nm的光線（例如藍光）穿過濾光層110，適合應用於一般光線下之影像擷取，例如攝影或錄影。紅外線截止濾光片的材料例如是藍寶石玻璃。在另一些實施例中，濾光層110也可以是紅外線濾光片（IR filter, IRF），其可阻擋小於700 nm的光線，而只讓波長大於700 nm的光線穿過濾光層110，適合應用在先進駕駛輔助系統（例如行車夜視系統或駕駛員疲勞監控）或居家安全監控系統。紅外線濾光片的材料可以是二氧化矽（SiO₂ ）、五氧化二鉭(Ta₂ O₅ )、三氟化釔（YF₃ ）、硫化鋅（ZnS）或其組合。舉例來說，紅外線濾光片是由SiO₂ 和Ta₂ O₅ 構成或是由YF3和ZnS構成。在一些實施例中，將濾光層110貼合於阻擋結構109a上的方法是先將濾光片110固定於載板上。接著，在載板與晶圓10進行對位之後，藉由熱壓合的方式將濾光片110貼合於阻擋結構109a上。之後，藉由曝照紫外線（UV）的方式來分離載板與濾光片110。

請參照圖1E，藉由黏著材料112將晶圓10、阻擋結構109a及濾光片110所構成之半成品固定於晶圓承載系統（wafer support system）114上。黏著材料112例如是丙烯酸系黏著材料（acrylic adhesive）、聚矽氧黏著材料（Silicone adhesive）或其組合。接著，於晶片108的基底100中形成多個矽穿孔（TSV）124，其中矽穿孔124電性連接於相對應的接墊104。在本實施例中，矽穿孔124是由通孔116中的絕緣層118、阻障層120以及導體層122所構成，但本發明不以此為限。在一些實施例中，於晶片108的基底100中形成矽穿孔124的步驟如下：

首先，於晶片108的基底100中形成多個通孔116。在一些實施例中，於基底100中形成通孔116的方法可以是先於晶片108的背面108b上形成圖案化光阻層（未繪示）。接著，以接墊104為蝕刻停止層，對圖案化光阻層所暴露的基底100進行蝕刻製程，以於基底100中形成暴露接墊104的通孔116。之後，移除圖案化光阻層。圖案化光阻層的材料例如是感光樹脂或其他感光材料。蝕刻製程例如是乾蝕刻、濕蝕刻或其組合。移除圖案化光阻層的方法例如是灰化製程（Ash）。

接著，於通孔116的側壁上形成絕緣層118。絕緣層118的材料可以是氧化物，例如氧化矽。在一些實施例中，於通孔116的側壁形成絕緣層118的方法可以是先於通孔116的側壁與底面上形成絕緣層材料（未繪示），之後移除位於通孔116底面的絕緣層材料，以於通孔116的側壁上形成暴露出接墊104的絕緣層118。絕緣材料層例如是透過電漿輔助化學氣相沈積（PECVD）、常壓化學氣相沉積（APCVD）或低壓化學氣相沉積(LPCVD)來形成。移除位於通孔116底面的絕緣層材料的方法例如是乾蝕刻。

然後，於絕緣層118的側壁上以及通孔的底面上形成阻障層120，其中阻障層120電性連接於接墊104。阻障層120的材料例如是鈦（Ti）、鈦鎢（TiW）、鉭（Ta）、氮化鈦（TiN）、氮化鉭（TaN）或其組合。阻障層120的形成方法例如是ALD、CVD、PVD或其組合。在一些實施例中，阻障層120除了能阻止銅與矽的互相擴散外，還能增加後續形成於接墊104上之導體層122與接墊104之間的附著性（或黏著性）。

最後，於阻障層120的表面上形成導體層122，以於基底100中形成矽穿孔124。導體層122的材料可以是導體材料，例如銅（Cu）或金（Au）。在一些實施例中，形成導體層122的方法可以是先於阻障層120的表面上形成晶種層，之後藉由電鍍（plating）（例如，電鍍（electroplating）或無電電鍍（electroless plating）等）或濺鍍（sputtering）的方式，將導體材料形成於晶種層上，以形成導體層122。

另外，為了減少晶圓10的整體厚度，在一些實施例中，在形成矽穿孔124之前，還可對晶片108的背面111a進行研磨製程（grinding），以減少基底100的厚度。研磨製程可以通過例如機械研磨、化學機械研磨（CMP）或蝕刻的技術來執行。

請繼續參照圖1E，於晶片108的背面108b上形成重佈線層（redistribution layer, RDL）126，其中重佈線層126分離設置於背面108b上並透過矽穿孔124電性連接至相對應的接墊104。在一些實施例中，重佈線層126的材料可以是導體材料。導體材料例如是金屬、金屬合金、金屬氮化物、金屬矽化物或其組合。在一些示範實施例中，金屬與金屬合金例如Cu、Al、Ti、Ta、W、Pt、Cr、Mo或其合金。金屬氮化物例如是氮化鈦、氮化鎢、氮化鉭、氮化矽鉭、氮化矽鈦、氮化矽鎢或其組合。金屬矽化物例如是矽化鎢、矽化鈦、矽化鈷、矽化鋯、矽化鉑、矽化鉬、矽化銅、矽化鎳或其組合。前述導體材料的形成方法例如是ALD、CVD、PVD或其組合。

請參照圖1F，於晶片108的背面108b上以及重佈線層126上形成鈍化層128，其中鈍化層暴露部分重佈線層126。此處，被鈍化層128所暴露的部分重佈線層126可被定義為球墊（Ball pads）。接著，於重佈線層126（即球墊）上進行植球（ball mount），以於重佈線層126上形成多個焊球130。鈍化層128的材料例如是高分子材料。高分子材料例如是環氧樹脂（epoxy）、聚醯亞胺（polyimide, PI）或其組合。焊球120的材料例如是錫（Sn）、金（Au）、銀（Ag）、銅（Cu）或其組合。鈍化層128的形成方法例如是乾膜壓合或濕膜塗佈。在一些實施例中，鈍化層128覆蓋矽穿孔124及部分的重佈線層126，以保護上述矽穿孔124及重佈線層126。

請同時參照圖1F及圖1G，移除黏著材料112與晶圓承載系統114。在一些實施例中，可以藉由雷射的方式來移除黏著材料112，以分離晶圓10與晶圓承載系統114。之後，進行單體化製程（singulation），以形成多個相互獨立的封裝結構132。

基於上述，上述實施例的封裝結構132將濾光片110貼合於阻擋結構109a上，以避免後續製程中環境或機台內的微粒掉落至晶片108的感光部106上而造成缺陷。此外，由於不需額外於感光部106上形成用來保護感光部106的玻璃（cover glass, CG），故可減少光穿透率的損失以提升光學成像的品質，且封裝結構的尺寸亦能達到微型化設計。

圖2A至圖2D為依照本發明另一實施例的封裝製程的剖面示意圖。請參照圖1C及圖2A，阻擋結構209a大致相同於阻擋結構109a，其不同之處僅在於阻擋結構209a分離設置於晶圓10上。也就是說，相鄰的兩個阻擋結構209a之間具有暴露晶圓10的間隙202。

請參照圖2B，將多個濾光層110貼合於阻擋結構209a上。在一些實施例中，將濾光層110貼合於阻擋結構209a上的方法可以是先於載板204上依序形成的黏著層（adhesive layer）205以及離形層（release film）206，使得濾光層110可固定於載板204上。之後，藉由熱壓合的方式將濾光片110貼合於阻擋結構209a上。黏著層205可以由黏著劑所形成，諸如紫外線（UV）膠、光熱轉換（Light-to-Heat Conversion，LTHC）膠等，但也可使用其他類型的黏著劑。離形層206可以由以聚合物為基礎材料（polymer based materials）所製成。在一些實施例中，離形層206為以環氧基樹脂（epoxy）為基礎的熱離形材料，當其被加熱時會失去黏性，例如LTHC離形塗層（releasing coating）。在其他實施例中，離形層206可為紫外光膠，其暴露在紫外光下時會失去黏著性。離形層206例如可以液體形式塗佈（dispense）並且固化。在其他實施例中，離形層206可以為層疊於載板204上的層膜（laminate film）。其他型態的離形層亦可以被使用。

請參照圖2C，移除載板204以及黏著層205。在一些實施例中，可藉由曝照紫外光的方式，使黏著層205失去黏著性，以移除離形層206上的黏著層205及載板204。在一些實施例中，離形層206覆蓋於濾光層110上，因此，在後續形成防水膜210以及保護膜212的製程中，可保護濾光層110的透光面（即位於感光部106上的表面）不受到傷害或污染。

接著，於濾光層110的側壁以及相鄰的兩個阻擋結構209a之間的間隙202的表面上形成防水膜210。如此一來，防水膜210形成於阻擋結構209a的遠離感光部106的側壁上與濾光層110的側壁上，故可避免水氣從阻擋結構209a、阻擋結構209a與濾光層110之間的貼合處或是濾光層110的側壁進入感光部106中，使得最後產品可應用在更惡劣的環境中。防水膜210的材料例如是二氧化矽（SiO₂ ）、二氧化鈦（TiO₂ ）或其組合。在一些實施例中，形成防水膜210的方法可採用沉積，例如CVD、PVD或其組合。

然後，於防水膜210的表面上形成保護膜212並對其進行固化（curing）製程，以保護防水膜210，使其不易受到損傷。保護膜212可以是填充膠材，其材料例如是氧化物。舉例來說，保護膜212的材料可以是氧化矽、環氧樹脂或其組合。保護膜212的形成方法例如是PVD，但本發明不以此為限。固化製程例如是採用曝照UV光的方式進行固化或是以加熱的方式進行固化。在一些實施例中，保護膜212也可填滿於間隙202中。

請參照圖2D，在形成完上述的防水膜210及保護膜212後，移除離形層206並進行如前述圖1A至圖1G之製程，以形成封裝結構232。如此一來，封裝結構232中的防水膜210位於阻擋結構209a的遠離感光部106與濾光層110的側壁上，因此，除了具有微型化設計以及減少光穿透率損失的優點外，其還能夠防止水氣從阻擋結構209a、阻擋結構209a與濾光層110之間的貼合處或是濾光層110的側壁進入感光部106中，使得最後產品可應用在更惡劣的環境中。

圖3A至圖3E為依照本發明又一實施例的封裝製程的剖面示意圖。請參照圖3A，提供多個晶片108、308。晶片108具有主動面108a、位於主動面108a上的感光部106以及相對於主動面108a的背面108b。晶片108包括基底100、多個接墊104、介電層105以及感光部106。在一些實施例中，提供晶片108的方法例如是將具有多個晶片108的晶圓進行單體化製程。晶片308具有主動面308a、位於主動面308a上的感光部306以及相對於主動面308a的背面308b。晶片308包括基底300、多個接墊104、介電層105以及感光部306。在一些實施例中，提供晶片308的方法例如是將具有多個晶片308的晶圓進行單體化製程。在一些實施例中，晶片308與晶片108不同，其差異在於晶片308與晶片108中的主動元件不同或是感光部306與感光部106中的構件相異，導致晶片308與晶片108具有不同的功能。舉例來說，晶片108適於接收並感測波長小於700 nm的光線，其可應用於一般光線下之影像擷取；而晶片308適於接收並感測波長大於700 nm的光線，其可應用於先進輔助駕駛系統或居家安全系統。

接著，將晶片108與晶片308設置於載板30。在一些實施例中，晶片108與晶片308藉由黏著層32固定於載板30上。黏著層32可以由黏著劑所形成，諸如UV膠、LTHC膠等，但也可使用其他類型的黏著劑。

請參照圖3B，於載板30上形成阻擋層309，以覆蓋晶片108與晶片308。在一些實施例中，於載板30上形成阻擋層309的方法例如是先於載板30上形成阻擋載具（carrier dam）307，以定義阻擋層309形成於載板30上的區域，例如阻擋載具307環繞於載板30的邊緣上。接著，將液態的阻擋層309（例如阻擋膠體（dam glue））填入阻擋載具307所圍繞的區域中，以覆蓋晶片108與晶片308。阻擋層109的材料可以是感光材料，例如曝光後會裂解的正型感光材料或是曝光後會鍵結的負型感光材料。

請同時參照圖3B及圖3C，圖案化阻擋層309以形成多個阻擋結構309a，其中阻擋結構309a分別環繞相對應的感光部106與相對應的感光部306，且阻擋結構309a暴露出感光部106與感光部306。在一些實施例中，可以藉由曝光和顯影的方式來形成圖案化阻擋層309。接著，移除阻擋載具307。

請參照圖3D，將多個濾光層110、310貼合於阻擋結構309a上。濾光層110覆蓋感光部106以及相對應的阻擋結構309a。濾光層310覆蓋感光部306以及相對應的阻擋結構309a。在一些實施例中，濾光層110與濾光層310不同。舉例來說，濾光層110是紅外線截止濾光片；而濾光層310是紅外線濾光片。如此一來，藉由分開收集不同波長的光源，並由相對應的晶片進行感測，可有效提升光學成像的品質。舉例來說，濾光層110為紅外線截止濾光片，而晶片108為用以感測光線波長小於700 nm的感測器；濾光層310為紅外線濾光片，而晶片308為用以感測光線波長大於700 nm的紅外線感測器。

請參照圖3E，進行如前述圖1E至圖1F的製程後，移除黏著材料112與晶圓承載系統114，以形成封裝結構332。封裝結構332包括晶片108、晶片308、濾光層110以及濾光層310。在一些實施例中，當晶片108與晶片308為多個的情況下，還可以進行單體化製程，以形成多個相互獨立的封裝結構332。

圖4為依照本發明一實施例的封裝結構的剖面示意圖。請同時參照圖3E及圖4，封裝結構432大致相同於封裝結構332，其不同之處在於阻擋結構409a分離設置於鈍化層128上，且在濾光層110及濾光層310的側壁以及相鄰的兩個阻擋結構409a的間隙402的表面上形成防水膜210，接著在防水膜210的表面形成保護膜212。在一些實施例中，保護膜212也可填滿於間隙402中。如此一來，封裝結構432除了具有微型化設計、減少光穿透率損失以及提升光學成像品質（將不同波長的光源分開收集）的優點外，其還能夠防止水氣從阻擋結構409a、阻擋結構409a與濾光層110、310之間的貼合處或是濾光層110、310的側壁進入感光部106、306中，使得最後產品可應用在更惡劣的環境中。

綜上所述，上述實施例的封裝結構將濾光片貼合於阻擋結構上，以減少後續製程中環境或機台內的微粒掉落至晶片的感光部上所造成的缺陷。此外，由於不需在感光部上形成用來保護感光部的玻璃，故可減少光穿透率的損失以提升光學成像的品質，且封裝結構的尺寸亦能達到微型化設計。另外，上述實施例的封裝結構具有不同的濾光片以及與其相對應的晶片，使得不同波長的光源可分開收集，並分別由相對應的晶片進行感測，進而提升光學成像的品質。此外，在上述實施例的封裝結構中，其防水膜位於阻擋結構的遠離感光部與濾光層的側壁上，故能夠防止水氣進入感光部中，使得最後產品可應用在更惡劣的環境中。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧晶圓

102‧‧‧切割道

100‧‧‧基底

104‧‧‧接墊

105‧‧‧介電層

106、306‧‧‧感光部

108、308‧‧‧晶片

108a、308a‧‧‧主動面

108b、308b‧‧‧背面

109、309‧‧‧阻擋層

109a、209a‧‧‧阻擋結構

110、310‧‧‧濾光層

112‧‧‧黏著材料

114‧‧‧晶圓承載系統

116‧‧‧通孔

118‧‧‧絕緣層

120‧‧‧阻障層

122‧‧‧導體層

124‧‧‧矽穿孔

126‧‧‧重佈線層

128‧‧‧鈍化層

130‧‧‧焊球

132、232、332、432‧‧‧封裝結構

202、402‧‧‧間隙

30、204‧‧‧載板

32、205‧‧‧黏著層

206‧‧‧離形層

210‧‧‧防水膜

212‧‧‧保護膜

307‧‧‧阻擋載具

圖1A至圖1G為依照本發明一實施例的封裝製程的剖面示意圖。圖2A至圖2D為依照本發明另一實施例的封裝製程的剖面示意圖。圖3A至圖3E為依照本發明又一實施例的封裝製程的剖面示意圖。圖4為依照本發明一實施例的封裝結構的剖面示意圖。

Claims

一種封裝製程，包括：提供晶圓，所述晶圓包括陣列排列的多個晶片，所述多個晶片具有主動面、位於所述主動面上的感光部以及相對於所述主動面的背面；於所述晶圓上形成阻擋層，以覆蓋所述多個晶片的所述主動面；圖案化所述阻擋層以形成多個阻擋結構，其中所述多個阻擋結構環繞所述感光部；以及將多個濾光層貼合於所述多個阻擋結構上，其中所述多個濾光層覆蓋相對應的阻擋結構以及相對應的感光部。
如申請專利範圍第1項所述的封裝製程，其中所述多個濾光層至少包括兩種不同的濾光層。
如申請專利範圍第1項所述的封裝製程，更包括：在所述多個濾光層貼合於所述多個阻擋結構上之後，於所述多個晶片中形成多個矽穿孔；以及於所述多個晶片的所述背面上形成重佈線層，其中所述重佈線層透過所述多個矽穿孔電性連接至相對應的晶片。
如申請專利範圍第1項所述的封裝製程，更包括：在所述多個阻擋結構分離設置於所述晶圓上的情況下，在所述多個濾光層貼合於所述多個阻擋結構上之後，於所述多個濾光層的側壁以及相鄰的兩個阻擋結構之間的間隙的表面上形成防水膜。
如申請專利範圍第4項所述的封裝製程，更包括於所述防水膜的表面上形成保護膜。
一種封裝製程，包括：提供多個晶片，每一晶片具有主動面、位於所述主動面上的感光部以及相對於所述主動面的背面；將所述多個晶片設置於載板上；於所述載板上形成阻擋層，以覆蓋所述多個晶片；圖案化所述阻擋層以形成多個阻擋結構，其中所述多個阻擋結構分別環繞相對應的感光部；以及將多個濾光層貼合於所述多個阻擋結構上，其中所述多個濾光層覆蓋相對應的阻擋結構以及相對應的感光部。
如申請專利範圍第6項所述的封裝製程，其中所述多個濾光層至少包括兩種不同的濾光層。
如申請專利範圍第6項所述的封裝製程，更包括：在所述多個濾光層貼合於所述多個阻擋結構上之後，移除所述載板以暴露所述多個晶片的所述背面；於所述多個晶片中形成多個矽穿孔；以及於所述多個晶片的所述背面上形成重佈線層，其中所述重佈線層透過所述多個矽穿孔電性連接至相對應的晶片。
如申請專利範圍第6項所述的封裝製程，更包括：在所述多個阻擋結構分離設置於所述載板上的情況下，在所述多個濾光層貼合於所述多個阻擋結構上之後，於所述多個濾光層的側壁以及相鄰的兩個阻擋結構之間的間隙的表面上形成防水膜。
如申請專利範圍第9項所述的封裝製程，更包括於所述防水膜的表面上形成保護膜。
一種封裝結構，包括：晶片，包括基底與感光部；阻擋結構，位於所述基底上，所述阻擋結構環繞所述感光部；濾光層，貼合於所述阻擋結構上且覆蓋所述阻擋結構與所述感光部；以及防水膜，位於所述阻擋結構的遠離所述感光部的側壁上與所述濾光層的側壁上。
如申請專利範圍第11項所述的封裝結構，更包括保護膜，位於所述防水膜的表面上。